Sunteți pe pagina 1din 7

Amplificatoare de RF de putere de bandă largă

Cuplarea etajelor ARFP de bandă largă


În multe sisteme de radiocomunicaţii, emiţătoarele trebuie să funcţioneze în game largi de
frecvenţă; de exemplu:
‑ RE de radiodifuziune pe unde scurte trebuie să poată emite în banda 5,9 − 26MHz, cu timpi
de comutare între frecvenţele de emisie extreme de 20 ... 60 sec.;
‑ RE de bord pentru nave maritime trebuie să acopere banda 1,5 − 30 MHz;
‑ în multe aplicaţii, RE în benzile FIF şi UIF trebuie să poată emite în benzi largi ca 220 − 500
MHz (radiotelefoane), 500 − 1000 MHz etc.
În mod obişnuit, un emiţător este numit de bandă largă dacă raportul frecvenţelor maximă şi
minimă este: fmax / fmin ≥ 2.
În cazul RE de bandă largă cuplajul între etaje nu poate fi asigurat prin circuite rezonante de
bandă îngustă - care necesită reacordări la schimbarea frecvenţei, deoarece mecanismele pentru
deplasarea părţilor mobile ale componentelor reglabile devin prea mari, complicate şi scumpe.
Deseori, reacordarea manuală nu se poate folosi fiind prea lentă iar în cazul acordului automat
sunt necesare numeroase sesizoare de dezacord şi servomecanisme care complică inacceptabil
echipamentele.
Soluţia constă în utilizarea unor ARFP de bandă largă în tot lanţul, cu excepţia etajului final
care se cuplează cu antena sau cu cablul antenei (feeder-ul de antenă) prin circuit rezonant
reacordabil. Evident, în acest caz sarcina eliminării armonicelor revine numai circuitului rezonant
final care trebuie proiectat şi executat cu deosebită atenţie.
Deoarece la etajul final randamentul ridicat este o cerinţă esenţială, dispozitivele active trebuie
să lucreze în regim neliniar; pentru a reduce armonica a 2-a (foarte mare), uneori este indicat ca
etajul să fie în contratimp.
Etajele ARFP de bandă largă care preced finalul pot funcţiona:
• cu semnale armonice, cu dispozitivele active în regim liniar;
• cu semnale (aproximativ) dreptunghiulare, cu dispozitivele active în comutaţie.
Deoarece ARF care preced etajul final (sau prefinal în emiţătoarele de mare putere) sunt tot ARF
de putere, transferul eficient de putere de la un etaj la următorul este o cerinţă esenţială.
Îndeplinirea acestei cerinţe revine circuitelor de cuplaj de bandă largă ale căror funcţii - care trebuie
realizate în toată banda de lucru Δf = fmax − fmin, sunt:
• realizarea adaptării rezistenţei de intrare a unui etaj la rezistenţa de ieşire a celui precedent;
• compensarea reactanţelor parazite de intrare şi ieşire ale dispozitivelor;
• asigurarea unui transfer de putere eficient, a unui câştig în putere GP care să compenseze
variaţiile amplificării etajelor.

Transformatoarele de adaptare utilizate în emiţătoare sunt de două tipuri:


• cu înfăşurări distincte, asemănătoare constructiv cu transformatoarele
obişnuite de AF, numite simplu transformatoare (de adaptare, de
impedanţă) de bandă largă;
• cu segmente de linii de transmisie (cu constante distribuite) numite
transformatoare cu linii de transmisie ‑ TLT.
Transformatoare de adaptare de bandă largă

C12 n1 L1
n 
n2 L2

Rg Cg C1 C2 CS
L1 L2 RS
U1 US
Ug n1 n2

Transformatorul de adaptare a impedanţelor - schema de conectare


C12 C12
R1 Ld/2 Ld/2 R2 R1 Ld/2 Ld/2 R2

Rg C1 C2 Rg U1 C1 C2
U1 Rm Lm RS n Rm Lm US R S
Ug nUS Ug

a) b)
Transformatorul de adaptare a impedanţelor - scheme echivalente:
a) schema echivalentă cu secundarul raportat la primar;
b) schema echivalentă cu primarul raportat la secundar
Schema echivalentă a ansamblului generator − transformator − sarcină cu elementele
reflectate include:
• capacităţile parazite ale înfăşurărilor (C1, C2) şi dintre înfăşurări (C12);
• capacităţile parazite ale sursei (Cg) şi sarcinii (CS);
• inductanţa de dispersie (Ld), corespunzătoare fluxului de dispersie;
• inductanţa magnetică (Lm), cu rezistenţa Rm, corespunzătoare pierderilor
magnetice ‑ de regulă neglijabilă cu excepţia cazului când se transferă puteri
mari;
• rezistenţele bobinajelor (R1, R2).
Schema echivalentă cu secundarul raportat la primar:
/ C12 C C M
C12  ; C1/  C1  C g ; C 2/  2 2 S ; Rs/  Rs n 2 ; R2/  R2n 2 ; Lm  kL1; k 
n n L1 L2

Ld   L1  (1  k 2 ) L1  2(1  k ) L1 U S  nU S

Schema echivalentă cu primarul raportat la secundar:


Rg R1 M
/
C12  nC12 ; C1/ 2

 n C1  C g ;  C 2/  C2  C S ; Rg/ 
n2
; R1/ 
n 2
; Lm  kL2 ; k 
L1 L2

U1
Ld   L2  (1  k 2 ) L2  2(1  k ) L2 U1 
n
dB AU = US/USmax C12
1
−3 Rg Ld

Ug C1 C2 RS
fmin fmed fmax f
Transformatorul la frecvenţe
Caracteristica de frecvenţă a transformatorului de ridicate - schema echivalentă
adaptare

U /S 1
H ( )  
Ug  L  L
 RS  RS
 
1  j  CT RT  d/    2 d/ C1/ Rg  C 2/ RS/  j 3 Ld C1/ C 2/ RT

 R1  Rg   R2/  Rs/  Rg Rs/


CT  C1/  C 2/ RT  
R1  R2  R2/  Rs/ Rg  Rs/

1
min  2 fmin  RT Lm  max = 2 f max = ; C1/  C 2/
/ /
LdC 2 RS R /
S  Rg 
f max Lm 1 Ld
 2 2
f min Ld R g C 2/
Pentru realizarea unei benzi largi (deseori se impune fmax/fmin > 10), sunt necesare
următoarele măsuri:
a. Inductanţa Lm trebuie să fie mare. În consecinţă, miezul trebuie să fie din
material cu μr mare la fmin, cu secţiune destul de mare pentru evitarea
saturaţiei;
b. Inductanţa de scăpări Ld trebuie să fie mică, realizabilă prin forme potrivite
ale miezului (tor, oală, U + I, E + I), puţine straturi, număr mic de spire,
dimensiuni generale mici. De fapt, valoarea maximă a Ld este impusă de
max Ld  Rg  RS/
condiţia:
c. Capacităţile parazite ale înfăşurărilor (C1, C2), dintre înfăşurări (C12) şi faţă de
masă trebuie să fie cât mai mici, în care scop se pot lua diferite măsuri:
- utilizarea izolaţiei cu εr mică;
- bobinaj cu puţine straturi şi puţine spire, eventual distanţate sau pe galeţi;
- bobinaje speciale (universal, fagure etc.);
- conexiuni speciale între straturi, astfel încât capacităţile dintre spirele straturilor
adiacente să fie reduse.
d. Rezistenţele înfăşurărilor (R1, R2) trebuie să fie mici, trebuie să se ţină seama
de efectul pelicular (de la aproximativ 1MHz în sus) astfel încât la fmax:
R1 < Rg; R2 < RS.
Se observă că cerinţele de mai sus sunt contradictorii: pentru Lm mare şi R1, R2 mici,
este necesar ca dimensiunile miezului şi bobinajului să fie mari; pentru ca Ld şi
capacităţile să fie mici, dimensiunile generale trebuie să fie mici iar numărul de
spire mic. Un compromis satisfăcător se poate obţine în condiţii concrete, de obicei
după încercări.

Adaptarea la transfer maxim de putere (puterea pe sarcină PS este maximă posibilă


PS max) are loc când:
R g = RS  RS n 2

În practică, Rg, RS se modifică, uneori contează R1, R2 etc., încât relaţia de mai sus
nu este ideal realizată; apare o neadaptare, ale cărei efecte se determină prin
coeficientul de neadaptare la transfer maxim de putere CNAP, în funcţie de factorul
de adaptare m (la transfer maxim de putere):
PS 2 m RS/
CNAP  10log
PS max
 20log
m 1
dB  ; m  R
g

S-ar putea să vă placă și