Clase de amplificatoare de radiofrecvenţă de putere (ARFP)

Introducere
VDD

ARFP: L Celula de
adaptare
Cc Vout
clasă A
M
clasă AB L0 C0 Rs

clasă B Vin

clasă C
Modelul general al unui amplificator de radiofrecvenţă de putere

Rezistorul RS reprezintă sarcina pe care este livrată puterea din ieşire. Bobina L reprezintă şocul de
radiofrecvenţă care asigură un curent continuu prin drenă. Aceasta trebuie să fie suficient de mare pentru a
asigura un curent constant prin L. Drena este conectată la un circuit oscilant printr-un condensator de cuplare
pentru a preveni trecerea curentului continuu spre sarcină.
Un avantaj al acestei configuraţii este acela că capacitatea parazită din ieşirea tranzistorului poate fi absorbită
în circuitul oscilant. Un alt avantaj este reprezentat de efectul de filtrare al circuitului oscilant, care înlătură din
banda de emisie frecvenţele perturbatoare produse de diverse neliniarităţi.
Pentru simplificarea analizei se presupune că circuitul oscilant prezintă un factor de calitate suficient de mare,
astfel încât tensiunea de la ieşirea acestuia să poată fi aproximată destul de bine printr-o sinusoidă, chiar dacă
aceasta este produsă de un curent neliniar prin dispozitivul activ. Această aproximaţie implică funcţionarea
într-o bandă îngustă, caz care va fi studiat şi prezentat în continuare.
Caracteristici dinamice şi forme de semnale în ARF
cu tranzistor în regim liniar cu sarcină acordată

Caracteristici dinamice şi forme de semnale în ARF

cu tranzistor cu sarcină acordată, în regim neliniar
 Amplificatoare în clasă A

VDS V0max=VDD

VDD
t

iD Idmax=I0

I0
t

Tensiunea şi curentul de drenă pentru un ARFP ideal în clasă A

Pentru funcţionare în clasă A, nivelele de polarizare sunt alese astfel încât tranzistorul
să lucreze liniar. În tehnologie bipolară acest lucru se realizează prin evitarea blocării
(„cutoff”) şi a saturaţiei. În tehnologie CMOS tranzistorul trebuie menţinut în
regiunea de saturaţie.

Deşi se obţine o funcţionare liniară, aceasta este obţinută cu preţul unei eficienţe mai
reduse, datorită curentului de polarizare, care există chiar şi în absenţa semnalului.
 ARFP în clasă A
I0 reprezintă curentul de polarizare de c.c., Id este amplitudinea
i D  I 0  I d sin 0 t  componentei de semnal a curentului de drenă, iar ω0 reprezintă pulsaţia
semnalului (care reprezintă frecvenţa de rezonanţă a circuitului oscilant)
Deoarece şocul de radiofrecvenţă asigură o valoare constantă a curentului prin acesta
(componenta de c.c. I0), rezultă că tensiune pe sarcină se scrie:
v0   I d R sin 0 t 
Tensiunea totală de drenă este suma dintre componenta continuă a tensiunii de drenă şi
componenta de semnal a acesteia. Deoarece şocul de radiofrecvenţă reprezintă un
scurt-circuit în c.c. spre sursa de alimentare, rezultă că tensiune de drenă de semnal va
fi suprapusă peste valoarea sursei de alimentare VDD. Tensiunea şi curentul de drenă
sunt defazate cu 180°.
I d2 R I d (max) Id
Puterea de semnal pe sarcină se calculează astfel: Pu  I d ( ef )  
2 2 2

Valoarea maximă a componentei de semnal a curentului de drenă, astfel încât

tranzistorul să nu se blocheze niciodată (deci etajul să funcţioneze în clasă A), este: I d  I 0

Puterea de c.c. furnizată de sursa de alimentare se exprimă astfel: P0  I 0V0max  I dVDD

Pu I R
Randamentul etajului:    d
P0 2VDD
 ARFP în clasă A

Valoarea maximă a produsului IdR este chiar VDD: I d  VDD R

Prin urmare, rezultă că valoarea maximă a randamentului care poate fi obţinută

teoretic în regim liniar (funcţionare în clasă A) este de numai 50 %.   1/ 2

În clasă A, valoarea maximă a tensiunii drenă-sursă este de 2VDD, iar valoarea

maximă a curentului de drenă este 2VDD/R.

Se poate defini un alt tip de eficienţă denumită capabilitate de putere de ieşire

normalizată, descrisă de ecuaţia de mai jos:

Pu
2
VDD 2R 1
PN   
v DSpp  i D max  2VDD  2VDD R  8

Amplificatoarele în clasă A prezintă o bună liniaritate, dar cu preţul unei eficienţe

reduse.
 Amplificatoare în clasă B

VDS V0max=VDD

VDD
t

iD Idmax=2VDD/R

Tensiunea şi curentul de drenă pentru un ARFP ideal în clasă B

Pentru amplificatoarele în clasă B, polarizarea se alege astfel încât dispozitivul de

ieşire este închis jumătate de perioadă. Faţă de amplificatoarele în clasă A, în acest
caz este necesar un circuit acordat cu factor de calitate mare pentru obţinerea unei
tensiuni de ieşire cât mai sinusoidale.

În cazul amplificatoarelor în clasă B curentul de drenă este sinusoidal pentru o

jumătate de perioadă şi zero pentru cealaltă perioadă:
i D  I d sin 0 t  iD  0
 ARFP în clasă B

Amplitudinea fundamentalei curentului de drenă:

2 T2 Id
I fund 
T 0
I d  sin  0 t  sin  0 t  dt 
2

Prin reducere la armonica I, tensiunea de semnal pe sarcină se scrie:

Id
v0  R sin 0 t 
2
Deoarece valoarea maximă a amplitudinii tensiunii de semnal pe sarcină este VDD,
rezultă valoarea maximă a pulsului de curent de drenă:
2VDD
I d max 
R
Este de remarcat faptul că valoarea de vârf a curentului de drenă şi valoarea maximă
a tensiunii de ieşire prezintă aceleaşi valori ca în cazul amplificatoarelor în clasă A.
V02
Puterea utilă de ieşire se calculează astfel: Pu  V0 reprezintă amplitudinea semnalului
2R
de tensiune de pe rezistenţa de sarcină
Deoarece valoarea maximă a tensiunii de semnal pe sarcină este VDD, rezultă valoarea
2
maximă a puterii utile: P VDD

u max
2R
 ARFP în clasă B
Pentru calculul puterii de c.c. furnizată de sursa de alimentare, se calculează valoarea
medie a curentului de drenă:
1 T2 1 T 2 2VDD 2VDD
iD 
T 0
I d max sin   0 t  dt 
T 0 R
sin   0 t  dt 
R
Prin urmare puterea maximă de c.c. furnizată de sursa de alimentare se scrie:
2
2VDD
P0  i D  VDD 
R
Valoarea maximă a randamentului unui amplificator în clasă B se exprimă astfel:
Pu max 
   0.785
P0 4
Rezultă astfel că amplificatoarele în clasă B prezintă o eficienţă considerabil mai
mare decât a amplificatoarelor în clasă A.
Este de remarcat faptul că capabilitatea de putere de ieşire normalizată este 1/8,
identică cu cea obţinută pentru amplificatoarele în clasă A. Acest lucru rezultă
deoarece puterea utilă, precum şi valorile maxime ale tensiunii şi curentului de drenă
sunt identice ca cele obţinute pentru funcţionare în clasă A.
Amplificatoarele în clasă B determină creşterea semnificativă a eficienţei, dar cu
preţul creşterii distorsiunilor semnalului de ieşire. Este de remarcat că acest
compromis este influenţat de reducerea perioadei de timp în care tranzistorul
conduce.
 Amplificatoare în clasă C

VDS V0max=VDD

VDD
ωt

iD
I d max  I d  I 0 I0  0 I 0   I d cos 

Id
2θ
0 ωt

π 2θ

Tensiunea şi curentul de drenă pentru un ARFP ideal în clasă C

Pentru amplificatoarele de putere în clasă C, polarizarea se alege astfel încât

tranzistorul să conducă mai puţin de o jumătate de perioadă. Astfel, curentul de drenă
este format dintr-un tren de impulsuri periodic. Pentru uşurinţa analizei, aceste pulsuri
sunt aproximate ca fiind porţiuni de sinusoidă.
i D  I 0  I d sin 0 t  iD  0
- curentul de offset I0, analog curentului de polarizare din cazul amplificatoarelor
liniare, este negativ în cazul amplificatoarelor în clasă C. Este de remarcat că valoarea
totală a curentului de drenă este pozitivă.
 ARFP în clasă C
Prin utilizarea unor circuite de adaptare cu factor de calitate ridicat, tensiunea pe
sarcină poate fi obţinută aproximativ sinusoidală.

În scopul reducerii complexităţii analizei: i D  I 0  I d cos 0 t  i D  0

Anulând curentul de drenă iD, rezultă valorile unghiului total de conducţie 2θ:
 I 
iD  0 2  2  arccos   0  I 0   I d cos sin  c   c cos c
 0 ( c ) 
 Id  
Valoarea medie a curentului de drenă poate fi calculată
astfel:
1  1 1  Id
iD 
2   I 0  Id cos d  2 2 I 0  2  Id sin   iD 

sin   cos 
Amplitudinea fundamentalei curentului de drenă reprezintă componenta fundamentală
din descompunerea în serie Fourier:
2 T 2 T 2 c  sin(2 c )
I fund  I d 1   i D cos 0t  dt    I 0  I d cos 0t  cos 0t  dt   1 ( c ) 
T 0 T 0 2
T
2 2 T
  2  I 0  I d cos 0 t  cos 0 t  dt    T  I 0  I d cos  0 t  cos 0 t  dt 
T 0 T T  2
1 Id
  0
4 I sin   2 I   I sin   I   2  sin  2 
2 d d fund
2 
 ARFP în clasă C
R
Expresia valorii maxime a amplitudinii tensiunii de ieşire: VDD  I fund R  Id  2  sin  2 
2
2 VDD
Id 
R  2  sin  2  
2 VDD
(expresia amplitudinii virtuale a curentului de drenă) I d max  1  cos 
R  2  sin  2 
I 0   I d cos I d max  I d  I 0  I d (1  cos ) (valoarea maximă a pulsului de curent de drenă)

Puterea utilă maximă poate fi exprimată astfel:

I fund  V0max I dVDD
Pu max    2  sin  2  V0max  VDD
2 4 
Puterea maximă de c.c. furnizată de sursa de alimentare se scrie:
I dVDD
P0  i D  VDD  sin   cos 

Valoarea maximă a randamentului unui etaj amplificator în clasă C se exprimă astfel:
Pu max 2  sin  2 
 
P0 4  sin    cos  
Se observă că atunci când semiunghiul de conducţie θ tinde spre zero, valoarea
randamentului tinde spre 100%. Dar acest regim este practic neutilizabil, deoarece, se
observă că în acest caz puterea utilă tinde spre zero.
Pe de altă parte, când θ → 180 (π) (regim liniar, clasă A), rezultă η = 1/2.

Se observă necesitatea unui compromis în proiectare între puterea utilă şi randament.

Din acest motiv, în proiectare se va utiliza un randament mai mic de 100%, o valoare
mai mare de 70%, fiind considerată acceptabilă în majoritatea aplicaţiilor practice.
 Amplificatoare în clasă AB

Amplificatoarele în clasă A sunt utilizate 100% din timpul de conducţie, cele în clasă
B sunt utilizate doar pentru 50% din timp, iar amplificatoarele în clasă C sunt
utilizate între 0 şi 50% din timp.
Amplificatoarele în clasă AB, după cum sugerează şi denumirea acestora, se utilizează
între 50% şi 100% din timpul de conducţie, acest lucru depinzând de valoarea
nivelelor de polarizare utilizate.
Prin urmare eficienţa şi liniaritatea acestora este undeva între cele obţinute pentru
amplificatoarele în clasă A şi clasă B.
În ceea ce priveşte ecuaţiile care descriu funcţionarea amplificatoarelor în clasă AB,
acestea pot fi uşor obţinute din cele care descriu funcţionarea amplificatoarelor în
clasă C, care includ de asemenea şi funcţionarea amplificatoarelor în clasă A şi clasă
B.
Pentru funcţionare în clasă A, θ = 180, iar pentru funcţionare în clasă B, θ = 90.
Pentru amplificatoarele în clasă C, θ < 90, în timp ce pentru amplificatoarele în clasă
AB, 90 < θ < 180.
 Influenţa sarcinii asupra caracteristicii dinamice
uC ( t )  E C  uc ( t )  E C U c max cos  t  E C  RLech I c 1 cos  t I c1   1 ( c )  I C  I c1
 I C cos  t  cos  t ,  c   t  c
iC ( t )    1 ( c )
 0 rest

 EC  uC
 , uC (  c )  uC  uC ( c )
iC ( t )    1 ( c ) RLech
 0 rest

Sd  tan    1  1 ( c ) RLech

RLech  0, Sd   ,    2
caracteristica este verticala prin A (la EC).
RLech   , Sd  0,  
caracteristica este orizontală
RLech1  0 Sd 1  0 1   2
caracteristica dinamică este D1AB1C1
RLech 2  RLech1 Sd 2  Sd 1 , 2  1
• Regimul subexcitat, în care extremitatea C nu ajunge pe linia critică
iar impulsul de curent caracteristica dinamică este D2AB2C2
Uc max  EC este
sinusoidal. În acest regim:
• Regimul supraexcitat, în care extremitatea C ajunge şi se deplasează pe LC iar impulsul de curent are în
vârf o crestătură. Se deosebesc:
- regimul uşor supraexcitat – crestătura curentului de colector nu ajunge pe abscisă şi
U c max  EC
- regimul greu supraexcitat – crestătura curentului de colector ajunge pe abscisă şi
EC  U c max U C min  0

Regimul la limita subexcitat – supraexcitat se numeşte regim critic şi este important, deoarece adesea este cel
mai avantajos energetic.
 Circuitele de alimentare ale dispozitivelor active din ARFP

Circuitele de alimentare ale ARFP cu tranzistoare pot fi caracterizate astfel:

1. De regulă, circuitele cu tranzistoare necesită o singură tensiune de alimentare

(foarte rar două), chiar dacă se folosesc tranzistoare npn şi pnp în acelaşi lanţ. Etajele
de mică putere pot fi alimentate de la aceeaşi sursă ca şi cele de putere, eventual prin
filtre RC sau conexiuni separate.

2. În cazul tranzistoarelor, electrodul comun poate fi conectat la masă direct sau prin
rezistor, fără dificultăţi.

3. Pentru blocarea tranzistoarelor în lipsa semnalului, este suficient să se asigure

tensiune zero între bază şi emitor.
 ARFP de putere mică

+E Cd
RC
Cd RC RB1 +E
RB1 0 0

SC SC
SB C1 C2
C1
C2
SE

RB2 RE CE CB RB2
RE

0 0 0 0 0 0

a b
Alimentarea ARFP tranzistorizate de mică putere
în conexiune EC (a) şi bază comună (b)

RB 2 EC R R
E BE =  B1 B 2 I B 0  RE I E 0
RB1  RB 2 RB1  RB 2
Din punct de vedere al stabilităţii termice este indicat ca IE0RE să fie cât mai mare iar
componenta datorată curentului de bază cât mai mică.
În acest scop, rezistenţa de limitare din colector poate fi eliminată, RE se poate mări
la RE max   EC  UCE  I E 0 , iar RB1 se poate micşora la RB1  0,1EC I B 0, încât contribuţia
curentului de bază să fie neglijabilă. Cu RB1 satisfăcând condiţia de mai sus, cu RE=REmax
şi cu RC=0, rezultă: EC  U CE  E BE 
R RB2 B1
U CE  E BE
 ARFP de putere medie

RC C1 RC
−RB1
0 0
C1 S C1
B SE
SB SC SE SC

0 RE
C1 C2 RE C2 RB2
RB2
0 0
−EE 0 0 0 0

a b a b
Alimentarea tranzistoarelor în ARFP de Autopolarizarea tranzistoarelor în
medie putere: a) în EC, b) în BC ARFP, în EC (a) şi în BC (b)

În cazul ARFP de putere medie, decuplarea rezistorului din electrodul comun (CE sau CB) pune
probleme la frecvenţe mari, din cauza inductanţelor parazite (mai ales ale terminalelor). O
soluţie constă în montarea în paralel a mai multor condensatoare cu terminalele lipite formând
o platbandă (inductanţa unui conductor plat este de 3 - 10 ori mai mică decât a unui conductor
rotund cu aceeaşi geometrie şi arie a secţiunii).
Dacă inductanţa nu poate fi redusă suficient sau dacă electrodul comun trebuie polarizat cu
tensiune nulă, se folosesc configuraţiile de mai sus. În acest caz, în conexiune EC stabilitatea
termică este redusă, iar în conexiune BC sunt necesare două surse de polarizare.
Autopolarizarea: Dacă tensiunea de polarizare trebuie să fie nulă, electrodul comun se
conectează direct la masă (fără şoc şi rezistenţă); tot la masă se conectează prin şoc şi electrodul
de intrare.
 Reducerea la fundamentală

Se consideră un ARF în regim neliniar blocat – activ, la o frecvenţă

destul de joasă pentru ca efectele inerţiale să fie neglijate. Curentul
i(t)
este practic un impuls sinusoidal cu durata 2θc. Dacă excitaţia se
face în tensiune, impulsul sinusoidal nu poate proveni decât dintr-o
-θc θc tensiune sinusoidală ui(t) = Uicos(ωt).
IM ωt
Presupunând că transconductanţa gm0 este constantă pe excursia de
0
curent (aceasta este o aproximaţie, o liniarizare, validă dacă se
-π/2 +π/2
consideră transconductanţa cu o valoare medie), atunci:
Puls de curent de colector i ( t )  gm 0  U i cos( t ) I M  gm 0  U i
- pe intervalul (-θc, +θc): c
i0 ic ( t )  0
- pe restul intervalului:
Fundamentala curentului este:
uBE I c1  I M   1 ( c )  gm 0   1 ( c )  U i  gm  U i
0 EBE Vd gm  gm 0   1 ( c ) γ1 – coeficientul dezvoltării în serie Fourier

-π/2 -θc Semiunghiul de conducţie θc este determinat de momentele în care

uBE
0 tensiunea bază – emitor este egală cu tensiunea Vd, de deschidere a
+π/2 +θc joncţiunii BE: U be cos( c )  Vd  E BE Vi  U be
Ube EBE este tensiunea
ωt
continuă bază ‑ emitor
Caracteristica de transfer cos c  Vd  E BE  Vi
idealizată şi semnale la intrare
Variaţiile amplitudinii fundamentalei la intrare (Ube = Vi) determină
modificarea θc deci a gm, în funcţie de polarizarea bazei EBE.
 COEFICIENŢII DEZVOLTĂRII IN SERIE FOURIER
PENTRU IMPULSURI COSINUSOIDALE DEFORMATE

Impuls cosinusoidal cu deschidere 2θ

Imax

IS

-θ 0 +θ ωt

-π/2 +π/2

Impuls cosinusoidal cu deschidere 2θ

1.a. Dezvoltare în funcţie de IS. Coeficienţii γ

i ( t )  I S   k ( )cos( k t )
0

1
 0 ( )   sin  cos 

1
 1 ( )   2  sin 2 
2

1  sin( k  1) sin( k  1) 

 k  2 ( )  
k  k  1 k  1 

1.b. Dezvoltare în funcţie de Imax. Coeficienţii α


i ( t )  I max   k ( )cos( k t )
0

Imax  I S (1  cos )

 k ( )
 k ( ) 
1  cos
 1 0,6

0,9
0,5
0,8 α1 α0
0,7 0,4

0,6
γ0
γ1 0,3
0,5

0,4 0,2
α2
0,3
0,1
0,2 γ2 α3
0,1 γ3 0
α4
0 γ4
-0,1
-0,1
θ (º) θ (º)
-0,2 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170
180 180
Coeficienţii γ0, γ1, γ2, γ3, γ4 în funcţie de semiunghiul de Coeficienţii α0, α1, α2, α3, α4 în funcţie de semiunghiul
conducţie θ de conducţie θ