Tranzistor

Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are cel puin trei terminale (borne sau electrozi), care fac legtura la regiuni diferite ale cristalului semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica i a comuta semnale electronice i putere electric. Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicaiei pentru care sunt destinate. n 2013 nc unele tranzistori sunt ambalate individual, dar mai multe sunt gsite ncorporate n circuite integrate.Tranzistorul este componenta fundamental a dispozitivelor electronice moderne, i este omniprezent n sistemele electronice. Ca urmare a dezvoltrii sale la nceputul anilor 1950, tranzistorul a revoluionat domeniul electronicii, i a deschis calea pentru echipamente electronice mai mici si mai ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere i altele. Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey la 6 decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, i William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne. Tranzistorii se realizeaz pe un substrat semiconductor (n general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare difer n funcie de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizeaz pe un substrat de tip P, n care se creeaz prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui baza tranzistorului. Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente discrete n amplificatoare de semnal (n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau n comutaie sau n circuite integrate, tehnologia de astzi permind integrarea ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori.

Simbolurile folosite n mod curent pentru tranzistori:

Tranzistor bipolar PNP

Fototranzistor NPN

Tranzistor unijonciune (TUJ)

Tranzistor JFET canal N

Tranzistor IGFET canal P

Tranzistor tetrod IGFET canal N

Tranzistoare de mica putere

Aceste tranzistoare sunt ncapsulate n plastic sau metal i nu sunt destinate montrii pe radiator.

Tranzistoare de putere
Aceste tranzistoare sunt ncapsulate n plastic sau metal i sunt destinate montrii pe radiator.

Tranzistoare de joasa frecventa

Sunt tranzistoare destinate utilizrii pn la frecvena de circa 100kHz, n circuite audio i de control al puterii.

Tranzistoare de inalta frecventa

Sunt tranzistoare destinate aplicaiilor la frecvene peste 100kHz, cum este domeniul radio TV, circuite de microunde, circuite de comutaie etc.

Tranzistorul bipolar-principiul de functionare

n funcionare normal jonciunea emitorbaz este polarizat direct, iar jonciunea colector baz este polarizat invers.

Jonciunea emitorbaz, fiind polarizat direct, este parcurs de un curent direct(curent de difuzie) IE, mare n raport cu curentul invers (rezidual) i, ntr-o plaj larg de cureni, UEB const, cu valori tipice de 0,6 - 0,7 V (Si) sau 0,2 -0,3V (Ge). Jonciunea colectorbaz, fiind polarizat invers, este caracterizat de un curent propriu, invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu i de ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu.

Caracteristic tranzistorului este cuplarea electric a celor dou jonciuni. Pentru aceasta trebuie satisfcute dou condiii:

jonciunea emitorului s fie puternic asimetric, adic impurificarea emitorului s fie mult mai puternic dect cea a bazei. baza s fie foarte subire, astfel nct fluxul de purttori majoritari din emitor s ajung practic n totalitate n regiunea de trecere a colectorului.

Cei mai importani parametri ai unui tranzistor sunt:

-Factorul de amplificare -Temperatura maxim a jonciunilor
Valoarea temperaturii maxime a jonciunilor pn la care tranzistorul funcioneaz normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcioneaz corect pn spre 200 grade C, n timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate n funcionare n jurul valorii de 100 grade C.

-Puterea maxim disipat

Puterea disipat de tranzistor apare datorit trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din aceast putere este radiat n mediul ambiant i o parte produce nclzirea tranzistorului. Puterea disipat de un tranzistor este , n principal, puterea disipat n cele dou jonciuni ale acestuia: PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC.