P-n joncțiunea

• Lățimea regiunii sărăcite la contact

• Dacă socotim regiunea sărăcita ca un
condensator plat:

Dacă contactul este redresor:

Înălțimea barierei:
 P-n joncțiunea
• Lățimea regiunilor în fiecare n sau p depinde de
concentrația purtătorilor majoritari

Capacitatea de barieră:

La injectarea concentrația purtătorilor minoritari în regiunea injectată cresc ca:

În regiunea n:

În regiunea p:
P-n joncțiunea
• La polarizarea inversă

• Caracteristica I-V
• Curentul este din componenta electronică și golurilor, ce determină
coeficientul de injectare:

• Capacitatea difuzională
a p-n la polarizarea directă:
P-n
• Caractersitica I-V la străpungere
• Unde α(E) = coeficientul de ionizare, care la aproximarea de drift este

• Iar la aproximarea de difuziune este

• Criteriul de străpungere (valabil și pentru calcule la diode)
• Iar coeficientul de multiplicare ne arată de cîte ori crește
Curentul în diodă în regiunea străpungerii
P-n joncțiune
• Caracteristicile de frecvență depind de capacitatea joncțiunii și
pierderile (rezistențele) pe regiunile joncțiunii. Frecvența limită a
redresării joncțiunii
5.1 Este dat:
• Na = 1017 cm-3, Nd = 1015 cm-3, ε = 12,5 Δφc = 0,6 eV, S= 10-4 cm2
• De aflat: lățimea regiunii sărăcite a p-n
• Capacitatea joncțiunii

• Răspuns: Lo = 0,9 10-4 cm, Lp = 0,01Lo, Ln = 0,99Lo, C= 1 pF

5.2 Este dat
• Nd = 10 16 cm-3, ε = 12,5 , Lucrul de ieșire din Me φMe= 4,6 eV, lucrul
de ieșire din Sc φSc = 4,3 eV, Scontact = 10-4 cm2
• Determinați: lățimea regiunii sărăcite, capacitatea barierei Me-Sc
• Construiți dependența lățimii regiunii sărăcite și capacității de
tensiunea aplicată la joncțiune Me-Sc
5.3 Dat: T=300K,φme = 4,6 eV, φsc =4,3 eV, n0=1016 cm-3

• Construiți caracteristica I-V a contactului Me-Sc

5.4 Dat: joncțiunea p-n, Ge, T=300K, pp=1017cm-3, nn=1014 cm-3, Dp=50 cm2/s,
Dn=100 cm2/s, Lp=0,1 cm, Ln=0,01 cm

• Determinați coeficientul de injecție a p-n joncțiunii

• Din Tabel aflăm ni = 2,5 1013 cm-3
5.5 pp=1017 cm-3, nn = 1014 cm-3, Lp=0,1 cm,
Ln = 0,01 cm, Sb = 10 cm , Js=100 mcA
-4 2

• Determinați capacitatea de difuziune a p-n

5.6 p-n ideală (Rdirect=0, Rindirect = oo), C=1
pF, rezistența totală a pierderilor Rs = 0,1 Ohm
• Determinați frecvența limită (de prag) a redresării diodei
5.7
• Determinați coeficientul de ionizare la străpungere α (E) pentru
electroni în
• Ge –în aproximarea de drift;
• Ge, Si, GaAs – în aproximarea de difuziune
• Pentru Ge: A=1,55 107 cm-1, b=1,56 106 V/cm, n=1
• Pentru Si: A=3,8 106 cm-1, b= 1,75 106 V/cm, n=1
• Pentru Ga As: A= 3,5 105 cm-1, b= 6,85 105 V/cm, n=2
5.8
• Determinați tensiunile de străpungere a p-n joncțiunii abrupte pentru
pp ˃˃nn, grosimea regiunii sărăcite

• Obțineți expresia (formula) pentru determinarea Ustr