An univ.

2016-2017

Subiecte teoretice tranzistorul MOS pentru examenul DE, anul II E

1. Capacitorul MOS (Metal Oxid Semiconductor). Sarcina mobila din stratul de
inversie la suprafata semiconductorului. Tensiunea prag la care apare stratul de
inversie.
2. Caracteristicile I-V ideale ale tranzistorului MOS cu canal n (caracteristici de
iesire, caracteristici de transfer).
3. Abateri de la caracteristicile I-V ideale ale tranzistorului MOS. Conductia sub
prag, modularea lungimii canalului, efectul polarizarii substratului.
4. Circuitul echivalent la semnale mici al tranzistorului MOS. Dependenta
parametrilor de punctul static de functionare. Valori numerice tipice si comparatie
cu tranzistorul bipolar.
5. Etaj sursa comuna cu tranzistorul MOS. Amplificarea de tensiune in gol si
rezistenta de iesire. Similar pentru etajul drena comuna
6. Caracteristica de transfer pentru diverse tipuri de tranzistoare: cu canal n, de tip D
(cu canal initial), cu canal n de tip E (cu canal indus). Etaj inversor tip E/E cu
tranzistoare MOS cu canal n. Amplificarea in tensiune la semnal mic (ambele
tranzistoare saturate). Considerente geometrice in proiectarea etajului integrat si
dezavantajele schemei. Etaj inversor tip E/D cu tranzistoare MOS cu canal n.
Calculul amplificarii de semnal mic atunci cand ambele tranzistoare sunt saturate.
7. Tranzistorul cu canal p si tehnologia CMOS. Utilizarea tranzistorului cu canal p ca
o rezistenta de sarcina intr-un etaj de amplificare cu tranzistor cu canal n.
8. Inversor CMOS cu functionare in contratimp (push-pull). Calculul amplificarii de
semnal mic atunci cand ambele tranzistoare sunt saturate. Caracteristica de
transfer a etajului si avantajele schemei.
20 ianuarie 2016