Circuite de radiofrecvenţă şi

microunde pentru comunicaţii

Prof. dr.-habil. ing. Răzvan TAMAŞ

1
 Introducere
Domeniul RF: f= 3 kHz -300 GHz
Microunde: f = 300 MHz – 300 GHz

Circuite de RF / microunde:
- pasive (ex.: atenuatoare, filtre, cuploare direcţionale, divizoare de putere, etc.)
- active (ex.: amplificatoare, oscilatoare, mixere)

Exemplu: receptor

Aten. FTJ Mixer AFI FTB Demod.

O.L.

2
1. DISPOZITIVE ELECTRONICE PENTRU
FRECVENŢE FOARTE ÎNALTE

3
 Diode şi circuite cu diode
Aplicaţii:
- Demodulatoare
- Comutatoare
- Multiplicatoare de frecvenţă

Diode Schottky

Diodele uzuale: capacităţi parazite mari

Joncţiunea metal-semiconductor: capacitate redusă
Semiconductor uzual: GaAs

Utilizare:
- Demodularea semnalelor MA (detecţie)
- Schimbare de frecvenţă (mixare)

4
 Diode şi circuite cu diode: Dioda Schottky

a) Redresor ; b) Demodulator MA (detector de vârf) ; c) Schimbător de

frecvenţă (mixer)

5
 Diode şi circuite cu diode: Dioda Schottky

Regim de semnal mic:

Dezvoltarea în serie Taylor:

- curentul de polarizare

I 0 = I s eαV0 − I s

6
 Diode şi circuite cu diode: Dioda Schottky
Rezultă următoarea aproximare de semnal mic:

Modelul de curent alternativ (de semnal) al diodei Schottky:

Cp : capacitatea parazită (la nivelul
terminalelor)
Ls : inductanţa terminalelor

Rs : rezistenţa de contact

Rj : rezistenţa joncţiunii

Cj : capacitatea joncţiunii

7
 Diode şi circuite cu diode: Dioda Schottky
Detectoare cu diodă Schottky (aplicaţii în măsurări) :

S-a aplicat :
2 cos 2 ω0t = 1 + cos 2ω0t

8
 Diode şi circuite cu diode: Dioda Schottky
Demodularea semnalelor MA:

S-au aplicat :
m2 m2
(1 + m cos ωmt ) = 1 + 2m cos ω mt + m cos ωmt = 1 + 2m cos ω mt +
2 2 2
+ cos 2ω mt
2 2
1 1
cos 2 ω0t = + cos 2ω0t
2 2
1 1
cos 2ω0t ⋅ cos ω mt = cos(2ω0 − ωm ) + cos(2ω0 + ωm )
2 2
1 1 9
cos 2ω0t ⋅ cos 2ω mt = cos 2(ω0 − ω m ) + cos 2(ω0 + ω m )
2 2
 Diode şi circuite cu diode: Dioda Schottky
Demodularea semnalelor MA:

10
 Diode şi circuite cu diode: Dioda PIN
PIN: semiconductor intrinsec (slab dopat) între regiunile p şi n
În regim de polarizare inversă: joncţiunea se comportă ca o
capacitate serie => impedanţă mare
În regim de polarizare directă: capacitatea serie este scurtcircuitată

Polarizare inversă Polarizare directă

11
 Diode şi circuite cu diode: Dioda PIN
Aplicaţii ale diodei PIN: întrerupătoare şi comutatoare electronice

Întrerupător serie Întrerupător paralel (tip şunt)

12
 Diode şi circuite cu diode: Dioda PIN
Schemele echivalente:

Întrerupător serie Întrerupător paralel

Y0
Atenuarea de inserţie: VL = 2V0
Y0 + Yd + Y0

polarizare inversă
polarizare directă

13
 Diode şi circuite cu diode: Dioda PIN
Comutatoare:

Configuraţie serie Configuraţie paralel

14
 Diode şi circuite cu diode: Dioda varactor
Capacitate variabilă prin aplicarea unei tensiuni inverse variabile
Aplicaţii: acordarea în frecvenţă a circuitelor rezonante din oscilatoare, filtre, etc.

V0=0,5V pentru Si
V0=1,3V pentru GaAs
γ≈0,5

15
 Tranzistoare bipolare
- Tranzistoare bipolare cu joncţiune (BJT)
- Tranzistoare bipolare cu heterojoncţiune (HBT)

Tranzistorul bipolar cu joncţiune

În general, cu Si
Frecvenţă: 2-10 GHz

Comparativ cu FET:
- Câştig mai mare şi cost mai mic
- Zgomot mai mare

16
 Tranzistoare bipolare: Tranzistorul bipolar cu
joncţiune
Modelul simplificat pentru conexiune de tip emitor comun:

Estimarea frecvenţei maxime de fT, la care câştigul în curent este unitar:

17
 Tranzistoare bipolare
Caracteristica de curent continuu Alimentare şi polarizare:

Tranzistorul bipolar cu heterojoncţiune:

Joncţiune B-E din GaAs, InP sau SiGe, în combinaţie cu straturi subţiri de metal (de ex., Al)
Pot lucra la peste 60 GHz

18
 Tranzistoare cu efect de câmp
Variante constructive:

- MESFET (metal semiconductor FET)

- MOSFET (metal oxide semiconductor FET)
- HEMT (high electron mobility transistor)
- PHEMT (pseudomorphic HEMT)

19
 Tranzistorul cu efect de câmp metal-semiconductor
(MESFET)

Poarta formează o barieră Schottky

20
 Tranzistorul cu efect de câmp metal-oxid-
semiconductor
(MOSFET)

Utilizate în special în gama UHF: amplificatoare de putere din

staţiile de bază pentru telefonia mobilă (800-1900 MHz)

Puteri de ordinul zecilor sau sutelor de waţi, prin conectarea în

paralel a mai multor dispozitive

21
 Tranzistorul cu electroni cu mobilitate ridicată
(HEMT)

Este un FET heterojoncţiune

Ga Al As, Ga In As, GaAs
Frecvenţe de peste 100 GHz

22
2. AMPLIFICATOARE DE RF ŞI MICROUNDE

23
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar

Este un regim neliniar, întâlnit în funcţionarea unor circuite precum:

- Amplificatoare de RF / microunde de nivel mare, cu filtre pe ieşire

- Multiplicatoare de frecvenţă
- Oscilatoare
- Mixere

24
 2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Expresia curentului de colector:
+VBB
ic

uBE

unde s-a notat:

Funcţia este pară şi periodică şi poate fi dezvoltată în serie Fourier:

25
 2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar

unde s-a notat:

Expresiile de mai sus reprezintă funcțiile Bessel modificate de speţa I şi de ordin n

x 0 0,5 1 2 5 10

1 1,0635 1,266 2,2796 27,24 2815,7

0 0,2579 0,565 1,5906 24,336 2671,0

0 0,32 0,1357 0,6889 17,506 2281,5

0 0,0026 0,0222 0,2127 10,331 1758,4

26
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar

Pentru

Pentru x > 5, valorile funcțiilor de diverse ordine sunt comparabile

27
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar

Componenta continuă a curentului de colector:

Pentru componenta continuă I crește rapid;

de asemenea, cresc şi devin comparabile ca mărime amplitudinile
fundamentalei şi armonicelor:

Pentru există, practic, numai fundamentala care variază liniar

cu tensiunea de intrare

Limita regimului de lucru de semnal mic:

28
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar
x 0 0,5 1 2 5 10

0 0,485 0,8928 1,3955 1,768 1,8972

0 0,06 0,2144 0,6045 1,285 1,6206

0 0,005 0,035 0,1866 0,758 1,2490

Componenta continuă a curentului de colector:

În absenţa semnalului: Up
0.8
0.6
0.4
Rezultă: 0.2
x
29
0 5 10 15 20
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Forma de undă şi spectrul curentului de colector:
x=0,4 x=4 x=40
ic [mA] ic [mA] ic [mA]
1.5 5 16

1.4 4.5 14
1.3 4
12
3.5
1.2
10
3
1.1
2.5 8
1
2 6
0.9
1.5
0.8 4
1
0.7 0.5 2

0.6 0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
-8 -8 -8
t[s] x 10 t[s] x 10 t[s] x 10

Spectrul curentului de colector [mA] Spectrul curentului de colector [mA] Spectrul curentului de colector [mA]
1.8 2
1
0.9 1.8
1.6
0.8 1.6
1.4
0.7 1.4
1.2
0.6 1.2
1
0.5 1
0.8 0.8
0.4
0.3 0.6 0.6
0.2 0.4 0.4
0.1 0.2 0.2
0 0 0
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Ordin armonică Ordin armonică Ordin armonică
30
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar

Panta de semnal mare a tranzistorului

Definind:

unde este amplitudinea componentei fundamentale a curentului de colector

Pentru se obține panta de semnal mic, adică

Gm/gm
1
0.75
0.5
0.25
x
0 4 8 12 31
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar
a) Amplificator în clasă A, B, AB b) Amplificator în clasă C

Ud −U P > 0
U P = U P 0 − VT ⋅ ln[ I 0 ( x)] U P = U P 0 − VT ⋅ ln[ I 0 ( x)]
U P > 0 sau U P < 0 Condiţia de funcţionare: U P < 0
în funcţie de valoarea lui x
VT ⋅ ln[ I 0 ( x)] > U P 0
UP
I =− >0
Re
32
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Perechea diferenţială
ic1 = I ES ⋅ e u BE1 / VT
ic 2 = I ES ⋅ eu BE 2 / VT
ic1 ic2
ic1
= e ( u BE1 −u BE 2 ) / VT = e vi / VT
ic 2
uBE1 uBE2
ic1 + ic 2 = I
I I 1 1 1
ic1 = − vi / VT
= I  + − vi / VT
− =
1+ e  2 1+ e 2
I  1 − e −vi / VT  I  e vi / 2VT − e −vi / 2VT 
vi=Ui cos ωt = 1 + − vi / VT 
 = 1 + v / 2V  =
2  1+ e  2 e
i T
+ e −vi / 2VT 
I v  I x cos ωt 
= 1 + th i  = 1 + th 
2 2VT  2  2 

I v  I x cos ωt 
ic 2 = 1 − th i  = 1 − th 
2 2VT  2 2  33
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar
ic1,2
Semnal mic (zona liniară):
1
I x 
ic2 ic1 ic1 ≅ 1 + cos ωt 
0.5 2 2 
I x 
ic 2 ≅ 1 − cos ωt 
0 x/2 2 2 
I
gm =
4VT

I x cos ωt  I ∞

Semnal mare: ic1 = 1 + th = 1 +  An ( x) cos nωt 
2 2  2  n =1 
x cos ωt
T /2
1
⋅ cos nωt ⋅ dt
T −T/ 2
An ( x) = th
2
x foarte mare:

ic1 ≅
I
[1 + s(t )] = I + 2 I cos ωt − 2 I cos 3ωt + 2 I cos 5ωt + ...
2 2 π 3π 5π
unde s(t) – semnal dreptunghiular

2I1 2 I V 8
Gm = ⋅
= ⋅ ⋅ T = ⋅ gm
π U i π VT U i πx 34
2.1. Regimul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Forma de undă şi spectrul curentului de colector:
x=0,4 x=4 x=40
ic [mA] ic [mA] ic [mA]
2 2
1.8 1.8
1.6 1.6
1.1
1.4 1.4
1.2 1.2
1 1 1
0.8 0.8
0.6 0.6
0.9
0.4 0.4
0.2 0.2
0.8 0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
-8
t[s] x 10 t[s] x 10-8 t[s] x 10-8

Spectrul curentului de colector [mA] Spectrul curentului de colector [mA] Spectrul curentului de colector [mA]
1.2 1.2 1.4
1.2
1 1
1
0.8 0.8 0.8
0.6 0.6 0.6
0.4
0.4 0.4
0.2
0.2 0.2 0

0 -0.2
0
-0.4
-0.2 -0.2
0 1 2 3 4 5 -0.6
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Ordin armonică Ordin armonică
Ordin armonică

35
 2.2 Determinarea câştigului

Puterea disponibilă la generator: Câştigul în putere:

Zs

Câştigul disponibil:
VS Pavs Zs*

Câştigul de transfer:
Puterea disponibilă la ieşire:

Pavn Zout*

Zout
36
 2.2 Determinarea câştigului

a2=ΓLb2

b1=S11a1+S12a2=S11a1+S12ΓLb2 (1)

b2=S21a1+S22a2=S21a1+S22 ΓLb2 (2)

S 21a1
Din (2): b2 =
1 − S 22 ΓL
Înlocuind în (1):
b1 S S Γ Z − Z0
Γin = = S11 + 12 21 L = in
a1 1 − S 22 ΓL Z in + Z 0
Similar:
b S S Γ
Γout = 2 = S 22 + 12 21 S 37
a2 1 − S11ΓS
 2.2 Determinarea câştigului
a1
Zs b1

I1
VS V1

Zin
1 1
a1 = (V1 + Z 0 I1 ) b1 = (V1 − Z 0 I1 )
2 Z0 2 Z0
Rezultă: V1 = Z 0 (a1 + b1 ) = Z 0 a1 (1 + Γin ) (1)
Z in
Dar: V1 = Vs (2)
Z s + Z in
1 + ΓS 1 + Γin
şi: ZS = Z0 (3) respectiv: Z in = Z 0 (4)
1 − ΓS 1 − Γin
Înlocuind (3) şi (4) în (2) şi (2) în (1):
VS 1 − ΓS
a1 =
2 Z 0 1 − ΓS Γin 38
 2.2 Determinarea câştigului
Puterea la intrare:

( ) (1 − Γ ) (1 − Γ )
2 2 2
1 2 2 a 2 V 1 − ΓS 2
Pin = a1 − b1 = 1 = S (1)
in 2 in
2 2 8 Z 0 1 − Γ S Γ in
Puterea în sarcină:

(1 − Γ )
2
b 2
PL = 2 L
(2)
2
S 21a1
Din: b2=S21a1+S22a2=S21a1+S22 ΓLb2 a rezultat: b2 = (3)
1 − S 22 ΓL
VS 1 − ΓS
S-a arătat anterior că: a1 = (4)
2 Z 0 1 − ΓS Γin
VS S 21 (1 − ΓS ) (5)
Înlocuind (4) în (3): b2 =
2 Z 0 (1 − S 22 ΓL )(1 − ΓS Γin )

Înlocuind (5) în (2): PL (6)

Din (5) în (2):

39
 2.2 Determinarea câştigului
(1 − Γ )
2 2
V 1 − ΓS 2
Pin = S 2 in
8 Z 0 1 − Γ S Γ in
Puterea disponibilă la generator: (1)

PL

Puterea disponibilă la ieşire: (2)

S12 S 21ΓL S S Γ
S-a arătat anterior că: Γin = S11 + (3) şi Γout = S 22 + 12 21 S (4)
1 − S 22 ΓL 1 − S11ΓS

Exprimând din (4) produsul

S12S21şi înlocuindu-l în (3) se (5)
poate calcula:

Înlocuind (5) în (2) şi ţinând cont de (1) se

obţine câştigul disponibil: 40
 2.2 Determinarea câştigului
Câştigul de transfer:

Dacă atunci
S12 S 21ΓL
Dacă întrucât Γin = S11 + rezultă: Γin = S11
1 − S 22 ΓL

În acest caz, se obţine câştigul de transfer unilateral:

41
 2.2 Determinarea câştigului
Câştigul de transfer:

42
 2.2 Determinarea câştigului
Exemplu: amplificator cu FET

Se alege:

astfel încât

43
 2.3 Stabilitatea amplificatoarelor

Pot apărea oscilaţii dacă sau

b1 S S Γ Z − Z 0 Rin + jX in − Z 0
Γin = = S11 + 12 21 L = in =
a1 1 − S 22 ΓL Z in + Z 0 Rin + jX in + Z 0
Γin ≥ 1  (Rin − Z 0 )2 + X in 2 ≥ (Rin + Z 0 )2 + X in 2  Rin ≤ 0
b2 S S Γ
Γout = = S 22 + 12 21 S
a2 1 − S11ΓS

Stabilitate necondiţionată: dacă |Γin| ≤1 şi |Γout| ≤1 pentru orice impedanţă internă

pasivă a generatorului (|ΓS| ≤1 ) şi pentru orice sarcină pasivă (|ΓL| ≤1 )

Stabilitate condiţionată: dacă |Γin| ≤1 şi |Γout| ≤1 pentru anumite valori de impedanţă

internă pasivă a generatorului şi pentru anumite valori de sarcină pasivă

44
 2.3 Stabilitatea amplificatoarelor
Cazul limită:

Notând determinantul matricei S:

se obţine:

Rezultă:

(S11 − ∆ΓL )(S11* − ∆*ΓL* ) = (1 − S 22ΓL )(1 − S 22* ΓL* )

45
 2.3 Stabilitatea amplificatoarelor

Adunând la relaţia anterioară

se obţine:

Dacă se aduce membrul drept la acelaşi numitor şi se înlocuieşte la

numărător

În planul lui Γ, ecuaţia reprezintă un cerc de centru C şi rază R

Aceste cercuri ce numesc cercuri de stabilitate.

46
 2.3 Stabilitatea amplificatoarelor
Cercul de stabilitate la ieşire: Cercul de stabilitate la intrare:

Stabilitatea condiţionată:
b1 S S Γ
Γin = = S11 + 12 21 L
a1 1 − S 22 ΓL

Planul ΓL

47
2.3 Stabilitatea amplificatoarelor
Recapitulare: diagrama Smith

48
2.3 Stabilitatea amplificatoarelor
Exemplu

49
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare

2.4.1 Amplificator cu FET, cu un singur etaj

Adaptarea de impedanţă la intrare şi la ieşire se face cu tronsoane de linie

50
2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare
Exemplu de adaptor cu tronsoane de linie de transmisiuni:

51
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare
2.4.2 Amplificator echilibrat

Cuploarele direcţionale defazează cu 0° pe linia directă şi cu 90° pe diagonală

Undele reflectate de la intrările amplificatoarelor vor fi defazate între ele cu 180°,

ceea ce conduce la adaptare de impedanţă la intrarea în primul cuplor
(presupunând amplificatoarele identice)
Un efect similar se obţine şi la ieşire, ameliorând adaptarea
Defazajul între intrarea şi ieşirea amplificatorului este acelaşi, parcurgând
oricare dintre ramuri (semnalele la ieşire se însumează în fază).
52
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare

1 −j
a A1 = a1 a B1 = a1
2 2
−j 1 −j 1 −j
b2 = bA 2 + bB 2 = G A a A1 + GB aB1 = (G A + GB )a1
2 2 2 2 2
G + GB
G= A
2
1 −j 1 −j 1
b1 = bA1 + bB1 = ΓA a A1 + ΓB a B1 = (ΓA − ΓB )a1
2 2 2 2 2
ΓA − ΓB
Γin = 53
2
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare

Avantajele configuraţiei echilibrate:

-Adaptare de impedanţă foarte bună atât la intrare, cât şi la ieşire
-Configuraţia rămâne funcţională (cu diminuarea corespunzătoare a câştigului)
chiar dacă una dintre ramuri se defectează
-Bandă largă (tipic, cel puţin o octavă), în funcţie de tipul de cuplor direcţional
utilizat
Exemplu de cuplor direcţional de bandă largă: cuplorul de tip Lange

54
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare

Performanțele cuplorului Lange cu 6 brațe

55
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare

Performanțele amplificatorului echilibrat ce folosește cuplor Lange cu 6 brațe

56
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare
Exemplu de implementare practică: amplificator echilibrat şi cuplor Lange

57
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare
2.4.3 Amplificator în configuraţie distribuită (amplificator cu undă progresivă)

Lărgime de bandă de ordinul unei decade

Modelarea amplificatorului se face similar unei linii de transmisiuni: celule

cu constante concentrate, cascadate

58
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare
Modelul liniei de poartă:

Schema echivalentă a unei celule a

liniei de poartă:

Modelul liniei de drenă:

Schema echivalentă a unei celule a

liniei de drenă:
59
 2.4 Configuraţii tipice de amplificatoare
2.4.4 Amplificator echilibrat
Semnalele de pe cele două linii de intrare, respectiv de pe cele două linii de
ieşire, sunt în opoziţie de fază

Pe liniile de intrare, respectiv de ieşire, se folosesc simetrizoare (balun-uri)

Balun cu transformator Balun tip Marchand, cu linii cuplate

Avantajele configuraţiei echilibrate:
- Conţinutul de armonici în spectrul semnalului de ieşire este mai redus decât
la configuraţiile asimetrice, datorită caracteristicii de ieşire cu punct de
inflexiune
-Rejecţie bună a interferenţelor de mod comun
-Excursie dublă a semnalului la ieşire, comparativ cu configuraţiile
asimetrice
60
Dezavantaj: număr dublu de componente
3. SCHIMBĂTOARE DE FRECVENŢĂ (MIXERE)

61
 3.1. Generalităţi

Sunt circuite neliniare, care au rolul de a translata spectrul unui semnal,

întâlnite în echipamente precum:

- Receptoare
- Emiţătoare
- Aparate de măsură: analizoare de spectru, analizoare vectoriale

62
 3.2. Tipuri de schimbare de frecvenţă

Conversia pe o frecvenţă superioară (up-conversion)

- este specifică emiţătoarelor

- frecvenţa semnalului la ieşire, fRF (care este, de regulă, variabilă) este mai
mare decât frecvenţa oscilatorului pe frecvenţa intermediară fIF (care este
fixă)
- se poate face cu însumarea sau cu scăderea frecvenţelor semnalelor

63
 3.2. Tipuri de schimbare de frecvenţă

Conversia pe o frecvenţă inferioară (down-conversion)

- este specifică receptoarelor

- semnalului la intrare, fRF (care este, de regulă, variabilă) este mai mare decât
frecvenţa oscilatorului pe frecvenţa intermediară fIF (care este fixă)
- frecvenţa oscilatorului local, fLO se poate alege fie mai mare, fie mai mică decât
frecvenţa semnalului de la intrare, fRF

64
 3.3. Principiul schimbării de frecvenţă
Mixerul ideal: circuit de produs

65
 3.4. Mixerul cu o singură diodă

Schema echivalentă:

66
 3.4. Mixerul cu o singură diodă

Spectrul semnalului de ieşire conţine mai multe componente decât în cazul

mixerului ideal, de tip circuit de produs.

67
 3.4. Mixerul cu FET

Schema echivalentă:

Sub acţiunea oscilatorului local, panta tranzistorului va avea o variaţie

periodică şi poate fi dezvoltată în serie Fourier:

68
 3.4. Mixerul cu FET

Componenta utilă:

La ieşire, apar şi componente pe frecvenţele intrărilor, adică fRF şi fLO.

Componenta pe fLO apare întrucât vc are şi componentă o continuă, Vc (polarizarea

porţii tranzistorului):

vc= Vc+ vcRF 69

 3.5. Mixerul echilibrat
Scop: eliminarea componentelor pe frecvenţele intrărilor (fRF şi fLO).
Varianta cu cuplor direcţional cu defazaj de 90° între ieşiri:

Varianta cu cuplor direcţional cu defazaj de 180° între ieşiri:

70
3.5. Mixerul echilibrat

71
 3.5. Mixerul echilibrat

Diodele sunt utlilizate în domeniul în care caracteristica poate fi aproximată cu una

pătratică:

72
 3.5. Mixerul echilibrat

Componenta utilă este:

Adaptarea:

(doar intrarea RF este adaptată)

73
 3.6. Mixer cu rejectarea frecvenţei imagine
Frecvenţa imagine:

- pentru semnalul de la intrare, există două frecvenţe care care pot fi translatate
în frecvenţa intermediară fIF , folosind aceeaşi frecvenţă a oscilatorului local, fLO :

fRF1 =fLO ‒ fIF

fRF2 = fLO+ fIF fIF

fLO

- doar una dintre aceste două frecvenţe corespunde semnalului la intrare; cealaltă
poartă numele de frecvenţă imagine

- în general, rejectarea imaginii se face cu ajutorul unui filtru inserat pe intrare

74
 3.6. Mixer cu rejectarea frecvenţei imagine
O configuraţie de mixer care permite rejectarea imaginii, fără filtre pe intrare:

Semnalul de la intrare:
Semnalul de la intrările celor două circuite de produs:

75
 3.6. Mixer cu rejectarea frecvenţei imagine

Semnalele la intrările
cuplorului direcţional de
la ieşire:
Aceleaşi semnale,
reprezentate în complex
simplificat:
Semnalele la
ieşirile celui de-al
doilea cuplor
direcţional:
76
 3.7. Mixer cu pereche diferenţială de FET
Tranzistoarele din perechea diferenţială lucrează în regim de comutaţie, iar
tranzistorul din sursa de curent lucrează în regim cvasiliniar:

Sub acţiunea oscilatorului local,

panta tranzistoarelor din perechea
diferenţială va avea o variaţie
periodică şi poate fi dezvoltată în
serie Fourier:

77
 3.7. Mixer cu pereche diferenţială de FET
Semnalul la una dintre ieşirile mixerului (ieşire asimetrică):

Se observă că, la ieşirea mixerului, nu apare componentă pe fLO dar există

componentă pe fRF

Mixerul este unul echilibrat, din punct de vedere al semnalului pe frecvenţa fLO.

Eliminarea componentei pe fRF se poate face utilizând o arhitectură dublu

echilibrată, numită celulă Gilbert.

78
 3.7. Mixer cu pereche diferenţială de FET
Celula Gilbert:

79