Bazele electronicii analogice

Clasa a X-a
Domeniul : Electronică și automatizări
Varianta 1

Pentru rezolvarea corectă a tuturor cerintelor din Partea I si din Partea a II-a se
acordă 90 de puncte, din oficiu se acordă 10 puncte.

PARTEA I (48 de puncte)

Bifati raspunsul corect (6 puncte pentru fiecare item).

1. Un semiconductor este un material cu structura

a.amorfa
b cristalina
c.matrice geometrica spatiala

2. Siliciul este un element din grupa

a. a –V-a
b. a –IV-a
c. a-III-a

3 .Intr-un semiconductor intrinsec (pur) electronii de conductie apar in urmatoarele situatii:

a.semiconductorul este dopat cu elemente pentavalente
b.semiconductorul se afla la temperatura camerei (20 grade Celsius)
c semiconductorul este bombardat cu radiatii luminoase

4.Intr-un semiconductor intrinsec o pereche electron –gol apare atunci cand:

a.creste temperatura semiconductorului si se rupe o legatura covalenta
b semiconductorul intrinsec este la temperatura 0 K.
c.perechile electron gol pot fi generate prin polarizarea semiconductorului cu o sursa de tensiune .

5. Figura de mai sus reprezinta :

a.o joncitune p-n
b.un semiconductor de tip n nepolarizat
c.un semiconductor de tip n polarizat
6. Datorita polarizarii semiconductorului de tip n ,in structura va apare un curent de electroni :
a.mai mic decat in cazul unui semiconductor intrinsec
b. mai mare decat in cazul unui semiconductor intrinsec
c.nu exista current prin structura .

7. Electronii sunt purtatori minoritari intr-un:

a. semiconductor de tip p
b. semiconductor de tip n
c. semiconductor intrinsec

8. Golurile sunt purtatori minoritari intr-un

a. semiconductor de tip p
b. semiconductor de tip n
c. semiconductor intrinsec

PARTEA a II-a (42 de puncte)

Pentru itemii de mai jos bifati raspunsul sau rapunsurile corecte (6 puncte pentru fiecare item).

1. Anodul unei diode este un:

a. semiconductor de tip n
b.semiconductor de tip p
c. jonctiunea p-n
2. In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile:
a.dioda este polarizata direct
b.curentul prin circuit este zero Amperi
c.rezistenta R are rolul de a limita curentul prin dioda .

.
3. O dioda ideala se comporta ca un comutator deschis atunci cand :
a. este polarizata direct dar tensiunea directa este mai mica de 0,7 V (jonctiune Si)
b.are rezistenta de valoare mare(sute kΩ-MΩ)
c. este polarizata invers

4. In cazul circuitului din figura sunt adevarate afirmatiile :

a.dioda este polarizata direct
b. dioda este polarizata invers
c.curentul prin circuit are valoare de ordinul nA

5. In cazul graficului observam ca in jurul valorii de -50V ,curentul invers (IR) prin dioda
a.scade brusc
b.creste brusc
c ramane constant

6. Efectul de AVALANSA in diode are drept cauza

a.o valoare mare a curentului(mA) la polarizare directa
b.o valoare mare a curentului(mA) la polarizare inversa
c.cresterea tensiunii inverse, determina cresterea numarului de ciocniri a electronilor de conductie cu
electronii de valenta ,ruperea legaturilor covalente ce implica cresterea numarului de purtatori deci a
curentului prin dioda .

7. La o dioda ZENER valoare tensiunii inverse la care apare efectul ZENER , are valoare
a.mai mare decat la o dioda obisnuita
b.mai mica decat o dioda obisnuita
c egala cu valoarea tensiunii inverse la o dioda obisnuita .