Sisteme cu circuite integrate digitale

Functionarea si caracteristicile tranzistoarelor MOS.

Sorin Hintea
Departamentul de Bazele Electronicii
 Cuprins

Tranzistoare nMOS cu canal indus

Parametri si caracteristici electrice
Tranzistoare pMOS cu canal indus
Tranzistoare MOS cu canal iniial
Calculul elementelor de circuit

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 2

 Tranzistoare MOS cu canal indus - definitii

MOS = metal oxid semiconductor Simboluri:

canal p (pMOS) si canal n (nMOS)
Dispozitiv cu 4 terminale:
grila G
drena D
sursa S
substrat (bulk) B

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 3

 Tranzistoare MOS cu canal indus - definitii

Ref.: Willy M. C. Sansen Analog

Design Essentials, Springer, 2006
Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 4
 Tranzistoare nMOS cu canal indus - polarizare

Tranzistor MOS nepolarizat

jonctiunile pn nu sunt polarizate regiuni
de golire in jurul implanturilor n+ nu
curge curent

Care e terminalul de drena si sursa?

Tensiune pozitiva mica (VG) aplicata pe

grila electronii sunt atrasi se extinde
regiunea de golire sub grila
Tranzistor blocat

Tensiunea pe grila mai mare decat

tensiunea de prag (Vth) se formeaza
canalul conditia fundamentala pentru
conductie
Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 5
 Tranzistoare nMOS cu canal indus - polarizare

Se defineste tensiunea de saturatie

Vod = VGS Vth
Tensiune pozitiva mica intre implanturile
n+ (VDS < Vod ) miscarea electronilor din
canal curent intre cele doua terminale
Tranzistor in regim liniar
Care e terminalul de drena si sursa?
Curentul circula de la drena catre sursa

Tensiune pozitiva mare intre

implanturile n+ (VDS > Vod )
tranzistorul intra in saturatie
Tranzistor in regim saturat

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 6

 Tranzistoare nMOS cu canal indus functionare

3 regimuti de operare
VGS < Vth ID = 0 blocat
VGS > Vth VDS < Vod liniar

VDS 2
ID n VGS Vth VDS
2
VDS2/2 se neglijeaza dependenta liniara
VGS > Vth VDS > Vod saturat

n
ID VGS Vth 2
2
Cine este factorul ?

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 7

 Tranzistoare nMOS cu canal indus factorul

Factorul factorul de castig Capacitatea oxidului Cox

W ox
K Cox
L t ox
W,L latimea si lungimea ox permitivitatea oxidului
tranzistorului tox grosimea oxidului
Factorul K

K Cpurtatorilor
mobilitatea ox de
sarcina
Purtatori de sarcina: nMOS
electroni, pMOS goluri
La acelasi W/L

n p n p

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 8

 Tranzistoare pMOS cu canal indus functionare

3 regimuti de operare
|VGS| < |Vth| ID = 0 blocat
|VGS| > |Vth| |VDS| < |Vod| liniar

| VDS |2
I D p | VGS | | Vth | | VDS |
2
|VDS| /2 se neglijeaza dependenta liniara
2

|VGS| > |Vth| |VDS| > |Vod| saturat

p
ID | VGS | | Vth | 2
2

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 9

 Tranzistoare MOS cu canal initial

O regiune de tip n sau p situata sub poarta este dopata in timpul procesului de
fabricare a tranzistorului canal initial
Tranzistorul este in conductie si pentru tensiune grila-sursa VGS = 0, sau usor
negativa
Pentru VGS < Vth (in cazul pMOS |VGS| < |Vth|) se forteaza golirea canalului si
tranzistorul este comandat in blocare
Efectul canalului initial este translatarea spre valori negative (in cazul pMOS spre
valori pozitive) a carcateristicii de transfer a tranzistorului

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 10

 Tranzistoare MOS cu canal initial

Efectul canalului initial este translatarea spre valori negative (in cazul pMOS spre
valori pozitive) a carcateristicii de transfer a tranzistorului

nMOS pMOS

nMOS
canal initial

pMOS
canal initial

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 11

 Calculul elementelor de circuit

Calculul rezistenelor ca elemente de circuit

Determinarea rezistenei unui material conductor omogen:

L
R on
Rs L
t W
[m] rezistivitatea materialului
t [m] grosimea conductorului
L [m] lungimea conductorului
W [m] limea conductorului
RS [/m] rezistena (de suprafata) pe unitatea de
lungime

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 12

 Calculul elementelor de circuit

Rezistentede suprafata pentru materialele folosite in tehnologia CMOS

Materialul Rs [ /m]

Metal 0,03
Difuzie 10 50
Polisilicon 15 100
canal n 104
canal p 2,5104

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 13

 Calculul elementelor de circuit

Rezistena tranzistoarelor n conducie

n conducie liniar tranzistorul MOS se comport ca o rezisten
Rezistenta canalului:

VDS 1 L
Ron
I DS (VGS VT ) Cox W (VGS VT )
Pentru a obine tranzistoare cu rezistena mai mic i timpi de comutaie mai mici
trebuie mrit limea W.

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 14

 Bibliografie

Willy M. C. Sansen Analog Design Essentials, Springer, 2006

Rabaey J.M., Chandrakasan A., Nikolic B. Digital Integrated Circuits. A design perspective.
Prentice Hall, 2003.
Weste N.H.E, Harris D. CMOS VLSI Design. A Circuits and Systems Perspective. Pearson
Addison Wesley, 2005. http://www3.hmc.edu/~harris/cmosvlsi/4e/
H. Kaeslin, Digital Integrated Circuit Design From VLSI Architecture to CMOS Fabrication,
Cambridge University Press, 2008.
Ercegovac, M., Lang T., Moreno J. Introduction to Digital Systems. John Wiley &Sons Inc,
New-York, 1999
Sorin Hintea, Mihaela Cirlugea, Lelia Festila. Circuite Integrate Digitale. Editura UT Press,
Cluj-Napoca, 2005
Sorin Hintea. Tehnici de proiectare a circuitelor digitale VLSI. Casa Cartii de Stiinta. Cluj-
Napoca, 1998

Sisteme cu circuite integrate digitale Tranzistoare MOS 15