LUCRAREA DE LABORATOR 1 STUDIEREA CARACTERISTICILOR VOLT-CAPACITIVE ALE DIODELOR CU STRUCTUR METAL- IZOLATORSEMICONDUCTOR 1.1.

Scopul lucrrii: cercetarea experemental a caracteristicilor volt-capacitive (V-C) a structurilor metal-izolator-semiconductor (MIS), determinarea sarcinii i densitii strilor energetice la suprafa (SES). 1.2. Partea teoretic 1.2.1. Studiai procesele care se petrec n diodele reale i ideale cu structura MIS dup literatura propus i conspectul leciilor. 1.2.2. Facei cunotin cu metodele aprecierii densitii SES dup rezultatele msurrilor caracteristicilor V-C ale structurilor MIS. 1.3. Partea practic 1.3.1. Msurai caracteristicile V-C ale structurii MIS propuse. 1.3.2. Efectuai calculele capacitii bandelor plate pentru structura MIS ideal cu parametrii dai. 1.3.3. Dup caracteristica real V-C determinai mrimea tensiunii bandelor plate. 1.3.4. Calculai mrimele sarcinii i densitii SES. 1.4. ndrumri metodice 1.4.1. Noiuni generale Structura metal-izolator-semiconductor (MIS) prezint un mare interes din punct de vedere a studierii proprietilor suprafeei semiconductorilor. ntruct fiabilitatea aparatelor semiconductoare n mare msur depind de starea suprafeei, studierea proceselor fizice ce au loc la suprafaa semiconductorului cu ajutorul structurilor de tip MIS are o importan pentru elaborarea noilor aparate cu parametrii nali. S analizm dioda ideal MIS. Structura ei este prezentat n fig.1.1.

Fig.1.1. Structura metal-izolator-semiconductor.

Fig.1.2. Structura benzelor energetice ale diodei ideale MIS la U=0; a) dioda MIS pe baza semiconductorului de tip-n; b) dioda MIS pe baza semiconductorului de tip-p. n figur: - lucrul de extracie al m matalului; - afinitatea fa de electron pentru semiconductor; i afinitatea fa de electron pentru izolator; Eg - limea benzei interzise; - bariera potenial dintre metal i izolator; b - diferena de potenial b dintre nivelul Fermi EF i nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec Ei. Pentru dioda ideal MIS snt juste urmtoarele: 1. Pentru deplasarea electronic nul lipsete diferena dintre lucrul de extracie al metalului i semiconductorului, adic nivelul Fermi

n metal i semiconductor este acelai (fig.1.2). Cu alte cuvinte bandele energetice snt plate. 2. Sarcina ce apare n structur sub aciunea deplasrii electrice este compus din sarcina ce formeaz n semicponductor i alt sarcin echivalent, dar cu semn opus ce apare pe suprafaa metalului i care este separat de semiconductor prin izolator. 3. Lipsete deplasarea sarcinilor prin izolator la deplasarea electric constant, adic rezistena izolatorului este infinit de mare. Dac la dioda ideal MIS este aplicat tensiune din exterior, atunci pot aprea trei stri care snt schematic prezentate n fig.1.3. S analizm pentru nceput semiconductorul de tip-p. Dac la metal aplicm tensiune negativ (U<0), aa cum este artat n fig.1.3,a, atunci maximul bandei de valen se va deplasa n sus i va atinge nivelul Fermi. Din ce cauz apare flexiunea benzelor energetice? Cnd cmpul lipsete nivelele energetice n metal i semiconductor snt prezentate cu linii drepte (fig.4.2). Aceasta nseam c energia electronului ce este plasat pe nivelul dat n orice punct al semiconductorului este una i aceiai. Ea nu depinde de coordonata electronului. la apariia diferenei de potential tabloul se schimb. n sratul la care este aplicat cmpul de contact asupra electronului acioneaz fora care tinde s-l emit n strat. Pentru depirea acestei fore trebuie de efctuat lucrul care se transform n energie poteniala electronului. Din aceast cauz odat cu deplasarea electronului n stratul sarcinii spaiale i atinge valoarea maxim la frontiera cu semiconductorul. Aceasta nseamn c cmpul de contact duce la apariia flexiunii benzelor energetice ale semiconductorului. Prin dioda ideal MIS nu curge nici un curent, aa c nivelul Femi n semiconductor nu se schimb. Lund n consideraie c electronii se retrag de la frontier.

Fig.1.3. Diagramele energetice pentru structuri ideale MIS la U=0 i semiconductori de tip-p i -n. a) mbogire; b) nsrcinare; c) inversie. n apropierea ei apare un surplus de sarcin (goluri). Dac aplicm la structur o tensiune direct de mic nivel (U>0) benzele se deplaseaz n jos i are loc micorarea concentraiei purtltorilor de sarcin de baz. Acest proces este numit nsrcinare (fig.1.3,b). Dac aplicm o tensiune pozitiv nalt (fig.1.3,c), bezele se deplaseaz n jos astfel, nct nivelul conductibilitii intrinseci Ei la suprafa ntretaie nivelul Fermi EF. n aa caz numrul electronilor n apropiere de suprafa este cu mult mai mare dect numrul golurilor, adic ca i cum se schimb tipul conductibilitii semiconductorului n regiunea dat. Acest proces este numit inversie. Date analogice pot fi obinute i pentru semiconductori de tip-n. n acest caz polaritatea tensiunii aplicate are sens opus. Specific pentru structura MIS este dependena capacitii ei de tensiunea aplicat (caracteristica V-C ale structurilor ideale MIS realizate pe baza semiconductoarelor de tip-p. Utiliznd condiia de electroneutralitate se poate scrie: Qm=Qi+eNad=Qs (1.1) unde Qm este sarcina metalului; Qi sarcina electronilor n regiunea de inversie; eNad - sarcina acceptorilor ionizai n rezgiunea sarcinii spaiale a semiconductorului d; Qs - sarcina deplin a semiconductorului (fig.1.4).

Toate sarcinile se refer la o unitate de suprafa. Tensiunea aplicat U se mparte ntre izolator i semiconductor: U=U i+s, unde potenialul aplicat izolatorului Ui=Qs/Ci=eQs/ i (1.2) ( i este permiabilitatea izolatorului). Capacitatea total a sistemului C este compus din cuplare consecutiv a capacitii izolatorului Ci= i/d i capacitatea stratului sarcinii spaiale Cs C=CiCs/(Ci+Cs), [pF/cm2] (1.3)

Fig.1.5. Caracteristicile V-C ale structurii MIS: a) frecven joas; b) frecven nalt. Mai departe capacitatea trece prin minim i crete din nou la formarea substratului de inversie. ns creterea capacitii la tensiuni pozitive depinde de capacitatea electronilor de a urma schimbarea semnalului alternativ aplicat. Aceasta este posibil doar la frecvene joase cnd viteza de generare-recombinare a purttorilor de sarcin minoritari (n cazul dat electroni) este deajuns pentru schimbarea sarcinii n substratul de inversie n concordan cu schimbarea semnalului pe baza caruia se efectuiaz msurrile. n cazul msurrilor la frecvene nalte nu are loc mrirea capacitii. Odat cu creterea tensiunii crete i s i grosimea stratului sarcinii spaiale d. La inversie puternic d atinge valoarea maxim. Cmpul electric nu mai ptrunde n stratul de inversie din cauza densitii nalte a sarcinii n el. n acest caz capacitatea este minim i egal cu: Cmin= i/(1+d i/ s). (1.4) Unul din punctele de vedere ale caracteristicii V-C este capacitatea benzelor plate Cbp care corespunde tensiunii U=0 pentru structura ideal MIS. i Cbp= 1+( i/ s)[(kT s/pq2)]1/2 (1.5)

Fig.1.4. Diagrama energetic a structurii ideale MIS pe baza semiconductorului de tip-p. Pentru grosimea dat a izolatorului I valoarea Ci este cunoscut i corespude capacitii maxime a sistemului. Capacitatea Cs depinde de tensiunea aplicat. La tesiune negativ (invers) are loc mbogirea substratului de la suprafaa cu goluri i se observ o nalt capacitate diferenial a semiconductorului Cs. Din (1.3) vedem, c n aa caz capacitatea total este dirijat de capacitatea izolatorului. La micorarea deplasrii negative n apropiere de suprafa se formeaz ca izolator ce este cuplat consecutiv cu izolatorul structurii MIS. Capacitatea total n acest caz se micoreaz (fig.1.5).

unde i , s - permiabilitatea izolatorului i semiconductorului. n condiii reale la frontiera dintre izolator i semiconductor i n stratul de izolator exist stri energetice care snt condiionate de nclcarea periodecitii potenialului la suprafaa cristalului, absorbirea

atomilor i moleculelor altor substane i defectelor reelei cristaline. La complectarea acestor stri energetice purttorii de sarcin formeaz la suprafaa stratului izolator sarcina electric. Aceasta, la rndul su, duce la apariia n semiconductor a unei sarcini spaiale care neutralizeaz sarcina la suprafa. Apariia SES duce la daplasarea caracteristicilor V-C ideal pe axa tensiunilor. Aceasta are loc din cauza c apariia SES cmpul electric n izolator este mai nalt dect la suprafaa semiconductorului. n acest caz la metal trebuie aplicat o tensiune mai nalt pentru a obine cmpul dorit la suprafaa semiconductorului (fig.1.6).

3. Efectuai msurrile caracteristicii V-C pentru tensiunile de ordin de la -10 V pn la +10 V. 4. Utiliznd curba obinut i datele calculate preventiv a mrimii Cbp, apreciai tensiunea benzelor plate Ubp. 5. Din analiza curbelor obinute experemental i teoretic apreciai tipul conductibilitii probei i tipul SES (donor sau acceptor). 6. Lund valoarea Ubp ca tensiunea deplasrii caracteristicii V-C sub aciunea sarcinii suprafeei Qss, apreciai sarcina i densitatea SES.

Fig.1.6. Caracteristicile V-C ale structurii MIS la frecven nalt pentru semiconductor de tip-p (a) i tip-n (b); 1- structura MIS ideal; 2structura MIS real. Comparnd curbele reale i ideale, se poate aprecia sarcina i dependena SES. n structura real tensiunea ce corespunde benzelor plate de acum nu mai este egal cu zero. Ubp=Qss/Ci, unde Qss este sarcina complect a SES. Cunoscnd sarcina Qss=UbpCi se poate determina densitatea SES: Nss=Qss/q, unde q este sarcina electronului. 1.4.2. Metodica efecturii experienei Pentru msurarea caracteristicilor V-C ale structurilor MIS este utilizat dispozitivul E7-12. 1. Luai cunotin cu principiul de funcionare a dispozitivului E7-12. 2. Plasai proba n portproba n mod ca contactul metalic ntreg s fie plasat pe placa metalic a portprobei. Plasai contactul cu tensiune pe partea din fa a probei (contactul mic).

1.5. ntrebri de control 1. Construii i explicai diagramele energetice pentru structura MIS ideal n absena tensiunii exterioare. 2. Din ce cauz la aplicarea la structura MIS a tensiunii exterioare are loc deplasarea benzelor energetice ? 3. Desenai i lmurii diagramele energetice pentru structuri MIS formate pe baza semiconductorilor de tip-p i tip-n. 4. Din ce componente const capacitatea total a structurii MIS ? 5. Cum depinde capacitatea structurii ideale MIS de Tensiunea aplicat ? 6. Din ce considerente difer caracteristicile V-C ale structurilor MIS obinute prin msurri la frecven joas i frecven nalt ? 7. Ce numim capacitate a benzilor plate i de ce parametrii ai structurii MIS ea depinde ? 8. Cu ce se deosebesc structurile MIS ideal i real ? 9. Comparai caracteristicile V-C ale structurilor MIS ideal i real. Lmurii diferena dintre ele. 10. Cum putem aprecia tipul, sarcina i densitatea SES utiliznd rezultatele msurrilor caracteristicilor V-C ? LUCRAREA DE LABORATOR 2, 3

CERCETAREA CARACTERISTICILOR DIODEI LASER. 2.1. Scopul lucrrii: De a lua cunotin de principiu de lucru a diodei-laser (DL), de a determina curentul de prag ai generrii, lungimea de und radiativ i limea benzii interzise a semiconductorului. 2.2. Sarcina teoretic.

2.2.1. De a studia mecanismele de recombinare n semiconductori, condiiile apariiei radiaiei spontane i forate dup literatura propus, conspectul leciilor, ndrumrile metodice date. 2.2.2. De a lua cunotin de construcia DL i metodele de determinare a caracteristecilor lui. 2.2.3. De a lua cunotin de sarcina de laborator i de metodica msurrilor. 2.3. Sarcina de laborator. 2.3.1. Msurai caracteristica curent-tensiune (I-U) i curentputere (I-P) a DL. Determinai curentul de prag ai generrii. 2.3.2. Msurai distribuia spectral a radiaiei DL n regimele diodei luminoase i de generare. 2.3.3. Comparai distribuiile spectrale a radiaiei de regim spontan i forat. Determinai lungimea de und a radiaiei i limea benzii interzise. 2.4. ndrumri metodice. 2.4.1. Noiuni generale. Luminescena semiconductorilor. n semiconductorii excitai e posibil emiterea radiaiei electromagnetice. Acest proces este invers absorbiei. O astfel de stare a substanei se poate realiza prin diferite metode: - fotoluminiscena - radiaia apare n rezultatul absorbiei energiei luminii; - catodoluminiscena - apare n rezultatul bombardrii substanei cu electroni; - rentghenoluminiscena - apare la excitarea substanei cu raze X; - electroluminiscena - apare sub aciunea curentului electric; - triboluminiscena - apare n rezultatul aciunelor mecanice asupra substanei; - hemiluminiscena - apare n rezultatul proceselor chimice; - bioluminiscena - apare n rezultatul proceselor biologice; Luminiscena este un surplus asupra radiaiei termice a corpului de acest caz, cnd acest surplus de radiaie exist o durat de timp finit cu mult mai mare dect perioada oscilaiilor de lumin. Prin aceasta, luminiscena se deosebete de radiaia termic de echilibru a corpului. Aceasta radiaie este excidentar (n afara echilibrului termic). Luminescena, ca i orice radiaie electromagnetic, se caracterizeaz prin intensitate, componena spectral, polarizare, coeren i durata postluminiscent (ineria luminoas).

i numai durata postluminoas destinge luminescena de restul radiaiilor excidentare (n afara echilibrului termic), care practic snt neeseniale: durata lor este de ordinul perioadei de oscilaie a luminii 10-15s. La excitarea semiconductorului i apariiei perechii electron-gol, recombinarea radiativ poate avea loc numai la recombinarea nemijlocit a electronului i golului prin intermediul canalelor de recombinare, care servesc centre de luminescen. Recombinarea fundamental. n semiconductorii cu banda interzis direct, absorbia luminii este nsoit de apariia electronului i golului liberi, vectorii de und ai crora snt egale. Dup absorbie, purttorii de sarcin liberi se mprtie, n rezultatul crui fapt, n timpul de relaxare, electronul coboar spre minimul zonei de conducie, iar golul se ridic spre maximul zonei de valen. Timpul mprtierii e de ordinul 10-10 10-12s. Recombinarea direct e mai probabil, dac dup relaxare ke=kgol (fig.1)

Fig.1

Fig.2

Fig.3

n acest caz, ca i la absorbie, specrul de radiaie se exprim prin relaia: I(h)=B(h-Eg)1/2, B=const. (2.1) n semiconductorul cu banda interzis indirect, absorbia are loc cu absorbia sau emiterea fotonului. ntr-un astfel de semiconductor la recombinarea electronilor i golurilor liberi, la fel trebuie s participe fotonii. Cel mai probabil va fi procesul cu emiterea fotonului. n acest caz tranziia optic are o energie mai mic dect limea benzii interzise (fig.2). hmin=Eg-Ep (2.2) Spectrul radiaiei, analogic coeficientului de absorbie se exprim prin relaia:

I(h)=B(h-Eg+Ep) (2.3) Recombinarea excitonic. La recombinarea electronului i golului, adic la anichilarea exitonului, se va emite o linie spectral ngust (fig.3). Energia radiaiei exitonice pentru semiconductorul cu tranziii directe va fi: h=Eg-Eex (2.4) unde Eex- energia de legtur a exitonului. Radiaia poate s conste dintr-un ir de linii, care corespund strilor excitate ale exitonului. Pentru semiconductorul de tranziii indirecte: h=Eg-Eex-Ep (2.5) n prezena impuritilor, pot s se formeze exitoni legai. n stare legat energia exitonului e mai mic dect n stare liber, din care cauz astfel de exitoni se distrug mai puin la micarea termic i recombinarea prin exitonii legai poate s majoreze brusc recombinarea radiativ, mai ales n semiconductorii cu tranziii indirecte. Recombinarea impuritate-band. n semiconductorii dopai, luminescena apare n deosebi n centrele locale de recombinare (fig.4).

h=Eg-EIioniz-Ep (2.7) Recombinarea donor-acceptor. Dac n cristal exist impuriti att donor, ct i acceptor, cu energia de ionizare Ea i Ed, atunci ele pot forma perechi, care vor aciona ca molecule imobile, cufundate n cristal. nteraciunea electrostatic dintre donorii i acceptorii, care se gsesc ntr-un mediu cu permiabilitatea va fi: E=e2/(r) (2.8) unde r-distana dintre donorii i acceptorii, care formeaz perechea (fig.5) Prin urmare, intervalul de energie va fi: h=Eg-Ea-Ed+e2/(r) (2.9) Radiaia spontan i forat Precutm procesul absorbiei iradierii luminii n atom. Alegem dou stri cuantice cu energiile E1 i E2 (fig.6). Dac n rezultatul absorbiei unui cuant de lumin h, atomul se gsete n stare excitat, apoi peste un interval oarecare de timp, el va trece din stare excitat n starea normal cu emiterea cuantului h=E2-E1. Astfel de tranziie se numete spontan, iar radiaia - radiaie spontan. Tranziiile spontane snt aleatoare (ntmpltoare). Dup suspendarea excitrii, intensitatea radiaiei spontane se micoreaz n timp exponenial: I=I0exp(-t/) (2.10) unde este constanta de timp a procesului.

Fig.4

Fig.5

Nivelele capcan nu au posibilitatea major de a captura electronul din banda de conducie, iar aruncarea invers este puin posibil. Snt posibile tranziii de tipul 1,2. De regul, acestea snt tranziii neradiative. Mai posibile snt tranziiile de tipul 3,4- de pe nivelul donor n banda de valen i din banda de conducie pe nivelele acceptor. Mai nti are loc capturarea electronului din banda de conducie de nivelul local (1), pe urm se recombineaz electronul localizat cu golul din banda de valen (pentru semiconductorul de tip - n). Pentru tranziiile directe se emite fotonul cu energia: h=Eg-EIioniz (2.6) Pentru tranziiile indirecte:

Fig.6. Deoarece aceste tranziii snt aleatoare, apoi radiaia spontan poart un caracter statistic. Ea nu este coherent, adic se genereaz fotonii, care se propag n direcii arbitrare i au faze arbitrare, cu toate c frecvena lor este fixat. Aceasta se determin prin aceea, c actele

de iradiere spontan, din cauza lor aleatorie au loc unul fa de altul n diferite momente. ns atomul, care se gsete n starea excitat, poate s revin n poziia iniial i sub aciunea cmpului radiant. O astfel de tranziie se numete forat, iar radiaia - forat, indus sau stimulat. Probabilitatea tranziiilor induse e cu att mai mare, cu ct mai mare este densitatea energiei luminii excitatoare. Aadar, radiaia excitatoare cu frecvena provoac nu numai absorbia dar i radiaia indus suplimentar. La tranziii forate se genereaz un foton, cu aceiai frecven, direciile i faz, ca i fotonul, care a indus radiaia. n cazul echilibrului termodinamic la orice temperatur finit coeficientul sumar de absorbie este totdeauna pozitiv, adic k >0. Aceasta se datorete faptului, c n stare de echilibru numrul de atomi neexcitai totdeauna este mai mare dect al acelora excitai. Pentru a crea un mediu cu absorbie negativ e necesar de a realiza o stare neechilibrat, n care numrul atomilor excitai s fie mai mare dect al celora, care se gsesc n stare normal neexcitat. Popularea nivelelor energetice ntr-o astfel de stare se numete populare invers. Una din metodele de obinere a mediului cu absorbie negativ poate servi crearea surplusului de atomi pe nivelele energetice mai nalte fa de cele mai joase. Aceasta poate fi nfptuit ntr-un sistem atomar sau molecular, care poate s se gseasc n trei stri energetice: normal cu energia E 0 i dou excitate cu energiile E 1 i E2, ntre care snt posibile tranziiile spontane (fig.7).

trebuie s fie mai mare dect popularea nivelului 1. Aceasta are loc atunci, cnd probabilitatea tranziiilor 21 este mai mic dect probabilitatea tranziiilor 10, adic nivelul 2, pe contul tranziiei 21, trebuie s se goleasc mai ncet dect nivelul 1 pe contul tranziiei 10. Atunci pe 2 vor fi mai muli atomi dect pe 1. Pe lng aceasta probabilitatea tranziiilor 20 trebuie s fie mic. Generatoarele de radiaie stimultan se numesc generatoare cuantice optice sau lasere, de exemplu laserul cu rubin cu pompare optic (fig.8). Sursa de lumin - cristalul de rubin (Al2O3:Cr+3). Cristul de rubin posed o band energetic 4F2, o stare normal 4A2 i una excitat 2 E. Strile 4A2 i 2E snt stri de dublet. Absorbia luminii provoac tranziiile 4A24F2. Durata vieii pe 4F2 este cu mult mai mic dect pe 2E, adic 1 << 2.

Fig.7. ntr-un astfel de sistem prin intermediul absorbiei are loc popularea nivelului excitat 2. Popularea selectiv a nivelului se numete pompare optic. Nivelul 1 se populeaz numai n rezultatul tranziiei spontane 21. Pentru cptarea radiaiei induse este necesar popularea invers a nivelilor, adic popularea nivelului 2 Deaceea probabilitatea tranziiei 4F2 2E este mai mare, pe cnd E A2-mic. Prin pompare optic se creaz o populare invers pe 2E n comparaie cu 4A2 Apare radiaia dublet 2E4A2. n regim spontan probabilitatea tranziiilor este mic, iar liniie - slabe. Pentru crearea radiaiei forate se folosete cristalul de rubin cu lungimea L i
2 4

seciunele frontale strict paralele i poleite optic (fig.9). Seciunele frontale snt acoperite cu straturi de argint, unul din care este semitransparent. Deoarece mediu posed coeficient de absorbie negativ, apoi radiaia spontan se va amplifica de I=I0exp(kL) ori. Refleciei multiple se vor supune numai acele raze, care cad perpendicular pe seciunea frontal. De aceea radiaia indus se va concentra ntr-un unghi spaial ngust .Ca rezultat apare un fascicul ngust de o mare intensitate.Radiaia indus este coerent, adic se rspndete n aceiai direcie,are aceiai faz i frecven ca i cea primar.Deaceea laserul este un rezonator,n care apar unde staionare. Condiia apariiei undei staionare:dac pe lungimea rezonatorului L ncape un numr ntreg de semiunde radiative m/2n=L; m=2nL, (2.11) unde n este indicele de refracie; /n - lungimea de und radiativ n rubin; m - numr ntreg. Creterea probabilitii de absorbie a fotonului cu sporirea numrului fotonilor nu este un paradox. Parodoxal este aceea, cu odat cu sporirea numrului de fotoni crete i probabilitatea de emitere indus a fotonilor. Aceasta rezult din faptul, c fotonii snt particulebose, care se descriu cu statistica Bose-Einstein, adic tind spre unire, spre ocuparea strilor cele mai ocupate. Starea, cnd n sistem numrul de particule, care se gsesc n stare excitat predomin fa de numrul de particule n stare neexcitat, este o stare termodinamic esenial neechilibrat. Formal astfel de stri pot fi descrise de aceleai expresii ca i cele n stare de echilibru, considernd temperatura n ele negativ. Deaceea astfel de stri se numesc stri cu temperatura negativ. Aceasta este un termin pur formal, deoarece noiunea de temperatur are sens fizic numai pentru strile de echilibru. Pentru realizarea unor astfel de stri e necesar de a excita sistemul cu o surs de energie extireoar. n rezultatul realizrii strii cu temperatur negativ apare radiaia indus, care se amplific la trecerea ei prin cristal. Fotonul, emis de o particul, poate juca a dou oar rolul de semnal de inducere pentru aceeai particul, care l-a emis. Aadar, apare la reacie pozitiv. Amplificarea acestui proces poate transfera sistemul n regim de generare. Laserul cu semiconductoare.

n ultimul timp pe larg se folosesc laserele cu semiconductori, n care are loc transformarea nemijlocit a energiei electrice n energia radiativ coerent. nversarea populaiei n astfel de lasere se nfptuiete cu ajutorul pomprii (n sisteme cu trei nivele), ct i cu ajutorul ingectrii prin jonciunea p-n a purttorilor de sarcin minoritari n domeniile degenerate a semiconductorului. La crearea laserelor cu semiconductoare, pe larg se folosesc semiconductori cu tranziii directe, aa ca: GaAs, InPb i soluiile solide pe baza lor. n fig.10 (a) este prezentat diagrama energetiv a jonciunii p-n dintre doi semiconductori degenerai n stare de echilibru. La cuplarea tensiunii directe n apropierea nemijlocit a jonciunii se formeaz un domeniu cu complectarea invers a bandelor A (fig.10b)).

a) Fig.10.

b)

Caracteristicile volt-amperice i vat-amperice a DL au dou poriuni. Pe prima poriune pn la curentul de prag (Iprag) curentul crete lent (fig.10,a,b). Caracteristica spectral n cazul dat este prezentat n fig.10,c-curba 1. La cureni mai mari ca Iprag puterea crete brusc i dioda trece n regim de generaie. Caracteristica spectral se schimb (fig.10-curba 2).

Fig.11. n fig.11 este prezentat schematic construcia DL. Ea prezint un monocristal cu jonciu-ne p-n. Dou pri a monocristalului snt utilizate ca rezonator. Alte dou pri snt lefuite sub un unghi una fa de alta. Coeficientul de reflecie de la feele poleite constituie circa 0,30-0,35. n afara de aceasta, iradierea trece nu numai prin domeniul activ, ci i cel pasiv. Deaceea pentru apariia generrii e necesar ca nivelul de amplificare a luminii s acopere toate pierderile.

Msurrile se efectuiaz la frecvena de repetiie a impulsurilor generatorului G5-54 de 10kHz i perioada 3-10s. La oscilograful cu fascicul dublu se stabilesc valorile msurate ale amplitudinei impulsurilor, curentului i puterii sau a tensiunii. Fig.12. Caracteristic pentru jonciunele p-n este aceea c lumina cu energia h=Eg, corespunztoare radiaiei, practic nu se absoarbe n semiconductor, deoarece pe nivelele superioare din banda de valen lipsesc electronii, iar nivelele minore (de jos) din banda de conducie snt ocupate. Aceasta creaz condiia pentru apariia radiaiei stimultane i creterea avalanei fotonice. Un neajuns esenial al DL pe baza semiconductorilor este dependena parametrilor de temperatur. Din cauza nclzirii laserului la trecerea curentului direct prin el, se schimb limea benzii interzise i componena spectral a radiaiei, crete curentul de prag, scade coeficientul de amplificare. Din aceast cauz apare problema evacurii cldurii. 2.4.2. Metodica experienii. Pentru msurarea caracteristicilor curent-tensiune i curentputere se folosete instalaia, schema-bloc a creia este prezentat n fig.12. Fig.13. 1-masa de ajustare a DL; 2-DL; 3-lentil; 4-monocromator; 5-tambur al lungimilor de und; 6-fotodiod; 7-amplificator. Laserul se instaleaz pe masa de ajustare. Amplificatorul U2-8 se acordeaz n frecvena de repetiie a impulsurilor generatorului G554. nscriei pe nregistrator graficele dependenei spectrale a radiaiei pentru cureni mai mici sau mai mari dect curentul de prag. Dup Msurai dependena puterii de radiaia a diodei laser de curentul prin diod i dependena curentului prin DL de tensiune. Dup datele obinute construii caracteristicile I-U i P-U. Determinai curentul de prag al generrii. Pentru cercetarea dependenii spectrale a radiaiei DL se folosete instalaia, schema-bloc a creia este prezentat n fig.13.

datele obinute determinai lungimea de und a radiaiei DL n regim de generare i limea benzii nterzise a semiconductorului. 3.5. ntrebri de control 1. Ce este luminiscena? 2. Cte feluri de recombinri cunoatei? 3. Noiuni de radiaia spontan i forat. 4. Noiune de populare invers. 5. Cum apare populare invers n sistemul cu trei nivele energetice? 6. Ce prezint construcia DL pe baza semiconductorilor? 7. Condiia apariiei generrii DL. 8. Ce este curentul de prag,de generare? 9. Cum acioneaz temperatura asupra parametrilor D LUCRAREA DE LABORATOR 4 CERCETAREA CARACTERISTICII CELULELOR SOLARE. 3.1. Scopul lucrrii: studierea metodelor de msurare caracteristicii celulelor solare i determinarea parametrilor de baz pentru celulele solare analizate. 3.2. ndrumri metodice. 3.2.1. Noiuni de baz. Efectul fotovoltatic este procesul fizic prin care energia radiaiei luminoase (fotonilor) este transformat direct n energia electric. Evidenierea acestui efect n semiconductori impune existena unei bariere de potenial, deci a unui cmp electric capabil s separe cele dou tipuri de purttori de neechilibru, electroni i goluri, fotogenerai prin aciunea fotonilor. Deci, acest efect poate fi observat n jonciunea p-n (homo sau hetero), la contactul metal-semiconductir, etc. Prezena purttorilor de sarcin fotogenerai, duce la micorarea barierii interne de potenial (fig.1), ceea ce faciliteaz transferul purttorilor minoritari dintr-o parte n alta a jonciunii p-n, astfel ca regiunea p se ncarc pozitiv, iar regiunea n - negativ (fig.1,c). Aceast stare de neechilibru pentru purttorii de sarcin dureaz att timp, ct jonciunea p-n se afl sub influena radiaiei luminoase i este msurabil, n funcie de conectarea ntr-un circuit extern a jonciunii p-n, printr-o tensiune de aceeai polaritate cu cea direct n

condiii de circuit deschis (rezistena de sarcin mare) sau printr-un curent de scurtcircuit (rezistena de sarcin neglijabil). Curentul de scurt circuit prin jonciunea p-n este dat ntr-o prim aproximaie de relaia: Jsc=qgAf(Ln+Lp) (1) unde Af este aria activ a jonciunei p-n, Ln i Lp snt lungimile de difuzie ale purttarilor minoritari, electroni respectiv goluri, iar g este rata de fotogenerare a purttorilor minoritari. Acest curent va fi de sens opus curentului direct (de injecie) prin jonciunea p-n, deci de acelai sens cu curentul invers. n condiiile conectrii la bornele jonciunii p-n a unei rezisten de sarcin finite, tensiunea datorat fotogenerrii purttorilor ajunge la o valoare V (vezi fig.1c), iar fotocurentul prin aceasta rezisten de sarcin va fi mai mic dect curentul de scurt circuit datorit curentului de injecie generat de trecerea purttorilor de sarcin n sens invers (i descris de ecuaia diodei). Curentul prin jonciunea p-n iluminat pentru orice valoare V a fototensiunei este dat de: I=Jsc-Is[exp(qV/kT)-1] (2) n condiii de circuit deschis (J=0, adic rezistena de sarcin infinit), relaia (1) devine: V=Vcd=kT/qln(JSC/Is+1) (3) Observm din (1) c valorea maxim a fotocurentului se obine n condiii de scurtcircuit (rezistena de sarcin extern nul, V=0) i anume: I=Jsc iar tensiunea maxim este Vcd (vezi fig.2). O descriere mai complet a unei celule solare trebuie s aib n vedere influienele parazite care efecteaz funcionarea, i anume: rezistena serie datorat regiunelor p i n precum i contactelor, care duce la diferene ntre tensiunea la bornele unei celule solare i tensiunea care cade pe jonciunea p-n; rezistena unt a jonciunii p-n care influieneaz curentul de scurgere al jonciunii p-n (curentul de ntuneric). Schema echivalent cel mai des folosit pentru celulele solare este prezentar n fig.3, unde Rs, Rsh i RL snt rezistenele serie, unt i

10

de sarcin, iar IL este un generator de curent care reprezint curentul, datorat purttorilor fotogenerai. Din circuitul prezentat n fig.3, aplicnd legea lui Kirchhoff, se obine caracteristica curent-tensiune a celulei solare: I=Is[exp-q(V-IRs)/kT)-1]+(V-IRs)/Rsh-IL (4) Curentul de scurtcircuit al celulei este de acelai ordin de mrime cu IL dac Rsh este foarte mare, ce se ntmpl n majoritatea cazurilor de interes practic, adic: Jsc=(IL/1+Rs/Rsh)Rsh,V=0=IL (5) n fig.4 se prezint influiena rezistenei serie respectiv rezistenei unt asupra caracteristicii curent-tensiune a celulelor solare. Se observ modalitile diferite de influienare a caracteristicii I-V prin Jsc n cazul rezistenei serie i prin Vcd n cazul rezistenei unt. Rezistena unt n celulele solare de interes practic este de regul destul de mare i se neglijeaz n condiii de iluminare solar normal (1 soare, adic 100mW/cm2 la nivelul mrii i 140mW/cm2 n afara atmosferii terestre). La intensiti mici ale radiaiei solare i ntr-o anumit msur la temperaturi joase rezistena unt poate influena funcionarea celulei solare, iar la intensiti mari i temperaturi ridicate rezistena serie are influiena vizibil asupra caracteristicii celulelor solare. Eficiena conversiei (randamentul cuantic extern) celulelor solare reprezint partea din puterea incident care este transformat n energie electric i este dat de relaia: e=Pm/Pin=ImVm/Pin=JscVcd/Pin (6) unde Pm este puterea maxim debitat de celula solar, iar Im i Vm snt valorile curentului i tensiunii corespunztoare puterii maxime. Pin este puterea radiaiei solare incident pe celula solar. F este denumit factor de umplere (fill factor) i ne indic ct din suprafaa mrginit de caracteristica I-V reprezint aria de putere maxim (fig.5) i este dat de: F=ImVm/JscVcd (7) O expresie analitic pentru eficiena conversiei n funcie de distribuia fotonilor n spectrul solar este dat de: e=q(1-R)QCImVmnf(Eg)/IscNf(hv)mAF/A (8)

unde Qc este eficiena colectrii purttorilor fotogenerai (numrul de purttori colectai pe numrul de fotoni incideni nf); Nf este numrul de fotoni/cm 2s din spectrul radiaiei incidente; nf este numrul de fotoni/cm2s cu energii Eg; (hv)m este energia medie a fotonilor incideni. n cazul acesta curentul de scurtcircuit poate fi scris: Jsc=qQc(1-R)nf(Eg) (9) Observm din relaiile (6),(8),(9) c eficiena conversiei depinde de lrgimea benzii interzise prin Vcd i Isc. Cu ct este mai mare Eg cu att mai larg va fi partea din spectrul solar absorbit n semiconductor. 1.3. Metodica efecturii lucrrii: 1. Studiai aparatele de msurri i ordinea de lucru cu ele. 2. Fixai fotodioda cu suport, conectai ampermetrul i sursa de alimentare (fig.1). 3. Msurai caracteristica V-A pentru Udir=0-1,4V i Uinv=0-5V n condiii de ntuneric (fr surs de lumin). 4. Msurai caracteristica V-A pentru 1 i 2. 5.Efectuai punctele 2-4 pentru 3 fotodiode (Si, GaAs). 6. Conectai ca sarcin magazinul de rezistene i deconectai sursa de alimentare (fig.2) 7. Determinai caracteristica de sarcin a celor trei fotodiode n regim fotovoltatic pentru 1,2,3, I,U=f(R). 8. Construii caracteristicele msurate. 9. Determinai parametrii de baz a fotodiodelor msurate pentru regim de fotodiod i regim fotovoltatic. Relaiile de baz snt: a)Pentru regimul de fotodiod I=-Is-IL Determinai curentul de ntuneric i fotocurenii pentru fluxurile de lumin utilizate: b)Pentru regimul fotovoltatic determinai: -curentul de scurtcircuit, -tensiunea de circuit deschis, -curentul i tensiunea de lucru (Pmax-Im.Um), -coeficientul de umplere a caracteristicii de sarcin FF=(Im.Um)/(Isc.Ucd) -eficiena de conversie =(Im.Um)/Pinc 10. Analizai rezultatele primite i scoatei concluziile respective.

11

Fig.3. Schema echivalent a unei celule solare.

Fig.4. Caracteristica curant-tensiune a unei celule solare pentru diverse valori ale rezistenelor serie (a) i rezistenei unt (b).

Fig.1. Jonc[iunea p-n iluminat (a) i diagrama denzelor energetice (b neiluminat, c - iluminat).

Fig.5. Caracteristica I-V i aria care indic puterea maxim pe care o poate furniza o celul solar.

Fig.2. Caracteristica I-V a unei jonciuni p-n iluminate.

12

Fig.6.

tip-p i tip-n. Aa contact este numit jonciune p-n. A obine jonciunea p-n prin contact simplua a doi semiconductori e imposibil, deoarece la suprafaa lor exist impuriti, defecte, oxizi etc. Din aceast cauz succesul a aprut numai atunci, cnd au fost gsite procesele de formare a jonciunii p-n ntr-un singur monocristal. Metedele de formare a jonciunii p-n n prezent snt aplicate cteva metode de formare a jonciunilor p-n: 1. Metoda de aliere (fuziune).

Fig.7. LUCRAREA DE LABORATOR 5

CERCETAREA I CALCULUL CARACTERISTECILOR VOLT-CAPACITIVE ALE DIODELOR SEMICONDUCTOARE 5.1. Scopul lucrrii: cercetarea experemental a dependenei capacitii diodelor semiconductoare de tensiune aplicat, aprecierea tipului jonciunei p-n, grosimei stratului sarcinii spaiale i concentraiei impuritilor. 5.2. Partea teoretic 6.2.1. Studierea metodelor de cercetare, tipurile de mecanisme formrii jonciunii p-n, diagramele energetice ale jonciunii n stare de echilibru, i aplicarea tensiunii exterioare, dup literatura propus i conspectul leciilor. 6.2.2. Facei cunotin cu metodele de calcul a paramtrelor jonciunii p-n i a msurrii caracteristicilor volt-capacitive (V-C). 5.3. Partea practic 6.3.1. Msurai carateristica V-C a diodei propuse. 6.3.2. Apreciai tipul jonciunii p-n dup caracterul dependenei capacitii diodei n dependen de tensiunea aplicat. 6.3.3. Calculai grosimea regiunii sarcinii spaiale i concentraia impuritilor n dioda analizat. 5.4. ndrumri metodice 6.4.1. Oiuni generale Progresul n electronica semiconductoarelor este legat n general cu aplicarea contactelor ntre doi semiconductori cu conductibilitate de

Fig. 5.1. Formarea jonciunii p-n prin metoda de fuziune. 1-germaniu de tip-n; 2- indiu; 3- nclzitor de carbon; 4- soluie de germaniun indiu; 5- germaniu de tip-p. n fig.6.1. este prezentat schematic procesul de formare a jonciunii p-n prin metode de fuziune a germaniului de tip-n cu indiu. Cristalulde germaniu (1) i o cantitate mic de indiu (2) snt plasate n nclzitorul de carbon (3) i temperatura se ridic pn la 500-600 0C. Acest proces se efectuiaz n atmosfera H2 sau N2. n rezultatul acestui proces indiul dizolv o parte de germaniu (4). Dac acum rcim ncet acest aliaj, obinem germaniu ce are ca impuritte indiu, adic germaniude tip-p. La frontier se va forma jonciunea p-n. 2. Metoda de extragere (jonciunea extras). Acest procedeu se efectuiaz n felul urmtor. n procesul de extragere amonocristalului n aliaj este adugat la nceput impuritatea, care determin conductibilitate de tip-p, iar apoi de tip-n. ntre aceste dou pri ale cristalului se formeaz jonciunea p-n. 3. Metoda prin difuzie Jonciunea p-n poate fi obinut prin difuzia impuritilor de tip-p n semiconductor de tip-n i invers, prin difuzia impuritilor de tip-n n semiconductor de tip-p. Difuzia poate fi efectuat din faz lichid, solid i gzoas la temperaturi nalte. Adncimea la care ptrunde

13

impuritatea i unde se formeaz jonciunea p-n depinde de temperatur i timpul procesului tehnologic. n fig.5.2.a este prezentat distribuia impuritilor de tip-p n semiconductor dup procesul de difuzie n material de tip-n.

Fig.5.2. Distribuia impuritilor n jonciunea p-n obinut prin procesul de difuzie (a) i epitaxie (b). La suprafaa substratului semiconductor conductibilitatea este dirijat de impuritile de tip-p deoarece aici Na>Nd. n interiorul semiconductorului Na=Nd. n acest plan i se formeaz jonciunea p-n. Pentru valori x>x0 Na<Nd. Aa distribuie este caracteristic pentru jonciunea lent. 4. Metoda epitaxial Aceast metod const n depunerea pe un substrat monocristalin al semiconductorului cu o conductibilitate a unei pelicule semiconductoare monocristaline cu conductibilitate (de semn opus). La frontiera dintre pelicul i substrat se formeaz jonciunea p-n. Procesul poate fi efectuat din faz lichid sau gzoas. n pelicula semiconductoare de tip-p care a fost depus pe substrat de tip-n. Aa distribuie corespunde jonciunii abrupte. 5. Metoda epitaxiei moleculare n acest caz substratul este plasat n vid (10 -7- 10-9) Pa i spre el este ndreptat unflux de atomi ai materialului ce dorim sa-l depunem pe substrat. Dac pe substrat depunem GaAs sau InP, atunci utilizm cte un flux al fiecrei componente aparte. Cu ajutorul acestei metode putem forma pe substrat pelicule cu conductibiliutate diferit (p- i -n) i grosimi cerute.

6. Metoda doprii cu ioni Dac asupra unui semiconductor vom aciona cu un fascicul de ioni cu energia de zeci-sute de mii de electron voli, atunci aceti ioni vor rmnea la suprafaa substrtului n stare neactiv. Pentru a trece aceti ioni n stare activ este necesar de a nclzi aceast prob un timp oaricare. La nclzire impuritatea este activat. Dac acest proces este efectuat la temperaturi medii, atunci jonciunea este abrupt. La contactarea a doi semiconductori cu conductibilitate diferit (p i -n) din cauza diferenei n concentaia purttorilor de sarcin n regiunea -p i -n are loc procesul de difuzie a golurilor din regiunea -p n -n i electronilor din -n n -p, ceea ce aduce la nclzirea acestor regiuni cu sarcini electrice (fig.6.3,a). Acest proces are loc din cauza formrii sarcinilor staionare n regiunile dn i dp care snt situate pe ambele pri ale frontierei p-n. Electronii ce au trecut n regiunea -p las n locul lor sarcina pozitiv a ionilor donor, iar golurile ce s-au transferat n regiunea -n sarcina negativ a ionilor acceptori. Distribuia densitii acestor sarcini este prezintat n fig.6.2,b. Dac temperatura este aproape de camer, atunci atomii impuritilor snt ionizai practic pe deplin. Din aceast cauz concentraia electronilor n regiunea -n va fi n no=Nd, iar a golurilor n regiunea -p va fi ppo=Na. Concentraia purttorilor de sarcin excidentari n aceste regiuni se determin prin relaia (6.1): npo=ni2/ppo ;pno=ni2/nno, (6.1) unde ni este concentraia purttorilor de sarcin n semiconductorul intrinsec. n fig.6.3,g este prezentat dependena concentraiei electronilor i golurilor la trecerea dintr-o regiune n alta. ncrcarea regiunii -n cu sarcin pozitiv asigur ridicarea tuturor nivelurilor (i a nivelului Fermi). Trecerea purttorilor de sarcin dintr-o regiune n alta are loc pn cnd nivelul Fermi nu se egaleaz. La egalarea nivelelor Fermi ntre regiunile -n i -p se stabilete starea de achilibru, careia i corespunde bariera potenial de echilibru o. Din fig.3.3,d se vede, c o=p+n=EFp-EFn. (6.2) Din fig.5.3,e se vede, c la trecerea dintr-o regiune n alta nlimea barierei pentru purttorii de sarcin intrinseci se mrete de la 0 la o pe distana d=dn+dp. Pentru a gsi forma funciei (x) se utilizeaz ecuaia lui Puasson: d2/dx2=(e/ o)(x) (5.3) Dac rezolvm ecuaia (6.3), considernd c toate nivelele energetice acceptor i donor snt ionizate, atunci pentru grosimea stratului sarcinii spaiale obinem d={[2 oo/e2][(nno+ppo)/nnoppo]}1/2 (6.4) Din ecuaia (6.4) se vede, c grosimea stratului sarcinii spaiale e cu att mai mare, cu ct a mai joas concentraia purttorilor de

14

sarcin intinseci. Grosimea stratului cmpului de contact este mai mare n acea parte a semiconductorului n care concentraia purttorilor de sarcin este mai mic. Aceast relaie se refer la jonciunea abrupt. Pentru jonciunea cu caracter lent legea schimbrii sarcini spaiale (x) repet legea schimbrii concentraiei. S presupunem c aceast schimbare are caracter liniar (x)=eUe. Atunci primim urmtoarea soluie a ecuaiei lui Puasson pentru grosimea stratului sarcinii spaiale: d=(12 oo/ea)1/3 (6.5)

Fig.5.3. unde a este coeficientul de proporionalitate n dependen liniar a concntraiei impuritii N(x) n jonciunea N(x)=ax. El este numit gradient al concentraiei impuritilor n jonciune. Starea de neechilibru a jonciunii p-n. Dac aplicm jonciunii p-n o diferen de potenial exterioar n cuplare indirect (adic jonciunea e nchis) bariera potenial crete pn la mrimea =o+eU. la cuplare direct bariera scade pn la =oeU. n concordan cu aceasta se schimb i grosimea stratului sarcinii spaiale, care este legat cu marimea barierei prin urmtoarele relaii: (6.6) pentru jonciune abrupt i (6.7) pentru jonciune lent d=[2 o(o eU)/e2nno]1/2 d=[12 o(o eU)/ea]1/3 (6.6) (6.7)

Din (5.6) i (5.7) se vede, c aplicarea unui decalaj invers duce la mrirea grosimii stratului de barier, iar la decalaj direct - la micorarea lui (fig.5.4.).

15

unde i este curentul prin jonciune; n i p - durata vieii electronilor i golurilor; = ip/(in+ip)=ip/i - coeficientul de injecie. Astfel capacitatea de difuzie va fi mai mare atunci, cnd curentul prin jonciune va fi mai mare i cnd vor fi mai mari duratele vieii electronilor i golurilor. Capacitatea total a jonciunii p-n va fi egal cu suma capacitii de barier i a capacitii de difuzie (fig.5.5). n fig.6.5. R este rezistena difereniala a jonciunii p-n. c=cd+cb (6.12)

Fig.5.5 Schema echivalent a jonciunii p-n. La aplicarea tensiunii indirecte de cteva zecimi de voli, capacitatea de difuzie practic poate fi considerat egal cu zero. Deci, pentru jonciunea nchis putem considera c n cazul dat capacitatea este pur de barier. Cnd jonciunea este cuplat direct capacitatea de difuzie predomin asupra capacitii de barier . Dependena capacitii de barier a jonciunii de tensiunea invers aplicat permite de a utiliza aceast capacitate n circuite electronice. Diodele n care este aplicat aceast proprietate a jonciunii p-n snt numite varicape ( diodele cu capacitate variabil). 5.4.2. Metodica efecturii experienei Din dependena capacitii jonciunii p-n de decalajul aplicat se poate determina tipul jonciunii p-n, diferena de potenial de contact, concentraia purttorilor de sarcin i se poate construi dependena limii stratului de baraj de tensiunea aplicat. Dependena C=f(U) se msoar cu ajutorul aparatului numeric de msurat R,L,C E7-12. 1. Studiai descrierea tehnic a aparatului de masurat R,L,C E712 i ordinea de lucru cu el. 2. Fixai dioda n suportul punii. 3. Variind tensiunea de decalaj pe diod n limitele pentru Uinv=0-5 V, pentru Udir=0-2 V, msurai dependena capacitii jonciunii p-n de tensiune.

Fig.5.4. Dependena grosimii stratului sarcinii spaiale n dependen de defirena de potenial exterior: a - U=0; b - U>0; c - U<0. n primul caz electronii i golurile sub aciunea cmpului snt transferai n interiorul regiunilor -n i -p. n cazul doi jonciunea i micoreaz dimensiunile i totodat se micoreaz i sarcina spaial. n aa mod jonciunea funcioneaz ca o capacitate numit capacitate de barier cb. Mrimea capacitii este apreciat din relaia: cb= oS/d (6.8) unde S este suprafaa jonciunii p-n, iar d- grosimea ei. Dac nlocuim n (6.8) mrimea d din (5.6) i (5.7) obinem pentru capacitatea jonciunii abrupte i lente urmtoarela relaii: cb=S[( oe2nno)/2(o eU)]1/2 (6.9) cb=S[( o)2ea/12(o eU)]1/3 (6.10) n afar de capacitatea de barier jonciunea p-n posed i capacitatea de difuzie. Aceasta se explic prin faptul c la aplicarea tensiunii exterioare se schimb numrul purttorilor de sarcin injectai i din aceast cauz i sarcina spaial. Calculele arat, c pentru capacitatea de difuzie este valabil relaia: cb=Sei/2bT[ p+(1) n] (6.11)

16

4. Construii dependena 1/C2=f(U) i 1/C3=f(U), i determinai tipul jonciunii p-n. 5. Determinai mrimea diferenei de potential de contact (poriunrea, care-i intersectat de dreapta pe axa abciselor) dup graficile 1/C2=f(U) pentru jonciunea abrupt i 1/C3=f(U) pentru jonciunea lent. 6. Utilizmd relaia (6.9) i depndena 1/C 2=f(U) pentru jonciune abrupt, calculai concentraia purttorilor de sarcin n regiunea cu rezisten nalt. Cunoscnd jonciunea lent dup formula (6.10) i panta dependenei 1/C3=f(U), determinai valoare coeficientului a n dependen de variaia concentraiei impuritilor n jonciune N(x)=ax. Calculai concentraia de impuriti la adncimea x=10-6m. 7. Construii dependena limii stratului de baraj i tensiunea aplicat U dup formulele (6.6) pentru jonciunea abrupt i (6.7) pentru jonciunea lent. 5.5. ntrebri de control 1. Ce se numete jonciune p-n ? Care jonciune p-n e numit abrupt i care- lent ? 2. Prin ce metode snt cptate jonciune p-n abrupt i lent ? 3. Ilustrai diagramele energetice ale jonciunii p-n abrupte n stare de echilibru i neechilibru. 4. Ilustrai repartizarea spaial a impuritilor i sarcinilor pentru jonciuni p-n abrupte i lente. 5. Ce se numete diferen de potenial de contact i de ce parametri ai materialului depind de ea ? 6. Ce se numete regiune a sarcinii spaiale i cum se formeaz ea n jonciunea p-n ? 7. De care parametri ai jonciunii p-n depinde grosimea stratului sarcinii spaiale i prin care formule se descrie ea pentru jonciunii p-n abrupt i lent ? 8. Care parametri ai jonciunii p-n pot fi determinai din dependena capacitii jonciunii de tensiunea de decalaj ?

17