Tranzistorul Cu Efect de Camp TEC PDF

•Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP (TEC)
15.11.2015 DE 1
Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
4.1 Prezentare generală
4.2 TEC cu poartă joncţiune
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
4.4 Tranzistorul MOS cu canal iniţial
4.5 Comparaţie între bipolar şi MOS
15.11.2015 DE 2
Tranzistorul cu efect de câmp (TEC)

Curentul principal e controlat printr-un câmp electric (camp de control);
• curentul principal circulă printr-un canal conductor, bordat de 2 electrozi: sursă S
şi drenă D
• tensiunea aplicată pe un al treilea electrod (grilă G) modifică câmpul de control
vGS
G
- +
EC
+ vDS
iD
S D
canal n
Fig. 4.1
15.11.2015 DE 3
Clasificarea TEC
canal n
TEC – J
canal p
canal n
TEC TEC – S
canal p
canal n
canal indus
canal p
TEC – MOS
canal n
canal initial
canal p
• TEC-J (J-FET), TEC cu poarta – jonctiune
• TEC-S (MES-FET), TEC cu poarta – Schottky
• TEC-MOS (MOS-FET), TEC cu poarta – MOS
15.11.2015 DE 4
Simbolurile TEC
TEC-J cu canal p
TEC-J cu canal n
D D
G G
S S
TEC-MOS cu canal n TEC-MOS cu canal p

D D
G B G B
S S
15.11.2015 DE 5
Capitolul IV
15.11.2015 DE 6
4.2.1 Structura TEC-J
S G D
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

n+ p+ n+
rs rd
L
a-xd0
canal n
substrat p
B Fig. 4.2a
15.11.2015 DE 7
5.2 TEC cu poartă jonţiune
Observaţii
• TEC-J are 4 electrozi: S-sursă, D-drenă, G-poartă (grilă), B-
substrat (bulk).
• În practică se foloseşte mult TEC–J cu 3 electrozi; prin
construcţie substratul e legat la sursă (B ≡ S).
• Câmpul electric de control acţionează numai în zona de sub
poartă.
• Structura ideală cuprinde numai această zonă (Fig. 4.2b).
15.11.2015 DE 8
-vGS
G
RSS
a-xd0 a
S D
RSS
W
B
Fig. 4.2b L
15.11.2015 DE 9
4.2.2 Conductanţa canalului. Tensiunea de prag
Conductanţa canalului
•conductanţa constructivă
a W
g  q N (4.1a)
o n D L
•conductanţa efectivă
xd
go,ef  go (1  )
a
1
 2 S  2
xd   B 0  vGS 
 qN D 
15.11.2015 DE 10
Modularea grosimii canalului
 1

 xd 0  vGS  2

g0,ef  g0 1  1   (4.1b)
 a   B0  
 
xd - Lăţimea zonei de barieră în canal
1
 2 S  2
xd 0    B 0 
 qN D 
vGS g 0,ef
Conductanta modulata de campul electric controlat de VGS
15.11.2015 DE 11
Tensiunea de prag
vGS  VT xd  a g0,ef  0
qN D 2
VT  B0  a TEC-J canal n (4.2a)
2 S
qN A 2
VT  a   B0 TEC-J canal p (4.2b)
2 S
15.11.2015 DE 12
•conductanţa efectivă functie de tensiunea de prag
  B 0  vGS  (4.1c)
go ,ef  go 1  
  B 0  VT
 
•conductanţa efectivă maximă
  B0 
go,ef max  go 1  
  B 0  VT
 
15.11.2015 DE 13
Tensiunea de prag
-VGS
-VT
-VGS
S G D
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

n+ p+ n+
L
a-xd0
on
canal off
substrat p 0
Fig 4.2c B
15.11.2015 DE 14
Conductanţa efectivă functie de tensiunea de poarta
g0,ef
g0,ef max
VT VGS
Fig. 4.2d
15.11.2015 DE 15
4.2.3 Regimuri de funcţionare

iG  0 , iB  0
• Funcţionare în conducţie iD  0 
VT  vGS  0 , vDS  0 TEC-J canal n (4.3a)
0  vGS  VT , vDS  0 TEC-J canal p (4.3b)
• Funcţionare în blocare iD  0 

vGS  VT sau vDS  0 TEC-J canal n (4.3c)
vGS  VT sau vDS  0 TEC-J canal p (4.3d)
15.11.2015 DE 16
4.2.4 Relaţii între curenţi şi tensiuni VDS
1. Zona liniară
 V  VDS 
VDS  VGS  VT I D  2I DSS  1  GS   2VDS,sat
 VT  VT 
-VGS +VDS
S G D
VDS,sat
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2
n+ p+ n+
substrat p 0
Fig 4.2e B
15.11.2015 DE 17
1.Zona liniară
VGS
iD  g o,ef  v DS (4.4a) VGS = VT/2
g o ,ef (4.1b) VGS = VT
2 I DSS  vGS 
g o ,ef   1   (4.1d) Fig. 4.2f
VT  VT 
•formula (4.1d) - empirică
•zona liniară: TEC–J o rezistenţă 1/g0,ef controlată prin vGS

15.11.2015 DE 18
 V  VDS  VDS  
2
VDS
2. Zona cvasiliniară I D  2I DSS  1  GS    
 VT 
 VT  VT  

VDS  VGS  VT
2VDS,sat
-VGS +VDS
S G D
VDS,sat
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2
n+ p+ n+
substrat p 0
Fig 4.2g B
15.11.2015 DE 19
2.Zona de tranziţie (cvasiliniară)
vDS  vGS  VT vGD  vGS  0
canalul se îngustează
de la S spre D
rata de creştere
a lui iD cu vDS scade
  vGS 2 
 vDS vDS
iD  I DSS 21    2 (4.4b)
  VT  VT VT 
15.11.2015 DE 20
VDS
3. Saturaţie incipientă 2
 V 
I D  I D ,sat  I DSS  1  GS 
VDS  VGS  VT  VT  2VDS,sat
-VGS +VDS
S G D
VDS,sat
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2
n+ p+ n+
substrat p 0
Fig 4.2h B
15.11.2015 DE 21
Zona de saturatie vDS  vGS  VT

3. Saturaţie incipientă
vDS ,sat  vGS  VT (4.5a)
vGD  vGS  vDS  VT
canalul se închide la D
2 2
 vGS  vDS ,sat

iD  iD ,sat  I DSS  1  
  I DSS (4.4c)
 VT  VT2
15.11.2015 DE 22
4. Zona de saturaţie (activă) 2
VDS
 VGS 
VDS  VGS  VT I D  I D ,sat  I DSS  1  
 VT  2VDS,sat
-VGS +VDS
S G D
VDS,sat
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2
n+ p+ n+
A D
substrat p 0
Fig 4.2i B
15.11.2015 DE 23
4.Saturaţie propriu-zisă (zona activă)
vDS  vDS ,sat  vGS  VT
(4.5b)
v AS  vDS ,sat
vGA  vGS  v AS  VT
canalul se închide pe
distanţa dintre planele A şi D
Lef  L  xa
2
 vGS 
iD  I DSS,ef  1  
 VT 
15.11.2015 DE 24
Curentul IDSS
I DSS  iD ,sat
VGS 0
IDSS – curentul maxim prin tranzistor
IDSS – dată de catalog

2aW I DSS ~ n p 
I DSS ~ g0  qn N D
L W
I DSS ~
L
W
– factorul geometric al TEC
L
15.11.2015 DE 25
Modularea lungimii canalului (efectul Early)
W
I DSS,ef ~
Lef I DSS,ef L

I DSS Lef
W
I DSS ~
L
2
2  vGS  L
 vGS  iD  I DSS  1  
iD  I DSS,ef  1  
 VT  Lef
 VT 
Lef vDS   Lef vDS ,sat    vDS  vDS ,sat   ...

dLef
dvDS vDS ,sat
15.11.2015 DE 26
 vDS  vDS , sat 

Lef vDS   L1   (4.6a)
 VF 
Lef vDS ,sat   L
dLef 1
VF1  
dvDS vDS ,sat
L
VF  20...100V
L vDS  vDS ,sat (4.6b)

 1
Lef VF
15.11.2015 DE 27
2
 vGS   vDS - vDS , sat 
iD  I DSS 1-  1  
 VT   V F 
2
 vGS 
iD  I DSS 1-
 VT 

 1  n p    vDS - vDS , sat  
2
 

iD  I DSS  1 
vGS

 1  n p   vDS  (4.4e)
 VT 
IDSS – curentul maxim prin tranzistor
1
n( p ) 
VF
VF – tensiunea Early
n( p ) - parametrul Early
15.11.2015 DE 28
|VGS|
Efectul lui VGS
|VT|
-VGS +VDS
S G D
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

n+ p+ n+
substrat p 0
Fig 4.2j B
15.11.2015 DE 29
4.2.5 Modelarea TEC-J

1. Modelarea în regim staţionar
2
ID
 VGS 
 I S  I DSS  1  
 1  n p   VDS 
 VT  (4.7a)
IG 0
• Punctul static de funcţionare
QI D ,VGS ,VDS 
2. Modelarea la semnal mic, frecvenţe joase
VDS  VDS ,sat  VGS  VT saturaţie
15.11.2015 DE 30
• Condiţia de semnal mic
vGS  VGS  vgs 


 vGS    iD  I D  id
2
iD  I DSS 1   
 VT  
1 d 2iD
iD  iD VGS   vGS  VGS   vGS  VGS 2
diD
dvGS Q 2
2! dvGS
Q
I D  iD VGS 
15.11.2015 DE 31
diD I DSS  VGS  d 2 iD I DSS

2 1   2
2
dvGS VT2
dvGS Q
VT  VT  Q
I DSS  VGS  I DSS 2

id  2 1  vgs  2 vgs
VT  VT  VT
id ~ vgs v gs  VGS  VT (4.8)
15.11.2015 DE 32
• Panta tranzistorului, gm. Conductanţa de ieşire, gds
2
 vGS 
iD vGS ,vDS   I DSS  1 
  1  n vDS 
 VT 
iD iD
iD  iD VGS ,VDS   vGS  VGS   vDS  VDS   ...
vGS Q
vDS Q
I D  iD VGS ,VDS 
vds  vDS  VDS
iD 1 iD
gm  g ds  rds 
vGS Q
vDS Q
15.11.2015 DE 33
• Circuitul echivalent de semnal mic, frecvenţe joase
id  is  g m v gs  g dsvds
(4.7b)
ig  0
id
ig=0
G D
+ +
v gs g m vgs rds
-
is vds
-
S
Fig. 4.2k
15.11.2015 DE 34
3. Modelare la semnal mic, frecvenţe înalte
• Capacităţi interne Cgs, Cgd
Capacităţi de barieră ale J-GS şi J-GD - polarizate invers
   
qGS vGS  qGS VGS 
dqGS
vgs  QGS  C gsv gs C gs  
dqGS
dvGS Q dvGS Q
qGD vGD   qGD VGD  

dqGD dqGD
 v gd  QGD  C gd vgd C gd 
dvGD Q dvGD Q
15.11.2015 DE 35
• Relaţii generale între curenţi şi tensiuni
2
iD


 I DSS  1 
vGS 

 
1  n p  v DS dqGD
 VT  dt
dq dq
iG   GS  GD (4.7c)
dt dt
2
 v
iS  I DSS  1  GS

 dq
 1  n p  v DS  GS
 VT  dt
15.11.2015 DE 36
• Circuitul echivalent de semnal mic, frecvenţe înalte
dv gd
id  g m v gs  g dsvds  C gd
dt
dv gs dv gd
ig  C gs  C gd (4.7d)
dt dt
dv gs
is  g m v gs  g dsvds  C gs
dt
La frecvenţe joase reactanţele Cgs şi Cgd sunt foarte mari
efect neglijabil
15.11.2015 DE 37
• Circuit echivalent natural de semnal mic, frecvenţe înalte
ig C gd id
G D
+ +
v gs g m vgs rds vds

C gs
- -
is
S
Fig. 4.2l
15.11.2015 DE 38
4. Parametrii dinamici
• Panta tranzistorului
i I  VGS  2 I D I DSS
gm  D  2 DSS 1   
vGS Q
 VT  VT   VT
n – TEC-J: VT  0  g m  0
p – TEC-J: VT  0  g m  0
2 I DSS  VGS  2 I D I DSS

gm  gm  1    (4.9a)
VT  VT  VT
15.11.2015 DE 39
• Rezistenţa de ieşire
1 iD ID
g ds  rds    n I D
vDS Q
VF
1
rds  (4.9b)
n p I D
15.11.2015 DE 40
• Capacităţile de barieră
dqGS C gs0
C gs   (4.10a)
dvGS Q 1  VGS  B0 mj
dqGD C gd 0
C gd   (4.10b)
dvGD Q 1  VGD  B0 mj
C gs0  C gs Cgd0  C gd
VGS 0 VGD 0
 1 1
m j   ... 
 2 3
15.11.2015 DE 41
4.2.6 Comportarea cu temperatura

1. Parametrii statici
• Curentul IDSS
IDSS ~ μn(p) T μn(p) IDSS
• Tensiunea de prag VT
VT ~  B0 T  B0 |VT| IDSS
• Tensiunea VF
VF nu variază cu temperatura.
15.11.2015 DE 42
2. PSF-ul de drift nul cu temperatura ID
T0 < T1 <T2 IDSS(T0)
VDS > VDS,sat IDSS(T1)
IDSS(T2)
Z
IDZ
VGS
VT(T2) VT(T1) VT(T0) VGSZ
Fig. 4.2m
15.11.2015 DE 43
T IDSS
Q(IDZ , VGSZ) - constant cu temperatura
T |VT|
VGSZ  VT T0   0.7V
I
I DZ  0.49  DSS 0
T 
VT2 T0 
3. Curentul ID
ID > IDZ T ID
ID < IDZ T ID
15.11.2015 DE 44
4. Parametrii dinamici
• Panta gm
T IDSS
T gm
T |VT|
• Conductanţa gds
gds nu variază cu temperatura.
• Capacităţile Cgs , Cds
T  B0 Cgs , Cgd
15.11.2015 DE 45
Analogie Hidrodinamica
• Electroni Molecule de lichid (apă)

• Curent electric Curgerea lichidului
• Terminalele dispozitivelor Bazine infinite cu lichid
• Potenţialele terminalelor Nivelurile lichidului în bazine
• Potenţial pozitiv Un nivel al lichidului mai mic decât cel
de referinţă pentru bazin
• Potenţial negativ Un nivel al lichidului mai mic decât cel
de referinţă pentru bazin
15.11.2015 DE 46
JFET – analogie hidrodinamică
Echilibru
ID = 0
VS = 0 VG = 0 VD = 0
VS
POARTĂ
SURSĂ DRENĂ
15.11.2015 DE 47
Strcutura JFET
Modelarea grosimii canalului
-VGS
-VT
-VGS
S G D
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

n+ p+ n+
L
t-xd0
on
canal off
substrat p 0
B
15.11.2015 DE 48
Modularea grosimii canalului
 1

 xd   xd 0  vGS  2

g0,ef  g0 1    g0 1  1  
 a   a   B0  
 
vGS g 0,ef
VGS  VT g0,ef  0
15.11.2015 DE 49
JFET - analogie hidrodinamică
ID = 0
Efectul lui VGS -VGS
V
VTG
VS
-VT
VDS
VD
SURSĂ DRENĂ
15.11.2015 DE 50
Conducţie
 VGS 2 
 VDS VDS
|VGS|
Efectul lui VGS I D  2 I DSS 1  
 V  2V 2 
 VT  T T 
 |VT|
-VGS +VDS
S G D
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

n+ p+ n+
substrat p 0
B
15.11.2015 DE 51
Conducţie
VDS
Efectul lui VDS
 VGS VVGS 
2 2
DS  VDS

VDS ,sat  VGS  VT I DD  2I DI DSS 
,sat 1  
  1 
I DSS  2
 2VDS,sat
 VT  VTT  2VT 
V
-VGS +VDS
S G D
VDS,sat
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2
n+ p+ n+
substrat p 0
B
15.11.2015 DE 52
JFET – analogie hidrodinamică
Efectul lui VDS
ID > 0
VS
VDS
POARTĂ
VD
SURSĂ DRENĂ
15.11.2015 DE 53
Efectul lui VDS

ID = ID, sat
VS
VDS,sat
POARTĂ
VD
SURSĂ DRENĂ
15.11.2015 DE 54
ID ≈ ID, sat
Efectul lui VDS
VG
VG
VS
VDS
VD
SURSĂ DRENĂ
15.11.2015 DE 55
Capitolul IV
15.11.2015 DE 56
4.3.1. Structura MOS

Metal Oxid
S G D
SiO2 SiO2 SiO2

n+ rs
RSS
rd n+ Semiconductor
substrat p
B Fig. 4.3a
La TEC-MOS in raport cu TEC-J
• lipseşte zona p+ de poartă
• electrodul de poartă este dispus pe un strat izolant de oxid
• în cazul MOS cu canal indus, nu există canal care să conecteze zonele n+
15.11.2015 DE 57
Observatii
 In aplicatii se foloseşte:
• tranzistorul MOS cu 4 electrozi (2 porti de comanda):

G – poarta principala si B – poarta secundara
• tranzistorul MOS cu 3 electrozi (o poarta G): prin constructie, substratul B se

leaga la sursa
 TEC-MOS-ul are 2 jonctiuni, intotdeauna invers polarizate: J-BS si J-BD.

in regim stationar si cvasistationar curentii de substrat sunt
neglijabili.
 Curentii de poarta sunt neglijabili datorita oxidului izolator
15.11.2015 DE 58
4.3.2 Antrenarea canalului
Diagrama energetică la echilibru

M O S
M - electrodul G (nivelul Fermi EFm)
Ec,ox
O - oxidul de poarta (nivelul Ec, ox)
S - substratul (diagrama sem. p)

Ec
Ei
EFm q|ΦF|
EFs
Ev
Fig. 4.3b
15.11.2015 DE 59
Structura MOS la echilibru

iD
S D
B
Fig. 4.3c
Între S şi D sunt 2 diode dispuse spate în spate iD  0
Un curent iD≠0 între S si D

inducerea unui canal n între zonele n+
vGS  0
15.11.2015 DE 60
• e+ din B, din vecinătatea interfeţei substrat - oxid de poartă sunt îndepărtaţi de

potenţialul pozitiv al G
• e- din B sunt atraşi în vecinătatea interfeţei substrat - oxid de poartă de potenţialul

pozitiv al G
vGS concentraţia e- devine predominantă faţă de concentraţia de e+

pe o zonă foarte îngustă semiconductorul s-a inversat (p → n)
vGS  VT 0 concentraţia de e- din zona îngustă de tip n e egală cu

concentratia de e+ din volumul B
15.11.2015 DE 61
Diagrama energetică pentru vGS = VT0
M O S
qVox
Ec
Ei
q|ΦF|
EFs
q|ΦF|
qvGS=qVT0 Ev
EFm
Fig. 4.3d
-xos 0 xc xd,max x
• Diferenţa energetică EFs  EFm  qvGS  qVT 0

• Curbarea benzilor energetice în B pe o porţiune între 0 şi xd,max (zona de barieră)
15.11.2015 DE 62
Distribuţia tensiunii
vGS  VT 0  Vox  2  F
• Vox – tensiunea pe oxid
• 2|ΦF| – tensiunea pe semiconductor (inversie puternica)
• EF s  Ei x 0  Ei x  xd ,max  EF s  q  F
• între planele (x=0) şi (x=xc) semiconductorul e de tip n
• pentru x>xc substratul rămâne de tip p
vGS  VT 0  Vox   Notaţie:   2 F
15.11.2015 DE 63
Sarcina electrică
0 xc xd,max x
Fig. 4.3f
• Qn - sarcina mobilă – electroni în canal ( de grosime xc )
• QB0 - sarcina fixă – ioni negativi în zona de barieră ( de grosime xd,max )

QB 0  4 S qN A F  Qn  Cox vGS  VT 0 
12
Qn  QB0
15.11.2015 DE 64
Inducerea canalului –VBS = 0 VGS
VT0
+V=GSVT0
+VGS
S D
G
SiO2 SiO2
n+ n+
CSR CSR
regiune de golire canal n
substrat p
B 0
Fig. 4.3e
-VBS
15.11.2015 DE 65
4.3.3 Tensiunea de prag
VT - tensiunea aplicata pe G ce produce antrenarea canalului

1. Tranzistorul MOS cu o poartă
B legat la S VT → VT0
Structura MOS ideală
VT 0  Vox  
QB0
Legea Gauss Vox  
Cox
Cox – capacitatea pe unitatea de arie a oxidului de poarta
Structura MOS reală
VT 0  Vox    VFB (4.11a)
15.11.2015 DE 66
VFB – tensiunea de benzi netede
Structura MOS reală la echilibru termic

curbarea nivelelor energetice EC, Ei si EV datorită:
• sarcinilor din oxidul de poartă: sarcini de volum (ρox); sarcini de
interfaţă (QSS)
• diferenţa dintre lucrul mecanic de extractie a e- din metal, respectiv
din substrat
xox
0 xox ox x dx

Qss 1 x
VFB  MS  
Cox Cox
VFB – tensiunea ce trebuie aplicată pe G pentru a elimina curbura benzilor
15.11.2015 DE 67
2. Tranzistorul MOS cu două porţi

Structura MOS ideală
• S şi D legate la masă
• G şi B polarizate diferit
• xc  xd ,max  Qn  QB 0
vGS= VT
S G
-xox
n+ xc
RSS xd,max
p n Fig. 4.3g
B -vBS
15.11.2015 DE 68
QB
VT      VFB (4.11b)
Cox
QB 0 QB  QB 0
VT      VFB 
Cox Cox
1
QB0  2 S qN A  2
QB  qN A xd ,max  2 s qN A   vBS 

1
2
VT  VT 0    v BS    (4.11c)
QB 0
γ - factor de substrat  
Cox 
15.11.2015 DE 69
Concluzii
• VT tensiunea de prag a tranzistorului MOS cu 2 porti

• VT 0  VT vBS 0
tranzistorul cu o singură poartă
• (4.11a,c) au fost deduse pentru n-MOS, dar sunt valabile şi pentru

p-MOS
Tabelul 4.1
Parametru n-MOS p-MOS
Substratul p n
QB0 / QB <0 >0
vBS <0 >0
γ >0 <0
VT0 / VT >0 <0
15.11.2015 DE 70
Inducerea canalului – efectul lui VBS VGS
 2
VT  VT 0    VBS   
1
  
1
2
 VT

+VGS
+V
= GS
VT
S D VT0
G
SiO2 SiO2
n+ n+
CSR CSR
regiune de golire canal n
substrat p
B 0
Fig. 4.3h
-VBS
15.11.2015 DE 71
4.3.4 Conductanţa canalului

xC xC
0 qn nx dx  L n 0 qnx dx  L n Qn

W W W
gC 
L
W, L, xC dimensiunile geometrice ale canalului
n mobilitatea electronilor (valoarea medie)
Qn sarcina purtătorilor mobili din canal
Qn  Cox vGS  VT , vDS  0
k n vGS  VT 
W '
gC 
L
15.11.2015 DE 72
4.3.5 Regimuri de lucru

iG  0 , iB  0
vGS  VT  0 , vDS  0 MOS canal n (4.12a)
vGS  VT  0 vDS  0 MOS canal p (4.12b)
vGS  VT sau vDS  0 MOS canal n (4.12c)
vGS  VT sau vDS  0 MOS canal p (4.12d)
15.11.2015 DE 73
4.3.6 Relaţii între curenţi şi tensiuni la MOS
• n-MOS în conducţie: vGS  VT  0
• în regim cvasistaţionar iG  0 , iB  0
• singurul curent prin tranzistor este iD  0 daca vDS  0

• Domeniul tensiunii vDS se împarte în două zone:
15.11.2015 DE 74
Zona cvasi-liniară
0 < vDS < vGS – VT

G
S +vGS > VT D
canal n +vDS
vCS
n+ n+
dvCS
y
x
RSS
-vBS
B Fig. 4.3i
• vCS(y) - tensiunea pe canal (poziţia y)
15.11.2015 DE 75
vGC = vGS – vCS(y) > VT
vGS(y) tensiunea poartă - canal (poziţia y), vGC > VT
Conductanţa canalului scade pe direcţia y de la S spre D
gC  y   kn vGC  y   VT   kn vGS  vCS  VT 

W ' W '
L L
v DS
iD   g  y dv  y 
0
C CS
 2
vDS 
iD  kn  vGS  VT  vDS  
 2 
(4.13a)
 2

iD  kn ( p ) vGS  VT vDS 
vDS

 2 
15.11.2015 DE 76
Factorul de curent
W ' W
kn ( p )  kn( p )   n ( p )Cox (4.14)
L L
Zona liniară
vDS  vGS  VT
iD  kn ( p ) vGS  VT vDS (4.13b)
15.11.2015 DE 77
Zona de saturaţie / activă
vDS  vDS ,sat  vGS  VT
• saturaţie incipientă: vDS  vDS ,sat

kn ( p ) kn ( p )
iD  iD, sat  v 2
DS , sat  vGS  VT 2 (4.13c)
2 2
• saturaţie propriu-zisă vDS  vDS ,sat

kn ( p )
iD  (vGS  VT ) 2 (1  n ( p ) vDS ) (4.13d)
2
kn( p ) vDS  vDS ,sat

iD  ( vGS  VT ) ( 1 
2
) (4.13e)
2 VF
15.11.2015 DE 78
Parametrii statici
• tensiunea de prag VT
• factorul de curent kn(p)
• Tensiunea Early VF (inversul tensiunii λn(p))

Observaţii
a) Ecuaţiile şi funcţionarea MOS -ului sunt similare cu cele ale TEC-J

b) În saturaţie, apare modularea lungimii canalului (vezi analiza facută la TEC-J în
paragraful 4.2.3
c) Relaţiile (4.13) sunt valabile şi pentru p-MOS, dar trebuie să se lucreze cu |vDS|
şi |vGS - VT| .
15.11.2015 DE 79
4.3.7 Modelarea TEC-MOS D’
1. Modelarea în regim staţionar
VGS  VT 2 1  n p   VDS 

k n p 
ID  IS  (4.15a)
2
IG  I B  0
• Punctul static de funcţionare
QI D ,VGS ,VDS ,VBS 
VDS  VDS ,sat  VGS  VT saturaţie
15.11.2015 DE 80
2. Modelarea la semnal mic, frecvenţe joase
• Condiţia de semnal mic
vgs - semnal de joasă frecvenţă

vGS  VGS  vgs 

kn i  I D  id
2 D
iD  vGS  VT  
2 
diD 1 d 2 iD
iD  iD VGS   vGS  VGS     2
2
vGS VGS
dvGS Q
2 dvGS Q

15.11.2015 DE 81
vgs  vGS  VGS
diD
 kn VGS  VT 
dvGS Q
d 2 iD d 3 iD
2
 kn ;  3 0
dvGS Q dvGS Q
15.11.2015 DE 82
id  kn  VGS  VT   vgs   vgs  kn  VGS  VT   vgs

kn 2
2
 id ~ vgs  dacă
vgs  VGS  VT  (4.8)
condiţia de semnal mic
15.11.2015 DE 83
• Pantele tranzistorului, gm, gmb. Conductanţa de ieşire, gds
iD vGS , vDS , vBS    vGS  VT   1  n vDS 

kn 2
VT  VT0   n   vBS     
 iD  iD  iD
iD  iD VGS ,VBS ,VDS    vGS  VGS    vBS  VBS    vDS  VDS   ...
 vGS Q
 vBS Q
 vDS Q
I D  iD VGS ,VDS ,VBS 

vds  vDS  VDS vbs  vBS  VBS
15.11.2015 DE 84
• Circuitul echivalent de semnal mic, frecvenţe joase

id  is  g m vgs  g mb vbs  g dsvds
(4.15b)
ig  ib  0
D’
rd id
D
+
gmvgs rds vds gmbvbs
ig=0 - ib=0
G B
+ vgs - S - vbs +
rs id = is
S’
Fig. 4.3j
15.11.2015 DE 85
Circuite simplificate
a) rd şi rs - efect neglijabil D
id
+
ig=0 ib=0 B
G -
+ id = is +
vgs S vbs
-
Fig. 4.3k
15.11.2015 DE 86
b) rd şi rs - efect neglijabil şi vbs= 0
+
gmvgs rds vds
G ig=0
-
+ vgs S=B
-
Fig. 4.3l
15.11.2015 DE 87
3. Modelare la semnal mic, frecvenţe înalte
• Capacităţi interne
Fig. 4.3m
15.11.2015 DE 88
a) Capacităţile jonctiunilor
Capacităţi de barieră ale J-BS şi J-BD – identice, polarizate invers
qBS vBS   qBS VBS  

dqBS
vbs  QBS  Cbsvbs
dvBS Q
qBD vBD   qBD VBD  

dqBD
vbd  QBD  Cbd vbd
dvBD Q
15.11.2015 DE 89
b) Capacităţi de poartă
dqGS
qGS  qGS VGS   vgs  QGS  C gs vgs
dvGS Q
dqGD
qGD  qGD VGD   vgd  QGD  C gd vgd
dvGD Q
dqGB
qGB  qGB VGB   vgb  QGB  C gb vgb
dvGB Q
15.11.2015 DE 90
• Relaţii generale între curenţi şi tensiuni
dqGD dq BD
iD  iDS  iBD  
dt dt
dqGS dqGD
iG  
dt dt
(4.15c)
dq BS dq BD
iB  iBS  iBD  
dt dt
dqGS dq BS
iS  iDS  iBS  
dt dt
15.11.2015 DE 91
Curentul principal al tranzistorului
iDS (4.13d)
Curenţii iBS, iBD
  vBS  
iBS  I 0 exp   1   I 0  0
  mVth  
  vBD  
iBD  I 0 exp   1   I0  0
  mVth  
15.11.2015 DE 92
• Circuitul echivalent de semnal mic, frecvenţe înalte
dv gd dvbd
id  g m v gs  g mbvbs  g dsvds  C gd  Cbd
dt dt
dv gs dv gd
ig  C gs  C gd
dt dt (4.15d)
dvbs dvbd
ib  Cbs  Cbd
dt dt
dv gs dvbs
is  g m v gs  g mbvbs  g dsvds  C gs  Cbs
dt dt
15.11.2015 DE 93
D’
vgd id vbd
rd
Cgd Cbd
- D -
ig +
G ib B
+ +
-
- S -
Cgs Cbs
vgs rs is vbs
S’
Fig. 4.3n
15.11.2015 DE 94
4. Parametrii dinamici ai MOS
Panta principală
iD
gm   kn VGS  VT   2kn I D
vGS Q
g m  kn p  VGS  VT  2kn p I D (4.16a)
15.11.2015 DE 95
Panta secundară
iD iD dVT

g mb   
vBS Q
VT Q
dvBS Q
 iD  VT n
    gm
 vGS  Q vBS Q 2   VBS
 n p 
g mb  g m (4.16b)
2 VBS  
15.11.2015 DE 96
Conductanţa de ieşire
iD
g ds   n  p  I D (4.10a)
vDS Q
Rezistenţa de ieşire
1
rds  (4.10b)
n  p  I D
15.11.2015 DE 97
Capacităţi de barieră
Cbs0
Cbs 
1  VBS  B 0 mj (4.17a)
Cbd 0
Cbd 
1  VBD  B 0 mj
(4.17b)
Cbs0  Cbs 1 1
VBS  0
m j   ... 
3 2
Cbd 0  Cbd V
BD  0
15.11.2015 DE 98
Capacităţi de poartă
Cod  Cox LDW
2
Cgs ,i  Cox LW Cgd ,i  0
3
 2 
Cgs  Cgs ,i  Cod  Cox  LD  L  W (4.17c)
 3 
Cgd  Cgd ,i  Cod  Cox LDW (4.17d)
Cgb  0 (4.17e)
15.11.2015 DE 99
Capacităţi de poartă - demonstratie
W nCox vGS  vCS  y   VT  dvCS

dy 
ID
vGS VT
W C n
2 2
 v  vCS  y   VT  dvCS
2
Qn,T  ox
GS
ID 0
2
Qn,T  WLCox  vGS  VT 
3
dQn,T 2 dQn,T
Ci ,s   Cox LW Ci ,d  0
dvGS 3 dvDS
15.11.2015 DE 100
Capacităţi de poartă - demonstratie

Ci Capacitati intrinseci
d Qn,T
Cgs ,i 
dvGS
Q
L
Qn,T  WCox   vGS  vCS  y   VT  dy
0
dQn QnWdy QnWdy dvCS

ID     QnWvd  QnW n
dt dt dy / vd dy
Qn  y   Cox vGS  vCS  y   VT 
15.11.2015 DE 101
Tensiunea de prag la MOS cu o poartă

Analogie hidrodinamică
VGS = 0
VS = VB = 0 VT0 VD = 0
VS = 0 VGS
VG
15.11.2015 DE 102
VGS > VT0
VS = VB = 0 VD = 0
VS = 0 VT0
VG VG
S
15.11.2015 DE 103
VGS > VT0
VS = VB = 0 VD = 0
VS = 0 VT0
VG VG
S
15.11.2015 DE 104
Tensiunea de prag la MOS cu două porţi

VBS = 0
VB = 0
VS = 0 VT0 VD = 0
VG = 0
15.11.2015 DE 105
VBS < 0
VS = 0 VT VBS VD = 0
VG = 0
15.11.2015 DE 106
VGS = VT > 0
VS = 0 VD = 0
0
VGS = VT
VG VG = 0
15.11.2015 DE 107
VGS > VT0 VDS > 0
VS = VB = 0 VD = 0
VS = 0
VD
VG VT0
VG
S
VD
S
15.11.2015 DE 108
VDS = VDS,sat
VS = VB = 0 ID = ID,sat
VS = 0
VD
VG VT0
VG
S
VDS,sat
VD
S
15.11.2015 DE 109
VDS > VDS,sat
VS = VB = 0 ID ≈ ID,sat
VS = 0
VD
VT0
VG
VDS > VDS, sat
15.11.2015 DE 110
Capitolul IV
15.11.2015 DE 111
4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial
4.4. Tranzistorul MOS cu canal iniţial

Metal Oxid
S G D
SiO2 SiO2 SiO2

n+ rs RSS rd n+ Semiconductor
canal n
substrat p
B Fig. 4.4a
• substratul p, canalul n, zonele n+ de S si D – de la structura TEC-J
• electrodul de poartă, oxidul de poarta – de la MOS cu canal indus
15.11.2015 DE 112
Canalul n
• creat printr-un proces tehnologic

• rezultat datorită sarcinilor din oxid
Tensiunea de prag
• canal n VT<0
• canal p VT>0
• tranzistorul conduce si la vGS=0
15.11.2015 DE 113
Regimuri de lucru
iG  0 , iB  0
vGS  VT vDS  0 MOS canal n (4.18a)
vGS  VT vDS  0 MOS canal p (4.18b)
vGS  VT sau vDS  0 MOS canal n (4.18c)
vGS  VT sau vDS  0 MOS canal p (4.18d)
15.11.2015 DE 114
Funcţionare în conducţie
Regim de acumulare/îmbogăţire:
vGS  0 canal n
vGS  0 canal p
funcţionare similară cu MOS cu canal indus
Regim de golire/sărăcire:
VT  vGS  0 canal n
VT  vGS  0 canal p
funcţionare similară cu TEC-J
15.11.2015 DE 115
Canalul n
• modelarea statica si dinamica similara cu MOS cu canal indus

• parametrii statici si dinamici similari cu MOS cu canal indus
15.11.2015 DE 116
Capitolul IV
15.11.2015 DE 117
4.5 Comparaţie între tranzistoarele bipolar şi MOS

Bipolar MOS
B G
Analogie între E S
electrozi C D
- B
C D
Simbol B
G B
E S
iin (regim iE
cvasistaţionar) iB  0
F
15.11.2015 DE 118
Bipolar MOS
rin
rπ ∞
(în B/G)
vGS > VT0
vBE > VBE,on
= 0,4 – 0,7 V
= 0,5 – 0,7 V
Regiune activă (de
amplificare) vDS > VDS,sat =∆vGS
vCE > VCE,sat
= 0,2 – 0,4 V
= 0,1 – 0,2 V
IC / ID
4 - 6 decade 2 – 4 decade
(domeniu)
15.11.2015 DE 119
Bipolar MOS
1 1 1
- inversie slabă
Vth 2  1 nVth
IC
1 2k n
I KF - inversie puternică
gm / IC(D) ID
1
I C  I KF
Vth WCoxvsat
1 - saturaţia
I C  I KF ID vitezei
2Vth
15.11.2015 DE 120
Bipolar MOS
gm gm
2 C  C  2 C gs  C gd 
n 3 n
fT V VGS
wB2 th
4 L2
C  g m F  C j , E  C  C gs  Cgd 
vsat vsat
fT,max
2wB 2L
15.11.2015 DE 121
gm/IC(D)
1
1 Vth
nVth
1
2Vth
IKF IC(D)
Fig. 4.5
15.11.2015 DE 122
• Regimul activ de funcţionare (amplificare)
Definite prin condiţii similare

– regim activ normal la tranzistorul bipolar
– regim de saturaţie la MOS
• Circuitul de intrare (regim cvasistaţionar)
– în bază este unic iB = iC / βF
Puterea de comandă în poartă este mult mai mică decât în bază pentru aceeaşi
putere la ieşire
15.11.2015 DE 123
Zona liniara vDS  vGS  VT -VGS
 V  VDS 
I D  2I DSS  1  GS  

 VT  T 
V
-VGS +VDS
S G D
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

n+ p+ n+
substrat p 0
Fig 4.2g B
15.11.2015 DE 124
• 4.2.3 Relaţii între curenţi şi tensiuni V
DS
• 1.Zona de trioda (cvasiliniară ) vDS  vGS  VT
•
-VGS +VDS
S G D
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

n+ p+ n+
substrat p 0
B Fig. 4.2f
15.11.2015 DE 125
Saturatie incipientă VDS
2 2
DS  VDS

VDS ,sat  VGS  VT I DD  2I DI DSS 
,sat 1  
  1 
I DSS  2
 2VDS,sat
 VT  VTT  2VT 
V
-VGS +VDS
S G D
VDS,sat
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2
n+ p+ n+
substrat p 0
B
15.11.2015 DE 126
2b. Saturatie propiu zisa VDS
2 2
DS  VDS

vDS  VDS ,sat  VGS  VT I DD  2I DI DSS 
,sat 1  
  1 
I DSS  2
 2VDS,sat
 VT  VTT  2VT 
V
-VGS +VDS
S G D
VDS,sat
SiO2 SiO2 SiO2 SiO2
n+ p+ n+
substrat p 0
B
15.11.2015 DE 127

Tranzistorul Cu Efect de Camp TEC PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Tranzistorul Cu Efect de Camp TEC PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

•Capitolul IV

TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP (TEC)

4.1 Prezentare generală

4.2 TEC cu poartă joncţiune

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

4.4 Tranzistorul MOS cu canal iniţial

4.5 Comparaţie între bipolar şi MOS

Tranzistorul cu efect de câmp (TEC)

• TEC-J (J-FET), TEC cu poarta – jonctiune

• TEC-S (MES-FET), TEC cu poarta – Schottky

• TEC-MOS (MOS-FET), TEC cu poarta – MOS

TEC-MOS cu canal n TEC-MOS cu canal p

4.1 Prezentare generală

4.2 TEC cu poartă joncţiune

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus

4.4 Tranzistorul MOS cu canal iniţial

4.5 Comparaţie între bipolar şi MOS

SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

• Structura ideală cuprinde numai această zonă (Fig. 4.2b).

4.2.2 Conductanţa canalului. Tensiunea de prag

Conductanta modulata de campul electric controlat de VGS

•conductanţa efectivă functie de tensiunea de prag

•conductanţa efectivă maximă

SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

Conductanţa efectivă functie de tensiunea de poarta

4.2.3 Regimuri de funcţionare

0  vGS  VT , vDS  0 TEC-J canal p (4.3b)

• Funcţionare în blocare iD  0 

vGS  VT sau vDS  0 TEC-J canal p (4.3d)

iD  g o,ef  v DS (4.4a) VGS = VT/2

g o ,ef (4.1b) VGS = VT

•formula (4.1d) - empirică

•zona liniară: TEC–J o rezistenţă 1/g0,ef controlată prin vGS

2.Zona de tranziţie (cvasiliniară)

vDS  vGS  VT vGD  vGS  0

Zona de saturatie vDS  vGS  VT

vGD  vGS  vDS  VT

4.Saturaţie propriu-zisă (zona activă)

vDS  vDS ,sat  vGS  VT

IDSS – curentul maxim prin tranzistor

IDSS – dată de catalog

Modularea lungimii canalului (efectul Early)

Lef vDS   Lef vDS ,sat    vDS  vDS ,sat   ...

Modularea lungimii canalului (efectul Early)

 vDS  vDS , sat 

L vDS  vDS ,sat (4.6b)

SiO2 SiO2 SiO2 SiO2

4.2.5 Modelarea TEC-J

• Punctul static de funcţionare

QI D ,VGS ,VDS 

2. Modelarea la semnal mic, frecvenţe joase

VDS  VDS ,sat  VGS  VT saturaţie

• Condiţia de semnal mic

vGS  VGS  vgs 

diD I DSS  VGS  d 2 iD I DSS

I DSS  VGS  I DSS 2

id ~ vgs v gs  VGS  VT (4.8)

• Panta tranzistorului, gm. Conductanţa de ieşire, gds

vds  vDS  VDS

• Circuitul echivalent de semnal mic, frecvenţe joase

3. Modelare la semnal mic, frecvenţe înalte

• Capacităţi interne Cgs, Cgd

Capacităţi de barieră ale J-GS şi J-GD - polarizate invers