Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
DOROGAN Andrei
CURENTUL DE NTUNERIC Curenii de zgomot generai de fotodioda p-i-n se exprim prin relaia: 2 B = f i zgomot = 2q ( I f + I int uneric ) B , (16) B - intervalul de transparen al frecvenelor ( f ). Aceasta este i relaia pentru zgomotele de alice a curentului fotodiodei. Pentru a minimaliza nivelul zgomotelor este necesar ca curentul de ntuneric I int uneric , care este compus din componentele de volum i de suprafa, s fie mult mai mic ca fotocurentul I f . n fotodiode I int uneric este determinat de defectele n domeniul jonciunii pn i de scurgerile de curent pe suprafaa fotodiodei. Deci, curentul de ntuneric sumar se compune din: Curentul de ntuneric generat n stratul de sarcin spaial de procesele de W generare-recombinare ( I int uneric ); Curentul de ntuneric cauzat de difuzia purttorilor de sarcin minoritari din difuzie domeniile cuazineutre ( I int uneric ).
W I int uneric =
q ni A p n W
efectiv
[1 exp( qU
kT ) ] ,
(17) (18)
ni - concentraia purttorilor de sarcin proprii: ni = ni/ exp E g ( T ) 2kT , ni/ - concentraia purttorilor de sarcin proprii la T 0 K .
W Deci, pentru ca I int uneric s fie ct mai mic este necesar: Materialul semiconductor s fie fr defecte de structur ( efectiv ct mai mare), unde efectiv - timpul de via al purttorilor de sarcin; Aria jonciunii A p n s fie ct mai mic; W ct mai mic posibil, ns, destul de mare pentru a asigura absorbia total a semnalului optic n interiorul stratului de sarcin spaial; temperatura de lucru ct mai mic; banda energetic interzis ( E g ) s fie ct mai mare.
(19) unde I - curentul de difuzie de saturaie care const din dou componente, pentru electroni i goluri:
0 difuzie I int uneric ( n ) = e ni2 ( Dn n ) 12 0 difuzie I int uneric ( p ) = e ni2 ( D p p )
(A
Na )
12
( An
Nd )
(20)
CURENTUL DE NTUNERIC
Optoelectronica
DOROGAN Andrei
Dn D p 10...20
n p
A p i An - suprafeele straturilor p i n ce contacteaz cu stratul de sarcin spaial; N a i N d - concentraia impuritilor acceptore i donore.
Deoarece componenta curentului de ntuneric este proporional cu ni2 (cauzat de difuzie), iar componenta cauzat de procesele de generare-recombinare este difuzie proporional cu ni , I int uneric este considerabil n semiconductorii cu band energetic mic i la temperaturi nalte. La intensiti mari ale cmpului electric n W curentul de ntuneric se determin de procesele de tunelare i de multiplicare prin avalan a purttorilor de sarcin. Aceast component a curentului de ntuneric este determinat pentru fotodioda cu avalan. La proiectarea fotodiodei cu avalan este necesar de minimizat aceast component a curentului de ntuneric. Ea depinde de: E g a materialului, tensiunea de poalrizare, nivelul de dopare al regiunilor p i n i de temperatur (deoarece E g = f ( T ) ). NOIUNI NEP, D, D* Fotodioda se elaboreaz pentru a recepiona semnalele optice de mic intensitate, care genereaz fotocureni mici, i pentru aceasta, fotodioda trebuie s posede cureni de ntuneric foarte mici. Fotodioda se caracterizeaz prin trei parametri importani: 1. NEP puterea echivalent a zgomotelor; 2. D detectivitatea; 3. D* - detectivitatea specific.
Poptic = NEP ;
2 I 2 = I zgomot = 2q ( I f + I int uneric ) f . f
Puterea echivalent zgomotelor se determin ca puterea optic (pentru o anumit sau ) necesar pentru formarea unui fotocurent egal cu ptratul mediu al curentului de zgomot n intervalul frecvenelor f = 1Hz . Determinm valoarea NEP pentru o anumit lungime de und. Reamintim:
CURENTUL DE NTUNERIC 2
Optoelectronica
DOROGAN Andrei
If q Poptic h
=S
2 2 Deoarece am spus c I f = I zgomot = 2q( I f + I int uneric ) f , atunci cnd I int uneric << I f : I f = 2q f < (22) Introducem relaia (22) n relaia (21), pentru f = 1Hz : min Poptic im =
(21)
2q h c 2 hc 2 1,24 = = = NEP . q
(23) (24)
2hc = 2h . Pentru fotodiodele reale, n condiii cnd I int uneric >> I f primim: I zgomot = I f = ( 2qI int uneric f )
1 2
, (25) (26)
(27)
unde A - suprafaa fotodiodei. Are loc atunci cnd I int uneric prevaleaz radiaia de fond i generarea termic a purttorilor de sarcin.
CURENTUL DE NTUNERIC