Cap IV: Joncţiunea p-n.

Fenomene secundare în TB

4.1 Fabricarea joncţiunii p-n. Structura internă

Pentru înţelegerea unor fenomene de ordinul doi din tranzistorul bipolar, precum şi a
abaterilor faţă de comportarea dată de ecuaţia Schokley în cazul diodei solicitate la tensiuni inverse,
este necesară analiza mai detaliată a joncţiunii p-n.
Structura internă a unei joncţiuni p-n este reprezentată în fig. 4.1.

Fig. 4.1

Pentru obţinerea joncţiunii s-a utilizat (de exemplu) un cip de tip n având dopare iniţială constantă în
tot volumul, ND = const. = 1015[atomi P/cm3] (este foarte important să observăm ca impurităţile
donoare sunt uniform repartizate în tot cipul şi că într-un cm3 din cip existând aproximativ
1022[atomi Si/cm3] (mult mai mulţi atomi de Si faţă de atomi de P), la 10 milioane de atomi de
siliciu revine doar un singur atom de impuritate donoare deci probabilitatea ca doi atomi donori să
fie învecinaţi este practic nulă). Forma geometrică din fig. 1 se obţine prin procedee tehnologice
planare utilizate la fabricarea dispozitivelor semiconductoare pe baza de siliciu: oxidare termică,
fotolitografie, difuzie in stare solidă a impurităţilor dorite (fizica solidului) sau implementare ionică.
În cazul difuziei în stare solidă suprafaţa cipului este spălată de un gaz inert în care densitatea
atomilor acceptori de Bor este menţinută constantă la valoarea NAsup = 1018[atomi B/cm3]. Procedeul
de spălare se desfăşoară la temperaturi mari, 1000-14000C, ce determină pătrunderea atomilor de
Bor (difuzie) in reţeaua cristalina a Si - atomii de bor substitue atomi de siliciu din reţeaua
monocristalină. În urma procesului de difuzie se obţine Si tip p, la suprafaţă de concentraţie NAS din
gaz iar spre interior (direcţia Ox) o concentraţie NA(x) căzătoare spre 0.
În fig.1 se evidenţiază că pentru 0 < x < x j semiconductorul este de tip p, N A > N D , iar
pentru x j < x < 250 μm semiconductorul este de tip n, N D > N A . De reţinut că profilul curbei
NA(x), cădere mai rapidă sau mai lentă (xj mai mic sau mai mare) este determinat de durata
procesului de difuzie şi de temperatura la care se desfăşoară procesul.

1
 O joncţiune p-n are comportare de diodă numai daca in jurul planului joncţiunii, x = x j ,
concentraţia netă de impurităţi, definită prin N ( x ) = N D ( x) − N A ( x) se modifică de zece ori pe o
lăţime de aproximativ 100 nm. Prin procedee de difuzie în stare solidă se obţin joncţiuni cu xj
controlabil între 2μm - 20μm şi profil aproximativ liniar gradat (în jurul planului joncţiunii
N ( x) are variaţie limiară, N ' ( x ) ≅ const. ).
Teoria joncţiunii p-n, în toate manualele didactice, utilizează modelul joncţiunii ideal abrupte
definită de N ' ( x ) ≅ ∞ . O joncţiune reală care are comportare aproximativ ideală se obţine prin
procedeul implementare ionică, acesta permiţând controlul mărimii xj începând de la zecimi de
micron, fig. 2 (concentraţiile rezultate în urma a trei implanturi succesive cu energii descrescătoare
ale ionilor implantaţi).

Fig. 4.2
Pentru explicaţiile ce urmează vom utiliza modelul didactic din fig. 4.3 care este de fapt un detaliu
paralelipipedic din zona plană a joncţiunii din fig.1.

Fig. 4.3

2
 4.2 Regimul de echilibru.
Regimul de echilibru este definit de T = const. şi nici o altă perturbaţie energetică (lumină,
radiaţie nucleară câmp electric, câmp magnetic ...). Analiza regimului de echilibru utilizează
rezultate din fizica materialelor semiconductoare:
• Concentraţiile volumetrice totale ale purtătorilor liberi n, p dintr-un
semiconductor cu dopări oarecare N A , N D , depind numai de temperatură şi
satisfac, în regim de echilibru;
np = ni2 (T ) (4.1)

În semiconductorul intrinsec ideal concentraţiile ni = pi = f (T ) cresc exponenţial cu

temperatura şi în cazul siliciului au valorile, [1]: ni = pi ≅ 108 / cm3 la -250C,
ni = pi ≅ 1010 / cm 3 la 250C, ni = pi ≅ 1011 / cm 3 la 500C, ni = pi ≅ 1014 / cm 3 la
1750C.....Concentraţiile n(x), p(x), (Ox o direcţie oarecare) sunt funcţii continue.

• În regim de echilibru, orice volum macroscopic din materialul semiconductor este în

starea de neutralitate electrică (cantitatea totală de sarcină electrică, fixă şi/sau
mobilă, este nulă). Neutralitatea electrică conduce la:

ND − NA = n − p (4.2)

în care, N A , N D , sunt concentraţii volumetrice ale sarcinilor fixe (ioni negativi acceptori şi
respectiv ioni pozitivi donori) iar n, p, sunt concentraţii volumetrice ale sarcinilor electrice mobile
(electroni şi respectiv goluri).
Relaţiile (4.1), (4.2), permit determinarea concentraţiilor de purtători liberi în regim de
echilibru în orice porţiune de semiconductor atunci când dopările sunt cunoscute. Fig.4.3 arată
situaţia din regim de echilibru în vecinătatea planului joncţiunii. La fabricarea joncţiunii golurile din
zona p vor difuza spre zona n iar electronii din zona n vor difuza prin planul joncţiunii spre zona p
(purtătorii liberi de un tip difuzează din locurile unde sunt mai mulţi spre locurile unde sunt mai
puţini - tendinţa fiind de uniformizare). Difuzia determină apariţia sarcinilor electrice fixe (rămân
ioni pozitivi în zona n şi ioni negativi în zona p+) care implică apariţia unui câmp electric intern ce
se opune difuziei. Aceste fenomene determină o zonă golită de purtători liberi numită şi regiune de
sarcină spaţială (RSS), care în regim de echilibru are grosimea,

WB = x p + xn (4.3)
În afara RSS se găsesc zonele neutre ale joncţiunii şi utilizând relaţiile (4.1), (4.2) se pot
determina numeric concentraţiile de echilibru din acestea. Cu dopările precizate ca exemplu şi la
temperatura joncţiunii de aproximativ 250C se obţin rezultatele:
 p p 0 ≅ 1018 / cm3

n p 0 ≅ 10 / cm
2 3

 (4.4)
 n0
n ≅ 10 15
/ cm 3


 pn 0 ≅ 10 / cm
5 3

3
Valorile numerice de mai sus scot în evidenţă modificări majore ale concentraţiilor libere chiar dacă
dopările rămân totuşi slabe. De exemplu, dacă cipul ar fi fost intrinsec ar fi rezultat
ni = pi ≅ 1010 / cm 3 . Doparea uniformă în proporţia un atom donor pentru 10 milioane de atomi de
siliciu (cipul iniţial este în exemplu tip n cu ND = const. = 1015/cm3) determină creşterea
concentraţiei de electroni liberi de o 100 mii de ori şi micşorarea concentraţiei de goluri de
asemenea de o 100 mii de ori.
Sarcina fixă din RSS, prin câmpul electric pe care-l determină, se comportă ca o barieră
internă de potenţial pentru sarcinile mobile (potenţialul electric al zonei neutre n este mai înalt decât
al zonei neutre p). Diferenţa de potenţial dintre cele două zone neutre o notăm cu VB şi se
demonstrează (în ipoteza joncţiunii ideal abrupte şi golire completă de purtători liberi a RSS) că are
expresia:

kT  N D N A   ND NA 
VB = ln  2  = VT ln  2  (4.5)
q  ni   ni 

unde, k este constanta Boltzman iar q este modulul sarcinii electrice a electronului. Cu dopările din
exemplu şi T = 300K (tensiunea termică VT = kT/q= 26mV), se obţine VB = 806 mV. Se determină,
[1], şi expresii pentru mărimile geometrice ale RSS. Se obţin:

2ε r ε oVB  ND 
xp =   (4.6)
q  N A (N A + ND ) 

2ε r ε oVB  NA 
xn =   (4.7)
q  N A (N A + ND ) 

2ε r ε oVB  1 1 
WB = x p + xn =  +  (4.8)
q  ND NA 

În relaţiile anterioare εr este permitivitatea electrică relativă a siliciului (aproximativ 11,8) iar
ε0=8.854x10-12[F/m], este permitivitatea electrică relativă a vidului. De observat că în situaţiile
dopărilor joncţiunilor pentru diode şi tranzistoare se utilizează fie N A >> N D , fie N D >> N A
(joncţiuni puternic asimetrice) ceea ce determină extinderea RSS practic numai în zona mai slab
dopată. De asemenea, pentru dopări foarte puternice (cazul diodei tunel cu
1018 / cm3 < N A ..N D < 1021 / cm3 ) se obţin grosimi ale RSS foarte mici. O mărime foarte importantă
este valoarea maximă a modulului intensităţii câmpului electric din RSS, aceasta determinând
tensiunea inversă maximă la care poate funcţiona o joncţiune reală:

−1
2qVB N A N D 2qVB  1 1 
Emax = =  +  (4.9)
ε rε o N A + N D ε rεo  N D N A 

4
 În fig. 4.4 sunt reprezentate graficele mărimilor electrice; densitatea de sarcină electrică
(fixă) ρ(x), intensitatea câmpului electric E(x) şi diferenţa de potenţial electric (referinţă de
potenţial s-a ales zona neutră din p+) din zona RSS în ipoteza golirii complete şi joncţiune ideal
abruptă.

Fig. 4.4

4.3 Regimul perturbat. Curentul prin joncţiune

Starea de echilibru caracterizată anterior poate fi modificată de orice perturbaţie energetică

însă, însă cea mai importantă pentru domeniul circuitelor electronice este perturbaţia câmp electric.
Fără a modifica temperatura de echilibru un câmp electric se poate aplica din exterior cu ajutorul
unui circuit de polarizare ca în fig. 4.5

Fig. 4.5 a Fig. 4.5 b

5
 În fig. 4.5 a sursa de tensiune continuă VCC determină o diferenţă de potenţial între zonele p+
şi n notată VF (forward) iar în fig. 4.5 b sursa de tensiune continuă VCC determină diferenţa de
potenţial notată VR (revearse) între zonele n şi p+ .
Polarizarea directă a joncţiunii va determina micşorarea barierei interne de potenţial;
aceasta va deveni VBF = VB – VF şi purtătorii liberi din cele două zone neutre o vor putea escalada –
un număr de goluri vor tece din zona neutră p+ spre zona neutră n şi-n acelaşi timp electroni din
zona n vor trece în zona neutră p+. Aceste fenomene se numesc de injecţie – purtători liberi dintr-
o zonă în care sunt majoritari trec în zona învecinată unde sunt minoritari. Teoria joncţiunii pn
presupune nivel mic de injecţie – purtătorii liberi sosiţi într-o zonă nu schimbă tipul acesteia.
Notând cu pn(0) concentraţia totală de goluri, în prezenţa fenomenelor de injecţie prin RSS cauzate
de VF, la marginea din dreapta a RSS şi cu np (0) concentraţia totală de electroni la marginea din
stânga se demonstrează [1], pentru joncţiune ideal abruptă şi golire completă a RSS (fizica
joncţiunii), că:

 pn (0) pn (0) − (VB −VF )

 ≅ = e VT
 pp0 NA
 − (VB −VF )
(4.10)
 n p (0) n p (0)
 n ≅ N =e
VT

 n0 D

Ecuaţiile (4.10) evidenţiază că variaţii mici ale tensiunii de polarizare directă, ΔVF , determină
variaţii mari ale concentraţiilor de purtători injectate la marginile RSS (concentraţiile injectate
depind exponenţial de VF ). Concentraţiile de echilibru, cele care existau în zonele neutre înainte de
aplicarea tensiunii directe VF satisfac relaţii similare:

 pn 0 pn 0 −VB

 ≅ = e VT

 pp0 N A
 −VB
(4.11)
 np0 np0
n ≅ N = e
VT

 n0 D

Eliminând potenţialul de barieră VB din regim de echilibru, din (4.10) şi (4.11) rezultă pentru
concentraţiile totale de purtătorii minoritari, la marginile RSS :

 VF

 n
p (0) ≅ p n0 e VT

 VF
(4.12)

n p (0) ≅ n p 0 e
VT

Perturbarea concentraţiilor minoritare la marginile RSS vor determina fenomene de curgere a

purtătorilor liberi. În semiconductori ori de câte ori apare o neuniformitate a sarcinilor electrice
(graficele mărimilor n(x) şi p(x) nu sunt constante) pe o direcţie va apare fenomenul de curgere
prin difuzie care tinde să anuleze neuniformitatea. Concentraţiile totale de purtători minoritari la
marginile RSS vor fi mai mari (faţă de concentraţiile minoritare de la distanţe depărtate de RSS care

6
rămân cele din regim de echilibru) şi purtătorii vor curge prin difuzie spre zonele neutre. Simultan
au loc şi procese de recombinare cu sarcini majoritare care există cu prisosinţă în zonele în care are
loc difuzia. Procesele de difuzie sunt caracterizate de mărimi parametrice numite lungimi de
difuzie, Lg în zona n pentru goluri respectiv Le în zona p+ pentru electroni. Acestea sunt dependente
de posibilităţile de difuzie ale purtătorilor în exces prin zone în care sunt minoritari (mărimile Dg
respectiv De) şi de timpii de viaţă (valori medii) ale purtătorilor în exces (mărimile τg respectiv τe).

 Lg = Dgτ g
 (4.13)
 Le = Deτ e

Fig. 4.6

În fig. 4.6 sunt reprezentate variaţiile concentraţiilor în exces (zonele marcate) injectate de
VF prin RSS. Pierderile de electroni din zona n prin recombinări cu goluri în exces precum şi
pierderile de goluri din zona p+ prin recombinări cu electroni sunt completate în regim staţionar de
sarcini electrice care sosesc de la sursa de alimentare (goluri care vin prin terminalul anod şi zona
neutră din p+ în locul unde există fenomene de recombinare şi electroni care vin prin terminalul
catod şi zona neutră din n în locul unde există fenomene de recombinare). În regim staţionar apare în
acest mod un curent electric total cu două componente, una de goluri având direcţia Oxn din fig. 4.6
şi una de electroni de direcţie opusă, Oxp în fig. 4.6. Este important sa se observe că la curentul total
participă doar concentraţiile marcate (exces) în fig. 4.6, şi anume:

 pn' ( xn ) = pn ( xn ) − pn 0
 ' (4.14)
n p ( x p ) = n p ( x p ) − n p 0

Dependenţa de x (xp în zona p respectiv xn în zona n) a concentraţiilor în exces este, [1]:

7
  VF − xn

 pn ( xn ) = pn 0 (e − 1)e g
' VT L

 VF − xp
(4.15)
 '
n p ( x p ) = n p 0 (e − 1)e
VT Le

Densităţile de curent prin joncţiune, determinate de curgerea prin difuzie a purtătorilor în exces, în
ipoteză că lungimile zonelor neutre sunt mult mai mari decât mărimile Lg , Le , sunt:

 ∂pn' ( xn ) Dg pn0 VFT

V

 J Dp = − qDg =q (e − 1)
 ∂xn x =0 Lg
n
 (4.16)
 J = + qD ∂n p ( x p )
' V
De n p 0 VFT
 Dn = −q (e − 1)
∂x p
e
L
 xp = 0 e

Rezultă curentul total prin joncţiunea de arie Aj , la polarizare directă,

D p Dn  F
V

I (VF ) = Aj ( J Dp − J Dn ) = qAj  g n 0 + e p 0  (e VT − 1)
 Lg Le 
 (4.17).
VF

I (VF ) = I S (e VT
− 1)

Parametrul de fabricaţie IS se poate pune sub o formă în care să intervină dopările din cele
două zone. Rezultă relaţia:

 ni2
 pn 0 ≅ ND

 ni2  1 
n p 0 ≅ Dg 1 De
 ⇒ I S = qAj ni2  +  (4.18),
NA  ND τg NA τe 
  
 Lg = Dgτ g

 Le = Deτ e

care este utilă pentru analiza dependenţei de temperatură a tensiunii pe joncţiune (termenul ni ) la
polarizare directă.
Relaţia (4.17) s-a obţinut fără nici o referire la semnul tensiunii VF. Dacă VF < 0 se obţine
situaţia de polarizare inversă din fig.4.5 b. Pentru −VR = VF < −4VT ≅ −100mV la 250C, polarizarea
inversă determină un curent invers prin joncţiune aproximativ constant I (VF < −100mV) ≅ − I S . La
polarizare inversă grosimea RSS creşte, înălţimea barierei de potenţial devine VBR = VB + VR , (VR cu
sensul din fig. 4.5 b) şi escaladarea RSS de către purtători majoritari este complet oprită. La
marginile RSS există însă şi concentraţii (foarte mici) de purtători minoritari, electroni în zona p+ şi
goluri în zona n. Purtătorii minoritari vor fi absorbiţi în totalitate (saturaţie) de câmpul electric din

8
RSS şi vor fi trecuţi între terminale doar prin mişcare de drift electric. Curentul de drift este foarte
mic pentru că mărimile pn0 şi np0 sunt foarte mici. Să observăm că tensiunea inversă între terminale,
notată VR în fig. 4.5 b, se aplică aproape în totalitate pe RSS, căderile de tensiune determinate de IS
pe zonele neutre fiind practic nule (rezistenţele zonelor neutre sunt mici iar IS este foarte mic).

4.4 Străpungerea joncţiunii. Dioda zenner. Dioda tunel

În regim de polarizare inversă pe RSS a joncţiunii există bariera internă de potenţial crescută
faţă de regimul de echilibru, VBR = VB + VR, şi valoarea extremă a câmpului electric poate atinge
valori foarte mari:
−1 −1
2q (VB + VR )  1 1  2qVR  1 1 
Emax =  +  ≅  +  (4.19).
ε rε o  ND NA  ε rε o  ND N A 

De exemplu, cu dopările folosite ca exemplu, ND = const. = 1015[atomi P/cm3] şi

NA=1018[atomiB/cm3], pentru o tensiune inversă VR = 50V se obţine intensitatea maximă a câmpului
electric din planul joncţiunii, (observând că N D << N A ),

2qVR
Emax ≅ N D ≅ 1.245*105 [V/cm] (4.20)
ε rε o

Intensităţi mari ale câmpului electric în RSS determină viteze medii de drift mari ale
purtătorilor liberi, obţinute între două ciocniri succesive cu atomii de siliciu din RSS, şi implicit
energii cinetice mari înaintea ciocnirilor.

vn,med ( x ) = µ n E ( x)
 (4.21)
v p ,med ( x) = µ p E ( x)

Atunci când intensitatea câmpului electric ajunge la valoarea 2*105 V/cm energia cinetică a
unui electron este suficientă pentru ionizarea unui atom de siliciu şi se declanşează fenomenul de
multiplicare prin avalanşă a purtătorilor liberi în RSS iar curentul invers prin joncţiune creşte
nelimitat dacă nu există în serie cu joncţiunea un rezistor de limitare. Tensiunea VR la care începe
fenomenul se numeşte tensiune de străpungere prin avalanşă. Fenomenul de străpungere este
distructiv în diodele obişnuite deoarece curentul invers nu este preluat uniform de toată aria
joncţiunii. Diodele realizate prin tehnologii mai speciale, diode zenner, asigură uniformitatea
curentului invers şi funcţionează în regim de străpungere corect numai dacă nu se depăşeşte puterea
totală disipată. Dopările mai puternice a celor două zone ale joncţiunii vor conduce la intensităţi
maxime ale câmpului electric crescute, relaţia (4.19). Când se depăşeşte valoarea 5*105 V/cm
câmpul electric este atât de intens în planul joncţiunii încât este capabil să ionizeze atomii de siliciu
prin tunelare (electronii atomilor de siliciu sunt „smulşi” de câmp). Cu dopări obişnuite,
fenomenele de străpungere prin avalanşă şi tunelare pot exista simultan (situaţie întâlnită la diode
zenner cu VZ între 3V şi 10 V. Tensiunea de străpungere prin avalanşă creşte la creşterea
temperaturii din cauză că electronii liberi sunt mai greu dirijaţi de câmp în timp ce tensiunea de
străpungere prin tunelare scade la creşterea temperaturii pentru că va creşte probabilitatea de

9
ionizarea atomilor de siliciu. La diodele zenner cu VZ = 6,2 V cele două tendinţe se compensează şi
se obţine o variaţie foarte slabă a tensiunii VZ cu temperatura.
Dioda tunel conţine o joncţiune p+ n+ cu dopări foarte puternice. De exemplu dacă
ND=1018[atomi/cm3], şi NA=1020[atomi/cm3], se obţine potenţialul de barieră în regim de echilibru
(la 250C), VB ≈ 1 V (relaţia (4.5) şi intensitatea maximă a câmpului electric pentru polarizare nulă,
/Emax/=5,66*105 V/cm , relaţia (4.19) cu VR=0. Acest exemplu justifică existenţa străpungerii prin
tunelare chiar la polarizare inversă nulă. Pentru oprirea tunelării joncţiunea trebuie polarizată direct
cu o tensiune directă ce se poate determina (se micşorează tensiunea de barieră) după care la
creşterea în continuare a tensiunii directe joncţiunea are comportare obişnuită (curentul prin
joncţiune va fi de tip difuzie de purtători minoritari în exces prin zonele neutre ale joncţiunii).
În fig. 4.7 sunt reprezentate caracteristicile statice tipice şi simbolurile utilizate pentru o
diodă uzuală, pentru o diodă zenner şi pentru o diodă tunel. De remarcat că dioda tunel are o
porţiune cu rezistenţă dinamică negativă.

Fig. 4.7

4.5 Capacităţi asociate joncţiunii pn.

Capacitatea de barieră CJb este determinată de sarcina fixă (ioni) din RSS. Orice
acumulare de sarcină electrică determinată de o diferenţă de potenţial electric determină o capacitate
electrică.
În fig. 4.8 este reprezentată sarcina electrică din RSS, obţinută din densitatea volumetrică de
sarcină ρ(x) , fig. 4.4, înmulţită cu volumele celor două zone cu ioni ale RSS.

Fig. 4.8

10
 Pentru tensiune inversă VR aplicată între zonele neutre ale joncţiunii sarcina electrică Q are
expresia:
N N
Q = Aj 2ε r ε o q (VR + VB ) A D (4.23),
NA + ND

din care rezultă pentru capacitatea de barieră a joncţiunii:

dQ ε rε o q NAND
CJ b = − = Aj (4.24).
dVR 2(VR + VB ) N A + N D

Notând cu Cj0 capacitatea joncţiunii din regim de echilibru (VR = 0) se poate scrie (4.23) şi
sub forma:

CJ 0
CJ b = (4.25).
V
1+ R
VB

Ultima relaţie indică posibilitatea utilizării joncţiunii, polarizate invers, ca şi condensator a

cărui capacitate este controlată de tensiune, dioda varicap. Expresia (4.25) s-a obţinut pentru o
joncţiune abruptă ideală (gradientul concentraţiei nete de impurităţi, în planul joncţiunii, are
modulul infinit, fig. 4.2). O diodă varicap practică este realizată cu joncţiune liniar gradată
(gradientul concentraţiei nete este constant finit şi controlat) pentru care se demonstrează că are:

C J 0 var
C J b var = 4.26),
VR
3 1+
VB
de unde se observă o plajă mai mare de modificare a capacităţii (la aceeaşi variaţie a tensiunii VR )
faţă de situaţia în care joncţiunea ar fi fost ideal abruptă.
Capacitatea de difuzie CJd este o mărime ce caracterizează funcţionarea joncţiunii în
regim de polarizare directă (există difuzie de purtători la marginile RSS). Acumularea de sarcini
electrice în exces, în zonele neutre la marginile RSS- fig. 4.6 zonele marcate, determină efect de
capacitate. Utilizând relaţia (4.15) se poate demonstra că expresia acestei capacităţi (pentru
polarizări normale directe care permit neglijarea termenului -1 din ecuaţia curentului prin joncţiune),
este:

V
q2 F

CJ d = Aj ( Lg pn 0 + Le n p 0 )e VT (4.27)
2kT

care justifică proporţionalitatea capacităţii de difuzie cu mărimea curentului direct prin joncţiune
(din compararea relaţiile (4.17), (4.27)).

11
 Capacităţile joncţiunii au valori mici şi nu intervin în regimul de semnal la frecvenţe joase.
În domeniul frecvenţelor înalte acestea nu pot fi neglijate şi vor completa modelele de semnal deja
prezentate în paragrafele anterioare.

4.6 Fenomene de ordinul doi în TB

4.6.1 Efectul Early. Tensiunea Early

Efectul Early îl întâlnim la un TB funcţionând in RAN, conexiunea emitor comun;
joncţiunea emitoare este direct polarizată iar joncţiunea colectoare este invers polarizată, fig. 4.9. Cu
TB într-un punct static de funcţionare mărimile electrice totale sunt cele de PSF, vBE = VBE, vCE =
VCE, iB = IB, iE = IE, iC = IC.

Fig. 4.9

În fig.4.9 sunt reprezentate fluxurile de purtători liberi care intervin în ecuaţiile curenţilor
prin tranzistor. Din fluxul total de electroni injectat prin terminalul emitor (determină curentul iE ) o
parte foarte mică este pierdută pentru recombinări cu golurile injectate din bază prin joncţiunea
emitoare direct polarizată şi care determină curentul IES . Injecţia bază emitor este foarte slabă
(comparativ cu injecţia de electroni din emitor în bază) pentru că joncţiunea este puternic asimetrică
şi baza este slab dopată cu atomi acceptori. Fluxul de electroni injectat prin RSSE determină
concentraţia minoritară în exces nb' (0) care respectă relaţia (4.15) cu VF = vBE , x p = 0 . Dacă
lungimea Le , de difuzie a electronilor în exces în bază de tip p, satisface Le >> Wb atunci curba
concentraţiei injectate în baza neutră este aproximativ o dreaptă între cele două regiuni de sarcină
spaţială, pe toată grosimea Wb a bazei neutre. În baza neutră o parte din electronii injectaţi şi care
curg prin difuzie pe distanţa Wb se recombină cu goluri majoritare în bază de tip p şi determină
componenta principală a curentului de bază (curent de goluri care sosesc prin terminalul bază pentru
recombinări). În fig. 4.10 este reprezentată variaţia concentraţiei minoritare în exces pe direcţia Ox

12
în baza neutră. Curentul de total sosit prin terminalul baza este menţinut constant, iB = I B = const. şi
va determină aceeaşi valoare nb' (0) , iar polarizarea inversă a joncţiunii colectoare se poate modifica
din sursa de tensiune continuă notată vCE . Se pot fixa de exemplu două valori ale tensiunii iverse pe
joncţiunea colectoare, vBC1 > vBC 2 determinată de vCE1 > vCE 2 .

Fig. 4.10

Creşterea tensiunii inverse determină mărirea grosimii WRSSC, aceasta extinzându-se atât
în zoana p a bazei cât şi în zona n a colectorului şi se obţine scăderea grosimii neutre a bazei. Se
obţine în acest mod o pantă mai mare a concentraţiei în exces din bază şi întrucât curentul de
colector (curent de difuzie a electronilor în exces prin baza neutră) este proporţional cu modulul
pantei concentraţiei minoritare (rel. (4.16)) va rezulta creşterea curentului de colector la creşterea
tensiunii colector - emitor deşi curentul de bază este menţinut constant. Aceste fenomene descriu
efectul Early.
În figura 4.11 este reprezentată situaţia caracteristicilor statice de ieşire conexiunea emitor
comun pentru o valoare I B = const. În prezenţa fenomenului Early curentul de colector creşte liniar
la creşterea tensiunii vCE .

Fig. 4.11

Se demonstrează că familiile de caracteristici de ieşire în conexiunea emitor comun,

iC = iC (vCE ) I =const. , se intersectează la valoarea vCE = −VA (fig4.12). Tensiunea VA se numeşte
B

tensiune Early şi are valoarea între 50V şi 100V la tranzistoarele bipolare planare cu siliciu.

13
 Fig. 4.12
Ecuaţia curentului de colector luând în consideraţie şi efectul Early devine:
 v 
vBE

iC = I CS (e VT − 1)  1 + CE  (4.28)
 VA 

4.6.2 Aglomerarea curentului de emitor

Indiferent că un TB planar rezultă în urma a două difuzii (TB discret) sau trei difuzii (TB
integrat), între conexiunea metal semiconductor a bazei şi zona activă a TB (sub difuzia de emitor
puternic dopată) curentul de bază circulă printr-o zonă neutră, din zona p a bazei, a cărei rezistenţă
ohmică nu poate fi neglijată în cazul funcţionării TB la frecvenţe mari sau la curenţi de colector
mari.

Fig. 4.13

În fig.413 sunt prezentate structurile TB npn din cazurile discret şi integrat; în ambele curentul
de bază curge longitudinal (paralel cu suprafaţa cipului) spre zona din bază unde este efect de

14
tranzistor. În TB discret dublu difuzat curentul de colector este perpendicular pe suprafaţa cipului în
timp ce în cazul TB integrat, din cauza necesităţii scoaterii terminalului colector la suprafaţa cipului,
curentul de colector circulă, prin stratul n++ îngropat spre terminalul colector, paralel cu suprafaţa
cipului. Stratul îngropat are rolul de a micşora rezistenţa serie a colectorului şi implementarea
acestuia necesită o difuzie suplimentară (TB triplu difuzat). Stratul de tip n epitaxial este un strat cu
structura monocristalină a substratatului de tip p crescut prin procedeul tehnologic denumit
epitaxie. Acesta are dopare (uniformă) şi grosime controlate şi prin străpungerea cu o difuzie p de
izolare se asigură izolarea componentelor circuitului integrat (componentele circuitului se
conectează pe deasupra cipului utilizând mai multe nivele de metalizare separate între ele prin
straturi de oxid).
Privit de deasupra cipului, difuzia emitorului se realizează în difuzia bazei motiv pentru care
se obţine aria de difuzie a emitorului inclusă în aria de difuzie a bazei – terminalele notate B în
fig.4.13 sunt de fapt aceeaşi metalizare.
Un detaliu din zona de curbură a difuziei n++ de emitor este reprezentat în fig. 4.14.

Fig. 4.14.
Din cauza dopării puternice a emitorului se poate aproxima că toate punctele din difuzia de
emitor sunt la acelaşi potenţial chiar la curenţi de emitor mari. Baza fiind mult mai slab dopată faţă
de emitor va determina diferenţele de potenţial vBE1, vBE2 diferite şi inegalitatea vBE1 > vBE 2 este cu
atât mai pronunţată cu cât curentul de emitor este mai mare ( necesită curent de bază mai mare).
Fenomenele de injecţie de purtători în exces prin joncţiunea emitoare polarizată direct vor fi mai
puternice prin locurile unde vBE este mai mare deci liniile curentului de emitor vor fi mai dese în
zona de curbură faţă de zona in care planul joncţiunii este paralel cu suprafaţa cipului. Rezultă astfel
o creştere a densităţii de curent prin zonele de curbură, faţă de centru zona centrală, cu atât mai
evidentă cu cât curentul de colector (emitor) este mai mare. Acest fenomen se numeşte de
aglomerare a curentului de emitor.
Fenomenul descris mai sus determină scăderea factorului de amplificare β la curenţi de
colector mari. În zonele de curbură ale joncţiunii emitoare grosimea neutră a bazei este mai mare şi
gradientul purtătorilor în exces, dnb' ( x) / dx va fi mai mic (în baza neutră mai groasă vor fi mai multe
recombinări). De asemenea, rezistenţa extrinsecă a bazei, va influenţa negativ şi frecvenţa maximă
de funcţionare în regim de semnal; capacitatea de difuzie a joncţiunii emitoare se încarcă prin baza
neutră din zona curbată.
Reducerea influenţei fenomenului de aglomerare a curentului de emitor cere asigurarea de
către procesul de fabricaţie a unei valori mici pentru rezistenţă ohmică între baza internă şi cea
externă. Pe de altă parte orice TB trebuie să asigure un curent maxim, precizat, de colector (de

15
emitor) deci trebuie să aibă o arie precizată pentru joncţiunea emitoare. Concluzia este că un TB
performant trebuie să aibă raportul arie/perimetru pentru joncţiunea emitoare cât mai mare.

Fig. 4.15.

Principiul de implementare a unui TB npn de acest tip este reprezentat în fig. 4.15 unde sunt
reprezentate (vedere de deasupra) numai difuzia bazei., difuzia emitorului şi metalizările bazei şi
emitorului (metalizările au structură pieptene sau interdigitală).

4.7 Modele de semnal mic pentru TB în RAN

Pentru analiza aproximativă şi proiectarea rapidă a circuitelor electronice cu tranzistoare

bipolare sunt utile modele liniare pentru tranzistorul bipolar S-a arătat că orice diodă, polarizată
direct într-un punct static de funcţionare, poate fi înlocuită, pentru regimul variabil de semnal mic în
jurul punctului static, cu un rezistor liniar având rezistenţa rd = VT/ID , în care ID este curentul
continuu prin diodă. Folosind procedee similare se poate determina un circuit echivalent liniar, de
semnal mic, şi pentru tranzistorul bipolar.

Fig. 4.16.

16
 Dacă TB din fig.4.16 este într-un PSF din RAN şi funcţionează în regim de semnal, cu
referinţele mărimilor electrice fin figură se poate scrie direct curentul total al joncţiunii emitoare şi
pe baza definiţiilor coeficienţilor de amplificare se pot scrie şi expresiile curenţilor de bază şi de
colector.

 vVBE 
iE = I ES  e T − 1 , iC = α iE , iB = iC / β = (1 − α ) iE , (4.29)
 
 

Curentul total de bază se mai poate scrie sub forma:

 vVBE 
iB = (1 − α ) I ES  e T − 1 (4.30).
 
 

Relaţia de mai sus poate fi scrisă pentru regimul de curent continuu şi se obţine, între valorile
de PSF:

 VVBE 
I B = (1 − α ) I ES  e T − 1 (4.31).
 
 
În regim de semnal componentele totale din circuitul bază – emitor vor fi:

  VBE +Vvbe (t )  VBE + vbe ( t )

iB = I B + ib (t ) = 1 − α ) I ES  e T
− 1 ≅ 1 − α ) I ES e VT
   (4.32).
 

vBE = VBE + vbe (t )

Pentru VBE ≅ 0.5 − 0.7V şi variaţii ale tensiunii de semnal mici în jurul punctului static valoarea
-1 se poate neglija faţă de valoarea numerică a exponenţialei.
Regimul de semnal mic este acela în care este acceptabilă aproximarea:

vbe ( t )
vbe ( t ) vbe ( t )
<< 1 ⇔ e VT
≅ 1+ (4.33);
VT VT

amplitudinile semnalului de tensiune sunt mici faţă de tensiunea termică , 25mV la 250C. Practic se
poate accepta că TB funcţionează în regim de semnal mic dacă vbe (t ) ≤ 10mV . În regim de semnal
mic, folosind relaţiile (4.31) şi (4.32) se separă mărimile de semnal de cele din curent continuu şi va
rezulta:

I 
ib (t ) ≅  B v be (t ) ⇔ v be (t ) = rbe ib (t ) (4.33),
 VT 

17
din care se vede că pentru mărimile electrice de semnal între bază şi emitor există un rezistor
aproximativ liniar cu rezistenţa dependentă de curentul continuu de polarizare în bază şi de
temperatură.

 VT
rπ rbe = I ,
 B
 (4.34).
 I = I C ⇒ r = β VT
π
 B β IC

Ultima relaţie justifică, pentru regim de semnal mic, circuitul echivalent din fig. 4.17.

Fig. 4.17.

Circuitul echivalent din fig. 4.17 a rezultat prin luarea în consideraţie numai a fenomenelor din
baza activă (zona din difuzia bazei situată sub difuzia emitorului). Dacă avem în vedere şi
fenomenele expuse în paragrafele anterioare, un circuit echivalent mai apropiat de realitate este cel
din fig. 4.18 unde se pune în evidenţă şi rezistenţa extrinsecă a bazei ce nu poate fi neglijată la
frecvenţe mari.

Fig. 4.18

Neluând în considerare efectele de ordin II în tranzistor, întrucât cu componente totale se poate

scrie iC = I C + iC (t ) , iC ( t ) = β iB ( t ) şi i B = I B + ib (t ) se obţine, pentru curentul de semnal din
colector , ic ( t ) = β ib ( t ) . Rezultă astfel, că, în regim de semnal mic, circuitul echivalent din fig.4.18
trebuie completat cu un generator de curent de semnal comandat de curentul de semnal din bază ca
în fig. 4.19.

18
 Fig. 4.19

Circuitul echivalent liniar (sau modelul de semnal mic) al TB se poate simplifica la doar doi
parametri, β dată de catalog şi rπ care poate fi determinat numeric la o temperatură a cipului
cunoscută şi cu valorile de curent continuu din PSF determinate din analiza de curent continuu.
Rezistenţa extrinsecă a bazei, rx , are valoare mică, depinde de foarte mulţi factori ai procesului de
fabricaţie şi de PSF. O valoare acoperitoare (dezavantajoasă) este rx ≈ 0.1 rπ şi în multe situaţii se
poate neglija.
În tot domeniul de frecvenţă depărtat de frecvenţa maximă până la care poate funcţiona un
tranzistor bipolar, cel mai simplu model de semnal mic este unul din cele două modele identice
reprezentate în fig.4.20, cu rx ≈ 0.

Fig.4.20.

Se impune observaţia că modelele de semnal mic reprezentate mai sus sunt valabile pentru
ambele tipuri de tranzistoare bipolare, npn şi pnp (modelele neliniare, de semnal mare, sunt însă
diferite).
Faptul că o tensiune de semnal mic aplicată între terminalele bază – emitor (terminale de intrare)
determină un curent comandat între terminalele colector – emitor sugerează introducerea unui
parametru care să ne arate cantitativ transferul intrare – ieşire al unui TB. Se defineşte
transconductanţa de semnal mic a unui TB ( şi se notează cu gm) prin:

 ic
 g m
 vbe
 (4.35).
 g = I C = 40 I  mA  cu I în mA
C 
 m VT  V 
C

Expresia de calcul pentru transconductanţă se obţine utilizând definiţia şi relaţiile (4.33), (4.34), cu
VT = 25mV.
Utilizând rezultatele analizei de curent continuu (curentul de colector din PSF în RAN) şi
datele de catalog ( factorul de amplificare β ) se determină valorile parametrilor de semnal mic în

19
ordinea : gm cu relaţia (4.35), rπ = β / gm. Tranzistorul se înlocuieşte (pentru cea mai aproximativă
analiză), în regim de semnal mic, cu unul din circuitele (modelele) echivalente reprezentate în fig.
4.21 (cele mai simple), tensiunea de semnal, v, fiind imprimată la intrare de circuitul în care se
găseşte tranzistorul.

Fig.4.21

Atunci când circuitul în care se găseşte tranzistorul trebuie să funcţioneze şi la frecvenţe înalte,
domeniu care conţine frecvenţa maximă la care poate funcţiona TB, este necesară utilizarea
modelului din fig. 4.22.

Fig.4.22

Efectul Early este prezent la toate tranzistoarele bipolare funcţionând în RAN; mai slab sau
mai puternic în funcţie de valoarea parametrului caracteristic VA. Înclinarea caracteristicilor statice
de ieşire din cauza acestui efect înseamnă de fapt o rezistenţă dinamică între terminalele colector –
emitor. Expresia acesteia se obţine din relaţia (4.28) prin derivare în POSF din RAN. Se obţine:

∂vCE VA
rce = (4.36).
∂iC PSF
IC PSF

Dacă TB funcţionează la curenţi mari de colector în PSF, influenţa rezistenţei rce asupra
regimului de semnal mic nu poate fi neglijată. Rezultă necesitate completării modelelor anterioare
cu rezistenţa rce (de exemplu fig. 4.22 completată devine fig.4.23).

Fig.4.23
Modelele care conţin şi capacităţi ale TB se mai numesc de tip π hibrid.

20