Optoelectronica

DOROGAN Andrei

FOTODIODE P-I-N Este cel mai rspndit fotodetector. Conine 3 straturi semiconductoare. Straturile p i n, de regul, sunt puternic dopate (1017...1018 cm 3 ). Stratul i cu grosimea d este foarte puin dopat i posed o concentraie foarte mic de impuriti donoare ( n 0 = 1014...1015 cm 3 ). Structura fotodiodelor p i n are structura urmtoare:

Distribuia puterii optice absorbite

FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

unde: Poptic - puterea optic incident; R Poptic - puterea optic reflectat; Poptic (1 R ) e x - puterea optic absorbit; W - grosimea stratului de sarcin spaial; E ( x ) - intensitatea cmpului electric fr polarizare invers i la polarizarea cu tensiunea U respectiv. Aplicnd fotodiodei tensiunea U , n stratul i se formeaz o regiune de sarcin spaial lrgit cu intensitatea cmpului electric E ( x ) . De regul, tensiunea U se alege n aa mod ca stratul de sarcin spaial s acopere toat grosimea stratului i. Deci: W =d. Semnalul optic incident Poptic se absoarbe de structura semiconductoare conform legii: Poptic (1 R ) e x . (1) Sunt generai purttori de sarcin care sunt separai de cmpul electric E ( x ) . Fotocurentul diodei este compus din curentul de drift (deriv) i curentul de difuzie: I f = I drift + I difuzie , I drift este format de purttorii de sarcin generai n interiorul stratului de sarcin spaial; I difuzie este generat de purttorii de sarcin din stratul n i p. Deoarece, stratul frontal p este foarte subire ( d << 1 ), sau este transparent pentru semnalul incident, neglijm purttorii de sarcin generai n el. Viteza de generare a purttorilor de sarcin este: G ( x ) = 0 e x , (2) 0 - fluxul fotonilor incideni pe o unitate de suprafa.
0 = Poptic (1 R )

unde R - coeficientul de reflexie, A - suprafaa fotoactiv. Curentul de deriv se determin dup relaia:
W

1 , A h

(3)

I drift = q G ( x ) dx = q 0 1 e W .
0

(4)

Pentru x > W densitatea purttorilor de sarcin minoritari (goluri) n volumul de tip n a semiconductorului se determin din ecuaia de difuzie:
Dp p n p n p n 0 + G( x ) = 0 , p x 2

(5)

unde D p - coeficientul de difuzie al golurilor; p - timpul de via al purttorilor de sarcin minoritari; p n 0 - concentraia de echilibru a golurilor n stratul W . Soluia ecuaiei (5) pentru condiiile iniiale p n = p n 0 pentru ( x = ) i p n = 0 pentru ( x = W ) ne permite deducerea relaiei pentru I difuzie :

FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

I difuzie = q 0

Lp
1 + L p

e W + q p n 0

Dp Lp

(6)

Din relaiile (4) i (6) determinm curentul total:

e W I total = q 0 1 1 + L p D + qp n 0 p . Lp

(7)

n condiiile normale de funcionare a fotodiodei p i n al doilea termen al relaiei (7) este mult mai mic ca primul termen. Deci:
e W I total = q 0 1 1 + L p .

(8)

Eficiena cuantic a fotodiodei se determin:

e W 0 1 1 + L I total q e W p = = = ( 1 R ) 1 1 + L 1 Poptic A h 0 A h p 1 R A h .

(9)

Deoarece am presupus c absorbia optic n stratul p practic lipsete, atunci: = (1 R ) (1 e W ) . (10) Concluzii: Pentru a primi eficien cuantic nalt este necesar ca coeficientul de reflexie s fie ct mai mic ( R << 1 ) i s se ndeplineasc condiia W >> 1 . n semiconductorii cu structur direct a zonelor energetice (A3B5) coeficientul de absorbie al radiaiei cu h > E g este mai mare ca 10 4 cm 1 , deaceea, pentru a asigura absorbia complet a semnalului optic n regiunea de sarcin spaial W a jonciunii pn, este necesar ca W = 2m (sau civa m ). Practic pentru toate materialele semiconductoare, ce se folosesc pentru confecionarea fotodiodelor p i n, coeficientul de refracie a radiaiei la grania aer semiconductor este n s = 3,5 , iar coeficientul de reflexie R = 0,3 . Deci, coeficientul de reflexie micoreaz eficiena cuantic pn la = 70% . ns, aceste pierderi optice pot fi micorate utiliznd pelicule antireflex. n calitate de straturi antireflex se folosesc pelicule din Si3N4, Al2O3, SiO2, ZnS, etc, cu coeficientul de refracie ndielectric = 1,8...2 care ndeplinete condiia:
n dielectric n aer = n semiconductor , unde n aer = 1 .
12

Grosimea straturilor antireflex trebuie s fie:

d dielectric =

. 4

Absorbia optic n exteriorul stratului de sarcin spaial micoreaz eficiena cuantic a fotodiodei p-i-n, deoarece purttorii de sarcin trebuie s difundeze spre
FOTODIODE P-I-N 3

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

stratul de sarcin spaial pentru a fi separai. Spre exemplu, n structura prezentat, la iluminarea din partea stratului p, electronii generai n stratul p nu ajung toi la stratul de sarcin spaial (SSS), deoarece recombineaz sau n volumul stratului p sau la suprafaa lui. Aici eficiena cuantic este determinat de geometria fotodiodei i de viteza de recombinare superficial i de volum. ns, pierderile prin recombinare, la iluminarea din partea startului p sunt mici, deoarece viteza de difuzie a electronilor (purttori de sarcin minoritari n stratul p) este destul de mare. La iluminarea structurii din partea stratului n, pierderile prin recombinare sunt mult mai mari, deoarece viteza de difuzie a golurilor (purttori de sarcin minoritari) este mult mai mic. n acest caz i rapiditatea fotodiodei este mult mai mic. Absorbia optic n straturile n i p poate fi exclus, confecionnd straturile din materiale cu E g mai mari ca energia cuanilor incideni. Aceasta devine posibil utiliznd heterostructurile cu banda energetic a straturilor componente de valorile: i n i n E gp > E g > E g sau E gp > E g = E g . n acest caz conteaz numai viteza de recombinare superficial. Cel mai important parametru al fotodiodei p-i-n este sensibilitatea, care are urmtoare expresie:
S= If Poptic =

, fiind funcie de .
If q P

Amintim c:
=
N p ,n NF If Poptic Poptic =

; I f = q optic . h h
1 Poptic =

Deci:
S=

q Poptic
h

q . h

Dac se msoar n m , iar h - n eV, atunci:

S=

n caz ideal cnd = 1 :

A V , ; 1,24 W W . 1,24

(11) (12)

S=

Diferena dintre sensibilitatea spectral a unui fotoreceptor ideal calculat dup relaia (12) i a unei fotodiode ideale din Ge:

FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Cauzele sunt: Dependena R = f ( ) . Acest efect se ia n consideraie prin formula:

S=

Dependena = f ( ) care rezult din relaia (10), ( = f ( ) ). Aceast dependen predomin. RAPIDITATEA FOTODIODEI P-I-N

[1 R( ) ] ; 1,24

Rapiditatea fotodiodei este determinat de constanta de timp a circuitului electric i de timpul de selectare a purttorilor de sarcin fotogenerai. Constanta de timp ( = RC ) este egal cu produsul dintre rezistena sarcinii fotodiodei egal cu R = 50 i capacitatea fotodiodei C f . Capacitatea C f este compus din capacitatea jonciunii pn C p n i capacitatea parazit (capacitatea straturilor semiconductoare i conductorilor metalici). Capacitatea jonciunii pn este:
C p n = 0 s A p n

unde 0 - constanta dielectric a vidului; s - constanta dielectric a semiconductorului ( 13 ); A p n - aria jonciunii pn; W - grosimea stratului de sarcin spaial. Deci, pentru a micora capacitatea fotodiodei este necesar: Micorarea suprafeei jonciunii pn; Sporirea W , prin micorarea concentraiei impuritilor de fond n stratul i. Suprafaa jonciunii pn se realizeaz prin dou metode: 1. formarea jonciunii meza a fotodiodei; 2. formarea jonciunii pn prin difuzie local, utiliznd mti din SiO2.

1 ; W

(13)

FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Stratul de sarcin spaial poate fi mrit polariznd invers fotodioda cu o tensiune U . n jonciunea pn abrupt dependena W = f (U ) este urmtoarea: 12 W = [ 2 0 s ( b U p n ) q N d ] (14) unde U - tensiunea invers de polarizare; b - potenialul de contact al jonciunii. Pentru fotodioda cu concentraia purttorilor de sarcin n statul i N d = 1015 cm 3 i U = 2...3V grosimea stratului de sarcin spaial este W = 2m . Jonciunea pn cu diametrul 100m posed capacitatea de C = 1 pF i constanta de timp pentru Rs = 50 egal cu = RC = 50 ps . Timpul total necesar pentru selectarea purttorilor de sarcin fotogenerai se determin prin suma timpului de deriv a purttorilor de sarcin prin W i a timpului de difuzie a purttorilor de sarcin generai n afara W . Viteza de deriv a purttorilor de sarcin pentru intensitatea cmpului electric W egal cu 10 4 V cm constituie v deriva ~ 10 7 cm s . n aa mod, pentru W = 2m , timpul de deriv este egal cu 20 ps . Pentru electronii ce difuzeaz din stratul p n W timpul de difuzie va fi: t difuzie = L2 2,4 Dn , (15) n unde Ln - lungimea de difuzie a electronilor; Dn - coeficientul de difuzie a electronilor care este proporional cu mobilitatea lor. n cazurile tipice pentru Ln = 1...2m timpul de difuzie este t difuzie = 100 ps . n aa mod, pentru a realiza o nalt rapiditate a fotodiodei este necesar de a micora considerabil grosimea stratului p sau de a exclude absorbia semnalului optic n acest strat. Aceasta se realizeaz utiliznd heterostructurile semiconductoare cu stratul frontal avnd E g > h .

FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

n acest caz, ns, poate exista absorbia n stratul n, iar golurile au o vitez de difuzi mult mai mic ca electronii, ceea ce micoreaz rapiditatea fotodiodei. Pentru a n exclude absorbia i n stratul n, el este confecionat cu E g > h .

n acest caz:
n i h < E gp = E g > E g h , i d i = W >

1 .

FOTODIODE P-I-N