Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Unitatea de învăţare nr. 8

Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Cuprins Pagina

Obiectivele unităţii de învăţare nr. 8 276

8.1 Preliminarii 277
8.1.1 Structură simbol notații 277
8.1.2 Principiul de funcţionare 279
8.1.3 Conexiunile TECMOS Modalităţi de descriere 279
8.2 Comportarea TECMOS în regim cvasistatic de semnal mare 280
8.2.1 Caracteristici statice 280
8.2.2 Modele de semnal mare pentru TECMOS 281
8.2.3 Abateri de la teoria ideală 282
8.2.4 Limitări în funcţionare 282
8.3 ComportareaTECMOS în regim cvasistatic de semnal mic 283
8.4 PolarizareaTECMOS 284
8.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună 284
De reținut 287
Test de autoevaluare 288
Lucrare de verificare – unitatea de învăţare nr. 8 313
Răspunsuri şi comentarii la întrebările din testele de autoevaluare 315
Recapitulare 316
Concluzii 334
Bibliografie – unitatea de învăţare nr. 8 335

Instructiuni si timp mediu necesar de studiu: studentul va parcurge materialul pus la

dispozitie, va reprezenta si in mod individual elementele grafice prezentate si nu se va limita
la o simpla vizionare. Studiul individual aferent unitatii este acoperit in 3-4 h.

275
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

276
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

OBIECTIVELE unităţii de învăţare nr. 8

Principalele obiective ale Unităţii de învăţare nr. 8 sunt:

• Familiarizarea cu funcționarea tranzistorului cu efect de
câmp metal oxid semiconductor
• Sublinierea aspectelor practice legate de funcționare în
regim cvasistatic de semnal mare respectiv regim
cvasistatic de semnal mic
• Recunoaşterea modelelor de utilizate în regim
cvasistatic de semnal mare respectiv regim cvasistatic
de semnal mic
• Aplicarea cu succes a unor elemente simple de calcul

Spre deosebire de tranzistoarele studiate până acum, aceste tipuri de tranzistoare sunt caracterizate
de conducţia de suprafaţă şi nu de cea de volum. Din acest motiv mai poartă numele de tranzistoare
cu efect de câmp de suprafaţă. În literatura de specialitate se întâlnesc şi sub denumirea prescurtată
TECMOS (Tranzistoare cu Efect de Câmp Metal Oxid Semiconductor) sau MOSFET (Metal Oxid
Semiconductor Field Efect Tranzistor).
Ideea tranzistorului cu efect de câmp de suprafaţă datează din 1930 când Lillien în Statele Unite şi Heil
în Anglia au propus utilizarea efectului de câmp de suprafaţă pentru obţinerea unui dispozitiv
amplificator folosind corpul solid. Cercetări ample au fost realizate ulterior (1940) în laboratoarele Bell.
Descoperirea mai mult sau mai puţin accidentală a tranzistorului bipolar a determinat însă apoi o nouă
direcţie în cercetarea şi dezvoltarea dispozitivelor semiconductoare pentru mai mult de o decadă.
Apariţia siliciului oxidat - una dintre cele trei mari idei care au fundamentat tehnologia planară - a adus
cu sine o creştere a posibilităţii de de fabricaţie a TECMOS. În 1960 Kahng şi Atalla au realizat un
tranzistor cu efect de câmp utilizând siliciul oxidat termic. Anii ce au urmat au însemnat o activitate
extrem de intensă în acest domeniu. Această activitate a condus pe de o parte la un nivel înalt de
cunoaştere a interfeţei Si-SiO2 iar pe de altă parte TECMOS a devenit unul dintre cele mai utilizate
tranzistoare, la concurenţă cu tranzistorul bipolar. De fapt, în multe aplicaţii în special în domeniul
circuitelor integrate acest tranzistor deţine primul loc ca importanţă.
Structura capitolului este:
▪ Subcapitolul unu este dedicat noţiunilor generale. Sunt prezentate cele două tipuri principale;
▪ Subcapitolul doi prezintă comportarea celor două tipuri de tranzistoare în regim cvasistatic de
semnal mare. Sunt prezentate principalele caracteristici statice precum şi modele uzuale;
▪ Subcapitolul trei prezintă comportarea celor două tipuri de tranzistoare în regim cvasistatic de
semnal mic. Sunt prezentate modelele matematice precum şi modelele electrice;
▪ Subcapitolul patru este dedicat problemelor speciale legate de polarizarea celor două tipuri de
tranzistoare .
▪ Subcapitolul cinci prezintă o aplicatie uzuală şi anume etajul sursă comună

277
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

8.1 Preliminarii

În principiu acest tranzistor are o funcţionare asemănătoare tranzistorului cu efect de câmp cu

joncţiune. Curentul principal - curent stabilit între terminale care poartă acelaşi nume, sursă şi drenă -
circulă printr-un canal, a cărui conductanţă este modificată electric de potenţialul de pe grilă. Functie
de modul în care se realizează acest canal există în principiu două tipuri de tranzistoare MOS:
▪ tranzistor MOS cu canal initial (canalul este realizat tehnologic în structură printr-o difuzie
suplimentară);
▪ tranzistor MOS cu canal indus (canalul este indus de potentialul aplicat grilei)
Structura sucapitolului este:
1. Structurã, simbol, notaţii;
2. Principiul de funcţionare;
3. Conexiunile tranzistoarelor;

8.1.1 Structură, simbol, notaţii

a.) TECMOS cu canal iniţial
Structura este prezentată în figura 7.1. S-au folosit notaţiile:
S sursă; terminalul de la care sunt ”emişi” purtătorii;
D drenă; terminalul la care sunt “colectaţi” purtătorii;
G grilasau poartă; terminalul care controlează fluxul de purtători dintre grilă şi sursă
B substrat; terminal care în anumite cazuri este conectat la sursă iar în altele funcţionează ca o
grilă secundară

Figura 7.1

Canal regiunea prin care tranzitează purtătorii în drumul lor dintre sursă şi drenă

SiO2 strat izolator de bioxid de siliciu; izolează grila de canal.

Observaţie Figura 7.1 prezintă un TECMOS cu canal iniţial de tip “n”. Există şi structura
complementară şi anume TECMOS cu canal iniţial de tip “p”.
Figura 7.2 prezintă simbolul unui TECMOS cu canal iniţial de tip “n”, iar figura 7.3 prezintă simbolul
unui TECMOS cu canal iniţial de tip

278
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

iG D iG D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vDS iS vSD iS
S
S

Figura 7.2 Figura 7.3

S-au folosit notaţiile:
• iD curent de drena
• iS curent de sursă
• iG curent de grilă
• vGS tensiunea grilă sursă;
• vDS tensiunea drenă sursă;
• vDG tensiunea drenă grilă .
Atât pentru tensiuni cât şi pentru curenţi s-au prezentat sensurile fizice.
b.) TECMOS cu canal indus
Structura este prezentă în figura 7.4

Figura 7.4

Notaţiile sunt identice cu cele de la figura 7.1. În plus, se observă că de această dată canalul nu este
fizic realizat.
Observaţie Figura 7.4 prezintă un TECMOS cu canal indus de tip “n”. Există şi structura
complementară şi anume TECMOS cu canal iniţial de tip “p”.
Figura 7.5 prezintă simbolul unui TECMOS cu canal indus de tip “n”, iar figura 7.6 prezintă simbolul
unui TECMOS cu canal indus de tip “p”

iG iG
D D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vGS iS vSG iS

S S

Figura 7.5 Figura 7.6

Notaţiile sunt identice cu cele folosite la simbolurile TECMOS-urilor cu canal intial.

279
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Observaţie: Ca şi în cazul celorlalte tranzistoare, în continuare va fi prezentată numai comportarea

tranzistoarelor cu canal de tip “n”.
8.1.2 Principiul de functionare
În principiu aceste tranzistoare au o funcţionare asemănătoare tranzistorului cu efect de câmp cu
joncţiune. Curentul principal - curent stabilit între terminale care poartă acelaşi nume, sursă şi drenă -
circulă printr-un canal, a cărui conductanţă este modificată electric de potenţialul de pe grilă. Deosebirile
apar numai la mecanismele care dau naştere canalului, precum şi faptul că acest canal se află pe
suprafaţa structurii. Astfel:
În cazul TECMOS cu canal iniţial, potenţialul grilei modifică concentraţia purtătorilor din canal şi prin
aceasta rezistenţa canalului. De altfel acest tranzistor mai poartă numele D-MOS (Depletion MOS).
În cazul TECMOS cu canal indus, potenţialul grilei – în condiţiile în care este suficient de ridicat –
datorită fenomenului de atracţie electrostatică, atrage la interfaţa dintre siliciu şi bioxidul de siliciu
purtătorii şi astfel este generat canalul. Şi în acest caz modificarea potenţialului grilei duce la
modificarea concentraţiei purtătorilor din canal şi prin această a rezistenţei canalului Acest tranzistor
mai poartă numele E-MOS (Enhancement MOS).

Ca şi în cazul TECJ, fără a mai intra în detalii trebuie spus că se pot pune în evidenţă cel puţin trei două
moduri distincte de lucru pentru acsre tranzistoare:
1. Rezistenţă comandată. ÎI mare este vorba de mecanismul amintit. Despre tranzistor se sune că
lucreză în regim liniar;
2. Generator de curent comandat. În această situaţie canalul este ştrangulat, dar purtătorii injectaţi de
sursă pot ajunge la drenă. Despre tranzistor se spune că lucreză în regim saturat;
3. Circuit întrerupt. În această situaţie canalul este ştrangulat, iar purtătorii injectaţi de sursă nu mai
pot ajunge la drenă. Despre tranzistor se spune că lucreză în regim blocat;
8.1.3 Conexiunile TECMOS. Modalităţi de descriere.
Ca şi în cazul TECJ şi aici se pun în evidenţă trei topologii fundamentale. Se vor prezenta schematic
numai structurile cu TECMOS cu canal iniţial, cele cu canal indus fii.d identice.
Conexiunea sursă comună (figura 7.7) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul de drenă. Pentru această conexiune
sensurile convenţionale ale curenţilor şi tensiunilor coincid cu cele fizice.
iO
iO

iIN iO iIN
iIN vO
vO
vIN vIN vO vIN

Figura 7.7. Figura 7.8 Figura 7.9

Conexiunea grilă comună (figura 7.8) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul de
sursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul de drenă. Pentru această conexiune
sensurile convenţionale ale curenţilor şi tensiunilor nu coincid cu cele fizice
Conexiunea drenă comună (figura 7.9) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul de sursă. Nici pentru această conexiune
sensurile convenţionale ale curenţilor şi tensiunilor nu coincid cu cele fizice.
În mod uzual TECMOS-urie indiferent de tip, ca şi TECJ-urile de altfel, sunt descrise de două ecuaţii
de forma:

280
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

iG=iG(vGS,vDS) (7.1)
iD=iD(vGS,vDS) (7.2)
Întrucât grila este izolată prin construcţie de drena, (7.1) devine:
iG0 (7.3)

8.2 Comportarea TECMOS în regim cvasistatic de semnal mare

Dupa cum a mai fost amintit de deja, în regim cvasistatic de semnal mare orice tranzistor este integral
descris de douǎ şi numai douǎ ecuaţii, numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt, caracteristici
statice. În mod uzual acestea sunt ecuaţiile 7.2 şi 7.3 Prezentul subcapitol işi propune sǎ prezinte
formele explicite ale acestor caracteristici, iar pe baza lor sǎ dezvolte modele aproximative pentru
TECMOS. Suplimentar, este prezentat modul de definire al valorilor limitǎ ale parametrilor electrici ce
pot fi suportate de aceste tranzistoare În consecintǎ, structura subcapitolului este:
1. Caracteristici statice;
2. Modele de semnal mare pentru TECJ
3. Abateri de la teoria ideală
4. Limitări în funcţionare.
7.2.1 Caracteristici statice
Urmând metodologia din capitolul precedent se vor prezenta cele două caracteristici statice uzuale:
a.) Caracteristica de ieşire
Figura 7.10 prezintă caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal iniţial tip “n”, iar figura 7.11
caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal indus tip “n”. Se constată că alura caracteristicilor
este asemănatoare, diferind domeniul tensiunilor de comandă vGS.
Ca atare se pot pune în evidenţă, şi în acest caz, existenţa mai multor regiuni:

iD
Regiune vGS-vT
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V
liniara
vGS=2V
Regiune de
vGS=0V
blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS

Figura 7.10

iD
vGS-vT
Regiune
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=8V
liniara
vGS=6V
Regiune de vGS=4V
blocare
vGS=2V
vGS=VT
vDS

Figura 7.11

281
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

I.) Regiunea liniară este regiunea în care tranzistorul se comportă ca rezistenţă comandată; valorile
acestei rezistenţe sunt în general mici lucru atestat de panta caracteristicii; în această regiune
dependenţa curentului de drenă de tensiunea drenă-sursă poate fi aproximată de o dreaptă.

II.) Regiunea de cot este o regiune de tranziţie; de obicei tranzistoarele nu funcţionează în acestă
regiune; caracteristica se poate aproxima parabolic. Analiza ei nu face obiecul prezentului curs.
III.) Regiunea de saturaţie; în această regiune tranzistorul funcţionează ca generator comandat;
comanda este dată prin intermediul tensiunii grilă sursă.
IV.) Regiunea de blocare; în această regine tranzistorul se comportă ca un circuit întrerupt; este
caracterizată de faptul că tensiunile pe trazistor pot lua orice valori (în limitele normale), dar curentul
este nul.

b.) Caracteristica de intrare

Figura 7.12 prezintă caracteristicile de intrare pentru un TECMOS cu canal iniţial tip “n”, iar figura 7.13
caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal indus tip “n”. Şi de .
unde:
iD iD

IDSS

VT vGS VT vGS

Figura 7.12 Figura 7.13

IDSS curentul de drenă corespunzător tensiunii grilă sursă nulă

VT tensiunea de prag
Şi de acestă data, caracteristicile pot fi aproximate prin parabole deosebirile fiind legate de domeniul în
care poate varia tensiunea vGS.
8.2.2. Modele de semnal mare pentru TECMOS
Modele uzuale utilizate pentru cele două tipuri de tranzistoare MOS sunt practic identice. Din această
cauză în acest subcapitol nu se vor face referiri speciale la unul dintre ele.
1.) Regim de blocare. Ecuaţiile (7.2) şi (7.3) care reprezintă modelul matematic general al TECMOS
capătă forma:
iG=0 (7.4)
iD=0 (7.5)

G D

vGS vDS
S

Figura 7.14

282
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Schema echivalentă corespunzătoare este prezentată în figura 7.14.

2.) Regim saturat. Modelul matematic este:
iG=0 (7.6)

iD = (vGS − VT )2 (7.7)
2
Observaţie: Coeficientul  din relaţia (7.7) este un coeficient a cărui valoare care depinde de geometria
tranzistorului şi nu are legătură cu cel definit în cazul tranzistorului bipolar. Schema echivalenta este
prezentată în figura 7.15
3.) Regim liniar. Tranzistoarele au comportare de rezistenţă comandată după cum se poate observa
G D


vGS (vGS − VT )2
2

S
Figura 7.15

din schema echivalentă prezentată în figura (7.16):

G D
vGS
R

S
Figura 7.16

8.2.3. Abateri de la teoria ideală

Problemele care apar în cazul TECMOS sunt practic aceleaşi cu cele care prezentate în subcapitolul
6.2.3 astfel că nu vor fi reluate.
8.2.4. Limitări în funcţionare
Ca şi în cazul TECJ problemele care apar în cazul TECMOS sunt practic aceleaşi cu cele care
prezentate în subcapitolul 6.2.4. Ca atare, concluziile care s-au impus în subcapitolul mentionat rămân
valabile şi pentru TECMOS.

8.3 Comportarea TECMOS in regim cvasistatic de semnal mic

Liniarizând Taylor relatiile (7.5 şi (7.7) se obţine:

ig=0 (7.8)
id=gmvgs (7.9)
unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)
iar

283
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

di D
gm = =  (v GS − VT ) (7.10)
dv DS QP

poartă numele de tranconductanţă mutuală. Schema echivalentă corespunzătore este prezentată în

figura 7.17.

8.4 Polarizarea TECMOS

Sarcinile circuitului de alimentare în curent continuu pentru TECMOS sunt aceleaşi ca şi în cazul TECJ.
Şi în acest caz nu se mai pune problema ambalării termice, dar rămâne cea a dispersiei de parametrii.
Diferenţele apar însă dacă se observă că in funcţionare normală un TECMOS cu canal de tip n indus,
are nevoie de o tensiune pozitivă între grilă şi sursă (figura 7.13), iar un TECMOS cu canal n iniţial
suportă între grilă şi sursă atât valori pozitive cât şi negative pentru polarizare (figura 7.12). Ca atare
pentru TECMOS cu canal indus s-au impus scheme de tipul celei din figura 6.21, iar pentru TECMOS
cu canal iniţial scheme de tipul celei din figura 6.22. Se poate observa că singura deosebire dintre cele
două scheme este dată de absenţa respectiv prezenţa rezistenţei RS. Întrucât pe rezistenţa RS se obţine
o tensiune generată de curentul propriu al tranzistorului, soluţiile ce întroduc această rezistenţă poartă
numele de circuite cu polarizare automată.

ED ED
R1 RC
G D R1 RC

vgs gmvgs VGS

VGS VDS
VDS
R2 S R2 RS

Figura 7.17

Figura 7.18 Figura 7.19

Analiza detaliată a acestor circuite este practic identică cu cea efectuată în capitolul 5.5. Acesta este
motivul pentru care nu va mai fi prezentată.
De altfel şi circuitele care au în structură tranzistoare cu efect de câmp MOS, au aceeaşi comportare
formală cu circuitele care au în compunere tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune. Ca atare nici
circuitele fundamentale de tip sursă comună, drenă comună sau grilă comună nu vor fi prezentate.

8.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

Ca şi în cazul tranzistorului bipolar, şi pentru pentru aceste tranzistoare se pun în evidenţă trei 3 structuri
topologice cunoscute în literatura de specialitate sub numele de etaje fundamentale:
▪ etaj sursă comună;
▪ etaj grilă comună;
▪ etaj drenă comună.

284
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Prezenta secţiune prezintă numai etajul sursă comună. Pentru acest etaj semnalele de intrare se aplică
între grilă şi sursă, iar semnalul de ieşire se culege între drenă şi sursă.
a.) schema este prezentată în figura 7.20
ED ED ED
iD iD ED

iD (vGS − VT ) 2

RD RD 2 RD RD

G
D G D
G D
S vIN vGS vO v
vIN vO vIN vO IN vGS R vO

S S

Figura 7.20 Figura 7.21 Figura 7.22 Figura 7.23

b.) rolul elementelor; notaţii folosite

RD rezistor de sarcină;
vIN tensiune de intrare (valoare instantanee totală);
iIN curent de intrare (valoare instantanee totală);
vO tensiune de ieşire (valoare instantanee totală);
c.) analiza de semnal mare
Obiectivul acestei analize constă în explicitarea caracteristicii de intrare (7.11);
vO=vO(vIN) (7.11)
Procedura aplicată este identică cu procedura prezentată în capitolul 6.:
I. Pentru
vGS<VT (7.12)
şi
vGD<VT (7.13)
tranzistorul este blocat. Circuitul din figura 7.20 se modelează ca în figura 7.21. Se constată că:
vO=ED (7.14)
Observaţie: Condiţiile (7.2) şi (7.3) sunt satisfăcute dacă:
vIN  (− , VT ) (7.15)
II. Pentru:
vGS>VT (7.16)
şi
vGD<VT (7.17)
tranzistorul este în regiunea de saturaţie. Circuitul din figura 7.20 se modelează ca în figura 7.22:
Expresia tensiunii de ieşire este:
vO=ED-iDRD (7.18)
iar.

iD = (vGS − VT )
2
(7.19)
2
vGS=vIN (7.20)
Înlocuind (7.20) în (7.19), iar (7.19) în (7.18) se obţine:

vO = ED − RD (vIN − VT )
2
(7.21)
2
Această expresie este valabilă pentru:
− 1 + 1 + 2RD ED
VT  vIN  VT + (7.22)
RD
III. Pentru:
vGS>VT (7.23)
and
vGD>VT (7.24)
285
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

tranzistorul operează în regiunea liniară. Circuitul din figura 7.20 se modelează ca în figura 7.23. Prin
simplă inspecţie se constată că expresia tensiunii de ieşire este:
R
v O = ED 0 (7.25)
R + RD
Tensiunea de intrare trebuie să satisfacă condiţia
− 1 + 1 + 2RD E D
vIN  VT + (7.26)
 RD
Ţinând cont de relaţiile (7.14), (7.21) şi (7.25) caracteristica de transfer capătă alura din figura (7.24):
vO
Regiune de
blocare
ED Regiunea de
saturaţie

Regiunea
liniară

VT ED vIN

− 1 + 1 + 2  RD E D
+ VT
 RD
Figura 7.24
d) etaj de amplificare în conexiunea sursă comună
Acestă secţiune tratează comportarea în semnal mic a acestei coneciuni.
d1) schema este prezentată în figura 7.25.
d2) rolul elementelor
RG1 RG2 RS circuit de polarizare.
C1, C2 condensatoare de cuplaj.
CS condensator de decuplare; pune sursa la masă în regim de semnal.
RD sarcină.
d3.) analiza de semnal mic
Se vor analiza:
1. amplificarea în tensiune;
2. rezistenţa de intrare;
3. rezistenţa de ieşire.
1.) Amplificarea în tensiune
Este definită ca:
Vot
AV = (7.27)
Vt
unde:
Vt tensiune de intrare aplicată la intrare; (amplitudine);
Vot răspunsul în tensiune al circuitului la tensiunea de test. (amplitudine).

286
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Circuitul din figura 7.25 se modelează ca în figura 7.26.

ED

RG1 RD
It G D Id
Iin C1
C2 Ir
Vo
Vt RG Vgs gmVgs RDL Vot
Vin
RG2 RS CS S

Figura 7.24 Figura 7.26

S-au folosit notatiile.

R G1R G2
R G = R G1 R G2 = (7.28)
R G1 + R G2

R DR L
R D,L = R D R L = (7.29)
RD + RL

Se găseste:
Vot=-gmVgsRD,L (7.30)
Vt=Vds (7.31)
Introducând (7.30) şi (7.31) în (7.27) amplificarea în tensiune devine:
A v = −gmRD,L (7.32)

Concluzii:
• câştigul în tensiune este ridicat;
• diferenţa de fază dintre tensiuneade intrare şi cea de ieşire este 1800 (semnul minus).
2.) Rezistenţa de intrare.
Este definită de:
Vt
R in = (7.33)
It

Din figura 7.26 prin simplă inspecţie.

Rin=RG (7.34)
Concluzie: rezistenţa de intrare este egală cu RG şi poate lua valori ridicate.
3.) Rezistenţa de ieşire;
Este definită ca în (7.35):

Et
Ro = (7.35)
It
Vin = 0

287
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Figura 7.27 arate modul în care este plasată sursa de test precum şi modul în care se realizează
scurtcircuitul, prin intermediul condensatorului Cs. Circuitul este modelat în figura 7.28. Observând că

ED
G D It It
RG1 RD +
It +
C1 C2 RB Vbg gmVgs RD Et RD Et
Et s - -
S
Cs RG2 RS CS

Figure 7.27 Figure 7.28 Figure 7.29

Vgs=0 (7.36)
circuitul din figura 7.28 se reduce la cel din figura 7.29. În consecinţă rezistenţa de ieşire devine:
Ro=RD (7.37)
Concluzie: rezistenţa de ieşire are o valoare moderată.

De reţinut!

Canal N Canal P
Simbol ANSI Simbol DIN Simbol ANSI Simbol DIN

D-
TECMOST

E-
TECMOS

Tranziztor MOS Simboluri

Regim cvasistatic semnal mare

Schema echivalentă Model matematic

iG = 0

iD = (vGS − VT )2
2
Regiunea de saturație Regiunea de saturație

288
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

iG = 0
v DS
iD =
R
Regiunea liniară Regiunea liniară

iG = 0
iD = 0

Regiunea de blocare Regiunea de blocare

Tranzistor cu effect de camp, canal N

Regim cvasistatic semnal mic.

Schema echivalentă Model matematic

Ig = 0
I d = g m Vgs

N channel N channel
Tranzistor cu effect de camp , canal N

Test de autoevaluare 8.1

1. Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp metal oxid

semiconductor cu canal initial este prezentată în figura notată cu:
2p
a) b)
S G D

SiO2
n
p++ n++

canal
n

B
S

c) d)

289
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

joncţiune G joncţiune
p-n p-n

n p n

S D
canal

G
S

2. Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp de câmp metal oxid

semiconductor cu canal indus este prezentată în figura notată cu:
2p
a) b)

S G D

SiO2
n
p++ n++

canal
n

B
S

c) d)
joncţiune G joncţiune
p-n p-n

n p n

S D
canal

G
S

3. Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat S se numeşte:
1p

Figura 6.1

a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat
290
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

4. Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat G se numeşte:
1p
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

5. Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat D se numeşte:
1p

6. Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat B se numeşte:
1p
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat
Răspuns corect d)

7. Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat B se numeşte:
1p

Figura 6.2

a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

8. Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat S se numeşte:
1p
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

291
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

9. Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp

metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat G se numeşte:
1p
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

10. Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp
metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat D se numeşte:
1p
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

11 Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip n este:

1p
a.) b.) c.) d.)
D D D D

G B G G B G
B B

S S S S

12 Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip p este:

1p
a.) b.) c.) d.)
D D D D

G B G B G B G B

S S S
S

13 Simbolul unui TECMOS cu canal inţial tip n este:

1p
a.) b.) c.) d.)

292
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

D D D D

G B G B G B G B

S S S
S

14 Simbolul unui TECMOS cu canal iniţial tip p este:

1p
a.) b.) c.) d.)
D D D D

G B G B G B G B

S S S
S

15. În cazul unui TECMOS canalul este situat:

2p
a) la suprafaţa structurii (interfaţa Si-SiO2), făcând legatura dintre
drena şi sursă;
b) în volumul structurii, făcând legatura dintre drena şi sursă;
c) la suprafaţa structurii (interfaţa Si-SiO2), dar numai în partea
dinspre drenă;
d) în volumul structurii, dar numai în partea dinspre drenă;

16. Din punct de vedere tehnologic se pot realiza tranzistoare cu efect de

câmp:
1p
a) numai cu canal n:
b) numai cu canal p;
c) atât cu canal n cât şi cu canal p;
d) tipul de canal depinde de tipil de tranzistor (TECJ sau
TECMOS).

17. Curentul principal din TECMOS se stabileşte între:

2p
a) grilă şi drenă;
b) sursă şi drenă;
c) sursă şi grilă;
d) grilă şi drenă.

293
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

18. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal n se stabileşte între sursă şi

drenă. El este constituit din:
2p
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.

19. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal p se stabileşte între sursă şi

drenă. El este constituit din:
2p
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.

20 Curentul principal dintr-un TECMOS - curent care circulă între sursă şi

drenă - circulă printr-un canal, a cărui conductanţă este modificată electric
3p
de potenţialul de pe grilă. În cazul TECMOS cu canal iniţial:
a) potenţialul grilei modifică lungimea canalului şi prin aceasta
rezistenţa canalului;
b) potenţialul grilei modifică secţiunea canalului şi prin
aceasta rezistenţa canalului;
c) potenţialul grilei modifică lăţimea canalului şi prin aceasta
rezistenţa canalului;
d) potenţialul grilei modifică concentraţia purtătorilor din canal
şi prin aceasta rezistenţa canalului.

21. Conexiunea sursă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este
prezentată în figura notată:
1p
a) b)
iO

iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO

c) d)
iO

iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN

22 Conexiunea drenă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este

prezentată în figura notată:
1p

294
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

a) b)
iO

iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO

c) d)
iO

iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN

23. Conexiunea grilă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este
prezentată în figura notată:
1p
a) b)
iO

iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO

c) d)
iO

iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN

24. Conexiunea sursă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este
prezentată în figura notată:
1p
a) b)
iO

iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO

c) d)

iIN iO

vIN vO

295
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

iO

iIN
vO

vIN

25. Conexiunea drenă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este
prezentată în figura notată:
1p
a) b)
iO

iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO

c) d)
iO

iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN

26. Conexiunea grilă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este
prezentată în figura notată:
1p
a) b)
iO

iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO

c) d)
iO

iIN iIN iO
vO

vIN vIN vO

27. Întrucât grila unui TECMOS este izolată de canal printr-un strat de bioxid
de siliciu curentul de grilă este:
2p

296
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

a) iG = iG (vDS )
U GS = const .

b) iG = iG (vGS )
U GS =const .

c) iG  0
vDS
d) iG =
rDS

28. Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial
de tip n. Cu I a fost notată:
1p
iD
vGS-vT
III.

IV.
II. vGS=0.1V

vGS=0V
I. vGS=2V
vGS=-4V
vGS=VT
vDS

Figura 6.3

a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

29. Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial
de tip n. Cu II a fost notată:
1p
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

30. Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial
de tip n.Cu III a fost notată:
1p
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

31. Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial
de tip n. Cu IV a fost notată:
1p

297
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

32. Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus
de tip n. Cu I a fost notată:
1p
iD
vGS-vT
III.

IV.
II. vGS=8V

vGS=6V
I. vGS=4V
vGS=2V
vGS=VT
vDS

Figura 6.4

a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

33. Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus
de tip n. Cu II a fost notată:
1p
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

34. Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus
de tip n.Cu III a fost notată:
1p
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

35. Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus
de tip n. Cu IV a fost notată:
1p
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.

36. Un TECMOS care funcţionează în regiunea liniară se comportă ca

2p

298
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

a) rezistenţă comandată;
b) un generator de curent comandat;
c) un circuit întrerupt;
d) un generator de tensiune comandat.

37. Un TECMOS care funcţionează în regiunea de blocare se comportă ca

2p
a) rezistenţă comandată;
b) un generator de curent comandat;
c) un circuit întrerupt;
d) un generator de tensiune comandat.

38. Un TECMOS care funcţionează în regiunea de saturaţie se comportă ca

2p
a) rezistenţă comandată;
b) un generator de curent comandat;
c) un circuit întrerupt;
d) un generator de tensiune comandat.

39. Caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este

prezentată în figura notată:
3p
a) b)
iD iD
vGS-vT vGS-vT
Regiune Regiune
de cot de cot
Regiune de saturatie Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V Regiune vGS=8V
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
Regiune de Regiune de
vGS=0V vGS=4V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=VT vGS=VT
vDS vDS

c) d)
iD iC
Regiune vGS-vT
de cot vCB=0 iB4
Regiunea activă normală
Regiune de saturatie
Regiune vGS=0.1V Regiunea de iB3
liniara saturatie
vGS=0V iB2
Regiune de Regiunea de
vGS=2V iB1
blocare blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS vCE

40. Caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n este

prezentată în figura notată:
3p
a) b)

299
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

iD iD
vGS-vT vGS-vT
Regiune Regiune
de cot de cot
Regiune de saturatie Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V Regiune vGS=8V
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
Regiune de Regiune de
vGS=0V vGS=4V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=VT vGS=VT
vDS vDS

c) d)
iD iC
Regiune vGS-vT
de cot vCB=0 iB4
Regiune de saturatie Regiunea activă normală
Regiune vGS=0.1V Regiunea de iB3
liniara
vGS=0V saturatie
Regiune de iB2
vGS=2V Regiunea de
blocare
vGS=-4V blocare iB1
vGS=VT
vDS
vCE

41. Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal iniţial n este prezentată

în figura notată:
3p
a) b)
iD iD

IDSS

VT vGS
VT 1V vGS

c) d)
iD iB
vCE1

vCE2>vCE1

IDSS

VT 1V vGS vBE
Vγ

42. Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal indus n este prezentată

în figura notată:
3p
a) b)
iD iD

IDSS

VT vGS
VT 1V vGS

c) d)

300
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

iD iB
vCE1

vCE2>vCE1

IDSS

VT 1V vGS vBE
Vγ

43. Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în

regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) iG=0 şi iD=0

b) iG=0 şi iD = (vGS − VT )2
2
 v 
1
2 
c) iG=0 şi i D = Go 1 −  GS  u DS
  VT  
 

  v 
d) iC = I S exp v BE  şi iB =
IS
exp BE 
e F
 T   eT 

44. Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în

regiunea de saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) iG=0 şi iD=0

b) iG=0 şi iD = (vGS − VT )2
2
 v 
1
2 
c) iG=0 şi i D = Go 1 −  GS  u DS
  VT  
 

  v 
d) iC = I S exp v BE  şi iB =
IS
exp BE 
e F
 T   eT 

45. Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în

regiunea liniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) iG=0 şi iD=0

b) iG=0 şi iD = (vGS − VT )2
2
 v 
1
2 
c) iG=0 şi i D = Go 1 −  GS  u DS
  VT  
 

  v 
d) iC = I S exp v BE  şi iB =
IS
exp BE 
e F
 T   eT 

46. Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea liniară -

regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p

301
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

a) b)
iB G D
B C
vGS
vBE FiB R

E S

c) d)
G D G D
vGS 
S
(vGS − VT )2 vGS vDS
2 S

47. Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea de saturaţie

- regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) b)
iB G D
B C
vGS
vBE FiB R

E S

c) d)
G D G D
vGS 
S
(vGS − VT )2 vGS vDS
2 S

48. Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea de blocare

- regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) b)
iB G D
B C
vGS
vBE FiB R

E S

c) d)
G D G D
vGS 
S
(vGS − VT )2 vGS vDS
2 S

302
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

49. Pentru un TECMOS, o dată cu creşterea temperaturii:

3p
iD
T1
T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2
Z
IZ

VT2 VT1 VGZ vGS

Figura 6.5

a) IDSS scade iar VT creşte;

b) IDSS creşte iar VT scade;
c) IDSS şi cresc;
d) IDSS şi VT scad.
Pentru notaţii vezi figura 6.4

50. Pentru un TECMOS, o dată cu creşterea temperaturii:

3p
a) iD scade dacă iD>IZ;
b) iD creşte dacă iD>IZ;
c) iD scade dacă iD<IZ;
d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
Pentru notaţii vezi figura 6.4

51. O dată cu variaţia temperaturii caracteristicile de ieşire ale unui TECMOS

se modifică ca în figura notată (urmăriţi relaţia dintre T1 şi T2):
3p
a) b)
iD iD
T1 T1
T2<T1 IDSS1 T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ

VT2 VT1 VGZ vGS VT2 VT1 VGZ vGS

c) d)
T1  T2 iD T1  T2 iD
T1 T1
IDSS1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ

VT2 VT1 VGZ vGS VT2 VT1 VGZ vGS

303
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

52. Un posibil model matematic pentru un TECMOS – pentru regimul

cvasistatic de semnal mic – este:
3p
a) id=0 şi id=gmvds
b) ig=0 şi id=gmvgs
c) id=0 şi id=gmvds
d) ig=0 şi id=gmvgs

unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de
semnal) vds tensiune de drenă-sursa (valoare instantanee
de semnal)
2I D
gm =
VGS − VT

53. Tranconductanţă mutuală a unui TECMOS are expresia:

3p
a) g m =  (vGS − VT )2 ;
b) g m = 2 I D ;
Vgs − VT
c) g m =  (vGS − VT ) ;
d) g m = 2 I d .
Vgs − VT

54. Schema echivalentă ce corespunde modelului matematic

3p ig=0
id=gmvgs
al unui TECMOS – pentru regimul cvasistatic de semnal mic – este
prezentată în figura:
a) b)
G D G D

vgs gmvgs vgs gmvgs

S
S

c) d)

304
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

G D G D

vgs gmvgs gmvgs vgs

S S

55. Circuitul de polarizare al unui TECMOS are sarcina de a asigura:

2p
a) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,
dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia
temperaturii;
b) polarizarea directă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,
dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia
temperaturii;
c) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,
precum şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia
temperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;

56. Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui

TECMOS cu canal indus de tip n:
3p
a) este întotdeauna pozitivă;
b) este întotdeauna negativă;
c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă;
d) este întotdeauna zero.

57. Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui

TECMOS cu canal indus de tip p:
3p
a) este întotdeauna pozitivă;
b) este întotdeauna negativă;
c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă;
d) este întotdeauna zero.
Răspuns corect b)

58. Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui

TECMOS cu canal iniţial de tip n:
3p
a) este întotdeauna pozitivă;
b) este întotdeauna negativă;
c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă;
d) este întotdeauna zero.

305
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

59. Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui

TECMOS cu canal iniţial de tip p:
3p
a) este întotdeauna pozitivă;
b) este întotdeauna negativă;
c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă;
d) este întotdeauna zero.

60. Pentru un TECMOS cu canal indus de tip n s-au impus scheme de

polarizare de tipul celei din figura notată:
3p
a) b)
+ED +ED

R1 RC R1 RC

R2 R2 RS

c) d)
-ED -ED

R1 RC R1 RC

R2 R2 RS

61. Pentru un TECMOS cu canal inţial de tip n s-au impus scheme de

polarizare de tipul celei din figura notată:
3p

a) b)
+ED +ED

R1 RC R1 RC

R2 R2 RS

c) d)

306
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

-ED -ED

R1 RC R1 RC

R2 R2 RS

62. Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este blocat dacă:
2p
ED
iD
RD

vIN vO

Figura 6.6

a) vIN<VT
b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat
c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat
d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat

63. Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este în regiunea de
2p
saturaţie dacă:
a) vIN<VT
b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat
c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat
d) vIN<VT : sau vDS<vDSsat

64. Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este în regiunea
2p
liniară dacă:
a) vIN<VT
b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat
c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat
d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat

65. Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul este blocat
2p
schema se modelează ca în figura notată:
a) b)

307
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

ED ED
iD
iD

RD (vGS − VT ) 2

2 RD
D
G G D
S
vIN vO vIN vGS vO

c) d)
ED
ED ED
RD
iIN
G D
RD iD
uIN uGS uO
S
iIN E

G D G D R Figura 5.35

vIN vGS R vO vIN vGS vO

S

66. Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în
2p
regiunea de saturaţie schema se modelează ca în figura notată:
a) b)
ED ED
iD
iD

RD (vGS − VT ) 2

2 RD
D
G G D
S
vIN vO vIN vGS vO

c) d)
ED
ED ED
RD
iIN
G D
RD iD
uIN uGS uO
S
iIN E

G D G D R Figura 5.35

vIN vGS R vO vIN vGS vO

S

67. Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în
2p
regiunea liniară schema se modelează ca în figura notată:
a) b)

308
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

ED ED
iD
iD

RD (vGS − VT ) 2

2 RD
D
G G D
S
vIN vO vIN vGS vO

c) d)
ED
ED ED
RD
iIN
G D
RD
uIN uGS uO
S
iIN E

G D G D R Figura 5.35

vIN vGS R vO vIN vGS vO

S

68. Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în
4p
regiunea liniară tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) vO = ED −  RD (vIN − VT )2 ;
2
R
c) vO= ED ;
R + RD

d) vO = ED −  RD (vIN + VT )2 .
2

69. Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în
2p
regiunea de saturaţie tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) vO = ED −  RD (vIN − VT )2 ;
2
R
c) vO= ED ;
R + RD

d) vO = ED −  RD (vIN + VT )2 .
2

70. Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit
cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul este blocat
2p
tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) vO = ED −  RD (vIN − VT )2 ;
2
R
c) vO= ED ;
R + RD

309
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

d) vO = ED −  RD (vIN + VT )2 .
2

71. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura notată:
2p
a) b)
+ED -ED

RG1 RD RG1 RD

Iin C1 Iin C1
C2 C2

Vo Vo
Vin Vin
RG2 RS RG2 RS

c) d)
+ED -ED

RG1 RD RG1 RD

Iin C1 Iin C1
C2 C2

Vo Vo
Vin Vin
RG2 RS CS RG2 RS CS

72. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RG1
1p
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
b) este rezistor de sarcină;
c) este rezistor de limitare;
d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.

73. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RG2
1p
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
b) este rezistor de sarcină;
c) este rezistor de limitare;
d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.

74. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RS
1p
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
b) este rezistor de sarcină;
c) este rezistor de limitare;
d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
310
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

75. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RD
1p
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
b) este rezistor de sarcină;
c) este rezistor de limitare;
d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.

76. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul C1
1p
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând
nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,
dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

77. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul C2
1p
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând
nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,
dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

78. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul CS
1p
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând
nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,
dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

79. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Amplificarea în
3p
tensiune definită prin: AV = Vo este:
Vin

311
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

a) Av=gmRD
b) Av=-gmRD
c) Av=gmRS
d) Av=-gmRS

80. Schema unui etaj de amplificare în conexiunea sursă comună este

prezentată în figura 6.6. Schema echivalentă de semnal mic regim
3p
cvasistatic este prezentată în figura notată:
a) b)
Iin Iin
G D Io G D Io

Vin RG Vgs gπVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo

S S

c) d)
Iin Iin
G D Io G D Io

Vin RG Vgs gmVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo

S S

81. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistenţa de
3p
intrare este:

RG1 RG 2
a) Rin = RG1 RG 2 =
RG1 + RG 2
b) Rin=βRS
RG1RG 2
c) Rin = RG1 RG 2 = 
RG1 + RG 2
d) Rin=RS

82. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistenţa de ieşire
3p
este:
a) Ro=RD
b) Ro=βRD
c) Ro=RS
d) Ro=βRS

Răspunsuri

1. Răspuns corect d) 33. Răspuns corect b)

312
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

2. Răspuns corect b) 34. Răspuns corect c)

3. Răspuns corect a) 35. Răspuns corect d)
4. Răspuns corect c) 36. Răspuns corect a)
5. Răspuns corect b) 37. Răspuns corect c)
6. Răspuns corect d) 38. Răspuns corect b)
7. Răspuns corect d) 39. Răspuns corect c)
8. Răspuns corect a) 40. Răspuns corect b)
9. Răspuns corect c) 41. Răspuns corect c)
10. Răspuns corect b) 42. Răspuns corect b)
11. Răspuns corect c) 43. Răspuns corect a)
12. Răspuns corect d) 44. Răspuns corect b)
13. Răspuns corect a) 45. Răspuns corect a)
14. Răspuns corect b) 46. Răspuns corect b)
15. Răspuns corect a) 47. Răspuns corect c)
16. Răspuns corect c) 48. Răspuns corect d)
17. Răspuns corect b) 49. Răspuns corect d.)
18. Răspuns corect a) 50. Răspuns corect a.)
19. Răspuns corect b) 51. Răspuns corect b)
20. Răspuns corect d) 52. Răspuns corect d.)
21. Răspuns corect a) 53. Răspuns corect c)
22. Răspuns corect c) 54. Răspuns corect a)
23. Răspuns corect b) 55. Răspuns corect a)
24. Răspuns corect a) 56. Răspuns corect a)
25. Răspuns corect c) 57. Răspuns corect b)
26. Răspuns corect b) 58. Răspuns corect c)
27. Răspuns corect c) 59. Răspuns corect c)
28. Răspuns corect a) 60. Răspuns corect a)
29. Răspuns corect b) 61. Răspuns corect b)
30. Răspuns corect c) 62. Răspuns corect a)
31. Răspuns corect d) 63. Răspuns corect b)
32. Răspuns corect a) 64. Răspuns corect b)
65. Răspuns corect a)
66. Răspuns corect b)

313
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

67. Răspuns corect c)

68. Răspuns corect c)
69. Răspuns corect b)
70. Răspuns corect a)
71. Răspuns corect c)
72. Răspuns corect a)
73. Răspuns corect a)
74. Răspuns corect a)
75. Răspuns corect b)
76. Răspuns corect d)
77. Răspuns corect d)
78. Răspuns corect d)
79. Răspuns corect b)
80. Răspuns corect c)
81. Răspuns corect a.)
82. Răspuns corect a.)

Lucrare de verificare la Unitatea de învăţare nr. 8

1 2 Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor
. p (TECMOS) cu canal initial de tip n este prezentat în figura notată:
a.) b.) c.) d.)

314
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

2 3 Curentul principal dintr-un tranzistor cu efect de camp se stabileşte între:

. p
a.) grilă şi drenă b.) sursă şi drenă c.) sursă şi grilă d.) grilă şi
substrat
3 4 Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n este constituit din:
. p
a.) electroni b.) goluri c. ioni pozitivi d.) ioni negativi
4 5 In funcţionarea normală curentul de grilă al unui tranzistor cu efect de
p camp este:

v DS v GS
a.) i G = b.) i G = c.) i G  0 d.) i G → 
rDS rDS
5 3 Un tranzistor cu efct de camp care funcţionează în regiunea de saturaţie se
. p comportă ca
c.) d.)
a.) b.)
un circuit un generator de
o rezistenţă un generator de întrerupt tensiune
comandată; curent comandat
comandat

6 4 Caracteristica de intrare a unui tranzistor cu efect de camp cu canal indus

. p de tip n este prezentată în figura notată:
a.) b.)
iD iD

IDSS

VT 1V vGS VT vGS

c.) d.)
iD iB
vCE1

vCE2>vCE1

IDSS

VT 1V vGS
Vγ vBE

7 4 Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui

p TECMOS cu canal indus de tip n:
a.) b.) c.) d.)

315
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

este întotdeauna este întotdeauna poate fi atât este întotdeauna

pozitiva negativă pozitivă cât şi zero
negativă
8 5 Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în
p conexiunea sursă comună a unui TECMOS cu canal initial de tip n este
prezentată în figura notată:
a.) b.) c.) d.)
+ED -ED +ED -ED

RG1 RD RG1 RD RG1 RD RG1 RD

Iin Iin Iin Iin C1

C1 C1 C1 C2
C2 C2 C2

Vo Vin Vo V Vo Vin Vo
Vin in
RG2 RS RG2 RS CS RG2 RS CS
RG2 RS

Răspunsuri şi comentarii la întrebările din testele

de autoevaluare
1. Răspuns corect a)
2. Răspuns corect b)
3. Răspuns corect b)
4. Răspuns corect c)
5. Răspuns corect b)
6. Răspuns corect b)
7. Răspuns corect a)
8. Răspuns corect c)

316
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Recapitulare

Capitolul 7
Tranzistoare cu efect de câmp
metal oxid semiconductor
Comentariu:

Ideea tranzistorului cu efect de câmp de suprafaţă datează din 1930

când Lillien în Statele Unite şi Heil în Anglia au propus utilizarea
efectului de câmp de suprafaţă pentru obţinerea unui dispozitiv
amplificator folosind corpul solid. Cercetări ample au fost realizate
ulterior (1940) în laboratoarele Bell. Descoperirea mai mult sau mai
puţin accidentală a tranzistorului bipolar a determinat însă apoi o nouă
direcţie în cercetarea şi dezvoltarea dispozitivelor semiconductoare
pentru mai mult de o decadă. Apariţia siliciului oxidat - una dintre cele
trei mari idei care au fundamentat tehnologia planară - a adus cu sine o
creştere a posibilităţii de de fabricaţie a TECMOS. În 1960 Kahng şi
Atalla au realizat un tranzistor cu efect de câmp utilizând siliciul oxidat
termic.
Lucian Balut 1

Capitolul 7
Tranzistoare cu efect de câmp
metal oxid semiconductor
Comentariu:

Spre deosebire de tranzistoarele studiate până acum, aceste tipuri de

tranzistoare sunt caracterizate de conducţia de suprafaţă şi nu de cea
de volum. Din acest motiv mai poartă numele de tranzistoare cu efect
de câmp de suprafaţă. În literatura de specialitate se întâlnesc şi sub
denumirea prescurtată TECMOS (Tranzistoare cu Efect de Câmp Metal
Oxid Semiconductor) sau MOSFET (Metal Oxid Semiconductor Field
Efect Tranzistor).

Lucian Balut 2

317
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Tranzistoare cu efect de câmp

metal oxid semiconductor

7.1 Preliminarii
7.2 Comportarea TECMOS în regim cvasistatic de
semnal mare
7.3 Comportarea TECMOS în regim cvasistatic de
semnal mic
7.4 Polarizarea TECMOS
7.5 Aplicaţii

Lucian Balut 3

7.1 Preliminarii
Comentariu
În principiu acest tranzistor are o funcţionare asemănătoare
tranzistorului cu efect de câmp cu joncţiune. Curentul principal -
curent stabilit între terminale care poartă acelaşi nume, sursă şi drenă
- circulă printr-un canal, a cărui conductanţă este modificată electric
de potenţialul de pe grilă. Functie de modul în care se realizează
acest canal există în principiu două tipuri de tranzistoare MOS:
a.) tranzistor MOS cu canal initial (canalul este realizat
tehnologic în structură printr-o difuzie suplimentară);
b.) tranzistor MOS cu canal indus (canalul este indus de
potentialul aplicat grilei)
Structura sucapitolului este:
1. Structurã, simbol, notaţii;
2. Principiul de funcţionare;
3. Conexiunile tranzistoarelor;

Lucian Balut 4

318
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.1 Preliminarii
7.1.1 Structurã, simbol, notaţii

TECMOS cu canal initial

S sursă
D drenă
G grila sau poartă
B substrat

Lucian Balut 5

7.1 Preliminarii
7.1.1 Structurã, simbol, notaţii

iG D iG D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vDS iS vSD iS
S
S

TECMOS cu canal initial TECMOS cu canal initial

de tip n de tip p

Lucian Balut 6

319
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.1 Preliminarii
7.1.1 Structurã, simbol, notaţii

TECMOS cu canal indus

S sursă
D drenă
G grila sau poartă
B substrat

Lucian Balut 7

7.1 Preliminarii
7.1.1 Structurã, simbol, notaţii
iG iG
D D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vGS iS vSG iS

S S

TECMOS cu canal indus TECMOS cu canal indus

de tip n de tip p

Lucian Balut 8

320
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.1 Preliminarii
7.1.2 Principiul de functionare
Comentariu
În principiu aceste tranzistoare au o funcţionare asemănătoare
tranzistorului cu efect de câmp cu joncţiune. Curentul principal -
curent stabilit între terminale care poartă acelaşi nume, sursă şi
drenă - circulă printr-un canal, a cărui conductanţă este
modificată electric de potenţialul de pe grilă. Deosebirile apar
numai la mecanismele care dau naştere canalului, precum şi
faptul că acest canal se află pe suprafaţa structurii.

Lucian Balut 9

7.1 Preliminarii
7.1.2 Principiul de functionare
TECMOS cu canal iniţial
Potenţialul grilei modifică concentraţia purtătorilor din canal şi
prin aceasta rezistenţa canalului. De altfel acest tranzistor mai
poartă numele D-MOS (Depletion MOS).

TECMOS cu canal indus

Potenţialul grilei – în condiţiile în care este suficient de ridicat –
datorită fenomenului de atracţie electrostatică, atrage la interfaţa
dintre siliciu şi bioxidul de siliciu purtătorii şi astfel este generat
canalul. Şi în acest caz modificarea potenţialului grilei duce la
modificarea concentraţiei purtătorilor din canal şi prin această a
rezistenţei canalului Acest tranzistor mai poartă numele E-MOS
(Enhancement MOS).

Lucian Balut 10

321
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.1 Preliminarii
7.1.2 Principiul de functionare
TECMOS cu canal iniţial
Ca şi în cazul TECJ, fără a mai intra în detalii trebuie spus că se pot
pune în evidenţă cel puţin trei două moduri distincte de lucru pentru
acsre tranzistoare:
1. Rezistenţă comandată. ÎI mare este vorba de mecanismul
amintit. Despre tranzistor se sune că lucreză în regim liniar;
2. Generator de curent comandat. În această situaţie canalul este
ştrangulat, dar purtătorii injectaţi de sursă pot ajunge la drenă.
Despre tranzistor se spune că lucreză în regim saturat;
3. Circuit întrerupt. În această situaţie canalul este ştrangulat, iar
purtătorii injectaţi de sursă nu mai pot ajunge la drenă. Despre
tranzistor se spune că lucreză în regim blocat

Lucian Balut 11

7.1 Preliminarii
7.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere

Conexiunea sursă comună

iO
mărimi de intrare
- tensiunea grilă - sursă şi iIN
- curentul de grilă vO
mărimi de ieşire vIN
- tensiunea drenă - sursă şi
- curentul de drenă.

Comentariu

Pentru această conexiune sensurile convenţionale ale curenţilor şi

tensiunilor coincid cu cele fizice.

Lucian Balut 12

322
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.1 Preliminarii
7.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere

Conexiunea grilă comună

mărimi de intrare
iIN iO
- tensiunea sursă-grilă şi
- curentul de sursă vIN vO
mărimi de ieşire
- tensiunea drenă-grilă şi
- curentul de drenă.

Comentariu

Pentru această conexiune sensurile convenţionale ale curenţilor şi

tensiunilor coincid nu cu cele fizice.

Lucian Balut 13

7.1 Preliminarii
7.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere

Conexiunea drenă comună

iO
mărimi de intrare
- tensiunea grilă-drena şi
- curentul de grilă iIN
vO
mărimi de ieşire
- tensiunea sursa-drenă şi vIN
- curentul de drenă.

Comentariu

Pentru această conexiune sensurile convenţionale ale curenţilor şi

tensiunilor coincid nu cu cele fizice.

Lucian Balut 14

323
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.1 Preliminarii
7.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere

În mod uzual TECMOS-urie indiferent de tip, ca şi TECJ-urile de altfel,

sunt descrise de două ecuaţii de forma:
iG=iG(vGS,vDS)
iD=iD(vGS,vDS)
Întrucât grila este izolată prin construcţie de drena, iG0

Concluzie

Modelul matematic pentru regimul cvasistatic de regim mare este:

iG0
iD=iD(vGS,vDS)

Lucian Balut 15

7.2 Comportarea TECMOS în regim

cvasistatic de semnal mare
7.2.1 Caracteristici statice

7.2.2 Modele de semnal mare pentru TECJ

7.2.3 Abateri de la teoria ideală

7.2.4 Limitări în funcţionare

Lucian Balut 16

324
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.2 Comportarea TECMOS în regim

cvasistatic de semnal mare
7.2.1 Caracteristici statice
a.) caracteristici de iesire iD=iD(vDS)¦VGS=const.
iD iD
Regiune vGS-vT vGS-vT
Regiune
de cot de cot
Regiune de saturatie Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V Regiune vGS=8V
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
Regiune de Regiune de
vGS=0V vGS=4V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=VT vGS=VT
vDS vDS
TECMOS cu canal initial tip n TECMOS cu canal indus tip n

I.) Regiunea liniară . III.) Regiunea de saturaţie.

II.) Regiunea de cot IV.) Regiunea de blocare.

Lucian Balut 17

7.2 Comportarea TECMOS în regim

cvasistatic de semnal mare
7.2.1 Caracteristici statice
a.) caracteristici de transfer iD=iD(vGS)¦VDS=const.
iD
iD

IDSS

VT vGS
VT vGS
TECMOS cu canal initial tip n TECMOS cu canal indus tip n

IDSS curentul de drenă corespunzător tensiunii grilă sursă nulă

VT tensiunea de prag

Lucian Balut 18

325
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.2 Comportarea TECMOS în regim

cvasistatic de semnal mare
7.2.2 Modele de semnal mare pentru TECMOS

Comentariu:
Modele uzuale utilizate pentru cele două tipuri de tranzistoare MOS sunt
practic identice. Din această cauză în acest subcapitol nu se vor face
referiri speciale la unul dintre ele.

Lucian Balut 19

7.2 Comportarea TECMOS în regim

cvasistatic de semnal mare
7.2.2 Modele de semnal mare pentru TECMOS
1.) Regim de blocare.

Model matematic

iG=0
iD=0
Schema echivalenta
G D

vGS vDS
S

Lucian Balut 20

326
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.2 Comportarea TECMOS în regim

cvasistatic de semnal mare
7.2.2 Modele de semnal mare pentru TECMOS
2.) Regim saturat
Model matematic

iG=0

iD = (vGS − VT )2
2
Schema echivalenta
G D


vGS (vGS − VT )2
2

Lucian Balut 21

7.2 Comportarea TECMOS în regim

cvasistatic de semnal mare
7.2.2 Modele de semnal mare pentru TECMOS
3.) Regim liniar
Model matematic

iG=0
1
iD = VDS
R
Schema echivalenta
G D
vGS
R

Lucian Balut 22

327
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.2 Comportarea TECMOS în regim

cvasistatic de semnal mare
7.2.3. Abateri de la teoria ideală
Comentariu

Problemele care apar în cazul TECMOS sunt practic aceleaşi cu cele

care prezentate în subcapitolul dedicat TECJ astfel că nu vor fi
reluate.

Lucian Balut 23

7.3 Comportarea TECMOS in regim

cvasistatic de semnal mic
Liniarizare Taylor

iG = 0
ig=0

i D = (v GS − VT )
2
id=gmvgs
2
G D

vgs gmvgs

di D
gm = =  (v GS − VT )
dv DS QP

Lucian Balut 24

328
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.4 Polarizarea TECMOS

Comentariu
Sarcinile circuitului de alimentare în curent continuu pentru
TECMOS sunt aceleaşi ca şi în cazul TECJ. Şi în acest caz nu se
mai pune problema ambalării termice, dar rămâne cea a dispersiei
de parametrii. Diferenţele apar însă dacă se observă că in
funcţionare normală un TECMOS cu canal de tip n indus, are nevoie
de o tensiune pozitivă între grilă şi sursă, iar un TECMOS cu canal n
iniţial suportă între grilă şi sursă atât valori pozitive cât şi negative
pentru polarizare.

Lucian Balut 25

7.4 Polarizarea TECMOS

ED ED
R1 RC R1 RC

VGS
VDS
VGS
VDS R2 RS
R2

Circuit de polarizare Circuit de polarizare

pentru tensiuni pentru tensiuni negative
pozitive grila-sursa (sau pozitive) grila-sursa

Lucian Balut 26

329
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

a.) schema
ED
b.) rolul elementelor; notaţii folosite iD
RD
RD rezistor de sarcină;
v IN tensiune de intrare (valoare
instantanee totală);
iIN curent de intrare (valoare instantanee vIN vO
totală);
vO tensiune de ieşire (valoare instantanee
totală);

Lucian Balut 27

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

c.) analiza de semnal mare vO=vO(vIN)

1. v GS<VT şi v GD<VT Ttranzistorul este în regiunea de blocare

ED ED
iD
iD
RD RD
D
G

vIN
S
vO v O=ED
vIN vO

Lucian Balut 28

330
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

c.) analiza de semnal mare vO=vO(vIN)

2. v GS>VT şi v GD<VT tranzistorul este saturat

ED ED
iD 
iD vO=ED-iDRD
RD (vGS − VT ) 2

2

(vGS − VT )2
RD
G D iD =
2
vIN vO vIN vGS vO vGS=vIN

− 1 + 1 + 2RD ED 
VT  vIN  VT + vO = ED − RD (vIN − VT )
2

RD 2

Lucian Balut 29

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

c.) analiza de semnal mare vO=vO(vIN)

3. v GS>VT si v GD>VT tranzistorul operează în regiunea liniară.

− 1 + 1 + 2RD E D
vIN  VT +
 RD
ED ED
iD
RD RD

G D
R
vIN vO vIN vGS R vO v O = ED 0
R + RD
S

Lucian Balut 30

331
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

c.) analiza de semnal mare vO=vO(vIN)

vO
Regiune de
blocare
ED Regiunea de
saturaţie

Regiunea
liniară

VT ED vIN

− 1 + 1 + 2  RD E D
+ VT
 RD

Lucian Balut 31

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

d) etaj de amplificare în conexiunea sursă comună

d1) schema
ED
d2) rolul elementelor
RG1 RD
RG1 RG2 RS circuit de polarizare. Iin C1
C1, C2 condensatoare de cuplaj. C2
CS condensator de decuplare.
RD sarcină. V
Vo
in
RG2 RS CS

Lucian Balut 32

332
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

d) etaj de amplificare în conexiunea sursă comună

d3) analiza de semnal mic

Se vor analiza:

1. amplificarea în tensiune;
2. rezistenţa de intrare;
3. rezistenţa de ieşire.

Lucian Balut 33

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

d) etaj de amplificare în conexiunea sursă comună
Vot
d3) analiza de semnal mic – Amplificarea in tensiune AV =
ED
Vt
R G1 RD

I in C1
C2

Vo
Vt
R G2 RS CS

R G1R G2 Vot=-gmVgsRD,
R G = R G1 R G2 = Vt=Vds
R G1 + R G2

R D,L = R D R L =
R DR L A v = −gmRD,L
RD + RL

Lucian Balut 34

333
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

d) etaj de amplificare în conexiunea sursă comună
Vt
d3) analiza de semnal mic - Rezistenta de intrare R in =
It
ED

R G1 RD It G D Id
Ir
I in C1
C2 Vt RG Vgs gmVgs RDL Vot

Vo S
Vt
R G2 RS CS

Rin=RG

Lucian Balut 35

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

d) etaj de amplificare în conexiunea sursă comună
Et
d3) analiza de semnal mic - Rezistenta de iesire Ro =
It
Vin = 0
ED

RG1 RD
It
G D It It
C1 C2 +
+
Et RB Vbg gmVgs RD Et RD Et
s - -
Cs RG2 RS CS S

Ro=RD

Lucian Balut 36

334
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Concluzii

Canal N Canal P
Simbol Simbol Simbol Simbol
ANSI DIN ANSI DIN

D-
TECMOST

E-
TECMOS

Tranziztor MOS Simboluri

Regim cvasistatic semnal mare

Schema echivalentă Model matematic

iG = 0

iD = (vGS − VT )2
2
Regiunea de saturație Regiunea de saturație

iG = 0
v DS
iD =
R
Regiunea liniară Regiunea liniară

iG = 0
iD = 0

Regiunea de blocare Regiunea de blocare

Tranzistor cu effect de camp, canal N

Regim cvasistatic semnal mic.

Schema echivalentă Model matematic

Ig = 0
I d = g m Vgs

N channel N channel
Tranzistor cu effect de camp , canal N

335
Electronică analogică – curs și aplicații
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

Bibliografie

Băluţ L. Componente si dispozitive electronice (Electronic Components and

Devices) Ed. Leda Constanta 1997 ISBN 973–97712–1-1
Băluţ L. Circuite electronice Ed.Metafora; Constanta 1999; ISBN 973-93-40-
25-3
Băluţ L. Device Modeling for Circuit Analysis; Ed. Muntenia & Leda ISBN
973-8304-50-4 973-8082- 84-6 Constanta 2002;
Băluţ L et. al Teste de evaluare Ed. Nautica ISBN 973-86813–3–2 Constanta 2004
*** Designing with field-effect transistors New York : McGraw-Hill,
c1990.
Liu, William Handbook of III-V heterojunction bipolar transistors New York
Wiley, c1998
Marston, R. M Diode, transistor & FET circuits manual Oxford ; Boston : Newnes,
1991 ISBN 0750602287
Mounic, M. Transistors, problemes avec solutions, du debutant au technicien
superieur Paris, Foucher, 1967-
Neudeck, G. The bipolar junction transistor, Reading, Mass. : Addison-Wesley,
c1983
Ryter, Roland Analysis and development of high voltage bipolar transistors for
BiCMOS smart power applications Konstanz : Hartung-Gorre,, 1996
Sanborn, P. Fundamentals of transistors Garden City, N.Y., Doubleday [1970]
Schroder, D. Advanced MOS devices, Reading, Mass. : Addison-Wesley Pub. Co.,
c1987
Towers, T. D Towers' International transistor selector Blue Ridge Summit, Pa. :
TAB Books, 1982 ISBN 0830614168
Warner, R. M. Transistors : fundamentals for the integrated-circuit engineer
Malabar, Fla. : R.E. Krieger Pub. Co., 1990
Baker, R. J. CMOS circuit design, layout, and simulation 1998 New York : IEEE
Press, c1998
Foty, D. MOSFET modeling with SPICE1997 Upper Saddle River, NJ :
Prentice Hall PTR, c1997
Kano, Kanaan Semiconductor devices 1998 Upper Saddle River, N.J. : Prentice
Hall, c1998
Liou, J., Analysis and design of MOSFETs, 1998 Boston, MA : Kluwer
Academic Publishers, c1998
Pierret, R. F Field effect devices1983 Reading, MA : Addison-Wesley, c1983
Tsividis, Y. Operation and modeling of the MOS transistor, 1998 Boston :
WCB/McGraw-Hill, c1999
Warner, R. M. MOSFET theory and design 1998 New York : Oxford University
Press, 1998
Warner, R. M. Transistors, 1983 New York : Wiley, c1983.

336
Electronică analogică – curs și aplicații