Sunteți pe pagina 1din 22

Introducere

Tranzistorul reprezintă un tranzistor din siliciu (Si) de tip n-p-n. Realizarea


tranzistorului necesită un proces tehnologic special, numit planar.
Această tehnologie este specifică siliciului constând în efectuarea
impurificărilor controlate numai pe o singură faţă a plachetelor semiconductoare
folosind tehnica litografică şi ecranarea cu ajutorul straturilor protectoare şi în
special a Si02.
Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cuaceea
că toate straturile sunt realizate pe una şi aceeaşi parte a plachetei, deaceea şi elec-
trozii sunt plasaţi pe aceeaşi parte.
În continuare vom prezenta ciclul de fabricare a tranzistorului prin metoda
planară. Se ia o plachetă din Si tip-n, care în structura rezultantă joacărolul de
colector. Pe această plachetă peste prima mască de oxid se efectuiază difuzia
acceptorului (de obicei bor) şi se primeşte stratul p al bazei. Apoi peste adoua mas-
că se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratulemitorului. În
sfârşit cu ajutorul celei de-a treia măşti de oxid se conecteazăcontactele omice din
aluminiu la toate cele trei straturi şi în continuar esuntlipite la aceste contacte sâr-
muliţe subţiri care joacă rolul de picioruşe aletranzistorului. Structura unui tranzis-
tor obţinut prin metoda planară este arătată în fig.1.

Fig.1 Structura tranzistorului bipolar obţinut prin metoda planară


Principala caracteristică a metodei planare este universalitatea, ce permite pe
unele şi aceleaşi dispozitive de fabricat tranzistoare cu diferiţi parametri.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 4


1. Tehnologia de fabricare a tranzistoarelor bipolare

Tranzistorul este un dispozitiv având o structură de tip n-p-n sau p-n-p, la care
regiunea din mijloc, adică baza trebuie să fie foarte subţire şi puţin dotată cu
impurităţi. Se consideră a nota cu E-emitorul, cu B-baza şi C-colectorul.
Pentru faricarea tranzistorului KT337, care este de tip p-n-p, se foloseşte metoda
epitaxial-planară. Din punct de vedere constructiv dispozitivele epitaxial-planare
sunt caracterizate cu aceea că toate straturile sunt realizate pe una şi aceeaşi parte a
plachetei, deaceea şi electrozii sunt plasaţi pe aceeaşi parte.
Epitaxia reprezintă procesul de creştere a straturilor monocristaline pe plachetă cu
păstrarea orientării cristalografice.
Epitaxia ocupă locul intermediar între procesele de bază şi cele ajutătoare. În
principiu ea poate garanta formarea neregularităţilor locale, totodată această orien-
tare este slab prelucrată şi în timpul de faţă epitaxia de obicei se foloseşte ca mijloc
de a primi plachete în forma straturilor foarte subţiri depuse pe plachete foarte
groase.
Procesul epitaxiei pentru siliciu constă în felul următor. Placheta monocristalină
de siliciu se află în fluxul de hidrogen, conţinînd vapori de compuşi ale siliciului
cu halogenii (de obicei SiCl4) la temperaturi mari (1200C şi mai sus) la suprafaţa
plachetei se petrece reacţia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
în rezultatul căreia la suprafaţa plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de HCl
sunt evacuaţi odată cu fluxul de hidrogen. Statul epitaxial de siliciu monocristalin
are aceeaşi orintaţie cristalografică ca şi placheta.
Dacă la vaporii de SiCl4 adăugăm BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea
nu conductibilitate proprie dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, după
care în timpul reacţiei chimice în siliciu se întroduc atomii acceptori de bor sau
atomii donori de fosfor.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 5


Graniţa între stratul epitaxial şi plachetă nu este ideală, deoarece în procesul de
epitaxie are loc difuzia între atomii de la suprafaţă a plachetei şi atomii din stratul
epitaxial. De aceea prin epitaxie nu se poate de depus mai multe straturi. Cu
ajutorul epitaxiei se poate de depus pe plachetă un strat foarte subţire (1m) ce nu
este posibil de depus prin celelalte tehnologii.
În cazul tehnologiei epitaxial-planare, dintre regiunile bazei şi a
colectorului se creează un strat de rezistenţă înaltă şi de aceeaşi conductibilitate
ca şi colectorul. Acest strat se obţine prin aşa numita depunere epitaxială a unei
pelicule subţire de monocristal de o rezistenţă înaltă pe o suprafaţă de cristal ce
serveşte ca corp al colectorului. Regiunile bazei şi a emitorului se obţin de
obicei prin difuzia locală. Structura unui tranzistor obţinut prin metoda
epitaxial-planară este arătată în fig.2.

Fig.2 Structura unui tranzistor obţinut prin metoda epitaxial-planară

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 6


2. Parametrii H pentru tranzistorul bipolar

Tranzistor bipolar, fabricat pe bază de siliciu, prin metoda epitaxial –


planară de tip p-n-p. Se foloseşte în circuitele de comutatie, deasemenea în
modulaţie cu amplitudă, amplificatoare de frecvenţă inalta. Se fabrică în corpuri
plastice. Masa tranzistorului estede 0,5g.
Parametrii electrici:
1.Frecventa a coeficientului de transfer după curent în schema emitor comun la
UCE=5V, IE=10mA, h21E =30…70 este 500-600 Mhz
2. Tensiunea colector-bază: UCB=6 V
3. Tensiunea emitor-bază: UEB=4 V
4. Intensitatea curentului colectorului: IC=30 mA
5. Capacitatea joncţiunii colectorului: CC=6 pF
6. Capacitatea joncţiunii emitorului: CE=8 pF
7. Frecvenţa maxima: f=500...600 MHz
8. Curentul de scurgere a colectorului: ICB0 ….1 mA
9. Puterea maximă disipata: P=0,15 W
10. Temperatura de funcţionare: T=233....358oK

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 7


3. Analiza circuitelor echivalente ale tranzistorului bipolar

Pentru a arăta legătura dintre parametrii „h” şi cei echivalenţi vom prezenta
schema echivalentă tranzistorului bipolar (fig.3).

Fig.3 Schema echivalentă de conectare în bază comună

Bază comună:
h11B  rE  rB ( 1   )
h21B  
r
h12B  B
rC
1
h22B 
rC
Emitor comun:
h11E  rB  rE (   1)
h21E    1   *
r
h12E   *  E
rC
*
h22E 
rC
Sistemul de parametrii h este hibrid: unii parametrii h se măsoară în regim de
mers în gol la intrare, iar alţii – în regim de scurtcircuit la ieşire.
Parametrii tranzistorului ca cuadripol depind de alegerea punctului static de
funcţionare, temperatură, frecvenţă şi schema de conectare.
Parametrii h necesari pentru calcule practice se pot obţine prin metoda grafico-
analitică după caracteristicile statice de intrare şi ieşire.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 8


4. Metode de ridicare a parametrilor tranzistorului bipolar

La ridicarea parametrilor h asigurăm regimul de funcţionare după curent


continuu, iar parametrii h se măsoară după curent alternativ la valori ale semnalului
reduse. Parametrii h pot fi determinaţi din caracteristicile statice, asigurînd regimul
de scurtcircuit după curent alternativ la ieşire ( U 2  0 ) şi regimul de mers în gol
la intrare ( I 1  0 ).
 Rezistenţa de intrare când la ieşire avem scurtcircuit:
U 1
h11 
I 2 U 0
2

 Coeficientul de transfer după tensiune când la intrare avem mers în gol:


U 1
h12 
U 2 I 0
1

 Coeficientul de transfer după curent când la ieşire asigurăm regim de


scurtcircuit:
I
h21  2
I 1 U 0
2

 Conductibilitatea de ieşire când la intrare avem mers în gol:


I 2
h22 
U 2 I 0
2

Parametrii menţionaţi mai sus se măsoară în:


 h11 – [
 h12 – [adimensional
 h21 – [adimensional
 h22 – [S

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 9


5. Structura, principiul de funcționare și parametrii de bază pentru
tranzistoarele bipolare de generație nouă - IGBT

Tranzistoarele bipolare şi MOSFET au, fiecare în parte, o serie de performanţe


foarte avantajoase pentru aplicaţii, dar şi unele dezavantaje care limitează
dimensiunea aplicaţiei.
Astfel tranzistorul bipolar în raport are avantajele: capacitate mai mare în
curent şi tensiune; cădere mică de tensiune in conducţie, VCEON.
Pe de altă parte dezavantajele mai importante sunt: timpi relativ mari de co-
mutaţie; curent şi putere de comandă mare; prezenţa saturaţiei; pericolul de dis-
trugere prin cea de a doua străpungere.
Tranzistorul MOSFET este avantajos din motivele: timpi mici de comutaţie;
comandă în tensiune; inexistenţa saturaţiei şi a celei de a doua străpungeri;
capacitate relativ mică în tensiune şi curent.
Îmbinarea avantajelor celor două tipuri de tiristoare s-a regăsit într-un nou dis-
pozitiv semiconductor de putere numit tranzistor bipolar cu poartă izolată –
IGBT.
O structură verticală printr-un IGBT cu canal n este prezentată în fig. 4, iar în
fig. 5 simbolizarea acestuia. Straturile unui tranzistor IGBT sunt:

- stratul colectorului de tip p+, înalt dopat, 1019/cm3;

- stratul de sărăcire de tip n-, slab dopat, 1014/cm3;

- corpul p, mediu dopat, 1017/cm3;

- stratul emitorului n2+, înalt dopat, 1019/cm3.


Suplimentar la unele tranzistoare se mai găseşte şi stratul tampon
1 n.
Dacă tranzistorul nu are stratul tampon se numeşte IGBT simetric, în

caz contrar emitorul tranzistorului se conectează la stratul n2+ prin intermediul


metalizării 1, din aluminiu. Metalizarea porţii G este separată de corpul p prin
stratul de oxid de siliciu.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 10


Fig.4 Structura GBT-ului cu canal n. Fig.5 Simbolul

Producători de IGBT-uri furnizează mai multe tipuri de scheme echivalente


funcţionale, care permit descrierea conducţiei în tranzistor. O astfel de
schemă echivalentă simplificată este prezentată în fig.6, unde IGBT-ul este
înlocuit printr-un tranzistor MOSFET cu canal n şi un tranzistor bipolar pnp. Re-

zistorul Rn-1 materializează rezistenţa stratului n-. Tranzistorul MOSFET re-


prezintă partea de comandă a IGBT-ului care este similară cu cea a tranzistorului
MOSFET, în sensul că în corpul p se creează, prin câmp electric, canalul de tip
n. Prin acest canal electronii injectaţi din sursă, polarizată negativ, se regăsesc în

dren, iar prin stratul n- în baza tranzistorului pnp, comandând intrarea rapidă în
conducţie a acestuia. Blocarea tranzistorului pnp se face prin blocarea con-
ducţiei MOSFET-ului. În felul acesta se realizează comanda în tensiune, deci
de putere mică, şi timpi de comutaţie reduşi. Se evită de asemenea fenomenul
saturaţiei, comanda pe poartă IGBT-ului fiind în câmp electric. Pe de altă parte
prezenţa între colector şi emitor a tranzistorului pnp asigură o cădere de tensiune
VCEON comparabilă cu cea de la tranzistoarele bipolare.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 11


Fig.6 Schema de funcţionare Fig.7 Schema echivalentă

În familia de caracteristici statice se definesc zonele: dreapta VCESUS, care


limitează tensiunea maxim admisă în sens direct, la valori mai mari decât VCE-
SUS apărând fenomenul primei străpungeri, cu aceleaşi caracteristici ca la
tranzistoarele bipolare;
- zona activă, cu aceleaşi proprietăţi ca la MOSFET;
- zona ohmică;
- pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prăbuşire în sens invers.
Stabilirea punctului de funcţionare se face tot ca la tranzistorul MOSFET,
în sensul îndeplinirii condiţiilor:
- să asigure la curent maxim, tensiune VCEON minimă, punctul de
funcţionare plasându-se pe curba de separaţie între zonele activă şi ohmică;
- punctul de funcţionare să se găsească în interiorul ariei de funcţionare
Structura IGBT-ului este practic de tipul pnpn, identică cu a unui tiristor
obişnuit. Din acest motiv IGBT-ul este suspect de apariţia fenomenului de au-
toamorsare, după modelul de la tiristorul obişnuit. În mod normal curentul de

colector se închide între stratul de colector p+ şi stratul de emitor n+ ,


L

traversând corpul p. Pentru a se evita efectele nedorite ce apar la MOSFET,


metalizarea emitorului acoperă parţial corpul tranzistorului. Astfel poate să
apară aşa numitul curent lateral, i, desenat cu linie întreruptă, direct între co-

lector şi emitor, fără traversarea stratului n2+.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 12


6. Utilizarea tranzistoarelor bipolare în circuite electronice

Tranzistorul KT337 este utilizat în circuite de comutaţie, amplificatoare de


frecvenţă înaltă, în schemele generatoarelor. În fig.8 este prezentat un circuit al
unui generator cu folosirea cuartului într-un receptor unde este utilizat tranzistorul
KT337 în calitate de amplificator:

Fig. 8 Circuit al unui generator cu folosirea cuartului într-un receptor unde este
utilizat tranzistorul KT337 în calitate de amplificator

În fig. 9 este un tranzistor din aceeași serie, schema unui radioemitator ce


functioneaza in diapazonul de frecvente 100-108 Mhz la o distanta de 50m, în care
tranzistorul VT1 se utilizeaza in calitate de amplificator de modulare a semnalului,
dupa ce semnalul amplificat prin condensatorul C2, ajunge la VT2 care
schimbindu-si capacitatea baza-emitor, moduleaza frecventa generatorului sursa.

Fig. 9 Schema unui radioemitator ce funcționează în diapazonul de frecvențe


100-108 Mhz la o distanța de 50m

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 13


În fig. 10 este un tranzistor din aceeași serie. Este schema unui dispozitiv de
recepâionare a câmpului electric format de cablurile de înaltă tensiune în orice
locuință, sub pereții clădirii, astfel e posibil de a vedea cum trece cablul prin
perete. Dacă antena WA1 nu receptionează câmpul electric, atunci tranzistorul
VT2 este deschis, dacă receptionează atunci tranzistorul se închide, și
multivibratorul constituit din VT2 si VT3 începe să lucreze și se va lumina dioda.

Fig. 10 Schema unui dispozitiv de recepționare a câmpului electric format din


cablurile de înaltă tensiune

Tranzistorul bipolar KT – 616 se utilizează pe larg în scheme de comutare. În


fig. 11 este o parte din circuitul în care se utilizează tranzistorul bipolar
KT – 616. Acesta este un circuit de comutare a intrărilor. În acest circuit el este
utilizat ca tranzistor de clasa A:

Fig.11 Circuit de comutare a intrărilor

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 14


Voi prezenta în fig. 12 un circuit al unui indicator de nivelul înscrierii în care
se utilizează tranzistorul bipolar KT – 608. În acest circuit el este utilizat ca tran-
zistor de clasa B:

Fig.12 Circuit al unui indicator de nivelul înscrierii

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 15


7. Rezolvarea problemelor conform variantei obţinute

Problema 1
Conform caracteristicilor curent-tensiune (CCT) statice ale tranzistorului
bipolar să se efectuieze următoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de
amplificare:
a) să se traseze dreapta de sarcină;
b) să se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenţilor şi
tensiunilor în timp şi să se determine dacă pot apărea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fără distorsiuni) să se calculeze
rezistenţa de intrare şi de ieşire a etajului, coeficientul de amplificare după curent
ki, tensiune kU şi putere kP. Să se determine puterea utilă pe sarcină PR.
Se dă:
EC=80 V;
RS=1,8 k;
IB=0,150 mA;
IBm=0,075 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieşire trasăm dreapta de sarcină prin punctele:
EC
(EC,0) şi) (0, ) adică (80 V,0) şi (0 , 44 mA)
RS
Urmatoarele date le scrim de pe caracteristica tranzistorului bipolar KT601A
dupa ce am trasat dreapta de sarcină.
𝐼𝐶𝑚 = 17 𝑚𝐴; 𝑈𝐶𝐸
𝑚
= 30 𝑉;
𝐼𝐵𝑚 = 0,152 𝑚𝐴; 𝑈𝐵𝐸
𝑚
= 0,062 𝑉
Calculăm valorile parametrilor de funcționare pentru etajul de amplificare
analizat:
I Cm 17
KI    111,842
I Bm 0,152

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 16


U CEm 30
KU    483,871
U BEm 0,062
K P  K I  KU  111,842  483,871  54117,100

 400 
U 0,062
Rint  BEm 
I Bm 0,152  10 3
 RS 17 103  1800
2 2

 260 mW 
I Cm
PR  
2 2

Problema 2
Conform CCT ale tranzistorului bipolar (vezi anexele respective) şi
parametrilor lui la frecvenţă înaltă să se efectueze următoarele calcule pentru etajul
de amplificare:
- să se calculeze valorile parametrilor h şi să se construiască circuitul echivalent al
dispozitivului activ analizat la frecvenţe joase;
- să se calculeze parametrii fizici ai circuitului echivalent la frecvenţă înaltă.
Rezolvare:
=
Pentru: 𝐼𝐵= = 0,075𝑚𝐴 ș𝑖 𝑈𝐶𝐸 = 64𝑉 avem: ∆𝐼𝐵 = 0.021 mA, ∆𝑈𝐵𝐸 = 0.019 V,
∆𝐼𝑐 = 2 mA, ∆𝑈𝐶𝐸 = 4.86 V
Determinăm parametrii hibrizi h:
U BE 0,019V
h11E    0.9;
I B U CE  const
0.021mA U CEconst

I C 2mA
E
h21    6,34 ;
I B U CE  const
0,315mA U CE const

I CI 15 * 10 3
E
h22    0.3mS ;
U CE I B  const
4,86 I B  const

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 17


Fig. 13. Schema echivalentă a tranzistorului la frecvenţă joasă

Tranzistorul bipolar KT601A posedă următorii parametri la frecvenţă înaltă:


2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.
Determinăm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a
tranzistorului la frecvenţe înalte:

 3  40  120  ;
rC 600 ps
rB     3
CC 15 pF

 5 pF  ;
CC 15 pF
CC1  
 3

CC2  CC  CC1  15  5  10 pF  ;

 3.3 k  ;
1
rCE 
h22 E

S j  20  I C  20  9 10 3  180mSm ;
1
rBE  904  120  784 ;

 S  180  10 3
  C E   j   75 *10 12 
C BE  1.5F ;
 lim  6,3  20  10 6

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 18


Problema 3
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar să
se determine parametrii etajului de amplificare în regim de recuplare a puterii:
a) să se traseze dreapta de sarcină;
b) să se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare şi
puterea necesară pentru a o deschide.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieşire trasăm dreapta de sarcină şi detetminăm Urest=12.8 (V)
U rest
 350  ;
12.8
Rcupl  
I Ccupl 36  10 3

PCcupl  U rest  I Ccupl  12.8  36 103  460mW  ;

 1.8 mA ;
Ec 80
I Bcupl  k sat   4
Rs * k I 100 *1.8kOhm

UBEcupl=0.622 (V) - din grafic.


Pint  U BEcupl  I Bcupl  0.622V  1.8mA  1.12mW .

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 19


8. Conform variantei să se proiecteze două etaje de amplificare în baza
tranzistorului bipolar: cu şi fără transformator

Fig. 14. Etaj de amplificare după putere în baza tranzistorului bipolar


cu transformator

Date iniţiale: Pieş.=1.0W


RS=3 
Fj=90 Hz
Mj=1,14
EC=6 V
Calculul amplificatorului de tensiune
1.Determinăm puterea ce va fi împrăştiată pe tranzistorul selectat:
P Pies
P0= P   C  (0,8...0,9) T  (0.7...0.9)
C T
1
P   1.25W -puterea cedata de tranzistor
0.8

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 20


P0=1,25 /0,9=1,38W
2.Determinam valorile ISmax si Uies.max.
ISmax.* Uies.max= Pies
ISmax.* Uies.max. / Rs = Pies / Rs
I 2 Smax = Pies / Rs
Pies 1
ISmax= =  0,33 A
Rs 3

U ies. max  I S max * Rs  0,33 * 3  0,99V

Deci calculăm rezistenta rezistorului după curent alternativ.


2U BE.m 2 * 01.1
Rint r    2.2
2 I B.m 2 * 0.05

2 * U BE.m * 2 * I B.m 4 *1.1 * 0.075 *10 3


Pint r .    0.41mW
8 8

3.Calculam rezistenta din circuitul emitorului Re:


U RE
RE= U RE  (0,3...0,5)U  0,5 * (0,2...0,3) EC  24 * 0.5  12V -valoarea tensiunii
IC0

care cade pe rezistenta .


RE=12V/2.5A=4.8 
4. Determinam capacitatea condensatorului ce şuntează rezistorul RE:
1 1
CE    1507F
2F j RE 2 * 3,14 * 200 * 4.8

5.Rezistenta divizorului de tensiune după curent alternativ:


R1 R2
R12  ;
R1  R2

R12  (8...12) Rint e  6.48

EC * R12 720 * 6.48


R1    72k
RE * I C 0 0.54 * 02.5

R1 * R12 72000 * 6.48


R2    6.53k
R1  R12 72000  6.48

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 21


6. Determinăm coeficientul de amplificare al etajului după putere
Pies. 4
KP    4321ori
Pint r . 0.41*10 3

7.Determinam rezistenta sarcinii colectorului dupa curent alternativ si coeficientul


de transformare pentru transformatorul de putere.
U CE max Ec  U 20  5
RC     26.5
I C max  c * I C max 0.9 * 0.63

RS 13
n   0.78
RCT

26.5 * 0.8

8.Determinăm rezistenţa înfăşurării transformatorului primar


rT 1  0.5RC (1   T )  0.5 * 0.9 * 0.2  0.09

1  T
rT 2  0.5RS  0.8
T

9.Inductanta transformatorului primar


RS  rT 2 13  0.8 13.8
L1     65mH
2F j n 2 M 2j  1
2
2 *160 * (0.78) * 0.50 305.6

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 22


9. Elaborarea plachetei imprimate

Fig. 15. Plachetele imprimate

Tabelul 1. Valorile nominale ale elementelor


Element Rc, RE, Rintr, R1, R2, Ries, Cd2, CE,
Ω Ω kΩ kΩ kΩ Ω μF μF
Valoarea 680 150 1,3 68 7,6 1300 1,8 110
nominala

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 23


Concluzii

În urma efectuării proiectului am proiectat unui amplificator de frecvență audio


utilizând tranzistoare bipolare.
Pe parcursul efectuării acestui proiect am urmat următoarele:
1. Am rezolvat 3 probleme referitoare la tranzistoarele bipolare, utilizând
metoda grafică pentru preluarea unor parametri, utilizând tranzistorul bipolar KT
601A.
2. Am efectuat proiectarea conform variantei și datelor primite de la profesor.
În baza caracteristicilor statice ale acestui tranzistor am efectuat restul calculelor
iar apoi odată ce am obținut valorile nominale ale elementelor am efectuat placheta
imprimată pentru amplificatorul obținut.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 24


Bibliografie

1. Dispozitive electronice. Îndrumar metodic privind îndeplinirea tezei de an.


N.Bejan, P.Nistriuc, O.Drahnea – Chișinău, UTM, 2005.
2. Dispozitive electronice. Ghid de la lucrări practice. Partea I. N.Bejan,
P.Nistriuc, A.Masnic – Chișinău, UTM, 2007.
3. Zamfir V. Bazele radioelectronicii. – Timişoara: Facla, 1987.
4. https://www.schemeelectronice.com/311/amplificator-putere-40w-tda2030-
bd711-bd712/
5. https://electronicsproject.org/doorbell-circuit/
6. https://www.electronics-notes.com/
7. http://talkingelectronics.com/

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 25