TRANZISTORUL MOS In materialul de fa se analizeaz fenomenele fizice specifice tranzistorului MOS.

Se deduc expresii pentru tensiunea de prag i caracteristica curent-tensiune la tranzistorul MOS cu canal indus, avnd substratul polarizat fa de surs (tranzistorul cu dou pori). 1. TENSIUNEA DE PRAG 1.1 Tensiunea de prag a capacitorului MOS ideal Pentru a determina expresia tensiunii de prag (VT) la tranzistorul MOS se va analiza mai nti comportarea unui capacitor MOS. Figura 1 reprezint diagrama energetic la echilibru termic pentru o structur MOS ideal. Atributul "ideal" presupune: a) oxidul (O) de poart nu conine sarcini electrice n volumul sau i/sau la interfaa cu semiconductorul (O/S). b) proprietile semiconductorului sunt aceleai n volumul i la suprafaa sa; c) lucrurile mecanice de extracie a electronului din metal (M) i respectiv semiconductor (S) sunt egale (MS =0). Substratul semiconductor se consider uniform dopat cu impuriti acceptoare (NA). Ca urmare, potenialul Fermi are expresia (v. fig .2):
n

F = Vth ln 1 < 0 N A
forma din figura 2. Tensiunea vG determin:

(1)

In condiii de polarizare cu o tensiune pozitiv pe metal, diagrama energetic are a) deplasarea nivelului Fermi din metal (EFM) pe distana (energetic) qvG sub EFp; b) "srcirea" semiconductorului de goluri pe o poriune de lime xd considerat de la interfaa cu oxidul. Rezult o zon de sarcin spaial fix datorat ionilor acceptori. Sarcina n aceast zon este: Q BO = q N A x d < 0 distana xd (v. fig .2); d) apariia la suprafaa metalului a sarcinii QGO egal i de semn opus cu QBO; e) variaia liniar n oxid a energiei Ec (v. fig .2). Modul de variaie al nivelului Ec n semiconductor i oxid poate fi determinat cu ecuaia Poisson. Astfel, n semiconductor (x>0) se poate scrie: (2)

c) curbarea n semiconductor a benzilor de energie Ec, Ei, Ev (variaie parabolic) pe

d 2 q N A = B dx 2 unde este potenialul electronului: E i ( x ) E Fp q

(3)

( x) =

(4)

Integrnd ecuaia (3) cu condiiile de limit:

( xd ) = F
d dx =0
x = xd

se obine:

q NA 2 x xd ( x) = x 1 F , 2 d
E ( x) = unde ... (x) este cmpul electric. In oxid, procednd similar, rezult: d q N A = ( xd x ) , dx

0< x < xd

(5)

0< x < xd

(6)

(x ) = Eox x + (0) ,
E = Eox = constant, (x=0):

-xox < x < 0 -xox < x < 0

(7) (8)

S-a avut n vedere continuitatea potenialului la interfaa oxid-semiconductor

q NA 2 xd F 2S

(o) =

(9)

Condiia de continuitate a induciei electrice la interfa este:

ox ...ox = S ... S
unde
... S = q NA

(10) (vezi relaia (6))

q NA

xd

Relaia de mai sus permite determinarea cmpului electric n oxid:

... ox =

ox

xd > 0

(11)

Variaiile cmpului i potenialului electric exprimate prin relaiile (5) (8) sunt reprezentate grafic n figura 3. Potenialul i corespunztor, nivelele energetice, variaz liniar n oxid i parabolic n semiconductor. Tensiunea aplicat vG se distribuie pe oxid i semiconductor:
v G = Vox + (o) + F ,

Vox = xoxEox

(12)

Diagrama din figura 2 i curbele din figura 3 corespund funcionrii structurii MOS n regim de golire. Prin creterea tensiunii aplicate vG nivelul Ei din semiconductor coboar sub EFp pe distana xc. Ca urmare, pe poriunea situat ntre planele x=0 i x=xc tipul semiconductorului devine n (Ec este apropiat de EFp n comparaie cu Ev). Deci, n acesat zon tipul semiconductorului s-a inversat. Se consider c inversia s-a instalat cnd concxentraia de electroni la interfa (x=0) devine egal cu concentraia de goluri din volumul semiconductorului: n(o) = n S = N A Cum n(0) e dat de relaia:
E Fp Ei (o) (o) = ni exp n(o) = ni exp V kT th

(13)

(14)

din (1), (13) i (14) se obine:

(0) = F
folosind relaiile (12) i (15):
VT = Vox + 2 F

(15)

Tensiunea vG corespunztoare instalrii inversiei este tensiunea de prag VT i se determin (16)

Se spune c pentru polarizri vG >VT >0 capacitorul MOS lucreaz n regim de

inversie.

Figura 4 prezint diagrama energetic a structurii MOS pentru vG = VT (instalarea inversiei). In zona de inversie apare o sarcin de electroni Qn. Limea regiunii de sarcin spaial (RSS) i sarcina din RSS se determin cu expresiile (vezi relaiile (2), (9) i (15)) va fi: 4 x d = x d ,max = q N F A
1 2

(17)

Q BO = q N A x d ,max = (4 q N A F La instalarea inversiei Qn << QBO.

1 2

(18)

Cnd tensiunea vG crete cu valori peste tensiunea de prag, sarcina QBO variaz foarte puin. De aceea, ntr-o prim aproximaie, se consider: xd xd,max = const. i QBO const., pentru VG > VT In schimb, sarcina de electroni Qn crete cu vG. Sarcina total din semiconductor (pe unitatea de arie) este: Q s = Qn + Q BO Pe de alt parte, conform legii lui Gauss se poate scrie pentru QS: (20) (19)

Qs = s E s = ox Eox = Cox Vox S-a inut cont de relaiile (10) i (12) i s-a folosit notaia:

(21)

Cox = ox xox
Qn = C ox (v G VT ) instalarea inversiei.

(22)

ce reprezint capacitatea (pe unitatea de arie) oxidului de poart. Din (12), (16) (22) se deduce: (23)

Relaia (23) indic creterea liniar a sarcinii de electroni cu tensiunea vG dup Pentru vG VT (inversie slab) se poate demonstra c Qn variaz exponenial cu vG.
v VT Qn exp G m V th ,

m>1

(24)

Aceast dependen se poate explica avnd n vedere dependena exponenial a concentraiei de electroni din stratul de inversie de potenialul de suprafa (vezi relaia (14)). 1.2. Tensiunea de prag a capacitorului MOS real La o structur MOS real benzile energetice n semiconductor sunt curbate chiar la echilibru termic datorit: - diferenei MS dintre lucrurile mecanice de extracie a electronului din metal respectiv, din semiconductor; - sarcinii QSS de la interfaa oxid semiconductor (x = 0); - sarcinii ox din stratul de oxid. Pentru ca nivelele EC, EV i Ei s fie orizontale (ca n figura 1) este necesar o tensiune aplicat pe poart, denumit tensiune de benzi netede (FLAT-BAND) dat de relaia: Q x 1 x VFB = MS SS 0 ox ox ( x) dx Cox Cox xox
Q BO + Q n + 2 F C ox

(25)

In aceste condiii vG, tensiunea necesar pentru instalarea inversiei, are expresia:
v G = VT = V FB

(26)

1.3 Tensinuea de prag a tranzistorului MOS Se consider structura TEC-MOS din figura 5 care are sursa (S) i drena (D) legate la mas. Poarta i substratul sunt polarizate cu tensiunile vGS > 0 (notaia vG din pargrafele 1.1 i 1.2 se substituie acum prin vGS) i, respectiv, vBS < 0 (S potenialul de referin). In figura 5

s-a reprezentat din motive de simetrie numai jumtatea structurii ce corespunde sursei (jumtatea drenei este identic). Diagrama energetic n condiiile instalrii inversiei este dat de figura 6. Diferenele ce apar fa de diagrama din figura 4 sunt datorate polarizrii substratului. Astfel tensiunea vBS despic nivelul Fermi din semiconductor n dou cvasinivele Fermi: EF,n n zona de inversie (de tip n) i EF,p n zona neutr a substratului (de tip p). Ca urmare, potenialul de la interfaa oxid-semiconductor (vezi relaiile (9) i (15)).
q NA 2 x d ,max F 2

(0 ) = V BS + F =

(27)

La rndul lor limea RSS i sarcina electric fix din RSS sunt dependente de vBS. Relaiile (17) i (18) se modific: x d ,max
2 2 (2 F + V BS ) = q N A 1

(28)

Q B = q N A x d ,max = 2 S q N A (2 F + v BS la vBS=0.

)]

1 2

(29)

QB este sarcina din regiunea golit cnd substratul este polarizat, iar QBO sarcina Tensiunea pe poart la instalarea inversiei are expresia (vezi relaia (26)):
v GS = VT = V FB Q B + Qn + 2 F C ox

Cum la instalarea inversiei Qn << QB relaia de mai sus se poate rescrie:

VT = V FB Q BO Q Q BO + 2 F B C ox C ox

(30)

Tinnd cont de relaiile (18) i (29) rezult:

VT = VTO +
unde
VTO = VT
VBS = 0

( 2

+ v BS 2 F

(31)

VTO este tensiunea de prag n absena polarizrii substratului. Folosind expresiile (25) i (30) se determin:
VTO = MS + 2 F
xox x Q SS + Q BO 1 ox ( x ) dx 0 C ox C ox x ox

(32)

In formula lui VT intervine i parametrul de substrat dat de relaia (vezi expresiile (18), (29) i (30)):
Q BO C ox 2 F

(33)

In consecin, tensiunea de prag exprimat prin formula (31) reprezint tensiunea ce trebuie aplicat ntre poart i surs (cnd tensiunea substrat-surs este fixat la o valoare dat) pentru instalarea inversiei. Aceasta nseamn inducerea sau antrenarea unui canal n la suprafaa substratului p. Canalul n constituie o cale de conducie ntre zonele n+ de surs i dren. Conductana canalului gc reprezint inversul rezistenei stratului de inversie: gc = W L
xc W W n qn( x )dx = n Qn 0 L Lo

xc

q nn ( x )dx =

unde W, L i xc sunt dimensiunile geometrice ale canalului i n mobilitatea (valoare medie) electronilor din canal. Dac n relaia de mai sus se substituie sarcina din canal Qn prin una din formulele (23) sau (24) se obine:
gc = W n C ox (v GS VT ) , L v VT W n exp( GS ), L mVth

vGS > VT

(34)

ce corespunde inversiei puternice i

gc

vGS VT

(35)

relaia asociat inversiei slabe. Figura 7 prezint dependena conductanei canalului de tensiunea aplicat pe poart. In inversie slab gc crete exponenial cu vGS (relaia (35)), iar n inversie puternic creterea este liniar (relaia (34)). Pentru a evita confuziile n tabelul 1 se indic semnul principalelor mrimi ce intervin n expresiile (31) (33). Se fac precizri att pentru tranzistorul cu canal n(nMOS), analizat mai sus, ct i pentru cele cu canal p(pMOS). In tabel M i S reprezint lucrul mecanic de extracie pentru electronii din metal i, respectiv din semiconductor. Tensiunea vBS polarizeaz ntotdeauna invers jonciunea substrat-surs. 'F este potenialul Fermi n stratul polySi care este uneori folosit n locul metalului de poart (G). 'F este dat de formula:
F = Vth ln D n i N+

unde N+D este doparea stratului de polySi. In mod obinuit, VTO este pozitiv la n-MOS i negativ la p-MOS. Corespunztor tensiunea de prag VT are acelai semn i ntotdeauna VT > VTO . Deoarece tranzistorul conduce (iD >0) numai pentru v GS > VT se spune c

funcioneaz n regim de mbogire (a canalului). Acesta este cazul tranzistorului MOS cu canal indus (antrenat).

Mai rar, exist i situaia n care VTO < 0 la n-MOS i/sau VTO > 0 la p-MOS. Aceasta datorit sarcinii din oxid i/sau de la interfaa care face ca suma ultimilor doi termeni din relaia (32) s fie mai mare dect suma primilor termeni. Se spune c tranzistorul are canal iniial (la vGS =0). In acest caz tranzistorul poate funciona: (a) n regim de mbogire (vGS >0 pentru n-MOS); (b) n regim de golire (VT < vGS < 0 pentru p-MOS). Tabelul 1 Parametrul substratul canalul MS G-metal G-polySi QSS F QBO relaia (18) vBS relaia (33) VTO(32) VT relaia (31)
2. CARACTERISTICI DE IESIRE
Vth ln ni <0 NA Vth ln NA >0 ni

n-MOS p n M-S < 0 F 'F < 0

p-MOS n p M-S < 0 F 'F < 0

(4 S qN A F + +(-) +(-)

1 2

<0

(4

S qN D F

1 2

>0

+ -(+) -(+)

Caracteristicile de ieire n conexiunea sursa comun (SC) exprim grafic i analitic dependena curentului de dren (iD) de tensiunea dren-surs (vDS) cu vGS=VGS>VT i vBS = VBS ca parametrii. Pe caracteristicile de ieire se disting dou zone: (1) zona de nonsaturaie, cnd iD crete semnificativ cu vDS (2) zona de saturaie, cnd iD are o variaie foarte redus cu tensiunea vDS (se satureaz). 2.1 Zona de nonsaturaie, vDS < vGS -VT Se consider structura n-MOS din figura 8. Polarizarea cu tensiunea vDS determin reducerea grosimii canalului (xc) de-a lungul su (axa Oy). Acest lucru este explicabil dac se are n vedere c:

v GD = v GS v DS < v GS

(36)

O poriune infinit mic din lungimea canalului are rezistena: dR = dy

( y ) W xc

(37)

unde xc i W sunt grosimea i respectiv limea (dimensiunea perpendicular pe figura 8) canalului. este conductivitatea medie a canalului ce depinde de mobilitatea electronilor prin relaia:

( y) =

1 xc

xc

( x, y ) dx =

1 xc

xc

n q n( x, y ) dx

(38)

Tinnd cont c sarcina (pe unitatea de arie) a electronilor din canal are expresia:
Q n = q n( x, y ) dx
0 xc

(39)

din (37) (39) rezult: dR = dy W n Qn ( y ) (40)

unde n este mobilitatea medie a electronilor din canal. Cderea de tensiune pe poriunea dy va fi corespunztor:
dv( y ) = i D dR

(41)

Din relaiile (40) i (41) se deduce:

i D dy = W n Qn ( y ) dv( y )

(42)

Dependena lui Qn(y) se obine avnd n vedere c dup instalarea inversiei (vGS>VT) sarcina Qn devine comparabil cu QB. Ca urmare, relaia (30) se rescrie:
v GS = VT Qn + v( y ) C ox

(43)

Ultimul termen din membrul drept arat c o parte din tensiunea aplicat pe poart cade pe poriunea dy a canalului care este parcurs de curentul iD. Din relaia (43) se deduce expresia lui Qn i se nlocuiete n (42). Dup integrare va rezulta:
L v DS

i D dy =

W n C ox (v GS VT v( y )) dv( y )

(44)

Rezolvnd cele dou integrale se obine:

v2 i D = k n (vGS VT ) v DS DS , 2

vDS < vGS VT

(45)

unde:

' kn = kn

W ' , k n = n Cox L

(46)

este o constant ce depinde de geometria canalului (prin W/L), mobilitatea purttorilor majoritari din canal i respectiv capacitatea oxidului. In rezolvarea integralelor din ecuaia (44) s-a presupus c VT este constant pe toat lungimea canalului. In realitate VT depinde de QB (prin relaia (30)) care pentru vDS 0 are expresia (vezi (29)):

Q B = 2 S qN A [2 F + v BS + v( y )]

(47)

Ecuaia (45) exprim dependena curentului iD de vDS nainte de saturaie. Relaia (45) se simplific la tensiuni vDS mici: i D = k n (vGS VT )v DS , vDS << vGS-VT (48)

ceea ce corespunde unei variaii liniare a curentului cu tensiunea de ieire. 2.2 Zone de saturaie (vDS > vGS -VT) Se consider mai nti ca tensiunea de ieire are valoarea: v DS = v DS ,sat = vGS VT Ca urmare: v GD = v GS v DS = VT care arat c la drena canalului se reduce la un punct (xc=0 la y=L). Inlocuind relaia (49) n (45) se deduce:
k 2 k i D = i D, sat = n v DS , sat = n (vGS VT )2 2 2

(49)

(50)

(51) msurat de la

Pentru tensiuni vDS > vDS,sat canalul dispare pe o distan xA dren. Potenialul punctului A unde se termin canalul este: v AS = v DS ,sat (52)

Cum acest punct este foarte apropiat de D (xA<< L) ntr-o prim aproximaie se poate considera LefL i curentul prin tranzistor dat de (51) i independent de vDS:

k i D = n (vGS VT )2 2
ceea ce exprim saturarea curentului de dren la valoarea iD,sat.

(53)

Curentul iD este transportat de electroni care de la S pn la A circul prin canal, iar de la A la D printr-o regiune golit sub aciunea cmpului electric determinat de tensiunea: v DA = v DS v AS > 0 (54)

In realitate, n saturaie, lungimea canalului (Lef) se micoreaz prin creterea lui vDS. Ca urmare, kn (vezi relaia (46)) i implicit iD variaz cu vDS. Din (46) i (53) rezult: iD = k L n (vGS VT )2 Lef (v DS ) 2 (55)

Se presupune o dependen liniar a lungimii canalului de vDS:

L Lef (v DS ) = L + v DS

v DS VDS , sat v DS , sat

)
v DS , sat

(56)

v DS v DS , sat Lef (v DS ) = L1 VF , n

VF ,1n =

1 dL L dv DS

(57)

unde VF,n este tensiunea Early pentru n-MOS. Cum vDS vDS,sat << VF,n rezult din (55) i (57):
v DS v DS , sat k i D = n (vGS VT )2 1 + 2 VF , n ,

vDS > vDS,sat

(58)

Figura 9 prezint caracteristicile de ieire pentru un n-MOS n conexiune SC polarizat cu o tensiune vBS =VBS <0 fix. Caracteristicile au fost trasate pe baza ecuaiilor (45) i (58). Parabola de ecuaie (51) separ zona de nonsaturaie de zona de saturaie. Pe figur se indic o modalitate de determinare a tensiunii Early VF,n. In cazul unui p-MOS relaiile (45), (46), (49), (58) au forma:
v2 i D = k p (v SG VT ) v SD SD , 2 iD = kp 2

vSD < vSD,sat

(59)

(vSG VT )2 1 +

v SD v SD, sat VF , p

vSD > vSD,sat

(60)

kp =

W ' W' kp = p Cox L L p

(61) (62)

v SD,sat = v SD VT

In ncheiere trebuie precizat c n programele PSPICE n locul relaiilor (58) i (60) se folosesc relaiile aproximative:
k i D = n (vGS VT )2 (1 + n v DS ) 2
iD = kp 2

(63) (64)

(vSG VT )2 (1 + p vSD )

unde: n

1 VF, n

1 VF , p

Figura 1

Figura 2

Figura 3

Figura 4

Figura 5

Figura 6

Figura 7

Figura 8

Figura 9