Curs ED 3

Electronică Digitală (ED)
Specializarea Calculatoare
Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare
Circuite elementare de prelucrare a impulsurilor
Regimul tranzitoriu:
V0H
Se consideră răspunsul unui
circuit logic la un semnal intrare
Vp rL
obţinut de la un circuit logic de V0L t p HL
acelaşi tip:
Se definesc: V0H t p LH
• timpul de propagare; ie sire Vp rL v= V0H- V0L
• timpul de propagare mediu; 0,1 V 0,9 V
V0L
t pHL  t pLH t fHL t fLH
t pLH  t pHL diferenţa de timp între trecerea prin VprL a tensiunii

tp  de ieşire şi trecerea prin aceeaşi valoare a tensiunii
2 de intrare
determină viteza de lucru a circuitelor
(numărul de operaţii pe secundă)
1
V0H
Regimul tranzitoriu (2): intrare
Vp rL
Se definesc (2) : V0L t p HL
• Duratele fronturilor, V0H t p LH
• Marginea de zgomot dinamică ie sire Vp rL v= V0H- V0L
0,1 V 0,9 V
V0L
Duratele fronturilor tfHL  tfLH depind de t fHL t fLH
sarcină, de structura circuitului şi se
precizează valorile maxime pentru sarcini
capacitive precizate; influenţează timpul Marginea de zgomot dinamică definită
de propagare, determină o creştere ca amplitudinea minimă a unui impuls
suplimentară a consumului, favorizează de durată precizată care schimbă starea
tendinţa de apariţie a oscilaţiilor parazite, circuitului logic la ieşire – reflectă
influenţează regulile de proiectare şi de rezistenţa circuitului la perturbaţii
realizare a circuitelor; dinamice.
e zg
e zg
t zg
t zg
Regimul tranzitoriu (3):
Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare Microelectronic Circuit Design, 4E McGraw-Hill
2
• Caracteristici de alimentare
• tensiuni de polarizare: VCC, VEE, VDD, cu toleranţele admise;
• curenţii de alimentare: ICCL , ICCH , ICC=(ICCL + ICCH )/2;
• puterea disipată: PCCL , PCCH ;
• puterea medie disipată: PCC=(PCCL + PCCH )/2; pentru impulsuri de joasă frecvenţă şi cu
un factor de umplere de 0,5;
• componentele tranzitorii ale puterii disipate determinate de sarcină şi de
duratele finite ale fronturilor impulsurilor de comandă;
• influenţe: limitează gradul de integrabilitate, restricţii la amplasarea
componentelor, restricţii la cablajele de masă şi de alimentare, restricţii la
proiectarea surselor de alimentare.
• factor de merit: M=Pdtd ‐ caracterizează familiile de CL.
Circuite logice cu tranzistoare bipolare
• Comutator cu TBIP
• Introducere. CL cu diode: intrari
lo gice
Logic a
etaj
ie sire
sarcina
Semnale logice – logică pozitivă, logică negativă

Funcţii logice realizate cu diode şi rezistenţe: ŞI, SAU
• la circuitul SAU – la ieşire se obţine cea mai mare dintre
tensiunile de la intrări;
• la circuitul ŞI – la ieşire se obţine cea mai mică dintre
tensiunile de la intrări:
Dezavantaje:
• degradarea nivelelor logice;
• limitarea fan‐out;
• răspuns tranzitoriu nesimetric;
• consum ridicat.
Se realizează cu: diode, joncţiuni EB, prin însumare de curenţi de colector sau cu
tranzistoare multiemitor.
3
Nivele logice:
Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare Microelectronic Circuit Design, 4E McGraw-Hill
Funcţia ŞI
Funcţia SAU
V1 V2 Vo V1 V2 Vo
0V 0V 0.7V 0V 0V 0V
0V 5V 0.7V 0V 5V 4.3V
5V 0V 0.7V 5V 0V 4.3V
5V 5V 5V 5V 5V 4.3V
4
Parametrii de comutaţie ai TBIP
1. Parametrii statici:
Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare Microelectronic Circuit Design, McGraw‐Hill
Parametrii de comutaţie ai TBIP
1. Parametrii statici: C C
B
a. TBIP blocat → comutator deschis: co muta tor
B d esc his
parametrii:
• curent rezidual: Ice0=10‐7  10‐8A (neglijabil) E
• rezistenţă de pierderi foarte mare E
(aceste elemente pot conta numai în circuite cu rezistenţe externe foarte
mari);
Concluzie:
la un TBIP blocat tensiunile pe joncţiuni depind numai de circuitul exterior şi nu
trebuie să depăşească tensiunile maxim admisibile.
10
5
Parametrii de comutaţie ai TBIP (2)
b. TBIP în conducţie:
b1. în RAN
parametrii:
• tensiunea de deschidere a joncţiunii EB (la curenţi
de emitor de zeci de A ):
VBE0=0,55V – 0,65V, valoare tipică: VBE0=0,6V
• tensiunea directă pe joncţiunea EB (la curenţi de
ordinul mA)
VBE=0,75V – 0,85V, valoare tipică: VBE=0,8V
• curent rezidual al joncţiunii EB: Ieb0 < 10‐12 A (aria joncţiunii foarte mică);
• factorul de curent al tranzistorului: tipic, 0 = 40  60, dar şi 0 < 40;
• rezistenţă de pierderi foarte mare
11
b. TBIP în conducţie:
b2. în SAT (comutator închis):
parametrii:
• tensiunea directă pe joncţiunea EB la saturaţie(la curenţi de ordinul mA):
VBEsat = 0,75V – 0,85V, valoare tipică: VBEsat = 0,8V
• tensiunea de saturaţie intrinsecă: VCEsat = 0,1 V (valoare tipică);
• rezistenţa de saturaţie, rcsat  10 (măsuri tehnologice pentru micşorare).
Concluzie:
la un TBIP în saturaţie, curenţii prin joncţiuni sunt stabiliţi numai de
circuitul exterior şi nu trebuie să depăşească curenţii maxim admisibili;
tensiunile pe joncţiuni sunt mici şi bine precizate.
12
6
c. TBIP în RAI:
de obicei, apare în mod neintenţionat;
se caracterizează prin parametrul i cu valoare tipică <10‐1,
cu o mare dispersie de fabricaţie.
Observaţie :
toţi parametrii TBIP sunt dependenţi de curenţii prin tranzistor (deci şi de
tensiunile de alimentare) şi de temperatură.
13
2. Parametrii dinamici: Cbe 0
Cbe  n
;
a. Capacităţile de barieră :  uE 
1  
Cbe0, Cbc0 ‐ capacităţile de barieră ale celor două joncţiuni  U0 
la polarizare nulă, neliniare, distribuite,
Cbc 0
proporţionale cu ariile joncţiunilor, de ordinul Cbc  n'
pF sau mai mici;  uC 
uE, uC ‐ tensiunile de pe cele două joncţiuni; 1  ' 
U0, U0’‐ înălţimile de barieră ale celor două joncţiuni;  U0 
n, n’ ‐ exponenţi cu valori între 0,3 şi 0,5.
b. Constantele de timp de viaţă ale purtătorilor minoritari în exces,p şi n şi constanta

de timp de stocare, s , cu valori de ordinul ns;
c. Capacităţile parazite ale conexiunilor, distribuite şi neliniare.
14
7
Avantajele comutatorului cu TBIP:
• putere disipată mică în BL; curenţii de valoare mică; tensiuni determinate de
circuitul exterior;
• putere disipată mică în SAT; tensiunile pe joncţiuni de valoare mică şi precizată;
curenţi determinaţi de circuitul exterior;
Dezavantajele comutatorului cu TBIP:
• comutarea din starea de blocare în starea de conducţie şi invers presupune
deplasarea unei cantităţi de sarcină în (din) bază şi în (din) capacităţile parazite
ceea ce presupune timpi de comutare diferiţi de zero.
15
Observatii:
1. Timpul de comutaţie cât mai mic:
Cbe0 şi Cbc0 cât mai mici  arii ale joncţiunilor cât mai mici cu consecinţele:

Imax adm, Pd max adm mici ;
Ieb0, Icb0 foarte mici ( <10‐11 A );
p ,n ,s cât mai mici;
Procese tehnologice  dopare cu Aur  creşte recombinarea în bază şi
scade factorul de curent al tranzistorului 0 la
valori < 50;
 concentraţii de impurităţi, Na şi Nd cât mai
mari  Ieb0, Icb0 mici;
Deoarece Ieb0 este foarte mic rezultă tensiunea directă bază emitor la curenţi de
ordinul mA, cu valori ridicate 0,75  0,85V, cu valoarea tipică 0,80V.
16
8
Observatii (2):
2. Regimurile de lucru ale TBIP – pe caracteristicile statice:
a. Blocare (BL): iB = 0, iC = Ice0, neglijabil;

b. RAN: 0 < iB ≤ iBsi ; 0 < iC ≤ iCsat;
c. SAT: iB ≥ iBsi , iC = iCsat = (VCC-VCEsat)/Rc;
Comportarea tranzistorului în saturaţie
depinde şi de iB.
Cantitativ:
i  iBsi
grad de saturaţie: n  B
iBsi
factor de supracomandă:
iB
n'   n 1
iBsi
17
Observatii (3):
3. Dependenţa VCEsat de curenţi şi de temperatură:
V BE V BC
kT
Ecuaţiile Ebers Moll: vT  Be  e vT  1 Bc  e vT  1
q
I es Be   i I cs Bc  iE  iC  iB
 0 I es Be  I cs Bc  iC
Se elimină Be:
 I cs 1   0 i Bc  1   0 iC   0iB
I es 1   0 i Be  1   i iC  iB
18
9
Observatii (4):
 1   i  i   0i  1   0 iC
Rezultă: VBC  vT ln1  0 C 0 B
  vT ln
  I cs 1   0 i   I cs 1   0 i 

 1   i iC  iB  i  1   i iC  iB
VBE  vT ln1    vT ln B
 I es 1   0 i   I es 1   0 i 
iB
 1  i
Rezultă: I cs iB  1   i iC  0 iC
VCEsat  VBE  VBC  vT ln  vT ln
I es  0iB  1   0 iC  i  iB  1   
0 0
Dar: iB n ' iC
iC  iCsat   0iBsi ; iB  n iBsi ; 
'

'
iC  0
n
Deci:
 1   i 
0 0 1 n '   0 1   i 
VCEsat  vT ln  vT ln
i n '
i n'  1
 0  1   0 
0
Dacă: n’ creşte, VCEsat scade; Ex.: 0 = 40, n’ = 5, i = 0,1  VCEsat= 0,115V
(neglijabil, dar dependent de curenţi şi de
Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare temperatură).
19
4. TBIP comutator electronic
• comutare directă:
BL  RAN  SAT
• comutare inversă
SAT  RAN  BL
Microelectronic Circuit Design, 4E McGraw-Hill
20
10
TBIP comutator electronic
Ecuaţiile metodei sarcinii
• Se integrează ecuaţia de continuitate pe toată lungimea bazei; rezultă:
dQ(t ) Q(t )
  iB (t )
dt n
cu:
Ib (t) curentul de bază, constant sau variabil, pentru t > 0
Q(t )
curentul de recombinare din bază;
n
dQ (t )
variaţia sarcinii din bază determinată de aportul de purtători al curentului
dt de bază şi datorită recombinării.
21
Ecuaţiile metodei sarcinii (2)
Q Q
• În regim staţionar, în RAN: iB  iC   0iB   0
n n
Se presupune că şi în regim staţionar se păstrează proporţionalitatea:
iC (t )   0
Q(t ) diC (t )
n  iC (t )   0iB (t )
n dt
n n n
• În saturaţie: Qs
QE n'(0) n'(0)
n(0) n(w) n(w)
n(0) n(0)
x w x w x
QC w Qsi
• injecţie de purtători de la emitor;
• injecţie de purtători de la colector (polarizat direct);
• injecţie suplimentară de la emitor pentru menţinerea constantă a curentului de
colector, dat de panta concentraţiei de purtători;
• Rezultă:
• Sarcina de purtători injectaţi până la saturaţie incipientă, Qsi;
• Sarcina de purtători injectaţi în saturaţie, dată de ambele joncţiuni, Qi.
22
11
Ecuaţiile metodei sarcinii vor fi (4):
 dQ(t ) Q(t )
 dt    iB (t )
 diC (t )
n  iC (t )   0iB (t )
n
Pentru RAN:  sau:
iC (t )   0 Q(t ) dt
 n
 dQs (t ) Qs (t ) Qsi
    iB (t ) n
Pentru SAT:  dt s n cu: s 
i (t )  i 1   0 (1   )
C Csat
s este constanta de timp de stocare, dată de relaţia semiempirică în care  este
eficienţa emitorului şi cu valori comparabile cu ale lui n
23
vg
Comutarea TBIP Vg
T m a re
Schema de comandă:
t
vB
VBE
RC tint t
K R1
iB
K
vi v0 vg iC
-iB0 t
R2 i csat
0,9 i csat
tcr tca d t
Q
Q si
s ts
n
t
v0
Vcc
t cd t ci t
Graficele mărimilor electrice
Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare din circuit
24
12
Comutarea TBIP
1. Comutarea directă: R1
1.1. Timpul de întârziere:
Vg c int v
Variaţia tensiunii pe baza tranzistorului
R2 B(t)
după aplicarea saltului de tensiune de
comandă: Schema echivalentă pentru
circuitul de intrare
  
t
V g 1  e  1 
R2
vB (t )  cu  1  Cint R1 R2 Cint ~
 Cbe  Cbc
R1  R2  
 
Se atinge tensiunea de deschidere a TBIP dacă vB(tint) = VBE0; rezultă:
R2
Vg
R1  R2 1
tint  Cint R1 R2 ln  Cint R1 R2 ln
R2
Vg  VBE 0  R V
1  1  1  BE 0
R1  R2  R2  Vg
25
Comutarea TBIP (2)
1. Comutarea directă: R1
1.2. Timpul de creştere:
Vg c int v
• Se stabileşte curentul de bază:
R2 B(t)
Vg  VBE VBE Vg VBE
iB     Schema echivalentă pentru
circuitul de intrare
R1 R2 R1 R1 R2
• Se aplică metoda sarcinii pentru RAN:
dQ(t ) Q(t )
  iB cu condiţia iniţială: Q(0)  0 şi rezultă:
dt n
 
t
  
t


Q (t )   niB 1  e n  
; iC (t )   0iB 1  e
n 
   
   
26
13
Comutarea TBIP (3)
i Cbc
1. Comutarea directă: cbc
1.2. Timpul de creştere (2):
• influenţa capacităţii de barieră a joncţiunii Colector‐Bază, Cbc:
dvBC i B i'B
iB' (t )  iB  iC bc  iB  Cbc
dt
(curentul care susţine acumularea de sarcină în bază, conform ecuaţiei metodei
sarcinii, iB fiind curentul de bază determinat de circuitul exterior);

vBC  vCB   Vcc  Rc iC  vBE
dvBC
dt
 
 Rc C
di
dt
Rezultă: di (t )  di (t ) 
 n C  iC (t )   0  iB  Cbc Rc C  sau:
dt  dt 
di (t )
 n' C  iC (t )   0iB cu:  n'   n   0Cbc Rc
dt
Se remarcă influenţa foarte mare a
Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare celui de al doilea termen şi a lui 0
27
Comutarea TBIP (4)
i Cbc
1. Comutarea directă: cbc
1.2. Timpul de creştere (3):
Se remarcă influenţa foarte mare a celui de al doilea
termen şi a lui 0 i B i'B
• Deci:
 
t
  
t

  'n    'n 
Q (t )   n i B 1  e
'
 iC (t )   0iB 1  e 
   
   
28
14
Comutarea TBIP (5)
Terminarea comutării directe:
în RAN: pentru iC(tcr) = 0,90iB  tcr  2,3 n' (mare);
1
în SAT: pentru iC(tcr) = 0,9iCsat  tcr   n' ln
0,9iCsat
1
 0 iB
iB i i 1
şi: tcr   n ln
' '
dar: n   B  0B
iBsi i iCsat 0,9
Csat
1 '
0 n
 n'
prin dezvoltare în serie: tcr  0,9 se observă: tcr  tcr ( n , Rc ,  0 , Cbc )
n'
2
pentru ca tcr  0 este necesar ca: 0 cât mai mic, n , Cbc cât mai mici, Rc VCC
cât mai mică (contradicţie cu Pd cât mai mică). Pd 
2 Rc
29
Comutarea TBIP (6)
Terminarea comutării directe (2):
În continuare, se acumulează sarcină în bază:
dQs (t ) Qs (t ) Qsi
cu: Qsi   niBsi Qs (0)  0
,
  ,  iB ;
dt s n
Rezultă:
 
t


Qs (t )   s iB  iBsi  1  e s 
 
 
Qs ()   s iB  iBsi   n'1Qsi  nQsi
30
15
Comutarea TBIP (7)
2. Comutarea inversă: R1 i B0
• până la eliminarea sarcinii din bază, tensiunea ,
VBE rămâne la valoarea de deschidere;
• curentul de bază va fi:
R2 VBE
VBE
iB 0  (sau , în funcţie de circuit);
R1 R2
R2
2.1 Eliminarea sarcinii suplimentare:
dQs (t ) Qs (t ) Qsi
  ,  iB 0 cu: Qs (0)   s iB  iBsi 
dt s n
t

Qs (t )   s iB 0  iBsi    s iB  iB 0  e s
La anularea sarcinii, Qs(ts)=0, se obţine timpul de stocare:
iB  iB 0
t s   s ln
iBsi  iB 0
31
Comutarea TBIP (8)
2. Comutarea inversă:
2.2. Comutarea de la saturaţia incipientă la blocare:
diC (t )
 n'  iC    0iB 0 cu: iC (0)  iCsat   0iBsi
dt t

Rezultă: iC (t )    0iB 0   0 iB 0  iBsi  e  n'
Se calculează timpul de cădere din condiţia: iC(tcad)=0:
 i 
tcad   n' ln1  Bsi 
 iB 0 
Concluzii:
tcd  tint  tcr
tci  t s  tcad
32
16
Comutarea TBIP (9)
Evitarea intrării în saturaţie
• Eliminare ts dar menţinere în apropierea regiunii de saturaţie; + Vcc
• Circuit de reacţie negativă neliniară:
D Rc
Funcţionare:
E ic
Pentru ii < iB1 , D blocată, şi PSF, în RAN, parcurge zona
M1  M; ii im
Pentru ii > iB1 , D deschisă, se stabileşte tensiunea de ic
ieşire la valoarea: V0L = -VD+E+VBE  E şi PSF, tot în
RAN, parcurge zona M  M2; Ec
M2 i i iB
Rc iBsi
Curentul de colector se stabileşte la valoarea:
M1
 V E E Vcc u CE
iC   0iE   0  ii  CC  VCEsa t
 Rc 
Tensiunea E se simulează cu rezistenţe sau se poate folosi o diodă Schottky
33
Comutarea inversorului cu TBIP şi cu sarcină capacitivă
• Capacitatea de sarcină:
– capacitatea de intrare a circuitelor comandate,
– capacitatea de ieşire a circuitului de comandă,
– capacitatea parazită a conexiunilor
– toate distribuite şi neliniare
• TBIP este considerat comutator ideal (neidealităţile lui înrăutăţesc răspunsul
tranzitoriu al circuitului);
+ Vcc + Vcc
Rc
Rc
R1 ic
v0
Cs 0 iB
vi R2 Cs v0
34
17
• Se stabilesc condiţiile iniţiale pentru formele de undă;
Vg  VBE VBE
• La apariţia impulsului de comandă (comutarea directă): iB  
R1 R2
TBIP rămâne în RAN (deoarece tensiunea de colector
nu poate scădea brusc din cauza capacităţii care nu
vi
admite salturi de tensiune), deci: iC= 0 iB Vg
Începe descărcarea capacităţii de sarcină şi tensiunea v0 t
de ieşire scade spre tensiunea echivalentă VCC -0 iBRC
după legea: Vcc
t
 0,9Vcc
v0 (t )  VCC   0iB RC   0iB RC e 
  Cs Rc
icm p - + t
tf tf
Comutarea directă se termină când tensiunea
de ieşire se anulează:
 
v0 t f  VCEsat  0 după timpul (durata
frontului descrescător): ic
t
0 iB
 0iB Rc CsVCC
t f  Cs Rc ln  Csa t
 0iB Rc  VCC  0 iB
t
35
• Pe durata impulsului TBIP este saturat dacă este îndeplinită VCC
iB  iBsi 
condiţia anterioară echivalentă cu condiţia:  0 Rc
• La dispariţia impulsului de comandă (comutarea inversă)
TBIP se blochează şi capacitatea de sarcină se încarcă după vi
legea:
Vg
 
t

v0 (t )  VCC 1  e  
t
  v0
 
• Durata frontului crescător: Vcc
0,9Vcc
t f  2,3Cs Rc  t f
icm p - + t
tf tf
Concluzii:
• inversorul descarcă repede o capacitate de sarcină
dar o încarcă greu; t
• durata frontului crescător se poate micşora prin ic
micşorarea rezistenţei de colector, dar creşte 0 iB
puterea disipată şi creşte şi tf- Csa t
t
36
18
Comutarea repetorului pe emitor cu sarcină capacitivă
• Se foloseşte în clasă A ca etaj de adaptare datorită performanţelor sale;
• Se foloseşte şi ca un comutator BL‐COND (la TTL);
• TBIP este considerat comutator ideal (neidealităţile lui înrăutăţesc răspunsul
tranzitoriu al circuitului);
• Capacitatea de sarcină – la fel ca în cazul anterior.
• Nu se saturează.
37
• Condiţii iniţiale: tensiunea de ieşire este nulă;
• La apariţia impulsului (comutarea directă), TBIP se deschide
în RAN, tensiunea de ieşire începe să crească:
R2
Vg  VBE  Vech
R1  R2
Vech  Rc  0  1
R1 R2
de unde:
 R2  1
Vech  Vg  VBE 
 R1  R2 1 R1 R2
 0  1Re
R1 R2
Rech  Re
0  1
 
t

v0 (t )  Vech 1  e C s Rech 
 
 
38
19
• Durata frontului crescător:
t f  2,3Cs Rech
• La dispariţia impulsului (comutarea inversă), TBIP se
blochează şi capacitatea de sarcină se va descărca spre
zero prin rezistenţa din emitor:
t

v0 (t )  Vech e C s Re
• Durata frontului descrescător:
t f  2,3Cs Re  t f +
Trep etor
Concluzii:
• Un repetor pe emitor încarcă repede o capacitate
de sarcină dar o descarcă greu. C s v0
• stâlp totemic – prin combinaţia celor două circuite:
Tinverso r
39
Circuite logice din familia RTL
• Funcţia logică SAU‐NU
însumare de tensiuni pe rezistenţe egale + inversor cu TBIP
Funcţionare: + Vcc
• TBIP utilizat pentru refacerea nivelelor
logice
R1 Rc
• TBIP este deschis dacă cel puţin una
dintre intrări este la nivel logic UNU vi1
ceea ce asigură nivel logic ZERO la R1
ieşire; în caz contrar, la ieşire se obţine vi2 v0
nivel logic UNU.
R1
vi3 R2
40
20
Circuite logice din familia RTL (2)
Caracteristica de transfer ( m este numărul de intrări): + Vcc
R1 Rc
  vi1
  vi2
R1
vi  Vi1  VBE 1 
R1  v0
TBIP blocat, v0  VCC  V0 H R1
 R1  vi3 R2
 R2 m  1  (în gol)
  v0
Vcc
 
 
V
Vi1  vi  Vi 2  R1  CC 
V BE  V TBIP în RAN:
  0 Rc R1  BE v i1 vi2 vi
 R2
m  1 

 
 
 v  V V 
v0  VCC   0 Rc i BE
 BE
 R1 R1 
 R2
m  1 

vi  Vi 2 TBIP în SAT: v0  VoL  VCEsat  0
41
Circuite logice din familia RTL (3)
Zona de tranziţie: Vit  ViH  ViL  Vi 2  Vi1 (mică); + Vcc
R1 Rc
Marginile de zgomot statice: vi1
R1
vi2
MZL  Vi1  V0 L ; MZH  V0 H  Vi 2 ; MZL  MZH (în gol); R1
v0
vi3 R2
Determinarea fan‐out:
Numărul de sarcini este limitat de curentul ce poate fi obţinut v0
prin rezistenţa de colector când TBIP este blocat şi trebuie să Vcc
asigure saturarea tuturor tranzistoarelor comandate.
v i1 vi2 vi
Regimul tranzitoriu este cel caracteristic unui inversor cu TBIP. vi
V0H
t
v0
Vcc
t
Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare t fHL tfs tfLH
42
21
Circuite logice din familia DCTL
• Influenţa distribuţiei parametrilor
• Evoluţie spre IIL (I2L)
• Logica se realizează prin însumarea curenţilor TBIP
• Schema:
+ Vcc + Vcc
Rc Rc
vi1 T1
T1 T2 T3 v0
structura Şi NU
vi2 T2 v0
vi1 vi2 vi3
vi3 T3
structura SAU NU
43
Circuite logice din familia DCTL (2)
+ Vcc
Funcţionare SAU NU:
Rc
Dacă la o intrare este nivel logic UNU, TBIP este sat., la ieşire
v0  V0 L  VCEsat  0 T1 T2 T3 v0
Dacă la toate intrările se aplică nivel logic ZERO, TBIP este blocat şi vi1 vi2 vi3
v0  V0 H  VCC (în gol);
Funcţionare Şi NU: + Vcc
Dacă la o intrare este nivel logic ZERO, TBIP este blocat şi la ieşire Rc
se obţine
vo  VCC  VoH vi1 T1
Dacă la toate intrările se aplică nivel logic UNU, toate TBIP sunt în
vi2 T2 v0
SAT şi la ieşire se obţine
vo  VoL  VCEsat vi3 T3
Circuitul ŞI NU nu este compatibil nici cu el însuşi (decât cu restricţii
severe de proiectare) din cauza nivelelor de tensiuni
corespunzătoare aceluiaşi nivel logic ZERO pe intrări.
44
22
i E
v0
Caracteristica de transfer: Vcc gol
Vi1  VBE 0  0,6V ; sarcina
VBEsat
v BE
Vi 2  VBEsi  0,8V . v i1 v i2 vi vBE0 vBEsi v BEsat
Rezultă MZL < MZH (în gol) dar MZH foarte mic în sarcină

deoarece: VoH=VBEsat apropiat de VBEsi. + Vcc
+ Vcc Rc
Determinare fan‐out: Rc
P v01
Din condiţiile pentru cele două nivele logice, restrictivă
este condiţia de saturare a tranzistoarelor comandate, vi1 vi2 vi3
+ Vcc
Rc
în starea logică ZERO, în cele mai defavorabile condiţii
Q v02
de funcţionare asigurându‐se un grad minim de
saturaţie a acestora;
Se va lua în considerare dispersia de fabricaţie a + Vcc
Rc
caracteristicii de intrare a tranzistoarelor, cu influenţă
majoră din cauza caracterului exponenţial pe care îl S v03
are;
45
Determinare fan‐out (2): + Vcc
+ Vcc
Rc
Tranzistoarele au caracteristici de intrare cuprinse Rc
P v01
între caracteristica de tip P şi caracteristica de
intrare de tip Q; la aceeaşi tensiune de intrare, VBE,
+ Vcc
se obţin curenţi de bază între limitele IBP şi IBQ vi1 vi2 vi3 Rc
Q v02
Se defineşte coeficientul de neuniformitate:
I BP
 cu valori de 20  50 pentru tranzistoare discrete + Vcc
I BQ şi < 10 pentru tranzistoare integrate. Rc
S v03
În cazul cel mai defavorabil, tranzistorul Q trebuie să fie saturat
cu gradul de saturaţie minim :
1 VCC  VCEsat 1 VCC
I BQ  n  1I Bsi I Bsi  
0 Rc  0 Rc
În cazul cel mai defavorabil, este un tranzistor de tipul Q şi celelalte fiind de tipul P;
curentul de sarcină va fi:
VCC  VBE
is    N  1I BP  I BQ   N  1I BQ  I BQ
Rc
46
23
Determinare fan‐out (3): + Vcc
+ Vcc
Rc
Rezultă: Rc
P v01
VCC  VBE 1
I BQ  + Vcc
Rc 1    N  1 vi1 vi2 vi3 Rc
Q v02
Condiţia de saturaţie devine:
+ Vcc
VCC  VBE 1 V  VCEsat Rc
 n  1 CC
1    N  1  0 Rc S v03
Rc
şi rezultă:
1  V  VBE  0 
N  1   CC  1
  VCC  VCEsat n  1 
47
+ Vcc
Cazuri particulare: + Vcc Rc
Rc
V  VBE  0 P v01
  1; N  CC
VCC n 1
+ Vcc
vi1 vi2 vi3 Rc
dacă: VCC = 4VBE (valoare tipică pentru VCC ):
Q v02
3 0
N
4 n 1 + Vcc
pentru n = 3, 0 = 100, rezultă N = 18

Rc
S v03
  10; în aceleaşi condiţii: Nmax = 3
Soluţie pentru micşorarea lui 
P Q  Se observă că: Vi = VBE + RBiB
iB
RB 50 produce o liniarizare a
vi IBP
IBQ uBE
caracteristicii de intrare.
10
vi 2K 5K RB Dezavantaj RB: răspuns
tranzitoriu, integrare monolitică.
48
24
+ Vcc
Regimul tranzitoriu + Vcc Rc
Rc
P v01
Dezavantaj circuitul inversor.
+ Vcc
vi1 vi2 vi3
vi Rc
Vc c Q v02
VBEsat Rc
+ Vcc
S v03
t
t fLH
49
Circuite logice
Funcţie SAU‐NU
50
25

Curs ED 3

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Curs ED 3

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electronică Digitală (ED)

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

t pLH  t pHL diferenţa de timp între trecerea prin VprL a tensiunii

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare Microelectronic Circuit Design, 4E McGraw-Hill

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Semnale logice – logică pozitivă, logică negativă

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare Microelectronic Circuit Design, 4E McGraw-Hill

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare Microelectronic Circuit Design, McGraw‐Hill

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

b. Constantele de timp de viaţă ale purtătorilor minoritari în exces,p şi n şi constanta

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Cbe0 şi Cbc0 cât mai mici  arii ale joncţiunilor cât mai mici cu consecinţele:

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

a. Blocare (BL): iB = 0, iC = Ice0, neglijabil;

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Microelectronic Circuit Design, 4E McGraw-Hill

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Ib (t) curentul de bază, constant sau variabil, pentru t > 0

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Qs ()   s iB  iBsi   n'1Qsi  nQsi

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Dacă la toate intrările se aplică nivel logic ZERO, TBIP este blocat şi vi1 vi2 vi3

Rezultă MZL < MZH (în gol) dar MZH foarte mic în sarcină

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

VCC  VBE 1 V  VCEsat Rc

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

pentru n = 3, 0 = 100, rezultă N = 18

  10; în aceleaşi condiţii: Nmax = 3

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

S-ar putea să vă placă și