Dioda semiconductoare (VD) este un dispozitiv electronic constituit dintr-o jonciune p-n, prevzut

cu 2 contacte metalice la regiunile p i n, introdus ntr-o capsul din sticl, metal, ceramic sau plastic.
Prioritatea de baz a VD semic. este c permite circularea curentului ntr-o singur direcie, de la
anod spre catod. Electronul de la regiunea p se numete anod, iar electrodul de la regiunea n catod.
Se numete jonciune p-n regiunea de trecere de la materialul semiconductor (dopat) cu
conductibilitate de tipp spre mat. semic. cu conductibilitate de tipn, ce fac parte din acela
monocristal.
Diagrama energetic a VD semiconductoare:
n fig. alturat sunt prezentate:
a) Distribuia concentraiilor impuritilor acceptoare N
a
i donoare N
d
. Dac N
a
>N
d
- jonciunea
se numete asimetric.
b) Distribuia concentraiei golurilor i electronilor la echilibru;
c) Distribuia sarcinii spaiale q;
d) Distribuia cmpului electric;
e) Potenialul cmpului electric.
n vecintatea regiunii de trecere exist variaii ale concentraiilor purttorilor majoritari (b).
Diferena dintre concentraii determin apariia procesului de difuzie i recombinare a purttorilor de
sarcin. n consecin n apropierea regiunii de trecere are loc micorarea concentraiei golurilor i
electronilor.
n urma difuziei i recombinrii, n apropierea regiunii de separaie rmne o sarcin a ionilor
necompensat (sarcin fix negativ n reg. p i sarcin fix pozitiv n reg. n), care duce la formarea
sarcinii spaiale q (c). Poriunea jonciunii cu sarcin spaial se numete regiune de trecere, iar zonele
jonciunii fr sarcin spaial se numesc regiuni neutre.
Sarcina spaial duce la formarea unui cmp intern, care se opune procesului de difuzie a purttorilor
majoritari (d).
Cmpul intern formeaz o barier de potenial (e), pentru depirea creia este necesar o energie
mai mare dect valoarea tensiunii U
0
.
Atunci cnd VD nu este polarizat, n condiii de echilibru termic, T=0K, prin VD circul totui un
curent de difuzie produs de purttorii majoritari, care au suficient energie pentru a nvinge bariera de
potenial, acest curent creeaz un cmp intern care accelereaz purttorii majoritari, care la rndul lor formeaz curentul de conducie.
Curentul de difuzie este egal ca valoarea, ns opus ca sens curentului de conducie, ca urmare curentul total prin diod este nul.
Funcionarea VD semiconductoare poate fi descris prin intermediul caracteristicii
statice a diodei.
Caracteristica static a VD r-t dependena dintre valoarea curentului ce circul prin diod
i valoarea tensiunii aplicat la bornele ei.
Pe caracteristic putem evidenia 2 regiuni de lucru:
1. La polarizare direct (pozitiv);
2. La polarizarea invers (negativ).
Regimul de funcionare a VD la polarizare pozitiv este caracterizat prin:
a. Pentru U
A
<U
prag
val. curentului ce va circula prin diod (I
A
) va crete treptat. Si:
U
prag
=(0,450,6)V; Ge: U
prag
=0,2V
b.Pentru U
A
>U
prag
val. I
A
va crete rapid conform relaiei:
A
qU
KT
A 0
I I (e 1) = (1)
Unde: I
A
curentul ce circul prin diod;
I
0
curentul la polarizarea invers i este numit curent de scurgere;
U
A
tensiunea aplicat la bornele diodei;
e sarcina elementar a electronului, valoarea lui este 1,63 x 10
-19
C;
K constanta lui Boltzmann, valoarea ei este de 1,38 x 10
-23
J/K;
T temperatura semiconductorului n grade K.
Tensiunea maxim aplicat la bornele diodei la care prin diod va circula curent este
aproximativ 0,7V (1V).
Regimul de funcionare a VD la polarizare negativ este caracterizat prin: Val. curentului
I
A
va fi:
A 0
I I = ,val. acestui curent este foarte mic i se consider a fi nul;
Funcionarea VD la variaiile temp. semiconductorului:
Valoarea curentului I
A
se modific la variaiile temperaturii semic-lui astfel:
1) Pentru U
A
>0, T
2
>T
1
val. curentului I
A
va crete brusc la U
VD
=const.
2) Pentru U
A
<0, T
2
>T
1
val. curentului I
A
va crete rapid, dac I
A
>30mA va avea loc
strpungerea termic diodei.
Strpungerea diodei poate fi realizat prin 3 metode:
1. Instabilitatea termic ce va duce la strpungerea termic a diodei;
2. Efectul Zener (tunel) - apariia unui nr. mare de purttori de sarcin prin ruperea legturilor
covalente sub aciunea cmpului electric;
3. Multiplicarea n avalan - apare la aplicarea unor tensiuni inverse nalte la bornele diodei
U
str
, astfel purttorii de sarcin majoritari primesc o energie suplimentar suficient pentru a traversa
reg. de trecere, dup ciocnirea cu atomii reelei cristaline se rup legturi covalente, care duc la formarea
purttorilor majoritari noi, care la rndul lor provoac apariia altor purttori de sarcin, n consecin
are loc majorarea val. curentului I
A
. La tensiunea de strpungere, multiplicarea n avalan practic este
infinit, ducnd la creterea nelimitat a curentului.
Anod
(A)
Catod
(C)
Anod
(A)
Catod
(C)
I
0
U
0
p n
- +
Fig.1 Structura si simbolul de
circuit a VD semiconductoare
Trasarea dreptei de sarcin:
Conform teoremei II a lui Kirchhoff, suma tensiunilor de-a lungul
unui ochi este nul, astfel obinem pentru circuitul urmtor relaia:
VD s VD
I R U E 0 + = (2)
Pentru a trasa dreapta de sarcin admitem c:
1. I
VD
=0, atunci obinem U
VD
=E;
2. U
VD
=0, atunci obinem I
VD
=E/R
s
.
VD semiconductoare sunt elemente rezistive neliniare, adic
valoarea rezistenei lor nu este constant i depinde de valoarea
curentului.
Astfel diodele sunt definite prin dou rezistene:
a) Rezistena static: R
st
=U
VD
/I
VD
(3)
b) Rezistena dinamic: R
din
=dU
VD
/dI
VD
tg (4)


Dioda redresoare r-t de fapt o jonciune p-n, scopul utilizrii ei este redresarea curentului alternativ
prin proprietatea semiconductorilor de a conduce curent doar la polarizare pozitiv, la care rezistena lui
intern este nul.
Pentru redresarea efectiv caracteristicile i paranetrii diodei redresoare trebuie s permit obinerea
unui curent major redresat i o tensiune invers ct mai mare. De obicei tensiunea invers admisibil
constituie 75 -80% din tensiunea de strpungere.
Parametrii de baz a VD redresoare sunt:
1. Tensiunea pe VD la polarizare direct pt un curent nominal definit;
2. Valoarea curentului continuu la polarizare direct;
3. Valoarea curentului indirect pt o anumit tensiune de polarizare;
4. Diapazonul temperaturilor de lucru (-60...+75)C;
5. Frecvena maxim, la care nu are loc nrutirea parametrilor de baz;
6. Capacitatea maxim a diodei;
7. Rezistena diferenial a diodei n punctul de lucru: R

=U/I;
8. Rezistena dup curent continuu: R
0
=U/I;
9. Coeficientul de pulsaii: K
P
=U
m
/U
0
;
Curentul la ieirea diodei redresoare are form continu pulsatorie, pentru netezirea pulsaiilor n circuitele de redresare se cupleaz
elemente de netezire, de ex. capacitatea, care se caracterizeaz prin ncrcarea i descrcarea grea.
Dioda varicap sau dioda cu capacitate variabil se utilizeaz la
polarizare invers n calitate de capacitate a crei capacitate este
dirijat de cmpul electric. La polarizare direct comportndu-se ca o
diod semic. obinuit.
n fig. alturat este prezentat schema echivalent a diodei
varicap. Diodele varicap se utilizeaz de obicei la frecvene nalte i
supranalte.
Avantajele diodei varicap fa de capacitatea obinuit sunt:
1) Gabarite mici;
2) Fiabilitatea nalt;
3) Valori ale capacitii de uniti i zeci de pF.
Separarea sarcinilor electrice n regiunea de trecere a jonciunii duce la apariia unei capaciti de ordinul
unitilor i zecilor de pF, val. capacitii este cu att mai mare, cu ct val. tensiunii de polarizare este mai mic.
Unde capacitatea jonciunii este determinat de relaia:
B
S
C
X
c
= (6)
Unde: c - permitivitatea electric a semic-lui;
S - aria jonciunii;
X
B
grosimea regiunii de trecere.
VD varicap este utilizat n contururi oscilante controlate n tensiune, frecvena de rezonan a
crora se dirijeaz prin tensiunea de polarizare. Frecvena de rezonan pentru conturul oscilant cu
capacitate obinuit (7) iar pentru conturul oscilant cu VD varicap (8) sunt:
R
1
f
2 LC
=
t
(7)
R
VD
VD
1
f
C C
2 L
C C
=

t
+
(8)
Parametrii de baz ai diodei varicap dunt:
1. Coeficientul de acoperire dup capacitate: K
A
=C
B1
/C
B2
, unde C
B1
i C
B2
sunt capacitile diodei la tensiunile U
IND1
i U
IND2
;
2. Factorul de calitate la frecvene joase: Q
FJ
=C
bar
r
J
;
3. Factorul de calitate la frecvene nalte: Q
F
=1/ C
bar
r
S
;
4. Coeficientul dependenei capacitii de temperatur:
C
=C
B
/(C
B
T);
5. Coeficientul dependenei factorului de calitate de temperatur:
Q
=Q
B
/(Q
B
T);


+
-
E
VD
Rs
I
VD
U
VD
Fig. 4 Trasarea dreptei de sarcina
Ustr
0
I
U,V
I, mA
IVD2
IVD1
UVD2 UVD1
VD
I A
VD
U A
o
M1
M2
Fig.5 Determinarea Rst si Rdin din
caracteristica statica a VD
VD
Rs
T
1
U

2
U

C
1
U

2
U

et
et
et
et
VD
U
s s
U , I
Fig.6 Circuit de redresare.
Diagramele energetice
A C
0
C,pF
15
10
5
-U,V
Fig.7 Simbolul de
circuit a diodei varicap
si dependenta C=f(U)
C
VD
L
+
-
R
Eal
CO
Cbar
rs
rj
Dioda Zener (stabilizatoare de tensiune):
Principiul de funcionare:
1) U
A
>0 - se comport ca o diod sem. obinuit;
2) U
A
<0 - val. curentului I
A
crete rapid la U
A
~const.
n limitele I
Z1
I
ZM
are loc strpungerea electric diodei, aceast zon se numete regiune de stabilizare
sau de funcionare normal.
Tensiunea minim la care are loc stpungerea electric a diodei depinde de concentraia impuritilor n
cristal i se afl n limitele (6....200)V. Valoarea minim a curentului n momentul apariiei strpungerii
constituie 0,2...0,3mA.
Pentru I
Zmax
>30mA are loc strpungerea ireversibil a diodei.
Circuitul alturat p-t schema cea mai simpl de conectare a diodei Zener, unde R
0
are
scopul de limitare a tensiunii i de dirijare a regimului de lucru. Valoarea rezistenei R
0
trebuie
s fie mai mare dect rezistena intern a diodei Zener, dar s nu fie foarte mare, ca s nu
provoace pierderi de puetere mari.
Parametrii de baz ai diodei Zener sunt:
1. Tensiunea de stabilizare U
ST
;
2. Curentul minim i maxim la stabilizare I
Z1
i I
ZM
;
3. Coeficientul de temperatur a tensiunii de stabilizare: CTT=(U
ST
/U
ST
)(1/T);
4. Rezistena diferenial n punctul de lucru: R

=U/I;
5. Rezistena static n punctul de lucru: R
0
=U/I;
6. Factorul de calitate: Q= R

/ R
0
;
Avantajele VD Zener:
1. Rspunsul rapid;
2. Pierderi mici, n acest scop val. U
al
= (1,11,2)U
s
;
3. Limitarea tensiunii prin utilizarea rezistenei R
0
;
Dezavantajele VD Zener:
1. Nu suport supracureni I
Zmax
>30mA;
2. Pre costisitor;
Utilizare:
a) Surse de tensiune continu constant cu valori ale tensiunii cuprinse ntre 3 400 V i puteri cuprinse
ntre 0,25 50 W;
b) Protecia dispozitivelor la supratensiuni tranzitorii.
Puterea disipat pe dioda Zener este determinat de relaia: P=U
z
I
z
.
Fig.8 Caracteristica statica a diodei
Zener
Rs
R
0

Eal

+
I
0