TRANZISTORUL MOS

Sunt de două tipuri:

- cu canal iniţial;
- cu canal indus.

TRANZISTORUL MOS CU CANAL INIŢIAL (MOS-TEC sau

Depletion MOSFET)

Este un dispozitiv electronic bazat pe conducţia curentului electric la

suprafaţa semiconductorului.

metal oxid D D
S G D
G G
n+ n+

S S
Canal n Canal p
Substrat (semiconductor p)
Figura 11.2
Figura
MOS-FET cu11.1
canal iniţial are structura tehnologică prezentată în
figura 11.1. De regulă, substratul este legat electric intern la sursă.
MOS-FET-ul are rezistenţă foarte mare de intrare, deoarece grila este
izolată de canal printr-un strat de oxid. Grila împreună cu canalul formează
un capacitor.
Dacă pe grilă se aplică o potenţial pozitiv faţă de sursă, în semiconductor,
în imediata vecinătate a stratului izolator de oxid, datorită acţiunii
capacitorului, se acumulează o cantitate corespunzătoare de sarcină
negativă suplimentară, adică creşte concentraţia de electroni, care sînt
purtători minoritari. Sarcina negativă indusă în canal reduce rezistenţa
canalului. Deoarece în canal există mai mulţi purtători de sarcină negativă
aceasta determină o creştere a curentului de drenă I D.

Dacă un potenţial negativ este aplicat pe grilă în raport cu sursa, din

nou datorită acţiunii capacitorului, o sarcină pozitivă este indusă în canal,
crescând rezistenţa acestuia. Datorită purtătorilor de sarcină sărăciţi în
canal, ID scade.
Conductivitatea canalului este modificată potrivit cu polaritatea şi
mărimea potenţialului aplicat la grila dispozitivului. Un potenţial pozitiv V GS
acumulează în canal purtători de curent suplimentar, iar un potenţial
negativ VGS sărăceşte canalul, provocând scăderea purtătorilor de sarcină.
Caracteristicile statice de ieşire au aceeaşi formă ca la TEC-J.
Caracteristica de transfer a unui MOS-FET cu canal n, I D = f(UDS) este
ilustrată în figura de mai jos.

ID

IDSS UDS = ct

- UGS + UGS
UGS(blocare)
Figura 11.3

În concluzie, rezultă că un asemenea tranzistor poate lucra cu orice

polaritate a tensiunii de grilă. Dacă U GS > 0, regimul de lucru se numeşte
regim de îmbogăţire, datorită creşterii concentraţiei de electroni în canal.
Dacă însă, UGS < 0, regimul de lucru poartă numele de regim de sărăcire şi
duce la scăderea concentraţiei de electroni din canal până la dispariţia lor
(UGS = UP).
Observaţie practică

Deoarece rezistenţa de intrare este foarte mare, sarcina statică se

poate acumula pe grilă şi străpunge învelişul de oxid. Pentru ca
dispozitivul să nu fie avariat când nu este în circuit, terminalele sunt
frecvent conectate împreună printr-o foiţă de material care previne
încărcarea cu sarcină a grilei. Producătorii recomandă ca atunci când se
lucrează cu MOS-FET-uri să nu fie scoasă foiţa până ce dispozitivul nu este
plasat în circuit şi ca uneltele să fie legate la masă (pistol de lipit, patent
etc.).
TRANZISTORUL CU CANAL INDUS (MOS-TEC sau Enhancement
MOSFET)

Un asemenea tranzistor este construit cu două puţuri de tip n şi fără

canal, atât timp cât tensiunea de poartă U GS < UP. Grila (poarta) şi substratul
formează un capacitor.
Astfel, dacă ne referim la MOS-FET cu canal n indus, la aplicarea
unui potenţial pozitiv la terminalul grilă în raport cu sursa face ca o sarcină
negativă să fie indusă în aria de sub zona grilei. Dacă tensiunea grilei este
destul de mare, un canal negativ este indus între cele două puţuri, curentul
poate curge între sursă şi drenă.

metal oxid
S G D D D

n+ n+ G G
substrat substrat

S S
Substrat (tip p)
Canal n Canal p
Figura 11.5
Figura 11.4
În absenţa unei tensiuni aplicate pe grilă, sursa şi drena sunt
separate de două joncţiuni p-n+ în opoziţie, fapt ce nu permite circulaţia
unui curent între cele două terminale.
De notat că MOS-FET-ul ia mai puţin spaţiu fizic la construcţie decât
cea ocupat[ de tranzistorul bipolar.
Un MOS-FET cu canal indus lucrează exclusiv în regim de
îmbogăţire. Prin urmare, un dispozitiv cu canal n necesită o tensiune grilă-
sursă pozitivă, iar pentru unul cu canal p este necesară o tensiune grilă-
sursă negativă.
Caracteristica de transfer pentru MOS-FET-ul cu canal n indus este
prezentată în cele ce urmează. Se observă că, teoretic, nu există curent de
drenă înainte ca UGS să fi atins o anumită valoare nenulă, numită tensiune
de prag.

ID

- VGS + VGS
Figura 11.6
VGS(prag)
POLARIZAREA MOS-FET CU CANAL INIŢIAL

Un MOS-FET cu canal iniţial poate lucra la tensiuni U GS atât pozitive cât şi

negative. O metodă simplă de polarizare este fixarea U GS = 0, astfel că
semnalul de c.a. aplicat pe grilă duce la variaţia în ambele sensuri a
tensiunii grilă-sursă, în jurul acestui punct de polarizare.

+ VDD
IDSS

RD

D
G
VDS

S
RG
RS

Figura 11.7

Pentru VGS = 0 şi ID = IDSS, tensiunea drenă-sursă are expresia:

VDS = VDD - IDSS∙(RD + RS) (11.1)

O altă metodă de polarizare se numeşte polarizare automată.

+ VDD
ID

RD
R1
D
G
VDS

S
R2
RS

Figura 11.8
 R2
Se poate scrie: VGS  VDD   ID  RS (11.2)
R1  R 2

În figura 11.9 se observă că sursa de tensiune pentru polarizarea

grilei este eliminată prin folosirea metodei polarizării automate a grilei de
comandă. În acest scop, în circuitul sursei se introduce o rezistenţă R S,
şuntată de o capacitate mare CS. La trecerea curentului ID prin rezistenţa RS,
apare o cădere de tensiune care are polaritatea pozitivă spre sursă şi
negativă spre sursă. + VDD
id
RD
CD

D
CG G
VDS

S
RG
ID id
RS CS

Figura 11.9
Deoarece grila este legată conductiv la masă prin R G, ea se va găsi la
un potenţial mai coborât decât al sursei, adică se va negativa. Pentru ca
potenţialul de c.c. al grilei să fie egal cu cel al masei, căderea de tensiune
dată de curentul IG pe rezistenţa RG trebuie să fie neglijabilă. În acelaşi timp,
trebuie ca RG să constituie o rezistenţă de sarcină cât mai mare pentru
sursa de semnal. Având în vedere că I G ≈ 10+9 A, rezultă că RG se poate lua
de câţiva megaohmi.
Tensiunea de negativare a grilei este:

VGS = - RS ·ID (11.3)

iar între curenţi avem relaţia:

IS ≈ ID >> IG (11.4)

Pentru circuitul de drenă se poate scrie relaţia:

VDD = VDS + ID·(RL + RS)

care în planul caracteristicilor de drenă constituie ecuaţia dreptei de
sarcină în regim static.
Capacitatea CS are rolul de a lăsa să treacă cu uşurinţă componenta
variabilă id a curentului de drenă, astfel încât în regim dinamic tensiunea de
negativare să rămână neschimbată (atât timp cât componenta continuă I D a
curentului de drenă nu variază). Deci, RS nu intervine în regimul de semnal.
Ecuaţia de tensiuni pe circuitul drenei, în regim dinamic este:
vDS = - RL·id (11.5)

POLARIZAREA MOS-FET CU CANAL INDUS

La un tranzistor MOS-FET cu canal indus, U GS trebuie să fie mai mare
decât o anumită valoare de prag, deci polarizarea la zero nu poate fi
utilizată.

+ VDD
ID

RD
R1
D
G
VDS

S
R2

O metodă de polarizare ar fi utilizarea circuitului cu divizor rezistiv,

Figura 11.10
unde se poate scrie:
R2
VGS  VDD  (11.6)
R1  R 2

VDS  VDD  I D  R D (11.7)

unde ID = K∙(VGS – VGS(prag))2, iar K este un parametru constructiv al

tranzistorului.
În practică, se mai utilizează şi circuitul cu reacţie în drenă. În acest
circuit, curentul de grilă este neglijabil şi, ca atare, nu există cădere de
tensiune pe RG. De aceea, VGS = VDS.

+ VDD
RD

R1 D
G VDS

Figura 11.11