Tema de casa la disciplina

Electronica si Informatica Industriala

“Tranzistor MOSFET de putere”

Student:
Drogeanu Lucia-Mihaela
432B

Sursa bibliografica :
Muhammad H. Rashid, Power Electronics Handbook Third
Edition, Cap. 4 The power MOSFET, 4.3.General Switching
Characteristics (pag. 46-50), 4.4.The Power MOSFET (pag. 50-
64)
Data depunerii temei:
06.05.2018
1
 1. Introducere
Una dintre principalele contribuţii care au condus la creşterea şi dezvoltarea electronicii
de putere a fost dezvoltarea fără precedent a tehnologiei semiconductorilor, mai ales in ceea ce
priveşte viteza de comutaţie si capacitatea de a manevra puterea. Începând cu anul 1958, cand a
fost introdus tiristorul (SCR - silicon controlled rectifier), electronica de putere s-a dezvoltat în
paralel cu dezvoltarea tehnologiei dispozitivelor semiconductoare de putere. Istoria electronicii
de putere este strâns legată de introducerea dispozitivelor de comutaţie, adică a tranzistoarelor
BJT (Bipolar Junction Transistor) si MOSFET (Metal Oxid Semiconductor Field Effect
Transistor) in anii 1960-1970.

2. Comutatorul ideal
Este de preferat ca switch-urile de putere să
funcţioneze cât mai aproape de cele ideale, care prezintă
următoarele caracteristici:
- Valoarea curentului atunci când comutatorul este
în conducţie (în starea ON) poate fi oricât de
mare;
- Valoarea tensiunii atunci când comutatorul este
în blocare (în starea OFF) poate fi oricât de
mare;
- Căderea de tensiune pe comutator în conducţie
(în starea ON) este zero;
- Rezistenţa acestuia este infinită în blocare (în
starea OFF), iar curentul prin el este zero;
- Viteza de comutaţie este foarte mare, comutaţia
se produce instantaneu, nu exista timp de
creştere sau timp de scădere.
Atât în timpul comutaţiei cât si în conducţie,
pierderea de putere este zero, iar randamentul este 100%,
nu există întârzieri de comutare, iar frecvenţa la care
poate funcţiona este infinită.

3. Comutatorul practic
- Curentul de conducţie este limitat cand
comutatorul este in conducţie si tensiunea
este limitată atunci când comutatorul este
în blocare;
- Viteză de comutare limitată;
- Rezistenţă limitată atât în conducţie cât şi
în blocare (există cădere de tensiune pe
comutator când acesta este în conducţie şi
curent când acesta este în blocare);
- Prezintă pierderi de putere.

2
 4. Tranzistorul MOSFET de putere
4.1 Structură
Spre deosebire de tranzistorul MOSFET cu
canal lateral utilizat în tehnologia circuitelor
integrate, în care grila, drena şi sursa se află pe
aceeaşi suprafaţă a plachetei de siliciu, tranzistorul
MOSFET de putere utilizează structura canalului
vertical, în care sursa şi drena sunt pe părţi opuse
ale plachetei de siliciu, pentru a creşte puterea
dispozitivului. Există mai multe tipuri de
tranzistoare MOSFET de putere, cum ar fi V-
MOSFET, U-MOSFET, D-MOSFET, S-MOSFET.
Figura 4.7a arată secţiunea verticală printr-un
MOSFET.

 Rezistenţa in starea ON
Atunci când tranzistorul este în starea ON,
canalul acestuia se comportă ca rezistenţă
constantă, 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) care este direct proporţională cu
variaţia dintre 𝑣𝐷𝑆 si 𝐼𝐷 :
𝜕𝑣𝐷𝑆
𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) = │𝑉𝐺𝑆 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡
𝜕𝐼𝐷
Puterea disipată în starea ON pentru un MOSFET cu curentul 𝐼𝐷 şi rezistenţa 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁)
este:
𝑃𝑂𝑁,𝑑𝑖𝑠𝑠 = 𝐼𝐷2 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁)
Valoarea paramentrului 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) poate fi semnificativă şi variază între câteva zeci de
miliohmi pentru tranzistoare MOSFET de mică putere şi câţiva ohmi pentru tranzistoare
MOSFET de putere. Acesta este un parametru de catalog important deoarece determină căderea
de tensiune pe dispozitiv în conducţie şi puterea totală disipată.
Spre deosebire de bipolar, tranzistorul MOSFET este un dispozitiv unipolar comandat în
tensiune care necesită doar un mic curent in grilă, astfel, necesitând o putere mai mică decat
BJT-ul. De asemenea, BJT-ul are o mai buna capacitate de a menaja puterea şi o viteză de
comutaţie mai mică, in timp ce MOSFET-ul are o capacitate mai slaba de a menaja puterea şi o
viteză de comutaţie mai mare.

 Dioda internă
Tranzistorul MOSFET de putere modern are în structura sa o diodă internă, conectată la
sursă şi la drenă, aşa cum se observă în figura 4.8a. Această diodă permite trecerea curentului de
drenă şi în sens invers. Deşi dioda internă are un curent adecvat si o viteză de comutaţie buna, în
anumite aplicaţii care necesită utilizarea unor diode ultra-rapide, este adaugată o diodă externă in
antiparalel, după cum se vede în figura 4.8b.

3
  Capacităţile interne
Un alt parametru important îl reprezintă capacităţile parazite care apar intre cele trei
terminale şi anume: grilă-sursă 𝐶𝑔𝑠 , grilă-drenă 𝐶𝑔𝑑 şi drenă-sursă 𝐶𝑑𝑠 , după se observă în figura
4.9a. Valorile acestor capacităţi sunt neliniare şi depind de structura dispozitivului, geometrie si
de punctul static de funcţionare. Cea mai mare variaţie a acestor capacităţi apare atunci când
variază tensiunea drenă-grilă.
𝐶𝑔𝑑 = 𝐶𝑟𝑠𝑠
𝐶𝑔𝑠 = 𝐶𝑖𝑠𝑠 − 𝐶𝑟𝑠𝑠
𝐶𝑑𝑠 = 𝐶𝑜𝑠𝑠 − 𝐶𝑟𝑠𝑠
unde 𝐶𝑟𝑠𝑠 = capacitatea de transfer de semnal mic, 𝐶𝑖𝑠𝑠
= capacitatea de intrare de semnal mic atunci când drena
şi sursa sunt scurtcircuitate, 𝐶𝑜𝑠𝑠 = capacitatea de ieşire
de semnal mic atunci cand grila şi sursa sunt
scurtcircuitate.
Variaţiile capacităţilor 𝐶𝑖𝑠𝑠 şi 𝐶𝑜𝑠𝑠 atunci când
tensiuneile grilă-sursă respectiv drenă-sursă ating
valoarea zero. Obiectivul circuitului de conducere este
de a încărca şi descărca capacităţile parazite grilă-sursă
şi grilă-drenă pentru a trece dispozitivul in starea on
respectiv off.

4.2 Regiuni de operare

Pentru ca tranzistorul MOSFET să conducă
curent de la drenă la sursă, trebuie creat un canal între
drenă şi sursă. Acest canal apare atunci când tensiunea
grilă-sursă, 𝑣𝐺𝑆 , este mai mare decât valoarea tensiunii
de prag 𝑉𝑇ℎ . Pentru 𝑣𝑔𝑠 > 𝑉𝑇ℎ , dispozitivul poate fi fie
în regiunea de triodă, care se mai numeşte zonă de rezistenţă constantă, fie în regiunea de

4
saturaţie, în funcţie de valoarea tensiunii 𝑣𝐷𝑆 . Pentru 𝑣𝐷𝑆 < 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ , dispozitivul se află în
regiunea de triodă (regiunea de saturaţie la BJT), iar pentru tensiuni 𝑣𝐷𝑆 > 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ ,
dispozitivul intră în regiunea de saturaţie (regiunea activă la BJT). Pentru 𝑣𝐺𝑆 < 𝑉𝑇ℎ ,
dispozitivul se stinge, având un curent de drenă aproape zero (nu are canal indus). Pentru a avea
canal indus (adică pentru a se afla ori în regiunea de saturaţie ori în regiunea de triodă) trebuie
aplicată o tensiune grilă-sursă mai mare decat tensiunea de prag, 𝑣𝐺𝑆 > 𝑉𝑇ℎ . Dacă există canal
indus, MOSFET-ul poate opera fie în regiunea de triodă, când canalul este continuu, iar curentul
de drenă este proporţional cu rezistenţa canalului, fie în regiunea de saturaţie, în care curentul de
drenă este constant.
Se poate arăta că curentul de drenă poate fi aproximat matematic astfel:
2
𝑖𝐷 = 𝐾[2(𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ )𝑣𝐷𝑆 − 𝑣𝐷𝑆 ] în regiunea de triodă
2
𝑖𝐷 = 𝐾(𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ ) în regiunea de saturaţie
1 𝑊
Unde 𝐾 = 2 𝜇𝑛 𝐶𝑂𝑋 𝐿 , 𝜇𝑛 = mobilitatea electronior, 𝐶𝑂𝑋 = capacitata oxidului pe
unitatea de arie, L = lungimea canalului, W = lăţimea canalului.
La graniţa dintre regiunea de saturaţie şi regiunea de triodă avem:
2
𝑣𝐷𝑆 = 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ de unde rezultă curentul 𝑖𝐷 = 𝐾𝑣𝐷𝑆
Valoarea crescută a lui 𝑣𝐷𝑆 va rezulta în reducerea
lungimii canalului, fenomen numit modularea lungimii
canalului. Astfel, termenul 1+𝜆𝑣𝐷𝑆 este adăugat ecuaţiei
curentului de drenă, întrucât 𝑖𝐷 creşte datorită modulării
lungimii canalului. Rezultă astfel:
𝑖𝐷 = 𝑘(𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ )2 (1+𝜆𝑣𝐷𝑆 ) în regiunea de
saturaţie
Rezistenţa de ieşire se poate exprima astfel:
1
𝑟𝑜 =
𝜆𝑘(𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ )

4.3 Caracteristici de comutaţie

Deşi tranzistorul MOSFET poate opera la frecvenţe inalte, acesta prezintă două limitări:
1. Capacităţi de intrare in grilă mari;
2. Intârzieri din cauza transportului prin regiunea de drift.
Capacitatea de intrare a MOSFET-ului prezintă două componente: capacitatea grilă-sursă
şi grilă-drenă. Aceasta poate fi exprimată în funcţie de capacităţile joncţiunii, aplicând teorema
Miller pe schema din figura 4.15a. Astfel, capacitatea de intrare totală, vazută între grilă şi sursă
poate fi scrisă:
𝐶𝑖𝑛 = 𝐶𝑔𝑠 + (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿 )𝐶𝑔𝑑

5
 Răspunsul în frecvenţă al MOSFET-
ului este limitat de timpul de încărcare şi de
descărcare al capacităţii 𝐶𝑖𝑛 . Obiectivul
este să se reducă rezintenţa de răspuns
grilă-drenă. Capacitatea de ieşire dintre
drenă şi sursă 𝐶𝑑𝑠 nu afectează
caracteristicile comutaţiei on şi off a
MOSFETULUI. Figura 4.16 arată cum 𝐶𝑔𝑑
şi 𝐶𝑔𝑠 variază la o tensiune 𝑣𝐷𝑆 mare.
În aplicaţiile electronicii de putere,
tranzistoarele MOSFET de putere operează
la frecvenţe înalte pentru a reduce
dimensiunile componentelor magnetice. Pentru a reduce
pierderile, MOSFET-urile sunt menţinute fie în conducţie
(sau starea ON), fie în blocare (sau starea OFF).
Este important de înţeles comportamentul intern al
dispozitivului precum şi parametrii care influenţează
tranziţiile din on in off sau din off in on. Consideram figura
4.17a cu sarcină inductivă. Dioda D este folosită pentru a
prelua curentul atunci cand comutatorul este în blocare. Se
presupune că inductanţa 𝐿0 este destul de mare astfel încât
curentul prin ea este constant.
Presupunem că iniţial dispozitivul este în starea off,
curentul de sarcină 𝐼0 trece prin D şi 𝑣𝐺𝐺 =0, 𝑣𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 şi
𝑖𝐺 = 𝑖𝐷 . La t=𝑡0 se aplică 𝑣𝐺𝐺 , iar tensiunea prin 𝐶𝐺𝑆 se
încarcă prin 𝑅𝐺 . 𝑣𝐺𝑆 controlează trecerea curentului 𝑖𝐷 . Daca
pentru 𝑡0 < 𝑡 < 𝑡1 , 𝑣𝐺𝑆 < 𝑉𝑇ℎ MOSFET-ul rămâne blocat, cu
𝑖𝐷 = 0, indiferent de 𝑣𝐷𝑆 . Intervalul de timp (𝑡0 ; 𝑡1 ) reprezintă
timpul de delay necesar pentru a schimba CGS de la zero la 𝑉𝑇ℎ .
Expresia intervalului de timp Δ𝑡10 = 𝑡1 − 𝑡0 se poate obţine:
𝑣𝐺𝐺 − 𝑣𝐺𝑆 𝑑𝑣𝐺𝑆 𝑑(𝑣𝐺 − 𝑣𝐷 )
𝑖𝐺 = = 𝑖𝐶𝐺𝑆 − 𝑖𝐶𝐺𝐷 = 𝐶𝐺𝑆 − 𝐶𝐺𝐷
𝑅𝐺 𝑑𝑡 𝑑𝑡
unde 𝑣𝐺 şi 𝑣𝐷 sunt tensiunile grilă-masă şi drenă-masă.
𝑣𝐺𝐺 − 𝑣𝐺𝑆 𝑑𝑣𝐺𝑆
= (𝐶𝐺𝑆 + 𝐶𝐺𝐷 )
𝑅𝐺 𝑑𝑡
Rezolvând pentru 𝑣𝐺𝑆 (𝑡) pentru 𝑡 > 𝑡0 cu 𝑣𝐺𝑆 (𝑡0 )=0 se obţine:
𝑡−𝑡0
𝑣𝐺𝑆 (𝑡) = 𝑉𝐺𝐺 (1 − 𝑒 𝜏 )
𝑑𝑣 𝑑𝑣 𝑑𝑣
Cum 𝑣𝐺 = 𝑣𝐺𝑆 , 𝑣𝐷 = +𝑉𝐷𝐷 atunci 𝑖𝐺 = 𝐶𝐺𝑆 𝑑𝑡𝐺𝑆 − 𝐶𝐺𝐷 𝑑𝑡𝐺𝑆 = (𝐶𝐺𝑆 + 𝐶𝐺𝐷 ) 𝑑𝑡𝐺𝑆
𝑡−𝑡0
𝑣𝐺𝐺 − 𝑣𝐺𝑆 𝑣𝐺𝐺
𝑖𝐺 = = 𝑒 𝜏
𝑅𝐺 𝑅𝐺
Atâta timp cât 𝑣𝐺𝑆 < 𝑉𝑇ℎ , 𝑖𝐷 = 0. La t=𝑡1 𝑣𝐺𝑆 = 𝑉𝑇ℎ , iar MOSFET-ul începe să conducă.
𝑉
Δ𝑡10 = 𝑡1 − 𝑡0 = −𝜏ln(1 − 𝑣 𝑇ℎ ).
𝐺𝐺

Figura 4.19 prezintă formele de undă pentru 𝑖𝐺 şi 𝑣𝐺𝑆 .

6
Pentru 𝑡 < 𝑡1 cu 𝑣𝐺𝑆 < 𝑉𝑇ℎ , tranzistorul
conduce, iar 𝑖𝐷 este o funcţie de 𝑣𝐺𝑆 şi 𝑉𝑇ℎ . Se
poate calcula panta, care este limitată după cum
se observă în figura 4.20:
𝜕 𝑖𝐷
𝜕𝑣𝐺𝑆 2√𝐼𝐷𝑆𝑆 𝐼𝐷
𝑔𝑚 = = iar curentul 𝑖𝐷 (𝑡) poate fi
𝐼𝐷 𝑉𝑇ℎ
aproximat 𝑖𝐷 (𝑡) = 𝑔𝑚 (𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ ).

Atâta timp cât 𝑖𝐷 (𝑡) < 𝐼0 dioda D rămâne în

conducţie şi 𝑣𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 . Rezultă:
𝑡−𝑡1
𝑖𝐷 (𝑡) = 𝑔𝑚 (𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝑇ℎ ) − 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝐺 𝑒 𝜏

La t=𝑡2 , 𝑖𝐷 ia valoarea maximă 𝐼0 , iar dioda D

intră în blocare.

𝑔𝑚 𝑉𝐺𝐺
∆𝑡21 = 𝑡2 − 𝑡1 = 𝜏ln
𝑔𝑚 (𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝑇ℎ ) − 𝐼0

Pentru t> 𝑡2 dioda D intră în blocare şi 𝑖𝐷 = 𝑔𝑚 (𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ ) ≈ 𝐼0 rezultă

𝐼
𝐼0 𝑉𝐺𝐺 −𝑣𝐺𝑆 (𝑡2 ) 𝑉𝐺𝐺 − 0 −𝑉𝑇ℎ
𝑔𝑚
𝑣𝐺𝑆 (𝑡) = + 𝑉𝑇ℎ şi 𝑖𝐺 (𝑡2 ) = = şi putem aproxima 𝑣𝐺𝑆 (𝑡2 ) ≈ 𝑉𝐺𝐺 şi
𝑔𝑚 𝑉𝑇ℎ 𝑉𝑇ℎ
𝑖𝐺 (𝑡2 ) ≈ 0.

Pentru t>𝑡3 , 𝑣𝐺𝑆 este constant şi tot curentul trece prin 𝐶𝐺𝑆 şi se obţine:
𝑑(𝑣𝐺 − 𝑣𝐷 ) 𝑣𝐷𝑆 𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝑇ℎ
𝑖𝐺 (𝑡) = 𝑖𝐶𝐺𝐷 = 𝐶𝐺𝐷 = −𝐶𝐺𝐷 =−
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑅𝐺
𝑉𝐺𝐺 −𝑉𝑇ℎ
𝑣𝐷𝑆 (t) = − 𝑅 C (𝑡2 − 𝑡1 ) + 𝑉𝐷𝐷 pentru t> 𝑡2
𝐺 GD
Pentru intervalul de timp ∆𝑡32 = 𝑡3 − 𝑡2 , se presupune că pentru t=𝑡3 tensiunea drenă-sursă are
𝑡−𝑡3
valoarea minimă 𝑣𝐷𝑆(𝑂𝑁) ≈ 𝐼0 𝑟𝐷𝑆(𝑂𝑁) =constant, iar pentru t> 𝑡3 𝑣𝐺𝑆 (𝑡) = 𝑉𝐺𝐺 (1 − 𝑒 − 𝜏 )

7
 𝑉𝐺𝐺 −𝑉𝑇ℎ 𝐼
0
𝑣𝐷𝑆 (t 3 ) = − (𝑔𝑚 + 𝑉𝑇ℎ ) + 𝑉𝐷𝐷 = 𝐼0 𝑟𝐷𝑆(𝑂𝑁) rezultă ∆𝑡32 = 𝑡3 − 𝑡2 =
𝑅𝐺 CGD
𝑉𝐷𝐷 −𝐼𝐷 𝑟𝐷𝑆(𝑂𝑁)
𝑅𝐺 CGD 𝑉𝐺𝐺 −𝑉𝑇ℎ
Astfel timpul de delay total este 𝑡𝑂𝑁 = ∆𝑡10 + ∆𝑡21 + ∆𝑡23 . Tranzistorul MOSFET poate suporta
tensiuni si curenţi mari în acelaşi timp în timpul intervalelor ∆𝑡21 şi ∆𝑡32 , ceea ce duce la o
disipare mare de putere.

Pentru a studia caracteristicile comutaţiei off a MOSFET-ului considerând că acesta este

în starea ON la t> 𝑡0 . La t=0 avem condiţiile iniţiale:
𝑣𝐷𝑆 (t 0 ) = 𝐼0 𝑟𝐷𝑆(𝑂𝑁)
𝑣𝐺𝑆 (𝑡0 ) = 𝑉𝐺𝐺
𝑖𝐷𝑆 (𝑡0 ) = 𝐼0
𝑖𝐺 (𝑡0 ) = 0
𝑣𝑐𝐺𝑆 (𝑡0 ) = 𝑉𝐺𝐺
𝑣𝑐𝐺𝐷 (𝑡0 ) = 𝑉𝐺𝐺 -𝐼0 𝑟𝐷𝑆(𝑂𝑁)
Dacă presupunem că tensiunea drenă-sursă rămâne constantă avem relaţiile:
−𝑣𝑔 dv dv 𝑣 dv
𝑖𝐺 = 𝑅 = 𝑖𝑐𝐺𝑆 + 𝑖𝑐𝐺𝐷 = CGS dtGS + CGD dtGD = − 𝑅𝐺𝑆 = (CGS + CGD ) dtGS şi obţinem
𝐺 𝐺
𝑡−𝑡0
−
𝑣𝐺𝑆 (𝑡) = 𝑣𝐺𝑆 (𝑡0 )𝑒 unde 𝜏

𝑣𝐺𝑆 0 = 𝑉𝐺𝐺 şi 𝜏 = (CGS + CGD )𝑅𝐺

(𝑡 )
Pentru a se obtine intervalul ∆𝑡10 poate fi obţinut înlocuind pe t cu 𝑡1 în ecuaţia
𝑡−𝑡0 𝑡−𝑡0
𝑉𝐺𝐺
𝑣𝐺𝑆 (𝑡) = 𝑣𝐺𝑆 (𝑡0 )𝑒 − 𝜏 . Curentul de grilă între 𝑡2 şi 𝑡1 este 𝑖𝐺 = − − 𝑒− 𝜏 .
𝑅𝐺
0 𝐼 𝑣𝑔𝑠 (𝑡1) 01 𝐼
Pentru 𝑡2 − 𝑡1 tensiunea de grilă este constantă 𝑔𝑚 + 𝑉𝑇ℎ . La t=𝑡1 𝑖𝐺 = = 𝑅 (𝑔𝑚 + 𝑉𝑇ℎ )
𝑅𝐺 𝐺
şi se obţine
1 𝐼
0
𝑣𝐷𝑆 (𝑡) = 𝑣𝐷𝑆(𝑂𝑁) + 𝑅 (𝑔𝑚 + 𝑉𝑇ℎ ) (t-𝑡1 ).
𝐺 𝐶𝐺𝐷
La t=𝑡2 𝑖𝐷𝑆 (𝑡) = 𝑔𝑚 (𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ ) de unde se obţine
𝑡−𝑡2
𝐼
0
𝑣𝐺𝑆 (𝑡) = (𝑔𝑚 + 𝑉𝑇ℎ )𝑒 − 𝜏

−1
0 𝐼 0 𝐼
𝑖𝐺 (𝑡) = 𝑅 (𝑔𝑚 + 𝑉𝑇ℎ ) (𝑔𝑚 + 𝑉𝑇ℎ )
𝐺
𝑡−𝑡2 𝑡−𝑡2
𝑖𝐷𝑆 (𝑡) = 𝑔𝑚 𝑉𝑇ℎ (𝑒 − 𝜏 − 1) + 𝐼0 (𝑒 − 𝜏 − 1)
Aşadar 𝑡𝑂𝐹𝐹 = ∆𝑡10 + ∆𝑡21 + ∆𝑡32 + ∆𝑡43 ≈
∆𝑡21 + ∆𝑡32
Intervalele care afectează cel mai mult puterea
disipată sunt ∆𝑡21 ş𝑖 ∆𝑡32 . Astfel, pentru a reduce
timpii 𝑡𝑂𝐹𝐹 ş𝑖 𝑡𝑂𝑁 trebuie redusă capacitatea grilă-
drenă.

Aria de operare sigură a unui dispozitiv asigură

tensiunile si curenţii limită, întrucât dispozitivul
trebuie să evite distrugerea. Aceasta este
reprezentată în figura 4.23.

8
 Curentul maxim în starea on este determinat de puterea disipată în starea on:
𝑃𝑑𝑖𝑠𝑠(𝑂𝑁) = 𝐼𝐷𝑆(𝑂𝑁) 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁)
În timp ce tensiunea drenă-sursă creşte, dispozitivul iese din starea on şi intră în regiunea
de saturaţie. În timpul acestei tranziţii, acesta are o tensiune şi un curent foarte mare. De
asemenea, atunci când dispozitivul este în starea off, iar tensiunea drenă-sursă continuă să
crească, apare o scădere bruscă a tensiunii de blocare. Sursa acestui fenomen este prezenţa unui
tranzistor bipolar parazit de tip n după cum se observă în figura 4.24. Prezenţa inerenta a diodei
în structura MOSFET-ului face acest dispozitiv
atractiv pentru aplicaţii în care este necesară trecerea
curentului în ambele sensuri.
Tranzistoarele MOSFET de pe piaţă pot
opera la temperaturi foarte mari. Efectul temperaturii
este mai proeminent în starea ON.
Deoarece tehnologia acestui dispozitiv
continuă să se îmbunătăţească în ceea ce priveşte
viteza de comutaţie şi capacităţile de controlare a
puterii, este de aşteptat ca MOSFET-ul să continue
să înlocuiască BJT-urile în electronica de putere.