Reactanțele diodelor semiconductoare cu joncțiune p-n în regim de semnal variabil

Reactanțele de natură inductivă se datorează în special geometriei diodei în zona

conectării terminalelor și terminalele în sine. Valoarea inductanței este scăzută și nu este
importantă pentru modelarea diodei.

Reactanțele de natură capacitivă se datorează funcționării diodei în zona de epuizare

și la limita joncțiunii p-n. Capacitățile ce iau naștere sunt diferite, depinzând de modul de
polarizare și mărimea tensiunii de polarizare.

În primul rând există o capacitate de barieră prezentată în catalogul producătorului

dispozitivului în absența oricărei tensiuni de polarizare, numită, de obicei, capacitatea diodei.
Valoarea ei este de ordinul picofarazilor (pF).

Condensatoarele stochează încărcătura electrică sub formă de câmp electric (figura

2.84). Această stocare a sarcinii electrice se face prin utilizarea a două armături conductoare
electric (paralele și plasate aproape una de alta) separate printr-un material izolator numit
dielectric.

Armăturile condensatorului sunt bune conducătoare ale sarcinii electrice. Prin

urmare, ele permit cu ușurință trecerea curentului electric prin ele. Pe de altă parte,
materialul (mediul) dielectric este izolator electric, opunându-se trecerii curentului electric
prin el. Cu toate acestea, câmpul electric se transmite fără atenuare.

Când se aplică o tensiune externă condensatorului, purtătorii de sarcină încep să se

deplaseze prin terminale și armături. Atunci când acești purtători ajung la dielectricul
condensatorului, aceștia se confruntă cu blocarea deplasării sub acțiunea câmpului electric.

Ca rezultat, un număr mare de purtători de sarcină sunt stocați la nivelul armăturilor

condensatorului. Purtătorii de sarcină nu se pot deplasa între armături, dar generează un
câmp electric între acestea. Abilitatea dispozitivului de a stoca sarcină electrică se numește
capacitate electrică.

1
 Fig. 2.84 Structura și modul de funcționare al unui condensator electric. [41 – editat]

Capacitatea uni condensator este direct proporțională cu suprafața armăturilor și

invers proporțională cu distanța dintre acestea:

S
C=ε , (2.57)
d

unde:

ε = ε0 ∙ εr = permitivitatea electrică a dielectricului

= permitivitatea electrică a vidului (8,854187818 ∙ 10−12 F⁄m)
∙ permitivitateaelectrică relativă, (2.58)

S = suprafața armăturilor, (2.59)

𝑑 = 𝑑𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛ț𝑎 𝑑𝑖𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑎𝑟𝑚ă𝑡𝑢𝑟𝑖. (2.60)

Într-un mod asemănător condensatoarelor, o diodă cu joncțiune p-n polarizată invers

stochează purtători de sarcină electrică în regiunea de epuizare. Regiunea de sarcină spațială
este formată din ioni pozitivi și negativi imobili.

Într-o diodă semiconductoare cu joncțiune p-n polarizată invers, regiunile

semiconductoare dopate tip p și n au rezistență electrică scăzută datorită purtătorilor de

2
sarcină din zona de conducție. Prin urmare, regiunile de tip p și de tip n acționează similar cu
armăturile conductoare ale condensatorului.

Regiunea de epuizare a diodei cu joncțiune p-n are o rezistență electrică ridicată. Prin
urmare, regiunea de epuizare acționează similar cu dielectricul condensatorului . Astfel, dioda
de joncțiune p-n poate fi considerată un condensator cu armături paralele.

În regiunea de epuizare, sarcinile electrice (ionii pozitivi și negativi) nu se deplasează,

cu toate acestea, ele generează câmp electric. Prin urmare, sarcina electrică este stocată în
regiunea de depleție sub forma câmpului electric.

Cum proprietatea unui material de a stoca sarcină electrică se numește capacitate,

putem vorbi despre o capacitate o capacitate electrică în regiunea de epuizare a diodei
polarizate invers. Aceasta poartă denumirea de capacitate de joncțiune (capacitate de
barieră sau capacitate de tranziție).

Capacitatea de joncțiune se modifică odată cu valoarea tensiunii inverse aplicate.

Când tensiunea de polarizare inversă aplicată diodei cu joncțiune p-n este mărită, un număr
mare de goluri (purtători majoritari) din semiconductorul de tip p și electroni (purtători
majoritari) din semiconductorul de tip n sunt îndepărtați de joncțiunea p-n. Ca rezultat,
lățimea regiunii de epuizare crește, în timp ce dimensiunea regiunilor semiconductoare de tip
p și n cu purtători în banda de conducție scade.

Dioda semiconductoare cu joncțiune p-n cu lățimea regiunii de epuizare îngustă și

regiuni semiconductoare dopate de tip p și tip n de dimensiuni mari va stoca o cantitate mare
de sarcină electrică, în timp ce dioda cu joncțiune p-n cu lățimea zonei de epuizare largă și
regiuni semiconductoare tip p și tip n de dimensiuni mici, va stoca doar o cantitate mică de
sarcină electrică. De aceea, capacitatea diodei cu joncțiune p-n polarizată invers scade odată
cu creșterea tensiunii.

3
 Fig. 2.85 Formarea capacității de joncțiune la nivelul zonei de epuizare al diodei
semiconductoare cu joncțiune p-n polarizată invers. [41 – editat]

Într-o diodă polarizată direct există deopotrivă capacitate de joncțiune și capacitate

de difuzie. Cu toate acestea, capacitatea de tranziție este foarte mică în comparație cu
capacitatea de difuzie. Prin urmare, capacitatea de tranziție este neglijată în analiza
funcționării diodei polarizate direct.

Cantitatea de sarcină electrică de la nivelul regiunii de epuizare a unei diode

modificată prin variația tensiunii de polarizare are dimensiunea unei capacități și se numește
capacitate de joncțiune, exprimată matematic prin relația:

dQj
Cj = , (2.61)
dvd

unde,

Cj = capacitatea de barieră (joncțiune, tranziție), (2.62)

Qj = sarcina stocată în regiunea de epuizare

în absența unui curent electric prin diodă, (2.63)

4
v = tensiunea instantanee de polzarizare (preponderent inversă). (2.64)

Capacitatea de difuzie ia naștere într-o diodă semiconductoare cu joncțiune p-n

polarizată direct. Capacitatea de difuzie, numită și capacitate de stocare este notată în mod
uzual cu 𝐶𝑑 .

La nivelul unei diode polarizată direct peste tensiunea de prag, capacitatea de difuzie
este mult mai mare decât capacitatea de joncțiune, cea de a doua fiind de obicei neglijată în
cazul analizei funcționării polarizării directe peste tensiunea de deschidere.

Când se aplică o tensiune de polarizare directă pe dioda semiconductoare cu joncțiune

p-n, electronii (purtătorii majoritari) din regiunea semiconductoare de tip n se vor deplasa în
regiunea semiconductoare de tip p și se vor recombina cu goluri. În mod similar, golurile din
regiunea semiconductoare de tip p se vor muta în regiunea semiconductoare de tip n și se vor
recombina cu electroni. Ca rezultat, lățimea regiunii de epuizare scade.

Electronii (purtătorii de sarcină majoritari) care traversează regiunea de epuizare și

intră în regiunea semiconductoare de tip p vor deveni purtători minoritari ai regiunii
semiconductoare de tip p; în mod similar, golurile (purtătorii de sarcină majoritari) care
traversează regiunea de epuizare și intră în regiunea semiconductoare de tip n vor deveni
purtători minoritari ai regiunii semiconductoare de tip n.

Un număr mare de purtători de sarcină electrică, care încearcă să se mute într-o altă
regiune, vor fi acumulate în apropierea regiunii de epuizare înainte ca acestea să se
recombine cu transportatorii majoritari. Ca rezultat, o cantitate mare de încărcare este
stocată pe ambele părți ale joncțiunii p-n.

Acumularea de goluri din regiunea n și cea de electroni din regiunea p sunt separate
printr-o regiune de epuizare foarte redusă ce se limitează strict la joncțiune p-n fizică (acolo
unde se alătură cele două tipuri de materiale semiconductoare. Această regiune de epuizare
extrem de îngustă acționează ca dielectric (sau izolator) al condensatorului și sarcină stocată
pe ambele părți ale stratului de epuizare acționează ca armături conductoare ale
condensatorului.

5
 Fig. 2.86 Formarea capacității de difuzie la nivelul joncțiunii diodei semiconductoare cu
joncțiune p-n polarizată direct. [41 – editat]

Capacitatea de difuzie este direct proporțională cu curentul electric sau tensiunea

aplicată. Dacă un curentul electric de valoare mare trece prin diodă, se acumulează o cantitate
mare de sarcină electrică în apropierea joncțiunii p-n. Ca rezultat, apare o capacitate mare de
difuzie.

În mod similar, dacă un curent electric mic trece prin diodă, se acumulează doar o
cantitate mică de sarcină electrică în apropierea joncțiunii p-n. Ca urmare, apare o capacitate
mică de difuzie.

Când dimensiunea zonei de epuizare scade, capacitatea de difuzie crește. Valoarea

capacității de difuzie va fi în intervalul nanofarazilor (nF) - microfarazilor (μF).

Capacitatea de difuzie se poate exprima matematic asemănător cu capacitatea de

joncțiune din relația (2.61) cu diferențele datorate regiunilor de funcționare:

dQd
Cd = , (2.65)
dvd

6
 unde,

Cd = capacitatea de difuzie (stocare), (2.66)

Qj = sarcina stocată în apropierea joncțiunii p − n

în prezența unui curent electric prin diodă, (2.67)

𝑣𝑑 = tensiunea instantanee de polzarizare directă (preponderent peste prag) (2.68)

Comportamentul neliniar al diodei semiconductoare cu joncțiune p-n permite

utilizarea acesteia ca un comutator static. Acest fapt este evidențiat în special în cazul
modelelor liniare pe porțiuni ale diodei.

În figura 2.87 diodele e comutație D1 și D2 sunt utilizate sub forma unor comutatoare
statice realizând funcția logica booleană OR.

Fig. 2.87 Utilizarea diodelor semiconductoare cu joncțiune p-n într-un circuit digital ce
realizează funcția booleană OR.

Formele de undă ale tensiunilor de intrare V1 și V2 (variabile independente) și de ieșire

tensiunea la bornele rezistorului R1 V(R1) pun în evidență realizarea funcției logice OR, așa
cum se poate observa din figura 2.89.

7
 Variabila de intrare V1 (de culoare verde în figura 2.88) este un semnal dreptunghiular
cu factor de umplere 50% și magnitudinea vârf la vârf de 5V. Frecvența de repetiție a
semnalului V1 este de 500MHz, perioada de repetiție fiind, în mod evident, de 2ns.

Duratele frontului de creștere și de descreștere a semnalului dreptunghiular nu pot fi

în mod real 0 (zero), ceea ce ar fi rezultatul unui circuit generator cu viteză de creștere a
tensiunii de ieșire (slew rate) infinită. Din acest motiv, am ales o durată extrem de mică de 1fs
pentru ambele fronturi pentru a fi cat mai aproape de forma dreptunghiulară ideală.

Fiind vorba despre un sistem numeric, duratele frontului vor fi ignorate de către
circuitul digital.

Variabila de intrare V2 (de culoare albastră în figura 2.88) este un semnal

dreptunghiular cu factor de umplere 50% și magnitudinea vârf la vârf de 5V. Frecvența de
repetiție a semnalului V1 este de 1GHz, perioada de repetiție fiind, în mod evident, de 1ns.

Din același motiv ca și în cazul lui V1, am ales o durată extrem de mică de 1fs pentru
ambele fronturi pentru a fi cat mai aproape de forma dreptunghiulară ideală.

8
Fig. 2.88 Formele de undă ale tensiunilor de intrare și ieșire ale circuitului din figura 2.87.

9
 Circuitul din figura 2.89 utilizează frecvențe a semnalelor de intrare de 1000 de ori mai
mari ca a circuitului din figura 2.87.

Fig. 2.89 Utilizarea circuitului din figura 2.87 la o frecvență de 1000 de ori mai mare a
semnalelor de intrare pentru a pune în evidență limitele de funcționare în domeniul
frecvență a circuitului digital.

Formele de undă din figurile 2.88 și 2.90 pun în evidență amândouă realizarea funcției
logice booleene OR cu specificația faptului că magnitudinea semnalului de ieșire V(R1) (de
culoare roșie în ambele figuri) din figura 2.90 nu mai îndeplinește condițiile impuse în primul
curs pentru discernerea între nivelurile specifice celor două valori de adevăr asociate
semnalului digital.

Diferența dintre magnitudinile celor două semnale de ieșire din figurile 2.88 și
2.90 se datorează influențelor capacităților de joncțiune și de difuzie ale celor două diode
asupra semnalelor de frecvență diferită.

Frecvențele limită de funcționare se impun atunci când semnalul logic de ieșire nu

poate fi restaurat în siguranța din punct de vedere logic.

10
Fig. 2.90 Formele de undă ale tensiunilor de intrare și ieșire ale circuitului din figura 2.89.

11
Regimul de comutație al tranzistorului bipolar cu joncțiuni p-n

Regiuni de funcționare

Tranzistorul bipolar are patru regiuni distincte de funcționare definite de modul în care
sunt polarizate cele două joncțiuni ale sale [20]. Regiunile de funcționare pot fi descrise în
termeni de tensiuni aplicate la nivelul terminalelor (această descriere se aplică tranzistorilor
de tip NPN, polaritățile sunt inversate pentru tranzistoarele de tip PNP).

Fig. 2.152 Mărimile electrice la nivelul și prin terminalele tranzistorului bipolar inclusiv
potențialele terminalelor față de potențialul de referință considerat prin convenție nul.

Regiunea activă normală (figura 2.153) poate fi descrisă prin următoarele relații
comparative între tensiunile dintre terminalele tranzistorului sau între potențialele
terminalelor acestuia fața de un potențial nul de referință:

𝐕𝐁𝐄 > 𝟎 < 𝐕𝐂𝐁 , (𝟐. 𝟏𝟓𝟎)

sau echivalent prin potențialele terminalelor fața de un potențial nul de referință:

12
𝐕𝐄 < 𝐕𝐁 < 𝐕𝐂 (𝟐. 𝟏𝟓𝟏)

Regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncțiunii bază –

emitor și polarizarea inversă a joncțiunii colector – bază. În această regiune tranzistorul
bipolar poate amplifica liniar semnalele de intrare, fiind prima opțiune de utilizarea a
tranzistorului în circuitele electronice analogice.

O caracteristică specifică acestei regiuni de funcționare este valoarea foarte mare a

factorului de amplificare în curent în conexiune emitor comun și o valoare aproximativ unitară
a factorului de amplificare în curent în conexiune bază comună:

hfe = βF → valori foarte mari, de ordine de mărime 1 ÷ 3 (2.152)

αF → 1 (2.153)

Regiunea de saturație (figura 2.153) poate fi descrisă prin următoarele relații

comparative între tensiuni dintre bornele tranzistorului sau între potențialele terminalelor
acestuia:

𝐕𝐁𝐄 > 𝟎 > 𝐕𝐂𝐁 (𝟐. 𝟏𝟓𝟒)

sau echivalent prin potențialele terminalelor fața de un potențial nul de referință:

𝐕𝐄 < 𝐕𝐁 > 𝐕𝐂 (𝟐. 𝟏𝟓𝟓)

Regiunea de saturație este caracterizată de polarizarea directă a joncțiunii bază –

emitor și polarizarea directă a joncțiunii colector – bază. În această regiune tranzistorul
bipolar nu poate amplifica liniar semnalele de intrare.

O caracteristică specifică acestei regiuni de funcționare este valoarea mică a tensiunii

dintre colector și emitor – numită tensiune de saturație ce duce la o putere totală disipată la
nivelul transistorului foarte mică făcându-l ideal pentru utilizarea în circuite ce funcționează
în regim de comutație și, implicit, în circuite electronice digitale:

VCE = VCEsat → 0 (2.156)

Ptot = (VCEsat ∙ IC ) → 0 (2.157)

13
Fig. 2.153 Reprezentarea grafică a regiunilor de funcționare ale tranzistorului bipolar într-un
plan cartezian 𝑉𝐵𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 .

Regiunea de blocare (figura 2.153) poate fi descrisă prin următoarele relații

comparative între tensiuni dintre bornele tranzistorului sau între potențialele terminalelor
acestuia:

𝐕𝐁𝐄 < 𝟎 < 𝐕𝐂𝐁 (𝟐. 𝟏𝟓𝟖)

sau echivalent prin potențialele terminalelor fața de un potențial nul de referință:

𝐕𝐄 > 𝐕𝐁 < 𝐕𝐂 (𝟐. 𝟏𝟓𝟗)

14
 Regiunea de blocare este caracterizată de polarizarea inversă a joncțiunii bază –
emitor și polarizarea directă a joncțiunii colector – bază. În această regiune tranzistorul
bipolar nu poate amplifica liniar semnalele de intrare.

O caracteristică specifică acestei regiuni de funcționare este valoarea mică a

curentului dintre colector și emitor – numit curent de blocare ce duce la o putere totală
disipată la nivelul transistorului foarte mică făcându-l ideal pentru utilizarea în circuite ce
funcționează în regim de comutație și, implicit, în circuite electronice digitale:

ICE = ICE0 → 0 (2.160)

Ptot = (VCE ∙ ICE0 ) → 0 (2.161)

Regiunea activă inversă (figura 2.153) poate fi descrisă prin următoarele relații
comparative între tensiuni dintre bornele tranzistorului sau între potențialele terminalelor
acestuia:

𝐕𝐁𝐄 < 𝟎 > 𝐕𝐂𝐁 (𝟐. 𝟏𝟔𝟐)

sau echivalent prin potențialele terminalelor fața de un potențial nul de referință:

𝐕𝐄 > 𝐕𝐁 > 𝐕𝐂 (𝟐. 𝟏𝟔𝟑)

Regiunea activă inversă este caracterizată de polarizarea inversă a joncțiunii bază –

emitor și polarizarea directă a joncțiunii colector – bază. În această regiune tranzistorul
bipolar poate amplifica liniar semnalele de intrare, dar cu un randament scăzut și amplificare
mică, motiv pentru care este o regiune de funcționare rar utilizată.

O caracteristică specifică acestei regiuni de funcționare este valoarea foarte mică a

factorului de amplificare în curent în conexiune emitor comun și o valoare sensibil subunitară
a factorului de amplificare în curent în conexiune bază comună datorită asimetriei geometrice
și a nivelului de dopare specifice tranzistorului bipolar:

βR → valori foarte mici, de ordine de mărime 0 ÷ 1 (2.164)

αR < 1 (2.165)

15