TEST DIODA

1KO.Anodul unei diode este un

a. semiconductor de tip n
b.semiconductor de tip p
c .jonctiunea p-n
2OK O dioda semiconductoare obisnuita se poate realiza prin
a.lipirea (fuziunea)termica a unui semiconductor intrinsec si a unui semiconductor extrinsec .
b. lipirea (fuziunea)termica a unui semiconductor Si si a unui semiconductor Ge
c.lipirea (fuziunea)termica a unui semiconductor de tip p si a unuia de tip n
3.

OK In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile

a.dioda este polarizata direct
b.curentul prin circuit este zero Amperi
c.rezistenta R are rolul de a limita curentul prin dioda .

.
4.OK In cazul circuitului sunt false afirmatiile :
a.dioda este polarizata invers
b.curentul prin circuit este zero A
c.comutatorul inchis are rezistenta infinita

.
5OK.O dioda ideala se comporta ca un comutator deschis atunci cand :
a. este polarizata direct dar tensiunea directa este mai mica de 0,7 V (jonctiune Si)
b.are rezistenta de valoare mare(sute k-M)
c. este polarizata invers
6. O dioda ideala se comporta ca un comutator inchis atunci cand
a. este polarizata direct
b.,are rezistenta de valoare mica (30-40 )
c. este polarizata invers
7.OKIn cazul diodei ideale ,sunt adevarate afirmatiile (interpretati figura de mai sus )
a.in momentul deschiderii diodei curentul are o crestere lenta
b..in momentul deschiderii diodei curentul are o crestere foarte rapida
c tensiunea la bornele diodei ramane constanta in zona de deschidere a diodei

.
8.KOValoarea aproximativa a tensiunii la bornele diodei la un curent de 10 mA, conform graficului este de :
a. 70 mV
b 20 mA
c. 700mV

9.KOIn cazul circuitului din figura sunt adevarate afirmatiile :

a.dioda este polarizata direct
b. dioda este polarizata invers
c.curentul prin circuit are valoare de ordinul nA

10.0KIn cazul graficului de mai sus ,in circuit dioda este polarizata
a.direct
b.invers
c.nu este polarizata .

11.KOIn cazul graficului observam ca in jurul valorii de -50V ,curentul invers (IR) prin dioda
a.scade brusc
b.creste brusc
c ramane constant

12.OKIn cazul graficului, observam ca la o variatie a curentului invers (IR) intre valorile -200-800A,
tensiunea la bornele diodei
a.variaza puternic
b.ramane relativ constanta
c.are valoare negativa

13.OKEfectul de AVALANSA in diode are drept cauza

a.o valoare mare a curentului(mA) la polarizare directa
b.o valoare mare a curentului(mA) la polarizare inversa
c.cresterea tensiunii inverse, determina cresterea numarului de ciocniri a electronilor de conductie cu
electronii de valenta ,ruperea legaturilor covalente ce implica cresterea numarului de purtatori deci a
curentului prin dioda .
14.KOTensiunea de strapungere a unei diode depinde de
a.valoarea curentului prin dispozitiv
b.gradul de dopare a jonctiunii p-n
c.valoarea tensiunii inverse la bornele diodei
15.KOLa o dioda ZENER valoare tensiunii inverse la care apare efectul ZENER , are valoare
a.mai mare decat la o dioda obisnuita
b.mai mica decat o dioda obisnuita
c egala cu valoarea tensiunii inverse la o dioda obisnuita .
16.KOConditiile tehnologice pentru a obtine o dioda ZENER sunt
a.o dopare obisnuita a semiconductorilor
b.o dopare puternica a semiconductorilor

c. zona de sarcina spatiala este foarte ingusta

17.OK Efectul ZENER apare intr-o jonctiune de tip ZENER atunci cand :
a.intensitatea campului electric depaseste 100mV /cm
b. intensitatea campului electric depaseste 300mV /cm
c.nu are importanta intensitatea campului electric

18.OKRolul rezistentei din schema este de a:

a.stabiliza curentul in circuit
b.limiteaza curentul si implicit emisia de caldura pe dioda .
c este o rezistenta de sarcina pentru dioda .

19.KODioda ZENER din circuit are VZ=2,4V.Valoarea curentului in circuit va fi :

A .I= 0,010A
b. I= 10mA
c. I= 100mA

20.KOPuterea disipata pe ZENER in cazul in care VZ=2,4V si I= 10mA va avea valoarea

a.P= 24 W
b. P= 24 mW
c. P= 24 *10(-3)W

21.OKDioda ZENER din circuit are VZ=2,4V.Valoarea curentului in circuit va fi :

a .I= 0,031A
b. I= 31mA
c. I= 310mA
22OK In cazul unei diode LED sunt adevarate afirmatiile :
a. lumina emisa are drept cauza efectul JOULE ,la fel ca la un bec cu filament
b. Lumina emisa are drept cauza fenomenul de recombinare electron gol in semiconductor ,eliberanduse energie sub forma de fotoni (electroluminiscenta )
c. dioda LED are consum mic de putere .
23. KOIn cazul unei diode LED sunt false afirmatiile :
a. dioda LED emite lumina in polarizare inversa
b. tensiunea inversa a diodei are valoare mica in comparatie cu o dioda obisnuita .
c. daca jonctiunea nu este subtire si aproape de suprafata ,lumina emisa de LED nu poate fi observata .

24. KOIn cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile

a.dioda LED este polarizata invers
b.rezistenta diodei aprinse are valoarea Rd= 110
c .daca R=390 este scurtcircuitata ,curentul in circuit scade mult .

25 OKIn cazul circuitului sunt false afirmatiile

a.dioda LED este polarizata direct
b.rezistenta diodei aprinse are valoarea Rd= 11
c .daca R=390 este scurtcircuitata ,curentul in circuit creste mult .

26.KOIn cazul caracteristicii I(U) pentru o dioda LED sunt adevarate afirmatiile :
a.tensiunea de deschidere este mai mica decat la o dioda obisnuita
b. tensiunea de deschidere este mai mare decat la o dioda obisnuita
c in cazul in care curentul prin dioda creste ,luminozitatea dispozitivului creste .
27.KOIn cazul caracteristicii I(U) pentru o dioda LED sunt false afirmatiile :
a.tensiunea de deschidere este mai mare decat la o dioda obisnuita
b. tensiunea de deschidere este egala cu tensiunea de deschidere a unei diode obisnuite.
c .pentru a emite lumina LED trebuie polarizat invers .

28KO.Banda de pe corpul unei diode indica

a.anodul
b.catodul.
c jonctiunea p-n

29.OKIn cazul graficului unei diode reale sunt false afirmatiile :

a.dioda reala are rezistenta mai mica decat dioda ideala ,in regim de polarizare directa
b .dioda ideala are rezistenta mai mica decat dioda reala in polarizare directa
c.dioda reala se poate strapunge termic (efect Joule) la curenti mari