Tranzistorul bipolar (VT) este un dispozitiv electronic, al crui principiu de funcionare este dirijat de interaciunea a dou jonciuni p-n.

Structural VT este compus din 3 zone semiconductoare Emitor (E), Baz (B) i Colector (C) prevzute cu contacte ohmice. Regiunea de trecere dintre zonele semiconductoare E i B se numete jonciunea Emitor JE, iar regiunea de trece de la zona semiconductorului B i C se numete jonciunea colector JC. Baza este regiunea central a VT i se caracterizeaz prin grosimea mult mai ngust dect grosimile extremitilor E i C, (valori de micrometri), doparea slab cu impuriti, precum i prin tipul conductibilitii este opus conductibilitii E i C. Emitorul este una din extremitile VT i se caracterizeaz printr-o concentraie mai mare a impuritilor injectate dect colectorul, precum i prin faptul c tipul conductibilitii este aceeai ca i a colectorului. Colectorul este una din extremitile VT i se caracterizeaz prin acelai tip de conductibilitate ca i emitorul, dar o concentraie a impuritilor injectate mai slab dect n emitor. n dependen de tipul conductibilitii n aceste zone distingem: VT pnp i npn. E este sursa de purttori, care determin n general curentul prin VT, iar C colecteaz purttorii ajuni aici. Baza are rolul de a controla intensitatea curentului prin tranzistor n funcie de tensiunea dintre aceasta i E. Principiul de funcionare a VT n timpul funcionrii tranzistorului, la bornele sale este aplicat o tensiune de la sursa de alimentare. n dependen de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din jonciunile p-n ale VT bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile 4 modaliti de funcionare a tranzistorului: a) Regim de blocaj; b) Regim de saturaie; c) Regimul activ; d) Regim de inversie; n regim de blocaj jonciunile tranzistorului sunt polarizate indirect, fapt ce duce la apariia curenilor de scurgere n VT, care reprezint parametrii statici ai regimului dat. Valoarea curenilor de scurgere sunt foarte mici, astfel se consider c prin VT nu circul curent. n regim de saturaie jonciunile tranzistorului sunt polarizate direct, fapt ce duce la saturarea lor cu purttori de sarcin mobili, regiunea Emitor Colector are o conductibilitate ridicat, astfel nct ea se consider a fi scurtcircuitat. Parametrii statici ai regimului sunt curenii de saturaie IE sat, IB sat i IC sat precum i tensiunile de rest UBE sat i UCE sat, raportndu-le obinem rezistena de saturaie. Funcionarea VT cu amplificarea maxim a semnalului este asigurat n regimul activ de funcionare. Fie VT npn n regim activ de funcionare, adic E este conectat la terminalul negativ al bateriei n timp ce C este conectat la terminalul pozitiv al bateriei. La polarizarea direct a emitorului, n regiunea bazei sunt injectai electroni din emitor, care formeaz curentul

In E

i respectiv din baz n emitor se injecteaz curentul

Ip E

, a crei valoare este

I p << In . E E
n n IE

Relaia dintre componentele curentului emitorului poate fi descris prin intermediul coeficientului de injecie:

In E <1 n IE + Ip E

(1)

p - +

n IC

Transferul purttorilor de sarcin din emitor n sarcin poate fi descris prin intermediul coeficientului de transfer:
n IC k = n <1 IE

p IE

+ -

IC0
n IB

(2)
+

p IB

Utiliznd relaiile (1) i (2) putem determina coeficientul de transfer a curentului emitorului n circuitul colectorului:

I E = k = E < 1 (3) IC

Polarizare directa

EEB

Polarizare indirecta

ECB

Grosimea bazei se alege astfel nct s fie mai mic ca lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin mobili, astfel puini din electronii injectai din emitor se vor combina cu golurile din baz, concomitent pentru a neutraliza regiunea bazei, de la surs injectm goluri, adic extragem electroni, curentul curentul

In E

prin procesul de difuzie i drift se deplaseaz spre regiunea colectorului, traverseaz J C i formeaz (4)

n IC . Astfel, curentul ce circul prin VT este: I E = IC + IB + IC0

Unde: IE curentul emitorului; IB curentul bazei, valoarea curentului IB ~10-6A; IC curentul colectorului, valoarea curentului IC ~10-3A; IC0 curentul de scurgere a colectorului provocat de polarizarea invers a colectorului. Deoarece valoarea curentului de scurgere este foarte mic (~10-6A) comparativ cu valoarea curentului emitorului ea se exclude i obinem c curentul ce circul prin VT este: I E = IC + IB . n regim de inversie JE este cuplat invers, iar JC direct. De aceea, n comparaie cu regimul activ, n regim de inversie injecia purttorilor de sarcin este nfptuit de JC , iar extracia purttorilor de JE. Practic, E i C i schimb funcia i poziia n circuit. Ca element al circuitului electric, VT este utilizat n aa mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, altul la ieire, iar al treilea pin este comun. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat n schema BC i EC Caracteristicile statice ale tranzistorului reprezint dependena dintre curenii ce trec prin bornele tranzistorului i tensiunile ce se aplic bornele VT.

Conectarea VT n circuit BC (EC), presupune c baza (emitorul) devine electrodul comun al schemei, adic acesta este de referin pentru ambele circuite - de intrare i de ieire. Pentru tranzistorul cuplat BC caracteristicile statice de intrare i ieire sunt: UBE=f(IE), dac UBC=const.; IC=f(UBC), dac IE=const.; n caracteristica de intrare a VT cuplat BC se observ o cretere liniar a ramurilor, aceast liniaritate depinde exclusiv de puterea VT. n general ramurile cresc exponenial, conform relaiei:

qUBE qUBE IE =A e kT -1 A e kT n caracteristica static de ieire putem distinge 4 regiuni:

(5)

1. Regiunea activ normal; 2. Regiunea de blocaj; 3. Regiunea de saturaie; 4. Regiunea de strpungere. n reg. activ normal se constat o dependen foarte mic a curentului IC de tensiunea UCB. n reg. de blocaj ambele jonciuni sunt polarizate indirect. n consecin curentul emitorului este negativ, iar curentul IC poate fi mai mic dect IBC0, conform relaiei IC=IE+IBC0. n reg. de saturaie pentru tensiuni UCB< 0, curentul IC scade datorit polarizrii n conducie direct a JE i a JC. n reg. de strpungere are loc creterea rapid a curentului IC care provoac strpungerea tranzistorului. Pentru circuitul de cuplare a VT n BC tensiunile de intrare i ieire vor fi n faz. Cuplarea VT n BC se utilizeaz datorit valorilor impedanelor de intrare i ieire ( 30 ~160 /250~550k ). Neajunsul acestui tip de conexiune este limitarea de rezistena mic de intrare i ctigul n curent mai mic de 1. Se utilizeaz n amplificatoarele de voce. Pentru VT cuplat EC caracteristicile statice de intrare i ieire sunt: UBE=f(IB), dac UCE=const.; IC=f(UCE), dac IB=const. Considernd VT a fi un nod, aplicm teorema I a lui Kirchhoff i obinem: IE=IC+IB, de unde folosind relaia de baz: IC=IE+IBC0 obinem:

n caracteristica de intrare deosebim 3 ramuri prima ramur (I) se afl mai la stnga dect cea de-a doua i arat curentul de intrare egal cu suma curenilor prin dou jonciuni paralele deplasate n sens direct. Cea de-a doua ramur (II) determin curentul de intrare, care este IB, iar caracteristica I-a Ramurile II i III trec mai la dreapta fa de prima, fiindc curentul bazei este numai o parte din curentul emitorului. Diferena dintre caracteristica II i III const n faptul c la o anumit tensiune i la tensiuni mai mari ca ea, jonciunea colectorului se deplaseaz n sens indirect, iar la o tensiune mai mic jonciunea este deplasat direct. n caracteristica static de ieire distingem 3 regiuni:

IC IBC0 I I I = = C BC0 C 1 IE IC + IBC0 IB IBC0 IB Astfel, factorul static de amplificare n curent va fi: = 1

(6) (7)

1. Regiunea

ce se afl n interiorul graniei haurate, corespunde regimului activ limitat de parametri electrici maximi permii: IC mac, PC max, UCE max. curentul este determinat de relaia:

2. Regiunea de blocaj corespunde regiunii situate sub caracteristica de ieire pentru I B=0, unde
IC = IB + ( + 1) ICB0 (8)
n care la tensiuni majore UCB curentul IC crete brusc ce duce la strpungerea tranzistorului. Cuplarea VT n EC se utilizeaz n circuitele de amplificare, de comutaie sau digitale, deoarece furnizeaz valori mari ale tensiunii, curenilor i respectiv puterii. Conexiunea EC se caracterizeaz prin rezisten de intrare foarte mic i rezisten de ieire foarte mare.

3. Regiunea de strpungere,

Principiul de amplificare a semnalelor cu ajutorul VT R1 Rc Amplificarea este procesul de mrire a valorilor instantanee ale unei puteri sau ale Cd2 altei mrimi (curent, tensiune), fr a modifica modul de variaie a mrimii n timp i folosind energia unor surse de alimentare. Cd1 VT Schema electric se prezint pe figura urmtoare: Condensatoarele de cuplaj Cd1 i Cd2 au Rs rolul de a filtra componenta de curent continuu, Semnalul destinat R2 RE CE respectiv de a lsa s treac semnalul variabil amplificarii care trebuie amplificat. Condensatorul CE devine scurtcircuit la frecvena de lucru, punnd la mas emitorul. inndu-se cont c pentru polarizarea direct a VT din Ge este suficient 0,2V, iar pentru cele din Si 0,6V i pentru c bateriile uzuale nu permit tensiuni att de mici, n circuitele de polarizare ale VT se utilizeaz divizorul rezistiv format din R1 i R2. Rezistenele R1 i R2 cuplate n circuitul amplificator elimin efectele negative produse de variaiile de temperatur asupra polarizrii. Dac VT este polarizat corect, n circuit va exista un curent chiar i n lipsa semnalului de intrare. Tensiunea i curentul ce exist n circuit pn la aplicarea semnalului de intrare se numesc tensiune i curent de meninere reziduale. Rezistorul Rs se cupleaz n circuit pentru a menine efectul tensiunii de alimentare a colectorului, n lipsa lui tensiunea ce va cdea pe Colector va fi egal cu Ec. Semnalul de intrare se aplic prin condensatorul de cuplaj C d1 ntre Baz i Emitor, n alternan pozitiv. Dup aplicarea semnalului de intrare, tensiunea pe JE devine mai mare n valoare pozitiv, precum crete i valorile curenilor IE, IC i IB. Odat cu majorarea valorii curentului IC valoarea tensiunii ce cade pe RS va crete. Deoarece tensiunea de pe RS i colector formeaz mpreun tensiunea Ec, creterea valorii tens. pe R S duce la micorarea valorii tensiunii pe tranzistor. Tensiunea de ieire a amplificatorului culeas la colector este alternan negativ a tensiunii de amplitudine mai mare ca valoare dect intrarea, cu form sinusoidal. Pe durata alternanei negative a semnalului de intrare, acesta se opune polarizrii directe, ca rezultat scade val. curentului IB i respectiv IE i IC. Cderea curentului prin RS micoreaz cderea de tensiune pe RS, deci crete tensiunea UCE. Tensiunea de ieire este de form sinusoidal n alternan pozitiv mai mare ca valoare ca tens. de intrare. Trasarea dreptei de sarcin i selectarea punctului de Una din problemele de baz ale funcionrii tranzistorului este stabilirea i meninerea valorilor corecte pentru tensiune i curent n circuit (determinarea polarizrii n funciile de condiiile mediului - T, K) ce poate modifica funcionarea VT sau chiar distorsionarea semnalului precum i determinarea punctului static de funcionare a VT. Pentru aceasta utilizm caracteristica de ieire IC=f(UCE), dac IB=const. Conform teoremei II a lui Kirchhoff pentru circuitul dat avem: UBE Ec=ICRc+UCE Admitem: funcionare:

- Ec +

Ec Rc Cd VT Rs

1) IC=0, atunci: UCE=Ec; 2) UCE=0, atunci: IC=Ec/Rc;

Ec i Ec/Rc sunt coordonatele pe axa UCE i respectiv IC, pentru IB=const. Determinm punctul de funcionare la intersecia dreptei de sarcin cu caracteristica static a curentului IB. coordonatele punctului de funcionare al VT vor fi: tensiunea UCE i val. curentului IC ce circul prin VT la tensiunea corespunztoare.