CAPITOLUL 3

Relatii utile:

JONCTIUNEA PN

Jonctiunea abrupta:

- diferenta interna de potential: B,O =

kT N A N D
ln
q
n i2

- largimea regiunii de sarcina spatiala: l =

2 O r
q

1
1

( B,O v D )
+
N
N
A
D

l = ln + lp

- campul electric maxim: E M =

N A lp = N D ln

qN D l n
O r

qV
qV
I D = I O,d exp D 1 + I O,gr exp D 1
2kT
kT
D p p nO D n n pO

+
- componenta de difuzie a curentului: I O, d = A J q
L
L n
p

n
I O,gr = A J q i l
- componenta de generare-recombinare:
2 O

- caracteristica statica:

Lp = Dpp

Ln = Dnn

- coeficientul de multiplicare in avalansa:

nkT
q ID

- capacitatea de difuzie: C d = O
2Ri
A
- capacitatea de bariera: C b = O r J
l
- rezistenta interna:

Ri =

O = p = n

M=

1
V
1 R
VBR

Probleme rezolvate

3.1. Pentru o jonctiune pn abrupta cu NA = 1018 cm-3 si ND = 1016 cm-3, sa se

calculeze inaltimea barierei interne de potential daca jonctiunea se afla la
T = 300 K si este realizata din: a) siliciu; b) germaniu; c) GaAs.
Inaltimea barierei interne de potential se calculeaza cu relatia:

B,O =

kT N A N D
ln
q n i2

Cele trei materiale semiconductoare au valori diferite pentru concentratia intrinseca.

Rezulta pentru:
- siliciu
BO = 0.819 V
- germaniu
BO = 0.433 V
- GaAs
BO = 1.287 V.
Se observa ca diferenta interna de potential este cu atat mai mare cu cat concentratia
intrinseca este mai mica, deci largimea benzii interzise este mai mare.
O observatie utila pentru verificarea calculelor de acest tip este aceea ca inaltimea
barierei interne de potential creste cu aproximativ 60 mV pentru fiecare ordin de marime al
argumentului functiei logaritm.

3.2. Pentru o jonctiune pn liniar gradata (ND NA)(x) = a.x (a este gradientul
concentratiei nete de impuritati). Cu aproximatia golirii complete sa se calculeze
distributiile campului electric E(x) si potentialului (x) la echilibru termic. Daca
jonctiunea este realizata din siliciu si a = 1021 cm-3, sa se calculeze la T = 300 K
inaltimea barierei interne de potential si largimea regiunii de sarcina spatiala.
Rezolvarea se face in ipotezele simplificatoare utilizate la analiza jonctiunii pn
abrupte: model unidimensional, ipoteza golirii complete, ipoteza ionizarii complete a
impuritatilor, etc.
Cu aproximatia de golire, distributia sarcinii spatiale de volum are o dependenta
liniara de x:

q (N D N A )( x ) = q a x l p x l n
v =
0
in rest

Campul electric E(x) se obtine prin integrarea ecuatiei:

d E v
=
dx

La x = ln si x = lp campul electric este nul. Dupa integrare, rezulta ln = lp = lO/2 (lO este
largimea regiunii de sarcina spatiala) si:
2
qa 2 l O
E(x ) =
x
2
2

Potentialul electric se obtine prin integrarea campului electric (cu semn schimbat).
Se pun conditiile: (-lp) = 0 si (ln) = BO.
2

qa
( x) =
4 x 3 3lO2 x lO3
24

BO

q a l3O
=
12

Diferenta interna de potential BO se poate calcula presupunand satisfacuta ipoteza

ionizarii complete si tinand cont de faptul ca nivelul Fermi este constant in toata structura la
echilibru termic. La margimea regiunii de sarcina spatiala (in zona neutra invecinata) se poate
exprima pozitia nivelului Fermi in functie de concentratiile de purtatori. De exemplu pentru
electroni concentratia este:
- in zona n (purtatori majoritari):

- in zona p (purtatori minoritari):

l
n n (l n , + ) = a O
2
n i2
n p ( l p, ) =
l
a O
2

Rezulta:

BO

kT n n (l n , + ) kT a 2 lO2 2 kT a lO
=

=
ln
ln
ln
=
q n p (l p, ) q 4 n i2
q
2
n
i

Calculul largimii regiunii de sarcina spatiala (regiunii golite) presupune rezolvarea

ecuatiei neliniare:

q a l 3O 2 kT a l O
ln
=
2n
12
q

i
In conditiile din problema ni = 1.45 1010 cm-3, r = 11.7 si kT/q = 0.026 V. Rezulta
rezolvand ecuatia (de exemplu prin metoda incercarilor repetate sau formand un sir de iterare
corespunzator teoremei de punct fix) valoarea lO = 0.378 m. Diferenta interna de potential
rezulta BO = 0.696 V.

3.3. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 1017 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Constantele de difuzie ale purtatorilor
minoritati sunt Dn = 25 cm2/s si Dp = 10 cm2/s. Timpul de viata al purtatorilor de
sarcina este O = p = n = 0.5 s.
a) Sa se calculeze concentratiile de purtatori in ipoteza ionizarii complete.
Trebuie remarcat ca intr-o jonctiune pn exista doua zone distincte, cu dopaje de
impuritati diferite, deci trebuiesc calculate patru concentratii de purtatori. In zona n
concentratiile sunt:
- purtatori majoritari: n n ,O N D = 10

15

- purtatori minoritari: p n ,O

cm -3

n i2
=
= 2.1 105 cm -3
ND

In zona n concentratiile sunt:

- purtatori majoritari: p p,O N A = 10

17

cm -3

n i2
= 2.2 10 3 cm -3
- purtatori minoritari: n p,O =
NA
b) Sa se calculeza inaltimea barierei interne de potential.
kT N A N D
ln
= 0.699 V
B,O =
q n i2
c) Sa se calculeze largimea regiunii de sarcina spatiala pentru echilibru termic si
pentru polarizarea jonctiunii la VF = 0.5 V si VR = 10 V.
Deoarece NA >> ND (cazul jonctiunii abrupte asimetrice) largimea regiunii de sarcina
spatiala este data de:

l=

2 O r 1
2 O r 1
1

(B, O v D )
(B,O v D )
+
q ND
q NA ND

Rezulta:
l = lO = 9.52 10-5 cm = 0.952 m
- vD = 0 V
- vD = VF = 0.5 V
l = 5.078 10-5 cm = 0.508 m
l =3.723 10-4 cm = 3.723 m
- vD = VR = 10 V
Largimea regiunii golite este cu atat mai mare cu cat tensiunea inversa aplicata pe
jonctiune este mai mare.

d) Sa se calculeze campul electric maxim pentru echilibru termic si pentru

polarizarea jonctiunii la VF = 0.5 V si VR = 10 V.
Campul electric maxim se calculeaza cu:

EM =

qN A l p
O r

Din relatiile:

l = ln + lp

qN D l n
O r
N A lp = N D ln

rezulta pentru jonctiunea abrupta:

ln =

NA
ll
NA + ND

si

EM

q ND l
Or

Se observa ca regiunea de sarcina spatiala se extinde cu precadere in zona n, mai slab

dopata. Cazul jonctiunii in care NA >> ND (jonctiune asimetrica) se mai noteaza si p+n.
Numeric rezulta:
- vD = 0 V
EM = 1.47 104 V/cm
- vD = VF = 0.5 V
EM = 7.84 103 V/cm
- vD = VR = -10 V
EM = 5.746 104 V/cm
Campul electric maxim creste cu cresterea tensiunii inverse aplicate jonctiunii pn si
este posibil ca el sa atinga o anumita valoare critica la care jontiunea se strapunge.

e) Sa se calculeze tensiunea de strapungere VB a jonctiunii stiind ca valoarea

campului electric de strapungere este Ecr = 3 105 V/cm.
Valoarea campului critic la care apare strapungerea depinde atat de tipul
semiconductorului, de forma geometrica a jonctiunii, de temperatura cat si de concentratiile
4

de impuritati. Valoarea indicata in problema a fost obtinuta pe baza datelor experimentale

pentru siliciu, in conditiile celorlalte date numerice ale problemei.
Rezulta:

VB = BO
Numeric:

2
2
O r E cr
O r E cr
+

2q ND
2q ND

VB = 292 V.

f) Sa se calculeze componenta de difuzie a curentului prin dioda pentru

polarizarea jonctiunii la VF = 0.5 V si VR = 10 V. Se presupune cazul jonctiunii
groase.
Componenta de difuzie a curentului prin dioda a fost calculata pentru jonctiunea pn
ideala, la care, printre altele, se neglijau fenomenele de generare-recombinare din regiunea de
sarcina spatiala. Densitatea curentului prin structura calculata in aceste conditii are expresia:

D p p nO D n n pO qVD
qV
exp
+
J D = J O,d exp D 1 = q
1

L
L
k
T

kT
p
n

Aceasta expresie se poate rescrie inlocuind valorile densitatilor de purtatori minoritari

la echilibru termic (calculate la punctul a) ca:

Dp 1
D 1 qVD
+ n
1
J D = qn i2
exp
L p N D L n N A kT

In expresia de mai sus singurele marimi necunoscute sunt lungimile de difuzie ale
purtatorilor minoritari. Ele se calculeaza cu:

L n = D n n = 3.54 10-3 cm = 35.4 m

L p = D p p = 2.24 10-3 cm = 22.4 m
In cazul jonctiunii groase se presupune ca Ln si Lp sunt mult mai mici decat
grosimea zonelor neutre situate de o parte si de alta a regiunii de sarcina spatiala.
Se obseva ca in cazul jonctiunii abrupte asimetrice (NA >> ND), expresia curentului
poate fi scrisa:

J D q n i2

Dp 1
Lp N D

qVD
exp

1 = J O,d

k
T

qVD
exp

k
T

Valoarea densitatii curentului de difuzie la saturatie este: JO,d = 1.5 10-10 A/cm2.
Rezulta deci: - vD = VF = 0.5 V
JD = 8.44 10-2 A/cm2.
- vD = VR = -10 V
JD = - JO,d = -1.5 10-10 A/cm2.

g) Sa se calculeze componenta de generare-recombinare a curentului prin dioda

pentru polarizarea jonctiunii la VF = 0.5 V si VR = 10 V.
In cazul polarizarii in direct a jonctiunii pn, in regiunea de sarcina spatiala
concentratia de purtatori mobili de sarcina creste mult peste valoarea de la echilibru termic. In
aceasta zona apare fenomenul de recombinare a purtatorilor mobili de sarcina si prin jonctiune
va trece o componenta a curentului neglijata la deducerea legii diodei ideale. In cazul
polarizarii in invers a jonctiunii concentratiile de purtatori mobili de sarcina sunt sub valorile
de la echilibru termic si apare fenomenul de generare a perechilor electron-gol. Si in acest caz
apare o componenta suplimentara a curentului care se adauga celei de difuzie.
5

Expresia densitatii de curent datorata fenomenelor de generare-recombinare este:

n
qV
J D,gr = J O,gr exp D 1 = q i
2 O
2kT

qV
l exp D 1
2kT

Se remarca faptul ca dependenta curentului de tensiunea de polarizare are loc atat

direct, prin intermediul functiei exponentiale, cat si indirect, prin intermediul largimii regiunii
de sarcina spatiala l (deci trebuiesc utilizate rezultatele obtinute la punctul c).
Pentru VF = 0.5 V, rezulta: JD,rec = 1.77 10-3 A/cm2.
Comparand aceasta valoare cu cea obtinuta la punctul f pentru densitatea curentului de
difuzie, rezulta ca, pentru siliciu, componenta de recombinare a curentului in direct prin
jonctiune reprezinta o abatere importanta de la legea diodei ideale. Datorita dependentei
reduse de tensiune prin intermediul largimii regiunii de sarcina spatiala, aceasta abatere va fi
cu atat mai importanta cu cat tensiunea de polarizare in direct este mai mica. Aceasta abatere
devine neimportanta la tensiuni de polarizare mai mari.
Pentru VR = 10 V, rezulta: JD,gen = - 8.64 10-7 A/cm2.
Comparand aceasta valoare cu cea obtinuta la punctul f pentru densitatea curentului de
difuzie, rezulta ca componenta de generare a curentului invers este dominanta pentru
jonctiunile din siliciu polarizate invers la temperatura camerei (este mai mare cu cateva ordine
de marime).

h) Sa se calculeze rezistenta de semnal mic a jonctiunii polarizate in invers la

VR = 10 V, daca aria jonctiunii este AJ = 10-2 cm2.
Calculul rezistentei interne de semnal mic (de fapt al conductantei) se face calculand
panta caracteristicii statice I/V corespunzatoare punctului static de functionare dat. Tinand
cont de punctele f si g, rezulta ca pentru polarizarea in invers a jonctiunii numai componenta
de generare depinde de tensiunea aplicata (curentul de difuzie este practic constant la tensiuni
inverse mai mari de 3kT/q).
Caracteristica curent de generare-tensiune devine in aceste conditii:

I D,gen = q

ni
l( VD )
2 O

Prin derivare, conductanta de semnal mic se obtine ca:

gi =

1 d ID
=
ri d VD

=
VD = VR

d I D,gen
d VD

=q
VD = VR

Deci:

g i == I D,gen

1 d l( VD )
l( VD ) d VD V

= I D,gen

D = VR

n i d l( VD )
2 O d VD V

D = VR

d ln (l( VD ) )
d VD
V

Dependenta de tensiune a largimii regiunii golite este (punctul c):

l( VD )

2 O r 1
( B,O VD )
q ND

Dupa cateva calcule simple, rezulta:

d ln (l( VD ) )
d VD
V

D = VR

1
2( B,O + VR )

Rezultatul final este:

D = VR

ri =

2( BO + VR )
A J J D,gen

Tinand cont de rezultatele obtinute la punctele b si g, rezulta rI = 2.48 M. Rezultatul

reprezinta o valoare foarte mare a rezistentei interne a unei jonctiuni polarizate invers, dar
aceasta valoare este finita (nu infinita, dupa cum rezulta din legea diodei ideale).

i) Sa se calculeze componenta de difuzie a curentului prin dioda pentru

VR = 10 V. Se cunoaste ca zona n are o largime Wn,O = 5 m (distanta intre
jonctiunea metalurgica si contactul ohmic).
Se calculeaza largimea efectiva Wn a zonei n neutre. Pentru aceasta se utilizeaza
calculele facute la punctul c pentru l si observatia de la punctul d (regiunea de sarcina spatiala
se extinde practic numai in zona n, mai slab dopata). Rezulta:
Wn = Wn ,O l n Wn ,O l =1.277 m
Deoarece Lp = 22.4 m >> Wn, rezulta ca formulele utilizat la punctul f nu mai pot fi
utilizate in acest caz. Principala modificare care apare este cea a distributiei purtatorilor
minoritari din zona n. Cu ipotezele simplificatoare in care a fost dedusa legea diodei ideale,
ecuatia diferentiala pentru concentratia de purtatori minoritari in excess pn din zona n neutra
este:

d 2 p 'n
d x2

p 'n
L2p

=0

Considerand originea x = 0 la jonctiunea metalurgica si sensul pozitiv al axei x spre

zona n, conditiile la limita necesare pentru rezolvarea ecuatiei diferentiale se scriu ca:

qV
p 'n (l n ) = p n ,O exp D 1 conditia Schockley
kT
p 'n ( Wn ,O ) = 0
la contactul metalic nu sunt purtatori in exces.
Distributia purtatorilor minoritari in exces este:

qV
p 'n ( x ) = p n ,O exp D 1
kT

Wn ,O x

sinh
Lp

Wn ,O l n

sinh

Lp

Daca Wn >> Ln se obtine distributia exponentiala de la jonctiunea groasa. Daca

Wn << Ln, atunci functia sinus hiperbolic poate fi aproximata:
Sinh (x) x, daca x 0. Rezulta o distributie liniara de x a purtatorilor minoritari in exces,
data de:

qV Wn ,O x

p 'n ( x ) = p n,O exp D 1

kT Wn
Un caz asemanator va fi intalnit in cazul bazei tranzistorului bipolar. Curentul de
difuzie al golurilor minoritare din regiunea n se calculeaza la marginea regiunii de sarcina
spatiala x = ln rezultand:

J p,d = q n i2

Dp 1
Wn N D

qVD
exp kT 1

Se observa ca acest rezultat poate fi obtinut din relatia curentului de difuzie de la

punctul f (jonctiune groasa) daca se inlocuieste lungimea de difuzie Ln cu largimea efectiva
a regiunii n neutre Wn.
Aceasta ultima relatie este utila la lucrarea de laborator Regimul static al jonctiunii
pn, Tabelul 3. Jonctiunea pn a fost simulata in acel caz in absenta recombinarii purtatorilor
de sarcina, deci pentru un timp de viata O , deci pentru o valoare infinita a lungimii de
difuzie a purtatorilor minoritari.

j) Sa se calculeze capacitatea de bariera a jonctiunii pentru VR = 10 V, daca aria

jonctiunii este AJ = 10-2 cm2.
Capacitatea de bariera se calculeaza cu:

O r A J
l

Cb =

Tinand cont de rezultatul obtinut la punctul c (l = 3.723 10-4 cm) rezulta:

Cb = 27.8 pF.

k) Sa se calculeze rezistenta serie a jonctiunii pentru VF = 0.5 V, daca aria

jonctiunii este AJ = 10-2 cm2 iar grosimile zonelor p si n (de la jonctiunea
metalurgica pana la contactele ohmice) sunt Wp,O = 100 m si Wn,O = 250 m.
Estimati de la ce valoare a tensiunii in direct pe dioda efectul rezistentei serie
devine semnificativ. Se considera T = 300 K.
Deoarece largimea regiunii de sarcina spatiala este mult mai mica decat grosimile
zonelor n si p (punctul c), putem considera Wp Wp,O = 100 m si Wn Wn,O = 250 m.
Regiunile neutre se comporta ca niste rezistoare a caror valoare poate fi calculata cu relatia:

R =

W
AJ

Trebuiesc calculate rezistivitatile celor doua zone neutre. La nivel mic de injectie,
rezulta:

p
n

1
q p p,O p
1
q n n ,O n

=
=

1
q N A p
1
q N D n

= 0.156 .cm
= 6.25 .cm

Pentru calculul mobilitatilor purtatorilor au fost utilizate relatiile lui Einstein si a fost
neglijata dependenta acestora de concentratia de impuritati. Pentru cele doua regiuni neutre
rezulta urmatoarele valori ale rezistentelor serie care, la nivel mic de injectie, nu depind de
tensiunea de polarizare a jonctiunii:
- zona p:
Rp = 0.156 ;
- zona n:
Rp = 15.62 .
Rezistenta serie a structurii rezulta: RS = 15.78 .
Pentru a estima efectul acestei rezistente asupra functionarii jonctiunii trebuie
calculata caderea de tensiune pe rezistenta serie si comparata cu caderea de tensiune pe
regiunea de bariera. Utilizand calculele de la punctele f si g pentru VF = 0.5 V, rezulta un
curent prin dioda ID 0.844 mA, deci o cadere de tensiune pe rezistenta serie:
RS ID = 13.3 mV,
8

Valoarea obtinuta este neglijabila fata de caderea de tensiune pe jonctiune de 500 mV.
Consideram ca efectul rezistentei serie devine semnificativ daca caderea de tensiune pe ea
este de 10% din caderea de tensiune pe regiunea de bariera. Daca consideram ca prin structura
trece numai curent de difuzie (vezi punctul g), tensiunea dorita se obtine din rezolvarea
ecuatiei neliniare:

qV
R S I O,d exp F = 0.1 VF
kT
Cu IO,d = 3.75 10-12 A, rezulta VF = 0.536 V.

Probleme propuse

3.4. Sa se calculeze diferenta interna de potential, largimea regiunii de sarcina

spatiala si campul electric maxim pentru o jonctiune pn abrupta din siliciu,
aflata la echilibru termic, la T = 300 K, cu dopajele uniforme NA = 1018 cm-3 si
a) ND = 1015 cm-3; b) ND = 1016 cm-3; c) ND = 1017 cm-3; d) ND = 1018 cm-3.
Sa se repete calculul pentru cazul germaniului.

3.5. Sa se calculeze diferenta interna de potential, largimea regiunii de sarcina

spatiala si campul electric maxim pentru o jonctiune pn abrupta din GaAs, aflata
la echilibru termic, la T = 300 K, cu dopajele uniforme NA = 1018 cm-3 si a)
ND = 1015 cm-3; b) ND = 1016 cm-3; c) ND = 1017 cm-3; d) ND = 1018 cm-3.

3.6. Se da o jonctiune pn din GaAs abrupta, uniform dopata, la T = 300 K. La

echilibru termic numai 20% din largimea regiunii de sarcina spatiala se afla in
regiunea p. Bariera interna de potential este BO = 1.2 V. Sa se determine:
a) dopajele NA si ND; b) largimea regiunii de sarcina spatiala ln si lp; c) campul
electric maxim.
Indicatie. Se pleaca de la conditia lp = 0.2 l. Rezulta NA = 4 ND. Dopajele se calculeaza apoi
din valoarea lui BO.

3.7. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 5 1015 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Aria jonctiunii este AJ = 10-2 cm2 si
jonctiunea este polarizata la o tensiune inversa VR = 5 V. Sa se calculeze:
a) diferenta interna de potential; b) largimea regiunii de sarcina spatiala;
c) campul electric maxim; d) capacitatea totala a jonctiunii.

3.8. Se considera o jonctiune pn uniform dopata din GaAs la T = 300 K.

Capacitatea jonctiunii la polarizare zero este Cj(0) iar la o tensiune inversa de 10
C j (0)
= 3.16 .
V, capacitatea este Cj(10). Raportul dintre aceste capacitati este
C j (10)
La tensiunea inversa de 10 V largimea regiunii din sarcina spatiala din zona p
este de 4 ori mai mica decat largimea regiunii de sarcina spatiala din regiunea n.
Sa se calculeze diferenta interna de potential si dopajele din regiunile n si p.
9

Indicatie. Deoarece 4 lp = ln rezulta NA = 4 ND. Pentru tensiuni de polarizare mai mici sau
egale cu zero, capacitatea jonctiunii este capacitate de bariera, care este invers proportionala
cu largimea regiunii de sarcina spatiala. Rezulta:

BO + 10
BO

= 3.16 , deci BO = 0.9 V si

ND = 2.38 1017 cm-3.

3.9. O jonctiune pn abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, este uniform dopata
cu NA = 1018 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Aria jonctiunii este AJ = 6 10-4 cm2. In
paralel cu jonctiunea este plasata o inductanta de 2 nH. Sa se calculeze frecventa
de rezonanta la o tensiune de polarizare inversa de a) VR = 1 V; a) VR = 10 V.
Indicatie. Se calculeaza capacitatile de bariera si apoi frecventa de rezonanta a circuitului LC
paralel f rez =

1
.
2 L C b

3.10. Masuratorile efectuate asupra capacitatii specifica (pe unitatea de

suprafata) a unei jonctiuni p+n din GaAs la T = 300 K au furnizat valorile Cj =
9.7 nF/cm2 la VR = 1 V si Cj = 5.8 nF/cm2 la VR = 5 V. Sa se determine ND, NA
si diferenta interna de potential.
BO + 5 9.7
Indicatie. Din raportul celor doua valori ale capacitatii rezulta
=
si
BO + 1 5.8
BO = 1.226 V. Capacitatea de bariera a unei jonctiuni p+n este C j =
'

qN D O r
si
2( BO + VR )

se calculeaza ND.

3.11. Inaltimea barierei interne de potential pentru o jonctiune pn liniar gradata

din siliciu, la T = 300 K, este BO = 0.70 V, iar capacitatea specifica a jonctiunii,

masurata la o tensiune inversa VR = 5 V, este C = 10 nF/cm2. Sa se calculeze
gradientul a al concentratiei nete de impuritati.

Indicatie. Din expresia capacitatii de bariera si cu relatia din care se calculeaza largimea
regiunii golite, rezulta direct gradientul de concentratie neta de impuritati.

3.12. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 5 1015 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Constantele de difuzie ale purtatorilor
minoritati sunt Dn = 25 cm2/s si Dp = 10 cm2/s. Timpul de viata al purtatorilor de
sarcina este O = p = n = 0.5 s. Jonctiunea este polarizata la o tensiune
directa VF = 0.6 V. Sa se calculeze:
a) componenta de difuzie a curentului prin jonctiune;
b) componenta de generare-recombinare a curentului;
10

c) la ce tensiune componenta de difuzie a curentului egaleaza componenta de

generare-recombinare;
d) sa se determine campul electric din regiunea p neutra.

3.13. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 1016 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Sa se determine tensiunea maxima de
polarizare in direct a jonctiunii pana la care aproximatia de nivel mic de injectie
ramane valabila.
Indicatie. Conditia de nivel mic de injectie impune ca concentratia de purtatori minoritari sa
ramana mult mai mica decat cea a purtatorilor majoritari. Daca admitem o diferenta de cel
putin un ordin de marime, conditia pusa la marginea regiunii de sarcina spatiala dinspre zona

N 2D
kT
ln 0.1 2
mai putin dopata conduce la: VF =
q
ni

3.14. O jonctiune abrupta din GaAs, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 5 1015 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Constantele de difuzie ale purtatorilor
minoritati sunt Dn = 150 cm2/s si Dp = 7.5 cm2/s. Timpul de viata al purtatorilor
de sarcina este O = p = n = 0.5 s. Jonctiunea este polarizata la o tensiune
inversa VR = 10 V. Sa se calculeze:
a) componenta de difuzie a curentului prin jonctiune;
b) componenta de generare-recombinare a curentului.

3.15. O jonctiune abrupta din germaniu, aflata la T = 300 K, are nivelele de

dopaj NA = 5 1015 cm-3 si ND = 5 1014 cm-3. Mobilitatile purtatorilor sunt
n = 3800 cm2/(V.s) si p = 1800 cm2/(V.s). Timpul de viata al purtatorilor de
sarcina este O = p = n = 1 s . Jonctiunea este polarizata la o tensiune inversa
VR = 10 V. Sa se calculeze:
a) componenta de difuzie a curentului prin jonctiune;
b) componenta de generare-recombinare a curentului.

3.16. O jonctiune abrupta din germaniu, aflata la T = 300 K, are nivelele de

dopaj NA = 5 1015 cm-3 si ND = 5 1014 cm-3. Mobilitatile purtatorilor sunt
n = 3800 cm2/(V.s) si p = 1800 cm2/(V.s). Timpul de viata al purtatorilor de
sarcina este O = p = n = 1 s . Jonctiunea este polarizata la o tensiune directa
VF = 0.15 V. Sa se calculeze:
a) componenta de difuzie a curentului prin jonctiune;
b) componenta de generare-recombinare a curentului.

3.17. O jonctiune abrupta pn din siliciu are urmatorii parametrii:

- grosimea zonei n: Wn,O = 2 m;
- grosimea zonei p: Wp,O = 200 m;

11

- constantele de difuzie: Dn = 25 cm2/s si Dp = 10 cm2/s;

- rezistivitatea zonei n: n = 0.5 .cm;
- rezistivitatea zonei p: p = 0.04 .cm;
- timpul de viata al purtatorilor: O = p = n = 1s ;
- aria jonctiunii: AJ = 10-4 cm2;
Sa se calculeze:
a) curentul prin structura la VR = 10 V;
b) curentul prin structura la VF = 0.6 V;
c) rezistenta serie a structurii la echilibru termic;
d) capacitatea structurii la echilibru termic si trasati dependenta capacitatii de
bariera de tensiunea inversa pe jonctiune.

3.18. Calculati admitanta de semnal mic a unei jonctiuni pn polarizata la

VF = 0.65 V si IF = 2 mA, la frecventa f = 1 MHz. Se cunoaste T = 300 K si
timpul de viata al purtatorilor O = 1 s.

3.19. Se da o jonctiune pn din GaAs polarizata invers la o tensiune VR = 5 V.

Se cunosc parametrii: NA = ND = 1016 cm-3; Dn = 200 cm2/s; Dp = 6 cm2/s;

n = p = O = 10-8 s; T = 300 K. Sa se calculeze densitatea curentului de difuzie
si densitatea curentului de generare. Sa se compare valorile obtinute cu cele
corespunzatoare cazului in care jonctiunea este relizata din siliciu.

3.20. Se da o jonctiune pn aflata la T = 300 K, polarizata in direct. Componenta

de difuzie a curentului este JO,d = 10-11 A/cm2 iar componenta de generarerecombinare, presupusa practic constanta fata de tensiunea aplicata, de JO,gr =
10-7 A/cm2. Sa se calculeze tensiunea in direct la care cele doua componente
sunt egale.

3.21. O jonctiune abrupta asimetrica p+n din siliciu, uniform dopata, este
proiectata pentru o tensiune minima de strapungere de VB = 15 V. Sa se
determine concentratia maxima de impuritati a zonei mai slab dopate. Se
considera campul electric critic egal cu 4 105 V/cm.

3.22. Pentru o dioda cu jonctiune pn s-au facut urmatoarele masuratori in

polarizare directa: (VF1 = 0.6 V; IF1 = 20 mA); (VF2 = 0.68 V; IF2 = 100 mA);
(VF3 = 0.88 V; IF3 = 500 mA). Sa se calculeze rezistenta serie RS a diodei.
Indicatie Problema a fost abordata in lucrarea de laborator Diode semiconductoare.

12