INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN
CAMP DE RADIOFRECVENTA

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

NCLZIREA N CMP ELECTROMAGNETIC DE RADIOFRECVEN

A DIELECTRICILOR

Cuprins :
1.1.Introducere
1.2. Domeniile de utilizare ale nclzirii n radiofrecven........................................
1.3. Puterea necesar nclzirii unui dielectric..
1.3.1. Cazul materialelor dielectrice omogene...
1.4. Frecvena tensiunii de alimentare...
1.5. Timpul de nclzire.
1.6. Echipamentul pentru nclzirea n radiofrecven...
1.6.1. Aplicatoare..
1.6.2. Surse de radiofrecven...
1.6.3. Adaptoare de sarcin..
1.6.4. Proprietati dielectrice..........................................................................................
1.6.5. Factori care afecteaz proprietile dielectrice ale materialelor...
1.6.6. Determinarea proprietilor dielectrice n regim de radiofrecven.
1.7. Procesarea alimentelor cu ajutorul cureilor de nalt frecven.
1.8. Echipamente de procesare cu ajutorul nclzirii n cmp de radiofrecven..
1.8.1.Schema instalatiei experimentale pentru determinarea parametrilor electrofizici

Pagina
3
5
5
6
11
12
12
12
17
17
18
20
20
22
23

ai produselor vegetale.
1.9. Procesarea semifabricatelor de lemn n cmp de radiofrecven
1.10. Simularea procesului de nclzire in
radiofrecvena .............................................................
1.11. Simulari privind incalzirea unui semifabricat de lemn utilizand FEM
Concluzii
Bibliografie

NCLZIREA N CMP DE RADIOFRECVEN A

DIELECTRICILOR
2

24
30
34
37
40
41

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
1.1 . Introducere
n procedeele de nclzire clasic a materialelor dielectrice cldura este transmis la
suprafaa materialului prin convecie sau radiaie i ptrunde n interior prin conducie termic.
Conductivitatea termic a acestor materiale fiind foarte sczut, transferul de cldur se face
foarte lent i astfel crete durata procesului de nclzire, cresc pierderile termice i diferena de
temperatur n interiorul materialului[1].
ns materialele dielectrice se pot nclzi n cmpuri de R.F. (radiofrecven). nclzirea n
acest caz se bazeaz pe pierderile de putere datorate faptului c dielectricul nu este perfect izolant
(prezint o rezisten finit, deci apar pierderi electrice prin conducie) i pe pierderile datorate
fenomenului de histerezis dielectric (orientarea dipolilor electrici moleculari ai dielectricului nu
poate urmri variaiile de sens ale cmpului electric alternativ aplicat deoarece i se opune agitaia
termic - fenomenul de vscozitate electric).
Intensificarea procesului de uscare este legat de specificul i particularitile ei, i trebuie
s se realizeze cu condiia asigurrii unei caliti nalte a produsului finit i a cheltuielilor
specifice minime. De regul, pentru intensificarea procesului de uscare i ridicarea eficacitii
economice de lucru a instalaiilor de uscare n radiofrecvena se folosesc diferite modaliti
(metode):
1. Folosirea cmpurilor cu temperaturi nalte (mai mari de 1000 C). Totodat trebuie s
se in cont de rezistena de temperatur i rezistena de cldur a fiecrui produs concret i de
asemenea, meninerea substanelor biologice active n acesta produse;
2. Folosirea de noi metode combinate de influen a cldurii.
3. Utilizarea metodelor electrofizice de influen: razele infraroii (IR) i lmpile cu
descrcare n gaze (LDG), UHF i SHF i combinarea lor cu metode tradiionale de aport de
energie[2].
Exist patru tehnici principale de msurare ale proprietilor dielectrice: spectroscopia de
impedan (condensator plan paralel); linia de transmisie (include transmisia n spaiu), proba
coaxial, precum i metoda cavitii rezonante. Exist dou frecvene alocate de ctre Uniunea
Internaional a Telecomunicaiilor (UIT), pentru aplicaiile industriale de RF: 13,56 MHz i
27,12 MHz
Cmpul electromagnetic de nalt frecven cunoscut ca i cmp de radiofrecven i
microunde, are o mare diversitate de aplicaii. nclzirea n cmp electromagnetic de nalt
frecven se datoreaz unui mecanism molecular complex care este eficient la o clas de materiale
3

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
nominalizate ca dielectrici cu pierderi. n dielectricii situai ntr-un cmp electric constant n timp,
principial se pot manifesta doar pierderi prin conducie electric. Dac ns, cmpul electric este
variabil n timp, mai exact periodic, pe lng pierderile prin conducie electric, pot interveni i
pierderile prin histerezis dielectric, care sunt proporionale cu frecvena. n tehnic exist dou
procedee principale de nclzire a dielectricilor n cmp electric i anume: la frecvene foarte
nalte n domeniul microundelor i la frecvene ceva mai mici, n domeniul radiofrecvenelor [3].
Frecvenele alocate i benzile de frecven ISM (Industrial, stiinific i Medical):
RF (Dielectric):

40,68 MHz (7,4m) +/- 0,06%;

27,12 MHz (11m) +/- 0,6%;

13,56 MHz (22m) +/- 0,05%,

Microunde:

2450 MHz +/- 50 MHz (0,12m);

896 or 915 MHz +/-13 MHz (0,33m)

433 MHz.

Spectrul electromagnetic i benzile industriale RF de frecven 13,56 MHz 0,05% i

27.12 MHz 0,6% i MU

1.2. Domeniile de utilizare ale nclzirii n radiofrecven [6]

Inclzirea n radiofrecven se utilizeaz cu precdere n:
4

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

a) industria alimentar (uscarea laptelui, deshitratarea fructelor, coacerea biscuiilor,

sterilizarea produselor, dezghearea produselor congelate);
b) industria chimic (uscarea produselor sub form de granule, pudr sau tablete);
c) industria lemnului (lipirea semifabricatelor, uscarea produselor);
d) industria construciilor de maini (uscarea miezurilor de turntorie, confecionarea
tuburilor din oel acoperite cu fibre de sticl);
e) industria electrotehnic (confecionarea produselor din materiale termoplastice, fabricarea
plcilor i cilindrilor din pertinax, stratitex sau sticlostratitex).
nclzirea n radiofrecven ofer urmtoarele avantaje:
- cldura se dezvolt n ntreaga mas a dielectricului, rezultnd o distribuie uniform a
temperaturii;
- timpul necesar nclzirii este redus, iar productivitatea procedeului este ridicat;
- instalaiile de nclzire sunt simple i cu un gabarit redus.

1.3. Puterea necesar nclzirii unui dielectric

n instalaiile de nclzire n radiofrecven, materialul procesat este introdus ntre
armturile unui condensator de lucru (numit aplicator) alimentat de la un generator de .F. , n
limitele 0,3...100 MHz[5].
i

IC
I
2
d

R
IR

u
U

IC

a)

b)

IR
c)

Fig. 1.1 nclzirea capacitiv: a schema de principiu; b schema electric echivalent;

c diagrama fazorial.
1 sursa de alimentare; 2 plcile condensatorului de lucru; 3 materialul procesat.

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
1.3.1. Cazul materialelor dielectrice omogene
Materialul dielectric omogen introdus ntre armturile unui condensator determin unghiul
de defazaj capacitiv ntre fazorii I i U, < /2, conform Fig. 1.1.c. (defazajul ntre curent i
tensiune n cazul unui condensator ideal, fr pierderi dielectrice, este /2).
= /2 este unghiul de pierderi dielectrice
Dielectricii pot fi reprezentai printr-o schem echivalent de tipul celei din Fig.1.1.b., ca i
nite condensatoare cu pierderi. n Fig. 1.1.b. C este un condensator ideal, iar R este un rezistor n
care apar aceleai pierderi ca i n materialul dielectric analizat.
Puterea activ disipat n materialul dielectric este :
P

U2
R

Conform diagramei fazoriale,

IR
Ic

tg
deci:

I R I C tg

i
P U I C tg

Dar curentul capacitiv IC se poate exprima astfel :

IC

C I C I C
1

U
C U
C 1

Rezult pentru puterea activ disipat n materialul dielectric expresia:

P U 2 C tg 2 f C U 2 tg

Capacitatea unui condensator plan este dat de relaia:

0 r A
d
unde : A reprezint aria suprafeei electrozilor; d distana dintre electrozi.
C

Rezult c:
P 2 0 r f

U2 A
tg
d

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
Notnd cu V = Ad volumul materialului procesat, se obine pentru puterea activ disipat
n materialul dielectric:
P 2 0 r f

Dar E

U
d

U2
V tg
d2

este intensitatea cmpului electric exterior, astfel nct puterea specific (pe

unitatea de volum) va fi:

pv

P
2 0 r f E 2 tg .
V

Concluzii:
1. Puterea specific disipat n materialul dielectric este direct proporional cu frecvena,
ptratul intensitii cmpului electric (E2) i cu factorul de pierderi (

r tg "g

);

2. Puterea dezvoltat n materialul dielectric se consum pentru nclzirea acestuia pn la

o anumit temperatur (ntr-un timp determinat) i (eventual) pentru transformri de
faz, schimbarea strii polimorfice, efectuarea unor reacii chimice i pentru acoperirea
pierderilor termice n mediul ambiant;
3. Pentru a obine o puterea specific ct mai mare este necesar s se lucreze cu o valoare
a intensitii cmpului electric maxim posibil [8].
OBS: Pentru a evita conturnarea sau strpungerea materialului dielectric, valorile cmpului
electric sunt n domeniul E = 80 300 V/mm, dar n instalaiile de uscare se impune Emax = 160
V/mm (Umax = 15 kV) datorit faptului c apa eliminat din materialul dielectric condenseaz pe
electrozi.
4. Dac factorul de pierderi r tg este redus, nclzirea materialului se face ncet i este
dificil s se ating temperatura dorit. Dac r tg

este prea mare, atunci crete

curentul prin materialul dielectric, ceea ce impune limitarea tensiunii de alimentare

pentru a evita strpungerea acestuia.
Materialele care pot fi nclzite corespunztor n radiofrecven satisfac condiia :
0.01 r tg 1
5. Dac factorul de pierderi variaz cu temperatura, pentru a evita supranclzirile locale se
poate utiliza nclzirea n impulsuri (egalizarea temperaturii se face n timpul pauzelor);
6. Creterea frecvenei este limitat de domeniul de frecvene alocat .
7

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
1.3.2. Cazul materialelor dielectrice neomogene
n practic, materialul dielectric procesat n cmp de nalt frecven este ntotdeauna mai
mult sau mai puin neomogen, sau umple numai o parte din spaiul dintre electrozi.
a) Conectarea n serie

r1 ; tg 1 ;U1

r 2 ; tg 2 ;U 2

d
2

Fig. 1.2 Modelul de conectare n serie

n cazul a 2 straturi se poate considera c se formeaz 2 condensatoare conectate n serie.
I

U
U

I
CC

I
U

CC

2 2

Fig. 1.3 Schema electric echivalent pentru modelul de conectare n serie

Modelul corespunde aplicaiilor n care straturi materiale succesive, cu proprieti

dielectrice diferite sunt puse ntre plcile aplicatorului (condensatorul de lucru), sau exist un strat
de aer ntre materialul procesat i electrozi.

Presupunnd

I C1 I C 2

U1
U
2
1
1 ,
C 2 C 2

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
rezult: C1 U 1 C 2 U 2 si
A

U 1 C2

U 2 C1

Dar C1 0 r d ; C2 0 r d , astfel nct se obine:

1
2
1

U 1 r 2 d1
E1 r 2

sau
U 2 r1 d 2
E2 r1

innd cont de expresia puterii specifice:

pv1 2 f 0 r 1 E12 tg 1 ; pv 2 2 f 0 r 2 E22 tg 2

rezult raportul densitilor de putere dezvoltate n cele dou straturi:

pv 1 r 1

pv 2 r 2

E tg 1 r 1
1

E 2 tg 2 r 2

tg 1
r 2
r 1 tg 2

pv 1 r 2 tg 1

pv 2 r 1 tg 2

Dac primul strat este aer r 1 1

U1
d
d
r 2 1 U 1 r 2 1 U 2 .
U2
d2
d2

OBS: n absena aerului, intensuitatea cmpului electric n dielectric ar fi :

E 20

U
d2

d1
iar n prezena stratului de aer : U U 1 U 2 U 2 1 r 2 d 2
d2

d1
Rezult: E 20 E 2 1 r 2 ,
d2

unde E2 reprezint intensitatea cmpului electric n materialul dielectric n prezena stratului de

aer [10].
E2

E 20

E2
1
E 20
0.8

1 r2

r2 1
r2 2

0.6
0.4
0.2

r2 10

U
d1
d2

0
0.2 0.4

0.6

0.8

d1 .
d2

1.2 1.4

d1
d2

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

Fig. 1.4 Efectul stratului de aer asupra intensitii cmpului electric n dielectricul de
grosime d2.
Concluzii :
- puterea disipat n materialul dielectric se poate modifica, la U = ct. (tensiunea de
alimentare constant) prin modificarea distanei dintre electrozi, respectiv a grosimii stratului de
aer (aceasta este o metod foarte comod de reglare a puterii n instalaiile capacitive);
-

intensitatea cmpului electric n aer este cu att mai mare cu ct crete. r 2

OBS : Nivelul tensiunii de alimentare depinde de rigiditatea dielectric a aerului, alegndu-se

astfel
nct E a

E str
2

E
E1 r 2

r 1 ; E1 E a E 2 a
E2 r 1
r2

Deci, valoarea maxim a densitii de putere care poate fi disipat n dielectric este:

pv max 2 0 r 2 f
-

Estr2
Estr2

tg

tg
0
2
r2
2 r 2

dac ambele straturi sunt dielectrice, materialul avnd constanta dielectric r mai
mare se nclzete mai ncet (se pot realiza astfel nclziri selective, concentrnduse puterea dezvoltat n anumite zone ale produsului nclzit).

10

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

1.4. Frecvena tensiunii de alimentare

Alegerea frecvenei este condiionat de :
- frecvenele de lucru admise din punctul de vedere al perturbrii canalelor de
telecomunicaii;
- variaia factorului de pierderi r tg al dielectricelor cu frecvena i temperatura;
- apariia fenomenelor de propagare a undei tensiunii de-a lungul armturilor
condensatorului de lucru, ceea ce determin o nclzirea neuniform a materialului dielectric(se
impune, deci, limitarea superioar a frecvenei de propagare a undei de tensiuni)
n conformitate cu acordurile internaionale, pentru nclzirea capacitiv s-au alocat
frecvenele : 13,56 ; 27,12 i 40,68 MHz (abateri mai mari de 0,05% se admit numai dac se
ecraneaz generatorul electronic, condensatorul de lucru i cablul de alimentare a generatorului,
iar carcasa acestuia e legat la priza de pmnt).
OBS. r i tg depind de frecven i temperatur , iar in procesele de uscare exist i o
dependen de gradul de umiditate a materialului [11].
Mrimea factorului de pierderi

r tg

permite aprecierea posibilitii de nclzire

capacitiv a unui material i alegerea frecvenei de lucru (pentru

rtg ,0 0 1

nclzire imposibil !)

La frecven constant, puterea absorbit de dielectric se modific n cursul procesului de

nclzire, avnd un caracter cresctor sau cobortor, funcie de temperatur .
n acest context, se impune acordarea continu a sarcinii generatorului electronic de
alimentare, prin circuite cu condensatoare sau bobine variabile.
Pentru o bun uniformitate a nclzirii, lungimea de und medie n vid a tensiunii de
alimentare trebuie s satisfac relaia: 0 13,8 l r
unde l este distana de la punctul de alimentare a armturilor condensatorului pn la marginea lor
cea mai ndeprtat.
OBS : Dac dimensiunile dielectricului sunt mari se recurge la alimentarea n mai multe puncte a
armturilor condensatorului de lucru (puterile acceptabile d.p.d.v. tehnologic se pot obine
numai cu frecvene ridicate).
11

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
1.5. Timpul de nclzire
Deoarece temperaturile de nclzire sunt reduse ( 250 0 C ), timpii de nclzire sunt
foarte mici i pierderile termice sunt neglijabile la nclzirea capacitiv.
Se poate admite, deci, c ntreaga putere dezvoltat determin creterea temperaturii
materialului dielectric procesat.
Bilanul energetic va fi:
pv

unde

c
,
t

- reprezint densitatea materialului dielectric procesat;

c- cldura masic a materialului dielectric procesat;
- creterea de temperatur a materialului.
2 0 E 2 r f tg

c
t

iar timpul de nclzire va fi:

t=

c
2 0 r f ( tg ) E 2

1.6. Echipamentul pentru nclzirea n radiofrecven

Echipamentele pentru nclzirea n radio frecven conin n principal (Fig. 1.5):
-

un generator de radiofrecven;

un adaptor al sarcinii la generator;

un amplificator al capacitii electrice.

1.6.1. Aplicatoare
Aplicatoarele i probele de cmp electric s-au gsit locul ntr-o gam larg de aplicaii n
industrie, medicin i instrumente tiinifice i cercetare. Unul dintre scopurile acestui subcapitol
este acela de a studia ceea ce au acestea n comun i de a crea o mai bun nelegere a subiectului,
n scopul de a ajuta desigeri n aplicaiile specifice, lucru pentru care s-au prezentat tehnologiile
de RF existente i utilizate, insistndu-se pe doua instalaii particulare utilizate, iar n cadrul
Anexelor fiind prezentate alte instalaii similare[15].
Tehnologia de radiofrecven (RF) la frecvena de 13,56 MHz sau 27,12 MHz este, n
general, mai mult utilizat n industrie dect procesarea utiliznd energie de microunde (MU) la
frecvena de 915 MHz sau de 2450 MHz. Cu toate acestea, tehnologia de RF este cunoscut de
12

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
ctre public ntr-o msur mai mic dect tehnologia de MU, care este recunoscut n toat lumea
datorit cuptorului de buctrie cu microunde care funcioneaz la frecvena de 2450 MHz.
Aplicatorul este interfaa dintre generatorul de RF i produs. Design-ul aplicatorului are de
obicei, doar legtur direct cu produsul i nu depinde de tipul de generator de RF folosit. n acest
sens, aplicatoarele de radiofrecven se aleg n funcie de produsele care vor fi procesate, n
funcie de geometria acestora, de dimensiuni i de parametrii dielectrici i electrici, i
bineneles, de rezultatele finale urmrite dup procesare.
Sistemul de electrozi este partea principal i cea mai important a echipamentului
industrial de RF. O tensiune ridicat de RF aplicat electrozilor creeaz un cmp electric n spaiul
dintre cei doi electrozi, spaiu n care este plasat produsul care urmeaz s fie procesat.
Designul electrozilor depinde de aplicaia dorit, dar, n practic, exist cele trei
configuraii de baz, descrise n cele ce urmeaz, care sunt n msur s acopere majoritatea
cazurilor industriale ale aplicaiilor de RF.
Electrozii i produsele nclzite sunt, n general, nchise ntr-un dulap - cavitate. Aceasta
protejeaz operatorul de tensiunile mari de RF aplicate pe electrozi i reduce pierderile i
scprile de cmp electric.
n funcie de natura i forma produsului procesat, precum i de varianta de nclzire
(continu sau discontinu) exist o mare diversitate de aplicatoare. n practic s-au impus
urmtoarele tipuri de aplicatoare:
~

R
F

=
3

GENERATOR
4

ADAPTOR
5
APLICATOR

13

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
Fig. 1.5 Schema bloc a unei instalaii de nclzire capacitiv
1 transformator de nalt tensiune; 2 - redresor; 3 - oscilator; 4- circuit acordat; 5 - circuit de
cuplare; 6 - circuit de adaptare; 7 sarcina
Aplicatorul de tip condensator, electrozi Through field
Aceasta este cea mai simpl configuraie a electrozilor, configuraie de tip capacitiv.

Acest tip de aplicator este utilizat pentru produsele de form volumetric, de dimensiuni mari i
de dimensiuni de acelai ordin de mrime.
Aplicator cu electrozii de tip Stray field
Sistemul este utilizat pe scar larg pentru prelucrarea materialelor de forma substraturi subiri (de
pana la 10 mm).

Aplicator cu electrozii de tip Staggered through field

Electrozii sunt poziionai deasupra i sub materialul care urmeaz s fie procesat, precum
se poate observa din figura de mai jos.
Aceasta varianta este potrivit pentru prelucrarea n flux continuu i pentru produse cu grosime de
civa milimetri sau centimetri.

a) Aplicator cu electrozi plai

- materialul este fixat ntre armturile unui condensator plan sau se deplaseaz ntre acestea;
14

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
- materialul poate fi n contact cu electrozii, sau unul din electrozi este deplasabil pentru a
asigura reglarea puterii dezvoltate.
Aplicatorul cu electrozi plai din Fig. 1.6 se folosete pentru uscarea materialelor de form
regulat. n cazul corpurilor care au suprafee neparalele sau de form neregulat se folosesc
electrozi de form special.

A
B
C
8

GRF

GRF
3

GRF
7

5
1

2
Fig. 1.6 Instalaie de nclzire cu aplicator cu electrozi plai
1 material; 2-band transportoare perforat (permite evacuarea umezelii); 3 electrozi (cel
inferior este perforat pentru a permite evacuarea aerului umed); 4- sistem de evacuare a aerului
umed; 5 - bobin (mpreun cu sistemul de electrozi (3) formeaz un circuit oscilant pe frecvena
de lucru); 6- generator de radiofrecven; 7- incinta cuptorului; 8-redresor.
Exemplu:

Fig. 1.7 Electrozi de form special

15

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

b) Aplicator cu electrozi n ghirland

1
2
3
1

GRF
4

Fig. 1.8 Aplicator cu electrozi n ghirland

1 electrozi; 2- linii de cmp; 3-material de nclzit; 4-generator radiofrecven

Acest tip de aplicator utilizeaz 2 serii de electrozi tubulari sau din bar, amplasai
de-o parte i de alta a produsului (sub form de band sau fire) care trebuie nclzit. Electrozii
amplasai de aceeai parte sunt legai n paralel.
Distana dintre electrozi este reglabil (se poate modifica puterea transmis). Se asigur
densiti de putere ntre 30 100 kW/m 2. Liniile de cmp electric sunt nclinate (nu
perpendicular), fa de direcia de micare.
c) Aplicator n cmp distribuit
3

2
1
GRF

4
Fig. 1.9 Aplicator cu cmp distribuit
- electrozii sunt n form de tub, vergea sau inel;
- se amplaseaz n acelai plan, de o parte a corpului de nclzit;
16

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
- doi electrozi alturai au polariti opuse.
Se utilizeaz pentru nclzirea produselor sub form de benzi subiri (grosime 10
mm)
- liniile de cmp electric sunt paralele cu suprafaa produsului tratat, astfel nct se
obin densiti mari de putere.
OBS. Dac lungimea aplicatorului se apropie sau depete valoarea de /4 ( fiind lungimea
de und asociat frecvenei de alimentare) cmp neuniform datorit atenurii tensiunii i
apariiei undelor staionare, iar nclzirea este neuniform.
Eliminarea acestor efecte se poate face prin:
- conectarea multipunct a aplicatorului la generator;
-conectarea unor unturi de inducie n lungul sistemului de electrozi n
cazul alimentrii pe la una dintre extremiti.

1.6.2. Surse de radiofrecven

Constau din oscilatoare autoexcitate cu una sau mai multe triode, avnd tensiunea anodic
de 5 ... 15 kV, furnizat de un redresor de nalt tensiune [14].
Unitile actuale furnizeaz puteri 600 kW, cu un randament de 5570 %.
L

RF

2
3

LG
CP

1
5
RG

Fig. 1. 10 Schema de principiu a unui oscilator autoexcitat 1 transformator de nalt tensiune;

2- redresor; 3- diod; 4- bobin de filtrare; 5 circuit de reglare a puterii.

17

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

1.6.3. Adaptoare de sarcin

Adaptarea sarcinii este necesar pentru obinerea unui randament maxim al sursei.
Adaptarea se realizeaz prin compensarea reactanei condensatorului de sarcin, cu bobine
conectate n serie sau paralel.
Distana dintre generator i electrozi trebuie s fie ct mai mic pentru a evita pierderile
prin radiaie electromagnetic i efect Joule n conductoarele de legtur.
Obs. nclzirea capacitiv se utilizeaz preponderent pentru nclzirea materialelor de
dimensiuni mari de form regulat (eventual plan) i necesitnd densiti de putere redus.

1.6.4. Proprietile dielectrice

Proprietile dielectrice a unui material guverneaz comportamentul su n prezena unui
cmp de microunde. Cunoaterea acestor proprieti este esenial pentru designul i proiectarea
ct mai eficient a cavitilor de microunde i respectiv a aplicatoarelor de radiofrecven i
pentru a asigura o predicie cat mai realist realizat n partea de modelare/simulare i calcul a
cmpului electromagnetic a densitii de putere pierdute n dielectrici.
Proprieti dielectrice pot varia foarte mult n raport cu compoziia lor, cu temperatura, cu
frecventa i densitatea.
Msurtori specifice sunt necesare pentru a extrage parametrii necesari pentru a calcula
aceste caracteristici. Constanta dielectric () i factorul de pierderi dielectrice () cuantific
componentele capacitive i respectiv conductive a rspunsului dielectricului i comportrii
acestuia n cmp de nalt frecven.
Proprietatea care descrie comportamentul unui dielectric sub influena unui cmp de nalt
frecven este cunoscut sub numele de permitivitate complex
* , je ,,

* - permitivitate complex;
- constanta dielectric;
18

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
- factorul de pierderi dielectrice.
Relaia dintre conductivitate i factorul de pierderi dielectrice a unui material este dat de:
0

0 f

f - frecvena [Hz];
- conductivitatea electric a materialului [S/m];
- 0 permitivitatea vidului
0

1
8.8541878176203 10 -12 Fm -1
2
0c

Tangenta unghiului de pierderi este de asemenea echivalent cu factorul de disipaie i cu inversul

factorului de calitate:
tg D f

1
Energie pierdut

Q Energie absorbit

Absorbia de putere
Pd 2 f 0 ' 'E 2

Rata la care cldura este absorbit ntr-un material poate fi exprimat ca o densitate de
putere i este dat de urmtoarea ecuaia fundamental care descrie nclzirea dielectric.
Adncimea de ptrundere
Adncimea de ptrundere Dp este definit ca fiind adncimea la care fluxul de energie n
material a sczut la (0,368) din valoarea sa de la suprafa, cam n acelai fel cum lum n
considerare la un curent adncimea suprafeei.
DP

2 2

(1 )

Adncimea de ptrundere este un parametru important, deoarece ofer un bun indicator al

uniformitii de nclzire n volumul unei probe. Frecvenele nalte i valorile mari pentru
19

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
proprietile dielectrice vor duce la nclzire de suprafa, n timp ce frecventele joase i valori
mai mici ale proprietarilor dielectrice vor duce la o nclzire mai volumetric

1.6.5. Factori care afecteaz proprietile dielectrice ale materialelor

Proprietile dielectrice ale materialelor pot varia raport cu compoziia acestora, cu
frecventa, temperatura i densitatea. [32]
Dependena de frecven
n multe cazuri n care dipolii ncearc s se roteasc i s urmeze direcia cmpului electric,
constanta dielectric i factorul de pierderi dielectrice vor manifesta o cretere odat cu creterea
frecvenei, cu excepia cazului n care dipolii nu pot ine pasul. Acest efect este guvernat de timpul
de relaxare al dielectricului. Timpul de relaxare dielectric este timpul necesar dipolului pentru a
reveni la poziia de echilibru dup ce cmpul electric extern aplicat este ndeprtat
Timpul de relaxare este unul dintre termenii care apar n ecuaia lui Debye, care este deseori
folosit pentru a modela permitivitatea teoretic a lichidelor polare.
( )

s
1 j

Dependena de temperatur
Variaia proprietilor dielectrice cu schimbrile de temperatur depinde de mecanismul
specific de nclzire al materialelor. n cele mai multe cazuri proprietile dielectrice s-au dovedit
a crete odat cu creterea temperaturii, datorit relaxrii dielectrice
Dependena de densitate
Densitatea este un alt aspect important care trebuie luat n considerare n msurarea
proprietilor dielectrice ale pulberilor, densitatea masei de pulberii poate provoca variaii
semnificative ale proprietilor dielectrice. [16] [17]

1.6.6. Determinarea proprietilor dielectrice n regim de radiofrecven

20

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
Pentru determinarea proprietilor dielectrice n regim de radiofrecven se impune ca
tehnica aleas s poat fi utilizat la frecvene joase. Frecvenele ISM (Industrial, tiinific i
Medical) alocate pentru aplicaiile de nclzire a dielectricilor n radiofrecven sunt: 40,68 MHz
(=7,4m) 0,06%; 27,12 MHz (=11m) 0,6%; 13,56 MHz (=22m) 0,05%.
Spectroscopia de impedan
Utilizeaz un condensator plan paralel, cu materialul ce urmeaz a fi msurat plasat ntre
electrozii condensatorului. Aceast metod folosete un analizator al impedanei ca aparat de
msur sau un LRC-metru i este utilizat la frecvene joase, de sub 1 GHz.
Baza spectroscopiei de impedan este analiza impedanei (rezistena la curent alternativ)
a sistemului observat i analizat ca o funcie de frecven a tensiunii alternative aplicate i a
semnalului de excitaie. Spectroscopia de impedan folosete curent alternativ, de amplitudine
mic, care faciliteaz o analiz non-invaziva a oricrei probe, fr nici o influen

Fig. 1.11 Desen schematic al condensatorului i schema echivalent

Valorile parametrilor R i C pot fi msurate utiliznd analizatorul de impedan sau LRC-metrul,
acetia fiind apoi utilizai pentru calculul permitivitii.

'

C d
o A

C este capacitatea condensatorului msurat

d este distana dintre armturile condensatorului

o este permitivitatea vidului

A este aria zonei de contact a dielectricului cu armturile condensatorului
Tangenta unghiului de pierderii a condensatorului poate fi estimat simplu, dup cum
urmeaz:
tg D f

21Q

RC

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

R este rezistena electric msurat

C este capacitatea condensatorului msurat
= 2f este viteza unghiular
Tangenta unghiului de pierderi a condensatorului corespunde cu tangenta unghiului de
pierderi a dielectricului i, prin urmare, factor de pierderi dielectrice, adic partea imaginar a
permitivitii complexe poate fi determinat cu formula urmtoare:
' ' ' tg

o A R

Proprietile dielectrice ale materialelor pot varia foarte mult, nu numai n raport cu
compoziia acestora, dar, de asemenea, cu frecventa, temperatura i densitatea.
Adncimea de ptrundere este un parametru important, deoarece ofer un bun indicator al
uniformitii de nclzire n volumul unei probe.
Alegerea tehnicii potrivite de determinare a proprietilor dielectrice depinde de muli
factori, cum ar fi frecvena la care trebuiesc msurate proprietile, natura materialului, aplicaia,
temperatura, precizia msurtorii, dimensiunile materialului etc. care limiteaz posibilitile
alegerilor tehnicilor i montajelor experimentale posibile.
n ceea ce privete metodele de determinare a proprietilor dielectrice, putem
formula urmtoarele concluzii: metoda cu condensator plan paralel este cea mai potrivit pentru
msurarea materialelor cu pierderi medii sau mici la frecvene de sub 1 GHz .

1.7. Procesarea alimentelor cu ajutorul curenilor de nalt frecven

Procesarea alimentelor cu ajutorul curenilor de nalt frecven

este n continu

dezvoltare. nclzirea rapid i eficiena energetic nalt reprezint avantajele majore ale utilizrii
lor n procesarea alimentelor. Alte avantaje sunt: economia de spaiu, posibilitatea de control a
procesului, nclzirea selectiv i pstrarea calitii nutritive a alimentelor [20].
Pentru a nelege mecanismul nclzirii cu cureni de nalt frecven este necesar s se
neleag proprietile dielectrice ale alimentelor.
22

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
Proprietile dielectrice ale alimentelor pot fi apreciate n funcie de valoarea constantei
dielectrice (') i ale factorului de pierderi (). Constanta dielectric msoar capacitatea de
stocare a energiei electrice. Factorul de pierdere dielectric msoar capacitatea de a transforma
energia electric in cldura. Constanta dielectric i factorul de pierdere pot fi definite in termenii
permitivitii complexe relative
= -j = e-j
unde tan = / este numit tangent de pierdere sau factor de disipare.
Dimensiunea acestor parametrii determin interaciunea dintre cmpul electromagnetic i
produse. Proprietile dielectrice ale alimentelor i produselor agricole sunt foarte importante in
dezvoltarea procedurilor de nclzire cu ajutorul curenilor de nalt frecven i in proiectarea
echipamentului electric i electronic care interacioneaz cu alimentele. Proprietile dielectrice
pot fi folosite i in analiza proprietilor biofizice ale compoziiei cnd se modific temperatura.
Pot fi asemenea folositoare in determinarea timpului potrivit de nclzire.

1.8. Echipamente de procesare cu ajutorul nclzirii n cmp de

radiofrecven
In ultimul timp la aceasta metoda apeleaz ingineria alimentara preocupata de
intensificarea diferitor procese tehnologice. De aceea, elaborarea bazelor stiintifice de efectuare a
procesului de uscare a materiei cu destinaie medico-biologica prin aplicarea curenilor de
frecventa nalta (UHF) si supranalta (SHF) este o sarcina actuala si are o mare importanta att
teoretica cat si practica.
Au fost efectuate cercetri si elaborate procedee de uscare a astfel de culturi ca: boabele de
cacao, maciesul, semintele de bostan si de floarea soarelui, catina alba, ardeiul iute, prunele,
sfecla, nucile, merele, rosiile, caisele, visinele s.a.
Utilizarea cmpurilor electrofizice presupune eliminarea caldurii in material, care poate fi
determinata cu formula:

Pentru a calcula si a dirija cldura eliminata in product este important sa cunoastem

valorile tangentei unghiului dielectric tgd si permeabilitatea dielectrica relativa e`, care constituie
parametrii electrofizici ai materialului. [43] Metodele existente de determinare a acestor parametri
23

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
sunt prezentate numai pentru produsele omogene, dar nu si pentru cele heterogene cum
este materia prima agricola, totodata aceste metode nu iau in consideratie efectele pierderilor de
frontiera. De aceea a fost elaborata o metoda noua, care este exprimata prin formulele:

si

in care:
Q1 si C1 sunt factorul de calitate si capacitatea electrica a conturului fara de condensatorul
msurtor in momentul de rezonanta;
Q2 si C2 factorul de calitate si capacitatea electrica a conturului cu condensatorul
msurtor fara de product in momentul de rezonanta;
Q3 si C3 factorul de calitate si capacitatea electrica a conturului cu condensatorul
msurtor cu product in momentul de rezonanta;
C0

capacitatea electrica a condensatorului msurtor in vid, pF.

1.8.1. SCHEMA INSTALATIEI EXPERIMENTALE PENTRU

DETERMINAREA PARAMETRILOR ELECTROFIZICI AI PRODUSELOR
VEGETALE [20], [53]
Pentru determinarea experimentala si cercetarea parametrilor electrofizici a fost elaborata
o instalatie de laborator, instalatie existenta la S.C. ELECTRONIC APRIL APARATUR
ELECTRONIC SPECIAL S.R.L. CLUJ NAPOCA. [20]

24

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

Fig. 1.12. Schema instalatiei experimentale pentru determinarea parametrilor electrofizici a

produselor vegetale: 1 Q-metru; 2 condensatorul masurator; 3 elemente
electrice de incalzire; 4 termocuplu; 5 voltmetru; 6 vasul Diuar.

Cercetrile parametrilor electrofizici a seminelor de floarea soarelui au fost efectuate

utiliznd instalaia de laborator, care este prezentat n fig. 1.12..
Elementele principale ale instalaiei sunt Q metrul E4-5A 1 la care se conecteaz
condensatorul de msurat 2 umplut cu produs. Parametrii electrofizici ai seminelor de floarea
soarelui au fost determinai la diferite temperaturi. nclzirea produsului din condensator are loc
cu elemente electrice de nclzire 3. Temperatura seminelor s-a msurat cu termocuplul (cupru i
constantan) 4 conectat la puntea de msurare P 4833 5, sudura rece fiind lsat n termostatul cu
ghea - vasul Dewar 6.
Condensatorul de msurare prezint dou plci rotunde cu diametrul de 0, 04 m i grosimea
0,003 m, desprite una de alta prin intermediul unui inel izolator confecionat din teflon-4. Una
din plcile condensatorului este unit la pmnt. Dimensiunile geometrice ale condensatorului au
fost stabilite prin reducerea la minimum a efectelor marginale. Pentru aceasta, diametrul inferior al
inelului izolator a fost acceptat de a fi mai mic cu 0,001m de ct cel al plcii rotunde.
Condensatorul de msurare s-a instalat ntr-o cutie metalic pentru micorarea aciunii
capacitilor i induciilor parazitare.
25

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
Temperatura seminelor nclzite a fost msurat cu termocuplul Cupru i Constantan unit
la poteniometrul P-4833. Sudura rece a termocuplului se introduce n vasul Dewar cu amestec de
ghea i ap. Poteniometrul nregistreaz tensiunea termo-electromotoare (t.e.m.) la capetele
termocuplului. Diferena t.e.m. a fost convertit n 0C cu ajutorul diagramei construit n
prealabil, termometrul de laborator fiind etalonat cu eroarea nu mai mare dect 0,1 C.
Pentru o prezentare mai ampl a fenomenelor de transfer de mas i cldur n procesul de
uscare a seminelor de floarea soarelui este necesar s se dispun de curbele de uscare W = () i
de curbele vitezei de uscare

dW
= (W). [57]
d

Frecvena, intensitatea cmpului electromagnetic i proprietile electrofizice ale seminelor

de floarea soarelui manifest o influen esenial asupra vitezei de nclzire.
De aceea, elaborarea regimului tehnologic de uscare a seminelor de floarea soarelui este
posibil numai dispunnd de informaia dependenei proprietilor electrofizice ale produsului, de
frecvena cmpului electromagnetic, de temperatur i umiditatea seminelor.
In urma masurarilor efectuate si calculelor respective au fost obtinute dependentele
tgd si e` in functie de umiditatea, temperatura si de frecventa campului electromagnetic.
Din grafice se observa, ca corelatia tg si e` in functie de frecventa campului
electromagnetic este complexa, dar totusi, valori maximale obtin la frecventa 27 MHz. De aceea
frecventa data poate fi considerata ca cea de lucru.

a)

26

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

b)
Fig. 1.13. Corelatia dintre frecventa campului electromagnetic si tg (a), e` (b) a
produselor vegetale (seminte de floarea soarelui).

O mare importanta, pentru materia prima agricola prezinta cunostintele despre corelatia
intre umiditatea lor si tg si e`. Aceasta corelatie este aratata in figura de mai jos.

a)

27

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

b)
Fig. 1.14. Corelatia dintre umiditatea si tg (a), e` (b) a produselor vegetale (caise)

USCAREA CAISELOR CU AJUTORUL CURENILOR DE NALT FRECVEN

28

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

Fig. 1.15. Instalaia de laborator pentru cercetarea cineticii procesului de uscare a caiselor.
Cercetrile s-au realizat cu ajutorul instalaiei de laborator [48, 50, 51, 52], destinat uscrii
caiselor prin diverse procedee de aplicare a energiei: convecie i combinat cu aplicarea UHF.
Instalaia include camera de uscare (1), generatorul curenilor de inalt frecven (6), caloriferul
electric (7), alimentatorul cu agent termic (4, 5) i aparatajul de msurare. Celula de lucru (2), sub
form de condensator coaxial incrcat cu caise, s-a suspendat de balan (3) prin intermediul unei
suspensii speciale. [13]
Cu ajutorul unui sistem de reglare automat temperatura agentului termic s-a meninut
constant. Viteza agentului termic in perioada efecturii experimentelor s-a meninut constant
(0,65 m/s), fiind determinat din condiia de antrenare minim a particulelor. Aceast vitez s-a
fixat cu micromanometrul MMH (11).
Tensiunea de inalt frecven a condensatorului coaxial s-a msurat cu voltmetrul tip C196
(10), cu clasa de precizie de 0,2.
29

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
Experimentul s-a efectuat in urmtoarea ordine. In condensatorul coaxial s-au introdus
fructe de caise, cu masa de 100 g. Condensatorul incrcat se suspenda de balan, msuranduse
reducerea masei probei uscate prin convecie. La atingerea de ctre produs a coninutului critic de
umiditate condensatorul se conecta la sursa de cureni de inalt frecven, ce corespundea
inceputului uscrii combinate. Procesul de uscare se considera finisat in momentul, in care
coninutul umiditatea atingea valoarea de 25 %.
n urma efecturii analizelor, s-a constatat, c pentru procesul de uscare a caiselor, ca i
pentru toate produsele vegetale, sunt caracteristice trei perioade principale ale uscrii: perioada
inclzirii, perioadele vitezei constante i vitezei in descretere.
Se observ, c valoarea constantelor de uscare este mai mic decat coeficienii transferului
de mas calculai, ceea ce demonstreaz prezena in fructe a unei rezistene la difuzie fa de
transferul de mas.
Diminuarea rezistenei de difuzie i intensificarea procesului de uscare sunt posibile prin
metode netradiionale, aplicand fluxul de cldur i, anume, curenii de inalt frecven.
Cercetrile PEF ai caiselor au demonstrat, c metodele tradiionale de uscare sunt eficiente
din punct de vedere economic la uscarea caiselor pan la coninutul critic de umiditate. Aadar, in
faza primar caisele sunt supuse uscrii convective, pan la atingerea coninutului critic de
umiditate i apoi se aplic uscarea cu UHF. La inclzirea combinat intensitatea procesului de
uscare a caiselor crete brusc. S-a observat, c la creterea intensitii CEM durata procesului de
uscare scade.
n baza cercetrilor efectuate se constat, c uscarea caiselor prin metoda combinat trebuie
efectuat la temperatura agentului termic de 100C cu viteza de 0,65 m/s i intensitatea CEM de
18000 V/m. Procesul de uscare s efectueaz in dou etape i prin dou metode: in prima etap
deshidratarea fructelor prin convecie, de la coninutul de umiditate iniial pan la coninutul critic
de umiditate, iar etapa a doua pan la coninutul de umiditate de 25% - prin metoda
combinat.
Din punct de vedere al rehidratrii metoda de uscare a caiselor cu folosirea UHF este mai
eficient decat cea convectiv.

30

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
Exemplu de linie tehnologica de uscare a fructelor - Linia de uscare a prunelor far smburi
[56]

Fig. 1.16. Linia tehnologica pentru uscarea prunelor fara sambure: 1 masina de spalat; 2
transportor de inspectare; 3 transportor; 4 masina de inlaturare a coditelor; 5 blansator; 6
Uscator cu banda; 7 vibrator; 8 masina de inlaturare a samburilor; 9 uscator UHF; 10
masina de ambalare.

1.9. Procesarea semifabricatelor de lemn n cmp de radiofrecven [35,

36]
Datorit avantajelor oferite de utilizarea curenilor de nalt frecven n procesele de
nclzire/uscare precum i a calitii produselor rezultate, n cadrul lucrrii se ncearc
procesarea unor semifabricate din lemn de stejar n cmp de radiofrecven.
Biryukov 1961, spune c primii care au sugerat i implementat n industrie nclzirea
lemnului cu ajutorul curenilor de nalt frecven, au fost cercettorii de origine rus, care au
observat c datorit caracteristicilor unice ale lemnului de a fi nclzit din interior spre exterior,
pot obine rezultate foarte bune n uscarea, lipirea, impregnarea i presarea acestuia. [1]
Avnd n vedere faptul c lemnul este n general un material dielectric eterogen, se poate
spune c proprietile sale dielectrice variaz n funcie de parametrii de lucru.[2]
Pentru optimizarea procesului de nclzire/uscare n cmp de radiofrecven s-au realizat
modelri numerice [36] pe baza metodei hibride: metoda elementului finit (FEM) i metoda
31

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA
elementelor de frontier (BEM), utiliznd un program scris n limbaj fortran intitulat FEM- BEMRF.for, unde problema de modelare numeric a fost abordat i de ctre ali cercettori,
dezvoltndu-se acest program cu urmtorul algoritm:
se calculeaz matricele din modelarea BEM a cmpului exterior sarcinii;
se calculeaz matricea de rigiditate ce reprezint condiia de frontier mixt pentru
problema de cmp electromagnetic din interiorul sarcinii;
se construiete matricea sistemului FEM cu condiii de frontier BEM;
se rezolv sistemul algebric obinut;
se determin pierderile n dielectric ;
la urmtorul pas de timp se recalculeaz matricele de cuplaj;
se reiau etapele de la pasul de timp precedent.
Programul FEM-BEM-RF.for a fost aplicat unui dielectric de form dreptunghiular,
dispus ntr-un aplicator de tip staggered-through field cu 5 perechi de electrozi.
Frecvena de lucru este 13,56 [MHz], iar tensiunile de alimentare au fost 1610 [V], 1690
[V] i 1820 [V], fiind stabilit o limita de temperatur de 70 C, urrmrindu-se echipotenialele
cmpului electric dar i timpul de nclzire/uscare pn la limita de temperatur impus.
n figurile de mai jos sunt prezentate echipotenialele cmpului electric i izotermele
pentru dielectricul staionar i pentru dielectricul n micare. Se consider c micarea pornete
din poziia n care jumtate din sarcin intr n spaiul dintre electrozi i se termin cnd acea
jumtate prsete spaiul dintre electrozi.

Figura 1.17. Echipotenialele cmpului electric cnd

dielectricul este staionar

32

Figura 1.18. Valorile izotermelor cnd

dielectricul este staionar la tensiunea anodica
de 1820 [V]

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE

RADIOFRECVENTA

Figura 1.19. Echipotenialele cmpului electric la

intrarea dielectricului n aplicator

Figura 1.20. Valorile izotermelor la intrarea

dielectricului n aplicator la tensiunea anodica de
1820 [V]

Figura 1.21. Echipotenialele cmpului electric la

ieirea
dielectricului din aplicator

Figura 1.22. Valorile izotermelor la ieirea

dielectricului din aplicator la tensiunea anodica
de 1820[V]

Programul de calcul FEM-BEM-RF.for, permite analiza numeric a procesului de

nclrire/uscare a semifabricatului din lemn de stejar fiind prezentate n cele ce urmeaz curbele
de variaie ale temperaturii i umiditii n timp, la diferite tensiuni anodice.

33

Figura 1.23. Variaia temperaturii n raport cu timpul la diferite tensiuni pentru semifabricatul din
lemn de stejar

Figura 1.24. Variaia umiditii n raport cu timpul la diferite tensiuni pentru semifabricatul din
lemn de stejar

1.10. Determinri experimentale realizate cu instalaia de radiofrecven

a Centrului de Cercetare i Inginerie Tehnologic n Conversia Energiei
Electromagnetice de la Universitatea din Oradea [35]
Determinrile experimentale [35] au fost realizate cu instalaia de radiofrecven a
Centrului de Cercetare i Inginerie Tehnologic n Conversia Energiei Electromagnetice de la
Universitatea din Oradea. S-a folosit metoda elementului finit (FEM) i metoda elementelor de
frontier (BEM), frecvena de lucru a fost stabilita ca fiind de 13,56 MHz. La

partea

experimentala s-au folosit probe de semifabricat din lemn de stejar cu dimensiunile L=90[mm],
l=10[mm] i h=5[mm] cu o umiditate iniial de aproximativ 50%.
Determinarea umiditii iniiale si finale de-a lungul fiecrui proces experimental s-a fcut
prin msurri periodice i repetate, folosindu-se un umidometru de tip Testo 616, iar pentru
msurarea cmpului de temperatur s-a folosit o camer termic Fluke 32i. [35]

Instalaia de laborator [35]

Tensiunea Timpul
anodic UA
[s]
[V]
1610
1600
1690
1600
1820
1600

Temperatur
a

Umiditate
a

59,3
63
65,8

16
12
10

Temperatura si umiditatea in urma determinrilor experimentale la diferite tensiuni

n figurile urmtoare sunt prezentate distribuiile de temperatur n timpul procesului de

nclzire/uscare pentru proba de stejar nainte de nclzire i dup nclzire la diferite tensiuni
anodice [35].

Figura 1.25. Distribuia temperaturii pentru proba de stejar nainte de nclzire [35]

Figura 1.26. Distribuia temperaturii pentru proba de stejar la tensiunea de 1610 [V] [35]

Figura 1.27. Distribuia temperaturii pentru proba de stejar la tensiunea de 1690 [V] [35]

Figura 1.28. Distribuia temperaturii pentru proba de stejar la tensiunea de 1820 [V] [35]

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE RADIOFRECVENTA

1.11. Simulari privind incalzirea unui semifabricat de lemn utilizand

FEM
Folosim programul FEM pentru a studia urmatoarele doua cazuri:
Caz 1: Se foloseste ca dielectric o bucata dreptunghiulara din lemn cu permitivitatea
relativa r=4. Dielectricul il plasam intr-e doua armaturi din cupru.
Pe fiecare suprafata a celor doua armaturi avem o cadere de potential de 1 Kv.
Ansamblul se afla intr-o incinta de dimensiune

40cm/20cm, in care avem aer cu

permitivitatea relativa r=1, de potential zero.

Caz 2: Se foloseste un dielectric similar cu cel din cazul 1, din lemn (r=4) de form
dreptunghiular, dispus ntr-un aplicator din cupru cu armaturi de forma cilindrica . Fiecare
armatura cilindrica este alimentata la un potential de 1Kv.
n figurile de mai jos sunt prezentate liniile echipotenialelor cmpului electric si harta
intensitatii campului electric E pentru ambele cazuri.

Intensitatea campului electric E pentru cazul aplicatorului dreptunghiular

38

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE RADIOFRECVENTA

Intensitatea campului electric E pentru cazul aplicatorului cu electrozi cilindrici

Liniile echipotenialelor cmpului electric in cazul aplicatorului dreptunghiular

39

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE RADIOFRECVENTA

Liniile echipotenialelor cmpului electric in cazul aplicatorului cilindric

40

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE RADIOFRECVENTA

Concluzii
Materialele dielectrice reprezint n fizica strii solide un domeniu foarte
important graie proprietilor electrice, optice, magnetice etc. Dezvoltarea din ultimii
20 de ani a industriei electronice a contribuit la relansarea acestui domeniu, studii i
tehnologii complexe fiind direcionate cu precdere asupra obinerii i caracterizrii
materialelor dielectrice cu potenial aplicativ. Cercetrile aplicative focalizate pe
miniaturizarea dispozitivelor, concomitent cu reducerea costurilor de producie,
constituie una dintre cele mai mari provocri din tiina materialelor.
Puterea specific disipat n materialul dielectric este direct proporional cu
frecvena, ptratul intensitii cmpului electric (E2) i cu factorul de pierderi (

r tg "g

);

Puterea dezvoltat n materialul dielectric se consum pentru nclzirea acestuia pn

la o anumit temperatur (ntr-un timp determinat) i (eventual) pentru transformri de
faz, schimbarea strii polimorfice, efectuarea unor reacii chimice i pentru
acoperirea pierderilor termice n mediul ambiant;
Pentru a obine o puterea specific ct mai mare este necesar s se lucreze cu o valoare
a intensitii cmpului electric maxim posibil.

41

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE RADIOFRECVENTA

Bibliografie
[1]. S. Alfonzetti, N. Salermo A Non-Standard Family of Boundary Elements for the Hybrid
FEM-BEM Method, IEEE Transactions on Magnetics, vol. 45, no. 3, march 2009, pp. 13121315;
[2]. L. Bandici Modelarea Numeric a Cmpului Electromagnetic i Termic Cuplat n
Instalaiile de nclzire n Cmp de Microunde, Ed. Mediamira, Cluj-Napoca, Romnia,
2005;
[3]. E.C. Beldeanu Produse Forestiere i Studiul Lemnului, Ed. Universitii Transilvania,
[4]. C.A. Brebbia Boundary elements x, Vol. 2, Heat Transfer, Fluid Flow and Electrical
Applications, Computational Mechanical Publications;
[5]. A. Bossavit, C. Verite The TRIFOU Code: Solving the 3D Eddy Currents Problem by
Using H as State Variable, IEEE Transactions on Magnetics, vol. 19, no. 6, 1983, pp. 24652470;
[6]. S. Coman, T. Leuca, O. Coman, M.I. Laza (Bulc) - Statistical Optimization of Dielectric's
Material Placement Inside a Microwave Applicator Using Response

Surface Method,

Advanced Topics in Electrical Engineering, ISSN:2068-7966, Editura Printech, Romania,The

8th International Symposium Advanced Topics in Electrical Engineering, ISSN:2068-7966,
Editura Printech, Romania, 2013;
[7] F.I. Hnil, E. Demeter Rezolvarea numeric a problemelor de cmp electromagnetic,
Ed. Ari Press, Bucureti, 1995;
[8]. I.F. Hnil, I. Nemoianu, M. Maricaru, P. Palade An Iterative Procedure for Solving
FEM-BEM Equations, JEEE, ISSN 1844-6035, vol. 2, no.1, 2009, pp. 52-55;
[9]. F. Hnil, I.R. Ciric Magnetic Vector Potential Tree Edge Values for Boundary
Elements, IEEE Transactions on Magnetics (4. ISI), vol. 39, no. 3, 2003, pp. 1183-1186;
[10]. M.I. Laza (Bulc), D. Spoial, G. Cheregi - Procesarea unor Semifabricate din Lemn n
Cmp de Radiofrecven, Simpozionul Naional De Electrotehnic Teoretic, ISSN 20674147 (online http://snet.elth.pub.ro) Vol. 3. Nr. 1 al Conferinei SNET`12, pp. 246-251;
[11]. T. Leuca, L. Bandici, G. Cheregi, O.Drosu, M.I. Laza (Bulc) - FEM-BEM Analysis of
Radio Frequency Drying of a Moving Wood Piece, 19th International Conference on the
Computation of Electromagnetic Fields, COMPUMAG 2013, 30 June-4 July 2013, Budapest,

42

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE RADIOFRECVENTA

[12]. F. Matsuoka, A. Kameari Calculation of Three Dimensional Eddy Current by FEMBEM Coupling Method, IEEE Transactions on Magnetics, vol. 24, no. 1, january, 1988;
[13]. A.C. Metaxas The Use of FE Modelling in RF and Microwave Heating, International
Seminar on Heating by Internal Sources, 11-14, Sept. 2001, Padova, Italia, pp.319-328;
[14]. P.A. Palade Cercetri privind Elaborarea unor Metode de Calcul Numerice cu privire
la Cmpul Electromagnetic i Termic Cuplate n Regim de Radiofrecven i Microunde, Tez
de doctorat, Universitatea din Oradea, 2011;
[15]. D. Spoial Modelarea Cmpului Electromagnetic n Regim Cvasistaionar la nalt
Frecven. Aplicaii la Proiectarea Instalaiilor Electrotermice de Rdiofrecven, Tez de
Doctorat, Universitatea din Oradea, 2006;
[16]. I. Stoichescu Procesarea Materialelor Dielectrice n Cmp Electromagnetic

de

Radiofrecven i Microunde, Tez de Doctorat, Universitatea din Oradea, 2010;

[17]. www.comsol.com/products
[18]. www.boudary-element-method.com
[19]. http://www.dupps.com/rendering.html
[20].https://www.google.ro/url?
sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=2&cad=rja&uact=8&ved=0CCgQFjAB&url=http
%3A%2F%2Fwww.referate-gratis.ro%2Fdownload.php%3Ffilename%3DProcesarea
%2520cu%2520curenti%2520de%2520inalta
%2520frecventa.doc&ei=g0idU9etBquA7Qbky4DQCg&usg=AFQjCNF_8NKio8b54dWsSd-k9Ptb1ofWg
[21]. http://www.simon-dryers.co.uk/material.htm
[22]. http://www.simon-dryers.co.uk/rotary/index.htm
[23]. www.CSA acad.md/nm/tehn/mec_electr
[24]. www.uscatoare.ro
[25]. www.bonton.md.ro
[26]. www.agir.ro
[27]. http://www.cceei.energ.pub.ro/cursuri_postuniversitare/modulul1_3.pdf
[28]. www.agir.ro/buletine/32.pdf?PHPSESSID=90e6a05deb445bc39694e241bfad2932
[29]. www.cfr.ro/JF/romana/0206/loc_2016.htm - 28k
[30]. www.osim.ro/publicatii/brevete/bopi102/brevete/bopi102.pdf
[31]. www.electronica-azi.ro/articol.php?id_ar=1403 - 27k
[32]. www.cncsis.ro/2006/granturi/noi/Lista_propuneri_proiecte_primite_tip_TD.html [33]. www.fao.org/docrep/V5030E/V5030E00.htm - 16k
43

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE RADIOFRECVENTA

[34]. www.dnd.aps.anl.gov/pictures/m.jpg
[35]. Procesarea unor semifabricate din lemn n cmp de radiofrecven Marcela Ioana LAZA
(BULC), Drago SPOIAL, Gabriel CHEREGI Universitatea din Oradea,
[36]. Tez De Doctorat ~ REZUMAT ~ Medii dielectrice complexe cu aplicaii n microunde LIVIU NEDELCU COORDONATOR TIINIFIC: PROF. DR. HORIA V. ALEXANDRU
2010
[37]. Amarfi, R., Alexandru, R. Procesarea minim atermic i termic n industria
alimentar, Editura Alma, Galai, 1996.
[38]. Banu C.si colab., Progrese tehnice,tehnologice si stiintifice in industria alimentara.
Vol.II.Ed.Tehnica.Bucuresti, 1992.
[39]. Banu, C. , Manualul inginerului de industrie alimentar Editura tehnic Bucureti 1998
Banu C. si colab., Manualul inginerului de industrie alimentara, Ed.Tehnica, Bucuresti, 1999.
[40]. Barbosa-Canovas G.V., Juliano P. and Peleg M., Engineering Properties of Foods,
FOOD ENGINEERING, 2006.
[41]. Barbosa-Canovas G.V. and Ibarz A. (2003). Unit Operations in Food Engineering. Boca
Raton, FL: CRC Press. [This book provides basic information on thermal properties and heat
transfer operation in combination with detailed unit operation descriptions.]
[42]. Bernic, M., Contribuii n studiul cineticii procesului de uscare a ardeiului iute,
Chiinu, 2005.
[43]. Bernic, M., conf.dr., (Universitatea Tehnica a Moldovei),

Studiul corelaiei dintre

frecvena cmpurilor electromagnetice i parametrii electro fizici ai produselor oleaginoase.

Fizic i tehnic: procese, modele, experimente - Revist tiinific a profilului de cercetare
Proprietile fizice ale substanelor n diverse stri, 1/2009.
[44]. Bratu, E., A., Operaii unitare n industria chimic, Ed. tehnic, Bucuresti, 1984, vol II;
[45]. Festil Cl., Dobra, P., Raica, P., Cmpeanu, N., Sisteme automate numerice cu fiabilitate
ridicat pentru reglri de temperatur. A V-a Conferin Naional de Termotehnic, ClujNapoca, 1995, p.132-137.
[46]. Ion Marinescu, Brad Segal, Al. Georgescu, A. Ciobanu, M. Olaru,

A. Hobincu,

Tehnologii moderne n industria conservelor vegetale, Editura Tehnic, Bucureti, 1976

[47]. Lupaco, A., Bernic, M., islinscaia, N., Rducan, M., Uscarea ctinii albe n cmp
U.H.F., Chiinu, 2007.
[48]. Lupu, O., Contribuii teoretice i experimentale privind procesul de uscare a caiselor cu
folosirea curenilor de nalt, Tez de doctor n tiine tehnice, Chiinu, 2005.
44

INCALZIREA DIELECTRICILOR IN CAMP DE RADIOFRECVENTA

[49]. M. E. Sosa-Morales, L. Valerio-Junco, A. Lpez-Malo, H.S. Garca, Dielectric
properties of foods: Reported data in the 21st Century and their potential applications, LWT Food Science and Technology 43, 1169-1179, 2010.
[50]. Nastas O. Schimbul de mas i cldur in procesul de uscare a miezului samburilor de
caise cu aplicarea UHF. // Materialele conferinei Nationale de Termotehnic. - Sibiu,
Romania. 2000. p. 215-218.
[51]. Nastas O. Uscarea convectiv a miezului samburilor de caise. // Materialele conferinei
Nationale de Termotehnic.- Sibiu, Romania.- 2000. p. 219-220.
[52]. Nastas O. Aspecte chimice a procesului de uscare a caiselor. // Materialele conferinei /
Alimente i sntatea la inceputul mileniului III. - Galai, Romania.- 2001.- p. 277-278.
[53]. Osoianu, Gh., Studii i elaborarea procesului de uscare a seminelor de floarea soarelui
cu scopul utilizrii lor n panificaie, Tez de doctor n tiine tehnice, Chiinu, 2010.
[54]. Rducan, M., Contribuii teoretice i experimentale privind procesul de uscare a ctinii
albe cu folosirea curenilor de frecven inalt, Tez de doctor n tiine tehnice, Chiinu,
2006.
[55]. Renescu, I. (1972). Operaii i utilaje n industria alimentar, vol.I i II, Editura
Tehnic, Bucureti.
[56]. Segal B. si colab., Utilajul si tehnologia prelucrarii legumelor si fructelor, Ed. Didactica
si Pedagogica, Bucuresti, 1982.
[57]. islinscaia, N., Lupaco, A., Bernic, M., Modelarea matematic a
transfer n procesele de uscare, Chiinu, 2008.

45

fenomenelor

de