Sisteme cu circuite integrate digitale

Funcţionarea si caracteristicile tranzistoarelor MOS.

Prof. dr. ing. Sorin Hintea

Departamentul Bazele Electronicii
 Cuprins

 Tehnologia CMOS
 Tranzistorul nMOS cu canal indus
 Parametri şi caracteristici electrice
 Tranzistorul pMOS cu canal indus
 Tranzistoare MOS cu canal iniţial
 Calculul elementelor de circuit

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 2

 Fabricarea substratului de siliciu

 Siliciul – reprezintă materia primă în industria semiconductoare

 Diametrul lingoului de siliciu variază între 75mm şi 300mm + toleranţa
 Lingoul trebuie şlefuit la diametrul dorit. Adiţional, se poate freza un plan de
orientare de-a lungul lingoului, ca referinţă în manevrare
 Lingoul e feliat cu o lamă de diamant, “feliile” sunt lustruite mecanic → eng. wafer
 Grosimea unui wafer este de 500-1000μm (funcţie de proces) → acesta constituie
substratul pentru circuitele integrate

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 3

 Incapsularea

 În urma procesului de fabricaţie, pe wafer

se găsesc mai multe CI
 CI sunt testate pe wafer, iar cele defecte
sunt marcate cu un punct de vopsea
 Pe wafer se trasează (eng. scribing) liniile
de tăiere, iar CI individuale sunt separate
(eng. cleaving)
 Circuitele integrate sunt încapsulate

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 4

 Wafer

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 5

 Incapsularea – capsula de plastic
FBGA PDIP, SOIC
 PDIP – Plastic Dual Inline Package
 SOIC – Small Outline Integrated Circuit
 PLC – Plastic Leaded Chip
 PLCC – Plastic Leaded Chip Carrier
 FBGA – Fine Ball Grid Array
PLCC SSOP
 SSOP – Shrink Small Outline Package
 TSSOP – Thin SSOP
 LQFP – Low-profile Quad Flat Package
 TQFP – Thin Quad Flat Package
LQFP

TSSOP

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 6

 Incapsularea – capsula ceramica

 CDIP – Ceramic Dual Inline Package CDIP CLCC

 CCC – Ceramic leadless Chip Carrier

 CLCC – Ceramic Leaded Chip Carrier
 CPGA – Ceramic Pin Grid Array
 CSOIC – Ceramic Small Outline IC CSOIC
CLCC
 CQFN – Ceramic Quad Flat Package no Lead

CPGA
CCC

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 7

 Tehnologia CMOS
 Tehnologia CMOS foloseşte perechi de tranzistoare cu canal n (nMOS) şi p (pMOS)
 Tranzistorul nMOS este construit pe un substrat de tip p iar pentru dispozitivul
pMOS este creată o regiune n-well pentru a funcţiona ca substrat pentru regiunile
difuzate de tip p+
 Dimensiunile tranzistorului sunt date de cele ale canalului: lungimea tranzistorului
(L) măsoară distanţa dintre drenă şi sursă în care este creat canalul, în timp (W)
măsoară lăţimea canalului

met
met

poly poly
met

met

met

met
oxid oxid
Iso p+ n+ n+ Iso p+ p+ n+ Iso

n-well

substrat p-

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 8

 Tranzistoare MOS cu canal indus - definitii

 MOS = metal oxid semiconductor

 canal p (pMOS) şi canal n (nMOS)
 Dispozitiv cu 4 terminale:
S G D S G D
 grila G
metal poly poly
 drena D oxide ox ox

 sursa S n n p p
semiconductor
p-type substrate n-type substrate
 substrat (bulk) B
B B

Structura de bază a unui tranzistor MOS este reprezentată în figură şi constă dintr-
un substrat de siliciu dopat de tip p- sau n, numit body (B), două regiuni difuzate cu
dopare complementară şi care se numesc sursă (S) şi respectiv drenă (D), iar între
acestea se găseşte poarta - gate (G).
Poarta tranzistorului constă dintr-un strat dielectric, de ex. dioxid de siliciu, crescut
deasupra substratului de siliciu şi un strat conductor din polisiliciu (siliciu
policristalin) depus deasupra.
Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 9
 Tranzistoare MOS cu canal indus - definitii
 Simboluri pentru tranzistoarele MOS:
 simboluri pentru tranzistoarele cu canal n (nMOS) şi cu canal p (pMOS)
 simboluri cu 4 terminale: gate G drain D source S bulk (substrate) B
 simboluri cu 3 terminale cu săgeată : gate G drain D source S (în electronica digitală
terminalele substrat sunt legate la masă în cazul tranzistoarelor de tip nMOS,
respectiv la potenţialul pozitiv al alimentării în cazul tranzistoarelor pMOS); săgeţile
sunt folosite pentru a reprezenta terminalul sursă
 simboluri cu 3 terminale fara săgeată: gate G drain D source S (săgeţile nu mai sunt
folosite iar pentru tranzistoarele cu canal p se foloseşte un cerculeţ în dreptul porţii
D D D

nMOS G B G G

S S S

S S S

pMOS G B G G

D D D

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 10

 Tranzistoare nMOS cu canal indus - polarizare

VGS<VTh VGS>VTh
VG=0V
S D S G D S G D
poly poly poly
ox inversion
ox ox
layer
n n n n n n

p-type substrate p-type substrate depletion p-type substrate depletion

layer layer
VB=0V VB=0V VB=0V

 Tensiune pozitivă mică  Tensiunea pe grilă

 Tranzistor MOS
(VG) aplicată pe grilă → mai mare decat
nepolarizat →
electronii sunt atraşi → tensiunea de prag
joncţiunile pn nu sunt
se extinde regiunea de (Vth) → se formează
polarizate → regiuni de
golire sub grilă canalul → condiţia
golire în jurul
fundamentală pentru
implanturilor n+ → nu  Tranzistor blocat
conducţie
curge curent

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 11

 Tranzistoare nMOS cu canal indus - polarizare

VGS<VTh VGS>VTh
VG=0V
S D S G D S G D
poly poly poly
ox inversion
ox ox
layer
n n n n n n

p-type substrate p-type substrate depletion p-type substrate depletion

layer layer
VB=0V VB=0V VB=0V

Se defineşte tensiunea de saturaţie

Vod = VGS – Vth
 Tensiune pozitivă
 Tensiune pozitivă mică între implanturile n+
mare între
(VDS < Vod )→ mişcarea electronilor din canal →
implanturile n+
curent între cele două terminale (VDS > Vod ) →
 Tranzistor în regim liniar tranzistorul intră în
saturaţie
Care e terminalul de drena şi sursă?
 Tranzistor în
Curentul circulă de la drenă către sursă regim saturat
Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 12
 Tranzistoare nMOS cu canal indus - polarizare
0<VDS<VOD VDS=VOD VDS>VOD

VGS>VTh VGS>VTh VGS>VTh

S D S D S D
poly poly poly
ox ox ox
n n n n n n
asymmetric
p-type substrate channel p-type substrate
pinch-off
p-type substrate
VB=0V VB=0V VB=0V

Se defineşte tensiunea de saturaţie

Vod = VGS – Vth
 Tensiune pozitivă
 Tensiune pozitivă mică între implanturile n+
mare între
(VDS < Vod )→ mişcarea electronilor din canal →
implanturile n+
curent între cele două terminale (VDS > Vod ) →
 Tranzistor în regim liniar tranzistorul intră în
saturaţie
Care e terminalul de drena şi sursă?
 Tranzistor în
Curentul circulă de la drenă către sursă regim saturat
Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 13
 Tranzistorul nMOS – regiunile de lucru
 Polarizarea tranzistorului nMOS presupune aplicarea unei tensiuni pozitive între grilă şi sursă
(VGS) şi a unei tensiuni pozitive între drenă şi sursă (V DS) la terminalele tranzistorului
 Variaţia tensiunilor VDS şi VGS, precum şi cele 3 regiuni de operare ale tranzistorului NMOS

D ID
ID

VDS
VGn
VGS Vth

S VGS
blocked
 Variaţia curentului de drenă funcţie de tensiunea aplicată pe grilă I D(VGS)

 Modul de lucru în regiunea de blocare presupune o tensiune pozitivă V GS mai mică decat cea de
prag a tranzistorului nMOS: Vthn.

VGS < Vth → IDS = 0 → blocare

 Pentru valori ale tensiunii VGS mai mari decat Vthn, un canal se formeză între drenă şi sursă

VGS > Vth → conducţie

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 14
 Tranzistorul nMOS – regiunile de lucru

2 regiuni de conducţie D

VGS > Vth si VDS < VGS - Vth = Vod → liniar ID

 VDS 
2
I D   n  VGS  Vth   VDS   VGn
VDS
 2  VGS
 VDS2/2 este neglijată → dependenţă lineară
S
I D   n  VGS  Vth   VDS

ID
triode saturation
VGS > Vth si VDS > VGS - Vth = Vod → în saturaţie
n
 VGS  Vth 
2
ID  VGS
2

 dependenţa curentului de drenă de tensiunea drenă -sursă,

ID(VDS) arată cum departajarea celor două regiuni de conducţie VDS

Vod = VGS - Vth
se face pe parabola VDS=VOD care separă aceste regiuni
Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 15
 Tranzistoare nMOS cu canal indus – functionare

Exemplul 1. Calculaţi curentul în saturaţie pentru un transistor cu canal n de dimensiuni 1µm/1µm. Factorul de castig = ,
 tensiunea de alimentare este 5V iar tensiunea de prag V =0.8V.
THN
 

Exemplul 2. Recalculaţi curentul în saturaţie pentru un transistor cu canal p de dimensiuni 1µm/1µm. Factorul de castig = ,
tensiunea de alimentare este 5V iar tensiunea de prag VTHP= - 0.8V.
  

Exemplul 3. Calculaţi curentul în conducţie liniară pentru un transistor cu canal n de dimensiuni 1µm/1µm. Repetaţi problema
pentru un transistor cu canal p de dimensiuni minime 1/1. Tensiunea drenă – sursă este 0.1V.

Pentru tranzistorul cu canal n:

 

Pentru tranzistorul cu canal p:

 
 
 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 16

 Tranzistoare nMOS cu canal indus – functionare
Regiunile de lucru în cazul tranzistorului MOS cu canal n, împreună cu simbolurile
echivalente

Regiunea de Tensiunea grilă Canal prezent Tensiunea drenă Model

operare sursă sursă echivalent de
D semnal mare

ID
nMOS

Blocare VGS < Vthn Nu -

VDS
VGn Liniară VGS > Vthn Da VDS < Vod
VGS Saturaţie VGS > Vthn Da VDS > Vod

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 17

 Tranzistoare nMOS cu canal indus – factorul β

 β → factorul de câştig  Capacitatea oxidului pe unitatea de

suprafaţă Cox
W ox W  ox
  K    Cox 
L tox L t ox

 W,L – lăţimea şi lungimea canalului

 εox – permitivitatea oxidului
 K → factorul de conductibilitate
 tox – grosimea oxidului
K    Cox
G
 μ – mobilitatea purtătorilor de
sarcină
S
tox Cox D
 Purtători de sarcină: nMOS →
electroni, pMOS → goluri n+ n+

 La acelasi W/L

n   p n   p

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 18

 Calculul elementelor de circuit
Exemplul 1. Mod de calcul pentru capacitatea oxidului pe unitatea de masura C ox. Tranzistoarele au
 
dimensiunea 1um/1um iar grosimea oxidului de poarta este 20 nm.
Capacitatea oxidului se calculeza cu formula

Unde 35.13 iar

Rezultă:

Exemplul 2. Mod de calcul pentru capacitatea oxidului pe unitatea de masura C ox. Tranzistoarele au
dimensiunea 1um/1um iar grosimea oxidului de poarta este 1.4 nm.

Rezultă:

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 19

 Calculul elementelor de circuit
Exemplul 3. Calculul factorului de amplificare β pentru un transistor cu canal n iar apoi pentru unul cu canal p.
 Cele două tranzistoare au dimensiuni W/L= 1µm/1µm, constanta de conductibilitate egală cu respectiv
 
 Formula de calcul pentru factorul β al unui tranzistor cu canal n de dimensiuni W/L= 1µm/1µm este:
 

 
Formula de calcul pentru factorul β al unui tranzistor cu canal p de dimensiuni 3/1 este:
 
 
 
Am folosit faptul ca valoarea tipică pentru KN al unui tranzistor cu canal n pentru un proces de 1µ este
 

Iar pentru unul cu canal p este

 

 
S-a considerat capacitatea izolatorului pe unitatea de masură a suprafeţei egală cu = 1fF/µ 2
 
Mobilitatea electronilor pentru trazistoarele cu canal n este:
 

 
Iar mobilitatea golurilor pentru trazistoarele cu canal p este:
 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 20

 Calculul elementelor de circuit

Rezistenţa tranzistoarelor în conducţie

   În conducţie liniară tranzistorul MOS se comportă ca o rezistenţă
   Rezistenţa canalului se calculează cu formula:
VDS 1 L
Ron   
I DS   (VGS  VT )   Cox W  (VGS  VT )

 Relaţia de mai sus este utilizată pentru dimensionarea tranzistoarelor în scopul imbunătăţirii
timpilor de intarziere
 Pentru a obţine tranzistoare cu rezistenţa mai mică şi timpi de comutaţie mai mici trebuie mărit
raportul W/L folosindu-se valori precum 2/1, 4/1 sau 8/1

Exemplul 1. Calculaţi rezistenţa în conducţie directă pentru un transistor cu canal n iar apoi pentru unul cu
 canal p. Ambele au dimensiuni minime : L =1µ si W =1µ, iar L =1µ si W =1µ. Tensiunea de alimentare este
N N P P
5V iar tensiunea de prag VTHN= -VTHP= 0.8V.
  
 
  
 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 21

 Calculul elementelor de circuit

Calculul rezistenţelor ca elemente de circuit

 Determinarea rezistenţei unui material conductor omogen:

 L
R on    Rs  L
t W

  ρ [Ω∙m] → rezistivitatea materialului

 t [m] → grosimea conductorului
 L [m] → lungimea conductorului
t
 W [m] → lăţimea conductorului L
W
 RS [Ω/m]→ rezistenţa (de suprafaţă) pe unitatea de
lungime

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 22

 Calculul elementelor de circuit

Rezistenţe de suprafaţă pentru materialele folosite în tehnologia CMOS

Materialul Rs [ /m]

Metal 0,03
Difuzie 10  50
Polisilicon 15 100
canal n 104
canal p 2,5104

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 23

 Tranzistorul pMOS cu canal indus – mod de operare
 Tranzistorul pMOS este format din două regiuni de tip p (sursă şi dren ) precum şi un substrat
(body) de tip n.
 În tranzistoarele pMOS purtătorii sunt golurile (purtători pozitivi)
 Mobilitatea golurilor în siliciu este mai mică decât a electronilor. Aceasta înseamnă că
tranzistoarele pMOS generează mai puţin curent decat cele nMOS la o dimensiune comparabilă
şi prin urmare sunt mai lente.
 Simbolurile µn şi µp sunt utilizate pentru a diferenţia cele două tipuri de mobilităţi, cea a
electronilor şi respectiv cea a golurilor în tranzistoarele nMOS and pMOS+

n  2   p n  2   p R p  2  RN

 Raportul mobilităţilor µn / µp este cuprins intre 2 si 3 S G D

- noi vom folosi 2 pentru exemplele din acest curs poly
ox
 Simbolul pentru tranzistorul pMOS este cel cu cerculeţ
în dreptul porţii p p
n-type substrate

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 24

 Tranzistoare pMOS cu canal indus – functionare
blocat
 3 regimuri de operare
ID
 |VGS| < |Vth| → ID = 0 → blocat

 |VGS| > |Vth| → |VDS| < |Vod| → liniar Vth VGS

 | VDS |2 
ID   p   | VGS |  | Vth | | VDS |  
 2 

 |VDS|2/2 se neglijează → dependenţă liniară ID

VDS
 |VGS| > |Vth| → |VDS| > |Vod| → saturat
VGS
p
ID    | VGS |  | Vth | 2
2
saturat liniar

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 25

 Tranzistorul pMOS – regiuni de lucru
Regiunile de lucru în cazul tranzistorului MOS cu canal p, împreună cu simbolurile
echivalente

Regiunea de Tensiunea Canal Tensiunea drenă sursă Model

operare grilă sursă prezent echivalent de
S semnal mare

ID
VSG
pMOS

VSD Blocare VSG < |Vthp| Nu -

Liniară VSG> |Vthp| Da VSD < |Vod|

VGp
Saturatie VSG > |Vthp| Da VSD > |Vod|

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 26

 Tranzistoare MOS cu canal initial

 O regiune de tip n sau p situată sub poartă este dopată în timpul procesului de
fabricare a tranzistorului → canal initial
 Tranzistorul este în conducţie şi pentru tensiunea grilă -sursă VGS = 0, sau uşor
negativă
 Pentru VGS < Vth (în cazul pMOS |VGS| < |Vth|) se forţează golirea canalului şi
tranzistorul este comandat în blocare
 Efectul canalului iniţial este translatarea spre valori negative (în cazul pMOS spre
valori pozitive) a caracteristicii de transfer a tranzistorului

met
met

poly poly
met

met
met

met
oxid oxid
Iso p+ n+ n+ Iso p+ p+ n+ Iso

n-well

substrat p-

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 27

 Tranzistoare MOS cu canal initial

 Efectul canalului iniţial este translatarea spre valori negative (în cazul pMOS spre
valori pozitive) a caracteristicii de transfer a tranzistorului
blocat
ID
nMOS ID pMOS

Vth VGS

Vth

VGS
blocat

ID blocat
ID
nMOS
canal initial Vth VGS

Vth
pMOS
canal initial
VGS
blocat

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 28

 Probleme propuse
 
Probleme propuse:
1. Calculati factorul de amplificare β pentru un transistor cu canal n iar apoi pentru unul cu canal p. Cele două tranzistoare au
dimensiuni W/L= 1µm/1µm, constanta de conductibilitate egală cu respectiv
 
 Formula de calcul pentru factorul β al unui tranzistor cu canal n de dimensiuni W/L= 1µm/1µm este:
 

 
Formula de calcul pentru factorul β al unui tranzistor cu canal p de dimensiuni 3/1 este:
 
 
 
Am folosit faptul ca valoarea tipică pentru KN al unui tranzistor cu canal n pentru un proces de 1µ este
 

Iar pentru unul cu canal p este

 

 
S-a considerat capacitatea izolatorului pe unitatea de masură a suprafeţei egală cu = 1fF/µ 2
 
Mobilitatea electronilor pentru trazistoarele cu canal n este:
 

 
Iar mobilitatea golurilor pentru trazistoarele cu canal p este:
 

Circuite integrate digitale – Circuite logice cu multiplexoare 29

 Probleme propuse
 
Probleme propuse:
2. Calculaţi rezistenţa în conducţie directă pentru un transistor cu canal n iar apoi pentru unul cu canal p. Ambele au dimensiuni
minime : LN=1µ si WN =1µ, iar LP=1µ si WP =1µ. Tensiunea de alimentare este 5V iar tensiunea de prag VTHN= -VTHP= 0.8V.
 
 
 

 
 
 

 
 
3. Cum se schimbă rezistenţa tranzistorului cu canal p dacă dimensiunea acestui transistor devine L P=1µ si WP =3µ (WP / LP =3µ /2µ
= 3/1).
 

Circuite integrate digitale – Circuite logice cu multiplexoare 30

 Probleme propuse
 
Probleme propuse:
4. Calculaţi curentul în saturaţie pentru un transistor cu canal n de dimensiuni minime 1µm/1µm. Tensiunea de alimentare este 5V
iar tensiunea de prag VTHN=0.8V.
 

5. Recalculaţi curentul în saturaţie pentru un transistor cu canal p de dimensiuni minime 1µm/1µm.

  

6. Calculaţi curentul în conducţie liniară pentru un transistor cu canal n de dimensiuni 1µm/1µm. Repetaţi problema pentru un
transistor cu canal p de dimensiuni minime 1/1. Tensiunea drenă – sursă este 0.1V.

Pentru tranzistorul cu canal n:

 

Pentru tranzistorul cu canal p:

 
 
7. Care este valoarea rezistentei in conductiei liniara a dispozitivelor din problema precedenta?

Circuite integrate digitale – Circuite logice cu multiplexoare 31

 Probleme propuse
 
Probleme propuse:
8. Determinaţi capacitatea de intrare a unui tranzistor cu canal n avand dimensiunile L N=WN = 1µ. Capacitatea oxidului pe unitatea
de suprafaţă este Cox = 1fF/ µ2
 
Capacitatea de grilă a tranzistorului cu canal n se calculează cu formula:
 

 
 
9. Determinaţi capacitatea de intrare a unui tranzistor cu canal p cu aceleasi date ca în problema precedentă şi dimensiuni ale
canalului egale cu LP=1µ şi WP =3µ.
 
Capacitatea de grilă a tranzistorului cu canal p se calculează cu formula:
 

Circuite integrate digitale – Circuite logice cu multiplexoare 32

 Probleme propuse
Parametrii tranzistoarelor MOS cu canal lung ( L=W= 1µm) si tensiune de alimentare VDD=5V

Parametru NMOS PMOS

Tensiune prag VTHN = 800 mV VTHP = 900 mV
Grosime oxid Tox=20 nm Tox=20 nm
Conductibilitate canal KN=120µA/V2 KP=40µA/V2
Capacitate oxid pe Cox=1.75fF/µm2 Cox=1.75fF/µm2
unitate

Parametrii tranzistoarelor MOS cu canal scurt ( L=W=50nm) si tensiune de alimentare VDD=1V

Parametru NMOS PMOS

Tensiune prag VTHN = 280 mV VTHP = 280 mV
Grosime oxid Tox=1.4 nm Tox=1.4 nm
Capacitate oxid pe Cox=25fF/µm2 Cox=25fF/µm2
unitate

Curent conductie IDSon = 600 µA/µm IDSon =300 µA/µm

liniara

Curent stare OFF IDSoff =7.1 nA/µm IDSoff =10 nA/µm

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 33

 Probleme propuse

Circuite integrate digitale – Circuite logice cu multiplexoare 34