Conductibilitate, cond.

termic

1.

O prob metalic cu permeabilitatea magnetic relativ =1 este plasat n cmp electric i magnetic. Electronii de conducie pot fi tratai ca un gaz de electroni liberi de densitate n i avnd timpul mediu ntre dou cicniri succesive. Obinei soluia ecuaiei de micare pentru electronii din acest metal.

Soluie: r r Fora F care se exercit asupra unui electron aflat n cmpul electric E i cmpul r magnetic de inducie B este r r r r F = e E + v B Pe de alt parte, ecuaia de micare a unui electron de mas m, cu timpul mediu ntre dou ciocniri succesive (timp de mprtiere) este: r d 1 r F = m + v dt Rezult c r r r d 1 r m + v = e E + v B dt Alegnd cmpurile: r r E Ex ,E y ,Ez ; B(0,0, B ) r viteza unui electron va avea componentele v v x , v y , v z i, pe componente, ecuaia de micare

devine:

r dv = 0 i cele trei ecuaii devin n regim staionat, dt m v x = e E x + Bv y

d 1 m + v x = e E x + Bv y dt d 1 m + v y = e E y Bv x dt d 1 m + v z = eE z dt

)
)

Notnd cu

v y = e E y Bv x m

v z = eE z

eB m pulsaia de rezonan ciclotron, soluiile celor trei ecuaii de micare n regim staionar (pe componente) sunt:

C =

vx =

e E x C v y m e v y = E y + C v x m e v z = Ez m

2. Proba metalic din problema precedent se afl doar n cmpul electric al unei unde r r electromagnetice E = E0 e it , unde este pulsaia de oscilaie a cmpului electric. Pornind de la ecuaia de micare a unui electron de mas m, obinei expresia conductivitii complexe: 1 i ( ) = (0 ) 1 ( )2 Obinei expresia indicelui de refracie i analizai l pe diferite domenii de frecven.

Soluie: r r Considernd c un electron de conducie de vitez v aflat n cmpul electric E este r mr supus i unei fore de frnare F fr . = v care se manifest prin procesele de mprtiere, fiind

timpul de mprtiere, presupunnd ca unda electromagneticse propag dup direcia (Ox), r E (E ,0,0) , ecuaia de micare a unui electron de conducie este:
m d 2r dt
2

= eE

m dr dt

Soluiile vor fi cutate de forma

r = r0 e it

astfel c:
dr d 2r it = ir0 e ; = 2 r0 e it 2 dt dt i, prin nlocuire, se obine soluia ecuaiei de micare: e E r (t ) = m 2 i

Densitatea de curent va fi, atunci,

j = ne dr dt

unde: n este densitatea electronilor de conducie i dr e i e 1 v= = = i dt m m 1 + i (i )2

nlocuind, expresia densitii de curent devine ne 2 1 i 1 ne 2 E= E j= m 1 + ( )2 m 1 + i

Dac legea Ohm este valabil

j = E

expresia conductivitii complexe este: ~ ( ) = (0) 1 i 1 + ( )2

ne 2 este conductivitatea static. m Stiind c ntr-un mediu disipativ, 0 , vectorul de und este complex ~ k 2 = 2 i i, ntr-un metal ntr-un domeniu larg de frecvene 0 , 0 , expresia vectorului de und devine: ~ 2 ~ ~ k 2 = 2 0 0 1 = 1 ~ c 2 0 ~ 2 0 n = 1 2 0 ~ ~2 k2 =n c2 innd cont de expresia conductivitii complexe obinut mai sus, rezult:

unde (0 ) =

2 ~ 2 = 1 i ne 1 i n m 0 1 + ( )2

ne 2 pulsaia proprie a electronilor n plasm, separnd partea reali cea m 0 imaginar, expresia indicelui de refracie complex devine:

Notnd 2 p =

p ~ 2 = 1 p ~ 2 = 1 i p 1 i n i n 1 + ( )2 1 + 2 2 1 + 2 2

2 2

Cazuri particulare: a. << 1 (infrarou ndeprtat) ~2 1 i n

2 p

2 p

2 p

2 ~ = n p (1 i )

unda este atenuat n metal prin efect pelicular.

b. >> 1
~ 2 1 p n
2 2

2 2
1

= 1

2 p 2

b1. < p = 1016 s 1 (infrarou sau vizibil)

2 2 p ~ 1 pur imaginar n =i 2 unda este complet reflectat b2. > p (ultraviolet, raze X)
3

real

metalul este complet transparent.

3. Presupunnd c relaia de dispersie pentru un electron din banda de conducie (BC) este de forma

E = ak 2 + const . aflai valoarea constantei a, dac pentru un cmp magnetic B = 0 ,1 W m2 pulsaia de rezonan

ciclotron este C = 1,8 1011 s 1 . Presupunnd c semiconductorul este dopat cu impuriti pentavalente, estimai concentraia donorilor, dac coeficientul Hall la temperatura camerei este R H = 6 ,25 10 6 Soluie: Frecvena ciclotron a unui electron aflat n cmp magnetic este eB C = m* unde m* este masa efectiv a electronilor din BC. Pe de alt parte, masa masa efectiv a unui electron este definit ca 2E m* = h 2 k 2 i, pentru relaia de dispersie dat este
h2 m* = 2a
m3 . C

Rezult c valoarea constantei a este a=

h 2 C 2eB

2 1,6 10 19 0 ,1 Pentru un semiconductor de tip , n>>p i constanta Hall este 1 RH ne unde n este concentraia electronilor de conducie. La temperatura camerei toi donorii sunt ionizai, astfel nct concentraia donorilor este egal cu concentraia electronilor de conducie: 1 1 ND n = ND = m 3 = 10 24 m 3 6 19 RH e 6,25 10 1,6 10

2 ( 1,05 10 34 ) 1,8 1011 a= Jm 2 = 6 ,2 10 38 Jm 2

4. Presupunnd c relaia de dispersie pentru un electron din banda de conducie (BC) este de forma

E = ak 2 + const .

aflai valoarea constantei a, dac pentru un cmp magnetic B = 0 ,1

W m2

frecvena

unghiular de rezonana ciclotron este C = 1,8 1011 s 1 . Presupunnd c semiconductorul este dopat cu impuriti pentavalente, estimai concentraia donorilor, dac coeficientul Hall la temperatura camerei este
R H = 6 ,25 10 6 m3 . C

Soluie: Frecvena ciclotron a unui electron aflat n cmp magnetic este eB C = m* unde m* este masa efectiv a electronilor din BC. Pe de alt parte, masa masa efectiv a unui electron este definit ca 2E m* = h 2 k 2 i, pentru relaia de dispersie dat este
h2 m* = 2a

Rezult c valoarea constantei a este

a=
h 2 C 2eB

2 1,6 10 19 0 ,1 Pentru un semiconductor de tip , n>>p i constanta Hall este 1 RH ne unde n este concentraia electronilor de conducie. La temperatura camerei toi donorii sunt ionizai, astfel nct concentraia donorilor este egal cu concentraia electronilor de conducie: 1 1 ND n = ND = m 3 = 10 24 m 3 6 19 RH e 6,25 10 1,6 10

2 ( 1,05 10 34 ) 1,8 1011 a= Jm 2 = 6 ,2 10 38 Jm 2

5. Curba de mai jos prezint variaia cu temperatura a rezistivitii electrice a unui solid. Estimai drumul liber mediu la T=0K i T=300K i apreciai dac acest solid este un metal.

(106cm)

125 100 75 50 25

T(K) 100 200 300

Soluie: Din relaia de definiie a conductivitii

ne 2 = = m rezult pentru timpul mediu dintre dou ciocniri succesive: m = ne 2 1 unde: N este concentraia electronilor, o valoare tipic pentru metale fiind n = 10 23 cm 3 m = 9 ,1 10 31 kg masa unui electron Drumul liber mediu va fi l = v F unde vF reprezint viteza electronilor la suprafaa Fermi i, pentru concentraia dat, vF=108cm/s. Din figura de mai sus, la temperatura T=0K rezistivitatea este = 25 10 6 cm , astfel nct timpul mediu dintre dou ciocniri succesive este:

=
i drumul liber mediu

10 29 m 3 1,6 10 19 C 25 10 8 m

9,1 10 31 kg

= 1,5 10 15 s

l = 10 8 La temperatura T=300K ciocniri succesive va fi:

cm 1,5 10 15 s = 1,5 10 7 cm s timpul mediu dintre dou

rezistivitatea este = 120 10 6 cm ,

9 ,1 10 31 kg

10 29 m 3 1,6 10 19 C 120 10 8 m

= 3 10 16 s

i drumul liber mediu cm 3 10 15 s = 3 10 8 cm = 3 s La temperatura camerei, drumul liber mediu pentru un metal pur este l 300 400 . Acest material avnd drumul liber mediu mult mai mic, nu este un metal pur, este puternic impurificat, ceea ce face ca timpul mediu ntre dou ciocniri succesive s scad datorit ciocnirilor cu impuritile i astfel, drumul liber mediu s scad. l = 108
6. Sa se determine drumul liber mediu al fononilor n germaniu la temperatura T = 30 K stiind ca

temperatura Debye este = 360 K, conductivitatea termica a retelei = 14,55 103Wm 2 / kgK masa molara MGe = 72,6 kg/kmol, densitatea Ge = 5500 kg/m3 si viteza n Ge, v = 4500 m/s. Se considera ca toata caldura este transportata numai de fononi. 1 Solutie: Conductivitatea termica a retelei este data de relatia: = cl 3 Unde: -capacitatea calorica este (la temperaturi mici, T<<)

12 4 R T R c= = 234 5 M M

-v este viteza sunetului (pentru fononi acustici) iar - l - drumul liber mediu al fononilor. Din cele doua relatii rezulta 3 1 c

l=

l = 1.14 1010 m
7. Sa se deduca, pentru un semiconductor intrinsec relatia n.p, unde n si p sunt concentratiile de

electroni din banda de conductie, respectiv de goluri din banda de valenta.

Solutie

Calculam numarul electronilor excitati spre banda de conductie la temperatura T. La temperaturi care prezinta interesputem presupune pentru banda de conductie ca >> k BT , atunci functia de distributie Fermi Dirac se reduce la:

f e k BT
Aceasta este probabilitatea ca o stare de electron sa fie ocupata. Energia unui electron n B.C. este: n = E g +

h 2k 2 2mn Numarul de electroni pe unitatea de volum, cu energia cuprinsa intre si +d este:

1 2me ( Eg )1 / 2 d 2 2 2 h Concentratia de electroni din banda de conductie va fi:

e ( )d =
0

3/ 2

m k T n = ( ) f e ( )d = 2 e B2 2h Eg

3/ 2

Eg

k BT

Functia de distributie pentru goluri este legata de functia de distributie a electronilor:

f g ( ) = 1 f e ( ) =

e k BT

1 + e k BT Punem conditia >> k BT . Densitatea de stari va fi: 1 2me ( )1 / 2 d g ( )d = 2 2 2 h Concentratia de goluri din banda de valenta va fi: 3 / 2 0 mg k BT k BT p = g ( ) f g ( )d = 2 2h 2 e Rezulta relatia de echilibru.
k T n p = 4 B 2 2h
3/ 2
3/ 2

(m m )
e g

Eg

3/ 2

e kBT

8. Intr-un semiconductor impurificat cu atomi donori n concentratie Nd = 51020 m-3, concentratia

purtatorilor intrinseci este ni = 41019 m-3. Sa se calculeze concentratiile purtatorilor de sarcina electrica liberi n semiconductor la temperatura mediului ambiant.

Solutie
Din conditia de neutralitate a semiconductorului impurificat atat cu atomi donori cat si cu atomi acceptori, rezulta:

n = p + Nd Na
Din legea actiunii maselor rezulta:

ni2 = n p = n(n N d + N a ) = p( p + N d N a )
Concentratia electronilor N Na 1 (N d N a )2 + 4ni2 n= d + 2 2 Concentratia de goluri: N Na 1 (N d N a )2 + 4ni2 p = d + 2 2 Daca semiconductorul este impurificat numai cu atomi donori, atunci: 2 2ni Nd 1 Nd 2 2 = 3,18 1018 m 3 (N d ) + 4ni = p = + 1+ 1 N 2 2 2 d 8

n = N d + p = 5 1020 m 3
9. Densitatea de curent ntr-un conductor de Al este j = 1 A/mm2. Sa se calculeze viteza de drift a

electronilor de conductie, cunoscnd ca acestia au concentratia egala cu cea a atomilor de Al n retea. Se dau: masa molara MAl = 26,98 kg/kmol, densitatea l = 2,7103 kg/m3, sarcina electrica elementara

e = 1,6 1019 C si numarul lui Avogadro N A = 6,022 1023 mol 1 . Solutie

Densitatea de curent:

j = env
Concentratia de purtatori:

N A M Rezulta viteza de drift: jM Al = = 1,04 104 m / s e Al N A n=

10. La capetele unui fir de Cu, cu lungimea de l = 1m , se aplica o tensiune U = 10 mV.

Cunoscnd concentratia electronilor liberi, n = 8,43 1028 m 3 , rezistivitatea Cu = 1,55 108 m si sarcina electrica a electronului, e = 1,6 1019 C , sa se calculeze: a) mobilitatea electronilor de conductie n Cu b) timpul n care un electron strabate lungimea conductorului

Solutie
a) conductivitatea

= en
rezulta mobilitatea electronilor: 1 = = 4,78 103 m 2 / Vs ne ne

b) viteza de drift este:

= E =

U l

timpul in care electronul strabate lungimea conductorului:

t=
l nel 2 = = 2,09 104 s U

11. Rezistenta R, a unui semiconductor intrinsec este de 2000 la temperatura de 300K si de

78 la 400K. Sa se determine largimea benzii interzise a semiconductorului Solutie:

Eg

R = const e

k BT

ln R = const +

Eg 1 kB T

ln R1 = const +
ln

Eg 1 E 1 ; ln R2 = const + g k B T2 k B T1

R1 Eg 1 1 = R2 k B T1 T2

Eg = 0,67 eV.
12. O proba de Si, cu lungimea l = 5mm si sectiunea S = 2 mm2, impurificata cu atomi acceptori

se afla la o temperatura la care toti acceptorii sunt ionizati. Stiind ca la N 0 = 7 107 atomi de Si revine un atom acceptor si cunoscnd mobilitatile electronilor si golurilor, n = 0,13 m2/V.s si p = 0,05 m2/V.s precum si concentratia intrinseca, ni = 2,5.1016 m-3, sa se calculeze: a) conductivitatea pentru goluri, respectiv pentru electroni; b) rezistenta electrica a probei Se dau: masa molara, MSi = 28,086 kg/kmol , densitatea Si = 2420 kg/m3, sarcina electrica elementara

e = 1,6 1019 C si numarul lui Avogadro N A = 6,022 1023 mol 1 .

Solutie: concentratia atomilor de Si este

N Si =

N A M

concentratia acceptorilor este: N N A N a = Si = = 7,41 1020 m 3 N 0 MN 0 Daca N a >> ni , p N a N A p = ep p eN a p = e p = 5,93 1m 1 MN 0

np = ni2
ni2 ni2 n= p Na

10

n2 n = en n e i n = 1,75 108 1m 1 Na

b) Rezistenta: n << p

R=

1 1 l l l = = 422 S n + p s p S
13. O sonda Hall, de forma cubica cu latura de 2 mm, masoara cmpuri magnetice cu valori

minime de 10-3 T. Tensiunea Hall la aceasta valoare a cmpului trebuie sa fie de minim 1 mV. La capetele placutei se aplica o tensiune U = 10 V. Stiind ca mobilitatea purtatorilor este de 0,5 m2/V.s, sa se calculeze concentratia acestora.

Solutie: U H = aEH = a j = E = UH = n= U a j B ne

U B ne

U B UH e

n = 3,1 1019
14. O placuta cu grosimea h = 10 mm si lungimea l = 50 mm, confectionata dintr-un

semiconductor extrinsec de tip p este plasata ntr-un cmp magnetic uniform perpendicular, de inductie B = 0,5 T. La capetele placutei se aplica o tensiune U = 10 V. Tensiunea Hall masurata este UH = 50 mV. Rezistivitatea materialului fiind = 2,5 .m, sa se calculeze concentratia. Solutie:

U H = hEH = h j = E =
1U l

j B pe

U H = hEH = p= U h B U H l e

h U B l pe

11

p = 5 1019

12