1.

Ce tip de condensator poate avea valori mari ale capacitatii (mii de

microfarazi)?
Condensatorul electrolitic

2. Valoarea reala a rezistentei unui resistor este cu atat mai apropiata de valoare
nominala cu cat:
Valoarea tolerantei este mai mica

3. Valoarea rezistentei termistoarelor:

Scade odata cu cresterea temperaturii mediului ambient

4. Inductanta unei bobine poate fi crescuta prin:

Cresterea permeabilitatii miezului bobinei
Cresterea numarului de spire
Cresterea sectiunii miezului bobinei
Scaderea reductantei bobinei

5. Valoarea reala a rezistentei unui resistor:

Creste odata cu cresterea temperaturii mediului ambient

6. Variatia rezistentei cu pozitia cursorului unei rezistente variabile poate fi:

Liniara
Neliniara
Logaritmica

7. Penutr a obtine o valoare a unei capacitatii prin insumarea capacitatilor mai

multor condensatoare, acestea trebuie conectate:
In derivatie

8. Cantitatea de sarcina electrica stocata de un condensator

Creste odata cu cresterea capacitatii
Scade odata cu scaderea tensiunii la borne

9. Capacitatea unui condensator:

 Creste odata cu cresterea permitivitatii relative a dielectricului dintre
armaturi
Scade odata cu scaderea permitivitatii relative a dielectricului dintre
armature

10.Tipurile de catod constructive posibile:

Catod fara incalzire
Catod cu incalzire directa
Catod cu incalzire indirecta
Catod rece

11.Intr-o diode polarizata direct:

Potentialul electric al anodului este ai mare decat cel al catodului

12.Daca se considera o diode cu vid:

Atunci cand potentialul anodului este egal cu cel al catodului diode nu
conduce curentul electric
Atunci cand este polarizata direct diode conduce curentul electric
Atunci cand este polarizata invers dioda nu conduce curentul electric

13.Intr-o triode cu vid, in conditii normale de lucru:

Potentialul electric al catodului este -> egal cu potentialul electric al
catodului
Potentialul electric al anodului este -> mai mare decat pontetialul electric
al catodului
Potentialul electric al grilei de comanda este -> mai ic decat potentialul
catodului

14.Intr-un circuit cu tetrode aflat in utilizare normala:

Potentialul grilei ecran este mai mic decat potentialul anodului

15.Intr-o pentode cu vid:

Curentul stabilit prin grila ecran -> nu depinde de efectul de emisie
secundara al anodului
Potetialul grilei supresoare -> este egal cu cel al catodului
 Grila supresoare -> nu impiedica trecerea electronilor primari prin
supresor spre anod

16.Tipuri de tuburi electronice care au grila ecran:

Tetroda
Pentoda
Hexoda

17.Emisia secundara are loc atunci cand purtatorii de sarcina preiau:

Energie cinetica de alti purtatori de sarcina in miscare

18.In utilizare normale, trioda cu vid face parte din:

circuitul de intrare a semnalului -> prin fluxul de electroni dintre catod si
grila de comanda
circuitul de iesire al semnalului -> prin fluxul de electroni dintre catod si
anod

19.Marimea cuplajului dintre circuitul de iesire si circuitul de intrare aferente

unei triode cu vid:
Creste odata cu cresterea capacitatii parasite dintre anod si grila
Creste odata cu cresterea frecventei semnalului de lucru
Scade odata cu cresterea distantei dintre grila de comanda si anod
Creste odata cu scaderea reactantei capactive parasite dintre grila de
comanda si anod
Nu este influentata de capacitatea parazita dintre grila de comanda si
catod

20.Pentru a creste curentul anodic intr-o triode cu vid:

Potentialul electric al catodului -> trebuie scazut
Potentialul electric al anodului -> trebuie crescut
Potentialul electric al grilei de comanda -> trebuie crescut

21.Energia necesara trecerii unui elecetroc din stare legata in stare libera intr-un
material depinde de:
Tipul de material
 Tipul de retea cristalina in care cristalizeaza materialul
Temperatura materialului

22.Intr-o triode cu vid parametrii functionali au urmtoarele definitii:

Variatia tensiunii anodice / Variatia curentului anodic resultant (tensiunea
de grila ramane constanta) reprezinta rezistenta anodica in c.a (rp)
Variatia tensiunii anodice / Variatia tensiunii de grila care o determina
(curentul anodice ramane constant) reprezinta constanta de amplificare
(miu)
Variatia curentului anodic / Variatia tensiunii de grila care o produce
(tensiunea anodica ramane constanta) reprezinta transconductanta (gm)

23.Intr-un material semiconductor intrinsec: numarul electronilor de conductie

este egal cu numarul golurilor

24.Dirijarea purtatorilor de sarcina intr-un material semiconductor se poate prin:

Aplicarea unui camp electric asupra materialului semiconductor

Realizarea unei distributii neuniforme de concentratii a purtatorilor de
sarcina

25.Materialele semiconductoare extrinseci

de tip n: sunt dopate controlat cu impuritati donoare
de tip p: sunt dopate controlat cu impuritati acceptoare

26.Materialele semiconductoare sunt definite prin valorile urmatorilor

parametrii: Rezistivitatea electrica, conductivitatea electrica

27.Intr-un material semiconductor intrisec, numarul de perechi electron-gol:

creste odata cu cresterea temperaturii materialului

28.In materialele semiconductoare extrinseci

 de tip p -> golurile sunt purtatori majoritari de sarcina si electronii sunt
purtatori minoritari de sarcina
de tip n -> electronii sunt purtatori majoritari de sarcina si goluri sunt
purtatori minioritari de sarcina

29.Intr-u material semiconductor dopat neuniform cu impuritati donoare,

curentul de difuzie se stabileste dinspre zona cu valori mai mari ale
concentratiilor impuritatilor catre zona cu valori mai mica ale acestora
30.Doparea materialelor semiconductoare extrinseci cu impuritati
donoare determina aparitia unui nivel energetic permis localizat in
proximitatea benzii de conductie
acceptoare determina aparitia unui nivel energetic permis localizat in
proximitatea benzii de valenta

31.Fenomenul de conductivitate electrica a materialelor semiconductoare este

modelat prin:
deplasarea ordonata a electronilor in banda de conductie
deplasarea ordonata a golurilor in banda de valenta

32.In conditii normale de operare, latimea benzii interzise are valoarea

aproximativa de:
0.67 eV pentru Ge
1.43 eV pentru GaAs
1.14 eV pentru Si

33.Intr-un material semiconductor exista urmatoarele categorii de purtatori de

sarcina:
electroni de conductie
goluri de valenta

34.In conditii normale de utilizare, conductivitatea electrica a unui material

semiconductor este:
mai mica decat -> conductivitatea electrica a unui material conductor
 mult mai mare decat -> conductivitatea electrica a unui material isolator
mai mare decat -> conductivitatea electrica a unui material dielectric

35.Intr-o jonctiune pn
valoarea curentului invers creste odata cu cresterea temperaturii
jonctiunii on
valoarea curentului direct creste odata cu cresterea temperaturii
jonctiunii pn
valoarea tensiunii de strapungere creste odata cu cresterea temperaturii
jonctiunii pn

36.Intr-o jonctiune pn nepolarizata

electronii de conductie difuzeaza -> din regiunea n in regiunea p
golurile difuzeaza -> din regiunea p in regiunea n

37.In conditii de polarizare inversa, curentul prin jonctiunea pn are o valoare

mica aproximativ constanta

38.In conditii de polarizare directa, cunretul prin jonctiunea pn depinde

exponential de tensiunea directa aplicata pe capetele jonctiunii pn

39.Intr-o jonctiune pn nepolarizata si aflata la echilibru termic:

golurile sunt purtatori de sarcina majoritari -> in regiunea p
electronii sunt purtatori de sarcina minoritari -> in regiunea p

40.Atunci cand o jonctiune pn este polarizata invers:

sarcina electrica din regiunea de trecere creste
lungimea regiunii de trecere creste
 inaltimea barierei interne de potential creste
valoarea maxima a campului electric intern creste

41.Intr-o jonctiune pn nepolarizata si aflata la echilibru termic:

electronii sunt purtatori de sarcina majoritari -> in regiunea n
golruile sunt purtatori de sarcina minoritari -> in regiunea n

42.Intr-o jonctiune pn nepolarizata aflata la echilibru termic campul electric

intern este orientat dintre regiunea n inspre regiunea p

43.Daca este aplicata o tensiune pe capetele unei jonctiuni on, astfel incat:
potentialul regiunii p este pozitiv in raport cu potentialul regiunii n, atunci
jonctiunea pn este polarizata direct
potentialul regiunii p este egal cu potentialul regiunii n, atunci jonctiunea
pn nu este polarizata
potentialul regiunii p este negative in raport cu pontetialul regiunii n, atunci
jonctiunea on este polarizata invers

44.Atunci cand o jonctiune pn este polarizata direct:

valoarea maxima a campului electric intern -> scade
inaltimea barierei interne de potential -> scade
lungimea regiunii de trecere -> scade
sarcina electrica din regiunea de trecere -> scade

45.In zona de trecere a unei jonctiuni pn nepolarizate:

intensitatea campului electric variaza linar cu distanta fata de planul
jonctiunii
potentialul electrostatic variaza parabolic cu distanta fata de planul
jonctiunii

46.Regiunea de trecere se extinde mai mult in domeniul semiconductor mai slab

dopat.
47.

se deplaseaza in sus pe caracteristica curent-tensiune -> atunci cand

rezistenta R de limitare a curentului scade
se deplaseaza in jos pe caracteristica current-tensiune -> atunci cannd
rezistenta R de limitare a curentului creste

48.Diodele semiconductoare se pot clasifica dupa functia indeplinita de circuitul

care le contine, dupa cum urmeaza:
diode redresoare
diode stabilizatoare
diode varicap
diode Schottky
dodide tunel

49.In diode Skottky se exploateaza propietatile neliniare oferite de un contact

metal – semiconductor de tip n

50.Dioda pin
are o rezistenta interna puternic dependenta de tensiunea aplicata la
borne
contine un strat intermediar de semiconductor nedopat
 are regiunile impurificate puternic dopate

51.In cazul diodei tunel

pe o portiune a caracteristicii directe, rezistenta interna a diodei -> este
negative
zona de tranzitie -> este foarte ingusta
jonctiunea pn -> este abrupta
doparea cu impuritati -> este foarte ridicata
52.In cazul diodelor stabilizatoare (Zener)
curentul de stabilizare este -> curent invers prin diode
in operare se utilizeaza -> portiunea din cadranul III a caracteristicii
curent-tensiune
fenomenul fizic exploatat este ->multiplicarea in avalansa a purtatoriilor
de sarcina

53.Diodele Schottky, comparativ cu diodele redresoare normale au:

tensiune de blocare mai mica
tensiunea de deschidere mai mica
timpul de comutatie mai mic

54.Pentru o diode semiconductoare, asa cum este reprezentata in figura

in conditii de polarizare inversa -> potentialul catodului este mai mare decat
potentialul anodului
 in conditii de polarizare directa -> potentialul electric al anodului este mai
mare decat potentialul catodului

55.In functie de tehnologia de realizare, se pot identifica urmatoarele tipuri de

diode semiconductoare:
diode aliate
diode difuzate
diode epitaxiale

56.Pentru evitarea fenomenului de strapungere termica a diodelor

semiconductoare:
in polarizare inversa -> tensiunea de polarizare trebuie limitata superior prin
elemente de circuit
in polarizare directa -> curentul de conductie trebuie limitat superior prin
elemente de circuit

57.In cazul diodei varicap:

capacitatea de bariera scade odata cu cresterea tensiunii de polarizare
inversa
in operare normala este aplicata -> polirazare inversa
tensiunea de polarizare influenteaza -> capacitatea de bariera

58.Intre marimile termice si marimile electrice se pot stabili urmatoarele

analogii:
cantitatea de caldura este analoaga cu -> cantitatea de electricitate (sarcina
electrica)
temperature este analoaga cu -> potentialul electric
puterea termica este analoaga cu -> intensitatea curentului electric
diferenta de temperature este analoaga cu -> diferenta de potential electric
constanta de timp termica -> constanta de timp electrica

59.Exista doua categorii de modele pentru circuitele termice echivalente unui

dispozitiv semiconductor
modelul Cauer -> care este format din celule RC de tip T
 modelul Foster -> care este format din celule RC de tip pi

60.Puterea disipata de un dispozitiv semiconductor creste

odata cu cresterea diferentei de temperature
odata cu scaderea rezitentei termice totale

61.In cazul utilizarii unui radiator cu racier prin convective fortata a aerului
(ventilatie), impendata radiator – ambiant
scade odata cu cresterea vitezei de convective fortata a aerului [m/s]
scade odata cu cresterea debitului de convective fortata a aerului [m^3/s]

62.In cazul unei diode semiconductoare, pentru a obtine stabilitatea termica in

regim de comutatie
viteza de variatie a puterii evacuate trebuie sa fie mai mare decat viteza de
variatie a puterii disipate

63.La aceeasi diferenta de temperature dintre capsula si mediul ambient,

cantitatea de caldura transferata in unitatea de timp (puterea disipata) creste
odata cu scaderea rezistentei termice capsula-ambient

64.In cazul unei diode semiconductoare, la cresterea temperaturii jonctiunii

creste curentul de saturatie in polarizare inversa
la aceeasi tensiune de polarizare directa, creste intensitatea cunretului
direct
creste tensiunea de strapungere
la acelasi curent direct scade caderea de tensiune directa de pe diode
65.In montajul cu conexiune in baza comuna din figura alaturata

curentul electric de iesire -> este curentul de colector

curentul electric de intrare -> este curentul emitor

66.Pentru un montaj electronic

caracteristica de transfer stabileste -> dependenta dintre o marime de
intrare si o marime de iesire, cand celelalte marimi sunt constante
caracteristica de intrare stabileste -> dependenta dintre o marime de intrare
si o alta marime de intrare, cand celelalte marimi sunt constante
caracteristica de iesire stabileste -> dependenta dintre o marime de iesire si
o alta marime de iesire, cand celelalte marimi sunt constante

67.Intr-un transistor de tip pnp

regiunea colectorului -> este dopata cu impuritati acceptoare
regiunea bazei -> este dopate cu impuritati donoare
regiunea emitorului -> este dopata puternic cu impuritati acceptoare

68.Intr-un tranzitor bipolar de tip npn (reprezentat simbolic in imaginea din

dreapta)
 sensul deplasarii purtatorilor de sarcina in operare normala (regiunea active
normala) -> este invers fata de sensul sagetii din simbolul tranzitorului
sensul curentului electric in operare normala (regiunea active normala) ->
este acelasi cu sensul sagetii din simbolul tranzitorului
69.Curentul electric de emitor care se formeaza intr-un tranzitor bipolar in
operare normala (regiunea active normala)
in cazul tranzitorului de tip npn -> este determinat in mod covarsitor de
deplasare purtatorilor de sarcina negativi (electroni de conductie)
in cazul tranzitorului de tip pnp -> este determinat in mod covarsitor de
deplasarea purtatorilor de sarcina pozitivi (goluri)

70.Structura unui tranzitor bipolar consta in succesiunea urmatoarelor regiuni:

regiunea emitorului -> jonctiunea baza-emitor -> regiunea bazei -> joctiunea
baza-colector->regiunea colectorului

71.Pentru a obtine efectul tranzistor trebuie ca

regiunea bazei sa fie mult mai ingusta decat celelalte regiuni neuter
regiunea emitorului trebuie sa fie mult mai puternic dopata cu impuritati
decat celelalte doua regiuni neuter

72.Cele trei conexiuni ale tranzitorului bipolar sunt dupa cum urmeaza:
 este reprezentata conexiunea cu colector comun

este reprezentata conexiunea cu baza comuna

este reprezentata conexiunea cu emitor comun

73.In cele patru regiuni de functionare ale tranzitorului, polarizarile celor doua
jonctiuni (JE – jonctiunea emitorului si JC – jonctiunea colectorului) sunt:
 Regimul active normal: [JE este polarizata direct] si [JC este polarizata
invers]
Regimul active invers: [Je este polarizata invers] si [JC este polarizata direct]

74.Intr-un traniztor bipolar se defines factorii de amplificare in curent

hFB(cu tranzistorul in conexiunea BC) este raportul dintre -> curentul de
colector si curentul de emitor
hFE(cu traniztorul in conexiune EC) este raportul dintre -> curentul de
colector si curentul de baza

75.Efectul de traniztor consta in deplasarea de purtatori de sarcina majoritari de

la regiunea emetorului printr-o jonctiune polarizata direct si prin regiunea
bazei, care sunt apoi accelerate printr-o jonctiune polarizata invers catre
regiunea colectorului.

76.Pentru un montaj in conexiune cu emitor comun, caracrestica de iesire

stabileste dependeta dintre curentul de colector si tensiunea colectoor-
emitor atunci cand curentul de baza este constant sau tensiunea baza-emitor
este constanta.

77.Regiunea de operare sigura din punct de vedere termic a unui tranzitor

bipolar este definita de urmatoarele valori:
valoarea maxima a tensiunii colector-emitor
valoarea maxima a curentului de colector
valoarea maxima a puterii dissipate pe jonctiunea colectorului
78.Fenomenul de strapungere a unui tranzitor bipolar
este determinat de polarizarea inversa excesiva a jonctiunii colectorului
este insotit de o crestere mutiplicativa a curentului de colector
determina incalzirea excesiva a jonctiunii colectorului

79.Intr-un etaj in emitor comun cu un tranzitor bipolar

terminalul de iesire pentru semnalul util este -> colectorul tranzitorului
terminalul comun intre circuitul de intrare si circuitul de iesire este ->
emitorul tranzistorului
terminalul de intarere pentru semnalul util este -> baza tranzistorului

80.Pentru un transistor bipolar avand factorul de amplificare in curent h FE:

valoarea factorului de amplificare in curent hFE in general creste la nival
global -> odata cu cresterea temperaturii jonctiunii colectorului la aceeasi
valaore a curentului de colector
valoarea factorului de amplificare in curent hFE scade brusc -> la valori mari
ale curentului de colector
valoarea factorului de amplificare in curent hFE se mentine intre limite
relative apropiate -> la valori mici si medii ale curentului de colector

81.Pentru ca intr-un etaj cu tranzitor bipolar

rezistenta de intrare sa fie cat mai mare -> se foloseste montajul in colector
comun
amplificarea in tensiune sa fie cat mai mare -> se foloseste montajul in baza
comuna
amplificarea in putere sa fie cat mai mare -> se foloseste montajul in emitor
comun
82.

83.La valori mici ale tensiunii v_DS applicate intre drenna sis ursa unui TEC, in
utilizare normala curentul de drena i_D variaza liniar cu v_DS

84.Pentru traniztoarele de tip TEC-MOS, in utilizare normala, sunt adevarate

urmatoarele afirmatii:
in cazul unui canal indus de tip n -> tensiunea de polarizare a portii trebuie
sa fie pozitiva
in cazul unui canal indus de tip p -> tensiunea de polarizare a portii trebuie
sa fie negative
in azul unui canal initial de tip n -> tensiunea de polarizare a portii poate fi
pozitiva sau negative

85.Tipuri de traniztori:
86.Intr-un TEC-J cu canal n, in utilizare normala, sunt adevarate urmatoarele
afirmatii:
purtatorii de sarcina sunt electroni de conductie
potentialul de comanda aplicat pe poarta trebuie sa fie mai mic fata de
potentialul sursei
atunci cand se aplica pe poarta tensiunea de prag, canalul este complet
inchis

87.Deplasarea purtatorilor de sarcina in canalul unui TEC este rezultatul aplicarii

unei diferente de potential intre drena si sursa

88.Tensiunea de polarizare a grilei modifica valoarea conductantei canalului

in cazul TEC-MOS -> prin modificarea concentratiei purtatorilor de sarcina
din canal
in cazul TEC-J -> prin modificarea sectiunii canalului

89.Pentru un TEC sunt adevarate urmatoarele afirmatii

valoarea curentului de poarta -> este nula
in regiunea de saturatie, valoarea curentului de drena -> nu depinde
tensiunea drena-sursa
in regiunea de semnal mic, valoarea curentului de drena -> depinde linear d
etensiunea drena-sursa

90.Intr-un traniztor cu efect de camp (TEC), conductanta canalului este

modificata cu ajutorul unui potential aplicat terminalului poarta
91.In cazul unui TEC-MOS cu canal n
regiunea drenei -> este dopata puternic cu impuritati donoare
regiunea substratului -> este dopata cu impuritati acceptoare

92.Selectati structurile semiconductoare care au terminal de coamnda (poarta,

grila):
tiristor
 triac

93.Sa se selecteze combinatiile adevarate:

Atunci cand tensiunea la bornele dinistorului are polaritatea + la catod si –
la anod -> dinistorul intra in starea de blocare in invers
Atunci cand tensiunea la bornele unui dinistor are polaritatea – la catod si +
la anod si depaseste valoarea de amorsare -> dinistorul intra in starea de
conductie
Atunci cand curentul prin dinistor scade sub valoarea de mentinere, in
polarizare directa -> dinistorul intra in starea de blocare in direct

94.Structurile semiconductoare formate din cinci regiuni dopate alternativ:

diac
triac

95.Se da urmatoarea caracteristica ce exprima dependeta curentului de

mentinere I_H de temperatura jonctiunilor T_J pentru un diac, luand ca
referinta valoarea I_H la temperature jonctiunilor de 25 grade C.

Valoarea curentului de mentinere I_H creste cu circa 50% -> atunci cand
temperature jonctiunilor este in jur de -15 gr C
Valoarea curentului de mentinere I_H creste cu circa 35% -> atunci cand
temperature jonctiunilor este in jur de +85 gr C
Valoarea curentului de mentinere I_H creste cu circa 20% -> atunci cand
temepratura jonctiunilor este in jur de +10 gr C
Valoarea cunretului de mentinere I_H scade cu circa 25% -> atunci cand
temperature jonctiunilor este in jur de +60 gr C
Zgomotul electric
Prin zgomot intelegm un semnal electric (curent sau tensiune) fluctuant, cu o
variatie intamplaplatoare in timp. Notiunea de zgomot (electric) se foloseste
in domeniul circuitelor electronice indifferent daca flucatiile electrice pot fi
puse sau nu in evienta pe cale acustica.

Caracteristicile zgomotului
 Zgomotul electronic poate fi considerat ca modificare aleatorie
nedorita a caracteristicilor unui semnal purtator de informatie
(amplitudine, faza, spectru de frecvente)
 Analiza zgomotelor se poate face in functie de sursa zgomotului si de
mecansimul predominant de generare a zgomotului
 Sursele de zgomot sunt
 interne (intra-sistem) – doar sursele de zgomot interne,
propria dispozitevelor electronice
 externe (inter-sistem) pentru un sistem considerat –
interferente, distorsiuni, etc
Sursele de zgomot electric se caracterizeaza printr-o anumita densitate
spectrala. Daca aceastsa densitate este uniforma intr-o banda larga de
frecvente, avem de-a face cu un zgomot alb.
Tipuri de zgomot intern ale dispozitvelor semiconductoare: zgomotul de
agitatie termica (generat de elemente de circuit resistive), zgomotele
tuburilor electronice (apar la tuburile cu catozi de oxizi), zgomotul diodelor
semiconductoare si al tranzistoarelor cu urmatoarele componente:
zgomotul de agitatie termica, zgomotul de alice, zgomotul 1/f, zgomotul de
contact.
Zgomotul termic este zgomotul care rezulta din miscarea aleatorie a
purtatorilor de sarcina intr-un mediu conductor sau semiconductor. O astfel
de agitatie aleatorie la nivel atomic este o caracteristica universala a
materiei la alte temperature decat zero absolut.
Zgomotul termic este numit si zgomot Johnson-Nyquist
Zgomotul termic este modelat mattematic cu ajutorul proceselor statistice
Gauss
In domeniul procesarii semnalelor, zgomotul alb este un semnal alatoriu cu
intennsitate egala la frecvente diferite, conferandu-i o densitate spectrala
de putere constanta.
Zgomotul de fluctuatie a temperaturii este rezultatul schimbului de
caldura fuctuant intre un corp de dimensiuni reduse, cum ar fi un transistor,
si in mediul sau, din caua fuctuatiilor proceselor de schimb de caldura prin
radiatie si conductie. Daca un fluid curge pe langa un corp de dimensiuni
reduse, apare si fenomenul de fluctuatie a schimbului de caldura prin
convectie.
Zgomotul de alice (Schottky) apare ca urmare a naturii discrete (cuantine) a
fluxului de curent in dispozitivele electronice
Caracteristicile zgomotului de alice:
 Zgomotul de alice
 In TE este rezultatul proceselor aleatorii de generare a
electronilor la nivelul catodului si de transport pana la anod
 In DES este rezultatul proceselor aleatorii de generare si
recombinare a purtatorilor liberi in diferitele regiuni ale
materialelor semiconductoare
Zgomotul de alice este modelat mathematic cu ajutorul proceselor
statistice Poisson.
Zgomotul 1/f : anumite fenomene din semiconductoare dau nastere unei
componente a zgomotului care are o densitate spectrala neuniforma. Un
astfel de zgomot prezinta de pilda diode Schottky, cee ace limiteaza
utlizarea ei ca detector la frecvente joase.
Caracteristicile zgomotului 1/f
 Zgomotul 1/f (zgomot de palpaire sau licarire, Flicker Noise) este un
tip de zgomot electronic intern care apare in semiconductori si in
pelicule de oxid ultra-subtiri. Zgomotul este de impuls a fost observat
mai intai in diodele cu contact (diodele Schottky)
 Zgomotul 1/f se datorează unui număr de cauze diferite.
Mecanismele fizice care dau naștere fenomenului de pâlpâire nu sunt
foarte bine cunoscute și înțelese. În principal, sursele de zgomot 1/f
sunt surse microscopice.
o Acest tip de zgomot constă în tranziții bruște în formă de
treaptă între două sau mai multe niveluri de tensiune sau
curent discrete, de până la câteva sute de microvolți, la
momente aleatorii și imprevizibile.
o Fiecare salt al tensiunii sau curentului durează adesea de la
câteva milisecunde la secunde și generează un sunet
asemănător popcornului în sistemele care pot fi conectate la
un difuzor audio.
 Zgomotul 1/f este asociat fenomenelor de la nivelul defectelor de
microstructură a materialelor semiconductoare și a oxizilor utilizați
în dispozitivelor electronice și de la nivelul interfețelor
semiconductor-oxid.
o Nu există o explicație teoretică unică pentru apariția acestui
tip de zgomot, cea mai frecvent invocată cauză este captarea
și eliberarea aleatorie a purtătorilor de sarcină la interfețele cu
pelicule subțiri de material sau în locurile cu defecte din
cristalul semiconductor, care determină fluctuații ale
numărului și mobilității purtătorilor de sarcină
 Aceste defecte pot fi cauzate de dispersia inevitabilă a parametrilor
proceselor de fabricație, cum ar fi implantarea masivă de
impurități/ioni, sau de efecte secundare neintenționate, cum ar fi
contaminarea suprafeței.
 Zgomotul de licărire se caracterizează printr-o densitate spectrală
care scade odată cu creșterea frecvenței, deci este un zgomot care
se manifestă predominat la frecvențe inferioare.
 Dependența densității spectrale de frecvență este proporțională cu
puteri negative ale frecvenței. De aceea, zgomotul intermitent este
uneori denumit zgomot 1/f.
 Funcția de densitatea spectrală de putere are forma constantă / 𝑓𝛼,
unde 𝛼are valori apropiate de unitate (0,5 < 𝛼 < 1,5) : Sx (ω) = C/ω𝛼
 Zgomotul 1/f este modelat matematic cu ajutorul proceselor
statistice Cauchy-Lorenz