DISPOZITIVE MICRO-OPTOELECTRONICE

TEMA 2
NOȚIUNI DIN FIZICA CORPULUI SOLID

DR.H., ARTUR BUZDUGAN

 • Structura solidelor cristaline:
• Un corp solid este compus din atomi, ioni, sau molecule aranjate întro structură, ce se repetă tridimensional.

• Deci sunt niște materiale în care atomii sunt situați întro periodicitate repetată pe distanțe multiple atomice.

• Clasificarea din punct de vedere a structurii:

Materiale cristaline

• - atomi (ioni ori molecule) ce se repetă în rețea 3D

• - aceiași structură la distanțe mari, ex.: NaCl,

• Materiale amorfe (necristaline)

• - repetarea structurii la distanțe mici, la distanțe mari – neperiodică

• Materiale Fractale

• - Repetare la distanțe mari, simetrii dar ce nu se repetă.

Un fractal este o figură geometrică fragmentată sau frântă care poate fi divizată în părți, astfel încât fiecare dintre acestea să fie (aprox.) o copie miniaturală a
întregului". Termenul a fost introdus de Benoît Mandelbrot în 1975 și este derivat din latinescul fractus, însemnând "spart" sau "fracturat

• Cristale lichide

• - Repetare la distanțe mari de un singur tip, dezordonate de alt tip

• - cu faze: nematice, smectice, , chirale nemectice , albastre, etc…

 CELULA ELEMENTARĂ ȘI REȚEAUA
CRISTALINĂ
• Celula cristalina: unitatea structurala care pastreaza caracteristicile cristalului 3D.
• Prin repetare pe cele 3 axe se genereaza cristalul.
• Celula elementara: cea mai mica formatiune 3D de atomi care prin repetare genereaza reteaua.
(diferente la sistemul hexagonal)
 SISTEME CRISTALOGRAFICE
• Sistemul cristalografic reprezintă totalitatea formelor cristalografice care pot fi deduse din aceeaşi formă
fundamentală şi care sunt grupate după caracterele lor generale de simetrie.
• În cristalografie, cristalele sunt clasificate în 7 sisteme cristalografice fundamentale (rețelele BRAVAIS)
• Diferenţierea dintre sisteme se realizează conform axelor de simetrie ale cristalelor şi unghiurilor în care se
intersectează aceste axe.
• Axa de simetrie reprezintă o linie imaginară trasată prin centrul cristalului de la mijlocul feţelor opuse.
• Sistemele cristalografice reprezintă o metodă de clasificare a cristalelor în funcţie de structura reţelei lor
cristaline, care reprezintă o reţea tridimensională a atomilor ce sunt aranjaţi într-o structură simetrică. Forma
structurii determină atât sistemul cristalografic căruia îi aparţine un mineral, cât şi toate proprietăţile sale fizice
şi aspectul său exterior. Fiecare din cele şapte sisteme cristalografice prezintă o reţea cristalină distinctă.
• Mai sunt 7 sisteme cristalografice derivate de bază (atomii în centrele volumelor sau fețelor) + alte sisteme
derivate (atomii plasați în alte poziții
METALE (EXEMPLU)
 INFLUENȚA STRUCTURII CRISTALINE

• Plan de alunecare: plan cu numar maxim de atomi in interiorul celulei (= plan

de densitate atomica maxima)
• deformatiile in cristal - in principal in planele de alunecare
• numar mare de plane de alunecare → plasticitate buna
• cfc (8) cea mai buna plasticitate, rezistenta / duritate mica
• cvc (6) plasticitate mai scazuta, rezistenta / duritate mare
• hc (2) (planele de baza) – plasticitate scazuta
MODALITĂȚI DE CRISTALIZARE
 STRUCTURA CRISTALELOR REALE
• Defecte ale cristalelor:
• 1. Punctiforme simple vacante, atomi interstitiali
• complexe
• 2. LINIARE dislocatii

Dislocatie marginala Dislocatie elicoidala

• Dislocatiile – determina plasticitatea metalelor

• Se deplaseaza in planul de alunecare sub actiunea eforturilor de forfecare
• In cristal – numar mare de dislocatii (de la solidificare sau prin deformare)
• Rezistenta teoretica >1000 x Rezistenta reala a metalelor
• 3. De suprafata defecte de impachetare
STRUCTURA CRISTALELOR REALE
LEGĂTURI INTERATOMICE
CATEGORIA SOLIDELOR

 Sunt 3 categorii de corpuri solide bazate pe proprietăți de

conductivitate
 conductori

 semiconductori

 dielectrici
 Conductori și Izolatori.
Modelul benzilor energetice

Banda interzisă este relativ

mică și poate fi trecută
la absorbția unui foton

banda interzisă poate

fi trecută numai în
condiții de străpungere
Banda de conducție și
banda de valență se suprapun,
deci nu este banda interzisă
REZISTENȚA VS TEMPERATURA
Siliciu și Germaniu

15
 Semiconductor?
• Un conductor cu rezistența înaltă?
• Un izolator cu rezistența joasă ?
• sau un corp solid cu rezistența intermediară metalelor și izolatoarelor ?
– În general pentru DMOE – cristaline, dar………………

policristaline amorfe cristaline

EE105 Fall 2007 Lecture 1, Slide 16
 PROLIFERAREA MATERIALELOR SC

•După apariţia tranzistorului (1950), Ge era principalul material semiconductor, dar

prezenta dezavantajul curentului rezidual ridicat la temperaturi mari pecum şi proprietăţi
modeste ale oxidului de germaniu. După 1960, Si devine înlocuitorul practic al germaniului,
datorită:
• 
-curenţilor reziduali mult mai mici,
•-proprietăţilor remarcabile ale oxidului de de siliciu,
-considerente economice (costul siliciului monocristalin destinat dispozitivelor
•
semiconductoare şi a circuitelor integrate este cel mai scăzut).
•În ultimii ani, Si devine şi el de multe ori inutilizabil datorită limitelor de performanţă la
•
frecvenţe ridicate sau în domeniu optic.
•Astfel, au apărut materiale semiconductoare compuse, compuşii intermetalici: SiC, GaP,
GaAs, InSb, CdS etc.
 CLASIFICAREA SC
•În general, MSC sunt rezistenţe neliniare şi rezistivitatea lor este puternic
influenţată de defectele existente în structura cristalină a materialelor şi de
factorii externi (tensiunea aplicată, iluminarea la care sunt supuse, temperatura
• în timp ce la conductori acestea n-au practic nici o influenţă.
etc.),
•Coeficientul de temperatură al rezistivităţii semiconductoarelor este negativ
în domeniul de temperaturi ce interesează în tehnică, asemănându-se din acest
punct de vedere izolatorilor.
•Clasificarea MS poate fi făcută după diferite criterii: chimic, fizic şi
•
funcţional.
•În funcţie de numărul elementelor chimice care intră în structura chimică,
există MS elementare (în număr de 12, din grupa a patra a tabelului Mendeleev:
C, Si, Ge, Sn; din grupa a treia: B; din grupa a cincea: P, As şi Sb; din grupa a
şasea: S, Se, şi Te; din grupa a şaptea: I) şi MS compuse (în număr de câteva
sute, compuşi binari de tipul III-V, IV-IV, II-IV, II-V, II-VI, I-V, I-VI, III-VI etc.;
compuşi ternari de tipul I-III-V, II-IV-V, I-IV-VI, I-II-VI, IV-IV-VI etc.; compuşi
cuaternari de tipul I-IV-V-VI, CuPbAsS3; soluţii solide Ge-Si, InAs-InSb, PbSe-
PbTe etc.). 
 FUNCȚIE DE NR ELEMENTELOR CHIMICE,
MS:

Elementare, Compuse,
12 câteva sute

Binari Ternari Cuaternari Soluții solide

Gr. III: B A1B3C5, Ge-Si,

gr. IV:–Si, Ge, C, Sn A3B5, A4B4,
A2B4C5, InAs-InSb
Gr. V: P, As, Sb A2B4, A2B5, A1B4C5D6
A1B4C6, PbSe-
Gr. VI: S, Se, Te A2,B6, A1B5, ….
A1B2C6… PbTe
Gr. VII: I A1B6, A3B6…
. …..
ÎN FUNCŢIE DE NATURA LEGĂTURII
INTERATOMICE

Cu legătura covalentă Cu legătura hibridă covalent - ionică

Direcționată,
Grad de ionicitate divers
Rigiditate și duritate deosebită
(Si -18%, CdS -69%, GaAs – 32%)
(Si, Ge, Se, Te)
 … AL (DEZ)ORDINII CRISTALINE…

Monoclinic Ortorombică, Hexagonală

Trigonală,
ă, CdAs2, SnS, , GaSe,
Bi2Se,
LiAs SnSe, Ag2Te ZnSb,
Sb2Te3
CdSb

Cubică Policristalină
Si, Ge, SiC, ,
GaP, GaAs, As2Se3,
InSb Amorfe /necristaline As2S3
As2S3, As2Se3…
 …FUNCȚIILOR DE UTILIZARE…

conducţie comandată în conversie

tensiune electrică (câmp electrooptică;
electric); conversie
conversie termoelectrică;
optoelectronică;

conversie magnetoelectrică
(efectul Hall  şi efectul
 
magnetorezistiv); conversie mecanoelectrică
  (efectul piezosemiconductor).
detecţie a radiaţiilor
nucleare;
Semiconductori amorfi
 Introducere
Materiale Amorfe: NIMIC NOU!

 Ferul după vechime este de ordinul

materialelor sticloase (recuperate de pe
Lună de misiunea Apollo!) - miliarde ani
vechime!
 Oamenii confecționau materiale sticloase
(SiO2) de mii de ani.

24
Cercetările au fost inițiate de Zachariasen (1932) care
a propus descrierea structurii sticlei SiO2 prin o
rețea continuă aleatorie (Continuous Random
Network (CRN).

25
26
S. Kugler: Lectures on Amorphous Semiconductors 27
 Regula (8 – N)
N.F. Mott 1969

 Întrun material sticlos orice atom este construit în așa fel încât să-
și păstreze coordonarea naturală (fără obligațiuni de legătură).
 Z, numărul de legături covalente Z = 8 - N, unde N este numărul
de electroni de valență. (Versiunea originală, unde luăm în
considerare elementele numai în coloanele IV-VI din tabelul
periodic.) Z = N, dacă N<4. (regula adițională)
Consecință la acea vreme a fost că:

sticla nu poate fi dopată!

Mai târziu: dopate, modificate… 28
 Chittick ș.a.(Telecommunications Lab. in
Harlow, England (1968-70) au realizat
prima dopare a sticlei amorfe din siliciu.
 Regula lui Mott’s (8-N) a ignorat această
realizare.
 6 ani mai târziu W.E. Spear și P.G.
LeComber (grupa cercetare Dundee) au
dopat și mai simplu filmurile lor care s-au
dovedit a fi stabile la temperatură

29
 “faza de tranzițe” solid -lichid
 Faza solidă se caracterizează cu viscozitatea – forța de
curgere mai mare ca 1013.6 Ns/m2.
 Ex.: apicând o forță de 100 N pe parcursul unei zile
asupra 1 cm3 de material, astfel de material cu
viscozitatea de mai sus, se va deforma cu 0,02 mm.
 Lichidele, de regulă, la T=300K au viscozitatea de ordinul
10-3 Ns/m2.

S. Kugler: Lectures on Amorphous Semiconductors 30

 Ce sunt materialele amorfe?
De ce sunt sticle?
1. Definiție: Materialele amorfe sunt în faza
condensată și nu posedă periodicitate la
distanțe mari a pozițiilor atomilor.
2. Sticla este un amorf în stare solidă, care
dispune o tranziție de sticlă

S. Kugler: Lectures on Amorphous Semiconductors 31

 Ordinea atomică
De regulă, simplist, vorbim despre 3 nivele diferote de
ordine atomică:
 Ordinea în apropierea imediată – în intervalul de
distanțe 0-10 Å (ordine locală).
 Ordinea în apropierea medie (10-100 Å.)
 Ordinea îndepărtată- mai mare ca 100 Å.

S. Kugler: Lectures on Amorphous Semiconductors 32

 Clasificarea SC amorfe
1. SC amorfe cu legături tetrahedrale: a-Si, a-Ge, a-C(?) și
aliage tip a-SiC, etc. (tathogene)
2. Sticle chalcogenide
a. a-S, a-Se, a-Te, a-SxSe1-x (chalcogenide pure)
b. a-As2Se3, a-As2S3, a-P2Se3 , etc. (pnictogen-chalcogen
(V-VI))
c. a-GeSe2, a-SiS2, a-SiSe2, etc. (tetragen-chalcogen (IV-
VI))

S. Kugler: Lectures on Amorphous Semiconductors 33

Nanocrystaline?
Microcrystaline?
Polycrystaline?

S. Kugler: Lectures on Amorphous Semiconductors 34

 Siliciulnanocrystaline (nc-Si)
– forma alotropică form a Si -
este similar Si amorf (a-Si), care
conține faza amorfă.
 Diferă prin aceea, că nc-Si conține
granule nm de Si cristaline
încadrate în faza amorfă.
 Si microcrystaline – similar,
dar conține granule cristaline
de dimensiuni µm.
S. Kugler: Lectures on Amorphous Semiconductors 35
 Sinanocristaline este în contrast
cu Si policrystalin (sau
polisilicon, poly-Si) care const
exclusiv din granule cristaline din
Si, separate prin legături
intergranule

S. Kugler: Lectures on Amorphous Semiconductors 36

 COMPONENTE ACTIVE ȘI PASIVE
• Materialele SC pot fi folosite pentru confecționarea atât
elementelor electronice pasive, cât și active (D,Tr, Tir..).
• Prin însăși dependențele conductibilității SC de factori
externi SC este un element rezistiv neliniar.
• Componentele pasive ca rezistori, capacități și inductanțe
sunt foarte răspândite.
• Resistor – o piesă de tip N ori P- SC dopată cu
concentrații necesare pentru anume rezistivitate.
• Capacitate – 2 plăci din SC cu conductivitate foarte
înaltă separate de un SC cu puritate înaltă sau alt izolator
ca ex. SiO2).
• Inductanță – din spirală din SC cu conductivitate foarte
înaltă.