2.

JONCIUNEA pn
2.1. Introducere
Jonciunea pn este regiunea din vecintatea suprafeei de contact dintre dou
semiconductoare cu tip de conducie diferit, una de tip p i alta de tip n. Linia de
demarcaie dintre cele dou regiuni se numete jonciune metalurgic. n figura 2.1 este
reprezentat, schematic, un model unidimensional al jonciunii pn. De asemenea este
reprezentat profilul concentraiei nete de impuriti N A N D .
Zona p (x < 0 ) corespunde concentraiei de impuriti pentru care N A > N D ;
Zona n (x < 0 ) corespunde concentraiei de impuriti pentru care N A < N D ;
Jonciunea metalurgic ( x = 0 ) va corespunde unei concentraii nete nul de impuriti.

Fig. 2.1 Jonciunea pn

2.2. Jonciunea pn la echilibru termic

Pentru a uura nelegerea fenomenelor fizice i descrierea lor matematic, studiul
jonciunii pn se va realiza n urmtoarele cazuri particulare de impurificare a
monocristalului semiconductor:
a) Se consider profilul abrupt al concentraiei de impuriti, vezi figura 2.2.a.
Conform acestui profil:
1) n zona p se gsesc numai impuriti acceptoare, n concentraie constant NA;
2) n zona n se gsesc numai impuriti donoare, n concentraie constant ND;
Fenomenele fizice ce au loc intr-o jonciune sunt urmtoarele:
Dac cele dou regiuni, p i n ar fi independente, concentraiile de goluri, respectiv
electroni ar fi date de (1.14) i (1.15). Se identific:
1) purttori majoritari: electronii n zona n, respectiv golurile n zona p;
2) purttori minoritari: golurile n zona n, respectiv electronii n zona p;
Difuzia puttorilor majoritari de sarcin.
Fenomenul de difuzie are loc datorit diferenei de concentraie n care se gsesc
purttorii de sarcin ntr-o regiune, fa de concentraia n care se gsesc (aceeai
purttori de sarcin) n regiunea nvecinat. Astfel:
1) Golurile din regiunea p (purttori majoritari aflai n concentraii mari),
difuzeaz n regiunea n (unde concentraia lor este mic). Ca urmare a acestui
fenomen de difuzie rezult dou consecine:
golurile ajunse n zona n se recombin (datorit tendinei
semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul);
2.1

 n zona p adiacent jonciunii metalurgice, prin plecarea golurilor apare

un exces de sarcin negativ datorat ionilor acceptori;
2) Electronii din regiunea n (purttori majoritari aflate n concentraii mari),
difuzeaz n regiunea p (unde concentraia lor este mic). Ca urmare a acestui
fenomen de difuzie rezult dou consecine:
electronii ajuni n zona p se recombin (datorit tendinei
semiconductorului de tip p de a restabili echilibrul);
n zona n adiacent jonciunii metalurgice, prin plecarea electronilor
apare un exces de sarcin pozitiv datorat ionilor donori;
n consecin, ca urmare a apariiei sarcinilor electrice de o parte i alta a jonciunii
metalurgice apare un cmp electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p.
Aciunea cmpului electric intern asupra purttorilor minoritari de sarcin.
1) Golurile din regiunea n sunt transportate (de cmpul electric intern) spre
regiunea p;
2) Electronii din regiunea p sunt transportai (de cmpul electric intern) spre
regiunea n;
n concluzie, procesul de scdere a concentraiilor de purttori majoritari nu se desfoar
pn la uniformizarea concentraiilor (conform tendinei de difuzie), ci se autolimiteaz
(prin generarea cmpului electric intern, sau cmp de barier denumit astfel tocmai
datorit celor descrise mai sus) la valori care asigur echilibrul curenilor de difuziune i de
cmp. Aceast situaie corespunde unui curent electric nul prin structur, rezultat
compatibil cu condiia de echilibru termic.
b) A doua aproximare conform creia se studiaz fenomenele fizice n jonciune este
urmtoarea:
Jonciunea este reprezentat aproximativ ca n figura 2.2.b. Aceast reprezentare
aproximativ poart numele de aproximare de golire.
Conform acestei aproximri, jonciunea se mparte n trei regiuni:
regiunea de trecere concentrat n jurul jonciunii metalurgice ( l p0 < x < + l n 0 );
dou regiuni neutre;
Toate fenomenele specifice jonciunii la echilibru termic se petrec n regiunea de trecere.
n acest caz concentraiile de electroni, respectiv goluri sunt diferite fa de cazul zonelor p
i n considerate independente vezi figura 2.2.c.
Conform aproximaiei de golire, n regiunea de trecere se neglijeaz concentraiile de
electroni i goluri fa de concentraiile de impuriti.
n concluzie, densitatea de sarcin de volum, v , din regiunea de trecere - vezi figura 2.2.d
are expresia:
e N A ; l p0 < x < 0
V =
(2.1)
0 < x < l n0
+ e N D ;
Conform (2.1) se poate afirma c:
regiunile p i n au o comportare identic cu aceea a dou semiconductoare separate,
fiind neutre din punct de vedere electric;
regiunea de trecere poart numele de regiune golit sau regiune de sarcin spaial.

a)

2.2

b)

c)

d)

Fig. 2.2 Modelarea jonciunii pn

Din (2.1), innd cont de neutralitatea global a semiconductorului, rezult c:
N A l p0 = N D l n 0

(2.2)

Relaia (2.2) exprim faptul c regiunea de sarcin spaial are o ntindere mai mare n
zona mai slab dopat a jonciunii (lungimea de difuziune ntr-o regiune este invers
proporional cu gradul ei de dopare).
Observnd c lungimea de difuziune este l 0 = l n 0 + l p0 i innd cont de (2.2), se obine:
NA

l =
l
N A l p0 = N D l n 0 n 0 N A + N D 0

ND
l 0 = l n 0 + l p0
l p0 =
l0

NA + ND
Se demonstreaz c:
l 0 = l n 0 + l p0 =

2 1
1
B0 ,

+
e N A N D

(2.3)

(2.4)

unde B0 este valoarea potenialului electric ce apare n regiunea de difuziune ca o

consecin a existenei cmpului electric de barier:
N N
e
k T
B0 =
N A l 2p0 + N D l 2n 0 =
ln A 2 D
(2.5)
2
e
ni
iar k este constanta lui Boltzmann.
Considernd c aria seciunii transversale a jonciunii este AJ, se poate calcula sarcina
electric stocat:
NA
Q B0 = V V = e N D l n 0 A J = e N D
l0 A J =
NA + ND
(2.6)
NA ND
= AJ 2 e
B 0 := K a B 0
NA + ND
Observaie:

2.3

n cazul particular al jonciunii cu un profil abrupt i asimetric de dopare, n conformitate

cu (2.3) i (2.4), regiunea de trecere se extinde, practic, doar n regiunea mai slab dopat.
Astfel de jonciuni se noteaz:
p+n dac N A >> N D ; lungimea regiunii de sarcin spaial devine:
l 0 l n0

2
B0
e ND

(2.7)

pn+ dac N D >> N A ; lungimea regiunii de sarcin spaial devine:

l 0 l p0

2
B0
e NA

(2.8)

2.3. Polarizarea jonciunii pn

Dispozitivele semiconductoare care conin jonciuni pn sunt utilizate ca element de circuit,
atunci cnd la bornele jonciunii se aplic o diferen de potenial VA, prin intermediul unor
contacte metalice. Convenia de notaii este prezentat n figura 2.3.
Polarizarea electric a jonciunii pn se face n dou situaii:
Polarizare direct: VA > 0 , de unde rezult I A > 0 ; n acest caz se vor utiliza
urmtoarele notaii: VA = VF i I A = I F ; (indicele Forward = nainte)
Polarizare invers: VA < 0 , de unde rezult I A < 0 ; n acest caz se vor utiliza
urmtoarele notaii: VA = VR i I A = I R ; (indicele Reverse = invers)

Fig. 2.3 Jonciunea pn polarizat

2.3.1. Polarizarea direct a jonciunii pn

n cazul jonciunii pn polarizat direct cmpul electric n regiunea de trecere scade la

valoarea E B E F , bariera de potenial reducndu-se la valoarea B0 VF . n consecin
regiunea de trecere va fi mai ngust vezi figura 2.4.
innd cont de (2.4), expresia lungimii regiunii de trecere devine:
V
l = l0 1 F
B0

(2.9)

Scderea cmpului electric intern la valoarea E E F , duce la creterea concentraiei

purttorilor mobili de sarcin fa de situaia de echilibru termic. Acest proces poart
numele de injecie de purttori minoritari.
golurile din regiunea p difuzeaz ntr-un numr mai mare n regiunea n (din punctul
de vedere al regiunii n golurile sunt purttori minoritari);
electronii din regiunea n difuzeaz ntr-un numr mai mare n regiunea p (din
punctul de vedere al regiunii p electronii sunt purttori minoritari);
n consecin, prin jonciune apare un curent IF nenul; se mai spune c jonciunea pn
polarizat direct permite conducia electric. Din acest motiv, regimul de polarizare direct
a jonciunii pn se mai numete i regim de conducie.

2.4

Fig. 2.4 Jonciunea pn polarizat direct

2.3.2. Polarizarea invers a jonciunii pn

n cazul jonciunii pn polarizat invers cmpul electric n regiunea de trecere crete la

valoarea E B + E R , bariera de potenial mrindu-se la valoarea B0 + VR . n consecin
regiunea de trecere va fi mai lat vezi figura 2.5.

Fig. 2.5 Jonciunea pn polarizat invers

2.5

innd cont de (2.4), expresia lungimii regiunii de trecere devine:

V
l = l0 1 + R
B0

(2.10)

Mrirea cmpului electric intern are ca efecte directe:

mrirea curenilor de cmp;
micorarea curenilor de difuzie.
Ca urmare, curentul IR ce apare prin jonciune va fi mult mai mic fa de situaia polarizrii
directe, i cvasiindependent de tensiunea invers aplicat, VR.

2.4. Diode semiconductoare

Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice formate dintr-o jonciune pn i dou
contacte ohmice (metal-semiconductor).
2.4.1. Caracteristica static a diodei

Caracteristica static a diodei prezint dependena curentului prin jonciune iA, funcie de
tensiunea de polarizare aplicat acesteia vA.
Pentru calculele referitoare la scheme electrice, caracteristica static a diodei are expresia:
e vA
1
i A = I 0 exp
(2.11)
mkT
unde:
I0 este curentul de saturaie;
k este constanta universal a lui Boltzman;
T este temperatura absolut [K];
m [1; 2] ; pentru cazul ideal, coeficientul m = 1 .
Caracteristica static a diodei este prezentat n figura 2.6.

Fig. 2.6 Caracteristica static a diodei

Funcie de valorile tensiunii de polarizare a diodei se identific cele dou regimuri de lucru
ale diodei:
Conducie:
kT
Pentru tensiuni de polarizare direct VA 4
, la temperaturi n jur de
e
T = 300 K (270C), n relaia (2.11) predomin termenul exponenial, curentul direct
prin diod (jonciunea pn) se poate determina cu relaia:
2.6

 e VA
I A I 0 exp
k T
Blocare:

(2.18)

kT
, la temperaturi n jur de
e
T = 300 K (27C0), n relaia (2.11) termenul exponenial poate fi ignorat, curentul
invers prin diod (jonciunea pn) se poate determina cu relaia:
IA I0
(2.19)
Pentru tensiuni de polarizare

VA < 4

Valoarea mic a curentului de saturaie n comparaie cu curenii direci tipici mpreun cu

dependena puternic de tensiune dat de ecuaia exponenial (2.11) a diodei conduc la o
aparent tensiune de prag - V - sub care exist un curent direct foarte mic (zona de blocare
direct-vezi figura 2.6) i peste care curentul direct crete rapid cu tensiunea.
Valorile caracteristice ale tensiunilor de prag sunt:
V 0.2V pentru diodele de germaniu;
V 0.7V pentru diodele de siliciu;

Valorile curentului de saturaie pentru diodele de germaniu sunt mai mari dect cele
corespunztoare diodelor de siliciu.
I 0 A pentru diodele de germaniu;
I 0 nA pentru diodele de siliciu;
2.4.2. Regimuri limit de funcionare

Fenomenul electric de strpungere a diodei (a jonciunii pn) const n creterea puternic a

curentului n polarizare invers. Se definete tensiunea de strpungere VBR , ca valoare a
tensiunii inverse de la valoarea care curentul (invers) prin diod crete foarte puternic
(tinde spre infinit). Strpungerea jonciunii poate fi explicat prin apariia multiplicrii n
avalan a purttorilor de sarcin (efect tunel).
La valori mari ale tensiunii inverse, cmpul electric din regiunea de trecere (de sarcin
spaial) atinge valori mari, imprimnd o energie crescut purttorilor de sarcin care l
strbat. n urma ciocnirii unui astfel de purttor de sarcin cu atomii reelei cristaline, se
poate produce ruperea unei legturi covalente, crend astfel o pereche electron-gol. Aceti
noi purttori de sarcin sunt i ei antrenai de cmpul electric, putnd crea la rndul lor o
nou pereche electron-gol. Acest fenomen poart numele de multiplicare n avalan.
ncepnd de la o anumit valoare a tensiunii inverse (VBR, BReakdown), multiplicarea n
avalan devine infinit, ceea ce duce la creterea nelimitat a curentului.

Fig. 2.7 Strpungerea diodei (jonciunii pn)

Din punct de vedere cantitativ, creterea curentului este luat n consideraie prin
nmulirea valorii curentului invers I0 cu un coeficient M de multiplicare n avalan:
2.7

IR = M I0

(2.20)

Coeficientul M poate fi calculat cu o relaie empiric:

1
, unde coeficientul n [3 ; 7] .
(2.21)
M=
n
vR

1
VBR
Fenomenul de multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin se poate produce i n
regimul de conducie, cauza fiind cldura degajat prin efect Joule-Lenz n situaia creterii
accentuate a curentului direct. Din acest motiv, valoarea acestuia trebuie s fie inferioar
(2.22)
curentului maxim admisibil: I F < I Fmax .
2.4.3. Dependena caracteristicii statice de variaiile temperaturii

Caracteristica diodei (jonciunii pn) depinde puternic de variaiile temperaturaturii.

Curentul direct crete o dat cu creterea temperaturii.
n practic intereseaz scderea tensiunii directe la un curent constant odat cu creterea
temperaturii (nu creterea curentului pentru o tensiune precizat). O valoare medie a
coeficientului de scdere a valorii tensiunii poate fi considerat: v = 2mV / C 0
Curentul invers (n modul) crete o dat cu creterea temperaturii.
n intervalul 25 0 C 175 0 C , valoarea curentului se dubleaz la creterea temperaturii cu
10 0 C .
Tensiunea de strpungere crete o dat cu creterea temperaturii.
Valoarea tensiunii de strpungere are o cretere de 1mV la fiecare cretere a temperaturii
cu 10 C .
Dependena caracteristicii statice de variaiile temperaturii este prezentat n figura 2.8.

Fig. 2.8 Dependena caracteristicii statice a diodei la variaiile temperaturii

2.8

2.4.4. Modelarea diodei

La analiza comportrii unei diode ntr-un circuit de c.c., se utilizeaz ecuaia (2.11) sau se
utilizeaz caracteristica static prezentat n figura 2.6.
Simbolul electric al diodei este prezentat n figura 2.9.

Fig. 2.9 Simbolul electric al diodei

Comportarea diodei poate fi descris (simplificat) n dou moduri complementare. Se pun
n eviden valoarea curentului i a tensiunii ce caracterizeaz dioda.
Curenii ce strbat dioda:
O diod permite ca ntr-un sens (polarizare direct sau conducie) s treac un curent mare
i un curent mic n sensul contrar (polarizare invers sau blocare). Dac valoarea curentului
de conducie direct este situat n domeniul zecilor sau sutelor de miliamperi, curentul
invers are o valoare situat n domeniul micro (nano) amperilor. Curentul invers (de
saturaie) este uzual cu ase ordine de mrime mai mic dect curentul direct. Datorit
acestei proprieti a diodei acesta poart i numele de ventil (electric).
Tensiunea la bornele diodei:
O diod permite o cdere mare de tensiune la borne n cazul polarizrii inverse i una
foarte mic n cazul polarizrii directe. Tensiunea invers poate atinge valori de ordinul
sutelor de voli, tensiunea direct are uzual valori de ordinul zecimilor de volt.
Avnd n vedere aceste diferene foarte mari ntre comportarea n polarizarea direct i
invers, o caracterizare aproximativ a acesteia este suficient n multe aplicaii.
Pentru a realiza aceast caracterizare a comportrii diodei se propun mai multe modele
liniarizate a caracteristicii statice a acesteia.
Pentru toate modelele propuse se consider c valoarea curentului invers (de saturaie) este
nul, deci n acest caz dioda poate fi echivalat printr-o rezisten cu valoare infinit.
Ri
(2.23)
n realitate valoarea rezistenei inverse a diodei este de ordinul megaohmilor.
(2.24)
R i M
Se vor prezenta patru modele simplificate ale diodei. Criteriile dup care vor fi prezentate
sunt urmtoarele:
Tensiunea de prag V . Tensiunea de prag este o valoare a tensiunii de polarizare
direct a diodei de la care curentul prin dispozitiv are o valoare semnificativ.
Rezistena intern direct Rd a diodei. Aceast rezisten ofer informaii asupra
modului de variaie (n condiii de polarizare direct) a curentului IA, funcie de
tensiunea aplicat la bornele dispozitivului VA.
1) V = 0 . Dioda este blocat dac VA < 0
1a) Dioda este echivalat printr-un comutator ideal, fiind descris prin ecuaiile:
VA = 0 , pentru I A > 0
(2.25)

I A = 0 , pentru VA < 0
Modelul definit prin ecuaiile (2.25) neglijeaz att cderea de tensiune direct, ct i
curentul invers al diodei. Caracteristica static i simbolul diodei ideale, DI, sunt
prezentate n figura 2.10 a. Dioda astfel modelat nu permite cdere de tensiune cnd
curentul este pozitiv i nici scurgere de curent cnd tensiunea este negativ. n acest caz
dioda se reduce la un scurtcircuit cnd curentul este pozitiv i la un circuit deschis cnd
tensiunea este negativ.
2.9

a)

b)

c)

d)

Fig. 2.10 Modele liniarizate pentru caracteristica static a diodei

1b) n conducie, dioda este echivalat cu o rezisten echivalent, de valoare constant.
Dioda este descris prin ecuaiile:
VA

, pentru VA > 0
I A =
Rd
(2.26)

I = 0
, pentru VA < 0
A
2.10

Caracteristica static i circuitul echivalent sunt prezentate n figura 2.10 b.

2) V > 0 . Dioda este blocat dac VA < V
2a) Dioda este echivalat pe durata de conducie printr-o surs ideal de tensiune.
Dioda este descris prin ecuaiile:
VA = V , pentru I A > 0
(2.27)

I A = 0 , pentru VA < V
Caracteristica static i circuitul echivalent sunt prezentate n figura 2.10 c. Dioda astfel
modelat nu permite cdere de tensiune cnd curentul este pozitiv i nici scurgere de curent
cnd tensiunea este mai mic dect valoarea tensiunii de prag VA < V .
2b) n conducie, dioda este echivalat printr-o surs ideal de tensiune, V , n serie cu
o rezisten echivalent, de valoare constant, fiind descris de ecuaiile:
VA V

, pentru VA > V
I A =
Rd

I = 0
, pentru VA > V
A
Caracteristica static i circuitul echivalent sunt prezentate n figura 2.10 d.

(2.28)

2.4.5. Comportarea diodei n regim dinamic, la semnal mic

n cazul n care la bornele diodei se aplic att o tensiune continu (numit i tensiune de
polarizare) ct i una alternativ (numit i semnal), se spune c jonciunea lucreaz n
regim dinamic (sau variabil, sau de c.a.). n acest caz, n afar de componenta continu,
apare i o component alternativ a curentului. n acontinuare se va prezenta regimul
dinamic de joas frecven (JF) sau quasistaionar
Dac n regim staionar (de c.c) dioda era caracterizat de un punct static de funcionare
PSF- vezi figura 2.11a P(U A , I A ) , n cazul regimului dinamic quasistaionar
funcionarea diodei este caracterizat printr-o zon de lucru ce este situat pe caracteristica
static. Cu alte cuvinte, PSF-ul se mic permanent pe caracteristica static (regimul
dinamic este o succesiune de regimuri statice). Acest lucru poate fi observat n figura
2.11a, n care PSF-ul, pentru cazul analizat, ocup succesiv o zon de pe caracteristica
static situat ntre punctele P1, respectiv P2. Datorit faptului c forma caracteristicii este
neliniar, conform (2.11), studiul de fa se refer doar la un cazul particular al tensiunii
variabile aplicat la bornele diodei, adic ndeplinind condiia de semnal mic.
Tensiunea ce se aplic la bornele diodei are expresia:
u A (t ) = VA + u a (t )
(2.29)
Componenta variabil are expresia: u a (t ) = U a sin (t ) .
Funcionarea diodei n regim dinamic este quasistaionar dac semnalul alternativ este de
joas frecven (JF).
n prezena componentei variabile ua(t), jonciunea i modific starea staionar prin
modificarea dimensiunilor regiunii de trecere, a barierei de potenial i a distribuiei
purttorilor minoritari n regiunile neutre. Aceste procese sunt legate de variaia unor
sarcini electrice i necesit un anumit interval de timp, care n cazul de fa se neglijeaz.
Condiia de semnal mic impune ca amplitudinea componentei variabile s aib o valoare
mic, pentru a nu introduce neliniariti asupra rspunsului diodei (n acest caz curentul
prin diod). Conform figurii 2.11.a se observ c forma componentei variabile a curentului
ia(t) este sinusoidal. Acest lucru este posibil pentru c regiunea de pe caracteristica static
parcurs de PSF se poate considera ca fiind aproximativ liniar (arcul de curb P1PP2 poate
fi aproximat cu segmentul de dreapt P1P2). Condiia de semnal mic este ndeplinit, dac
restricia asupra amplitudinii este de forma:
2.11

U a << VT
kT
unde VT =
este tensiunea termic.
e
n practic, la valoarea T = 300 K este necesar ca U a < 26 mV .

(2.30)

Fig. 2.11 Comportarea diodei (jonciunea pn) n regim cvasistaionar, la semnal mic
n regim variabil cvasistaionar de semnal mic, dioda (jonciunea pn) poate fi modelat
printr-o rezisten intern.
n cazul polarizrii directe rezistena intern rd are semnificaia grafic a pantei tangentei n
P.S.F. vezi figura 2.11.b fiind denumit rezisten intern sau dinamic sau diferenial.
Matematic aceasta se definete astfel:
d uA
VT
uA
ri = rd =
=

(2.31)
d iA
IA + I0
iA

n cazul polarizrii inverse (I A I 0 ), valoarea rezistenei interne are teoretic o valoare

infinit. Practic, valoarea acesteia este de ordinul megaohmilor.

2.4.6. Disiparea cldurii

Jonciunile pn sunt montate n interiorul unui dispozitiv numit capsul. Rolul acesteia
este att cel de protecie mecanic ct i de evacuare a cldurii acumulate de jonciune n
timpul procesului de conducie. Astfel, capsula este caracterizat de un parametru numit
rezisten termic ce caracterizeaz evacuarea cldurii dinspre jonciune spre mediul
o
C
exterior, a crui valoare tipic este R th ja = 350
. Calculul termic se face pe un circuit
W
analog cu circuitele electrice, numit circuit termic, prezentat n figura 2.12.
Se poate observa relaia (asemntoare cu teorema a doua a lui Kirchoff):
T j Ta = Pd R th ja
(2.32)
Tj Ta

Pd

Rth j-a

Fig. 2.12
Circuitul termic al jonciunii pn

unde Ta este temperatura ambiant, iar Pd puterea

disipat:
Pd = U A I A
(2.33)
2.12

2.5. APLICAII
2.5.1. n circuitul din figura 2.13.a, dioda (cu caracteristica exponenial prezentat n
kT
figura 2.13.b), are parametrii: I 0 = 1pA ;
= 26mV .
e
a) Se cere P.S.F.-ul diodei, tiind c E A = 10Vcc ; R = 1k ;
b) S se determine parametrii caracteristicii statice liniarizate, V i Rd vezi figura

2.13.c, considernd c dioda este n conducie dac I F 1A i c pentru

I F = 10mA , cele dou caracteristici coincid (figura 2.13.d);
c) S se calculeze P.S.F.-ul considernd caracteristica static liniarizat cu V i Rd
determinate la punctul b i s se compare rezultatele obinute la punctual a;
d) Care sunt diferenele ntre tensiunile pe diod obinute prin aproximarea liniar a
caracteristicii statice, fa de valorile lor reale (caracteristica static exponenial),
pentru curenii I F = 0,1mA;1mA; 5mA ;
e) S se calculeze valorile maxime ale diferenelor discutate la punctul d.

a)

b)

c)

d)

Fig. 2.13
Rezolvare
a) Dioda este polarizat direct. Rezult c P.S.F.-ul (VF , I F ) este soluia urmtorului
sistem de ecuaii:
VF + RI F = E A

I = I exp eVF 1
(2.34)
0

F
kT

Rezolvarea analitic a sistemului (2.34) conduce la o ecuaie transcendent, din acest motiv
soluia nu poate fi dect una aproximativ.
Varianta I
O prim metod const n aproximarea tensiunii VF cu V cderea tipic de tensiune
(tensiunea de deschidere) la bornele jonciunii pn polarizate direct. Ordinul de mrime al
curentului I0 (pA) este specific diodelor cu Si, deci:
E A V
= 9,4mA ; P.S.F. = P(0,6V ; 9,4mA )
VF = V 0,6V I F =
R
Observaie:
ntr-adevr, rezultatul obinut satisface condiia I F >> I 0 . Ca urmare, este
justificat aproximarea VF 0,6V constant.
Pentru o mai bun nelegere a fenomenului, se prezint (tabelul 2.1) variaia curentului IF
al unei diode cu Si, n funcie de tensiunea aplicat, VF, rezultate obinute conform (2.34).

2.13

Tabelul 2.1. Valori ale perechilor (VF , I F ) , n cazul polarizrii directe, a unei diode cu Si
VF
IF

0 0,1V
0 46pA

0,2V
2,2nA
Blocare
direct

0,3V
0,1A

0,4V
4,8A

0,5V
0,224mA

"Cotul"
caracteristicii

0,6V
10mA

0,7V
490mA

0,8V
23A

Conducie

Observaie:
n conducie, VF > V , o variaie relativ mic a tensiunii directe (0,6V la 0,8V) are ca efect
o variaie relativ pronunat a curentului direct (de la 10mA la 23A). Altfel spus,
caracteristica static este cvasivertical n aceast regiune sau dioda prezint o rezisten
dVF VF (0,8 0,2)V
intern foarte mic: R d =

=
= 8,7 m .
dI F
I F (23 0,01)A
Concluzie:
Pentru aflarea P.S.F.-ului prin aproximarea cderii de tensiune VF pe diod, se estimeaz
E
ordinul de mrime al curentului, conform I F A .
R
E A V
.
1) Dac I F mA , se poate aproxima VF V 0.6...0.7 V rezultnd I F
R
2) Dac I F << mA , atunci P.S.F.-ul este fie n zona cotului fie n zona de blocare
direct a caracteristicii statice. Coordonatele P.S.F.-ului n acest caz se afl fie prin
refacerea tabelului 2.1, fie printr-o metod iterativ de tipul celei ce va fi prezentat
n continuare.
Deocamdat se va semnala c i pe zona blocrii directe apare o cretere pronunat a
curentului la variaii mici ale tensiunii (firesc: este aceeai caracteristic), dup cum se
poate urmri n figura 2.14 unde este reprezentat caracteristica static n polarizare direct
a aceleiai diode pe domenii diferite ale tensiunii VF. ntre curenii de pe cele dou
caracteristici exist ns o diferen de 3 ordine de mrime.

Fig. 2.14
Observaie:
Dac se fac calculele pe caracteristica static n polarizare invers, rezult o variaie foarte
mic a curentului fa de tensiunea aplicat (caracteristic static cvasiorizontal n
polarizare invers sau rezistena intern a diodei foarte mare) tabelul 2.2.
2.14

Tabelul 2.2. Valori ale perechilor (VR , I R ) , n cazul polarizrii inverse, a unei diode cu Si

VR (V)
IR (pA)

0,05
-0,85

-0,25
-0,99

-0,5
1

-1
1

-2
1

-5
1

-10
1

Varianta II
Sistemul de ecuaii (2.34) poate fi rezolvat mai exact (adic se poate obine soluia cu o
precizie , orict de bun) prin metoda (iterativ) a aproximaiilor succesive. Pentru a
uura urmrirea expunerii, procedeul va fi explicitat grafic n figura 2.15.

Fig. 2.15
Pasul 1
1) Se iniializeaz I F(1) = 0
2) Se calculeaz valoarea corespunztoare a tensiunii pe diod, VF(1), pe caracteristica
kT I F(1)
static, obinndu-se VF(1) =
ln 1 +
=0
e
I 0
Se obine urmtorul P.S.F.: P1 (VF(1) , I F(1) ) = P1 (0V; 0mA ) = O
Pasul 2
1) Se menine constant valoarea tensiunii VF(2 ) = VF(1) .
2) Se calculeaz valoarea corespunztoare a curentului prin diod, IF(2), pe dreapta de
E A VF(1)
sarcin VF + RI F = E A rezultnd I F(2 ) =
= 10mA .
R
Se obine urmtorul P.S.F.: P2 (VF(2 ) , I F(2 ) ) = P2 (0V;10mA )
Pasul 3
1) Se menine constant valoarea curentului I F(3) = I F(2 ) .
2) Se calculeaz valoarea corespunztoare a tensiunii pe diod, VF(3), pe caracteristica
kT I F(3)
ln 1 +
= 0,539V
static, obinndu-se VF(3) =
e
I 0
Se obine urmtorul P.S.F.: P3 VF(3) , I F(3) = P3 (0,539V;10mA )

Pasul 4
1) Se menine constant valoarea tensiunii VF(4 ) = VF(3) .
2) Se calculeaz valoarea corespunztoare a curentului prin diod, IF(4), pe dreapta de
E VF 4
sarcin, rezultnd I F(4 ) = A
= 9,461mA .
R
Se obine urmtorul P.S.F.: P4 (VF(4 ) , I F(4 ) ) = P4 (0,539V; 9,461mA )
Dac I F(4 ) I F(3) < i VF(4 ) VF(3) < , atunci calculul P.S.F.-ului se poate considera
ncheiat i se pot reine ca soluii oricare din cele dou valori P4 sau P3. Altfel, se continu
pn la obinerea preciziei dorite, .
2.15

Rezult c, n general:
La pasul j se vor face calculele:
kT I F( j)
VF( j) =
ln 1 +
;
e
I 0
La pasul ( j + 1) se vor face calculele:
E A VF( j+1)
I F( j+1) =
R
I F( j+1) I F( j) <

Evalurile:
VF( j+1) VF( j) <
Se poate observa c, datorit faptului c dioda semiconductoare prezint o caracteristic
static cvasivertical, procesul de calcul converge foarte rapid ctre soluie (cel mult 4 5
iteraii). Dup cum se vede, valorile calculate la pasul 4 sunt deja foarte apropiate de cele
obinute prin prima metod.
I
eV
kT
ln1 + F
b) Dac I F = I 0 exp F 1 , atunci rezult c: VF =
e
I0
kT
Tensiunea pe diod pentru cele dou valori ale curentului I F = 1A ; I F = 10mA devine:

10 6
V = VF (I F = 1A ) = 0,026 ln1 + 12 0,36V

10

10 2

1 +

(
)
=
=
=

V
V
I
10
mA
0
,
026
ln
F F
F
10 12 0,6V

Pentru VF V , conform (2.28) ecuaia caracteristicii statice liniarizate se va scrie:

VF V 0,6V 0,36V
VF = V + R d I F R d =

24
IF
10mA
Circuitul echivalent al diodei este reprezentat n figura 2.16.

Fig. 2.16
c) Prin liniarizarea diodei se obine circuitul din figura 2.17. echivalent cu schema
real prezentat n figura 2.13a.

Fig. 2.17
Circuitul (liniar) din figura 2.17 este descris de ecuaiile:
E A V 10 0,36

=
= 9,414mA
I F =
R d + R 1 + 0,024

R E + RV
V = V + R I = d A
= 0,586V
F
d F

Rd + R
2.16

de unde rezult c: P.S.F.liniarizat = P(0,586V; 9,414mA ) .

Comparnd aceste valori cu cele obinute la punctual a), P.S.F. = P(0,6V ; 9,4mA ) , rezult:
I F = 9,4mA 9,414mA = 0,014mA

VF = 0,6V 0,586V = 0,014V

d) Se calculeaz valorile corespunztoare celor 3 cureni, cu ajutorul celor dou
caracteristici.

10 4
IF
kT

1 +

=
+
=

V
ln
1
0
,
026
ln

F
10 12 = 0,479V V 0,12V
e
I 0
I F = 10 4 A real

F
4
V
=
V
+
R
I
=
0
,
36
+
24

10
=
0
,
362
V
d F

F liniar

IF
kT
10 3

V
ln
1
=
0
,
026

ln
1
+
=
+
F
10 12 = 0,539V V 0,16V
e
I 0
I F = 10 3 A real

3
V
= V + R d I F = 0,36 + 24 10 = 0,38V
F liniar

5 10 3
IF
kT

1 +
= 0,58V
=
+
=

V
ln
1
0
,
026
ln

e
I 0
I F = 5 10 3 A real
VF 0,1V
10 12

3
V
= V + R d I F = 0,36 + 24 5 10 = 0,48V
F liniar
e) Conform punctului d rezult c:
I
kT
VF =
ln1 + F R d I F V
e
I0

obinndu-se o relaie de tipul: VF = VF (I F ) .

Pentru a afla abaterea maxim, se calculeaz derivata funciei VF i apoi se rezolv
d (VF )
=0
ecuaia
dI F
d(VF ) kT
1
1

Rd
I
e
I0
dI F
1+ F

d(VF )
I0
= 0 vor fi
soluiile ecuaiei
dI
2
F

d (VF )
kT
1
=

< 0
2
e (I F + I 0 )2
dI F

coordonatele maximului funciei VF = VF (I F ) .

d (VF )
kT
1
kT 1
0,026
=0

= R d IF =

I0 =
10 12 1,08mA
dI F
e IF + I0
e Rd
24
Valoarea corespunztoare (maxim) a abaterii va fi:
1,08 10 3 +10 12
VFmax = 0,026 ln
24 1,08 10 3 0,36 0,16V .
10 12
2.5.2. n circuitul din figura 2.18 diodele respect legea exponenial ideal i sunt
caracterizate de curenii inveri I 01 = 1A , I 02 = 9A . S se calculeze tensiunile la
bornele celor dou diode.
Se dau: R = 2k , U = 200V ,

kT
= 26mV .
e
2.17

Fig. 2.18

Rezolvare
Diodele sunt polarizate invers. Deoarece curentul invers nu depinde de tensiunea aplicat,
admind c diodele nu se strpung, urmeaz c prin circuit se va stabili curentul (invers)
cel mai mic I R = I 01 = 1A . (Altfel, dioda D1 s-ar strpunge, deoarece dac I R = 9A ,

se observ, pe caracteristicile statice ale diodelor vezi figura 2.17b, c aceast valoare
corespunde zonei de strpungere invers a acestei diode punctul A).
Se calculeaz valoarea tensiunii pe cele dou diode.

eV
kT I A
+ 1 = VR
I A = I 0 exp A 1 VA =
ln
e I0
kT

i cum I R 2 = I 01 rezult c:

I0
kT
ln 1 1 0,003V
e
I 02

= U RI R VR 2 = 200 2 10 3 10 6 0,003 = 199,995V

VR 2 =
VR1

Se observ c tensiunea de alimentare se distribuie inegal pe cele dou diode. Acest proces
poate fi urmrit i n figura 2.18b).
n concluzie, conectarea n serie a diodelor nu are ca efect obinerea unei diode echivalente
cu tensiunea de strpungere mai mare dect a fiecrei diode n parte.
2.5.3. S se calculeze tensiunile la bornele diodelor din circuitul prezentat n figura 2.19.
kT
Se dau: I 01 = 1A , I 02 = 9A , R = 2k ,
= 26mV , R 1 = R 2 = 1M .
e

Fig. 2.19
Rezolvare
Deoarece curentul invers al diodelor este independent de tensiunea aplicat, nseamn c
prin diode vor circula curenii lor inveri. Se pot scrie relaiile:
I A = I 01 + I1

I A = I 0 2 + I 2

U = RI A R 1I1 R 2 I 2
Din rezolvarea sistemului de ecuaii (cu necunoscutele IA, I1, I2) se pot calcula tensiunile la
bornele diodelor: VA1 = R 1I1 ; VA 2 = R 2 I 2 .
2.18

Observaie:
n figura 2.19, sensurile adoptate pentru cureni i tensiuni au fost consecina conveniei de
notare a acestora la diode vezi figura 2.20a.
Polarizare direct: VA > 0 , I A > 0
Polarizare invers: VA < 0 , I A < 0
Este evident c sistemul poate fi rezolvat cu ajutorul notaiilor fcute, obinndu-se valori
negative pentru curenii i tensiunile la bornele diodelor. Problema este c acest mod de
notare, n situaia de fa, contravine oarecum conveniei sensurilor pozitive asociat
circuitelor receptoare vezi figura 2.20b, cu care lucreaz marea majoritate a specialitilor
n electrotehnic i electronic.

a)

b)

Fig. 2.20
Dac notaiile din figura 2.19 nu convin, atunci:
Se pot schimba toate sensurile tensiunilor i curenilor (mai puin U), eventual
renotnd IA cu IR i tensiunile VA cu VR, pentru a sublinia o dat n plus c se
discut despre cureni i tensiuni inverse aplicate diodelor;
Pentru a evita notaii complicate de genul I 01 i I 02 - vezi figura 2.21, curenii
I 01 i I 02 se vor nlocui cu valorile lor pozitive (ei fiind negativi numai n raport
cu sensurile adoptate n figura 2.19 sau 2.20).
Desigur, nu trebuie omis faptul c se calculeaz mrimi specifice (tensiuni i
cureni) polarizrii inverse a diodelor, deci dac s-ar pune problema localizrii
acestor puncte pe caracteristicile statice, ele vor trebui plasate "la locul lor", adic
pe caracteristica static n polarizare invers.
n conformitate cu cele expuse, se obine schema din figura 2.21.

Fig. 2.21
Sistemul de ecuaii ce caracterizeaz circuitul din schema din figura 2.21, precum i
rezolvarea lui este urmtoarea:
I1 = I 2 + I 02 I 01
I R = I 01 + I1

I R = I 0 2 + I 2
I R = I 0 2 + I 2

U = R I 02 + I 2 + R 1 I 2 + I 02 I 01 + R 2 I 2
U = RI R + R 1I1 + R 2 I 2

2.19

U + I 01 R 1 I 02 (R + R 1 )

I 2 =
R + R1 + R 2

U + I 02 R 2 I 01 (R + R 2 )
I1 =
R + R1 + R 2

U + I 01 R 1 + I 02 R 2
I R =
R + R1 + R 2

Deci:
VR1 = R 1I1 =

R1
U + I 02 R 2 I 01 (R + R 2 )
R + R1 + R 2

R2
U + I 01 R 1 I 02 (R + R 1 )
R + R1 + R 2
nlocuind valorile din enun, se obine:
10 6
VR1 =
200 + 9 10 6 10 6 10 6 2 10 3 + 10 6 104V
3
6
6
2 10 + 10 + 10
10 6
VR 2 =
200 + 10 6 10 6 9 10 6 2 10 3 + 10 6 96V
2 10 3 + 10 6 + 10 6
Se poate observa c acest circuit asigur o mai bun distribuie a tensiunii U (tensiune
invers aplicat diodelor) pe cele dou diode.
Rezistenele R1 i R2 se numesc rezistene de egalizare a tensiunilor inverse.
Observaie:
Curenii inveri ai diodelor au o influen redus asupra curenilor IR, I1, I2 i n consecin
asupra tensiunilor VR1 , VR 2 . Aceast afirmaie este echivalent cu a spune c rezistenele
VR 2 = R 2 I 2 =

))

))

interne ale diodelor n polarizare invers sunt mult superioare valorilor rezistenelor R1 i
V
R2 (se poate proba acest lucru, considernd ri = R ), adic rezistena echivalent a
I0
fiecrui grup paralel R k , D k (k = 1,2) este aproximativ Rk. Cu alte cuvinte, condiiile de
funcionare ale circuitului sunt fixate mai puin de ctre diode i mai mult de cele dou
rezistene R1, R2.
Se poate trage concluzia c fiecare grup R, D paralel este practic echivalent cu o diod D,
avnd ns curentul invers fixat cu precdere de R, deci mult mai mare dect curentul
invers al diodei D. n acest fel se pot obine "diode" (echivalente) cu cureni inveri
aproximativi egali, care pot, n bun msur, s-i egalizeze tensiunile inverse aplicate.
Din cele expuse se pot deduce algoritmi de calcul a rezistenelor de egalizare:
a) Pornind de la dispersia curenilor inveri (n cataloage se indic de obicei, valoarea
maxim a curentului invers I R Max ), se poate adopta o rezisten paralel prin care s
rezulte, la tensiunea invers dorit, un curent I >> I R .
De exemplu, n cazul problemei de fa, I R Max = 9A i se propune VR 100V
(pe fiecare diod). Se poate observa c un calcul "simplificat" (fr a ine cont de prezena
diodelor n circuit) nu conduce la erori foarte mari.
Dac se adopt (accept) valoarea curentului prin rezistenele de egalizare
100V
I = 10 I R Max = 100A , atunci se obine valoarea: R 1 = R 2 =
= 1M .
100A
Efectul de egalizare este cel obinut n problem.
Dac se adopt o valoare mai mare a curentului prin rezistenele de egalizare (de
ex. I = 100 I R Max ) s-ar fi obinut o egalizare mult mai bun a tensiunilor inverse
2.20

aplicate, cu preul mririi curentului invers absorbit de rezistena de sarcin a

circuitului (2k ) . Evident c la o proiectare trebuie s se in cont i de acest lucru,
un curent invers prea mare putnd aduce prejudicii sarcinii.
n concluzie, la adoptarea valorii rezistenelor de egalizare trebuie acceptat un compromis
intre urmtoarele dou cerine contradictorii:
O valoare mic a lor conduce la o mai bun egalizare a tensiunilor inverse, cu
preul mririi curentului invers ce parcurge sarcina;
O valoare mare a lor conduce la o mai slab egalizare a tensiunilor, obinnd n
sarcin un curent invers mai mic.
b) Dac se cunosc valorile minime i maxime ale curenilor inveri ai diodelor, se pot
determina rezistenele de egalizare impunnd condiia ca tensiunile inverse aplicate
p
U
p
U

U; +
U unde:
diodelor s fie VR1,...,n
n 100
n 100
n = numrul de diode legate n serie;
p = precizia
De exemplu, n cazul problemei de fa, s-ar putea impune condiia:
U
U

VR1, 2 5% U ; + 5% U VR [95V ,105V ]

2
2

Deoarece dioda cu curentul invers cel mai mic va prelua tensiunea invers cea mai mare, se
poate trage concluzia c: VR 2 > VR1 .
Se adopt valori pentru VR1 , VR 2 care s fie n interiorul intervalului cerut.
Fie VR1 = 96V ; VR 2 = 103V
Rezult - vezi figura 2.21:
VR1
VR 2

+ I 01 =
+ I 02
I R =
I1
I2

U = V + V + RI
R1
R2
R

(acelai sistem de ecuaii, scris ntr-o form echivalent). Necunoscutele sunt IR, I1, I2.
VR
VR 2
Dup rezolvarea sistemului, se determin R 1 = 1 , R 2 =
, apoi se adopt valori
I1
I2
standardizate pentru acestea i se reia calculul pentru a verifica faptul c tensiunile VR1 i

VR 2 , (recalculate cu valorile standardizate pentru rezistoarele R1 i R2) se ncadreaz n

intervalul impus.
2.5.4. n circuitul din figura 2.22, diodele D1 i D2 au caracteristica static exponenial
ideal (m = 1) i I 01 = 2pA , I 02 = 8pA . S se calculeze curenii prin cele dou diode,

dac U = 100 V i R = 1k .

Fig. 2.22
Rezolvare
Diodele sunt polarizate direct; deoarece sunt conectate n paralel, rezult c:
2.21

VA1 = VA 2 = VA

I A1 + I A 2 = I A
eV
eV
I A = I 01 exp A 1 + I 02 exp A 1 = I 01 + I 02
kT
kT
Se poate considera c cele dou diode n paralel sunt echivalente
curentul invers: I 0 = I 01 + I 02 .

) exp eVkT 1
A

cu o diod D, avnd

Efectund un calcul iterativ sau considernd VA VD = 0,6V ,

VA 0,6V ; I = 99,4mA
Rezult urmtorul sistem de ecuaii, cu necunoscutele I A1 i I A 2 :

se

obine:

I = I A1 + I A 2

I 01
2

I A = I
= 99,4
19,9mA
1
eVA

2+8

I 01 + I 02
I 01 exp
1

I A1
kT = I 01
=
I 02
8
I

eVA I 02
= 99,4
79,5mA
I A2 = I
A2

I 02 exp
1
+
2
8
+
I
I
01
02

kT
Se observ o distribuire inegal a curenilor prin cele dou diode. Acest fenomen este
nefavorabil, deoarece diodele se conecteaz n paralel tocmai pentru a nu fi suprasolicitate
de cureni prea mari. Cauza este inegalitatea curenilor inveri.

2.5.5. n circuitul din figura 2.23, valoarea tensiunii de alimentare este U =100V , iar
diodele au urmtorii parametri:
kT
= 26mV , I 01 = 2pA , I 02 = 8pA , m = 1 ; R = 1k , R 1 = R 2 = 20 .
e
S se calculeze P.S.F.-urile celor dou diode.

Fig. 2.23

Rezolvare
Aplicnd circuitului propus teoremele lui Kirchhoff i scriind expresiile analitice ale
caracteristicilor statice corespunztoare celor dou diode, se obine sistemul de 5 ecuaii cu
5 necunoscute: I A1 , I A 2 , VA1 , VA 2 , I :
I = I A1 + I A 2
U = RI + R I + V
1 A1
A1

R 1I A1 + VA1 = R 2 I A 2 + VA 2

I = I exp eVA1 1
01
kT
A1

eVA 2

1
I A 2 = I 02 exp

kT
2.22

Deoarece ultimele 2 ecuaii ale sistemului sunt transcendente, rezult c acesta nu poate fi
rezolvat analitic, ci numai iterativ:
Pasul 1
Se iniializeaz VA1 (1) = 0 ; VA 2 (1) = 0 . Se calculeaz valorile curenilor prin diode:

I (1) =

U
99mA
R 1R 2
R+
R1 + R 2

I A1 (1) = I A 2 (1) =

I
= 49,5mA
2

Pasul 2
Cu valorile curenilor determinate anterior, I A1 (2 ) = I A1 (1) ; I A 2 (2 ) = I A 2 (1) se calculeaz
valorile tensiunilor pe diod:

kT I A1 (2 )
VA1 (2 ) =
ln
+ 1 0,622V

e I0
1

VA 2 (2 ) =

kT I A 2 (2 )
ln
+ 1 0,586V

e I0
2

Pasul 3
Cu valorile tensiunilor determinate anterior, VA1 (3) = VA1 (2 ) ; VA 2 (3) = VA 2 (2 ) se calculeaz

valorile curenilor prin diode, utiliznd schema echivalent din figura 2.24.

Fig. 2.24
n urma aplicrii teoremelor lui Kirchhoff, se obine sistemul:
UR 2 + VA 2 R VA1 (R + R 2 )

I = I A1 + I A 2
I A1 =
R 2 R 1 + RR 1 + RR 2

R 1I A1 + VA1 = R 2 I A 2 + VA 2

I = UR 1 + VA1 R VA 2 (R + R 1 )
U = RI + R 1I A1 + VA1
A2
R 2 R 1 + RR 1 + RR 2

Deci:
UR 2 + VA 2 (3) R VA1 (3) (R + R 2 )

I A1 (3) =
R 2 R 1 + RR 1 + RR 2

UR 1 + VA1 (3) R VA 2 (3) (R + R 1 )

I
=
(
)
A
3
2
R 2 R 1 + RR 1 + RR 2

nlocuind valorile numerice (cu rezistenele n k ) se obine:

I A1 (3) 48,3mA

I A 2 (3) 50,1mA
2.23

 Pasul 4
Cu valorile curenilor determinate anterior, I A1 (4 ) = I A1 (3) ; I A 2 (4 ) = I A 2 (3) se calculeaz
valorile tensiunilor pe diod:
kT I A1 (4 )
VA1 (4 ) =
ln
+ 1 VA1 (3)

e I0
1

kT I A 2 (4 )
VA 2 (4 ) =
ln
+ 1 VA 2 (3)

e I0
2

Deoarece tensiunile pe diode se modific nesemnificativ fa de cele calculate la pasul 3,

calculul se poate considera ncheiat i se rein ca soluii ale problemei rezultatele pasului 3
(n general, condiia de oprire a calculelor este VA (k +1) VA (k ) < , adic diferena a dou

valori calculate succesiv este inferioar preciziei impuse).

Se observ c prezena rezistenelor R1, R2 are efectul favorabil al apropierii valorii
curenilor prin cele dou diode.
Rezistenele R1 i R2 se numesc rezistene de egalizare a curenilor prin cele dou ramuri
ale circuitului tensiunilor inverse.
Observaie:
Cele dou rezistene au i un efect nefavorabil asupra circuitului, n sensul c prezena lor
micoreaz curentul I i deci cderea de tensiune la bornele rezistenei (de sarcin) R S . De
asemenea, ele consum putere.
n cazul aplicaiei de fa, rezult: U R = RI = R I A1 + I A 2 , adic U R = 98,4V .

Fa de situaia diodelor fr rezistene serie (problema 4), cnd U R = 99,4V , se constat

o scdere a tensiunii aplicate rezistenei (de sarcin) R cu 1V.
Evident c efectul de egalizare a curenilor crete odat cu creterea valorilor rezistenelor
serie cu diodele, pe seama reducerii tensiunii aplicate pe R. Acest fenomen poate fi dedus
i pe cale intuitiv, printr-o analiz calitativ a circuitului: grupul serie R1, D este practic
echivalent cu o diod D', avnd tensiunea de deschidere mai mare vezi figura 2.25.

Fig. 2.25
V 0,6V (Si )

'
V = V + R 1I , unde :
sau
V 0,2V (Ge )

Desigur, cu ct R1 este mai mare, V' va fi mai mare, depinznd ntr-o mai mic msur de
cderea de tensiune pe diod.
ntr-o exprimare echivalent: rezistena echivalent serie a 2 rezistene, una foarte mare n
comparaie cu cealalt, este foarte apropiat de valoarea rezistenei mari. n cazul de fa,
rezistena mare este R1 iar cea mic rezistena intern a diodei n polarizare direct, Rd.
Evident, dac R 1 >> R d , influena acesteia din urm va fi mic i n consecin condiiile
de funcionare ale circuitului vor fixate, cu precdere, de R1.
2.24

Din cele expuse se poate trage concluzia c, pentru egalizarea curenilor pe cele dou
ramuri cu diode, trebuie acceptat un compromis ntre dou cerine contradictorii:
O valoare mare a rezistenelor asigur o egalizare mai bun a curenilor, pe seama
scderii tensiunii aplicate sarcinii R.
O valoare mic a rezistenelor asigur o tensiune mai mare pe sarcin, pe seama
unei egalizri mai slabe a curenilor prin cele dou ramuri.
De aici se pot deduce algoritmii de proiectare a rezistenelor de egalizare:
a) Ca dat de proiectare, se poate indica valoarea minim a tensiunii pe sarcin. De
exemplu, n cazul problemei de fa, se presupune c se cere egalizarea curenilor cu
condiia ca U R 95V . Conform figurii 2.25, rezult c:
R 1I A1 + V1 = R 2 I A 2 + V 2 U U R = 5V
Se poate adopta o valoare pentru UR (de exemplu U R = 96V ), de unde rezult c:
R 1I A1 + V1 = R 2 I A 2 + V 2 = 4V

UR
= 96mA
I A1 + I A 2 =
R

Deoarece V1 V 2 V = 0,6V , ntr-o prim aproximaie, se pot calcula rapid cele dou
rezistene:
4V VD
3,6V
=
75 , care este o valoare standardizat.
I A1 + I A 2
48mA
2
n continuare, se pot calcula curenii i valorile exacte ale tensiunilor pe diode, la fel cum
au fost prezentate n rezolvarea problemei.
b) Ca dat de proiectare, se poate indica abaterea maxim a celor doi cureni fa de
p I
p I I
I
; +
valoarea total a curentului I A1,...n
n 100 n n 100 n
unde:
I este valoarea total a curentului I = I A1 + I A 2 + ... + I A n , unde:
R1 = R 2 =

n este numrul de diode legate n paralel

p este precizia impus.
n cazul de fa, n = 2, fie p = 5% iar I se calculeaz conform relaiei:
U VD 100 0,6
I=
=
= 99,4mA , iar
R
1
I A1, 2 [49,7 5% 49,7 ; 49,7 + 5% 49,7 ]mA
I A1, 2 [47,2 ; 52,2]mA

Se poate observa c dioda cu |I0| mai mic va avea curentul mai mic. Se pot deci adopta
pentru cureni valorile: I A1 = 48 mA ; I A 2 = 50 mA .
Cu aceste valori adoptate pentru cureni, se calculeaz:

kT I A1
+ 1
ln
VA1 =

e I0
1

kT I A 2
+ 1
ln

e I0
2

I = I A1 + I A 2

VA 2 =

2.25

R1 =
R2 =

U RI VA1
I A1
U RI VA 2
I A2

Se vor adopta apoi rezistenele R1 i R2, de preferin egale, avnd valoarea standardizat
ct mai apropiat de cele dou valori gsite. Apoi se vor recalcula curenii i tensiunile pe
diode, cu valorile standardizate ale rezistenelor.

2.5.6. O diod cu I 0 = 10 12 A i m = 2 este montat n circuitul din figura 2.26. S se

determine amplitudinea ce trebuie s o aib semnalul v g pentru ca la bornele diodei s se
obin o tensiune cu amplitudinea Vd = 2 mV .
Se dau: E = 100VCC , R 1 = 1 k , R 2 = 100 k , C , f = 1 kHz ,

kT
= 25 mV .
e

Fig. 2.26
Rezolvare
n regim de joas frecven i semnal mic, dioda este modelat prin rezistena ei intern:
VT
kT
n polarizare direct rd = m
=m
e (I A + I 0 )
IA + I0

n polarizare invers ri = m

VT
kT
=m
I0
e I0

n cazul de fa, dioda fiind polarizat direct, se obine:

E v D E Vd
E
IA =
=

= 1 mA
R2
R2
R2
de unde rezult c:
2 0,025
rd =
= 50
10 3
Circuitul echivalent n regim dinamic este prezentat n figura 2.27.

Fig. 2.27
R
Vd = Vg
, unde
R + R1
r R
R = rd || R 2 = d 2 rd = 50
Rd + R2
R + R1
R
Vg = Vd
Vd = Vg
R + R1
R
2.26

de unde rezult c:
50 + 10 3
Vg = 2
42 mV
10 3

2.5.7. Dioda din circuitul din figura 2.28a are tensiunea de strpungere VBR = 100 V i
curentul rezidual I 0 = 10 A . S se determine tensiunea i curentul la bornele ei (P.S.F.ul), tiind c n regimul de multiplicare n avalan, expresia caracteristica static este:
I0
.
IA =
3
VA

1
VBR
Se dau: U = 200 VCC , R = 100 k .

b)

a)

Fig. 2.28
Rezolvare
Caracteristica static a diodei este prezentat n figura 2.28b. Dioda este polarizat invers,
deci se vor nota mrimile caracteristice P.S.F.-ului:
VR = VA i I R = I A .
Conform acestor notaii, caracteristica static se rotete n cadranul I, ca n figura 2.41. n
consecin, rezult c P.S.F.-ul este soluia sistemului de ecuaii:
(d.s.)
RI R + VR = U

I0
I =
(c.s.)
R

3
VR

V
BR

Fig. 2.29
Sistemul poate fi rezolvat rapid prin metoda (iterativ a) aproximaiilor succesive,
observnd c VR VBR , datorit faptului c dioda lucreaz n regiunea de multiplicare n
avalan. n consecin, iniializnd VR = VBR = 100V , se obine:
U VR (1)
= 1mA
I R (1) =
R
Recalculnd tensiunea VR se obine:
I0
10 5
= 100 3 1 3 = 99,67V
VR (2 ) = VBR 3 1
IR
10
Se poate verifica faptul c, la o nou recalculare, rezultatele obinute la pasul 2 se modific
nesemnificativ.
2.27

Rezult c P.S.F.-ul este punctul P( VR , I R ) = P( 99,67 V ; 1,003mA )

Observaii:
Dac tensiunea de alimentare satisface condiia U = VBR , atunci se poate considera,
cu o bun aproximaie, c la bornele diodei se regsete tensiunea de strpungere
VA = VBR , iar curentul se determin imediat din ecuaia dreptei de sarcin;
Pentru o diod obinuit, regimul de lucru studiat n aceast problem trebuie evitat,
deoarece strpungerea invers este ireversibil i n consecin dioda va fi distrus;
Un caz particular al acestei probleme este polarizarea invers a diodei Zener
(stabilizatoare de tensiune), pentru care fenomenul strpungerii inverse este reversibil,
cu condiia pstrrii curentului ntre limitele specificate n catalog. Este evident c
valoarea tensiunii stabilizate este foarte apropiat de VBR, iar variaia acesteia (datorat
variaiei curentului) este mic. Se poate remarca alura cvasivertical a caracteristicii
statice n zona de strpungere, sau, ntr-o exprimare echivalent, valoarea foarte mic a
rezistenei interne (specific generatoarelor de tensiune);
dioda Zener ideal are, n zona de strpungere invers, rezistena intern nul: rZ = 0 .
n consecin, caracteristica static a diodei Zener ideale este vertical: tensiunea la
bornele sale este constant (valoarea sa fiind VBR), independent de valoarea curentului.
Rezult c dioda Zener ideal se comport ca un generator ideal de tensiune;
n practic, exist multe aplicaii n care se poate neglija rezistena intern a diodei Zener
(adic dioda este ideal din punctul de vedere al tensiunii la bornele sale). Variaia
curentului ns este obligatoriu s fie n intervalul I Zmin , I Zmax , specificat n catalog.

Valoarea minim, I Zmin , asigur funcionarea diodei n zona de strpungere invers, iar cea
maxim, I Zmax , asigur nedepirea valorii maxim admisibile a puterii disipate pe diod.

2.28