Tema 7b

PIN DIODE,
DIODE CU TRANZIT AVALANȘĂ:
DIODE GUNN,
IMPATT, TUNNETT, TRAPATT, BARITT
 Inițial, la studierea diodei clasice, stratul intern sărăcit sau
nedopat juca un rol negativ, ce micșora caracteristica de
redresare spre tensiuni mai mici.
 PIN photodioda a fost inventată de Jun-ichi Nishizawa și
colegii in 1950.
 Eficiența cuantică este f.mare și ajunge la 80-90% la 1500 nm
și se confecționează commercial pin fotodioda din Ge și
InGaAs. pin dioda din Si de asemenea are eficiența cuantică
înaltă dar sub 1100 nm
 Se confecționează și din Si amrf.
 Există NIP diode în care stratul intrinsec este din CdTe iar
straturile n din CdS dopat, iar stratul p – din ZnTe dopat. În
acest caz lumina incidentă cade pe stratul n...
 pin dioda detectează lejer raze X și gama fotoni
Construcția tipică
 Regiunea intrinsecă oferă rezistență înaltă curentului ce-l tranzitează deoarece se
comportă ca un dielectric
 Lățimea relativ mare a regiunii intrinsece scade capacitățile diodei ca redresor dar
oferă noi posibilități ca atenuator, comutator rapid, fotodetector și alte aplicații la
tensiuni înalte.
 Dioda pin lucrează ca o simplă diodă la frecvențe de până la 100 MHz, iar peste
100 MHZ se comportă ca o rezistență sau comutator
 La polarizare inversă – se comportă ca o capacitate.
 Fără polarizare: este proces de difuzie a electronilor prin joncțiune. Regiunea
sărăcită este formată între PI și IN regiuni cu penetrare majoră în regiunea I
intrinsecă.
 La polarizare directă concentrația purtătorilor de sarcină injectați în regiunea I
este de câteva mărimi de ordine mai mare ca propria concentrație. Grație acesteia
câmpul electric format se extinde peste toată regiunea I, pătrunzând chiar și în
regiunile p și n.
 Acest câmp electric contribuie la transportul mai rapid de la p spre n – deci
mărește frecvența de lucru a pin diodei
 La polarizare directă pin dioda se comportă ca o rezistență variabilă, ce se
micșorează cu câmpul polarizării directe.
 La polarizare inversă:
 – se comportă ca o capacitate variabilă sau
constantă.
 Cu creșterea tensiunii de polarizare inversă grosimea
stratului sărăcit crește și comportarea ca capacitate
variabilă va dura până stratul sărăcit va fi liber de
purtători liberi de sarcină. Această tensiune limită se
numește tensiune de curățire totală. La această
tensiune pin dioda se comportă ca o capacitate
variabilă
 PIN dioda este un sandwich din SC intrinsec amplasat între
puternic dopate p+ și n+ SC
 Un strat antireflectant este depus la suprafața de sus a pin diodei
pentru primirea radiației de lumină și evitarea emisiei secundare.
 Prin asigurarea max a absorbției luminii în regiunea intrinsecă el
reduce fondul și viteza mică de răspuns, de basculare dacă
lucrăm în regim de fotodiodă
 Reducerea timpului de răspuns este și datorită rezistenței f. înalte
a stratului, mai mare ca la dispozitive similare
 Viteza răspunsului diodei se limitează de durata timpului necesar
electronilor să ajungă la electrod și poate fi modulată prin
grosimea stratului intrinsec și tensiunii de polarizare aplicate.
Tipuri
 Metal – semiconductor PIN diodă
 Heterojonctiune PIN diodă
 La semnale de frecvențe joase o diodă PIN se supune ecuația dioda standard
La frecvențe mai mari, dioda arata ca un rezistor aproape perfect (foarte
liniar, chiar și pentru semnale de mari dimensiuni). Aceasta se datorează
comportamentului în regiunea intrinsecă a mulțimii de sarcini existente.
 La frecvențe joase, sarcinile reușesc să fie îndepărtate integral și dioda se
închide. La frecvențe mai mari, nu există suficient timp pentru a elimina
toate sarcinile, astfel încât dioda nu se închide niciodată.
 Dioda PIN-ul are un timp de recuperare a regiunii sărăcite.
 Rezistența de înaltă frecvență este invers proporțională cu curentul de
polarizare de CC prin dioda. O diodă PIN, prin urmare, acționează ca un
rezistor variabil. Această rezistență la înaltă frecvență poate varia într-o
gamă largă (de la 0,1 Ω la 10 kΩ.
 Când curentul de control la o polarizare directă este
variat continuu – poate fi util la atenuarea,
modularea amplitudinii și nivelului semnalului în
interval RF
 Când dioda este polarizată direct golurile și
electronii sunt injectați într-o regiune I. Purtătorii
de sarcină nu vor recombina instantaneu, dar au
o durată de viață în această regiune I-.

 DACĂ DIODA este polarizată invers – nu sunt

careva sarcini depozitate în volum în regiunea I
și dispozitivul se comportă ca o capacitate
șuntată de o rezistențâ paralelă
 Nu este necesară polarizarea externă în diode detectoare

∴ Câmpul electric puternic în pn joncțiune face posibilă colectare

purtătorilor de sarcini de contactele opuse fără aplicarea unui câmp extern
Physical Principles of PIN photo diode

Polarizare inversă
↓
Energia radiației este mai mare ca band-gap
energy a materialului (1.12 eV for Si)
↓
Excitarea electronilor din banda de valență
în banda de conducției
↓
Ce cauzează un curent în circuitul extern

Sensitive detectors susceptible to visible and infrared radiation(R. Nowotny et al, Nuc. instr. and meth. 147,
1977)
Used with x- and gamma-ray spectroscopy with a high energy resolution(Takahiko Aoyama et al, Med. Phys
29(7), 2012)
PIN improve response time and higher efficiency than PN structure
linearity in low dose range.
Visible ray
Cum se măsoară doza cu dioda
Radiația ionizantă incidentă

Perechi electron-goluri

Purtători minoritari de sarcini

(electronii în p- și golurile în n)
difuzează spre electrodul opus

Măsurări cu electrometrul

TG-62, 2005 (DIODE IN VIVO DOSIMETRY FOR PATIENTS

RECEIVING EXTERNAL BEAM RADIATION THERAPY)
Noi perspective?

 Aplicarea fotodiodei pin în intervalul de energii MV

 Studiul de fezabilitate deja elaborat
(Benigno et al, Med. Phys. 41(1), 2014)

 Exploatarea fotdiodelor pin produse deja comercial pentru măsurarea dozelor

primite de organe în intervalul de energii de kV
 In curs de valorificare
 Aplicații curente
 PIN diodele sunt folosite în controlul puterii în RF în circuite ca comutatoare de
amplitudine, atenuatoare, modulatoare, comutatoare de fază.
 Procesul de control în circuite natural se soldează cu careva disipație a energie
în dispozitiv (pin fotodioda)
 Astfel - temperatura lui va crește. Din aceste considerente fotodioda pin se
caracterizează cu parametrii
 Pd – puterea disipată,
 Tamb – temperatura ambientală
 qJ – impedanța termică între pin joncțiune și temperatura ambientală
 PIN Dioda de regulă are I-regiunea largă astfel poate fi exploatată în regim de
modulare a RF Voltaj mult mai mare ca Varactorele sau Schottky diodele în
interval de microunde
 PIN diodă ideală activează ca o rezistență variabilă controlată de curent.
 Dioda de siliciu cu avalanșă SAD DIODE
Silicon Avalanshe Diode – tensiunea în regiunea de
avalanșă variază nesemnificativ cu modificarea
curentului invers. Străpungerea prin avalanșă nu este
distructivă atât timp cât disiparea câldurii este
eficientă. Aceste diode sunt utile ca referințe de
tensiune. SAD produc zgomot radiofrecvențe.
Dacă îl plasăm întrun circuit rezonator SAD va lucra ca
un dispozitiv cu rezistența dinamică negativă – dând
naștere la IMPATT diodă optimizată pentru generare de
frecvențe.
Aplicații a diodei de siliciu cu avalanșă
1.RF Noise Generation: În această formă activează ca sursă de
RF pentru analizoare de frecvențe și generatore de zgomot.
2.Microwave Frequency Generation: În această formă
acționează ca dispozitiv cu rezistența diferențială negativă.
3.Single Photon Avalanche Detector: Detector extrem de
sensibil de lumină
DIODA IMPATT (Impact Ionization
Avalanche Transit Time)
 Este o diodă (dispozitiv cu avalanșă de timp de zbor) cu rezistența diferențială
negativă cu putere relativ mare structura de bază este p+-n-i-n+
 Puterea poate ajunge la 10 și mai mulți Watt.
 GaAs este mai bun ca Si deoarece coeficientul de ionizare este mai mare.
 La frecvențe de până la 8-12 GHz (banda X – în telecomunicații și radiolocații)
 A înlocuit CLISTRONUL în echipamente militare
 Realizate și pentru primele radiorelee digitale din domeniul undelor centimetrice
 IMPATT – diodă cu avalanșă cu ionizare și
impuls

 Este o diodă de putere utilizată în dispozitive cu microunde cu frecvență înaltă Aplicarea

unui gradient de tensiune cauzează un curent mare, care ar distruge o diodă normală. Dar
dioda IMPAT este astfel construită că rezistă aceasta. Acest potențial înalt este aplicat ca
polarizare inversă , astfel purtătorii minoritari curg prin joncțiune..
 Superpoziția unei tensiuni de CA pe acest potențial înalt în comun cu viteza deplasării
electronilor și golurilor cauzează apariția adițională a golurilor și electronilor, ca rezultat
al ionizării prin avalanșă a purtătorilor din rețeua cristalină.
 Dacă câmpul inițial al tensiunii de CC a fost la faza inițială a declanșării acestui proces,
aceasta cauzează multiplicarea curentului prin avalanșă, și acest proces continuă cum
vedem din fig.
 Datorită acestui efect impulsul curentului deține defazaj de 90o. Dar în loc să stea
acolo, el se deplasează spre catod din cauza polarizării inverse. Timpul necesar de a
ajunge la Catod depinde de grosimea stratului n+, care se alege astfel ca defazajul să fie
de 90o. Acum este dovedit că există o rezistență dinamică negativă Astfel IMPATT
activează ca un generator și amplificator
 Neajunsuri: Zgomot mare – din cauza procesului de avalanșă
 Intervalul de ajustare nu este la fel de bun ca la dioda Gunn
 Se utilizează la:
 Generatoare frecvențe înalte; generator cu modulare a semnalului la ieșire; generator
local al receptorului; amplificarea rezistenței negative; Sisteme de pază;
 Radar pentru poliție; transmițător de microunde cu putere mică;
 Transmițător FM; Transmițător CW Doppler rada
 Procesele fizice în structură

 În termini de operare IMPATT dioda considerăm că

este formată din 2 regiuni – regiunea de avalanșă sau
de injectare și regiunea de drift, care au diferite funcții/
Regiunea de injectare dă naștere la purtători de sarcină (electroni sau goluri) iar regiunea de
drift este regiunea unde purtătorii de sarcină se deplasează în dependență de grosimea și
timpul existente. Purtătorii de sarcină evident se deplasează în direcții opuse.
Cum purtătorii de sarcină sunt generați – dioda se bazeză
pe rezistența negativă de a genera și susține oscilațiile.
Efectul nu are loc la polarizare cu curent continuu, dar
este la curent alternativ și depinde de diferența de fază
ce se observă la diferite frecvențe. Astfel la aplicarea
c.a. se observă un pic de curent cu defazajul de 180o
de faza tensiunii
Este interesant faptul că atât în cazul clistronului, cât și al diodei IMPATT, comportarea tip
rezistență negativă (care asigură un defazaj între curent și tensiune) se obține datorită
întârzierii pe care o suportă electronii în tranzitarea dispozitivului și este deci un efect al
timpului de zbor (transit time). Viteza acestor electroni este cu mult mai mică în
semiconductor decât în vid. De aceea efectul dorit se obține pe distanțe mult mai scurte în
dioda semiconductoare, dispozitiv care are dimensiuni mult mai mici decât tubul cu vid
(clistron). Utilizarea SC înseamnă nu numai miniaturizare, ci și durată de funcționare mult
mai lungă.

Dacă tuburile electronice folosesc drept sursă de electroni un catod/filament încălzit, în

dioda SC IMPATT purtătorii de sarcină electrică (electronii negativi și “golurile” pozitive)
sunt generați datorită ionizării prin șoc într-o zonă de câmp electric foarte intens, printrun
proces asemănător cu cel care are loc în cazul descărcării luminescente într-un tub cu gaz
 Dioda TUNNET
 Propus de J.Noshizava1 în 1958 ca promițâtor pentru 100GHz-1000GHz
 Cu creșterea frecvenței de operare a diodelor IMPATT injectarea purtătorilor de
sarcinâ rezultanți ai efectului de avalanșă trece spre fenomenul mixt de generare din
efectul mixt de avalanșă și și tunel, deci mecanism de avalanșă-tunel mixt.

 In astfel de diode este o regiune foarte înalt dopată și subțire din p++n+ joncțiuni(în
altele - p++n+nn+) sunt formate pentru a influența potențialul de trecere de la
avalanșă la tunel.

 Deoarece la efectul tunel nu există dependența generării de densitatea curentului nu

există întârzieri de declanșare a mecanismului de tunel, și rezistența negative
diferențială este atinsă prin timpul de tranzit prin regiunea de drift la câmpuri mult
mai joase electrice ca la diodele IMPATT.

 1. Sci.Rep. Res. Inst. Tohoku Univ. 10(2), 91, (1958)

 Dioda BARITT
 BARITT (Barrier Injection Transit Time) diode similară IMPATT diodei dar..
 La generarea semnalelor de microunde, radare de mică putere cu fond parazit mic.
 Diferența– folosește emisia termoionică mai mult decât ce de multiplicare prin avalanșă-
de aceea și zgomotul de fond este mult mai mic.
 Dioda BARITT constă din 2 diode unite coadă la
Coadă, care dau caracteristici asimetrice datorită
diferenței dintre cele 2 p-n joncțiuni .
Când structura este polarizată el cade
practic integral la polarizarea inversă.
 Dioda BARITT
 Dioda BARITT utilizează injectia din p-n joncțiuni polarizate direct (dar nu din plasma
regiunii de avalanșp) și
tranzitarea purtătorilor de sarcină
minoritari care cauzează rezistența
diferențială negativă la frecvențe de
microunde.

 Puterea și întârzierea de fază comparativ cu IMPATT dioda sunt mult mai mici
DIODA GUNN

(TED)
Dr.h. A Buzdugan
 Introducere
 Dioda Gunn este cunoscută și ca transferred
electron device (TED) sau ca dioda cu
instabilitate în volum.
 Este of formă atipică de diodă pentru
electronica de frecvențe înalte. Structura diodei
atipică: conține un strat de n-SC dopat, dar
care are regiune a caracteristicii cu R negative.

 Gallium Arsenide (sau GaP) Gunn Dioda

frecvența până la 200GHz iar Gallium Nitride -
3THz.
PrincipII FORMARE DISPOZITIV
 Acesta constă numai din n-SC: stratul de sus (prin
implantarea ionică) din n+SC (deci SC degenerat), un
strat intermediar subțire de 1-100 mcm (cu N =1014-
1016 cm-3, deci f. mică) cu un strat tampon (crescut
epitaxial pe n-substrat )între stratul activ și substrat
iarăși din n+SC degenerat, montat în oricare număr de
pachete, în funcție de producător, frecvența și puterea.
 Contactele – din Au .
 Encapsularea este obligatorie. 
 Radiator obligatoriu
  
 Principiul de lucru
 Dioda Gunn este formată din trei regiuni energetice, și a treia
regiune suplimentară este inițial goală.
 Electronii din banda de conducere, având o rezistivitate electrică
neglijabilă, se deplasează în a III-ia regiune, deoarece sunt
împrăștiați de tensiunea aplicată diodei. A III-ia regiune GaAs
are o mobilitate mai mică decât în ​banda de conducere.
 Datorită creșterii tensiunii directe, intensitatea câmpului crește
(tensiunea aplicată depășește valoarea tensiunii pragului), în
urma căreia electronii ating o stare în care masa lor efectivă
crește și viteza scade, ceea ce duce la o scădere a curentului.
 Prin urmare, dacă intensitatea câmpului crește, atunci driftul va
scădea și se creează o rezistență suplimentară negativă în zona
VI. Astfel, o creștere a tensiunii va crește rezistența prin
crearea unui așa-numit domen de câmp puternic la catod, care
se mișcă și ajunge în anod.
 La atingerea anodului, domenul este distrus, iar curentul crește
din nou. Cu păstrarea unei valori de tensiune constantă, un nou
domen va apărea din nou la catod și totul se va repeta din nou.
Rata de repetiție a acestui proces este legată de grosimea
stratului de semiconductor (GaAs) și, cu cât grosimea acestuia
este mai mare, cu atât rata de repetare este mai mică.
 Gunn Efect
Efectul de transfer a electronilor a fost publicat primar de Ridley și
Watkins în 1961. Mai târziu efectul a fost descris și de Hilsum în 1962 și
JB (Ian) Gunn a descoperit independent efectul Gunn in Februarie 1962.
A desoperit un tip de oscilații în n- GaAs mostră dar și o regiune cu
rezistența negativă în caracteristica I-V
 SC care denotă Gunn efectul, sunt GaAs, InP, GaN,
Gunn Efect au tranziții directe dar și indirecte Se caracterizează
cu exustența vailor în banda de conducție cu masa
efectivă și densitatea starilor în vaile de mai sus mai
mari ca în valea (min energetic) de bază.

ε ε ε

k k k

ε < εth εth < ε < εsat ε > εsat

 GUNN DIODA
AVANTAJE
 Zgomot mult mai mic ca la IMPATT diode
 Gunn amplificatoare lucrează în interval mare de
frecvențe .

 Raport max/min a curentului mare.

 Frecvențe f. înalte de operare.
 Eficiență înaltă .
 GUNN DIODA
APLICATII GaAs, GaP, InAs,
InSb, ZnSe, CdTe, Ge...
 Oscilatoare de putere mică și medie în
receptoare de microunde și instrumente.

 Ca sursă de pompare în amplificatoare

parametrice.

 (250-2000 mW) ca ieșirea circuitelor la

oscilatoare de putere
 Modulatorul de frecvențe emițătoare de putere
mică .

 In poliție, armată Doppler RADAR , alarms,

aircraft indicator.

Dioda Gunn nu poate fi controlata cu

multimetrul, doar cu standuri de frecvența înaltă.
TRAPATT
 Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit mode device
(1967, Prager)
 Este un generator de frecvențe similar IMPATT diodei dar
cu priorități
 Polarizarea inversă
Se inițiază un puls electric. În punctul
A câmpul electric este uniform în tot
eșantionul, dar mai mic decât inițierea
avalanșelor. Dioda este încărcată ca
un condensator linear de purtători
termoionizați.
A-B Mărimea câmpului electric crește
peste tensiunea de declanșare a
avalanșei. Se generează un număr
suficient de purtători de sarcină,
curentul de particule (Ip) depășește
curentul extern (Ie), iar câmpul
electric devine scăzut în întreaga
regiune de epuizare, determinând
scăderea tensiunii B-C.
Din B până la C este generată o
plasmă densă de electroni și găuri
 Pe segmentul C- D, unii dintre electroni și găuri se desprind
din capetele stratului de epuizare, câmpul este micșorat și
captează plasma rămasă
 Este necesar un timp pentru a elimina plasma, așa cum se
arată pe segmentul D - E.
 În punctul E, plasma este îndepărtată, dar rămîn întrun capăt
electroni și în alt capăt - goluri.
 E-F toată sarcina generată a fost eliminată și tensiunea crește.
 Pe segmentul F - G eșantionul se încarcă ca un condensator.
 În punctul G curentul diodei trece la zero pentru o jumătate
de perioadă, iar tensiunea rămâne constantă la Vs până când
curentul revine și ciclul se repetă
  
 Dioda TRAPATT poate opera la frecvențe joase deoarece timpul de
descărcare a plasmei poate fi considerabil mai mare ca timpul
nominal de tranzit al diodei la cîmpuri înalte
 Dioda TRAPATT este cunoscută ca dioda mod de operare în timp de
tranzit, deoarece timpul dintre injectare și colectare este folosit pentru
obținerea o deplasare de fază a curentului favorabilă oscilațiilor.

 Construcția și funcționarea diodei Trapatt este derivată și este strâns

legată de dioda IMPATT. Are doar o metodă diferită (anomală) de
operare a diodei IMPATT
 Compararea cu dioda Gunn
 TED generează microunde frecvențe radio cu putere relativă joasă
 TED nu are p-n joncțiune, astfel frecvența este funcție de sarcină și de
frecvența intrinsecă a dispozitivului
 TRAPATT permite comutarea foarte rapidă (nanosecunde) a curenților înalți
 Puterea TRAPATT – 1,2 kW la 1,2 GHz
 Eficiența maximă 75% la 0,6 GHz
 Frecvența operare 0,5 GHz – 50 GHz
 Dezavantaj al TRAPATT – zgomotul – cca 30 dB
 Aplicații
 Radare Doppler de putere mică sau oscilatoare locale pentru
radare
 Sisteme de aterizare avia
 Altimetre radio
 Tranmițătoare de pusluri în banda S pentrusisteme de radar cu
matrice de fază
Marcarea abreviată IMPATT Diode TRAPATT Diode BARITT Diode
Impact Ionisation Avalanche Trapped Plasma Avalanche
Denumirea Barrier Injection Transit Time
Transit Time Triggered Transit
Descoperit de RL Johnston --1965 HJ Prager- 1967  D J Coleman -1971
Frecvențe de operare 4GHz - 200GHz 1 to 3GHz  4GHz to 8GHz
Principiu de operare Multiplcarea prin avalanșă Plasma avalanșă Emisia Termionică
250 Watt la 3GHz , 550Watt la
puterea de ieșire 1Watt CW și > 400Watt în puls Numai câțiva miliwați
1GHz

3% CW și 60% în puls sub

35% la 3GHz și 60% în puls de 5% (frecvențe joase) , 20%
Eficiență 1GHz, mai eficiente și puternice
1GHz (frecvențe înalte)
ca Gunn diode de tip Impatt

Zgomot  30dB (mai rău ca Gunn diode)  Foarte înalte NF cca 60dB Zgomot jos NF cca 15dB

Eficiența mai mare ca Impatt · Zgomot m.mic ca impatt diodes

Avantage · Putere mare comparativ cu alte
·Puterea disipată f. mică · NF de 15dB la banda C

·    zgomot înalt ·         zgomot înalt la cca 60 dB ·         banda de lucru îngustă
Disavantage ·   curent de operare înalt Frecvența de sus e limitată sub ·        putere limitată la mWatts
·  alogic zgomot la AM/FM intervalul de mm de la cea de ieșire

·   Osilatoare cu control de
·     microunde ·         Mixer
tensiune
·     radare pentru aterizare ·         Oscillatoare
Applicații ·   radare de mică putere
Mecanisme speciale pentru ·     amplificatoare de semnal
·  amplificatoare speciale
aterizarea avioanelor mic
· rezonatoare cu diode speciale
Tehologia diodelor semiconductoare
(recapitulare succinta)
Tehnologia diodelor semiconductoare
Diode cu contact punctiform
Diode aliate
Diode difuzate
Diode planar epitaxiale
Diode epitaxial difuzate
Diode Schottky