Optoelectronica

DOROGAN Andrei

SENZORI DE RADIAIE UV Senzorii de radiaie ultraviolet (UV) se utilizeaz n diferite domenii ale tiinei, tehnicii, medicinii, agriculturii pentru determinarea intensitii i dozei radiaiei UV din spectrul solar sau al altor surse de radiaie. Aceasta este foarte important, deoarece radiaia UV are i efecte curative (omoar bacteriile, sub aciunea ei se formeaz vitamina D), i nocive (distruge esuturile vii). Domeniul spectral al radiaiei UV este 0,2 < < 0,4 m . Pentru confecionarea senzorilor de radiaie UV se utilizeaz cei mai diveri semiconductori, ns, cei mai eficieni sunt semiconductorii cu band energetic interzis E g > 2,5eV ( < 0,49m ). n special compuii: A 3 B 5 (GaAs, GaP, AlGaAs); A 2 B 6 (SiC carbura de siliciu, GaN nitrura de galiu, C diamantul). Pentru a realiza un senzor de radiaie UV eficient este necesar de a ndeplini urmtoarele condiii: Eficien nalt de separare a purttorilor de sarcin generai de radiaia UV; Deoarece radiaia UV n compuii A 3 B 5 este absorbit la suprafa ( 10 5 cm 1 ) este necesar de a forma o barier de potenial superficial, deci de a confeciona senzorul pe baza structurilor Schottky sau MOS; Sensibilitate minim sau nul pentru domeniul vizibil i infrarou. Cu toate, c Si posed E g =1,1eV el este utilizat pentru costul su ieftin i are o tehnologie bine pus la punct. n calitate de barier de potenial se utilizeaz jonciunea pn superficial (cu grosimea stratului frontal 0,1m ).

Structura senzorului de radiaie UV pe baz de Si

SENZORI DE RADIAIE UV

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Distribuia sensibilitii spectrale absolute Deoarece coeficientul de difuzie al electronilor este mai mare ca cel al golurilor (la fel ca i lungimea de difuzie), n regiunea spectral vizibil i IR (aproape de pragul rou) sensibilitatea structurii p + n n + este mai mic. Aceasta se explic prin faptul c rad .vizibil < UV , i, deci, absorbia radiaiei vizibile are loc n volumul structurii. Pentru a mri eficiena de conversie a radiaiei UV a senzorilor din Si se formeaz structuri cu jonciune pn profilat.

l = L+ 2 ;

unde W - stratul de sarcin spaial, l - distana dintre regiunile p + , L+ - lungimea de difuzie a golurilor. Concluzie: Si nu este cel mai optimal material pentru confecionarea senzorilor de UV.
SENZORI DE RADIAIE UV 2

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

SENZOR CU STRUCTUR GaP SnO2

Diagramele energetice:

SENZORI DE RADIAIE UV

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

SENZORI DE UV CU BARIER SUPERFICIAL DUBL Structura: GaAs AlGaAs SnO2

unde W - grosimea stratului de sarcin spaial, iar d - grosimea stratului din AlGaAs.

1234-

d AlGaAs > W = 1m d AlGaAs > W 1m d AlGaAs > W 0,5m d AlGaAs > W 0,1m

SENZORI DE RADIAIE UV

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

SENZORI DIFERENIALI DE RADIAIE UV Structura:

SENZORI DE RADIAIE UV