1.

STUDIUL PARAMETRILOR DETECTOARELOR

DE IRADIERE OPTICĂ
(breviar teoretic)

Detectoarele de iradiere optică (fotoreceptoarele) prezintă

dispozitive care transformă energia iradierii optice în alte forme de
energie (termică, electrică, mecanică ș.a.), mult mai comode pentru
măsurări. După principiul de funcționare toate fotoreceptoarele se
divizeazănîn două grupe: termice, care integrează rezultatele
acțiunii iradierii pentru o perioadă, și cele cu rapiditate majoră –
fotoelectrice.
La parametrii de bază a fotoreceptoarelor se referă:
1. Caracterisrica energetică (de iluminare), care determină
dependența reacției receptorului în funcție de intensitatea fluxului
de lumină (amper-watt, volt-watt, lux-watt).
2. Caracteristica spectrală a sensibilității, care determină depen-
dența reacției fotoreceptorului la acțiunea iradierii cu diverse
lungimi de undă.
3. Caracteristica de frecvență, care determină dependența sensi-
bilității fotoreceptorului ca funcție de frecvența de modulare și
caracterizează inerția receptorului.
4. Sensibilitatea de prag, care determină nivelul minim al puterii
de iradiere optică care poate fi depistat pe fundalul propriului
zgomot.
Receptoarele optice în baza semiconductorului cu joncțiune p-
n (fotodiodele) sunt utilizate în divers aparataj optoinformațional
pentru a transfera semnalul optic de intrare în semnal electric. Acest
lucru are loc din cauză că în regiunea joncțiunii p-n a
semiconductorului fotonul absorbit dă naștere perechii electron-gol.
Cantitatea acestor perechi este proporțională intensității luminii
incidente. Concomitent, câmpul electric intercalat al joncțiunii
atrage electronii în regiunea n, iar golurile – în regiunea р. Din
aceste considerente în regim mers în gol regiunea n se încarcă
3
negativ, iar regiunea р - pozitiv. Drept rezultat în joncțiunea р-n
apare tensiune electromotoare (TEM), iar la conectarea ei la circuit
exterior în el apare curent electric.Astfel de regim de funcționare al
fotoreceptorului (fără câmp electric exterior) mai este numit
fotogalvanic (figura 1.1,a).

Figura 1.1. Utilizarea unei fotodiode în regim fotovoltaic (a)

și de fotodiodă (b). R - rezistența sarcinii; V - voltmetru; 
SA – sursă de alimentare

Când se aplică tensiunea inversă de polarizare la joncțiunea

p-n, lățimea stratului de barieră poate fi majorată (figura 1.1,
b). Acest regim de utilizare a unei fotodiode ca fotodetector este
numit fotodiodă. Modul fotodiodă are mai multe avantaje în
comparație cu modul fotovoltaic: inerție scăzută, sensibilitate
crescută la lungimi de undă lungi ale spectrului și o gamă dinamică
largă de liniaritate a caracteristicilor. Dezavantajul principal al
acestui regim este prezența curentului de zgomot care circulă prin
sarcină. Prin urmare, dacă este necesar să se asigure un nivel scăzut
de zgomot al fotodetectorului, în unele cazuri, regimul fotovoltaic
poate fi mai avantajos decât cel al fotodiodei.
Este practic imposibil să obțineți o joncțiune p-n prin
contactul direct al două semiconductoare cu diferite tipuri de
4
conduc-tivitate, deoarece suprafețele lor, oricât de curățate
temeinicu ar fi,

conțin o cantitate imensă de impurități și defecte. Prin urmare,

succesul în crearea dispozitivelor cu joncțiune p-n a fost obținut
doar atunci când a fost posibil să obținem joncțiunea ca frontiera de
separare internă într-un semiconductor format dintr-un singur
cristal.

1.1. Metode de obținere a joncțiunilor p-n

În timpul de față sunt cunoscute câteva metode utilizate pe larg
la obținerea joncțiunilor p–n.
1. Metoda de aliere
În figura 1.2 este arătată fabricarea joncțiunii p-n prin alierea
n-Ge cu indiu. Un cristal de n-germaniu (1) cu un eșantion de indiu
(2) este plasat într-un cuptor de grafit (3) și menținut la o
temperatură de 500-600 ºС într-o atmosferă de hidrogen sau
argon. În atare caz indiu topit dizolvă germaniul în sine. La răcire
lentă, germaniul este precipitat din topitură și saturat cu indiu (4),
posedând o conductivitate de tip p. La interfața dintre soluția
cristalizată și cristal se formează o joncțiune p-n.

Figura 1.2. Obținerea unei joncțiuni p-n prin aliere. 1 - germaniu de

tip-n; 2 - indiu; 3 - cuptor de grafit; 4 - soluție de
germanium înindiu; 5 – frontiera joncțiunii p-n

2. Metoda de extracție
5
 O altă modalitate de a obține joncțiunile p-n este că atunci
când un cristal este extras dintr-o topitură în ea se introduce o
impuritate , conferind cristalului o conductivitate de tip-p, apoi o im
puritate care permite obținerea semiconductorului de tip-n. Drept
rezultat se formează o joncțiune p-n între aceste părți ale cristalului.

3. Metoda de difuzie
O joncțiune p-n poate fi obținută prin difuzia unei impurități
a acceptorului într-un semiconductor de tip-n sau invers. Difuzia se
realizează din fază gazoasă, lichidă sau solidă la temperaturi
ridicate. Adâncimea de penetrare a impurității și de plasare a
joncțiunii p-n este determinată de temperatură și timpul de
difuzie. Drept joncțiunea p-n slujește frontiera de separare ale
regiunilor cu diferite tipuri de conductivitate electrică.
x

Nа,
N d-
Nа

N
Nd NNd

N
xo
N a N а-
Nа,
Nd

Figura 1. 3. Distribuția impurităților în joncțiunea p-n lentă obținută prin

difuzie (а) și abruptă obținută prin epitaxie (b)

În figura 1.3,a este prezentată schematic distribuția

impurităților (acceptori) după difuzia în semiconductorul de tip-n
(Nd – concentrația donorilor în placheta semiconductoare). La
suprafața plachetei conductibilitatea este determinată de impurități
acceptoare fiindcă aici Na>Nd. La deplasarea în interiorul plachetei

6
Na se micșorează ți la adâncimea xo se obține Na=Nd. În acest plan
și se formează joncțiunea p-n.La valori x>xo Na<Nd iar concentrația
acceptorilor cade rapid. Astfel de distribuție este numită lentă iar
joncțiunea – joncțiune p-n lentă.

4. Metoda epitaxială (joncțiuni p–n epitaxiale)

Această metodă constă în depunerea pe un substrat
semiconductor monocristalin cu un anumit tip de conductivitate a
unei pelicule semiconductoare cu un tip de conductivitate opus,
păstrând aceeași rețea cristalină. Se formează o joncțiune p-n la
frontiera acestui strat cu substratul. Operațiunea poate fi efectuată
din faza gazoasă sau lichidă. În figura 1.3,b este prezentată
distribuția idealizată a impurității acceptorului cu o concentrație Na
într-o peliculă epitaxială depusă pe un substrat de tip-n dopat cu
impuritate de tip donor la concentrația de Nd. O astfel de distribuție
a impurităților corespunde unei joncțiuni p-n abrupte.

5. Metoda epitaxiei cu fascicul molecular

În această metodă pe substratul semiconductor în vid (la nivel
10 –10-9 mm Hg) este îndreptat un flux de atomi ai substanței
-7

depuse. Dacă se depune o substanță compusă (de exemplu, GaAs),

atunci fiecare din componentele ei este îndreptată spre substrat din
sursă individuală. Astfel de metodă permite de a fabrica structuri cu
pelicule ce posedă grosimi de nanometri.

6. Мetoda dopării ionice

Dacă un fascicul de ioni de impuritate de tip opus cu o
energie de zeci sau sute de mii de electroni volți este direcționat
către un substrat semiconductor de acest tip de conductivitate, acești
ioni se blochează în stratul de suprafață al semiconductorului într-o
stare inactivă electric (între nodurile rețelei cristaline). Pentru ca
impuritatea implantată să fie activă electric (adică deplasată în
nodurile rețelei cristaline), este necesară o recoacere a plachetei
7
pentru ceva timp. La recoacere are loc nu numai activarea
impurităților ci și recuperarea defectelor rețelei cristaline apărute
din cauza implantării. La temperatura de recoacere nu prea ridicată
joncțiunea p-n se obține destul de bruscă. Figura 1.4 arată
distribuția concentrației de impurități în joncțiunile bruscă (figura
1.4, a) și lentă (figura 1.4, b).

Figura 1.4. Distribuția concentrației impurităților (а, b) și densității

sarcinii spațiale (c, d) în joncțiunile p-n bruscă și lentă

Când semiconductorii cu două tipuri de conductivitate intră în

contact, diferența de concentrații de purtători de același tip în
regiunile p și n conduce la difuzia golurilor din regiunea p în
regiunea n și a electronilor din regiunea n în regiunea p și,
respective, la încărcarea acestor regiuni. Încărcarea se datorează
formării sarcinii spațiale în straturile semiconductoare cu grosimea
wn și wp, plasate pe ambele părți ale frontierei de separare.Electronii
care părăsesc regiunea n lasă în ea o sarcină pozitivă necompensată
a donatorilor ionizați, iar găurile care părăsesc regiunea p lasă o
8
sarcină spațială necompensată a ionilor acceptori în ea. Distribuția
densității acestor sarcini ρ( x) este prezentată în figura 1.4,b
pentru joncțiune abruptă și în figura 1.4, d pentru joncțiunea lentă
La temperaturi nu prea joase atomii impurităților sunt practice
ionizați. Din aceste considerente concentrația de echilibru a
electronilor în regiunea n este
nn 0 =N d , iar a golurilor in

regiunea р
p =N
p0 a . Concentrația purtătorilor de sarcină
minoritari în aceste regiuni este determinată de relațiile
n2i n
2
n p 0= pn 0= i
p p0 ; n n0 , (1.1)
unde ni prezintă concentraâia purtătorilor de sarcină în
semicomductorul intrinsec.
În figura 1.5 estre prezentată distribuirea concentrației
electronilor și golurilor liberi la transferul lor dintr-o regiune în alta.
.

Figura 1.5. Distribuția purtătorilor liberi de sarcină în

joncțiunea p–n lentă și abruptă

1.2. Principiul de funcționare al fotodiodei

1.2.1. CCT a joncțiunii la întuneric

9
 La contactul a două semiconductoare cu diferite tipuri de
conductivitate, datorită lucrului de ieșire termodinamic diferit, are
lor redistribuirea sarcinilor libere și vor apare regiunile sarcinii
spațiale
Q1 și Q2 (figura 1.6). In atare caz sarcina pozitivă Q1 este
formată de donori necompensați, iar sarcina negativă – acceptori
necompensați. Sarcina spațială dă naștere unui câmp electric
E( x) care posedă valoare mazimă la frontiera de separare cu
micșorare în regiunea interioară a sarcinii.
qN A qN D
E( x )= ( W p −x ) ; E( x )= W −x )
ε s⋅ε 0 ε s⋅ε 0 ( n . (1.1)
La frontiera de separare
qN D W n qN A W p
E= =
ε s⋅ε 0 ε s⋅ε 0 . (1.2)

Figura 1.6. Regiunea sarcinii spațiale în joncțiunea p-n

Prezența câmpului electric E( x) aduce la aceea că cursul

potențialului posedă formă neliniară. приведет к тому, что ход
потенциала будет иметь нелинейный вид. Partea inferioară a
bandei de conducție
Ec și plafonul benzii de valență
EV vor
repeta cursul potențialului ϕ( x) (figura 1.7).

10
 Figura 1.7. Diagrama energetică a contactului semiconductoarelor
de tip p și n la echilibru termodinamic
La echilibru nivelul Fermi trebuie să fie același pentru tot
sistemul în întregime. Înălțimea barierei de potențial, format la
frontiera dintre două semiconductoare, va fi egală cu diferența
dintre lucrurile de ieșire:
ϕ0 =Φ n −Φ p=ϕ0 n +ϕ 0 p (1.3)
În condițiile de echilibru termodinamic în joncțiunea p-n
sunt prezente patru componente ale curentului. Două dintre ele – de
drift, două – de difuzie, fiecare dintre care este formastă de
purtătorii de sarcină minoritari și majoritari (figura 1.8).

Figura 1.8. Componentele curentului în joncțiunea p–n.

Săgețile indică direcția de mișcare a particulelor
11
 Astfel, în stare de echilibru curentul total, datorat curentului
j ,j
de difuzie ( pD nD ) și drift ( pE
j , jnE ) al electronilor și
golurilor, trebuie să devină egal cu zero:
− j pE − j nD + jnE + j pD =0 ; jdif = jdrift . (1.4)
La aplicarea tensiunii
U G echilibrul este perturbat și CCT
are forma:
βU G
J =J s (e −1 ) . (1.5)
Densitatea curentului de saturație
j s este egală cu suma

componentei de drift a alectronilor jnE j

și golurilor pE
qDn n p 0 qD p pn 0 qLn n p0 qL p p n0
j s= + = +
Ln Lp τn τp .
(1.6)
Curentul indirect în joncțiunea p-n (la
U G <0 )
jdrift =− j s . Sensul fizic este simplu – în curentul dat participă toți
purtătorii de sarcină care sunt generați în volumul cilindrului cu
suprafața bazei S=1 cm2 și lungimea
L p și care iese din acest
Lp
υ dif =
cilindru cu viteza egală vitezei de difuzie τ p . Astfel
CCT idealizată a diodei, formate în baza joncțiunii p-n, ținând cont
de relația (1.5) posedă forma prezentată în figura 1.9.

12
 Figura1.9. CCT a diodei în baza joncțiunii p-n

1.2.2. Fotodioda în iluminat

Când lumina cu energia hν intră în banda de absorbție în

semiconductor apare o pereche de purtători de sarcină - un electron
și un gol. La înregistrarea unui semnal electric, este necesară
înregistrarea unei modificări a concentrației purtătorilor de
sarcină. Evident că la aceleași condiții egale înregistrarea
modificării concentrației purtătorilor de sarcină minoritari este mult
mai simplă. De exemplu, în n-GaAs cu concentrația impurităților
de dopare 1014 сm-3 concentrația purtătorilor de sarcină majoritari –
electronilor este 1014 сm-3, iar concentrația purtătorilor de sarcină
minoritari – golurilor 10 сm-3. Din aceste considerente dacă la
iradierea unui fotoreceptor din GaAs apar 1010 сm-3 purtători de
sarcină minoritari este mult mai ușor de a înregistra modificarea
concentrației de sarcină minoritari.
În fotodiodele cu joncțiune p-n și este realizat principiul de
înregistrare a modificării concentrației purtătorilor de sarcină
minoritari sub acțiunea iradierii optice. Curentul invers al joncțiunii
p–n este determinat de componentele de drift ale curentului și poate
fi exprimat cu ajutorul următoarei relații:
13
 q⋅pn 0 D p q⋅n p 0 D n
j S= +
Lp Ln , (1.7)
unde
pn0 și
n
p 0 - concentrația purtătorilor de sarcină
minoritari.
Modificarea concentrației purtătorilor de sarcină minoritari
provoacă modificarea fotocurentului. Valoarea fotocurentului este
determinată de relația:
Δ pD p ΔnDn qΔ pL p qΔ nLn
j Ф=q +q = +
Lp Ln τp τn , (1.8)
unde Δp și Δn - concentrații de neechilibru ale purtătorilor
minoritări fotogenerate la distanță p , L
Ln de la regiunea
sarcinii spațiale în volumul cvasineitral al emitorului și bazei diodei.
De regulă emitorul fotodiodei р+-n este fabricat destul de
subțire
l=L , L
p n în așa mod ca absorbția luminii să aibă loc în
baza-n a fotodiodei. Atunci:
qΔ pL p
j p=
τp . (1.9)
Δp
G=R=
Fiindcă în condiții staționare
τ p , то Δp=G⋅τ p ,
valoarea fotocurentului jФ va fi:
j p =qGL p ,
unde G prezintă viteza de generare a purtătorilor de sarcină
minoritari.

14
 −1
În caz de absorbție slabă ( α <L p ) numărul fotonilor
absorbiți într-un volum unitar va fi egal cu αΦ . Atunci viteza de
generare poate fi exprimată ca:
G=ηα Φ .
Aici η - eficacitatea cuantică; α - coeficientul de absorbție;
Φ - fluxul incident de iradiere (numărul cuanților în unitate de
timp pe unitate de suprafață).
Valoarea fotocurentului jΦ în acest caz posedă valoare:
jΦ =q ηα L p Φ (10)
Fotocurentul jΦ este constant, nu depinde de valoarea
tensiunii aplicate
UG și îndreptat de la regiunea n către regiunea
р a semiconductorului (figura 1.10).
Purtătorii de sarcină minoritari care apar sub acțiunea iradierii
optice trebuie să se formeze la distanța de ordinul lungimii de
difuzie de la regiunea însărăcită a joncțiunii p-n pentru a lua parte la
curentul indirect al diodei. Parametri caracteristici – lungimea de
difuzie
L
p circa 100 mkm, iar lățimea regiunii însărăcite a
joncțiunii ~ 1 mкm. Din aceste considerente fotocurentul de bază în
fotodiodă este determinat de absorbția în volumul cvasineitral al
bazei iar timpul de răspuns este dirijat de timpul de viață al
purtătorilor de sarcină minoritari.

15
 Figura 1.10. CCT a fotodiodei la polarizare indirectă

Două caracteristici ale fotodiodelor p-n limitează utilizarea

lor în majoritatea sistemelor cu fibră optică. În primul rând, zona de
epuizare constituie o parte destul de mică din volumul total al
diodei, iar majoritatea fotonilor absorbiți nu conduc la generarea
curentului în circuitul extern.
Electronii și găurile rezultate recombină pe drumul către
regiunea câmpului electric puternic. Pentru a genera un curent
suficient de puternic, este necesară o sursă puternică de lumină. În
al doilea rând, prezența unui răspuns lent datorită difuziei lente
încetinește funcționarea diodei, ceea ce o face inadecvată pentru
sistemele cu viteză medie și mare. Aceasta permite utilizarea unei
fotodiode bazat pe joncțiunea p-n doar în gama frecvențelor de
kilohertz.

1.2.3. CCT a fotodiodei în baza joncțiunii p-n cu

sursă de tensiune externă la iluminat

Ecuația pentru regimul activ de funcționare al fotodiodei în

prezența
U G și rezistenței sarcinii are forma:

16
 βU G
j= j Φ + j s ( e −1 ) . (1.11)
În lipsa sursei exterioare
U G această tensiune pe rezistența
sarcinii R L este cuplată la ieșirea fotodiodei și este determinată
de fotocurentul care apare la iradierea fotodiodei. Să analizăm două
cazuri particulare pentru ecuația (1.11).
Circuit deconectat. La circuit exterior decuplat ( R L=∞ )
pentru cazul când tensiune exterioară lipsește curent în circuit nu
este. În atare caz tensiunea pe bornele fotodiodei este maximă.
Această tensiune
UG este numită tensiune mers în gol
U MG .
Utilizând (1.11) la condiția că j=0 obținem ecuația care
permite conform valorilor cunoscute ale fotocurentului jΦ și
curentului sarcinii
j s să calculăm tensiunea mers în gol:
kT j q
U MG=
q js( )
ln Φ +1
, unde
β=
kT .
(1.12)
Tensiunea
UMG (foto-TEM) poate fi determinată nemijlocit,
cuplând la fotodiodă un voltmetru. Rezistența interioară a
voltmetrului trebuie să fie majoră decât rezistența joncțiunii p-n.
Regim scurtcircuit. În regim de scurtcircuit tensiunea la bornele
fotodiodei este nulă
U G=0 . Atunci conform relației (1.12)
curentul de scurtcircuit
j SC în circuitul exterior este egal cu
fotocurentul jΦ :
j SC=− j Φ . (1.13)
Curentul în regim de scurtcircuit este determinat de valoarea
fotocurentului jΦ .
17
 În figura 1.11 este prezentată familia CCT a fotodiodei la
polarizare directă și indirectă calculate conform relației (1.11). În
lipsa iluminării la tensiuni de polarizare pozitive
U
G curentul
fotodiodei crește brusc cu majorarea tensiunii. La iluminare
curentul direct prin diodă se micșorează fiind fapt că fotocurentul
este îndreptat invers curentului sursei exterioare.

Figura 1.11. Familia CCT ale fotodiodei în regim de fotodiodă

CCT a joncțiunii р-n indică că fotodioda poate fi utilizată ca

sursă de curent. Anume acest lucru determină principiul de
funcționare al elementelor solare fabricate în baza joncțiunii p-n.

1.2.4. Circuitul echivalent al elementului solar

Descrierea detaliată a elementului solar trebuie să ia în

considerație elementele parazite care micșorează capacitatea de
lucru și anume:
- rezistența regiunilor p și n, a contactelor, ce provoacă
modificarea tensiunii pe joncțiunea p-n;
- rezistența de șunt a joncțiunii care influențează valoarea
curentului de scurgere a joncțiunii p-n (curentul de întuneric).

18
 Circuitul echivalent pentru celulele solare este prezentat în
figura 1.12. Aici
Rs , R sh și R L - rezistențele transversală, de
șunt și sarcinii; I L - generator de curent care prezintă curentul
determinat de purtătorii de sarcină generați în urma iradierii optice.

FIgura 1.12. Circuitul echivalent al elementului solar

Utilizând circuitul prezentat în figura 1.12 și legea lui Kirhgoff

obținem CCT a elementului solar:
q ( U −IR s ) U −IR s
[
I =I s exp
kT
−1 + ]
R sh
−I L
.
(1.14)
Curentul de scurtcircuit al elementului solar posedă același
ordin ca și I L , dacă sh R
este majoră. Acest lucru este valabil
practic pentru toate cazuril, adică
IL
I SC=
( )
1+R s /R sh
|¿¿ Rsh →∞ ¿U →0 ¿ ¿=I L ¿
. (1.15)
În figura 1.13 este prezentată influența rezistențelor serie și de
șuntare asupra CCT a celulei solare. Rezistența seriei afectează în
principal curentul
I SC , iar rezistența de șuntare șoc tensiunea
U MG a celulei solare.

19
 Din punct de vedere practic rezistența de șuntare pentru
elementele solare este extrem de înaltă și se modifică neesențial în
condițiile unei iradieri solare normale (soarele asigură 100 mW/cm 2
la nivelul mării și 140 mW/cm2 în afara atmosferei pământești).

Figura 1.13. Influența rezistențelor de serie și șunt asupra caracteristicii

curent-tensiune a unei celule solare

La intensități scăzute ale radiațiilor solare și la temperaturi

scăzute, rezistența la șocuri poate afecta funcționarea celulei solare,
iar la intensități mari și temperaturi ridicate, rezistența serie
afectează în mod semnificativ caracteristicile celulei solare.

1.2.5. Randamentul celulei solare

Eficiența conversiei celulei solare prezintă o porțiune a energiei

radiației incidente transferate în energie electrică care poate fi
descrisă de relația:
P I ⋅U
ηe = М = М М
РCĂD РCĂD , (1.16)

20
unde РM - puterea maximă fabricată de celula solară; I M , U M
- valorile maxime ale curentului și tensiunii care cortespund puterii
maxim;
Р CĂD - puterea radiației incidente care cade pe celula
solară.
FF – factorul de umplere (Fill Factor) indică care porțiune a
suprafeței pe CCT prezintă regiunea puterii maxime (figura 1.14)
este definit de relația:
I ⋅U
FF= M M
I SC⋅U MG . (1.17)

Figura1.14. Definirea factorului de umplere (FF)

pentru celula solară

1.2.6. Capacitatea fotodiodei

Fotoreceptorul in baza joncțiunii p-n este asemănător unui

condensator pentru care regiunile p și n prezintă plachetele lui, iar
regiunea sarcinii spațiale – dielectricul care le separă (figura 1.6).
Lățimea sarcinii spațiale se modifică în funcție de valoarea tensiunii
aplicate. Cu majorarea valorii tensiunii de polarizare indirecte
lățimea regiunii sarcinii spațiale crește și valoarea capacității
21
descrește. Modelul fotoreceptorului la frecvențe înalte este prezentat
în figura 1.15, unde С – este capacitatea joncțiunii p-n ,
Rsh -
rezistența de șuntare,
Rs - rezistența serie a fotodiodei.

R
s

С R
sh
Figura 1.15. Modelul fotodiodei la frecvențe înalte

Aplicare la joncțiunea p-n a unei diferențe de potențial în regim

de blocaj provoacă majorarea barierei de potențial până la valoarea
ϕ=ϕ0 +qU . La polarizare directă bariera se micșorează
ϕ=ϕ0 −qU .
În concordanță cu aceasta se modifică și valoarea lățimii
sarcinii spațiale care este legată cu înălțimea barierei de potențial
prin următoarele relații:
- pentru joncțiunea abruptă:
1
2 ε S ε 0 ( ϕ 0 ±qU )
d=
[ 2
q ⋅nn 0 ] 2

; (1.18)
- pentru joncțiunea lentă:
1
12 ε S ε 0 ( ϕ0 ±qU )
d=
[ q ⋅a
2 ] 3

, (1.19)
22
 N (x)
a=
unde x - prezintă gradientul concentrației impurităților în
regiunea sarcinii spațiale.
Relațiile (1.18) și (1.19) indică că aplicarea tensiunii de
polarizare indirectă provoacă majorarea lățimii sarcinii spațiale, iar
aplicarea tensiunii de polarizare directă – micșorarea ei. În primul
caz electronii și golurile sunt împinse de câmp din regiunea р-n în
adâncimea regiunilor n, р și mai departe în circuitul exterior. Din
această cauză se majorează sarcina spațială necompensată a
regiunilor n și р. În al doilea caz joncțiunea se strâmtorează și
sarcina spațială descrește. Astfel joncțiunea p-n funcționează ca
capacitate numită capacitate de barieră b . C
Valoarea capacității de barieră este determinată conform
relației:
εε0 S
C b=
d , (1.20)
unde S – suprafața joncțiunii p-n ; d – lățimea regiunii
ε
sarcinii spațiale; 0 - permetivitatea dielectrică a vidului; S -
ε
permetivitatea dielectrică a semiconductorului.
Substituind în relația (1.20) valoarea d din (1.18) și (1.19),
obținem relația pentru capacitatea joncțiunii p-n abrupte (1.21) și
lente(1.22):
1
ε S⋅ε 0⋅q 2 nn 0
C b=S
[ 2 ( ϕ0 ±qU ) ] 2

;
(1.21)
2 2 1
( ε S⋅ε 0 ) ⋅q a
C b=S
[
12 ( ϕ0 ±qU ) ] 3

. (1.22)
23
 În afară de capacitatea de barieră joncțiunea p-n posedă și așa
numita capacitate de difuzie. La modificarea valorii diferenței de
potențial aplicate din exterior la polarizare directă se schimbă
concentrația purtătorilor de sarcină injectați în apropierea frontierei
de separație a joncțiunii p-n și, respectiv, mărimea sarcinii
acumulate definite de acești purtători de sa
Circuitul exterior percepe acest lucru ca capacitate de difuzie
C dif . Calculele indică:
qj
С dif =S [ γτ +( 1−γ ) τ n ]
2 kT p , (1.23)
unde j – densitatea curentului prin joncțiune; τ n и
τp –
γ= j / j + j = j / j
p ( p n)
timpul de viață al electronilor și golurilor; p
– coefici- entul de injecție. Astfel capacitatea de difuzie va fi cu atât
majoră cu cât este mai mare curentul care circulă prin joncțiune și
cu cât este major timpul de viață al purtătorilor de sarcină
minoritari τ n și p .
τ
Capacitatea totală a joncțiunii este determinată de suma
capacităților de difuzie și barieră (figura 1.16).
C=C диф +C б . (1.24)
La tensiuni de polșarizare indirectă care întrec valorile câtorva
zeci de volți componenta capacității de difuzie este practic nulă. În
așa mod pentru joncțiunea p-n polarizată indirect trebuie luiată în
considerație doar capacitatea de barieră. La polarizare directă
C dif este mult mai mare decât
C b și valoarea capacității de
barieră poate fi neglijată.
R

24
б

C
ф

C
 Figura 1.16. Circuitul echivalent al joncțiunii p-n la frecvențe înalte.
R – rezistența diferențială a joncțiunii p-n

Dependența capacității de barieră a joncțiunii p-n de tensiunea

de polarizare indirectă aplicată permite utilizarea ei în calitate de
capacitate cu nominală dirijată. Astfel de diode poartă denumirea de
diode cu capacitate variabilă.
Studiul dependenței capacității de barieră a fotodiodei în
dependență de tensiunea de polarizare la întuneric și la iluminare
permite determinarea parametrilor de bază pentru joncțiunea p-n a
fotodiodei și influența iradierii optice asupra lor.
Să transformăm formulele (1.21) și (1.22) la formă liniară în
funcție a tensiunii de polarizare. Obținem:
- pentru joncțiune p-n abruptă:
S 2 2 ( ϕ0 ±qU )
( )
C
=
ε S ε 0 q2⋅n n0 ; (1.25)
- pentru joncțiune p-n lentă:
S 3 12 ( ϕ 0±qU )
( )
C
= 2 2
( ε S ε 0 ) q ⋅a . (1.26)
2 3
S S
Astfel, construind
()
C și
() C
în funcție a tensiunii de
polarizare indirectă, putem determina ce tip de joncțiune p-n avem,
înălțimea barierei de potențial
ϕ
0 , concentrația purtătorilor
n
majoritari de sarcină n 0 (pentru joncțiune abruptă) și gradientul
concentrației a (pentru joncțiune lentă).

25
 1.2.7. Rapiditatea receptoarelor de iradiere în baza
structurilor р-n și р-i-n

În aparatajul optoelectronic fotodiodele cu semiconductor

bazate pe joncțiunea p-n sunt utilizate pe scară largă ca detectoare
de radiații optice. Cu toate acestea, cu rate de transfer de informații
în continuă creștere, performanța diodelor p-n este insuficientă și
impune o restricție la utilizarea acestora.
Viteza fotodetectorului se caracterizează printr-o constantă de
timp, care reflectă răspunsul fotodetectorului la un impuls de lumină
scurt și este egală cu timpul din momentul când fotocurentul apare
până la revenirea lui la zero.
Constanta de timp a diodei este afectată de timpul de difuzie al
purtătorilor minoritari până la joncțiunea p-n și constanta de timp a
joncțiunii p-n. Timpul de difuzie al transportatorilor minoritari de
sarcină până la joncțiunea p-n este exprimat aproximativ prin
relația
t dif ≈ w2/ D, (1.27)
unde: w – adâncimea la care este plasată joncțiunea р-n de la
suprafața fotosensibilă a fotodiodei; D – coeficientul de difuzie al
purtătorilor de sarcină legat cu mobilitatea lor prin relația Ainștain:
D = (kT/q)µ, (1.28)
unde: k – constanta Boltsman; Т – temperatura, К; q – sarcina
electronului.
Constanta de timp a joncțiunii p-n depinde de capacitatea ei,
denumită de barieră, și definită de relația
С б = εε0S/d, (1.29)
unde: ε și ε0 – constantele dielectrice pentru semiconductor și vid; S
– suprafața joncțiunii р-n; d – grosimea statului însărăcit.
Pentru diodele cu joncțiune p-n constanta de timp este destul de
mică și ele pot detecta semnale cu frecvențele de ordinul zeci de
MHz. Însă astfel de bandă de transfer nu este compatibilă cu
sistemele moderne de transmisiune și recepție a informației.
26
 O rapiditate majoră o posedă fotodetectoarele în baza
structurilor р-i-n. În ele între straturile cu concentrație mare a
acceptorilor (р+) și donorilor (n+)- se formează un strat cu
conductibilitate intrinsecă (strat-i). La aplicarea tensiunii de
polarizare indirectă către astfel de structură practic tot câmpul
interior este plasat pe stratul i.
Presupunem că structura р-i-n este iluminată din partea
regiunii de tip-p (figura 1.17). Dacă grosimea stratului tip-p dp <<
1/а, unde а – este coeficientul de absorbție a luminii în
semiconductor, atunci iradierea este transferată prin acest strat
practic fără pierderi.
Grosimea stratului i este selectată din condiția di >> 1/а. În
acest caz toți purtătorii de sarcină generați de iradierea optică se vor
forma stratul i al structurii unde și este plasat câmpul interior al
joncțiunii (până la stratul de tip n iradierea practic nu ajunge).
Fiind fapt că difuzia din regiunile р+- și п+ practic lipsește,
rapiditatea este determinată de timpul de transfer al purtătorilor de
sarcină prin regiunea i unde este câmp electric interior. Dacă viteza
de drift în câmp υmах ≈ 5 • 104 m/s, iar di ≈ 50 mkm, atunci
timpul de transfer al purtătorilor de sarcină prin regiunea i j să fie

Figura 1.17. Structura p-i-n

circa 1 ns, ceea ce este mult mai redusă decât timpul de difuzie
27
(aproape 100 ns) care, la rândul său, definește rapiditatea fotodiodei
simple. Grosimea mare a stratului epuizat din structura p-i-n reduce
capacitatea de barieră, ceea ce contribuie, de asemenea, la creșterea
rapidității. Structurile p-i-n permit detectarea iradierii optice
modulate până la frecvențe de ordinul 1 - 10 GHz și mai sus.
Astfel, principalul avantaj al diodei p-i-n este capacitatea de a
detecta semnale optice modulate cu frecvențele domeniului
gigahertz, ceea ce este deosebit de important pentru dispozitivele de
înaltă frecvență pentru primirea și procesarea informațiilor în
domeniul telecomunicațiilor.
O fotodiodă poate fi reprezentată ca un condensator plat, a
cărei capacitate este direct proporțională cu sarcina electrică și
invers proporțională cu distanța dintre plăci. Deoarece lățimea
stratului i al diodelor p-i-n este de 10-100 de ori mai mare decât
lățimea stratului de epuizare a diodelor p-n, capacitatea lor este mult
mai mică decât capacitatea diodelor p-n.
Timpul de încărcare/descărcare al unui astfel de condensator
este direct proporțional cu capacitatea (t ~ C), ceea ce face posibilă
detectarea semnalelor cu frecvență mai mare. Cele mai bune
exemple de diode p-i-n pot funcționa în intervalul de frecvență până
la unități de GHz, în timp ce diodele p-n pot funcționa doar până la
zeci de MHz.
Cele mai bune exemple de diode p-i-n pot funcționa în
intervalul de frecvență până la unități de GHz, în timp ce diodele p-n
pot funcționa doar până la zeci de MHz. Utilizarea fotodiodelor la

28
frecvențe mai mari decât cele permise duce la o denaturare a formei
impulsurilor optice primite, la o creștere a duratei acestora, precum
și la saltul pulsurilor individuale, adică la pierderea informațiilor
transmise. Principiul de proiectare a diodelor p-n și p-i-n este
prezentat în figura 1.18. Cel mai adesea, diodele cu pini pentru o
lungime de undă de 0,85 μm sunt realizate din siliciu (Si), iar pentru
lungimi de undă mari (1,2 - 1,6 μm) - din Germaniu (Ge) sau
(InGaAs).

Figura 1.18. Construcția fotodiodei în baza joncțiunii р-n

(а) și, respectiv, în baza structurii p-i-n (b)

Caracteristicile de frecvență ale unui receptor de radiație (RR)

bazat pe o diodă p-n din siliciu semiconductor care operează în
modurile fotovoltaice și fotodiode și RR bazată pe o diodă tip p-i-n
care funcționează în modul fotovoltaic sunt estimate pe baza unei
comparații a răspunsului fotodiodei la aplicarea radiației unui laser
semiconductor cu o succesiune de impulsuri dreptunghiulare
modulate de amplitudine.
Când o fotodiodă detectează radiația laser modulată printr-un
semnal dreptunghiular, caracteristicile de frecvență a fotodiodei
sunt clar manifestate, deoarece un astfel de semnal este o
superpoziție a componentelor armonice, inclusiv a celor de înaltă
frecvență, iar gradul de distorsiune al fotodiodei pentru frontul
interior si posterior ale impulsurilor selectate caracterizează
proprietățile sale de frecvență.
În figura 1.19 sunt prezentate succesiunile impulsurilor de
modulare (a) și impulsurilor la ieșirea fotodiodei (b).

29
 а)

30
 Figura 1.19. Oscilogramele consecutivităților impulsurilor de
modulare (a) și impulsurilor la ieșirea fotodiodei (b):T – perioada de
repetare a impulsurilor (Т = 1/ FM); А – amplitudinea impulsului; τi –
durata impulsului (τi = 0,5Т); τps - durata impulsului posterior; τan – durata
impulsului anterior. Durata pulsului este de obicei măsurată la 0,1A, 0,5 A
sau 0,9 A.

2. ATELIER EXPERIMENTAL

Lucrarea de laborator №4
STUDIUL PARAMETRILOR DETECTOARELOR DE
IRADIERE OPTICĂ ÎN BAZA SEMICONDUCTOARELOR

1.1. Scopul lucrării: studiul caracteristicilor curent-tensiune

a fotodiodei în regim fotovoltaic și fotodiodă.

1.2. Sarcina teoretică

1.2.1. Să se studieze principiul de funcționare și rezolvările
tehnice ale fotodiodelor în baza joncțiunii p-n.
1.2.2. Să se studieze metodele de măsurare a caracteristicilor
fotodiodelor în regim de fotodiodă și fotogalvanic.

1.3. Sarcina de laborator

1.3.1. Să se ridice CCT ale fotodiodei în regim fotogalvanic
pentru trei valori ale intensității iradierii optice. Să se determine

31
valoarea factorului de umplere (FF) și valorile orientative pentru
rezistențele de șuntare
R sh și serie R s .
1.3.2. Să se ridice CCT ale fotodiodei în regim de fotodiodă la
întuneric pentru două valori ale intensității iradierii optice. Să se
determine valoarea fotocurentului.
1.3.3. Să se compare rezultatele obținute și să se determine în
care regim de funcționare fotodioda este utilizată mai efectiv.

1.4. Metodologia experimentului

La efectuarea studiului caracteristicilor fotodiodei sunt
utilizate instalațiile experimentale schemele structurale ale cărora
sunt prezentate în figurile 1,1 a și 1.1,b. Lumina de la sursă (bec
incandescent) este îndreptată spre suprafața fotodiodei. Sursă de
alimentare (SA) este utilizată pentru alimentarea fotodiodei în regim
de fotodiodă. Rezistorul variabil R L permite modificarea valorii
sarcinii fotodiodei în regim fotogalvanic. Cu ajutorul miliam-
permetrului pA și voltmetrului pV ridicăm valorile curentului și
tensiunii fotodiodei.

32
 Figura 1.1. Scheme de măsurare a caracteristicilor fotodiodei în
regim fotodiodă (a) și fotogalvanic (b)

1.5. Modalitate de efectuare a lucrării

I. Regim fotodiodă
1) Să se monteze circuitul prezentat în figura 1.1,a. Plasați
fotodioda pe suport sub capotă.
2) Modificând tensiunea sursei de alimentare în gama 0÷4 V
la polarizare indirectă și în gama 0÷0,7 V la polarizare directă
să se ridica CCT în regim de întuneric.
3) Să se ridice capacul de pe fotodiodă, să se ridica CCT a
fotodiodei la polarizare directă și indirectă pentru două valori ale
intensității fluxului de iluminare.
4) Să se traseze familia CCT a fotodiodei în regim de
fotodiodă și să se determine valoarea fotocurentului.
33
 II. Regim fotogalvanic
1) Să se monteze circuitul prezentat în figura 1.1,b. Să se
ilumineze fotodioda.
2) Modificând valoarea rezistenței sarcinii R L de la
valoarea minimă la valoarea maximă să se ridice dependența
curentului în funcție de tensiune în regim fotogalvanic.
3) Să se repete măsurările pentru trei valori diferire ale
iluminării fotodiodei.
4) Să se traseze familia caracteristicilor curent tensiune.
Concomitent să se determine valorile factorului de umplere FF și
valorile orientative pentru
R
s și
R
sh . Să se compare
rezultatele obținute cu nomogramele prezentate în figura 1.13.

1.6. Întrebări de verificare

1. Fenomenul fotoconductivității. Rezolvări tehnice pentru

fotoreceptori.
2. Ce prezintă fotodioda?
3. Cum se formează bariera de potențial în joncțiunea p-n ? De ce
depinde înălțimea ei?
4. Să se deseneze diagrama energerică care lămurește funcționarea
fotodiodei la iluminare.
5. Câte regimuri de funcționare ale fotodiodei cunoașteți?
6. Desenați CCT ale fotodiodei pentru ambele regimuri de
funcționare ale ei.
7. Din ce cauză la iluminare curentul indirect al fotodiodei se
majorează după valoare iar cel direct se micșorează?
8. Desenați circuitul echivalent al celulei solare. Lămuriți rolul
fiecărui element din circuit.
9. De ce depinde eficiența convertirii energiei într-o celulă solară?
10. Ce prezintă factorul de umplere și de ce depinde valoarea lui?
34
 LUCRAREA DE LABORATOR №5
STUDIUL ȘI CALCULUL CARACTERISTICILOR
VOLT-FARAD AL FOTODIODELOR

35
 2.1. Scopul lucrării: studiul experimental al dependenței
capacității fotodiodei în funcție de tensiunea de polarizare aplicată.
Determinarea parametrilor principali ai fotodiodei la întuneric și la
iluminare.

2.2. Sarcina teoretică

2.2.1. Să se studieze tipurile de joncțiuni p-n și mecanismele
formării lor, diagramele energetice ale joncțiunilor p-n în stări de
echilibru și dezechilibru, capacitățile joncțiunii p-n și efectul
iluminării asupra parametrilor unei joncțiuni p-n.
2.2.2. Să se studieze metodologia de calcul a parametrilor
joncțiunii p-n în funcție de rezultatele măsurării caracteristicilor
capacitate-tensiune ale fotodiodei la întuneric și sub iluminare.

2.3. Sarcina de laborator

2.3.1. Să se ridice caracteristicile volt-farad a le fotodiodei la
întuneric și iluminare. Să se determine tipul joncțiunii (lentă sau
abruptă) după caracterul dependenței capacității fotodiodei de
tensiunea de polarizare aplicată.
2.3.2. Să se calculeze grosimea regiunii sarcinii spațiale,
înălțimea barierei de potențial și concentrația impurităților sau
gradientul concentrației în dioda studiată la întuneric și iluminare.

2.4. Efectuarea experiențelopr

1. Să se studieze instrucțiunea tehnică a măsurătorului R, L,
C de tip E7-12 și modalitatea de lucru cu el.
2. Să se plaseze dioda pe suport și să se acopere cu capota.
3. Modificând valoarea tensiunii de polarizare în gama
U dir =0÷0. 8 V cu pasul 0,1V și
U =0÷4 V
indir cu pasul 0,2V
să se ridice dependența capacității în funcție de tensiunea asplicată.

36
 4. Iluminați suprafața fotodiodei cu sursa de iradiere optică
și măsurați dependența capacității de tensiune pentru două valori ale
intensității de iradiere.
5. Să se calculeze și să se traseze dependențele
S 2 S 3
()C
=f (U )
și
()
C
=f (U )
pentru fotodiodă în regim de
întuneric. Să se determine tipul joncțiunii p-n și să se compare
caracteristicile obținute cu cele teoretice.
6. În caz dacă joncțiunea este abruptă să se calculeze
S 2
dependența
()
C
=f (U )
pentru două cazuri de iradiere. Să se
traseze dependențele obținute pe aceeași scară cu caracteristica
obținută la întuneric.
7. În caz dacă joncțiunea este lentă să se calculeze
S 2
dependența
()
C
=f (U )
pentru două cazuri de iradiere. Să se
traseze dependențele obținute pe aceeași scară cu caracteristica
obținută la întuneric.
8. Utilizând relațiile pentru dependența capacității de
tensiune pentru joncțiunea lentă și abruptă. Concomitent să se
determine înălțimea barierei de potențial
ϕ 0 , concentrația
nn
purtătorilor de sarcină 0 sau gradientul concentrației a ți
lățimea sarcinii spațiale d pentru polarizare nulă la întuneric și
iluminare.
9. Să se compare rezultatele obținute experimental la
întuneric și la diverse valori de iluminare a fotodiodei și să se
compare cu cele teoretice prezentate în lucrarea de laborator nr.4.

2.5. Întrebări de control

37
 1. Ce prezintă joncțiunea p-n. Care joncțiuni p-n sunt numite lente
și care abrupte?
2. Desenați diagramele energetice a joncțiunii p-n abruptă în stare
de echilibru și neechilibru, la întuneric și la iluminare.
3. Desenați divizarea concentrației purtătorilor de sarcină în
joncțiunea p-n lentă și abruptă.
4. Ce prezintă diferența potențialului de contact și de care
parametri ai materialului ea depinde?
5. Ce prezintă regiunea sarcinii spațiale și cum se formează ea în
joncțiunea p-n?
6. De care parametri ai joncțiunii p-n depinde grosimea sarcinii
spațiale și cum se formează ea în joncțiunea p-n? Cum depinde ea
de iluminare?
7. Desenați și lămuriți circuitul echivalent al joncțiunii p-n.
8. Ce prezintă capacitățile de barieră și difuzie ale joncțiunii p-n și
cum se schimbă valorile lor la modificarea valorilor tensiunii de
alimentare la iluminare?
9. Care parametri ai joncțiunii p-n pot fi determinați conform
rezultatelor măsurării dependenței capacității joncțiunii p-n de
tensiunea de polarizare? Cum poate fi efectuat acest lucru?

LUCRAREA DE LABORATOR №6
38
 COMPARAREA RAPIDITĂȚII DE FUNCȚIONARE A
DIODELOR p-n ȘI p-i-n UTILIZATE ÎN CALITATE
DE DETECTOARE A IRADIERII OPTICE

3.1. Scopul lucrării: Studiul principiului de funcționare și

particularităților utilizării detectoarelor de iradiere optică în baza
diodelor cu structura p-n și p-i-n.

3.2. Sarcina teoretică

3.2.1. Să se studieze principiul de funcționare și
particularitățile constructive ale fotodiodelor cu structura p-n și
p-i-n.
3.2.2. Să se studieze metodele de studiu ale caracteristicilor
fotodiodelor în regim de fotodiodă și regim fotovoltaic.

3.3. Sarcina de laborator

3.3.1. Să se compare rapiditatea diodelor de tip р-n și p-i-n
prin determinarea duratei impulsului la ieșirea fotodiodei în
regim de majorare a frecvenței de modulare.

3.3.2. Să se compare rapiditatea diodelor de tip р-n și p-i-n

în regim fotogalvanic și regim de fotodiodă.

3.4. Metodologia experimentului

Instalația experimentală pentru efectuarea lucrării de laborator
este prezentată în figura 3.1. Ea este compusă dintr-un modul laser
(ML) care prezintă un laser cu sursă de alimentare iradierea căruia
este modulată cu ajutorul generatorului de semnale (Г5-54),
detectorul de iradiere compus din fotodiodele studiate și un aparat
de măsură (osciloscop).

39
 Figura 3.1. Schema experimentală pentru studierea fotoreceptoarelor
în baza fotodiodelor:: Г5-54 – generator de semnale
dreptunghiulare; DL – diodă laser; FD p-n și FD p-i-n -
fotodiodele studiate; SA – sursa de alimentare a
fotodiodelor ; R1 și R2 – rezistoarele sarcinii

În calitate de sursă a semnalului de modulare este utilizat un

generator de semnale care generează impulsuri dreptunghiulare
( τi = 0,5Т), gama frecvențelor de modulare fiind plasată în limitele
FM = 1 Hz ÷ 500 kHz. Generatorul este alimentat de la rețeaua
industrială cu tensiunea 220 V și frecvența 50 Hz.
În calitate de sursă de iradiere este utilizat un laser
semiconductor modularea căruia după amplitudine este efectuată
prin variația curentului de injecție. Lungimea de undă 1500±5 mm,
puterea 2 mW, frecvența maximă de modulare FM = 500kHz.
Fotoreceptorul în baza diodei р-n din siliciu poate funcționa
în regim fotogalvanic sau de fotodiodă. Cu ajutorul tumblorului
putem modifica regimul de funcționare în regim fotogalvanic (fără
sursă de alimentare) și de fotodiodă (cu sursă de alimentare) pentru
care tensiunea de polarizare este de UPOL=3 V. În calitate de sarcină
sunt folosite rezistoarele R1 =1,5 kOhm и R2=15 kOhm. Pentru
înregistrarea impulsurilor este utilizat un osciloscop cu două canale
de tip С1-91. La primul canal se aplică semnalul de modulare de pe

40
dioda laser, iar la al doilea – de pe fotodioda studiată. Osciloscopul
este alimentat de la rețeaua industrială cu tensiunea 220 V și
frecvența 50 Hz.
La cuplarea generatorului sursa de iradiere (DL) generează
semnal care cade pe fereastra de intrare a fotoreceptorului.
Tensiunea de pe sarcină, proporțională intensității fluxului de
radiație optică, este aplicată la intrarea osciloscopului pe ecranul
căruia devierea razei de baleiaj este proporțională tensiunii
semnalului la ieșirea fotodiodei.
Modificînd frecvența impulsurilor de modulare de la 1 până la
100 kHz putem vizualiza pe ecranul osciloscopului devierea formei
semnalului de la cea dreptunghiulară. Aceasta se datorează, în
primul rând, majorării duratei frontului posterior al impulsului.
Drept frecvență de limită al semnalului detectat de
fotoreceptor fără distorsiuni se socoate acea frecvență a semnalului
pentru care durata frontului posterior nu întrece valoarea de
jumătate a perioadei impulsului (τef < 0,5 τi).
În procesul de îndeplinire a lucrării de laborator pe stand se
plasează diverse fotodiode pentru care sunt determinate valorile
frecvențelor de limită.

3.4. Modalitatea de îndeplinire a lucrării

3.4.1. Studiul caracteristicilor de frecvență a diodei
р-n în regim diferit de funcționare
а) Regim fotogalvanic
1.Să se monteze instalația conform circuitului prezentat în figura
3.1. Fotoreceptorul să se cupleze la canalul 1 al osciloscopului.
2.Să se cupleze DL și să se regleze poziția razei.
3.Să se plaseze fotodioda cu joncțiune р-n pe axa optică a DL. Să
se cupleze cuplorul în poziția cuplat.
4.Să se cupleze generatorul de semnale dreptunghiulare și să se
asigure frecvența impulsurilor de modulare FM=l kHz, iar
amplitudinea impulsurilor UM= 2 V.
41
 5.Să se cupleze osciloscopul și să se instaleze sensibilitatea
necesară pentru vizualizarea semnalului (de exemplu
0,1V/diviziune). Să se instaleze viteza de baleiaj care asigură o
vizualizare normală a semnalului (de exemplu
50 mks/diviziune).
6.Să se construiască trei tabele pentru înregistrarea rezultatelor
măsurărilor:
Tabelul №1 - «diodă р-n, regim fotovoltaic»;
Tabelul №2 - « diodă р-n, regim fotodiodă»;
Tabelul №3 - « diodă р-i-n, regim fotovoltaic ».
7. Conform oscilogramei obținute să se determine durata
frontului impulsului posterior. Apoi să se calculeze valoarea
acestui front în timp conform relației
τзф = τзф [diviziune] ∙ Vp. (3.1)
Rezultatele se plasează în tabelul 3.1.
8. Pentru fiecare frecvență de modulare FM să se calculeze
durata impulsului de modulare τi conform relației
τi=0,5ТM=0,5(1/FM) (3.2)
Rezultatele se plasează în tabelul 3.1.
9. Să se repete subpunctele 4 - 8 pentru frecvențele 5 ,10, 15, 20,
40, 60, 80 și 100 kHz, majorând viteza de baleiaj a
osciloscopului.
10. Rezultatele se plasează în tabelul 3.1.

Tabelul 3.1. Datele pentru determinarea duratei frontului posterior la

ieșirea fotoreceptorului cu diodă p-n la modificarea
frecvenței impulsurilor de modulare

FМ,kHz 1 5 10 15 20 40 60 80 100
τ fp
Τi
Δ, %
42
 б) Regim de fotodiodă
Pentru a transfera dioda р-n în regim de fotodiodă se cuplează
temblerul receptorului optic în poziția «decuplat». Se îndeplinesc
subpunctele 4 - 8 pentru frecvențele 1 - 100 kHz.
Rezultatele sunt introduse în tabelul 3.2.

Tabelul 3.2. Datele pentru determinarea duratei frontului posterior la

ieșirea fotoreceptorului cu diodă p-n la modificarea
frecvenței de repetare a impulsurilor de modulare

FМ,кГц 1 5 10 15 20 40 60 80 100
τ psd
τi
Δ, %

3.4.2. Studiul caracteristicilor diodelor p-i-n

1. Să se monteze detectorul du diodă p-i-n pe raza cu DL și să

se regleze poziția fluxului optic. Se îndeplinesc măsurările
prevăzute de subpunctele .4 - 8 pentru frecvențele 1 - 100 kHz.
Rezultatele se introduc în tabelul 3.3.
2. Să se decupleze osciloscopul.
3. Datele se prezintă profesorului.

Tabelul 3.3. Datele pentru determinarea duratei frontului posterior la

ieșirea fotoreceptorului cu diodă p-i-n la modificarea
frecvenței impulsurilor de modulare

F M, kHz 1 5 10 I5 20 40 60 80 100
τfp
43
 τi
Δ, %

3.4.3 Prelucrarea datelor măsurărilor

1. Conform rezultatelor plasate în tabelele 3.1, 3.2 și 3.3,
pentru fiecare frecvență de modulare FM să se determine
raportul dintre durata frontului posterior către durata
impulsului (Δ, %) conform formulei:
Δ = (τfp / τi) • 100. (3.3)
Rezultatele se introduc în tabelele 3.1, 3.2 și 3.3.
2. În baza datelor plasate în tabelele 3.1, 3.2 și 3.3 să se traseze
dependențele Δ în funcție de FM.
3. Conform dependențelor obținute să se compare rapiditatea
de funcționare a fotodiodei р-n cuplate în regim
fotogalvanic și de fotodiodă. Să se compare rapiditățile
fotodiodelor de tip p-n și p-i-n.

Dependența tipică Δ în funcție de FM pentru diferite

scheme de cuplare a fotodiodei p-n sau p-i-n sunt prezentate în
figura 3.2.

44
 Figura 3.2. Dependența tipică a Δ în dependență de FM pentru
fotoreceptoare în baza diodelor tip р-n și p-i-n

3.5. Întrebati de verificare

1. Fenomenul efectului fotoelectric intern. Fotoconducția.

2. Diversități de fotoreceptoare.
3. Caracteristicile de bază și utilizarea fotoreceptoarelor.
4. Principalele tipuri și parametri ai fotodiodelor.
5. Fotodiode p-i-n, parametri, construcția și schema fotodiodei
p-i-n.
6. Rapiditatea de funcționare a fotodiodelor cu joncțiune p-n și
fotodiodelor cu structura p-i-n.
7. Frecvența de limită a semnalului care este detectat de
fotoreceptor fără distorsiuni și determinarea ei.
8. Utilizarea fotoreceptoarelor in sistemele de transmisiune a
informației.

BIBLIOGRAFIE

1. Morozova V., Bejan N. Optoelectronica. Fotodetectori. Note

de cors. Partea a două. - Chișinău, Ed.Tehnica-UTM, 2018.
-60р.
2. Морозова В.И., Бежан Н.П. Оптоэлектроника. Курс
лекций, Ч.2. Chișinău, Ed.Tehnica-UTM, 2013, p.59.
3. Бежан Н.П., Морозова В.И. Электронные приборы.
Курс лекций, Ч.1. Физические основы электроники.
Chișinău, Ed.Tehnica-UTM, 2016.

45
4. Morozova V., Bejan N., Mitioglu A. Materiale și
componente în electronica II. Ghid pentru lucr.de lab. P.1,
P.2, Chișinău, Ed.Tehnica-UTM, 2011.
5. Morozova V., Bejan N., Mitioglu A. Optoelectronica. Ghid
pentru lucr.de lab. P.1, P.2. Chișinău, Ed.Tehnica-UTM,
2012.
6. Optoelectronica.Partea 1. pdf.www.researchgate.net/profil…
7. Curs Optoelectronica. Universitatea
Bucuresti.zipnitroglicerine.tools4noobs.com
8. Stănescu C. Optoelectronica și comunicații optice.
Ed.Univers. din Pitești, 2015.
9. Игнатов А.Н. Оптоэлектронные приборы и устройства. –
М.: Эко-Тренд, 2015.
10. Dima I., Licea I. Fenomene fotoelectrice în semiconductori
şi aplicaţii. Bucureşti, 1980.
11. S. Nan, I. Munteanu, Gh. Băluţă, Dispozitive fotonice cu
semiconductori. Editura Tehnică, Bucureşti, 1986.
12. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника.
Москва, Высшая школа, 1991.
13. Щука А.А. Наноэлектроника. Москва, Физматкнига,
2007.
14. Анисимов И.Д. Полупроводниковые фотоприёмники.
Москва, Радио, 1984.
15. Фример Д.Н. Полупроводниковые фотоприёмники и
преобразователи излучения. Москва, Мир, 1985.
16. Фриман Р. Волоконно-оптические системы связи, М.,
Техносфера, 2004г.
17. Розенштер Э., Винтер Б. Оптоэлектроника, М.,
Техносфера, 2004г.
18. Панков Ж. Оптические процесы в полупроводниках.
Москва, Мир, 1988.
19. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Москва,
Мир, 1984.
46
20. Свечников Г.С. Интегральная оптика. Киев, Наукова
Думка, 1988.
21. Паранин В.Д. Элементы и устройства
(1).pdfrepo.ssau.ru/bitstr… 2015.
22. Игнатов А.Н. Оптоэлектроника и нанофотоника. С-П,
Москва, 2011.
23. Birtalan D, Nunley W. Optoelectronics: Infrared-Visible-
Ultraviolet Devices and Aplication, CRC Press, 2009.
24. http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter4/ch4_6.ht
m Prinsiples of Semiconductor Devices. Optoelectronic
devices by B.Van zedhbroeck, 2011.
25. Lasers and Optoelectronics: Fundamentals, Devices and
Applications by Anil K. Maini, Wiley, eBOOK,2013.
26. http://www.circuitstoday.com/optoelectronic-devices

47