Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
MICROOPTOELECTRONICE
Drena
inima
damba laserul
Emitter Collector
Ion Channel
Base
ECE 663
Point-Contact Transistor –
first transistor ever made
First Bipolar Junction Transistors
W. Shockley invented the p-n junction transistor
The physically relevant region is moved to the bulk of the material
Funcționarea normală a unui tr-r poate fi când există:
ECE 663
Stările tr-rului
ECE 663
Denumirea. Marcarea
• Denumirea de tranzistor bipolar provine de la următoarea caracteristică:
conducţia este asigurată de două tipuri de purtători de sarcină de polaritate
diferită (electroni şi goluri)
• Săgeata din simbol corespunde joncţiunii pn (emitor – bază).
• Sensul săgeţii (întotdeauna de la zona p spre zona n) arată sensul normal,
pozitiv al curentului prin joncţiunea bază – emitor polarizată direct.
• Respectiv cele 2 joncțiuni se numesc – emitoare și colectoare
ECE 663
emitorul (E): este fabricat dintr-un SC tip N, foarte puternic dopat (1015 cm-3), ceea
ce înseamnă că dispune de o mare cantitate de electroni liberi;
colectorul (C): este fabricat tot dintr-un SC tip N însă care este mai slab dopat (106
cm-3), ceea ce înseamnă că are mai puţini electroni liberi. Pe lângă acestea,
colectorul este cea mai voluminoasă zonă tranzistorului;
baza (B) – este fabricată dintr-un SC tip P (107-108 cm-3)sub forma unei folii foarte
subţiri. Baza este plasată între emitor şi colector creând bariere de potenţial la
zonele de contact cu aceştia (vezi liniile roşii din figura 3). Lungimea fizică a bazei e
m.mai mică ca lungimea de difuzie a purtătorilor majoritari din emitor ( 10 mcm)
ECE 663
• În figura din stânga am conectat terminalele tranzistorului într-un circuit de intrare şi
respectiv într-unul de ieşire. Ţinând cont că acum ne referim la sensul real al curentului
electric, ne uităm cu atenţie în imaginea din figura din dreapta. Am polarizat în sens direct
joncţiunea B-E cu o tensiune mai mare decât tensiunea de deschidere a acesteia şi
astfel am anulat bariera de potenţial a acestei joncţiuni. Asta înseamnă că electronii liberi
din emitor vor putea trece în golurile din bază şi de acolo mai departe către borna + (plus) a
sursei de alimentare, formând un curent electric numit curent de bază (IB). Toate par bune
şi frumoase până aici, însă există o mică problemă: baza, fiind fabricată (intenţionat) de
forma unei foiţe foarte subţiri, nu va permite prea uşor trecerea electronilor liberi prin ea.
Astfel, pe traseul dintre emitor şi bază, electronii liberi circula cu greu, ceea ce înseamnă că
baza are acum un surplus de electroni liberi. Acum intră în rol colectorul, despre care am
spus deja că, fiind slab dopat, are mai puţini electroni liberi decât cei înghesuiţi în bază. În
plus, colectorul este legat la borna + (plus) a sursei de alimentare din circuitul de ieşire,
motive pentru care o parte din electronii liberi din bază sunt atraşi şi absorbiţi de către
colector. Electronii care sunt atraşi în colector formează un curent electric ce poartă numele
de curent de colector (IC). Cum atât curentul de colector cât şi cel de bază sunt formaţi din
electroni proveniţi din emitor, curentul de emitor (IE) este dat de suma dintre IC şi IB .
• Ştiind toate aceste lucruri, acum ne dăm seama că:
terminalul emitor (E) îşi trage denumirea de la faptul că reprezintă sursa tuturor
sarcinilor electrice care circula prin tranzistor;
terminalul colector (C) se numeşte asa deoarece „colectează” sarcini electrice din
zona bazei;
terminalul bază (B) se numeşte aşa pentru că la primele tranzistoare, baza
reprezenta suportul întregii structuri a tranzistorului.
• În practică, componentele tranzistorului bipolar sunt optimizate în asa fel încât
cea mai mare parte a electronilor plecaţi din emitor ajung prin bază în colector. Cu
alte cuvinte, curentul de colector este mult mai mare decat cel de bază. Raportul
dintre curentul de colector şi curentul de bază poartă denumirea de factor
β (beta), care mai este numit şi factor de amplificare al tranzistorului. În general,
factorul β este cuprins în gama 10-1000.
• Având în vedere că în general în circuitul de ieşire se aplică o tensiune mai
mare decât în circuitul de intrare (adică de regulă tensiunea de pe colector este
mai mare decât cea de pe bază) apare întrebarea: „bine, dar joncţiunea B-C din nu
este cumva polarizată invers ? Cum de totuşi curentul electric trece prin ea, ca
apoi să ajungă prin emitor la borna negativă”. Aceasta se explică prin faptul că
emitorul este mult mai puternic dopat decât colectorul, dar şi prin faptul că baza
are o grosime foarte mică. Altfel spus, datorită motivelor menţionate, bariera de
potenţial din joncţiunea B-C devine parţial transparentă.
• În toată prezentarea de mai sus, am considerat că circuitul de comandă al
tranzistorului este conectat pe joncţiunea B-E. Trebuie însă de menţionat că circuitul
de comandă poate fi aplicat foarte bine şi pe joncţiunea B-C (adică inversăm
colectorul cu emitorul). Acest mod de legare nu este prea practic deoarece conduce
la transformarea tranzistorului din amplificator (IB<IC) în atenuator (IB>IC).
• Tranzistorului PNP, aşa cum poţi vedea în figura de mai sus, este compus dintr-o
bază fabricată dintr-un semiconductor de tip N care este aşezată între un emitor şi
un colector fabricaţi din semiconductoare de tip P. Din acest motiv, curenţii
electrici IB, IC şi IE circulă în sens invers faţă de sensul avut în tranzistorul NPN. În rest,
baza, colectorul şi emitorul tranzistorului PNP au aceleeaşi configuraţii ca şi la
tranzistorul NPN.
• La fel ca în orice altă joncţiune PN, tensiunea directă de pe joncţiunea B-E nu va
putea fi niciodată ridicată prea mult peste tensiunea de deschidere a acestea,
singurul lucru care poate fi crescut fiind doar intensitatea curentului care trece prin
ea, adică IB. Asta înseamnă că tranzistorul bipolar este un tranzistor comandat în
curent, conform următoarei reguli: cu cât este mai puternic semnalul de intrare
(IB), cu atât mai mare este şi curentul pe care îl determină în circuitul de ieşire (IC).
Regimul de Tipul TB Polarizarea
baza-emitor baza-colector
(RAN) NPN
PNP
(RAI) NPN
PNP
(RS) NPN
PNP
(RB) NPN
PNP
Localizarea regimurilor de funcționare ale TB în
planul tensiunilor U be și U bc
Mod de operare a TB
Emitter-Current Curves
IC
Active
Saturation Region
Region
IE
Cutoff
IE = 0
VCB
TB cu baza comună
VCE
IC IE
Circuit Diagram: Si-NPN Tranzistor C E
VCB VBE
IB
+
_
_
B
VCB VBE
+ Active
VC _ IB
C
Region
IB
Region of Description
Operation
npn pnp
IE = IB + IC IE = IB + IC
VCE = -VBC + VBE VEC = VEB - VCB
β = IC = h21b = IC
IB IE
Ic = αIe + Icbo (2) sau Ic = α/(1-α)Ib + Icbo / (1-α) = β Ib+(1+β)Icbo (3)
VCB +
_
IC De găsit: IE , β , și
IB
B
Solutia:
VBE +
_ IE IE = IB + IC = 0.05 mA + 1 mA = 1.05 mA
β = IC / IB = 1 mA / 0.05 mA = 20
E
= IC / IE = 1 mA / 1.05 mA = 0.95238
= β = 20 = 0.95238
β+1 21
Ecuațiile precedente descriu funcţionarea tranzistorului în c.c. (regimul static)
şi, împreună cu legile lui Kirchhoff, permit calcularea valorilor rezistenţelor
din circuitul exterior de polarizare, precum şi a punctului static de funcţionare
caracterizat de patru parametrii: UBEo, IBo, UCEo şi ICo. TB poate fi privit
ca un cuadrupol dacă unul dintre terminalele sale va face parte atât din
circuitul de intrare cât şi din cel de ieşire. De regulă, terminalul respectiv este
conectat la borna de potenţial nul (masa circuitului). Astfel, există trei
conexiuni posibile ale tranzistorului într-un circuit:
Mărimile de intrare şi cele de ieşire pentru conexiunea
emitor comun sunt prezentate în Fig. mai sus. Modificarea
valorii oricăreia dintre ele conduce la modificarea celorlalte trei. Datorită
acestui lucru nu mai putem vorbi despre o singură caracteristică volt-
amperică, cum a fost în cazul diodei, ci de familii de caracteristici
statice de intrare, ieşire şi de transfer.
Pentru conexiunea emitor comun mărimile de control, cu ajutorul cărora le
modificăm pe celelalte, sunt curentul de bază, IB, ş i tensiunea dintre
colector şi emitor, UCE. De aceea ele vor fi considerate variabilele
independente iar tensiunea dintre bază şi emitor, UBE, şi curentul de
colector, IC, vor fi variabilele dependente.
Într -o reprezentare calitativă, familiile de caracteristici statice ale conexiunii
emitor comun sunt arătate în fig.3.6.
ECE 663
familiile de caracteristici statice
sunt următoarele:
•UBE = f (IB)pentru UCE =const. , caracteristica de intrare (cadran III)
IC= f (UCE) pentru IB =const. , caracteristica de ieşire (cadranul I)
•IC= f (IB) pentru UCE =const. , caracteristica de transfer în curent (cadran II)
U BE = f (UCE) pentru IB =const, caracteristica de transfer invers în
tensiune (cadran IV)
• - IC
IB
ICBo IB = 0
IB
-UCE
UCE IB
ECE 663
-UBE
caracteristica de transfer în tensiune,
a b
Discuţia asupra comportării tranzistorului se poate face dacă
considerăm comportamentul celor două joncţiuni asemănător
comportamentului unor diode. Vom numi în continuare joncţiunea emitoare
drept dioda emitor, DE, iar joncţiunea colectoare drept dioda colector, DC.
Pentru tensiuni UBE mai mici decât tensiunea de deschidere a diodei
emitor, între emitor şi colector nu poate circula nici un curent, căderea de
tensiune pe rezistenţa Rc este nulă şi UCE = Ec. În acest interval de
tensiuni de intrare tranzistorul este blocat, între colector şi emitor el acţionând ca un
întrerupător deschis. Odată cu creşterea tensiunii de intrare, dioda emitor se va deschide şi va
permite “curgerea” electronilor între emitor şi colector peste dioda colector polarizată invers.
Tensiunea UCE va începe să scadă foarte rapid, deoarece creşte căderea de tensiune pe Rc, în
condiţiile în care tensiunea de alimentare, Ec, este păstrată constantă (Ec = IcRc + UCE).
Curentul de colector va creşte şi tensiunea UCE se va micşora până când se ajunge în regimul de
saturaţie (cantitatea de sarcină disponibilă nu este nelimitată) în care ambele diode, emitor şi
colector, sunt în stare de conducţie. Acest regim de lucru se numeşte saturat. În regimul saturat
tensiunea
• între colector şi emitor este foarte mică, U CE ≅ 0,1 − 0,2V . Ea se numește
tensiune colector -emitor de saturaţie, UCEsat. Zona de tranziţie dintre regimurile blocat şi
saturat se numeşte zona activă. În zona activă curentul de colector şi tensiunea de ieşire pot fi
controlate de către tensiunea de intrare şi implicit de către curentul de bază.
•Putem sintetiza regimurile de funcţionare ale tranzistorului bipolar în felul următor:
•regimul blocat DE şi DC - blocate,
• IC = 0, UCE = Ec
•regimul în zona activă DE – conducţie, DC – blocată,
• IC ≠ 0, U CE = 5 → 0,2V
•regimul saturat: DE şi DC – conducţie,
• IC ≠ 0, U CE = 0,1 − 0,2V = U CEsat
Regimul de funcţionare în zona activă este folosit atunci când tranzistorul se află într-o schemă de
prelucrare a semnalelor, de amplificare sau generatoare de oscilaţii armonice. Atunci când
tranzistorul trece foarte rapid prin zona activă, lucrând între starea de blocare şi cea de saturaţie şi
invers, se spune despre el că lucrează în regim de comutaţie (în circuitele digitale, de exemplu).
Vizualizarea regimurilor de funcționare ale TB
SATURATIE
P > Pmax
IB
ZONA ACTIVA
IB = 0
BLOCARE
0 UCE
• Recapitulare p-n jonctiune
ECE 663
Joncțiunea pn – semiconductoare intrinseci și dopate
distribuția
Fermi-Dirac
1
f F (E) EEF
kT
1 e
3
6
Joncțiunea pn – semiconductoare intrinseci
și dopate
doparea modifică modelul cu benzi energetice a semiconductoarelor intrinseci
la temperaturi >0K electronii se pot deplasa in banda de conducție sau golurile în
banda de valență → purtători de sarcină mobili → curent de conducție
3
7
Joncțiunea pn nepolarizată – modelul cu benzi
energetice
NA ND
joncțiunea pn in echilibru nepolarizată→ potențialul intrinsec: 0 VT ln
ni2
ioni pozitivi și negativi → câmp electric intern care accelerează purtătorii liberi prin
limita dintre materiale → difuzie de purtători
regiunea de golire la limita dintre materialele cu ioni, dar fără purtatători liberi → izolare
efectivă între materialele de tip p și n
3
8
Joncțiunea pn polarizată
3
9
Joncțiunea pn capacități și curenți
capacitatea joncțiunii
Cj 0 nepolarizate
Cj
V tensiune de
1 D polarizare
0
potențial
intrinsec
doar cazul npn e discutat, pnp e similar având tensiunile de polarizare și curenții negativi
EBE EBC
ambele joncțiuni sunt neutre dpv electric cu potențial intrinsec și câmp electric propriu
4
4
Tranzistoare bipolare – sensul curenților
nu toți electronii din bază ajung în colector → tipic ~1% sunt eliminați prin terminalul
bazei → curentul de bază nu este zero → câștig de curent (β)
curentul este asociat cu mișcarea golurilor → sensul curentului este opus cu mișcarea
electronilor → săgeata din emitor arată sensul curentului → condiții adecvate de polarizare
I E I B IC
IC IB
V V V
CE BE CB
4
5
PNP BJT Electrostatics
PNP BJT Electrostatics
NPN Transistor Band Diagram: Equilibrium
PNP Transistor Active Bias Mode
VEB > 0
VCB > 0
Few recombine
in the base
P+ N P
pB(x)
nE(x’) nC0
pB0
nE0
nC(x’’)
PNP Physical Currents
Emitter Injection Efficiency - PNP
IE IC
IEp ICp
C
E IEn ICn
IB
IEp IEp
IE IEp IEn Can we make the emitter
see holes alone?
0 1
Base Transport Factor
IE IC
IEp ICp
C
E IEn ICn
IB
ICp
T
IEp
IC = DCIE + ICB0
ICp = TIEp
DC = T
= TIE
IC = TIE + ICn
Common Emitter DC current gain - PNP
IE = bDCIB + ICE0
bDC =
IC = DCIE + ICB0 DC /(1-DC)
= DC(IC + IB) + ICB0 GAIN !!
IC
IB
IC = DCIB + ICB0
1-DC
IE
Common Emitter DC current gain - PNP
T
b dc
1 T