Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Coala
Tranzistorul este un dispozitiv având o structură de tip n-p-n sau p-n-p, la care
regiunea din mijloc, adică baza trebuie să fie foarte subţire şi puţin dotată cu
impurităţi. Se consideră a nota cu E-emitorul, cu B-baza şi C-colectorul.
Pentru faricarea tranzistorului KT337, care este de tip p-n-p, se foloseşte metoda
epitaxial-planară. Din punct de vedere constructiv dispozitivele epitaxial-planare
sunt caracterizate cu aceea că toate straturile sunt realizate pe una şi aceeaşi parte a
plachetei, deaceea şi electrozii sunt plasaţi pe aceeaşi parte.
Epitaxia reprezintă procesul de creştere a straturilor monocristaline pe plachetă cu
păstrarea orientării cristalografice.
Epitaxia ocupă locul intermediar între procesele de bază şi cele ajutătoare. În
principiu ea poate garanta formarea neregularităţilor locale, totodată această orien-
tare este slab prelucrată şi în timpul de faţă epitaxia de obicei se foloseşte ca mijloc
de a primi plachete în forma straturilor foarte subţiri depuse pe plachete foarte
groase.
Procesul epitaxiei pentru siliciu constă în felul următor. Placheta monocristalină
de siliciu se află în fluxul de hidrogen, conţinînd vapori de compuşi ale siliciului
cu halogenii (de obicei SiCl4) la temperaturi mari (1200C şi mai sus) la suprafaţa
plachetei se petrece reacţia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
în rezultatul căreia la suprafaţa plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de HCl
sunt evacuaţi odată cu fluxul de hidrogen. Statul epitaxial de siliciu monocristalin
are aceeaşi orintaţie cristalografică ca şi placheta.
Dacă la vaporii de SiCl4 adăugăm BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea
nu conductibilitate proprie dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, după
care în timpul reacţiei chimice în siliciu se întroduc atomii acceptori de bor sau
atomii donori de fosfor.
Coala
Coala
Coala
Pentru a arăta legătura dintre parametrii „h” şi cei echivalenţi vom prezenta
schema echivalentă tranzistorului bipolar (fig.3).
Bază comună:
h11B rE rB ( 1 )
h21B
r
h12B B
rC
1
h22B
rC
Emitor comun:
h11E rB rE ( 1)
h21E 1 *
r
h12E * E
rC
*
h22E
rC
Sistemul de parametrii h este hibrid: unii parametrii h se măsoară în regim de
mers în gol la intrare, iar alţii – în regim de scurtcircuit la ieşire.
Parametrii tranzistorului ca cuadripol depind de alegerea punctului static de
funcţionare, temperatură, frecvenţă şi schema de conectare.
Parametrii h necesari pentru calcule practice se pot obţine prin metoda grafico-
analitică după caracteristicile statice de intrare şi ieşire.
Coala
Coala
Coala
dren, iar prin stratul n- în baza tranzistorului pnp, comandând intrarea rapidă în
conducţie a acestuia. Blocarea tranzistorului pnp se face prin blocarea con-
ducţiei MOSFET-ului. În felul acesta se realizează comanda în tensiune, deci
de putere mică, şi timpi de comutaţie reduşi. Se evită de asemenea fenomenul
saturaţiei, comanda pe poartă IGBT-ului fiind în câmp electric. Pe de altă parte
prezenţa între colector şi emitor a tranzistorului pnp asigură o cădere de tensiune
VCEON comparabilă cu cea de la tranzistoarele bipolare.
Coala
Coala
Fig. 8 Circuit al unui generator cu folosirea cuartului într-un receptor unde este
utilizat tranzistorul KT337 în calitate de amplificator
Coala
Coala
Coala
Problema 1
Conform caracteristicilor curent-tensiune (CCT) statice ale tranzistorului
bipolar să se efectuieze următoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de
amplificare:
a) să se traseze dreapta de sarcină;
b) să se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenţilor şi
tensiunilor în timp şi să se determine dacă pot apărea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fără distorsiuni) să se calculeze
rezistenţa de intrare şi de ieşire a etajului, coeficientul de amplificare după curent
ki, tensiune kU şi putere kP. Să se determine puterea utilă pe sarcină PR.
Se dă:
EC=80 V;
RS=1,8 k;
IB=0,150 mA;
IBm=0,075 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieşire trasăm dreapta de sarcină prin punctele:
EC
(EC,0) şi) (0, ) adică (80 V,0) şi (0 , 44 mA)
RS
Urmatoarele date le scrim de pe caracteristica tranzistorului bipolar KT601A
dupa ce am trasat dreapta de sarcină.
𝐼𝐶𝑚 = 17 𝑚𝐴; 𝑈𝐶𝐸
𝑚
= 30 𝑉;
𝐼𝐵𝑚 = 0,152 𝑚𝐴; 𝑈𝐵𝐸
𝑚
= 0,062 𝑉
Calculăm valorile parametrilor de funcționare pentru etajul de amplificare
analizat:
I Cm 17
KI 111,842
I Bm 0,152
Coala
400
U 0,062
Rint BEm
I Bm 0,152 10 3
RS 17 103 1800
2 2
260 mW
I Cm
PR
2 2
Problema 2
Conform CCT ale tranzistorului bipolar (vezi anexele respective) şi
parametrilor lui la frecvenţă înaltă să se efectueze următoarele calcule pentru etajul
de amplificare:
- să se calculeze valorile parametrilor h şi să se construiască circuitul echivalent al
dispozitivului activ analizat la frecvenţe joase;
- să se calculeze parametrii fizici ai circuitului echivalent la frecvenţă înaltă.
Rezolvare:
=
Pentru: 𝐼𝐵= = 0,075𝑚𝐴 ș𝑖 𝑈𝐶𝐸 = 64𝑉 avem: ∆𝐼𝐵 = 0.021 mA, ∆𝑈𝐵𝐸 = 0.019 V,
∆𝐼𝑐 = 2 mA, ∆𝑈𝐶𝐸 = 4.86 V
Determinăm parametrii hibrizi h:
U BE 0,019V
h11E 0.9;
I B U CE const
0.021mA U CEconst
I C 2mA
E
h21 6,34 ;
I B U CE const
0,315mA U CE const
I CI 15 * 10 3
E
h22 0.3mS ;
U CE I B const
4,86 I B const
Coala
3 40 120 ;
rC 600 ps
rB 3
CC 15 pF
5 pF ;
CC 15 pF
CC1
3
3.3 k ;
1
rCE
h22 E
S j 20 I C 20 9 10 3 180mSm ;
1
rBE 904 120 784 ;
S 180 10 3
C E j 75 *10 12
C BE 1.5F ;
lim 6,3 20 10 6
Coala
1.8 mA ;
Ec 80
I Bcupl k sat 4
Rs * k I 100 *1.8kOhm
Coala
Coala
Coala
RS 13
n 0.78
RCT
26.5 * 0.8
1 T
rT 2 0.5RS 0.8
T
Coala
Coala
Coala
Coala