Ministerul Educației și Cercetării al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Republicii Moldova

Facultatea Electronică și Telecomunicații
Departament Telecomunicații și Sisteme Electronice

Admis la susţinere
Şef Departament TLC, conf.univ.dr. L.SAVA
_______________________________
„____”____________________2022

ANALIZA ŞI MODELAREA TRANZISTOARELOR

BIPOLARE ŞI CIRCUITELOR ELECTRONICE
ÎN BAZA LOR (Varianta nr. 4)

Proiect de an la disciplina
DISPOZITIVE ȘI CIRCUITE ELECTRONICE

Elaborat de studentul grupei RST – 201: Burlac Ana

Proiectul a fost susţinut _____ ________________

Nota _____________

Chişinău – 2022
 MINISTERUL EDUCAŢIEI ȘI CERCETĂRII AL REPUBLICII MOLDOVA
UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI
FACULTATEA ELECTRONICĂ ȘI TELECOMUNICAȚII
DEPARTAMENTUL TELECOMUNICAŢII ȘI SISTEME ELECTRONICE
Studii superioare de licență, ciclul I
DATE INIŢIALE ŞI SARCINA
pentru proiect de an la disciplina
” DISPOZITIVE ȘI CIRCUITE ELECTRONICE”
Tema: ” ANALIZA ŞI MODELAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE ŞI CIRCUITELOR
ELECTRONICE ÎN BAZA LOR (Varianta nr.4)”
St. Burlac Ana gr. RST – 201
S1. Proiectarea unui etaj de amplificare după putere cu transformator în baza tranzistorului bipolar
conectat după schema emitor comun
Varianta Pieș , W Rs , Ω F , Hz M Ec , V
4 1.5 18 200 1.20 24
Datele inițiale pentru lucrul individual: Probleme cu utilizarea tipică a tranzistoarelor în diverse circuite 2,4,6
I. Sarcina și datele inițiale
II. Conținutul:
INTRODUCERE
Capitolul 1. Noțiuni generale
Capitolul 2. Probleme cu utilizarea tipică a tranzistoarelor în diverse circuite( lucrul
individual)
Capitolul 3. Proiectarea unui etaj de amplificare după putere în baza tranzistorului
bipolar cu și fără transformator
CONCLUZII
BIBLIOGRAFIE
Data înmînării sarcinii «__ 24
_”_ianuarie_2022

Conducător PA ___________ _______ R.

GRIȚCO_______
Semnătura Nume, Prenume
Sarcina a fost primită _____________________ Burlac Ana
pentru îndeplinire Semnătura Studentului Nume, Prenume
Termen limită susţinerere PA „__21__”__mai__2022
 CUPRINS

Introducere...............................................................................................................................................4
Capitolul I.................................................................................................................................................5
1.1 Notiuni generale a tranzistoarelor
bipolare............................................................................5
1.2 Constructia tranzistorului bipolar........................................................................................6
1.3 Configuratiile tranzistorului
bipolar.......................................................................................7
1.4 Principiul de functionare a tranzistorului
bipolar.................................................................10
1.5 Regimul de lucru a tranzistorului
bipolar............................................................................11
1.6Parametrii hibrizi sau H a tranzistorului bipolar..................................................................12
1.7 Domeniile de aplicare a tranzistoarelor bipolare................................................................14
Capitolul II..............................................................................................................................................
Capitolul III............................................................................................................................................
2.1 Determinarea tipului tranzistorului......................................................................................
2.2 Determinarea regimului de funcționare................................................................................
2.3 Determinarea rezistenței din circuitul emitorului RE............................................................
2.4 Determinarea capacității condensatorului ce şuntează rezistorul RE..................................
2.5 Determinarea rezistenţei divizorului de tensiune după curent alternativ..............................
2.6 Determinarea coeficientului de amplificare al etajului după putere.....................................
2.7 Determinarea coeficientului de transformare al transformatorului de putere......................
2.8 Determinarea rezistenţei înfăşurării primarului transformatorului......................................
2.9 Determinarea inductanţei primarului transformatorului.....................................................
2.10 Determinarea suprafaţei radiatorului pentru răcirea tranzistorului..................................
Concluzii.................................................................................................................................................
Bibliografie.............................................................................................................................................
Anexe.......................................................................................................................................................

UTM 0714.1 04 NE
Litera Coala Coli
Mod Coala Nr. documentului Semnat Data Analiza și modelarea tranzistoarelor 3
bipolare și circuitelor electronice în
Elaborat Burlac A.
Verificat
UTM FET25
Grițco R.
gr. RST - 201

INTRODUCERE

Primele brevete pentru principiul de funcționare a tranzistoarelor cu efect de câmp au fost

înregistrate în Germania în 1928 (în Canada, 22 octombrie 1925) pe numele fizicianului
austro-ungar Julius Edgar Lilienfeld. În 1934, fizicianul german Oscar Heil a brevetat
tranzistorul cu efect de câmp. Tranzistoarele cu efect de câmp (în special, MOSFET-urile) se
bazează pe un simplu efect de câmp electrostatic, în fizică sunt mult mai simple decât
tranzistoarele bipolare și, prin urmare, au fost inventate și patentate cu mult înaintea
tranzistorilor bipolari. Cu toate acestea, primul tranzistor MOS, care formează baza industriei
moderne de calculatoare, a fost realizat mai târziu decât tranzistorul bipolar, în 1960. Abia în
anii 1990 tehnologia MOS a început să domine asupra tehnologiei bipolare. În 1947, William
Shockley, John Bardeen și Walter Brattain au creat primul tranzistor bipolar funcțional la Bell
Labs, demonstrat pe 16 decembrie. Pe 23 decembrie a avut loc prezentarea oficială a
invenției, iar această dată este considerată ziua inventării tranzistorului. Conform tehnologiei
de fabricație, a aparținut clasei de tranzistoare punctiforme. În 1956 au primit Premiul Nobel
pentru Fizică „pentru cercetările lor asupra semiconductorilor și descoperirea efectului
tranzistorului”. Interesant este că John Bardeen a primit în curând Premiul Nobel pentru a
doua oară pentru crearea sa a teoriei supraconductivității.
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 4
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

CAPITOLUL I
CARACTERISTICA GENERALĂ A TRANZISTOARELOR BIPOLARE

1.1 Notiuni generale a tranzistoarelor bipolare

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor care poate fi utilizat pentru comutare
sau amplificare.

Am văzut că diodele simple sunt alcătuite din două bucăți de material semiconductor pentru a forma o
joncțiune simplă PN și am învățat, de asemenea, despre proprietățile și caracteristicile lor.

Dacă îmbinăm două diode individuale de semnal spate-în spate, acest lucru ne va da două joncțiuni
PN conectate împreună în serie, care împart un terminal pozitiv P sau negativ N comun. Fuziunea
acestor două diode produce un dispozitiv cu trei straturi, două joncțiuni, trei terminale care formează
baza unui tranzistor bipolar cu joncțiune sau BJT pe scurt.

Tranzistoarele sunt dispozitive active cu trei terminale, fabricate din materiale semiconductoare
diferite, care pot acționa fie ca un izolator, fie ca un conductor prin aplicarea unei tensiuni mici de
semnal. Abilitatea tranzistorului de a schimba între aceste două stări îi permite să aibă două funcții
principale: "comutare" (electronică digitală) sau "amplificare" (electronică analogică). Atunci,
tranzistoarele bipolare au capacitatea de a opera în trei regiuni diferite:
 Regiunea activă - tranzistorul funcționează ca amplificator și Ic = β*IB
 Saturație - tranzistorul este "complet deschis" funcționând ca un comutator și Ic = I (saturație)
 Cut-off - tranzistorul este "complet oprit" funcționând ca un comutator și Ic = 0
Cuvântul Transistor este o combinație a celor două cuvinte Transfer Varistor care descrie modul lui
de funcționare din primii ani de dezvoltare a produselor electronice. Există două tipuri principale de
construcție tranzistor bipolar, PNP și NPN, care descrie în principiu aranjamentul fizic al materialelor
semiconductoare de tip P și de tip N din care sunt făcute.

Construcția tranzistorului bipolar constă din două joncțiuni PN, producătoare de trei terminale de
legătură, cu fiecare terminal numit pentru a fi identificat de celelalte două. Aceste trei terminale sunt
cunoscute și etichetate ca emitor (E), bază (B) și colector (C).

Figura 1. Tranzistor bipolar.

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive de reglare a curentului care controlează cantitatea de curent
care trece prin ele de la terminalele emitor la colector proporțional cu cantitatea de tensiune de
polarizare aplicată la terminalul lor bază, acționând astfel ca un comutator controlat în curent,
deoarece un mic curent care curge în terminalul bază controlează un curent de colector mult mai
mare, formând bazele acțiunii tranzistorului.

Principiul de funcționare a celor două tipuri de tranzistoare PNP și NPN este exact același, singura
diferență fiind cea a polarizării și a polarității sursei de alimentare pentru fiecare tip.
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 5
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

1.2 Constructia tranzistorului bipolar

Figura 2. Constructia trnzistorului bipolar.

Construcția și simbolurile circuitelor pentru ambele tranzistoare bipolare PNP și NPN sunt date mai
sus cu săgeata din simbolul circuitului care arată întotdeauna direcția "circulației convenționale de
curent" între terminalul bază și terminalul emitor. Direcția săgeții indică întotdeauna de la regiunea
tip P pozitivă la regiunea negativă de tip N pentru ambele tipuri de tranzistor, exact la fel ca și pentru
simbolul standard al diodei.
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 6
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

1.3 Configurațiile tranzistorului bipolar

Deoarece tranzistorul bipolar este un dispozitiv cu trei terminale, există în principiu trei

moduri posibile de conectare a acestuia într-un circuit electronic, cu un terminal comun pentru intrare
și ieșire. Fiecare metodă de conectare răspunde diferit la semnalul său de intrare într-un circuit,
deoarece caracteristicile statice ale tranzistorului variază cu fiecare aranjament de circuit.
 Configurația bază comună - are un câștig de tensiune dar nu are un câștig de curent.
 Configurația emitor comun - are atât câștig de curent cât și tensiune.
 Configurația colector comun - are un câștig de curent dar fără câștig de tensiune.

Configurația bază-comună (Common Base-CB)

După cum sugerează și numele, în configurația bază comună, conexiunea BAZĂ este comună atât
semnalului de intrare, cât și semnalului de ieșire. Semnalul de intrare este aplicat între terminalele
bază și emitor ale tranzistorului, în timp ce semnalul de ieșire corespunzător este luat între terminalele
bază și colector, așa cum se arată. Terminalul Bază este legat la pământ sau poate fi conectat la un
anumit punct de tensiune de referință.

Curentul de intrare care circulă spre emitor este destul de mare deoarece este suma curentului de bază
și a curentului de colector, prin urmare, ieșirea de curent a colectorului este mai mică decât intrarea
curentului de emitor, rezultând un câștig de curent pentru acest tip de circuit de "1" (unitate) sau mai
puțin, cu alte cuvinte configurația bază comună "atenuează" semnalul de intrare.

Figura 3. Circuitul tranzistorului cu baza comuna.

Acest tip de configurație a amplificatorului este un circuit de amplificare a tensiunii ne-inversor, prin
faptul că tensiunile de semnal Vin și Vout sunt "în fază". Acest tip de aranjament tranzitoriu nu este
foarte comun datorită caracteristicilor sale neobișnuit de mari de câștig de tensiune. Caracteristicile
sale de intrare se reprezintă ca cea a unei diode polarizare direct, în timp ce caracteristicile de ieșire se
reprezintă ca cea a unei fotodiode iluminate.

De asemenea, acest tip de configurație a tranzistorului bipolar are un raport ridicat între rezistența de
ieșire și rezistența de intrare sau, mai important, rezistența de "sarcină" (RL) la rezistența de intrare
(Rin), oferindu-i o valoare de "Câștig de rezistență". Atunci, câștigul de tensiune (Av) pentru o
configurație Bază comună este dat de:
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 7
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

Cistigul de tensiune cu baza comuna.

unde: IC/IE este câștigul de curent, alfa (α) și RL/Rin este câștigul de rezistență.

Circuitul cu Baza comună este utilizat, în general, numai în circuite amplificatoare cu un singur etaj,
cum ar fi preamplificator de microfon sau amplificatoarele de radiofrecvență (Rƒ) datorită
răspunsului foarte bun la frecvențe înalte.

Configurația emitor-comun (Common Emitter - CE)

În configurația Emitor Comun sau la masă, semnalul de intrare este aplicat între Bază și Emitor, în
timp ce ieșirea este preluată între Colector și Emitor, așa cum se arată. Acest tip de configurație este
cel mai frecvent utilizat circuit pentru amplificatoare pe bază de tranzistor și care reprezintă metoda
"normală" de conectare a tranzistorului bipolar.

Configurația amplificatorului cu Emitor Comun produce cel mai mare câștig de curent și putere din
toate cele trei configurații ale tranzistorului bipolar. Acest lucru se datorează în principal faptului că
impedanța de intrare este LOW, deoarece este conectată la o joncțiune-PN polarizată direct, în timp
ce impedanța de ieșire este HIGH deoarece este preluată de la o joncțiune-PN polarizată invers.

Figura 4. Circuit de amplificare cu Emitor comun.

În acest tip de configurație, curentul care iese din tranzistor trebuie să fie egal cu curentul care circulă
prin tranzistor, deoarece curentul de emitor este dat de IE = Ic + IB.

Deoarece rezistența de sarcină (RL) este conectată în serie cu colectorul, câștigul de curent al
configurației tranzistor cu Emitor Comun este destul de mare, deoarece este raportul Ic/IB. Un câștig
de curent al tranzistorului este dat de simbolul grec Beta (β).

Deoarece curentul de emitor pentru o configurație Emitor Comun este definit ca IE = Ic + IB, raportul
Ic/IE se numește Alpha, cu simbolul grec α. Notă: valoarea lui Alpha va fi întotdeauna mai mică
decât unitatea.Deoarece relația electrică dintre aceste trei curenți IB, Ic și IE este determinată de
construcția fizică a tranzistorului în sine, orice mică modificare a curentului de bază (IB) va avea ca
rezultat o schimbare mult mai mare a curentului de colector (Ic).
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 8
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

Atunci, modificările mici ale curentului care circulă în bază vor controla astfel curentul din circuitul
emitor-colector. De obicei, Beta are o valoare cuprinsă între 20 și 200 pentru cele mai multe
tranzistoare de uz general. Deci, dacă un tranzistor are o valoare Beta de 100, atunci un electron va
circula de la terminalul Bază pentru fiecare 100 de electroni care circulă între terminalele emitor-
colector.

Prin combinarea expresiilor atât pentru Alpha α cât și pentru Beta β relația matematică dintre acești
parametri și, prin urmare, câștigul de curent al tranzistorului poate fi dat ca:

unde: "Ic" este curentul care circulă în terminalul Colector, "IB" este curentul care curge în terminalul
Bază și "IE" este curentul care iese din terminalul Emitor.

Acest tip de configurație de tranzistor bipolar are o impedanță de intrare, câștig de curent și putere
mai mari decât cea a configurației Bază Comună, dar câștigul de tensiune este mult mai mic.
Configurația Emitor Comun este un circuit amplificator inversor. Aceasta înseamnă că semnalul de
ieșire rezultat are o defazare de 180o în raport cu semnalul de tensiune de intrare.

Configurația Colector Comun (CC)

În configurația Colector Comun sau la masă, colectorul este acum comun prin intermediul

alimentării. Semnalul de intrare este conectat direct la Bază, în timp ce ieșirea este preluată din
sarcina Emitorului, așa cum se arată. Acest tip de configurație este cunoscută în mod obișnuit ca un
circuit de urmărire a tensiunii sau de repetor pe emitor.

Configurația Colector Comun sau repetor pe emitor este foarte utilă pentru aplicațiile de adaptare a
impedanței datorită impedanței foarte mari de intrare, în regiunea sutelor de mii de ohmi, având în
același timp o impedanță relativ mică de ieșire.

Figura 5. Circuitul tranzistorului cu Colector comun.

 Coala
UTM 0714.1 04 NE 9
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

Configurația cu Emitor Comun are un câștig de curent aproximativ egal cu valoarea β a tranzistorului
însuși. În configurația Colector Comun rezistența de sarcină este situată în serie cu emitorul, astfel
încât curentul ei este egal cu curentul emitorului.

Deoarece curentul de emitor este combinația curentului de colector și a curentului de bază, prin
rezistența de sarcină, în acest tip de configurație a tranzistorului, circulă atât curentul de colector, cât
și curentul de intrare în bază. Atunci, câștigul de curent al circuitului este dat de:

Câștigul de curent pentru Colector Comun

Acest tip de configurație a tranzistorului bipolar este un circuit neinversor, în care tensiunile de
semnal Vin și Vout sunt "în fază". Are un câștig de tensiune care este întotdeauna mai mic decât "1"
(unitate). Rezistența de sarcină a tranzistorului cu colector-comun primește atât curentul de bază, cât
și de colector, care dau un câștig de curent mare (ca și în configurația cu emitor-comun), oferind
astfel o amplificare bună a curentului cu un câștig de tensiune foarte mic.

1.4 Principiul de functionare a tranzistorului bipolar.

Având trei straturi alternate de material semiconductor, tranzistorul bipolar are două joncţiuni p-n,
joncţiunea bază-emitor (jBE) şi joncţiunea bază-colector (jBC). Dacă baza ar fi groasă tranzistorul nu
ar fi altceva decât un grup format din două diode conectate ca în figura 2. Oricum ar fi polaritatea
tensiunii între emitor şi colector, întotdeauna una dintre diode va fi polarizată invers şi între cei doi
electrozi nu va exista circulaţie de curent. În realitate baza este foarte subţire, permitând, în anumite
condiţii, printr-un efect numit efect de tranzistor, circulaţia curentului între colector si emitor. Pentru
exemplificare s-a ales un tranzistor npn, figura 3. Dacă jBE e polarizată direct (aici uBE > 0) iar jBC
e polarizată invers (aici uBC < 0), adică tensiunea colector emitor este pozitivă şi mai mare decât cea
bază-emitor, de asemenea pozitivă şi de aproximativ 0.7 V, tensiunea unei joncţiuni polarizată direct,
atunci suntem în zona activă şi tranzistorul este traversat între colector şi emitor de un curent
principal, mare, care depinde de un curent mult mai mic, curent de comandă iB, între bază şi emitor.
În modul activ de funcționare, tranzistorul este pornit astfel încât joncțiunea emițătorului este
polarizată înainte (deschisă), iar joncțiunea colectorului este polarizat invers (închis).
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 10
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

Pentru certitudine, luați în considerare un tranzistor npn, toate argumentele sunt repetate exact în
același mod pentru cazul unui tranzistor pnp, cu cuvântul „electroni” înlocuit cu „goluri”, și invers,
precum și înlocuirea tuturor tensiunilor cu semne opuse . Într-un tranzistor npn, electronii, principalii
purtători de curent din emițător, trec printr-o joncțiune deschisă emițător-bază (sunt injectați) în
regiunea de bază. Unii dintre acești electroni se recombină cu cei mai mulți purtători de sarcină din
bază (găuri). Cu toate acestea, datorită faptului că baza este foarte subțire și relativ ușor dopată,
majoritatea electronilor injectați de la emițător difuzează în regiunea colectorului. Câmpul electric
puternic al joncțiunii colectorului cu polarizare inversă captează electroni și îi transportă în colector.
Curentul colectorului, prin urmare, este practic egal cu curentul emițătorului, cu excepția unei mici
pierderi de recombinare în bază, care formează curentul de bază (Ie = Ib + Ic). Coeficientul α care
leagă curentul emițătorului și curentul colectorului (Ic= α Ie) se numește coeficient de transfer al
curentului emițătorului. Valoarea numerică a coeficientului α 0,9 este 0,999. Cu cât coeficientul este
mai mare, cu atât tranzistorul transferă curentul mai eficient. Acest coeficient depinde puțin de
tensiunile colector-bază și bază-emițător. Prin urmare, într-o gamă largă de tensiuni de funcționare,
curentul colectorului este proporțional cu curentul de bază, coeficientul de proporționalitate este egal
cu β = α / (1 − α) = (10..1000). Astfel, prin schimbarea curentului de bază scăzut, poate fi controlat un
curent de colector mult mai mare.
Funcţionarea tranzistorului bipolar în regim de comutaţie reprezintă trecerea acestuia din
stare de blocare în stare de conducţie (comutaţie directă) sau din starea de conducţie în stare de
blocare (comutaţie inversă). Tranzistorul bipolar funcţionează în conexiunea EC ca un comutator
comandat de tensiune. Puterea de comandă este foarte redusă: în blocare - curent mic (µA) şi
rezistenţă mare (MΩ) şi în saturaţie - tensiune mică şi rezistenţă mică (Ω). Aplicând tensiunea e(t) în
baza tranzistorului obţinem pentru curentul de bază, tensiunea vCE şi tensiunea vBE formele de undă
din fig. 3.8. Timpul de comutaţie directă tcd reprezintă timpul scurs din momentul aplicării tensiunii
E1 până în momentul când ic(t) atinge valoarea 0,9 ICsat. Curentul de colector în regim de saturaţie
este limitat doar de rezistenţa RC din colector .

1.5 Regimul de lucru a tranzistorului bipolar.

În funcție de polaritatea tensiunilor aplicate electrozilor tranzistorului, se disting următoarele

moduri de funcționare a acestuia: activ (liniar sau amplificator), invers, saturație și tăiere.
Regimul de tăiere
În regimul de tăiere tensiunile inverse sunt conectate la ambele joncțiuni. Deoarece curentul de ieșire
al tranzistorului în modul de tăiere este practic zero și rezistența sa are o valoare maximă, acest mod
este folosit pentru a deschide circuite electrice. [1] Așadar în regimul dat tranzistorul deține
următoarele proprietăți: joncţiunea bază – emitor este polarizată invers (sau direct cu o tensiune mai
mică decât
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 11
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

decât tensiunea de prag); joncţiunea bază – colector este polarizată invers; curenţii prin
tranzistor sunt foarte mici, practic IC=0; tensiunea de ieşire are valoare mare, practic VCE = VCC;
tranzistorul se comportă ca un întrerupător deschis.
Regimul activ
Modul activ - o tensiune directă este aplicată joncțiunii emițătorului și o tensiune inversă este
aplicată joncțiunii colectorului. Acest mod este modul principal, deoarece oferă valoarea maximă a
coeficientului de transfer al curentului emițătorului cu o distorsiune minimă a semnalului amplificat,
iar tranzistorul funcționează ca un element de amplificare. În regiunea activă normală tranzistorul
funcţionează în regim activ normal (RAN): joncţiunea bază – emitor este polarizată direct; joncţiunea
bază – colector este polarizată invers; curentul prin tranzistor este mare IC = β∙IB; tensiunea de ieşire
(VCE) este mică; tranzistorul se comportă ca un amplificator de semnal.
Regimul de saturație
Modul de saturație (injecție dublă) - ambele joncțiuni (emițător și colector) sunt sub tensiune
continuă. Curentul de ieșire în acest caz nu depinde de curentul de intrare și este determinat de
parametrii de sarcină. Datorită tensiunii scăzute dintre bornele colectorului și emițătorului (de ordinul
unității - zeci de milivolți), acest mod este utilizat pentru a închide circuitele electrice.În regiunea de
saturaţie tranzistorul funcţionează în regim de saturaţie, astfel încât: joncţiunea bază – emitor este
polarizată direct; joncţiunea bază – colector este polarizată direct; curentul de saturaţie este mai mare
decât în regim activ normal de funcționare IC(sat) > β∙IB; tensiunea de saturaţie este forte mică
VCE(sat) = 0,2 – 0,3 V; tranzistorul se comportă ca un întrerupător închis.
Regimul invers de funcționare
Mod inversat - se aplică o tensiune continuă joncțiunii colectorului, iar joncțiunii emițătorului
se aplică o tensiune inversă. Pe baza structurii reale a unui tranzistor cu un singur capăt, acest mod de
funcționare duce la o scădere semnificativă a coeficientului de transfer al curentului emițătorului în
comparație cu funcționarea tranzistorului în modul activ și, prin urmare, este rar utilizat în practică.
Pentru un tranzistor simetric (cu aceleași zone de joncțiune a emițătorului și a colectorului), colectorul
și emițătorul sunt interschimbabile. Modul invers de funcționare al unui astfel de tranzistor este
utilizat în comutatoarele bidirecționale.

1.6 Paramentri hibrizi sau H a trnzistorului bipolar.

Parametrii hibridi sunt de asemenea menționate ca h parametrii. Acestea sunt denumite hibride
deoarece aici Zparametrii, parametrii Y, raportul tensiune, raportul curent, toate sunt folosite pentru a
reprezenta relația dintre tensiune și curent într-o rețea cu două porturi. Relațiile de tensiune și curent
în parametrii hibrizi sunt reprezentate ca,
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 12
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

Aceasta poate fi reprezentată în formă de matrice,

Parametrii hibridi sau h parametrii sunt foarte utile în analizarea electroniciiunde sunt conectate

tranzistoare ca elemente. În aceste circuite, uneori este dificil să se măsoare parametrii Z și parametrii
Y, dar parametrii h pot fi măsurați mult mai ușor. Chiar și în cazul unui transformator ideal,
parametrul Z nu poate fi utilizat Deoarece relațiile dintre tensiuni și curent în acel transformator ideal
ar fi,

Întrucât, într-un transformator ideal tensiunile nu potsă fie exprimată în termeni de curent, este
imposibil să analizăm un transformator cu parametrii Z, deoarece un transformator nu are parametrii
Z. Problema poate fi rezolvată prin utilizarea parametrii hibrizi.
Determinarea parametrilor h
Să ne scurtcircuităm portul de ieșire al unei rețele de două porturi, după cum se arată mai jos,

Acum, raportul dintre tensiunea de intrare și curentul de intrare, la portul de ieșire cu scurtcircuit, este
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 13
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

Aceasta se numește impedanță de intrare la scurtcircuit. Acum, raportul dintre curentul de ieșire și
curentul de intrare la portul de ieșire cu scurtcircuit este

Aceasta se numește câștig de curent de scurtcircuit al rețelei. Acum, să deschidem circuitul portului 1.
În acea condiție, nu va fi nici un curent de intrare (I1= 0) dar tensiunea circuitului deschis V1 apare pe
portul 1, după cum se arată mai jos,

Acum,

Acest lucru este menționat ca câștig de tensiune inversă deoarece,acesta este raportul dintre tensiunea
de intrare și tensiunea de ieșire a rețelei, dar câștigul de tensiune este definit ca raportul dintre
tensiunea de ieșire și tensiunea de intrare a unei rețele.
Acum,

Este menționată ca admisie de ieșire a circuitului deschis.

1.7 Domeniul de utilizare a tranzistorului bipolar.

Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are cel puțin trei
terminale (borne sau electrozi),care fac legătura la regiuni diferite ale cristalului semiconductor. Este
folosit mai ales pentru a amplifica și a comuta semnale electronice și putere electrică.Aspectul
tranzistoarelor depinde de natura aplicației pentru care sunt destinate. În 2013 încă unele tranzistoare
sunt ambalate individual, dar mai multe sunt găsite încorporate în circuite integrate.Tranzistorul este
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 14
Mod Coala Nr. document. Semnat Data
Tranzistorul este componenta fundamentală a dispozitivelor electronice moderne, și este omniprezent
în sistemele electronice.
Ca urmare a dezvoltării sale la începutul anilor 1950, tranzistorul a revoluționat domeniul
electronicii, și a deschis calea pentru echipamente electronice mai mici și mai ieftine cum ar fi aparate
de radio,televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere și altele.
Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu componente discrete în amplificatoare
de semnal(în domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentație, oscilatoare,
modulatoare și demodulatoare,filtre, surse de alimentare liniare sau în comutație sau în circuite
integrate, tehnologia de astăzi permițând integrarea într-o singură capsulă a milioane de tranzistori.
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 15
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

CAPITOLUL II
Problema 2
Conform CCT ale tranzistorului bipolar (vezi anexele respective) şi parametrilor lui la
frecvenţă înaltă să se efectueze următoarele calcule pentru etajul de amplificare:
- să se calculeze valorile parametrilor şi să se construiască circuitul echivalent al
dispozitivului activ analizat la frecvenţe joase;
- să se calculeze parametrii fizici ai circuitului echivalent la frecvenţă înaltă.
U CE =5 V
I C =180 mA
tranzistor bipolar=KT 603 A
C C =10 pF
C E =130 pF
ν=100 MHz
τ C =400 ps
I C∗¿=30 mA ¿
ξ=3
E E E
h11=? h21=? h 22 =? r B=?
C C 1=? C C 2=? C BE=? r BE =?

I B=80 mA ; ∆ I B=0.2∗I B=0.2∗80=16 mA ; ∆ U CE =0.2∗U CE =0.2∗2.8=0.56 V

∆ U BE ( 1000−710 )∗10−3
E
h11=
∆ IB
|U CE =const .= =181.25 Ω ;
16∗10−3
∆ IC ( 80−60 )∗10−3
E
h21=
∆IB
|U CE =const .= =1.25 ;
16∗10−3
∆ I C1 ( 80−60 )∗10−3
E
h22=
∆ U CE
|I B =const .=
0.56−4
=35.71 mSm ;

√ √
¿
τ C 3∗400∗10−9 IC 30
r B=ξ = −9
=120 Ω; r B ( I C ) =r B =120 =73.48 Ω;
CC 10∗10 IC 80
C C 10 E
C C 1= = =3.33 pF ; r BE=h11−r B =181.25−73.48=107.77 Ω;
ξ 3
C C 2=CC −CC 1=10−3.33=6.67 pF ; S j=20∗I C =20∗80∗10−3=1600 mSm
S 1.6
C BE=C E + j =130∗10−9 + =254.64 pF ;
ωlim . 2 π∗100∗10
6

Problema 4
Conform datelor din îndrumare să se traseze caracteristicile statice pentru tranzistorul cu efect de
câmp şi să se efectueze următoarele calcule pentru etajul de amplificare cu utilizarea metodei grafice:
- să se traseze dreapta de sarcină;
- să se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenţilor şi tensiunilor în timp şi
să se determine dacă pot apărea distorsiuni neliniare ale semnalului amplificat;
E D=12V
tranzistor cu efect de câmp=K Π 303 A
U GS max .=0.4 V
U bloc . =−2 V
U D max . =−2.5 V
U GS ( I D =5 mA ) =0 V
U DS max. =15 V
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 16
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

I D 0=2 mA
U DS 0=10 V

ID 5∗10−3 5∗10−3
I Dmax = = = =7.2∗10−3

( ) ( )
2 2 2
U GS−U bloc. 0−(−2) 0.833
U GSmax−U bloc . 0.4−(−2)
ED 12
R S= = =1666 Ω
I Dmax ❑ 7.2∗10
−3

( U GS −U bloc . 2
) ( )
2
−3 U GS−( −2 )
( )
2
−6 +2
I D =I Dmax =7.2∗10 =7.2∗10−3 =0 A
U GSmax −U bloc . 0.4−(−2 ) 0.4 +2
Completămtabelul :

0.1 0.5 1.2 2.2 7.

ID, mA 0 3.47 5 6.8
4 5 5 2 2
UGS, V -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2
U D 1=2−(−2 )=4 V ;U D 2 =1−(−2 )=3V ; U D 3=0−(−2 )=2V ;
U D 4 =−1−(−2 ) =1V ; U D 5=−2−(−2 )=0V ; U D 6=−3−(−2 ) =−1V ;
U D 7=−4−(−2 )=−2V ; U D 8=−5−(−2 )=−3V ;
m−¿
ID 1.8 +1.5
m+¿+ = =1.65 mA ;¿
m 2 2
I =I D
D ¿
m
I D 0.00165
Smed .= m
= =1.65 mSm ; K U =S med .∗RS =0.00165∗1666=2.748 ;
U GS
1
m m
ID I D∗R G 6
Rintr .=R G=1 M Ω; K I = m
= m
=Smed .∗R G=0.00165∗10 =1650;
I G U GS
K P=K I K U =2.748∗1650=4534.2;
Problema 6
Conform caracteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de câmp (după rezolvarea problemei 4) să
se efectueze calculul proprietăţilor tranzistorului la funcţionarea în regim de rezistor variabil:
- să se calculeze şi să se traseze caracteristica ;
- să se calculeze coeficientul de amplificare după putere pentru regulatorul de putere montat în
baza tranzistorului cu efect de câmp.
8 8
¿ R ( 1 )= =1111.11 Ω(U G =2 V ) ; R (2 )= =1600 Ω(U G=1 V );
0.0072 0.005
8 8
R ( 3 )= =2180 Ω ( U G =0 V ) ;R ( 4 )= =3137.2 Ω(U G =−1 V );
0.00367 0.00255
8 8
R ( 5 )= =4908 Ω ( U G =−2 V ) ; R ( 6 )= =8695.6 Ω(U G =−3 V ) ;
0.00163 0.00092
8 8
R ( 7 )= =19512.2 Ω ( U G =−4 V ) ; R ( 8 )= =80000 Ω(U G =−5 V );
0.00041 0.0001
106
K P max. = =900
1111.11
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 17
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

CAPITOLUL III
PROIECTAREA ETAJULUI DE AMPLIFICARE ÎN PUTERE CU UTILIZAREA
TRANZISTORULUI BIPOLAR
Date inițiale pentru proiectarea etajului de amplificare în tensiune fără transformator
Nr. var. Pieş., W Rs, Ω Fj, Hz Mj EC, V
4 1.5 18 200 1.25 24
Să se determine:
- tipul tranzistorului;
- regimul de funcţionare al tranzistorului;
- nominala rezistorului în circuitul emitorului Re ;
- capacitatea condensatorului Сe;
- nominalele rezistoarelor din divizorul de tensiune în circuitul bazei R1 şi R2;
- coeficientul de amplificare al etajului după putere КР;
- coeficientul de transformare al transformatorului n ;
- rezistenţa primarului şi secundarului transformatorului rT1 şi rT2 ;
- inductanţa primarului transformatorului L1;
- suprafaţa radiatorului pentru tranzistorul utilizat Srăă. ,dacă el este necesar pentru a asigura
regimul de funcţionare al tranzistorului.
Determinarea tipului tranzistorului
P ieș 1.5 P≈ 1.67
P≈ = = =1.67 W ; P0= = =3.72W
ηT 0.9 ηC 0,45
EC −∆ U 24−7.2
∆ U =U rT 1 +U ℜ=0,3∗E C =0.3∗24=7.2V ; U CE max. = = =37.4 V
ηC 0,45
Deci în urma calculelor efectuate s-a determinat că tranzistorul ce corespunde cerințelor este
tranzistorul n-p-n KT819A, cu următorii parametri:
β, ori fгр, МHz IC max, mА PC max, mW UCE max, V
10 350 800 5000 <12 (28)
Determinarea regimului de funcționare
P0 3.72
U CE 0=EC −∆ U =24−7.2=16.8 V ; I C 0= = =0.22 A
U CE 0 16.8
2U C m . 2 I C m . 2∗16.8∗2∗0,01
P1≈ = = =0.67W
8 8
I 0.37 I 0.36
I B max .= C max . = =37 mA ; I B min . = C min. = =36 mA
β min. 10 β min . 10
2U B m . 2 I B m . 2∗0.01∗2∗0.5
Pintr . = = =0.001 mW
8 8

2 U B m . 2∗0,01
Rintr .= = =2 Ω
2 I B m . 2∗0,5
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 18
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

Determinarea rezistenţei din circuitul emitorului RE

Uℜ 3.6
U ℜ=7.2 ∆U =0,5∗7.2=3.6 V ; R E= = =16.36 Ω
IC0 0.22
Determinarea capacității condensatorului ce şuntează rezistorul RE
1 1
CE= = =6.08∗10−5 μF
2 π F j R E 2 π∗160∗16.36
Determinarea rezistenţei divizorului de tensiune după curent alternativ
R 1 R2
R1−2 ≥ ( 8 … 12 ) R ≈intr . ⟹ R1−2 ≥ 20 Ω ; R 1−2=
R 1 + R2
EC R1−2 EC R1−2 24∗20
R 1= = = =133 Ω
RE I E R E I C 0 16.36∗0.22
R1 R 1−2 133∗20
R2= = =23,54 Ω ;
R1−R 1−2 133−20
Determinarea coeficientului de amplificare al etajului după putere
Pieș 1
K P= = =10000
Pintr . 1∗10−3
Determinarea coeficientului de transformare al transformatorului de putere

R≈C =
U CE max. 37.4
I
=
0.37
R
=101 Ω; n= ≈ S =
RC ηT √ √
18
101∗0,9
=0.19

Determinarea rezistenţei înfăşurării primarului transformatorului

≈
r T 1=0,5 RC ( 1−ηT )=0,5∗101∗ (1−0,9 )=5.05 Ω
1−ηT 0,5∗18∗1−0,9
r T 2=0,5 RS = =0.999 Ω
ηT 0,9
Determinarea inductanţei primarului transformatorului
RS + r T 2 18+0.94
L 1= = =13 H
2π Fjn
2
√ M −1
2
j 2 π∗160∗0,432∗√ 1,252−1
Determinarea suprafaţei radiatorului pentru răcirea tranzistorului
1500 P 0 1500∗2,47
Srad = = ≈ 51.08 cm 2
T T . M . −T med . M −P0 r T 1 150−6 5−2,47∗5.05
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 19
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

CONCLUZII

Deci, tranzistorul bipolar este un dispozitiv cu caracter semiconductor, care este folosit în
majoritatea cazurilor în circuite de amplificare. Tranzistorul bipolar poate amplifica toată gama de
semnale, de la cele analogice până la cele digitale. Cel mai frecvent, tranzistorul bipolar este utilizat
drept dispozitiv esențial pentru crearea circuitelor de amplificare în curent, însă cum a fost și cercetat
în cadrul proiectului, acesta poate fi folosit și cu scop de amplificare în putere. Așadar pentru crearea
unui circuit, care va amplifica în putere, s-a utilizat conectarea tranzistorului la emitor comun pentru a
obține la final o amplificare semnificativă și vizibilă de semnal.
Așadar, în cadrul realizării părții practice, s-a cercetat tranzistorul bipolar de tip n-p-n
KT819A. În baza caracteristicilor volt-amperice de intrare și ieșire a acestuia au fost determinate
valorile experimentale cu care s-a lucrat în cadrul calculelor finale pentru a determina coeficientul de
amplificare a etajului în putere, fiind obținută o valoarea de 10000, și a suprafeței de răcire a
tranzistorului, aceasta fiind de 51.08 cm 2 .
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 20
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

Bibliografie
1.https://sites.google.com/site/bazeleelectronicii/home/tranzistoare-bipolare-si-fet/1-tranzistor-bipolar
2. https://electricianprof.ru/ro/measuring/subject-history-of-the-invention-of-the-transistor-history-of-
development-of-semiconductors/
3.https://aut.unitbv.ro/aut/electronica/elRo/curs/4CELtranzBip.pdf
4. http://www.iscee.ugal.ro/IGBT.html
5. https://riverglennapts.com/ro/two-port-network/932-hybrid-parameters-or-h-parameters.html
6. https://hobbytronica.ro/polarizarea-tranzistoarelor/
7. https://en.wikipedia.org/wiki/Common_collector
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 21
Mod Coala Nr. document. Semnat Data

ANEXE
 Coala
UTM 0714.1 04 NE 22
Mod Coala Nr. document. Semnat Data
 Coala

Mod Coala Nr. document. Semnat Data 23