Teorie Mosfet Cap7

Capitolul
Tranzistoare cu efect de c[mp
Generalit`\i
{ntr-un tranzistor bipolar prin emitor sunt injecta\i purt`tori majoritari care ajung apoi [n regiunea
bazei, fiind aici minoritari datorit` tipului diferit de dopare a bazei. Majoritatea lor traverseaz` aceast`
regiune ajung[nd la colector ]i form[nd curentul de colector, aproximativ egal cu cel de emitor. O foarte mic`
parte din ei se combin` [n regiunea bazei cu prt`torii majoritari de acolo. Acest fapt determin` apari\ia unui
curent slab prin terminalul bazei. Astfel, tranzistorul bipolar poate fi privit fie ca un amplificator de curent
(cu factorul β aproximativ constant, de ordinul sutelor) fie ca un dispozitiv transconductan\` [n care
curentul de colector este controlat de tensiunea baz` emitor. Dar, indiferent cum privim noi lucrurile, sursa de
semnal care comand` tranzistorul bipolar trebuie s` debiteze sau s` absoarb` un curent care este de
ordinul a 1 % din curentul comandat. }i aceasta, dac` nu am ales cumva conexiunea cu baz` comun`, [n care
sursa de semnal trebuie s` debiteze [ntregul curent comandat...
Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de c[mp (FET - field effect
transistors) controleaz` curentul [ntre canalul dintre terminalul de dren` ]i cel de surs` prin c[mpul electric
determinat de tensiunea aplicat` pe poart`. Or, cel pu\in [n principiu, pentru a men\ine un c[mp electric nu
avem nevoie de un curent care s` circule. Astfel,
avantajul esen\al al tranzistoarelor cu efect de c[mp este acela c` intensitatea curentului [n terminalul por\ii
este practic nul`.
Din acest motiv,
la tranzistoarele cu efect de c[mp, curentul [ntre terminalul de dren` ]i cel de surs` este controlat de tensiunea
dintre poart` ]i surs`.
Conduc\ia [ntre dren` ]i surs` are loc printr-o regiune limitat` a semiconductorului, numit` canal.
Exist` dou` tipuri constructive de tranzistoare cu efect de c[mp.
{n cazul tranzistoarelor JFET, [ntre poart` ]i canalul conductor exist` o jonc\iune semiconductoare invers
polarizat`; astfel, curentul de poart` are valori de ordinul zecilor de nanoamperi.
Curen\i de poart` de [nc` o mie de ori mai mici se ob\in [n cazul celuilalt tip de tranzistoare cu efect de c[mp.
La tranzistoarele MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) poarta este izolat` prin intermediul unui
strat de dioxid de siliciu ]i curentul de poart` este de ordinul zecilor de picoamperi.
Clasificarea tranzistoarelor cu efect de c[mp este complicat` suplimentar de un alt aspect constructiv.
Un tip de tranzistoare conduc p[n` c[nd face\i ceva care s` le mic]oreze curentul: sunt tranzistoarele care au
208 Electronic` - Manualul studentului
canal ini\ial (depletion mode [n englez`). Toate tranzistoarele JFET ]i anumite tranzistoare MOSFET
func\ioneaz` dup` acest principiu.
Tranzistoarele de cel`lalt tip sunt proiectate astfel [nc[t s` nu conduc` dec[t dac` aplica\i un c[mp care
s` "sape" un canal conductor. Sunt tranzistoarele care au canal indus (enhancement mode [n englez`).
Marea majoritate a tranzistoarelor MOSFET au canal indus.
Dac` mai \inem seama de felul de dopare
al canalului, care poate fi n sau p, am avea [n total FET
23 = 8 tipuri de tranzistoare cu efect de c[mp.
Dintre acestea, ]ase ar putea fi realizate, cinci sunt
chiar produse ]i numai patru sunt importante.
Arborele familiei de tranzistoare cu efect de c[mp JFET MOSFET
poate fi admirat [n Fig. 7.1. Din cauza jonc\iunii
por\ii care trebuie s` fie [ntodeauna invers
polarizat`, tranzistoarele JFET (cu poart` canal n canal p canal initial canal indus
jonc\iune) nu pot realizate dec[t cu canal ini\ial.
canal n
Tranzistoarele cu poart` izolat` pot avea oricare
dintre aceste tipuri de canale, dar cele cu canal canal n canal p
ini\ial nu au dec[t c[teva aplica\ii particulare, a]a c` Fig. 7.1. Clasificarea tranzistoarelor cu efect de
nu trebuie s` ne ocup`m dec[t de JFET cu canal c[mp.
ini\ial ]i MOSFET cu canal indus. Ambele
categorii pot avea fie canal n, fie canal p. Cum func\ionarea celor cu canal n este similar` cu a tranzistoarelor
bipolare NPN, ne vom focaliza aten\ia numai asupra acestora.
7.1. Tranzistoare MOSFET
D C
NEMOS
G
S
substrat
( B
E
)
MOSFET cu canal n bipolar NPN
D C
PEMOS
G
S
substrat
( B
E
)
MOSFET cu canal p bipolar PNP
(cu canal indus)
a) b) c)
Fig. 7.2. Tranzistoare MOSFET ]i tipurile bipolare similare acestora.

Tranzistoarele MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) sunt dipozitive
electronice cu trei terminale active: poarta G (de la gate - [n lb. englez`) , drena D ]i sursa D (Fig. 7.2 a).
{n plus, ele mai au un terminal, legat la substratul pe care a fost realizat tranzistorul, care trebuie men\inut la
cel mai cobor[t (sau ridicat, dup` tipul tranzistorului) poten\ial din circuit. Poarta este izolat` cu un strat de
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 209
oxid de siliciu, astfel [nc[t curentul de poart` este practic nul (put[nd ajunge chiar la 1 pA) iar curen\ii de
dren` ]i surs` sunt practic egali. Func\ionarea tranzistorului se bazeaz` pe controlul conductan\ei electrice
a canalului [ntre dren` ]i surs`, control efectuat prin tensiunea poart`-surs`.
Curentul de poart` este at[t de mic [nc[t condensatoarele realizate pe chip-ul de siliciu [n cazul
memoriilor ROM (read-only memory), ]i care nu au alt` cale de desc`rcare dec[t poarta tranzistoarelor
MOSFET cu care sunt "citite", []i p`streaz` sarcina electric` un timp care ajunge spre zece ani de zile.
A]a cum spuneam mai sus, dup` polaritatea lor exist` dou` tipuri de tranzistoare MOS: cu canal n
(NMOS) sau canal p (PMOS), iar dup` principiul de func\ionare avem tranzistoare cu canal indus (nu exist`
canal [nainte de aplicarea unei anumite tensiuni pe poart`) sau cu canal ini\ial (tensiunea aplicat` pe poart`
mic]oreaz` conductan\a canalului existent). Ar rezulta astfel patru tipuri de tranzistoare MOS. Cu o singur`
excep\ie (utilizat` la foarte [nalt` frecven\`), tranzistoarele MOS sunt realizate cu canal indus. Dintre
acestea, ca tranzistoare discrete sunt preferate cele NMOS, av[nd performan\e mai bune. Din acest motiv vom
discuta [n continuare numai despre tranzistoare NMOS cu canal indus. Modul lor de comand` (Fig. 7.3 a)
este similar cu acela al tranzistoarelor bipolar NPN. Pentru tranzistoarele NMOS cu canal indus se utilizeaz`
]i simbolurile speciale din Fig. 7.2 b) dar noi vom utiliza sistematic numai simbolurile din desenul a) al
figurii.
+ +
on ID
on D C +
D
substrat
I G =0
G B E + VDS
off G
off S S
VGS _
MOSFET cu canal n bipolar NPN
_
a) b)
Fig. 7.3. Modul de comand` al tranzistoarelor NMOS ]i al tranzistoarelor NPN (a) ]i conexiunea cu
sus` comun` (b).
Spuneam mai [nainte c`, [n afara terminalelor "active" (poarta, sursa ]i drena), tranzistoarele
MOSFET mai au un al patrulea terminal, legat la substratul pe care a fost construit tranzistorul. {ntre canal ]i
substrat exist` o jonc\iune semiconductoare, reprezentat` pe simboluri prin s`geata desenat` pe terminalul
substratului. Sensul s`ge\ii arat` sensul [n care aceast` jonc\iune conduce; jonc\iunea trebuie [ns` men\inut`
[ntodeauna invers polarizat`, altfel ar compromite func\ionarea tranzistorului. Pentru ca aceast` jonc\iune s`
fie blocat` [n orice moment,
pentru un tranzistor cu canal n substratul trebuie s` fie legat la cel mai cobor[t poten\ial din circuit.
Cea mai utilizat` conexiune este accea cu sursa comun` porturilor de intrare ]i ie]ire, echivalent` cu
conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig. 7.3 b). Cum sursa este legat` la poten\ialul cel
mai cobor[t, substratul a fost legat la surs`. {n aceast` conexiune, portul de intrare este [ntre poart` ]i surs` iar
portul de ie]ire este [ntre dren` ]i surs`.
Deoarece nu exist` curent de poart`, nu are sens s` vorbim despre caracteristica de intrare.
Vom studia, deci, numai caracteristica de transfer I D = f (VGS ) VDS = const. ]i cea de ie]ire
I D = f (VDS ) VGS = const.
Caracteristica de transfer
Pentru tensiuni VDS suficient de mari (vom vedea mai t[rziu c[t de mari) caracteristica de transfer
arat` ca [n Fig. 7.4 a). Cu tensiune nul` [ntre poart` si surs`, nu exist` curent de dren`; la aplicarea unei
tensiuni pozitive care dep`]e]te o anumit` valoare VT , numit` tensiune de prag (threshold [n englez`),
apare un canal indus, valoarea curentului fiind controlat` de tensiunea pe poart`.
Dac` tensiunea poart`-surs` VGS dep`]e]te tensinea de prag VT , curentul depinde parabolic de VGS .
I D = 0 pentru VGS < VT

(7.1)
I D = K (VGS − VT )2 pentru VGS ≥ VT
ID I D (mA) gm
16 g m (on)
I D(on) 14
la VGS (on)
la VGS (on) 12
10
8
6
4
2
0 0 0
0 0 2 4 6 8 10 0 VGS
VT VT
blocat deschis VGS (V)
2 I D(on)
g m (on) =
VGS (on) - VT
a) b) c)
Fig. 7.4. Caracteristica de transfer a unui tranzistor NMOS (a), limitele [mpr`stierii sale tehnologice
pentru tranzistorul 2N4351 (b) ]i dependen\a transconductan\ei de tensiunea VGS (c).
Trebuie remarcat c` parabola are minimul chiar pe axa orizontal`, la VGS = VT ]i I D = 0 ; a doua
ramur` a parabolei (pentru VGS < VT ) nu face parte din caracteristica de transfer ]i a fost desenat` punctat [n
figur`. Vom vedea c` diferen\a VGS − VT joac` un rol important [n rela\iile care descriu func\ionarea
tranzistorului MOSFET, a]a c` [i vom acorda o denumuire special`: comanda por\ii (gate drive [n limba
englez`). Peste tensiunea de prag, curentul are, deci, o dependen\` p`tratic` de comanda por\ii.
Tranzistorul este considerat "complet" deschis ([n starea ON) la o anumit` valoare a tensiunii VGS ,
uzual de 10 V, unde se define]te curentul I D( on ) .
Valoarea a curentului I D( on ) este dat` [n foile de catalog; de aici s-ar putea estima valoarea
parametrul K al tranzistorului
I D ( on )
K= (7.2)
eVGS (on) − VT j2
Din p`cate, at[t VT c[t ]i I D( on ) sunt puternic [mpr`]tiate tehnologic [n cadrul exemplarelor pe care
produc`torii le v[nd ca fiind de acela]i tip. De exemplu, pentru 2N4351 produs de Motorola, tensiunea de
prag este [n domeniul 1.5 - 5 V, iar I D( on ) [ntre 3 ]i 15 mA. Caracteristica de transfer are, astfel, o
[mpr`]tiere tehnologic` incomparabil mai mare dec[t la tranzistoarele bipolare; limitele acestei [mpr`]tieri,
pentru tranzistorul specificat, au fost desenate [n Fig. 7.4 b).
La varia\ii mici [n jurul unui punct de func\ionare, ac\iunea tranzistorului poate fi descris` prin
dID
transconductan\a gm = . Din rela\ia (7.1) rezult` c` transconductan\a este propor\ional` cu comanda
dVGS
por\ii
b g
g m = 2 K VGS − VT = 2 K I D (7.3)
a]a cum se vede [n graficul din Fig. 7.4 c); dac` dorim s-o exprim`m [n func\ie de curentul de dren`,
transconductan\a este propor\ional` cu radical din curentul de dren`.
Valoarea sa cu tranzistorul complet deschis este
2 I D ( on )
g m ( on ) = (7.4)
VGS ( on ) − VT
Pentru tranzistorul 2N4351, [n cel mai favorabil caz ( I D ( on ) = 15 mA ]i VT = 5 V ), ob\inem

g m = 6 mA V . Un tranzistor bipolar, operat tot la 15 mA, are transconductan\a
g m = 15 mA 25 mV = 600 mA V . {n concluzie
tranzistoarele cu efect de c[mp au transconductan\a cu 1-2 ordine de m`rime mai mic` dec[t cele bipolare.
Altfel spus, sensibilitatea controlului curentului este mult mai mic` la tranzistoarele FET.
Caracteristica de ie]ire
Dac` aplic`m pe poart` o tensiune mai mare dec[t tensiunea de prag (altfel tranzistorul ar fi blocat)
familia de caracteristici de ie]ire are forma din Fig. 7.5 . Fiecare din caracteristici prezint` dou` regiuni
distincte.
La valori VDS mici, curentul de dren` este aproximativ propor\ional cu tensiunea dren`-surs`:
tranzistorul se comport` ca un rezistor.
regiune de regiune de
ID rezistor sursa de curent (saturatie)
14
(mA) V GS -V T = 4 V
12
10
panta V GS -V T = 3 V curentul de saturatie
8
proportionala proportional cu
cu V GS -V T 6
V GS -V T = 2 V
4 ( V GS -V T ) 2
2 V GS -V T = 1 V
0
0 5 10 15 20
-2
-4 VDS (V)
Fig. 7.5. Caracteristici de ie]ire pentru tranzistorul MOSFET 2N3797.
Valoarea rezisten\ei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat` pe poart`; avem o regiune de
rezisten\` controlat`. Un rezistor adev`rat este [ns` un dispozitiv simetric: bornele sale pot fi inversate ]i
comportarea sa r`m[ne aceea]i. {n consecin\`, pentru a putea [nlocui un rezistor, tranzisorul ar trebui s`-]i
extind` comportarea liniar` a caracteristicii ]i la tensiuni negative. Pentru tensiuni dren` surs` mici [n valoare
absolut`, a]a se ]i [nt[mpl`, dup` cum se poate constata pe figur`.
{n aceast` regiune, curentul de dren` are expresia aproximativ`
b
ID ≅ 2K VGS − VT VDS g (7.5)
tranzistorul fiind echivalent cu un rezistor de rezisten\`
1
RDS =
b
2K VGS − VT g, (7.6)
controlat` de tensiunea aplicat` pe poart`. Cum parametrul K nu este dat explicit [n foile de catalog, este
mult mai util s` scriem rela\ia precedent` [n func\ie de rezisten\a RDS 0 ob\inut` la o valoare particular`
VGS 0 a tensiunii poart`-surs`
V − VT
RDS = RDS 0 GS 0
VGS − VT .. (7.7)
Cea mai mic` valoare a rezisten\ei se ob\ine c[nd tranzistorul este complet deschis; ea poate fi
exprimat` prin parametrul I D ( on ) ca
VGS ( on ) − VT
RDS ( on ) = . (7.8)
2 I D ( on )
{n foile de catalog este dat` valoarea sub care se g`se]te garantat aceast` rezisten\` (cel mai defavorabil caz).
{ntr-a doua regiune, tranzistorul se comport` cu totul altfel:
la valori VDS mari, curentul [nceteaz` practic s` mai depind` de tensiunea dren`-surs`, ie]irea comport[ndu-
se ca o surs` de curent controlat` de tensiunea de poart`..
Putem spune c` se observ` aici satura\ia curentului de dren` [n raport cu tensiunea dren`-surs`. Vom
evita [ns` acest mod de exprimare, pentru a pre[nt[mpina eventualele confuzii cu ceea ce se [n\elege prin
satura\ie la tranzistorul bipolar. {n regiunea de surs` de curent controlat`, este valabil` rela\ia (7.1) ]i aici am
ridicat caracteristica de transfer ]i am definit transconductan\a. Cu tranzistorul [n acest regim de
func\ionare se pot realiza amplificatoare (pentru c` I D nu este saturat [n raport cu m`rimea de intrare VGS
ci, din contr`, este controlat practic numai de aceasta).
Este foarte important s` cunoa]tem limita aproximativ` [ntre cele dou` regiuni de func\ionare. Astfel,
pentru o tensiune poart`-surs` fixat`, frontiera [ntre regiunea de rezistor controlat ]i aceea de surs` de
curent controlat` este la o valoare a tensinii dren`-surs` egal` cu comanda por\ii VDS limita = VGS − VT .
{n Fig. 7.5 aceast` frontier` a fost desenat` cu linie [ntrerupt`.

Compara\ia rela\iei (7.6) cu (7.3) arat` un lucru extrem de interesant:
aleg[nd o tensiune de poart`, rezisten\a din regiunea de rezisten\` controlat` este inversul transconductan\ei
din regiunea de satura\ie.
{mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`

Am v`zut c`, la tensiuni dren`-surs` mici, curentul de dren` variaz` aproximativ propor\ional cu
tensiunea dren`-surs`. De fapt, [n aceast` regiune, o rela\ie mai exact` este
b g
ID = 2K VGS − VT − VDS 2 VDS ; (7.9)
dac` VDS << VGS − VT , atunci al doilea termen din paranteza p`trat` poate fi neglijat ]i ob\inem
proportionalitatea amintit` mai sus.
Rela\ia anterioar` ne arat` calea prin care liniaritatea poate
fi [mbun`t`\it`: [n loc s` \inem constant` tensiunea VGS o facem s` VD = VDS
varieze ca VGS = const. + VDS 2 . Un circuit prin care putem s` 100 k
realiz`m acest truc este cel din Fig. 7.6. Exprim[nd prin teorema 100 k
Milman poten\ialul por\ii (aten\ie, nu exist` curent de poart`),
avem VGS = VG = V1 2 + VDS 2. {nlocuind acum [n rela\ia (7.9) V1 VG
termenul VDS 2 din parantez` dispare ]i ob\inem o rela\ie de
propor\ionalitate [ntre curent ]i tensiune f`r` s` mai fie nevoie s`
folosim aproxima\ia VDS << VGS − VT . Extinderea regiunii de
Fig. 7.6. Circuit pentru
liniaritate nu este [nsa prea mare, [ntruc[t [ns`]i rela\ia (7.9) []i [mbun`t`\irea liniarit`\ii in regiunea
[nceteaz` valabilitatea la tensiuni dren` surs` mari. de rezisten\` controlat`.
Aplica\ie: comutatorul analogic
De foarte multe ori trebuie s` [ntrerupem ]i apoi s` restabilim aplicarea unui semnal (tensiune
variabil` [n timp) la bornele unei sarcini. Curen\ii ]i puterile implicate sunt mici dar curentul este alternativ,
trebuind s` circule prin sarcin` [n ambele sensuri. Putem rezolva acest lucru cu un comutator mecanic, ca [n
Fig. 7.7 a). Dac` atunci c[nd contactul este f`cut comutatorul are rezisten\a Ron , pe sarcin` ajunge frac\iunea
Rs ( Rs + Ron ) din semnalul aplicat la intrare (regula divizorului rezistiv). {ntrerup[nd contactul,
comutatorul prezint` o rezisten\` Roff foarte mare, astfel [nc[t pe sarcin` tensiunea este practic nul`. De]i au
rezisten\a Ron extrem de mic`, comutatoarele mecanice sunt lente ]i nu pot fi comandate electronic dec[t
prin complicarea dispozitivului (releu electromagnetic).
Pentru aceast` aplica\ie nu putem folosi un tranzistor bipolar deoarece tensiunea [ntre colector ]i
emitor nu coboar` la zero fiind limitat` la tensiunea de satura\ie iar tranzistorul nu se comport` ca un rezistor
ohmic..
S` [ncerc`m acum cu un tranzistor MOS, care nu are jonc\iuni [ntre poart` ]i canal (Fig. 7.7.b).
Pentru a fixa ideile s` presupunem c` teniunea sursei de semnal evolueaz` [ntre -5 V ]i + 5 V iar rezisten\a de
sarcin` are valoarea Rs = 50 kΩ ; astfel, curentul prin sarcin` evolueaz` [ntre -0.1 mA ]i +0.1 mA. Drept
comutator utiliz`m un tranzistor NMOS de uz general, 3N170, care la tensiunea VGS on = 10 V ofer` o
rezisten\` dren`-surs` de 200 Ω ]i un curent I DS on = 10 mA . Pentru el, tensiunea de prag garantat` de
fabricant este de cel mult 2 V.
0 0 -10 V
0 0
D S
in out in out
G
Rs +10 V on Rs
-10 V off
control
a) b)
Fig. 7.7. Comutatoare analogice.
Leg`m substratul la un poten\ial mai cobor[t dec[t orice poten\ial din circuit, de exemplu -10 V ]i
aranj`m s` putem comuta poten\ialul por\ii [ntre - 10 V ]i +10 V. Cu poarta legat` la -10 V, poten\ialul
acesteia este [n orice moment mai cobor[t dec[t poten\ialele drenei ]i sursei, care pot fi aduse de c`tre sursa de
semnal numai p[n` la - 5V (Fig. 7.8 a). {n aceste condi\ii, tranzistorul este tot timpul blocat, rezisten\a [ntre
dren` ]i surs` av[nd valori imense, de ordinul GΩ. Rezult`, astfel, c` tensiunea care ajunge pe sarcin` este
practic nul`; de fapt, prin capacitatea parazit` existent` [ntre dren` ]i surs` o anumit` tensiune ajunge totu]i
pe sarcin`.
-10 V -10 V -10 V
in D S out in D S out in D S out

-5 V ÷ +5 V 0V -5V - 4.99 V +5 V + 4.95 V
G G G
Rs Rs Rs
-10 V +10 V +10 V
tranzistor blocat tranzistor deschis tranzistor deschis

a) b) c)
Fig. 7.8 a). Func\ionarea comutaturului cu tranzistor NMOS: tranzistorul blocat (a), tranzistorul [n conduc\ie
cu tensiunea de intrare -5 V (b) ]i tranzistorul [n conduc\ie cu tensiunea de intrare +5 V (c).
Leg`m acum poarta la poten\ialul de + 10 V. {n momentul [n care tensiunea semnalului ajunge la

-5 V, ca [n Fig. 7.8 b), avem o tensiune poart`-surs` de +15 V ]i putem conta pe o rezisten\` dren`-surs`,
conform rela\iei (7.6), de
10 - 2
200 Ω ⋅ = 120 Ω .
15 - 2
Cum rezisten\a de sarcin` are 50 kΩ., pe sarcin` ajunge "numai" 99.8 % din semnalul de intrare.
La cealalt` situa\ie extrem`, tensiunea semnalului este de +5 V ]i tensiunea poart` surs` scade la
+5 V, ca [n desenul c) al figurii. Acum, rezisten\a tranzistorului este de 530 Ω. ]i pe sarcin` ajunge 98.9 %
din semnalul de intrare. Vom avea, deci, o u]oar` distorsionare a semnalului, de aproape 0.9 %, datorit`
varia\iei rezisten\ei comutatorului. S` verific`m, [n final c` tranzistorul r`m[ne [n regiunea de rezisten\`
controlat`. Pentru aceasta avem nevoie de valoarea tensiunii dren`-surs`; este exact valoarea tensiunii care nu
ajunge pe sarcin`, adic` [ntre 0.2 % ]i 1.1 % din tensiunea semnalului, deci nu mai mult de 55 mV !
Tranzistorul este, cu siguran\`, [n regiunea de rezisten\a controlat`.
Dac` privim [nc` o dat` la desenele b) ]i c) ale figurii 7.8, constat`m c` drena ]i sursa []i inverseaz`
rolurile [ntre ele. De fapt,
la un tranzistor cu efect de c[mp, drena ]i sursa sunt echivalente la curent continuu ]i pot fi interschimbate;
ele difer` numai la curent alternativ drena av[nd o capacitate mai mic` fa\` de poart`.
Comutatorul prezentat mai sus are [ns` un dezavantaj major: tensiunea semnaului nu se poate apropia
prea mult de tensiunea de alimentare pozitiv`, altfel nu ar mai r`m[ne o tensiune suficient` pentru men\inerea
deschis` a tranzistorului. Solu\ia const` [n utilizarea unui comutator cu dou` tranzistoare MOS
complementare (CMOS -complementary MOS), adic` unul cu canal n ]i unul cu canal p, ca [n Fig. 7.9. Ca s`
bloc`m ambelor tranzistoare este suficient s` aducem la -5 V poarta tranzistorului NMOS ]i la +5 V poarta
tranzistorului PMOS. Pentru a comanda acest lucru de la un singur punct se utilizeaz` un inversor logic, care
ofer` la ie]ire sa nivelul continuu de -5 V c[nd intrarea sa este la +5 V ]i reciproc..
Atunci c[nd semnalul trebuie s` treac` prin comutator, poarta tranzistorului NMOS este men\inut` la
alimentarea pozitiv` iar poarta tranzistorului in
PMOS este adus` la alimentarea negativ`. Dac` (out)
semnalul se apropie de +5 V, tranzistorul NMOS
se blocheaz`, a]a cum ar`tam mai sus, dar se
deschide puternic tranzistorul PMOS. Din contr`,
+5 V on NMOS
D
+5 V S PMOS
c[nd semnalul se apropie de -5 V, situa\ia este
inversat` ]i tranzistorul NMOS este cel care -5 V off G
conduce. Dac` recitim observa\ia [n leg`tur` cu control G S -5 V D
schimbarea rolului [ntre dren` ]i surs`, [n\elegem
imediat de ce ]i intrarea ]i ie]irea din comutator out
(in)
pot fi schimbate [ntre ele la fel ca la un comutator
mecanic.
Comutatoare analogice CMOS sunt dispoibile ca circuite integrate. Astfel,inversor logic 4066 con\ine patru asemenea c
circuitul
Pentru aplica\ii profesionale, comutatoarele
AD7510 sau cele din seria 1H5140 ofer`, la o Fig. 7.9. Comutator analogic CMOS.
alimentare de 5 V, o rezisten\` sub 100 Ω,
varia\ia sa fiind redus` la un raport 1:1.25.
Observa\ie: {n circuitele cu tranzistoare FET se obi]nuie]te s` se noteze poten\ialul cel mai

ridicat al aliment`rii cu VDD iar poten\ialul cel mai cobor[t al aliment`rii cu VSS. Astfel, [n circuitul
din Fig. 7.9, VDD = +5 V ]i VSS = -5 V pentru c` avem o alimentare simetric` fa\` de mas`.
Circuitul func\ioneaz` [ns` ]i cu o singur` surs` de alimentare, adic` cu VDD = +10 V ]i VSS = 0 V.
{n aceea]i tehnologie CMOS se realizeaz` circuite integrate logice (digitale) [n care semnalul nu
poate avea dec[t dou` st`ri, starea HIGH (de poten\ial cobor[t) ]i starea LOW (de poten\ial cobor[t).
Circuitele digitale CMOS dep`]esc ca performan\e (vitez`, consum de putere mic, imunitate la zgomot, etc.)
circuitele digitale cu tranzistoare bipolare ]i le [nlocuiesc treptat [n aparatura proiectat` ast`zi.
P[n` [n 1970 tranzistoarele cu efect de c[mp realizate abia puteau comanda curen\i de c[teva zeci de
mA la tensiuni de zeci de vol\i. Apoi, o nou` tehnologie a permis realizarea tranzistoarelor MOS de putere
(cu nume depinz[nd de companie, VMOS, TMOS, HEXFET, etc.). Aceste noi tranzistoare sunt capabile s`
opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V ]i s` vehiculeze curen\i medii de p[n` la 70 A; pentru durate scurte,
ele pot conduce curen\i de p[n` la 280 A (curen\i de v[rf). Pentru acestea, rezisten\a [n starea ON a putut fi
cobor[t` p[n` pe la 0.010 Ω, astfel c` ele pot fi utilizate [n comutatoare de curen\i mari. {n plus, tranzistoarele
MOS de putere sunt mult mai stabile termic dec[t corespondentele lor bipolare, la acela]i tip de capsul`
put[nd opera la puteri disipate mai mari.
Efectul Miller
Deoarece poarta este izolat` fa\` de canal, curentul de
Valim
poart` este practic nul (ajung[nd chiar la pA). Acest lucru este
[ns` valabil numai [n regim de curent continuu, c[nd nici un Rs
Cgd
poten\ial ]i nici un curent nu mai variaz` [n timp. Dac` dorim
VD
s` modific`m starea tranzistorului, prin varia\ia tensiunii C1
poart`-surs`, va trebui neap`rat s` [nc`rc`m (sau s` desc`rc`m)
Rg VG
anumite capacit`\i parazite, deci prin poart` va circula un
curent ale c`rui valori nu sunt neglijabile. S` presupunem c` R1
dorim s` [nchidem ]i s` deschidem, cu frecven\a de 20 kHz, un ~ V1 Cgs
comutator de curent mare; poarta tranzistorului va trebui s`
evolueze [ntre zero ]i 10 V [ntr-un interval de timp de ordinul a
10 µs. Dac` utiliz`m un tranzistor de tipul IRL2203N produs
Fig.7.10. Capacit`\i parazite la un
de International Rectifier ( RDS on de 7 mΩ la 60 A), vom avea
comutator cu tranzistor MOS.
[ntre poart` ]i surs` o capacitate C gs de 3500 pF iar [ntre dren`
]i surs` o alt` capacitate, C gd , de 690 pF, a]a cum se vede [n Fig. 7.10.
La prima vedere s-ar p`rea c` trebuie s` [nc`rc`m numai capacitatea poart`-surs`. Dac` ar fi a]a,
curentul de [nc`rcare care trebuie trimis [n poart` ar fi
∆U 10 V
I=C = 3500 ⋅10 −12 F = 3.5 mA .
∆t 10µs
Exist` [ns` ]i o capacitate [ntre poart` ]i dren`. Dac` poten\ialul drenei ar r`m[ne constant, situa\ia ar
fi echivalent` cu aceea [n care aceast` capacitate ar fi legat` la mas` (Fig. 7.11 a): ea ar ap`rea [n paralel cu
capacitatea poart`-surs` ]i ar m`ri-o de la 3500 la 4190 pF. Din p`cate, [ns`, [n dren` este legat` sarcina ]i
poten\ialul drenei nu este constant. Dac` poarta sufer` o varia\ie de poten\ial ∆VG pozitiv`, curentul de
dren` cre]te cu g m ∆ VG ]i, [n consecin\`, dup` cum se observ` [n desenul b) al figurii, poten\ialul drenei
coboar`, av[nd o varia\ie ∆ VD = − g m Rs ∆ VG .. Cu alte cuvinte, ob\inem o amplificare a varia\iilor de

tensiune egal` cu
∆ VD
AV = = − g m Rs (7.8)
∆ VG
care la tranzistoarele cu efect de c[mp are valori de ordinul zecilor.
Cgd ∆ VG Cgd ∆ VG Cgd (1+g m R s ) ∆ VG

I= I= (1+g m R s ) I=
∆t ∆t ∆t
∆ VG
Cgd
∆ VG
Cgd
∆ VD ⇔ ∆ VG
Cgd (1+g m R s )
variatia variatia variatia

tensiunii pe ∆ VG tensiunii pe ∆ VG (1+g m R s ) tensiunii pe ∆ VG
condensator condensator condensator
a) b) c)
Fig. 7.11. Efectul Miller la un tranzistor MOS: cazul [n care drena are poten\ial constant (a), cazul
[n care poten\ialul drenei variaz` [n opozi\ie cu cel al por\ii (b) ]i echivalarea acestei situa\ii cu un
condensator legat la mas`.
Din acest motiv, varia\ia tensiunii pe condensator nu mai este egal` cu ∆VG ci este de 1+ g m Rs ori
mai mare; din acest motiv, la aceea]i varia\ie ∆VG , ]i curentul de [nc`rcare al condensatorului va fi de
1 + g m Rs mai mare. Lucrurile se [nt[mpl` ca ]i cum capacitatea poart`-dren` ar fi devenit de 1+ g m Rs
mai mare, a]a cum se vede [n Fig. 7.11 c)
Acest fenomen nu este specific circuitelor cu tranzistoare cu efect de c[mp. El apare ori de c[te ori o
capacitate este conectat` [ntre intrarea ]i ie]irea unui amplificator care are amplificare de tensiune AV
negativ` ]i este cunoscut ca efect Miller.
O capacitatea legat` [ntre intrarea ]i ie]irea unui amplificator de tensiune, cu amplificarea AV negativ`, este
v`zut` dinspre intrare ca fiind multiplicat` cu (1− AV )
b g
Cechiv = C ⋅ 1 − AV (7.9)
Acelea]i probleme se [nt[lnesc ]i la circuitele cu tranzistoare bipolare; [n cazul celor cu efect de c[mp
ele ne pot surprinde deoarece [n cazul lor la curent continuu curentul de poart` este nul ]i suntem tenta\i
s` extindem automat aceast` proprietate ]i pentru varia\ii.
Revenind la problema noastr` concret`, capacitatea de 690 pF va fi v`zut` dinspre poart` ca o
capacitate de ordinul a 7000 pF ! Ea va necesita pentru [nc`rcare un curent [n jur de 7 mA, ridic[nd la 10 mA
curentul de poart`.
Cum furniz`m acest curent de poart` ? Sursa de semnal care excit` poarta are o rezisten\` intern` Rg
(Fig. 7.10). La saltul ini\ial al tensiunii de la 0 la 10 V, pentru a ob\ine un curent de 10 mA ar trebui ca
rezisten\a intern` s` fie de 1 kΩ. Dar aceasta va fi numai valoarea ini\ial` a curentului. Odat` cu [nc`rcarea
capacit`\ii, poten\ialul por\iii cre]te spre 10 V ]i curentul disponibil, conform legii lui Ohm, scade. Pentru a
compensa acest efect, mic]or`m de zece ori rezisten\a intern` a sursei de semnal iar, dac` avem o rezisten\`
extern` ( R 1 [n Fig. 7.10) montat` [n serie cu poarta, o "scurtcircuit`m" cu un condensator de accelerare
C1 , care vor trimite un puls suplimentar de curent [n poart`.
Enun\uri frecvent utilizate

(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
- Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, unde controlul curentului de ie]ire se face prin
injec\ia unui curent, la tranzistoarele cu efect de c[mp (FET [n lb. englez`) controlul curentului de
ie]ire se face prin intermediul unui c[mp electric.
- Curentul controlat circul` printr-un canal [ntre dren` ]i surs`.
- C[mpul electric este produs prin aplicarea unei tensiuni [ntre terminalul por\ii (gate) ]i surs`;
avantajul esen\ial al tranzistoarelor cu efect de c[mp este c` au curentul de poart` cu mult mai mic
dec[t curentul de baz` de la tranzistoarele bipolare.
- La tranzistoarele cu poart` jonc\iune, [ntre poart` ]i canal exist` o jonc\iune
semiconductoare invers polarizat`; curentul de poart` este de ordinul nanoamperilor.
-Tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor (MOSFET) au poarta izolat` cu un strat
foarte sub\ire de dioxid de siliciu; curentul lor de poart` este extrem de mic, ajung[nd la picoamperi.
- Tranzistoarele cu efect de c[mp pot fi construite cu canal ini\ial (depletion mode) sau cu canal
indus (enhancement mode); pe de alt` parte, canalul poate fi de tip n sau de tip p.
- Tranzistoarele JFET se pot construi numai cu canal ini\ial, iar majoritatea tranzistoarelor
MOSFET au canal indus.
D
substrat
G S canal n
-Simbolurile generale pentru tranzistoarele MOSFET sunt ]i
D
substrat
G S canal p ; ele sunt utilizate ]i [n special pentru cele cu canal ini\ial.
-Pentru tranzistoarele MOSFET cu canal indus se mai utilizeaz` ]i simbolurile speciale
NEMOS PEMOS
]i .
- La tranzistoarele MOSFET cu canal n (NMOSFET), substratul trebuie legat la cel mai
cobor[t poten\ial din circuit pentru ca jonc\iunea [ntre el ]i substratul de tip n s` fie todeauna invers
polarizat`.
- Pentru apari\ia canalului conductor [ntre dren` ]i surs`, tensiunea poart` surs` trebuie s`
dep`seasc` o anumit` valoare, numit` tensiune de prag VT .
- Pentru tensiuni dren` surs` mari ]i valori ale tensiunii poart` surs` peste tensiunea de prag,
caracteristica de transfer ID = f(VGS ) este parabolic` I D = K (VGS − VT )2 .
VDS = cons.
- Transconductan\a gm = ∆ ID ∆VGS este propor\ional` cu comanda por\ii VGS − VT sau,
altfel spus, cu radical din curentul de dren`.
- Tranzistoarele cu efect de c[mp au transconductan\a cu 1-2 ordine de m`rime mai mic` dec[t
a celor bipolare.
- Caracteristicile de ie]ire ID = f(VDS ) prezint` dou` regiuni distincte: la valori
VGS = cons.
mici ale tensiuii VDS tranzistorul se comport` ca un rezistor cu valoarea controlat` de tensiunea
poart`-surs` iar la tensiuni VDS mari tranzistorul se comport` ca o surs` de curent controlat` de
tensiunea poart`-surs`.
-Frontiera [ntre cele dou` regiuni se g`se]te aproximativ la VDS = VGS − VT .
-{n regiunea de rezistor controlat, rezisten\a variaz` invers propor\ional cu comanda por\ii
VGS − VT .
- La aceea]i tensiune de poart`, rezisten\a din regiunea de rezistor controlat este inversul
transconductan\ei din regiunea de surs` de curent.
- Datorit` regiunii de rezistor, tranzistoarele MOSFET se pot utiliza ca ]i comutatoare
analogice; prin cuplarea a dou` tranzistoare complementare (NMOS ]i PMOS) se realizeaz` un
comutator analogic performant (CMOS) care este disponibil ca circuit integrat.
- Put[nd fi operate la tensiuni de ordinul a 1000 V ]i curen\i de zeci de amperi, tranzistoarele
MOS de putere ofer` rezisten\e RDS on de c[\iva mΩ; ele sunt utilizate ca ]i comutatoare de curen\i
mari sau [n amplificatoare de putere.
-Viteza de operare a comutatoarelor este limitat` de capacit`\ile parazite ale tranzistoarelor.
-O capacitatea legat` [ntre intrarea ]i ie]irea unui amplificator de tensiune, cu amplificarea
AV negativ`, este v`zut` dinspre intrare ca fiind multiplicat` cu (1− AV ) ; acesta este efectul Miller.
Termeni noi
-tranzistor cu efect de c[mp (FET) tranzistor la care curentul [ntre dren` ]i surs` este controlat de
m`rimea unui c[mp electric;
- canal regiune semiconductoare prin care circul` curentul [ntre dren` ]i
surs`;
-poart` (gate) terminalul de comand` al tranzistoarelor cu efet de c[mp; [ntre
poart` ]i surs` se aplic` tensiunea de comand`;
-tranzistor cu efect de c[mp tranzistor cu efect de c[mp la care poarta este o jonc\iune invers cu
poart` jonc\iune (JFET) polarizat`;
-tranzistor cu efect de c[mp tranzistor cu efect de c[mp la care poarta este izolat` fa\` de canal;
metal-oxid-semiconductor (MOSFET)
- substrat terminal legat la materialul semiconductor pe care a fost realizat
tranzistorul FET; [ntre substrat ]i canal exist` o jonc\iune
semiconductoare care trebuie s` fie tot timpul inver polarizat`; din
acest motiv substratul se leag` la cel mai cobor[t (ridicat)
poten\ial, dup` tipul canalului (n, respectiv, p);
-canal ini\ial (depletion mode) tip constructiv de FET pentru care tranzistorul conduce cu tensiune
de comand` nul`;
-canal indus (enhancement mode) tip constructiv de FET pentru care tranzistorul conduce dac`
tensiunea de comand` dep`]e]te o valoare de prag;
-tensiune de prag VT valoarea tensiunii peste care intr` [n conduc\ie tranzisoarele cu
canal indus;
-curent [n starea ON curentul de dren` la o anumit` tensiune VGS la care tranzistorul cu
canal indus este considerat complet deschis; se define]te [n
regiunea de sus` de curent (VDS mare);
-rezisten` [n starea ON rezisten\a dren` surs` la o anumit` tensiune VGS la care
tranzistorul cu canal indus este considerat complet deschis; se
define]te [n regiunea de rezisten\` controlat` (VDS mic`);
- comutator analogic dispozitiv prin intermediul c`ruia pe o sarcin` se poate aplica sau
nu un semnal de tensiune, [n general cu polaritate variabil`;
rezisten\a comutatorului trebuie s` fie c[t mai mic` [n starea ON ]i
c[t mai mare [n starea OFF;
-efect Miller efect care const` [n faptul c` o capacitate legat` [ntre intrarea ]i
ie]irea unui amplificator cu amplificarea de tensiune AV negativ` este v`zu`
dinspre intare multiplicat` cu (1 − AV ) ;
Probleme rezolvate
Problema 1. Inten\ion`m s` utiliz`m un tranzistor
+20 V
NMOS ca un amplificator de tensiune (FIg. 7.12). Pentru
RD
aceasta, trebuie s` stabilim un punct static de func\ionare cu
un curent de dren` de 2 mA ]i s` avem un poten\ial de R1
dren` aproximativ la jum`tatea tensiunii de alimentare.
C1 VD
Cunoa]tem, pentru tranzistor, tensiunea de prag VG
VT = 0.5 V ]i curentul [n starea on ID on = 10 mA
m`surat la VGS = 20 V. Trebuie s` alegem divizorul
~ V1 R2
rezistiv din poart` ]i rezisten\a din dren`.
Rezolvare Valoarea rezisten\ei de dren` o putem

7stabili de la [nceput. Alegem un poten\ial de 10 V [n dren` Fig. 7.12.
]i avem RD = (20 V - 10 V) 2 mA = 5 kΩ .
Din valoarea impus` pentru curentul de dren` am putea calcula tensiunea necesar` [ntre poart` ]i
b g2
surs`. Rela\ia pe care o avem este ID = K VGS − VT dar foaia de catalog nu furnizeaz` direct valoarea
parametrului K . Avem, [ns`, curentul ]i tensiunea pentru starea on
a
10 mA = K 20 V- 0.5 V 2 f
de unde deducem
K = 10 mA (19.5 V)2 = 0.026 mA V 2 .
Putem, acum, s` impunem curentul de dren` cerut
2 mA = 0.026
mA
V 2
b
⋅ VGS − 0.5 V g
2
]i s` calcul`m tensiunea poart` surs` necesar` VGS = 9.22 V.

Cum ob\inem aceast` tensiune de la divizorul rezistiv ? Curentul de poart` este nul, divizorul este
ne[nc`rcat ]i putem aplica regula de trei simpl`
R2 R1 = 9.22 V (20 V - 9.22 V) = 0.86 .
Mai r`m[ne s` stabilim valorile rezisten\elor. {n cazul tranzistoarelor cu efect de c[mp avem o foarte mare
libertate dar valori prea mici ar cere curen\i nejustificat de mari prin divizor iar rezisten\e de valori exagerat
de mari (peste 1 MΩ) nu sunt u]or disponibile. O alegere bun` este R2 = 860 kΩ ]i R1 = 1 MΩ .
Problema 2.
a) Tranzistoarele cu efect de c[mp au o mare [mpr`]tiere a parametrilor. Pentru tranzistorul din
problema anterioar` ne putem a]tepta la o tensiune de prag chiar de 2 V. Cu valorile de rezisten\e alese acolo,
recalcula\i punctul de func\ionare dac` VT = 2 V .
Rezolvare Curentul de dren` este propor\ional cu p`tratul comenzii por\ii VGS − VT . Aceast`
diferen\` se modifc` de la 9.22 V - 0.5 V =8.72 V la 9.22 V - 2 V = 7.22 V. Astfel, noul curent de dren` va fi
numai 0.686 din cel anterior, adic` 1.37 mA. Noul potetial de dren` va fi 20 V- 6.85 V=13.5 V [n loc de 10
V.
b) Nici curentul I D ( on ) nu este controlat tehnologic mai precis. Ne putem a]tepta ca acesta s` fie de
5 ori mai mic. Lua\i [n considera\ie ]i acest aspect la determinarea punctului de func\ionare.
Rezolvare Dac` I D ( on ) este de 5 ori mai mic, aceasta se [nt[mpl` din cauza parametrului K , care
este la r[ndul lui de 5 ori mai mic. Noul tranzistor, montat [n acela]i circuit proiectat de noi, va avea un curent
de dren` de numai 1.37 mA 5 = 0. 27 mA . {n aceste condi\ii, poten\ialul drenei va fi 20 V - 1.37 V= 18.6 V.
Iat` c`, de]i am proiectat cu grij` circuitul pentru a avea poten\ialul drenei la 10 V (jum`tatea aliment`rii),
datorit` [mpr`]tierii tehnologice a parametrilor el poate ajunge inacceptabil de aproape de poten\ialul
aliment`rii. Predictibilitatea punctului de fun\ionare este proast` la tranzistoarele FET; de multe ori
punctul de func\ionare se ajusteaz` [n func\ionare cu un rezistor reglabil.
Probleme propuse
P 7.1. Pentru un tranzistor NMOS cu canal indus, rezisten\a [n starea on RDS ( on ) = RDS VGS =10 V
este de 300 Ω iar tensiunea sa de prag este VT = 2 V . Care va fi rezisten\a [ntre dren` ]i surs` dac`
VGS = 4 V ?
P 7.2. {n condi\iile problemei precdente, la ce valoare a tensiunii dren` surs` [ncepe regiunea de
satura\ie ?
P 7.3. Pentru un tranzistor MOS cu tensiunea de prag VT = 3 V , curentul [n starea ON, definit la
VGS = 10 V , este de 5 mA . C[t este, [n aceste condi\ii
transconductan\a ? Dar dac` tensiunea de poart` se mic]oreaz` astfel ~
[nc[t curentul scade la 1 mA ? 330 Ω
P 7.4. La cap`tul unui divizor format dintr-un rezistor ]i
tranzistorul MOSFET, se aplic` un semnal alternativ cu amplitudinea
de 100 mV, ca [n Fig. 5. {ntre ce limite evolueaz` amplitudinea 100 k
semnalului la ie]ire, dac` poten\ialul por\ii este modificat [ntre 3 V ]i 100 k
10 V ? Tranzistorul are parametrii da\i [n problema P 7.1.
P 7.5. De ce nu a fost legat substratul la mas` ci la - 1 V ? + Vcontrol -1 V
-
P 7.6. Un tranzistor NMOS de putere este utilizat drept
comutaor ON-OFF pentru aprinderea unui bec cu valorile nominale
12 V ]i 5 A. Tranzistorul are rezisten\a RDS ( on ) sub 100 mΩ.
Fig. 7.13.
a) Determina\i tensiunea pierdut` pe tranzistor ]i puterea
disipat` pe acesta.
b) Un tranzistor bipolar de putere (2N3055), operat [n aceea]i gam` de curen\i, prezint` o tensiune de
satura\ie colector emitor de 3 V. Calcula\i ]i pentru el c`derea de tensiune ]i puterea disipat`.
c) Compara\i rezultatele anterioare ]i decide\i care tip de tranzistor este mai potrivit pentru aceast`
aplica\ie.
Lucrare experimental`
Experimentul 1. Caracteristica de transfer
mA
5k
Va1 D Va2 +
+
-
- 0 - 10 V
0 - 15 V G
100 k S
10 k V
voltmetru
electronic
Fig. 7.14. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.
Desena\i pe caiet circuitul din Fig. 7.14 ]i stabili\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru
aparatele de m`sur`. Realiza\i, apoi, circuitul.
Observa\ii:
-[n jurul tranzistorului au fost montate elemente de protec\ie ]i va trebui s` utiliza\i ca terminal de
poart` nodul de circuit marcat cu litera G
-substratul a fost legat deja la mas`
-rezistorul de 10 kΩ are rolul de a [mpiedica [nc`rcarea condensatorului poart` -substrat (care are
curen\i de scurgere extrem de mici) datorit` electricit`\ii statice.
Stabili\i VDS = 10 V iar scala miliampermetrului legat [n dren` pe 10 mA. Cre]te\i apoi tensiunea
pe poart` observ[nd deschiderea tranzistorului. Nota\i-v` tensiunea de prag. Ridica\i caracteristica
I D = f (VGS ) ob\in[nd 10 -12 puncte experimentale dup` deschiderea tranzistorului, p[n` la VGS = 10 V , ]i
desena\i-o [n scar` liniar`, cu tensiunea [ncep[nd de la 0 vol\i.
Pentru verificarea rela\iei p`tratice I D = f (VGS ), cel mai simplu este s` reprezent`m grafic
I D = f (VGS ) , pentru c` ar trebui s` ob\inem a linie dreapt`. Face\i acest lucru ]i formula\i o concluzie
asupra valabilit`\ii acestei rela\ii.
Relua\i determinarea tensiunii de prag ]i a caracteristicii, pentru o tensiune dren`-surs` de 15 V.
Desena\i-o [n scar` liniar`, pe acela]i grafic cu cea trasat` la VDS = 10 V . Cum afecteaz` tensiunea dren`-
surs` caracteristica de transfer ?
Determina\i transconductan\a din panta graficului caracteristicii de transfer, la VGS = 10 V (unde
I D = I DS ( on ) ) ]i la I D = 1 mA . La aceast` ultim` valoare a curentului, un tranzistor bipolar are o
transconductan\` de g m = 1 mA 25 mV = 40 mS . Cum este, fa\` de aceasta, transconductan\a
tranzistorului MOSFET ?
Experimentul 2. Caracteristica de ie]ire
Polariza\i poarta cu un volt peste tensiunea de prag, la VGS = VT +1 V . Ridica\i caracteristica de

ie]ire I D = f (VDS ) VGS = const. modific[nd tensiunea dren`-surs` [ntre zero ]i 10 vol\i. Repeta\i, apoi,
experimentul, pentru VGS = VT + 2 V ]i VGS = VT + 3 V . Desena\i cele trei caracteristici pe un singur
grafic, [n scar` liniar`. Marca\i pe fiecare din cele trei caracteristici punctul care are coordonata VDS egal` cu
valoarea VGS − VT corespunz`toare acelei caracteristici (datorit` alegerii tensiunilor de poart`, aceste valori
vor fi 1, 2 ]i, respectiv, 3 V).
A\i marcat pe fiecare caracteristic` punctul [n care VDS = VGS − VT . Pute\i trage o concluzie asupra
frontierei aproximative dintre regiunea de satura\ie ]i cea de rezisten\` controlat` ?
Experimentul 3. {mbun`t`\irea liniarit`\ii [n domeniul de rezisten\` controlat`
mA
5k 100 k
Va1 D Va2 +
+
V -
- 0 - 10 V
0 - 15 V G
100 k S
10 k V
voltmetru
electronic
Fig. 7.15.
Modifica\i circuitul pe care efectua\i experimentul pentru a realiza configura\ia din Fig. 7.15, leg[nd
[n poart` ]i rezisten\a de 100 kΩ conectat` la dren`. Relua\i trasarea caracteristicilor de ie]ire, la acelea]i
tensiuni de poart` ca [n experimentul precedent. Nu dep`]i\i valoarea de 10 mA (ve\i ridica numai regiunea
de rezisten\` controlat`). Aten\ie, stabilirea tensiunii de poart` se face de fiecare dat` cu VDS = 0, ea
modific[ndu-se apoi datorit` tensiunii dren` surs`.
Desena\i caracteristicile de ie]ire ]i compara\i-le cu cele ob\inute [n experimentul anterior pe circuitul
standard. Formula\i o concluzie.
Experimentul 4. Comutatorul analogic cu MOSFET

Ave\i pe plan]et` circuitul din Fig. 7. 16 a) . La borna A generatorul de semnal furnizeaz` o tensiune
alternativ` cu amplitudinea de 1 V, suprapus` peste un nivel continuu. Valoarea nivelului continuu poate fi
reglat` cu poten\iometrul Pot., a]a cum se poate vedea [n desenul b) al figurii. Tranzistorul NMOS este
montat ca un comutator analogic [ntre ie]irea generatorului de semnal ]i rezisten\a de sarcin`. Prin
intermediul comutatorului K pute\i lega poarta tranzistorului fie la alimentarea pozitiv`, fie la alimentarea
negativ`.
Alimenta\i plan]eta cu tensiune pozitiv` ]i tensiune negativ`, de la dou` surse. Vizualiza\i cu
osciloscopul forma semnalului la borna A (aten\ie, intrarea osciloscopului trebuie conectat` pe pozi\ia DC
pentru a putea vizualiza ]i componenta continu`). Roti\i poten\iometrului ]i verifica\i c` nivelul continuu al
semnalului se modific`, ca [n desenul b) al figurii.
alimentarea
plansetei
Pot. +5 V
-5 V
+
generator de A in D S out -
semnal GND
G Rs +
5k -
+5 V -5 V
sarcina
-5 V
K
a)
0 0
b)
Fig. 7.16. Comutator analogic cu tranzistor NMOS (a) ]i modificarea nivelului continuu al semnalului
produs` de rota\ia poten\iometrului (b).
Regla\i acum, cu poten\iometrul, nivelul continuu aproximativ la zero ]i stabili\i pozi\ia

comutatorului astfel [nc[t poarta s` fie la tensiune negativ`. Verifica\i dac` semnalul ajunge pe rezisten\a de
sarcin`. Formula\i o concluzie. Schimba\i pozi\ia comutatorului, leg[nd poarta tranzistorului la alimentarea
pozitiv`. Ajunge acum semnalul pe rezisten\a de sarcin` ? Cum este valoarea lui comparat` cu cea de la
intrare ? Efectua\i m`sur`tori mai precise ]i estima\i valoarea RDS on a tranzistorului.
P`str[nd sonda osciloscopului conectat` la sarcin`, modifica\i acum, din pozi\ia poten\iometrului,
nivelul continuu al semnalului. Urm`ri\i ce se [nt[mpl` cu semnalul c[nd acesta ajunge la poten\ialul
aliment`rii negative ]i. apoi, la cel al aliment`rii pozitive. Formula\i o concluzie.
Pe aceea]i plan]et` ave\i ]i un circuit integrat 4066 care con\ine patru comutatoare CMOS. {nlocui\i
comutatorul cu tranzistor NMOS cu unul CMOS con\inut [n circuitul integrat, ca [n Fig. 7.17. Trece\i
comutatorul [n starea ON ]i observa\i din nou ce se [nt[mpl` cu semnalul la ie]ire c[nd modifica\i nivelul sù
continuu. Formula\i o concluzie
out
Pot.
1 14 +5 V Rs
generator de in 5k
2 13 sarcina
semnal
3 12
4 11
5 10
6 9
-5 V 7 8
4066
+5 V
-5 V
K
Fig. 7.17.
Experimentul 5. Comutatorul MOSFET de curent mare
+12 V
reglajul factorului alimentarea
de umplere δ plansetei
bec cu
incandescenta
Pot. +12 V
D +
circuit de -
comanda GND
G
S
Ton
on
Ton
δ=
T
off
T t
Fig. 7.18. Comutator de putere.

Ve\i studia acum un comutator realizat cu un tranzistor NMOS de putere. Acesta este comandat astfel
[nc[t s` [ntreup` periodic curentul de alimentare al unui bec, cu o frecven\` de c[\iva kHz, a]a cum se vede [n
Fig. 7.18. Cu ajutorul poten\iometrului Pot. ve\i putea modifica factorul de umplere, adic` raportul dintre
durata de conduc\ie ]i perioad` δ = Ton T . Astfel, ve\i putea controla puterea medie pe care o prime]te
becul.
Desena\i-v` schema circuitului pe caiet ]i apoi alimenta\i plan]eta. Pentru c[teva pozi\ii ale
poten\iometrului, vizualiza\i cu un osciloscop evolu\ia tensiuii pe bec ]i desena\i forma de und` pe caiet.
Estima\i, de fiecare dat`, factorul de umplere. Cunosc[nd rezisten\a becului, determina\i ]i puterea pe care o
prime]te becul.
Concentra\i-v` acum asupra comutatorului. Determina\i valoarea tensiunii reziduale care cade pe
tranzistor ]i, din aceasta, rezisten\a sa [n starea ON.
7.2. Tranzistoare JFET
La tranzistoarele cu efect de c[mp cu poart` jonc\iune (JFET), [ntre poart` ]i canalul conductor exist`
o jonc\iune invers polarizat`. Tensiunea aplicat` [ntre poart` ]i surs` controleaz` conduc\ia [n canalul dintre
dren` ]i surs`. Deoarece jonc\iunea este invers polarizat`, curentul de poart` este mult mai mic dec[t curentul
de baz` de la tranzistoarele bipolare, av[nd valori de ordinul zecilor de nanoamperi.
Dac` la tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor (MOSFET) putem avea fie canal ini\ial, fie
canal indus, datorit` principiului de func\ionare,
D C
tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dec[t av[nd canal ini\ial.
Aceasta [nseamn` c` la tensiune nul` [ntre poart` ]i surs` VGS = 0 ,

G
S
( B
E
)
tranzistorul conduce [ntre dren` ]i surs`, urm[nd ca acest curent I D
s` fie mic]orat prin aplicarea unei tensiuni VGS care polarizeaz` JFET cu canal n
invers jonc\iunea por\ii.
D C
( )
Dup` tipul de dopare, exist` dou` tipuri de tranzistoare
JFET: cu canal de tip n (similare tranzistoarelor bipolare NPN) ]i cu G
B
canal p (similare tranzistoarelor bipolare PNP). Simbolurile lor sunt
S E
prezentate [n Fig. 7.19, al`turi de corespondentele lor bipolare.
S`geata arat` sensul direct al jonc\iunii; [n aplica\ii, jonc\iunea por\ii JFET cu canal p
trebuie todeauna polarizat` invers. Vom aborda [n continuare
Fig. 7.19. Tranzistoare JFET.]i
tranzistoarele JFET cu canal n, care sunt mai frecvent utilizate, ca ]i
coreespondentele lor bipolare.
corespondentele lor bipolare NPN. Modul de comand` al acestoa
este reprezentat [n Fig. 7.20 a)
+ +
ID
on VGS < 0 +
on D C D
tensiune I G =0
negativa !
+ V DS
G S B E G S
off
off VGS _
JFET cu canal n bipolar NPN _
a) b)
Fig. 7.20.
Cea mai utilizat` conexiune este accea cu sursa comun` porturilor de intrare ]i ie]ire, echivalent` cu
conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig. 7.20 b). {n acest caz, portul de intrare este [ntre
poart` ]i surs` iar portul de ie]ire este [ntre dren` ]i surs`. Deoarece nu exist` curent de poart`, nu are sens s`
vorbim despre caracteristica de intrare. Vom studia, deci, numai caracteristica de transfer
I D = f (VGS ) VDS = const. ]i cea de ie]ire I D = f (VDS ) VGS = const.
I D (A)
gm
25.0m
g m max
20.0m IDSS
n JFET
15.0m canal initial NMOS
canal indus
10.0m
5.0m
0
0.0
-3 -2 -1 0 1 VGS (V) 0 VGS
VP
VP VT
2 I DSS
g m max =
VP
a) b)
Fig. 7.21. Caracteristica de transfer pentru tranzistoare JFET]i MOSFET cu canal indus (a) ]i dependen\a
transconductan\ei de tensiunea VGS pentru JFET (b).
{n Fig. 7.21 a) am reprezentat caracteristica de transfer a unui tranzistor JFET (care are obligatoriu
canal ini\ial) [mpreun` cu aceea a unui tranzistor MOSFET cu canal indus. Se observ` faptul c` ele sunt
asem`n`toare, aceea a tranzistorului JFET fiind deplasat` pe axa tensiunilor spre valori negative.
La tranzistorul JFET, cu tensiune nul` [ntre poart` si surs` curentul de dren` nu este nul ]i valoarea
sa este un parametru important al tranzistorului, fiind notat cu IDSS.
Canalul existent ini\ial poate fi [nchis progresiv prin aplicarea unei tensiuni poart`-surs` negative.
C[nd valoarea ei ajunge la VP , numit` tensiune de blocare sau tìere (cutoff voltage sau pinch-off voltage
[n englez`), curentul de dren` devine nul. Pentru tensiuni VDS suficient de mari (vom vedea mai t[rziu c[t de
mari), curentul depinde parabolic de tensiunea poart`-surs` VGS
I D = 0 pentru VGS < VP

2
FVGS I
I D = I DSS G − 1Jpentru VGS ≥ VP
(7.10)
HVP K
S` compar`m rela\ia anterioar` cu aceea de la tranzistorul MOSFET I D = K (VGS − VT )2 . Par

diferite, dar dac` facem [nlocuirile
VP → VT
(7.11)
I DSS VP2 → K
observ`m c` avem, de fapt, exact aceea]i dependen\`. Formele sub care se utilizeaz` sunt diferite pentru c`
la JFET este comod s` folosim ca parametru curentul de dren` I DSS (definit la VGS = 0 ).
Din acest motiv, toate rela\iile de la sec\iunea precedent`, unde am abordat tranzistoarele MOSFET,
r`m[n valabile ]i pentru tranzistoarele JFET. Vor ap`rea pu\in diferite ca form` dar cu [nlocuirile (7.11) ele
devin identice.
Ca ]i la tranzistoarele MOSFET, parametrii tranzistoarelor sunt puternic [mpr`]tia\i tehnologic:
tensiunea de tìere poate avea o dispersie de 5V iar IDSS o varia\ie [n raportul 5 la 1. A]a cum am v`zut,
aceasta produce o slab` predictibilitate a punctului de func\ionare.
La varia\ii mici [n jurul unui punct de func\ionare, ac\iunea tranzistorului poate fi descris` prin
dID
transconductan\a gm = . Din rela\ia (7.10) rezult` c` aceasta este propor\ional` cu radicalul din
dVGS
curentul de dren`
I I DSS
g m = 2 DSS
VP2
V b
GS − V P = 2
VP
g ID . (7.12)
Dependen\a transconductan\ei de tensiunea VGS a fost reprezentat` [n Fig. 7.21 b); valoarea maxim` a
trasconductan\ei se ob\ine cu poarta legat` la surs`, c[nd VGS = 0 :
I
g m max = 2 DSS . (7.13)
VP
ID
(mA) regiune de regiune de
10.0 rezistor sursa de curent (saturatie)
V GS = 0 V V GS -VP = 3 V
panta 8.0
proportionala V GS -VP = 2.5 V
6.0 V GS = -0.5 V curentul de saturatie
cu V GS -V P
proportional cu
4.0
V GS = -1.0 V V GS -VP = 2 V ( V GS -V P ) 2
2.0 V GS -VP = 1.5 V
V GS = -1.5 V
0.0
0 5 10 15 20
-2.0 V DS (V)
-4.0
Fig. 7.22. Caracteristici de ie]ire pentru tranzistorul JFET.

Dac` aplic`m pe poart` o tensiune mai mare dec[t tensiunea de prag, familia de caracteristici de
ie]ire are forma din Fig. 7.22. Fiecare din caracteristici prezint` dou` regiuni distincte.
La valori VDS mici, curentul de dren` este aproximativ propor\ional cu tensiunea dren`-surs`,
tranzistorul comport[nd-se ca un rezistor.
Valoarea rezisten\ei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat` pe poart`; avem o regiune de
rezisten\` controlat`. Pentru tensiuni dren` surs` mici [n valoare absolut`, aceast` regiune se continu` ]i la
tensiuni dren`-surs` negativ`.
{n aceast` regiune, dependen\a curentului de surs` poate fi aproximat` prin
I
I D ≅ 2 DSS
VP2
b
VGS − VP VDS ; g (7.14)
tranzistorul are o comportare de rezistor, cu rezisten\a
VP2
RDS = (7.15)
b
2 I DSS VGS − VP g
controlat` de tensiunea aplicat` pe poart`. Valoarea minim` a acestei rezisten\e se ob\ine c[nd poarta este
legat` la surs` ]i VGS = 0 . {n aceste condi\ii,
VP
RDS min = (7.16)
2 I DSS
{ntr-a doua regiune, tranzistorul are o comportare complet diferit`:
la valori VDS mari, curentul [nceteaz` practic s` mai depind` de tensiunea dren`-surs`, ie]irea
comport[ndu-se ca o surs` de curent controlat` de tensiunea de poart`..
{n regiunea de surs` de curent controlat`, este valabil` rela\ia (7.10) ]i aici am ridicat caracteristica de
transfer ]i am definit transconductan\a. Cu tranzistorul [n acest regim de func\ionare se pot realiza
amplificatoare (pentru c` I D nu este saturat [n raport cu m`rimea de intrare VGS ci, din contr`, este
controlat practic numai de aceasta).
Compara\ia rela\iei (7.16) cu (7.12) arat` un lucru extrem de interesant: aleg[nd o tensiune de poart`,
rezisten\a din regiunea de rezisten\` controlat` este inversul transconductan\ei din regiunea de satura\ie.
Este util s` cunoa]tem o limit` aproximativ` [ntre aceste dou` regiuni. Astfel,
pentru o tensiune poart`-surs` fixat`, frontiera [ntre regiunea de rezistor controlat ]i aceea de surs` de
curent controlat` este la o valoare a tensinii dren`-surs` egal` cu comanda por\ii VDS limita = VGS − VP .
{n Fig. 7.5 aceast` frontier` a fost desenat` cu linie [ntrerupt`.
{mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`

{n regiunea de rezisten\a controlat`, dependen\a mai exact` a curentului de dren` este dat` de rela\ia
I
I D = 2 DSS
VP2
b g
VGS − VP − VDS 2 VDS ; (7.17)
Din analizaa acesteia rezult` c` liniaritatea poate fi [mbun`t`\it` dac` tensiunea de poart`, [n loc s`
fie \inut` constant`, variaz` dup` legea VGS = const. + VDS 2 . Acest lucru [l realizeaz` circuitul din Fig.
7.23. Exprim[nd prin teorema Milman poten\ialul por\ii, avem VD = VDS

VGS = VG = V1 2 + VDS 2. {nlocuind acum [n rela\ia (7.17)
100 k
termenul VDS 2 din parantez` dispare ]i ob\inem o rela\ie de
100 k
propor\ionalitate [ntre curent ]i tensiune
V1 VG
b
ID = 2K V1 2 − VT VDS ; g (7.18) (negativa)
astfel, rezult` o comportare de rezistor f`r` s` mai fie nevoie s`

folosim aproxima\ia VDS << VGS − VP . Extinderea regiunii de Fig. 7.23. Circuit pentru
liniaritate nu este [nsa prea mare, [ntruc[t [ns`]i rela\ia (7.17) este o [mbun`t`\irea liniarit`\ii in
aproxima\ie care []i [nceteaz` valabilitatea la tensiuni dren` surs` regiunea de rezisten\` controlat`.
mari.
Sursa de curent cu JFET

Cel mai simplu circuit cu JFET este cel din Fig. 7.24 a): leg`m poarta la surs` ]i am ob\inut o surs`
de curent (de fapt, un "absorbant" de curent). Acest lucru este evident pe caracteristica de ie]ire trasat` la
VGS = 0 , adic` cu poarta ]i sursa [n scurtcircuit (desenul c). Singurul lucru de care trebuie s` avem gri` este
ca tensiunea dren`-surs`, cobor[nd, s` nu se apropie de valoarea ( 0 − VP ) = VP de unde tranzistorul [ncepe
s` semene cu o rezisten\`.
+V DD
ID
ID nu este
sarcina ID perfect constant
I DSS
I DSS
punct de VGS = 0 V
functionare
0
VP 0 VGS VDS
a) b) c)
Fig. 7.24. Surs` de curent cu JFET.
Circuitul precedent este simplu, dar prezint` dou` dezavantaje. {n primul r[nd, valoarea curentului
sursei nu poate fi programat` de c`tre proiectant, fiind egal` cu I DSS (desenul b). }i cum acest parametru are
o [mpr`]tiere tehnologic` mare (ajung[nd chiar la 1:5)... Exist` [ns` asemenea circuite, gata selectate de
produc`tor dup` valorile lui I DSS ]i v[ndute ca surse de curent. Totu]i, [n aplica\ii este nevoie uneori s`
ajust`m fin valoarea sursei de curent. Un al doilea dezavantaj al circuitului este acela c` intensitatea
curentului de dren` nu este perfect constant`, cresc[nd u]or cu tensiunea VDS : sursa de curent nu este una
ideal`.
O rezolvare comun` pentru aceste dezavantaje poate fi g`sit` dac` ne amintim c` o problem`
asem`n`toare am [nt[lnit la tranzistoarele bipolare c[nd men\ineam VBE constant. Solu\ia era s` intercal`m o
rezisten\` [n circuitul emitorului ]i aceasta este rezolvarea (par\ial`) ]i a dezavantajelor amintite mai sus.
Ajungem, astfel, la sursa de curent perfec\ionat` din Fig. 7.25 a).
Pentru determinarea punctului de func\ionare putem [ncerca s` rezolv`m ni]te ecua\ii (sunt de gradul
doi ]i le putem rezolva prin radicali) sau putem apela la o metod` grafic` (desenul b). Una din ecua\ii este
chiar caracteristica de transfer I D = f (VGS ) V = const. iar cealalt` este VGS = 0 − I D RS = − I D RS .
DS
Aceasta din urm`, scris` sub foma I D = − VGS RD are ca reprezentare grafic` o dreapt` de pant` negativ`
ce trece prin origine. La intersec\ia celor dou` curbe se g`se]te punctul de func\ionare dorit.
Observa\ie: Dac` am fi rezolvat sistemul de ecua\ii am fi g`sit dou` solu\ii; cea cu valoare mai
mare pentru I D corespunde ramurii din dreapta a parabolei, care nu face parte din caracteristic`, ]i
trebuie ignorat`.
ID
+V DD
la VDS2
ID
sarcina
solutie falsa ∆ ID la VDS1
ID
punct de I DSS M
functionare
VS Q
+
dreapta de ∆ ID
Rs sarcina cu
- P
panta -1 R s
0 0
VGS = - I D R S VP 0 VGS VP 0 VGS
a) b) c)
Dac` modific`m valoarea rezisten\ei din dren`, se modific` ]i panta "dreptei de sarcin`" ]i putem,
astfel, ajusta valoarea sursei de curent [ntre zero ]i I DSS . Introducerea rezisten\ei RS [mbun`t`\e]te ]i
comportarea sursei de curent, a]a cum se poate constata [n Fig. 7.25 c). Aici am trasat caracteristica de
transfer pentru dou` valori diferite ale tensiunii dren` surs`. Dac` sursa ar fi legat` direct la mas` ( RS = 0 )
dreapta de sarcin` ar fi vertical` ]i punctul de func\ionare s-ar deplasa la modificarea lui VDS , din M [n N. {n
cazul introducerii rezisten\ei Rs , modificarea punctului de func\ionare are loc din pozi\ia P [n pozi\ia Q. Este
clar c` varia\ia curentului I D este mai mic` dec[t [n prima situa\ie ]i este cu at[t mai mic` cu c[t dreapta de
sarcin` se apropie de orizontal`, adic` cu c[t rezisten\a Rs cre]te.
Cre]terea rezisten\ei din dren` apropie func\ionarea sursei de curent de cea ideal`.
Repetorul pe surs` (source follower [n limba englez`)

Introducerea rezisten\ei Rs ne-a permis s` aducem tranzistorul [n punctul de func\ionare dorit f`r` s`
fie nevoie de utilizarea unei surse negative pentru polarizarea por\ii. Acest truc poart` numele de negativare
automat` ]i a fost inventat pe vremea tuburilor electronice. Acela]i circuit poate fi utilizat ]i pentru a
[ndeplini o cu totul alt` func\ie (Fig. 7.26 a) . Conect`m drena direct la alimentarea pozitiv`, desfacem poarta
de la mas` ]i o leg`m la o tensiune de intrare Vin variabil` ]i noul circuit este gata. Ca s` [n\elegem
func\ionarea sa, revenim la metoda dreptei de sarcin` (desenul b). Acum [ns`, expresia lui VGS are forma
VGS = Vin − I D Rs , care conduce la
V V
I D = in − GS . (7.19)
Rs Rs
Dreapta de sarcin` are [n continuare panta −1 Rs dar nu mai trece prin origine ci intersecteaz` axa orizontal`
la coordonata Vin .
S` urm`rim ce se [nt[mpl` dac` tensiunea de intrare Vin sufer` varia\ii [n jurul valorii zero. Dreapta
de sarcin` se deplaseaz` paralel cu ea [ns`]i, fiind translatat` pe orizontal` cu ∆Vin . Dac` dreapta de sarcin`
are panta ([n modul) mult mai mic` dec[t caracteristica de transfer
1 Rs << g m ⇔ Rs >> 1 g m ) (7.20)
varia\iile tensiunii poart`-surs` sunt mult mai mici dec[t acelea ale tensiunii de intrare
∆ VGS << ∆ Vin ⇒ ∆ VS = ∆ Vin − ∆ VGS ≅ ∆ Vin . (7.21)
+V DD ID
I DSS
Vout
VS = Vout ∆ VGS
VGS
+ + out VGS ≅ const.
Vin - Rs
- Vin
0
VP 0 VGS t
VGS = Vin - I D R S ∆V in
V in
a) b) c)
Fig. 7.26. Repetorul pe surs`.
{n aceste condi\ii, varia\iile tensiunii de intrare se reg`sesc (pu\in

+V DD
atenuate) ca varia\ii ale poten\ialului sursei, a]a cum se observ` [n desenul T1
c, unde am desenat evolu\iile [n timp ale celor dou` poten\iale; am ob\inut VG1
un circuit repetor. Avantajul lui esen\ial este c` intensitatea curentului VS1
absorbit de la sursa de semnal este extrem de mic` (zeci de nA la frecven\` +
nul` ]i determinat` de capacitatea de intrare la frecven\e mari). Vin + R ID R
- -
Putem chiar s` calcul`m c[t de bine sunt repetate varia\iile de T2 Vout
tensiune. Dac` presupunem c` vari\iile lui Vin sunt suficient de mici astfel VD2
VG2
[nc[t ∆I D I D << 1, putem exprima varia\ia ∆ I D a curentului de dren` cu
VS2
ajutorul transconductan\ei calculate [n acel punct de func\ionare +
b g
∆ I D = g m ⋅ ∆ VGS = g m ∆ Vin − ∆ Vout . Pe de alt` parte, varia\ia R ID R
-
tensiunii de ie]ire este dat` de legea lui Ohm ∆ Vout = Rs ∆ I D . Din cele -V SS
dou` rela\ii rezult` amplificarea repetorului
Fig. 7.27. Repetor
perfec\ionat.
∆ Vout 1
AV = = , (7.22)
∆ Vin 1 + 1 ( g m Rs )
[ntodeauna subunitar`.
De]i varia\iile lor sunt aproximativ egale, [ntre poten\ialul ie]irii ]i cel al intr`rii exist` un decalaj
(offset [n limba englez`), poten\ialul ie]irii fiind mai ridicat cu VGS < VP dec[t cel al intr`rii.
Pentru [ndeplinirea mai bun` a condi\iei (7.20), o solu\ie elegant` este intercalarea [n circuitul sursei
tranzistorului a unei surse de curent (pe care tocmai am studiat-o); astfel, dreapta de sarcin` devine
orizontal`. Pentru a nu avea probleme cu complian\a sursei de curent a trebuit s` utiliz`m o alimentare
diferen\ial` (dou` surse de alimentare, una pozitiv` fa\` de mas` ]i una negativ`).
Dac` tranzistoarele sunt identice (acelea]i valori pentru VP ]i I DSS ) ]i mut`m borna de ie]ire [n
drena lui T2, se mai [nt[mpl` un miracol: dispare decalajul dintre poten\ialele intr`rii ]i ie]irii.
Acest lucru poate fi explicat [n modul urm`tor. Ambele tranzistoare func\ioneaz` la acela]i curent de
dren` ]i, deci, vor avea obligatoriu aceea]i valoare a tensiunii VGS poart`-surs`. Pe de alt` parte, cele dou`
rezistoare sunt egale ]i sunt parcurse de acela]i curent. Pentru c`, la tranzistorul T2, VG 2 − I D R = 0 , acela]i
lucru se va [nt[mpla ]i a tranzistorul T1, adic` poten\ialul Vout va fi egal cu poten\ialul Vin . {n realitate,
chiar dac` tranzistoarele sunt bine [mperecheate, fiind realizate pe acela]i "chip" de siliciu, o mc` valoare a
decalajului r`m[ne.
Atenuatorul controlat
Am folosit de multe ori un divizor rezistiv pentru a produce o tensiune continu` de valoare
convenabil`. Acela]i dispozitiv poate fi utilizat, [ns`, ]i ca atenuator, pentru a aplica pe o rezisten\` de
sarcin` un semnal de tensiune de amplitudine mai mic` dec[t cel produs de generator (Fig. 7.28 a). O
aplica\ie standard este poten\iometrul de volum cu care regla\i intensitatea semnalului sonor la un
amplificator audio.
0 0
in in in
R1
R1 10 k
R1 0 10 k 0
out
1M
out VCONTR out VCONTR
R2
( ≤ 0) ( ≤ 0) 1 M
a) b) c)
Fig. 7.28. Atenuator cu divizor rezistiv (a) ]i atenuator cu tranzistor JFET (b).
Dezavantajul poten\iometrului este c` atenuarea sa nu poate fi controlat` dec[t mecanic; dac` am dori
s-o control`m electronic, ne-ar trebui un motora] care s` roteasc` axul poten\iometrului. Tranzistoarele cu
efect de c[mp, datorit` regiunii lor de rezisten\` controlat`, permit realizarea unor atenuatoare controlate de
o tensiune electric`. Tot ce avem de f`cut este s` [nlocuim rezisten\a R2 a divizorului cu tranzistorul FET ]i
s` control`m tensiunea sa poart`-surs` (desenul b al figurii). La valoarea nul` a tensiunii de control,
tranzistorul prezint` o rezisten\` de valoare minim`, egal`, conform rela\iei (7.16), cu VP ( 2 I DSS ) . {n
aceste condi\ii, [ntre amplitudinile semnalelor de intrare ]i ie]ire avem rela\ia
vout RDS VP
= = . (7.23)
vin RDS + R1 VP + 2 I DSS R1
Pe de alt` parte, c[nd tensiunea de control, negativ`, ajunge la −VP tranzistorul este blocat ]i pe
sarcin` ajunge [ntregul semnal de intrare. La frecven\e mari se produce, totu]i, o atenuare datorit` capacit`\ii
tranzistorului.
Pentru a apropia ]i mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui rezistor, se poate utiliza
adunarea, peste tensiunea de control, a cantit`\ii VDS 2 ca [n Fig. 7.28 c), a]a cum am discutat mai [nainte.
Chiar ]i cu acest truc, amplitudinea semnalului nu poate fi mai mare de c[teva zecimi de volt, altfel acesta va
fi distorsionat de dependen\a neliniar` I D = f (VDS ) .
Enun\uri frecvent utilizate

(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
-Tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dec[t av[nd canal ini\ial.

-Simbolurile utilizate pentru tranzistoarele JFEt sunt ]i ; tot ce urmeaz` se refer` la
tranzistoare JFET cu canal n.
- Jonc\iunea poart`-surs` trebuie s` fie invers polarizat`; astfel, la tranzistoarele JFET av[nd
canal de tip n, tensiunea poart`-surs` trebuie s` fie negativ`.
- La tensiune poart`-surs` nul` VGS = 0 exist` un curent de poart`. La VDS mari se define]te
curentul I DSS pentru VGS = 0 .
-Cu [nlocuirile VP → VT ]i I DSS VP2 → K , real\iile de la JFET sunt identice cu cele de la
MOSFET.
- Negativarea por\ii fa\` de surs` mic]oreaz` curentul de dren`, la VGS = VP acesta devenind
nul.
- Pentru tensiuni dren` surs` mari ]i valori ale tensiunii poart` surs` peste tensiunea VP (de
blocare) , caracteristica de transfer ID = f(VGS )
VDS = cons.
b
este parabolic` I D = I DSS VGS VP −1 . g2
- Transconductan\a gm = ∆ ID ∆VGS este propor\ional` cu comanda por\ii VGS − VP sau,
altfel spus, cu radical din curentul de dren`.
- Caracteristicile de ie]ire ID = f(VDS ) prezint` dou` regiuni distincte: la valori
VGS = cons.
mici ale tensiuii VDS tranzistorul se comport` ca un rezistor cu valoarea controlat` de tensiunea
poart`-surs` iar la tensiuni VDS mari tranzistorul se comport` ca o surs` de curent controlat` de
tensiunea poart`-surs`.
-Frontiera [ntre cele dou` regiuni se g`se]te aproximativ la VDS = VGS − VP .
-{n regiunea de rezistor controlat, rezisten\a variaz` invers propor\ional cu comanda por\ii
VGS − VP .
- La aceea]i tensiune de poart`, rezisten\a din regiunea de rezistor controlat este inversul
transconductan\ei din regiunea de surs` de curent.
- Datorit` regiunii de rezistor, tranzistoarele JFET se pot utiliza [n atenuatoare controlate de o
tensiune electric`.
-{n regiunea de surs` de curent controlat`, tranzistoarele JFET sunt utilizate ca surse de
curent sau repetoare pe surs`.
Avantajele generice ale tranzistoarelor cu efect de c[mp sunt:
-curentul de poart` extrem de mic [n regim de curent continuu (p[n` la 1 pA !);

-la tensiuni dren`-surse mici ele se comport` ca ni]te rezistoare controlate, put[nd fi utilizate ca
]i comutatoare analogice sau atenuatoare comandate;
-tranzistoarele MOS de putere ajung la rezisten\e [n starea ON de c[\iva mΩ;
-tranzistoarele MOS de putere pot manipula curen\i de zeci de amperi ]i tensiuni de ordinul
kilovol\ilor;
-sunt mai stabile cu temperatura (vom reveni asupra acestui subiect [n capitolul urm`tor).
Termeni noi
-tensiune de blocare (strangulare) valoarea tensiunii poart`-surs` care, polariz[nd invers jonc\iunea
poart`-canal, produce anularea curentului de dren` (blocarea
tranzistorului);
-repetor pe surs` (source follower) circuit cu drena legat` la un poten\ial constant [n care varia\iile
poten\ialulului sursei sunt aproximativ egale ([ntodeauna mai
mici) cu varia\iile poten\ialului por\ii; [ntre cele dou` poten\iale
exist` un decalaj, aproximativ constant;
-atenuator controlat circuit similar unui divizor rezistiv [n care rezistorul legat la mas`
este [nlocuit cu un tranzistor cu efect de c[mp, operat [n regiunea
de rezisten\` controlat`, a c`rui rezisten\` RDS este controlat` prin
poten\ialul por\ii;
Problem` rezolvat`
Avem la dispozi\ie un tranzistor JFET care are canal n ]i ai c`rui parametrii au fost determina\i:
experimental: VP = - 4V ]i I DSS = 15 mA .
a) Ne propunem, mai [nt[i, s` proiect`m o surs` de curent care s` absoarb` spre mas` 2 mA..
b) Cu aceast` sus` de curent vom [mbun`t`\i performan\ele unui repetor pe surs`, realizat cu un
tranzistor identic. Va trebui s` alegem tensiunile de alimentare ]i s` stabilim [n ce domeniu poate evolua
tensiunea de intrare.
Rezolvare
a) Schema sursei de curent este cea din Fig. 7.29; va trebui s` determin`m valoarea 2 mA
necesar` pentru rezisten\a Rs . Avem la dispozi\ie ecua\ia caracteristicii de transfer a
tranzistorului
2 mA = 15 mA
F
GVGS I2
− 1J;
VS
H−4 V K Rs
de aici putem ob\ine valoarea necesar` pentru tensiunea VGS
Fig. 7.29.
VGS = -4 V ⋅ d2 15 + 1i= -1.46 V .
Aceast` tensiune este produs` prin c`derea de tensiune pe rezisten\a Rs ; de aici rezult` imediat valoarea
acestei rezisten\e
1.46 V
Rs = = 730 Ω .
2 mA
b) Schema repetorului perfec\ionat este aceea prezentat` [n Fig.

7.27. O relu`m (Fig. 7.30), utiliz[nd sursa de curent gata proiectat` ]i \in[nd +15 V
seama c` cele dou` rezisten\e trebuie s` fie egale. Trecem pe schem` T1
tensiunile poart` surs` ]i c`derile de tensiune pe rezisten\e, alegem valorile
tensiunilor de alimentare ]i acum putem s` spunem [ntre ce valori poate -
1.46 V +
evolua tensiunea de intrare. Sursa tranzistorului T2 este men\inut` la -15 +
+ 730 Ω 1.46 V
V+1.46 V=-13.5 V. Pentru el, regiunea de rezisten\` controlat` (care trebuie Vin - -
evitat`) [ncepe la VDS = VGS − VP = -1.46 - (-4 V) = 2.54 V . {n T2 Vout
concluzie, drena sa ar putea cobor[ p[n` la -13.5+2.54=-11 V. Cum nu exist`
decalaj [ntre intrare ]i ie]ire, tragem concluzia c` poten\ialul intr`rii nu -
1.46 V
trebuie s` coboare aproape de -11 V. + +
730 Ω 1.46 V
Tranzistorul T1 lucreaz` [n acela]i punct de func\ionare; din acest -
motiv, sursa sa nu trebuie s` urce la mai pu\in de 2.54 V de poten\ialul
-15 V
aliment`rii pozitive, adic` la +12.4 V. Cum poten\ialul intr`rii este cu -1.46
V mai cobor[t dec[t poten\ialul sursei, rezult` c` poten\ialul intr`rii nu Fig. 7.30.
trebuie s` urce aproape de +11 V.
Probleme propuse
P 7.2.1. Un tranzistor JFET ce are canal n are I D (mA)
caracteristica de transfer din Fig. 7.31. 15
a) Determina\i I DSS ]i VP .
b) {n jurul c`rui punct de func\ionare are tranzistorul
transconductan\a g m de valoare maxm` ]i care este aceast` 10
valoare ? {n ce regiune de func\ionare trebuie s` se g`seasc`
tranzistorul ]i c[t trebuie s` fie VDS ?
5
c) La ce tensiune VGS are tranzistorul rezisten\a RDS de
valoare minim` ]i care este aceast` valoare ? {n ce regiune de
func\ionare trebuie s` se g`seasc` tranzistorul ]i c[t trebuie s` fie 0
VDS ? -3 -2 -1 0
VGS (V)
P 7.2.2. Calcula\i punctul
+ 15 V static de func\ionare al circuitului din Fig. 7.31.
Fig. 7.32, dac` tranzistorul are
1.5 k caracteristica de transfer din Fig. 7.31 (utiliza\i metoda dreptei de sarcin`).
P 7.2.3. Un tranzistor JFET are parametrii (m`sura\i) I DSS = 3 mA ]i
VP = - 4 V . Determina\i ce rezisten\` trebuie s` mont`m [n circuitul sursei,
pentru a ob\ine un curent I D = 1 mA .
P 7.2.4 Dup` ce a\i calculat ]i montat rezisten\a, a\i luat, din gre]eal` un
1M 240 Ω alt exemplar din cutia cu tranzistoare. Acesta are parametrii I DSS = 15 mA ]i
VP = - 1 V . Ce valoare va avea curenul de dren` [n locul celei impuse de 1 mA
?
P 7.2.5. Circuitul de la problema P 7.2.3
Fig. 7.32. este utilizat ca repetor pe surs` (Fig. 7.33), +V DD
tensiunea de intrare av[nd varia\ii mici.
a) Calcula\i decalajul [ntre tensiunea de intrare ]i cea de ie]ire.
b) Determina\i amplificarea repetorului.
P 7.2.6. Tensiunea de intrarea a repetorului din problema precedent` VS = Vout
a crescut at[t de mult [nc[t tensiunea VGS a ajuns aproape zero. VGS
out
a) C[t este valoarea tensiunii de intrare la care se [nt[mpl` acest lucru Vin +- Rs
?
b) Recalcula\i amplificarea repetorului pentru varia\ii mici [n jurul
acestui nou punct de func\ionare.
c) Compara\i cele dou` amplific`ri ]i trage\i o concluzie asupra Fig. 7.33.
distorsiunilor produse de repetor dac` tensiunea de intrare are o excursie prea
mare.
P 7.2.7. Circuitul din Fig. 7.34 este un repetor perfec\ionat, care are montat` [n surs` o surs` de
curent. Presupun[nd ambele tranzistoare identice, cu I DSS = 5 mA ]i VP = - 2 V , determina\i valoarea
necesar` pentru cele dou` rezisten\e (identice). C[t va fi decalajul dintre tensiunea de ie]ire ]i cea de intrare ?
P 7.2.8. {ntre ce limite poate varia tensiunea de intrare cu condi\ia ca nici unul din tranzistoare s` nu
ajung` [n regiunea de rezisten\` controlat` (revede\i problema rezolvat`) ?
V DD P 7.2.9. At[t [n problema precedent` c[t ]i [n cea rezolvat`, calculul

+15 V domeniului maxim admis pentru tensiunea de intrare a fost f`cut de la
T1
[nceput numeric. Din aceast` cauz`, am sc`pat un rezultat interesant.
Relua\i calculul p`str[nd tensiunea VP ca variabil` literal` (simbolic`) ]i
[ncerca\i s` ar`ta\i c` limitele acestui domeniu sunt +VDD − VP ]i
+ R −VSS + VP .
Vin -
Vout P 7.2.10. La atenuatorul controlat
T2
din Fig. tensiunea de control poate fi
modificat` [ntre zero ]i o valoare negativ`, in
mai mare [n valoare absolut` dec[t
R VP = -3 V . }tiind, [n plus, c` tranzistorul 10 k
are I DSS = 10 mA , calcula\i [ntre ce
VSS limite poate fi controlat` atenuarea, definit` V out
-15 V CONTR
ca vin vout . {ntre ce limite aproximative
Fig. 7.34. trebuie s` evolueze poten\ialul intr`rii ( ≤ 0)
pentru ca tranzistorul s` se comporte ca o
rezisten\` ?
Fig. 7.35.
Lucrare experimental`
Experimentul 1. Caracteristica de transfer
mA
10 k
Va1 D Va2 +
- 1M G
+ -
0 - 10 V
0 - 15 V
S
5k V
Fig. 7.36. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.
Desena\i pe caiet circuitul din Fig. 7.36 ]i stabili\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru
aparatele de m`sur`. Divizorul rezistiv este utilizat pentru a putea controla mai fin tensiunea de poart` din
butonul de reglaj al sursei Va1 . Voltmetrul nu a fost legat chiar [n poart` pentru a nu fi neap`rat necesar ca el
s` fie electronic (justifica\i de ce !).
Realiza\i circuitul. {ncepe\i experimentul, determin[nd curentul I DSS definit la VGS = 0 . Pentru a fi
siguri c` ave\i o tensiune poart`-surs` nul` (unele surse de alimentare nu coboar` exact la zero) desface\i
firele care merg la sursa Va1 ]i lega\i-le [n scurtcircuit. Comuta\i miliampermetrul legat [n dren` pe scala de
30 mA ]i stabili\i VDS = 10 V. Nota\i-v` valoarea acestui paramteru al tranzistorului.
Desface\i acum scurtcircuitul ]i conecta\i sursa de alimentare Va1 (aten\ie la polaritate, ea trebuie s`
fie negativ` fa\` de mas`). Cre]te\i ([n valoare absolut`) tensiunea pe poart` observ[nd [nchiderea progresiv`
a tranzistorului. Nota\i-v` tensiunea de prag, la care curentul de dren` devine nul.
Ridica\i caracteristica I D = f (VGS ) ob\in[nd 10 -12 puncte experimentale, ]i desena\i-o [n scar`
liniar` (graficul va fi [n cadranul doi). Pentru verificarea rela\iei p`tratice I D = f (VGS ), cel mai simplu este
s` reprezent`m grafic I D = f (VGS ) , pentru c` ar trebui s` ob\inem a linie dreapt`. Face\i acest lucru ]i
formula\i o concluzie asupra valabilit`\ii acestei rela\ii.
Relua\i determinarea tensiunii de prag ]i a caracteristicii, pentru o tensiune dren`-surs` de 15 V.
Desena\i-o [n scar` liniar`, pe acela]i grafic cu cea trasat` la VDS = 10 V . Cum afecteaz` tensiunea dren`-
surs` caracteristica de transfer ? Este important` valoarea VDS atunci c[nd se d` parametrul I DSS ?
Determina\i transconductan\a din panta graficului caracteristicii de transfer, la VGS = 0 V ]i la
I D = 1 mA . La aceast` ultim` valoare a curentului, un tranzistor bipolar are o transconductan\` de
g m = 1 mA 25 mV = 40 mS . Cum este, fa\` de aceasta, transconductan\a tranzistorului JFET ?
Experimentul 2. Caracteristica de ie]ire
Polariza\i poarta la VGS = VP + 0.2 V . Ridica\i caracteristica de ie]ire I D = f (VDS ) VGS = const.
modific[nd tensiunea dren`-surs` [ntre zero ]i 10 vol\i. Repeta\i, apoi, experimentul, pentru
VGS = VT + 0.4 V ]i VGS = VT + 0. 6 V . Desena\i cele trei caracteristici pe un singur grafic, [n scar`
liniar`. Marca\i pe fiecare din cele trei caracteristici punctul care are coordonata VDS egal` cu valoarea
VGS − VP corespunz`toare acelei caracteristici. Pute\i trage o concluzie asupra frontierei aproximative dintre
regiunea de satura\ie ]i cea de rezisten\` controlat` ?
Experimentul 3. Repetorul pe surs`
Ve\i utiliza acum un repetor pe surs` cu JFET [ntr-o aplica\ie tipic`: urm`rirea evolu\iei [n timp a
unui poten\ial, absorbind un curent c[t mai mic din acel nod pentru a nu perturba starea circuitului. Vom
investiga desc`rcarea unui condensator de 1 µF (Fig. 7.37 a). La ap`sarea butonului B, condensatorul se
[ncarc` rapid prin rezisten\a de 1 kΩ la tensiunea de 5 V. {ncet[nd ap`sarea butonului, condensatorul r`m[ne
izolat de restul circuitului ]i se va dec`rca extrem de [ncet prin rezisten\a "de pierderi" a dielectricului, pe cae
am figurat-o cu linie puncatat`. Am dori s` vizualiz`m cu osciloscopul acest proces de desc`rcare. Pentru
aceasta, trebuie s` conect`m [n punctul M sonda osciloscopului iar masa sa la masa circuitului.
+10 V +10 V +10 V
sonda
B B
osciloscopului
1k M 1k M in
+5 V +5 V out
1 µF 1 µF
Rs
a) b)
Fig. 7.37. Vizualizarea dec`rc`rii unui condensator.

Amplificatorul de intrare al osciloscopului va extrage, [ns`, curent din condensator. Rezisten\a
echivalent` a intr`rii amplificatorului este notat` pe carcasa osciloscopului : 1 MΩ. Din acest motiv, [n
momentul ini\ial, curentul absorbit a fi Iini = 5 V 1 MΩ = 5 µA . Datorit` acestui curent, tensiunea pe
condensator va [ncepe s` scad` cu o vitez` ini\ial`
∆ V ∆ t = I ini C = 5µA 1 µF = 5 V s ,
vitez` care va deveni din ce [n ce mai mic`, pe m`sur` ce condensatorul se descarc`.

Alimenta\i plan]eta, cupla\i sonda osciloscopului la condensator ]i [ncerca\i s` estima\i viteza ini\ial`
de varia\ie a tensiunii, ap`s[nd ]i relax[nd butonul de [nc`rcare. M`sura\i apoi timpul necesar desc`rc`rii
(considera\i c` s-a desc`rcat c[nd tensiunea coboar` sub o zecime din valoarea ini\ial`).
Pentru a ]ti dac` sonda perturb` semnificativ desc`rcarea condensatorului, relua\i experimentul, dar
cu o procedur` modificat`. Desface\i sonda de la condensator, [nc`rca\i-l ]i apoi l`sa\i-l s` se descarce
"singur" (f`r` sond`) un timp de c[teva zeci de secunde. Apoi conecta\i sonda ]i nota\i-v` valoarea ini\ial` a
tensiunii. Aminiti\i-va c` [n experimentul precedent, [n acest interval de timp, condensatorul s-ar fi descarcat
aproape complet prin rezisten\a de intrare a osciloscopului.
A venit momentul s` utiliz`m repetorul cu JFET. Conecta\i sonda la ie]irea sa (sursa tranzistorului)
iar intrarea (poarta) conecta\i-o la condensator, ca [n desenul b) al figurii. Ap`sa\i butonul de [nc`rcare, care
face ca tensiunea pe condensator s` devin` 5 V. F`r` s` [nceta\i ap`sarea butonului, m`sura\i tensiunea pe
care o arat` osciloscopul la ie]irea repetorului. Nota\i-v` valoarea sa. De ce este mai mare dec[t tensiunea
dec[t 5 V ? Ridica\i degetul de pe buton ]i urm`ri\i desc`rcarea condensatorului. Repeta\i experimentul ]i
[ncerca\i s` estima\i viteza de varia\ie a tensiunii. De aici, utiliz[nd formula precdent`, estima\i curentul de
desc`rcare al condensatorului. Ce pute\i spune despre m`rimea curentului de poart` ?
Experimentul 4. Atenuatorul controlat ]i modula\ia de amplitudine
Ave\i pe plan]et` un atenuator controlat, cu schema din Fig. 7.38. Alimenta\i plan]eta ]i apoi
determina\i cu osciloscopul frecven\a ]i amplitudinea (v[rf la v[rf) a semnalului produs de generatorul de
semnal, care este aplicat la intrarea atenuatorului. Lega\i poarta tranzistorului la poten\iometru, muta\i sonda
osciloscopului la ie]ire ]i urm`ri\i modificarea amplitudinii, atunci c[nd varia\i tensiunea de control a
atenuatorului, cu ajutorul poten\iometrului.
alimentarea
plansetei
+10 V
+
generator de in -
semnal GND
1
10 k +
out -
-10 V
-10 V
1M
1M
Pot.
VCONTR
Fig. 7.38.
Determina\i [ntre ce limite se modifc` atenuarea (raportul [ntre amplitudinile de la intrare ]i ie]ire) ]i
calcula\i, de aici, rezisten\a minim` a tranzistorului.
Modificarea atenu`rii o putea\i face ]i prin montarea unei rezisten\e reglabile [n locul tranzistorului.
Atenuatorul cu tranzistor v` permite, [n plus, controlul electronic (prin varia\ia unei tensiuni) al atenu`rii. Pe
aceea]i plan]et` mai ave\i un generator de semnal, cu frecven\` mult mai cobor[t` ]i form` de und` aproape
triunghiular`. Desface\i poarta tranzistorului de la poten\iometru ]i lega\i-o la ie]irea acestui generator de
semnal, ca [n Fig. 7.39. De data aceasta, generatorul de semnal 2 va face ce a\i fi f`cut dumneavoastr` dac`
a\i fi modificat mereu [nainte ]i [napoi pozi\ia poten\iometrului: amplitudinea semnalului de la ie]ire se va
modifica periodic [n timp.
Vizualiza\i cu osciloscopul semnalul dat de generatorul 2 ]i desena\i-l pe caiet. Muta\i, apoi, sonda
osciloscopului la ie]irea atenuatorului ]i observa\i ce se [nt[mpl`. Formula\i o concluzie.
Se spune c` semnalul de la intrare a fost modulat [n amplitudine de c`tre semnalul produs de
generatorul 2, de frecven\` mult mai mic`. Modula\ia [n amplitudine (prescurat MA [n român` ]i AM [n
englez`) st` la baza transmiterii radiofonice [n benzile de unde lungi, medii ]i scurte. Acolo, un semnal
sinusoidal, de frecven\` ajung[nd p[n` la c[\iva MHz, numit purt`toare (carrier [n englez`) este mdulat [n
amplitudine de c`tre semnalul sonor care variaz` mult mai lent, av[nd compnente doar p[n` la 20 kHz.
Motivul este acela c` oscila\iile electromagnetice de frecven\e mari pot fi mult mai u]or transmise ]i
recep\ionate dec[t cele de frecven\e mici.
La recep\ie, trebuie efecuat` operatia invers`, demodula\ia de amplitudine. Un circuit simplu care
realizeaz` aceast` func\ie este cel prezentat [n figur`. Conecta\i-l la ie]iea atenuatorului ]i verifica\i c` el
reface aproximativ semnalul produs de generatorul 2.
generator de in
semnal
1
10 k
out D (germaniu)
1M
1M 100k
generator de 10 nF
semnal
2
demodulator MA
Fig.7.39.

Teorie Mosfet Cap7

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Teorie Mosfet Cap7

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul

Tranzistoare cu efect de c[mp

Din acest motiv,

7.1. Tranzistoare MOSFET

Fig. 7.2. Tranzistoare MOSFET ]i tipurile bipolare similare acestora.

I D = 0 pentru VGS < VT

transconductan\a este propor\ional` cu radical din curentul de dren`.

Valoarea sa cu tranzistorul complet deschis este

Pentru tranzistorul 2N4351, [n cel mai favorabil caz ( I D ( on ) = 15 mA ]i VT = 5 V ), ob\inem

Fig. 7.5. Caracteristici de ie]ire pentru tranzistorul MOSFET 2N3797.

tranzistorul fiind echivalent cu un rezistor de rezisten\`

{n Fig. 7.5 aceast` frontier` a fost desenat` cu linie [ntrerupt`.

{mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`

in D S out in D S out in D S out

tranzistor blocat tranzistor deschis tranzistor deschis

Leg`m acum poarta la poten\ialul de + 10 V. {n momentul [n care tensiunea semnalului ajunge la

Observa\ie: {n circuitele cu tranzistoare FET se obi]nuie]te s` se noteze poten\ialul cel mai

coboar`, av[nd o varia\ie ∆ VD = − g m Rs ∆ VG .. Cu alte cuvinte, ob\inem o amplificare a varia\iilor de

care la tranzistoarele cu efect de c[mp are valori de ordinul zecilor.

Cgd ∆ VG Cgd ∆ VG Cgd (1+g m R s ) ∆ VG

variatia variatia variatia

Enun\uri frecvent utilizate

Rezolvare Valoarea rezisten\ei de dren` o putem

Putem, acum, s` impunem curentul de dren` cerut

]i s` calcul`m tensiunea poart` surs` necesar` VGS = 9.22 V.

R2 R1 = 9.22 V (20 V - 9.22 V) = 0.86 .

Fig. 7.14. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.

Experimentul 2. Caracteristica de ie]ire

Polariza\i poarta cu un volt peste tensiunea de prag, la VGS = VT +1 V . Ridica\i caracteristica de

Experimentul 3. {mbun`t`\irea liniarit`\ii [n domeniul de rezisten\` controlat`

Experimentul 4. Comutatorul analogic cu MOSFET

Regla\i acum, cu poten\iometrul, nivelul continuu aproximativ la zero ]i stabili\i pozi\ia

Experimentul 5. Comutatorul MOSFET de curent mare

Fig. 7.18. Comutator de putere.

7.2. Tranzistoare JFET

Aceasta [nseamn` c` la tensiune nul` [ntre poart` ]i surs` VGS = 0 ,

JFET cu canal n bipolar NPN _

I D = 0 pentru VGS < VP

S` compar`m rela\ia anterioar` cu aceea de la tranzistorul MOSFET I D = K (VGS − VT )2 . Par

Fig. 7.22. Caracteristici de ie]ire pentru tranzistorul JFET.

{n aceast` regiune, dependen\a curentului de surs` poate fi aproximat` prin

tranzistorul are o comportare de rezistor, cu rezisten\a

{ntr-a doua regiune, tranzistorul are o comportare complet diferit`:

{n Fig. 7.5 aceast` frontier` a fost desenat` cu linie [ntrerupt`.

{mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`

7.23. Exprim[nd prin teorema Milman poten\ialul por\ii, avem VD = VDS

astfel, rezult` o comportare de rezistor f`r` s` mai fie nevoie s`

Sursa de curent cu JFET

Fig. 7.24. Surs` de curent cu JFET.

VGS = - I D R S VP 0 VGS VP 0 VGS

Repetorul pe surs` (source follower [n limba englez`)

1 Rs << g m ⇔ Rs >> 1 g m ) (7.20)

∆ VGS << ∆ Vin ⇒ ∆ VS = ∆ Vin − ∆ VGS ≅ ∆ Vin . (7.21)

Fig. 7.26. Repetorul pe surs`.

{n aceste condi\ii, varia\iile tensiunii de intrare se reg`sesc (pu\in

Enun\uri frecvent utilizate

-Tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dec[t av[nd canal ini\ial.

Avantajele generice ale tranzistoarelor cu efect de c[mp sunt:

-curentul de poart` extrem de mic [n regim de curent continuu (p[n` la 1 pA !);

de aici putem ob\ine valoarea necesar` pentru tensiunea VGS

b) Schema repetorului perfec\ionat este aceea prezentat` [n Fig.

V DD P 7.2.9. At[t [n problema precedent` c[t ]i [n cea rezolvat`, calculul

Fig. 7.36. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.