UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

Examen la disciplina Circuite și Dispozitive Electronice

Biletul Nr1 Aprobat la sedinţa dep. MIB
Proces verbal nr 4 din 21.11.2019
Şef dep. MIB Prof. Univ. Dr
Şontea V. _____________
Examinator ___________
Notă: Fiecare răspuns corect la întrebările de test se va nota cu 0,2 baluri răspunsul corect la întrebarea teoretică se va nota cu 2 baluri

1) Succesiunea de medii conductoare prin care circulă curent electric, care realizează o anumită funcție în
cadrul unui montaj complex și este caracterizat de parametrii de circuit(rezistență, capacitate,
inductivitate s.a.) se numește:
a. Circuit integrat
b. Circuit hibrid
c. Circuit electric
2) Semnalele electronice pot fi:
a. Rezistență, Capacitate
b. Curent, Tensiune
c. Diodă, tranzistor
3) În desenul alăturat sunt reprezentate
a. Surse de Tensiune
b. Surse de Putere
c. Surse de Curent
4) Sursă ideală de curent sunt:
a. Elemente de circuit care au tensiunea la borne independent de
curentul prin ele.
b. Elementele de circuit la care curentul ce le străbate este independent de tensiunea la borne.
c. Elemente de circuit care au caracteristica nelineară.
5) Raportul curent/tensiune pentru curent continuu se numește:
a. Impedanță
b. Admitanță
c. Conductanță
6) Legea lui Ohm presupune relația
a. R=U/I
b. R=I/U
c. P=U2/I
7) În desenul alăturat este reprezentat
a. Divizor de tensiune
b. Divizor de curent
c. Divizor de putere
8) Parametrul electric de catalog toleranța exprimă
a. Puterea maximal admisibil de disipare în timpul funcționării la
temperatura camerei
b. Abaterea maximal admisibilă a valorii reale de la valoarea nominală
c. Tensiunea nominală limită la bornele rezistorului
9) Coeficientul de proporționalitate între fluxul magnetic și curentul electric (L=φ(t)/i(t)) pentru o bobină
se numește
a. Reactanța Bobinei
b. Inductivitatea Bobinei
c. Admitanța Bobinei
10) Formula reprezintă

a. Factorul de pierderi pentru schema serie

b. Factorul de pierderi pentru schema paralel
c. Impedanța echivalentă serie
11) Din punct de vedere energetic un condensator de capacitate C acumulează o energie a cîmpului electric
între electrozi conform relației
a. Q=CU
b. W=1/2*CU2
c. C=((εS)/d)
12) Purtătorii de sarcină cu încărcare negativă se numesc
a. goluri
b. electroni
c. neutroni
13) Pentru descrierea fenomenelor macroscopice de conducție s-au realizat modele care utilizează particule
fictive. Mișcarea electronului în banda de conducție este descrisă de o particulă fictivă numită:
a. „Electron” cu aceiași sarcină ca și particulă reală (-q)
b. „Gol” cu sarcina electrică egală cu cea a electronului dar cu sarcina opusă (+q)
c. „Neutron” cu sarcina electrică neutră
14) Joncțiunea p-n se formează
a. la conectarea mecanică a unui semiconductor de tip p cu un semiconductor de tip n
b. într-un semiconductor eterogen format din două regiuni una dopată n şi una dopată p
c. între două semiconductoare de diferit tip
15) Funcționarea joncțiunii p-n în conexiune directă și inversă este descrisă de legea lui Ebers-Moll care este
redată de relația
a. R=U/I

b. I=I0( )

c.
16) În desenul alăturat este reprezentat simbolul grafic al diodei
a. Redresoare
b. Stabilizatoare
c. Tunel
17) În desenul alăturat este reprezentat simbolul grafic al diodei
a. LED
b. Fotodiodă
c. Optocuplor
18) Tranzistorul bipolar este comandat în
a. curent
b. tensiune
c. frecvență
19) Cerințele față de construcția Emitorului tranzistorului bipolar
a. trebuie să fie puternic dopat cu impurități
b. trebuie să aibă o lățime mai mică ca 10 μm şi de o puritate înaltă
c. trebuie să fie mai puternic dopat ca baza şi mai slab dopat ca colectorul
20) Fracțiunea din curentul de emitor care contribuie la formarea curentului de colector este notată cu:
a. α
b. β
c. γ
21) Regimurile de funcționare a tranzistorului bipolar regimul de blocare
a. joncțiunea emitorului polarizată direct joncțiunea colectorului polarizată invers
b. joncțiunea emitorului polarizată invers joncțiunea colectorului polarizată direct
 c. joncțiunea emitorului polarizată invers joncțiunea colectorului polarizată invers

22) Ecuația curenților pentru tranzistor curentul colectorului este:

a. I C  I E  I CBO
b. I C  I E (1   )  I CBO
c. I C  I E  I B
23) Schema alăturată reprezintă
a. schema de polarizare a tranzistorului în curent
continuu cu divizor de tensiune în baza
b. schema de determinare a punctului static de
funcționare
c. schema de determinare a caracteristicilor statice și dinamice a
tranzistorului bipolar
24) Rolul predefinit al filtrului de tensiune
a. convertirea tensiunii alternative în tensiune pulsatorie
b. reducerea variației tensiunii redresate
c. reducerea valorilor alternanţelor tensiunii alternative
25) Rolul predefinit al redresorului de tensiune
a. convertirea tensiunii alternative în tensiune pulsatorie
b. reducerea variației tensiunii redresate
c. reducerea valorilor alternanțelor tensiunii alternative
26) Desenul alăturat reprezintă diagrama tensiunilor redresorului
a. monoalternanţă
b. bialternanţă
c. trialternanţă
27) În desenul alăturat este prezentat redresorul
a. monoalternanţă
b. bialternanţă cu punct median
c. bialternanţă cu punte de diode
28) Stabilizatorul are funcția predefinită de:
a. menține tensiunea constanta indiferent de
curentul aplicat din rețea si curentul
consumat la sarcină
b. menținerea curentul consumat de sarcină
constant
c. menținerea curentului constant indiferent de tensiunea în rețea
29) Etajul de amplificare în emitor comun este un etaj inversor aceasta înseamnă că
a. schimbă cu locurile plusul cu minusul în semnal de intrare
b. defazajul între semnalul de intrare şi de ieșire este de 180 grade
c. amplifică semnalul de intrare în aceiași fază ca şi semnalul de intrare
30) La frecvente înalte banda de trecere este limitată de:
a. capacitățile condensatoarelor de separare a semnalului variabil
b. capacitățile interne a elementului active și capacitățile parazitare a montajului
c. rezistențele divizorului de tensiune
31) Repetor pe emitor se numește etajul de amplificare care:
a. au impedanța de intrare mare şi faza semnalului de intrare corespunde fazei semnalului de ieșire
b. au impedanța de ieșire mare şi faza semnalului de intrare corespunde fazei semnalului de ieșire
c. au factorul de amplificare unitar şi faza semnalului de ieșire corespunde fazei semnalului de
intrare
32) Factorul de amplificare a în tensiune pentru etajul de amplificare repetor pe emitor este de
a. Ku=1
b. Ku=2
c. Ku=3
33) La reacția negativă amplitudinea amplificării scade, dar reacția negativă are următoarele avantaje
a. micșorarea distorsiunilor neliniare creșterea benzii de frecvență amplificată
b. mărirea distorsiunilor lineare micșorarea benzii de frecvență amplificată
c. creșterea amplitudinii şi a benzii de frecvență amplificată
34) Caracteristicile de ieșire a tranzistorului TEC-J au o formă nelineară cu curbarea în
sensul creșterii rezistenței din cauză
a. îngustării mai puternice a canalului în apropiere de sursă
b. îngustării mai puternice a canalului în apropiere de drenă
c. îngustării mai puternice a canalului în apropiere de grilă
35) În desenul alăturat este reprezentat simbolul
a. TEC-MOS cu canal indus de tip p
b. TEC-MOS cu canal inițial de tip n
c. TEC-J cu canal de tip n
36) Pentru tranzistorul cu efect de cîmp TEC – MOS cu canal indus de tip n pentru deschiderea
tranzistorului pe poartă se aplică tensiune:
a. Tensiune pozitivă față de Sursă și Drenă
b. Tensiune negativă față de Sursă și Drenă
c. Canalul conduce dacă pe grilă nu este tensiune
37) Pentru tranzistorul cu efect de cîmp TEC – MOS cu canal inițial de tip n pentru trecerea curentului între
Sursă și Drenă pe poartă este necesar de aplicat:
a. Tensiune pozitivă față de Sursă și Drenă
b. Tensiune negativă față de Sursă și Drenă
c. Canalul conduce dacă pe grilă nu este tensiune
38) Pentru tranzistorul cu efect de cîmp TEC – MOS cu canal inițial de tip n pentru lărgirea canalului Sursă
– Drenă este necesar de aplicat pe poartă:
a. Tensiune pozitivă față de Sursă și Drenă
b. Tensiune negativă față de Sursă și Drenă
c. Canalul conduce dacă pe grilă nu este tensiune
39) Pentru tranzistorul cu efect de cîmp TEC – MOS cu canal inițial de tip n pentru îngustarea canalului
Sursă – Drenă este necesar de aplicat pe poartă:
a. Tensiune pozitivă față de Sursă și Drenă
b. Tensiune negativă față de Sursă și Drenă
c. Canalul conduce dacă pe grilă nu este tensiune
40) Pentru același grad de dopare și același volum a canalului, în stare de conducție canalul p are o
rezistență mai mare decît canalul n datorită.
a. Conductibilității ridicate
b. Recombinării mai puternice
c. Mobilității mai mici a purtătorilor de sarcină
41) Diodele semiconductoare caracteristicile (CVA si formula de descriere a CVA 1p), structura (0.5p),
utilizarea (0,5p)