1 Emitatoare

Comunicatii Optice
Paun Adrian Florin

2
Cuprins
Cap 0 - Introducere
Cap 1 - Fibra optică
Cap 2 - Emitatoare optice
Cap 3 - Receptoare optice
Cap 4 - Prelucrarea semnalului pentru transmisiuni optice
Cap 5 - Alte componente ale unui sistem optic
Cap 6 - Amplificatoare fotonice
Cap 7 - Retele optice de transport
Cap 8 - Retele optice de acces
Cap 9 - Alte aplicatii ale fibrelor optice
Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

CO – Emițătoare optice
3 Parametrii transm. optice

• Dimensiune geometrică mică pt a corespunde FO
• Lățime spațială mică a fascicolului optic
• Lățime spectrală redusă pt a reduce dispersia cromatică
• Timp de răspuns cât mai mic
• Putere optică de emisie cât mai mare
• Posibilitatea modulației directe
• Funcție pondere liniară față de curentul electric de intrare
• Stabilitatea în timp
• Fiabilitatea
• Costul
• Complexitatea circuitului de alimentare

4 Comparație LASER - LED

• LED (dioda cu emisie de lumină) – o diodă PN alim. direct
• Utilizează emisia spontană a luminii
• Generează lumină incoerentă
• lățimea spectrală de emisie Δλ = 10–100 nm
• Timp de răspuns mare - modulație lentă
• lățime spectrală > debit binar (dispersie limitată)
• LASER – emisie stimulată cu amplificarea luminii
• Utilizează emisia stimulată a luminii
• Lumină foarte coerentă
• lățimea spectrală de emisie îngustă Δλ = 10–100 pm
• Timp de răspuns mic - modulație rapidă
• lățime spectrală < debit binar

5 Interacțiunea lumină-materie- gen. fotoni
h c 1. 2 4
• Energia unui foton emis: E p h  E g h   eV
 μm
• Eg este energia benzii interzise
• Recombinare neradiativă
• Reduce numărul de perechi electroni-goluri
• Energia este cedată unui alt electron (energie
cinetică)

6 Benzi energetice
• Semiconductori intrinseci (gr. 4) – număr egal de electroni și goluri

• Excitatie termică – un electron din banda de valență trece in cea de
conducție → electron liber
7 Materiale de tip n
• Smiconductori gr. 5: nivelul donor de tip n

• Ionizarea impurităților din donor →Creșterea concentrației de
electroni
8 Materiale de tip p
• Nivelul acceptor – semiconductor de tip p (gr 3)

• Ionizarea impurităților din donor →Creșterea concentrației de
goluri

9 Materiale intrinseci și extrinseci

• Material intrinsec → material pur, fără impurități
n, p, ni = concentrația de electroni, goluri
 Eg 
n p n i ∼ ex p   purtători intrinseci
 2k BT  E = banda de energie ; T = temperatura
g
• Material extrinsec → tip de semiconductor donor sau acceptor

2
pn  ni
Purtători majoritari: electroni în semicond. n , goluri în semicond p

Purtători minoritari: goluri în semicond. n , electroni în semicond p
• Injectarea / extragerea purtătorilor minoritari – determină
funcționarea dispozitivelor semiconductoare
10 Semicond. cu bandă indirectă

E E E
CB
Indirect Bandgap, Eg
Ec CB
Direct Bandgap Eg Photon CB Ec Er Ec
Ev kcb Phonon
Ev Ev
VB
VB kvb VB
–k k –k k –k k
(a) GaAs (b) Si (c) Si with a recombination center
(a) In GaAs the minimum of the CB is directly above the maximum of the VB. GaAs is
therefore a direct bandgap semiconductor. (b) In Si, the minimum of the CB is displaced from
the maximum of the VB and Si is an indirect bandgap semiconductor. (c) Recombination of
an electron and a hole in Si involves a recombination center .
© 1999 S.O. Kasap,Optoelectronics(Prentice Hall)
• Materialele cu bandă directă (semiconductori gr 3-5) au cea

mai mare eficiență cuantică

11 Fzica semiconductorilor – rev.

• LED și dioda laser → joncțiune
p-n în materiale cu tranz. directă în
banda interzisă (gr 3-5).
• Polarizare directă a joncțiunii p-n
electronii și golurile în regiunile n/p
• Recombin. purt. minoritari:
• Radiativă – este emis un foton cu
energia E=hν
• Neradiativă – se generează jonctiunea pn - regiunea
căldură activă sau
regiunea de recombinare

12 Benzile λ pt FO și materiale pt emițătoare
Banda Descriere Interval λ

O band original 1260–1360 nm
E band extended 1360–1460 nm
S band short 1460–1530 nm
wavelengths
C band conventional 1530–1565 nm
(“erbium
window”)
L band long 1565–1625 nm
wavelengths
U band ultralong 1625–1675 nm
wavelengths

13 LED – parametrii constructivi

• LED-ul emite fotoni → emisie spontană
• Lumina emisă: incoerentă, nedirecțională, nepolarizată
• Nu are prag de curent pentru emisie
• Structura dublă heterojoncțiune pt îmbunătățirea emisiei
luminii (2 straturi p și 2 straturi n)
• Fiecare regiune trebuie să aibă indice de refracție
corespunzător FO
• Emisia fotonilor se poate realiza pe suprafața (SLED) sau pe
margine / laterală (ELED)

14 LED – structura heterojoncțiune dublă

15 LED – structura fizică

• Material GaAlAs pt 850 nm sau InGaAsP pt benzile S și L
• Lățimea spectrală de ieșire ( Δλ = 50 - 150 nm)
• Putere de emisie mai mică de -13 dBm (50 μW)
• viteza de modulație (debitul binar) × 100Mbps
• Mai ieftine decât dioda laser
• Structuri: emisie de margine ; emisie de suprafață

16 LED – aspecte constructive

Relația dintre parametrul
lattice al cristalului, Eg , λ de
emisie.
Aria hașurată este pt structură
cu 4 elemente In1–xGaxAsyP1–y
E g 1 .3 50 .7 2 y 0 . 1 2 y 2
y  2 .2x cu 0 x 0 .4 7
Intervalul 920nm – 1650nm a
λ de emisie este acoperit de
această structură de materiale
P t. Ga1 x A l x A s
E g 1. 42 41 .2 66 x0 . 26 6 x 2

17 Energia benzii interzise - λ

• λ radiației emise depinde de energia benzii interzise a
materialelor componente

18 Energia benzii interzise - λ

• Energia benzilor interzise si λ pentru diferite substanțe
• h – constanta Planck [6.3∙10-34 = 4.14 ∙10-15 eV ]
• Eph – energia fotonului [eV] hc
μm
E p heV

19 LED cu emisie de suprafață / muchie

• Caracteristicile LED cu emisie de suprafață / muchie
SLED are o lărgime spectrală Δλ mai mare decât ELED

20 LED – ecuațiile ratelor

• Dacă nu există injecție externă de purtători, densitatea
purtătorilor scade exponențial (recombinare electron-gol)
n(t )  n0 e t /  n(t)
n(t) – densitatea purtătorilor in exces
n0 – densitatea purtătorilor in exces inițială
τ – durata de viață a purtătorilor
dn n
Rata de recombinare Rrcb : R rcb  
dt  t
• Dacă există curent extern cu densitatea J ecuația ratelor pt.
recombinarea electron-gol este:
d n t  J 
dn(t )

J n condiția de echilibru:
 0  n 
dt qd  dt qd

21 LED – ecuațiile ratelor

• Rata de recombinare Rrcb = rata recombinărilor radiative (Rr)
+ rata recombinărilor neradiative (Rnr)
Pt scăderea exponențială a purtătorilor n(t)
în excess
• Timpul de viață pt recombinarea e  t /  nr
radiativă: τr=n/Rr t /  r
• Timpul de viață pt recombinarea e
t / 
neradiativă: τnr=n/Rnr
e
t
Rrcb Rr Rnr 1/ τ 1/ τr  1/ τ nr

• Eficiență cuantică mare : Rr >> Rnr → τr << τnr

22 Eficiența cuantică
• Eficienta cuantică internă = eficiența cu care recombinările
generează fotoni: R  
 int  r
 nr

Rr Rnr  r  nr  r
I – curentul care se injectează
Rr  int ( Rr Rnr ) int I / q
în LED
q- sarcina electrică a electronului
• Exemple de timpi de viață (ai purtătorilor)

23 Eficiența cuantica – Puterea optică

• Puterea optică generată intern in regiunea activă din LED
depinde de energia fotonului (hν), numărul generat pe secundă
(I/q) și eficiența cuantică internă (ηint):
I hcI I
Pint   int h   int  1.24 int
q q 
Pint - puterea optică internă
I - curentul injectat în regiunea activă
• Si – material cu bandă indirectă → ηint de valoarea mică

• GaAs - material cu bandă directă, tranziția radiativă este rapidă
→ ηint de valoarea mare

24 Eficiența externă
Doar o parte din fotonii generați intern vor ieși din LED (pot fi
utilizați în aplicații, exp. transm. prin FO); cauze:
• Pierderi din cauza absorbției interne: exp(-αl), unde α este
coeficientul de absorție; și l lungimea căii din regiunea activă;
• Pierderi din cauza reflexiilor Fresnel (cresc cu unghiul de
incidență)
• Pierderi din cauza reflexiei totale interne (TIR) → con mic de
ieșire
nr. fotoni emisi de LED
• Eficiența externă:  ext 
nr. fotoni total generati intern
h 
• Puterea totală de ieșire: Pe  extint I
q

25 Reflexia Fresnel
La trecerea luminii dintr-un mediu cu indicele de refracție n1 la
altul cu n2 apare reflexia Fresnel. Pt direcție perpendiculară:
2
 n1  n2  4n1 n2
R    T
 n1  n2  (n1  n2 ) 2
• R – coeficientul de reflectivitate Fresnel

• T - coeficientul de transmitanță Fresnel (R+T = 1)
• Atenuarea Fresnel in dB: LossFresn = -10·log(T)
Obs: în cazul unui conector, exista două schimbări de mediu
( n1→ n0 și n0→ n1 )

26 Conul de emisie
• Fracțiunea de lumină printr-o arie dată, lumină venind de la o
sursă punctiformă se poate aproxima cu:
Area 1  cos c  1

 
4 r 2
2 4n 2
27 Lățimea Fasciculului “principal”

• Model comun emițătoare LED (funcție de lățimea fasciculului)
B ( )  Bo  cos L ( )
• Fasciculul ”principal”:
intensitatea luminoasă > ½
din intensitatea maximă:
B (1/ 2 )  Bo /2
• Sursa lambertiană (L=1)

θ1/2 = 60º

28 Cuplajul puterii sursă LED - FO

• Raza suprafeței de emisie LED (rs) rs < a
• Raza FO (a)
2   2 
Ps  As    B  ,  d  d

0  0 
 2
  rs2 2 Bo  cos( )sin( )d   2 rs2 Bo
0
• Ps – puterea emisă de o sursă cu aria A într-o hemisferă (2π·rs)
• Puterea optică in FO cu salt de indice de refracție:
 P L
 s Fresn   NA
2
for rs  a
PFO , step 
 a rs  Ps  L Fresn   NA for rs  a
2 2

29 Modulația directă (pt LED)

• Curentul de alimentare constant → puterea optică = P0
• Curentul este sinusoidal cu pulsația ω, puterea optică de
emisie: 1/2
P    P0  1   i  
2
 
• Timpul de răspuns al sursei optice - τi

• Curentul electric direct proporțional cu puterea optică.
• Banda electrică vs band optică
 p     I(  )   P( )   I ( ) 
BWEL  10log    20log   BWOPT  10log    10log  
 p (0)   I (0)   P (0)   I (0) 
p  puterea electrică P  puterea optică
I  curentul electric

30 Modulația LED-ului
• Ecuația ratelor pt LED nu prezintă dN (t ) J N
 
emisie stimulată: dt q c
• Curentul de alimentare
modulat sinusoidal: I t   Ib  I m exp  jm t 
• Expresia purtătorilor
 c J  c Im 1
de sarcină: N (t )    exp  jm t 
q q 1  jm c
• Banda de -3dB este limitată de 3
timpul de viață al purtătorilor f 3dB 
2 c
• Valori tipice pt frecvența de modulație: 50-150MHz
• Largimea spectrală de 50-60nm pt LED InGaAs cu λ =1.3μm
• LED-ul pt comunicații de distanță scurtă

31 Banda electrica vs banda optică

P ( f )  Po / 1  (2f ) 2
Puterea Optică ~ I(f ); Puterea Electrica ~ I 2(f ) →

1
→ Aten. elect. = 2 × aten. optică (in dB) , B3dB_el  B3dB_optic
3
32 LASER-ul
(Light Amplification by ‘Stimulated Emission’ and Radiation)
• LASER – oscilator optic:
1. Amplificator optic rezonant (cu mecanism de saturare a amplificării)
2. Reacție pozitivă (cu potrivire a fazei)
3. Mecanism de selecție a frecvenței
4. Schemă de cuplare a ieșirii
• Operațiile fundamentale din LASER
• Absorbția – un atom din starea de bază absoarbe un foton emis de alt
atom și trece în stare excitată
• Emisia spontană – emisie aleatoare de fotoni ca urmare a trecerii unui
atom din starea excitată în starea de bază
• Emisie stimulată – un atom în starea excitată poate fi stimulat să emită
un foton de un alt foton incident (crește umărul fotonilor – oscil. in fază)

33 Emisie spontană și stimulată

34 Cum funcționează LASERUL

35 LASER semiconductor
• Laserul semiconductor utilizează emisia stimulată
• Lumină coerentă (spectru îngust)
• Putere mare de emisie (>10mW)
• Fascicul de emisie îngust, eficiență mare de cuplare (30-70%)
• Bandă de modulație mare (până la 25GHz)
• Necesar un mediu activ (cu câștig) cu reacție (cavitate Fabry-Perot)
• Câștig optic – inversie populație
• Nu în echilibru termic
• Câștigul optic liniar cu
densitatea de purtători
Injectată (N) și valoarea de
Densitate a transparenței (Nt)

36 Condiția de emisie LASER

• Reflectivitatea puterii (R) 2
 n 1 n 2 R n1
la interfața aer-semicond.: R    1 R2
 n 1 n 2 
(în general, R1 = R2 = R)   Z=0 n2 Z=L

• Câmpul electric în cavitate: E  z   E0 exp j   z  t    g     z 2 
• g – câștigul de putere, α – pierderea de putere
• Factorul 2 – pentru amplitudine , nu putere
• După un drum complet (două reflexii), câmpul electric

E  z  2 L   E0 R1 R2 exp j    z  2 L    t    g      z  2 L  2 
• Condiția de emisie Laser: E  z  2 L   E  z 
• Det. Cond. pt fază și amplit. gth    1  2 L  ln  R1R2 
- νm moduri longitudinale laser  L  m   =   mc   2nL 
m
presupunând   2 n 
2nL  m
37 Spectrul pt diodă Laser

• Laserul începe să ”emită” g  gth
Cel mai simplu tip de laser semiconductor
• Laserul Fabry-Perot
• Interferometru Fabry-Perot
• Emite simultan în mai multe moduri
c 2
  m  m 1    
2 Ln 2 Ln
Intervalul tipic dintre moduri
Δν ≈ 100–200 GHz
• Profil Gaussian în domeniul lungimilor de undă:
 (   0 ) 
g ( ) g (0)exp 2 
 lărgime spectrală
 2 
38 Laserul monomod
• Cavitate cu pierderi dependente de lungimea de undă → Laser
monomod
• Laser cu reacție distribuită (DFB)

• Graticulă selectivă pentru λ în cavitate
• Poate fi ajustat în temperatură (~5nm)
• Laser cu cavitate externă
• Elementele selective pentru λ în afara cavității
• Mai ajustabil (~50nm), linii spectrale înguste
• Lasere cu emisie supr, cavitate vert (VCSEL)
• Direcția luminii perpendiculară pe substrat
• Foarte bună alternativă la LED
39 Ecuațiile ratelor in LASER semicond.

Descriu comportamentul static și dinamic al Laserilor cu semiconductor
• Numărul de fotoni P, respectiv de electroni N
• Se presupune un Laser monomod (longitudinal sau transversal)
G  GN  N  N0 
• Rata netă a emisiilor stimulate
depinde de cea a emisiilor spontane Rsp  nsp G
• nsp este 2 pt Laser cu semicond.
• Timpul de viață al fotonilor:   1   g   1  2 L  ln  R1 R2 
• Pragul pt emisie Laser: P  0, dP / dt  0, Rsp  0
40 Condiții pt stare stabilă (undă continuă)

• În starea stabilă derivatele în timp tind la zero  ”d d t  0” 
• Se neglijează emisia spontană ( Rsp =0)
Cu ecuațiile ratelor se obține:
I c
• Pt curenți mici G  p  1, P  0, N 
q
• Pragul de emisie stimulată qN
G p  1, P  0, N  Nth  N0  1 , I  Ith  th
p
 GN p  c
• Peste prag G p  1, P   I  Ith  , N  Nth  const , I  Ith
q

41 Curbe Pout - Iin

• Puterea optică de ieșire pentru o față (pp. aceeași reflectivitate
pentru ambele fațete, R ) 1 1 1 1
Pe   g  mir h   P   g ln    h   P
2 2 L R
• Parametrii care se înrăutățesc cu temperatura
• Crește curentul de prag
pentru emisie optică
• Panta curbei P-I scade,
se micșorează cu creșterea I
• Cauze cuantice
• Crește recombinarea
neradiative
• Creșterea pierderilor
interne
42 Eficiența cuantică externă

• Eficiența cuantică externă = numărul mediu al fotonilor emiși
față de nr. recombinărilor radiative ale perechilor electron-gol
peste prag.
i ( g th   )
ext 
g th
q dP dP ( mW )
  0.8065[ m]
E g dI dI ( mA)
• De reținut:
i  60%  70%; ext  15%  40%

43 Modulația surselor optice

Sursele optice pot fi modulate direct sau extern:
• Modulația directă – se modulează curentul de alimentare al
sursei de către semnalul mesaj (analogic / digital)
• Modulația externă – laserul emite undă continua (CW) iar
modulația se realizează in FO sau ghiduri de undă
Recapitlare:
• Modulația optică face ca purtătoarea optică să transporte informația
• Modulația poate fi analogică (semnalul mesaj analogic) sau digitală
(0/1)
• Măsura performanței unei transmisiuni analogice: SNR
• Măsura performanței unei transmisiuni digitale: SNR si BER

44 Modulația directă
• Semnalul mesaj (ac) se adună cu curentul de alimentare (dc) pt
a modula Laserul
• Simplă, robustă, larg utilizată pentru sursa LED
• În special pentru λ= 1310nm
• Distanțe < 30km, fără amplificatoare fotonice (EDFA)
• Probleme pt laser : variația λ (frecvența de rezonață) – chirp,
introduce neliniarități și saturație a puterii de ieșire.

45 Modulația directă
Fără semnal mesaj la intrare, sursa optică primește un curent IB și
are puterea de emisie Pt. Pt semnal mesaj s(t), puterea de ieșire
variază. (m - indicele de modulație ) P t   Pt t  1  m  s t 
m   I IB
Pt LEDs
IB’ = IB
Pt diode laser
IB’ = IB – Ith

46 Modulația directă OOK

Modulația directă – simplă Optical Power
dar introduce neliniarități (P) I P(t)
th
Când curentul de alimentare

I1 I2
sare de la valoare mică
Current (I) t
(I1 < Ith) la mare (I2 > Ith) este o
I(t)
 I 2  I1 
întârziere în care Laserul emite t d   sp ln  
t
I 
 2 th I
• Limitele ratei de modulație:
1 c 1 1  c
• Timpul de viață al fotonilor din    ln   gth
cavitatea Laser  ph n  2L R1R2  n
1/ 2
• Frecvența de relaxare a oscilațiilor 1 1  I 
f  
  1 
2  sp  ph  I th 
47 Limitările modulației directe

• Întârzierea de pornire a emisiei luminoase și frecvența de
rezonanță limitează viteza modulației digitale pt Laser
• Saturarea și limitarea valorilor introduce distorsiuni de
neliniaritate în modulațiile analogice (în sisteme
multipurtătoare)
• Distorsiunile de neliniaritate introduc distorsiuni de
intermodulație de ordin superior
• Chirp: deviația nedorită a λ proporțională cu curentul de
modulare → lățire a spectrului de ieșire a Laserului

48 Modulatoare externe
Sursa optică
generează lumină cu
amplitudine const.
Aceasta este modif
de un modulator ext.
• Tipuri de modulatoare externe
• Modulator de fază electro-optic (Mach-Zhender, MZM), realizat
cu LiNbO3
• Modulator cu absorbție electro-optic (EAM), care se bazează pe
efectul Franz-Keldysh

CO – Prelucrarea semnalului în transm. optice
49 Modulator de tip electro – absorbție

• Expresia câmpului electric
 j 
Eout t   Ein t  d t  exp lnd t 
• α - parametrul chirped  2 
• d(t) – datele modulatoare d t  1 m  mdatat 
• m - indicele de modulație
Pout t   Pin t d t   Pin t 1 m  mdatat 

50 Modulator de tip acusto - optic

O vibrație mecanică asupra unui material → compresie si relaxare
a zonei respective.
• Generează o rețea de graticule (similar cu o rețea de difracție)
• Parametrii rețelei controlați prin frecvența și intensitatea
vibrațiilor (în materiale: cuarț)
• Exp: raportul între lungimile de undă este mare ( ×10, ×100)
flight=200THz, fsound=200MHz ; vlight= 2E+8 , vsound= 6E+3 → λlight /λsound =30
n
• Parametrii ai reței de difracție Bragg: sin   
• Unghiul de incidență = unghiul de reflexie 2
• Trebui să fie reflexie constructivă între două unde optice
• θ - unghiul de incidență, Λ , λ- lungimea de undă acustică,
respectiv optică

51 Modulator de tip acusto - optic

• Structura comună – rețea de difracței (graticulă) Bragg
Avantaje:
- Pot funcționa la puteri mari
- intensitatea semnalului refractat este
proporțional cu intensitatea undei
acustice
- se pot modula simultan una sau
mai multe lungimi de undă
- se poate modifica lungimea de
undă a semnalului cu devație Doppler
Dezavantaje:
- atenuare de inserție desul de mare
- necesită curent de alimentare mare
- frecvența de modulație este inferioară
frecvenței undei acustice, astfel frecvența
de modulație are valori modeste
52 Modulator Mach-Zehnder
• Utilizează structura unui interferometru Mach-Zehnder (MZI) :
• Separarea fascicolului luminos de intrare (cu joncțiune Y sau cuploare
direcționale)
• Aplicarea unei funcții de transfer pe fiecare ramură
• Semnalele rezultate sunt combinate le ieșire
• Intensitatea câmpului electric de ieșire (în frecvență)
EOUT  f   EIN  f    H 1  f   H 2  f  

Semnal
• Exemplu modulator OOK: electric
- Se introduce Δφ Semnal optic
(diferență de fază modulat
între cele două ramuri)
• Δφ = 0 se însumează undele de la ieșire

• Δφ = π se anulează undele de la ieșire
- Se poate modula undă continuă;
- Δφ : modif lung / viteză
• Se utilizează efectul Pockels

(efect electro-optic de modificare liniară a indicelui de refracție, n cu
ajutorul tensiunii electrice;
54 Efectul electro-optic
• Ecuațiile lui Maxwell (recapitulare)
B E – intensitate câmp electric
  D  ,  E   ,
t D – inducție electrică
D H – intensitate câmp magnetic
  B  0,  H  j  , B – inducție magnetică
t
D   0 E  P  E P – polarizare electrică
ε – permitivitate electrică
Efectul Pockels Efectul Kerr
χ – susceptibilitate electrică
P   0 (  (1) E   ( 2 ) E 2   ( 3) E 3 ...),
• Efectul electro-optic liniar: ij  0(1 ij  ijk Ek ) 1  rijkEk ,
(1) (2)
• Când nu se aplică E extern de la o sursă de tensiune: E  V d

• Indicii de refracție pe   11 0 0   n x2 0 0 
   
principalele axe de analiză    0  22   0  0 ny
2

    n 2
 33   z 

55 Efectul eletro-optic
• La aplicarea unui câmp electric extern permitivitatea -1 η = ε -1
ij  0  rijk Ek , unde η este un tensor 3 × 3
Iar rijk coeficienții unui tensor cu 3 × 3 × 3=27 componente
→ E modifică permitivitatea electrică (indicele de refracție)
   1   0 rijk E k , rijk  rjik , (doar 18 mai importanți)
 r11 r12 r13 
 
j i=1 2 3
 r21 r22 r23 
r   E1 
1 1 6 5 r32 r33  
  0   31  E 2 
2 6 2 4  r41 r42 r43  
r   E3 
r52 r53
3 5 4 3  51 
r r62 r63 
 61
• Exemplu: pentru LiNbO3 se obține
 0  r22 r13 
 
 0 r22 r13 
 0 0
0 r33  
  0    0    0  r33 E 3
 0 r51 0  
E3
 r 0 0  
 51 
 r 0 0 
 22
 1   1   1 
 2  r13 E z  x 2   2  r13 E z  y 2   2  r33 E z  z 2  1,
 n0   n0   n0 
1  1  1  1  1 3
   r33 z 
E  
  r13 z 
E , n0   n0 r13 E z ,
ne2  n02 , 2
n ' 0  n02
 2

1 3 1 3
n e  n0  n0 r33 E z , ne   n0 r33 E z ,
2 2

• Exemplu: pentru LiNbO3 variația indicelui de refracție
depinde de tipul de undă TM sau TE
+ -
• Pentru TE (Excitație longitudinală)
1 3
no  no 0  n0 r13 E z ,
2 z
1 3
n   n0 r13 E z ,
2
• Pentru TM (Excitație transversală)

1 3
ne  n0  n0 r33 E z , z
2
1 3
n   n0 r33 E z ,
2
58 Modulatorul Mach-Zehnder
• Modulator de fază (phase- MZM)
1 3
• Variația indicelui de refracție n   n0 r33 E z ,
2
• Deplasarea fazei din cauza aplicării tensiunii
2  3 d 0
   n  L    n0  r33  L  Ez V  E z 3
,
0 0 L n0 r33
• V , (Vπ) – tensiunea aplicată (tensiunea pentru defazaj de π radiani )
• L - lungimea regiunii câmpului electric
• D - distanța dintre electrozi
• r33 – coeficientul electro-optic pe
direcția z (30.9 pm/V pt LiNbO3)
vt 
j
EOUT  t   EIN  t   e V

• MZM nebalansat cu o sursă, cu substrat LiNbO3
Tăiere pe direcția
x sau y
 v t  
1 j
EOUT  t   EIN  t    1  e V 
2  
 
1 1 1
Aout  A1  A2 , A1  A0 e in0L , A2  A0 e i ( n0  n ) L , Aout  A0 e in0L (1  e inL ),
2 2 2
Curentul de la detecție ~ puterea optică
2 1 inL 2
I out  Aout  I 0 (1  e )  I 0 cos 2 ( nL / 2),
4
  1 V
I out  I 0 cos 2 ( nL)  I 0 cos2 ( (  n03 33 ) L),
  2 d
 1 3 V d
(  n0 33 ) L   / 2, V  3
 2 d n0 33 L
• MZM nebalansat cu o sursă, cu substrat LiNbO3
2   v t  
• Puterea optică de ieșire P  t   P cos    in
 2 V 
output power normalized

1
to Pin
0.5
0
-1 -0.5 0 0.5 1
v(t) normalized to Vpi
output phase normalized

0.5
to pi [rad]
0
-0.5
-1 -0.5 0 0.5 1

MZM balansat cu o sursă, cu substrat LiNbO3
• Configurația electrodului – pe zona activă de sus și de jos se aplică aceeași
tensiune electrică (rezultă același defazaj), dar cu polarități opuse.
• Se utilizează o componentă DC pentru ajustarea punctului de operare.
• La ieșire: v t  Vdc
j RF
EOUT  t   EIN  t   e V
• Dezvoltare în serie Taylor

 v  t  2 v2  t  
1 j  2

V 2V 
EOUT  t   EIN  t   
 1 v3  t  
 j  3

 6 V3 
  
• Puterea de ieșire:
 vRF  t   Vdc 
POUT  t   2  PIN  t   cos   
 V  
MZM balansat cu o sursă, cu substrat LiNbO3 (modulator MP )
• Tensiunea de alimentare a modulatorului
V(t )=vRF(t )+Vdc

1
to Pin
1
1
-1 -0.5 0 0.5 1
1
0.5
to pi [rad]
-0.5
-1
-1 -0.5 0 0.5 1

MZ balansat cu o sursă diferențială, cu substrat LiNbO3
• Tensiunea de alimentare a modulatorului
V1(t )=vRF_1(t )+Vdc_1
V2(t )=vRF_2(t )+Vdc_2
• Cea mai utilizată schemă
- modulație Duobinară, BLU, etc.
- Două surse cu semne opuse pt
a obține variații în antifază E
la ieșire.
1
EOUT  t   EIN  t  
2
 j vRF1t Vdc1 
vRF 2 t Vdc2 
 V
j
V 
 e  e 
  Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun
MZM balansat cu o sursă diferențială, cu substrat LiNbO3
• Răspunsul modulatorului
v1(t ) = v2(t ) = v(t ) v1(t ) = -v2(t )= v(t )
(operația push-pull )

1 1
1
to Pin
to Pin
0.5
1
1 0
-1 -0.5 0 0.5 1 -1 -0.5 0 0.5 1
v(t) normalized to Vpi v(t) normalized to Vpi

1 1
0.5
to pi [rad]
to pi [rad]
0 0.5
-0.5
-1 0
-1 -0.5 0 0.5 1 -1 -0.5 0 0.5 1
v(t) normalized to Vpi v(t) normalized to Vpi

Parametrii caracteristici
• Atenuarea de inserție - raportul dintre puterea de IN și OUT :

ins
 10  log  
P  10  log  P
10 in

10  out _ max 
• Raportul de extincție (raportul ON-OFF):
  10  log  P   10  log  P 
ex 10  out_max  10  out _ min 
d dt
• Chirp-ul frecvenței – coeficientul de chirp:  
c  2 P 1   dP dt 
P - puterea optică, φ - faza suplimentară
- Pentru MZM balansat, diferențial, polarizat pt
punctul de comutare și tensiuni perfect sincronizate
V1  V2
coeficientul de chirp devine:  
c V1  V2
• MZM de bandă largă LiNbO3 necesită o proiectare specială:
Semnalul de radiofrecvență (RF) se propagă printr-o linie de transmisiune
miniaturală coplanară în ghidul LiNbO3 astfel încât se suprapune cu semnalul
optic de-a lungul modulatorului.
• Se utilizează două joncțiuni Y

67 Bibliografie
• G. P. Agrawal – Fiber Optic Communication Systems, 4th Ed,
2010
• R. Ramaswam, et. at. - Optical Networks. A Practical
perspective, 3rd Ed, 2010
• J. M. Senior -Optical Fiber Communications Principles and
Practice, 3rd, Ed 2009
• AT&T Microelectronics Technical Note “Lithium Niobate
Intensity (Amplitude) Modulator”, March 1995

1 Emitatoare

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

1 Emitatoare

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Comunicatii Optice

Paun Adrian Florin

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

3 Parametrii transm. optice

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

4 Comparație LASER - LED

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

5 Interacțiunea lumină-materie- gen. fotoni

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

• Semiconductori intrinseci (gr. 4) – număr egal de electroni și goluri

• Smiconductori gr. 5: nivelul donor de tip n

• Nivelul acceptor – semiconductor de tip p (gr 3)

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

9 Materiale intrinseci și extrinseci

• Material extrinsec → tip de semiconductor donor sau acceptor

Purtători majoritari: electroni în semicond. n , goluri în semicond p

10 Semicond. cu bandă indirectă

• Materialele cu bandă directă (semiconductori gr 3-5) au cea

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

11 Fzica semiconductorilor – rev.

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

12 Benzile λ pt FO și materiale pt emițătoare

Banda Descriere Interval λ

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

13 LED – parametrii constructivi

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

14 LED – structura heterojoncțiune dublă

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

15 LED – structura fizică

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

16 LED – aspecte constructive

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

17 Energia benzii interzise - λ

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

18 Energia benzii interzise - λ

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

19 LED cu emisie de suprafață / muchie

SLED are o lărgime spectrală Δλ mai mare decât ELED

20 LED – ecuațiile ratelor

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

21 LED – ecuațiile ratelor

Rrcb Rr Rnr 1/ τ 1/ τr  1/ τ nr

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

• Exemple de timpi de viață (ai purtătorilor)

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

23 Eficiența cuantica – Puterea optică

• Si – material cu bandă indirectă → ηint de valoarea mică

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

• R – coeficientul de reflectivitate Fresnel

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

Area 1  cos c  1

27 Lățimea Fasciculului “principal”

• Sursa lambertiană (L=1)

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

28 Cuplajul puterii sursă LED - FO

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

29 Modulația directă (pt LED)

• Timpul de răspuns al sursei optice - τi

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

Curs Comunicatii Optice 2019 - A.F.Paun

31 Banda electrica vs banda optică

Puterea Optică ~ I(f ); Puterea Electrica ~ I 2(f ) →