FIZICA DISPOZITIVELOR

MICROOPTOELECTRONICE

Lecța 9 TRANZISTORUL BIPOLAR

Partea 1
Tranzistorul/comutator/amplificator – dispozitiv cu 3 terminale
Lumina ncoerentă

Sursa Lumina Vena Artera

coerentă
Valva

Poarta Gain medium

Drena
inima
damba laserul

Emitter Collector
Ion Channel

Base

TJB TEC conducția axonală

 Toate acestea ne aduc aminte a …

• Curentul de ieșire are 2 poziții: Da sau Nu

(Comutare  aplicare digitală; crează poziția 0 sau 1)

• Minimală schimbare în valvă (al 3lea terminal) conduce la

modificare largă la ieșire din terminalul 1 la 2

(Amplificare  aplicare analogică; de la 0.5  la 50)

Ce este un tranzistor?
 Istoria descoperirii
• Guglielmo Marconi a inventat radioul în 1895
• Problema majoră: pentru transmiterea la distanțe mare era
necesar de amplificat semnalul
• Lee De Forest a perfecționat tubul vidat al lui Fleming
întroducând grila cu scop de
amplificare
• Bell Labs (1947): Bardeen,
Brattain, și Shockley au
confecționat primul tr-r din Ge
1955- Premiul Nobel
• Poate este cea mai importantă
invenție a sec. 20 și cea mai secretizată
Transistor- acronym (Transfer Varistor

ECE 663
Point-Contact Transistor –
first transistor ever made
First Bipolar Junction Transistors
W. Shockley invented the p-n junction transistor
The physically relevant region is moved to the bulk of the material
Funcționarea normală a unui tr-r poate fi când există:

 un circuit de intrare – prin intermediul căruia tranzistorului i se aplică 
semnalul electric de comandă de la o sursă de tensiune (prescurtat S.C.In);
 un circuit de ieşire – prin care circulă curentul electric controlat prin 
intermediul tranzistorului. Acest curent este generat de o altă sursă de 
tensiune (prescurtat S.C.Out).

ECE 663
 Stările tr-rului

 tranzistor blocat. Fără semnal de comandă în circuitul de intrare, tranzistorul 
blochează complet trecerea curentului prin circuitul de ieşire. Alfel spus, dacă dai 
nimic la intrare, nu obţii curent prin circuitul de ieşire. În acest caz, rezistenţa 
electrică dintre bornele de ieşire ale tranzistorului este foarte mare (de cel puţin 
câteva sute de kΩ);
 tranzistor în regiunea activă. De îndată ce creştem puterea semnalului de comandă, 
tranzistorul se va deschide puţin câte puţin permiţând astfel trecerea curentului 
electric prin circuitul de ieşire. În acest caz, intensitatea curentului de ieşire este 
dictată de puterea semnalului de comandă. Cu alte cuvinte, cu cât semnalul de 
comandă este mai puternic, cu atât mai mare va fi şi curentul din circuitul de ieşire;
 tranzistor saturat. Dacă vom creşte în continuare puterea semnalului de comandă, 
vom observa că la un moment dat valoarea curentului din circuitul de ieşire nu mai 
creşte. Acest fenomen apare atunci când, în prezenţa unui semnal de intrare 
suficient de puternic, rezistenţa electrică dintre bornele de ieşire ale tranzistorului
scade până la 0.
Structura și simbolurile tr-lui bipolar

ECE 663
 Denumirea. Marcarea
• Denumirea de tranzistor bipolar provine de la următoarea caracteristică:
conducţia este asigurată de două tipuri de purtători de sarcină de polaritate
diferită (electroni şi goluri)
• Săgeata din simbol corespunde joncţiunii pn (emitor – bază).
• Sensul săgeţii (întotdeauna de la zona p spre zona n) arată sensul normal,
pozitiv al curentului prin joncţiunea bază – emitor polarizată direct.
• Respectiv cele 2 joncțiuni se numesc – emitoare și colectoare

ECE 663
 emitorul (E): este fabricat dintr-un SC tip N, foarte puternic dopat (1015 cm-3), ceea 
ce înseamnă că dispune de o mare cantitate de electroni liberi;
 colectorul (C): este fabricat tot dintr-un SC tip N însă care este mai slab dopat (106 
cm-3), ceea ce înseamnă că are mai puţini electroni liberi. Pe lângă acestea, 
colectorul este cea mai voluminoasă zonă tranzistorului;
 baza (B) – este fabricată dintr-un SC tip P (107-108 cm-3)sub forma unei folii foarte 
subţiri. Baza este plasată între emitor şi colector creând bariere de potenţial la 
zonele de contact cu aceştia (vezi liniile roşii din figura 3). Lungimea fizică a bazei e 
m.mai mică ca lungimea de difuzie a purtătorilor majoritari din emitor ( 10 mcm)

ECE 663
• În figura din stânga am conectat terminalele tranzistorului într-un circuit de intrare şi
respectiv într-unul de ieşire. Ţinând cont că acum ne referim la sensul real al curentului
electric, ne uităm cu atenţie în imaginea din figura din dreapta. Am polarizat în sens direct
joncţiunea B-E cu o tensiune mai mare decât tensiunea de deschidere a acesteia şi
astfel am anulat bariera de potenţial a acestei joncţiuni. Asta înseamnă că electronii liberi
din emitor vor putea trece în golurile din bază şi de acolo mai departe către borna + (plus) a
sursei de alimentare, formând un curent electric numit curent de bază (IB). Toate par bune
şi frumoase până aici, însă există o mică problemă: baza, fiind fabricată (intenţionat) de
forma unei foiţe foarte subţiri, nu va permite prea uşor trecerea electronilor liberi prin ea.
Astfel, pe traseul dintre emitor şi bază, electronii liberi circula cu greu, ceea ce înseamnă că
baza are acum un surplus de electroni liberi. Acum intră în rol colectorul, despre care am
spus deja că, fiind slab dopat, are mai puţini electroni liberi decât cei înghesuiţi în bază. În
plus, colectorul este legat la borna + (plus) a sursei de alimentare din circuitul de ieşire,
motive pentru care o parte din electronii liberi din bază sunt atraşi şi absorbiţi de către
colector. Electronii care sunt atraşi în colector formează un curent electric ce poartă numele
de curent de colector (IC). Cum atât curentul de colector cât şi cel de bază sunt formaţi din
electroni proveniţi din emitor, curentul de emitor (IE) este dat de suma dintre IC şi IB .
• Ştiind toate aceste lucruri, acum ne dăm seama că:
 terminalul emitor (E) îşi trage denumirea de la faptul că reprezintă sursa tuturor sarcinilor
electrice care circula prin tranzistor;
 terminalul colector (C) se numeşte asa deoarece „colectează” sarcini electrice din zona
bazei;
 terminalul bază (B) se numeşte aşa pentru că la primele tranzistoare, baza reprezenta
suportul întregii structuri a tranzistorului.
• În practică, componentele tranzistorului bipolar sunt optimizate în asa fel încât 
cea mai mare parte a electronilor plecaţi din emitor ajung prin bază în colector. 
Cu alte cuvinte, curentul de colector este mult mai mare decat cel de bază. 
Raportul dintre curentul de colector şi curentul de bază poartă denumirea de
factor β (beta), care mai este numit şi factor de amplificare al tranzistorului. În 
general, factorul β este cuprins în gama 10-1000.
• Având în vedere că în general în circuitul de ieşire se aplică o tensiune mai mare 
decât în circuitul de intrare (adică de regulă tensiunea de pe colector este mai 
mare decât cea de pe bază) apare întrebarea: „bine, dar joncţiunea B-C din nu 
este cumva polarizată invers ? Cum de totuşi curentul electric trece prin ea, ca 
apoi să ajungă prin emitor la borna negativă”. Aceasta se explică prin faptul că 
emitorul este mult mai puternic dopat decât colectorul, dar şi prin faptul că 
baza are o grosime foarte mică. Altfel spus, datorită motivelor menţionate, 
bariera de potenţial din joncţiunea B-C devine parţial transparentă.
• În toată prezentarea de mai sus, am considerat că circuitul de comandă al tranzistorului este 
conectat pe joncţiunea B-E. Trebuie însă de menţionat că circuitul de comandă poate fi aplicat 
foarte bine şi pe joncţiunea B-C (adică inversăm colectorul cu emitorul). Acest mod de legare 
nu este prea practic deoarece conduce la transformarea tranzistorului din amplificator (I B<IC) 
în atenuator (IB>IC).
• Tranzistorului PNP, aşa cum poţi vedea în figura de mai sus, este compus dintr-o bază 
fabricată dintr-un semiconductor de tip N care este aşezată între un emitor şi un colector 
fabricaţi din semiconductoare de tip P. Din acest motiv, curenţii electrici I B, IC şi IE circulă în 
sens invers faţă de sensul avut în tranzistorul NPN. În rest, baza, colectorul şi emitorul 
tranzistorului PNP au aceleeaşi configuraţii ca şi la tranzistorul NPN.
• La fel ca în orice altă joncţiune PN, tensiunea directă de pe joncţiunea B-E nu va putea fi
niciodată ridicată prea mult peste tensiunea de deschidere a acestea, singurul lucru care
poate fi crescut fiind doar intensitatea curentului care trece prin ea, adică I B. Asta înseamnă
că tranzistorul bipolar este un tranzistor comandat în curent, conform următoarei reguli: cu
cât este mai puternic semnalul de intrare (IB), cu atât mai mare este şi curentul pe care îl
determină în circuitul de ieşire (IC).
Localizarea regimurilor de funcționare ale TB în
planul tensiunilor U be și U bc
 Mod de operare a TB

Activ: • Cel mai important mod de operare

• Principal mod de amplificare
• Regiunea, unde curentul este aproape constant

Saturatie: • Polarizare directă a ambelor pn joncțiuni. Rezistența

dinamică a pn scade cauzând panta mare a
caractersticilor. Limita regiunii de saturație este Vbc=0

Blocare • Polarizarea inversă a ambelor pn. Limita de tăiere Ib=0.

(tăiere): tr-r ideal este un comutator deschis

* Note: There is also a mode of operation called inverse active, but it

is rarely used.
Construcția. Echivalența...
Trei tipuri de aplicare a polarizării la TB
.
Cu baza comună (CB)
amplificare la tensiune dar nu la curent. :input = VEB & IE
output = VCB & IC
Cu emitorul comun (CE)
amplificare la curent si tensiune.:

input = VBE & IB

output = VCE & IC
Cu colectorul comun (CC)
amplificare la curent dar nu la tensiune:

input = VBC & IB

Caracteristica de ieșire la TB cu baza comună

Emitter-Current Curves

IC

Active
Saturation Region

Region
IE

Cutoff
IE = 0

VCB
 TB cu baza comună
VCE
IC IE
Circuit Diagram: Si-NPN Tranzistor C E

VCB VBE
IB

+
_

_
B
VCB VBE

Region of IC VCE VBE VCB C-B E-B

Operation Bias Bias

Active βIB =VBE+VCE ~0.7V  0V Rev. Fwd.

Saturation Max ~0V ~0.7V -0.7V<VCE<0 Fwd. Fwd.

=VBE+VCE  0V None
Cutoff ~0  0V Rev.
/Rev.
 TB cu emitorul comun
Circuit Diagram
VCE Collector-Current Curves
IC
IC

+ Active
VCC _ IB
Region

IB
Region of Description
Operation

Active Small base current VCE

controls a large
collector current Saturation Region
Cutoff Region
Saturation VCE(sat) ~ 0.2V, VCE
IB = 0
increases with IC

Cutoff Achieved by reducing

IB to 0, Ideally, IC will
also equal 0.
 TB cu colectorul comun
Emitter-Current Curves
The Common- IE
Collector biasing
circuit is basically
equivalent to the Active
common-emitter Region
biased circuit except
instead of looking at
IB
IC as a function of VCE
and IB we are looking
at IE.
VCE
Also, since  ~ 1, and
 = IC/IE that means Saturation Region
IC~IE Cutoff Region
IB = 0
 TB relația circuit-ecuații
IE IC IE IC
- VCE + + VEC -
E C E C
- -
+ +
VBE VBC
IB VEB IB VCB
+ + - -
B B

npn pnp
IE = I B + I C IE = I B + I C
VCE = -VBC + VBE VEC = VEB - VCB

Notă: ecuațiile sunt pentru tranzistori, nu pentru circuite electrice

DC β and DC 
 Problemă
Tr-r npn cu baza comună
C
Dat: IB = 50  A , IC = 1 mA

VCB +
_
IC De găsit: IE , β , și 

IB
B
Solutia:

VBE +
_ IE IE = IB + IC = 0.05 mA + 1 mA = 1.05 mA

β = IC / IB = 1 mA / 0.05 mA = 20
E
 = IC / IE = 1 mA / 1.05 mA = 0.95238

 Poate fi determinată dacă cunoaștem valorile

lui β din formulele precedente.

= β = 20 = 0.95238
β+1 21
Ecuațiile precedente descriu funcţionarea tranzistorului în c.c. (regimul
static) şi, împreună cu legile lui Kirchhoff, permit calcularea valorilor
rezistenţelor din circuitul exterior de polarizare, precum şi a punctului static
de funcţionare caracterizat de patru parametrii: UBEo, IBo, UCEo şi ICo. TB
poate fi privit ca un cuadrupol dacă unul dintre terminalele sale va face parte
atât din circuitul de intrare cât şi din cel de ieşire. De regulă, terminalul
respectiv este conectat la borna de potenţial nul (masa circuitului). Astfel,
există trei conexiuni posibile ale tranzistorului într-un circuit:
Mărimile de intrare şi cele de ieşire pentru conexiunea
emitor comun sunt prezentate în Fig. mai sus. Modificarea
valorii oricăreia dintre ele conduce la modificarea celorlalte trei. Datorită
acestui lucru nu mai putem vorbi despre o singură caracteristică volt-
amperică, cum a fost în cazul diodei, ci de familii de caracteristici
statice de intrare, ieşire şi de transfer.
Pentru conexiunea emitor comun mărimile de control, cu ajutorul cărora le
modificăm pe celelalte, sunt curentul de bază, IB, ş i tensiunea dintre
colector şi emitor, UCE. De aceea ele vor fi considerate variabilele
independente iar tensiunea dintre bază şi emitor, UBE, şi curentul de
colector, IC, vor fi variabilele dependente.
Într -o reprezentare calitativă, familiile de caracteristici statice ale conexiunii
emitor comun sunt arătate în fig.3.6.

ECE 663
 familiile de caracteristici statice

sunt următoarele:
•UBE = f (IB)pentru UCE =const. , caracteristica de intrare (cadran III)
IC= f (UCE) pentru IB =const. , caracteristica de ieşire (cadranul I)
•IC= f (IB) pentru UCE =const. , caracteristica de transfer în curent (cadran II)
U BE = f (UCE) pentru IB =const, caracteristica de transfer invers în
tensiune (cadran IV)
•- IC

IB

ICBo IB = 0
IB
-UCE

UCE IB
ECE 663
-UBE
 caracteristica de transfer în tensiune,

• O altă caracteristică importantă a tranzistorului bipolar este caracteristica

de transfer în tensiune, pe baza căreia se definesc şi regimurile posibile
de funcţionare ale lui. În fig. a este prezentată o schemă posibilă pentru
trasarea acestei caracteristici iar în fig.3.7b este arătat aspectul ei.
Pentru tensiuni UBE mai mici decât tensiunea de deschidere a diodei
emitor, între emitor şi colector nu poate circula nici un curent, căderea de
tensiune pe rezistenţa Rc este nulă şi UCE = Ec. În acest interval de
tensiuni de intrare tranzistorul este blocat, între colector şi emitor el acţionând ca un
întrerupător deschis. Odată cu creşterea tensiunii de intrare, dioda emitor se va deschide şi va
permite “curgerea” electronilor între emitor şi colector peste dioda colector polarizată invers.
Tensiunea UCE va începe să scadă foarte rapid, deoarece creşte căderea de tensiune pe Rc, în
condiţiile în care tensiunea de alimentare, Ec, este păstrată constantă (Ec = IcRc + UCE). Curentul
de colector va creşte şi tensiunea UCE se va micşora până când se ajunge în regimul de saturaţie
(cantitatea de sarcină disponibilă nu este nelimitată) în care ambele diode, emitor şi colector,
sunt în stare de conducţie. Acest regim de lucru se numeşte saturat. În regimul saturat tensiunea
•între colector şi emitor este foarte mică, U CE ≅ 0,1 − 0,2V . Ea se numește
tensiune colector -emitor de saturaţie, UCEsat. Zona de tranziţie dintre regimurile blocat şi saturat
se numeşte zona activă. În zona activă curentul de colector şi tensiunea de ieşire pot fi
controlate de către tensiunea de intrare şi implicit de către curentul de bază.
•Putem sintetiza regimurile de funcţionare ale tranzistorului bipolar în felul următor:
•regimul blocat DE şi DC - blocate,
• IC = 0, UCE = Ec
•regimul în zona activă DE – conducţie, DC – blocată,
• IC ≠ 0, U CE = 5 → 0,2V
•regimul saturat: DE şi DC – conducţie,
• IC ≠ 0, U CE = 0,1 − 0,2V = U CEsat
Regimul de funcţionare în zona activă este folosit atunci când tranzistorul se află într-o schemă de
prelucrare a semnalelor, de amplificare sau generatoare de oscilaţii armonice. Atunci când
tranzistorul trece foarte rapid prin zona activă, lucrând între starea de blocare şi cea de saturaţie şi
invers, se spune despre el că lucrează în regim de comutaţie (în circuitele digitale, de exemplu).
 Vizualizarea regimurilor de funcționare ale TB

• Printre parametrii caracteristici ai unui tranzistor se află şi puterea

maximă pe care el o poate disipa fără a atinge temperaturi la care s-ar
distruge. Produsul ICUCE nu poate depăşi această valoare care este
diferită în funcţie de tipul de tranzistor. Zona în care puterea disipată pe
tranzistor ar fi mai mare decât puterea maximă admisă este şi ea
vizualizată pe reprezentarea grafică din fig.3.8.
IC Pmax = IC UCE

SATURATIE

P > Pmax

IB
ZONA ACTIVA
IB = 0
BLOCARE
0 UCE
• Recapitulare p-n jonctiune

ECE 663
 Joncțiunea pn – semiconductoare intrinseci și dopate

 joncțiunea pn = alăturarea metalurgică a două materiale semiconductoare dopate

complementar p și n

 doparea de tip p → un semiconductor intrinsec (ex. Si) dopat cu impurități acceptoare

→ coloana 3 din tabelul periodic → exces de goluri

 doparea de tip n → un semiconductor intrinsec (ex. Si) dopat cu impurități donoare

→ coloana 3 din tabelul periodic → exces de goluri

 funcționarea depinde de modelul cu benzi energetice

distribuția
Fermi-Dirac
1
f F (E)  E  EF

1 e kT

3
6
 Joncțiunea pn – semiconductoare intrinseci și
dopate
 doparea modifică modelul cu benzi energetice a semiconductoarelor intrinseci

 banda interzisă efectivă scade și deplasarea nivelului Fermi faciliteză formarea de

purtători liberi → conducția

la temperaturi >0K electronii se pot deplasa in banda de conducție sau golurile în
banda de valență → purtători de sarcină mobili → curent de conducție
3
7
 Joncțiunea pn nepolarizată – modelul cu benzi
energetice
 joncțiunea pn in echilibru nepolarizată→ potențialul intrinsec:
NA ND
 VT ln
0 n2i

ioni pozitivi și negativi → câmp electric intern care accelerează purtătorii liberi prin
limita dintre materiale → difuzie de purtători

recombinarea elecroni-goluri până neutralitatea sarcinilor este atinsă și câmpul electric

intern este compensat

regiunea de golire la limita dintre materialele cu ioni, dar fără purtatători liberi → izolare
efectivă între materialele de tip p și n
3
8
 Joncțiunea pn polarizată

 polarizare inversă → polarizarea întărește câmpul electric intern, regiunea de golire se

lățește și bariera de potențial crește → curent zero

 polarizare directă → polarizarea compensează câmpul electric intern, regiunea de golire

se îngustează și bariera de potențial scade → difuzia purtătorilor și curent prin joncțiune

3
9
 Joncțiunea pn capacități și curenți

 semiconductoarele dopate împreună cu regiunea de golire → condensator

 Cj0 depinde de concentrația dopantului și de constante de material

capacitatea joncțiunii
Cj 0 nepolarizate
Cj 
VD tensiune de
1
0 polarizare
potențial
intrinsec

 curentul prin joncțiune → determinat din ecuația difuziei

 IS – curent de saturație dependent de temperatură

 VD
nVT

ID 1  VT – tensiunea termică
 IS e  
 
 n – coeficientul de gradare a joncțiunii (=1 la joncțiuni
4 abrupte)
0
Tranzistorul bipolar            > 
functionarea p-n-p jonctiunilor
 tranzistor bipolar = alăturarea a două joncțiuni pn astfel încât unul din materiale să fie
folosit la comun

 dispozitiv cu 3 terminale controlate în curent:

 emitor (E) – sursa purtătorilor
 baza (B) – controlează fluxul de purtători și implicit curentul
 colector (C) – capturează purtătorii și îi elimină din dispozitiv
 npn sau pnp depinde de tipul de dopant

 doar cazul npn e discutat, pnp e similar având tensiunile de polarizare și curenții negativi

 substratul este uneori lăsat neconectat → tensiunea controlată prin proiectare

 Tranzistoare bipolare

 tranzistor npn nepolarizat în echilibru → joncțiunile și modelul său cu benzi energetice

EBE EBC

 nivelul Fermi este identic pentru toate cele trei straturi

 ambele joncțiuni sunt neutre dpv electric cu potențial intrinsec și câmp electric propriu

 regiuni de golire la limita ambelor joncțiuni

 bariere de potential → curent zero

 dispozitivul necesită polarizare → tensiuni corespunzătoare aplicate la terminale4

3
 Tranzistoare bipolare - polarizarea

 joncțiunea BC polarizată invers→ regiunea de golire se lățeste

electronii minoritari din bază sunt atrași de potențialul pozitiv al colectorului →
migrația de la B la C
bariera de potențial BC oprește difuzia electronilor câtre B
de unde vin electronii minoritari din bază??
 juncțiunea BE polarizată direct → regiunea de golire scade
permite o concentrație mai mare de electroni în B
electronii migrează de la E la C → curentul are sensul de la C la E

44
 Tranzistoare bipolare – sensul curenților

 nu toți electronii din bază ajung în colector → tipic ~1% sunt eliminați prin terminalul
bazei → curentul de bază nu este zero → câștig de curent (β)

curentul este asociat cu mișcarea golurilor → sensul curentului este opus cu mișcarea
electronilor → săgeata din emitor arată sensul curentului → condiții adecvate de polarizare

IE  IB  IC

IC  
 VIBEB  VCB
VCE
45
PNP BJT Electrostatics
PNP BJT Electrostatics
NPN Transistor Band Diagram: Equilibrium
 PNP Transistor Active Bias Mode

VEB > 0
VCB > 0
Few recombine
in the base

Collector Fields drive holes

far away where they can’t
return thermionically

Large injection Most holes

of Holes diffuse to
collector
Forward Active minority carrier distribution

P+ N P

pB(x)

nE(x’) nC0
pB0
nE0
nC(x’’)
PNP Physical Currents
 Emitter Injection Efficiency - PNP

IE IC
IEp ICp
C
E IEn ICn

IB

I Ep I Ep
 
I E I Ep  I En Can we make the emitter
see holes alone?
0  1
 Base Transport Factor

IE IC
IEp ICp
C
E IEn ICn

IB

ICp
T 
I Ep

0  T  1 Can all injected holes

make it to the collector?
 Common Base DC current gain - PNP

Common Base – Active Bias mode:

IC =  DCIE + ICB0

ICp = TIEp
 DC = T
= TIE

IC = TIE + ICn
 Common Emitter DC current gain - PNP

Common Emitter – Active Bias mode:

IE =  DCIB + ICE0

 DC =
IC = DCIE + ICB0 DC /(1-DC)
= DC(IC + IB) + ICB0 GAIN !!
IC
IB
IC = DCIB + ICB0
1-DC
IE
Common Emitter DC current gain - PNP

T
 dc 
1  T

Thin base will make T  1

Highly doped P region will make   1
BJTs – Testing
BJTs – Testing