Dispozitive electronice _

Capitolul III. JONCŢIUNEA pn

3.1. Notaţii, definiţii

Joncţiunea pn intră în componenţa majorităţii dispozitivelor electronice.

Dintre acestea cele mai simple sunt diodele semiconductoare. În funcţie de
utilizările ce li se dau în circuite există: diode redresoare (folosite la
transformarea curentului alternativ în curent continuu), diodele de
comutaţie (special controlate tehnologic - crearea de centri de recombinare
- astfel încât să se obţină un timp minim de comutare ON/OFF), diode
stabilizatoare sau Zener (care lucrează în regim de străpungere), etc. Aceste
diode conţin joncţiuni pn.

Definiţie: Joncţiunea pn este o structură fizică semiconductoare cu două

regiuni vecine, n şi p, delimitate de o linie imaginară, denumită joncţiune
metalurgică.
joncţiune
metalurgică
Anod Catod A IA C
A p (NA) (ND) n C

VA

aici impurităţi aici impurităţi

acceptoare donoare

Fig. 3.1. (a) Joncţiune pn; (b) Simbolul electronic al diodei.

Pe simbolul diodei (fig. 3.1.b) anodul este zona p iar catodul zona n.
Sensurile săgeţilor pe simbolurile electronice sunt de la zone p spre zone n.
Definiţii: 1) Joncţiuni simetrice sunt acele joncţiuni pn cu valori
comparabile ale concentraţiilor de impurităţi în cele două zone n şi p
( N A  N D ).

49
2) Joncţiunile asimetrice au o zonă mai puternic dopată (zonă notată adesea
cu "+"). De exemplu o joncţiune p+n are NA>>ND.
3) Joncţiunile abrupte au în toată zona p o dopare constantă, NA, apoi brusc
se trece la o dopare constantă, ND, în toată zona n. Vom nota prescurtat
joncţiunea pn cu jpn.

3.2. Joncţiunea pn nepolarizată

3.2.1. Fenomene fizice

Dacă jpn nu este polarizată electric, ea se află la echilibru termic. În

contextul uzual al aplicaţiilor din electronică se subînţelege că alţi stimuli
(magnetici, luminoşi, etc) nu există. Cu toate acestea, în interiorul jpn apare
un câmp electric intern, orientat de la zona n către zona p (vezi fig.3.2.).
Regiune de trecere sau de barieră sau RSS

Fig. 3.2. Apariţia câmpului p n

electric intern în jpn
nepolarizată.

Eint
Regiune neutră p Regiune neutră n

Este interesant faptul că deşi în jpn există câmpul electric intern, Eint, şi în
consecinţă o diferenţă internă de potenţial, B0, totuşi nu apare şi un curent
electric! Acest lucru nu s-ar putea realiza într-un conductor. Care este
explicaţia? Să ne imaginăm următorul experiment: să apropiem o bucată de
siliciu de tip p de o bucată de siliciu de tip n. În clipa în care le lipim
(momentul t=0) se realizează joncţiunea pn. În momentul imediat următor,
(t=0+0) există un gradient foarte mare al concentraţiilor de electroni şi
goluri în vecinătatea liniei de "lipire" (care este joncţiunea metalurgică). Va
începe o difuzie a electronilor din zona "prea ticsită" de tip n spre zona p cu
electroni "puţini" şi de asemenea o difuzie a golurilor în sens contrar.
Primii purtători care migrează vor fi cei din vecinătatea joncţiunii
metalurgice. De aceea, regiunea de barieră (trecere) ce se formează, începe
să se extindă de o parte şi de alta a joncţiunii. Electronul din zona n era
generat de o impuritate donoare (de exemplu arsen). Când electronul
părăseşte zona n lasă în urmă un ion pozitiv (ionul As +, reprezentat în
figura 3.2 cu "+" într-un cerculeţ). Electronii ajunşi în zona p întâlnesc aici
goluri cu care se recombină (după care dispar). Golul venit din zona p a

50
lăsat şi el la rândul lui un ion negativ (de exemplu un ion de bor - B- -
reprezentat în fig.3.2. cu "-" cu cerculeţ). Pe măsură ce electronii şi golurile
difuzează din zonele n şi p spre zonele adiacente p respectiv n, se
recombină şi lasă în urmă o pătură de ioni pozitivi în zona n (de exemplu
ioni As+) şi o pătură de ioni negativi în zona p (de exemplu ioni B -). Pe
măsură ce păturile de ioni se extind, se măreşte câmpul electric intern, E int,
orientat de la sarcinile pozitive (As+) spre cele negative (B- ). Acesta
creează curenţi de câmp în sens opus curenţilor de difuzie. Când cele două
mecanisme de câmp şi de difuzie se compensează reciproc, stagnează şi
extinderea regiunii de barieră. Limitele regiunii de barieră sunt reprezentate
în fig. 3.2. cu linii punctate şi sugerează limitele dintre regiunile neutre şi
regiunile de sarcină ionică spaţială. În regiunea neutră de tip p avem atomi
de Bor, iar în regiunea de sarcină spaţială de tip p avem ioni de Bor.
Această regiune de sarcină spaţială (notată pe scurt RSS) este sediul
câmpului electric intern, Eint. În concluzie, de ce curentul total este nul, deşi
Eint0? Deoarece la semiconductoare apare pe lângă curentul de câmp (care
apare şi la conductoare), curentul de difuzie. Iar în cazul jpn nepolarizate
cei doi curenţi devin egali şi de sens contrar astfel încât jtot=0 pentru fiecare
specie de purtători. În capitolul II s-a demonstrat proporţionalitatea între
densitatea de curent şi derivata nivelului energetic Fermi - relaţia (2.47). În
baza acestei relaţii, jtot=0, implică EF=const. de-a lungul întregii structuri.
Diagrama de benzi energetice a jpn nepolarizate este prezentată în fig.3.3.
Pe baza acestei diagrame, se va estima diferenţa internă de potenţial, B0.

p (NA) n (ND)

Fig. 3.3. Diagrama de benzi -lp0 0 ln0 x

energetice a jpn nepolarizate.
EC
qB0
Ei
EF
EV

Denivelarea pe scară energetică este qB0 pentru EC, Ei, EV între zonele n şi
p (s-a reprezentat doar pentru EC pentru a nu supraîncărca figura):
q B0  E i (l p0 )  E i (l n 0 ) (3.1)

În conformitate cu relaţiile (2.19), (2.20), (2.26) avem:

51
 E i ( l p 0 )  E F
p(l p 0 )  N A  n i  exp (3.2)
kT
E  E i (l n 0 )
n (l n 0 )  N D  n i  exp F (3.3)
kT
Din relaţiile (3.2) şi (3.3) se extrag expresiile Ei(-lp0) şi Ei(ln0) şi se
înlocuiesc în (3.1). După simplificări rezultă:
kT N A N D
 B0  ln (3.4)
q n i2

unde ni este concentraţia intrinsecă de purtători. Dacă temperatura este

constantă, se observă că diferenţa de potenţial B0 este dictată doar de
dopările celor două zone n şi p.

3.2.2. Distribuţia de sarcină, câmp şi potenţial

Pentru estimarea distribuţiei de sarcină se foloseşte aproximaţia de golire.

În această ipoteză, se presupune că în regiunea de sarcină spaţială (RSS),
concentraţiile de electroni şi goluri sunt neglijabile; de aceea această
regiune se mai numeşte regiune golită de purtători. Atunci distribuţia de
sarcină, reprezentată şi în figura 3.4.a, se mai scrie:

 qN A , daca x  (l p0 ,0)


 v ( x )    qN D , daca x  (0, l n 0 ) (3.5)
 0, in rest


Din ecuaţia Poisson (2.72) şi definiţia potenţialului electric (2.71), scrise

doar pe direcţia Ox, rezultă:

 V (x)
E( x )   dx (3.6)


 qN A
  ( x  l p 0 ), daca x  (l p 0 ,0)
 qN
E( x )    D
( x  l n 0 ), daca x  (0, l n 0 ) (3.7)
 
 0, in rest


52
În relaţia (3.6) se introduc pe rând expresiile densităţilor de sarcină de
volum din (3.5) şi prin integrare se obţine distribuţia de câmp electric (3.7).
S-au dedus constantele de integrare din următoarele condiţii la limită:
E(l p0 )  E(l n 0 )  0 (3.8)

Distribuţia de potenţial se deduce prin integrarea câmpului electric (relaţiile

3.7 şi 2.71):

lRSS0
Fig.3.4. Joncţiunea
pn nepolarizată; p (NA) n (ND)

-lp0 0 ln0 x
V

(a) Distribuţia de sarcină electrică; +qND

-lp0 0 ln0 x
-qNA

(b) Distribuţia de câmp electric;

E

-lp0 0 ln0 x

Emax
V

(c) Distribuţia de potenţial electric.

B0

-lp0 0 ln0 x

53
  0, daca x  -l p0
 qN
 A ( x  l p 0 ) 2 , daca x  (l p 0 ,0)
V( x )   2  (3.9)
 B0  qN D ( x  l n 0 ) 2 , daca x  (0, l n 0 )
 2
  B0 , daca x  l n0

unde constantele de integrare s-au dedus din următoarele condiţii la limită:

V(l p0 )  0, V(l n 0 )   B0 (3.10)

Extensia regiunii de sarcină spaţială a joncţiunii pn nepolarizată este:

l RSS0  l n 0  l p0 (3.11)

Fig.3.5. Concentraţii
de electroni şi goluri. p (NA) n (ND)

lRSS0

pp0 p, n nn0
1016
"Regiune Golită
(a) la scară liniară, de purtători"

1015
-lp0 0 ln0 x

lg pp0 lg(p), lg(n) lg nn0

16
(b) la scară logaritmică. 12
8
4

-lp0 0 ln0 x
Din condiţia de continuitate a câmpului electric în x=0, avem:
N A l p0  N D l n 0 (3.12)

Din condiţia de continuitate a potenţialului electric în x=0, avem:

54
qN A 2 qN D 2
l p 0   B0  l n0 (3.13)
2 2

Se rezolvă sistemul (3.12), (3.13) în raport cu necunoscutele l n0, lp0.

Acestea furnizează extensia totală, lRSS0, prin însumare:

2  1 1 
l RSS 0       B0 (3.14)
q  N A N D 

Întrebare: Cum trebuie sǎ fie dopǎrile unei joncţiuni pn astfel încât RSS sǎ
se extindǎ simetric în ambele zone?
Rǎspuns: Dopǎrile trebuie sǎ fie egale (NA=ND) - vezi relaţia (3.12).
Observaţie: Pentru joncţiunea pn asimetrică - de exemplu p+n - avem
NA>>ND, deci 1/NA este neglijabil în raport cu 1/ND în relaţia (3.14). Se
obţine o formulă simplificată în care intervine doar concentraţia de
impurităţi din zona slab dopată:

2
l RSS 0    B0 (3.15)
qN D

A nu se uita că toate aceste relaţii au fost deduse în aproximaţia de golire.

Pentru a avea o imagine mai clară asupra acestei aproximaţii, se vor
reprezenta concentraţiile de electroni şi goluri la scară liniară şi
logaritmică, de-a lungul joncţiunii pn, în figura 3.5. Reprezentarea la scară
liniară justifică foarte bine denumirea de "regiune golită": aici ambele
funcţii n(x) şi p(x) "par lipite" de axa Ox. Scara logaritmică, în schimb,
dezvăluie substratul aproximaţiei: în regiunea golită este vorba de scăderea
cu ordine de mărime a concentraţiei de purtători.

3.3. Joncţiunea pn polarizată

3.3.1. Fenomene fizice

Polarizare directă. Se aplică o sursă de tensiune externă cu “+” pe anod şi

“_” pe catod, ca în fig.3.6.a. (VF - tensiunea directă - Forward, engl.).

Câmpul electric extern, E ext , este de sens opus câmpului electric intern,

E int , diminuându-i efectul. Regiunea de sarcină spaţială se micşorează; în
consecinţă are loc şi reducerea barierei de potenţial, de la B0 la B0-VA,
ceea ce va facilita difuzia purtătorilor. Fenomenul se numeşte injecţie de

55
purtători. În polarizare directă, avem exces de purtători, deci predomină
fenomenele de recombinare.

Polarizare inversă. Se aplică o tensiune cu "_" pe anod şi cu "+" pe catod,

ca în fig.3.6.b. (VR - tensiunea inversă - Reverse, engl.). În acest caz,

câmpul electric extern, E ext , are acelaşi sens cu câmpul electric intern,

E int . Prin superpoziţie câmpurile se adună. Migraţia purtătorilor prin
mecanisme de difuzie este complet blocată de valoarea mare a câmpului
rezultant. Este adevărat că acum sunt stimulaţi curenţii de câmp. Dar
câmpul rezultant produce deplasarea purtătorilor minoritari, care sunt foarte
puţini (este vorba de electronii din zona p şi golurile din zona n). De aceea
apar totuşi nişte curenţi reziduali foarte mici (de ordinul 10 -9A). Deoarece
în aplicaţii, aceşti curenţi nu se detectează cu aparate de măsură obişnuite,
ei se presupun nuli. Se spune că dioda este blocată în polarizare inversă.
Deoarece apare o lipsă de purtători faţă de echilibru termic, predomină
fenomenele de generare.
Se demonstrează în mod analog că extensia regiunii de sarcină spaţială în
cazul joncţiunii pn polarizate, lRSS, este:
ER

p n _
Fig.3.6. Joncţiune pn +
polarizată:

(a) direct;
Eint
Eext VF

ER

p n
_ +
(b) invers.

Eint
VR
Eext

56
 2  1 1 
l RSS      ( B0  VA ) (3.16)
q  N A N D 

unde VA este tensiunea aplicată pe joncţiune. În polarizare directă, VA=

+VF, iar în polarizare inversă, VA = - VR (VF, VR>0).

Temă. Deduceţi distribuţia de sarcină, câmp şi potenţial electric în cazul

joncţiunii pn polarizate.

3.3.2. Aproximaţii utilizate în determinarea caracteristicilor

statice

1. Aproximaţia de golire: se neglijează concentraţiile de electroni şi goluri

în regiunea de sarcină spaţială. Subiectul a mai fost discutat la
paragraful 3.2.2.
2. Aproximaţia de profil abrupt al concentraţiei de impurităţi: se presupun
dopări NA, ND, constante în întreaga zonă p şi n.
3. Aproximaţia de nivel mic de injecţie: se presupune o concentraţie a
purtătorilor minoritari injectaţi mult mai mică decât concentraţia
purtătorilor majoritari existenţi, adică:

n (l p )  p p0  N A
 (3.17)
p(l n )  n n 0  N D
Această presupunere va permite utilizarea ratei nete de recombinare cu
timpi de viaţă ai purtătorilor în exces, adică relaţia (2.53).
4. Aproximaţia de cvasiechilibru. La echilibru termic aveam: p0n0=ni2.
Acum, pentru o tensiune VA, avem:

 qV 
p  n  n i2  exp  A  (3.18)
 kT 
Justificări. Fie o joncţiune pn polarizată direct la tensiunea V A. Dioda
conduce. Golurile în zona p sunt "majoritare". Dar imediat ce trec graniţa în
zona n, capătă aici statutul de "minoritari". La coordonata x=l n concentraţia
de goluri este mai mare decât la echilibru termic (p(ln)>pn0), deoarece pe
lângă golurile generate pe cale termică (pn0), sosesc goluri din zona vecină
p. Ce spune aproximaţia de nivel mic de injecţie? Relaţia (3.17) afirmă că
această concentraţie de minoritari (de exemplu goluri la x=ln), deşi mărită
faţă de echilibru termic, este încă mult mai mică decât "desimea populaţiei
majoritare" - electronii din zona n. Aceste goluri injectate se deplasează
spre terminalul catodic (care în polarizare directă e negativ). În drum spre
catod, golurile se recombină cu electronii din zona n şi dispar. După o

57
distanţă de aproximativ 3Lp (Lp este lungimea de difuzie a golurilor) se
poate presupune că s-au recombinat toate golurile în exces. Similar se
raţionează pentru electroni.
Aici electroni Aici goluri
(minoritari ) (minoritare)
injectaţi R. S. S. injectate

p (NA) n (ND)
+ _
Aici Goluri
Aici Electroni
Majoritare
Majoritari

-3Ln -lp (a)

0 ln 3Lp
x

EC
qB0-VA

EFn
Ei qVA

EF p

EV (b)

Fig. 3.7. (a) Reprezentarea joncţiunii pn polarizate direct; (b) Diagrama energetică
corespunzătoare.

În figura 3.7.a. au fost reprezentaţi doar purtătorii în exces, adică cei

injectaţi din joncţiunea vecină: golurile cu cerculeţe goale, electronii cu
cerculeţe pline. Acest exces de purtători minoritari în regiunile neutre
produce despicarea nivelului Fermi în cvasinivele Fermi pentru electroni şi
goluri, ca în figura 3.7.b. Distanţa dintre EFn şi EFp este proporţională cu
cauza care a produs această despicare:

E Fn  E Fp  qVA (3.19)

58
Introducând relaţia (3.19) în expresiile concentraţiilor de electroni şi goluri
date de relaţiile (2.21), rezultă justificarea aproximaţiei de cvasiechilibru:

 E i  E Fp  E  Ei 
p  n  n i  exp  n i  exp  Fn   n 2
 exp
 qVA 
 
  
i
 
 kT  kT kT

3.4.Caracteristici statice ale joncţiunii pn

Fie o joncţiune pn polarizată la o tensiune VA, străbătută de un curent IA. A

afla caracteristica statică a joncţiunii înseamnă a determina funcţia:
IA=IA(VA). Se vor defini trei componente pentru curent:
1. Curentul de difuzie de goluri, Ip,dif , acea componentă a curentului
produs de golurile ce au difuzat din zona p în zona n şi s-au recombinat
în zona n.
2. Curentul de difuzie de electroni, In,dif , acea componentă a curentului
produs de electronii ce au difuzat din zona n în zona p şi s-au
recombinat în zona p.
3. Curentul de generare-recombinare, Ig,r, acea componentă a curentului
produs de golurile şi electronii ce s-au recombinat în regiunea de sarcină
spaţială.

p jp,dif
Fig.3.8. (a) Curenţi de n
jn, dif
difuzie şi de generare- J
A
recombinare în j g,r
joncţiunea pn polarizată;

JA
jn
(b) Densitatea de curent jn
prin joncţiunea
pn polarizată. jp jg,r

jp
-lp 0 ln x
Se va calcula densitatea de curent prin superpoziţie; din figura 3.8.b. avem:
j A  j p (l n )  j n (  l p )  jg,r
 
j difuzie j generare recombinare (3.20)

59
 3.4.1.Calculul curenţilor de difuzie

Se rezolvă sistemul de bază al ecuaţiilor fizicii semiconductoarelor, doar pe

direcţia Ox. Deoarece se presupun nivele mici de injecţie, se pot adopta
modele cu timpi de viaţă ai purtătorilor în exces pentru ratele nete de
recombinare Rn, Rp, [14]. În cazul staţionar  t  0  ecuaţiile de
continuitate pentu electroni şi goluri sunt:

 np  n p0 1 j n
   0
 n q x
 p (3.21)
 n  p n0 1 j p
  0
 p q x

Curenţii de difuzie de electroni şi goluri se calculează cu relaţia (2.41)

scrisă unidimensional. Înlocuindu-se densitatea de curent de difuzie a
golurilor, jp, în (3.21) rezultă:

p n  p n0  2 p n
 (3.22)
Dpp x 2

Ţinând cont că pn0=const. şi notând cu L p  D p  p lungimea de difuzie a

golurilor şi similar cu L n  D n  n lungimea de difuzie a electronilor,
avem:

 2 (p n  p n 0 ) p n  p n0
 0 (3.23)
x 2 L2p

Această ecuaţie diferenţială de ordin superior, cu coeficienţi constanţi, se

rezolvă cu ajutorul ecuaţiei caracteristice: r2-1/L2p=0. Soluţia ecuaţiei (3.23)
va fi:
 x   
p n ( x )  p n 0  C1  exp    C 2  exp   x  (3.24)
 Lp   Lp 
   
Constantele de integrare, C1,2 se află din condiţiile la limită:

 p n ( )  p n 0

p (l )  p  exp  qVA  (3.25)
 n n n0
 kT 

Unde pentru aflarea lui pn(ln) s-a utilizat aproximaţia de cvasiechilibru:

60
  qV 
p n (l n )  n n (l n )  n i2  exp  A  (3.26)
 kT 
În relaţia (3.24) se face x şi se obţine C1=0; se face x=ln şi se obţine C2.
Aceste constante înlocuite în (3.24), dau următoarea expresie a
concentraţiei de goluri injectate în zona n:

  qV     x  ln 
p n ( x )  p n 0  p n 0  exp  A   1  exp   (3.27)
  kT    Lp 
 
Densitatea de curent de goluri va fi, la coordonata x = ln:
p n D p p n 0   qVA  
j p (l n )  qD p q  exp    1 (3.28)
x x ln Lp   kT  
Similar, densitatea de curent de electroni va fi, la coordonata x = - l p:

n p D n n p0   qVA  
j n (l p )  qD n q  exp    1 (3.29)
x x   lp
Ln   kT  

Prin superpoziţie, rezultă curentul total de difuzie:

 D p p n 0 D n n p0    qVA  
I A,dif  qA j      exp 
   1 (3.30)
 Lp 
 L n    kT  
unde Aj este aria joncţiunii. Se notează curentul de saturaţie de difuzie cu
I0,dif:

 D p p n 0 D n n p0 
I 0,dif  qA j     (3.31)
 Lp L n 

Se observă dependenţa exponenţială IA,dif - VA, în care argumentul
exponenţialei este: qVA 1  kT - specific curenţilor de difuzie.

3.4.2. Calculul curenţilor de generare-recombinare

Curenţii de generare-recombinare provin din recombinarea perechilor

electron-gol în regiunea de sarcină spaţială. Deci jpg,r=jng,r=jg,r. În caz
staţionar, ecuaţia de continuitate pentru electroni sau goluri este:
1 djgr
0  U   (3.32)
q dx

61
Unde s-a presupus o analiză unidimensională doar pe direcţia Ox şi s-a
adoptat modelul SRH pentru rata netă de recombinare (Rn=Rp=U) - relaţia
(2.63). Densitatea de curent, jg,r, se calculează prin integrare pe toată
regiunea de sarcină spaţială:
ln
jgr  q  Udx (3.33)
l p

S-a constatat că dacă se admite valoarea maximă a ratei nete de

recombinare (U=Umax), se atenuează toate efectele aproximaţiilor de până
acum. Mărimea lui U este maximă pentru nivelele energetice intermediare,
Et situate la mijlocul benzii interzise (Ei=Et). Atunci, conform (2.59)
rezultă: nt=pt=ni şi apoi timpi de viaţă egali pentru electroni şi goluri:
n0=p0=0. Condiţia de U=Umax mai implică şi p=n, care alături de condiţia
de cvasiechilibru (3.18) generează următorul rezultat:

 qV   qV 
p 2  n i2 exp  A   p  n  n i exp  A  (3.34)
 kT   2kT 

Făcând toate aceste înlocuiri în expresia ratei nete de recombinare (2.63)

rezultă valoarea sa maximă:

 qV    qVA  
n i2 exp  A   n i2 n i exp    1
 kT    2kT  
U max   (3.35)
 0 ( p  n  2n i ) 2 0

Se observă că Umax nu depinde de coordonata x şi atunci, prin integrare, din

relaţia (3.33) rezultă:
jgr  qU max l RSS (3.36)

Curentul de generare-recombinare va depinde exponenţial de tensiunea VA

dar cu argumentul qVA/2kT:

n i l RSS   qV  
I A,gr  qA j   exp  A   1 (3.37)
2 0   2kT  
Se notează curentul de saturaţie de generare-recombinare cu Iogr.

n i l RSS
I 0gr  qA j  (3.38)
2 0

unde lRSS este lăţimea regiunii de sarcină spaţială.

62
 3.4.3. Curentul total prin joncţiunea pn

Conform figurii 3.8 şi relaţiei (3.20) prin însumarea curenţilor de difuzie şi

de generare-recombinare se obţine curentul total, IA:

  qV     qV  
I A  I Adif  I Agr  I 0d  exp A   1  I 0gr  exp A   1 (3.39)
  kT     2kT  
Relaţia (3.39) reprezintă expresia matematică a caracteristicii statice.

Observaţii:
1. În polarizare inversă (VA<0) exponenţialele devin neglijabile în raport cu
unitatea în relaţia (3.39). Atunci:
not
I A   I 0d  I 0gr  I 0 (3.40)

2. În polarizare directă (VA>0) exponenţialele capătă valori mari în raport

cu unitatea şi relaţia (3.39) se poate scrie astfel:

 qV   qV 
I A  I 0d  exp  A   I 0gr  exp  A  (3.41)
 kT   2kT 

Întrebare: Ce tip de curent (difuzie sau generare-recombinare) predomină în

polarizare inversă? De ce?
Răspuns: Predomină curentul de generare-recombinare, deoarece RSS este
mult extinsă, ceea ce "barează" difuzia purtătorilor majoritari.

Un model simplificat este următorul model empiric, inspirat din

dependenţa exponenţială anterioară:

  qV  
I A  I 0  exp  A   1 (3.42)
  nkT  
unde I0 se numeşte curent de saturaţie şi n coeficient de idealitate. Valori
tipice pentru aceşti parametri sunt: I0=1pA...1nA...1A şi n=1...2....3.

Funcţia IA-VA dată de (3.42) trebuie privită ca o funcţie de argument V A, şi

cu parametri de model I0 şi n. În continuare se va prezenta o modalitate
practică de extragere a acestor parametri pentru o diodă cu joncţiune pn.
Se realizează măsurători experimentale ale curentului prin diodă, I A, pentru
diverse tensiuni aplicate: VA=+0.1V, +0,2V,.....,+0.8V. În figura 3.9.a s-a
reprezentat la scară liniară dependenţa curent-tensiune.

63
 Relaţia analitică
ln IA
Relaţia analitică x Punctele experimentale
IA
x Punctele experimentale
x
x x
x IA măsurat panta =
x
. IA calculat
x
q/nkT
x
x
x 0.1 0.3 0.5 0.7 0.8 VA(V)
x x
0.1 0.3 0.5 0.7 0.8 VA(V)

ln I0
a) liniară; b) logaritmică.
Fig. 3.9. Reprezentarea caracteristicii statice experimentale a unei diode la scară: (a)
liniară, (b) logaritmică.

Deoarece curenţii sunt mici la tensiuni mici, graficul pare "lipit" de axa
orizontală până la o valoare a tensiunii de circa 0,6V (la diodele pe siliciu).
Mai utilă este reprezentarea la scară logaritmică din figura 3.9.b. Este de
aşteptat ca punctele experimentale, prin logaritmare, să se aşeze pe o
dreaptă deoarece modelul empiric (3.42) logaritmat dă:
q
ln I A  ln I 0  VA (3.43)
nkT
Dacă punctele experimentale nu sunt tocmai coliniare, atunci se trasează o
dreaptă plasată optim între aceste puncte. Conform relaţiei (3.43) curentul
de saturaţie, I0, poate fi determinat din intersecţia extrapolării liniare a
dependenţei lnIA-VA cu axa curentului, iar parametrul n se determină din
panta acestei drepte (conform figurii 3.9).

3.4.4. Efectul rezistenţelor serie

Efectul rezistenţelor serie pentru regiunile p şi n se manifestă în polarizare

directă. Ele duc la o atenuare a creşterii curentului IA, la tensiuni VA mari
(în vecinătatea lui B0), aşa cum se vede în figura 3.10.a. Joncţiunea a fost

64
presupusă "ideală" până acum, adică fără rezistenţe serie. Tensiunea
aplicată între bornele anod-catod, VA, cădea doar pe regiunea de sarcină
spaţială. Acum, tensiunea aplicată, VA, este compusă din tensiunea ce cade
pe RSS, VAideal, şi din căderea de tensiune pe regiunile neutre n şi p.
Conform (3.43) avem:

ln IA VAideal RS IA
RS
lnIA1

p RSp RSn n _
+

VAideal
VA

VA1 VA

(a) reprezentare ln IA-VA; (b) structura joncţiunii pn cu evidenţierea

rezistenţelor serie.
Fig.3.10. Efectul rezistenţelor serie asupra caracteristicilor statice ale joncţiunii pn.

nkT  I A 
VAideal  ln   (3.44)
q  I0 
Rezistenţele serie au valori mici. Dar atunci când sunt străbătute de curenţi
mari, pe ele începe să cadă o tensiune ce nu mai poate fi neglijată.

nkT  I A 
VA  VAideal  VRe zSerie  ln    R S I A (3.45)
q  I0 
În dependenţa IA-VA s-a mai introdus un parametru de model - RS -
rezistenţa serie a joncţiunii pn. Valori tipice pentru RS sunt de 1...10.

3.5. Străpungerea joncţiunii pn

Fie o joncţiune pn polarizată invers la tensiunea VA= -VR<0. Cu cât creşte

tensiunea VR se măreşte bariera de potenţial care "sugrumă" tot mai mult
difuzia purtătorilor majoritari. Şi totuşi se constată experimental că de la un

65
moment dat, curentul începe să crească vertiginos. Joncţiunea intră în
regim de străpungere (BReakdown). Tensiunea de la care joncţiunea
începe să conducă acest curent mare se numeşte tensiune de străpungere şi
se notează cu VBR.

Întrebare: Dacă creşterea în modul a tensiunii inverse "sugrumă" tot mai

mult difuzia purtătorilor majoritari, cum vă explicaţi că totuşi curentul
rezidual creşte ?
Indicaţie: Amintiţi-vă că există şi purtători minoritari. O tensiune inversă,
VR, crescătoare frânează majoritarii, dar favorizează minoritarii.

Pot apărea două mecanisme de străpungere:

(1) Multiplicarea în avalanşă a purtătorilor. Regiunea de sarcină
spaţială este mult extinsă în polarizare inversă. Purtătorii minoritari sunt
acceleraţi de câmpul electric intens ce se dezvoltă în RSS. Ei capătă astfel
energii suficient de mari, încât prin ciocniri cu alţi atomi ai reţelei, pot
disloca electroni de valenţă ai acestor atomi. Aceşti purtători sunt acceleraţi
la rândul lor şi prin ciocniri generează alţi noi purtători, motiv pentru care
fenomenul se mai numeşte multiplicare în avalanşă sau ionizare prin şoc.
(2) Efect Zener. Apare la joncţiunile puternic dopate în ambele zone (de
+ +
tip p n ) cu dopări mai mari de 1018cm-3. Datorită nivelelor mari de dopare,
regiunea de sarcină spaţială are o lărgime mică (vezi relaţia 3.16). În
consecinţă, fenomenul de multiplicare în avalanşă se iniţiază, dar nu are
suficient spaţiu pentru a se desfăşura (căci purtătorii ies repede din RSS).
Crescând tensiunea VR în continuare se amorsează străpungerea prin
ruperea legăturilor covalente direct sub acţiunea câmpului electric extern
(efectul Zener). Este vorba de generarea de purtători sub acţiunea unui
agent extern, altul decât temperatura (câmp electric intens în cazul de faţă).
IR
VR -VBR -0,7VBR
I0 0

Fig. 3.11. Dependenţa IR-VR

prin joncţiunea pn în regim
de străpungere.

Din afara carcasei unei diode se poate cunoaşte mecanismul de străpungere

din următorul criteriu empiric: tensiuni de străpungere mari sugerează o

66
multiplicare în avalanşă (VBR> 50V), iar cele mici sugerează un efect Zener
(VBR< 10V). Dacă străpungerea are loc prin mecanismul de multiplicare în
avalanşă, există următorul model empiric ce descrie dependenţa I R-VR în
vecinătatea lui VBR (reprezentat în fig. 3.11):

I0
I R  MI 0  n
, dacă VR   0,7VBR ,VBR  (3.46)
 V 
1   R 
 VBR 
unde I0 este curentul de saturaţie, iar M este factorul de multiplicare în
avalanşă ce depinde de tensiunea inversă VR prin coeficientul de
multiplicare în avalanşă n (n=4....7). Există următoarea formulă de calcul
rapid a tensiunii de străpungere, VBR, a unei joncţiuni abrupte, asimetrice,
p+n, [15]:

 S E cr
2
VBR  (3.47)
2qN D

unde S este permitivitatea dielectrică a semiconductorului, Ecr este câmpul

electric critic în semiconductor, ND - doparea zonei slab dopate.

Temă: Pornind de la distribuţia de câmp electric în joncţiunea pn polarizată

să se deducă expresia (3.47) a tensiunii de străpungere.

3.6. Regimul dinamic al joncţiunii pn

3.6.1. Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă al
joncţiunii pn

Regimul dinamic presupune aplicarea unei tensiuni variabile în timp, v a(t),

peste o tensiune continuă, VA:
v A  VA  v a ( t )  VA  Va sin t  (3.48)

67
Condiţia de semnal mic presupune o amplitudine mică a semnalului
alternativ va(t) în raport cu tensiunea termică. Mai precis:
nkT
Va  (3.49)
q
Această presupunere va permite neglijarea termenilor ce conţin Va2,
Va3,...în seria Taylor ce se va dezvolta în continuare. Condiţia de joasă
frecvenţă asigură o frecvenţă f, a semnalului suficient de mică astfel încât
curentul iA(t) prin joncţiune să poată urmări variaţiile tensiunii vA(t):
 
  qv ( t )     qV   qv ( t )  
i A ( t )  I 0  exp  A   1  I 0  exp  A   exp  a   1
  nkT       
nkT  nkT
 f ( va) 
(3.50)
Dezvoltând în serie Taylor funcţia f(va) în jurul punctului va=0 şi oprindu-
ne la primii termeni, rezultă:

  qV   q  qV 
i A ( t )  I 0  exp  A   1  I 0  v a ( t )  exp  A  (3.51)

nkT  
 
nkT nkT
IA ia ( t )

În expresia (3.51), primul termen reprezintă componenta continuă, I A, iar al

doilea termen reprezintă componenta variabilă, ia(t). Se defineşte în mod
natural rezistenţa internă a joncţiunii ca fiind:

va nkT / q nkT
Ri    (3.52)
ia   qV   qI A
I 0  exp  A   1
  nkT  
În acest caz circuitul echivalent este format doar din rezistenţa internă Ri
(fig.3.12.a).
- panta la intrare I ZM Anod Ri Catod

Anod Ri Catod Cdif

Cb

68
 (a) (b)
Fig. 3.12. Circuitul echivalent de semnal mic al joncţiunii pn: (a) la joasă frecvenţă;
(b) la orice frecvenţă.

Înrebare: Care este avantajul dezvoltării în serie Taylor?

Indicaţie: Prin dezvoltare în serie Taylor orice funcţie complicată se apro-
ximează cu un polinom (de grad 1 în cazul nostru). Ceilalţi termeni pot fi
neglijaţi datorită condiţiei de semnal mic.

3.6.2. Circuitul echivalent de semnal mic valabil la

orice frecvenţă

Care sunt dificultăţile? Concentraţiile de purtători sunt acum funcţii şi de

timp: p=p(x,t), n=n(x,t). Aceste funcţii introduse în ecuaţiile de continuitate
produc un sistem de ecuaţii cu derivate parţiale - dificil de rezolvat. După
calcule laborioase rezultă circuitul echivalent din figura 3.12.b. Elementele
lui sunt:
(1) Rezistenţa internă Ri, calculată cu aceeaşi formulă ca şi în cazul
frecvenţei joase, adică (3.52).
(2) Capacitatea de difuzie, Cdif, ce modelează fluctuaţiile sarcinii mobile
(electroni şi goluri) din joncţiunea pn. Ea se calculează cu relaţia:

0
C dif  (3.53)
2R i

unde 0 este timpul de viaţă pentru electroni şi goluri, Ri este rezistenţa

internă a joncţiunii pn (justificarea formulei la problema rezolvată).
(3) Capacitatea de barieră, sau de tranziţie, Cb, ce modelează
fluctuaţiile sarcinii ionice fixe (ioni acceptori negativi şi ioni donori
pozitivi din regiunea de sarcină spaţială). Ea se poate calcula pornind de la
expresia capacităţii unui condensator plan paralel cu distanţa dintre
armături egală cu lRSS:

SA j SA j
Cb   
l RSS 2 S
 1 1 
  ( B0  VA )
 A
q N N D 
SA j 1 C b0
   (3.54)
2 S  1 1  V V
   B0 1 A 1 A
q  NA ND   B0  B0

69
unde Cb0 este capacitatea de barieră a joncţiunii la echilibru termic (la
VA=0). Un model de calcul mai general ţine cont de profilul oarecare, al
concentraţiilor de impurităţi într-o joncţiune pn, prin intermediul
parametrului de model m, ca în relaţia următoare:

C b0
Cb  m
(3.55)
 V 
1  A 
  B0 

Relaţia (3.55) reprezintă un model empiric al dependenţei C b-VA şi este

însoţit de următorii parametri de model: Cb0, B0, m. Acest model al
capacităţii de barieră este folosit de programul SPICE. Extracţia
parametrilor de model, amintiţi mai sus se face cu un subprogram
specializat - PARTS - pentru un set de măsurători experimentale C-V în
polarizare inversă.

Observaţie: În polarizare directă predomină capacitatea de difuzie (care se

încarcă cu purtători de sarcină liberi ce migrează dintr-o zonă în alta), iar în
polarizare inversă predomină capacitatea de barieră (deoarece transportul
de purtători este acum neglijabil, dar RSS are o extindere mult mai mare).

Întrebare: De ce în curbele de catalog, capacitatea totală a unei diode

oarecare, Ctot scade pe măsură ce Vrev creşte în modul?
Răspuns: În polarizare inversă este predominantă capacitatea de barieră. Iar
această capacitate scade cu VA= - VR, conform relaţiei (3.54).

3.7. Un model simplificat al caracteristicii statice

Caracteristica statică experimentală a unei joncţiuni pn, desenată la scară

liniară, arată ca în figura 3.9.a. Modelul empiric (3.42) admitea o
dependenţă exponenţială curent-tensiune. Din acest motiv, ecuaţia a II-a a
lui Kirchhoff aplicată pe ochiuri de circuit ce conţin şi rezistenţe şi diode ne
conduc la ecuaţii neliniare. Astfel de aplicaţii necesită uneori adoptarea
unui model simplificat al caracteristicii statice. Practic, pe caracteristica din
figura 3.9.a. ce se vede? Dacă tensiunea pe diodă este mai mică decât
tensiunea de deschidere, VK, curentul este practic nul. Pentru o tensiune
mai mare decât VK dioda conduce. Datorită creşterii foarte abrupte a
curentului cu tensiunea, se poate aproxima graficul crescător cu o dreaptă
de pantă, Rd-1, foarte mare, ca în figura 3.13.a.

IA IA
IA
panta
=1/Rd 70

0 VK VA 0 VK VA 0 50V VA
 (a) (b) (c)
Fig. 3.13. Modele simplificate ale caracteristicilor statice.
Semnificaţia fizică a pantei este inversul rezistenţei dinamice, R d. Aşadar,
modelul simplificat al caracteristicii statice este următorul:

 0, dacă VA  VK
V  V
IA  A (3.56)
K
, dacă VA  VK
 R d

Modelul simplificat are doi parametri de model: tensiunea de deschidere,

VK, şi rezistenţa dinamică, Rd. La diodele pe siliciu tensiunea de deschidere
este de aproximativ 0,6V, iar la cele pe GaAs de aproximativ 1,3V.
Rezistenţa dinamică se extrage de pe graficul IA-VA, după ce s-a trasat o
dreaptă printre punctele experimentale măsurate la VA>VK.

Deoarece rezistenţa Rd este foarte mică (ideal Rd-1 ), se poate simplifica

şi mai mult modelul caracteristicii statice ca în figura 3.13.b. Aici, practic
dioda este un comutator: închis pentru VA>VK şi deschis pentru VA<Vk.
Mai mult, există aplicaţii în care tensiunea aplicată este mult mai mare
decât tensiunea de deschidere VK. De aceea se poate neglija VK; dioda
devine un comutator închis pentru VA>0 şi deschis pentru VA<0
(fig.3.13.c).

O aplicaţie imediată este redresarea unui semnal alternativ cu ajutorul unei

diode. Util aici este modelul din fig.3.13.c. Alternanţele pozitive
polarizează direct joncţiunea pn din cadrul diodei şi se transmit la ieşire în
punctul C (vezi tensiunea uC în fig.3.14.b); alternanţele negative
polarizează invers dioda şi furnizează o tensiune nulă la ieşire.

uA
A C
t
uA
0
R uC

uC
71
t

0
 (a) Schema ; (b) Forma semnalelor.

Fig.3.14. Redresarea unui semnal alternativ cu o diodă.

Important. A nu se confunda parametrii de model RS şi Rd . Ei aparţin unor

modele diferite. Fiecare are o semnificaţie în cadrul modelului respectiv.
De asemenea, rezistenţele Rd, Ri au definiţii similare (panta graficului IA-
VA într-un punct dat) dar expresii distincte! Formula lui R i este legată de
caracteristica exponenţială (3.42) a joncţiunii, în timp ce formula lui Rd este
legată de caracteristica liniară (3.56) a joncţiunii.

3.8. Probleme rezolvate la capitolul III

Problema 1. O joncţiune pn din Si are: NA=1017cm-3, ND=1016cm-3.

Presupunând un profil abrupt al concentraţiilor de impurităţi, să se
determine: a) Diferenţa internă de potenţial, B0; b) Lăţimea RSS pentru
joncţiunea nepolarizată, lRSS0; c)Câmpul electric maxim, Emax, la
polarizările VA=0, VA= 0,3V, VA= -10V; d) Tensiunea de străpungere, VBR;
e) Capacitatea diodei la VA= 0,7V şi la VA= -10V.
Se cunosc: T=300K, ni=1,451010cm-3, rSi=12, 0=8,8610-14F/cm,
Ecr=4105V/cm, I0=1pA, n=1, 0=1ns, Cb0=3pF.

kT N A N D
Soluţie: a)  B0  ln 2
=0,759V.
q ni

2  1 1 
b) l RSS 0       B0 =0,33m.
q  N A N D 

c) Câmpul este maxim la nivelul joncţiunii metalurgice (vezi figura 3.4.b).

Conform (3.7) şi cu NA>>ND avem ln=lRSS0, deci:
2qN D
E max  E(0)  qN D l n /   ( B0  VA ) . Rezultă valorile:
 0  rSi
4,73104V/cm; 3,71104V/cm; 1,79105V/cm, respectiv pentru cele 3
valori ale lui VA.

72
d) Străpungerea are loc atunci când : Emax = Ecr.
2qN D
Deci E cr  ( B0  VBR )
 0  rSi
 0  rSi E cr
2
Neglijând B0, se obţine: VBR  =51,83V.
2qN D

e) La VA=0,7V capacitatea de tranziţie e neglijabilă. Atunci capacitatea

diodei este aproximativ egală cu capacitatea de difuzie, adică:
  qV  
 0 I 0  exp  A   1
   nkT  
C dif  0 = =28,8pF.
2R i 2nkT / q

C b0
La VA= -10V predomină capacitatea de barieră: C b   0,8pF .
V
1 A
 B0
Întrebare: Se poate mǎsura diferenţa internǎ de potenţial, B0, a unei
joncţiuni pn cu un aparat de măsurǎ ?
Rǎspuns: Nu, deoarece un aparat de mǎsurǎ trebuie sǎ simtǎ un curent între
terminalele sale. La echilibru termic al joncţiunii pn, curenţii de câmp
contrabalanseazǎ curenţii de difuzie ; EF este acum constant de-a lungul
întregii structuri pn.

Problema 2. Să se estimeze parametrii de model I0, n şi RS pentru o diodă

pe Si asupra căreia s-au făcut următoarele măsurători în polarizare directă:
IF1=0,01mA, VF1=0,3V; IF2=0,1A, VF2=0,6V; IF3=0,5A, VF3=0,83V.

Soluţie: La tensiunile mici VF1,2 neglijăm efectul rezistenţei serie, RS. Se

scrie conform modelului (3.42):

  qV     qV  
I F1  I 0  exp  F1   1 şi I F2  I 0  exp F2   1
  nkT     nkT  
Neglijând pe 1 în raport cu exponenţialele de argument pozitiv şi împărţind
membru cu membru cele 2 relaţii, se obţine o ecuaţie cu necunoscuta n.
V  VF2
După calcule rezultă n: n  F1  1,3 .
kT I F1
ln
q I F2

73
 I F1
Imediat rezultă curentul de saturaţie: I 0  qVF1 / nkT
 0,102nA .
e
Pentru tensiunea VF3=0,83V considerăm şi efectul rezistenţelor serie
(rel.3.45):

nkT  I F3 
VF3  ln    R S I F3 . După înlocuiri numerice rezultă RS=0,21.
q  I0 
Problema 3. Se consideră circuitul din figura alăturată. Dioda este realizată
pe o joncţiune pn pe Si, având caracteristica statică din figură. Se cere
curentul IA prin diodă.

VA IA

A C IF1=0,1A

IA
+
E=
+4V - R=1k

IF2=1mA

0 0,6 0,8 VA(V)

Soluţie: Primul lucru este adoptarea unui model pentru caracteristica

statică.
  qV  
I. Adoptăm modelul exponenţial: I A  I 0  exp  A   1 pentru toată
  nkT  
gama de tensiuni (efectul rezistenţei serie este neglijabil). Cu ajutorul celor
2 puncte de pe caracteristica statică extragem parametrii de model n şi I0, ca
în problema precedentă:
V  VF2 I
n  F1  1,73 şi I 0  qV F1/ nkT  1nA .
kT I F1 e F1
ln
q I F2
Pentru a afla curentul prin circuit se scriu: ecuaţiile lui Kirchhoff şi
ecuaţiile curentului prin diodă:

   qV  
I A  I 0 exp  A   1
   nkT  
 RI A  VA  E


74
Până aici a fost problemă de electronică. De aici este problemă de
matematică. Dezavantajul acestui model este că se obţine o ecuaţie
neliniară:

  qV  
RI 0  exp A   1  VA  E  0
  nkT  

Pe lângă metoda iterativă prezentată tradiţional în manualele de DCE,

reamintim că rezolvarea acestei ecuaţii se pretează metodei şirului lui
Rolle. Membrul stâng este o funcţie f(VA) a cărei rădăcină trebuie să o
găsim în intervalul [0,E]. Cum f ' (VA) nu are rădăcini reale, mergem pe
metoda înjumătăţirii intervalului. Studiem mereu semnul funcţiei:
 
f (VA )  10 6 e VA / 0,0432  1  VA  4 în tabel. Funcţia are cu aproximaţie
rădăcina: VA=0,64V. Rezultă IA=3,36mA.

VA 0 0,5 0,6 0,65 0,7 1 2

f(VA) - - - + + + +

II. Puteam adopta modelul simplificat (3.56). În acest caz nu mai discutăm
de I0 şi n, ci de tensiunea de deschidere VK0,6V şi de rezistenţa diodei.

VF2  VF1
Rd   2 .
I F2  I F1

Dacă tensiunea ce ar cădea pe diodă ar fi VA<Vk ar rezulta IA=0.

Presupunem că VA>VK. Scriem de asemenea sistemul format din ecuaţiile
curentului prin dioda D şi teorema Kirchhoff:

 V  Vk
I A  A V  Vk
 Rd , rezultă R  A  VA  E , rezultă VA=0,606V şi
 RI A  VA  E R d

este într-adevăr mai mare decât Vk=0,6V. Rezultă IA=3mA.

Comentariu: Iată că cel mai simplu model dă rezultatele cele mai încărcate
de erori. Dar nici modelul exponenţial nu era perfect. El putea fi
îmbunătăţit introducând şi efectul rezistenţelor serie, efecte de nivel mare
de injecţie, dependenţa lui I0 de temperatură. Când toate aceste efecte ar fi
fost prinse în modelul caracteristicilor statice, ar fi rezultat ecuaţii imense,
imposibil de rezolvat analitic. Astfel, a apărut necesitatea creării unui
program dedicat rezolvării oricărei probleme de circuit. Este vorba de
programul SPICE.

75
Problema 4. Să se justifice formula capacităţii de difuzie a joncţiunii pn:
Cd=0/2Ri.
Soluţie: Tensiunea aplicată în regim dinamic este: vA(t)=VA+Vasin t (1)
Concentraţia de purtători (goluri de exemplu) are o componentă staţionară
ps, şi o componentă variabilă, pV (excesul / lipsa de goluri). La echilibru
termic pV0=0.
p(x,t)=ps(x)+pV(x,t) (2)
Scriem ecuaţia de continuitate pentru componenta variabilă:

p v p v ( x, t )  0 2pv
  Dp (3)
t p x 2

Fiind o ecuaţie cu derivate parţiale, se aplică transformata Fourier în ambii

membri şi se notează P(x,) cu PV.
Reamintim şi subliniem rostul aplicării transformatei Fourier: o ecuaţie cu
derivate parţiale în raport cu timpul (ce conţine p ) se reduce la o
t
ecuaţie ce conţine înmulţirea algebrică cu (jPV), - ecuaţie mult mai
simplă! În continuare, operatorul "  " se va înlocui cu operatorul "d",
deoarece vom avea doar o singură variabilă - x - în raport cu care mai
există derivate.
PV d 2 PV
 j PV    D p 
(4)
 p dx 2

Se înmulţeşte relaţia (4) cu p şi se ţine cont de pDp=Lp2:

d 2 PV

1  j p
2
  PV  0 (5)
dx L2p 

1  jp
Din ecuaţia caracteristică: r 2   0 rezultă soluţia generală a
L2p
ecuaţiei (5):

 x 1  j p   x 1  j p 
PV ( x )  C1  exp    C  exp    (6)

 Lp  2  Lp 
   

76
Pentru determinarea constantelor de integrare C1,2 avem nevoie de condiţii
la limită, [16].
Avem pV(x=,t)=0 (nu avem exces/lipsă de goluri la x). Deci
PV(,)=0 (7)
La tensiunea vA(t) rezultă conform (3.25):
 qv ( t )  (1)  qV   qv 
p n (l n )  p n 0  exp  A   p n 0  exp  A exp  a  
 kT   kT  
 kT

DezvTaylor

 qV  qv 
 p n 0  exp  A 1  a   p s  p V 
 kT  kT 
 qV  qv ( t )
p V ( x, t )  p n 0  exp  A   a
 kT  kT
q Va ()
 qVA 
Deci PV ( x  l n , )  p n 0  exp   (8)
  kT  kT

Înlocuind condiţiile la limită (7), (8) în soluţia generală (6), se obţine un

sistem din care se calculează constantele C1,2. Acestea, înlocuite în soluţia
generală (6), dau:
q Va ()  1  j p 
 qV 
PV ( x, )  p n 0    exp  A   exp (l n  x )   (9)
 kT  kT   L p 
Calculăm acum densitatea de curent de goluri în exces / lipsă, din zona
neutră n:

d PV qD p p n 0  q Va  1  j p
   qV 
j pV  qD p    exp  A  (10
 dx L p  kT  kT 
x l n
x l n

Similar se calculează densitatea de curent de electroni în exces / lipsă

(componenta variabilă) din zona neutră p:

qD n n p 0  q Va  1  j n
  qV 
j nV   exp  A  (11)
 x lp L n  kT  kT 

 
Curentul total variabil va fi: I a  A j  j pV  j nV  sau
    

77
 qA j  qVA   D n n p0  1  j n D p p n 0  1  j p 
I a  Va   exp    
  kT / q  kT   Ln Lp 
(12)

Din relaţia (12) se deduce admitanţa de semnal mic a joncţiunii pn, în

regim dinamic:

Ia

qA j qVA   D n n p 0  1  j n D p p n 0  1  j p 
Y   exp    
 Va kT / q  kT   Ln Lp 

(13)
1
Căutăm să aranjăm expresia admitanţei sub forma: Y   jC d . În
 rd
domeniul frecvenţelor de lucru, moderat de mari, rezultă n<<1 şi
x
p<<1. Se foloseşte următoarea dezvoltare în serie Taylor: 1  x  1 
2
când x<<1, în jurul lui x=0.
j n ,p
Avem: 1  j n ,p  1  . Introducând această relaţie în (13) şi
2
separând părţile reale şi imaginare, rezultă:

 qVA 
qA j  D n n p0 D p p n 0  I exp  
 exp  A    
qV 0 kT
rd1     ri1 (14)
v th  L n Lp 
  kT  v th

qA j  D n n p0  n D p p n 0  p 
Cd     exp  qVA  (15)
2v th  L n Lp 
  kT 

Considerând timpi de viaţă egali pentru electroni şi goluri, adică n=p=0,

rezultă:

 qV 
I 0 exp  A 
qA j  0  D n n p0 D p p n0   0 0
Cd     exp qVA    kT
 
2v th  L n L p   kT  v th 2 2ri

care este tocmai relaţia (3.53). S-a notat kT/q=vth.

78