Circuitele rezonante de adaptare din ARFP

Generalităţi. Funcţiile circuitelor de adaptare

ZG = RG +jXG

ZS =RS +jXS
1 circuit
sursa de rezonant de
semnal 2 adaptare

a)

RSn − jXG
ZG RG

RG +jXG 1 1
ZSn RSn
2 2

b) c)
Locul circuitului de adaptare a sarcinii în ARFP
(a) şi schemele echivalente raportate la sursă (b, c)

La ieşirea fiecărui amplificator de RF de putere de bandă îngustă, există un circuit

rezonant şi o sarcină, care poate fi impedanţa de intrare a următorului etaj ‑ în cazul
etajelor intermediare sau impedanţa antenei sau a conexiunii (feeder-ului) de antenă −
în cazul etajului final.
 Circuitul rezonant plasat între dispozitivul activ − generator (sursă) şi
sarcină, îndeplineşte următoarele funcţii esenţiale:

1. Realizează adaptarea sarcinii la generator, adică transformă impedanţa de sarcină

(ZS = RS + jXS, cu XS > 0 sau XS < 0) într-o impedanţă de sarcină echivalentă necesară
ZSn, văzută de dispozitivul activ, astfel încât:

componenta activă (RSn) are valoarea optimă, necesară pentru transferul puterii
cerute cu randament mare şi

asigură compensarea componentei reactive a impedanţei de ieşire a

generatorului, astfel ca sarcina văzută de dispozitiv să fie pur activă.

2. Asigură atenuarea (filtrarea) armonicelor nedorite din semnalul furnizat de

ARFP, astfel încât puterea disipată de acestea pe sarcină să nu depăşească limitele
admise.
Circuitele rezonante de adaptare trebuie să satisfacă şi următoarele cerinţe:

1. Să aibă caracteristicile de fază şi de amplitudine ale funcţiei de transfer

constante, într-o bandă de frecvenţă suficient de largă pentru a permite trecerea, cu
distorsiuni sub valorile impuse, a întregului spectru al semnalului util, care poate fi
modulat sau cu mai multe purtătoare.

2. Să fie uşor acordabile în gama frecvenţelor de lucru şi să permită reacordarea

când caracteristicile sarcinii se modifică.

3. Să aibă pierderi de putere neglijabile, adică eficienţă mare la transferul puterii.

4. Pe lângă acestea, se impun condiţii de realizabilitate, dimensiuni rezonabile,

fiabilitate mare, cost redus etc.
În practică este de obicei imposibilă îndeplinirea optimă a tuturor cerinţelor; în
funcţie de locul circuitului în lanţul de prelucrare a semnalului, unele cerinţe sunt
mai importante şi trebuie realizate cu prioritate.

În etajele de semnal mic, atenuarea componentelor spectrale nedorite şi mai ales

transferul unei puteri maxim posibile sunt cerinţe mai importante decât realizarea
unui randament mare, deoarece toate aceste etaje împreună au un consum
neglijabil faţă de etajul final.

În etajele de putere intermediare (cu dispozitivul activ în regim neliniar),

transferarea puterii maxim posibile este cerinţa esenţială.

În etajul final, randamentul mare, atenuarea armonicelor, constanţa caracteristicii

de transfer în bandă şi acordabilitatea sunt, toate, cerinţe esenţiale, fapt care
complică mult proiectarea şi realizarea circuitelor de adaptare.
 Componente pasive utilizate în circuitele rezonante ale ARFP

a. În JF, MF şi IF, se folosesc bobine şi condensatoare de putere, capabile să suporte

tensiuni de RF mari şi să disipeze puteri mari. Puterea disipată sub formă de căldură
pe condensatoare sau bobine (cu U, I tensiunea şi curentul eficace de RF) este:
Pd  UI tan   UI Q
Este necesar ca Q-ul propriu al bobinelor să fie cât mai mare iar tgδ al
condensatoarelor să fie cât mai mic. Pentru evacuarea căldurii Pd, componentele
trebuie să aibă suprafeţe de răcire mari iar montajele să permită circulaţia liberă a
aerului.
Condensatoarele de RF de putere utilizate în prezent, sunt cu dielectric ceramic (tubulare, pentru o
bună răcire), cu gaz (azot uscat la presiune puţin peste o atmosferă) sau cu vid (puţin folosite în
prezent); ultimele două tipuri se utilizează pentru tensiuni de RF foarte mari (peste 10kV).
Condensatoarele variabile sunt ceramice, cu vid sau cu azot. În cazul celor ceramice, capacitatea
se modifică prin deplasarea armăturii interioare care este un cilindru filetat. În cazul celor cu vid
sau azot, armătura mobilă este în incinta ermetizată şi acţionarea se face din exterior, magnetic.
Bobinele de RF de putere sunt fără miez magnetic (evitarea saturării miezului nu este posibilă),
cilindrice, cu bobinaj într‑un singur strat, cu spire distanţate; mai rar sunt utilizate bobinaje
spirale, plane. Se folosesc conductoare din cupru, cu secţiune dreptunghiulară (curbate pe latura
mică pentru Q mare) la bobine de putere mică şi medie sau rotunde, eventual tubulare cu
diametre mari (6 ‑ 12mm) la bobinle de putere mare şi foarte mare. Carcasele sunt din bare
ceramice, dar deseori bobinele sunt fără carcase.
Inductanţa bobinelor se modifică prin deplasarea unui contact mobil, alunecător pe conductorul
bobinajului; de obicei se roteşte bobinajul iar contactul se deplasează liniar.
Antrenarea elementelor mobile: cu servomotoare, cu două trei viteze, pentru reglaj brut şi fin.
Rezistoarele fixe şi variabile, în cazul ARFP de puteri mari, foarte rar sunt incluse în căile de RF -
şi atunci cu valori mici. Ca urmare, se utilizează rezistoare metalice, bobinate pe suporturi
ceramice sau cu peliculă metalică tot pe suport ceramic.
Chiar în aceasta gamă de frecvenţe (≤ 30MHz), spre limita superioară, efectele parazite, fără a fi
esenţiale, nu pot fi neglijate; contează: capacităţile şi inducţantele parazite ale componentelor şi
conexiunilor, efectul pelicular şi de proximitate.
De exemplu, inductanţele terminalelor condensatoarelor sunt 0,1 – 1nH (terminale plate foarte
scurte) şi 1 – 10nH (terminale rotunde, peste 10 – 15mm).

b. La frecvenţe mai mari ‑ în FIF (30 – 300MHz) şi UIF (300 – 3000MHz) , apar
probleme deosebite, care necesită măsuri adecvate în proiectare.

În FIF şi UIF, deoarece capacitatea nu poate fi scăzută prea mult (sub 5 − 10pF), este greu de
construit bobine cu inductanţa necesară. Pe de altă parte, componentele au dimensiuni mari
(ajung la zeci de cm), comparabile cu lungimea de undă şi devin elemente radiante, pierderile
crescând la valori foarte mari. În consecinţă, în acest domeniu nu se pot folosi componente cu
constante concentrate.
Soluţia dificultăţilor de mai sus constă în realizarea circuitelor rezonante ale ARFP în FIF şi UIF,
cu linii cu constante distribuite.
În partea de jos a FIF se utilizează linii bifilare sau coaxiale cu lungimea λ/4, echivalente cu un
circuit acordat derivaţie. Deoarece pierderile în liniile bifilare cresc cu frecvenţa, în partea de
sus a FIF şi în UIF se folosesc linii plate sau cavităţi rezonante cu forme variate: cilindrice,
toroidale, radiale, rectangulare, etc.
În cazul ARFP cu tranzistoare apar unele probleme, determinate de impedanţele mici (ohmi ‑
sute de ohmi) de intrare şi de ieşire ale ARFP. În consecinţă, în aceste cazuri se pot utiliza
componente cu constante concentrate până la aproximativ 1GHz.
Capacităţile tranzistoarelor sunt incluse în circuitele de acord dar este necesar ca inductanţele
terminalelor să fie reduse; în special inductanţa electrodului comun trebuie să fie cât mai mică,
în care scop acesta este realizat sub formă de platbandă - această formă constructivă uşurează
plantarea tranzistoarelor pe cablaje imprimate, mai ales dacă circuitele de acord sunt executate
cu linii bifilare plate (strip‑lines), mult folosite peste 300MHz.

c. Un segment de linie poate fi utilizat ca circuit rezonant

Un segment de linie fără pierderi de lungime l, închis pe impedanţa |ZS| prezintă la intrare
impedanţa:
Z
1  j 0 tan  Z0 − impedanţa caracteristică a liniei;
ZS
Z in  Z S θ − lungimea electrică a liniei; λ0 − lungimea de undă în vid;
ZS
1 j tan  εef − permitivitatea electrică efectivă a mediului
Z0

1
Z 0  L0 C0   2  0  2  3  108 
0 ef
 Z0
c1. Linia se comportă ca o inductanţă echivalentă, când: 1 j tan 
ZS
Z in  ZS
Z S tan  Z
 1  j S tan 
1  , tan  1 Z0
Z0 4

Z in  Z S  jZ 0 tan  Z S  j Lech Lech  Z 0 tan 

c2. Linia se comportă ca o capacitate echivalentă când:

Z 0 tan 
1  , tan   1
ZS 4

1 1 tan  1
Y in    j   j C ech Cech  tan  Z 0
Z in Z S Z0 ZS

1 1 Lech
Zin ZS 1 1
1 1
2 2 Zin ZS Zin Cech ZS
2 2 2 2
l

a) b) c)

Comportarea unui segment de linie (a), ca inductanţă (b) sau capacitate (c)
d. Într‑un lanţ de ARF pot fi mai multe etaje de putere (2 ‑ 5 etaje), cuplate prin
circuite de adaptare rezonante.
Excitarea ARFP finale se face cu semnale furnizate de amplificatoare prefinale care sunt şi ele
ARFP, de putere mai mică decât a etajului final dar funcţionând după exact aceleaşi principii
(regim neliniar); la rândul lor, adesea ARFP prefinale sunt excitate de la ARF de putere ş.a.m.d.
Pentru ca ARFP să furnizeze putere în RF, dispozitivul activ (în regim neliniar) trebuie excitat
cu o putere apreciabilă (faţă de puterile vehiculate în etaj). În aceste condiţii, este esenţială
realizarea unui transfer eficient de putere de la un etaj la următorul, motiv pentru care se
impune adaptarea impedanţelor - de regulă la transfer maxim de putere.
Circuitelor rezonante de adaptare între etaje li se impun cerinţe nu prea severe privind
atenuarea armonicelor, adaptarea la transfer maxim de putere şi pierderile mici în circuite fiind
esenţiale. În consecinţă, circuitele de adaptare dintre etaje se realizează de obicei cu o singură
celulă, rareori cu două, iar acordul se face simplu, cu un singur element reglabil.
În cazul ARFP cu tranzistoare, impedanţele care trebuie adaptate sunt mici (ohmi − sute ohmi)
şi foarte diferite; deseori rezistenţa de ieşire a unui etaj este de 5 ‑ 10 ori mai mare decât aceea
de intrare în următorul, dar situaţiile inverse nu sunt rare. Pe lângă aceasta, capacităţile − mai
ales de ieşire, şi inductanţele parazite nu pot fi neglijate.
În aceste condiţii, simple circuite LC paralel nu pot fi satisfăcătoare; se folosesc configuraţii
mai complexe ca: circuite П (pi), în T, în Γ (gamma) etc., care:
asigură compensarea C şi L parazite, incluzându-le în circuitul rezonant;
realizează adaptarea unor impedanţe mult diferite (eventual pot fi cuplate mai multe circuite în
cascadă) şi au pierderi mici;
asigură bună filtrare a armonicelor deoarece ramurile serie sunt inductive iar cele paralel
capacitive.
Asemenea circuite, realizate cu componente cu constante concentrate se pot folosi până la
1 ... 2 GHz. În UIF se folosesc şi componente cu constante distribuite (segmente de linii).
La frecvenţe ridicate inductanţele şi capacităţile parazite nu pot fi neglijate, în timp ce valorile
necesare pentru inductanţele din circuitele de adaptare devin foarte mici (sub 10nH), deci greu
de realizat.
Inductanţele pot fi mărite faţă de necesar compensându−le parţial cu o capacitate serie (ωLech
= ωLtotal – 1/ωCcompensare); procedeul duce la îngustarea benzii circuitului şi la posibilitatea
apariţiei rezonanţelor parazite.
Din aceste motive, la frecvenţe peste 500 − 700MHz, inductanţele se realizează din segmente de
linie (de regulă strip−lines) cu Z0 mare. La frecvenţe şi mai mari, peste 1GHz, apar dificultăţi şi
în realizarea condensatoarelor cu valori foarte mici, drept care se folosesc segmente de linie cu
Z mică.
 +EC coaxial C1
L

0 Cd Cieş C2
Lcomp

0 0 0 0 0
SC SC b)

coaxial
L1 L2 L

Cc Cc Cc
C1 C2
RB RB

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
a) c)

Circuite de adaptare în ARFP cu tranzistoare:

a) circuit T; b) circuit serie (Lcomp compensează Cieş ); c) circuit Π
(coax = cablu coaxial cu Z0 = 50/75Ω)
 Calculul celulelor de adaptare de bandă îngustă

Rp
Rs Xs
Xp

Zs ≡ Zp

Transformarea serie - paralel

  X 2    R 2    1 2  Cs
R p  Rs 1   s   ; X p  X s 1   s   R p  Rs 1     ; Cp  2
  Rs     Xs      C s Rs   1    C R 
      s s

Rp Xp
Rs  ; Xs  Rp 1   C R 2 
2 2 Rs  ; C  C
 Rp   Xp  s p
 s s 

 
2
1  1  1   C p Rp
 X p   R p 
   
 1. Circuit de adaptare cu sarcina cuplată prin condensator serie

Cg C2 (X2)
L L L C
Ig (Xg) RSn (XL) (XL) C1 C2 (XL) (X )
C1
Rg RS RS (RSn) RS
(X1) (X1) (X2)
0 0 0 0 0 0 0 0

a) b) c)

Circuit de adaptare cu sarcina cuplată prin condensator serie: a) schema reală, b), c) scheme echivalente

 X L  X g   X //  0 ; RS//  RSn
//

2
 
2
RS/  RS 1   X 2 RS   ; X 2/  X 2 1   RS X 2  

Q  X // RSn 1   X 2 RS 
2
Rs/
RS//  RSn   RS
1  Q2 1  Q2
RSn 
RSn 1  Q 2 
X 2  RS
RS

1  Q2  1 ;  X1  //
X 
X 1 X 2/

1
 QRSn
RSn
  X 2/ 2
Q 1  Q2  1 X1  11 Q
RS

X L  QRSn  X g ;  X 2  1  C2 ; X 1  1  C1 ; X L   L  R  R ;
Sn S 1  Q  R2
Sn RS  1
 2. Circuit de adaptare în Π

L L C2
Ig
RSn C1 (XL) C2 C1 (XL) (X ) C1 L RS
2 RS
Rg Cg RS
(X1) (X1) (X1) (X ) (RSn)
(X2)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

a) b) c)

Circuit de adaptare în Π: a) schema reală, b), c) scheme echivalente

(Y 1  Y g )  Y //  0 Rs//  RSn Y 1  1 X 1 , Y g  j C g , Y //  1 j L// 

RS QRSn  RS 
X2  ; XL  1
1  Q 2  Q

1
RSn

1  Q2  1  
RS
RSn

1  Q2  1  

1 Q 1
 
X 1 RSn X g
;  X 2  1  C2 ; X L   L ; X 1  1  C1 

1  Q  R 2
S RSn  1
 3. Circuit de adaptare cu LC în derivaţie
3.a. În varianta cu sarcina cuplată capacitiv

C1 C2
Ig C1
RSn L (X1) L (X1) (X2 ) R L C RS
S
Cg (XL) (X ) RS (XL)
Rg 2 C2 (XL) (X ) (RSn)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

a) b) c)

Circuit de adaptare LC derivaţie cu sarcina cuplată capacitiv: a) schema reală, b), c) scheme echivalente

(Y L  Y g )  Y "  0, Rs"  RSn Y L  1 j L , Y g  j C g , Y "  j C " 

RS QRSn  RS 
X2  ; X1   1
1  Q 2  Q

1
RSn
 2
1  Q  1 
RS
RSn

1  Q2  1  

1 1 Q
  ;  X 2  1  C2 ; X 1  1  C1 ; X L   L 
X L X g RSn

RSn  RS 1  Q  R
2
S RSn  1
 3.b. În varianta cu sarcina cuplată inductiv

C1 C1

Ig L Ig L
Rg Cg n2 RS Rg Cg
RSn C2 n1 RSn C2 n1 n 2 RS
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
a) b)

C1 C1 C 2

(X1 ) (X2 ) Rg RS
Ig Rg C g C2 L RS C L

(RSn)
(Rg ) L RS
(X ) (XL)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
c) d) e)

Circuite de adaptare LC derivaţie cu sarcina cuplată inductiv:

a) cu transformator, b) cu autotransformator, c) d) e) scheme echivalente

Rs'  RS p 2 ; p  n2 n1

RSn QRS p 2  RSn 

1
 (C 2  C g )
 ; X1  1
1  Q 2  Q

1
RS p 2
1  Q  2
 1
RSn
RS p 2
1  Q  2
1


1 Q

X L RS p 2
;  X1  1  C1 ; X L   L
RS p 2  RSn
 4. Circuit de adaptare LC serie
4.a. Circuitul de adaptare LC serie cu inductanţă pentru compensarea Cg

C1 L2 C1 L2 C2 C1 C
Ig RSn (XC1) (XL2) C2 (XC1) (XL2) (XC2) L1 (XC1) (X ) RS
Rg Cg L1 (XL1) RS RS
(XC2) L1 (XL1) (XL1) (RSn)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

a) b) c)

Circuit de adaptare LC serie cu inductanţă pentru compensarea Cg: a) schema reală,

b), c) scheme echivalente (L1compensează Cg)

RSn
X C 2  RS ; X C 1  QRS ; X L2  QRS  RSn  RS  RSn 
RS  RSn

X L1  X g ;  X C 1  1  C1; X C 2  1  C2 ; X L1   L12 ; X L2   L2 

RS  RSn
 4.b. Circuitul LC serie fără inductanţă pentru compensarea Cg

C1 L2 C1 L2 C2 C1 C
Ig RSn (XC1) (XL2) C2 (XC1) (XL2) (XC2) (XC1) (X ) RS
Rg Cg RS RS
(XC2) (RSn)
0 0 0 0 0 0 0

a) b) c)

Circuit de adaptare LC serie fără inductanţă pentru compensarea Cg: a) schema reală, b), c) scheme echivalente

X C 1  QRSn ; X C 2  RS RSn  RS  RSn ; X L  QRSn  RSn  RS  RSn   X g

X C  1  C1 ; X C 2  1  C 2 ; X L1   L
RS  RSn
 5. Circuit de adaptare în T

L1 L2 L1 L1 C
Ig (X1) (X2)
Cg (X1) L2 (X1) (XC ) RS
RSn
Rg C (XC) RS C RS

(RSn)
(XC) (X2)
0 0 0 0 0 0 0 0

a) b) c)

Circuit de adaptare în T: a) schema reală, b), c) scheme echivalente

RSn 
RSn 1  Q 2 
X 2  RS
RS
 
1  Q 2  1; X C 
Q
RSn
RS

1  Q2  1
X 1  QRSn  X g ;  X1   L; X 2   L2 ; X C  1  C 
 6. Utilizarea relaţiilor de calcul

a. Datele de calcul sunt: Cg, RSn, RS, (CS, dacă este cazul);
b. Se adoptă un circuit potrivit;
c. Se transformă schemele RgC0 şi/sau RSCS (serie <===> paralel) astfel încât
impedanţa sursei să aibă componentele conectate conform schemei adoptate iar
reactanţa sarcinii să poată fi inclusă uşor într-un element reactiv al circuitului de
adaptare;
d. Se adoptă Q în sarcină. Pentru o bună filtrare se recomandă Q > 2 ... 3; uzual
se adoptă Q = 5 ... 12. Eficienţa transferului puterii este ~ 1 − Q/Qgol;
e. Se calculează elementele circuitului de adaptare; se extrage XS din reactanţa în
care a fost inclus;
f. Se verifică realizabilitatea componentelor.