Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

Unitatea de învăţare nr. 7

TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP CU JONCȚIUNE

Cuprins Pagina

Obiectivele unităţii de învăţare nr. 7 218

7.1 Preliminarii 218
7.1.1 Structură simbol notații 219
7.1.2 Principiul de funcţionare 219
7.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere 220
7.2 ComportareaTECJ în regim cvasistatic de semnal mare 221
7.2.1 Caracteristici statice 221
7.2.2 Modele de semnal mare pentru TECJ 222
7.2.3 Abateri de la teoria ideală 223
7.2.4 Limitări în funcţionare 224
7.3 ComportareaTECJ în regim cvasistatic de semnal mic 225
7.4 PolarizareaTECJ 225
7.5 Aplicații 226
De reținut 230
Test de autoevaluare 231
Lucrare de verificare – unitatea de învăţare nr. 7 253
Răspunsuri şi comentarii la întrebările din testele de autoevaluare 254
Recapitulare 255
Concluzii 272
Bibliografie – unitatea de învăţare nr. 7 273

Instructiuni si timp mediu necesar de studiu: studentul va parcurge materialul pus la

dispozitie, va reprezenta si in mod individual elementele grafice prezentate si nu se va limita
la o simpla vizionare. Studiul individual aferent unitatii este acoperit in 3-4 h.

217
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

218
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

OBIECTIVELE unităţii de învăţare nr. 7

Principalele obiective ale Unităţii de învăţare nr. 7 sunt:

• Familiarizarea cu funcționarea tranzistorului cu efect de
câmp cu joncțiune
• Sublinierea aspectelor practice legate de funcționare în
regim cvasistatic de semnal mare respectiv regim
cvasistatic de semnal mic
• Recunoaşterea modelelor de utilizate în regim
cvasistatic de semnal mare respectiv regim cvasistatic
de semnal mic
• Aplicarea cu succes a unor elemente simple de calcul

Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune, (denumirea prescurtată TECJ), a fost imaginat teoretic de
Schockley în 1952 şi realizat pentru prima oară de Dacey şi Ross eveniment raportat în 1953.
Principiul lui de funcţionare este total diferit de cel al unui tranzistor bipolar. Amintim că în cazul unui
tranzistor bipolar, la conducţie participă două tipuri de purtători, iar curentul principal se stabileşte între
emitor şi colector, valoarea lui fiind controlată de potenţialul aplicat pe bază. Trebuie insistat însă asupra
faptului că in drumul lor, purtătorii “emişi” de emitor parcurg baza – devenind minoritari – şi sunt, în
final, ”colectaţi” de colector. La TECJ – după cum se va vedea – curentul principal se stabileşte între
un electrod numit sursă şi un altul drenă, valoarea lui fiind controlată de potenţialul aplicat pe un al
treilea electrod numit grilă sau poartă. De acesta dată purtătorii “emişi” de sursă emitor parcurg un
canal – rămânând majoritari – şi sunt, în final, ”colectaţi” de drenă. Grila în cazul acestui tranzistor
controlează prin intermediul câmpului electric indus în canal dimensiunile geometrice ale acestuia, şi
în final rezistenţa lui. Altfel spus, funcţionarea tranzistorului cu efect de câmp cu joncţiune - şi în general
a tuturor tranzistoarelor cu efect de câmp, constă, în esenţă, în controlul unui singur tip de purtători –
tranzistor monopolar - purtătorilori ce tranzitează canalul cu observaţia că de această dată ei sunt
majoritari. Atfel spus, în timp ce funcţionarea tranzistorul bipolar are la bază un ansamblu de fenomene
legate controlul transportului a două tipuri de purtători, funcţionarea tranzistoarelor cu efect de câmp
are la baza un ansamblu de fenomene legate controlul transportului unui sigur tip de purtători iar aceştia
sunt cei majoritari.
Structura capitolului este:
▪ Subcapitolul unu este dedicat noţiunilor generale;
▪ Subcapitolul doi prezintă comportarea TECJ în regim cvasistatic de semnal mare. Sunt
prezentate principalele caracteristici statice precum şi modele uzuale;
▪ Subcapitolul trei prezintă comportarea TECJ în regim cvasistatic de semnal mic. Sunt
prezentate modelele matematice precum şi modelele electrice;
▪ Subcapitolul patru este dedicat problemelor speciale legate de polarizarea TECJ.
▪ Subcapitolul cinci prezintă o aplicatie uzuală şi anume etajul sursă comună

7.1 Preliminarii
Acest subcapitol se ocupă de:

219
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

1. Structură, simbol, notaţii;

2. Principiul de funcţionare;
3. Conexiunile tranzistorului;

7.1.1 Structură, simbol, notaţii

Figura 6.1 prezintă o structură de principiu. În figura este reprezentat un TECJ cu canal n. Există de
asemenea TECJ cu canal p care are însă o structură complementară.
unde:
joncţiune G joncţiune
p-n p-n

n p n

S D
canal

G
S
Figura 6.1.

S electrod sursă
G electrod grilă (poartă)
D electrod drenă
B electrod substrat - joacă rol de grilă doi.
Figura 6.2.a şi 6.2.b prezintă atât simbolurile cât şi notaţiile uzuale pentru TECJ cu canal n, respectiv
canal p.
D D
iD iD
vDG vGD
iG iG
G vDS G vSD
vSGS iS S
v iS
S
G

S S

Figura 6.2 a. Figura 6.2 b

S-au folosit notaţiile:
• iD curent de drena;
• iS curent de sursă;
• iG curent de grilă.
Pentru tensiuni notaţiile sunt cele obişnuite. Sensurile curenţilor sunt cele naturale. Datorită faptului ca
singurile diferenţe dintre cele două tipuri de tranzistoare sunt legate practic de sensurile fizice asociate
curentilor şi tensiunilor, în continuare se va face referire în mod expres numai la TECJ cu canal n.
Actualizarea ecuaţiilor pentru TECJ cu canal p se face schimbând semnele algebrice (+ sau -) din faţa
mărimilor electrice.
7.1.2 Principiul de functionare
Funcţionarea – după cum a fost amintit deja - este următoarea: curentul principal din dispozitiv se
stabileşte între sursă şi drenă. El este constituit din electroni. În figura 6.1 se pune in evidentă faptul că
în parcursul lor, aceşti electroni trec printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată

220
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

de potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca joncţiunea grilă-canal să fie
polarizată invers. Amintim că:
1. în cazul unei jonctiuni polarizate invers extinderea regiunii de sarcină spaţială depinde de
valoarea tensiunii aplicate pe joncţiune;
2. Regiunea de sarcina spaţială prezintă din punct de vedere electric o rezistenţă foarte mare (nu
există purtători mobili).
În aceste condiţii mecanismul de comandă este următorul:
1. potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal;
2. modificarea dimensiunilor regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la
modificarea geometriei canalului.;
3. modificarea geometriei canalului are ca efect modificarea rezistenţei canalui;
4. modificarea rezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -la comandă
– a curentului dintre drenă şi sursă.
Fără a mai intra în detalii trebuie spus că se pot pune în evidenţă cel puţin trei două moduri distincte
de lucru ale TECJ:
1. Rezistenţă comandată. În mare este vorba de mecanismul amintit. Despre tranzistor se sune
că lucreză în regim liniar;
2. Generator de curent comandat. În această situaţie canalul este ştrangulat, dar purtătorii injectaţi
de sursă pot ajunge la drenă. Despre tranzistor se spune că lucreză în regim saturat;
3. Circuit întrerupt. În această situaţie canalul este ştrangulat, iar purtătorii injectaţi de sursă nu
mai pot ajunge la drenă. Despre tranzistor se spune că lucreză în regim blocat;
7.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere.
Ca şi în cazul tranzistoarelor bipolare şi aici se poate apela la descrierile formale ale teoriei cuadripolilor.
Acesta este motivul pentru care se pun în evidenţă trei topologii fundamentale ale circuitului cu TECJ.
Conexiunea sursă comună (figura 6.3) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul de drenă. Pentru această conexiune
sensurile convenţionale ale curenţilor şi tensiunilor coincid cu cele fizice.
Conexiunea grilă comună (figura 6.4) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul de
D i S
O iO

iIN iO iIN
iIN vO
vO
G
vIN G vIN S D vO vIN

S G D

Figura 6.3. Figura 6.4 Figura 6.5.

sursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul de drenă. Pentru această conexiune
sensurile convenţionale ale curenţilor şi tensiunilor nu coincid cu cele fizice
Conexiunea drenă comună (figura 6.5) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul de sursă. Nici pentru această conexiune
sensurile convenţionale ale curenţilor şi tensiunilor nu coincid cu cele fizice.
În mod uzual TECJ este descris de două ecuaţii de forma:
iG=iG(vGS,vDS) (6.1)
iD=iD(vGS,vDS) (6.2)
Întrucât în funcţionarea normală joncţiunea grilei este polarizată invers (6.1) devine:

221
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

iG0 (6.3)

7.2 Comportarea TECJ bipolar în regim cvasistatic de semnal mare

În regim cvasistatic de semnal mare TECJ este integral descris de douǎ şi numai douǎ ecuaţii, numite
ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt, caracteristici statice. În mod uzual acestea sunt ecuaţiile
6.2 şi 6.3 Prezentul subcapitol işi propune sǎ prezinte formele explicite ale acestor caracteristici, iar pe
baza lor sǎ dezvolte modele aproximative pentru TECJ. Suplimentar, este prezentat modul de definire
al valorilor limitǎ ale parametrilor electrici ce pot fi suportate de aceste tranzistoare În consecintǎ,
structura subcapitolului este:
1. Caracteristici statice;
2. Modele de semnal mare pentru TECJ
3. Abateri de la teoria ideală
4. Limitări în funcţionare.
7.2.1 Caracteristici statice
Prezentul subcapitol nu va prezenta modul în care se poate explicita relaţia (6.3). Amintim totuşi că
fiind vorba de o funcţie de două variabile ea se reprezintă uzual în plan sub forma a două caracteristici
de forma:

iD = iD (vDS ) (6.4)
u GS = const .

numită caracteristica de ieşire şi:

iD=iD(vGS) (6.5)
u DS =const .

numită caracteristica de intrare.

a.) Caracteristica de ieşire
Este prezentată în figura 6.6. Se constată asemănarea dintre această carateristică şi cea a
tranzistorului bipolar. Ca atare se pot pune în evidenţă, şi în acest caz, existenţa mai multor regiuni:
I.) Regiunea liniară este regiunea în care tranzistorul se comportă ca rezistenţă comandată; valorile
acestei rezistenţe sunt în general mici lucru atestat de panta caracteristicii; în această regiune
dependenţa curentului de drenă de tensiunea drenă-sursă poate fi aproximată de o dreaptă.
II.) Regiunea de cot este o regiune de tranziţie; de obicei tranzistoarele nu funcţionează în acestă
regiune; caracteristica se poate aproxima parabolic. Analiza ei nu face obiecul prezentului curs.
III.) Regiunea de saturaţie; în această regiune tranzistorul funcţionează ca generator comandat;
comanda este dată prin intermediul tensiunii grilă sursă.
iD
Regiune vGS-vT
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=0.1V
liniara
vGS=0V
Regiune de
vGS=2V
blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS
222 Figura 6.6
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

IV.) Regiunea de blocare; în aceată reginea tranzistorul se comportă ca un circuit întrerupt; este
caracterizată de faptul că tensiunile pe trazistor lua orice valori (în limitele normale), dar curentul este
nul.
b.) Caracteristica de intrare .
Este prezentată în figura 6.7.
iD

IDSS

VT vGS

Figura 6.7

Se pun în evidenţă mărimile:

IDSS curentul de drenă corespunzător tensiunii grilă sursă nulă
VT tensiunea de prag
Caracteristica poate fi aproximată printr-o parabolă. Observaţiile prezentate la analiza caracteristicilor
permit obţinerea unor modele aproximative după cum urmează:
7.2.2. Modele de semnal mare pentru TECJ
Modele ce vor fi prezentate sunt modele aproximative. Din această cauza se vor particulariza pentru
fiecare de regim de funcţionare al tranzistorului în parte.
1.) Regim de blocare. Ecuaţiile (6.2) şi (6.3) care reprezintă modelul matematic general al TECJ capătă
forma:
iG=0 (6.6)
iD=0 (6.7)
Schema echivalentă corespunzătoare este prezentată în figura 6.8.

G D

vGS vDS
S

Figura 6.8

2.) Regim saturat. Modelul matematic este:

iG=0 (6.8)
2
 v 
i D = I DSS 1 − GS  (6.9)
 VT 
Relaţia (6.9) a fost scrisă punând condiţia ca parabola din figura 6.7 să treacă prin punctele (0,I DSS) şi
(-VT, 0), având rădăcină dublă în acesta din urmă. Schema echivalenta este prezentată î figura 6.9

G D
vGS 2
IDSS 1 − vGS 
 VT 

S

Figura 6.9 223

Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

3.) Regim liniar. Modelul matematic este:

iG=0 (6.10)
 v 
1
2 
iD = Go 1 −  GS   vDS (6.11)
  VT  
 
unde:
Ro
R= (6.12)
1 − KvGS

iar Ro este rezistenţa pentru vGS=0; şi K constantă a tranzistorului.

Schema echivalentă este prezentată în figura 6.10.

G D
vGS
R

S
Figura 6.10

7.2.3. Abateri de la teoria ideală

Există două categorii de situaţii care au fost neglijate până în acest moment:
1. fenomenele de străpungere şi
2. efectele temperaturii
ca atare ele vor constitui subiectele analizate în această secţiune.
1.) Fenomenul de străpungere. În mod uzual se discută despre străpungerea existentă la nivelul
canalului precum şi cea existentă la nivelul joncţiunii de poartă. Fenomenul de străpungere existent la

iD

IDmax

UDS(BR) uDS

Figura 6.11

nivelul canalului este pus în evidenţă de caracteristicile statice din figura 6.11.
Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datorat străpungerii prin multiplicare în avalanşă
care apare la capătul dinspre drenă al canalului. Fenomenul de străpungere la nivelul joncţiunii de
poartă, impune limitarea tensiunilor inverse pe poartă.
2.) Variaţia cu temperatura a parametrilor electrici
Studiul acestei variaţii se face numai pentru curentul de drenă. Variaţia celorlalţi parametrii de interes
se poate deduce din această variaţie.

224
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

Acest studiu porneşte cu obsevaţia că o dată cu creşterea temperaturii, IDSS scade datorită scăderii
mobilităţii purtătorilor de sarcină. VT, celălalt parametru al caracteristicii de iesire, scade şi el.
Caracteristicile de iesire se modifică ca în figura 6.12. Se constată existenţa unui punct, numit punct
”Z”, care prezintă proprietatea de a avea coordonatele {IZ, VZ} independente de temperatură. Tot din
figură se observă că în zona curenţilor mari (iD>IZ) curentul de drenă scade o dată cu creşterea
temperaturii. Pentru acest domeniu de valori ale lui ID problema ambalării termice nu se pune.
7.2.4. Limitări în funcţionare
iD
T1
T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2
Z
IZ

VT2 VT1 VGZ vGS

Figura 6.12

Ca şi în cazul tranzistorului bipolar limitele parametrilor electrici ai TECJ sunt date în principiu de trei
tipuri de fenomene:
1. Fenomenul de străpungere. Impune tensiunile inverse maxime suportabile de dispozitiv. Uzual
este vorba de VDSVGS şi VDG;
2. Capacitatea limitată a dispozitivului de eliminare a căldurii datorată puterii dipate. Impune
puterea disipată maxim admisibilă;
3. Limitări tehnologice ale curenţilor maxim admisibili. Impune limitarea lui ID
Tot în figura 6.11 prezintă o parte dintre aceste limitări

7.3 Comportarea TECJ in regim cvasistatic de semnal mic

După cum a fost menţionat modelul matematic pentru regimul cvasistatic de semnal mic - al oricărui
dispozitiv electronic - se obţine liniarizând Taylor modelul matematic de semnal mare. Prin urmare,
liniarizând ecuaţiile (6.10) şi (6.11) se va obţine:
ig=0 (6.13)
id=gmvgs (6.14)
unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)
iar
diD 2 I DSS  VGS  2I D
gm = =− 1 −  = (6.15)
dvDS QP VT  VT  VGS − VT

225
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

poartă numele de tranconductanţă mutuală. Schema echivalentă corespunzătore este prezentată în

figura 6.13.

G D

vgs gmvgs

Figura 6.13

7.4. Polarizarea TECJ

În cazul TECJ, circuitul de polarizare are sarcina de a asigura polarizarea inversă a joncţinii poartă -
canal. În plus acest circuit trebuie să asigure stabilitatea punctului static de funcţionare funcţie de
dispersia parametrilor, dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii. Există două
topologii mai utilizate pentru asemenea circuite:
• circuit cu negativare automată
• circuit cu divizor pe poartă
Prezenta secţiune va prezenta doar circuitul cu negativareautomată.
Circuit cu negativare automată
a.) schema. este prezentată în figura 6.14

ED G D
ID

VGS VDS

S
RG RS ED
RG RS

Figura 6.14 Figura 6.15

b.) rol elemente

RG, RS circuit care asigură negativarea automată.
Demonstraţia afirmaţiei este următoarea: Se observă că:
VGS=VG-VS (6.16)
Dar:
VG=IGRG (6.17)
şi întrucât IG0 relatia (6.17) devine:
VG0 (6.18)
Pe de altă parte:
VS=RSID>0 (6.19)
Înlocuind (6.18) şi (6,19) în (6.16) se obţine:

226
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

VGS=-RSID<0 (6.20)
c.) analiza de semnal mare În cadrul acestui tip de analiză se va face analiza de curent continuu,
analiză ce presupune calculul PSF-ului. Schema echivalentă de curent continuu pentru circuitul din
figura 6.14 este prezentată în figura 6.15 Se poate scrie:
ED= IDRS+VDS (6.21)
cu:
2
 V 
I D = I DSS 1 − GS  (6.11)
 VT 

iar
VGS=-IDRS (6.22)

Sistemul (6.21), (6.11) şi (6.22) conţine trei necunoscute: ID,VDS,şi VGS, deci problema este rezolvată.

7.5 Aplicaţii.

Ca şi în cazul tranzistorului bipolar aplicaţiile fundamentale sunt constituite de etajele construite cu

TECJ lucrând în una din conexiunile sale fundamentale şi anume: sursă comună, grilă comună, şi drenă
comună. Prezentul capitol va prezenta numai etajul sursă comună.

Etaj sursă comună.

În configuraţia sursă comună semnalele se aplică între grilă şi sursă şi se culeg între drenă şi sursă.
Sursa este din punct de vedere alternativ la masă.
a.) Schema de principiu.
Este prezentată în figura 5.34
ED

RD
iD iO
iIN

vO
vIN

Figura 6.16

b.) Rolul elementelor; notaţii folosite

RD - rezistenţă de sarcină
vIN - tensiune de intrare (valoare instantanee totală)
uO - tensiune de ieşire(valoare instantanee totală)
iIN - curent de intrare(valoare instantanee totală)
iO - curent de ieşire(valoare instantanee totală)
227
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

iD - curent de drenă(valoare instantanee totală)

c.) Analiza de semnal mare.
În cadrul analizei se semnal mare se va ridica caracteristica de transfer
vO=vO(vIN) (6.23)
Trebuie observat că funcţie de valoarea tensiunii de intrare tranzistorul poate fi blocat, saturat sau în
regiunea liniară. Astfel:
1. Dacă:
vIN<VT (6.24)
unde - VT tensiune de prag.
tranzistorul este bocat. Schema din figura 6.16 se modelează conform schemei din figura 6.17.

ED ED ED

RD RD RD
iD iO
iIN iIN iIN
G D G D iD G D R
vIN vGS vO vIN vGS vO vIN vGSE vO
S S S

Figura 6.17 Figura 6.18 Figura 6.19

Se poate scrie:
vO=ED (6.25)

2.) Dacă:
vIN>VT : (6.26)
şi:
vDS>vDSsat (6.27)
atunci tranzistorul se găseste în regiunea de saturaţie. Pentru calculul tensiunii de ieşire schema din
figura 6.16 se modelează conform figurii 6.18, rezultând:
2
 v 
vO=ED- RD I DSS 1 − GS  (6.28)
 VT 
3.) Dacă
vIN>VT : (6.29)
şi:
vDS<vDSsat (6.30)
tranzistorul se găseste în regiunea liniară. El se comportă ca o rezistenţă. Schema din figura 6.16 se
modelează ca în figura 6.19. Rezultă:
R
vO= ED t (6.31)
R + RD

228
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

unde R este dat de (6.12). Reprezentând pe acelaşi grafic relaţiile (6.25), (6.28) şi (6.31) se obţine
figura 5.38

Regiunea
de blocare
vO

ED
Regiunea
de saturaþie
Regiunea
liniarã
VT vINsat vIN

Figura 6.20.

Analiza acestui grafic scoate în evidenţă următoarele aspecte:

I. Când tranzistorul este blocat tensiunea de la ieşirea etajului este constantă şi apropiată de
valoarea sursei de alimentare;
II. Când tranzistorul este în regiunea liniară tensiunea de la ieşirea etajului are valori mici
III. Când tranzistorul este în regiunea se saturaţie etajul amplifică.
d.) Etaj de amplificare în conexiunea sursă comuna.
d1.) Schema este prezentată în figura 6.21
ED

RD

C1
C2
V0
Vin
RG RS CS

Figura 6.21

d2.) rolul elementelor; notaţii folosite

RG, RS negativarea automată.
RD rezistor de sarcină
CS condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu
neavând nici un efect.
C1;C2 condensatoare de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând componenta
continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
Vin tensiune de intrare (amplitudine de semnal)
Vo tensiune de ieşire (amplitudine de semnal)

d3.) analiza de semnal mic

Ca şi în cazul tranzistorului bipolar scopul acestei analize este acela de a determina:
1. amplificarea în tensiune
2. rezistenţa de intrare
3. rezistenţa de ieşire
1.) Amplificarea în tensiune este definită:

Vo
AV = (6.32)
Vin

229
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

Schema din figura 6.21 se modelează ca în figura 6.22

Iin
G D Io

Vin RG Vgs gmVgs RD Vo

Figura 6.22

Calculul lui Au poate începe prin estimarea lui Vo:

Vo=-gmVgsRD (6.33)
Pe de altă parte:
Vin=Vgs (6.34)
Înlocuind expresiile lui Vo şi Vin în formula amplificării se obţine
Au=-gmRD (6.35)
Se poate constate asemănarea formală dintre această formulă şi (5.16). trebuie totuşi spus că valorile
lui gm în cazul TECJ sunt mai mici decât în cazul tranzistoarelor bipolare, pentru aceeaşi valoare a
curentului de drenă respectiv colector, şi ca atare amplificarea în tensiune a etajului sursă comună este
corespunzător mai mică decât amplificarea etajului emitor comun.
2.)Rezistenţa de intrare. Prin simpla inspecţie a circuitului din figura 6.22 se poate constata că:
Rin=RG (6.36)
Se constată că impedanţa de intrare are valori mari întrucât în general rezistorul RG are valori mari.
3.) Rezistenţa de ieşire
Introducând un generator de test la ieşire şi pasivizând intrarea, condiţii necesare pentru calculul
impedanţei de ieşire, circuitul din figura 6.21 se modelează conform schemei echivalente din figura
It
+
RD Vt
-

Figura 6.23
6.23. Se observă imediat că
Ro=RD (6.37)
Concluzii:
1. Amplificarea în tensiune a etajului este mare ea depinzând de valoarea sarcinii.
2. Impedanţa de intrare este mare valoarea ei fiind dictată de rezistenţa din grilă.
3. Impedanţă de ieşire este relativ mare fiind de ordinul lui RD. Acest lucru se constituie într-un
handicap pentru etaj.
4. Etajul defazează semnalul la ieşire cu 1800.

230
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

De reţinut!

Canal N Canal P
Simbol ANSI Simbol DIN Simbol ANSI Simbol DIN

TECJ

Tranzistor cu effect de camp cu joncțiune

Regim cvasistatic semnal mare

Schema echivalentă Model matematic
iG = 0
2
 v 
i D = I DSS 1 − GS 
 VT 
Regiunea de saturație Regiunea de saturație

iG = 0
v DS
iD =
R
Regiunea liniară Regiunea liniară

iG = 0
iD = 0

Regiunea de blocare Regiunea de blocare

Tranzistor cu effect de camp cu joncțiune, canal N

Regim cvasistatic semnal mic.

Schema echivalentă Model matematic

Ig = 0
I d = g m Vgs

N channel N channel
Tranzistor cu effect de camp cu joncțiune, canal N

231
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

Test de autoevaluare 7.1

Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune

1 Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune este

prezentată în figura notată cu:
2p
a) b)
S G D

SiO2
n
p++ n++

canal
n

B
S

c) d)
joncţiune G joncţiune
p-n p-n

n p n

S D
canal

G
S

2. Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

cu joncţiune. Cu S a fost notat electrodul numit:
1p
joncţiune G joncţiune
p-n p-n

n p n

S D
canal

G
S

Figura 5.1

a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

3. Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

cu joncţiune. Cu G a fost notat electrodul numit:
1p

232
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

4. Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

cu joncţiune. Cu D a fost notat electrodul numit:
1p
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

5. Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal p este

prezentat în figura notată:
1p
a) b)
D D

G B G B

S S

c) d)
D D

G G

S S

6. Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n este

prezentat în figura notată:
1p

a) b)
D D

G B G B

S S

233
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

c) d)
D D

G G

S S

7. Curentul principal din TECJ se stabileşte între:

2p
a) grilă şi drenă;
b) sursă şi drenă;
c) sursă şi grilă;
d) grilă şi drenă.

8. Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şi

drenă. El este constituit din:
2p
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.

9. Curentul principal dintr-un TECJ cu canal p se stabileşte între sursă şi

drenă. El este constituit din:
2p
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.

10. Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şi

drenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electroni trec
2p
printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată de
potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca în
principiu:
a) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers;
b) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată direct;
c) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată invers;
d) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată direct.

11. Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şi

drenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electroni trec
3p
printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată de
potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca în

234
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

principiu ca joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers. Mecanismul de

comanda este:
a) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii neutră de tip p ale
joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii de
sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificarea
geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca efect
modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţei canalui
duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -la comandă
– a curentului dintre drenă şi sursă.
b) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii neutră de tip n ale
joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii de
sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificarea
geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca efect
modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţei canalui
duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -la comandă
– a curentului dintre drenă şi sursă.
c) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină spatială
ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii de
sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificarea
concentratiei de purtători; modificarea geometriei canalului are ca
efect modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţei
canalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -la
comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
d) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină spatială
ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii de
sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificarea
geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca efect
modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţei canalui
duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -la comandă
– a curentului dintre drenă şi sursă.

12. Conexiunea sursă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:
1p

a) b)
D i
O

iIN iO
iIN
vO S D
G vIN vO
vIN
G
S

c) d)

235
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

S iIN iO
iO
vIN D S vO
iIN
vO
G G
vIN

13. Conexiunea drenă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:
1p

a) b)
D i
O

iIN iO
iIN
vO S D
G
vIN vO
vIN
G
S

c) d)
S
iO

iIN iIN iO
vO
G vIN D S vO
vIN
G
D

14. Conexiunea grilă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:
1p
a) b)
D i
O

iIN iO
iIN
vO
G vIN S D vO
vIN
G
S

c) d)
S S
iO iIN

iIN iO
vO vIN
G
vIN vO

D D

236
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

15. Conexiunea sursă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:

3p
a) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul de
drenă;
b) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul de
sursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul de
drenă;
c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul de
sursă;
d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul de
drenă.

16. Conexiunea grilă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:

3p
a) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul de
drenă;
b) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul de
sursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul de
drenă;
c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul de
sursă;
d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul de
drenă.

17. Conexiunea drenă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:

3p
a) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul de
drenă;
b) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul de
sursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul de
drenă;
c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul de
sursă;
d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul de
drenă.

18. În mod uzual, un tranzistor cu efect de câmp este descris de două ecuaţii
de forma:
3p

237
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

a) iG=iG(vGS,vDS) şi iD=iD(vGS,vDS)
b) iG=iG(vGD,vDS) şi iD=iD(vGS,vDS)
c) iG=iG(vGS,vDS) şi iD=iD(vGD,vDS)
d) iG=iG(vGD,vDS) şi iD=iD(vGD,vDS)

9. Întrucât în funcţionarea normală joncţiunea grilei a unui TECJ este

polarizată invers curentul de grilă este:
2p

a) iG = iG (vDS )
U GS = const .

b) iG = iG (vGS )
U GS =const .

c) iG  0
vDS
d) iG =
rDS

20. Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu I a fost notată:
1p
iD
vGS-vT
III.

IV.
II. vGS=0.1V

vGS=0V
I. vGS=2V
vGS=-4V
vGS=VT
vDS

Figura 5.2

a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

21. Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu II a fost notată:
1p
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

22. Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu III a fost
notată:
1p
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
238
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

23. Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu IV a fost

notată:
1p
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

24. Un TECJ care funcţionează în regiunea liniară se comportă ca

2p
a) rezistenţă comandată;
b) un generator de curent comandat;
c) un circuit întrerupt;
d) un generator de tensiune comandat.

25. Un TECJ care funcţionează în regiunea de blocare se comportă ca

2p
a) rezistenţă comandată;
b) un generator de curent comandat;
c) un circuit întrerupt;
d) un generator de tensiune comandat.

26. Un TECJ care funcţionează în regiunea de saturaţie se comportă ca

2p
a) rezistenţă comandată;
b) un generator de curent comandat;
c) un circuit întrerupt;
d) un generator de tensiune comandat.

27. Caracteristica de ieşire a unui TECJ este prezentată în figura notată:

3p
a) b)
iD iD
vGS-vT vGS-vT
Regiune Regiune
de cot de cot
Regiune de saturatie Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V Regiune vGS=8V
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
Regiune de Regiune de
vGS=0V vGS=4V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=VT vGS=VT
vDS vDS

c) d)

239
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

iD iC
vGS-vT
Regiune
de cot vCB=0 iB4
Regiune de saturatie Regiunea activă normală
Regiune vGS=0.1V Regiunea de iB3
liniara
vGS=0V saturatie
Regiune de iB2
vGS=-2V Regiunea de
blocare
vGS=-4V blocare iB1
vGS=VT
vDS
vCE

28. Caracteristica de intrare a unui TECJ este prezentată în figura notată:

3p

a) b)
iD iD

IDSS

VT vGS
VT 1V vGS

c) d)
iD iB
vCE1

vCE2>vCE1

IDSS

VT 1V vGS
Vγ vBE

29. Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiunea

de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) iG=0 şi iD=0
2
 v 
b) iG=0 şi i D = I DSS 1 − GS 
 VT 
 v 
1
2 
c) iG=0 şi iD = Go 1 −  GS   vDS
  VT  
 

  v 
d) iC = I S exp v BE  şi iB =
IS
exp BE 
e F
 T   eT 

30. Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiunea

de saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) iG=0 şi iD=0
2
 v 
b) iG=0 şi i D = I DSS 1 − GS 
 VT 

240
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

 v 
1
2 
c) iG=0 şi i D = Go 1 −  GS  u DS
  VT  
 

  v 
d) iC = I S exp v BE  şi iB =
IS
exp BE 
e F
 T   eT 

31. Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiunea

liniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) iG=0 şi iD=0
2
 v 
b) iG=0 şi i D = I DSS 1 − GS 
 VT 
 v 
1
2 
c) iG=0 şi i D = Go 1 −  GS  u DS
  VT  
 

  v 
d) iC = I S exp v BE  şi iB =
IS
exp BE 
e F
 T   eT 

32. Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea liniară - regim
cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) b)
iB G D
B C
vGS
vBE FiB R

E S

c) d)
G D G D
vGS 2
IDSS 1 − vGS 
 VT 
vGS vDS
 S
S

33. Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea de saturaţie -

regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) b)
iB G D
B C
vGS
vBE FiB R

E S

c) d)

241
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

G D G D
vGS 2
IDSS 1 − vGS 
 VT 
vGS vDS
 S
S

34. Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea de blocare -

regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) b)
iB G D
B C
vGS
vBE FiB R

E S

c) d)
G D G D
vGS 2
IDSS 1 − vGS 
 VT 
vGS vDS
 S
S

35. Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul de

străpungere al canalului pentru un tranzistor cu efect de câmp.
3p

iD

IDmax

UDS(BR) uDS

Figura 5.3

a) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datorat

străpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătul
dinspre sursă al canalului.
b) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datorat
străpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătul
dinspre drenă al canalului.
c) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datorat
străpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre drenă al
canalului.
d) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datorat
străpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre sursă al
canalului.

36. Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul de

străpungere la nivelul canalului pentru un tranzistor cu efect de
3p

242
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

câmp. Există, de asemenea străpungere la nivelul joncţiunii de poartă.

Evitarea acestui fenomen se face prin:
a) limitarea tensiunilor inverse pe poartă;
b) limitarea tensiunilor directe pe poartă;
c) limitarea tensiunilor inverse pe drenă;
d) limitarea tensiunilor directe pe drenă.

37. Pentru un TECJ, o dată cu creşterea temperaturii:

3p
a) IDSS scade iar VT creşte;
b) IDSS creşte iar VT scade;
c) IDSS şi cresc;
d) IDSS şi VT scad.
Pentru notaţii vezi figura 5.4

38. Pentru un TECJ, o dată cu creşterea temperaturii:

3p
a) iD scade dacă iD>IZ;
b) iD creşte dacă iD>IZ;
c) iD scade dacă iD<IZ;
d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
pentru notaţii vezi figura 5.4

39. Pentru un tranzistor cu efect de câmp:

4p
iD
T1
T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2
Z
IZ

VT2 VT1 VGZ vGS

Figura 5.4

a) problema ambalării termice se rezolvă ca şi în cazul

tranzistoarelor bipolare;
b) problema ambalării termice nu se pune;
c) problema ambalării termice nu se pune dacă ID<IZ;
d) problema ambalării termice nu se pune dacă ID>IZ.
unde ID curentul de drenă din punctul static de funcţionare, iar pentru IZ
vezi figura 5.4.

40. O dată cu variaţia temperaturii caracteristicile de ieşire ale unui TECJ se

modifică ca în figura notată (urmăriţi relaţia dintre T1 şi T2):
3p

243
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

a) b)
iD iD
T1 T1
T2<T1 IDSS1 T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ

VT2 VT1 VGZ vGS VT2 VT1 VGZ vGS

c) d)
T1  T2 iD T1  T2 iD
T1 T1
IDSS1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ

VT2 VT1 VGZ vGS VT2 VT1 VGZ vGS

41. Un posibil model matematic pentru un TECJ – pentru regimul cvasistatic

de semnal mic – este:
3p
a) id=0 şi id=gmvds
b) ig=0 şi id=gmvgs
c) id=0 şi id=-gmvds
d) ig=0 şi id=-gmvgs

unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de
semnal) vds tensiune de drenă-sursa (valoare instantanee
de semnal)
2I D
gm =
VGS − vT

42 Tranconductanţă mutuală a unui TECJ are expresia:

3p

a) g m = 2I d ;
VGS − VT
b) g m = 2 I D ;
Vgs − VT
c) g m = 2I D ;
VGS − VT
d) g m = 2 I d .
Vgs − VT

244
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

43 Schema echivalentă ce corespunde modelului matematic

3p ig=0
id=gmvgs
al unui TECJ – pentru regimul cvasistatic de semnal mic – este prezentată
în figura:

a) b)
G D G D

vgs gmvgs vgs gmvgs

S S

c) d)
G D G D

vgs gmvgs gmvgs vgs

S S

44. Circuitul de polarizare al unui TECJ are sarcina de a asigura:

2p
a) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,
dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia
temperaturii;
b) polarizarea directă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,
dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia
temperaturii;
c) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,
precum şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia
temperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;

45. Aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizat pentru polarizarea

unui TECJ este prezentat în figura notată:
3p

245
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

a) b)
ED ED

RG RS

c) d)
ED ED

RG RS RS

46. Figura 5.5 prezintă aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizat
pentru polarizarea unui TECJ. Schema echivalentă de semnal mare ce îi
3p
corespunde este:
ED

RG RS

Figura 5.5

a) b)
G D G D
ID ID

VGS VDS VGS VDS

S S
ED ED
RG RS RG RS

c) d)
G D G D
ID ID

VGS VDS VGS VDS

S S
ED ED
RG RS RG RS

246
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

47 Figura 5.6 prezintă schema echivalentă de semnal mare a circuitului din

figura 5.5. Căderea de tensiune VGS are expresia:
4p
G D
ID

VGS VDS

S
ED
RG RS

Figura 5.6

a) VGS=RSID
b) VGS=-RGID
c) VGS=-RSID
d) VGS=-RGIG

48. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECJ. Tranzistorul este blocat dacă:
2p
ED

RD
iD iO
iIN

vO
vIN

Figura 5.7

a) vIN<VT
b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat
c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat
d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat

49. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună.
Tranzistorul este în regiunea de saturaţie dacă:
2p
a) vIN<VT
b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat
c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat
d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat

50. Figura 5.8 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună.
Tranzistorul este în regiunea liniară dacă:
2p
a) vIN<VT
b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat
c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat
d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat

51. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă
tranzistorul este blocat schema se modelează ca în figura notată:

247
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

2p
a) b)
ED ED

RD RD
iD iO iIN
iIN
G D G D iD

vIN vGS vO vIN vGS vO

S S

c) d)
ED
ED ED
RD
iIN
G D
RD uIN uGS uO
iD

S
iIN iIN E

G D R G D R Figura 5.35

vIN vGSE vO vIN vGS vO

S S

52. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă
tranzistorul operează în regiunea de saturaţie schema se modelează ca în
2p
figura notată:
a) b)
ED ED

RD RD
iD iO iIN
iIN
G D G D iD

vIN vGS vO vIN vGS vO

S S

c) d)
ED ED
ED ED
RD RD
iIN iIN
G D G D
RD iD iD
uIN uGS uO uIN uGS uO
S S
iIN E
iIN E

G D R Figura 5.35 G D R Figura 5.35

vIN vGS vO vIN vGS vO

S S

53. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă
tranzistorul operează în regiunea liniară schema se modelează ca în figura
2p
notată:

a) b)

248
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

ED ED

RD RD
iD iO iIN
iIN
G D G D iD

vIN vGS vO vIN vGS vO

S S

c) d)
ED
ED ED
RD
iIN
G D
RD uIN uGS uO
S
iIN iIN E

G D R G D R Figura 5.35

vIN vGSE vO vIN vGS vO

S S

54. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă
tranzistorul operează în regiunea liniară tensiunea de ieşire are expresia:
4p
a) vO=ED;
2
 v 
b) vO=ED- RD I DSS 1 − GS  ;
 VT 
R
c) vO= ED ;
R + RD
2
 v 
d) vO=ED+ RD I DSS 1 − GS  .
 VT 

55. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă
tranzistorul operează în regiunea de saturaţie tensiunea de ieşire are
2p
expresia:
a) vO=ED;
2
 v 
b) vO=ED- RD I DSS 1 − GS  ;
 VT 
R
c) vO= ED ;
R + RD
2
 v 
d) vO=ED+ RD I DSS 1 − GS  .
 VT 

56. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă
tranzistorul este blocat tensiunea de ieşire are expresia:
2p
a) vO=ED;

249
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

2
 v 
b) vO=ED- RD I DSS 1 − GS  ;
 VT 
R
c) vO= ED ;
R + RD
2
 v 
d) vO=ED+ RD I DSS 1 − GS  .
 VT 

57. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura notată:
2p

a) b)
ED ED

RD RD

C1 C1
C2 C2
V0 V0
Vin Vin
RG RS RS CS

c) d)
ED ED

RD RD

C1 C1
C2 C2
V0 V0
Vin Vin
RG RS CS RS

58. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RG:
1p
ED

RD

C1
C2
V0
Vin
RG RS CS

Figura 5.8

a) face parte din circuitul de negativarea automată;

b) este rezistor de sarcină;
c) este rezistor de limitare;
d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.

250
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

59. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RS
1p
a) face parte din circuitul de negativarea automată;
b) este rezistor de sarcină;
c) este rezistor de limitare;
d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.

60. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RD
1p
a) face parte din circuitul de negativarea automată;
b) este rezistor de sarcină;
c) este rezistor de limitare;
d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.

61. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul C1
1p
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând
nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,
dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

62. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul C2
1p
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând
nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,
dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

63. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul CS
1p
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând
nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,
dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.
251
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând

componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

64. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Amplificarea în
3p
tensiune definită prin: AV = Vo este:
Vin

a) Av=gmRD
b) Av=-gmRD
c) Av=gmRS
d) Av=-gmRS

65. Schema unui etaj de amplificare în conexiunea sursă comună este

prezentată în figura 5.8. Schema echivalentă de semnal mic regim
3p
cvasistatic este prezentată în figura notată:

a) b)
Iin Iin
G D Io G D Io

Vin RG Vgs gπVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo

S S

c) d)
Iin Iin
G D Io G D Io

Vin RG Vgs gmVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo

S S

66. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistenţa de
3p
intrare este:
a) Rin=RG
b) Rin=βRS
c) Rin=βRG
d) Rin=RS

67. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistenţa de ieşire
3p
este:
a) Ro=RD
b) Ro=βRD
c) Ro=RS
d) Ro=βRS

252
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

Răspunsuri

1 Răspuns corect a) 35. Răspuns corect b.)

2. Răspuns corect a) 36. Răspuns corect a.).
3. Răspuns corect c) 37. Răspuns corect d.)
4. Răspuns corect b) 38. Răspuns corect a.)
5. Răspuns corect d) 39. Răspuns corect d)
6. Răspuns corect d) 40. Răspuns corect b)
7. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect d.)
8. Răspuns corect a) 42. Răspuns corect c)
9. Răspuns corect b) 43. Răspuns corect a)
10. Răspuns corect a) 44. Răspuns corect a)
11. Răspuns corect d) 45. Răspuns corect c)
12. Răspuns corect a) 46. Răspuns corect b)
13. Răspuns corect c) 47. Răspuns corect c)
14. Răspuns corect b) 48. Răspuns corect a)
15. Răspuns corect a) 49. Răspuns corect b)
16. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect b)
17. Răspuns corect c) 51. Răspuns corect a)
18. Răspuns corect a) 52. Răspuns corect b)
19. Răspuns corect c) 53. Răspuns corect c)
20. Răspuns corect a) 54. Răspuns corect c)
21. Răspuns corect b) 55. Răspuns corect b)
22. Răspuns corect c) 56. Răspuns corect a)
23. Răspuns corect d) 57. Răspuns corect c)
24. Răspuns corect a) 58. Răspuns corect a)
25. Răspuns corect c) 59. Răspuns corect a)
26. Răspuns corect b) 60. Răspuns corect b)
27. Răspuns corect c) 61. Răspuns corect d)
28. Răspuns corect a) 62. Răspuns corect d)
29. Răspuns corect a) 63. Răspuns corect d)
30. Răspuns corect b) 64. Răspuns corect b)

253
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

31. Răspuns corect a) 65. Răspuns corect c)

32. Răspuns corect b) 66. Răspuns corect a.)
33. Răspuns corect c) 67. Răspuns corect a.)
34. Răspuns corect d)

Lucrare de verificare la Unitatea de învăţare nr. 7

1 1 Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune (TECJ) canal p

. p este prezentat în figura notată:
a.) b.) c.) d.)

2 3 Curentul principal dintr-un tranzistor cu efect de camp se stabileşte

. p între:
a.) grilă şi drenă b.) sursă şi drenă c.) sursă şi grilă d.) grilă şi
substrat
3 4 Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n este constituit din:
. p
a.) electroni b.) goluri c. ioni pozitivi d.) ioni
negativi
4 5 In funcţionarea normală curentul de grilă al unui tranzistor cu efect de
p camp este:

v DS v GS
a.) i G = b.) i G = c.) i G  0 d.) i G → 
rDS rDS
5 3 Un tranzistor cu efct de camp care funcţionează în regiunea de saturaţie
. p se comportă ca

c.) d.)
a.) b.)
un generator
o rezistenţă un generator de un circuit întrerupt
de tensiune
comandată; curent comandat
comandat
6 4 Caracteristica de ieşire a unui TECJ este prezentată în figura notată:
. p
a.) b.)

254
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

iD iD
vGS-vT vGS-vT
Regiune Regiune
de cot de cot
Regiune de saturatie Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V Regiune vGS=8V
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
Regiune de Regiune de vGS=4V
vGS=0V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=VT vGS=VT
vDS vDS

c.) d.)
iD iC
vGS-vT
Regiune
de cot vCB=0 iB4
Regiunea activă normală
Regiune de saturatie
Regiune vGS=0.1V Regiunea de iB3
liniara saturatie
vGS=0V iB2
Regiune de Regiunea de
vGS=-2V blocare iB1
blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS vCE

7 5 Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea de saturatie -

p regim cvasistatic de semnal mare - este:
a.) b.) c.) d.)
iB G D G D G D
B C
vGS vGS 2

vBE FiB R IDSS 1 − vGS 

 VT 
vGS vDS
 S
S
E S

Răspunsuri şi comentarii la întrebările din testele

de autoevaluare
1. Răspuns corect c)
2. Răspuns corect b)
3. Răspuns corect a)
4. Răspuns corect c)
5. Răspuns corect b)
6. Răspuns corect c)
7. Răspuns corect c)

255
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

Recapitulare

Capitolul 6
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune
Comentariu:
Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune, (denumirea
prescurtată TECJ), a fost imaginat teoretic de Schockley în
1952 şi realizat pentru prima oară de Dacey şi Ross eveniment
raportat în 1953.

Observatii:
1. Funcţionarea tranzistorul bipolar are la bază un ansamblu de
fenomene legate controlul transportului a două tipuri de
purtători.
2. Funcţionarea tranzistoarelor cu efect de câmp are la baza un
ansamblu de fenomene legate controlul transportului unui sigur
tip de purtători iar aceştia sunt cei majoritari (tranzistoare
monopolare.

Lucian Balut 1

Capitolul 6
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune

6.1 Preliminarii
6.2 Comportarea TECJ în regim
cvasistatic de semnal mare
6.3 Comportarea TECJ în regim
cvasistatic de semnal mic
6.4 Polarizarea TECJ
6.5 Aplicaţii

Lucian Balut 2

256
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.1 Preliminarii

6.1.1 Structură, simbol, notaţii

6.1.2 Principiul de funcţionare

6.1.3 Conexiunile tranzistorului

Lucian Balut 3

6.1 Preliminarii
6.1.1 Structură, simbol, notaţii folosite
joncţiune G joncţiune
p-n p-n

n p n

S D
canal

S electrod sursă
G
G electrod grilă (poartă)
S
D electrod drenă
B electrod substrat - joacă rol de grilă doi.

Lucian Balut 4

257
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.1 Preliminarii
6.1.1 Structură, simbol, notaţii folosite

D D
iD iD
vDG vGD
iG iG
G vDS G vSD
S
vSGS iS vS iS
G

S S

TECJ canal n TECJ canal p

Lucian Balut 5

6.1 Preliminarii
6.1.2 Principiul de functionare
Comentariu:
In funcţionare normala curentul principal din dispozitiv se stabileşte
între sursă şi drenă, valoarea acestui curent fiind controlata de
potentialul grilei. La TECJ cu canal n el este constituit din electroni.
In parcursul lor, aceşti electroni trec printr-o regiune numită canal.
Rezistenţa canalului este comandată de potenţialul grilei. Pentru a
se realiza această comandă este necesar ca joncţiunea grilă-canal
să fie polarizată invers. Amintim că:
1. In cazul unei jonctiuni polarizate invers extinderea regiunii de
sarcină spaţială depinde de valoarea tensiunii aplicate pe
joncţiune;
2. Regiunea de sarcina spaţială prezintă din punct de vedere
electric o rezistenţă foarte mare (nu există purtători mobili).

Lucian Balut 6

258
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.1 Preliminarii
6.1.2 Principiul de functionare
Mecanismul de comanda:

a.) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină

spatială ale joncţiunii grilă canal;
b.) modificarea dimensiunilor regiunii de sarcină spatială ale
joncţiunii grilă canal conduce la modificarea geometriei
canalului.;
c.) modificarea geometriei canalului are ca efect modificarea
rezistenţei canalui;
d.) modificarea rezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi
anume la modificarea -la comandă – a curentului dintre drenă
şi sursă.

Lucian Balut 7

6.1 Preliminarii
6.1.2 Principiul de functionare
Observatie:

Fără a intra în detalii trebuie spus că se pot pune în evidenţă cel puţin
trei moduri distincte de lucru ale TECJ:
1. Rezistenţă comandată. În mare este vorba de mecanismul
amintit. Despre tranzistor se sune că lucreză în regim liniar;
2. Generator de curent comandat. În această situaţie canalul este
ştrangulat, dar purtătorii injectaţi de sursă pot ajunge la
drenă. Despre tranzistor se spune că lucreză în regim
saturat;
3. Circuit întrerupt. În această situaţie canalul este ştrangulat, iar
purtătorii injectaţi de sursă nu mai pot ajunge la drenă.
Despre tranzistor se spune că lucreză în regim blocat;

Lucian Balut 8

259
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.1 Preliminarii
6.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere
Conexiunea sursă comună D i
O
Mărimi de intrare:
- tensiunea grilă - sursă şi
- curentul de grilă iIN
vO
Mărimi de ieşire
vIN G
- tensiunea drenă - sursă şi
- curentul de drenă
S

Comentariu:
Pentru această conexiune sensurile convenţionale ale curenţilor şi
tensiunilor coincid cu cele fizice.

Lucian Balut 9

6.1 Preliminarii
6.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere
Conexiunea grila comună
Mărimi de intrare: iIN iO
- tensiunea sursă-grilă şi
- curentul de sursă vIN S D vO
Mărimi de ieşire
- tensiunea drenă-grilă şi G
- curentul de drenă

Comentariu:
Pentru această conexiune sensurile convenţionale ale curenţilor şi
tensiunilor nu coincid cu cele fizice.

Lucian Balut 10

260
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.1 Preliminarii
6.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere
Conexiunea drena comună S
Mărimi de intrare: iO
- tensiunea grilă-drenaă şi iIN
- curentul de grilă vO
Mărimi de ieşire vIN
G
- tensiunea sursa-drenă şi
- curentul de sursă D

Comentariu:
Pentru această conexiune sensurile convenţionale ale curenţilor şi
tensiunilor nu coincid cu cele fizice.

Lucian Balut 11

6.1 Preliminarii
6.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere
Comentariu:

În mod uzual TECJ este descris de două ecuaţii de forma:

iG=iG(vGS,vDS)
iD=iD(vGS,vDS)
Întrucât în funcţionarea normală joncţiunea grilei este polarizată
invers iG=iG(vGS,vDS) devine iG0

Concluzie:
TECJ este descris de două ecuaţii de forma:

iD=iD(vGS,vDS)
iG0

Lucian Balut 12

261
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare

6.2.1 Caracteristici statice

6.2.2 Modele de semnal mare pentru TECJ
6.2.3 Abateri de la teoria ideală
6.2.4 Limitări în funcţionare

Lucian Balut 13

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare
6.2.1 Caracteristici statice
a.) Caracteristica de ieşire i D = i D ( v DS )
v GS = const.
iD
Regiune vGS-vT
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=0.1V
liniara
vGS=0V
Regiune de
vGS=2V
blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS

Lucian Balut 14

262
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare
6.2.1 Caracteristici statice
a.) Caracteristica de intrare i D = i D ( v GS )
v DS = const.

iD

IDSS

VT vGS
IDSS curentul de drenă corespunzător tensiunii grilă sursă nulă
VT tensiunea de prag

Lucian Balut 15

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare
6.2.2. Modele de semnal mare pentru TECJ
1.) Regim de blocare.

Modelul matematic
iG=0
iD=0
Schema echivalentă
G D

vGS vDS
S

Lucian Balut 16

263
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare
6.2.2. Modele de semnal mare pentru TECJ
2.) Regim saturat.

Modelul matematic Schema echivalenta

2
iG=0  v  G D
i D = I DSS 1 − GS 
 VT  vGS 2
IDSS 1 − vGS 
 VT 

S

Lucian Balut 17

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare
6.2.2. Modele de semnal mare pentru TECJ
3.) Regim liniar.

Modelul matematic Schema echivalenta

iG=0 G D
i D = Gv DS vGS
R
1
G=
R S
Ro rezistenţa pentru v GS=0; şi
R= Ro
1 − Kv GS K constantă a tranzistorului

Lucian Balut 18

264
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare
6.2.3. Abateri de la teoria ideală
Comentariu:

Există două categorii de situaţii care au fost neglijate până în acest

moment:

-fenomenele de străpungere şi
-efectele temperaturii

Lucian Balut 19

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare
6.2.3. Abateri de la teoria ideală
1.) Fenomenul de străpungere -la nivelul canalului
-la nivelul joncţiunii de poartă.
Strapungerea la
nivelul canalului apare iD
la tensiuni mari drenă
IDmax
sursă şi este datorat
străpungerii prin
multiplicare în
avalanşă care apare
la capătul dinspre
drenă al canalului
UDS(BR) uDS

Străpungerea la nivelul joncţiunii de poartă, impune limitarea tensiunilor

inverse pe poartă

Lucian Balut 20

265
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare
6.2.3. Abateri de la teoria ideală
2.) Variaţia cu temperatura a parametrilor electrici
Observaţie o dată cu creşterea temperaturii,
-IDSS scade datorită scăderii mobilităţii purtătorilor de sarcină.
-VT scade. iD
T1
T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2
Z
IZ

VT2 VT1 VGZ vGS

Observatie: în zona curenţilor mari (iD>IZ) curentul de drenă scade o
dată cu creşterea temperaturii. Pentru acest domeniu de valori ale
lui ID problema ambalării termice nu se pune.
Lucian Balut 21

6.2 Comportarea TECJ în regim cvasistatic

de semnal mare
6.2.4. Limitări în funcţionare
Comentariu
Ca şi în cazul tranzistorului bipolar limitele parametrilor electrici ai
TECJ sunt date în principiu de trei tipuri de fenomene:
1. Fenomenul de străpungere. Impune tensiunile inverse maxime
suportabile de dispozitiv. Uzual este vorba de VDS, VGS şi
VDG;
2. Capacitatea limitată a dispozitivului de eliminare a căldurii
datorată puterii dipate. Impune puterea disipată maxim
admisibilă;
3. Limitări tehnologice ale curenţilor maxim admisibili. Impune
limitarea lui ID

Lucian Balut 22

266
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.3 Comportarea TECJ in regim cvasistatic

de semnal mic
Modelul matematic

ig=0 di 2I  V  2I D
id=gmvgs gm = D = − DSS 1 − GS  =
dvDS QP VT  VT  VGS − VT
unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
v gs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)
G D

vgs gmvgs

Lucian Balut 23

6.4. Polarizarea TECJ

Comentariu
În cazul TECJ, circuitul de polarizare are sarcina de a asigura
-polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal
-stabilitatea punctului static de funcţionare funcţie de
dispersia parametrilor,

Observatie:
În cazul TECJ, circuitul de polarizare nu are sarcina de a asigura
şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii.

Comentariu
Există două topologii mai utilizate pentru asemenea circuite:
- circuit cu negativare automată
- circuit cu divizor pe poartă

Lucian Balut 24

267
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.4. Polarizarea TECJ

Circuit cu negativare automată ED

a.) schema
b.) rol elemente

RG, RS circuit care asigură negativarea automată

RG RS

VGS=VG-VS
VGS=-VS
VG=IGRG
VG0 VGS=-RSID<0
IG0 VS=RSID>0

Lucian Balut 25

6.4. Polarizarea TECJ

Circuit cu negativare automată
ED
c.) analiza de semnal mare schema

ED= IDRS+VDS
2
 V  RG RS
I D = I DSS 1 − GS 
 VT 
VGS=-IDRS G D
ID

VGS VDS

Sistemul conţine trei necunoscute: S

ID,VDS,şi VGS, deci problema este RG RS ED
rezolvată.

Lucian Balut 26

268
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.5 Aplicaţii
Etaj sursă comună ED

a.) Schema de principiu RD

iD iO
b.) Rolul elementelor; notaţii folosite iIN
RD - rezistenţă de sarcină
v IN - tensiune de intrare vO
vIN
vO - tensiune de ieşire
iIN - curent de intrare
iO - curent de ieşire
iD - curent de drenă

Lucian Balut 27

6.5 Aplicaţii
Etaj sursă comună ED

c.) Analiza de semnal mare v O=vO(vIN) RD

iD iO
1. v IN<VT iIN

vO
vIN

ED
v O=ED
RD
iD iO
iIN
G D

vIN vGS vO
S

Lucian Balut 28

269
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.5 Aplicaţii
Etaj sursă comună ED

c.) Analiza de semnal mare v O=vO(vIN) RD

iD iO
2.) v IN>VT şi v DS>vDSsat iIN

vO
vIN
2
 v 
v O = E D − R D I DSS 1 − GS  ED
 VT 
RD
iIN
G D iD
vIN vGS vO
S

Lucian Balut 29

6.5 Aplicaţii
Etaj sursă comună ED

c.) Analiza de semnal mare v O=vO(vIN) RD

iD iO
3.) v IN>VT şi v DS<vDSsat iIN

vO
vIN

R ED
vO = E D
R + RD RD
iIN
G D R
vIN vGSE vO
S

Lucian Balut 30

270
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.5 Aplicaţii
Etaj sursă comună
c.) Analiza de semnal mare v O=vO(vIN)

Regiunea de
blocare

vO

ED
Regiunea de
saturatie
Regiunea
liniarã
VT vINsat vIN

Caracteristica de transfer

Lucian Balut 31

6.5 Aplicaţii
Etaj sursă comună
d.) Etaj de amplificare în conexiunea sursă comuna.
d1.) Schema ED
d2.) rolul elementelor; notaţii folosite
RD
RG, RS negativarea automată. C1
RD rezistor de sarcină C2
CS condensator de decupare V0
C1;C2 condensatoare de cuplaj Vin
RG RS CS
Vin tensiune de intrare
Vo tensiune de ieşire

Lucian Balut 32

271
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.5 Aplicaţii
Etaj sursă comună
d.) Etaj de amplificare în conexiunea sursă comuna.
Vo
d3.) analiza de semnal mic- - Amplificarea în tensiune AV =
Vin
ED

RD

C1 Iin
C2 G D Io
V0
Vin Vin RG Vgs gmVgs RD Vo
RG RS CS

Lucian Balut 33

6.5 Aplicaţii
Etaj sursă comună
d.) Etaj de amplificare în conexiunea sursă comuna.
d3.) analiza de semnal mic V
- Amplificarea în tensiune AV = o
Vin
Iin
G D Io
Vo=-gmVgsRD Av=-gmRD
Vin=Vgs Vin RG Vgs gmVgs RD Vo

S
-Rezistenta de intrare

Rin=RG
-Rezistenta de iesire

Ro=RD
Lucian Balut 34

272
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

6.5 Aplicaţii
Etaj sursă comună
d.) Etaj de amplificare în conexiunea sursă comuna.

Concluzii:

1. Amplificarea în tensiune a etajului este mare, ea

depinzând de valoarea sarcinii.
2. Impedanţa de intrare este mare valoarea ei fiind dictată
de rezistenţa din grilă.
3. Impedanţă de ieşire este relativ mare fiind de ordinul lui
RD. Acest lucru se constituie într-un handicap pentru
etaj.
4. Etajul defazează semnalul la ieşire cu 1800.

Lucian Balut 35

Concluzii

Canal N Canal P
Simbol Simbol Simbol Simbol
ANSI DIN ANSI DIN

TECJ

Tranzistor cu effect de camp cu joncțiune

273
Electronică analogică I – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

Regim cvasistatic semnal mare

Schema echivalentă Model matematic
iG = 0
2
 v 
i D = I DSS 1 − GS 
 VT 
Regiunea de saturație Regiunea de saturație

iG = 0
v DS
iD =
R
Regiunea liniară Regiunea liniară

iG = 0
iD = 0

Regiunea de blocare Regiunea de blocare

Tranzistor cu effect de camp cu joncțiune, canal N

Regim cvasistatic semnal mic.

Schema echivalentă Model matematic

Ig = 0
I d = g m Vgs

N channel N channel
Tranzistor cu effect de camp cu joncțiune, canal N

Bibliografie

Băluţ L. Componente si dispozitive electronice (Electronic Components and

Devices) Ed. Leda Constanta 1997 ISBN 973–97712–1-1
Băluţ L. Circuite electronice Ed.Metafora; Constanta 1999; ISBN 973-93-40-
25-3
Băluţ L. Device Modeling for Circuit Analysis; Ed. Muntenia & Leda ISBN
973-8304-50-4 973-8082- 84-6 Constanta 2002;
Băluţ L et. al Teste de evaluare Ed. Nautica ISBN 973-86813–3–2 Constanta 2004
*** Designing with field-effect transistors New York : McGraw-Hill,
c1990.
Liu, William Handbook of III-V heterojunction bipolar transistors New York
Wiley, c1998
Marston, R. M Diode, transistor & FET circuits manual Oxford ; Boston : Newnes,
1991 ISBN 0750602287

274
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzitoare cu efect de câmp cu joncțiune

Mounic, M. Transistors, problemes avec solutions, du debutant au technicien

superieur Paris, Foucher, 1967-
Neudeck, G. The bipolar junction transistor, Reading, Mass. : Addison-Wesley,
c1983
Ryter, Roland Analysis and development of high voltage bipolar transistors for
BiCMOS smart power applications Konstanz : Hartung-Gorre,, 1996
Sanborn, P. Fundamentals of transistors Garden City, N.Y., Doubleday [1970]
Schroder, D. Advanced MOS devices, Reading, Mass. : Addison-Wesley Pub. Co.,
c1987
Towers, T. D Towers' International transistor selector Blue Ridge Summit, Pa. :
TAB Books, 1982 ISBN 0830614168
Warner, R. M. Transistors : fundamentals for the integrated-circuit engineer
Malabar, Fla. : R.E. Krieger Pub. Co., 1990
Baker, R. J. CMOS circuit design, layout, and simulation 1998 New York : IEEE
Press, c1998
Foty, D. MOSFET modeling with SPICE1997 Upper Saddle River, NJ :
Prentice Hall PTR, c1997
Kano, Kanaan Semiconductor devices 1998 Upper Saddle River, N.J. : Prentice
Hall, c1998
Liou, J., Analysis and design of MOSFETs, 1998 Boston, MA : Kluwer
Academic Publishers, c1998
Pierret, R. F Field effect devices1983 Reading, MA : Addison-Wesley, c1983
Tsividis, Y. Operation and modeling of the MOS transistor, 1998 Boston :
WCB/McGraw-Hill, c1999
Warner, R. M. MOSFET theory and design 1998 New York : Oxford University
Press, 1998
Warner, R. M. Transistors, 1983 New York : Wiley, c1983.

275
Electronică analogică I – curs și aplicații