Dioda semiconductoare

Este format din dou zone semiconductoare, una de tip p i una de tip n, iar la
suprafaa lor de contact definim jonciunea p-n.

n figur am desenat golurile cu rou , electronii cu albastru, iar zona desenat

cu verde este chiar jonciunea.
Polarizarea invers a diodei
n continuare aplicm pe jonciune un cmp electric extern cu + pe catodul diodei
i - pe anod. Dioda este polarizat invers, electronii care sunt purttori majoritari n zona
n (desenai cu albastru) sunt atrai de borna +, golurile care sunt purttori majoritari in
zona p (desenate cu rou) sunt atrase de borna -, regiunea de trecere desenat cu
verde se mrete i prin ea nu vom avea circulaie de purttori majoritari de la zona p la
zona n i invers i deci nu circul curent electric prin jonciune.

Polarizarea direct a diodei

Inversm acum polii sursei de alimentare aplicnd + pe zona p i - pe zona n.
tim c, n acest caz, dioda conduce i prin ea trece un curent semnificativ format din
purttori majoritari (electronii din zona n i golurile din zona p). Pentru ca dioda s
conduc, este necesar ca potenialul sursei exterioare s fie mai mare de 0,2 V pentru
Germaniu i de 0,6 V pentru Siliciu pentru ca s fie depit bariera de potenial din
zona jonciunii care apare n mod natural atunci cand am realizat jonciunea p-n, dar nu
aplicm nici un cmp electric exterior.

Diodele semiconductoare au marcat cu un cerc catodul, sau zona n, ca n figura

de mai jos:

Caracteristica de transfer a diodei semiconductoare

Graficul din figura de mai sus reprezint caracteristica de transfer a diodei

semiconductoare. Ud reprezint tensiune de polarizare direct a diodei iar U INV este
tensiunea invers de polarizare a diodei. n polarizare direct dioda ncepe s conduc
numai dac tensiunea direct aplicat pe ea este mai mare dect valoarea barierei de
potenial care este de 0,2 V la Ge i 0,6 V la Si. n cazul n care tensiunea de polarizare
invers, UINV, aplicat diodei depete valoarea tensiunii de strpungere invers, dioda
va conduce din nou. Acest mod de lucru al diodei este ns periculos i poate conduce
la distrugerea diodei, dac nu limitm curentul invers prin diod cu rezistene exterioare.
Fenomenul de strpungere al jonciunii p-n n polarizare invers este numit:
- efect Zener, dac valoarea tensiunii inverse de strpungere este mai mic de 5V;
- efect de avalan, dac valoarea tensiunii inverse de strpungere este mai mare de
5V;

Dioda semiconductoare este foarte folosit n schemele electronice de amplificatoare,

oscilatoare, circuite de detecie i modulaie dar i n alimentatoare ca diod redresoare.
2.3.1. DIODE REDRESOARE

Simbolul diodei redresoare

Simbolul utilizat pentru dioda redresoare este semnul general al diodei
semiconductoare.
Simbolul sugereaz c dispozitivul conduce ntr-un singur sens, cel direct (de la A la
C), care este indicat de sageat. Aceast proprietate, de conducie unidirecional, este
fundamental pentru dioda redresoare.
O dioda redresoare ideal ar trebui s posede o caracteristic static de forma celei
din figura de mai jos, adic dispozitivul s se comporte ca un scurtcircuit (rezisten
nul) n sens direct i ca un ntreruptor deschis (rezistent infinit) n sens invers.
IA

VA
0
Caracteristica static a diodei ideale
n sens direct, curentul prin diod apare, practic, numai de la o anumit tensiune
aplicat, numit tensiune de deschidere, V D (sau de prag VP), cu valori de 0,2 0,3 V la
Ge i 0,6 0,7 V la Si. Din acest punct de vedere, dioda redresoare cu Ge este mai
avantajoas, randamentul de redresare fiind mai bun.

Redresorul monofazat monoalternan

Schema electric

Forma de und
Funcionarea are loc astfel: la aplicarea unei tensiuni alternative n primar, ia natere
n secundar tot o tensiune alternativ, ce se aplic pe anodul diodei, dioda conduce, n
circuit apare un curent proporional cu tensiunea aplicat, deci avnd aceai form cu
ea. Pe durata alternanelor negative, dioda este blocat i curentul prin circuit este nul.
Curentul prin sarcin circul deci ntr-un singur sens, sub forma unor alternane (curent
pulsatoriu).

FILTRE CU CONDENSATOR
n acest caz, se monteaz un condensator n paralel cu rezistena de sarcin.
Condensatorul are tendina de a se opune variaiilor de tensiune, deci tensiunea de la
bornele sale, care este i tensiunea de sarcin, are tendina de a se menine constant.
Condensatorul se ncrc pn la valoarea de vrf a tensiunii redresate i se descrca
prin rezistenta de sarcin ntre intervalele de conducie ale diodei. ncrcarea
condensatorului se face rapid, prin circuitul alctuit din rezistena de conducie a diodei
i cea a nfurrii transformatorului, deci cu o constant de timp mic. Descrcarea se
face lent, prin rezistenta de sarcin de valoare mare. n consecin, tensiunea pe
sarcin se apropie de o valoare constant.
Un dezavantaj l poate constitui valoarea mare a curentului prin dioda, ce se
reprezint n acest caz sub forma unor impulsuri de durat mai mic dect
amplitudine relativ mare, ce pot duce, n anumite cazuri, la distrugerea diodei.
SCHEMA ELECTRIC

FORMA DE UND

DIODA ZENER

T
i de
2

Efectul de strpungere al jonciunii p-n polarizat invers este folosit

n special n cazul diodei Zener care este n aa fel construit nct prin
ea s circule un curent invers de valoare semnificativ. Un rezistor trebuie
conectat ntotdeauna n serie cu dioda Zener pentru a preveni distrugerea
ei ca urmare a creterii excesive a curentului invers prin ea. Dioda Zener
stabilizeaz tensiunea continu aplicat la circuitul de intrare la o valoare
corespunztoare valorii de strpungere la care lucreaz. De exemplu
dioda marcat 5V6 va stabiliza tensiunea continu n circuitul de ieire la o
valoare de 5,6 V. Dioda Zener reprezint cel mai simplu circuit de
stabilizare a tensiunii continue: stabilizatorul parametric cu dioda Zener pe
care l vom prezenta n continuare.

Tensiunea continu nestabilizat are o variaie cuprins ntre 8 i 12 V. Rezistorul

RS limiteaz curentul prin dioda Zener n scopul prevenirii distrugerii acesteia.
Rezistorul RS i dioda Zener formeaz un circuit serie. Se observ c tensiunea de
intrare este suma dintre tensiunea pe dioda Zener i tensiunea pe R S. Dac
presupunem c tensiunea continu de intrare este de 12 V atunci cderea de tensiune
pe rezistena RS va fi URs= 12 V 5.6 V = 6.4 V. Se tie c prin dioda Zener curentul
invers este aproximatv egal cu
din valoarea maxim a curentului absorbit de
rezistena de sarcin.Rsarcin care are valoarea de 100 mA. Rezult c prin dioda Zener
vom avea un curent invers de aproximativ 10 mA. Dioda Zener i rezistena de sarcin
Rsarcin sunt conectate n paralel astfel nct suma curenilor de pe cele dou ramuri este
chiar curentul care circul prin rezistena R S.
IRs= IRsarcin + IZ = 100 mA + 10 mA = 110 mA.
Tensiunea pe RS este
URs = 12 V UZ = 12 V 5.6 V = 6.4 V (Voli). Unde:
12 V este tensiunea continu maxim de intrare
5.6 V este tensiunea pe dioda Zener
Acum putem aplica legea lui Ohms pentru a calcula valoarea rezistenei R S
U
6.4V
RS Rs
0.058 K 58
I Rs
110 mA
Acum putem calcula i puterea pe rezistena R S
PRs U Rs I Rs 6.4V 110 mA 0.704W

Acesta este cel mai simplu stabilizator de tensiune: stabilizatorul parametric cu

dioda Zener.

Alte tipuri de diode: dioda varactor sau varicap, LED ul (Light Emitting Diode
dioda electrol-luminiscent), dioda Tunel, dioda cu contact punctiform, dioda Pinn, etc.

FIA DE CONSPECT 2
TRANZISTORUL BIPOLAR
La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca
dou diode semiconductoare legate n serie.

n partea de jos avem o zon de semiconductor de tip n cu

un contact metalic, care reprezint Emitorul. Deasupra acesteia exist o zon
semiconductoare foarte subire de tip p, la care se conecteaz un electrod metalic,
numit Baz. Apare astfel prima jonciune p-n. A doua zon de tip n cu un contact metalic
reprezint Colectorul i, mpreun cu zona n a Bazei, formeaz a doua jonciune p-n.
Rezult n final tranzistorul npn.

Acest tranzistor bipolar are urmtoarele caracteristici constructive:

regiunea Bazei este foarte subire i slab dopat;
regiunea Emitorului este puternic dopat;
Regiunea Colectorului este mare i de obicei este conectat la capsula metalic
pentru disiparea uoar a cldurii
Dup cum se poate vedea jonciunea Emitor-Baz este polarizat direct iar
jonciunea Colector-Baz este polarizat invers. Emitorul puternic dopat va emite spre
regiunea Bazei purttori majoritari, electronii care vor penetra adanc n Baz deoarece
aceasta este foarte subire i slab dopat. O mic parte din aceti electroni se vor
recombina cu golurile majoritare din baz. Ceilali electroni care au ajuns n Baz devin
aici purttori minoritari pentru jonciunea Colector-Baz polarizat invers i ei vor fi
antrenai spre Colector datorit tensiunii Ucc de valoare mare care polarizeaz invers
jonciunea Colectorului. Putem spune c suprafaa mare a Colectorului va colecta

electronii care vin din Baz. Se poate observa c are loc un transfer al electronilor
majoritari din Emitor n Baz datorit polarizrii directe a jonciunii p-n. Aceti electroni
care vin din Emitor devin n Baz purttori minoritari i sunt antrenai spre Colector
datorit tensiunii inverse aplicate pe Colector. Astfel electronii minoritari din Baz sunt
trasferai n Colector unde devin din nou purttori majoritari asigurnd asfel un curent
mare de Colector. Acest efect se numete efect de transistor (transfer resistor) de
unde i denumirea de transistor. Dou diode montate in opoziie (de fapt transistorul
este format din 3 regiuni n, p, n sau altfel spus din dou jonciuno p-n)care n mod
normal nu funcioneaz n aceast conexiune. Graie efectului de transistor descris
anterior funcionarea transistorului bipolar devin posibil.
Cel mai important aspect al funcionrii transistorului bipolar este faptul c printrun curent mic de Baz putem controla un curent mare de colector.
Putem folosi aici analogia cu robinetul care s ajute mai mult la inelegerea
fenomenului din transistorul bipolar. Apa potabil de la sistemul de canalizare din oras
are un debit i o presiune de valori ridicate la fel cum valoarea curentului de Colector
este mult mai mare decat curentul de Baz. Debitul prin robinet este controlat de o for
foarte mic, generat mecanic de mna noastr prin nvrtirea acestuia. La fel se
petrece i n cazul transistorului bipolar unde printr-un curent mic de Baz putem
controla un curent mare de colector.
Din tot ceea ce am artat pn acum rezult c tranzistorul se comport ca un
amplificator de curent cu factorul de amplificare direct in curent care este definit n
curent continuu ca raportul dintre curentul de Colector i curentul de Emitor.
=

IC
.. De aici rezult c
IB

IC= *IB

Teoretic ia valori cuprinse ntre 19 i 499 dar practic el are valori cuprinse ntre
50 i 200.
Cellalt tip de transistor bipolar este cel de tipul pnp ca n figura de mai jos :

GENERALITI. STRUCTURA TRANZISTORULUI BIPOLAR

Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alctuite dintr-o
succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiai cristal semiconductor,
regiunea central fiind mult mai ngust i de tip diferit fa de regiunile laterale.
Regiunea centrala este mult mai slab dotat cu impuriti dect celelalte regiuni i se
numete baza (B). Una dintre regiunile laterale, puternic dotat cu impuriti, se
numete emitor , iar cealalt, mai srac n impuriti dect emitorul, se numete
colector (C). Regiunile TB formeaz cele doua jonciuni ale acestuia.
n figura 1 sunt reprezentate cele dou structuri ale TB i simbolurile acestora.
E

C
p

B
a

Fig. 1. Structura i simbolul TB de tip : a) pnp ; b) npn

Structurile din fig.1. ale celor dou tipuri de TB reprezint modelele structurale
unidimensionale ale acestora. Denumirile regiunilor extreme sunt corelate cu funciile
lor. E este sursa de purttori, care determin n general curentul prin tranzistor, iar C
colecteaz purttorii ajuni aici. B are rolul de a controla (modifica) intensitatea
curentului prin tranzistor n funcie de tensiunea dintre B si E. Tranzistorul transfer
curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul de ieire de rezisten
mare, de unde i denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANSFER RESISTOR).
Ce dou jonciuni ale tranzistorului sunt :
jonciunea de emitor sau : emitor-baza (EB) pentru TB pnp ;
baza-emitor (BE) pentru TB npn ;
jonciunea de colector sau : colector-baza (CB) pentru TB pnp ;
baza-colector (BC) pentru TB npn.
TB este un dispozitiv activ care are ca funcie de baz pe cea de amplificare.
Proprietatea de amplificare a TB se datorete aa-numitului efect de tranzistor. Pentru
TB se pot defini trei cureni i trei tensiuni, aa cum sunt prezentate n fig. 2.

VCE

Ie

ic

VEB

VCE

Ib

C
VCB

ic

ie

VEB

Ib

VCB
B

Fig.2. Mrimile la borne ale TB: a) pnp; b) npn

Tensiunile sunt legate prin relaia: v CB = vCE + vEB, (1) iar curentii prin relatia: i E = iC + iB.
(2)
Pentru a obine relatia (2), TB este asimilat cu un nod n care suma algebric a
curenilor este zero. Ca urmare a relatiilor (1) si (2), numai dou tensiuni i doi cureni
sunt mrimi independente. Alegerea mrimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face n moduri diferite. Criteriul este urmatorul: se consider
tranzistorul ca un diport (un bloc cu dou borne ce formeaz poarta de intrare i alte
dou borne ce formeaz poarta de ieire). Deoarece tranzistorul are doar trei borne
(terminale), una dintre ele trebuie s fie comun intrrii i ieirii. Borna comun
definete conexiunea tranzistorului.
CONEXIUNI FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
Aa cum am mai spus, TB trebuie tratat ca un diport (cuadripol), dar avnd doar trei
borne, una dintre ele va fi comun circuitelor de intrare i ieire. TB are trei noduri de
conectare fundamentale :
conexiunea BC (cu baza comuna) (fig. 3, a) ;
conexiunea EC (cu emitorul comun) (fig. 3, b) ;
conexiunea CC (cu colectorul comun) (fig. 3,c)

I
+

pnp

I-

EE-

IV
B

EB

pnp

+
CB

CC

I
-

npn

EE+

EB

I+
-

IV
I

I
I
V V IV V b V V IV V
B

EB E

BB

CE

CC

npn

IE
B

CE

CB

I
+
-

EE

CC

CE

EB E

BB

pnp

CC

CB

npn

CC

V
+

CB

CC

CE

EE

Fig. 3. Conexiunile fundamentale ale TB:

a) conexiunea BC; b) conexiunea EC; c) conexiunea CC
1.c. Regimurile de funcionare ale tranzistoarelor
Dup felul polarizrii aplicate celor dou jonciuni ale unui tranzistor, se pot deosebi
patru regimuri de funcionare:
regim activ normal:

regim de saturaie

- jonciunea emitorului polarizat direct;

- jonciunea colectorului polarizat invers;
- jonciunea emitorului polarizat direct;
- jonciunea colectorului polarizat direct;

regim de tiere

- jonciunea emitorului polarizat invers;

- jonciunea colectorului polarizat invers;

regim activ invers

- jonciunea emitorului polarizat invers;

- jonciunea colectorului polarizat direct;

Regim activ normal a fost prezentat pn acum.

Regim de saturaie. Ambele jonciuni sunt polarizate direct. Pe

tranzistor sursele sunt montate n opoziie, avnd valori apropiate. Tensiunea rezultant
colector-emitor va fi:
U CE U CB U EB

Valoarea U CE de saturaie este de valoare mic, aproximativ de 0,2 0,3 V. Curentul

ce trece prin tranzistor are valori relativ mari, dar mai mici dect n cazul regimului activ
normal; aceasta deoarece, prin jonciunea colectorului, trec n sens contrar att curentul de
goluri al emitorului, ct i curentul de difuziune dat de golurile majoritare ale colectorului
dirijate spre baz. Curentul rezultat, de saturaie este egal cu diferena celor doi cureni.

Regimul de tiere (de blocare) se caracterizeaz prin faptul c,

ambele jonciuni fiind polarizate invers, curenii care circul prin tranzistor sunt cureni
reziduali de valoare mic. Cnd tranzistorul se afl n acest regim, tensiunea la bornele
sale este foarte mare, deci i rezistena sa echivalent este foarte mare. n acest regim el
se comport ca un comutator ce ntrerupe circuitul, un comutator deschis.

Regim activ invers. n acest caz emitorul joac rolul colectorului,

iar colectorul pe cel al emitorului. Jonciunea colectorului fiind polarizat direct, colectorul
injecteaz goluri n baz iar emitorul, a crui jonciune este polarizat invers, le colecteaz.
n acest regim tranzistoarele sunt folosite forte rar, deoarece coeficientul de amplificare n
curent este mai mic ca n regim activ normal. n adevr, tehnologic suprafaa colectorului se
face mai mare dect a emitorului, tocmai pentru a mbunti procesul de captare. n
situaia invers, electrodul care capteaz (emitorul) are o suprafa mai mic dect cel ce
injecteaz (colectorul), deci amplificarea n curent este mai sczut. Se utilizeaz
cteodat n regim de comutaie.