DIODE SEMICONDUCTOARE;

Cele mai des folosite diode semiconductoare sunt diode le

redresoare .
Ele funcioneaz datorita proprietii de a se comporta diferit la
tensiuni de polarizare directe i tensiuni de polarizare inverse.
Astfel la tensiuni de polarizare directe rezistena direct este foarte
mic iar la polarizarea invers rezistena invers este foarte mare.
Datorit acestei proprieti ca la aplicarea unei tensiuni alternative
ele funcioneaz pe alternana pozitiv conducnd un curent mare (de
ordinul mA sau A).
Pe alternana negativ se vor bloca lsnd s treac cureni foarte
mici de ordinul mA sau A care pot fi neglijai.
Acest proces de transformare a unui semnal alternativ ntr-un
semnal continuu poarta numele de REDRESARE .
Aceste diode sunt folosite la construcia redresoarelor care lucreaz
cu semnale mari i frecvene mici (50Hz )
Se pot realiza att din germaniu ct i din siliciu - cele cu siliciu
au urmtoarele avantaje fa de cele cu germaniu:
1. Curentul invers este mult mai mic.
2. Tensiunea de strpungere este mult mai mare
3. Temperatura maxim de lucru de 190 grade fa de 90 grade
la germaniu
Dezavantaj- se consider tensiunea de deschidere puin mai mare.
Performanele unei diode redresoare sunt caracteristice prin 2
mrimi limit care nu trebuie depite n timpul funcionrii :
- Intensitatea maxim a curentului direct
- Tensiunea invers maxim.

DIODA ZENER
Este o diod stabilizatoare de tensiune. Funcionarea ei se bazeaz
pe proprietatea jonciunii p-n de a avea in regiunea de strpungere o
tensiune la borne constant ntr-o gam larg de variaie a curentului
invers.
Dioda funcioneaz intr-un regim de strpungere controlat n care
att curentul ct i puterea disipat sunt meninute la valori pe care dioda
le poate suporta n regim permanent fr s se distrug.
Dioda zener este construit din siliciu
-cnd este polarizat direct (+ pe anod i pe catod) funcioneaz
ca o diod cu jonciune.
-cnd este polarizat invers (- pe anod i + pe catod) funcioneaz
n regim de strpungere.
Funcionarea diodei zener este caracteristic urmtoarelor
mrimi:1 Tensiunea de stabilizare ( este tensiunea la care apare regimul
de strpungere; poate avea valori ntre 4-200 V)
2 Rezistena dinamic (este rezistena intern a diodei n
regiunea de strpungere) Rd = U/I
- cu ct rezistena dinamic este mai mic cu att tensiunea
diodei este mai mic.
3 Curentul invers maxim (este valoare maxim a curentului pe
care o poate suporta dioda fr s se deterioreze)
4 Putere maxim disipat (este produsul dintre tensiunea de
strpungere i curentul invers maxim; are valori cuprinse ntre 0,2-50 W)
5 Coeficientul de temperatur a tensiunii de stabilizare care
reprezint variaia tensiunii de stabilizare pentru o variaie a temperaturii
de 1grad C
Sz = U/T Uz
- acest coeficient este negativ pentru tensiunea la bornele
diodei adic Uz mai mic de 6V i pozitiv pentru tensiuni mai mari de
6V.

Dioda cu contact punctiform

Este folosit pentru frecvene nalte. Este alctuit din:
- o capsul de sticl strbtut de 2 electrozi metalici. La captul
unui electrod se gsete un monocristal de germaniu (semiconductor de
tip n). Cellalt electrod se continu cu un conductor de wolfram care
vine n contact cu monocristalul.
Dac se trece un impuls de curent scurt dar puternic la contactul
dintre conductori i monocristal n interiorul acestuia din urm se
formeaz o regiune de tip p .
Apare astfel o jonciune de tip p-n de suprafa foarte mic, cu o
capacitate foarte mic ( 1pF )
Datorit acestei jonciuni dioda funcioneaz la frecvene foarte
nalte. Acest tip de diod poate fi folosit ca detector, schimbtor de
frecven sau ca diod de comutaie.

Dioda VARICAP
Sunt diode cu jonciune care funcioneaz n regim de polarizare
invers pn la valoarea de strpungere .
Aceste diode utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a se comporta
ca o capacitate ce depinde de tensiunea continu de polarizare invers
(acesta este capacitatea de barier).
Aceast posibilitate de a varia o capacitate ntr-un circuit prin
varierea unei surse de polarizare este necesar n circuitele de schimbare
a frecvenei. Circuitele de reglaj automat al frecvenei precum i
modulaia frecvenei.
Diodele varicap au capaciti de ordinul pF sau zecilor de pF i se
construiesc din siliciu pentru a avea o rezisten intern mai mare n
polarizarea invers.
n acest fel ele pot fi asimilate cu un condensator cu pierderi
neglijabile.

DIODA TUNEL
Are o concentraie mare de impuriti ducnd la micorarea limi
regiunii de trecere pn la (10la-2 microni).
Datorit acestei limi mici a fenomen numit efectul tunel.
Datorit acestui efect electronii pot nvinge bariera de potenial chiar
dac lipsete energia suplimentar.
Datorit acestui efect apare curentul tunel care se suprapune peste
curentul normal al unei jonciuni p-n modificnd caracteristica curenttensiune, caracteristic ce se deosebete de cea a unei diode
semiconductoare prin:- n regiunea de polarizare invers dependena
curent-tensiune este liniar deci dioda nu prezint conducie unilateral
- n regiunea polarizrii directe pentru valori mici
ale tensiunii caracteristica are form de N.
Aceast caracteristica arat ca pe o anumit poriune la creteri ale
tensiunii corespund micri ale curentului.
n acest domeniu dioda prezint o rezisten negativ care de
obicei este de valoarea zecilor de ohmi
Pentru o bun funcionare este de dorit ca raportul dintre curentul
maxim i curentul minim s fie ct mai mare.
Dac se folosete material semiconductor, arseniura de galiu acest
raport depete valoare 15.
Dioda tunel lucreaz la puteri mici de ordinul wailor.
Caracteristica diodei nu depinde de variaiile de temperatur de
aceea ea poate lucra la frecvene foarte nalte de ordinul 10 la a 4 MHz.
Datorit caracteristicii n N i a funcionrii la frecvene aceast
diod este folosit la realizarea urmtoarelor circuite:
1. Amplificatoare de frecvene foarte nalte
2. Oscilatoare de frecvene foarte nalte
3. circuite basculante monostabile, bistabile i astabile
Dezavantajul diodei tunel este c are numai dou borne i deci nu
se poate face separarea ntre circuitul de intrare i cel de ieire.