Tranzistor

Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria

semiconductoarelor care are cel puțin trei terminale (borne sau
electrozi), care fac legătura la regiuni diferite ale cristalului
semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica și a
comuta semnale electronice și putere electrică.
Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicației pentru care
sunt destinate. În 2013 încă unele tranzistoare sunt ambalate
individual, dar mai multe sunt găsite încorporate în circuite
integrate.
Tranzistorul este componenta fundamentală a dispozitivelor
electronice moderne, și este omniprezent în sistemele
electronice. Ca urmare a dezvoltării sale la începutul anilor 1950,
tranzistorul a revoluționat domeniul electronicii, și a deschis calea
pentru echipamente electronice mai mici si mai ieftine cum ar fi
aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de
buzunar, computere și altele.

1.Istroic:
Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories
din New Jersey la 6 decembrie 1947 de John Bardeen, Walter
Houser Brattain, și William Bradford Shockley.
Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii
fiind considerat una din cele mai mari inventii ale erei moderne.

2.Constructie:
Tranzistorii se realizează pe un substrat semiconductor (în
general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de
realizare diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De exemplu,
un tranzistor de tip PNP se realizează pe un substrat de tip P, în
care se creează prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona
de tip N, care va constitui baza tranzistorului.

3.Utilizare:
Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu
componente discrete în amplificatoare de semnal (în domeniul
audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare,
modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare
sau în comutație sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi
permițând integrarea într-o singură capsulă a milioane de
tranzistori.
Simbolurile folosite în mod curent pentru tranzistori:

4.Clasificare:
4.1 Tranzistoare de mica putere:
Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și nu
sunt destinate montării pe radiator.
4.2 Tranzistoare de putere:
Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt
destinate montării pe radiator.
4.3 Tranzistoare de inalta frecventa:
Sunt tranzistoare destinate aplicațiilor la frecvențe peste 100kHz,
cum este domeniul radio –TV, circuite de microunde, circuite de
comutație etc.
4.4 Tranzistoare de joasa frecventa:
Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvența de circa
100kHz, în circuite audio și de control al puterii.
4.5 Tranzistorul bipolar – principiul de functionare:
funcționare normală joncțiunea emitor–bază este
În
polarizată direct, iar joncțiunea colector–bază este
polarizată invers.

 Joncțiunea emitor–bază, fiind polarizată direct, este

parcursă de un curent direct(curent de difuzie) IE, mare
în raport cu curentul invers (rezidual) și, într-o plajă
 largă de curenți, UEB  const, cu valori tipice de 0,6 - 0,7 V
sau 0,2 -0,3V.

 Joncțiunea colector–bază, fiind polarizată invers, este

caracterizată de un curent propriu, invers, foarte mic, de
ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu și de
ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu.
Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două
joncțiuni. Pentru aceasta trebuie satisfăcute două condiții:

 joncțiunea emitorului să fie puternic asimetrică, adică

impurificarea emitorului să fie mult mai puternică decât cea a
bazei.

 baza să fie foarte subțire, astfel încât fluxul de purtători

majoritari din emitor să ajungă practic în totalitate în regiunea
de trecere a colectorului.

5. Parametri specifici
tranzistoarelor:
5.1 Factorul de amplificare (βf)
5.2 Temperatura maximă a joncțiunilor:

Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care

tranzistorul funcționează normal depinde de natura
semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu
funcționează corect până spre 200 grade C, în timp ce cele
realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii
de 100 grade C.
5.3 Puterea maximă disipată:
Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin
dispozitiv. O parte din această putere este radiată în mediul ambiant și o
parte produce încălzirea tranzistorului.
Puterea disipată de un tranzistor este , în principal, puterea disipată în
cele două joncțiuni ale acestuia:
PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC.