Petru

Petru
Alexandru
F.
.:I.. CFA
J .. .........i
1
;.lm
DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE
F.E.P. Tipografia
- 1998
CZU53+621.315.5 (075.8)
123
ISBN 9975-923-54-2

Dezvoltarea tehnicii moderne este n mare de prog-
resul rapid al electronicii, mai ales descoperirea principalelor dispo-
zitive semiconductoare circuitelor integrate, care au permis reali-
zarea unor aparate electronice de mare complexitate.
Posibilitatea cu tipul de al semiconductorului cu
ajutorul cu diferite ideea de sar-
minoritari au stat la baza electronicii semiconductoare.
Un succes au asigurat semiconductoare fizice
unicale ale p - n . Datorita p - n n cristale a devenit
electronilor a golurilor, iar o combinare din
p - n , emitorul polarizat direct, care de sarci-
minoritari colectorul polarizat invers, care extrage de
a dat posibilitatea de a realiza amplificatoare cristaline cu parametri
Dezvoltarea electronicii semiconductoare a avut loc pe calea utili-
structurilor monocristaline pe baza germaniului, siliciului, iar n ulti-
mul timp - pe baza semiconductori III-V cu distri-
a lor tip Cea mai au
structurile cu o p - n (diodele, fotoelementele), cu (tran-
zistoarele) cu trei (tiristoarele).
n lucrare sunt analizate principiile fizice,
celor mai dispozitive semiconductoare. Ea are la
prelegerile elaborate de autori de-a lungul mai multor ani pentru
de la Facultatea de a de Stat din Moldova.
La alegerea materialului autorii au accentuat n cea mai mare
asupra fenomenelor fizice utilizate pentru elaborarea dispozitevor
semiconductoare cu care ele sunt nzestrate.
n acest context o mare parte a este analizei proceselor
electronice, precum altor procese ce stau la baza dispOzi-
tivelor cu In majoritatea cazurilor se analiza
a acestor procese sunt expresiile celor mai impor-
tante caracteristici ale dispozitivelor cercetate.
n primul capitol sunt expuse principiile fizice generale referitoare la
structura modelul benzilor de energie statistica
mobili de n semiconductoare. Sunt studiate, de asemenea, feno-
menele de neechilibru (procesele de recombinare, cvasinivelurile Fermi,
timpul de de continuitate. Materialul expus n acest
capitol constituie baza pentru perceperea mecanismelor de func-
a dispozitivelor semiconductoare. n capitolele II-V sunt analizate
3
pe larg fenomenele de contact n semiconductoare. Sunt descrise contac-
tele metal-semiconductor, p - n structu-
rile metal-oxid-semiconductor. n capitolele ce VI-VIII, este
o a principalelor dispozitive semiconductoare: tran-
zistoare bipolare, tranzistoare tranzistoare unipolare cu
efect de cmp, de tip TECJ TECMOS, dispozitive
(tiristoare, diode Shockley, DIAC, TRIAC).
Lucrarea este cititorilor, le sunt cunoscute deja prin-
cipiile fizicii corpului solid, fizicii statistice mecanicii cuantice n volu-
mul cursurilor universitare: doctoranzilor care
se cu elaborarea dispozitivelor semiconductoare, care
activitatea n domeniul fizicii corpului solid, electronicii; ea poate fi
un instrument de lucru pentru altor n programul de
studiu al sunt incluse cursurile: fizica dispozitivelor semiconduc-
toare, electronica corpului solid electronica semiconductoare.
Autorii
4
1
CUPRINS
Capitolul L FIZICA MATERIALELOR SEMICONDUCTOARE. . . . . .. 9
1.1. Structura cristalelor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.1.1. cristalina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 10
1. 1.2. reciproce. Indicii Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 14
1.2. Structura benzilor energetice. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 20
1.2.1. Spectrul energetic al e1ectronilor n atomul izolat.
Formarea benzilor energetice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 21
1.2.2. Modelul Kronig-Penney 28
1.2.3. Masa efectiva 32
1.3. a de . . . .. 36
1.3.1. purtatorilor de sarcina n semiconductoare
intrinseci 36
1.3.2. purtatorilor de sarcina n semiconductoare
cu 40
1.4. Fenomene de transport n semiconductoare 47
1.4.1. Viteza de drift. Mobilitatea. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 47
1.4.2. de drift. Conductivitatea electrica. . . . . . . . . . . . . . . .. 50
1.4.3. de difuzic n scmiconductoarele neomogene.
lui Einstein . . .. 51
1.5. Fenomene de neechilibru n semiconductoare. . . . . . . . . . . . . . . . .. 54
1.5.1. Purtatori de sarcina de echilibru de neechilibru.
Cvasinivelurile Fermi .... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 54
1.5.2. Timpul de Rccombinarea purtatorilor de sarcina. . . . . . . . .. 56
1.6. principale pentru analiza
dispozitivelor semiconductoare 63
Capitolul lI. CONTACTUL METAL-SEMICONDUCTOR 66
2.1. Lucrul de a electronilor din corpuri solide.
Emisia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 67
2.2. de de contact. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 68
2.3. Contactul semiconductorului cu metalul. Straturi de epuizare
de acumulare. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 71
2.4. Repartizarea n stratul de
acestui strat. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 77
2.5. barierei de stratului de
n de polarizare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 81
2.6. Caracteristica capacitate-tensiune a contactului metal-semi-
conductor 83
2.7. Caracteristica curent-tensiune " 83
2.7.1. Teoria de redresare diodica a contactului Schottky , 84
5
2.7.2. Teoria difuziei de redresare a contactului Schottky . . . . . . . . . .. 87
2.8. Efectul "imagine" . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 93
2.9. Determinarea experimentala a barierei contactului
metal-semiconductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 96
2.9.1. Metoda caracteristicii curent-tensiune 96
2.9.2. Metoda energiei de activare 97
2.9.3. Metoda caracteristicii capacitate-tensiune 98
2.9.4. Metoda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 99
2.10. Contacte ohmice 101
CapitolullIL P - n 103
3.1. Formarea p - n . de difuzie . . . . . . . .. 104
3.2. n p - n
regiunii de . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 107
3.2.1. p - n . . . . . . . . . . . . . .. 107
3.2.2. p - n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 112
3.3. Capacitatea p - n .... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. l 13
3.4. Polarizarea p - n . diodei ideale. . . . . . . . . . .. l 15
3.5. de recombinare de generare n p - n
(modelul Sah-Noyce-Shockley) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 124
3.6. Capacitatea de difuzie a p - n 132
3.7. p - n 134
3.7.1. Instabilitatea 135
3.7.2. prin multiplicare n 139
3.7.3. prin efect tunel interbenzi (efectul Zener) 145
3.8. p - n (dioda tunel) 148
3.9. Diode "inverse" .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 157
Capitolul IV. STRUCTURI METAL-IZOLATOR-SEMICONDUCTOR . .. 160
4.1. structurilor MIS ideale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 161
4.1.1. Caracteristicile regiunii de de la 162
4.1.2. Sarcina de n regimurile de acumulare, epuizare
inversie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 167
4.1.3. Capacitatea structurii MOS ideale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 171
4.2. Structura MOS 176
4.2.1. Sarcini capturate la 178
4.2.2. Sarcini electrice n oxid . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 181
4.2.3. de lucru de 184
Capitolul V. SEMICONDUCTOARE. . . . . . . . .. 186
5.1. Diagrama de benzi caracteristica curent-tensiune. . . . . . . . . . .. 186
5.1.1. Modelul Anderson 188
5.1.2. Modelul de emisie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 193
6
5.1.3. Modelul de emisie-recombinare .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 195
5.1.4. Modelul de tunelare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 196
5.1.5. Modelul de tunelare-recombinare 198
Capitolul VL TRANZISTOARE BIPOLARE 201
6.1. Structura tranzistorului bipolar. Conexiuni fundamentale 202
6.2. Principiile de a tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . .. 205
6.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar.
de n regiunea bazei TB 213
6.3.1. Modularea bazei (efectul Early) 221
6.4. Caracteristici statice ale TB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 226
6 4.1. Caracteristici statice ale unui TB idealizat.
. 227
Ebers-Moll .
6.4.2. Caracteristici statice idealizate n conexiunea BC . . . . . . . . .. 230
6.4.3. Caracteristici statice reale n conexiunea BC 233
6.4.4. Caracteristici statice ale TB n conexiunea EC . . . . . . . . . . . .. 236
6.5. Parametri, scheme echivalente ale TB 239
6.5.1. Parametrii naturali ai tranzistorului bipolar 241
6.5.2. Parametrii de cuadripol . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 244
6.5.3. Scheme echivalente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 249
6.6. Caracteristica de a TB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 253
6.7. Tranzistoare bipolare drift 259
6.8. Tranzistorul de . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 263
6.9. Tranzistoare 27 l
Capitolul VIL TIRISTOARE 276
7.1. Tiristorul diodic 277
7.1.1. Structura, . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 277
7.1.2. Structura pnpn la blocare n direct. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 281
7.2. Tiristoare triodice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 288
7.3. Tiristorul cu 291
7.4. Tiristoare simetrice 294
Capitolul VIIL TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
DISPOZITIVE CUPLATE PRIN SARCINA. . . . . . . .. 299
8.1. Tranzistorul cu efect de cmp cu (TECJ) 300
8.1.1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 300
8.1.2. Expresia curentului de n TECJ 305
8.1.3. Parametri scheme echivalente ale tranzistoarelor TECJ . . .. 307
8.1.4. Tranzistoare cu efect de cmp cu mobilitate . . . . . . . .. 313
8.2. Tranzistoare cu efect de cmp cu TECMOS . . . . . . . . .. 316
8.2.1. Tranzistoare TECMOS cu canal indus.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 317
8.2.2. Tranzistoare TECMOS cu canal . . . . . . . . . . . . . . . . .. 321
8.2.3. Expresia curentului de la tranzistoarele TECMOS 322
7
8.2.4. Parametri scheme echivalente ale tranzistoarelor TECMOS 327
8.3. Dispozitive cuplate prin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 334
8.3.1. Structura dispozitivelor DCS " 334
8.3.2. Parametrii dispozitivelor cuplate prin . . . . . . . . . . . .. 342
Anexe 345
Bibliografie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 365
8
Capitolul J
FIZIt::A MATERIALELOR
SEMIt::ONDUt::TOARE
Progresele n domeniul dispozitivelor semiconduc-
toare sunt strns legate de succesele fizicii chimiei materialelor
semiconductoare. Prin valoarea specifice p, care este
ntre 10-
5
10
1O
n cm, semiconductoarele un loc
intermediar ntre metale dielectrici. De subliniat rezistivi-
tatea semiconductoarelor depinde de tipul
lor, de structura de fizice exterioare: tem-
iluminare, cmpuri electrice magnetice. La temperaturi
joase, semiconductoarele tind se comporte ca dielectricii, iar la
temperaturi nalte - ca metalele.
n acest capitol sunt prezentate bazele fizicii materialelor semi-
conductoare: structura teoria benzilor de energie, con-
a mobili de
procesele de transport. Sunt investigate numai acele probleme ce
de analiza dispozitivelor semiconductoare.
1.1. STRUCTURA CRISTALELOR
Majoritatea a dispozitivelor cu corp solid sunt con-
struite pe baza solidelor care au o ce
denumirea de monocristale, foarte pure n primul rnd, pe
baza monocristalelor semiconductoare dopate local cu diferite
De aceea pentru a principiul de a
acestor dispozitive trebuie de avut clare despre structura
cristalelor, metodele de descriere cercetare a ei
de asemenea, despre f0l1ele de ce determina struc-
tura. Acest compartiment este consacrat studierii concise a acestor
ntrebari.
9
2. cristalina moleculara, n nodurile careia se mo-
lecule. Majoritatea lor cu legaturi covalente ntre compo-
nentele moleculei formeaza moleculare (hidrogen solid, CO
2
,
organice etc.); moleculele ntre ele prin
legaturi moleculare de mica energie, astfel aceste au duri-
tate mica, punct de topire cobort sunt volatile.
3. cristalina ionica, n nodurile se ioni pozitivi
negativi alternativ; legatura ionica este de mare energie, prin
urmare, aceste au punct de topire ridicat sunt nevolatile.
4. cristalina metalica, n nodurile careia sunt ioni
pozitivi, iar electronii de se pot liber n formnd
un gaz electronic.
n principiu, poate exista un numar nelimitat de cristaline,
ntruct nu exista nici o naturala asupra lungimilor a, b, c
ale vectorilor de sau asupra unghiurilor dintre ei. Simetria
cristalin limiteaza nsa numarul de posibile.
trebuie sa fie n raport cu toate le de simetrie
posibile referitoare la un cristalin dat.
Pentru fiecare cristalina este definita
printr-un set caracteristic de elementare sau grup de trans-

n de raportul dintre marimi orientarile reciproce ale
celor trei elementare a, E, c, se diferite care
se deosebesc prin simetria lor.
Fig. 1.1. cristaline a) celula elementara
definita prin fundamentale
a,b,c unghiurile a,P,r; b) a
prin ale celulei elementare.
b
x
y
a
x
Pentru descrierea structurii interne regulate a cristalelor se uti-
lizeaza conceptul de cristalina. cristalina se
ca fiind infinita de puncte din tridimensional,
determinata de vectorul de
1.1.1.
- -
R
n
=ma +nb +pc , (1.1)
unde m, n, p sunt numere ntregi, iar a, b, c - trei vectori neco-
planari, care se numesc vectori fundamentali ai cristaline.
de puncte R
n
, data de (1.1) pentru toate valorile
ntregi m, n p, o tridimensionala, care reprezinta
un aranjament periodic de puncte n Punctele, definite de
(1.1), se numesc nodurile Marimile lai, IEI Ici se
numesc constantele pe vectorilor fundamentali
a, b respectiv c.
Deplasarea la infinit a unui nod cu ajutorul a trei
necoplanare reprezinta o cristalina Paralelepipedul
ale laturi sunt elementare a, E, c se celula
elementara sau paralelepiped elementar; un astfel de paralelepiped
se considera primitiv n interiorul sau nu sunt cuprinse noduri.
Lungimile lor elementare, adica muchiile celulei elemen-
tare, se noteaza a, b, c, iar unghiurile dintre ele sunt notate a, 13, r
(fig. 1. la); marimile a,b,c,a,f3,r constituie metrica
O este complet definita de catre grupul
celulei elementare a, E, c, cum este aratat n fig. 1.1b.
n de de particule fixate n nodurile
de natura de legatura dintre ele, cristaline se mpart
n mai multe tipuri, dintre care patru sunt mai raspndite:
1. cristalina atomica, n nodurile careia se atomi neutri,
care prin legaturi covalente. cu
atomice, printre care diamantul, siliciul o serie de ai
lor; n aceste nu se pot distinge molecule individuale, iar
cristalul poate fi privit ca o molecula Ca urmare a faptului ca
legaturile covalente au energii mari, cu astfel de legaturi
sunt dure, insolubile, cu punct de topire ridicat nevolatile.
10 Il
Toate structurile cristaline pot fi descrise prin 14 grupuri de
care definesc 14 Bravais (tabelul 1.1). Prin
Bravais se o structura periodica infinita formata din puncte
discrete identice, care se prin repetarea unui singur punct prin
de
Tabelul 1.1
Sisteme cristalograjice, parametrii celulelor elementare
tipul de Bravais
cristalografica
Sistemul

cu bazele centrata cu
centrate in volum centrate
Tliclinic
a;tb;tc
ti
a;tf3p{;t90
Jb
P
Monoclinic

a;tb;tc
lx=f3=90=p{
a
o.
p . C
Oltorombic
@i)
dJJ
a;tb;tc

a=f3={=90=
,:. - :;........ I
.., " . -
I
P
C II F
Tetragonal
@p

a=b;tc

a=f3=y=9rF ,
, 1
Hcxagonal
a=b;tc
I
a=f3=90=
I --<
! C
y=120
- a P
@


Cubic
a=b=c
lx=f3=y=900
, r
-- p
1
F
Trigonal
(romboedric)
a=b=c
u=f3=y;t90=
@
c a
R
12
sau Bravais, nu este altceva dect o
geometrica. Ea devine o cristalina, cu o anumita
structura, numai atunci cnd fiecarui nod al i se o
baza de atomi, care este identica n aranjament orien-
tare, deci: + baza = cristalina.
Prin celula elementara se un domeniu care, supus unei
de ce determina o Bravais, umple ntreg
fara goluri sau suprapuneri. Alegerea celulelor elementare
n Bravais se efectueaza dupa considerentele urmatoare:
simetria lor sa corespunda simetriei ntregii adica a sistemu-
lui cristalografic respectiv, numarul unghiurilor drepte allaturilor
egale sa fie maxim; volumul celulei sa fie minim.
n tabelul 1.1 sunt aratate cele sisteme cristalografice,
parametrii celulelor elementare tipul de Bravais corespun-
zator. Din tabel se pot face unele cu privire la tipurile
de celule elementare. Astfel, pentru sistemul triclinic exista un
singur tip de celula elementara, anume - paralelepiped oblic
(triclinic) care este o celula primitiva (celula elementara primitiva
nu noduri n interiorul ei). Pentru sistemul monoclinic
exista doua tipuri de celule elementare: prisma dreapta cu baze
centrate - neprimitiva. n sistemul rombic exista patru tipuri de
celule elementare: paralelepiped drept - primitiv trei celule
neprimitive - paralelepipede centrate n volum, cu baze centrate
cu centrate. n sistemul tetragonal exista doua tipuri de celule
elementare: prisma dreapta cu baze patrate, primitiva prisma
dreapta centrata n volum, neprimitiva. n sistemul hexagonal exista
un singur tip de celula elementara - prisma dreapta cu baza romb,
primitiva; adesea se utilizeaza prisma dreapta cu baza hexagon
(neprimitiva) formata din trei celule elementare primitive. n siste-
mul trigonal (romboedric) exista o singura celula elementara -
romboedrul primitiv. n sistemul cubic exista trei tipuri de celule
elementare: cub primitiv, cub centrat n volum, cub cu centrate.
Se poate alege un tip special de celula elementara primitiva
care sa satisfaca total de simetrie ale Bravais
corespunzatoare; cel mai raspndit tip de celula de acest fel este
celula Wigner-Seitz (WS). Prin celula Wigner-Seitz cu centrul ntr-
un anumit nod al se situat cel mai aproape de
nodul respectiv, n cu oricare alt nod.
13
a
Metoda de a celulei WS pentru o bidimen-
sionala este aratata n fig. I.2a. se duc linii care unesc nodul
considerat cu toate nodurile vecine, apoi se duc linii bisectoare pe
aceste drepte; aria minima delimitata n jurul nodului reprezinta o
.. " celula WS bidimensionala. Analog

se celula WS ntr-o
cu unica ca
"'--, ' ... -..... n loc de linii bisectoare se duc plane
bisectoare. n cazul unei Bra-
vais de tip cub centrat n volum forma
celulei WS este aratata n fig. I.2b.
Daca celula WS este supusa opera-
de cu vectorii de
baza ai date se poate umple
ntreg fura goluri sau supra-
puneri;celula WS este o celula pri-
mitiva de volum minim.
Fig. 1.2. Celula primitiva Wigner-Seitz:
a) metoda de n re-
plana; b) celula primitiva n
b de tip cub centrat n volum.
1.1.2. RECIPROCE. INDICII MILLER
Un rol important n analiza structurilor cristaline periodice l
joaca conceptul de reciproca, sau inversa. Aceasta
ne permite matematic simplu sa descriem unele
unele fenomene procese din corpurile solide. Ca exemplu se va
arata modul de utilizare a acestui concept la notarea planelor ato-
mice dintr-un cristal. Pentru orice set de vectori de baza a b c ai
, ,
unei directe se poate defini un set de vectori a*, b*, c* , care
constituie baza vectoriala a reciproce corespunzatoare.
de sunt:
-* 2 b x c - c x a ax b
a = Jr _ ,b*=2Jr _ ,c*=2Jr (1.2)
abxc bcxa c.axb
14
Conform analizei vectoriale, se observa ca: a' a* =2Jr, a' b* =O.
Vectorul care determina oricarui nod al reciproce este
g=ha*+kb*+lc*, (1.3)
unde h, k, 1 sunt ntregi.
cont de (1.1), (1.2), se poate scrie:
g. R=(ha *+kb *+lc*)(ma +nb + pc) =
= 2Jr(hm +kn +lp) =2N , (N - ntreg). (lA)
Rezulta ca fiecare vector din reciproca este perpen-
dicular pe un set de plane n directa; de asemenea, daca
V =a.bx c este volumul celulei elementare n directa, vo-
c
lumul celulei elementare n reciproca este V
c
'= (2Jrc .
n general celula elementara a reciproce poate fi repre-
zentata printr-o celula Wigner-Seitz construita n reciproca;
metoda de este identica cu cea descrisa la directe.
Un exemplu tipic este aratat n fig. 1.3. Se considera o reciproca
de tip cub centrat n volum se celula Wigner-Seitz
pentru nodul din centrul cubului, rezultnd un octaedru trunchiat cu 14
8 hexagonale regulate 6 patratice.
Ca regula, n studiul starii solide se utilizeaza celula primitiva
WS din reciproca, care poarta denumirea prima zona
Brillouin; celelalte zone Brillouin pot fi determinate ca celule
elementare de alt tip, tot n reciproca.
Exista o strnsa legatura ntre vectorii reciproce pla-
nele atomice din directa. Prin plan atomic al Bra-
vais directe se orice ce cuprinde cel trei
puncte, care nu sunt dispuse pe dreapta; ca a
simetriei de fiecare astfel de plan va
o infinitate de puncte care determina o Bravais bidi-
mensionaIa. Prin familie de plane atomice se
planelor atomice, egal ntre ele, care vor include toate
punctele Bravais tridimensionale. Este ca
unei Bravais directe n plane atomIce nu
este univoca. Din aceste considerente pentru efectuarea unei cla-
sificari riguroase a planelor atomice se utilizeaza parametrii
reciproce. Clasificarea se bazeaza pe urmatoarea teorema:
15
r
1)

x
(100)
(IlO)
(111) (221)
a
x
z
[OOlJ
[100]
I
,
[aia] I " [010]
-hC--
" y
[aaf]
b
Fig. 1.4. Indicii Miller pentru principalele familii de plane atomice n
cristale cubice.
n cazul hexagonale pentru notarea planelor se utili-
zeaza un sistem de patru axe: trei dintre ele al' a
2
, a
3
, formnd
unghiuri de 120
0
ntre ele, sunt situate n planul bazei; a patra axa c
este perpendiculara pe planul bazei. Simbolul de notare este
(Iz k il); pentru planul bazei avem (0001), pentru planele paralele
cu laterale avem de forma (lOTO).
cristalografice n directa se noteaza ntr-un
mod analog, prin utilizarea unui set trei cifre: de exemplu,
diagonala unui cub se noteaza [111J (fig. 1.5). Pentru evitarea unor
confuzii (cu indicii Miller pentru plane atomice) setul de litere sau

Fig. 1.5. Indicii Miller pentru

cristalografi-
ce n
Fig. 1.3. Celula Wigner-
Seitz n reciproca de
tip cub centrat n volum.
este
Brillouin, fiind indicate
puncte linii de simetrie im-
portante: 1(0,0,0) - centrul
zonei; L(1I2,1I2,1I2) - limita
zonei axele <111>, no-
prin A; X(O,O,I) -limi-
ta zonei axele <100>,
prin L1; K(3/4,3/4,0) -
limita zonei axele <110>,
prin L .
pentru oricefamilie de plane atomice
din directa, separate intre ele
prin d, exista vectori ai re-
reciproce perpendiculari pe pla-
nele atomice, lungimea celui mai mic
dintre vectorifiind 2%.
dintre vectorii
reciproce planele atomice
din directa ofera o metoda
convenabila de specificare a orienta-
rii planelor atomice. n general orien-
tarea planelor atomice este descrisa
prin precizarea vectorului normal pe
plan. ntruct pentru orice familie de
plane atomice exista vectori ai
lei reciproce perpendiculari pe ea,
apare total justificata alegerea vec-
torilor reciproce n calitate de
normale pe plane. Pentru ca alege-
rea sa fie univoca, este necesar sa se
ia cel mai mic dintre vectori;
n acest mod se determina indicii
Miller ai planului atomic considerat. Indicii Miller ai unui plan
atomic reprezinta coordonatele celui mai mic vector al
reciproce, perpendicular pe plan. Deci, un plan atomic avnd indicii
Miller Iz, k, 1 este perpendicular pe vectorul reciproce
g = *+kb *+lc *. Indicii Miller astfel trebuie sa fie
numere ntregi, deoarece orice vector al reciproce reprezinta
o liniara a celor trei vectori de baza cu
ntregi. De asemenea, ntruct se utlizeaza vectorul cel mai mic al
reciproce, indicii Iz, k, 1 nu pot avea multipli comuni.
Planele atomice se noteaza prin indicii Miller n paran-
teze rotunde (Iz, k, 1): de exemplu, n cazul Bravais for-
mate din celule cubice primitive, principalele familii de plane ato-
mice sunt aratate n fig. IA, unde axele x, y, z sunt paralele cu
vectorii Zi, b, c: (100), (110), (111), (221).
16 17
(fig. 1.9). Dispunerea a atomilor se realizeaza n stra-
turi succesive, astfel nct fiecare atom al unui element este ncon-
jurat de patru atomi ai celuilalt element n vrfurile unui
tetraedru regulat.
1.2.1. SPECTRUL ENERGETIC AL ELECTRONILQR
NATOMUL IZOLAT.
FORMAREA BENZILOR ENERGETICE
20
1.2. STRUCTURA BENZILOR ENERGETICE
La baza teoriei electronice actuale a corpurilor solide se afla
teoria benzilor de energie. Numai pe baza acestei teorii a devenit
posibila expl<Cm'ea a electrice ale metalelor,
semiconductorilor izolatorilor.
La nceputul secolului al XX-lea fizicienii s-au convins feno-
menele atomice nu pot fi descrise nici ca a particulelor, nici
ca procese pur ondulatorii. Ulterior s-a constatat micro-
particulele - electronii, protonii, atomii etc. organic n sine
ondulatorii. Ele se nregistreaza
ntotdeauna ca particule, iar lor este de
ondulatorie Schr6dinger. Pentru o particula de ma' care se
n cmpul energie V(x, y, z, t),
Schr6dinger are forma:
. d'P tz2 (8
2
\f1 8
2
\f1 8
2
\f1J
-lh-=- --+--+-- -V(x,y,z,t) 'P (1.5)
dt 2m 8x
2
8y 2 8z
2
\fI(x,y,z,t) , fiind acestei se
de unda. Ea are urmatorul sens fizic: produsul 'P la
\fi', care este conjugata sa, la volumul dV proba-
bilitatea de a gasi particula n momentul de timp t n volumul
elementar dV .
Energia V n caz general este de
de timp. nsa n multe probleme practic importante ea este func-
numai de nu depinde de timp. n acest caz
un set de independente ale Schr6dinger, pentru care
densitatea de probabilitate \fI'P' nu depinde de timp. Aceste stari
ale microparticulelor se mai numesc
Determinarea starilor este o problema foarte impor-
tanta, deoarece oricare stare, inclusiv cea poate
fi ca suprapunerea de Spre
regret, Schr6dinger poate fi sub forma
numai pentru sistem,csimple, n particular, pentru
rogen. Rezolvarea Schr6dinger pentru electronul ce se
afla n cmpul coulombian al protonului o infinita de
stari posibile. Energia acestor stari, calculata de la
energia electronului liber (nelegat cu nucleul), este de
expreSIa:
I
Fig. 1.9. Structura
de tip wiirtzit.
Cd---
s _
Structura de tip clorura de sodiu (fig. 1.10) dintr-un numar
egal de atomi de Na CI alternativ n nodurile unei
cubice simple. Fiecare atom al unui element este nconjurat de cte 6
atomi ai celuilalt element. Datorita
faptului ca atomi
structura nu reprezinta o
Bravais. Ea poate fi nsa considerata
ca o Bravais cu "baza" de tip
cub cu centrate, baza fiind for-
din doi atomi: Na fixat n
punctul [000TI CI fixat n centrul
cubului adica n punc-
tul [(h)(h)(h)]. n acest sistem
Fig. 1.10. Structura de
tip de sodiu.
peste 35
21
Fig. 1.11. Nivelele ener-
getice ale electroni-
lor ntr-un atom cu
electroni (Ha).
unde Xi,yi,Zi sunt coordonatele electronului i, iar E este energia
ntregului sistem electronic. de unda '1' depinde de coordo-
natele tuturor electronilor:
3 O
2 1
2 1
2 O
O
n 1
(1.8)

fiecare nivel se pot doi electroni de spin opus. Nivelele p sunt
triplu degenerate, deoarece pentru 1=1 cuantic magnetic
poate avea valori mi = -1, 0, 1; n mod pentru 1= 2
nivelele d sunt quintiplu degenerate.
n cristale interatomice a
o
sunt foarte mici .1), astfel fiecare
atom se ntr-un cmp puternic dat de
vecinii Deci, orice corp solid cristalin
poate fi considerat ca un sistem unificat,
constituit din particule (electroni)
particule grele (nuclee). Intruct electronii
de pe nu la
procesele de se vor
lua n numai electronii de pe
exterioare Conside-
rnd ionii n nodurile
cristaline, Schr6dinger ce descrie
ale sistemului electroni-
lor de are forma: --
n expresia pentru energia Veste nu numai
energia de a electron n cmpul tuturor ionilor
dar energia coulombiene a electronilor. Evident,
Schr6dinger (1.7) nu poate fi sub forma
deoarece 3N(Z +1) variabile, unde N este atomi-
lor din cristalul considerat, iar este numarul atomic: de exemplu,
n cazul Si cu Z =14 pentru 1cm
3
de cristal vom avea 2.10
24
va-
riabile. n scopul reducerii sistemului de particule cu
(1.6)
unde: ea este constanta a vidului; h - constanta lui
Planck; e m - sarcina masa electronului; n =1,2,3... -
cuantic principal. Unicul electron n atomul de hidrogen
starea (n =1). Trecerea electronului pe nivele energetice
mai nalte poate fi prin transmiterea unei de ener-
gie din exterior.
. n .cazul atomilor cu mai electroni fiecare, electron
nu numai cu nucleul, dar cu electroni.
.rezultat, Sch:6dinger se ceea ce nu posi-
bIlItate de a De aceea se la metode
rezolvare. de a sistemului de-electroni,
care depinde de coordonatele tuturor electronilor din atom se
printr-o de ce depind numai de
donatele unui electron. Forma energia electronului
n atom ei sunt determinate nu numai de
cuantic principal n, ca n atomul de hidrogen, dar de
cuantic. orbi.tal 1. Electronii cu valoare a n (n
medie dintre electron nucleu) o
,o. pentru valorile n =1,2,3,4,5, ... avem respectiv
K, L, M , N, O, .... Pe de electroni,
1 asupra energiei electronului. n anumite
energiei electronului de 1 poate deveni mai puter-
mca decat de n. Drept urmare, pentru definirea
.ale electronilor se o pe
valonle lUI 1: astfel, pentru 1=0,1,2,3,... avem respectiv
s, p, d,j.... n general energia unui electron din atom este carac-
prin am.bele numere n 1; valorile lui n sunt specificate
pnn ale lUI 1 - prin denumirile (s, p, d, j ... ).
. Intruct 1 pot numai valori. discrete, spectrul energe-
al electroml?r m atomul Izolat dmtr-un set de (nivele)
dIscrete permIse, separate prin intervale energetice interzise
(fi? 1.11). Tre.buie de subliniat nivelele s sunt nedegenerate,
fiecare nIvel corespunde unei singure a electronului n
atom; n conformitate cu principiul excluziunii al lui Pauli, pe
I
22
23
la un sistem de particule ce nu n!re ele
la o serie de In acest caz
de particule poate fi ntr-un set
dintre ele descriind unei singure partIcule. In

destul de deoarece energia a electron
V; (x, y, z) de tuturor elec!roni. Multe
concluzii despre comportarea electronilor n cristal pot fi trase din
considerente fizice simple.
Vom examina electronii ntr-un cristal ideal, ntr-un cristal
cu o defecte, care nu atomi care nu
termice. ntr-un cristal ionii o distri-
a ideal
tronului de ntr-un cmp de pe exemplul cnstalulm
de .Na . nti se doi atomi de Na suficient unul
de altul (r a), nct dintre ei
Astfel, lor energetice sunt identice cu cele ale atoml1or
Diagramele energetice ale atomilor sunt ?
constau din curbele (hiperbolele) de energie mvelunle
discrete ls, 2s, 2p 3s de energie Se nivelurile
ls,2s 2P sunt total ocupate, nivelul 3s este pe ocupat,
iar nivelurile superioare sunt libere.
)
-'
Fig. 1.12. Diagramele de energie a electronilor n cazul atomilor
de Na (a) n (b).
24
ntre atomi bariera de energie V(r) , care se
ntinde pe r. acestei bariere este
pentru electronii pe diferite nivele este Inter-
valul energetic ntre nivelul O nivelurile conSIderate
faptului electronul are energia lui
n cmpul nucleului este Astfel, pentru
electronii ls avem bariera pentru 2s - V
2
etc. ba-
rierei de energie trecerea electronilor de la
un atom la
Presupunem acum atomii de Na se ntr-o
o
dintre ei fiind a
o
=4,2 A . n fig. 1.12b sunt rep-
atomi din barierele de energie
nivelurile energetice ale electronilor. dintre
atomi, de reciproce, are
importante: (1) barierei energetIce
(2) transformarea nivelurilor de e
l1
ergie discrete
Procesul de desfacere a nivelurilor discrete n benZI de energIe poate
fi explicat prin mai multe mecanisme; ntr-o serie de s.e
de la efectul Stark. Bariera n dIntre dOI
atomi se prin nsumarea a energiilor .ale
atomilor (curbele punctate). Trebme
particularitatea nivelurile .. electro-
nilor de ai Na sunt situate deasupra barierei Prin
urmare electronii de se vor putea deplasa prin
, -. ---_.,..,,---
cristal. efectroni sunt electroni liberi
totalitatea lor constituie un gaz electronic.
Diminuarea ngustarea barierei energetice ntr-un solid cris-
talin posibilitatea ca electroni, de pe nivelurile
2p, 2s etc., se deplaseze n cristal. Deplasarea acestor electrom
se n special prin efectul de tunelare a barierei
energetice. Procesul de formare a benzilor de energie din nivelele
discrete este schematic n fig. 1.13.
n cazul general, cnd avem un sistem format lfuLN atOIni,
fiecare din nivelurile energetice va avea gradul de degenerare N
se va despica n benzi energetice formate
din cte N subniveluri.
25
2N (s)
2N electroni
6N )
2N electroni (p
8N
4N electroni

Fig. 1.14. Formarea benzilor energetice n cazul semiconductorilor

din grupa a IV-a cnd benzile s p
o
o mai se n cazul elementelor din
grupa a IV-a, de exemplu la C, Si Ce, care nu sunt metale,
cum ar rezulta din ocuparea cu electroni a nivelurilor atomice, ci izo-
latori sau semiconductori. Acest lucru se prin suprapunerea
despicarea benzilor s p (2s 2p pentru C, 3s 3p pentru
Si 4s 4p pentru Ce), cu apropierea atomilor, n fel,
nct banda (banda de 4N ::;o
libere, iar (banda de 4N electroni
de n cazul unui cristal fonnat din N atomi (fig. 1.14).
tronului se poate exprima sub fonna:
h 21r
p= A =;:1i=1ik,
Confonn ipotezei lui de Broglie, electronului liber, cu impulsul
p =moi) (m
o
- masa electronului liber, .9 - viteza electronului),
i se poate asocia lungimea de A = Astfel, impulsul elec-
p
r
B
Il.)
;...,
U
rn
:.a "_

u-
.- o
...... N Il) ._
e!l;...,
Il.) o
q::::
Il.) E
Il.) o

Il.)
Z";l
a
E
E I
-i I
I
2_S_
I
I
I
....... _-+::> lS__
I
I
I
Fig. 1.13. Formarea benzilor de energie din nivele discrete.
Prin unnare, nivel energetic discret din atomul liber i
va corespunde n solidul fonnat din mai atomi o
din subniveluri energetice care sunt
ocupate cu electroni confonn principiului lui Pauli.
Din cele expuse mai sus reiese cmpul are efect ma-
xim asupra electronilor pe nivelurile superioare. Astfel, banda
de energie din nivelurile de are cea mai
mare. Electronii de pe nivelurile interioare sunt mai strns de
nuclee sunt mai de cmpul atomilor vecini;
astfel, benzile de energie sunt mai nguste. Benzile
de energie rezultate din despicarea nivelurilor discrete se numesc
benzi energetice permise. Electronii n solid pot avea energii numai
n interiorul benzilor energetice pennise. Banda care se
prin despicarea nivelurilor energetice ale electronilor de
se banda de Nivelurile energetice ale
n stare n
vor fonna una sau mai multe benzi energetice
libere. Cea mai dintre benzile energetice libere se
. l3anda de Banda de este de banda de
printr-un interval energetic interzis, care se banda
" energetica interzisa, a se Eg
26
27
d
-/;. h. . 2Jr
un e fl = -, Iar manmea k = - se numar de unda.
2Jr A
Deoarece impulsul este un vector, rezulta ca, n general, putem scrie:
x
(1.11)
-
V I
O f--
2
Fig. 1.17. Modelul Kronig-Penney.
Va
2o--J
-J
----'
-
o
a
o o o x
o o o
1-
"'
l-
a
-1
nodurile cristaline. Modelul Kronig-Penney modeleaza sufi-
cient de exact procesele din solidele cristaline permite defjnirea
unor marimi fundamentale, cum ar fi largimile diferitor
benzi, zonele Brillouin, masa efectiva a purtatorilor de sarcina etc.
Consideram o cristalina unidimensionala n care
periodica reala a energiei V(x) (fig. 1.16) este nlocuita printr-o
succesiune de bariere energetice de Va largimea b
(fig. 1.17). Schr6dinger poate fi scrisa sub forma:
d
2
\{'(x) 2m
--2-+-2[E-V(x)]\{'(x)=O
dx tz
Conform teoremei lui Bloch, este de forma:
(1.11), care are un sens fizic clar, prezinta o
unda plana, cu un careva numar de unda k, modulata dupa ampli-
tuda cu ajutorul unei perioada careia coincide cu perioada
cristaline. Aceste poarta denumirea
lor reiese din teorema lui Flocke, cunoscuta din teoria
cu periodlcr-'-'
Fig. 1.16. energiei poten-
V(x) ntr-un cristal
unidimensional.
(1.9)
(1.10)
jJ=tzk,
Fig. 1.15. parabolica a
energiei electronului liber
de vectorul de unda.
iar k se vector de unda. cont de (1.9), ener-
gia electronului liber se poate scrie sub forma:
jJ2 tz2f2
E=-=--
2m
a
2m
a
energiei electronului de vectorul de unda se
lege de dispersie. n cazul electronului liber vectorul de
unda k poate lua orice valoare, iar legea de dispersie are o forma
parabolica (fig. 1.15). ntruct nu exista nici un fel de
asupra valorilor lui k, sunt posibile orice valori ale energiei; astfel
electronulliber are un spectru energetic continuu.
Astfel stau lucrurile pentru
electronul care se n cm-
pul periodic al cristalului, cauzat
de aranjarea ordonata a ionilor
n nodurile cristaline,
cnd n interiorul
solidului se considera constant.
Probabilitatea de a gasi electro-
nul ntr-un anumit punct din
cristal trebuie sa fie o
periodica de coordonate, deoa-
rece care difera ntre
ele printr-un multiplu de cons-
tanta a cristaline sunt egal
probabile. Diferite vor fi numai de a gasi electronul
n limitele perioade a cristaline.
1.2.2 MODELUL KRONIG-PENNEY
n modelul electronului liber din interiorul cris-
talului este constant. n modelul Kronig-Penney se ia n con-
datorita ionilor n
\{'(x) =Uk(X)t!kx (1.12)
Periodicitatea \{'(x) este determinata de periodicitatea func-
U
k
(x), anume:
28
29
Uk(X)=Uk(x+L)=Uk(x+NL), (L=a+b)
unde N este de ordine al atomului n cristal.
. o . presupunem
en.ergie tmde la zero, b 0, iar ei
tmde la Va 00, astfel nct produsul (Va . b)
constant. In acest caz n k E t
1
. d l' sun
e re
k
P.
cos a =- sma a +cos a a (1.13)
aa
analizat fiecare electron este localizat n groapa de energIe
din jurul nucleului.
Pentru valori mici ale lui p (p O) are loc egalitatea
cos a a =cos ka . (1.17)
. Ji
2
k
2
DeCI E =--, ca pentru electronulliber. variind p de
2m
la la 00, pot fi analizate toate cazurile de la electronul
absolut liber la electronul absolut legat.
La marginile benzii energetice pennise coska =1, deci
(1.18) n =1,2,3, ...
k = nJr
,
a
n fel, n interiorul benzi energetice pennise ener-
electronului este o de vectorul de k.
In fig. 1.19 este energiei de vectorul de
kx pentru cnd benzile energetice provin de la nive-
lurile atomice s, p d . n se poate observa pa-
(curba din linii ntrerupte) a energiei electronilor
liberi de cmpul cristalin (curbele pline) n punctele, unde
vectorul de are valorile kx=nxl{ (n
x
=0, 1, 2, ... , Nli ).
reprezentare a legii de dispersie, E (kx), se sche-
ma extinsa a energiei de vectorul de Folosind
proprietatea de periodicitate a energiei electronului n de
vectorul de k
x
' se poate construi a
energiei electronilor. n acest scop fiecare punct al curbei pline din
fig. 1.19 trebuie deplasat paralel cu axa absciselor cu un
ntreg de 2JrI , cnd valoarea a lui k
la x
1 1 Jr Jr
m mterva u (- -, + - ) . astfel curbele din fig. 1.20, care
a a
denumirea de schema redusa a energiilor.
Domeniul de valori ale de kx pentru care energia
electronului continuu la limitele
domeniului se zona Brillouin: zona 1 este ntre
(1.14)
(1.15)
sinaa =0,
deci pennise vor fi energiile
Jr2Ji2
E
n
= __n
2
(1.16)
2ma
2
Aceste valori coincid
cu nivelurile energetice
din groapa de
a. Astfel, n cazul
unde

ma
P=-Vb
Ji2 a
-J2mE
a=---
Ji
Pentru detenninarea E(k) vom construi depen-
?repte a (1.13) ca de parametrul a a
(fig. !.18).. membrul stng al (1.13) poate lua
numai cupnnse ntre -1 +1, sunt pennise numai
acele valon ale argumentului( a a ) pentru care partea varia-
ntre 1. Aceste valori sunt marcate n fig. 1.18 prin regiuni
cum din (1.15), ele corespund valorilor
pennIse ale energiei. Prin unnare, spectrul energetic al electronului
dintr-o serie de benzi pennise separate prin benzi interzise.
SIIlC( a .
Dm (1.13) rezulta
pentru valori mari ale lui
p (p 00)
Fig. 1.18. drepte
a (1.13) de parametrul
a a cu ilustrarea benzilor per-
mise interzise n spectrul ener-
getic al electronului.
30 31
b)
e)
-
k
(1.19)
(1.23)
In
I

E
M
N

Jt: o Jr
k
Fig. 1.21. energiei (a),
vitezesi de grup .9
g
(b)
a masei efective. (c) de
vectorul de unda k .
este clasic, iar pe - cuantic. Conform mecanicii cuantice,
viteza electronu1ui ntr-o uni este cu viteza
de grup a pachetului de unde:
Comparnd egaliate cu expresia pentru particula cla-

.9 aE
g li ak
.9g (k) este puter-
nic de benzilor
permise interzise. Pentru prima
Brillouin (- Jr < k x < Jr )
a a
(fig. 1.21a) .9g (k) are
forma n fig. 1.21b.
este definirea varia-
energiei dE ca lucru efectuat
asupra particulei clasice, care sub
qfi a parcurs dis-
.9gdt . Deci ,
l aE
dE = qfi .9
gdt = qfi h ak dt (1.20)
expresia (1.19),
electronilor:
d.9
g
aE alE dk (1.21)
dt li dt ak li ae dt
Exprimnd dYett din (1.20)
nlocuind-o n (1.21),
d.9
g l a
2
E
---:it = t1 ae qfi (1.22)
a
E
a
B<mJil
rCmllSa
Jl.'tipd
Fig. 1.20. ener-
giei elcctronului de
vectorul de unda
n cazul schemei
energetice reduse.
Fig. 1.19. energiei electronului
de vectorul de unda n cazul
schemei energetice extinse (cur-
pline) n cazul schemei
energetice periodice (curbele punc-
tate) (a); specificarea benzilor
pennise interzise (b); marcarea
zonelor Brillouin (c).
Jr k Jr 2Jr Jr . Jr 2Jr
-- < x < +-; zona II mtre --< k < -- - < k < - etc.
a a
a x a a x a
(fig. 1. 19c). n cazul tridimensional pentru o cu cen-
trate, cum a fost subliniat, se zona Brillouin din fig. 1.3.
1.2.3. MASA
Este cunoscut e1ectronul are o accelerndu-
se sub cmpu1ui electric, este descris de legile mecanicii lui
Newton. Ce se va ntmpla electronul accelerat va nimeri n
interiorul solidu1ui cristalin? Cum va el cu cmpul elec-
tric? Pentru caracterizarea de sarcina (electroni
goluri) n solide cristaline se introduce conceptul de
care, n caz general, de masa electronului liber.
o vom folosind modul cvasiclasic de abordare a
, " ,': problemei, care, cum denumirea, pe
32
33
putem determina masa efectiva a electronului:
m' =11
Z
(OZEJ-l (1.24)
ok
z
Prin urmare, raspunsul la ntrebarea este: electronul n
cristalina ntr-adevar cu cmpul
nsa masa lui difera de masa electronului liber este determmata
de expresia (1.24). Prin introducerea masei efective m', legile
complicate care descriu electronului n interiorul
lului se pot scrie sub o forma asemanatoare cu cea cunoscuta dm
dinamica clasica. Masa efectiva a electronului n cristal nu are
nimic comun cu masa a electronului liber. Ea nu este o
masura a nu este legata de Astfel,
masa efectiva nu este altceva dect un coeficient de
litate n expresia care leaga externa ce asupra
electronului din cristal imprimata acestuia. Acest fapt
este ilustrat n fig. 1.21c, de unde rezulta ca m' poate fi de semn
pozitiv negativ. Daca m' > O, electronii vor fi de un
cmp electric n normala. Daca m' < O, ei vor fi
ntr-o opusa, ca cnd ar fi implicata o sarcina pozitiva.
n acest caz se afirma ca n cristal se deplaseaza golurile. ..
Masa efectiva a electronului, determinata de expresia (1'.24),
corespunde unei unidimensionale, nsa de
calculare poate fi generalizat pentru tndImen-
sionala. Exprimnd energia prin kx' ky kz' masa efectiva n
x, y, z va fi egala cu:
m' =11
z
(OZEJ-l (1.25)
z ok
z
z
Se constata ca masa efectiva este diferita pentru diferitedirec-
Din punct de vedere fizic aceasta nseamna ca unul
cmp electric, aplicat n diferite produce
Sub forma generala n cazul tridimensional masa efectIva a
electronului reprezinta un tensor de ordinul al doilea, ale carui
componente sunt date de matricea:
34
aZE
a
2
E a
2
E
-- --
ae akxk
y akxk
z x
=:2
a
2
E a
2
E a
2
E
(1.26) --
okyk
x
ak
2
akyk
z
y
a
2
E a
2
E a
2
E
-- --
akzk
x
akzk
y
ae
z
Determinarea masei efective permite sa fie studiat modul n
care electronii sunt n cristal sub unei
exterioare.
n caz general valoarea m' depinde de numarul de unda k.
Conceptul de masa efectiva este destul de important, deoarece
permite de a considera golurile electronii de ca parti-
cule ncarcate clasice cu masele efective m: m; respectiv.
Structurile benzilor de energie la semiconductoare reale au for-
me complicate depind de orientarea vectorului de unda k de
axele cristaline. comune, descrise de mode-
lul Kronig-Penney, ramn n vigoare. Oricare semiconductor are un
set de benzi de energie, nsa benzii interzise poate fi
diferita. n fig. 1.22 este aratata structura benzilor de energie a
Ge, Si GaAs, care pot fi ori prin utilizarea unor meto-
de de calcul teoretic, ori prin masuratori directe.
Fig. 1.22. Structura benzilor de energie pentru Ge, Si GaAs.
35
I .
1.3.1. DE
N SEMICONDUCTOARE INTRINSECI
Se curbele prezentate nu sunt simetrice de axa E .
Acest fapt se prin aceea pentru a da cteva n
cristal pentru a determina cteva minimuri n banda de
este necesar de a utiliza diferite ale vectorului k. Interva-
lul energetic dintre maximul absolut al benzii de minimul
absolut al benzii de benzii interzise,
prin E
g
Valorile energiei E
g
pentru diferite semiconduc-
toare la T =300K sunt date n Anexa 5. Structura de benzi a Si
Ge este de tipul deoarece maximul benzii de
minimul benzii de sunt situate la valori diferite ale lui k.
n cazul GaAs maximul absolut al benzii de minimul
absolut al benzii de sunt localizate n centrul zonei
Brillouin, astfel structura de benzi este de tip
(1.27)
(1.29)
(1.30)
E
max
n = fN(E)f(E)dE ,
Ee
unde: Ee E
max
sunt limitele benzii de N(E) - densi-
tatea de cuantice, care la mici temperaturi joase
poate fi calculat aproximativ cu densitatea de la
marginea benzii de f /
N(E) (E Irn;,"; - . (UR)
l' _'
Aici m:/ =M,2 . .m; .m;) este masa a electroni-
lor pentru de iar M e - elipsoizilor echi-
de energii egale. f(E) din expresia (1.27) este
de Fermi-Dirac:
f (E) = (E - E J
exp __F +1
kT
probabilitatea ca o stare, prin energia E
temperatura T, fie de un electron; k este constanta
lui Boltzmann, E
F
- sau Din (1.29) '"
se poate observa nivelul Fermi nivelul energetic
pentru care probabilitatea de ocupare cu electroni la o
T 7:- O este cuO,5. -
Majoritatea electronilor din banda de vor ocupa ni-
velele cele mai joase, n apropierea energiei Ee' cum
din curba de (fig. l.23b). ntruct de
f(E) scade rapid cu energiei, limita su-
de integrare poate fi orict a introduce erori de
calcul, n particular poate fi cu infinit; n acest caz
(1.27) se scrie:
_'" J2 (E - EJY:. ti 1
n - f.-2 3 mnd (. ) dE .
EJi n E-E
F
, eXPlkT:- +1
SI DISTRIBUTIA
, .


A
DE
1.3.
"
Em". JE
m
.,
Banda de
\ E, . ', Ee
'E. F-.----
Banda de' ' , ' v
lE. : JE .
mm f(E) I 0.5 O mm
a b
Fig. 1.23. Diagrama energetica a unui
semiconductor intrinsec (a)
de f(E) (b).
Un semiconductorpur (intrinsec) nu nivele energetice
n banda de energii interzise, cum se n
cazul semiconductoarelor cu (extrinseci).
ntr-un semiconductor intrinsec la T > O, de pot
fi termic (sau sub
altor factori) prin
trecerea a electronilor
din banda de n banda
de (fig. 1.23a).
de electroni,
n banda de
la o
T > O se prin
integrarea totale de
toate ener-
giile benzii de
36
37
-00
n care f
p
=1-f este de pentru goluri, iar N' -
densitatea de stari pentru banda de
n final se
n expresia (1.31) se poate identifica o integrala de tip Poisson
Ju,Vz e-
u
du = J; , astfel nct, integrnd, se n final:
o ,2 \ "o ,\ .:
_ EF-E
v
P = N
v
e kT (1.35)
(
2Jrm'
unde marimea N
v
=2 este denumita densitate efec-
tiva de stari cttantice in banda de m;d - masa efectiva a
golurilor pentru densitatea de stari.
T o
Ey-+-----------E
y
o o o o 0000000
o 000
o
Fig. 1.24. nivelului Fermi n de temperatura la semi-
conductoare intrinseci.
,
E = E
c
+E
v
+ kT In N
v
= E
c
+E
v
+lkT In (1.36)
F 2 2 N
c
2 4 m
nd

La temperaturi foarte mici T OK nivelul Fermi este situat r
la mijlocul benzii interzise.
La temperaturi diferite de OK trebuie seama de
raportul maselor efective pentru de stari m;d m:
d
.
Acest raport ia valori diferite pentru diferite semiconductoare:
,
m
GaAs Ge 1; Si - 0,3; JnSb - 46.
m
nd
nivelului Fermi n de temperatura este aratata
n fig. 1.24. Graficele demonstreaza ca pentru semiconductoare cu
m;d m:
d
, la temperaturi foarte nalte, nivelul Fermi se poate
apropia foarte mult de limitele benzilor permise.
E
Pentru semiconductorii intrinseci de neutralitate
(electrica) impune ca totdeauna n =p =ni . Din aceasta cu' /
ajutorul expresiilor (1.32) (1.35) pentru nivelul Fermi n semi-
conductorii intrinseci

E, ..,-t-_.;;;....-,;;"._;;.....;;....;:;;...;;;..;;..;;;.;;;.,;::.-E,
___ m
n
<m
p
_-------.. m ==m
... _... _ 11 p
-------_ mn > mp
Utiliznd expresiile (1.32), (1.35) (1.36) pentru
purtatorilor de sarcina liberi ntr-un semiconductor intrinsec,
i
I
\
(1.32)
EF=E"
n =N e kT
c ,
n semiconductorul nedegenerat, maJontatea electronilor se
afla n banda de iar probabilitatea ca sa se afle n banda de
deasupra energiei E
c
' este foarte mica. Ca urmareo;
pentru purtatorii de sarcina liberi f( E) << 1, ceea ce conduce
_ E-E
F
e kT 1, adica la statistica Maxwell-Boltzmann, iar integrala
din (1.30) se simplifica considerabil:
ooJ2(E-E),Vz ,3/ _E-E
F
n = f- c m /2 e kT dE (1.31)
Te
2
1i3 nd
Ee
unde marimea Ne 2( 2Jr (1.33)
< este densitate in banda de
In mod analog, purHuorilor de sarcina n banda de
pentru nerlegenerat intrinsec, se afla prin
rezolvarea integralei:/
E
v
p = ff
p
(E)N'(E)dE, (1.34)
38
39
T
%
!S.
(1.38)
donoare de energie ED respectiv, nivele acceptoare de energie
EA n semiconductoare electronii pot trece n banda de
nu numai din banda de dar de pe nivele do-
noare, iar golurile pot aparea n urma trecerii electronilor din banda
de pe nivelele acceptoare.
Trebuie ca statistica starilor determinate de impu-
difera de statistica starilor din benzile energetice permise.
ntr-adevar, conform principiului lui Pauli, pe fiecare nivel ener-
getic se pot afla doi electroni (doua goluri) cu spinii n
sensuri opuse, n timp ce pe nivelul energetic al unei se
poate afla numai un singur electron (sau un singur gol), deoarece
daca pe acest nivel al impuri ar veni un al doilea electron, el ar
deveni dublu ionizat datorita electrostatice el
modifica n banda energetica interzisa. Din aceste motive,
de Fermi-Dirac nu poate fi utilizata pentru starile
create n banda interzisa a semiconductorului prin impu-
donoare sau acceptoare. ntr-adevar, de
Fermi-Dirac probabilitatea de ocupare a starilor cuantice
cu electroni liberi, n timp ce electronii care se gasesc pe centrii de
trebuie ca electroni de aceste
acest fapt va determina o modificare importanta a de dis-

de a electronilor pentru starile create de
este de forma:
unde Ei - nivelul energetic al impuri iar g - factorul de
degenerare al acestui nivel ce depinde de natura
n cazul impuri donoare adnci (monovalente) g = li" ,
iar n cazul acceptoare adnci g = 2 .
Daca n semiconductor s-au introdus donoare, avnd
energia de ionizare ED destul de mica ND' atunci
la temperaturi joase numarul de electroni ce au trecut n banda de
(1.37)
(1.37 a)
Fig. ] .25. de
de ntr-un semiconductor intrinsec.

1.3.2. DE
iNSEMICONDUCTOARE CU
n care A, 4,82 JO" ( m;'" .m%2) este o constanta a materia-
lului semiconductor. Conform expresiei (1.37), purta-
torilor de sarcina ntr-un semiconductor intrinsec este determinata de
largimea benzii interzise (Eg = Ee - Ev) de temperatura semi-
conductorului, aceasta este foarte brusca. Astfel: mic-
lui E
g
de la 1,12 eV (Si) pna la 0,08 eV (staniu
aduce la ni cu 9 ordine; marirea temperaturii
germaniului de la 100 pna la 600 K ni cu 17 ordine.
Sa logaritmam expresia (1.37):
fii:N:
Eg 1
lnn =ln N N ---o
1 C v 2k T
lnn;
Deoarece depinde slab de temperatura, atunci de-
In ni =f( )prezinta o dreapta cu coeficientul unghiular
- (fig. 1.25).
Cnd un semiconductor este impurificat cu atomi donori sau
acceptori, n banda interzisa a acestuia apar nivele energetice
suplimentare corespunzatoare introduse, adica nivele
40
41
1"
I
(1.41)
(1.44)
(1.45)
La temperaturi suficient de joase lor
donoare ionizate este destul de mic ND) n acest caz,
din (1.39)
N
+_N
D
(ED+EF)
D =Texp - kT
expresia (1.40)
2N
c
ex
p
( \;E
c
) ND ex
p
( - :; )exp( - :;), (1.42)
iar nivelului Fermi este de
EF=Ee-ED+kTlnND =Ee-ED+kT
ln
N
D
n
3
3 (1.43)
2 2 2Ne 2 2 4(2Jr m:dkT}%
Prin urmare, la zero absolut, nivelul Fermi se la mijlocul
intervalului energetic dintre Ee ED (fig. 1.26b) iar, cu
temperaturii, atta timp ct Ne < N /6. 'se apropie de banda
de trece printr-un maxim apoi se de Ee cnd
Ne > N/6.. La o T
s
nivelul Fermi intersecteaza nivelul
lor donoare - Eo (fig. 1.26b). n apropierea acestei
temperaturi expresia (1.43) nu poate fi deoarece ea a fost
pentru N
oo
nivelul Fermi coincide
cu nivelul donorilor, atunci =N;{. n regiune de
temperaturi EF trebuie determinat din (1.40).
Temperatura T
s
se temperatura de epuizare a impu-
donoare. Ea poate fi din
N exp(E
F
-EeJ = N exp(E
e
-EDJ = N o
e kT e kT 3 '
s s
de unde
(1.39)
(1.40)
c
T
b
T, Ti

1..... .. -Ed
Banda de
a
Fig. 1.26. Diagrama energetica (a) ter::peratura a ener-
giei Fenni (b) a banda de con-
a semiconductorulm dopat cu donoare (c).
de pe nivelele donoare (fig. 1.26a) poate multe
ordine de electroni din banda de
caz, electronilor din banda de pot fi
energia Fermi se egalnd de electrom lIben dm
banda de n cu de donori N;.
lnn
E Banda de E
--t--!-t-----t- E,

donoare nu: mare,
atunci, la electromlor com-
cu semiconductorul pur, int;rinsec, gazul m banda
de nedegenerat. .In acest caz electr?-
nilor n este de expreSIa (1.32). Cunoscand
a donorilor ND , ct probabilitatea de ocupare a do-
noare cu goluri, pentru donorilor vom avea
(energia nivelului donor este ED ):

3 lnN
D
-------E, E,
P+E l
1+2 exp o F
kT
Egalnd electronilor liberi n din banda de con-
cu N;, pentru determinarea energiei Fermi:
(
E -E ) No
Nc exp F kT c 1+ 2ex
p
(:; )ex
p
(:;r
42
43
(1.47)
Din (1.45) se observa ca temperatura de epuizare a impu-
este cu att mai mare cu ct sunt mai adnci
( ED este mai mare)... temperaturii T
s
de
impuri ND este lamurita de faptul ca la orice are
loc schimbul de electroni ntre nivelele donoare nivelele situate
la marginea a benzii de ce se ntr-un
interval energetic de ordinul a ctorva kT. Cu ct sunt mai multe
centre donoare, cu att mai mare este probabilitatea elec-
tronilor din banda de cu att este mai mare temperatura
de epuizare a Temperaturile de epuizare nu sunt mari.
De exemplu, pentru cu ED =0,01 eV n germaniu cu
N
D
= 10
16
cm-
3
T
s
=30 K.
Sa gasim valoarea electronilor n banda de
la temperaturi coborte. Pentru aceasta nlocuim pe EF
dat de (1.43) n expresia lui n, adica:
lU:X
(1.46)
_ (NeND)Yz (Ee - ED)
- --- exp .
2 2kT
Logaritmnd aceasta expresie,
1 1
JNeND Ee -ED
n n = n - ------''-----------'''--
2 2kT'
unde Ee - ED =M D este energia de ionizare a donorilor.
Conform expresiei (1.47), se masoara concen-
electronilor de temperatura n domeniul de conduc
extrinseca, atunci din panta dreptei In n (T) =f se poate deter-
mina energia de ionizare a donoare (MD =-2k tg qJ)
(regiunea 1, fig. 1.26c).
Regiunea de epuizare a (regiunea 2, fig. 1.26b,c).
La temperaturi T;::: T
s
practic electronii de pe centrele donoare
au trecut n banda de n acest interval de temperaturi,
44
electronilor din banda de nu depinde de
este egala cu ND
nivelului Fermi de temperatura n domeniul de
epuizare se din
N
D
=Neexp ( J, (l.48)
de unde
E
F
=Ee +kT In N
D
=Ee +kT In N
D
n
3
(1.49)
Ne 2(2mn:kTr.
Astfel, odata cu temperaturii, nivelul Fermi coboara
n jos de marginea a benzii de
Regiunea intrinseci (regiunea 3, fig. 1.26b,c). n do-
meniul temperaturilor nalte (T > T
s
) un aport vizibil n
ncep dea electronii ce au trecut n banda de din banda
de (excitarea n domeniul intrinsec). electro-
nilor ncepe sa creasca devine practic cu
ni n semiconductorul intrinsec. Deci, semiconductorul extrinsec
trece n semiconductor intrinsec. Temperatura r; corespunzatoare
trecerii semiconductorului din starea extrinseca n starea intrinseca
este luata temperatura la care purtatorilor de sarcina n
semiconductorul intrinsec coincide cu electronilor n
semiconductorul donor n regiunea epuizarii
ni(r;)= N
D

Sau, lund n (1.37):
)NcN, ex
p
( - ND (150)
De unde:
(1.51)
r; odata cu largimii benzii inter-
ZIse Eg cu lor donoare ND
45
1.4. FENOMENE DE TRANSPORT N
SEMICONDUCTOARE
Aceste expresii ca pentru o temperatura T
produsul n p constant. concluzie legea
maselor arata ca daca purtatorilor de
ntr-o atunci n cealalta
scade n nct n p =const .
Pentru germaniu cu ND =10
16
cm-3 1; =480 K, iar
pentru siliciu 650 K. Temperatura 1; determina temperatura ma-
xima de a dispozitivelor semiconductoare.
Din (l.48) (1.50) se vede ca n domeniul intrin-
seci (regiunea 3, fig. 1.26c), daca se masoara purtato-
rilor de sarcina n de temperatura, se poate determina largi-
mea benzii interzise.
Semiconductor cu acceptoare (fig. 1.27a). ce
descriu de temperatura a electronilor a
nivelului Fermi ntr-un semiconductor cu donoare se pot
aplica foarte la semiconductorul cu acceptoare.
E E
---------E,
np ex{-:;}
Din (1.52) (1.37) ca:
np=n;2(T).
(1.52)
(1.53)
a b
Fig. 1.27. Diagrama (a) energiei Fermi
de (b) ntr-un semiconductor cu
acceptoare. (Ei - mijlocul benzii interzise).
n aceste expresii trebuie de scris N v n loc de Ne' EA n loc de ED ,
n loc de energia Fermi EF' masurata de la marginea inferioara a
benzii de n sus dupa scara de energii, trebuie de scris -
energia Fermi, masurata de la marginea a benzii de
n jos. energiei Fermi de ntr-un semiconduc-
tor cu acceptoare este n fig. 1.27b. Mai subliniem
faptul golurilor de temperatura ntr-un
semiconductor cu acceptori este cu
electronilor de ntr-un semiconductor dopat cu
donoare (fig. 1.26c). Sa facem produsul de echilibru
termic n p pentru semiconductorul intrinsec nedegenerat,
Fenomenele de transport al sarcinilor sau fenomenele cinetice
prezinta o pentru dispozitivelor
semiconductoare. Fenomenele cinetice pur-
de n semiconductori, care este pe de o
parte, de efectul de difuzie a purtatorilor de iar, pe de alta -
de efectele de drift sub cmpurilor sau altor aplicate
din exterior. n categoria fenomenelor cinetice de exemplu,
conductibilitatea termoconductibilitatea,
efectele nrudite, care apar sub cmpurilor electrice sau
magnetice (efectul HalI, efecte termoelectrice, efecte termomagne-
tice), supraconductibilitatea etc.
1.4.1. VITEZA DE DRIFT. MOBILITATEA
un semiconductor impurificat uniform ce se
ntr-un cmp electric. cum s-a subliniat mai sus, electronii la
marginea benzii de conduc golurile la marginea benzii de
se ca electronii golurile libere cu masa
m * ce difera de masa electronului n vid. n de aceasta,
comportarea electronului n cristal difera suficient de comportarea
lui n vid. n cristalele reale exista o serie de ale
defecte, termice ale
E,
E,
T, Ti o
1--_--+_--+ E
v
T
--------------- E,
46
47
(1.55)
(1.56)
ND = 4,7 l023
m
-3
2,7 l024
m
-3
4,7 l02s
m
-3
b
100
80
60
1/ lO<; K-
1
40 IT'
3o __
1 2 4 10
/.1, 1O-4m
2
/(Vs)
400
300
200
In J4,
a
Gaz nedegenerat
Fig. 1.28. Dependentele teoretice ale
de de (a); curbele experimen-
tale pentru siliciu ce contine concentratii diferite
ale lor ND (b).
In
sarcina, dupa o traiectorie hiperbolic. Cu temperaturii
energia a purtatorilor de sarcina se pe
le ionizate Din aceste considerente acest mecanism
de predomina numai la temperaturijoase. ntr-un semicon-
ductor nedegenerat mobilitatea de sarcina, n regiunea
temperaturilor joase, de pe le ioni-
zate, este cu T}i, iar ntr-un semiconductor degenerat
nu depinde de temperatura.
n semiconductoare, la o temperatura, pot coexista mai
multe mecanisme de n acest caz mobilitatea purta-
torilor poate fi descrisa de
unde L nsumarea toate mecanismele de
tiere. Din (1.56) se vede n determinarea va
fi mecanismul de care cea mai scazuta
mobilitate.
n fig. 1.28a sunt prezentate teoretice ale mobili-
purtatorilor de sarcina de iar n fig. 1.28b, res-
pectiv, curbele experimentale pentru siliciu ce
diferite ale ND' Se datele experimentale
confirma concluziile teoretice. nivelului de
n regiunea temperaturilor joase mecanism principal devine
pe ionizate. Aceasta poate fi
cz o de tip coulombian ntre electron sau gol cu
un ion. Deci, are loc o lege de de tip Rutherford, electronul
sau golul fiind n centrului de impUritate cu
altele, care electronilor. La aplicarea unui
cmp electric peste termica a electronilor se va
suprapune una ordonata, pe cmpului; aceasta din urma,
de drift, unui curent electric net.
Viteza de deplasare a electronilor n cmpul electric este propor-
cu intensitatea cmpului electric este o marime constanta.
Aceasta viteza se viteza de drift. ntre viteza de drift 3
intensitatea cmpului electric li exista
3=l'li, (1.54)
, " n care l' mobilitatea electronilor sau a golurilor,
cu viteza medie suplimentara pe care o capata purtatorii de curent
ntr-un cmp electric egal cu unitatea. depinde
de tipul semiconductorului de le structurii cristaline
a lui. Expresia (1.54) este pentru cmpuri electrice nu prea
mari (pentru Si 3 kVI ,pentru GaAs mai mici de 3 kVI ).
lem lem
Fenomenele de a purtatorilor puternic
mobilitatea acestora. n regiunea temperaturilor nalte principalul
0.. mecanism este pe
In cristalele nepolare are loc, n principal,
pe fononii acustici, carora este mai dect a celor
optici. Evident, la temperaturii pe osci-
Calculele arata n regiunea temperaturilor
nalte, la care este pe termice ale
mobilitatea purtatorilor de ntr-un semiconductor
nedegenerat este invers a cu T Yz' , iar ntr-un semicon-
duct?r degenerat este invers cu T .
In cazul pe fononii optici, n domeniul tempera-
turilor joase se o a (n
de iar pentru temperaturi ridicate se
1
T 2.
48
49
0,3
Aplicnd principiul expresia curentului
total de drift n semiconductor:
j =jn + jp =q(nf.ln +Pf.lp)&, (1.60)
De observat jn jp , de deplasarea prin drift a elec-
tronilor, respectiva golurilor, se efectiv, rezultnd o den-
sitate mai mare, j.
n expresia (1.60), f.l n f.l p nu depind de cmp, ceea ce
este valabil, cum s-a subliniat mai sus, cnd intensitatea lui nu
este prea mare, atunci densitatea curentului j [;
legea lui Ohm pentru materialul semiconductor:
j =(T [;, (1.61)
unde
(T=q(nf.l
n
+Pf.lp) (1.62)
este conductivitatea a semiconductorului. Pentru un semi-
conductor intrinsec avem:
(Ti =qn
i
(un +f.l
p
). (1.63)
T
I

0,1
oL----'-_-'------'-_-'---_
10
i
' 10'ce, 10" 10'" 10
23
n, m->
m'/(ys)
0,4 __
Fig. 1.29. experi-
mentale ale
de sar-
de
lor dopante
n (;p
dopare a semiconductorului asupra
de la
o de exemplu a
camerei. Pentru un nivel jos de do-
pare mobilitatea trebuie fie deter-
de pe
cristaline, prin urmare, nu
trebuie de nivelul de do-
pare. La mari ale impu-
devine
tierea pe ionizate,
prin urmare, mobilitatea se va mic-
cu impu-
n fig. 1.29 sunt prezentate
experimentale ale de n
Ge de dopante.
r
((1'-f j] (?f)
1.4.2. DE DRIFT. CONDUCTIVITATEA

Densitatea de curent ntr-un conductor cu n electroni n unitate
de volum este cu
j= -qn9, (1.57)
unde 9 este viteza medie electronilor de cmpul electric
aplicat.
este semiconductorului, cu obser-
numai ea trebuie o pentru electronii de con-
duc a doua pentru goluri, pentru cele specii de
ct timp ca atare, independent. Introdu-
cnd viteza de drift a electronilor -.9
n
= - f.l n& viteza de drift a
golurilor 9p =f.lp [; n (1.57), densitatea curentului
de drift de electroni:
j n= -en9
n
=qnf.l
n
[;, (1.58)
respectiv, densitatea curentului de drift de goluri:
j p = ep9
p
= qp f.l
p
[;' (1.59)
unde n p sunt de respectivi.
1.4.3. DE DIFUZIE N SEMICONDUCTOARELE
NEOMOGENE. LUI EINSTEIN
Pe curentul electric, care apare n urma sar-
cinilor ntr-un cmp electric, n semiconductoare poate exista un
curent de difuzie de unui gradient al concen-
de sarcini. Cauzele
de pot fi: impurificarea introducerea de pur- .
de sarcin,ii suplimentari din regiune
de purtatori; sau iluminarea a semi-
conductorului etc. Pentru cazul unidimensional densitatea curen-
tului de difuzie a electronilor, de exemplu, va fi cu
n de
. D dn
in =q n dx ' (1.64)
unde coeficientul de D
n
coeficientul de
difuzie a electronilor. Fluxul de electroni va fi dirijat din domeniul
50
51
( 1.68)
(1.67)
cmpului electric &, electronii vor energie supli-
- q V, astfel nct n (1.71), pe E se va
e
termenul - qV :
(1.71)
(1. 72)
(1.73)
(1.74)
(1.75) ,
EF-E
c
n
o
= Ne e kT
5F-(E
c
+qV) _ qV
n =N e kT - n e kT
e - o
coeficientul de difuzie este de lui Einstein, care poate
fi pornind de la egalitatea dintre de difuzie
cei de cmp ntr-un semiconductor izolat. considernd
n semiconductor numai donoare, curentul de
dn
difuzie qD
n
dx va fi egalat de qflnn&, care are )(
sensul invers celui de difuzie, astfel nct curentul total va fi zero, .
!n corespundere cu de neutralitate pentru
In acest caz, din (1.67) se
dn
fl n& =-D - (1.70)
n n dx .
Presupunnd semiconductorul este nedegenerat, elec-
tronilorva fi de expresia (vezi 1.32):
D _ kT
n --fl
n

q
n mod analog se lui Einstein pentru goluri:
D
_ kT
p --fl
p
'
q
Efectund derivarea seama de faptul ntre cmp
V & =- d%x '
dn = n.!L...&.
dx kT
nlocuind (1. 73) n (1. 70), lui Einstein pentru electroni:
j n= q(flnn& -+- Dn
j p =q(flpP& - Dp :).
Ca urmare, densitatea curentului total n semiconductor va fi
j = jn +j p =q(Pn n -+- fl
p
p)& +q(D
n
dn -D
p
d
P
). (1.69)
dx dx
Coeficientul de difuzie a de depinde de drumul
liber mediu al acestora, deci, la fel ca mobilitatea va
fi de procesele de dintre mobilitate
cu spre regiunea n care concentra a
rilor este mai Pe difuzia electronilor spre
mici, va avea loc un proces de difuzie a golurilor, astfel inct
apare un curent de difuzie pentru goluri:
. D dp ( )
) p =- q p dx ' 1.65
unde Dp este coeficientul de difuzie a golurilor. Semnul minus
difuzia are loc n sensul dar golurile au
astfel nct semnul expresiei este dat de valoarea
a dp .
dx
n regiunea din care au plecat electronii ionii
pozitiv ai lor donoare; la sarcina
de ioni se va sarcina golurilor care spre
regiune. Electronii precum ionii negativi
n urma goluri lor, vor crea de asemenea o
n regiunea cu o a donorilor. Ia
astfel, un cmp electric intern &, care va determina unor
de cmp (drift).
j ndrifi =qnfln &, j pdrifi =qPflp&. (1.66)
Pentru cazul unidimensional, lund n ambele com-
ponente ale curentului de electroni respectiv de goluri, se poate
scne:
, I
52
53
Nivelele de energie EFn EF p se numesc cvasinivele Fermi pentru
electroni respectiv, pentru goluri. n de echilibru
EFn =EF p =EF np =nopo =n
i
2
Cnd de neechi-
libru ale purtaturilor de cresc, np n;' exp( EF" E
F
P ) > n; .
se numesc n exces ale de
cum s-a mai sus, de echilibru n
o

Po ale electronilor respectiv, golurilor sunt bine definite se
energia Fermi EF n semiconductor. Pentru a caracteriza
de neechilibru ale de se folosesc
expresii similare cu (1.32) (1.35), lund n n
semiconductorul excitat s-a schimbat energia Fermi, att pentru
electroni, ct pentru goluri:
electronii de golurile dispar n perechi. La echilibru
termic, Po n
o
sunt avnd valorile
temperaturii respective, T. n acest caz, pentru
fiecare specie de viteza de generare este cu
viteza de recombinare.
Formarea unui surplus de de la fel
cheltuieli de energie (de exemplu, energiei cuantelor de
absorbite la fotoefectul intern). energie, n contrariu gene-
termice, este n principal, de electronii solidului, pe
cnd energia medie a cristaline practic
Prin urmare, n aceste are loc perturbarea echilibrului
termic dintre electroni. ca n
mecanismele amintite mai sus iradiere, cmp electric,'
.
se numesc purtatori de neechilibru. de
electroni goluri n p, care de de echilibru
n
o
Po' se numesc de neechilibru.
(
E -E)
P = N v exp - F v ( 1.77)
(1.76)
t1p = P - Po .t1n =n - n
o
(
E -E )
n =N exp _ c Fn.
C kT'
1.5. FENOMENE DE NEECHILIBRU iN
SEMICONDUCTOARE
n (1.74) (1.75) kT are dimensiunea unei ten-
q
siuni electrice se tensiune termica. tensiune
apare n importante, cum sunt expresiile prin
dispozitivele semiconductoare n de tensiunile aplicate pe
terminale. Pentru T =300 K, kT =26 mV .
q
1.5.1. DE DE ECHILIBRU DE
NEECHILIBRU. CVASINIVELURILE FERMI
o mare parte din dispozitivele semiconductoare
n de neechilibru, ntr-un regim n care
de de se abat de la valorile de echilibru n
o
Po.
o serie de factori externi sau interni, care produc aceste
abateri; dintre pot fi excitarea cu un fascicul de
sau de particule unui curent de
de aplicarea unor cmpuri electrice intense etc.
Ca orice sistem termodinamic, structurile semiconductoare au
de a reveni la echilibru. Pentru a caracteriza pro-
cesele de revenire se introduc parametri specifici, ca: viteza de
recombinare, timpul de lungimea de difuzie a
de n exces.
La temperaturi T > OK n semiconductor are loc procesul de
generare a de de gene-
l termic se numesc purtatori de echilibru, deoarece ei se n
echilibru termodinamic cu de echi-
libru ale electronilor, respectiv ale golurilor, se prin n
o
Po.
Referindu-ne la generarea de subliniem faptul
acest proces are loc continuu, de nu
cresc procesului natural, invers celui de recom-
binare, care se produce tot n mod continuu. Prin recombinare,
54
55
56
(1.80)
(1.81)
(1.83)
(1.84)
=
n
o
+!1n Po +!1n
De obicei, n p prin urmare, 'n 'p. Din (1.80) se vede
timpul de depinde de de
de neechilibru !1n !1p. Fie cazul, cnd !1n =!1p. Atunci, din
(1.76) (1.80)
electronii golurile apar n semiconductor n perechi,
atunci ei n perechi, n starea vitezele lor
de recombinare sunt egale. Atunci:
57
La n
o
Po , egalitate poate fi pentru diferite
!1n numai , cu !1n. Pentru a evita compli-
Il p
ce apar n acest caz, de de echilibru n
o

Po se dispart ntr-o aparte, cu timpii de 'Il 'P' care
egalitatea ratelor de recombinare de echilibru:
Ro =X=j(. (1.82)
Se timpii de 'Il 'p' prin urmare, ratele de
recombinare ale de echilibru nu depind de !1n.
rilor de de neechilibru li se atribuie timpul lor de "
care rata lor de recombinare:
R _ d(!1n) _ !1n
--dt--;
Semnul minus este determinat de n procesul

Presupunem ntr-un semiconductor sub luminii au
fost de de neechilibru !1n
o
=!1po .
ntreruperea luminii lor
treptat scade. Integrnd expresia (1.83),
!1n =!1n
o
exp(- y;. ).
Fig. 1.30. Diagramele energetice
ale unui semiconduc-
tor in starea de echi-
libru (a) in starea de
neechilibru (b).
o
EFp --------

b a
o
In fig. 1.30 sunt diagramele energetice ale unui sefni-
conductor n starea de echilibru (a) n starea de neechilibru (b).
Abaterea sistemului de la starea de echilibru termodinamic se carac-
prin dintre cvasinivelele Fermi, care este cu:
np np
E
Fn
-E
Fp
=kTln--=kTln-
z
. (1.78)
nopo n;
abatere este cu att mai mare cu ct produsul np este mai
mare.
1.5.2. TIMPUL DE RECOMBINAREA
DE
E
EF -------- E,o-------- '
unde R
n
, Rp 'Il' 'p sunt ratele de recombinare timpii de
ai electronilor respectiv, golurilor.
Procesul de generare a de este caracterizat
., de rata de generare, care de de
(ori numarul de perechi electron-gol) n unitate de timp pe
unitate de volum.
Procesul de recombinare este caracterizat de rata de recombinare,
, care numarul de de (ori de perechi
electron-gol) n unitate de timp pe unitate de volum.
Fiecare liber, aparut n banda n urma
procesului de generare, se aici la recombinare un interval de
. timp mediu, care denumirea de timpul de al
de deneechilibru, ,. Rata de recombinare,
torilor de timpul de sunt legate prin
(1.79)
/'Il /'p
r

Fig. 1.31. Schema proceselor de
recombinare '.
de re<:;ombi-
nare prin Jocali-
zate. .
(1.88)
(1.90)
(1.91)
n exces avem
de recombinare Ro +R va deveni egala cu rata sumara de
generare Go + G :
Ro + R:= r(n
o
+b.n)(po + b.p):= G
o
+G. (1.86)
Introducnd r din (1.85), r
Go + G:= (X2 )n
o
p
o
+nob.p + pob.n + b.nb.p). (1.87)
Pentru nivelele mici de excitare a semiconductoarelor, cnd
b.n, b.p (n
o
+ Po), ultimul termen din expresia (1.87) poate fi
neglijat. Lund n ca b.n := b.p, nopo:= n; ,rezulta:
R := G := ( X2}n
o
+ Po )b.n .
nil
Ti := /2G
o
.
La nivele mari de excitare a purtatorilor
b.n:= b.p (n
o
+ Po). Astfel, din (1.87) rezulta:
R := G:= G
o
(b.n)
2

n
2
1
n acest caz rata de recombinare variaza patratic n de
purtatorilor n exces. recombinare se
Deci, la nivele mici de excitare a purtatorilor n exces, recombina-
. rea o lege liniara (R este cu b.n). re-
se recombinare liniara. Timpul de al
purtatorilor de neechilibru la recombinarea liniara
T - b.nl - b.nl - n
i
2
J[ (1.89)
- IR- IG- IlGo(no+po)]
nu depinde de intensitatea excitarii este determinat de nivelul de
dopare a semiconductorului (n
o
sau po), invers
cu
Timpul de T are valoare maximala n semiconductorul
intrinsec, pentru care n
o
:= Po := ni' Pentru acest caz (1.89) devine:
3
2
Din (1.84) rezulta ca pentru t:= T, b.n := b.n%. Deci,
timpul mediu de al purtatorilor de sarcina de neechilibru este
intervalul de timp T, n decursul caruia, n urma recombinarii,
lor scade de e ori.
Dupa mecanismul de a electronilor din banda de con-
n banda de se disting n principal doua tipuri de recom-
binari: recombinari directe (interbenzi) 1, fig. 1.31); recom-
binari prin intermediul starilor localizate 2,3, fig. 1.31).
n continuare vom analiza aceste
tipuri de recombinari.
Recombinarea banda-banda.
n cazul recombinarii directe, un
electron din banda de efec-
tueaza o directa pe o stare
neocupata (gol) n banda de
(fig. 1.31). Energia eliberata n urma
este aproximativ egala cu
largimea benzii interzise poate lua
urmatoarele forme: 1)
energie electromagnetica (fotoni) f'
recomhinare radiativa; 2) e.Rqgill de !Y
vibraJie
(fononi) - recombinare neradiativa;
3) energie transmisa unei alte parti-
cule mobile, care devine fierbinte -
proces Auger; 4) energia de formare
I a unui exciton.
n de ecbilibru termodinamic rata de recombinare Ro
este cu purtatorilor de sarcina n
o
Po
trebuie sa fie egala cu rata de

Ro =rnopo :=r n; :=G
o
' (1.85)
... " unde r este coeficientul de recombinare (r reprezinta produsul
eficace pe captura viteza medie a purtatorilor).
n cazul abaterii de la starea de echilibru termodinamic (generarea
purtatorilor de sarcina n exces), ale
electronilor n ale golurilor p se vor stabili atunci cnd rata
58
59
-----J----- E
v
o o
Fig. 1.32. Moduri de
a electronilor golu-
rilor cu starile locali-
zate ntr-un semicon-
ductor de tip n.

f E
I '
I
-------+------- E
I F
(1.94)
(1.95)
..... E
t
.....
centrelor de recombinare. Produsul de la numitor prezinta
probabilifatea de captare a golurilor de catre capcane n
cnd toate capcanele sunt ocupate de electroni.
ndata ce capcana devine li-
bera, ea imediat este ocupata de un
electron din banda de
carora ntr-un semi-
conductor de tipul n cu un nivel
nalt de dopare este mare (sageata
punctata n fig. 1.32), actul de
recombinare se va termina.
n mod, expresia (1.93)
determina timpul de al purta-
torilor de sarcina minoritari (golu-
rilor) n echilibrului ter-
mic. La nivele mici de excitare a
semiconductorului, cnd la elec-
tronii golurile de echilibru se
adauga cei de neechilibru, capcanele, ca mai nainte, sunt ocu-
pate de electroni de captare de catre ele a golurilor nu
se schimba. Prin urmare, expresia (1.93) la fel determina timpul
de al golurilor de neechilibru.
n mod analogic poate fi expresia timpului de al
purtatorilor minoritari de neechilibru ntr-un semiconductor cu
un nivel nalt de dopare de tip p:
n caz general, cnd nivelul de dopare a semiconductorului nu
este prea nalt, analiza proceselor de generare-recombinare poate fi
destul de dificila. Shockley, Read Hall (modelul SRH) au efec-
tuat analiza respectiva pentru un semiconductor ce un
singur nivel de capcane au urmatoarea expresie pentru
rata de recombinare de generare a purtatorilor de neechilibru n

R = . (n
o
+l1n)(po +l1p)-n
o
po
(11
0
+ I1n +nt)rpo +(Po + I1p + pJr
no
'
1"
I
I
I1n I1n n
i
2
1
[=-=-=-.- (1.92)
R G G
o
I1n
este invers cu lor.
Calculele experimentul arata ca recombinarile directe sun!
preponderente n semiconductoarele cu benzi interzise de valon
mici ( Eg ::; 0,3 e V) la temperaturi relativ nalte (T 300 K).
Recombindri prin stari localizate. Mecanismul de recombinare
prin stari localizate consta n aceea ca electronul din banda de
mai nti efectueaza pe nivelul localizat n banda
interzisa apoi pe nivelul liber din banda de (fig. 1.31).
O recombinare n doua trepte deseori este lllaiprobabila dect
recombinarea directa a electronului cu golul, analizata mai sus.
Starile localizate n banda interzisa a semiconductorului pot de-
veni centre efective de recombinare daca sunt situate departe de
marginile benzilor de de n caz contrar ele joaca
rolul de centre de alipire, deoarece purtatorul captat de centre are
o mare probabilitate sa efectueze napoi n banda sa.
n unele cazuri particulare ale recombinarii prin intermediul
centrelor locale este de expresia pentru timpul de
al purtatorilor de sarcina. Consideram un semiconductor de tip n,
care numai un singur nivel de capcane, situat n apropierea
mijlocului benzii interzise. Daca nivelul de dopare a semiconduc-
torului este destul de nalt, atunci la echilibru termodinamic nivelul
Fermi EF este situat cu mult mai aproape de marginea benzii de
dect nivelul capcanelor E
t
n rezultat, toate capca-
nele sunt umplute cu electroni (fig. 1.32). capcane nu pot
electronii din banda de nsa ele pot ceda electronll SaI
benzii de adica pot capta golurile. Pentru captarea de catre
oricare capcana a unui gol este necesar intervalul de timp
,r.{-f .. ,"
! I r po = l{S N'St
i
)-, '1' S fi .9.3)
l.. - /(, p t P
unde Sp este de captare a golurilor de catre cen-
trele de recombinare, .9p - viteza medie termica a golului, N
t
- con-
recombinare patratica. Timpul de al purtatorilor n exces la
recombinarea patratica
60
61
( 1.96)
(1.97)
(1.100)
pO
'-.......:-N
tl
___N
t2
>N
tl
lnn
o
ni
In't
-
tip p
nO
Fig. 1.33. timpilor de ai purtatorilor
de sarcina de neechilibru n functie de
purtatorilor de srcina
majoritari.
Sn' Sp)' n fig. 1.33 sunt prezentate depen-
este determinat numai de timpul mediu de captare a purtatorilor
minoritari. Pentru semiconductoare timpul de nu depinde de
nivelul de dopare, dar depinde numai de capcanelor N
t
1.6. PRINCIPALE PENTRUANALIZA
DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE
tipul lor (marimile
timpului de
de nivelul de
dopare a semiconduc-
torului pentru doua
ale capca-
nelor (ca exemplu s-a
considerat TnO < TpO ).
Timpul de va
avea valoare maxima-
la n semiconductorul
intrinsec.
Pentru un nivel
foarte nalt de excita-
re din (1.96) (1.83)

T>::;TpO+T
nO
' (1.99)
n a ctorva cai posibile de recombinare, care nu
depind una de alta, probabilitatea de recombinare trebuie sa fie
egala cu suma de recombinare prin fiecare canal, iar
timpul de efectiv T se determina de expresia:
unde Tk este timpul de viata detenninat de recombinarea prin canalul k .
noi am analizat fenomenele statice, procesele de gene-
rare-recombinare fenomenele de transport n semiconductoare omo-
gene. Ele, toate, caracterizeaza macroscopice ale semi-
(1.98)
unde: n
O
' Po sunt de echilibru a electronilor n banda
de respectiva golurilor n banda de n
t
, P
t
-
de echilibru cnd nivelul Fermi coincide cu nivelul
starilor localizate; TpO' TnO - timpii de captare ai purtatorilor de
sarcina liberi de catre centrele de recombinare de
expresiile (1.93) (1.94); timpi depind de
nivelul energetic E
t
al centrelor de recombinare.
La recombinare prin intermediul starilor localizate I1n poate sa
nu coincida cu I1p, deoarece o parte din electronii de neechilibru
sau din goluri se pot afla pe capcane, schimbnd gradul lor de um-
plere. nsa, daca centrelor de recombinare N nu este
t
prea mare, iar nivelul de excitare a semiconductorului nu-i prea
mic, ca se N
t
<< I1n, I1p, atunci I1n >::; I1p
expresia (1.95) devine:
R = (n
o
+ po)l1n+(l1n)2
(n
o
+ n
t
+ I1n)TpO + (Po + Pt + I1n )T
no
n daca n timp se l1n (n
o
+n
t
),
(Po + Pt)' (n
o
+ Po) (se considera mici ale purtatorilor
n exces) expresia (1.96) devine:
R = (no+ po)l1n
(n
o
+nt)T
po
+{Po + Pt)T
no
'
Folosind expresia (1.83), poate fi determinat timpul de al
purtatorilor de sarcina de neechilibru:
I1n n
o
+n
t
Po + P
t
T = - = TpO + TnO --'::_--'-
R n
o
+ Po n
o
+ Po
Pentru un nivel nalt de dopare, de exemplu, a unui semicon-
ductor de tip n, au loc n
o
nI' P
t
' Po din (1.98)
rezulta T T pO .
n cazul semiconductorului de tip P se ndeplinesc
Po n
o
' nt' Pt' Astfel, din (1.98) T T
nO
' pentru cazurile
analizate, timpul de al unei perechi de purtatori de neechilibru
62 63
r
conductoarelor. Pentru a deduce caracteristicilor dispoziti-
velor semiconductoare este necesar de a expresii numerice
pentru aceste caracteristici. Mai jos se aduc principale
necesare pentru analiza caracteristicilor dispozitivelor semiconduc_
toare. Aceste pot fi divizate n trei grupe: pentru
densitatea de continuitate Poisson.
a) ce descriu densitatea curentului. cum a fost
n acest capitol, curentul total de conduc att compo-
nenta de drift, ct de difuzie. Considernd cazul tridimensional, avem
- - - -
j n =j nli + j nD = + qD
n
\7 n (1.101)
(1.107)
(1.110)
. --;:
dlV& - li li '
r o
este permitivitatea relativa, iar li o - constanta
ap 1 --:
-=G -R --\7jp,
at p p q
d 'G G sunt ratele de generare pentru electroni, respectiv
un e, n' p . A'
1 " . ta- de m umtate de tImp
go un reprezm . 1
pe unitate de volum; R n' R p - ratele de
troni, respectiv goluri de purtaton

n unitate de timp pe umtate de volum. Pentru mve e
n -n . d
mI' CI' de . R - p pO unde' n o este e
n - "p
T
n
echilibru a de minoritari; n p - de
h'l'b' t'mpul de al de minoritari neec 1 1 ru, T n - 1
(electronilor), n cazul de _n rata recom-
binare a golurilor se pnn tImpul de al golunlor T p.:
n cazul unidimensional la nivele mici de
(1.106) (1.107) iau forma:
a a
2
n
an
p
_ G _ n
p
- n
po
+n a& + &2+D --p (1.108)
-- - p n a n a n ax2
at n T
n
X X
a a
2
ap
n
-G _Pn-PnO _P a& 8 Pn +D .(1.109)
--- npa pa pax
at p T X X
c) Poi;;on sarcina p cmpul electric
E care ia
unde: li r

n cazul unidimensional
d& = p/ . (1.111)
dx / li r
li
o .
Lund n de
pe baza principale pot fi calculate valorile j n ,
, n P E n orice punct al mediului n orice moment de
l p ' ,
timp,
65
(1.102)
(1.103)
(1.106)
64
an 1 _
-=G -R +-\7j'
at n n q n
- - -
j p = j pli + j nD = - qDp\7 P
- --
j cond =j n + j p ,
unde \7 are unui gradient.
dintre de difuzie D n' D p
n p ntr-un semiconductor nedegenerat este de
Einstein D n =( n' D p =( p . n cazul unidimen-
sional (1.101) (1.102) iau forma:
j" q/l"nli +qD" : q/l "(nli + :;] (1.104)
jp q/l ppli - qDp =q/l p(Pli - =], (1.105)
care sunt juste pentru cmpuri electrice nu prea mari. La cmpuri
nalte n aceste trebuie nlocuite produsele C si C cu
n > p
vitezele de
b) de continuitate principiul
sarcinii n cnd sunt prezente toate cele trei procese fun-
damentale: generarea, recombinarea deplasarea a
torilor de Forma a de continuitate pentru
semiconductor este:
Capitolul 11
2.1. LUCRUL DE A ELECTRONILOR
DIN CORPURI SOLIDE.
EMISIA
Fig. 2.1. Diagrama benzilor energetice: a) metal;
b) semiconductor.
Ca rezultat al electronilor a nucleelor atomilor si-
n nodurile cristaline, energia a electronului
n cristal (metal sau semiconductor) este mai dect energia
electronului liber n vid. Pentru a scoate electronul din solid trebuie
o energie pentru a scoa-
te n vid un electron situat la nivelul energetic Fermi ntr-un solid
denumirea de lucru de Pentru metale vom nota lucrul
de prin <DM' iar pentru semiconductori prin <Ds (fig. 2.1).
Energia. pentru a scoate n vid un electron situat la mini-
mul benzii de se ajinitate pentru electroni se
Xs' pentru electroni este .
numai de cristaline, pentru diferite solide fiind
de la 1 la 6 eV.
b
a
METAL
Primele ale contactului metal-semiconductor lui
F.Braun, care a descoperit n 1874 caracterul redresor al acestuia
totale de polaritatea tensiunii exterioare
aplicate). Detectorul cu contact punctiform, bazat pe fenomenul de
redresare, a nceput fie folosit din 1904, fiind astfel cel mai vechi
dispozitiv electronic semiconductor.
Dezvoltarea fizicii cuantice a pennis elaborarea teoriei benzilor
pentru corpurile solide monocristaline. Pe baza acestei teorii, n 1931
A.Wilson a elaborat teoria transportului sarcinilor n semiconductori,
ulterior pentru contactul metal-semiconductor.
n 1938 W.Schottky a presupus bariera de la inter-
metal-semiconductor, care de redresare,
este de sarcini fixe din semiconductor, nu de
ntre metal semiconductor a unui strat chimic
intermediar. De aici termenul "bariera Schottky".
n ultimii de ani deosebit de intensiv au fost efectuate
viznd de aparate pe baza contactului cu
Schottky. Ca rezultat, au fost elaborate un de aparate cu
diverse Contactele cu Schottky sunt
folosite pe larg pentru redresarea curentului alternativ, n calitate de
stabilizatori de tensiune (diode cu impuls diode parametrice). Pe
baza lor sunt elaborate celule solare fotodetectori. contacte
sunt folosite ca n tranzistorii cu efect de cmp. Orice
dispozitiv semiconductor sau circuit integrat are n
unul sau mai multe contacte ohmice, acestea reprezentnd contactul
metal-semiconductor.
CONTACTUL METAL-SEMICONDUCTOR
La temperaturi nalte o parte din electroni au o energie
destul de mare, nct pot din solid n vid. Fenomenul
electroni lor din corpul solid n vid pe baza energiei termice a
66
67
(2.1)
Fig. 2.2. Diagrama a structurii metal-vid-semiconductor:
a) naintea stabilirii echilibrului;
b) stabilirea lui.
ioni pozitivi - donori (de la care au plecat electronii). ntre
apare o de de contact (Ve), din care
energia a electronului la metalului e mai mare
dect la semiconductorului, <D o =-qVe'
(2.3)
(2.4)
Ev1d
, ,
COD
x's
OJ
s
r;-
ltJ
M
Ee
P
s
E
I
EF
Ef/
=t=E;

E
v

'0
Ev
de
1b
<DO=<DM-<D
S
'
de de contact fiind:
V - <Do _ <DM-<Ds
c - - ----, - - ...------- .
q q
Acum, pentru a trece din semiconductor n metal, electronul
trebuie o de <D s + <D. Cnd energia
va atinge o <Do, fluxurile de electroni din metal
semiconductor vor deveni egale. Folosind expresia (2.1), pentru
acest caz
m:s (kT)2 ex (_ <D s+<Do)_m:s (kT)2 (<DM )
2Jr 2 tz 3 P kT - 2Jr 2 tz 3 exp - kT . (2.2)
Lund n faptul masa a electronilor n
semiconductor (m:
s
) nu considerabil de masa a elec-
tronilor n metal (m:m)' avem:
2.2. DE DE CONTACT
vom aduce n contact corpuri solide ce au diferite
ale lucrului de ntre aceste corpuri va o
de de contact. Expresia pentru
de o vom cercetnd schimbul de electroni ntre o
una de semiconductor, care se n vid la o dis-
de una de alta. n vid, ca la contactul intim a solide,
are loc schimbul liber de electroni ntre ele.
Presupunem lucrul de a semiconductorului de tip n e
mai mic dect al metalului (fig. 2.2a). n acest caz fluxul de elec-
troni din semiconductor va fi mai mare ca cel din metal. Ca
rezultat, pe metal va o de surplusul
de electroni, iar pe semiconductor - o de
cristaline denumirea de emisie termoelectronicci.
de electroni ce iese de pe o unitate de ntr-o unitate de
timp este determinat de formula Richardson-Dushman:
m* (kT)2 (<D )
J = n exp --
2Jr 2tz 3 kT '
unde: m: este masa a electronului, k - constanta Boltz-
mann, T - temperatura, n grade Kelvin, tz =17,__ constanta Planck,
2Jr
<D - lucrul de termodinamic al electronului din corpul solid,
notat cu <Ds pentru semiconductori cu <DM pentru metale.
Deoarece <D are de indicele
exponentei n (2.1) este destul de mare. De exemplu, la T =300 K
<D =1eV, 40. Deci, la temperaturii vom observa o
kT
a fluxului de electroni. corpul solid este izolat,
emiterea electronilor nu poate se mult timp,
are loc a solidului, fapt ce duce la unui
cmp electric, care n continuare a electronilor
ca urmare, sistemul de electroni se va ntr-un echilibru
termodinamic.
68
69
(2.5)
Egalitatea (2.3) indica ca la echilibru termodinamic nivelurile
Fermi n metal semiconductor coincid (fig. 2.2b). n caz de echi-
libru aceasta este valabila pentru orice solide cc efec-
tueaza schimb de fluxuri de termoelectroni.
Se poate demonstra ca la mari de surplusul de sarcini,
ce formeaza de de contact, este situat pe
placilor. Intr-adevar, adncimea patrunderii surplusului
de sarcini n corpul solid estc determinata de expresia d =
110
unde: N
s
- densitatea surplusului dc electroni pe metalu-
lui, 110 - electronilor n volum. Densitatea de
a electroni lor poate fi exprimata prin densitatea de a
sarcinii ((js): Ns = (js . Pcntru doua placi paralcle ncarcate
q
(js =E: [;, unde: E: - pennitivitatea electrica a dintre
placi, [; - cmpul electric dintre placi. Presupunnd ca cmpul
electric dintre placi este omogen,
/&1 = Ve M - cI) S
de qd
e

d = JY = E: (et)M - et> s )
110 q2
110
d
e
Pentru a efcctua o apreciere numerica a adncimii patrunderii
sarcinilor n solid d, presupunem ca d = 1cm et> - rh = l e f7
c 'AI '*"s r.
Atunci pentru metal, cnd d=5
x
lO-
J7
cm,
iar pentru semiconductor, cnd 110 10
14
cm-
3
, d =5X 10-
9
C111.
Observam ca adncimea patrunderii sarcinilor n metal n
semiconductor e mai mica dect grosimea unui strat atomic din
cristal 0-
8
C111), adica toata sarcina este situata la
Evidcnt, cu aproprierea placilor, adica cu lui el el va
c'

70
2.3. CONTACTUL SEMICONDUCTORULUI CU
METALUL. STRATURI DE EPUIZARE
DE ACUMULARE
Sa cercetam contactul intim dintre un semiconductor de tip 11
un metal, cnd dintre ci este 10-
7
C111. O asemenea
se de exemplu, la depunerea mctalului pe
semiconductorului prin evaporare n vid. Daca se ca
mai nainte et> M > et> s' atunci cnd de 10-
7
C111
JI
o
10
14
C111-
3
, din (2.5) rezulta ca d 5x 10-
2
C111. Deci,
stratului de la semiconductorului din care au elec-
tronii este destul de mare. n metal surplusul de electroni se va gasi
la fiindca 110 pentru el e mare.
Trebuie sa notam ca n acest capitol, precum n acelea ce
unneaza, vom examina cazul ionizarii complete, adica cazul cnd
toatc centrele donoare sau acceptoare sunt ionizate: 110 =NDori
Po =N
A
Aceasta corespunde cu realitatea, fiindca n ma-
terialele cele mai utilizate n practica, Si Ge, energia de activare
este de ordinul 10-
2
eV.
Prin unnare, ca rezultat al transferului de electroni din semi-
conductor n metal la metalului apare o sarcina negativa,
iar pe o din semiconductor de lnga sa ramne o
sarcina pozitiva (fixa) data dc donoare ionizate pozitiv.
Aceasta regiune de sarcina din semiconductor estc saracita
n electroni de aceea se strat de saracire (epuizare) sau
strat de baraj.
n stratul de baraj se afla cmpul electric de contact care se
sumeaza cu cmpul electric al atomilor cristaline, intensi-
tatea'caruia este de 10
8
V/c111. Dupa cum am calculat mai sus, la
centrelor donoare 10
14
cm-
3
, d 5X 10-
2
C111, la
C!)\1 - et> s =1e Vpentru intensitatea cmpul ui de contact vom
2 x 10
2
V/C1n. Chiar daca cmpul va patrunde la adncimea de
10-
6
C111, intensitatea lui de 10
6
VIc111 va fi de doua ordine mai
mica dect cmpul atomic. Deci cmpul de contact nu poate
schimba structura diagramei de benzi energetice alc semiconducto-
71
Fig. 2.3. Diagrama pentm contactul metal-semiconductor
la echilibm tennic:
a) n stratului de vid la
b) strat de electroni.
Cnd dintre metal semiconductor e comparabila cu
dintre atomi n cristal 10-
7
cm), acest devine tran-
sparent pentru electroni (fig. 2.3a) de ll<D va fi
foarte mica, astfel poate fi neglijata. Ca rezultat, diagrama
a contactului metal-semiconductor are forma din fig. 2.3b. In acest
caz barierei de <D Bn pentru electronii ce trec din
metal n semiconductor este egala cu <D Bn =<D M - Xs' iar pentru
electronii ce trec din semiconductor n metal cu <D o- EF' Dupa cum
observam (fig. 2.3), n regiunea stratului de baraj dintre
marginea inferioara a benzii de nivelul Fermi este o
de coordonata egala cu EF - <D (x). Deoarece
(2.6)
(2.7)
(2.8)
(2.9)
(
EF + E J
Po =N v exp - kT g ,
electronilor n semiconductor este determinata de nivelului
Fermi, anume:
(
E -E )
n = N exp F e
o e kT'
3/
unde Ne = 2 (2=: r' de n banda
de marirea dintre marginea inferioara a benzii de
nivelul Fermi, ca rezultat al nclinarii benzilor de
energie n regiunea stratului de baraj, semnifica ca
electronilor se odata cu apropierea de La
(fig. 2.3) electronilor va fi egala cu:
(
E -E -<D )
n. =N exp F e o
lOt e kT'
iar n regiunea stratului de baraj:
n(x)= Ne exp (E
F
-EZT-<D (x)) =n
o
exp (-
Astfel, odata cu apropierea de <D (x) iar
electronilor scade brusc. Dupa cum am subliniat mai
sus, are loc saracirea acestui strat de electroni el se ncarca
pozitiv, fiindca aici ramn ionii pozitivi ai centrelor donoare, care
nu mai sunt compensate de electroni. Ca rezultat, energia
a electronului n regiunea stratului de baraj depinde de coordonata:
ea are valoare maxima (<Do +Ee) la de separare cu metalul,
caruia este ncarcata negativ, pna la Ee
la stratului de baraj cu volumul semiconductorului, n
punctul x =d (fig. 2.3).
Pentru golurilor, care sunt purtatori de mi-
noritari, putem scrie:
unde Nv - densitatea efectiva de stari n banda de Iar n
regiunea sarcinii
f
1
I
I
x b
47
0
d o
:-:-1f----- Ee
77-'77'7"'7?f------- E
a
x d D
rului, de exemplu, benzii interzise Esau afinitatea
g
semiconductorului Xs ' ci numai nclina benzile.
Pornind de la aceasta, diagrama energetica a contactului metal-
semiconductor pentru cazul examinat ( <D M > <Ds ) poate fi interpre-
tata ca n fig. 2.3a. nclinarea benzilor este cu att mai puternica cu
ct dintre lucrurile de din cele doua materiale este
mai mare. de contact <Do' determinat de expresia (2.3),
se repartizeaza ntre stratul de vid dintre metal semiconductor -
ll<D, semiconductor - <D (fig.2.3a).

X
s
cPM c.p

'fT?-rr::++--+---- f F
72
73
r
( )
(
Er +E -$ (x): ($ (x))
p x =Nv exp -' g = Pa exp , (2.10)
kT , kT
I o
EF

b a

Ev
/ //
Fig. 2.5. Diagrama a contactului metal-semiconductor de
tip p n cazul eP\4 > eP s: a) materialele sunt separate:
b) strat de acumulare de goluri.
Sa cazul n care cD M > $ s , iar semiconductorul are
conductibilitatea p. Electronii vor trece mai din semicon-
ductor n metal vor provoca nclinarea benzilor energetice ale
semiconductorului n regiunea contactului "n sus", ca n cazul
semiconductorului de tip n. Deci, la se va mari concen-
goluri lor, care sunt de sarcina majoritari (fig. 2.5).
Aceste goluri fonneaza o pozitiva, iar redistribuirea purta-
torilor de sarcina minoritari (electronilor) nu joaca n acest caz un
rol principal. n urma goluri lor
acestui strat la se deci se formeaza un strat
de acumulare (fig. 2.5).
[VId
T
cP
M

SEMICONDUCTOR
Nivelul vid
METAL
Observam astfel ca cu lui $ (x) goluri-
lor se
Procesele ce au loc n contactul metal-semiconductor vor fi
diferite, n de tipul de al semiconductorului (11
sau p) raportul dintre lucrul de a metalului a semi-
conductorului. Fie ca lucrul de a metalului e mai mic dect al
semiconductorului, cD M < cDs' ca semiconductorul este de tip 11.
n acest caz, deoarece <1) M < cDS , n procesul de stabilire a echilibrului
vor trece mai electroni din metal n semiconductor dect n sens
invers. Metalul se va ncarca pozitiv, iar semiconductorul - negativ.
clectronilor n semiconductor la la fel este
detcnninata de (2.8). avnd n vedere ca $ (x) este
negativ (fig. 2.4b), electroni lor la J1 (x) poate fi
cu mult mai mare dect n volumul semiconductorului 11
0
, la
echilibrul tennic n semiconductor va aparea un strat de acumulare de
electroni, benzile de energie din semiconductor fiind nclinate n jos
(fig. 2.4b). Faptul ca 11 (x) > J1 (O) face ca stratului de
acumulare sa fie mult mai mica dect a stratului de epuizare.
(2.1 1)
Cnd cD M < cDs' ($(x) < O) semiconductorul e de tip p,
electronii din metal trec liber n semiconductor. Mctalul sc ncarca
pozitiv, iar semiconductorul - negativ. Benzile de energie ale semi-
conductorului se vor nclina "n jos" (fig. 2.6). golu-
rilor (purtatorilor de sarcina majoritari) la se
Conform expresiei (2.10), cnd $ (x) < O,
p (x) =Po exp
acestui strat se deci avem un strat de epuizare
(fig. 2.6).
...-1,--- [v
.,;;;;.,--- Ee

a.
Fig. 2.4. Diagrama a contactului metal-semiconductor de tip 11
in cazul <1> s > eP \/: a) materialele sunt separate; b) strat de
acumulare de electroni.
74 75
Fig. 2.7. Diagrama energetica a contactului metal-semiconductor la
formarea unui strat de inversiune: a) semiconductorul de tip n;
b) semiconductorul de tip p.
b
n
---El
a
pentru echilibrul sistemului n cazul semiconductorului de tip n
n metal trebuie sa treaca un anumit numar de electroni din banda
de ca rezultat, n banda de se formeaza goluri, care
constituie stratul de inversiune.
Fig. 2.6. Diagrama energetica a contactului metal-semiconductor de
tip p n cazul <D M < <D s: a) materialele sunt separate;
b) strat saracit de goluri.
-
T
Ev/d
I
1-
n
i
Xs lP
s Ee
lP.
Ee
EF '
EF

EF
et&
E
v
f
v
/
O
X
Q. b
(2.12)
Cnd lucrul de a metalului cD
M
este egal cu lucrul de
a semiconductorului cDs' la nu se acumuleaza nici
un fel de sarcini deci benzile de energie nu se nclina. Astfel de
contact se neutru.
Interesanta este cnd dintre lucrul de a
metalului al semiconductorului e destul de mare, anume:
cD M CDs pentru semiconductorul de tip n, sau <D M CDs
pentru semiconductorul de tip p . n cazul semiconductorului de tip
n pe o din vecinatatea contactului se EF - Ei < O,
unde Ei este mijlocul benzii interzise a semiconductorului.
1
, (Ei - EF) d' . d A
n aceasta regIUne 1) =n. exp evme maI mare ecat
f l kT
n =ni exp (EF"ki EJ semiconductorul devine de tip p. n
vecinatatea contactului apare astfel un strat de inversiune a tipului
de n aceasta stratul de baraj este format dintr-un
strat de inversiune un strat de epuizare (fig. 2.7).
Formarea stratului de inversiune are loc n urma faptului ca
electronilor n semiconductorul n sau a golurilorn
semiconductorul p n vecinatatea contactului nu este suficienta
76
Modelul descris mai sus de formare a straturilor de epuizare
de acumulare la contactarea metalului a semiconductorului este
corect numai n cazul n care semiconductorului este
libera de sarcini de
Daca semiconductorul are o mare de stari de sup-
atunci barierei de va fi determinata de
semiconductorului, nu de marimea lucru-
lui de a metalului.
2.4. REPARTIZAREA N
STRATUL DE
ACESTUI STRAT
Vom presupune ca contactului metal-semiconductor
e infinit de mare n legatura cu aceasta sa examinam unei
probleme unidimensionale.
energiei a electronului (cI de coordo-
nata n regiunea stratului de sarcina acestui strat
pot fi determinate rezolvnd Poisson:
_CJf!(x)
dx
2
77
(2.15)
(2.16)
(2.17) x=d, cv(x)=O,
la x=0, CV (x) =CVo
=0.
dx
Fig. 2.8. Repartizarea de sarcina
( p ), energiei a
c1ectronului (<1J) a cmpului
electric (E) n stratul de baraj
Schottky.
d
2 rh 2
'!' q n
o
---
d x 2 EE
o
Prima indica ca nclinarea benzilor trebuie sa fie
destul de mare, astfel ca electroni lor liberi n regiunea
stratului de baraj n
o
exp [ - fie cu mult mai mica dect
donorilor ND =n
o
. A doua nclina-
rea maximala a benzilor pentru care golurilor n stratul
de sarcina p o exp

e mai dect ND' se

ndeplinesc ambele atunci densitatea de sarcina
este numai de sarcina donorilor (fig. 2.8).
se va rezolva cu urrnatoarele la (fig. 2.3):
Astfel de strat de
se strat Schottky. ntr-un semi-
E
conductor intrinsec E - E
C F 2
cum din a doua,
stratul Schottky nu poate fi realizat.
Deci, pentru stratul Schottky ntr-
un semiconductor de tip n
Poisson va avea unnatoarea fonna:
(2.13)
n(x)=no
atunci
p (x) =qno {l- exp [- +qpo {ex
p
-)} (2.14)
O asemenea expresie a lui p(x) nu ne pennite sa rezolvam
(2.12). De aceea deseori se acestei
justa pentru un caz particular, cnd in toata regiunea stratului de
sarcina n
o
11
0
exp [- n
o
Po exp [cv{y)].
kT kT
E clar ca prima va fi respectata, daca nclinarea energetica
CV (x) n regiunea stratului de baraj nu va fi mai mica dect 2,3 kT.
A doua inegalitate va avea loc, daca
unde: E - pennitivitatea relativa a semiconductorului, E
o
- con-
stanta electrica a vidului, p(x) - densitatea sarcinii
Daca n semiconductor se afla numai un singur nivel de impu-
donoare cu densitatea ND un singur nivel de
acceptoare cu densitatea N
4
care sunt repartizate unifonn n volum,
atunci p(x) este data de suma algebrica a sarcinilor fixe mobile
unde: N;, - densitatea donorilor respectiv a acceptorilor
iar n(x) p (x) - densitatea electronilor a golurilor n
stratul de sarcina Daca sunt complet ionizate,
atunci din de electroneutralitate rezulta ca
N; - =ND - N
A
=11
0
- Po' n echilibrului tennodi-
namic, cnd prin contactul metal-semiconductor nu trece curent,
pentm un semiconductor nedegenerat, dupa cum a fost
mal sus, avem:
78 79
(2.23)
_ ?e doua ori (2.15), n regiunea stratului de
sarcma
2
cD (d -X)2+ A (d -x)+B, (2.18)
o
unde A B sunt constante de integrare.
Din la (2.17)
cD(x=d)=B=O
dcD
=-A=O
dx
x=d
cD (x) :
2
(2.19)
o
Co?form (2.19), a electronului ( cD )
n regIUnea _ de e n
?e dupa o Intensitatea cmpului electric
In regIUnea stratulUl de va fi de expresia:
E (x) = =_Clnjl (d - x) (2.20)
q d x &&0
intensitatea cmpului electric se liniar cu
coordonata x (fig. 2.8).
ca tangenta unghiului de nclinare a acestei depen-
d _ dE qn
o
. . . .
en e este tg a - --- =---- . FoloSInd la (2 16) d'
dx && . , In
o
expresia (2.19)
2
cDo =q--,!Q.. d 2 (2.21)
2&&0
De aici, cunoscnd barierei de rh
'-!.I
o
, putem
determina stratului Schottky:
d r (2.22)
80
Lund n ca nclinarea benzilor energetice n
regiunea stratului de este de
de de contact, neglijnd de tensiune pe stratul de
la metal-semiconductor cont de (2.3),
putem scne:
d
Din (2.23) stratul Schottky e cu att mai larg cu ct e mai
mare dintre lucrul de a metalului lucrul de a semi-
conductorului. n
o
lui d .
Aducem un exemplu pentru stratul Schottky n germaniu. Fie
cD
o
=0,3 eV. Atunci pentru & =16 n
o
=10
14
em-
3

d =2,3 X 10-
4
em.
Daca n
o
va fi la 10
18
enf
3
,
d =2,3 X 10-
6
em.
2.5. BARIEREI DE POTENTIAL SI
., . ,. ..,
STRATULUI DE
N DE POLARIZARE
n cazul contactului unui metal cu un semiconductor de tip n,
cnd lucrul de a electronilor din metal e mai mare dect din
semiconductor, apare un strat de La stabilirea
echilibrului termic fluxul de electroni din semiconductor n metal,
determinat de procesele de difuzie, fluxul de electroni din metal
n semiconductor, determinat de cmpul electric de contact, sunt
egale. n de polarizare aceste fluxuri difera unul de altul.
o exterioara la contactul metal-semiconductor cu
strat it Schottky, ca negativ fie la semicon-
ductor (fig. 2.9a).
Considernd a semiconductorului e
destul de mica, toata tensiunea va cadea pe
stratului de energiilor ale
81
Fig. 2.9. Diagrama
a stra-
tului it
Schottky la pola-
rizare: a) poten-
electronului n metal n volumul semiconductorului se va mic-
cu qV . n diagrama energetica a contactului metal-semicon-
ductor toate nivelele energetice la x> O cu marime q V se
vor ridica n sus de nivelul energetic la echilibrul termodinamic
(fig. 2.9a). Avnd n vedere ca afinitatea pentru electroni Xs nu
depinde de tensiunea exterioara, nclinarea benzilor n semicon-
ductor devine egala cu <:D o- qV . Deci, barierei de poten-
se cu qV . Aceasta conduce la
fluxului de electroni din semiconductor n metal. Astfel de polari-
zare se polarizare directa.
(2.26)
(2.27)
l/
C
h

2.7. CARACTERISTICA CURENT-TENSIUNE
2.6. CARACTERISTICA CAPACITATE-TENSIUNE
A CONTACTULUI METAL-SEMICONDUCTOR
83
d (224)
Observam ca n cazul unui negativ nalt la semicon-
ductor, cnd qV = <:Do' d = O, adica stratul de baraj dispare ten-
siunea exterioara se repartizeaza uniform pe toata lungimea semi-
conductorului. La marirea de de polaritate
inversa d atunci cnd q V >> <:D o d vIi.
Dioda Schottky se comporta n de polarizare inversa
polarizare directa la tensiuni mici ca o capacitate.
Sa consideram o dioda ideala cu diagrama de benzi din fig. 2.3b.
Modificarea largimii stratului de baraj de catre tensiunea exterioara aduce
la schimbarea sarcinii donorilor n acest strat:
Qd(v)=SqNDd(v), (2.25)
unde S - aria de contact.
Conform electrice, capacitatea contactului
Schottky poate fi exprimata prin formula:
C" S [ r
sau, avnd n vedere ca <:Do =qV
c
'
Transportul sarcinilor prin contactul metal-semiconductor este
efectuat, n temei, de de majoritari, spre deosebire
de p - Il n care curentul electric este de
de minoritari. n fig. 2.10 sunt ilustrate schematic
o
b
Q
Daca sursa exterioara va fi co-
nectata astfel ca la semiconductor
sa fie pozitiv, atunci
cmpului exterior va coin-
cide cu cmpul interior (cmpul
format de de contact)
deci toate nivelurile diagramei
energetice situate la x > O vor
cobor n jos cu q V, nclinarea
benzilor n semiconductor va fi
egala cu <:Do +qV (fig. 2.9b), nal-
barierei de se va
mari, iar fluxul de electroni ce trec
din semiconductor n metal va
Astfel de polarizare se nu-
polarizare inversa.
Observam ca tensiunea exte-
rioara modifica numai fluxul de
electroni ce trec din semiconductor
n metal, iar pentru electronii ce
trec din metal n semiconductor barierei de nu
se schimba este egala cu <:D Bn , ca n cazul echilibrului.
dc exterioara nu numai asupra
gradului de nclinare a benzilor semiconductorului n regiunea
stratul ui de sarcina dar asupra largimii stratului
Schottky. Acum n loc de _expresia (2.22) scriem:
82
Fig. 2.10. Ilustrarea mecanismelor de trans-
port al curentului la dioda
Schottky direct
aplicata. Aceasta teorie rezulta din faptul ca parcursul liber pentru
electroni (1) n semiconductor e cu mult mai mare dect
stratului de sarcina ( d), prin urmare,
de sarcina, la trecerea lor prin aceasta regiune, poate fi
neglijata. Deoarece 1 este electronilor iar
largimea stralului de baraj d - ( r'alunci pentru <1>" consl
criteriul de folosire a teoriei diodice (1)> d) se va ndeplini n
primul rnd n semiconductori cu mobilitate concentra nalta a
de majoritari. Pentru a simplifica calculul vom
presupune de tensiune pe volumului semi-
conductorului poate fi
n cazul echilibrului termodinamic fluxurile termoelectronice
din metal n semiconductor n inversa sunt egale.
aceste fluxuri sunt formate din electroni energia este mai
mare dect barierei de de contact. Observam ca
bariera de <Il Bn este egala cu <Il o - EF (fig. 2.3).
Din (2.1) densitatea fluxului format de electroni este:
m* (kT)2 (cD 'j' m* (kT)2 (<Il - E ')
J = n exp i - = n'- exp _ o F 1. (2.28)
27[2 ti
3
\ kT 27[2 ti
3
kT)
La polarizarea negativ la semiconductor)
barierei de pentru electronii ce trec din semi-
conductor n metal se cu q V, iar densitatea fluxului
(J
s
-
m
) se Dupa cum barierei de
pentru electronii ce trec din metal n semiconductor nu se
sub tensiunii exterioare (fig. 2.9) deci acest
flux (J m-s ) constant.
Pornind de la cele spuse mai sus, densitatea curentului ce trece
prin dioda Schottky poate fi exprimata prin urmatoarea formula:
j=q(J,_m-J m-J ex
p
(- :; (2.29)
(2.30)
* 2
N
d . A* _ q mn k
otan pnn ---------
27[
2
tI
3
'
2.7.1. TEORIA DE REDRESARE A
CONTACTULUI SCH07TKY
principalele mecanisme de transport la polarizarea directa a con-
tactului Schottky (la polarizarea inversa, respectiv, au loc procese
inverse):
1) emisia electronilor
termic din semi-
conductor n metal peste
bariera care predomina n
diodele Schottky formate
pe baza semiconductorilor
cu o dopare moderata
(ND < 10
17
cm-
3
pentru Si )
la temperaturi 300 K;
2) emisia tunel a electro-
nilor prin bariera (importan-
ta la un nivel de dopare mai
nalt, de exemplu la majo-
ritatea contactelor ohmice);
3) recombinarea n regiunea de sarcina
4) recombinarea n regiunea neutra goluri lor din metal
n semiconductor).
n mod la diodele Schottky curentului este
asigurata prin emisie termoelectronica (procesul 1). Acestor diSpozitive le
este asociata denumirea de diode ideale. Procesele 1, 3 4 determina
abateri de la comportarea ideala.
stratului Schottky depinde de polarizarea
tensiunii exterioare. Conform expresiei (2.23), la polarizare inversa
largimea stratului de sarcina (d) se deci
lui. La polarizare directa largimea stratului de sarcina
a poate fi aproape pna la zero. Aceasta conduce
la o a contactului metal-semicon-
ductor. Deci, contactul Schottky are de redresare a
curentului alternativ. Folosind teoriei diodice de redre-
sare, vom determina curentului, care trece prin dioda
Schottky formata de un semiconductor de tip n, de tensiunea
84
85
(2.31)
Teoria difuziei a contactului Schottky din ca
stratului de baraj e mai mare ca liber (;t 1).
semnifica ca de pnn
stratul de baraj, ciocniri numeroase cu
atomilor semiconductorului. Deoarece n regiunea stratulm de bm:a]
exista un gradient de a electronilor, un cmp electric,
v
2
Fig. 2.11. Caracteristica curent-tensi-
une a contactului Schottky
conform teoriei diodice de
redresare (I) teoriei de
difuzie (2).
2.7.2. TEORIA DIFUZIEI DE REDRESARE
A CONTACTULUI SCHOTTKY
fluxul de electroni din semiconductor n metal este destul de mic
poate fi neglijat, iar densitatea curentului ce trece prin contact va fi
i =iSI' Acest curent denumirea dc curent invers.
Un rezultat analogic poate fi din expresia (2.32),
schimbnd semnul lui V n opus. n acest caz
j,"" j" ex{Qk1-1). (2.34)
1
kT
Cnd IV z 2,3 - , j" =-j" . Semnul minus arata curen-
inv. st
q
tul invers are semn opus. Forma generala a caracteristicii curent-
tensiune a contactului metal-semiconductor este reprezentata n
fig. 2.11.
" * 2 (<DBn) ( q V )
j = A T exp -kT . exp kT -1 ,
unde A* este constanta Richardson masei efective
a purtatorilor majoritari (electronilor) din semiconductor. Pentru
electronii liberi m: =m
o
' A* =A =120Acm-
2
K
2
. Constanta A* de-
pinde de orientarca semiconductorului. Valorile ei pentru
cteva cazuri sunt prezentate n tabelul
Semiconductor Ge Si GaAs
tip n, <111> 1,11 2,2 0,068
tip n, <100> 1,19 2,1 1,2
tip P 0,34 0,66 0,62
Valorile raportului A/>
n expresia (2.31) factorul A* T 2 exp ( - ir) nu depinde de
tcnsiunea exterioara poarta denumirea dc densitate a curentului
de Notnd acest curent prin iSI' vom
i =iSI exp ( li -1). (2.32)
" d' d 23 kT (q V) l'
La polanzarea can V >> ,---, exp - >>
q kT
i = iSI exp (1i). (2.33)
Deci, la tensiuni nalte densitatea curentului prin dioda Schot-
tky cu marirea lui V dupa o exponenta. La polarizarea
inversa barierei de pentru electronii ce trec din
semiconductor n metal se cu qV (fig. 2.9b), iar fluxul
acestor electroni se n cu fluxul de electroni
cnd V =O. Acum va predomina fluxul de electroni din metal n
semiconductor, marimea caruia nu depinde de V, el fiind
determinat de expresia (2.28). Daca V cste destul de mare, atunci
86 87
avnd n vedere j D nu depind de x, vom
Deoarece ne regiunea stratului de
x se de la la d (fig. 2.9), vom integra n
acest interval:
j =qD det> (.rl)+rJ.l} exp(<J)J.r))]. (2.38)
kT n kT dx kT dx kT
(2.37)
(2.40)
care se n la
n (O) =n
o
exp l'-et> o), et> (O) =et> o - qV1
kT J'
n (d) =n
o
, et> (d) =
n cazul densitatea curentului j nu depinde de coor-
(2.36) poate fi Mai nti vom
d . 1 . . (et>(x)\
arnan a e cu exp U ):
densitatea curentului n acest caz va fi att de componenta
de difuzie, ct de componenta de drift a curentului,
. C' D dn
} = qfinn& + q n -, (2.35)
dx
unde D
n
- coeficientul de difuzie a electronilor.
(2.35) este numai pentru cmpuri electrice mici,
pentru cmpuri care nu caracterul de a
electronilor. Energia medie a electronilor este cu

3 kT" d' (8kT J2 1 .

- ,Iar VIteza me le V = -- a temperatura camereI este
2 ffm
de ordinul 10
7
cm/s. Atta timp ct cmpul electric e mic, viteza
n el e cu mult mai dect viteza Deci, se
caracterul haotic de a electronilor, iar energia
de electron pe parcursul liber !, cu q[; ! , e cu mult
mai dect energia kT .
2
Cnd energia q[;! devine mai mare dect kT, caracterul
electronilor se O teorie mai n cm-
. kT c
pun [; > - -, unde c - viteza sunetului n cristal, cmpul elec-
q! v
tric gazul electronic energia medie a electronilor
ntr-un cmp omogen, cu q&! devine mai mare dect kT.
c
Ca rezultat, ncepnd cu cmpuri electrice [; ?: 0,0 l kT ,
q!
mobilitatea depinde considerabil de intensitatea cmpului electric
legea lui Ohm se
Deci, expresia (2.35) este pentru [; kT . Substi-
q!
tuind n (2.35) & = det> fin =..CL. D
n
, se
q dx kT
j=qDn (& (2.36)
89
88
pa
t
(2.43)
(2.42)
Conform expresiilor (2.20) (2.24),
&0 =.! dcD =qn
o
[2&&0 (;0 =[2no(cDoqV)],v2 (2.48)
q dx o [;[;0 q n
o
[;[;0
(2.44)
(2.45)
(2.46)
(2.47)
( )
-1 [ ( )]
_ d<D c()o-qV
- kT dx I-exp -ki- .
Avnd n vedere ca intensitatea cmpului electric la
1 d<I)
(x = O) este &0 = - - ca stratul de baraj la polarizare
q dx
directa se pna cnd exista bariera de adica
cnd q V < <Do sau, mai precis, cnd cDo- qV >>kT , putem
neglija unitatea n cu exp Vom
1exp (cD (x)) dx kT exp (<Do - qV).
o kT q&o kT
Substituind (2.45) n (2.42),
._ q'D"5
o
n
o
[I-CX+*)]
J - kT exp (w" qV)
= q' D;:o"" ex+ [exp (i;)-Il
Lund n n
o
exp ( - :;) =n (O)
electronilor la pentru densitatea curentului ce
trece prin contactul Schottky avem:
d (cD(X)) (d<D)-1 o (cD(X))
fexp -..... dx . -- . f exp d<D =
o kT dx C1>o-qV kT
_ Ir
T
(dcD)-l (cD(X)) o
exp
dx kT C1>o-qV
Folosind la limita (2.37),
j [ex
p
( ["O -"" ex
p
(-r#}ex
p
( =
= qD""o [I-ex
p
Hnl (2.41)
Din (2.41) pentru j
_ qD" "" [1-expHn]
J - ---- - -- --------
Jexp ( <D (x)) dx
o kT
Integrala Jexp (<D dx poate fi calculata numai utiliznd
o kT
metoda integrarii numerice. Ea poate fi apreciata. Pentru
aceasta vom scrie integrala n felul urmator:
texp dx =.Lvcxp ( fTdw
exp ( foarte rapid cu <D (x),
principala n integrala aduce integrarea pe domeniul n
care cD (x) este maxima, adica n jurul lui x=O. De aceea de sub
semnul integralei poate fi scoasa marimea -1 n acest punct
(x = O). Atunci
90
91
(2.49)
(2.51 )
(2.50)
(2.52)
b
Sistemul metal-vid:
a) diagrama energe-
tica; b) electronul n
vid imaginea lui
n metal.
Fig. 2.12.
n teoriile de redresare clasice cercetate mai sus nu s-a seama de
cmpului electric nalt, care poate fi realizat n regiunea stratului
?e baraj, a "imagine" asupra barierei de Ia
metal-semiconductor. Emisia electronilor din metal este
de bariera de ce depinde de "imagine".
ba:iere de cu cmpului electric
denumIrea de efectul Schottky.
la nceput sistemul metal-vid. Pentru a din
metal n vid, electronul trebuie o de de
<DM (fig.2.12a).
2.8. EFECTUL "'IMAGINE
n

Ef-I- I
---
Electronul ce se n vid la o x de la
metalului "induce" o ca de semn
opus, simetric de (fig. 2.12b)
(de aici termenul de imagine). Asupra electronului o
de cu de dintre
sarcini punctiforme ce denumirea de "imagine" (F;).
Conform legii Coulomb, se prin:
_ q2 q2
F. - - --------------
1 4Jr(2x)2
cO
16Jrc
o
x
2
'
unde Co - permitivitatea vidului.
Lucrul efectuat la deplasarea electronului de la infinit n pun-
ctul x este:
,--
I
. _ q
2
D
n
n(O) [2n
o
(<Do qv)lli
Jstd - kT c C
o
J'
caracteristica curent-tensiune a contactului Schottky conform teo-
riei difuziei forma:
Notnd curentul de
1
legitatea V 2 (fig. 2.11).
Este util sa domeniul de aplicabilitate a teonei
difuziei. Dupa cum a fost mai sus, expresia (2.35) este
pentru cmpuri electrice slabe, cnd se
kT A .'
5 -. In stratul de baraj cercetat, mtensItatea
ql
a cmpului pnn 5
0
= 2<D
o
, de unde pentru aplicabili-
qd
tatea teoriei difuziei
2<D
o
d --1.
kT
Deoarece d noi;, teoria difuziei este
pentru semiconductorii cu a de sar-
parcurs liber al electronilor mic, mobilitate
De exemplu, teoria difuziei se la redresorii cu oxid de cupru.
.. (qV 1)
J =Jstd exp kT - .
n teoria difuziei curentul electric are n principiu
de tensiunea ca n cazul teoriei dio-
dice, cu deosebirea pentru ultimul caz curentul invers de satu-
ist este independent de tensiunea iar n cazul teoriei
difuziei istd cu tensiunea conform (2.49),
92 93
x 2
A =fF (x)dx = q =-eD (2.53)
p 1 16 l'
oc JlE
o
X
unde <1) i - energia a electronului asociata "imagine".
Aceasta hiperbolica este reprezentata cu linie intrerupta n
figura 2. J2a. . .
Bariera de se modifica, de asemenea, pnn aphcarea
unui cmp electric in vecinatatea metal-vid, cu qE:x
(fig. 2.12), astfel ca energia totala a electronului este:
legate de faptul ca intensitatea cmpului electric in
stratul Schottky depinde de coordonata [expresia (2.20)]. Pentru a
simplifica calculul, vom considera ca pe mica de la O
pna la x
m
(fig. 2.13) intensitatea cmpului electric E in stratul de
sarcina a este constanta egala cu intensitatea in punctul
x =O. Atunci
(2.54)
(2.58)
(2.59)
(2.60)
(2.61)
q,V
d X
--c::::==E
c
EF
II
C
o
__ [211
0
(<Do qV)]/2
Din (2.20) observam ca G
EE
o
Pentru L1<P !leD = fJs (eDo qV)\ ,
unde
La polarizare directa V 2,3
Q

j = exp (- (
Fig. 2.13. Diagrama
a contactului metal-
semiconductor cu evi-
efcctului Schot-
tky la polarizare di-
.
Caracteristica curent-tensiune a contactului metal-semiconduc-
tor, conform teoriei diodice (cu efectului Sehottky), va fi:
. * 2 [eD8" -!l<!>] [ (qV) ]
} = A T exp - ..... kT- -- . exp kT -1 .
(2.56)
2
eD t (x) =- q - q[;x.
16lZ"E
o
x
barierei Schottky !l<D x
m
la care poten-
tialul devine maximal (fig. 2.12) se determina din
=O de unde rezulta:
el"\: '
li
x ( q J (2.55)
m = ]6JlE
o
E:
o
Pentru [; = 10
5
V/cm x
m
60 A !l<D = O,] 2 eV. Daca [; se
o
va mari pna la 10
7
V/cm, atunci x
m
10 A, iar !leD = 1,2 eV
E clar ca efectul Schottky conduce la intensificarea emisiei termice a
electronilor din metal in vid. ntr-un cmp electric destul de mare n
loc de expresia (2.1) pentru fluxul de electroni J m-v trebuie de scris:
J =m,,(kTYex 1_ <D M _(q3[;/4JlEor1. (2.57)
m-v 2Jl
2
ti
3
P I kT
L
Expresia pentru !l<D (2.56) poate fi folosita pentru
metal-semiconductor, avnd in vedere ca in
constanta dielectrica nu-i egala cu 1, dar cu E. Insa aici apar
94
95
cont ca il<!> depinde de V (2.59), atunci din (2.61)
observam ca ) trebuie sa creasca cu marirea lui V mai ncet
dect exp ( r;). Acest fapt poate fi luat n considerare introdu-
cnd la numitorul indicelui exponentei parametrul n > 1. Atunci
. A*T
2
(<!>B J (qV J
) = exp .exp . (2.62)
De unde
In) =In (A*T
2
) - <!> Bn + qV . (2.63)
kT nkT
Din (2.63) rezulta ca pentru V"?
kT
In) =f (V) reprezinta o dreapta cu tangenta unghiului de nclinare
. .. d (In}) q . .
catre axa =--- . Pentru contactele metal _ SI
dV nkT
metal parametrul n, care poarta denumirea de parametru
de nezdealztate a caracteristicii curent-tensiune, Ia 300K e de
ordinul 1,02 -1,04. Efectul Schottky exercita
asupra caracteristicii curent-tensiune, descrisa de teoria difuziei.
2.9. DETERMINAREA A
BARIEREI CONTACTULUI
METAL-SEMICONDUCTOR
Pentru determinarea barierei de la contactul metal-
sunt folosite, n temei, patru metode descrise mai
JOS.
2.9.1. METODA CARACTERISTICII
CURENT-TENSIUNE
Pentru semiconductori cu mobilitate nalta caracteristica curent-
kT
tensiune Ia polarizari directe ... - este data de expresiile (2.62,
q
96
T
2.63). Caracteristicile contactelor din wolfram W-Si sunt
reprezentate n fig. 2.14. Extrapolnd aceasta caractenstica la V =0,
confonn expresiei (2.33), vom detennina curentul de )SI'
barierei de <!> Bn o vom detennina din
<!> = In (A.*]'2J. (2.64)
Bn
q }SI
10 or------r----,...---_-,
fO"
iO'Z
10'5
ttJ-r
O (tf az Q!S
V , (V)
Fig. 2.14. Caracteristici experimentale 1 - Vale contactelor W-Si
W-GaAs la polarizari directe.
2.9.2. METODA ENERGIEI DE ACTIVARE
Superioritatea principala a acestei metode c?nsta n faptul
nu cere date suplimentare despre actIva a contactulm.
De aceea aceasta metoda este deseori folosita atunci, cnd nu e
cunoscuta precis contactului.
97
(2.33) cu Ac regiunii electric

flf

'"""

-<
iZ
-1-
:l
12

;:;:
10
b
2
Q
Il)
....,
P<
8
c
---
o
c...
'-'
o
:-01
.-
6 .-
C
..::-"'
P-.
-.
o..
.--'
;.--.
.,e.
El
u
......
-- ------ u

--...'
-- U
.-
'/
1 o 1 2 3 4

(V)
Fig. 2.15. Caracteristica capacitate-tensiune pentru dioda Schottky
(W-Si; W-GaAs).
(2.65)
1 b'
= O vom o
T
constanta
la
1

=1 (A A* ) _ (cD Bn - q V)
n T
2
n c kT'
unde: J = jAc - curentul total, (cDBn - qV) - energia de activare.
ntr-un interval de temperaturi limitat (de exemplu,
273K < T < 373K ) se poate considera A* cD Bn nu
depind de vom la
polarizarea atunci tangenta unghIUlUI de mchnare a
In (;2 )=f vom determina barierei
produsul dintre
Richardson.
cD Bn' iar din extrapolarea
2.9.4. METODA
(2.66)
2.9.3. METODA CARACTERISTICII
CAPACITATE-TENSIUNE
Caracteristica capacitate-tensiune C - Veste deseori
pentru evaluarea barierei de semicon-
ductorul este uniform dopat nu trape adancI, se poate
scrie (vezi 2.27).
C-
2
=
b S2q N[)&&o
Conform expresiei (2.66), C;2 = f(V) o
ca n fig. 2.15. Din panta dreptei se doparea N[) a
semiconductorului, aria de contact este
dreptei C;2 - .f (V) cu axa tensiunilor corespunde tensiunii de
contact.
este o cea mai de
determinare a barierei de Contactul metal-semiconductor
poate fi iluminat din partea metalului din sau din
partea semiconductorului (iluminarea din spate). In cazul
din sunt electroni din metal pe niveluri energetice
superioare hv cDBn ' trec n semiconductor
(procesul 1 n fig. 2.16). De asemenea, metalul este suficient
de hv > Eg' vor fi excitate perechi electron-gol n
semiconductor (procesul 2 n fig. 2.16). Curentul de scurtcircuit sau
fotocurentul trebuie posede o de energia fotonilor
hv cu aceea a fotocurentului din cazul emisiei din metal
n vid. n cazul fotoemisiei electronilor din metal, curentul pe
foton absorbit este dat de lui Fowler:
hv cD Bn
hv < cD Bn
98
99
(2.68)
(2.69)
(2.70)
Orice dispozitiv semiconductor sau circuit integrat are n com-
unul sau mai multe contacte ohmice. Contactele ohmice
asigura accesul electric din exterior la dispozitiv.
Un contact ohmic este contactul dintre un metal un semi-
conductor, care nu modifica purtatorilor de echilibru din
semiconductor, adica reprezinta o caracteristica curent-tensiune liniara
simetrica. n realitate se considera contact ohmic contactul pe care
caderea de tensiune pentru ambele sensuri de polarizare este neglijabil
de mica n raport cu caderea de tensiune de pe dispozitiv. Astfel ele nu
afecteaza caracteristicile dispozitivului. Parametrul electric al
contactului ohmic este specifica de contact (R
c
)' care
reprezinta inversul pantei caracteristicii curent-tensiune la polarizarea
zero
2.10. CONTACTE OHMICE
n contactele metal-semiconductor cu un nivel de dopare nu prea
nalt predomina componenta tenTIoelectronica a curentului, care este
detenninata de (2.31). n acest caz
Din (2.69) se vede ca pentru a mici R
c
trebuie de
folosit contacte cu mica a barierei de
n contactele metal-semiconductor cu un nivel de dopare mai
nalt predomina componenta de tuneIare a curentului. n acest caz
E
v
SEMICONDUCTOR
Fig. 2.16. Generarea fotoclectronilor la contactul metal-semiconductor.
parabolica dintre R (hv - <D Bn) se utilizeaza pentru
determinarea de contact metal-semiconductor.
Radacina patrata din R este reprezentata n de hv
ei liniara este extrapolata la R =O; dreptei cu
axa hv o determina pe <D Bn
n fig. 2.17 este reprezentat rezultatul pentru fotoemisia elec-
tronilor din contactele W-Si W-GaAs. Observam ca barierele n
aceste contacte sunt egale cu 0,65 0,80 e V.
Fig. 2.17. Caracteristica spectrala a curentului fotoelectric n structuri
cu wolfram W-Si VV--GaAs.
100
!OI
41'
JONCTIUNEA p - n
Capitolul III
semiconductoare stau la baza fun-
categorii lor de dispozitive semiconductoare
optoelectronice (diode, tranzistori, tiristoare, circuite integrate, fo-
todiode, celule solare, laseri etc.). O teorie de redresare a jonc-
p - 11, care are stratului de sarcina cu
mult mai dect lungimea de difuzie a electronilor a go-
lurilor, a fost n 1949 de V.Schockley. n lucrarea auto-
rilor S,T.Sah, R.N.Noice V.Schockley [11], n 1957, a
fost de
n regiunea stratului de asupra formei
caracteristicii curent-tensiune a p - 11. Dezvoltarea
precizarea acestor teorii, de factorii ce
asupra lucrului p - 11 (nivelul nalt de
al de centrelor
de asupra timpului de al de
tunelarea electronilor prin p - 11 etc.), au fost efectuate
de din diferite
n momentul de putem considera teoria p - 11
este logic Teoriile existente au o precizie destul de
descriu caracteristicile curent-tensiune ale
semiconductoare reale. consacrate
p - 11 Aceste sunt
legate de crearea p - 11 pe baza unor semiconductori
noi ce din punct de vedere practic, interesante
(de exemplu, un diapazon larg de temperaturi de lucru). n ultimii
ani un de sunt consacrate p - 11 pe baza
siliciului amorf, costul e mai mic dect al monocristalului
respectiv.
b


Fig. 2.18. Contacte ohmice cu
mica a ba-
rierei de (a)
cu un nivel nalt de
doparc (b).
Deci, n regiunea de tunelare contactului depinde
de <Il . Analiza expresiilor (2.69) (2.70)
ND/
2
pentru a mici Re se cere dopare a semicon-
ductorului n metalului, astfel curentul va trece prin
efect tunel, sau alegerea unui metal ca bariera de fie
ct mai (fig. 2.18).
a
. Ee
777"7tn7":l- -- - - --- EF
n realitate, diagrama de benzi
de energie a contactului dintre unii
semiconductori metale nu de-
pinde de natura metalului, ci este
de le de
ale semiconductorului, care for-
n general, bariere de po-
Din acest motiv, pentru cei
mai semiconductori este di-
ficil de realizat un contact ohmic
prin alegerea unui metal cu lucru
de potrivit. Calea cea mai
care se n mod
uzual pentru realizarea contactului
ohmic" este doparea fOaIte puter-
nica a semiconductorului n regiu-
nea din apropierea contactului, ob-
astfel structuri 11+ - 11
sau p + - P (fig. 2.18b). De exem-
plu, pentru realizarea contactelor
ohmice pe Si sau pe Ge de tip 11,
pe semiconductorului se depune un aliaj Au-Sb (cu 0,1 % Sb)
prin evaporare n vid apoi se n atmosfera de gaz inert
(argon) la temperatura
102 103
r
-d
p
O d
n
I I I
II : n
i
b
Fig. 3.1. p - n la echilibru:
a) semiconductoare de tip p n aflate
n contact intim:
b) diagrama benzilor energetice ale jon-
p - n la echilibru.
se ntinde sarcina se regiune de trecere, a carei
totala la echilibrul termodinamic este d =dn +dp (fig. 3. la).
sarcinii E
da unui _ c
"cmp electric & (fig. a i p i':1 j n t-<>
3.la) cu sensul de la ,- + 1
regiunea 11 spre regiu- - _+---'1'-- _
nea p, care se opune -d O d X
o. -: -. P n
deplasam In contmuare
prin difuzie a
rilor majoritari dintr-o
regiune n alta. Deci,
dupa ce un oare-
care de electroni go-
luri a trecut dintr-o re-
giune n alta, apare un
cmp electric intern m-
piedicnd n continuare
o trecere neta a purtato-
rilor. <;mpu-
lui electric' provoaca
unui
V
b
, numit de
difzlzie sau de
Cmpul electric intern formeaza un flux de electroni din regiunea p
n n un flux de goluri din regiunea n n p. Peste un timp oare-
care intensitatea cmpului electric intern atinge marime, ca flu-
xul datorat difuziei fiecarui tip de purtatori va fi exact egal opus
fluxului purtatori cmpului electric. Sistemul trece
n echilibru de difuzie V n
regilmea de sarcina ( - dp :::::: x :::::: d" ) exista un cmp electric;
puternic practic lipsesc liberi.
benzilor energetice ale p - n la echilibru
se poate con;rtrui, pornll1dC1ela'faptul nivelul Fermi trebuie
fie constant n toata structura (fig. 3.1 b). Din diagrama se
ca pentru trecerea electronului n banda de din semi-
conductorul de tip n n semiconductorul de tip p el trebuie sa
3.1. FORMAREA p-n.
DE DIFUZIE
p - n dintre un semiconductor de tip p
unul de tip n) poate fi realizata prin metodadif1,lziei
acceptoare ntr-un semiconductor de tip n, astfel nct n aceasta
regiune acceptorilor NASa tie mai mare dect concen-
donorilor ND' Ca n cazul contactului metal-semicon-
ductor, vom considera ca n regiunile neutre are loc ionizarea
completa: n
o
= ND; Po = N
A

n continuare se va cerceta ce se ntmpla cnd un semicon-
ductor de tip 11 unul de tip p sunt ntr-un contact intim.
plasarea a doua de semiconductor ntr-un contact intim
nu reprezinta o metoda practica de realizare a unei p - n,
aceasta schema se va utiliza pentru a ilustra procesele ce au loc la
formarea ei.
Un semiconductor de tip n este caracterizat n primul rnd de
faptul ca el o mare de electroni. Iar un semi-
conductor de tip p este caracterizat n primul rnd de faptul ca
o mare de goluri. Daca aceste doua de
semiconductori sunt plasate ntr-un contact intim (dupa cum se arata
n fig. 3.la), un flux de electroni unul de goluri vor curge ntr-o
astfel de nct sa uniformizeze gradientul nalt de con-
care exista ntre aceste doua regiuni.
Daca electronii golurile ar fi neutri, aceste fluxuri ax .. con-
tinua sa.c!1rga pna la momentul n care o uniforma a
ambelor specii de purtatori s-ar stabili n ntreaga structura,
nuta prin combinarea celor doi semiconductori de tip opus.
Deoarece electronii golurile poseda sarcina deoarece semi-
conductorul atomi de impuritate este cu
totul diferita. Datorita proceselor de difuzie, pe o anumita
din imediata vecinatate a de de o parte de alta
a ei, de neutralitate electrica nu mai este satisfacuta: n
, regiunea p apare o sarcina forn1ata n principal din
ioni acceptori imobili, iar n regiunea n apare o sarcina
formata n principal din ionii donori imobili. pe care
104
105
(!
unde n este intrinseca.
_.J
Din (3.1) - (3.4)
<Pc =kTln[Fil"J. (3.5)
11;
La ncalzirea p -11 pna la temperatura conduc-
intrinsece a semiconductorului p p = 11
1l
= 11; <De = 0,
ceea ce ca p - 11 dispare. Deci, temperatura
conductibilitatii intrinsece este cea mai mare temperatura pna la
care p - 11
nvinga o bariera de a carei <D e este egala cu
_ qV
b
O astfel trebuie sa nvinga golurile la trecerea
din semiconductorul dc tip p n semiconductorul de tip n.
De exemplu, barierei de pentru
p _ n din Ce este 0,7 eV, din Si 1,0 eV,
Cunoscnd purtatorilor de sarcma maJontan n
regiunile n p (n" =ND' Pp =N
4
), barierc:i de
poate fi determinata folosind expresia:
<De =(Ee -EF)p -(Ee -EFt, (3.1)
unde (Ee - E
F
)P,1l - dintre marginea benzii de
nivelul Fenni n semiconductorul de tip p n (fig.
3.1 b). Presupunem ca ambelc regiuni ale p - n
numai adnci, fiind as.tfel toate Pentru
trece n (3.1) la purtatonlor de sarcma, vom folosI
urmatoarele expresii:
n =N exp [- - E 0"6 (3.2)
"C f,T \ ?'
( A) 'O
/
P, N, exp[ kt')+ -E:j,-lO'] (3.3)
tl'
II;

11
2
=N N exp ..J
l e v kT '
-
...
(3.4)
Deoarece temperatura de trecere a semiconductorului la con-
ductibilitatea intrinseca E
g
la constanta a impu-
temperatura de lucru maximala a p - 11 din
CaAs e mai mare dect a celor din Ce sau Si.
3.2. DISTRIBUTIA POTENTIALULUI iN
. .
P -1Z
REGIUNII DE
energiei a electronului eD de coordonata
x, prin unnare, a se determina rezolvnd
lui Poisson (2.12). Densitatea de sarcina p(x) este deter-
minata de ionizate n regiunea de sarcina
Sa cercetam doua cazuri extreme.
p-n
ntr-o p -11 abrupta acceptorilor este
egala cu N
A
pentru x < cu zero pentru x> (fig. 3.2a).
impuri donoare este Nj) pentru x > zero
pentru x<O .
Pentru a calcula caracteristicile regiunii de sarcina
formate n apropierea se presupune ca ea consta n to-
talitate din sarcina de acceptori donori Aceasta pre-
supunere este echivalenta cu ca cea mai mare parte a
regiunii de sarcina este complet golita de purtatori sau, cu
alte cuvinte, de purtatori liberi este neglijabil de mica
n cu de n aproape toata re-
giunea de sarcina
Aceasta presupunere este cunoscuta sub de aproxi-
de golire.
n acest caz densitatea de sarcina p(x) n regiunea peste
p(x) =-qNA' iarin regiunea 11 p(x)= qND (fig. 3.2b).
106
107
(3.9)
(3.10)
(3.11)
(3.12)
(3.14)
(3.15)
(3.16)
=O.
la O< x:S: d
n
[; (x) = d <D n
n . q dx
C' (.x) = d <D p
& la d :S: x < O.
p q dx P
Folosind (3.9) (3.13),
[;,,(x) = - qN
D
(d
n
- x)
a:
o
Pentru regiunea p avem:
Deci,
la x =-d va fi:
p
()
_ d<Dp
<D
p
-d
p
-<De' --
dx d
p
(3.10) este de forma:
<D +xJ+C(d +x)+D.
p 2[;[: p P
o
Din la (3.11) C =O, iar D =<D c . deci:
<D (x) = <D c - g2J\TA (d +xJ. (3.13)
P 2[;[: p
o
Expresiile (3.9) (3.13) la trecerea de la punctul
x =-dp la punctul x =d
n
energia a electronului se
legea
Intensitatea cmpului electric n regiunea de trecere este deter-
de expresiile:
Din la (3.7) constantele de integ-
rare A =O B =O.
(3.6)
(3.7)
(3.8)
o< x:S: d
n

Fig. 3.2.
(a), a sarcinii (b) a inten-
cmpului electric (c)
pentm o la
d
2
rh 2 V
'V q j D
=
dx
2
Na)Nd.
M
<D(dJ= O, d<DI =o.
dx
"
(3.6) este de forma:
Aceasta se va rezolva cu urmatoarea la limita,
x =d
n
,
Vom rezolva Poisson separat pe regIUnI. Pentru
regmnea n avem:
108 109
(3.18)
&p(x)=_qN
A
(dp+x). (3.17)
&&a
cont ca & n regiunea P ITI regiunea n este una
atunci vectorul cmpului electric trebuie sa fie
continuu la trecerea dintr-o regiune n alta (fig. 3.2c). Din
de continuitate a energiei <P (x) la trecerea din regiunea p n re-
giunea n rezulta ca <P p (O) =<P n (O) folosind (3.9)
(3.13), deducem:
2
<P =9 - N d 2 +N d 2
c 2&E; d nAp'
a
Iar din de continuitate a empului E rezulta:
d
p
N
D
N
d
d
n
=N
A
d
p
sau- = (3.19)
d
n
N
A
'
adica largimea stratului de sarcina este invers a
cu e mai mare n acea regiune a p - n ,
unde e mai mica.
Avnd n vedere ca largimea totala a stratului de sarcina
d =dn + dp, din (3.19)
d" d -[ (320)
dp (321)
La conectarea unei surse de curent exterioare la
p - n n fel ca n regiunea n sa fie un Eegativ, iar n ,-
regiunea p - pozitiv, de va deveni
<P c - qV (fig. 3.3a). Pentru o polarizare inversa barierei
de se va va deveni <Pc +qV (fig.3.3b).
CA: - V
ni' I Ee
-'-'-'-'"ll'!:-+
E
, EFo -:// II ':.... sY_._._
Fp -. r {-- - 1"
P
-E
v
'1 I n
I I I
b
p
-cip O d
n
X
Fig. 3.3. Diagrama de benzi energetice ale p - n :
a) polarizarea directa, b) polarizarea inversa,
nlocuind n (3.18) pe d
n
d
p
cu expresiile sale din (3.20)
(3.21),
Prin urmare, la conectarea unei surse de curent exterioare
mea stratului de devine "'-
(3.24)
(3.25)
1./
d(V) = J\'A)(1/h y)] 2
qNDN
A
Deci, ntr-o p - n abrupta
(3.22)
(3.23)
110
III
3.2.2. P - n
[; =_(qN
A
Jd =_(qNDJd
max P 11
&&0 &&0
(3.35)
Integrnd (2.12), avnd n vedere (3.27)
a doua din (3.28),
[x' J. (330)
Intensitatea cmpului electric
d<D =_ qa
c
(3.31)
q dx 2&&0 4
Se n cazul gradate, intensitatea cm-
pului cu (fig. 3.4c). Integrnd (3.30)
seama de prima egalitate din (3.29),
<1>(xH'c - tff<J (3.32)
Folosind prima egalitate din (3.28),
3.3. CAPACITATEA p-n
2
<De = el
3
. (3.33)
12&&0
Din ultima se expresia regiunii de trecere:
11
d r (3.34)
deci d este cubice din <De' Aplicnd o ten-
siune V , regiunii de trecere devine:
1
'
(3.28) =0
dx
2
E
--------.---_ _ ._..s__
O J:
-U/2
o
Q
b
c
n apropierea
de o (fig.
3.4a), se n acest caz legea de
a este:
NA-ND=acx, (3.26)
d
dN . .
un e ac = gradIentul
dx
lor. Consi-
dernd modelul de regiune
densitatea sarcinii n re-
giunea de trecere (fig. 3.4b) este:
p(x)=qacx. (3.27)
Dat fiind ac este constant,
sarcina se ntinde n mod
1
, b l " d
ega m am ee regIUnI, d
n
=d
p
= .
2
la pentru
Poisson vor fi:
Din expresiile (3.16), (3.24) la conectarea
p - n la o de exterior cmpu-
lui electric n regiunea de nu se se
sau se d
n
, d
p
intensitatea a cmpului
Fig. 3.4. p -II gradata:
a) impurita-
b) sarcina
c) intensi ta i
cmpului.

cD(- =0.(3.29)
2
regiunii de trecere n de tensiunea
produce sarcinii totale a ionizate n
regiunile n paie Capacitatea de a
112 113
(3.38)
abrupta,
(3.45)
(3.44)
(3.43)
3.4. POLARIZAREA P - n .
DIODEI IDEALE
Prin urmare, C;2 = f (V) reprezinta o dreapta, tan-
genta unghiului de nclinare al careia este:
=_
dV S2
qsso
NAN
o
Daca avem o puternic asimetrica N
4
N o' atunci
dupa tangenta unghiului de nclinare se poate determina concen-
donoare ND'
Pentru gradata:
-3 l2(V
h
V)
C
h
=--3----( ------)2
S qa
c
sSo
deci C;3 =f (V) reprezinta o dreapta cu tangenta
unghiului de nclinare
12
dV S3
qac
(ssoY .
Din expresia (3.45) se poate determina gradientul ac'
n ambele cazuri la polarizari directe negativ n
regiunea 17) segmentul dreptei ce reprezinta C;2 sau
C;3 de V ntretaie axa tensiunii n punctul V =V
h
' Folosind acest
fapt, din C
h
= f (V) poate fi determinat de
difuzie al p - 17. Din expresiile (3.42) (3.44) rezulta
posibilitatea de a determina (abrupta sau gradata).
p - 17 constituie elementul de baza al diodei semi-
conductoare - dispozitiv electronic cu doua terminale. Proprietatea
fundamentala a diodei este aceea ca valoarea elec-
trice depinde de sensul tensiunii aplicate: n cazul polarizarii direc-
te, conductivitatea are valori ridicate; n cazul invers conductivi-
tatea este foarte mica.
regiunii de trecere se ca raportul sarcinii
ionilor acceptori QA sau donori Qo tenslUnll aplIcate V :
C = dQA_(V) = 4{2o(Yl. (3.36)
h dV dV
Sarcina din regiunea de trecere este:
QA (V) = SqNAdp (V) = Qo (V), (3.37)
unde S este aria totala a
cont de expresia lui d pentru o
ultima se poate scrie sub fonna:
]/
Q, (V) S-[ !!2]' ,
Prin urmare, capacitatea de bariera are expresia:
C, S -[ vr (3.39)
n cazul p - 17 linear gradate, cont de
expresia (3.27), pentru sarcina
d2 Sqa
c
d
2
(V)
QA (V)= Qo (V)= Sqa
c
Jxdx =---8----- (3.40)

iar capacitatea de bariera n acest caz:

c, (3.41)
E de dovedit ca pentru ambele
Sa;
Ch (V) = d(T/o)
Din expresiile (3.39) (3.41) se observa. ca.. de ba-
riera depinde de marimea polaritatea aplIcate. In cazul
abrupte din expresia (3.39)
C-2 = (3.42)
h S2
qsso
NANo
114
115
i
Daca se aplica pe regiunea n o tensiune V negativa de
regiunea p, totala de pe scade cu va-
loarea qV . Deci:

=<De -qV . (3.46)

Ca urmare, bariera pentm purtatorii majoritari se
, (fig. 3.3a). Astfel, electronii din regiunea n vor trece
n p, iar golurile vor trece n sens invers. Prin
trece un curent direct format din purtatori majoritari. Procesul de
trecere a purtatorilor majoritari prin p - n sub
tensiunii exterioare poarta numirea de
purtatorilor de sarcina variaza n fun-
de tensiunea aplicata. Din (3.5) de difuzie este
detenninat de expresia:
iar la limitele regiunii de trecere aceste devin:
P. (d. h ,,, ex{q[1i P." exp (li) (352)
n, ex
p
(- ex{;iJ (3.53)
Deci, de purtatori minoritari la marginile respec-
tive ale regiunii de sarcina este marita cu un factor expo-
exp (ii) .
Pna la purtatorilor de minoritan
(de exemplu, golurilor n regiunea n) regiunile respective erau
neutre, suma sarcinilor pozitive negative n fiecare volum
elementar fiind egala cu zero. Golurile injectate din regiunea p n
n reprezinta o sarcina de volum sarcina
tere la un cmp electric, care atrage catre goluri electronii, sarcina
negativa a carora sarcina pozitiva a golurilor. O
deplasare a electronilor fonneaza o lipsa a lor n regiunile din care
au plecat. Pentm a restabili neutralitatea electrica a semiconduc-
torului, din contactul ohmic al regiunii n trebuie sa intre un surplus
de electroni.
Lund n considerare ca sarcina electronului a golului sunt
egale, atunci numarul de electroni ce au intrat din contactul ohmic
este egal cu numarul de goluri injectate, care, la rndul sau, este
determinat de expresia (3.52). Astfel, odata cu injectarea unui
surplus de goluri - minoritari n regiunea n - apare
numar de electroni - purtatori majoritari n aceasta regiune.
unii, sunt purtatori de sarcina de neechilibru, fiindca
formeaza un surplus de sarcini de starea echilibmlui
tennodinamic. Electroneutralitatea regiunii n se va restabili ntr-un I
interval de timp 8, numit timpul de relaxare Maxwell, care are
marime de ordinul 8 [s], iar p[Ocm].
diodei ideale Shockley) exprima
dintre curentul care prin dioda tensiunea n cazul
n care se fac unnatoarele ipoteze simplificatoare: 1)
este abrupta ideala; 2) tensiunea aplicata se n principal
(3.48)
(
qV
h
)
p nO =PpO exp - ki-
n
po
=n
llo
exp ( - 9f;). (3.49)
Indicele "O" a fost introdus pentru a arata ca respective se
refera la echilibrul tennodinamic.
Avnd n vedere ca la polarizarea directa bariera de
devine q (V
h
- V), (3.48) (3.49) se generalizeaza
P. (x) P,0 ex+ (3.50)
", (x) "." exp ( - '1 [v"if(x)ll (3.51)
V
h
= kT (3.47)
q ni

cont de n
2
=n p =p n , din expresia (3.47) se
1 n n p p
pot deduce purtatorilor minoritari de.o parte alta
ale n imediata vecinatate a de la
echilibru:
. .
116
117
Fig. 3.5. Polarizarea directa a diodei: a) volumul elementar n regiunea 11
a p - 11 ; b) modelul benzilor energetice; c) cu-
minoritari cu d) variatia curenti lor
minoritari majoritari cu ' ,
la bornele regiunii de trecere, prin urmare, n afara acestei regiuni
intensitatea cmpului este foarte 3) regiunii de tre-
cere este foarte n raport cu lungimile de difuzie ale
torilor, astfel n regiune pot fi neglijate procesele de
generare - recombinare; 4) se niveluri mici de
ntr-o regiune minoritari n
exces este mult mai dect majoritari;
5) regiunilor p n sunt mult mai mari dect lungimile
de difuzie L
n
, Lp' astfel nct minoritari n exces se
total nainte de a ajunge la contactele ohmice.
n regim continuu n orice a diodei, curentul
este constant suma de ma-
joritari cei minoritari. Deoarece densitatea de curent n semi-
conductor este cu suma curentului de difuzie de drift, atunci,
referindu-ne la regiunea n, pentru cazul unidimensional avem:
. "";O-._.' .
=q (,llnnn&x + D
n
J (3.54)
}p;(x)=q(,llpPn&x-Dp ;,} (3.55)
D fi
d 4" d' I dn
at un nn este loarte mare, Iar gra lentu - n este mic,
dx
va fi componenta de drift a curentului de
majoritari Jn , cu toate {; este mic; avnd n vedere
n
P" nn la directe, n apropierea limitei x =d
n
,
d
1 dp 1 . l' . d' fi
gra lentu ."- are va on re atlv man, pre va 1 com-
d.;'(
ponenta de difuzie a curentului de purtatori minoritari n exces JPn'
Pentru vor fi componenta de drift a
lui J
pp
cea de difuzie a lui Jn
p
.
Deoarece s-a presupus regiunea de trecere este foarte
neglijndu-se procesele de recombinare, curentul datorat unui tip de
constant n limitele acestei regiuni (fig. 3.5d) se
pot scrie
118
Jn
n
(dJ= Jn
p
(-d
p
)
J
pp
(-dp)= J
pn
(dJ
Ee
Q -+-
U
- -<>
p ;- +: n
1- + I
1- + I
119
(3.56)
(3.57)
Rezulta ca pentru calculul curentului total este suficient sa se
determine componentele de difuzie ale de purtatori mino-
ritari n exces:
(3.62)
. =' (d) +' (- d )
} .JPn Il } tip p'
(3.58)
1
I
n regim la tensiune constanta aplicata la
goluri lor n volumul elementar nu variaza cu timpul:
apn().') =O
at
(3.61)
(3.60)
j j pot fi daca se va dependen-
Pn n
p
de coordonata a purtatorilor de sarcina
Sa cercetam un volum elementar din regiunea n situat n apro-
pierea regiunii de trecere (vezi fig. 3.5a).
Principalii factori ce conduc la modificarea purta-
torilor minoritari - goluri lor - n volumul cercetat sunt:
1) generarea recombinarea perechilor gol-electron;
2) difuzia n urma gradientului de
3) driftul n cmpul electric;
4) purtatorilor de sarcina n cmpul magnetic;
5) termica a purtatorilor de sarcina din cauza gradi
en
-
tului de temperatura.
Presupunem ca nu exista nici gradient de temperatura, nici cmp
magnetic. Lund n ca cercetam cazul cnd nivelul de
este mic, atunci cmpul electric n regiunea n este destul de
mic. Ca rezultat, modificarea golurilor are loc numai n
urma proceselor de generare-recombinare de difuzie.
a goluri lor n volumul ele-
mentar n urma proceselor de generare de recombinare este egala
cu raportul schimbarii golurilor catre timpul de
(x) (generare-recombinare) = (x), (3.59)
ot T
p
unde la polarizari directe P(x) este mai mare dect PIIO'
Expresia vitezei schimbarii golurilor n urma di-
fuziei se determina de legea a doua a lui Fick: Il ._ 1
aPn(x) (difuzia) = D a
2
PII(X)
at P ax
2
Unind expresiile (3.59) (3.60),
(x) = +D a
2
PIl(X)
at T Pa\:2'
P .
120
(3.61) devine:
Fiindca lungimea de L
p
=(D
p
TJ
1
2, rezulta:
c!)!_n (;\:) =O
dx
2
L
2

P
acestei este de forma:
P
n
(x)- Pno =A exp (k,x)+ B 'exp (-k
2
x),
I
unde k
u
=i
2
- - radacina caracteristice
P
k
2
- 1
0
=O.
D
p
Constantele de integrare se determina din la limita
Iim P
n
(x)= PnO
x-----too
pJdJ=PnO exp(ii}
Din prima (3.66) rezulta B = O. Din a doua:
Rezulta:
( .) - - [ ( qV)] (d
ll
- xJ
Pn X Pno - PIlO eXP
kT
-1 'exp \-i
p
la dIl - X ::; O.
121
(3.63)
'" ,
(3.64)
(3.65)
(3.66)
(3.67)
(3.68)
unde
se ia n ntreaga arie a avem:
reprezinta curentul de format de purtatorii minoritari.
La polarizari inverse are loc marirea barierei energetice pentru
purtatorii majoritari (fig. 3.3b), valoarea barierei devenind
cI>T =cI> c +q V . Purtatorii majoritari nu mai pot trece n regiunile
opuse; n schimb, purtatorii minoritari din apropierea limitelor regi-
unii de trecere vor traversa aceasta regiune sub cmpului
electric dnd unui curent invers.
L 1
.. kT ,
a po anzarea mversa pentru tenSIUnI V 2,3 n expresIa
q
(3.75) se poate neglija exp urmeaza:
j "" -( +'1
D
f'OJ -j, . (3 78)
Curentul invers 1 =S . j' are valori mici n
l1lV. s
facute, nu depinde de tensiunea facnd
kT
V < 2,3--
q
curentului direct de temperatura poate fi determi-
nata cont ca PnO Il 1'0 pot fi exprimate n de n}
. n
2
n
2
( E J
nil' respectIv P1': PnO =-' , n1'0 =_.' n
i
2
= Ne?' exp - .
nn P
p
(3.77)
(3.79)
Deci, din (3.75) avem:
). =B T
3
exp (- Eg-J.[exp(qV)-l]
du. o kT kT'
Pentru elect!:onii n exces din regiunea P se o expresie
similara lip (x) -Il"o Il pO [ex
p
( {n-1] exp (dpi:X) (3.69)
la d +x
l' " "1 (3 68) (3 69)
Conlom1 expresJl or. ., . - - ti
minoritari se _ ce
de la marginea stratulm ?e sarcma . .
Componenta de difuzie a curentulUI datorat golunlor mmOn-
tare n exces din regiunea n este:
}pD(x)=-qDpdr' (3.70)
Lund n expresia (3.68),
. (_)_ qDpPno [ p(q.. (3.71)
j pD .\ - ---Z ex kT LI'
l'
Curentul de difuzie al electronilor minoritari n exces din regiunea
p are o expresie similara:
j.D qD{p
o
[e
xp
(1i)-IJex
p
(3.72)
de difuzie cu pentru o
P _ n idealizata este reprezentata n 3.5d. _ .. '.
La limitele regiunii de trecere, ultImele doua devm.
QD{;.o [exp (1i)-IJ (3.73)
}IlD (- d1')= [ex
p
(1i) -,] (3.74)
Il
Prin urmare, se densitatea curentului total:
j q ([);";'O + j, (375)
definita diodei ideale Shockley).
122
123
T
124
3.5. DE RECOMBINARE DE
GENERARE p-JZ
(modelul Sah -NoYCC-Shockley )
unde B
o
este o constanta ce nu depinde de temperatura. Din (3.78)
kT
densitatea curentului la polarizari directe V < 2,3 va fi:
q
125
ce aduce la abaterea caracteristicilor de la ideal este generarea -
recombinarea de sarcina n regiunea de
ntr-o regiune invers polarizata, pentru tensiuni inverse
V , de purtatori este mult redusa sub valoarea
q
de echilibru, deoarece cmpul electric (care este crescut peste
valoarea sa de echilibru prin tensiunea inversa mpinge
din zona golita, golurile - spre regiunea p, iar
electronii - spre regiunea n .
Din cauza de din toate proce-
sele de recombinare-generare care au loc prin centre cu niveluri
energetice intermediare ramn importante numai procesele de
emisie. Procesele de captare nu sunt importante, deoarece viteza lor
este cu de liberi care este foarte
ntr-o regiune invers.
Generarea purtatorilor liberi n regiunea de sarcina la
polarizari inverse, aduce la un surplus de curent, care cUrentul
de saturatie prezis de diodei ideale.
La polarizari directe barierei de se
reaza, numarul de electroni goluri ce trec prin regiunea de sarcina
se n fenomenele de recombinare-generare pre-
domina procesele de captare. Aceste procese formeaza un curent de
recombinare, care se adauga la curentul de difuzie dat de
Shockley (3.75).
Pentru determinarea vitezei de generare-recombinare n regiunea
stratului de sarcina vom folosi teoria Shockley-Hall-Read.
Conform acestei teorii, viteza de recombinare-generare
U
dn dp 1" . 1 .
=- =- ---, care are oc pnn unor lllve un ener-
g-r dt dt
getice intermediare - centre de recombinare-generare, este data de
expresia:
(pn-nn
U = -------- -
g-r ( E - E J ( E - E J' (3.83)
(Jp p+n
i
exp i
kT
t
+0;1 n+n
i
exp t
ki
i
unde: (Jn' (Jp de captare a electroni lor a golurilor de
centrele de captare; 9
th
- viteza termica a aproxi-
(3.80)
;
'. = BT
3
exp [_t:
g
--
q
VJ
. dlr. o kT
Ecuatia Shockley descrie satisfacator caracteristica curent-ten-
siune a p - n din gelmaniu la de mici.
nsa pentru p -- n din Si GaAs aceasta are
numai un acord calitativ cu caracteristicile reale. O cauza principala
ln(} . . T-
3
)=lnB - 9.V (3.81)
dlr. o kT
Din (3.80) urmeaza ca In Udir. . T-
3
)= la
tensiuni V fixate este descrisa de unei drepte cu tangenta
unghiului de nclinare (E
g
:= qV) din care poate fi deternlinata
k
largimea benzii interzise.
kT
Pentru curentul invers la V 2,3 avem:
q
3 l/ E
g
(3.82)
}inv =BoT exp -- kT)'
de unde constatam ca cea mai puternica a temperaturii
asupra cureutului invers are loc prin cxp [ - J.

(3.85)
(3.84)
(3.88)
nivelul de energie a centrului este foarte apropiat de marginea benzii
de va fi mult mai probabil ca electronul capturat fie
reemis n banda de mpiedicndu-se astfel completarea
procesului de recombinare. similare se pot face pentru
centrele plasate lnga marginea benzii de Rezulta ca un
centru de recombinare are eficacitate maxima, daca cele pro-
de emisie sunt aproximativ egale, fapt ce se cnd
nivelul de recombinare este apropiat de mijlocul benzii interzise.
Deci, n expresia (3.85) numitorul va capata o valoare minima cnd
E
t
=Ei' U n acest caz avnd o valoare maximala pentru centrele
de recombinare situate aproape de mijlocul benzii interzise.
La polarizari directe, lund n expresiile (3.52) (3.53),
produsul de electroni goluri n toata regiunea de sarcina
este dat de expresia:
pn =n} exp (3.86)
Pentru E =E ch [(Ei_-=f}t)] =1
t l' kT
viteza de recombinare este:
n} (ex
p
ii-1)
U =------ .- (3.87)
r Ta . [p +n +2nJ .
ca pentru o polarizare directa V, U are
valoarea sa n acel loc din regiunea de sarcina a,
unde suma de electroni goluri (p +n) atinge o
valoare minima. Deoarece produsul acestor doua este
constant, d (p +n) =O conduce la
dp = -dn = E'I dp
p2
sau p =n . (3.89)
Aceasta se realizeaza n acel loc din regiunea de sarcina
unde nivelul Fermi intrinsec este la jumatatea dintre
cvasinivelurile Fermi pentru electroni EF Il pentru goluri EF p
0Jn-n
i
2
)
U,-, T"" (p +n, cxp E';jE;f"o(n+-n, .
(3.84) arata Ug-r este deci, are loc
recombinarea, daca produsul pn > n}. Semnul se are
loc generarea, pn < n; . pn - n
i
2
reprezinta o
de restabilire pentru liberi n de
neechilibru.
Pentru a pune n principalele caracteristici ale acestei
cxtrem de importante, se va considera un caz special n care
de captare pentru electroni goluri sunt egale,
CY
n
=CYp =CY
o
' n acest caz se poate determina Ta =(CYOBthNJ-l
3.84 se reduce la:
mati v egala cu 10
7
cm/<; la temperatura camerei; N
t
-
de ccntre din regiunca stratului de sarcina E
t
- nivelul
energetic al centrelor.
Avnd n vedere ca timpul de al electronilor
T
ilo
=(CY,/)thNJ-l , iar al golurilor T
po
=(CYpBthNIYl , din (3.83)

Aportul nivelului de energie a centrului de recombinare n
lui Ug-r se n al treilea tennen de la numitor. Acest
termen pe ce E
t
se de mijlocul Ei al
benzii interzise se apropie fie de marginea benzii de fie
de marginea benzii de ntr-un astfel de caz unul din
procesele de emisie are o probabilitate din ce n ce mai mare, ceea ce
reduce eficacitatea centrelor de recombinare. Aceasta se
deoarece, pentru a se realiza procesul de recombinare ce un
electron a fost captat de un centru, trebuie capturat un gol.
126
127
deci,
!_dijll = 'exp qV (3.96)
I
r
NAd 2kT
Acest raport depinde de tensiunea aplicata, de temperatura
de largimea benzii interzise a materialului prin ni' Pentru siliciu,
la temperatura camerei la tensiuni directe mici, este n general
dominanta componenta de recombinare, iar la tensiuni directe, mai
mari cu aproximativ 0,4 - 0,5 V, este dominanta n general
componenta de difuzie.
Ambele componente ale curentului pot fi observate n alte
materiale, de la o caracteristica la alta depinznd de
temperatura de banda interzisa a materialului. Acest fapt este
elucidat n fig. 3.6, unde se arata ca curentul direct al unor diode
din germaniu, siliciu arseniura de galiu este determinat de
tensiunea directa la temperatura camerei. Componenta de curent de
recombinare se poate deosebi de componenta de curent de difuzie
prin diferita de tensiune, care corespunde unor pante de
_3_ respectiv
q
-, ntr-o astfel de reprezentare semilogaritmica.
2kT kT
Aceste pante sunt reprezentate prin linii ntrerupte.
O reprezentare a caracteristicii directe curent-
tensiune este de expresia:
1101 exp (3.97)
Curentul total la polarizari directe este egal cu suma curentului
de difuzie (expresia 3.76) a curentului de recombinare (expresia
3 4)
. . kT
.9 pentru PnO n
po
' pentru V --:
q
1
l w, qS exp'fi + exp ;&. (3.95)
Este interesant sa se compare valorile componentelor de difu-
zie recombinare ale curentului. Folosind componente de difuzie
de electroni ai curentului, raportul celor doua componente la
kT
V >> - - este dat de
q
(3.90)
(3.91)
(3.92)
(3.93)
d
ll
I
r
=qS JUdx,
-d
p
ni ( qV )
U =. exp ..... -1 .
r.max 2< 2kT
o
Dupa modificare
n acest caz de purtatori este data de expresia
Il =P =ni . exp (Ili )
Curentul de recombinare I
r
, care ia n urma proceselor
de recombinare n regiunea stratului de sarcina este
determinat de integrala de la viteza de recombinare pe stratul de
sarcina
unde S - aria transversal a a p - Il. nlocuind expresia
care exprima viteza de recombinare U lund U =U n toata
r max
regiunea de sarcina se curentul de recombinare:
II' = qS f -.!l (exp qV - 1) dx = qn
i
Sd (ex
p
qV -1). (3.94)
-d
p
2<0 2kT 2<0 2kT
Deoarece U scade cu de punctul
unde are valoare maxima, o mai buna s-ar fo-
losind nu toata largimea stratului de sarcina d , dar numai o parte,
d [ 'i -V)l ce reprezinta largimea stratului n care are loc
recombinarea efectiva a electronilor golurilor.
128
129
Fig. 3.6. Caracteristicile directe diode din Ge,
Si GaAs la 25C. Lmnle punctate mdIca panteIe depen-
, (qV). (qV J
m exp- exp ----- .
kT 2kT
unde factorul empmc 111 =1 pentru curent numai de difuzie
111 =2 pentru curent numai de recombinare arata ca teoria
data mai sus este aplicabila. Cnd ambii sunt comparablh,
valoarea lui 111 va varia ntre 1 2 .
La polarizari inverse purtatorilor liberi n regiunea
stratului de sarcina se brusc p, n ni'
n acest caz numaratorul expresiei (3.85) tinde spre - n
i
2
deci,
aici U < O, ce indica ca predomina generarea purtatorilor de sarcina
liberi. Ca la polarizari directe, U are valoare maximala cnd
n = p din (3.85) se
(3.100)
(3.101)
(3.102)
n.
U = __1 (3.98)
g 2'0
Densitatea curentului determinat de generarea purtatorilor li-
beri n regiunea de sarcina a este:
19 =qS flUldx = qll
i
d. (3.99)
-d
p
2'0
Daca centrele sunt situate chiar n apropierea nivelului Fermi
intrinsec, 'o va fi practic independent de Atunci se
poate presupune ca de temperatura a componentei de
curent de generare este de de temperatura a lui ll
i
.
Componenta de curent de generare este dependenta de tensiunea
inversa - cu ct tensiunea este mai mare cu att largimea
stratului de sarcina d este mai mare. n regiunea golita
apar mai multe centre, iar curentul de generare este astfel propor-
cu d . Deci, ntr-o p - 11 abrupta
)
1/
1 +V
2
g h ,
iar ntr-o p - 11 gradata
1 +V))j
g h ,
Curentul invers total (pentru V reprezinta suma cu-
q
rentului de difuzie n regiunile neutre a curentului de generare n
regiunea de sarcina Raportul valorilor celor com-
ponente, pentru 'n = r p = ro' este dat de expresia:
=
19 NAd
Acest raport este evident cu intrinse-
ca a ni' Curentul de difuzie ncepe dominant
odata cu temperaturii. Raportul dintre valoarea curentului
de difuzie cea a curentului de generare este mai mare pentru
materialele cu interzisa mai mica, dect pentru cele cu banda
mal mare.
op 0,8 10 1,2
VF ,(v)
foa mA
f(J mA

fOoJ1A
1f1j1A
1.pA -
fUD 11A
10 flA
InA
o
130 ]3]
(3.105)
La fel C = q
I
I1 T
Dn kT n
C = dQp =(dQpJx(d.l
p
.
Dp dV d! p dV )
dQp
Lund n ca --=T din caracteristica
di p'
p
voltamperica p - n la polarizari directe (expresia 3.76)

qI
Atunci C =--p r .
Dp kT p
capacitatea de difuzie totala
dI 1 (qV \ 1
p - q sp k7 lj -q p
-----1 e - ---o
dV kT \ kT
de COp , CDn se numesc
de deoarece lor este legata de procesele
de difuzie a purtatorilor minoritari
Capacitatea de difuzie totala a p - n este deter-
minata de suma CD= CD" +CDp . Din expresia (3.103)
CD (1"," + 1 (J",," +J,,Tp)x [e.li' -1). (3.106)
Confom1 expresiei (3.106), capacitatea de difuzie a p - n
depinde, ca curentul direct, de tensiunea aplicata
Capacitatea de difuzie are urmatorul sens fizic. La polarizarea
directa a p - n are loc acumularea sarcinilor purtatorilor
Q" Qp' Stabilirea sarcinii se efectueaza n
decursul intervalului de timp egal cu timpul de viata T r iar
, n p'
capacitatea CD reflecta ineliitatea acestui proces. Adica gradientul
golurilor n regiunea n a electronilor n regiunea p nu
se va stabili pna cnd capacitatea de difuzie Cf) nu se va ncarca pna
la tensiunea aplicata. Deosebirea de difuzie Co de
capacitatea de bariera CB consta in aceea ca Cl) caracterizeaza
dQ" =Q"2 -Q"l =CD" dV
(3.104)

I I

1>
(t) !
1:
n
I
1
,
I
I
I
Q
I I
I I I
I I
I
I
I
I
I
P
n
1
n
p
I
X
-d
O
d
n
p
Fig.3. 7. sarcinii la polarizarea directa a p - Il .
3.6. CAPACITATE'A DE DIFUZIE
A P - n
La polarizari inverse capacitatea de bariera ( 3.3) aduce
aportul principal la formarea a p - n . n cazul
polarizarilor directe datorita (electronilor n regiunea p
a golurilor n regiunea n), are loc acumularea de purtatori mino-
ritari n imediata vecinatate a regiunii saracite. Purtatorii se
distribuie in regiunile neutre n p (expresiile 3.68
3.69).
purtatori formeaza sarcina Qpl a goluri lor n regiunea n
Q"l a electronilor in regiunea p (fig. 3.7). La majorarea
tensiunii aplicate de la pna la V
2
se
purtatorilor deci, sarcina acestor purtatori: de la
Qpl' Qnl pna la Qp2 Qn2' sarcinii purtatorilor
este direct cu tensiunii aplicate:
dQp =Qp2 -QPI =CopdV (3.103)
132
133
3.7. p-n
sarcinii, care este complet compensata de purtatorii majoritari n fiecare
punct al semiconductomlui. n condensatoml plan n regiunea
saracita, sarcinile de sens opus sunt, de asemenea, egale dupa marime,
dar ele sunt deplasate n una de alta.
(3.107)
(3.108)
T-T
P =.. L_ a
e R
th
conduce la ncalzirea p - 11 a regiunilor neutre ale diodei.
Puterea evacuata de p - 11 n rezultatul termo-
ei mai departe n mediul ambiant
este direct a cu dintre temperatura
( T
j
) temperatura ambianta (Ta) invers cu rezis-
termica mediu ambiant R
th
:
numaml de perechi gol-electron generate ca rezultat, se
curentul invers etc., procesul avnd un caracter cumulativ.
Temperatura poate ajunge rapid la valori care distrug stmctura
tehnologica a din aceasta cauza strapungerea termica se
strapullgere distructiva.
La polarizarea inversa a diodei aproape toata tensiunea V
R
.
cade pe p -11, prin care trece curentul 1R.' Puterea
disipata n prin efect Joule
tennica R
th
este un parametm intrinsec al diodei,
exprimnd capacitatea dispozitivului de a evacua puterea termica
de la regiunea golita a p - 11 la corpul diodei (capsula),
prin de aici spre mediul ambiant, prin Este
avantajos ca R
th
sa fie ct mai mica, poate fi cunoscuta din foaia
de catalog a dispozitivului.
Peste un careva interval de timp de la aplicarea tensiunii
inverse la dioda ntre caldura disipata cea evacuata se
echilibrul termic. deci, P
J
= Pe' sau:
o
1 I
I
/
v, v,
2
v,
3
La tensiuni inverse suficient de mari intensitatea cmpului
electric atinge valoarea critica, la care curentul invers destul
de rapid (fig. 3.8.). Acest proces prezinta strapungerea
p - 11 (sau a diodei). n de procesele fizice ce conduc la
strapungere sunt cunoscute trei mecanisme de strapungere:
(1) instabilitatea termica; (2) efectul tunel interbenzi (efectul
Zener); (3) multiplicarea n a purtatorilor minoritari.
Fig. 3.8. Mecanisme de strapungere a p -/1: 1 -
instabilitate termica; 2 efectul Zener;
3 -- multiplicarea n a minoritari
Daca temperatura T ar fi exprimata prin intensitatea curen-
}
tului invers, atunci, lund n ncalzirea de caldura
Joule, (3.109) ar descrie caracteristica 1 - V a diodei.
3.7.1.INSTABILITATEA
Strapungerea termica este determinata de tempera-
turii p - 11 la marirea energiei disipate prin trecerea unui
curent invers de intensitate 1R. Odata cu temperaturii se
T-T
V 1 =_L __ a
R R R
lh
(3.109)
134
135
fi
unde K
o
' ntr-un interval nu prea larg de temperaturi, este o

(3.112)
(3.113)
(3.114)
(3.115)
E
g
kT
2

j
E
T= .g
2k
a I K" [ exp (- E,
(
E J kT
2
Ko exp - k;j j
n (3.114) variabilele
IR dI Ti
f
-
R
=a fdT,
1 .
la R 7;,
sau
caractenstIca I - V va
tensiuni extremale n cazul cnd (3.112) sunt
reale diferite
De unde, temperatura p - 11 , ce tensiunea
a diodei:
inegalitate se pentru toate semiconduc-
toarele, utilizate pentru prepararea diodelor semiconductoare.
Pentru a aprecia asupra curentului invers al
diodei, introducem de factor termic al curentului invers (a),
analogic altor factori de acest fel:
1 dI R
a=---.
I
R
dT
Folosind expresia (3.110),
unde Ia - curentul invers al diodei la temperatura
La integrare am neglijat de temperatura a lui a
l-am scos de sub semnul integral ei. n acest caz rezultatul final va fi
(3.110)
(3.111)
2
E E
T- gy+ gT=O.
j k I k a
Neglijnd n (3.82) o de putere de
de pentru curentul invers
putem scrie:
Introducem (3.110) n (3.109)
V
R
= T
j
- Ta exp ( Eg J.
RthK
O
kT
j
Expresia dintre tensiunea la
temperatura p - 11. Expresiile (3.110) (3.111)
un sistem din al caracteristicii I - V inverse
a diodei, exprimate n prin parametrul Ti'
Forma a acestei este n fig. 3.8.
(curba 1). poate extremuri: maximum
minimum al tensiunii. ntre aceste se distinge o
de Posibilitatea
regiunii de se prin
aceea, cu puterii disipate temperatura,
prin urmare, se curentul puterea In fel n
apare care poate
conduce la termice a di feren-
negative.
extremurile I - V .
(3.111) expresia o cu zero.
sau
136
137
(3.119)
(3.118)
valabil numai pentru o de temperaturi T
j
- Ta .
Atunci, integrnd,
a(T
j
TJ= In sau exp [a (T
j
-7J]= ,
a a
de unde f
R
= Ia exp la (T
j
- TJJ. (3.116)
nlocuim expresia curentului invers, exprimat prin facto-
rul de a acestui curent (3.116) n echilibrului
termic (3.109), atunci:
T-T
V
R
= R
1h
Ia la (T
j
- TJ]' (3.117)
L
. dVR O . d . d't' .. d
a ----;;t = . eCI, 1 expre-
sia (3.117) efectund reduceri, 1- a (Ti - T
a
)= O; pentru
temperatura p - n la
T =T + 1
J a a
Pentru practice din Si Ge a;:::: 0,1 K-
1
; prin
urmare, la temperatura p - n este
mai mare ca temperatura cu aproximativ 10 K . Din cauza
neconsiderabile a p - n la nceputul
factorul a poate fi considerat constant poate fi scos
de sub semnul integralei. la dezvoltarea
tennice, cu de mai departe a curentului invers, temperatura
p - n poate la topirea materialului semi-
conductor.
Utiliznd expresia pentru temperatura de a jonc-
p - n pentru tensiunea de
V= 1
t 2,72 a R
rh
Ia
Prin urmare, tensiunea de strapungere la instabilitatea
se de curentul invers, factorul de temperatura a curen-
138
1
tului invers termica. O deosebita trebuie atrasa
la puternica a tensiunii de strapungere de temperatura
ambianta. cu temperaturii ambiante tensiunea de
strapungere, n conformitate cu (3.119) (3.110), se
Aceasta are loc, n primul rnd, n rezultatul
puterii disipate la tensiuni inverse n al doilea rnd, n
urma evacuarii de la p - 11
Deoarece tensiunea de strapungere la termica depinde
de curentul invers al diodei la temperatura ambianta, aceasta
un rol important n cazul fabricate
din semiconductoare cu E
g
mic (Ge, InSb).
3.7.2. PRIN MULTIPLICARE
N
Pentru o tensiune inversa V
R
p - n (vezi
Cap. 3.2), cmpul maxim este:
[
li 1 '
e
max
= 2q (Vb+V
R
)] 2 NAN
D
V
R
]Y2, (3.120)
C A + D C N
A
+ N
D
deoarece V
b
V
R
pentru polarizari mari. ca e
max

att cu V
R
, ct cu ND tensiunea inversa V
R
,
e
max
purtatorii minoritari care traverseaza regiunea golita
ntre ciocniri succesive cu energii tot mai mari.
Pentru o valoare a cmpului, semiconductorului gradului
de dopare, numita cmp de strdpungere e8' minoritari pe
durata parcursului liber mediu acumuleaza energii suficiente (cel
egale cu Eg ) pentru a genera noi perechi electron-gol prin ionizare de
impact (ciocniri cu atomii din purtatorii astfel
pot produce noi rezultnd o multiplicare n
a minoritari o rapida a curentului invers (fig.
3.8,curba3).PentruSi e
8
;::::30VI,llmla N
A
, N
D
E/(l015, 1016
cm
3)
odata cu impmi la 100 VI,ll111 la
N N
-1018 3
A' D = cm.
139
unde V
R
este tensiunea iar exponentul
m are o valoare ntre 3 6.
Pentru determinarea dintre parametrul ce
procesul fizic, - rata de ionizare - parametrul ce
p - n la ionizarea de impact, - factorul de
multiplicare n - vom utiliza de continuitate.
de continuitate principiul sarcinii n
cnd sunt prezente toate cele trei procese fundamentale:
generarea, recombinarea deplasarea spa a
cum a fost anterior forma general a de
continuitate pentru semiconductor este:
(3.124)
+
E
cF
- n
l dJl'
--=G
q dx 1"
x
d
X
la cercetarea procesului de impact
(
on O op oJ d)" b' .
- = ;-= e neg IJat recom marea In p - n la
ot ot
tensiuni inverse ridicate (R
n
= O, R
p
=O), atunci de
continuitate pentru cazul uni dimensional iau fonna:
Gn Gp fiind determinate de procesele de generare sub
cmpului electric.
Pentru a exprima G
n
, Gl' prin ratele de ionizare an' al"
procesele de multiplicare ntr-o p - n polari-
invers (fig. 3.9.).
Regiunea
saracita
Ec--r---k::"""------- -
E
(3.122)
(3,121)
on GRI d'--:
-= - +- lV
7
ot n n q J n
Tensiunea cmpului [;B repre-
tensiunea de V
B
(breakdown voltage) (fig. 3.8).
Procesele de multiplicare n pot fi descrise cu ajutorul
ratelor de ionizare an' a factorilor de multiplicare M
n
MI" Rata
an perechi electron-gol generate n unitate de
timp, pe unitate de lungime n regiunea n mod similar se
rata a . Ratele de ionizare sunt puternic dependente de
cmp. Factorii de l' multiplicare M" pentru curentul de electroni
MI' - pentru curentul de goluri de cte ori se curentul
electronic, respectiv de goluri n urma de impact. Factorul de
multiplicare M este dat de experimental:
M
(3.123)
op GRI d'--:
-= - +- lV}
ot l' l' q l'
unde: G
n
, G
p
sunt ratele de generare pentru electroni, respectiv pentru
goluri de n unitate de timp
pe unitate de volum; R
n
, R
p
- ratele de recombinare pentru electroni,
respectiv pentru goluri reprezint de
n unitate de timp pe unitate de volum,
Fig. 3.9. Mecanismul de multiplicare n la p - n
polarizata invers.
prin l"s 1ps la limitele regiunii
parcurgerea regiunii te, n
devin II' (d) = M1'1ps' In (O) = M"Ins' prin
1
cu aria de I cm
2
ntr-o trec -L goluri, atunci pe
q
140
141
dx fiecare gol genereaza a pdx perechi electron-gol
numarul lor total va fi:
Pentru a rezolva (3.126) (3.127), determinam con-
la limita presupunem ca a
p
= an = a (ce are loc pentru
GaAs. GaP).
1
---.!!..-a dx.
q p
n mod analog, numarul total de perechi generate de electroni n
este:

q
Numarul total de perechi electron-gol, generate n unitate de
timp pe dx:
(]; ap + a.) dx
Aceasta expresie prezinta curentului de goluri, deci:
(3.128)
(3.131)
(3.132)
(3.133)
d
M p1
ps
- I
ps
=Mpl
ps
f adx,
o
d
-Mnlns+1ns =M
n
1
ns
fadx,
O
dIn
--=aMi
d
n ns'
X
d
fadx=1.
o
1 d
1---- = fadx.
M
n
O
1 d
1--=fadx.
M
p
o
La integrarea (3.130) se
la x = O 1
p
(O) = I
ps
; 1JO) 1
0
= MJns
lax=d In (d)=I"s;
Din fig. 3.9. observam ca:
Mnlns d
f dins = M J ns f a dx
ins O
Mi
ps
d
f dl
p
=M
p
1
ps
f adx sau
o
de unde
Integrala din ultima expresie se integrala de ionizare.
Lund n la limita (3.128),
(3.126) (3.127) iau fOffila:
dl p
dx =aMpIps sau dlp =aM/pl.dx (3,129)
sau

de unde -dIn =aMJnsdx. (3.130)
Integrnd (3.129),
Strapungerea n de rapida a curen-
tului, are loc cnd M p = M" 00; punnd aceasta n
(3.131) (3.132), rezulta: (3.127)
(3.126)
n cazul ionizarii de impact de electroni
dI" ( )1
--a -a =-aI
d
p "" p O'
X
d (]; ) (]; ap + a.) dx ,
dI
sau -p = 1 a +1 a = G = G (3.125)
dx p p n n p n'
(3.125) este numita ionizdrii de
impact.
cont ca 1p + In =1
0
, adica prezinta curentul total,
(3.125) se poate exprima sub forma:
dI p _ (ap - a J1p = anIo .
dx
142 143
(3.137)
Aceasta trecere a electronilor denumirea de eleet
tunel interbenzi. La un mecanism electronul nu
bariera de dar penetreaza prin bariera modificnd numai
E...
n
E" P
Fig. 3.10. Diagrama benzilor energetice
ale unei p -/1 pola-
rizatc invers. Mecanismul de
strapungere tunel. E...
3.7.3. PRIN EFECT TUNEL
INTERBENZI (EFECTUL ZENER)
Strapungerea p - n prin efectul tunel se ca
strapungere electrica a de tunelarea a
de sarcina prin banda interzisa a semiconductorului,
modifica energia. Tunelarea electroni lor devine numai
n cazul cnd barierei de pe care trebuie o
electronul, este destul de La una a
benzii interzise (pentru material), barierei de
se de intensitatea cmpului electric, de
nclinarea benzilor energetice. Prin Ufl11are, de tunelare
apar numai la un anumit cmp electric. Cmpul critic pentru
din Si are valoarea 8 x 10
5
V/ em , iar pentru cele din Ge -
3 x 10
5
V/ em. Deoarece probabilitatea proceselor de tunelare
depinde de intensitatea cmpului electric (vezi p.3.8.),
atunci efectul tunel se ca strapungere a diodei n fig. 3.10
este prezentata diagrama de benzi ale unei p - n ,
polarizate invers. Daca valoarea tensiunii inverse este destul de
mare, astfel ca se inegaU:: :..:a <Dc + q V > Eg' atunci
marginile benzilor energetice ncep a se suprapune (E
cn
< E
vp
) la
o intensitate a cmpului electric critica un mare de electroni
sunt din banda de a regiunii p traverseze
banda trecnd n banda de a regiunii n (fig. 3.10).
(3.134)
pentru
6' 7/
V
B
" 60[fr)' [3-":rr
unde: E
g
- [eV]; N
o
- [em-
3
], lor n baza
diodei; a - [em-4]. .' I
Odata cu temperaturii .lungimea a
purtatorilor de sarcina se urmare, ener.gJa de
urtatoru1 de sarcina n cmpul electnc la !.el la
prin temperaturn conduce la majorarea
tensiunii de strapungere.
n cazul gradate
lEs d max (3.135)
Vs = 3
Deoarece procesul n este de
ionizarea tensiunea de cu manrea
largimii benzii interzise E
g
a semiconductorulUl. de
aceasta, cu ajutorul (3.135) pot
expresii empirice, valabJle pentru toate semlconduc-
toarele cercetate:
pentru
3 3
V
B
" 60[{;l' (3.J36)
Cunoscnd a (E) pentru un material dat din
(3.133) se poate deduce regiunii dmax '.
face de multiplicare n Pe baza se
poate calcula tensiunea de VE pentru o data.
Pentru o se poate scne:
144
145
cvasiimpulsul. Vom specifica ca efectul tunel din .la care
suprapunerea benzilor are loc numai n tenslUmlor mverse
se efect Zener. .
Probabilitatea trecerilor tunel ntr-o mare masura depmde de
largimea benzii interzise Eg de largimea regiunii saracite, care nu
trebuie sa fie mai mare dect cteva sute de angstromi (d 10-
6
cm).
Din aceste considerente strapungerea tunel se observa n
p _ n ablUpte, fabricate pe baza semiconductoarelor puternic dopate.
Probabilitatea de tunelare, n cazul barierei de triunghiulare,
este data de expresia
T=aq&B ex
p
[- (Egr], (3.138)
n 3qn&B
unde: a - constanta cristaline a semiconductolUlui, &B -
cmpul electric de bariera. Conform expresiei (3.138), odata cu
barierei de (Eg) probabilitatea de
tunelare a electronului ( T) se iar cu inten-
cmpului (&B) aceasta probabilitate blUsc Densitatea
curentului de tunelare la polarizarea inversa a p - 11 este
determinata de expresia:
[
4 2m* . E Yz ]
ir=io
ex
P-3 (3.139)
io slab depinde de intensitatea cmpului electric. Expresia (3.139)
descrie caracteristica 1 - V a p - n polarizate invers la
strapungerea tunel. PentlU a determina tensiunii de
strapungere tunel (V
B
) de n regiunile n
paIe p - n ablUpte, vom egala intensitatea maximala
a cmpului electric n p - 11 cu intensitatea critica &B la
care apare strapungerea tunel.
Conform expresiilor din punctul 3.2.1, tensiunea inversa VR a
p - 11 ablUpte depinde de intensitatea maximala &max a
cmpului electric la patrat:
146
&2
V
R
:::::: ee (3.140)
o 2qN* .
Egalnd &max =&B' expresia pentlU tensiunea de
strapungere tunel:
V
B
= ee
o
&; = (_l_+_l_J. (3.14])
2qN 2q N
A
N
D
Deci, conform expresiei (3.] 4]), la
impuri ND tensiunea de strapungere tunel trebuie sa se
Aceasta se explica prin faptul ca cu
se (& ) la o valoare a tensiunii
max
inverse V
R
fixate.
Strapungerea tunel n din Si are loc la
n baza diodei 10
18
cm-
3
. Tensiunea de strapungere
tunel n acest caz este 5 V mai mica. Daca nivelul de dopare
este mai jos, atunci n dioda are loc strapungerea prin multiplicare
n
Experimental s-a stabilit ca n din Ge Si cu tensiu-
4E
nea de strapungere V
B
< __.EL are loc strapungerea tunel. n
q
. "1 6E
e cu V
B
> strapungerea este determinata de multipli-
q
. 1 '1 d . d 4E 6E
carea prIn ava a purtatOrI or e sarcma. an -_.? < V < .?
B
q q
strapungerea este mixta; n p - 11 se observa tunelarea,
multiplicarea prin a purtatorilor de sarcina.
Odata cu temperaturii largimea benzii interzise E
g
la majoritatea semiconductoarelor se Prin urmare, n
acest caz se largimea barierei de la
intensitate a cmpului electric, fapt ce conduce la majorarea
de tunelare a electronilor prin bariera de
concomitent la tensiunii de strapungere tunel odata cu
ridicarea temperaturii.
147
3.8. JONC1'lUNEA P - n
(DIODA TUNEL)
a regiunii 11 pot tuneIa bariera energetica, ajungnd n
banda de a regiunii p.
Fig.3.1l. energetica a diodei tunel: a) dioda tunel la echilibru;
b) dIOda tunel la polarizare inversa; c) dioda tunel la polarizare
directa ( [, =max ); d) polarizare directa, pentru [, =O.
n
n
b
n
d
qV
o
-El,.,

'----+-Ec
'--L--E
v
p
p
n
a
c
E_"1----.--

----+--E
c
Cnd atomi lor impuritari n regiunile p n ale
structurii semiconductoare este de ordinul 10
18
- 10
20
cm-3, gazul
electronic n semiconductor degenereaza largimea barierei de
a p'- n devinc comparabila cu lungimea de
unda de-Brogle, atingnd valoarea 10-
6
cm . n acest caz, la orice
polaritate a tcnsiunii exterioare, bariera de devine
"stravezie" pentru electroni ei penetreaza prin bariera la o
energic constanta, numai cvasiimpulsul (fig. 3.11 a).
mecanism de n mecanica cuantica se
utiliznd conceptul de efect tunel interbenzi.
n caz general efectului tunel consta n aceea ca o
particula, ce are energie cinetica mai mica dect carorva
bariere de la anumite poate penetra prin bariera
fara a cheltui energie, daca din ambele ale barierei se afla
niveluri energetice identice. Probabilitatea de tunelare odata
cu largimii barierei de Pentru
efectului tunel n p n este necesara
ndeplinirea a doua principale. n primul rnd, largimea
regiunii de sarcina a p - n trebuie sa fie foarte
mica ( 0,01- 0,02 m). n al doilea rnd, regiunile p n trebuie
sa fie degenerate, deci nivelul Fermi trebuie sa fie situat mai sus de
marginea benzii de n regiunea 17 mai jos de marginea
benzii de a regiunii p cel cu 5 kT .
Pentru explicarea calitativa a procesului de tunel are interbenzi
sa analizam diagrama de benzi a p - 11 din semiconduc-
toare degenerate, la diferite tensiuni exterioare. O astfel de
este reprezentata n figura 3.11. La echilibru tennodina-
mic (fig. 3.11a) are loc suprapunerea benzilor permise E > E ,
vp cn
astfel fiind posibila tunelarea de catre electroni a barierei energetice
de forma triunghiulara, localizata n regiunea saracita a
electronii din banda de a regiunii p pot trece prin efect
tunel, pe stari permise de energie ncocupate, n banda de
a regiunii 17, viceversa: electronii din banda de
148
149
Fig. 3.12. a) Caracteristica tensiune-
curent a diodei tunel la
polarizare directa: b) carac-
teristicile statice normate.
v
a
b
O''----fO'
2
:-----;;O':-,4--O':!-:,6;-----:o,'='"a---'
-Vd(V)
o
tensiunii V
v
' La aceasta tensiune benzile nu se mai suprapun,
energia marginii benzii de a regiunii 11 coincide cu
energia marginii benzii de a regiunii p (fig. 3.11d).
Procesele de tunelare nu mai sunt posibile. Trebuie observat ca
curentul tunel propriu-zis (curba ntrerupta) devine zero la
tensiunea Va; faptul ca Iveste diferit de zero constituie o abatere
de la caracteristica ideala. Factorii care pot cauza aceste abateri
sunt: de tunelare cu tensiunea cu
de n cazul tunelarilor indirecte;
unor n "exces" de schimbul de electroni prin
centrele impuritare din benzile
interzise. La tensiuni directe mai
mari, bariera este
astfel prin
circula un curent
direct de difuzie (punctul 4 pe
caracteristica), similar cu cel din
p - n
care cu
tensiunea aplicata.
cum se observa din
fig. 3.12 , caracteristica curent-
tensiune a diodei tunel n inter-
valul de tensiuni de la V
p
pna
la V
v
o regiune de re-

dnd posibilitate de a utiliza
p - n degenerata n
calitate de element activ, care
poate n regim de
amplificare, generare comu-
tare a semnalelor electrice.
Efectul tunel n regiunile
semiconductoare degenerate, ce
formeaza p - 11,
la baza diodelor
tunel. Aceste dispozitive pot
Curentul tunel, ce se scurge prin p - n , este propor-
cu produsul dintre densitatea de niveluri energetice umplute
din partea barierei, de unde electronii ncep lor, den-
sitatea de stari energetice libere din partea opusa. Electronii pot
penetra bariera n ambele Prin urmare, fluxul rezultant este
a doua fluxuri ndreptate opus unul altuia. La echilibru
termodinamic tunel sunt egali de semn opus; prin urmare,
curentul rezultant este zero, corespunzatoare punctului O
de pe caracteristica voltamperica statica (fig 3.12a). La polarizari
inverse cvasinivelurile Fermi din regiunea n se deplaseaza n jos
de cele din regiunea p (fig. 3.11 b) o suprapunere
a benzilor fluxului de electroni ce tuneleaza
prin din regiunea p n n. Fluxul de electroni ce
tuneleaza din regiunea p este aproximativ egal cu zero, fiindca
pentru electronii benzii de a regiunii n nu sunt locuri
libere n banda de a regiunii p. Datorita tunelarii
electronilor din regiunea p n n curentul cu ct este mai
mare tensiunea inversa, cu att mai este suprapunerea
benzilor cu att mai mare este curentul tunel (punctul 1 pe
caracteristica). La polarizari directe nivelul Fermi n regiunea n se
ridica mai sus de cel din regiunea p , iar regiunea de suprapunere a
benzilor se cu qV (V - tensiunea aplicata) curentul
schimba deoarece preponderente devin tunelarile
electronilor din banda de a regiunii n n banda de
a regiunii p. curentului direct va avea loc pna
cnd marginea benzii de a regiunii n nu va coincide cu
nivelul Fermi E
Fp
din regiunea p (fig. 3.11c). Tensiunea, la care
curentul tunel atinge valoarea maxima I m (punctul 2 pe
2E
caracteristica), este egala aproximativ cu - --.f..!!..- n diodele tunel
3 q
uzuale este de 0,06 - 0,15 V. Crescnd n continuare, tensiunea
directa regiunea de suprapunere a benzilor tot mai
electroni din regiunea n au posibilitate de a tunela n
regiunea p. Are loc scaderea curentului tunel (punctul 3 pe
caracteristica), pna cnd ajunge la valoarea Iv' corespunzatoare
150 151
i
(3.144)
suporta puteri relativ mici, de ordinul zecilor sau sutelor de mW ,
la foarte nalte (microunde), fapt ce poate fi
lamurit reiesind din analiza caracterului fizic al efectului tunel
interbenzi. Efectul tunel este determinat de transportul put1atorilor
majoritari de sarcina procesele de recombinare nu joaca un rol
important. Din aceasta cauza timpul de transport n treceri le tunel
nu sunt determinate de timpul de al purtatorilor de sarcina de
neechilibru, dar de timpul de relaxare Maxwell T
M
Acest timp este
cu mult mai mic dect timpul de recombinare, de exemplu, daca
specifica este de ordinul 1 n-
l
cm-
1
, M =10-
12
s.
Dioda tunel a fost realizata pentru prima data de L.Esaki n
1958, cnd el cerceta comportarea p - n cu regiunile
afirmate foarte puternic dopate. n caracteristica voltamperica sta-
tica el a observat o "anomala", de
negativa. Pentru explicarea acestor anomalii Esaki a utilizat con-
ceptul de efect tunel interbenzi.
Sa analizam cantitative ce caracterizeaza procesele de
tunelare n p - n. Este de observat ca bariera
energetica prin care tuneleaza electronii este de forma triunghiulara
(fig. 3.13); este egala cu largimea benzii interzise Eg' iar
grosimea x
2
- Xl este aproximativ egala cu regiunii
unde Ik (x)1 este modulul numarului de unda al particulei n re-
giunea barierei de n interiorul barierei triunghiulare
modulul de este:
[
* ]1/ [
2m /2 2m* 12
k(x)= n
2n
(E
o
(.Y)-E
F
) = n/(E
g
- qx8
s
-E
F
) ,(3.143)
unde: 8
s
- cmpul electric de E
o
(x) - energia
1ntroducnd (3.143) n (3.142) efectund integrarea, se
probabilitatea de tunelare:
[
E%.]
T exp - g.
3qn8
s
Curentul tunel din banda de a regiunii n n banda de
a regiunii p pentru un interval de energie infinit de mic de
la E la E + M, n limitele regiunii de suprapunere a
benzilor, este determinat de de electroni din banda de
dn la de stari libere din banda de
dp la probabilitatea de tunelare a electroni lor r; . Pe baza
statisticii Fermi-Dirac se
Fig. 3.13. Fonna barierei energetice la
efectul tunel interbenzi.
E,(x)
Probabilitatea de tunelare n WKB
(Wentzel-Kramers-Brillouin) este de expresia
dn = (E)dE (3.145)
dp =[1- fJp) (E)] N1
p
) (E)dE, (3.146)
unde: .fcn (E) fjp) (E) - de pentru electroni
goluri; (E) NY) (E) sunt de stari cuantice ale elec-
tronilor golurilor respectiv n banda de banda de
Curentul tunel din semiconductorul n n p este egal:
E(P)
le9 =Al .!of
n
) (E)N:
n
) (E) [1- Jyl (E)]N1
Pi
(E)dE, (3.147)
unde AI este aria p - n. n expresia (3.147)
limitele de integrare coincid cu intervalului energetic de
suprapunere a benzilor n regiunile n p .
(3.142)
[
X2. l
TWKS exp - 2L1k (x)1 dYJ'
152 J53
Identic poate fi calculat curentul 19c din semiconductorul p n 11 :
Elp)
1
8e
= AI fT
9c
(E)Nyl (E) [1- f}") (E)]N,t
n
) (E)dE. (3.148)
El")
e
t
1 t
r
t
fu
1
(
I
(3.151)
2
c
Fig.3.14. Diagrama energetica ce ilustreaza
diferite mecanisme de tunel are
prin starile din banda interzisa.
Principalul factor ce determina curentul n "exces" este tunelarea
purtatorilor de sarcina prin starile energetice situate n banda
interzisa a semiconductorului.
Pentru dcterminarea curentului n "exces" vom folosi fig. 3.14,
n care sunt aratate cteva de tunelare. La tensiuni
V 2:: V
v
este posibila tunelarea electronului din banda de
pe centru impuritar (trecerea 1), iar de aici electronul, n urma
cu cristaline, pierde energia
trece n banda de va-
a regiunii p. Este
posibila o alta cale de
trecere: mai nti elec-
tronul din banda de
a regiunii 11
coboara pe nivelul
impuritar (trecerea 2),
de aici tuneleaza n
banda de a
regiunii p. n
a mai multor feluri de
niveluri impuritare tre-
cerea dintr-o n
alta se efectueaza pe
o "scara" (trecerea 3),
care dintr-un de treceri tunel ntre diferite centre
impuritare de salturi verticale - pierderea de energie la
trecerea electronului de pe un nivel pe altul. Principala poate fi
considerata trecerea 2; celclalte treceri sunt de fapt modificari
mai compuse ale acesteia. Sa cercetam electronul ce tuneleaza din
punctul B n D la tensiunea aplicata egala cu V.
barierei, sub care el trebuie sa tuneleze, este:
Ex Eg - qV + q (vn + V
p
) q (V
b
- V),
unde V
b
este de difuzic (aici se presupune ca clectronul
trece n apropierea marginii benzii de Probabilitatea de
tunelare pcntru electronul ce se la nivelul punctului D,
este determinata de expresia:
(3.150)
(3.149)
La polarizari inverse n starilor ocupate de electroni din
banda de a regiunii n se plaseaza starile ocupate din
banda de a regiunii p l
e8
scade rapid cu tensiunea
aplicata. Astfel, prin dioda tunel trece un curent invers It =1,ge
determinat numai de tunelarea electronilor din regiunea p n 11 . La
polarizari directe este necesara o evaluare aproximativa a integralei
din (3.149). Se fac cteva ipoteze simplificatoare: (1) probabilitatea
de tunelare ramne aproximativ constanta la mici alc
tensiunii aplicate; (2) nivelurilor Felmi n benzilc
pennise sunt relativ mici. n aceste (3.149) se poate
scrie sub forma:
unde I p V
p
sunt respectiv curentul tensiunea determinate conform
figurii 3.12a.
Referindu-ne la caracteristica statica experimentala (fig.
3.12a), trebuie subliniat ca pentru tensiuni directe mai mari
dect Va curentul nu devine zero, la astfel de tcnsiuni curentul
de difuzie este foarte mic. Deci, curentul ce se scurge prin dioda
tunel n acest caz este cu mult mai mare dect curentul de
n legatura cu aceasta el a primit denumirea de curent fn "exces ".
Curentul rezultant este It =le8 - 19c; la echilibru termodina-
mic le8 = 19c' prin urmare It = O.
n tensiunilor externe curentul tunel are expresia
(presupunnd T,.'8 =T9c = ):
154
155
1; "exp [- exp [ - a, t J. (3152)
Aceasta expresie este analogica fOlmulei (3.144), n care
largimea benzii interzise E este nlocuita cu marimea E .
g x
Intensitatea maxima a cmpului electric ntr-o abrupta este:
&=2(vs-V) (3.153)
d '
unde d este largimea regiunii de sarcina a
p - n, determinata de expresia (3.24).
Daca densitatea niveluri lor umplute cu elcctroni, situate mai
sus de marginea benzii de cu marimea E
x
' este egala cu
D atunci densitatea curentului n "exces" se determina de
x'
expresIa:
le (3.154)
unde AI este o constanta, iar curentului n "exccs" de
parametri este dcterminata, n principal, de infl lor
asupra de tunel are nu asupra de stari
D,. Atunci, introducnd (3.151)-(3.153) n (3.154), pentru
curentul n "exces" rezulta
lx;::; AID
x
exp {-a: lEg -qV +O,6q (v" +VJJ}, (3.155)
unde ar este constanta. Astfel, se poate considera ca curentul n
x
"exces" se odata cu de stari localizate n
banda interzisa (datorita factorului D,) depinde de
tensiunea aplicata V (n ca E
g
qV). Expresia (3.155)
poate fi scrisa n forma:
j, j, exp t(V - VJ] j, exp [A, (V - V;)], (3.156)
unde: Jv - densitatea curentului n minimum la tensiunea V
v
(fig.
3.12a); A
2
este de la exponenta.
156
1
In Ix =f (V) pentru diodele tunel din siliciu arse-
nura de galiu n corespundere cu expresia (3.156) sunt liniare.
Curentul de difuzie depinde de tensiunea
este determinat de expresia:
I
th
=1
0
exp -1), (3.157)
unde 1
0
-curentul de (p.3.4)
Caracteristica voltamperica statica totala a diodei tunel este
detem1inata de suma acestor trei componente ale curentului:
I =It + Ix + I
th
=
1, JeXP[I- J+1, exp[A, (V -V;)]+/0 ex
p
( (3158)
Aportul curentului tunel n curentul total este predominant la
V < V
v
' curentul n "exces" este considerabil la V ;::; V
v
' iar curentul
de difuzie la V > .
n figura 3.12b sunt reprezentate pentru comparare
caracteristicile statice normate pentru diodele tunel din Ge, GaAs
1
GaSb la temperatura 300K. Valoarea raportului
P
este 8 pentru
Iv
Ge 12 pentru GaAs GaSb.
de a curentului 1peste de
dc temperatura a marimilor D E
g
.
3.9. DIODE "'INVERSE"
Daca dc sunt astfel ca: regiunile p
11 ale p - n se afla sub limitelc de degenerare, de
aceea nu mai pot fi considerate nedegenerate; nivelul Fermi n
regiunea p aproximativ coincide cu marginea benzii de iar
n rcgiunea n cu marginea benzii de (fig. 3.15a), atunci
la tensiuni mici curentul invers este mai mare dect cel direct.
De aici denumirea de diod "inversa" a unei diode tunel.
157
p n

1
v
foarte nalte, deoarece este un dispozitiv de purtatori majoritari n
care acumularea purtatorilor de sarcina minoritari. De
obicei, diodele "inverse" se utilizeaza pentru detectarea mixarea
semnalelor slabe n domeniul microundeloL n fig. 3.16 sunt
reprezentate caracteristicile statice pentru diodele "inverse" din Ge
GaSb.
a b
Fig.3.15. Dioda "inversa": a) modelul benzilor de energie:
b) caracteristica curent-tensiune.
Fig.3.16. Caracteristicile statice pentru
diodele "inverse" din Ce si
CaSh. '
I,mA
z.--...-----.....
Ce
La polarizari inverse nivelul Fermi n regiunea Jl coboara n
jos de nivelul Fermi din regiunea p; n rezultat, devine
posibila tunelarea electronilor din banda de a regiunii p n
banda de a regiunii Jl, care detenl1ina curentul invers.
Cu tensiunii inverse mai devine suprapunerea
benzilor, mai electroni pot tune1a mai mare este curentul ce
trece prin dioda tunel "inversa" (fig. 3.15b). La polarizari directe
poate exista un curent tunel nensemnat (curba punctata din
figura 3.15 b), nsa dominant ramne curentul de difuzie, deoarece
n acest caz nivelul Fermi din
regiunea Jl se ridica n sus
de cel din regiunea p curen-
tul poate fi determinat numai
de procesele de a
v, V purtatorilor de sarcina n jonc-
p - 11 (ca n dioda
Deci, dioda
"inversa" poseda proprietatea
de redresare, conexiunea nor-
mala fiind nsa "inversa"
de dioda Ca
dioda tunel, dioda "inversa"
este un dispozitiv de
caSh
158
Semic and uc tOr
( S'i/iciLi )
Fig. 4.1. Structura meta1-oxid-
semiconductor.
Capitolul IV
STRU(;TURI
METAL-IZOLATOR-SEMI(;ONDU(;TOR
sporita de structurile metal-izolator-semiconductor
(MIS) este datorata folosirii lor pe larg n electronica integrala
perspectivelor privind a multor probleme apli-
cate. n cu dimensiunilor elementelor de con-
marirea de ntre aceste elemente,
fenomenelor de n
aparatelor semiconductoare dispozitivelor considerabil.
Realizarile microelectronicii sunt nemijlocit de
studiul specificuhIi fenomenelor ce au loc la semicon-
ductorului, la semiconductor-dielectric, semiconductor-
metal, metal-izolator.
Procesele de la din preajma semiconduc-
torului joaca un rol principal n lucrul unui de aparate semicon-
ductoare circuite, cum sunt tranzistorii cu efect de cmp de
MIS-tranzistorul, capacitorul MIS, dispozitivele cuplate
prin sarcina, MIS circuite integrate etc. Ele determin<i caracteris-
ticile principale parametrii acestor aparate, circuitelor dispozi-
tivelor construite pe baza lor.
Structurile MIS stau la baza multor dispozitive
microelectronice n timp sunt obiectele cercetarilor pentru
detem1inarea proceselor electronice ce au loc n straturile din
apropierea la De aceea, fizica structurilor
MIS, metodele de preparare, controlare diagnosticare ocupa un
loc important n fizica semiconductorilor de azi.
160
T
4.1. STRUCTURILOR
MIS IDEALE
n cele mai multe cazuri practice structurile metal-izolator-
semiconductor sunt struoturi metal-oxid-semiconductor (MOS),
adica structuri n care stratul izolator este oxidul semiconductorului
respectiv (de exemplu, Si0
2
pentru siliciu) sau al metal ului (de
exemplu, daca ca metal se aluminiul, stratul izolator poate
fi Al
2
0
3
).
O MOS n este reprezentata n fig. 4.1.
Ea consta dintr-un substrat, de exemplu, din siliciu (de tip n sau p)
acoperit cu un strat izolator de bioxid de siliciu (de o grosime de la
15 - 20 A pna Ia 2000 - 5000 A) pe care se depune un strat meta-
lic (cu grosimea de 0,5 -1 ).lm), numit electrod poarta.
La nceput sa cercetam o
MOS ideala, care se
n felul urmator: xOJ<
1) este ndeplinita
ta de banda plata, adica
n unei tensiuni aplicate
din exterior nu exista
de de contact ntre me-
tal semiconductor: -<D
s
=0;
2) nu exista stari de supra-
sarcini fixe sau ioni mobili
n izolator: sarcini pot fi numai
n semiconductor (egale cu ele, dar de semn opus) pe electrodul
metalic, care este de semiconductor de catre izolator;
3) n de polarizare la tensiune continua nu trece curent
electric prin stratul izolator, adica acesta are infinit de
mare.
Teoria structurii MOS ideale, expusa n acest subcapitol, ca
baza pentru interpretarea cercetarea structurilor MOS
reale a semiconductorului.
n fig. 4.2 este reprezentata diagrama de benzi de energie n
cazul echilibrului tennic al structurii MOS ideale, cnd se utili-
zeaza un semiconductor de tip p: (1) M este lucrul de din
161
(4.1)
nivelul Fermi va ramne constant iar benzile de e .
" ' nergle se vor
cur a . In (fig. La izolator-semiconductor
meta.I-IzolatOi apar sarCllll de egale modul cu o
denSItate de + f2.s prin:a - Qm la a doua
(fig. Campul .electrIc lll. regIUnea dintre semiconductor
poarta este omogen se de expresia:
&=!?J= IQml
E
o
Ei E
ax
unde E
ax
= E
o
Ei - permitivitatea a oxidului.
metal; <Ps - lucrul de din semiconductor; Xs - afinitatea
de electroni a semiconductorului; X
ox
- afinitatea de elec-
troni a oxidului; EmO - bariera de energie metal-oxid (energia
necesara deplasarii unui electron de la nivelul Fermi al metal ului n
banda de a oxidului); EF - Fermi.
L \lid
Tr
L

x, cD, Ea)
El2
z
}'1etal
._, - cDFI- - - _. E,
..._-- --Ep
/ ! i i /77 ai
i .- , /.' IiI' "
Oxid Semiconductor
Fig. 4.2. Diagrama energetica a
stmcturii MOS ideale la
VG = O pentru un se-
miconductor de tip p.
4.1.1. CARACTERISTICILE REGIUNII DE
DE LA
n de polaritatea tensiunii aplicate, la poarta struc-
turii MOS se pot ntmpla trei care se deosebesc prin
caracterul proceselor ce se petrec la semiconductorului:
a) de acumulare; b) de saracire c) de inversiune. Sa cercetam
structura MOS, cnd se utilizeaza semiconductori de tip p.
o M
(d
Fig. 4.31, D!.agrama de benzi de sarcina ntr-o stmctura MOS cu
su sa at de tIp p pentm cazurile: (a) acumulare; (b) golire; (c) inversie.
Regimul de acumulare (V
G
< O)
Cnd se aplica pe metal o tensiune negativa, V
G
< O (semicon-
ductorul se considera unit la masa), apare un cmp electric n-
dreptat de la semiconductor spre metal. Acest cmp deplaseaza
golurile din semiconductor spre semiconductor - izolator.
Ca rezultat, n regiunea semiconductorului din apropierea izolato-
rului apare un strat de acumulare de goluri (fig. 4.3a). Deoarece
golurilor datorita tensiunii aplicate ntruct
structura MOS se afla la echilibru termic (nu trece curent electric),
162
163
unde E, - permitivitatea absoluta a semiconductorului.
V
G
c(
Aceasta expresie deteImina capacitatea structurii MOS pe o
unitate de
(4.8)
(4.11 )
d,
<l> (x) = f E dx
O
n aceasta Vox este de expresia (4.2), Iar
<l> s se din (4.7), conform
rh __ Emaxd
s
_ qN
a
d;
'VS - (4.9)
2 2E,
Rezolvnd Poisson, la
E (ds) = O U (d,) = O, vom determina a
cmpului a
qN d, qN (d - x)
E = _a fdx = a 5 (4.10)
8,. O E,
Lund n ca largimea stratului de epuizare d,
este destul de mare, atunci tensiunea aplicata V
G
este egala cu suma
<l> s de a izolator-semiconductor)
a tensiunii V
ax
(tensiune pe stratul de oxid):
__ qNa d\ ( X J2 (x J2
<l>(x)- ;.-f(d,-x)dx=----- 1- ... =<J),I- .(4.12)
s O 2E
5
d, d,
Din (4.12) observam ca am o de
parabolica.
Regimul de inversie (V
G
>> O)
Cu tensiunii pozitive aplicate la stra-
tului de epuizare d, se conform expresiei (4.10),
de cD s . Acest fenomen este rezultatul ncli-
mari a benzilor energetice ale semiconductorului. nclinarea
s-a produs n fel ntr-o regiune ngusta la izolator-
semiconductor nivelul Fermi n semiconductor se mai sus
de mijlocul benzii interzise Ei (fig. 4.3c). Tensiunea aplicata la
pOaIia a creat, deci, un strat de inversie, numit astfel deoarece la
exista mai electroni dect goluri. semicon-
(4.7)
(4.5)
(4.4)
(4.3)
Qm G
ox
=
sau
unde: iVa - acceptorilor, d
s
stratului de
Qs - sarcina ce se n stratul de epuizare
atribuit la o unitate de
Intensitatea cmpului electric poate fi determinata cu ajutorul
expresiei (4.6). Intensitatea maximala a cmpului:
_ c _ qN" d,.
E
rnax
- 0 s -
E
,
Regimul de epuizare (V
G
> O)
Daca la poarta se aplica o tensiune pozitiva, apare un cmp electric,
vectoml caruia este ndreptat de la poarta subst.ratul de
semiconductor. Acest cmp mpinge golurile de la Izolator-
semiconductor n volumul
Ca rezultat, la semiconductomlui apare un strat de epUIzare
(detlexie) de goluri benzile se curbeaza "n jos" (fig. 4.3b). .
vom considera ca avem o epuizare completa, atuncI den-
sitatea de sarcina de va fi:
Qs =QB =-qN
a
d" (4.6)
Notnd prin caderea de tensiune pe stratul de oxid, care n
regimul de acumulare este egala cu tensiunea la poarta V
G
, folosind
expresia (4.1), putem scrie:
'1 1) d (42)
V. = IEld. = -' ..
()t l
c'ox
164 165
4.1.2. SARCINA DE N REGIMURILE DE
ACUMULARE, EPUIZARE INVB'RSIE
Sa expresia ce legatura dintre densitatea de sar-
de Qs de cI> s' n figura 4.4
este n scara mare diagrama de benzi de energie a re-
giunii de a semiconductorului de tip p a unei structuri
MOS ideale n regim de inversie. este astfel definit,
nct are valoarea zero n volumul semiconductorului se
de nivelul Fermi intrinsec, Ei' La cI> =cI> s' Astfel,
electronilor golurilor au valorile:
(4.16)
(4.17)
/. / // /
//1
Oxid SiiiCilJ P
x=o
n = n exp (q<I>(X))
p pO kT
P = P exp (_ qcI>(X))
p pO kT
Fig. 4.4. Diagrama de benzi ntr-o
MOS
cu substrat de tip p n
regim de invcrsie.
n volum,
n =n exp (q<I> s )
S pO kT
(
q<I>s)
ps =PpO exp - kT
la semiconductorului.
n pO p po sunt de echilibru n volumul semi-
conductorului de tip p. Pot exista
(4.13)
Din aceasta conditie rezulta ca nivelul Fermi la va fi
deasupra nivelului intrinsec cu tot att, cu ct va fi sub nivelul
Fenni intrinsec n volumul semiconductorului (fig. 4.4). Corespunzator,
curbura totala a benzilor la instalarea inversiei puternice va fi:
cI>s (inv)=2cI>tc' (4.14)
unde cI> F este dintre nivelul Fermi intrinsec nivelul
Fermi n volumul semiconductorului.
Datorita exercitate de cmpul electric, purtatorii minoritari
din stratul de inversie se gasesc foarte aproape de Sarcina iOllilor de
impuritate este distribuita unifonn n cadrul regiunii golite, care se extin.de de
la pna la o anumita adncime n volumul semiconductorulUl (fig.
4.3c). Cu fonnarea stratului de inversie puternica, regiunii gol.ite ?e
la atinge o valoare maxima. Acest lucru are unnatoarea
pe masura ce benzile se curbeaza n jos, astfel ca sa produca mversJa
putemica, chiar o foarte mica a curburii benzilor determinnd o
marire foarte mica a regiunii golite - conduce la o foarte mare
a sarcinii continute n stratul de inversie. Deci, n de inversie pUter-
nica sarcina unitatea de arie indusan semiconductor va fi data de:
Qs =Qi =-qN
a
d,max' (4.15)
unde d,.max este maxima a regiunii golite de la
ductorul este dopat cu acceptoare. Cu alte cuvinte, la
s-a format o de cmp. Acest regim este
denumit regim de inversie. la Ei se cu
mai jos dect nivelul Fenni EF , densitatea de electroni n stratul de
inversie este (de ordinul lui ni) structura se n
regimul de inversie slaba. Ee - EF la ajunge
egal cu EI' - E
v
n volum, de electroni n stratul de
inversie de goluri din volum structura
n regimul de inversie puternica. Starea
pentru marcarea inversiei puternice este, deci, aceea n care
de minoritari din stratul de inversie devine
cu atomilor de acceptori,
166
167
Iar
eieI> = O () O
x --* 00, eI> =O, , P x = ,
dx .
unde: p (x) este densitatea de sarcina
p(x) = q (N; + P
p
- -11J, (4.19)
N; sunt donorilor respectiv, acceptorilor ioni-
n volumul semiconductorului (pentru x --* 00) se
de neutralitate, adica:
(4.20)
Avnd n vedere (4.19), (4.20), se poate scrie:
- {p,O -1] -n,o [ex
p
-1]} (4.21)
Pentru a rezolva aceasta se ambele cu
dcD
se utilizeaza
dx
(4.25)
(4.26)
Ca rezultat, expresia ce leaga cmpul electric
([; = - dcD ) eI>:
dx
[;2 = PpO kT {[ex
p
(_ qeI +LeI> - lJ +
C
5
kT kT
+ [ex
p
- q, -1]} (4.24)
Sa notam:
d<1J
dx dcD. d ( clcD) _
[ dt dx -
-:, l{ppO [ex
p
( - ) -]] - ",0 [ex
p
( ) - I]} d1) . (4.23)
F ( q" :::} {[exp (-!i}k; 'H]+
l.
[exp(r*)- kf'H]}'
sa introducem lungimea Debye pentru goluri L[):
L
D
r'
L[) este n care goluri lor se de e ori.
Atunci cmpul electric
[; =-fi kT F(cD, L, 11
po
j. (4.27)
qL[) l kT PnO /
n 4.27 semnul plus este pentru ep > O semnul minus
pentru <D < O. La cD =<!> s' pentru cmpul electric la

(4.18)
(4.22)
se inte-
dx
2
cD
s
< O, acumulare de goluri (benzile deviate n sus);
cD 5 =O, de banda plata;
cD F > cD 5 > O, epuizare (benzile sunt nclinate njos);
cD
F
= cD
5
' mijlocul benzii interzise, 11
5
= Ps = 11,
intrinseca);
cD5 > cDF ' inversia tipului de
Pentru a gasi valoarea cD n de se
rezolva Poisson:
d
2
cD =_ e(tJ
dcD d
2
<D d (dcD \2
2 dx
2
= dt" l dx j
Se partea stnga partea dreapta cu dx
greaza:
16/\
169
semiconductorului. n F (expresia 4.25) domina
. l' . l (q.cDsJ
pnmu termen rezu ta Qs exp .. iii . Pentru cDs =O, avem
de benzi plane Qs =O, cum indica (4.29).
Pentru cD 5 > O, ne gasim n regim de golire Qs este negativa.
Pentru cD F > cDs > O, n F domina al doilea tennen
Qs = cDs (strat de epuizare). Pentru cDs cDF' n F do-
al patrulea termen Qs exp (strat de inversiune).
2kT
(4.29)
(4.28)
--- ----_._._-----..,
c _ fi kT F(m L n
po
)
0S- 'V S '"
qL
D
kT P"o
iar din legea lui Gauss se sarcina la pe
unitate de arie:
_ [; _- fi EskT F (cD L n pa I
Qs--Es s-+ L s' kT' P ).
q D "o /
n figura 4.5 este reprezentata sarcinii la
Qs de cD 5 pentru substratul de siliciu cu con-
(4.31 )
4.1.3. CAPACITATE'A STRUCTURII MOS IDEALE
Ca n cazul altor structuri semiconductoare, cum este de
exemplu p - n, capacitatea structurii MOS un
valoros instrument de investigare a electrice ale dis-
pozitivului. Analiza a fost un element fundamental al
cercetarilor, care au condus la stadiul actual avansat de a
sistemului Si - Si0
2
a tehnologiei asociate.
n unei dintre lucrurile de din metal din
semiconductor, tensiunea aplicata. pe poarta structurii MOS ideale este
divizata ntre stratul de oxid substrat, astfel nct:
V
G
=V
ax
+cDS' (4.30)
unde V
ax
este caderea de tensiune pe oxid, data de
V - C d - _Qs d
ax - 0 ax ax - ax'
E
ax
E
Invcrsie
putenuca

2 s
Benzi plane
0,2 0.4 0.6 0.8 1.0
<D, (V)
O
lnversic
N,=4 10" cm'
II
.2 s}
Acumulare
Siliciu P (300 K)
-OA -0.2
10
10'

10'
E
u
--- U
--
10
O
10
s
Capacitatea specifica totala C a structurii este formata din
combinarea n serie a specifice a oxidului a
specifice a regiunii de sarcina din semiconductor:
Fig. 4.5. sarcinii totale din semiconductor de
de pentru o structura MOS
cu substrat de tip p, avnd IV, = 4 .10
15
cm-
3
la
temperatura camerei.
N
a
=4 .10
15
cm-
3
la 300K. Pentru <D
s
< O, Qs are va-
loare pozitiva corespunde unui strat de acumulare a goluri lor la
c = E
ax
ax d
ax
dQs
C = --- ----
D dcD
s
(4.32)
(4.33)
170
171
(4.37)
(4.38)
[;
d
ox
+(}X
[;5
el ::::
s.max
C
FB
::::
iar pentru capacitatea totala n acest punct, din expresiile (4.32),
(4.35) (4.36),
Pentru tensiuni negative sistemul se n regimul de
acumulare, capacitatea a semiconductorului este mare
n capacitatea structurii este apropiata de capa-
citatea oxidului. Cu trecerea la tensiuni pozitive apare se
dezvolta stratul de epuizare de goluri la semicon-
ductorului care ca un dielectric n serie cu oxidul;
capacitatea totala a structurii scade pna atinge o valoare minima,
C
m
;". La o tensiune pozitiva, cnd caderea de pe semi-
conductor <D 5 devine mai mare ca <D f ' ntre stratul de epuizare
oxid apare un strat de inversiune ce aduce la
totale (fig. 4.6a). este determinata de posi-
bilitatea de purtatori minoritari de a "urmari" sem-
nalul alternativ aplicat pentru masurarea ceea ce se
poate ntmpla numai daca semnalului este joasa (tipic
sub 100 Hz). n aceste procesele de generare-recombinare
asociate purtatorilor minoritari pot pasul" cu semnalul
alternativ de masura. Daca semnalului de masura este
inalta, caracteristica C - V n zona de inversie nu mai reprezinta
catre capacitatea oxidului, ci se limiteaza la o valoare
minima, cum indica curba (b) din figura 4.6.
Cu tensiunii pozitive aplicate pe structura se
eD 5 grosimea stmtului de epuizare W. La regimului de
inversiune puternica (<D5 (inv) 2eDF) (fig. 4.5) grosimea stratului
de epuizare atinge valoarea maxima d
UTIaX
' care, conform expresiei
(4.10), este:
(4.36)
b)
(a)
(' (C
2
)
-'------
(c.)
o
C
ax
Importanta este capacitatea structurii n de benzi ne-
tede, C
FB
, corespunzatoare cazului <D 5 :::: O. n acest caz, dezvol-
tnd in serie termenii din (4.34), se ca
capacitatea regiunii de golire are valoarea:
I _) _
Cl) \<D 5 - O - ,
L
D
Fig. 4.6. C.aracteristici capacitate-tensiL!ne
a) la b) la malta, c) m golire ddanca.
Avnd n vedere (4.29),
"., {l' ex+q:f} [ex
p
( qZi' )-l]} (4.34)
C
D
2 L
D

Pentru capacitatea totala a structurii MOS avem:
C:::: (4.35)
C
ax
+ Cl)
Capacitatea oxidului este independenta de tensiune repre-
zinta valoarea maxima a structurii (cnd Cl) ----* Cf.) ).
Capacitatea C[) depinde de tensiune poate fi calculata din
(4.34). cu tensiunea de poarta a structurii MOS
ideale este reprezentata n fig. 4.6.
c
172
173
174
Si-Sia
..C
t ." 2000 .OSHI
-20 -10 o 10
V(II)
G
o
Vii (V)
v
) G

=i= 'Olf-
li
" Cet
t
. N
A
'--
Fig. 4.7. Caracteristica de nalta a structurii MOS.
1.0.--_
'""'""_.4C. C09
COS

0.6
O./j
10
01
se stimuleaza procesele de generare-recombinare, de exemplu prin
structurii, comportarea de tip joasa poate fi
la mai ridicate.
n de pna acum am presupus tacit ca la masurarea
cu.rbei C - V viteza de a tensiunii de poarta este foarte
mIca. Daca nsa vG variaza mai rapid dect viteza de raspuns a pro-
ceselo: de generare-recombinare din regiunea de
se o caracteristica de tipul curbei (c) din fig. 4.6.
faptului stratul de inversie nu are timp sa se adncimea
regiunii d
lmax
' iar capacitatea (4.35)
n.u se mal regim este numit regim de golire
are o deosebIta pentru unei familii
particulare de dispozitive MOS, dispozitive cu transfer de sarcina.
La valori mari ale tensiunii de poarta poate sa apara strapungerea
175
nou n fig. 4.7. Cu linie ntrerupta sunt indicate segmentele teoretice
corespunzatoare regiunilor de acumulare, golire inversie
Curbele experimentale arata ca n normale curba de joasa
poate fi pusa n numai n jurul a 10 flz. Daca
(4.41)
(4.39)
Avnd n vedere ca <1> F = kT In [Na,
q ni)
d
s
.
max
=
C
I eox
. = o_o
mm e
d +ox d
ax s.max
es
care se observa la nalte (fig. 4.6). La nalta sar-
cina din stratul de inversie nu poate urmari semnalul variabil, astfel
stratul de inversie practic nu contribuie la capacitatea totala a
sistemului, a carei valoare este data de expresia (4.41). Purtatorii
minoritari pot apare dispare din stratul de inversie printr-unul din
urmatoarele mecanisme sau a) generarea - recombinarea
purtatorilor de sarcina n interiorul stratului de epuizare din imediata
vecinatate a stratului de inversie; b) generarea - recombinarea prin
intennediul starilor de localizate la izolator-
semiconductor; c) difuzia purtatorilor minoritari din volum prin
stratul de epuizare n stratul de inversie. Caracteristica de
nalta este ilustrata de curba (b) din fig. 4.6 este reprezentata din
unde Qs = qN
a
d,max = [qN
a
e
s
(2<1> F )F2 .
La aceasta valoare a tensiunii capacitatea atinge o valoare limita:
Cu n continuare a tensiunii aplicate pe structura
surplusul de tensiune cade pe stratul de oxid (datorita foarte
rapide a sarcinii din stratul de inversie), sarcina din stratul de epuizare
ramnnd neschimbata. Tensiunea aplicata pe structura, la care apare
inversia puternica, se noteaza cu V se tensiune de prag
p
sau de deschidere. Folosind expresiile (4.30) (4.31),
V = (2s + 2<1> (4.40)
p C F'
o
(1) Sarcinile capturate la localizate la
Si - Si0
2
, care introduc energetice n banda a sili-
ciului. Sarcina specifica este notata Qil; densitatea de sar-
cina D
il
= (sarcinz/cm
2
eV). Sarcina Qil este
probabil, siliciului n exces, oxigenului n exces impuri
Caracteristic este faptul ca aceste sarcini pot schimba sarcini cu
semiconductorul intr-un timp scurt (sunt rapide").
(2) Sarcinile fixe din oxid, Qf' aflate tot la (sau
care sunt imobile n cmp electric.
(3) Sarcinile capturate n oxid, QOI' uzual localizate fie
lnga Si - Si0
2
, fie lnga oxid-metal, cu excep-
celor introduse prin implantare de ioni, caz in care Qot este
distribuita in oxid. Sarcinile capturate in oxid sunt create n ge-
neral prin de purtatori din siliciu sau prin ex-
punerea la ionizante.
(4) Sarcinile ionice mobile, Qm' datorate atomi lor
de metale alcaline, cum sunt sodiul potasiu!. Aceste
sarcini sunt localizate fie la metal- Si0
2
prin care au pat-
runs in oxid, fie la Si - Si0
2
, unde au ajuns prin
n cmp electric. O astfel de deplasare poate avea loc, deoarece
ionii respectivi au o mobilitate buna n Si0
2
la temperaturi relativ
coborte.
semiconductorului, caz n care curba C - V se limiteaza ( CI ), sau,
datorita ratei de generare pe masura ce regiunea de sarcina
n adncime, curba poate sa revina la valoarea de
nalta ( e
2
).
4.2. STRUCTURA A10S
principale inevitabile dintre o structura MOS reali-
zata practic (reala) structura ideala discutata n subcapitolul
precedent constau n:
( 1) unui complex de sarcini electrice trape asociate
sistemului Si - Si0
2

(2) valoarea diferita de zero a de lucru de
dintre metal semiconductor.
n aceste benzile energetice pentru V
G
=O nu mai
sunt plane. Cu alte cuvinte, pentru a benzi netede (plane)
este necesar ca pe poarta structurii MOS sa se aplice o anumita
tensiune V
EP
' numita tensiune de benzi netede, care sa compenseze
efectele sarcinilor ale de lucru de Drept rezultat,
tensiunea efectiva de pomia n sensul structurii ideale discutate
anterior este V
G
- V
EP
' Altfel spus, ntreaga teorie expusa pentru
cazul structurii MOS ideale este valabila pentru structura reala,
daca V
G
se cu Ve -+ V
sp
'
Asupra sistemului Si - Si0
2
au fost efectuate cele mai ama-
studii. structura exacta a Si - Si0
2
pna ce
nu este complet astfel multe din procesele tehnologice
care determina sunt controlate nca pe baze
empirice. Modelul de Cel mai larg acceptat astazi,
presupune ca, n urma oxidarii termice, intre stratul monocristalin
de siliciu stratul stoechiomctric de Si0
2
amorf exista un strat
monoatomic de si] iciu incomplet oxidat care n diverse
Si0
2
, Si
2
0
2
Si
2
0, precum un strat de circa
10 - 40 Ade SiOo tensionat n care tind sa se acumuleze defecteie
In prezent pentru sistemul Si - Si0
2
sunt acceptate
patru categorii de trape sarcini ilustrate n fig. 4.8.
Fig. 4.8. Sarcini trape
asociate sistemului
Si - Si0
2

prin oxidarea ter-
a siliciului.
Si
......L
176 177
Pe baza criteriului de tensiunea de poarta, ultimele
trei categorii de sarcini pot fi grupate mpreuna (toate sunt inde-
pendente cantitativ de tensiunea aplicata) ntr-o unica clasa numita
simplu sarcina din oxid, Qax' deosebita de sarcina capturata la
care depinde de tensiunea aplicata. n continuare vom
discuta n detaliu aceste categorii de sarcini.
trapelor. Comportarea n a trapelor este deter .
nata de constanta de timp r _ C
' _ . . mI-
, '_. It - it' Rit oXIdului ale
de sarCIna din semiconductor sunt notate respectiv
ax C
d

(4.42)
(4.43)
(b)
(a)
179
Fig. 4.9. Circuitul echivalent al unei structuri MOS ' .
d tI' -' . 1 cu un smgur nIvel
l
e rape a (a) CIrcuitul echivalent cuprinznd
e ementele C R '(b) , , .
1/ il , CIrCUItul rezultat dm combinarea
paralela a elementelor C R
Il tI
t comparam unei structuri MOS ideale (fara
MOS la atunci
.
. unea e poarta. In cazul n care exista o
cantItate de sarCIna capturata la Q. (<D) 1 '1 (4 3
(
4 31) .
II s, re a 11 e . O),
. se modIfica sub forma:
o modificare infinitezimala lenta a polarizarii
dV
G
, determina o a de
d (<DS ), care venfica
178
4.2.1. SARCINI CAPTURATE LA
Aceste sarcini au fost numite alternativ "stari de
"stari de sau "stari rapide". ntreruperea cris-
taline la semiconductorului conduce la starilor
Tamm-Shockley, care sunt de ordinul de a ato-
milor

cm-
2
). Stratul de oxid format prin oxidarea termica
satisface majoritatea legaturilor chimice, astfel nct densitatea
trapelor la o Si - Si0
2
"curata" este cu cteva ordine de
marime mai mica. n fine, sarcina 0,/ poate fi neutralizata n mare
parte printr-un tratament la temperatura joasa ( 450 DC) n hidro-
gen sau hidrogen azot. Astfel, se poate ajunge ca valoarea den-
de sarcina la Nit sa coboare pna la 10
10
cm-
1
.
Centrele de captare (trapele) de la schimba starea
electrica, depinznd de faptul daca sunt ele ocupate sau libere.
Trapele care sunt negative atunci cnd sunt ocupate neutre n rest
se numesc acceptoare, iar cele care sunt pozitive atunci cnd sunt
libere neutre n rest se numesc donoare. Trapele de la
sunt descrise de de Fermi-Dirac similare cu cele
ale niveluri lor de din volumul semiconductorului.
Cnd structura MOS este polarizata, nivelurile trapelor se
deplaseaza de nivelul Fermi "n sus" sau "n jos", odata cu
benzile de de Daca un nivel de trape trece de
partea opusa a nivelului Fermi, sarcina capturata Q't variaza, ceea
ce are ca efect modificarea structurii deci, a carac-
teristicii C - V . Circuitul echivalent al structurii MOS cu un nivel
de trape este reprezentat in fig. 4.9. Elementele C R care
It Il'
depind de de sunt capacitatea
(b)
c
c
C
ox
0

:>
/
\
..,
\ I

\ Qoi
O
Ooi
o
I
I
(.le -o
." .
,--
/ ...
----_....-
--'
o
( o )
Fig. 4.11. Efcctul sarcinii pozitive din oxid asupra caractcristicii C _ V
de (a) substrat de tip p; (b) substrat de tip n.
Sarcina din oxid Qox este din sarcina fixa Qf' sarcina
capturat.! n oxid Qot sarcina mobila Qm (vezi fig. 4.9).
sarcinilor n oxid n cmp electric,
lui Qox nu depinde dc tensiunea aplicata.
Sarcina Qf cste situata ntr-o zona de pna la
30 A de Densitatea ei este relativ de gro-
simea oxidului, de tipul din substrat.
Sarcina fixa din oxid este datorata siliciului n exces sau oxigenului
n exces din apropierea Si - Si0
2
Sarcina fixa Qf
depinde de de oxidare, de orientarea substratului.
Efectul principal al sarcinii din oxid consta n translarea carac-
teristicii C - V a structurii MOS. n fig 4.11 sunt reprezentate
caracteristici C - V de nalta translate pe axa tensiunii n
de polaritatea sarcinii Qf' Indiferent de tipul substra-
tului, sarcina pozitiva Qr > O transleaza caracteristica C - V spre
tensiuni negative, iar Qf < O - spre tensiuni pozitive.

4.2.2. SARCINI J<.'LECTRICE N OXID
Pentru neutralitatea completa a structurii trebuie ca fiecare sar-
cina negativa pe poarta sa fie compensata de o sarcina egala ca
( )
dQil
Cit <P
s
=:: - Irh .
( 'V
s
Iar
x =1000"
".
15 .j
N ,10 Cni
D
0.5
0.3
0.7
0.2
0.1
0.9
0.6
0.8
unde
(4.43) arata ca o dV
G
a tensiunii de
produce o mai mica a de
o curbare mai slaba a benzilor m m care eXista trape
de cazul ideal (C =:: O). n pentru a transfera capa-
citorul MOS din de acumulare n inversie este nevoie de
o mai larga a tensiunii de poarta n de la
dect n lipsa lor. Rezultat.ul o a.'uJ1!?u:e a_ carac-
teristicii C - V a structurii pe axei tenslUnll. In fIg. 4.10
sunt reprezentate comparativ doua curbe C - V de nalta,
corespunzatoare unei structuri MOS ideale (D
it
=:: O) unei struc-
tmi cu D =:: 10
12
an-
2
eVi,
ti
1.0 ---------.--..-.----------] care pun n efec-
tul de alungire a caracte-
risticii. n cazul curbelor
de nalta trapele
de la nu pot ur-
mari semnalul de masura.
Ca urmare, singurul efcct
sesizabil este alungirea
curbei C - V . Daca frec-
venta este nsa joasa,
capturata contri-
buie la capa-
structurii, cu mari-
rea Cit care apare n para-
lel cu C
d
(vezi fig. 4.9).
n concluzie, capacitatea
(, de joasa este
marita prin tra-
pclor de la
suplimentar fenomenulUI
de alungire discutat mai
sus.
Fig. 4.10. Curba C - V teoretica. defonnata
datorita trapelor de la
comparata cu caracteristica ideala
a structuri MOS.
180
181
marime de semn opus din izolator sau din semiconductor. ntr-o
structura MOS ideala Qj = O, compensarea are loc numai cu aju-
torul donoarelor ionizate din stratul de epuizare din semiconductor.
ntr-o structura MOS reala cu o sarcina pozitiva Qf o parte din
sarcini de pe metal vor fi compensate de sarcina oxidului Qf ce
aduce la adncimii stratului de epuizare din semicon-
ductor de structura MOS ideala la tensiune la poarta.
largimii stratului de epuizare aduce la marirea capa-
structurii MOS, toata caracteristica C - V va fi translatata
spre tensiuni mai negative (fig. 4.11). Daca Qj < O, curba C - V
este translatata spre tensiuni de poarta pozitive. Valoarea absoluta a
acestei translatari:
Sarcina ionica Qll are o deosebita n ceea ce
stabilitatea fiabilitatea structurii MOS. Elementul, al
carui ion mobil este cel mai important pentru Si0
2
, este sodiu!.
Pe locul doi se potasiu!. comportarea sodiului
n stratul de Si0
2
a constituit subiectul multor determinari expe-
rimentale. S-a detemlinat ca aplicarea unei solicitari (stress)
cmp-temperatura, constnd din structurii la 200 ac timp
de IOmin. concomitent cu aplicarea unei
unui cmp electric de 5.10
5
V/cm, se observa
de sodiu la Si - Si0
2
ca urmare a driftului ionilor. Prin
de fotoemisie s-a putut constata sodiul se ntr-
o de circa 10- 100 Ade n cazul unui cmp
electric de sens opus n cadrul unui stress ionii
de sodiu se la metal- Si0
2
' de asemenea ntr-o zona
de cteva zeci de angstromi (A) de Mobilitatea ionilor de
Na n volumul oxidului este estimata la circa 4.10-
12
cm
2
/(V.s) la
temperatura camerei. Sa ionilor de Na
la Si - Si0
2
este destul de (3] 0
17
cm-
3
), ceea ce
aduce la o deplasare mare a tensiunii de benzi netede. Confoml
(4.45)
(4.46)
_____ Ee
(bl
Eleclron -::.
1,,,
f
F
legii lui Gauss, deplasarea tensiunii de benzi plane, determinata de
sarcina ionilor mobili Qm' este:
Fig. 4.12. Diagrama de benzi energetice ilustrnd: (a) procesul de
prin a electronilor (b) crearea lmei perechi elec-
tron-gol n Si0
2
sub unei ionizante.
Q 1 [ 1 d
ox
j
Vm =C
m
= fxP
m
(x )dx ,
ax C
ax
d
ax
O
unde pJx) este densitatea de volum a sarcinii ionice.
Sarcina capturata n oxid Qat la fel aduce la translatarea carac-
teristicii C - V a structurii MOS. Trapele din oxid pot fi localizate
att la ct n volumul oxidului. Ele sunt asociate n general
defectelor din oxid, cum sunt ntrerupte.
Elementele care pot capta sarcini n oxid sunt aluminiul, arseniul
fosforu!. Pentru a fi n trape, purtatorii de sarcina trebuie injec-
n oxid. Mecanismele fizice cele mai pentru introdu-
cerea purtatorilor liberi n oxid sunt prin
de (fig. 4.12). Deplasarea tensiunii de benzi netede,
detenninata de sarcina Qat captata n oxid, este:
unde Pot este densitatea de volum a sarcinii captate n oxid.
(4.44)
Qf
C
ax
182 183
4.2.3. DE LUCRUDE
unde Qo =Qf + Qm + QOI este suma tuturor sarcinilor efective pe
unitate de a Si - SiO
l
.
Deplasarea a tensiunii de benzi netede, L\ V
sP
' de
toate sarcinile din oxid, este:
L\V
sp
=L\V
1
+ L\V
m
+ L\V
OI
= Qo , (4.47)
C
ax
Pentru a detennina efectul de lucru de asupra
caracteristicilor structurii MOS cel mai simplu este se considere
n care o tensiune de valoare se pe
pentru a contrabalansa de lucru de n
semiconductor de benzi netede, cum se n
figura 4.13b.
Tensiunea de pentru a produce de benzi
netede se tensiune de benzi netede se noteaza cu V
BP'
Evident, tensiunea de benzi netede este cu dintre
valorile lucrului de
V
sp
= <Il M - <D S == <D MS (4.48)
Daca <DMS este diferit de zero n oxid sarcini,
caracteristica C - V a structurii reale va fi de curba
cu o valoare de tensiune cu <D + L\ V unde L\ V
MS BP' BP
este data de (4.47). valoare tensiunea ce
trebuie pe poarta structurii pentru a de
benzi netede. Tensiunea de benzi netede pentru structura MOS
(<DMS O n oxid sarcini) este deci:
Q
V
BP
=<D MS -Co
x
. (4.49)
ox
Teoria structurii MOS ideale este pentru structura
V
G
este cu V
G
- V
sP
'
T
T
T
n structura MOS energia electronului la nivelul Fenni n
metal n semiconductor este O astfel de energe-
se uzual ca o n lucrul de Cnd me-
talul unei structuri MOS este scurtcircuitat la semiconductor,
electronii vor trece din metal n semiconductor sau invers,
cnd ntre metal semiconductor se o de poten-
care de lucru de Cnd se atin-
ae echilibrul nivelul Fenni n metal coincide cu nivelul Fenni din
Ca urmare, va exista o a elec-
trostatic de la o regiune la alta, cum se n figura 4.13a
pentru cazul structurii aluminiu - bioxid de siliciu - siliciu de tip p .
F
F

I--.........-E,
--F
"./. j' 1/ .. E
v
1.' l
a)
b)
Fig. 4.13. Efectul de lucru de metal - semiconductor
asupra de dintr-o structura MOS:
a) pentlU Ve = O; b) de benzi netede.
184 185
Capitolul V
HETEROJONCTIUNI SE.MICONDUCTOARE

o la care una dintre regiu.ni dintr-u?

material semiconductor, iar cealalta - dmtr-un alt materIal semI-
conductor, poarta denumirea de heterojoncliune. Spre de
unde cele doua tlpul
nivelul de dopare, la
benzii interzise, masele efectIve ale purtatonlor de sarCI-
na constantele dielectrice etc.
, n anul 1954 Shockley a propus ca fie
folosite n calitate de emitor de mare ntr-un. tranZlsto:
bipolar. n an au lucrari teoretIce ale. IUl
Gubanov consacrate In 1957 Kroemer a analIzat
o n calitate de emitor cu interzisa
Odata cu modelului lui un Impuls au
capatat cercetarile n acest domeniu. Impreuna cu prac-
tica a unor de Ge-GaAs el a
dintre principalele probleme teoretice de dISpozItI.ve.
Ulterior au fost continuate cercetanle mtensIve ale
care au o larga calitate de cu
ce la temperatura ca!lierel, _dIOde electrolummes-
cente fotodetectori celule solare. In afara de aceasta, pe .baza
struc;urii periodice multipeliculare din cu
straturilor 100 A au fost create
5.1. DIAGRAMA DE BENZI CARACTERISTICA
CURENT-TENSIUNE
Clasificarea o vom face cont de. tipul .de
dopare (n sau p) de largimea benzii interzise (banda mterzIsa
larga sau pentru cele doua regiuni.
186
Daca semiconductorii au tip de dopare, atunci ei for-
meaza o izotipicd, iar daca el este diferit - o
anizotipic. n de largimea benzii
interzise, avem unnatoarele tipuri de n - N,
N - p, p - P, P - n, unde N P se refera la banda interzisa
larga, iar n p la banda interzisa ngusta. Daca trecerea de la un
material la altul se efectueaza. n limitele ctorva dintre
atomi fim ), atunci sunt clasificate ca
abrupte. In cazul n care regiunea de trecere este de ordinul ctorva
lungimi de difuzie, sunt numite gradate.
Spre deosebire de modelul Shockley pentru nici unul
din modelele propuse de autori, nu poate
toate procesele fizice n ele. Aceasta este cauzat de faptul n
se brusc la trecerea de la
un material la altul ntr-o mare depind de metoda de preparare.
n majoritatea cazurilor semiconductoare se
cu ajutorul epitaxiale, care n unui
cristal pe altui cristal, folosind mai multe metode:
- din faza de vapori;
- din faza lichida;
- prin deplasarea zonei de solvent;
- prin alierea la
Premisele pentru alegerea materialelor la crearea hetero-
ideale sunt identitatea structurii de egalitatea con-
stantelor cristaline a
o
a de dilatare tennica.
dintre constantele cristaline f...a
o
aduce la
de margine, care dau legaturi nesatisfacute constituie
centre de captare sau de recombinare pentru purtatorii de sarcina.
Este recunoscut ca pentru a prepara cu
necesare, dintre constantele nu trebuie sa n-
a
o
0,005 sau 0,5%. Densitatea capcanelor sau a la interfa-
este detenninata de expresia De exemplu, &lo =0,01%,
a
o
a
o
densitatea starilor este de 2,3 x 1011 cm-
2
, iar pentru 2% - 2,5 x 10
13
cm-
2

187
b)
nsa
(5.1 )
(5.2)
de dintre doua puncte oarecare este reprezentata
de deplasarea nivelului de vid ntre aceste doua puncte. Din cauza
dintre constantele dielectrice ale celor doua materiale,
cmpul electrostatic este discontinuu la Deoarece nivelul
de vid este ntotdeauna paralel cu marginile benzilor este continuu,
marginilor benzii de (M
c
) ale benzii
de (f'..E
v
) sunt invariante cu doparea, daca (X)
largimile benzilor interzise (E
g
) nu depind de nivelul de dopare.
Din fig. 5.1 se ca marginilor benzilor
f'..E
c
M
v
pot fi determinate, daca sunt cunoscute
XI' X2 Egl' Eg2 . ntr-adevar, pentru punctul x =O
din (5.1)
f'..E
v
=E
g2
- E
g
] - (Xl - X2) =f'..E
g
- M
c
(5.3)
Principala deosebire ntre p - N cercetata
p - 11 consta n aceea ca barierelor de poten-
ce trebuie escaladcze electronii golurile, la trecerea prin
sunt diferite. Din fig. 5.1b se ca pentru a trece din
regiunea 11 n p electronul trebuie sa escaladeze o bariera de
cu hn = q V
D2
Trecerea golurilor din regiunea
p n 11 este legata de escaladarea unei bariere cu
eDhp = qV
D
: + f'..E
v
+qV
D2
De aici rezulta posibilitatea de a realiza
cazul cnd <!> hp >> eDbn' La polarizarea directa a unei astfel de
componenta de a curentului va fi deter-
minata n temei de electronii semiconductorului cu
Diagramele de benzi ale anizotipice posi-
bile pot fi in trei tipuri (fig. 5.2), n de
(XI' X2)' largimea benzilor interzise (E
gI
, E
g2
) lucrurile
de (eDl' eD2) a ambelor semiconductoare. Majoritatea hete-
cercetate au diagrama de benzi de tipul 1.
Diagrama de benzi a abrupte idealc, cap-
cane la a fost propusa dc Anderson, care a foloSIt rezul-
tatele lucrarilor lui Shocklcy pentru
n fig. 5.la este reprezentata schema a doua semi-
conductoarc izolate. Se considera ca aceste semIconductoare au
unnatorii parametri
- largi mea benzii interzise ( Eg)'
- constanta dielectrica (b' ),
- afinitatea (X ),
lucrul de iesire ( eD ).
dintre energiile marginilor benzii de este
notata cu M
c
' iar cea a margi-
nilor benzii de - cu M,.
poarta denumirea de disconti-
nuitate a benzilor.
La echilibru tennic nivelul
Fermi se egaleaza; diagrama
energetica pentru aceasta
este reprezentata n fig. 5.1 b.
nauntrul fiecarui semicon-
ductor de ntre
doua puncte oarecare poate fi
reprezentata prin deplasarea ver-
ticala a marginilor benzilor ntre
aceste doua puncte. Atunci di-
dintre lucrurile de a
celor doua mateliale este chiar
de tensiune V
o
' denu-
mita de difilzie. V
D
este suma de
(V
DI
+ VIJ2)' unde V[)l
Fig. 5.1. a) Schema energetica a
doua semiconductoare izo- V
D2
sunt electro-
late; b) de bCI;zi statice suportate la echilibru de
a p - N . semiconductorul 1, respectiv 2.
Deoarece este continuu n de dipoli
deoarece nivelul de vid este paralel cu margmIle benZIlor,
$.1.1 MODELUL ANDERSON
188
189
(5.8)
Fig. 5.3. Diagrama de benzi a heterojonc-
Il - N .
I/JJL=T'J _ &2
N
A2
V
D2
- V
2
&JNDI
Ca rezultat se
J
d, (5A)
]
dp [ r (55)
1/
d d, +d
p
(5.6)
Pentru capacitatea de baraj pe unitatea de
Il
[
q&]&2NDlNA2 ] 2
c= i(;IN
DI
(5.7)
unde NDI NA2 sunt de donoare n semi-
conductorul 1, respectiv acceptoare n semiconductorul 2, iar V
este tensiunea din exterior.
ntre cele doua regiuni este data de
expreSIa:
unde V = + V
2

Metoda de construire a
diagramei de benzi a hetero-
izotipice ideale
este ca pentru cele
anizotipice examinate mai sus.
Ca exemplu, n fig. 5.3 este
diagrama de ben-
zi pentru o
n - N, n cazul Xl > X2'
Se considera ca prop-
de redresare a hete-
sunt determinate
numai de procese ce opun
Evl --'"----
tvl--'-----
u
][
CdS
1
--Ee:, E
Cl

-JieRs- -.
.-----E
c
"
GaSb <. r
_. _ _ _ __ _ _ l Ee 1
E
V2
E
c
! ::T:+ -'."P'

SI
Ga;1s
Ec1-----l
In.Rs
EVI 0: ;<\
EVi .....
,-,
Fig. 5.2. Diagramele de benzi ale anizotipice posibile.
Avnd n vedere principiul de construire a diagramelor de
benzi pentru p - N n - P este identic, atunci
pentru n - P la fel pot fi examinate trei modele.
stratului de sarcina n fiecare semiconductor
(d
n
dp) capacitatea de a abmpte pot fi
detem1inate rezolvnd Poisson pentm cele regiuni. Una
din la este continuitatea electrice la
&/:J =&2&2' unde &1 &2 sunt cmpului electric.
- 190 191
unde: V
2
- caderile de tensiune pe semiconductoarele n p
1
(vezi fig. 5.4); A =q. S X . ND2 [TJnl J2; X - coeficientul de
T
n1
transmisie a electroni lor prin S -
D
nl
T
nl
- respectiv coeficientul de difuzie timpul de al
electronilor n semiconductorul de tip p .
Fig. 5.5. p - n
abmpta.
5.1.2. MODl:!-'LUL DE EMISIE
caracterizeaza modificarea barierei de de catre tensiunea
exterioara). Modelul cercetat se pe larg la construirea
diagramelor de benzi pentru anizotipice, nsa
expresia (5.9) descrie inexact curentului de tensiunea
aplicata de temperatura n structurile reale. n plus,
experimental sunt cu mult mai mici dect cei de aceasta
expresie. Anderson explica cauza prin unei mari
de reflexie a purtatorilor de sarcina la
Acest model a fost propus de Perlman Feucht. El mode-
lul cinetic clasic de calcul al de emisie modelul de difuzie
pentru determinarea purtatorilor de sarcina minoritari la
marginile stratului de sarcina De exemplu, n cazul hetero-
p - N abmpte (fig. 5.5), cnd transportul sarcinilor este
efectuat n principal de electroni, modelul de emisie presupune doua
mecanisme diferite ce determina caracteristica curent-tensiune: homo-
unde trecerea curentului este limitata de acumularea purta-
torilor minoritari la marginile stratului de sarcina meca-
nismul ce are loc n contactul metal-semiconductor, unde curentul este
limitat de bariera de n partea N a Al
doilea mecanism predomina cnd la se afla o bariera inversa
nalta Il (fig. 5.5), iar primul este principal atunci, cnd V
R
=0, adica
marginea benzii de conduc a semiconductomlui N la tre-
buie sa fie situata mai jos dect marginea benzii de a
semiconductomlui p n afara regiunii de trecere.
Caracteristica tensiune-curent
(vezi fig. 5.6), n cazul neglijarii
proceselor de generare recombi-
nare n regiunea stratului de sarcina
a p - N
abmpte prezentate n fig. 5.5 este
descrisa de
_ 1s[ex
p
(kf J- ]]
1 _ ......._____, (5.10)
] + 1.s
l
d
(5.9)
Din expresia (5.9) se
observa ca primul termen
din paranteza detennina
curentul la polarizari di-
recte, iar al doilea - la
polarizari inverse. Daca
=V, atunci V; =(I_IJ. Il,
77 77
curentului
de tensiune este exponen-
att la polarizari
directe, ct la inverse
( 7J este o marime ce
E
9
2
" ,
-------- --
principala tluxurilor de purtatori de sarcina dintr-un
semiconductor n altul. Anderson a presupus ca procese sunt doua: ])
procesul de limitare a curentului legat de escaladarea barierei de
a de catre purtatorii de sarcina 2) procesul de limitare a
curentului legat de difuzia recombinarea purtatorilor de sarcina n afara
regiunii de sarcina
Din cauza marginilor benzii de a
benzii de dupa cum a fost aratat mai sus, barierele pentru
electroni goluri nu sunt identice curentul ce trece prin hetero-
va fi determinat ori de electroni, ori de goluri. Pentru
p - N cercetata (fig. 5.1 b) curentul va fi deter-
minat de electroni, fiindca bariera pentru ei este mai mica dect
pentru goluri. curentului de tensiunea aplicata n acest
caz este determinata de expresia:
1
(
qV
D2
Jr (q V
2
) (qVI l
=A 'exp - . exp -- -exp --.-.) ,
kT L kT kT
J
Fig. 5.4. Diagrama de benzi a
unii p - N la polarizare direeta.
]92
193
Caracteristica teoretica curent-tensiune reprezentata n fig. 5.6 arata
cum emisia Schottky aduce la (n cu
modelul de difuzie) a curentului la tensiuni mai mari dect Ve' nsa
de multe ori rezultatele experimentale nu pot fi explicate prin influ-
emisiei.
195
5.1.3. MODELUL DE EMISIE-RECOMBINARE
Acest model, propus de Dolega, se bazeaza pe presupunerea ca
la exista un strat care un numar mare de
defecte are o viteza nalta de recombinare, iar electronii golurile
ajung la prin emisia termica. O viteza mare de recombinare
n stratul de la aduce la lipsa redresarii numai daca regiunea
de trecere nu e mai larga dect acest strat. Diagrama de benzi pentru
o abrupta p - n la echilibru, care schematic ilus-
treaza acest model, este aratata n figura 5.7. Conform acestui model,
p - n consta din doua contacte metal-semicon-
ductor conectate consecutiv, iar
purtatorilor de
sarcina la depinde de
tensiunea exterioara. E
9
1
Pentru explicarea proprie-
principale ale caracte- E9
2
risticii tensiune-curent la pola-
rizari directe, expresia compu-
sa de Dolega a fost
transcrisa ntr-o forma mal Fig. 5.7. Modelul de emisie-recombinare
simpla de Van Opdorp: a p - N .
1 l, [ex
p
) -1] (S.l4)
l, (S.lS)
unde B este un coeficient ce depinde de temperatura. Valo-
rile lui fi n date sunt depind de raportul
t
r
t
1
(5.11)
V, (v)
MeCRWISMUl
1 DE DIFlJllE
I
I
I
I
Vc

I rti1
I I
II
MeCANISMUL
I DE EMISIE
I
I
1
5
lnl
Fig. 5.6. Caracteristica 1 - V a
P - N abrupte,
ca atare, cunoscuta lege a lui Shockley; , ,
2) l
s
l
d
, deci curentul este controlat de escaladarea banerei
pentru curentul total
1 q. S Xm N
m
9", .cxp[- (VF + I}SI3)
adica legea de emisie pentru dioda metal-semiconductor.
, t paI1ta lui In 1 =.1' (V) nu va fi kq'T
Observam ca m aces caz
194
1
1 S X N
(
IJnl ]. 2 este curentul electronic de satu-
unde: s =q . ' , Dl
. f
n1
capatat de Shockley pentru P - n ideala;
1 9 [- q (V + V)]
1d = 2 q . S . X m ND2' xn2' exp kT F
_. (2kT]J
2
. curentul de emisie la limita; .9
x112
= -- * este
1
d
reprezmta
Jrfl1
n
a VI
'tezei medii a electronilor n materialul de tip n;
componenta x
V
F
- barierei directe; X
m
-
coeficientul de transmisie,
Din expresia (5.10) e clar
mecanismul de trecere a curentulm
este determinat de raportul curen-
. 1s
--
ld
Aici avem doua cazuri:
1) 1s << 1d ' deci curentul este
controlat de difuzia purtatorilor
minoritari; din (5.10) pentru
curentul total
5.1.4. MODELUL DE TUNELARE
defectelor in semiconductoarele ce heterojon-
ctiunea. n scara inclinarea liniare a ca-
curent-tensiune la directe are valorile de la
q- la q f3 se de la 1 la 2). Curentul
kT 2kT
invers, conform acestui model, cu tensiunea.
Trebuie acest model n principiu se cu
modelul Sah, Noyse Shockley pentru p - 11, cu
deosebirea n ultimul model centrele de recombinare sunt repar-
tizate omogen n au o energie de ionizare, iar n
primul caz ele au o energ.ie sunt con-
centrate ntr-o regiune n apropIerea
(5.19)
V
unde: Eh (x) - barierei de n punctul x; aV _
de tensiune pe semiconductorul 11; 111,: - masa a
electronului n semiconductorul 11.
Presupunnd o careva E
h
=E
h
(x), pot
fi un de ale (5. 16). n cazul
liniare cnd cmpul electric &0 este constant), Rediker cu
coautorii au
1
'1/J ./-
1/ l
4 .] E )/2 . 1/ E /7
( ( - qaVj<517)
unde Ebmax este a barierei de de
marginea benzii interzise n lipsa tensiunii exterioare. Curentul de
tunela:'e este detenninat de produsul de tunelare
5.17) la fluxul de electroni de la interfata. Pornind de la
aceasta: n examinat, unde tunelarea prin' bariera un
rol maI pnncIpa.1 dect peste bariera, expresia generala
pentru caractenstlca curent-tensIUne la directe are fonna:
. ) V
1 = Is\T . exp V '
(5.18)
o
unde Va este o 1s (r) - o ce slab cu tem-
peratura. Cu toate Rediker coautorii lui n-au dat o
a de Is(T), experi-
ale curentului direct de tensiune ntr-un sir de
anizotipice sunt descrise suficient de expresia ('5.18)
sau pentru toate tensiunile, sau ncepnd de la o tensiune
Newman primul a observat empiric a fost o depen-
ntre 1s (T) exp (TJ .Folosind de-
Ta
expresia (5.] 8) devine:
T
1 =1
so
. exp
T
o
unde 1
50
, Ta, Va sunt constante.
(5.16)
p
Mecanismul tunel pentru descrierea caracteristicilor voltamperice
ale p - 11 abrupte a fost propus de Rediker, Stopek
Ward. Ei considerau electronii trebuie escaladeze bariera de
n semiconductorul de tip 11 cu
(fig. 5.8) sau sa tuneleze prin ca sa dm materialul 11. n
p , invers. Fluxul de electroni la po directe (emisia
X2 x
peste sau tunelarea
: 1
prin este determinat

'" -
n principal de
- ------ I ... [(x) 'E---- iv materialului de tip 11.
(1- d) V: b bmuy
vom considera
:
tunelarea are loc de pe mar-

ginea benzii de
k
' n
atunci pentru heterojonc-
1' ... --------- diagrama de benzi a
I
este n fig. 5.8,
:
expresia pentru probabili-
tatea de tunelare a electro-
nului (T) la polarizari di-
recte este:
Fig. 5.8. Modelul de tunelare a heterojonc-
p - N.
196
197
5.1.5. MODELUL DE TUNELARE-RECOMBINARE
Expresia (5.19) clarifica ca tensiunea temperatura, ca variabile,
d
_t (d oIn] . d . d
sunt e a ICa nu depm c de temperatura) ca epen-
oV
curentului de temperatura este (In] T).
unde: B este o ce depinde relativ slab de tensiune tempe-
ratura; VD - de de contact de difuzie);
V - tensiunea exterioara; a - un coeficient ce depinde de masa
efectiva a electronului, constanta dielectrica, purta-
torilor de sarcina de echilibru de forma barierei de
Cercetnd o bariera liniara (cmpul nu depinde de coordonata n
regiunea de trecere) considernd ca tunelarca are loc, n prin-
cipal, n materialul de tip 11 , pentru coeficientul a sc
(5.22)
(5.23)
1
I

Fig. 5.10. Modelul de tunelare
n p - N
la polarizare
la
la V = const
la T =COI1St
expreSII,
{
In]
In J
T
]
a 3: (t'f (5.21)
Avnd n vedere ca valorile lui a, experimentale teoretice, difera
mult, Riben Feucht au presupus posibilitatea proceselor de tunelare-
recombinare multitrepte (fig. 5.9). n practica nsa e destul de dificil de a
face calcule cantitative, fara a concreta a sarcinilor
a capcanelor.
Pentru a detennina curentului invers de tensiune
de temperatura, Riben Feucht au propus modelul de tunel are
Zener (fig. 5.10). Folosind acest model presupunnd ca bariera
este liniara, iar tunelarea are loc ndeosebi n materialul de tip 11 ,
pentru curentul invers se poate scrie:
1 = c exp l- A (V
D
- vt
li
J '
Li Y
unde A3: '.(E;, r
n<, 6
2
, ND2 E
g2
- parametrii materialului de tip 11 .
Aici, ca n cazul polarizarilor directe, pentru a o
corespundere ntre teorie experiment, trebuie presupusa posibi-
litatea proceselor multi scara.
Analiza expresiilor matematice
ce descriu cu-
rentului de tensiune la diferite mo-
dele arata ca caracteristic pentru mo-
delcle de difuzie, de emisie de
recombinare este expo-
dintre curent tensiune:
! lex
p
-Il (524)
Conform acestei
polarizari directe
(5.20) J = Bexp [-a (V
D
- V)],
Fig. 5.9. Modelul de tunelare -
recombinare n hetero-
p - N .
Asemanarea dintre expresia curentului de tunelare n hetero-
(fonnula 5.19) expresia pentru curent n dioda tunel
(Esaki) i-a adus pe Riben Feucht la modelul bazat pe
tunelarii ntre benzi combinate cu procesele de recombinare. Diferite
procese incluse n acest model schematic sunt reprezentate n fig. 5.9.
n acest model are loc sau tunelarea electroni lor din banda de
a materialului de tip 11 cu banda interzisa larga pe centrele
: libere din banda interzisa a
materialului de tip p, cu banda
ngusta urmata de recombinarea cu
golurile, sau tunelarea goluri lor din
materialul de tip p pc centrele
ocupate din materialul de tip 11
um1ata de recombinarea cu
electronii. Daca tunelarea are loc de
la marginile benzilor energetice,
atunci curentul la polarizari directe
este determinat dc expresia:
198
199
Valoarea coeficientului A a curentului de 1s de-
pinde de mecanismul de trecere a curentului prin
n cazul mecanismului de tunelare Riben-Feucht
curentului de tensiune la polarizare directa Ia fel este o

1 =1
0
[exp (BV)-l],
(5.25)
Capitolul VI
TRANZISTOARE BIPOLARE
unde B este independent de temperatura.
Specific pentru expresia 5.25 este ca ce ten-
siunea aplicata nu depinde de temperatura. In acest caz
In 1 = I(V) la T = const va fi o liniara.
Deci, construind curentului de tensiune la diferite
temperaturi comparndu-le cu expresiile 5.24 5.25, se pot face
presupuneri despre mecanismul de trecere a curentului prin hetCro-
Din analiza de mai sus rezulta complexitatea carac-
teristicii 1 - V in de concrete prezentate de
Confruntarea teoriei cu este destul
dificila. din cauza marii de existente
faptului ca nu totdeauna se exact la
in majoritatea cazurilor, un singur mecanism nu este in
stare sa explice caracteristica.
200
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor activ -
cea mai importanta structura din electronica - att ca
dispozitiv discret, ct ca element component in majoritatea cir-
cuitelor integrate.
n capitolul III a fost ca la polarizarea curentul
prin p - n este determinat de electronilor din
regiunea n a golurilor din regiunea p in regiunile opuse, unde
minoritari in exces se treptat;
c.urentul dJfect depinde de tensiunea jonc-
conduce foarte bine curentul electric. La polarizari inverse
curentul ce se scurge prin este destul de mic (3.78) este
detenninat numai de minoritari ce sunt n re-
giunea sarcinii in apropierea ei. n unor
surse de minoritari ionizante, surse
de curentul prin p - n
invers se
a de majorare a purtatorilor mino-
ritari in apropierea p - n polarizate invers este foarte
consta n instalarea n imediata apropiere a ei a altei jonc-
p - n polarizate direct. metoda este foarte comoda
deoarece ea asigura dirijarea electrica a
dirijarea cu ajutorul tensiunii directe aplicate la
SItuata n apropierea polarizate invers.
a modulare a curentului ntr-o p - n cu ajutorul
tensiunii altei situate in apropierea ei, de-
numirea de mecanism de a tranzistorului bipolar. Aceasta
este una dintre cele mai importante idei n ntreaga istorie de dezvoltare
a dispozitivelor electronice; pentru aduse n acest
domeniu celor trei - LBardeen, W.Brattain, W.Shockley - li
s-a decernat premiul Nobel pentru anul 1956.
20J
n acest capitol vor fi deduse expresiile principale ce descriu
procesele fizice, care determina comportarea tranzistorului bipolar
n regim static dinamic, caracteristicile statice n montajul cu
baza comuna cu emitor comun etc.
6.1. STRUCTURA TRANZISTORULUI BIPOLAR.
CONEXIUNI FUNDAMENTALE
E
B C
203
V 1::
"Ee or.
(,)
1-

b
{J-n-p
ee
e
Ee
B
..7-p-,7
E0-

oC
a
Fig. 6.1. Structura simbolul TB:
a) tIp II-P-II;b)tip P-Il-p.
ntre ele prin intennedi 1 -' .
aceasta dupa cum se va d u purtatonlor mInoritari; pentru
, .
emonstra mai J' os t
.
unea bazeI sa fie foart _ , es e necesar ca regI-
a purtatorilor m cu lungimea de
. In de aceea, care bo - .
_
CUltul de intrare cel de ie ire . _ma. este comuna pentru cir-
a conecta TB: cu emitorul: ,exIsta moduri fundamentale de
na (conexiunea BC) i cu (conexIUnea EC): cu baza comu-
trei conexiuni comunfconexIUnea Ce). Cele
sun prezentate In fig. 6.2.
Be
El e
1.
E
a
t
)
c
Fig. 6.2. Tranzistoml P -Il ' .
. - P In conexllme cu baza comuna (a)
cu emitorul comun (b)' 1
. ,
cu co ectorul comun (c).
Conexiunea BC are bornele de . ."
B. Tem1inalul B fiind d' Int:are B, Iar cele de e
, eCI, comun mtram este natural ca
202
Tranzistorul bipolar (TB) este un dispozitiv semiconductor
activ cu doua p -11 n trei terminale, pro-
de amplificare a sunt detenninate de procesele de
colectare a purtatorilor de sarcina minoritari.
Denumirea de tranzistor, data dispozitivului, provine din COntac-
tarea cuvintelor din limba engleza: TRANsfer-reSlSTOR - denu-
mire, care desemneaza de baza a dispozitivului, anume -
acea de amplificare, evaluata cantitativ prin parametrul transrezis-
este raportul dintre tensiunea de semnal dc la
tranzistorului curentul de semnal de la intrare; acest raport
este foarte mare cnd TB n regim de amplificare.
Tranzistoarele bipolare sunt fonnate din trei regiuni semicon-
ductoare succesive, n ordinea 11 - P -11 sau p -11 - P , realizate n
cristal semiconductor de baza ( Si, Ge, GaAs etc.), care se
numesc: emitor, bazei, colector. Terminalele TB poarta
denumiri ca regiunile semiconductoare se noteaza: E - emitor,
B - baza, C - colector (fig. 6.1) Regiunile semiconductoare definesc
cele doua ale TB: B-E, sau de emitor
B-C, sau de colector.
Consemnam ca baza este regiunea mijlocie a structurii, iar
emitorul colectorul sunt cele de la Denumirile re-
giunilor extreme sunt corelate, dupa cum vom vedea, cu
lor: emitorul. este sursa de purtatori, care determina n principal
curentul prin tranzistor, iar regiunea de la cealalta extremitate
colecteaza purtatorii aici. Baza are rolul de a controla
(modifica) intensitatea curentului prin tranzistor, n de
tensiunea: dintre B E. Deci, efectul tranzistor consta n comanda
curentului invers din colector-baza de catre curentul
direct din emitor-baza. Acest efect poate avea loc numai
daca cele doua sunt ntr-adevar foarte apropiate inter-
f . I 1:
c
li li
Fig. 6.4.
TB de tip
n-p-n. E

Regimul de lucru normal Invers se activ, deoarece

pennite unei amp).ificari: prin deter-
minata de o mica a tensiunii aplicate pe po-
larizata direct, se poate o nsemnata a tensiunii pe'""
polarizata invers.
Spre deosebire de regimurile active, n regimurile de taiere sau
de unde sunt polarizate la fel, TB nu poate
amplifica. aceste regimuri sunt interesante n utilizarea TB
ca element de
Ia
W
B
dintre emitorului a colectorului de-
tennina largimea tehnologica a bazei. Fie S aria structurii
TB care este constaniade-a lungul axei x. La emitorului
a colectorului sunt aplicate tensiunile V
EB
V
CB
' Vom considera
x =Ia marginea regiunii de sarcina a emitorului
din partea bazei, iar x B - la marginea regiunii de sarcina a
colectorului din partea bazei. n limitele o::;; x ::;; x
B
este
situata regiunea electric neutra a bazei. Pentru a principiul
de a TB, este important sa comportarea
purtatorilor de sarcina n aceasta regiune. n regiunea bazei sunt \, ".
electroni goluri, ceea ce i-a dat denumirea de tranzistor bipolar. J
6.2. PRINCIPIILE DE
A TRANZISTORULUI BIPOLAR
Pentru analiza proceselor fizice deducerea expresiei curen-
ne vom referi la un tranzistor de tip n - p - n n conexiune cu
baza comuna (fig. 6.4)
B
b a
Fig. 6.3. Structura reaIa a tranzistorului bipolar
n - p - n : a) prin metoda difu-
zici: b) prin aliere.
lui sa fie ales ca de ..
pennite, cel mai evident, de a. cerceta procesele fiZiceIn .
Conexiunea Ee are tenmnalul comun E. Aceasta
cea mai folosita datorita sale favorabile multor
Conexiunea CC are comun pentru intrare tenninalul C.
Accasta conexiune se n calitate de repetor pe emitor.
Deoarece TB poseda doua fiecare poate fi pola-
rizata direct sau invers, rezulta ca tranzistorul poate n
una din urmatoarele patru denumite regimuri (electrice) sau
regiuni (n planul caracteristicilor statice) /1IC':u: .
1) regiunea activa .. de emlt?r se
polarizeaza direct, cu o tensiune apropIata de cea de
(0,2-0,3 V pentru TB cu Ge 0,6-0,7 pentru :rB cu SI), Iar
de colector - invers, cu o tenslUne relativ mare (de Ia
pna Ia zeci de V); . .' .
2) regiunea de blocare (de taiere): ambele sunt polan-
zate invers. n acest regim, curentul prin TB este practic .
3) regiunea 1
e
sunt polanzate
Deoarece att de emitor, cat de colectOl
teaza pUltatorii minoritari n baza, prin TB va trece curent .
4) regiunea activ,LiDyersa: de polanzata
invers, de colector - direct. Aici colectorul
inverseaza rolurile. Acest este practic folOSit,
parametrii de TB sunt infenon cel?r regIUnll
normale fapt rezultat din dISPOZItivulUi.
, Tranzistorul real
are o structura asi-
metri ca (fig. 6.3) de-
terminata att de di-
c fcrite arii ale emito-
rului colectorului
n structurile
te prin metoda alierii,
ct de diferite ni-
veluri de dopare a
regiunilor tranzisto-
rului n cazul forma-
rii TB prin metoda
difuziei.
204
205
(golurilor), ct de gradientul de Din (6.2) rezulta
n baza omogen [N
A
(x) =const.], la nivel mic de
cmpul electric Tranzistoarele bipoloare, la care concen-
n este se numesc tranzistoare de
difuzie sau deoarece transportul mino-
ritari prin se n principal prin procese de difuzie;
TB, la care n baza este mai
mare emitor mai lnga colector, se numesc tranzis-
toare drift, deoarece transportul purtatorilor minoritari se
n principal prin procese de drift.
ntre emitorului colectorului poate ... curge
curentul electronic. fiecare din aceste poate
juca rolul de de electroni ce patrund din regiunea n a acestei
n regiunea p a bazei, este polarizata
direct. Acest curent electronic este egal:
dn n dp dn
In = + qD
n
- = --+ qD
n
- (6.3)
dx pdx dx
A doua expresie n (6.3) a fost utiliznd (6.2) rela-
Einstein:
In = qD
n
(n dp + p dn) = qD
n
d(pn) . (6.4)
p dx dx p dx
Transfonnnd (6.4) integrnd n regiunea bazei n
limitele de la x =O la x =xB'
Vom presupune ca dintre curent tensiune la
emitor-baza colector-baza este data de ideala a lui Shockley
(3.75), unde neglijam efectul de generare-recombinare, efectele re-
serie nivelul mare de Sarcina a jonc-
p - n ale emitorului colectorului au abrupte cu
regiunile cvasineutre ale emitorului, bazei colectorului. n
vecinatate a de a pentru
pUl1atoriior minoritari sunt juste la limita (3.52) (3.53).
Caracterul de transport al purtatorilor de n regiunile
cvasineutre ale TB este detenninat de
de electroni goluri n axei x, care
este ndreptata de-a lungul structurii (fig. 6.3), componentele
de difuzie de drift sunt detenninate de expresiile (3.54) (3.55).
analizam regiunea electric a bazei TB pe fig. 6.4.
n aceasta regiune, n regim de polarizare, curentul de goluri
este foarte mic. Aceasta este detenninat de faptul din ambele
ale regiunii bazei cu de tip p sunt situate regiunile
de tip n, n care golurilor minoritari) este
ele nu n regiunea bazei. Se poate considera ca baza
cu P o groapa pentru goluri,
emitorului a colectorului mpiedica trecerea goluri lor
n emitor colector.
Asupra acceptorilor NA n regiunea
bazei nu vom da nici o limitare, presupunnd ca NA (x) este o
arbitrara. Intensitatea cmpului electric n regiunea bazei
[; vom determina-o din ca curentul de goluri din
x .. __ __ __.__ ...__ ._'.
este egal cu zero (I p =O). anume:
'f = 1d (pn ) .
" qD Il o
(6.5)
dp
I
p
-qD
p
-
d
(6.1)
x
Utiliznd Einstein pentru intensitatea cmpului,
[; = D
p
-.!.- dp kT (6.2)
x p p cir q p dx
Confonn expresiei (6.2), intensitatea cmpului electric n baza
TB este detenninata att de purtatorilor majoritari
- 206
Presupunem ca electronii trec prin regiunea bazei recom-
binare. Atunci f n este nu depinde de x poate
fi scoasa de sub Aceasta presupunere este destul de
largimea bazei (W
B
X B) este cu mult mai dect 1un-
gimea de difuzie a electroni lor (L
n
) n regiunea bazei. n
nOffi1ale __ n urma de o
intensitate mica. Aceste pierderi caracteristicile tranzis-
torului bipolar vor fi analizate mai trziu.
207
Din (6.5) pentru curentul electronic urma-
toarea expresie:
1 = q[p(xs )n(xs) - p(O)n(O)]
n .
fO(B jj-dx
"
(6.6)
unde
25
2
2 D
1 == q ni n
S Qss
(6.9)
(9. 10)
(6.8)
Din expresiile observam ca pentru calculul TB este
necesara marimii Qss' n cazul nivelului mic de injec-
golurilor n regiunea bazei este egala cu densitatea
acceptoare (p N(4)' Prin urmare, pentru calculul
tranzistorului este necesar sa numarul total de centre
acceptoare din regiunea bazei:
..
(6.11 )
(6.12)
XB
Qss == Sq f pdx
o
Xa .ts
fN
13
(x)dx = fpdx.
o A o
Aceasta marime este denumita Gummel se noteaza
GN, care este un parametru important al T8. Cu ct este mai mic
numarul Gummel, cu att este mai mare curentul de l,
mai performante sunt caracteristicile TB.
Conform expresiei (6.9), rezulta ca, sub tensiunilor
aplicate la emitorului (V
ES
) ale colectorului (V
cs
)' se
poate dirija cu marimea curentului In' Daca ambele tensiuni sunt
negative (polarizeaza invers) sunt cu mult mai mari
dect k7jq, curentul In este neglijabil de mic. Daca nsa
una din aceste tensiuni este pozitiva este cu mult mai mare dect
k7jq, atunci In va depinde foarte puternic de aceasta tensiune.
(6.9) descrie vadit mecanismul fizic de a
TB cu ajutorul ei se poate analiza nu numai procesul de comu-
tare, dar un de alte fenomene. nainte de a efectua cercetari
mai detaliate ale acestor fenomene, vom analiza mecanismul
fizic de a TB.
Din expresia (6.6) rezulta ca curentul de purtatori de sarcina
minoritari (electronii) n regiunea bazei depinde de pro-
duselor electronilor goluri lor la marginile regiunii
bazei, la sarcina integrala a purtatorilor majoritari din
aceasta regiune. Cu ajutorul expresiilor (3.52), (3.53) produsul con-
purtatorilor de sarcina pn la aceste margini poate fi
exprimat prin tensiunile aplicate la n felul urmator:
p(O)n(O) =n;2 exp( q;:;s )
p(xs)n(x
s
) =n; exp( q;;s ). (6.7)
cont de (6.7), pentru curentul electronic din regiunea
bazei se poate scrie:
XB
fLdx
oD"
Expresia (6.8) a fost neglijnd recombinarea electro-
nilor n regiunea bazei presupunnd ca curentul de goluri n baza
este zero. Ambele simplificari sunt juste cnd curentul bazei este
zero, ce difera de reala. nsa pentru bazei destul de
mici caracteristicile reale ale TB bine coincid cu curen-
tului colectorului de tcnsiunile V
ES
' V
cs
calculate.
Deci, daca vom nota prin Qss - sarcina electrica sumara din
regiunea bazei, D" - coeficientul de difuzie mediu al electronilor,
5 - aria transversale a structurii, atunci din (6.8)
- 208 209
fi
/
b
n p
I __ Ee
a
t n p
4.J
Ee
1"
E
v
Ee
.l
y.
&;;
I
;;
---
Ci:
fi
P
fi Eu
/.


(eN "J)
n
p
_10'0
(em")
C
Nivel Fenni
d
Fig. 6.5. benzilor energie ale 1B purtatorilor
de a) tennodinamie; b) regimul de taiere;
e) regimul de d) regimul nonnal.
electroni s.e injecteaza n baza de tip p. gradientului de
aceea ca electronii difuzeaza spre
colector, daca colector-baza nu este prea departata de
211
(6.13)
/
Conform (6.13), o mica a lui V
EB
conduce la o schim-
bare brusca a le' Datorita polarizarii directe a emitor-
baza, barierei de scade un numar mare de
210
dedusa (6.9), care descrie mecanismul de a
TB, nu de impuri n baza, dar
numai sarcina totala a purtatorilor majoritari din regiunea
bazei. Mai departe va fi demonstrat ca datorita acestui fapt
este destul de comoda. pentru o analiza mai detaliata a me-
canismului de a TB, este necesar de a cerceta
ntr-o structura simplificata. Acest tranzistor simplificat este struc-
tura prezentata pe fig. 6.4 cu abrupte cu
constanta a n regiunea bazei.
n fig. 6.5 este aratat modelul benzilor de energie ale TB n
diferite regimuri de purtatorilor de sarcina
n aceste regiuni. La echilibru termic (TB nepolarizat, fig. 6.5a),
curentul net prin este nul, pentru ca barierele de energie
au care asigura componente egale de difuzie
drift care se compenseaza pentru ambele tipuri de purtatori de
sarcma.
Daca de emitor de colector sunt polarizate invers,
; atunci, conform (6.9), II! 0, tranzistorul este nchis. n
acest regim barierei de att a de emi-
tor, ct a celei de colector se maresc (fig. 6.5b)
electronilor din regiunea bazei devine mai mica de echilibru.
purtatorilor de sarcina n imediata apropiere a regiuni-
lor de trecere se determina de expresia (6.7). La polarizarea directa
a ambelor de
injecteaza electroni n regiunea bazei, n rezultat
electronilor din regiunea bazei brusc tranzis-
torul conduce bine curentul (fig. 6.5c).
Presupunnd ca de emitor este polarizata direct, iar
cea de colector - invers, neglijnd termenul cu V
eB
din (6.9), pen-
tru curentul colectorului
r:
Sa analizam fluxurilor de purtatori de sarcina n TB
care n regim activ. Ne vom referi la un tranzistor
difuzie, de tip 11 - P - 11 n conexiunea BC (fig. 6.6).
.i
V
es
n
n
P
I.B
/!'. e El e-.-.. l.c
8o/r ......... ,
____ e
eVEB \
r----
?
b
a
6.3. CARACTERISTICILE TRANZIST(J)RULUI
BIPOLAR. CONCENTRATIA
DE
BAZEITB
emitoFbaza, o parte din ei ajung la colector. cealalta
parte recombina n baza. Este de dorit ca aproape electronii
n baza sa ajunga la colector, ceea ce implica ca
largimea bazeiW
B
sa fie mai mica dect lungimea de difuzie a
electronilor n baza L .
n
W
B
< In este de a tranzistolUlui.
Electronii la colector-baza trec peste bariera n
colector (fig.6.5d). Curentul de electroni de la emitor-
baza (polarizata direct) trece aproape n ntregime prin
colector-baza, aceasta este polarizata invers. Deci, curentul de
colector este determinat n principal de catre componenta elec-
tronica a curentului de emitor. Deoarece emitor-baza
polarizata direct) este mica n cu
colector-baza polarizata invers), curentul dintr-un circuit
cu mica este transferat cu aproape valoare ntr-un
circuit cu mare. Aceasta nseamna semnalul de tensiu-
ne alternativa, aplicat la emitor-baza este amplificat la
ntre colector baza. n acest regim tranzistolUI
ca element de amplificare. purtatorilor de
sarcina minoritari pentru cazul dat este prezentata n figura 6.5d.
Deoarece de emitor este polarizata direct,
electronilor n baza, la marginea dinspre emitor, este mai mare de
exp( q Vt;{r) ori dect la echiliblU termic. La mar-
ginea dinspre colector electronii sunt prin drift de cmpul
colectolUlui n regiunea de colector, deci con-
electronilor scade aproape la anulare pe limita
dinspre colector a bazei. n regiunea bazei intensitatea de
recombinare tinde la zero, atunci, cum va fi demonstrat mai depar-
te, clectronilor n regiunea bazei este distribuita linear.
Fig.6.6. TB de tip 11 - P - 11 n regim activ:
a) fluxuri de b) modelul benzilor de energie.
emitor-baza este polarizata direct, iar colector-baza -
invers. Dupa cum rezulta din analiza proceselor fizice n
212
213
P - n, n circuitul emitorului trebuie sa treaca un curent direct
mare lE' iar n circuitul colectorului un curent invers mic 1CBa
(pentru lE =).
Curentul care traverseaza de emitor are doua com-
ponente, 1nE 1pE (fig. 6.6). Componenta de electroni este data de
electronii din emitor n baza, iar cea de goluri este data de
golurile injectate din baza n emitor. Pentru o realizare efectiva a
este necesar ca goluri lor (sarcinilor ce nu participa
la procesul de amplificare a TB) din regiunea bazei n regiunea
emitorului sa fie ct mai mica. De aceea la TB con-
( n cazul analizat N Dt ) n emitor este foarte
mare, n baza (NAB) - mai mica; n raport se afla con-
de echilibru ale purtatorilor majoritari nOE Pos .
Limita de sus de dopare a emitorului este determinata de starea de
degenerare, iar cea de jos de dopare a bazei - de starea intrinseca;
de obicei, n TB cu Si de a purtatorilor de
sarcina majoritari din emitor baza este de 3-;-5 ordine.
Pentru a caracteriza curentului emitorului se intro-
duce marimea numita emitorului r, care se prin

(6.14)
unde filE f pE sunt de electroni de goluri prin jonc-
emitor-baza.
seama de expresiile componentelor filE f pE (3.73),
(3.74) lund n f nE >> f pE , se
r=l- (J"sW
s
, (6.15)
(J"ELIl
unde (J"B (J"E reprezinta electrice ale bazei, res-
pectiv emitorului. Conform expresiei (6.15),
emitorului necesita baze foarte nguste regiuni de emitor puternic
;, dopate de baza, astfel sa avem (J" s (J"E' CU ct r este
j w +" (= It! { A'- t '6,,-,
. , 214
/Il. ':: l <J-f i
y-5f("r)
mai aproape de unitate, cu att caracteristicile TB sunt mai bune.
n structurile reale r 0,9920-;-0,9995, iar curentul de a
purtatorilor de sarcina minoritari n regiunea bazei 1nE =r.lE.
Electronii n regiunea bazei, datorita gradientului de con-
difuzeaza spre colector. Sa determinam acestor
electroni de-a lungul bazei.
n regim n regiunea bazei, de continuitate este:
!
d
2
n
p
n
p
- n
po
-- =0 (6.16)
d
2 L
2
'
x n
unde: L = este lungimea de difuzie a electroni lor n re-
n -V L/n' n
giunea bazei; np(x) - electronilor n baza;
npa - electroni lor n baza la echilibru. acestei
este de forma:
np(x) - n" A, ex{:) + A, ex
p
( - tJ (6.17)
Vom determina la limita considernd ca n circuitul
emitorului este cunoscuta componenta electronica f nE =r f E' iar la
de colector este aplicata tensiunea V
CB
' Lund n con-
ca ntr-un TB de difuzie densitatea curentului de electroni
n regiunea bazei, ce trec de la emitor la colector, la un nivel mic de
este determinata de difuzia electroni lor:
. _ D dnp(x)
in - q n dx ' (6.18)
iar electroni lor n baza n imediata aprOpiere
de regiunea de sarcina a emitor-baza este de-
terminata de (6.7), la x= x =W
s
respectiv:
,
/ p: r',
dn
p
(x) I 1 EA, It":;;::",' "
-----'-- x=O =_n._ c- -:-:-.- o-;-eo," ! (6.19)
dx' qDS -"1">
n
n(W
B
) =npO exp( qV
cs
), c,
kT' "
unde S este arja emitor-baza.
n,h 1,", \ . . 2:.
,\; j" 215 =/
I.....
::: lI..
\1.." . -.;
dintre 1 nE I nC constituie curentul de re-
combinare a electroni lor I
nr
n regiunea bazei:
n cazul regimului activ de a TB aproape n n-
treaga regiune a bazei se inegalitatea np npO' iar
Tn =const. De aceea
(6.26)
(6.28)
(6.29)
r (6.27)
, ,.
- "
i-. '/
s
XI] n - n
I
nr
= qS f p pO dx .
o T
n
qS XB
I
nr
=- fndx.
T
n
o
lineara a electroni lor n (vezi 6.23) da
posibilitate de a lua integrala din (6.27). Pentru curentul de
recombinare se expresia:
qSn
2
x [ qV ]
I = 1 B
nr 2N . kT '
ABrn
I nr =I nE - InC" (6.25)
cum este cunoscut (capitolul 1), rata de recombinare este
de n exces ale purtatorilor minoritari
I1n p =np(x) - npo timpul de corespunzator T
n
, deci
I1n
Rn =--p . Prin urmare, curentul de recombinare I
nr
n regiunea
r
n
bazei are expresia:
n
2
unde s-a notat n o =_i_
P N
AB
Aceasta expresie a fost dedusa pentru un caz particular, nsa
chiar daca electronilor n regiunea bazei nu se va schim-
ba linear, termenul [ex
p
( q;;' ) - 1] cunstant.
Din (6.24) (6.25) se
IInEI- I
nr
x=
I
nE
Utiliznd la AI A
2
ce se n expresia (6.17). Dupa aceasta, pentru
electronilor,
n (x) = )+n
po
(exP(qV
eB
) -1) c{t) +I (6.21)
p qD,S kT
I I kT. d' .
In regimul activ normal (V
CB
< O, V
CB
-) la con
q
W < L al doilea termen din expresia (6.21) nu
B n'
te O,2n
po
el poate fi neglijat. Atunci:
IL
n (x) = nE n (6.22)
P qD,S c{::)
Presupunnd recombinarea n regiunea bazei are intensitate
destul de adica L
n
00 (sau W
B
L
n
),
n,(x) (1- ;Joe
Deci, electronii se distribuie linear n regiunea bazei,
fapt la care a fost atrasa mai sus (fig. 6.5).
Marea majoritate a electronilor din emitor n baza
ajung la colector; o se recombina n baza, astfel
nct I
nE
> I nC . Procesul de recombinare a electronilor n can-
titativ se de coeficientul de transport bazei) X
al minoritari prin
X= I
nC
, (6.24)
I
nE
unde I
nC
I
nE
sunt de electroni prin colector reSpectiv
prin emitor.
216
,j -
217
Curentul l
nE
este determinat de expresia (6.13). n cazul repar-
tizarii N
AB
n baza uniforma p = NAB '
sarcina din regiunea bazei QB =qSNABXB . n urma
din expresiile (6.13) (6.28) pentru qV
EB
>> 1 rezulta:
kT
(6.30)
Expresia (6.30) este una din cele fundamentale n teoria tran-
zistorilor. Cu largimii bazei, conform (6.30), coeficientul
de transport se rapid pentru W
B
L
n
(practic pentru
W
B
> 3L
n
) este aproape de zero. Din aceste considerente, cum
a fost mai sus, baza TB se face ct se poate de ngusta,
ca sa se ndeplineasca W
B
< L
n
n TB reale, n
care xB 0,5 flm, iar L
n
30 flm, coeficientul de transport
X =0,99986, adica este foarte aproape de unitate.
Majoritatea electronilor ajung la pola-
rizata invers; cmpul electric intens ce n regiunea sa-
racita accelereaza electronii spre regiunea colectorului. Aici sunt
prin drift n regiunea de colector ca flux electro-
nic l
ne
. Din (6.14) (6.24) se
l
ne
=rxl
E

(6.31)
Cnd nu sunt electronii din emitor lE =(emitor n
gol), n circuitul colector-baza polarizate invers trece
curentul ce se noteaza 1eBa care este datorat purtatorilor mino-
ritari: curentul de electroni din baza n colector curentul de goluri
n opusa (fig. 6.6). Curentul invers al colectorului 1eBa este
curentul la "ruperea" circuitului emitorului, asemanator cu curentul
invers al diodei. Acest curent depinde de temperatura
este unul din parametrii principali ai tranzistorului.
are loc electronilor din emitor n baza (I E * 0),
atunci curentul colectorului se cu rxl E devine egal cu:
1e =rx
1
E +1eBa =aa
I
E +1eBa'
(6.32)
:i18
Pro?usul emitorului r la coeficientul de transport al
prin baza X denumirea
static curent n conexiunea BC se noteaza prin
ao' Uhlizand expresIa (6.30),
(6.33)
Deoarece r < l X < 1, atunci factorul de amplificare n
curent a o tot este mai mic ca unitatea. La majoritatea TB comerciali-
zate. ao =0,98 - 0,998. Coeficientul a
o
este unul din cei mai impor-
parametri lui de amplificare.
Curentul dm cIrcUitul bazei
l B =lE -l
e
(6.34)
este de modificarea sarcinii sau a bazei
purtatorilor majoritari n baza. '
a tranzistorului este amplificarea sem-
cu n timp (tensiuni variabile). Acest re-
de poarta de regim dinamic. n acest
amplIficare sunt caracterizate prin factorul
de amplificare a, definit prin
.
I '';.' ..{''
a ) <y ",' (6.35)
dl E Vea
Utiliznd expresia (6.32),
- 1 oao
a - a o + E
(6.36)'
olE
Din (6.36) se observa factorul de amplificare a
nu este egal cu cel static a
o
' Cauza consta n aceea
r coeficientul de transport X depind de curentul emi-
torulUI.. La de emitor foarte mic curentul de generare-
recombmare m stratul de baraj precum curentul de
la pot fie mari n cu curentul de
dIfuzIe m emitorului r este cu mult mai mica
219
unde: /30 = este factorul static de amplificare n curent al
l-a
o
TB n conexiunea EC; I
CEO
=(/30 + 1)1CBO este curentul rezidual
( ':r
de colector cnd 1s =O.
La schimbarea factorului de amplificare a
o
de la 0,95 la
0,99, /30 n limitele 20-100. Prin urmare, conexiunea EC
suficient n curent.
(6.39)
(6.40)
(6.41)
(6.42)
fi ( :)I'",om'"
sau, utiliznd expresia (6.38),
0/30
/3 =/30 + 1s -...,- .
o l
s
n regim dinamic coeficientul de amplificare n cu-
rent este:
6.3.1. MODULAl&'A BAZEI (EFECTUL EARLY)
La analiza TB n regimul activ s-a considerat ten-
siunea de polarizare pe nu influ-
curentul de colector, dar are rolul de a garanta colectarea
a purtatorilor de sarcina minoritari din tranSportul
lor n regiunea colectorului. Valoarea a acestei tensiuni este
numai de tensiunea a colectorului, care
trebl.!,ie fie mai ca tensiunea de a
In regimul activ colector-baza este invers
ei depinde de tensiunea V
CB
conform expresiei (3.24).
n TB de difuzie lor n regiunea colectorului
este cu mult mai mare ca n regiunea bazei (NDC N AB)' Lund
n faptul de colector este
invers cu o tensiune relativ mare jV
CB
/ > <D c' expresia (3.24) devine:
d 2t't'0/Vcs /
C qN
AB
Cu tensiunii V
CB
stratului de baraj al jonc-
se ce duce la largimii efecti- "
ve a bazei W
s
(fig. 6.7). Acest fenomen denumirea de efect -'
de modulare a ldrgimii bazei sau efect Early.
Modularea efective a bazei poate fi
dupa V expresia (6.41):
IdW
s
I= t't'o dV
cB
.
2iN: I
(6.38)
(6.37)
sau
aa A. 1 1 d
( __o < O). In mterva u e
alE
. aa 1" .
lucru al de emItor, unde - O, poate fi neg IJat teI-
al
menul al doilea n expresia (6.36). Din aceste consid.erente.
departe vom socoti ca factorii dc amplificare n curent
cel static n conexiunea BC sunt egali a a
o
.
n conexiunea EC curentul de intrare este cel de baza 1s' iar la
- cel de colector l c; emitorul este terminalul comun pentru
circuitul de intrare cel de a tranzistorului (fig. 6.2b).
Din (6.32) (6.34) curentul de colector l C n conexiunea
EC este determinat de exprcsia:
a
o
1 1
lc =--I
B
+-- eBa
l-a
o
1- a
o
. . .' li
dect unitatea cu curentul emitorulUl aprOXImatIv r lE'
n regiunea de lucru al TB a =r .X = . o
re mai mare a curentului de emitor (nivel nalt de factoru!
de amplificare n curent ncepe sa scada, deoarece
emitorului coeficientul de transport: r- dm cauza
runderii golurilor n emitor, iar, X - n urma de
la nivel nalt de In rezultat, la mICI dc emItor
a> a
o
, deoarece aa
o
> O, mal departe: a a
o
=const
alE
aa . .
( __o O) la man a < a
o
alE
220
221
Aceasta modificare suficient asupra proceselor fizice
din regiunea bazei. largimii bazei duce la o
a gradientului electroni lor la x =O, prin urmare,
cu tensiunii de colector pentru o tenSIUne emItor-baza
data. Cauza 1C (V
CB
) rezulta din fig. 6.7, unde este pre-
zentata electronilor n regiunea bazei pentru doua
tensiuni V
CB
n cazul V
EB
= const sau lE = const .
La valoarea V
CBO
considerata largimea regiunii de sar-
cina a a de colector este d
co
' Acesteia i corespunde
grosimea efectiva a bazei W
BO
un anumit gradient al lui np(x),
care determina curentul lE' La o tensiune V
CB
> V
CBO
' largimea re-
giunii de sarcina a a colector-baza se
d
c
> d
co
' iar W
B
< W
BO
(vezi fig. 6.7). Daca se constant
curentul de emitor respectiv gradientul de a electro-
an . .. I 1 . -
nilor n baza -_P =const , cu tenslUnll V
CB
se
ax
W nsa unghiul de nclinare a n =f(x) ramne con-
B' p
stant (fig. 6.7, -. a)- Ac.easta
conduce la electromlor m regIUnea
bazei devine deci se tensiunea de emitor V
EB

Daca se constanta tensiunea emitor-baza V
EB
cu IV
CB
I' adica la grosimii bazei de la W
BO
pna
la W electronilor no in]' n baza ramne con-
B' P
x
<
(6.43)
(6.44)
(6.45)
dV
CB
= - dV lc'=const
EB
Coeficientul dupa sens este analogic factorului static de
amplificare a tuburilor electronice cu vid. Valoarea coeficien-
tului pentru tranzistorii industriali, care este de 10
4
, demon-
streaza o nensemnata a tensiunii V
CB
asupra curentului
lE' prin urmare, asupra lui 1c. Pentru caracterizarea efectului
Early se utilizeaza o marime cu dimensiune de
r" - dV
EB
I
B - !E=const ,
C
stanta. Ca urmare, gradientul electroni lor n baza
(fig. 6.7, purtatorilor - b) ce conduce la ma-
rirea curentului de emitor JE' Pentru a curentul JE pna la
valoarea precedenta, se poate tensiunea V
EB
Se va
electronilor nP pna la iar gradientul de con-
a electronilor n baza va deveni egal cu cel
Prin unnare, curentul de emitor lE depinde nu numai de ten-
siunea V
EB
, dar ntr-o oarecare masura de tensiunea V
CB
' Pentru
compararea gradului de a acestor tensiuni asupra curen-
tului IEse introduce factorul de in tensiune, care se defi-
.---- ---._-._--._- ..._--_..--_.. ,
ca raportul dintre tensiunilor V
EB
V
CB
n
cnd curentul lE ramne constant:
despre care se va vorbi mai departe.
curentului de colector de tensiunea aplicata la jonc-
colectoru1ui poate fi nemijlocit, utiliznd
integrale pentru regimul activ de a TB de tip n - p - n,
n 6.2. Din (6.10), (6.11) (6.13) se deduce:
J
- qDnn}S (qVEB )
C - exp -- .
XB kT
fpdx
o
modularii largi-
mii bazei la gradientul
purtatorilor
minoritari n baza.
Fig. 6.7.
222
223
Modificarea largimii bazei sub tensiunii V
CB
conduce
la schimbarea curentului de colector, care poate fi prezentata n
urmatoarea forma:
:Jl
c
=_QDnnj2Sexp(QVEB)P(XB)[JPdX]-2 (6.46)
aV
CB
kT o aV
CB
O parte din termenii expresiei (6.44) pot fi cu
curentul de colector, ce ne da posibilitate transcriem
n unnatoarea forma:
(6.51)
n al doilea rnd, se poate demonstra numitorul
(6.48) derivata sarcinii din regiunea bazei Qs ten-
siunea V
co
:
dQo =c .
dV lC
co
Prin unnare, tensiunea Early este cu:
IVAI = (6.52)
lC
Ca tensiunea de colector ct mai asupra
curentului de colector, valoarea tensiunii VA trebuie fie ct mai
mare. Din expresia (6.52) se pentru aceasta trebuie
raportul sarcinii specifice a majoritari n
capacitatea a de colector. Din punct de vedere
fizic aceasta vitezei de deplasare a marginii
regiunii de a n regiunea
bazei.
care pot fi n unna efec-
tului Early.
1) grosimii bazei asupra acelei din
de minoritari care ajung la colector,
evitnd recombinarea. Cu ct este mai grosimea bazei, cu att
este mai mare. la curentului de \
emitor constant modularea grosimii bazei aduce la schimbarea cu-J
rentului de colector. n--Il1od emitorului
devine de tensiunea de colector, iar colectorului
are
2) Modularea grosimii bazei este de schimbarea sar-
cinii minoritari n deci are loc sarcinii
de tensiunea Prin unnare,
o capacitate de difuzie n plus la cea de
( )
dxo dQB
qp Xo . dV =dV ' (6.50)
CB co
iar derivata din partea de
semnal mic a
(6.49)
(6.48)
(6.47)
XI! O
Jpdx = -B .
o Q
r
cx 1-l
X
/I
VA = p(X
B
) ","/ f pdx.
_ oT CB J o
Deoarece derivata este negativa, tensiunea Early pentru tran-
zistorul n - p - n de asemenea este negativa.
O infonnativa a expresiei pentru tensiunea
Early poate fi efectund unele transfonnari n (6.48).
n primul rnd, din (6.11) (6.48) poate fi
exprimat prin densitatea specifica de a majoritari
n QB:
al [XB ]-1 ax lc lc
_C_ =-lcp(x
B
) fpdx _B_ I ,.
aV
CB
o aVCB VA VA
Deoarece colectorului este invers, derivata
axB n (6.47) este negativa, de aceea efectul Early se
aV
CB
prin lui 1C odata cu V
CB
. Aceasta se
observa bine, dupa cum va fi aratat mai departe, la analiza carac-
teristicilor de a TB n conexiunea Ee.
Marimea VA (din 6.47) are dimensiuni de tensiune de-
numirea de tenslyngfl_Ear(v. Din (6.47) rezulta ca pentru tranzis-
torul n - p - n VA este determinata de expresia:

224
225
226
6.4. CARACTERISTICI STATICE ALE TB
3) Modularea grosimii bazei timpul de difuzie a pur-
minoritari n prin urmare, tensiunea de colector
asupra de a TB.
4) Curentul de a emitorului 1EBO este invers
grosimii bazei, de aceea tensiunea V
eB
, modulnd gro-
simea bazei, acest curent, iar cu el
caracteristica a emitorului.
c
B
1
F.
i' r
Fig. 6.8. Circuitul echivalent al tranzistorului idealizat.
E
6.4.1. CARACTERISTICI STATICE ALE UNUI TB
IDEALIZAT. EBERS-MOLL
227
Pentru determinarea caracterului analitice ale fa-
miliilor de caracteristici statice (6.53)...(6.56), tranzistorul se repre-
prin scheme echivalente, sau prin modelul fizic. Un astfel de
model este n fig 6.8. Acest model numele autorilor
modelul Ebers-Moll. El are cea mai mare la analiza
diferitor regimuri de a TB numai
partea a TB. Tranzistorul este prezentat printr-un model
unidimensional ce din p - n ideale, conec-
tate una mpotriva alteia. Nu se iau n le de
volum ale straturilor, efectul
grosimii bazei cu toate lor.
este cu ajutorul gene-
ratoarelor de curent. este
direct prin ea trece curentul 1] , atunci n circuitul colectorului va
trece un curent mai mic (din cauza
n care n este reprezentat prin generatorul
aN 1], unde aN este factorul de amplificare n curent la conexiunea
a tranzistorului. La conectarea tranzistorului n regim activ
invers, prin trece curentul direct 1 iar n
2 ,
circuitul emitorului curentul este reprezentat cu ajutorul gene-
ratofllJui a,I2' unde al este factorul de amplificare a de
colector la conectarea a tranzistorului. n felul acesta, n caz
1
,
\o
I
I
(6.55)
(6.54)
(6.53)
1
f
Caracteristicile statice dintre
"prin tranzistor tensiunile aplicate pe terminale n regim
ntruct TB este un dispozitiv cu trei terminale, n general se distin&
trei trei tensiuni. cont de lui
tensiuni doi sunt cea de-a treIa
sau curent, este univoc de primele Dmtre
aceste patru sunt considerate variabile
iar variabile dependente, rezultnd astfel patru famIlll de carac-
teristici. cele patru prin V]' V
2
, 1] , 1
2
' unde indicii 1
se la terminalele de intrare, iar indicii 2 la cele de dintre
variantele posibile de grupare a s-a constatat pentru,TB
cele mai utile sunt patru familii de caracteristici: / 1.
(l0) Familia caracteristicilor de intrare;
VI = iIlU]), V
2
= const
'(2) Familia catacteristicilor de transfer;
1
2
=f2lU]), V
2
=const
(3) Familia caracteristicilor de transfer invers;
VI = f12(V
2
), 1] = const
(4) Familia caracteristicilor de
1
2
=f22(V2)' 1) =const (6.56)
n de conexiunea tranzistorului, n calitate de
tensiuni de intrare (Il' V]) (I2' V
2
) se curentul
unui sau altui terminal.
\' ,
general de emitor de colector suma a com-
ponente: de (Il sau 1
2
) de colectare (a/1
2
sau aN Il):
lE =1] -a/1
2
(6.57)
1C =a,J] - 1
2
, (6.58)
dintre de tensiunile aplicate la
este prin expresii analogice ce descrie
caracteristica p - n ideale (vezi 3.76):
unde 1 1 sunt de a
respectiv la V
CB
= O V
EB
= O.
termici 1 1 i vom exprima prin care sunt date
n foaia de catalog a tranzistorului, anume - prin de
I EBO 1CBO , respectiv la 1c. =L8 1E O. . .
, " emItorul de ClrcUlt deschIS)
la se o tensiune destul de
mare IV
CB
I kT , atunci curentul ce trece prin colector, cum
q
a fost mai sus, este 1CBO (curentul de
curentul prin 1eBO' Din expresia (6.57) la lE = O
kT
1] =a/1
2
; din expresia (6.60) pentru IVcl -
q
1
2
= Introducnd aceste n (6.58) considernd
1C = I CBO '
(6.63 a)
Introducnd 1] 1
2
din (6.59) (6.60) n expresiile
(6.57), (6.58), lE (V
EB
; V
CB
) 1C (V
EB
; V
CB
) ,
caracteristicile voltamperice statice ale TB:
(
qVEB J (qVCB J
lE = e--
kT
-1 - e----,;r -1
Notnd curentul emitorului la tensiuni inverse nalte (IVEBI kT )
q
colectorul n gol (1C = O) prin 1EBO , analogic
t = 1EBO (6.62)
EBO
l-aNa/
le = aN ':i' - 1J- e':;:' -1]. (6.63 b)
Pentru curentul bazei, care este dintre 1C '
putem scrie:
1B=(1- aN)1;"0( e':i" -1J+ {l- a, -1]. (6.63 e)
(6.63) se numesc Ebers-Moll. Ele
modelul matematic al tranzistorului sunt universale, bune pentru
orice ale tensiunilor la colectorului emito-
rului, permit se comportarea TB n oricare regiune de
lucru. Aceste n pofida faptului au la presupuneri
simplificatoare, sunt utilizate pe larg la interpretarea caracteristi-
cilor statice. La la curentul
1 - l' [ qV
EB
1]1
C - aN EBO exp-U- VCB=O' (6.64)
de contact <D C ,
de minoritari, de
minoritari n regiunea bazei
n imediata apropiere de emitor no exp q V
EB
.
P kT
(6.59)
(6.60)
(6.61)
(
qVEB J
_' ----,;r
1] - 1EBO e -1
(
qVCB J
-'
1
2
- 1CBO e , - 1 ,
.J '.
1
228
229
(6.65)
Vom determina expresiile analitice ale acestor uti-
liznd Ebers-Moll. Din (6.63 a) termenul
- IJ -1 introducem n (6.63 b). Oblinem: Iv jd"l': ,( '.'
le -Il ij7 (6.68)
expresie familia caracteristicilor de
I C (V
CB
) cu I E parametru este n fig. 6.9b; se disting
'. ..... ,.,....
trei regiuni diferite: regiunea unde
este direct, iar invers;
regiunea de unde ambele sunt polarizate direct;
regiunea de blocare, unde ambele sunt polarizate invers.
Regiunea este principala n tehnica de amplificare, iar
regiunile de de blocare sunt caracteristice pentru scheme-
le de comutare. X
1"
E
b
Regiune l'
E
a
Analogic la scurtcircuitarea emitorului la polarizarea
a colectorului
I
- ,[ qV
CB
]1
E - -al I
CBO
exp-- -1 v o
kT EB=
de contact <1> c, colec-
minoritari, de
minoritari colectorului
n
W
exp qV
CB
.
P kT
V
EB
=V
CB
' atunci minoritari
ce vor fi tot egale. De asemenea vor fi
egale de minoritari jonc-
ce Prin urmare, gradientele dnP n ambele ca-
dx
zuri (la scurtcircuitarea emitorului a colectorului) vor
fi egale, de aceea prin colectoare, scurt-
circuitate tot sunt egale (IC =I E ):
sau
=
(6.66)
I
deci
I
CBO
aN
(6.67)
al
(6.67) suficient expresiile cu ajuto-
rul lor Ebers-Moll.
n conexiunea BC caracteristicile de intrare sunt:
iar cele de
6.4.2 CARACTERISTICI STATICE IDEALIZATE
N CONEXIUNEA BC
(6.69)
VCB parametru
V
EB
. Utiliznd
Familia caracteristicilor de intrare V
EB
(IE) cu
se din (6.63 a) rezolvnd-o de
expresia (6.67),
kT [I (qVCB J]
V
EB
=-ln -,E-+l+a e kT -1 .
q I
EBO
Fig. 6.9. Familii de caracteristici statice ale TB n conexiunea BC:
a) de b) -deinrraTe.
;.h.,,',. it)' "
I E =const.
V
CB
=const ,
230
231
Aceste caracteristici sunt reprezentate n fig. 6.9a. Pentru o va-
loare V
CB
caracteristica este cu cea a unei diode
polarizate direct.
Pentru regimul activ sunt caracteristice V
CB
care polari-
kT
invers, deci, V
CB
< O IV
CB
I -;
q
n aceste expresiile (6.68) (6.69) se
V
IlB le
INE?lIn1<"'",
r
N
VCB>O
B
r
m
Vcs=O
B
VCB<O
r
JI
B
lE
a
t
V
INg>IIng>...
B
r
In
B
r
JI
B
lE
r
l
B
-VCB
!
d
n Ebers-Moll nu s-au luat n vedere un de factori:
efectul Early, a(1E) Din
caracteristicile din fig. 6.9 ntr-o mare sunt
idealizate. Caracteristicile reale ale TB pentru conexiunea BC sunt
reprezentate n fig. 6.10.
Fig. 6.10.);.am!lii.de.c.. statice ale TB n conex.iul!ea BC:
l1J de de Intrare; c) de transfer; d) de Inversa.
6.4.3. CARACTERISTICI STATICE REALE
N CONEXIUNEA RC
Caracteristicile de 1C =f(V
CB
) ' sunt reprezentate n fig.
6.10b, din care se pe tensiunii V
CB
' are
loc o a 1c. este de
efectului bazei. Cu tensiun,ii
V
CB
se a bazei (efectul Early),
gradientul electronilor n trebuie
curentul lE' Pentru curentului lE constant este necesar
d
. V d d d" dn n /
e a tenSIUnea EB' In estu an con /dx =const .
La lE =const, dar pentru regiunea mai a bazei, se mic-
(6.70)
(6.71) V
=kTl
EB n ,
q I
EBO
La deducerea expresiei (6.71) s-a presupus 1- aN::::; O,
deoarece, cum s-a demonstrat mai sus, aN are valoare foarte
de unitate.
Caracteristicile din fig. 6.9b sunt echidistante, deoarece s-a
considerat aN =const sunt paralele axei tensiunilor colectorului.
Caracteristicile reale (fig. 6.lOb) nu sunt echidistante, deoarece
factorul de amplificare n curent a depinde de curentul de emitor,
au o nclinare deoarece n Ebers-Moll nu s-a luat
n colectorului mo-
bazei).
de familiile caracteristicilor de intrare (fig. 6.9a) se pot
face Curba cu V
CB
=O parametru este o ca-
ce ncepe din originea de coordonate. Pentru
valori V
CB
< O curbele se n dreapta n jos din cauza
componentei curentului de emitor colectat. Pentru valori
V
CB
> O curbele se n stnga n sus.
IV
CB
I kT , atunci tensiunii de colector practic
q
La caracteristicile reale, cum va fi mai jos, V
CB
tot nu
suficient, dar are loc pentru orice valori V
CB
din
cauza inverse tensiune
gimii bazei).
- 232
233
probabilitatea de recombinare a electronilor n
factorul a prin urmare, curentul I C
Acest efect poate fi luat n introducnd n (6.70)
un termen suplimentar:
I C =alE + I CBa + , (6.72)
re
unde r este medie a
c
O deosebire dintre caracteristicile reale cele ideale con-
n aceea curentul de colector I C cu
curentul lE' anume: cu ct este mai mare lE cu att mai
este I C Aceasta se prin factorului
a cu curentului lE'
La tensiuni V mai mari survin efecte de multiplicare n
iar aproape de tensiunea de are
loc o a curentului I C (fig. 6.1Ob). Pe familiile ca-
racteristicilor de este hiperbola de
care curentul I C tensiunea V
CB
cu regiunea carac-
teristicilor situate mai jos de n regiunea de
tensiunea V
CB
polaritatea, devenind astfel are
loc electronilor din n fapt ce la mic-
gradientului de pentru o anumIta .a
tensiunii V
CB
directe gradientul de a electromlor devI-
ne zero; prin urmare, vom avea I C = O. n regiune carac-
teristicile reale nu se deosebesc suficient de ideale.
7 Caracteristicile de intrare, Il' =f(V
EB
) cu V CB parametru,
sunt reprezentate n fig. 6.10a. Pentru V
CB
=0 caracteristica practic
coincide cu caracteristica realepolarizate direct. La VEB > O
't .. _.... -" ..".-.... .._,
(polarizarea curentul lE = acestui
curent de tensiunea V
EB
este de parametrii fizici ai
materialului, aria La V
EB
< O (polarizare
caracteristica se de cea a tranzistorului ideal
234
1
proceselor de recombinare n emitor-
din cauza de tensiune pe bazei.
n regiunea (V
CB
> O, polarizare caracteristica
se mai accentuat dect caracteristica tranzistorului
ideal spre JE mai mari, cauza fiind efectul
bazei. Cu tensiunii V
CB
regiunea de spa-
a se a bazei
se la V
EB
=const curentul JE n urma
gradientului de a de minoritari n
(vezi fig. 6.7).
n regiunea de (V
CB
< O, polarizare
caracteristicii reale spre lE mai mici la fel este
de efectul bazei.
Caracteristicile de transfer, JC =.I(IE) cu V
CB
parametru, sunt
reprezentate n fig. 6. lOc. n general, ntre I C lE
prin urmare, caracteristicile sunt drepte, avnd '" ,.
panta de a (a::::; 0,95-;.-0,99; rp == J[ ). n caracteristicile
4
experimentale se o a curentului JC cu
tensiunii de colector. Se prin mic_
efective a bazei ce factorului de
amplificare n curent a. La JE =O curentul I C =JCBa carac-
teristicile se ncep nu din origine. La valori mari ale curentului J
E
panta caracteristicilor se deoarece la niveluri mari de
are loc factorului a (vezi p. 6.3). Drept expresie
a acestei familii de caracteristici poate servi (6.68), ?' ((-
n care V
CB
este parametru. 1 " \ !.r. tii
1 (, l '""" /' " b 6
Caracteristicile de transfer invers, V
CB
=f{V
E
;) cu I E
metru, sunt reprezentate n fig. 6.1 Od. Aceste caracteristici demon-
a tensiunilor de colector de emitor
asupra curentului lE' Din fig. 6.l0d se vede bine o
a tensiunii V
EB
, modificnd barierei de po-
a asupra curentului lE' o
235
1
-Vea
!'-------IB=O
Fig. 6.12. Regiunea a
caracteristicilor de
a TB n co-
nexiunea Ee.
n cazul conexiunii BC, aici se disting trei regiuni de
panta caracteristicilor n regiunea este
mult mai mare dect n conexiunea BC, fapt ce o
a tensiunii V
CE
asupra curentului prin tranzistor;
se n principal tot prin intermediul efectului Eady,
se prin coeficientul /30 =a
o
(1 - a
o
); considernd
a
o
=0,99, o de 0,2% a lui a
o
produce lui /30 cu
aproxiI?ativ 25%. Spre deosebire de conexiunea BC, regiunea de
este n primul cadran; n conexiunea EC
survine cnd IV
BE
I> IV
CE
1 Astfel, pentru un tranzistor n - p - n ,
V
BE
> V
CE
, pe este tensiunea
de polarizare V
CB
=V
BE
- V
CE
' ambele sunt
polarizate direct, are loc curentului de
caracteristicile sunt trasate pentru 1B =const , deci pentru
a acestui curent trebuie tensiunea VRE' fapt ce
duce la a 1c. Regiunea de blocare
ncepe cnd 1B =O conform (6.38),
1C= (/30 +1)1CBO = 1CEO
Efectund n apropierea originii (V
CE
foarte mici)
se exceptnd cazul 1B =O, caracteristicile nu trec exact
prin origine, ci sunt deplasate spre dreapta (fig. 6.12).
particularitate poate fi att din (6.68) (6.69), ct
din considerente fizice. pe este o
tensiune de polarizare le I
n
B
V
CE
=O, colectorul este conectat n
scurtcircuit cu emitorul; astfel curentul
de va reprezenta suma
care trec
Prin urmare, 1C rep- o V'
CJl
o din curentul de
are sensul opus de
Pentru a realiza 1C =O, este
(6.73)
6.4.4. CARACTERISTICI STATICE ALE TB
N CONEXIUNEA EC
VCJl<O
Fig.6.11. Familii de caracteristici statice ale TB n conexiunea EC:
a) de b) de intrare; c) de transfer; d) de inversa.
asupra acestui curent (din cauza efective a
bazei) din partea tensiunii V
CB
Aceasta se printr-o
nclinare a caracteristicilor axa absciselor deoare- ,
ce cu tensiunii IV
CB
1, pentru a lE =const, ten-
siunea V
EB
trebuie ntruct ntre V
EB
o
pentru o de
a parametrului lE caracteristicile nu sunt echidistante. Drept
expresie poate servi (6.69), n ea considernd lE parametru.
Caracteristicile de 1C =f22(V
CE
) cu 1B parametru, sunt
reprezentate n fig. 6.11b. Expresia a acestor caracteristici
poate fi cu ajutorul lor Ebers-Moll are
forma:
236
237
necesar fie aplicate tensiuni (vezi fig. 6.12) cuprinse ntre 0,05-
0,5 V, care pot fi din expresia: kT lna
o
'
I ,"\ I " l' '(,j q
Caracteristicile 1B =fl! (V
BE
) cu V
CE
parametru,
sunt reprezentate n fig. 6.lla; forma lor este cu
caracteristicile diodei ideale; exceptnd cazul V
CE
=O,
nu trec prin origine. Pentru explicarea acestei
din (6.32) (6.34) se poate scrie:
lB =IE -lc =(1-a
o
)IE -lcBo' (6.74)
VBE =O, lE =O lB =-lcBo; numai n cazul
VCE =O avem l CBO =O. tensiunii V
CE
este mai
n domeniul valorilor mici cnd trece de la
polarizarea la cea Sensul de a curentului l
B
sub tensiunii V
CE
poate fi explicat pe baza (6.74):
pentru o tensiune V
BE
curentul lE constant;
tensiunii VCE produce curentului l C ( a
o
/3
0
cresc n
de V
CE
), astfel l B scade.
Caracteristicile de transfer, l C =fZ
1
(1B) cu V
CE
parametru,
sunt reprezentate n fig. 6.11c. Aceste caracteristici sunt drepte,
panta lor este de factorul /3
0
este cu mult mai mare
dect n conexiunea BC, deoarece curentul l B o parte
foarte (0,01-0,05) din curentul de emitor prin urmare, este
de multe ori mai mic dect l c. Abaterea caracteristicilor de la
legea /3
0
(1B)' se pnn
cauze, ca a
o
(lE) .
deoarece /3
0
foarte repede n cu a
o
' pe
caracteristici se factorului /3
0
nu numai la valori
relativ mari ale lui l B , de lui ao n urma
de recombinare, dar o diminuare a factorului /3
0
la
mici ai bazei.
238
Deplasarea caracteristicilor de transfer n sus la marirea
tensiunii V
CE
este cauzata de curentului lE' deci l C ' la
lB = const.
Pentru V
CE
O caracteristicile de transfer nu trec prin origine,
dar prin punctele pe axa ce corespund l CEO .
(_lf U t !r, ,-(
Caracteristicile de-----trnn8fer----tnvers, V
BE
=flz(V
cE
) cu l B
parametru, sunt reprezentate n fig. 6.11d. Pentru domeniul de
valori IV
CE
I:s; IV
BE
I inversa este foarte puternica;
constanta a curentului l B' atunci cnd V
CE
se apropie de zero,
necesita brusca a tensiunii V
BE
' La tensiuni V
CE
suficient de mari inversa se dar ramne mai
mare dect la conexiunea BC, ntruct V
CE

asupra emitor-baza.
Caracteristicile statice ale TB n conexiunea EC prezinta mare
interes, deoarece pe ele este aratat curentul de baza. In conexiunea
BC curentul l B nu se masoara, iar determinarea lui precisa dupa
de emitor de colector nu e posibila, deoarece
difera unul de altul.
6.5. PARAMETRI? SCHEME ECHIVALENTE
ALETB
Pentru calculul schemelor cu TB este necesar de a
parametrii acestor tranzistori lor de regimul de
temperatura. n general, prin parametri se
marimi ce caracterizeaza unui
dispozitiv electronic, n anumite game de valori pentru
amplitudiDile semnalelor aplicate. Vom cerceta parametrii TB n /
gama joase (f:s; 20 kHz) n regim de semnal mic
(un regim linear pentru componentele variabile). Lund n
ca TB poate n diferite regimuri n diferite
conexiuni, iar valoarea para.1TIetrilor depinde de temperatura
regim, atunci numarul parametrilor valoarea IOf,-- ce caraqe-
rizeaza TB n diferite este foarte mare. n practica se
239
(6.75)
(6.76)
(6.77)
dV
EB
I
r =--
e dI
E
re = d;:B = I
2) Capacitatea CE' ca In cazul
p - n, are doua componente capacitatea de difuzie C
eD
capacitatea de bariera C
eb
. Utiliznd expresia (3.39) pentru capa-
citatea de bariera, se
poate fi din caracteristicile de intrare lE =f(V
EB
) cu
V
CB
parametru.
Daca vom acestei caracteristici (6.69), consi-
dernd regimul activ IV
CB
I kT ,
q
6.5.1. PARAMETRII NATURALI AI TRANZISTORULUI
BIPOLAR
Parametrii naturali au legate direct cu fenomenele
fizice fundamentale tehnologiile de fabricare a TB. Detenninam
parametri pentru un tranzistor n - p - n n conexiunea BC.
1) a emitorului re se prin

C ::::&&oSe <I>b
eb de <I> b +IV
EB
I'
unde: de este largimea regiunii de sarcina emi-
tor-baza la VEa =O; Se - aria emitor-baza. Capacitatea
de difuzie este detenninata de expresia:
CeD E'n :::: lE'
(6.78)
n
deci, este direct cu curentul de emitor. Deoarece n
regim activ emitorului este polarizata direct, capacitatea
de difuzie este mai mare de cteva ordine ca cea de bariera.
CE
cd
E
II i
2
r-----,
1
----
2 o'
re
. ti
E
C
VI:
-
i
E
I
r
b
1
2
L ____ -.J
Ce
B
vreo 300 de parametri, alegerea celor necesari din
acest este o problema dificila.
Exista doua sisteme diferite de parametri: sistema de parametri
fizici (parametrii naturali) sistema de parametri de CUqqripol ai
tranzistorului. n primul caz tranzistorul se prezinta printr-un
numit circuit de tip T (fig. 6.13a), procesele din tranzistor sunt
caracterizate de un numar nu prea mare de marimi, care
parametrii fizici ai TE. Meritul acestei sisteme consta n concre-
ei exacta cu tranzistorul (parametrii
sunt rB' rc, a, CE' C
c
a.), neajunsul - masurarea nemijlocita a
parametrilor nu-i posibila (punctul b' este nauntrul cristalului).
n al doilea caz tranzistorul este considerat drept un cuadripol (fig.
6.13b). Se descrie comportarea tranzistorului la tenninale, fara a
examina procesele fizice din dispozitiv. n de aceea
cum sunt scrise cuadripolului, exista cteva sisteme de
parametri (Z, Y, H - sisteme). Meritul acestor sisteme consta n
simplitatea parametrilor.
a
b
Fig. 6.13. Schema echivalenta a TB pentru joase semnal
mic: a) schema de tip T; b) modelul de cuadripol.
La calculul proiectarea sistemelor electronice, ca regula, se
utilizeaza scheme echivalente, n care tranzistorul este reprezentat
n fonna de un ansamblu de elemente separate. Pe baza analizei
proceselor fizice ce se petrec n tranzistor se detennina valorile ce
corespund elementelor circuitului echivalent. Regimul de func-
a tranzistorului n circuit este dat de punctul de lucru pe
caracteristicile lui statice (de exemplu, cu ajutorul curentului
a tensiunii V
CB
)'
240
241
(6.80)
(6.82)
(6.84)
Se re' de asemenea ca rE' este invers
curentului de emitor. nsa, spre deosebire de r r
E' e
depinde de tensiunea V
CB
'
5) Capacitatea colector-baza CC ,ca a emi-
tor-baza, se compune din capacitatea de cea de difuzie.
Capacitatea de poate fi utiliznd expresia (3.39)
C ::: &&oSc <I>b
eb - d
c
<I>b +/VcBI '
unde dC este regiunii de sarcina a c01ector-
baza la V
CB
=O. n calitate de marime SC de obicei se ia nu toata aria
colectorului, dar numai o parte, marginita de regiunea a
bazei: Sc ::::! SE' Capacitatea C
eb
n majoritatea tranzistorilor este rela-
tiv mica sau zeci de pF), nsa ei
nalta a colectorului, de aceea C poate
eb
fi foarte La nalte capacitatea C
eb
am-
plificarea tranzistorului. Produsul . C
eb
are dimensiune de timp se
constanta de timp a circuitului colectorului, fiind de asemenea
un parametru al tranzistorului. Constanta de timp T =r' . C trebuie
C b eb
sa fie ct mai pentru a calitatea tranzistorului.
Capacitatea de difuzie a colectorului C determi-
eD'
nata de raportul sarcinii electronice n baza catre
tensiunii V
CB
' este importanta la tranzistorului n re-
gim invers sau n regim de n regimul activ capacitatea
CeD este cu mult mai mica dect capacitatea emitorului,
deoarece tensiunea V
CB
nu asupra sarcinii purtatorilor
cum are loc n
sarcinii din regiunea bazei, n cu colectorul,
numai bazei.
parametrii naturali servesc drept la
schemelor echivalente ce permit de a aprecia cantitativ
procesele fizice n tranzistor prin urmare, mai deplin
lui n diferite de exploatare.
(6.79)
r = dV
CB
I
e di VEB=eonst.
C
re este datorata efectului bazei.
Utiliznd (6.74) introducnd n ea (6.33),
le -ICBO = alE = r[t- llE
3) bazei r
b
este egala cu suma a doua
1C W
b
introducnd dW
b
din (6.42) pentru
colectorului, expresie:
r = dV
c
, = FqN
A
JV
C
.
B
(6.83)
e dl
c
&0& W
b
yI
E
, Pb
r
b
::::! ,
4Jr W
b
unde Pb este a semiconductorului din care este
baza, - a bazei. Cu ajutorul
se cont de bazei de tensiunea
V
CB
(efectul Early). De exemplu, pentru conexiunea BC
a bazei este:
r" = dV
EB
(6.81)
b di
C iE=eonst
4) a colectorului re se prin
unde este de volum a bazei n
pe de minoritari; ea
ficarea tranzistorului tensiunea de a colectorulm.
depinde de forma a bazei poate fi
dupa expresia:
242
243
(6.88)
(6.85) pot fi scrise n forme de complete:
110 +il =110 +(1
1
J.9! +( 011 J.9
2
oV
2
1 . - (01
2
Jn (01
2
Jn '
20 +l2 -1
20
+ -- 17
1
+ -- 17
2
oV; oV
2
unde 1
10
,1
20
sunt componente constante,
l.1 = Yll.91 +YI2.92} .
sau (6.89)
l2 =Y21.9
1
+Y22.9
2
Din (6.88) se pentru cazul cercetat
parametrii de cuadripol au de aceea
sistemul dat denumirea sistemul totale, sau
sistemul de parametri (Yij)' anume:
Yl2 = - de transfer mvers cu intrarea n v,
2
Yll = 1.9:2=0 - de intrare cu n scurtcircuit;
I
scurtcircuit;
Y21 = 1.9:2=0 - de transfer direct cu n scurt-
I
circuit;
Y22 = ; - de cu intrarea n scurtcircuit.
2
Deci, determinarea parametrilor Y efectuarea
torilor n scurtcircuit componenta regi- \
mului de scurtcircuit n aceea circuitul \
cu o cu mult mai de.ct
respectiv. Avnd n vedere necesitatea termi-
nalelor tranzistorului cu tensiune poate fi exe-
cu ajutorul unei
Regimul de scurtcircuit poate fi realizat n circuitul
colectorului, unde, inverse,
(6.87)
(6.86)
6.5.2 PARAMETRII DE CUADRIPOL
n regim dinamic peste componentele continue V
EB
, 1E'
V
CB
' 1C se suprapun componente variabile n timp: .9
E
b' iE'
.9 i componentele variabile au permanent valori sufIci-
CB' C'
ent de reduse, astfel nct de caracteristici statice
fi asimilate cu segmente de atunci tranzistorul poate fi
considerat ca un cuadripol linear (fig. 6.13b). Cu,adrip9lul este un
circuit electric i sunt accesibile perechi de bome, o
pereche de intrare (Il' ) - variabilele electrice asociate fiind tensiu-
nea de intrare .9
1
curentul de intrare il - o pereche de
(22') la care variabilele sunt.9
2
i
2
Deoarece depind de
ambele tensiuni, se pot scrie independente ntre
variabile, lund n calitate de argumente oricare din 4
i i .9 .9 n mod pot fi perechi de depen-
l' 2' l' 2'
Pentru a caracteriza tranzistorul-cuadripol se
numai trei din ele:
Il =
(6.85)
1
2

=CPI(lI;.12 );.}
V
2
=CP2(lI'IJ,
-/
=<DJ11;.V2 );.}
1
2
= <D
2
(lI'V
2
),
(6.85... 6.87) denumirea de de cuadripol.
Cei 4 care intervin n se numesc
cuadripol. a parametrilor de cuadnpol decI;
dimensiunile lor depind de alegerea variabilelor dependente
independente din de cuadripol. Astfel, parametm:
(zij' cu i,j= 1,2), (Yij)lau hibrizi (hij)' De men-
tionat parametrii de cuadripol sunt, n general, complexe
(Z, Y, H ), la tranzistorului n regiunea
joase ei devin reale se (z,y,h).
t'
244
245
Z'2 = /;1=0 - de transfer invers cu intrarea n gol;
1
2
Z2' = - de transfer direct cu n gol;
1 -
,
(6.91)
n acest caz avem para.metrii hibrizi (h;). Pentru determinarea
parametrilor h sunt necesare regimul de scurtcircuit n circuitul de
cel n gol n circuitul de intrare, care pot fi realizate.
Sensul fizic al parametrilor h este destul de simplu:
h = i21 - factorul de amplificare de curent cu n
21 8,=0
1) -
a circuitului este mare (poate fi MrJ. ). Prin
urmare, determinarea a parametrilor z este
Din sistemul de (6.87)
h'2 = ;' 1;1 =0 - factorul de de tensiune cu intrarea n gol;
2
h
l
, = 1.9:1'0'0 - de intrare cu n scurtcircuit;
,
h -_21
22 .9 ;1=0 - de cu intrarea n gol.
2
scurtcircuit;
Avantajele parametrilor h: se trei dintre ei au
printre parametrii naturali ca urmare, interpretarea
lor este pentru calculul schemelor electrice
deseori este mai comod de a folosi parametri (de exemplu, y).
Pentru a de conversiune a parametrilor de la un
sistem la oricare altul, este necesar ca sistemului de la care
se trecerea fie rezolvate de care sunt
n sistemul la care se trece. pe
tensiuni sau vor da de conversiune. De exemplu,
este necesar de a trece de la sistemul de parametri y la
sistemul de parametri z, atunci (6.89) trebuie
de .9, .9
2
n sistemul z). Expresiile sunt:
(6.90)
.9
, al ' al 2
, 2
(
av
2
J. (aV
2
J.
.92 = aI, . 1, + aI
2
. 12
sau
Z22 = ;]=0 - de cu intrarea n gol.
1
2
(".pl.
unde parametrii de cuadripol au dimensiunea de. de
aceea sistemul denumirea sistemul totale:
Zll = /;0=0 - de intrare cu n gol;
1, -
a tranzistorului este mare. Executarea regimului de scurtcircuit n
circuitul emitorului, care-i polarizat direct, este mai ales n
regiunea joase. Aceasta utilizarea paramet-
rilor y pentru descrierea tranzistorului.
Pentru sistemul de (6.86)
Pentru a regimul n gol componenta n
circuit se o cu mare ca
a cuadripolului (de intrare sau de De obicei, acest
regim se conectnd n circuit o
Realizarea regimului n gol n sau al bazei
(pentru conexiunea EC) nu greutate, deoarece
a polarizate direct este realizarea
regimului n gol n circuitul colectorului este deoarece
246 247
pentru conexiunea BC etc. nsa daca parametri sunt
pentru o careva conexiune, relativ se face
recalcularea pentru alta. Pentru aceasta trebuie
tensiunile (avnd n vedere regula semnelor), lund n
n tranzistor
.9
RE
+ .9
CR
+ .9
EC
=O. (6.94)
De exemplu, daca sunt parametrii Y ai tranzistorului
n conexiunea BC trebuie pentru conexiunea EC n

1.E _= Yllb.geb + Y12b.9cb },
(6.95)
lc - Y21b.g
eb
+ Y22b.9
cb
nlocuim tensiunile cu ajutorul expresiilor (6.93)
(6.94). Dupa transformari
ib =(Yllb +. Y12_b +Y2lb +Y22b).9be -(YI2b +Y22b).9ce } ,
_ (6.96)
le - (Y2lb +Y22b).9
be
+Y22b.9
ce
(6.93)
(6.97)
Yll e =Yllb +Yl2b +Y21b +Y22b
Y12e =-(YI2b +Y22b)
Y21e =-(Y2Ib +Y22b)
Y22e =Y22b
6.5.3. SCHEME ECHIVALENTE
unde .9
be
=-.g
eb

Prin urmare,
iY'
ih!
Xll
_2'12
h
12
- -
Zll Z12

h
22
h
22
Z
Z21 Z22 Y21 Yll _'!21
1
- ---

h
22
h
22
Z22

1
---
& &
Yll Y12
h
ll
h
ll
'Y

Zii
Y21 Y22
h
21

& &
-

h
ll
&
ZI2
1
_ Y12.
_._--,,- ----- -
h
ll
h
12
h
Z22 Z22 Yll Yll
_2'21.
1
.Y.11
h
21
h
22
-- -
Z22 Z22 Yll Yll

n Y22 '1' Y12'
rJ'1' 1 - - 1
2
, A A
'Lly Lly
-. (6.92)
.9 - Y21 . i + Yll . i
2 I 2
unde =YllY22 - Yl2Y21 - determinantul sistemului y.
Comparnd sistemul (6.92) cu (6.90), de
conversiune de la un sistem la altul. analogic sunt
prezentate n tabelul 6.1.
Tabelul 6.1.
de conversiune a parametrilor de la un sistem la altul
Valoarea parametrilor tranzistorului-cuadripol depinde de
modul de conectare a lui. Pentru a desemna conexiunea
tranzistorului la parametrii de cuadripol, se al treilea indice
(e,b,c); astfel avem: Zile' Z12e' Z21e,Z22e - parametrii
pentru conexiunea EC; h
l1b
, h
l2b
, h
2lb
, h
22b
- parametrii hibrizi
Sub denumirea de schema echivalenta se schema elec-
din elemente lineare ale circuitelor electrice (rezis-
generatoare de curent sau tensiune),
care dupa sale n gamele de amplitudini
specificate nu de dispozitivul real (tranzistorul). Trebuie
precizat generatoarele din circuit sunt "dependente" n sensul ca
248
249
(6.100)
i,
-V,
V
m
=i,(Z21-Z13)
Ie"ire
Intrare
b
a
Intrare
0---.......-.-----0
c
Fig. 6.15. Scheme echivalente tonnale
cu un singur generator:
a) schema echivalenta n T
cu generator de tensiune;
b) schema echivalenta n T
cu generator de curent;
c) schema echivalenta n Jr
cu generator de curent.
Dupa valorile indicate n
naturale se alcatuiesc din
fiZIce pentru data a tranzistorului, pentru
o gama de specIficate, orientndu-se la o
a tranzistorului (BC, EC, CC). Fiecare boma a schemei
echIvalente naturale corespunde cu terminalul tranzistorului.
251
sa fie numai un singur element
activ. De obicei, modul
de desenare, aceste scheme se
divizeaza n scheme echiva-
lente n L- scheme echi-
valente 11L1!. Pentru stabilirea
legaturii dintre elementele
schemelor echivalente forma-
le cu un generator cu para-
metrii cuadripolului, pot fi
scrise expresiile pentru
tensiuni n ele, iar apoi com-
parate cu expresiile pentru cu-
tensiuni din cuadripol.
De exemplu, pentru schema
echivalenta n T cu generator
de tensiune (fig. 6.15a) cu
n gol:
.91=_iJZ] +Z3)},
(6.98)
.9
2
- V
m
+1
1
z
3
cu intrarea n gol:
.9
1
=i
2
z
3
} (6.99)
.9
2
=i
2
(Z2 +Z3) .
De unde:
le"irc
1 I .
-h e"ue
"
c
b
a
Intrare
Intrare
1
Intrare YIl
Fig. 6.14. Schemele echivalente fonnale ale TB:
a) pentru sistemul de parametri z;
b) pentru sistemul de parametri y ;
c) pentru sistemul de parametri h .
valorile sau ale tensiunilor sunt determinate de catre ma-
rimi externe, sau tensiuni aplicate pe terminalele dispoziti-
vului. La calculul circuitelor de amplificare, generare, modulare
etc., utiliznd schemele echivalente, mai nti se determina
tensiunile n schema apoi se trece la parametri, de
exemplu la parametrii de cuadripol. Avnd n vedere com-
plicate dintre tensiunile aplicate care trec prin tranzistor,
precum parametri cu amplitudinea freeven-
semnalelor, desenarea unei scheme echivalente complete consti-
tuie o problema destul de dificila. n mod necesar se introduc apro-
ximari urmarindu-se unei scheme echivalente ct mai
simple, manevrabila n practica, care n timp sa descrie sa-
tisfacator tranzistorului n specificate.
Dupa modul de construire se disting scheme echivalente for-
male naturale (sau fizice). Schemele echivalente formale se con-
z" struiesc pebaza des-
crierii tranzistorului cu
ajutorul lor de
cuadripol (fig. 6.14).
ca fiecare
schema cte 4
elemente: doua rezis-
(n general, mari-
mi complexe) doua
generatoare de curent
sau de tensiune.
scheme echivalente nu
au nici o superioritate ,
n raport cu descrierea
tranzistorului ca un cua-
dripol tinear prin pa-
rametrii lui (sau a
respective).
Schemele echiva-
lente formale pot fi pre-
zentate n diferite for-
me, de exemplu, de con-
struit ca n schema
250

lE
(5'
--
E
C E C
rE
L-..J
rE
rOI
re
r
b
V
b
e
r'
b
B B
a b
A La mai mari sunt procesele fizice legate de
lor de a p - n acumularea
de minoritari n regiunile tranzistorului,
de de difuzie. Aceste procese se iau n
m schemele echivalente, introducndu-se
respective n paralel la re re' cum este
n 6.l3.a. In de aceasta, factorul de amplificare n curent
devme
6.6. CARACTERISTICA DE A TB
Fig. 6.16. Scheme echivalente naturale ale TB n conexiunea BC:
a) legatura inversa cu generator de tensiune'
b) legatura inversa cu di
A La foa:t
e
nalte parametrii naturali ai TB, n primul
rand factorul de amplIficare n curent, devin de frecven-
Aceasta este legat de faptul timpul de zbor al de
prin regiunea bazei t
h
este o n al doilea
rnd, ?e de a colectorului a
de dlfuzle a emitorului.
. Cu perioada semnalului se
devme Iar apoi cu mult mai mica dect timpul de
zbor th In rezultat, curentul colectorului n de
curentul emitorului cu timpul egal cu timpul de transport al
rilor de la emitor la colector TEC; n urma n
mai dect ampli-
tuda curentulm emltorulm. DeCI, cu se
n schemele echivalente formale se deosebesc numai
bornele de intrare de independent de faptul ce terminale
ale tranzistorului ele sunt.
Schema se separnd intuitiv
careva cercetnd aparte procesele n aceste
n se ntlnesc scheme echivalente n T, n Jr al.
Schemele aduse n acest compartiment sunt cele mai simple. In
ele iau n toate principale ale
tranzistorului n regimul de amplificare a semnalelor mici, sunt
comode pentru calcul ingineresc, de aceea sunt pe larg
Schema de semnal mic n T a tranzistorului n
conexiunea BC este n fig. 6.16. Bornele emitorului,
bazei ale colectorului sunt nsemnate pe cu literele
Punctul b' este punctul ipotetic n interiorul
tranzistorului, locul tuturor elementelor schemei
echivalente. n circuitul emitorului schemei este conectata
re a de emitor polarizate direct.
Din expresia (6.76) re de regimul
tranzistorului de n circuitul colectorului este
care este de colector
invers. Din expresia (6.83) se vede lui re de
regimul tranzistorului, de curentul tensiunea V
CB
'
n circuitul bazei este r
h
(6.79). Generatorul de
curent a i E ia n curentului de emitor la
colector. curentului generatorului este determinata
echivoc de curentului de emitor. tensiunii de
colector asupra de emitor
bazei) poate fi n cu ajutorul generatorului de
A tensiune

(fig. 6.l6a), sau cu
n serie cu de volum a bazei (fig. 6.16b).
Polaritatea generatorului de tensiune este de com-
ponenta a tensiunii colector-baza. Schemele
echivalente examinate presupun tranzistorului la
joase medii, cnd este mai ca
1/(2Jr re) sau 1/(2 C ).
IC ee j(:Jrr
e
e
iJ
252 253
(6.104)
(6.105)
Deoarece sunt cercetate procesele din lund n con-
raportul curentului colectorului densi-
tatea curentului emitorului, determinate de de
minoritari (sau de electronilor n regiunea bazei
colectorului a emitorului), este coeficientul de trans-
port al de minoritari prin x,
de continuitate forma:
Jr( /.>1' "
sc{ +j{jJT, ]. (6.102)
Pentru continui de OJT'b 1
xO=SCh
W
:::::1-!..(WJ2
L
b
2 L
b
S-a o expresie cu (6.30).
La j OJT'b >> 1
l= SCh[ (im,,)Yo ] r t (6.103)
Notnd timpul mediu de zbor al de prin
W
2
prin t
b
,
2D
b
Limitndu-ne cu primii trei termeni ai n serie,

x::::: l-(OJtby
1
a =rx:::::1--(OJt
b
)2. (6.106)
3
Conform expresiei (6.106), cu OJ =2Jlf
factorul de amplificare n curent a se
Pentru a caracteriza prin parametri numerici calitatea TB n ce
comportarea lui cu se introduc
(6.101)
Fig. 6.17 Schema a
TB ( P - Il - P ) la
nalte.
II
p
(X,t) =N/x) +II
p
(x)expjOJt ,
unde j= H este unitate
amplituda curentului alternativ ce se scurge prin colector
defazajul dintre lE' perioada semnalului se
iar timpul T' Ee constant. Cu ct este mai mare cu att
este mai mic raportul curentului colectorului curentul emitorului,
este mai mic factorul de amplificarein a .
n de aceasta, cum a fost mai sus,
de ale TB sunt determinate de efectul de
a de difuzie a emitorului C
eD
a de
a colectorului C
eiJ
Cu se
capacitati efectul de devine mai o
parte din curent se scurge prin aceste a participa la
procesul de amplificare. acestor se iau n
n circuitul echivalent (fig. 6.17), care este utilizat la
analiza TB la nalte.
tranzistorului la nalte sunt determinate,
n majoritatea cazurilor, de timpul de zbor al
prin regiunea bazei tiJ' C
eD

C
eb
, atunci de ale TB vor fi determinate de
de a parametrului principal al tranzistorului -
factorul de amplificare n curent a.
un tranzistor
n - p - 11 n conexiunea BC; ten-
le siunile aplicate pe terminale cu-
C ren prin tranzistor au att compo-
nente continue, ct componente
alternative de OJ =27if,
care trebuie amplificate. Pentru a
determina a =Cf!SJ), este
necesar de a rezolva de
continuitate (1.106), n care
minoritari n exces vor avea
componente - una alta

254
255
cont de faptul W L
b
, se poate scrie (W
2

(6.113)
(6.114)
fa are expresia:
unde
f
- coa _ 1 _ D
b
a-2;rr-2;rrT
b
-;rrW2 ' (6.111)
valori ridicate ale fa se la tranzis-
toarele cu baze nguste, din materiale cu coeficientul
de difuzie al de minoritari ct mai mare.
limita n conexiunea Ee, ffJ'
pentru care modulul factorului de amplificare n curent n regim
alternativ Ipl scade la Y.fi =0,707 din valoarea sa Po la
Confonn avem:
p(
r.,) __ g(co) __ Po
U/ (6.112)
- l-g(co) 1+j{JJTfJ '
unde TfJ este constanta de timp a coeficientului de transport al
curentului bazei, numeric cu timpul de al de
minoritari n regiunea bazei T
n
Modulul coeficientului de
transfer al curentului bazei
1 co
cofJ =-=co (1-a)= a
TfJ a O (Po+l)
Acestei i corespunde r cofJ
. fJ= 2;rr .
dintre valorile fa ffJ este foarte mare.
De exemplu, pentru un tranzistor p - n - p tipic din gennaniu,
prin ali erea din cu parametrii
T
p
=TfJ =10 D
p
=50 cm
2
/ s, W =40 m, avem Po =63
ffJ= 16 kHz, n timp ce f
a
= 1 MHz.
(6.107)
(6.108)
(6.109)
(6.110)
(6.108 a)
1 2D
b
ro =-=--
a W
2
T
b
g(CO) =a o -jcoTbao .
1+ (COT
b
)2
Modulul g (ro) se expresia:
Ele de a fi
mterpretabI1e fiZIC. Cele mai uzuale sunt:
fa , de f
T
, /p
.
p
limita, fa , pentru care modulul
factorului de amplificare n curent g scade la Y.fi = 0,707 (sau
cu 3 dB) din valoarea sa a
o
de la Cu ajutorul
expresiei (6.102), considernd eficacitatea emitorului r slab
depinde de
g(ro) =r xCco) = 1 = 1
Jl +jCOT
b
J 1+ W
2
+jCOT
b

L
b

a
o
a
o
a = ----=--
1
. (W
2
J-1+jroTb
+Jco --
2D
b
Expr.esia (6.108) n
factorulUI a de numitorul
expresiei (6.1 08) cu (1-j COTb):
unde
256
257

de generare:
aok
1; =fmax= 8 'c (6.116)
ffr
b
e
unde = Te este constanta de timp a circuitului colectorului.
Deci, de ale TB sunt determinate de
fa' ffJ fT' f
p
' Principalul para-
metru este fT' care poate fi simplu are sens
fizic clar.
de taiere, f T' este ca pentru care
modulul factorului de amplificare n curent n conexiunea EC devine
egal cu unitatea. poate fi pentru
f ffJ . Astfel, din (6.113), trecnd la ciclice, se
p = Po IfJ' (6.115)
f
Punnd f= fT pentru 13 =1, se fT= 130 ffJ' n fig. 6.18
sunt prezentate graficele a(f) f3(f) sunt marcate
fa,ffJ,fT'
(6.117)
TRANZISTOARE BIPOLARE DRIFT
TB, la care lor n este
mai mare emitor mai colector, se numesc
tranzistoare drifl. Tranzistoarele drift au fost propuse de
H.Kroemer n 1953 cu scopul fa (prin
urmare, ffJ' fT)' Regiunea bazei n aceste tranzistoare este fabri-
prin metoda de difuzie. Prin urmare,
este la semiconductoare scade n
interiorul ei. a lor duce la
cu a nivelului Fermi, ceea ce unui cmp
electric n care asupra de mi-
noritari n ea. Acest cmp de
minoritari n difuziei acestora, ceea ce timpul
de zbor al de minoritari n
de de amplificare ale tranzistorului.
Pentru expunerea principiului de a teoriei ele-
mentare se o n+ - P - n avnd profil de dopare
n fig. 6.19a. Modelul benzilor de energie la echilibru
termodinamic este reprezentat n fig. 6.19b. echilibrul
termodinamic. n NA(x> ni se poate aproxima
PB (x) :::=: N A (x) , prin urmare, a
lor acceptoare o a de
majoritari (golurilor). neuniforme,
golurile au se deplaseze prin difuzie spre colector, dnd
astfel unui curent de difuzie. Deoarece la echilibru nu curge
curent electric, curentul de difuzie trebuie fie echi-
librat de un curent de cmp, egal de semn contrar cu el. Curentul
de drift este determinat de un cmp electric intern Ei care ia
re n avnd sensul de la colector spre emitor.
Expresia cmpului Ci poate fi din ca la
echilibrul termodinamic densitatea curentului de goluri n
fie zero:
maximala,
f p' este pentru
care modulul factorului
de amplificare n putere
a tranzistorului devine
egal cu unitatea.
este cea mai
mare a autoos-
n
generatoare ce
tranzistorul dat. La frec-
mai mari dect f p
generarea este

Fig. 6.18. factorilor de am-
plificare n curent a j3 de
semnalului.
1 !- +-
a o -1
----- 1----------1 I log,
-,./l
logfT logfa
258 259
a
b
(6.120)
(6.121)
(6.122)
Daca impuri acceptoare in
cu
2J751) , (6.119)
unde D este coeficientul de difuzie, t - timpul de difuzie, atunci
pentru cmpul intern
li = kT dlnNA(x) =_ kT_l_
, q dx q 2Ji5i'
Deci, in tranzistorul cu a a impuri
lii este o constanta pe intreaga largime a bazei este
indreptat impotriva axei x , adica accelereaza electronii de la
emitor spre colector (fig. 6.19b).
apreciem raportul dintre timpul de tranzit prin baza a purtatori-
lor driftului in cmp electric difuziei t D :
tE = W
B
= W
B
=LW
IL
.
2Ji5i
= W
B
L'I'
.9 JLnlii kT I'n D/1 .
unde D/1 este coeficientul de difuzie a electronilor in regIUnea
bazei, iar L
N
=2Ji5i este adncimea difuziei.
D
W
B
2
tE 2L'I
eoarece tD =--, atunCI - =_"_o
2D/1 t
D
W
s
Lund in ca largimea bazei W
B
este
de dintre adncimea difuziei la formarea bazei a emito-
rului, atunci W
B
L
N
deci, tE tD
Sa analizam cmpului electric din regiunea bazei
asupra parametrilor tranzistorului. emitorului poate fi
considerata de cmpul electric determinata de
(6.15). nsa deoarece purtatorilor de sarcina n
regiunea bazei a emitorului depind de coordonata, in (6.15)
trebuie luate valorile medii ale
Coeficientul de transport X al purtatorilor prin baza
W
2
P
entru li," = O (6.30), utiliznd L
2
=D r r =_B_
n /1 n' D 2D'
/1
poate fi scris in fonna:
(6.118)
x
------E
v
______ Ec.
----====:!...--. -- E
F
Fig. 6.19. (a), diagramelor
energetice la echilibru (b) la polarizare
nonnala (c).
de unde (avnd in vedere PBCr:) NA(x:
li, (x) =_ kT oNA (x)
q N
4
(x) a.:
260
261
(6.127)
(6.128)
6.8. TRANZISTORUL DE
V
CB
regiunea de sarcina se n principal, n colector.
Deci, 1argimii efective a bazei de catre tensiunea de colector
este foarte slaba, prin urmare, vom avea un efect Early nensemnat.
Datorita mari a impuri n apropierea emito-
ru1ui, se manifesta cteva neajunsuri. n primul rnd, are loc
rea emitorului r. n al doilea
rnd, regiunii emitor-baza este mica se
ge la tensiuni inverse de fapt care impune precau-
la utilizarea tranzistoarelor drift n circuitele de impulsuri.
Tranzistorii de n cu TB simpli, n-au
careva deosebiri constructive sau n structura lor. Denumirea de
tranzistor de se la regimul specific de
cnd se utilizeaza multiplicarea n colector-
ca rezultat, se caracteristici curent-tensiune cu o
de
Multiplicarea curentului de colector al tranzistorului, provocata
de ionizarea de impact, duce la majorarea factorului de amplificare
n curent
unde: a
o
- factorul de amplificare pentru conexiunea BC n lipsa
proceselor de multiplicare n M - coeficientul de multi-
plicare, n cazul dat determinat de
1
unde V
SB
este tensiunea de strapungere a n
conexiunea BC (m =3 la Ge aproximativ 6 la Si).
Sa multiplicarii n a de
minoritari n regiunea colector-baza asupra ca-
racteristicilor curent-tensiune la diferite ale TB (fig. 6.20).
(6.123)
(6.124)
(6.125)
(6.126)
unde timpul de tranzit al prin baza t
b
= tD'
n cmpului electric n regiunea bazei vitezele de difu-
zie de drift ale se aduna: .9( = .9
E
+ .9
D
, sau
= 2D
n
l(l+ q/i;WB )
t
B
tE T
D
w; 2kT
pentru timpul de tranzit prin baza
t - TD TD
B- 1+ 1+ 17 '
2kT
q/iW
B
unde 17 = 1 Respectiv, pentru X
2kT
parametri ai tranzistorului de drift, n care intra TD' tot
pot fi aproximativ nlOCUInd t
D
cu t B' De exemplu, capa-
citatea de difuzie a emitorului C
eD
n tranzistorul de drift este de
(1 + 17) ori mai mica, iar fa coeficientul de tran-
sport X - de (1 + 17) ori mai mare dect n tranzistorul de difuzie.
Conform expresiilor (6.33, 6.111), cu
cmpului electric n regiunea bazei se maresc a fa'
subliniem cteva ale tranzistorului drift. Utiliznd
tehnologiile de difuzie dubla difuzie, se pot realiza
baze foarte astfel, largimii efective a bazei W
B
cmpului intern /ii permit unor fa
foarte mari (de doua, trei ordine mai mari ca n tranzistorii de
difuzie). ntruct baza este slab n apropierea colectorului
purtatorilor de sarcina n regiunea colectorului este
mai dect n regiunea bazei, la tensiunii colectorului
262
263
Fig. 6.20. Scheme de conexiune ale de
a) emitor ITI gol; b) colector-
n gol; c) n circuitul bazei este conectat reZlstoru! R
b

n schema din fig. 6.20a este numai c?lec-
La tensiuni relativ mari survin fenomenele de multIplIcare
n ce conduc la o de
FOffila caracteristicii de n domemul tenslUmlor marI este
n figura 6.21 a cum se este la fel ca n
cazul p -11 ( fig. 3.8) cu tensiunea de
pungere V
SB
a An schema fig. 6?Ob
tranzistorul este conectat cu baza n gol. In acest caz prIn tranzIstor
se scurge curentul
le
p,
I
I
I
I
I
R,=ce IR.=ce
I i:J)
I
I
1"'01{
,
(f'
I
I
Iese V
I I
V
a
VSE-
V a V
SB --- SE: \lSB
b
Fig. 6.21. Caracteristicile voltamperice ale TB n domeniul tensiuni-
lor nalte: a) n gol ( R
b
=ro ) sau
emitor-baza n gol (RE = ro); b) n circuitul
bazei este R
b
.
Din expresiile (6.129, 6.130) se n cazul coneXlUnll
bazei n gol are loc la tensiuni V =V'E < V
SH
(fig. 6.21a),
din aoM =1:
V
SE
= V
SB
- an ; (6.131)
V
SE
' tipic, este de 2-3 ori mai mic dect V
SB
' Aceasta este datorat
faptului n conexiune procesele de la colector-
sunt puternic de procesele din
prin intermediul coeficientului Pa'
La conectarea rezistorului R
b
n circuitul bazei (fig. 6.20c) forma
caracteristicii voltamperice se calitativ, n regiunea de ava-
apare o de (fig.6.21 b).
acestei este de dintre
tensiunile de V
SB
V
SE
n schemele analizate mai sus,
care, n de curentului de colector, se
poate apropia schema din fig. 6.20c. La mici ai colectorului,
majoritatea curentului se va scurge prin rezistorul R
b
, deoarece
este destul de mare este
de expresia (6.132). Deci, schemei
analizate se apropie de schemei cu emitor-
n gol (RE = (0) se va ncepe la tensiuni
(6.130)
(6.129)
v
V
R
b
tiE
a
/b
c
* MI eBa
le = .
l-a
a
M
Curentul tinde la infinit cnd aaM 1. Aceasta este de-
de TB, care duce
la curentului colectorului de 1/(1 - aaM) ori.
Introducnd n (6.129) expresia lui M din (6.128),
caracteristicii voltamperice a tranzistorului n conexiunea
cu baza n gol:
264
265
(6.134)
(6.132)
(6.133)
de
(6.135)
I - in gol
:2 - in scurtcircuit
3, 4 - baza polarizata invers
5 - emitorul in gol
a
b
Fig. 6.22. Tranzistorul de in
conexiunea Ee cu po-
mvers (a) carac-
teristicile lui de (b).
expresia (6.134) n V (1*)
" C C ,
utlhzand (6.128):
V
-V 1 aoJE + 1
cBO
e - m-
SB 1*
e
(6.135) poate fi pe puncte, atribuind diferite
valon curentului le determinnd curentul lE a
o
(lE) .
n circuitul bazei, consecutiv cu rezistorul R
b se conec-
o de V
B
(fig. 6.22a), care
nea baza-emItor mvers atunci
.. " r
vanmd tensiunea V
B
, se ...s-
o familie de caracteristici cu re-
giuni de
(fig. 6.22b). ntr-ade-
n acest circuit
de negativ,
m urma proceselor de
impact, duce la ten-
siunii inverse la emi-
torului. La un curent suficient
de mare tensiune de-
cu zero jonc-
emitorului se deschide
(fig. 6.22b - n punctul a). Mai
departe tensiunea V
BE
se schim-
foarte deoarece
nea de acum este
are o
Respectiv, curentul bazei
ne aproximativ constant este
egal cu Vii.
, b
La mici (regiunea 1) emitorului este
prin urmare, a
o
=O. n acest caz, conform (6.135 ) tensiunea V
c
se cu curentului J
e
n punctul 0, unde
apropiate de Cu curentului de tensiune
pe R
b
curentul de emitor se Aceasta duce la
emitorului 'E; ca urmare, o tot mai mare
parte din curentul colectorului se n circuitul emitorului.
La 1:, mari poate fi n
gol, deoarece Jb lE .::::< le' n acest caz schema are
ca schema cu n gol cu
tensiunea de V
SE
' Deci, cu curentului de
colector tensiunea la nceput aproape de V
SB
' iar apoi
ncepe a se apropiindu-se de V
SE
' Aceasta
calitativ regiunii cu Pentru
formarea regiunii de este necesar ca
factorul de amplificare a
o
se cu curentului
de emitor. deschiderea emitorului a
o

cu curentului, iar aM' conform de
egal cu unitatea. Aceasta coeficientul de
multiplicare n M trebuie se Respectiv,
trebuie se tensiunea colectorului. Deci,
l curentului este de
este
rE (lE) = kT . ln( lE +lJ .
q1
E
I
EO
Caracteristica voltamperica a tranzistorului de este
determinata de expresia:
=M(a
o
1
E
+l
cRo
)'
nlocuind curentul de emitor pnn curentul
lE =le +1
b
,
J* - Mao1b + MIcRO
c -
1- Jvla
o
Coeficientul j\1 este de tensiune, iar factorul a
o
-
de curent. Din aceste considerente expresia (6.134)
caracteristica a tranzistorului de n mod
266
267
emitorului se deschide, curentul de colector este egal n modul cu
curentul de
V
'E
a
Fig. 6.23. Schema de conectare a tranzistorului
de din partea emitorului (a)
caracteristica (b).
v
Cu curentului derivata (da
o
/ d1E)' cu ea
re' se tinznd la zero. a
o
(1E )
ar fi fost atunci Ve asimptotic s-ar fi
apropiat de verticala V
SE
' procesul asimptotic nu are
loc (fig. 6.21 b), deoarece la mari factorul a
o
se
derivata da
o
/ d1E devine Respectiv, re tre-
buie schimbe semnul ntr-un punct careva, n rezultat
pe se a doua regiune (regiunea 4,
fig. 6.21b). n fel, variind tensiunea V
B
, v-om diferite
puncte a situate ntre V
SE
V
SB
'
Regiuni, negative, apar la
caracteristicile voltamperice ale altor scheme de conectare a
tranzistorului de tensiunea colectorului are valoarea
ntre V
SE
V
SB
' De exemplu, n schema din fig. 6.23 regiune
este de faptul n cazul aoM > 1 curentul de colector
curentul de emitor. Pentru curentul de emitor pozitiv,
tensiunea emitorului este deoarece de tensiune de
la curentului colectorului al emitorului pe R
B
este Cu de emitor de colector
de tensiune pe R
B
se iar tensiunea dintre
(6.140)
(6.139)
(6.138)
(6.137)
(6.136)

pentru
1 = V
B
o R
B
Atunci din (6.135) tensiunea:
TI - V 1- 1
cBo
R
B
ro - SB'" V
B
Comparnd (6.137) (6.131), ajungem la concluzia inegali-
tatea V
o
> V
SE
se
V
B
JCBO
->--.
R
B
a
o
n regiunea de trecere 2 (fig. 6.21 b) tensiunii nceti-
devine tot mai Aceasta
din (6.135), n care curentului este de
componentei aafE la n punctul critic a re-
se n zero, iar apoi devine
Analiza coordonatele punctului a sunt aproape de
coordonatele punctului O pot fi determinate expresiile (6.136)
(6.137). .
n regiunea 3J fig. 6.21b) poate fi
(6.135) curent. n caz general, se o
expresie un caz particular, cnd curentul
este cu mult mai mare dect curentul n punctul a cu att mai mare
dect curentul n punctul O, 1
0
Atunci n (6.135) se poate
neglija curentul 1eBO lE' n fel, caracteristica
se are fonna:
Ve V
SB
1- a o
V
c
curent, expresia
268
269
Fig. 6.24. Schema de conectare a tranzistorilor dc din partea
bazei (a) caracteristica ei (b).
colector scade, cnd atinge valoarea V
SE
' de mai
departe a curentului de emitor duce la aceea aoJ"tf devine mai
mic dect 1 curentului de colector este mai dect
curentului de emitor. Aceasta corespunde
pozitive n regiunea mari.
Pentru schema din fig. 6.24a este caracteristica de
intrare de forma N (fig. 6.24b). a caracteristicii voltam-
perice la fel este de faptul la aoM > 1 curentul de
colector este mai mare dect cel de emitor. De aceea la
de deschidere a bazei curentul de egal cu dife-
curentului de colector cel de emitor, are polaritate
Cu curentului bazei curentul de colector
de tensiune pe rezistorul Re' se tensiunea de pe
colectorului. n momentul cnd tensiune devine
aproape de V
SE
' aoM < 1 curentul bazei polaritatea. n
fel, pe caracteristica de intrare se o regiune cu
conductibilitate
Din analiza a caracteristicilor voltamperice se poate
face concluzia n de caracteristici voltamperice
schemele cu tranzistori bipolari n regimul de au att ca-
racteristici de tip S , ct de tip N . Aceasta atribuie tranzistorilor
de universalitate, ce nu-i pentru alte dispo-
zitive semiconductoare.
Tranzistorul (TUJ) este un dispozitiv semicon-
ductor ce are n structura sa o p - n trei terminale,
de comutare amplificare ale sunt determinate
de modularea bazei n rezultatul n ea a
de minoritari.
Tranzistorul deseori numit cu baze, n
cele mai multe cazuri consta dintr-o de n Si (1,2xO,2xO,2 mm
3
)
cu contacte ohmice, care constituie bazele B
I
B
2
, o
p + - n la II de baza B
I
, care
denumirea de de emitor (fig. 6.25a). Regiunea emitorului
(regiunea cu conductibilitatea p) are un nivel de dopare mai nalt
dect regiunea bazei (regiunea cu conductibilitatea n) din con-
siderente la polarizarea a emitorului curentul
fie determinat, n principal, n acest
caz din de minoritari (golurilor),
n regiunea bazei tranzistorului de
principali, care n din contactul B
I
pentru a com-
pensa sarcina a de minoritari, va avea
loc bazei (modularea) curentului
ce se scurge ntre contactele B
I
B
2

ntre cele baze este tensiunea V
SIB2
' atunci,
datorita trecerii curentului 1S2' va avea loc acestei tensiuni
de-a lungul bazei. Bara de n Si se ca un rezistor linear,
tensiunii V
x
de-a lungul barei este (fig. 6.25b). La
Il (la nivelul de emitor) locului este
TJ V
BIB2
, unde TJ este factorul, <:iedivizare interior, care depinde de
raportul dimensiunilor Il 1
2
:
6.9. TRANZISTOARE
R
SI
TJ =, (6.141)
R
SI
+R
s2
unde R
BI
R
B2
sunt le barei de n Si pe II'
respectiv 1
2
,
b a
270
271
Fig. 6.2S. Tranzistorul (TUJ); a) modelul fizic;
b) tensiunii V
BJ82
de-a lungul bazei.
acest VII ='lV
BIB2

nea de emitor invers. ntre contactul emitorului E al bazei
B, se tensiunea V
EBI
atunci tensiunea ce
polarizeaza invers de emitor VII - V
ABI
se
Att timp ct V
EBJ
< 'lV
BIB2
, de emitor este
invers prin ea trece un curent 1EBD care are valoare Cnd
tensiunea V
EBI
devine cu tensiunea pe de
emitor devine cu zero. Respectiv, va fi egal cu zero
curentul ce trece prin V
EB
] > 'lV
B1B2
, de
emitor se direct. p -11 se ncepe
de la marginea ei de jos, mai aproape de baza E], unde
negativ este mai mic. Golurile, injectate din regiunea p
deschiderea p - Il , nimeresc n partea de jos a barei
de Il Si. n timp electronilor din
contactul EI' pentru asigurarea de neutralitate. n
RBI se Deoarece
de sus a barei de Il Si (RB2) practic nu s-a schimbat, atunci
tensiunea la nivelul II va o valoare (fig. 6.25b,
curba mai ca VII' a tensiunii
conduce la polarizarea mai a de emitor,
care mai multe goluri n
c

B,
E
b
I
Bl

L. i ;Rb1
+: ov"'"
V
EB
, R.,
-
-
regiune de blocare
Fig. 6.26. Tranzistorul TUJ; a) caracteristica de intrare;
b) schema c) simbolul de reprezentare.
a
Mecanismul analizat de a inverse pozitive n
dispozitiv duce la aceea la o tensiune pe emitor V
EBI
, egala
cu tensiunea V
p
' se ncepe procesul de conectare prin modul de
a TUJ. curentului de emitor este de
tensiunii de emitor apare regiunea de
cum se n fig. 6.26a. Din cele
expuse regiunea de se
datoreaza barei semiconductoare pe
dintre baza El' Regiunea de
este de punctul a (V
p
' 1p) , numit punct de vrf
punctul b (V
v
' Iv) , numit punct de vale.
Peste valoarea Iva curentului apare regiunea de b - c ,
unde curentul de intrare rapid cu tensiunea. La caracteris-
ticile de intrare lE =f(V
EBI
) se a ten-
siunii dintre baze V
BJB2
Atunci cnd V
BIB2
=O, caracteristica de
intrare a TU] este la fel ca caracteristica a diodei
semiconductoare. tensiunii V
BIB2
duce la deplasarea punc-
tului V
p
Ia dreapta pe axa absciselor Ia regiunii de rezis-
(fig. 6.27a).
v"
b
a
272
273
Caracteristicile de ale tranzistoarelor TUl
curentului 1
82
de tensiunea dintre baze V
8182
pentru
diferite ale curentului de emitor 1E (fig. 6.27b). Pentru
1 =O caracteristica de este o Pentru de
E .
emitor de zero caracteristicile de sunt nelineare
cresc cu curentul de emitor.
Presupunem, curentul de emitor a crescut cu M E' atunci n
golurilor va cu fJ.pnb simultan pentru
electrice n din contactele ohmice va intra
cantitate de de principali (!1n b =!1n )
n rnb .
Deoarece
(6.143)
Fig. 6.27. Familii de caracteristici statice ale tranzistorului TU}:
a) caracteristici de intrare cu V
BIB2
parametru;
b) caracteristici de cu JE parametru.
Tranzistorul TUl, ca orice dispozitiv cu
poate fi utilizat n calitate de comutator, generator
plificator. n schemele de amplifi.care TU! electnce
sunt amplificate att putere tensIUne, cat In curent.
factorul de amplificare n curent al TUl ca
k = M 82 La mari ale cmpului electric & din pot
1 M
E
fi neglijate procesele de difuzie a de n
numai de drift:
1
82
=In + I
p
= + (6.142)
unde S este aria transversale a bazei.
M
82
= +

(6.144)
atunci factorul de amplificare
k
i
=M82 =1+ . (6.145)
M
E

n cu timpul mic de drift al de prin
n cu timpul de s-a presupus
emitorului coeficientul de transport al sarcinilor prin sunt
aproape de unitate.
Deoarece mobilitatea electronilor n majoritatea materialelor
semiconductoare mobilitatea golurilor, este convenabil
de a construi TUJ pe baza materialului cu conductivitatea n.
Avantajele tranzistoarelor sunt legate de valoarea
a curentului n circuitul de n stare de blocare
stabilitatea a tensiunii de deblocare. TUJ sunt dis-
pozitive de joase (viteza de
50 - 100ns). pentru majoritatea practice
rapiditate este
b
a
274 275
Capitolul VII
TIRISTOARE
Dispozitivelor semiconductoare constituite din cel pUJi
Il
patru
regiuni de altemate, care trei
P - 11 pe caracteristica voltamperica a carora se distinge o regiu-
ne de li s-a atribuit denumirea co-
tiristoare.
Clasrficarea tiristoarelor se dupa urmatorii indici:
dupa terminalelor, dupa forma caracteristicii voltamperice,
dupa modul de comutare de dirijare
Dupa numarul tenninalelor se deosebesc:
tiristor-diodic (dinistor), care numai doua tem1inale;
- tiristor-triodic, care trei terminale (doua principale
unul de dirijare );
-- care patru terminale.
Dupa forma caracteristicii voltamperice se deosebesc:
- tiristoare cu blocare n sens invers;
- tiristoare cu n sens invers;
- tiristoare simetrice cu
Dupa modul de comutare tiristoarelc se mpart n conven-
(deblocarea se numai circuitul de
anodic) (comutarea directa inversa se efectueaza
aplicnd impulsuri de tensiune pozitive sau negative pe
Dupa modul de dirijare sc deosebesc tiristoare, fototiristoare
optotiristoare. Primele pot fi comutate cu ajutorul semnalelor elec-
trice exterioare aplicate la Fototiristoarele sunt comutate de
semnale optice exterioare, optotiristoarele - de semnale optice
interioare (emitorul de fototiristorul n optotiristor alca-
tuiesc o comuna).
Ideea realizarii structurilor cu patru regiuni altemate a fost
conceputa de W.Shockley n anul 1950. Pentru a explica func-
tiristoruiui J.Ebers a propus un model echivalent cu
tranzistoare bipolare; primul dispozitiv a fost realizat n
276
1956 de J.Moll colaboratorii Deoarece
tiristoarelor este prin doua stari stabile, ele sunt apte
pentru utilizare n circuite de comutare. Actualmente sunt fabricate
tiristoare ce la de la miliamperi la
5000 A la tensiuni mai mari de 10000 V .
7.1. TIRISTORUL DIODIC
7.1.1. STRUCTURA,
Structura tiristorului diodic (vezi fig. 7.1) are patru straturi
altemate (p]' 11 l' P2' 11
2
) care trei p - n (J
1
,
J
2
J
3
). Terminalul conectat la stratul PI denumirea de
a110d (A), iar electrodul de contact al stratului n
2
este terminalul
de catod (K).

Catod
- P"
ni
Pl
n;c
Fig. 7.1. Tiristoml diodic: stmctura fizica.
Structura pnp11 cu terminale se qJQcld. Shoc:!sky.
procesele ce au loc n tiristor 'cnd
tensiuni de polarizare ( "+" la anod, "-" la catod). In acest
caz J
I
, J
3
sunt polarizate direct, de aceea ele se
numesc de emitor; iar de la mijloc J 2 este
invers se de. colector. Respectiv n dispozitiv exista ,o
doua regiuni de emitor (p] 11
2
emitoare) regiuni de
(P2 Il] baze). Tensiunea aplicata se distribuie pe cele trei
V
AK
= + V
2
+ V
3
deoarece colectorului J?
este invers, majoritatea tensiunii se aplica la

277
;p '!J' ..
4
5
o
3
regiunile bazelor valoarea a tensiunii sumare aplicate la
de colector ncepe a se Valoarea curentului prin "
tiristor va fi numai de de fe.m. a sursei
de alimentare. barierei de a de colec-
tor se la valoarea
acestei directe (fig. 7.3c).
A-{1 nI F-El-K
,..f':------
oJ, J2 JJ
a
Fig. 7.2. Caracteristica voltamperica
statica a tiristorului diodic.
+
A pl ni K
278
c
-------
Fig. 7.3. Modelul benzilor de energie ale tiristorului: a) echilibru
termodinamic; b) polarizare directa, regiune de blocare;
c) polarizare directa, regiune de deblocare.
279
n fel, la aplicarea tensiunii directe tiristorul se poate afla n
doua stari stabile: de blocare de deblocare. Starea de blocare
directa corespunde regiunii ramurii directe a caracteristicii volt
am
-
perice statice ntre punctul zero punctul de comutare (1). Punctul 1,
unde ncepe comutarea directa, are coordonatele (V
d
, I d ) care se
din (di
4K
J =O. n de blocare directa
d A V
max
(regiunea 0-1, fig. 7.2) la tiristor poate fi aplicata o tensiune mare,
iar curentul direct este relativ mic. in care tensiunea
directa aplicata ntre anod catod (V
AK
) atinge valoarea se
procesul regenerativ, descris mai sus, de a
structurii pnpn din starea de blocare n direct n starea de con-
dispozitivul trece rapid prin zona 1-2 de
(dV < O) ajunge n regiunea 2-3 a n direct. Punctul 2,
dI
unde se termina comutarea directa, ale carui coordonate (V ,I )
m m
se din (dV
AK
J = O este numit de
dIA .
j/mim.
ntruct un tiristor aflat n stare de deblocare directa pastreaza
aceasta stare att timp ct V'.4K ;::: V
m

Starea de deblocare directa corespunde regiunii 2-3 a carac-
teristicii voltamperice, unde toate sunt polarizate direct.
n regiunea 2-3 a caracteristicii I - V, dispozitivul pnpn are un
# comportament similar cu cel al unei diode redresoare n
Aplicnd tensiuni de polarizare inversa ("-" la anod, "+" la
catod), J] J
3
se polarizeaza invers, iar J
1
- direct
(fig.7.2). n aceasta stare prin structura pnpn trece un curent invers
foarte mic, 0-4 de caracteristica, numita
regiunea de blocare invers. La tensiuni inverse mari, care depa-
o valoare critica V4Kcrit .' survine strapungerea electrica a jonc-
J
1
J
3
; curentul invers rapid 4-5 pe
caracteristica statica).
280
7.1.2. STRUCTURA pnpn LA BLOCARE N DIRECT
La blocare n direct tensiunea la anod este pozitiva dc catod
este polarizata invers numai J1 . J
1
J
3
sunt
polarizate direct. Majoritatea din tensiunea aplicata cade pe
J
1
. Pentru a lamuri caractelisticile dispozitivelor la blocare n direct
ne referim la modelul propus de J.Ebers, care considera structura
pnpn este cu tranzistoare bipolare conectate ntre
ele, cum este n fig. 7.4a. Primul tranzistor de tipul pnp are fac-
torul de amplificare n curent a
O
] , iar al doilea, de tipul npn, are fac-
torul de amplificare a
01
' Prin urmare, J1 constituie o jonc-
colector-baza concomitent pentru ambele tranzistoare.
Cofod
ni p;> n;>

I I
Anod
.....
Pr
n,
P;>
-
a
J<
b
Fig. 7.4. Modelul Ebers al tiristorului diodic: a) ilustrarea construc-
tiva; b) modelul tranzistoare bipolare.
La polarizari directe ("+" la anod, "-" la catod) dect
tensiunea de deblocare tranzistoarele, ce alcatuiesc structura p;;pn ,
se n regiunea activa de
281
I =I +1
co con cap'
curentul I fiind cu att mai mare cu ct mai mare este tensiunea
cu
inversa la
- curentul de goluri I p , injectate de J
I
care
trec prin J 2 :
I
p
= aoJ)I , (7.1)
unde 1)1 este curentul prin J
I
;
- curentul de electroni In' de J
3
care par-
trec prin J
2
:
In =a
02
1)3' (7.2)
unde 1) 3 este curentul prin j unea J3
n regimul activ factorii de amplificare a
OI
a
02
sunt
de curentul I tensiunea aplicata la de colector J
2
(vezi Cap. VI ). Prin urmare, curentul ce trece prin de
colector J
2
este determinat de suma:
1)2 =aO/)1 +a 02
1
)3 +I cu. (7.3.)
Pentru structura tiristorului diodic, care are doua terminale, din
cauza pastrarii marimii su-
mari prin toate trebuie sa fie egali ntre ei:
1)1 =1)2 =1)3 =I
A
. (7.4.)
Atunci curentul anodic al tiristorului diodic
I
IA = cu, (7.5)
1- (a
OI
+ aoJ
unde a + a = a este factorul sumar de amplificare a structurii
01 02 O
tiristor. (7.5) prezinta voltamperice a
. tiristorului diodic la blocarea directa. ca
emitorului TB cu marirea curentului de emitor n rezultatul
(7.7)
1
MI cu
I A = (). (7.6)
l-M aOl +a
02
Coeficientul de multiplicare M este determinat de expresia:
M = 1_ ( V
AK
Jn '
V
A02
unde V
A02
este tensiunea de strapungere prin multiplicare n ava-
a J
2

de comutare directa este acum:
1
a
OI
+a
02
=-<1, (7.8)
M
recombinarii n de emitor apa-
cmpului electric n baza datorita maririi gradientului de con-
a purtatorilor de sarcina. emitorului la fel se
cu tensiunii aplicate la de colector n
urma largimii bazei coeficientului de mul-
tiplicare n n de colector. patru factori
fizici provoaca factorului de amplificare a structurii tiris-
tor la marirea tensiunii aplicate a curentului n starea de blocare
n direct a tiristorului diodic. n starea de blocare directa tensiunea
directa V
AK
ia valori foarte mari se n principal pe jon-
J
2
polarizata invers. n acest caz intervine procesul de mul-
tiplicare n la J
2
,astfel (7.5) ia forma:
deci se poate realiza comutarea chiar cnd factorul sumar de
amplificare este subunitar. cont de expresia coeficientului
M din (7.6) (7.8), rezulta ca n multiplicarii n
tensiunea anodica de comutare directa este:
V
AKO
=V
A02
[1 - (a
ol
+ a
02
)}Y,; < V
A02
. (7.9)
dintre V
AKO
V
A02
este nsa mica datorita
(7.8). Att timp ct a
OI
a
02
au valori curentul IA are
valori mici; astfel, tiristorul se afla n stare de blocare directa. Daca
curentul I este
n regiunea centrale de colector J
2
compus din:
- curentul invers I
cu
al J 2 :
282
283

(7.13)
(7.14)
unde 1
4
= IEl' !K = ]10'2' ]K = IA'
Derivnd (7.11) (7.12), pentru factorii se
d!C! d]CI caOI
al -------a +1
- dI. - dI - OI A
El A A
a
2
= ciIC2 = ciIC2 = a + I oa02
d
i dI 02 A::)I .
10'2 A C A
Din (7.6) pentru ca Rf) < O este necesar sa se ndep-
lineasca urmatoarea inegalitate:
1-a
j
-a
2
<0 sau a=a
l
+a
2
>1, (7.15)
unde a este factorul sumar de amplificare n curent.
Deci, deblocarea tiristorului va avea loc cnd factorul diferen-
va fi egal cu unitatea. De obicei, se ndep-
mai nainte de egali cu 1 a sumei factorilor de
amplificare statiei ai tranzistoarelor echivalente, deoarece factorii
totdeauna au valori mai mari dect cei statici.
O nensemnata a factorului sumar al uni-
nseamna curentului de colector este mai mare
dect curentului de emitor. Tocmai n aceasta
baza p se ncarca pozitiv, iar baza n negativ. Surplusul de sarcini
n regiunile bazelor tensiunea de colector,
prin unnare, a ntregii structuri pnpn, ce corespunde regiunii de
comutare caracterizate prin la negativa.
n regiunea de comutare a tiristorului diodic, n urma
curentului prin structura, factorul sumar a de ampli-
ficare n curent se tensiunii aplicate
de colector provoaca, concomitent, acestui factor sumar.
De aceea expresia a =al + a
2
=1 poate fi considerata nu numai
de comutare directa a tiristorului, dar drept a
caracteristicii voltamperice n regiunea de comutare. n realitate
factorul sumar al tranzistorilor n timpul
unitatea.
In regiunea de deblocare directa valoarea factoru-
lui sumar de amplificare n curent al tiristorului unitatea,
deci o din de sarcina de
emitor ajung la de colector. n starea de la
(7.10)
(7.11)
(7.12)
] C2 =a
02
] K +]C02 ,
(
::) J ( ::1 J
caOI ca
02
1- a +! ----- - a +] --.--
OI A '"'! 02 A '"']
o A o A
R = dV
AK
f) dI
A +] l( oaOl + _oa02 I
OV
AK
A OV
AK
OV
AK
)
Parantezele de la expresiei (7.10) factorii
de amplificare n curent ai tranzistoarelor echivalente.
Analiznd n fig. 7.4b,
ICI =aOII
A
+ I
coi
a
OI
a
02
cresc astfel nct se realizeaza aOI +a
02
1,
atunci IA capata valori foarte mari - efect ca la comuta-
rea tiristorului n starea de directa. in acest caz, ambele
tranzistoare echivalente se gasesc n regiunea de prin
unnare, J
2
este polarizata direct. Este clar ca n mo-
mentul comutarii tiristorului curentul trebuie sa fie limitat de rezis-
de sarcina, altfel tiristorul poate fi distrus.
Stabilitatea starii de blocare este de faptul la
mici avem aOI +a
02
< 1; stabilitatea de este
de intrarea n a tranzistoarelor echivalente.
Pentru a tiristoarelor este necesar ca aOI
a
02
fie variabile, ale valori fi controlate
n mod diferit: cu ajutorul tensiunilor aplicate pe terminale, curen-
prin dispozitiv etc.
cazul cnd a structurii
pnpn poate deveni n general, tensiunea se
distribuie pe cele trei V
4K
= V; +V
2
+V
3
n regimul de
blocare se poate considera toata tensiunea este aplicata la
de colector J
2
, invers, V
AK
V
2
Derivnd
(7.3) tensiune, avnd n vedere (7.4), considernd
da(J, V) da dI da
--'-----'-----'-- =- --+ -
dV dI dV dV'
284
285
Fig. 7.5. Ilustrarea schematica a fluxurilor de purtatori de sarcina prin
tiristorul diodic la polarizare inversa (a), modelul
doua tranzistoare bipolare (b).
PInlPZ nIPZn
Z
' respectiv. Tranzistoarele echivalente se n
regim invers, transferul curentului de emitor este descris cu
ajutorul factorilor de amplificare ali aZi'
Pentru tranzistoarele echivalente din fig. 7.5b, ce trec
prin sunt de expresia:
In = 1
c03
+aJ
J1
, (7.16)
unde 1C03 este curentul invers al J
3
Avnd n vedere
de continuitate a curentului (I
JI
=1 =1. )
J3 mv.'
(7.17)
+
J
J
1. = I
c03
mv. 1
-ali
J
1
.. 2 s
P1
9 e
n1-
Pz e
nz

- e e e

.....
"" ,

e Ei
e
-
c.... h
..
stabilirea valorii curentului prin tiristorul diodic trebuie se
Pentru aceasta este necesar de a admite
golurilor prin colectorului din baza p n baza n
electronilor n presupunere, ce
corespunde directe a colectotului, ne permite
fluxurilor totale de de
de semne diferite n orice a structurii tiristor n
regim stabilit n starea de deblocare
Trecerea dispozitivelor pnpn n starea de este
de polarizarea n direct a tuturor de ten-
siune pe tiristorul diodic n este de suma
tensiunilor pe toate p - n cont de schimbarea
tensiunii pe colectorului), pe de volum
a diferitor regiuni (n principal a bazelor cu nivel de dopare
pe contactele ohmice. Densitatea a curentului anodic la care sunt
operate tiristoarele n este 100 A / cmz, i
corespunde o de tensiune 1.. .2 V .
La polarizarea n invers a structurii pnpn J
1
J
3
se n invers, iar (de colector) J
z
-
n direct (fig. 7.5a). Prin dispozitiv trece un curent invers 1
inv
.
n regiunea, de a p - n a anodului
VI) are loc generarea golurilor a electronilor: sub
cmpului golurile trec n regiunea Pl' iar electronii - n
regiunea nI (fig. 7.5a). O parte din electroni n regiunea
nI' iar parte este n regiunea PZ' La fel se
golurile electronii n regiunea p - n a cato-
dului J
3
: electronii trec n regiunea n
z
' iar golurile - n regiunea
PZ' O parte din goluri ce au nimerit n regiunea bazei pz recom-
parte este n regiunea PI .
nlocuim structura pnpn cu modelul echivalent din
tranzistoare bipolare (fig. 7.5b). La inverse J
z
rolul de emitor pentru ambele tranzistoare, iar J
I
J
3
sunt de colector ale tranzistoarelor echivalente
286 287

J
Pocrl<72
(G2)
o
a
..

Cofod
p/ nI
p; n;
(K)

T
o
POGrfo !
{Gl}
)! __-;,?
----'--_lil_J, p,
6
b Poarta iGl
Fig. 7.6. Structura unui tiristor cu terminalele de contact
a) bazelor nI P2; b) bazei P2'
,
.JO
Fig. 7.7. Caracteristica statica curent-tensiune a tiristorului pentru
ai
comanda la una din regiunile bazelor, cu un contact ohmic ntre
electrod baza (fig. 7.6a), nivelul

prin de
emitor, ce se afla n apropiata vecinatate de baza dat, poate fi marit
dnd la o tensiune pozitiva de catod. Din aceasta cauza
tiristorul triodic poate fi comutat din starea de blocare directa n
starea de la tensiuni anodice V
AK
nu prea mari (fig. 7.7).
IA
7.2. TIR1STOARE TRIODICE
Deci, curentul invers ce trece prin tiristorul diodic este mai
mare dect curentul invers al unei singure p - n . Cu ma-
rirea tensiunii inverse curentul JC03 prin urmare, curentul
invers al tiristorului.
n cazul polarizarii inverse nu sunt pentru
comutarea tiristorului, iar tensiunea inversa poate fi limitata ori de
interveni rea procesului de multiplicare n la de
emitor J
I
, J
3
, ori datorita fenomenului de totala a bazei.
n cazul bazelor foarte nguste mici ale impuri-
este posibil ca, la tensiuni suficient de mari, regiunea saracita
a uneia din de emitor sa se ntinda pe ntreaga largime a
bazei. Astfel, regiunile saracite ale de emitor de co-
lector se unesc; colectorul este scurtcircuitat cu emitorul prin
tranzistor poate trece un curent foarte mare.
ca fenomenele fizice analizate limiteaza nu numai
tensiunea inversa, dar tensiunea de comutare directa a tiris-
torului. Numai la polarizari directe procesul de multiplicare n
are loc la colectorului, care este polarizat in-
vers cnd tiristorul se afla n starea de blocare directa, iar feno-
menul de penetrare totala poate avea loc datorita largirii regiunii
saracite a de colector.
Tiristoarele triodice sunt dispozitive cu patru regiuni alternate,
care formeaza trei cuplate ntre ele prin intermediul
purtatorilor de sarcina minoritari; spre deosebire de tiristorul diodic
(dinistor), are trei tenninale, anod, catod un electrod suplimentar
(de comanda) conectat la una din baze (fig. 7.6). Acest tenninal de
r comanda poarta denumirea de poarta.
Pentru comutarea tiristorului triodic din starea de blocare
directa n starea de la fel este necesar de a acumula
purtatorii de sarcina de neechilibru n regiunile bazelor. n tiristorul
diodic la marirea tensiunii aplicate pna la tensiunea de comutare
directa aceasta acumulare a purtatorilor de sarcina de neechilibru
are loc sau datorita nivelului de prin de
emitor sau n urma proceselor de multiplicare n n
de colector. n tiristorul triodic, care are electrodul de
288
289
i.'''' .,
v
c
-1
-v
b
K
A
a
Fig. 7.8. Structura unui tiristor cu n invers;
a) tiristor diodic; b) tiristor triodic; c) caracteristica voltam-
simbolul dispozitivului.
Tiristorul cu n invers este un dispozitiv cu structura
pnpn cu sau trei terminale, care are un comportament similar
cu cel al unui tiristor la polarizarea sa n direct,
nu capacitatea de .a bloca tensiunea ....
particularitate a tiristoarelor cu n invers este
de n stratul de catod (n
z
) n cel de
anod (Pl)' Structura a unui tiristor diodic cu
n invers este n fig. 7.8a, iar a unui tiristor triodic n
fig. 7.8b. de anod sunt realizate prin introducerea unei
zone de tip n, dopate (n +), ntre contactul de anod stra-
tul p aferent, pe de o parte, baza ni' pe de parte.
g 1

A
care a tiristorului triodic depinde de curentul ce trece prin n
de aceasta, din (7.21) reiese concluzia este de a
efectua contactul de la regiunea bazei mai nguste, deoarece
este cu mult mai de a dirija cu emitorului structurii
tranzistoare cu dect n cazul bazei largi.
7.3. TIRISTORUL CU
K
Rezultatul active a tuturor de emitor este
acela ambii factori de amplificare n curent ai tranzistorilor echi-
a
OI
a
oz
sunt destul de mici. De aceea la directe
ale tiristorului, principalele procese fizice, ce aduc la acumularea n
(7.18)
sau
IA [l-(a
ol
+aoJ]= lea +aoJG' (7.19)
De unde pentru caracteristica a tiristorului triodic
n stare de blocare se
l - lea + aoJG (7.20)
A- 1- (a
ol
+ a
oz
) 1- (a
ol
+ a
02
) .
de comutare a tiristorului triodic din starea de blocare
n starea de poate fi la fel ca n cazul
tiristorului diodic (vezi 7.1). Dupa derivari transformari
al + a
z
+ l Gaa
ol
=1. (7.21)
alA
n de comutare a tiristorului triodic (7.21) factorul
de amplificare n curent al primului tranzistor echivalent
al depinde de tensiunea la de colector, de
curentul anodic cel al Factorul la al doilea tran-
zistor echivalent a
z
depinde numai de tensiunea la colector de
curentul anodic. Din (7.21) se ca tensiunea de deblo-
Comutarea tiristorului triodic, dnd la tensiuni pozitive
sau curent prin acest electrod, poate fi din alt punct de
vedere - ca trecere a tranzistorului echivalent n - p - n n regim de
la mari ai bazei. n acest caz de colector
a tranzistorului echivalent (ea fiind de colector a
tiristorului) se direct, fiind astfel comutarea
tiristorului.
curentului l G' injectat n una din baze, asupra co-
directe a tiristorului este n fig. 7.7. n cazul cnd
JG are valori mici, tensiunea de comutare ia valori foarte
mari, apropiindu-se de valoarea de autodeblocare V
d

n tiristorul triodic poate fi scris analogic cu
(7.3), lund n prin de emitor din dreapta
(fig. 7.6a) trece curentul din suma curentului principal JA
a celui de l G :
290 291
Tirisfor //
conven/iona!
Rei
\
t 24]'
i
<i
:::Jo,: 1600

DL....-.--''------'__......l----J.._--'-_-'--'''---'
25 50 75 100 125 750 175 200
T [Oc] __
80
strapungere n are un coeficient pOZItIV de cu
temperatura, tensiunea V
d
a unui tiristor cu n invers
cu temperatura (vezi fig. 7.8). Se observa ca
tensiunea V
d
a tiristorului cu n invers continua sa
creasca la temperaturi de peste 150' C, n timp ce n cazul unui
tiristor V
d
scade rapid pentru temperaturi > 12YC . n
al treilea rnd, un tiristor cu n invers are un timp redus
de revenire/blocare din starea de n starea de blocare
directa, ntruct capacitatea de blocare n direct este
de regenerativa a celor doua tranzistoare componente ale
structurii. n rezultat, un tiristor cu in invers poate fi
dopat mai puternic cu aur sau platina in vederea timpului
de al purtatorilor de sarcina minoritari in cu un
tiristor fara a se deteriora capacitatea de blocare in
direct a acestui dispozitiv. Tiristoarele cu n invers sunt
utilizate n de nalta in care, prin regimul
de lucru impus, tiristoarele nu trebuie sa blocheze tensiuni aplicate
n invers.
Fig. 7.9. tipica de temperatura a tensiunii maxime de
blocare n direct pentru un tiristor cu inversa
un tiristor
regiunile bazelor a purtatorilor de sarcina de neechilibru la
rea tiristorului din starea de blocare directa n starea de
va fi multiplicarea n la de colector. La calculul
analiza caracteristicilor parametrilor la tiristor
de a fi luata n n special, schimbarea coefiCIentulUI de
multiplicare n M cu tensiunea aplicata la colector.
La polarizarea n direct a tiristorului cu inversa
dispozitivul se comporta ca un tiristor fapt reflectat
de caracteristica 1 - V (vezi fig. 7.8c). Tiristorul blocheaza
tensiunea aplicata n direct trece n starea de att
datorita multiplicarii n ct prin aplicarea unUI semnal
pozitiv pe poarta. La polarizarea n invers J], care n
tiristoarele blocheaza tensiunea aplicata (vezi 7.2),
este scurtcircuitata la terminalul anod, iar J
3
este scurt-
circuitata la terminalul catod. de colector J
2
este polari-
zata direct n prin dispozitiv circula un curent invers
de valori mari. Astfel, la polarizarea n invers, tiristorul se compor-
ta ca o dioda redresoare polarizata n direct, fapt reflectat att de
caracteristica 1 - V (vezi fig. 7.8c), ct de simbolul tiristorului
cu inversa. ntruct dispozitivul trebuie sa blocheze
numai tensiunea anodica aplicata n direct, ntreaga structura se
contureaza sub un singur unghi (pozitiv pentru J
2
care
blocheaza tensiunea), ceea ce este convenabil din punct de vedere
tehnologic permite pastrarea unei arii utile mari. a catodului.. ,
Tiristorul cu n invers are sene de avantaje In
cu tiristoarele In. p:i:nul rn.d,
tiristoare pot la o temperatura mai ndicata a
( 150' C) n cu tiristoarele 1 C).
n tiristorul cu n invers poate
mai mari ale curentului n de
directa dect un tiristor In al dOIlea rnd, dupa cum
s-a mai sus, comportamentul acestor tiristoare n starea
de blocare n direct este independent de factorilor de
amplificare n curent a
OI
aQ2' iar valoarea tensiunii de comutare
directa V
d
este practic egala cu tensiunea de strapungere n
a de colector J
2
ntruct tensiunea de
292
293
7.4. TIRISTOARE SIMETRICE
Atunci cnd tenninalul MI este pOZItIvat n raport cu ter-
minalul M 2' J 4 este polarizata n invers curentul ce
trece prin ea este foarte mic. Tot curentul ce se scurge prin tiristor,
la polaritate a tensiunii exterioare, va trece prin de
a regiunii Pl . J
3
este polarizata n direct prin
ea are loc de electroni din stratul 11
2
n stratul P2' ce
determina intrarea n a structurii PII1IP2112' Sensul de
curgere a curentului prin structura este de la terminalul MIla M 2 .
n momentul n care tensiunea pozitiva aplicata pe MI atinge
valoarea tensiunii de comutare n direct (V
d
) structura P 11 P 11 a
, 1 i 2 2
diacului intra n directa. pozitive a tensiunii pe
terminalul Mi ii corespunde caracteristica J - V din
cadranul 1(vezi fig. 7.11 ).
La aplicarea unei ten-
siuni negative pe terminalul
MI (n raport cu M 2)
unea J
3
va fi polarizata in-
vers avnd o
nalta va fi de rezis-
mica a stratului P2'
Prin urmare, la polaritate
a tensiunii exterioare, opera-
devine structura
11
3
P
I
l1
I
P2 a diacului. Atunci
cnd tensiunea negativa pe
terminalul MI atinge valoa- Fig. 7.11. Caracteristica voltamperica
statica a diacului.
rea V
d
, structura 11
3
P
j
l1
I
P2 a
diacului intra n
directa. dispozitivului n acest caz este descrisa de
caracteristica statica 1 - V din cadranul III. Astfel, se poate
considera ca diacul integreaza n structura doua diode
Shockley, conectate n antiparalel (fig. 7.10b). Pentru
P
l
11
1
P2
11
2' MI este anod, iar M 2 catod; pentru 11
3
P
j
l1
j
P2'
MI este catod, iar M 2 anod. n fiecare structura componenta,
procesele fizice decurg ca in dioda Shockley. La aplicarea unei
tensiuni pozitive pe terminalul MI devine structura
Pll1jP2112 a diacului, n timp ce structura adiacenta 11
3
P
I
l1
I
P2 este
Fig. 7.10. Diacul: a) structura fizica:
b) a doua
diode Shockley.

---
P1
.J,
n,

P
l n
z

a
M
o
b
Tiristoarele simetrice sunt dispozitive semiconductoare multi-
cu Tiristoarele simetrice, care
au doua terminale, poarta denumirea de diae, iar cele cu trei termi-
nale - triae.
Structura fizica a diacului este aratata n fig. 7.1 Oa
cinci regiuni care delimiteaza patru p - 11. Metalizarile
emitorilor 11
2
11
4
se extind peste straturile P2 respectiv Pl'
astfel nct pot servi ca terminale de contact att pentru emitorul de
catod, ct pentru ce1de anod.
294 295
Fig. 7.12. Structura triacului cu terminal de comanda cu
Triacul este format de fapt din integrarea pe a
tiristoare conectate n antiparalel: tiristorul A
(p
j
l1
I
P
Z
l1
Z
) tiristorul B (P
Z
l1[p[11
4
). ambelor
tiristoare este de un singur terminal de (poarta
G). de poarta J 4 este formata din straturile
semiconductoare pz l1
3
de poarta permite
blocata n invers. La aplicarea unei tensiuni negative pe terminalul
MI' structura Pll1lPZl1Z este blocata n invers, devine
structura 11
3
P
l
l1
j
PZ .
Din cele prezentate rezulta ca diacul blocheaza tensiunile
aplicate de ambele conduce n direct n ambele sensuri.
Comutarea diacului din starea de blocare n starea de se
efectueaza prin aplicarea unei tensiuni egale cu VAd'
Triacul este un tiristor cu trei terminale, avnd o
structura interna formata din straturi semiconductoare, care
delimiteaza cinci P - 11 (vezi fig. 7.12). Acesta este unul
din cele mai raspndite tipuri de triac care are terminalul de
comanda cu poate fi comandat pe poarta G cu semnale
de ambele
,
'.'2
n2
J

G

...:..;
P2
!
n
1
p}

r
n,
Tiristar A I Tiristor B
controlul curentului prin dispozitiv n ambele sensuri,
prin aplicarea semnalelor bipolare ntre tenninalul G unul dintre
celelalte doua terminale (M
j
M
z
). Caracteristicile voltamperice
statice ale triacului sunt simetrice n raport cu originea (fig. 7.13).
ntruct structura conduce n ambele sensuri poate fi comandata
pe poarta G cu semnale de ambele consideram patru
succesive:
- Atunci cnd terminalul MI este polarizat pozitiv n raport cu
terminalul M Z' iar pe poarta ( G) se aplica un semnal pozitiv
de M Z' J
I
J
3
sunt polarizate n direct, iar
J
z
' J
4
J
5
sunt polarizate n invers. Curentul de comanda injec-
tat prin metalizarea de poarta n stratul pz determina intrarea n
a P
I
l1
I
P
Z
l1
2
(tiristorul A). Acestui mod de func-
(semnalul + IG) i corespunde caracteristica 1 - V din cadra-
nul 1. n timpul acestui proces, tiristorul B ramne inactiv, ntruct
sale de emitor (J
z
J
5
) sunt polarizate n invers.
- n cazul cnd terminalul MI ramne polarizat pozitiv de
M
z
' nsa pe poarta G se aplica un semnal negativ de A1
z
'
este identica cu cea din cazul precedent, cu deosebirea
J
4
este polarizata n direct. Ca urmare, stratul 11
3
va in-
jecta electroni n stratul PZ' electroni sunt prin
baza 11
1
la J
p
determinnd o de
goluri din stratul Pl n l1
1
, ceea ce factorul de amplificare
n curent al tranzistorului echivalent PIl1IPZ' fiind astfel grabita co-
mutarea directa a tiristorului A. Acestui mod de (cazul
- 1G ) i corespunde de asemenea caracteristica 1 - V din cadranul 1.
n timpul procesului descris mai sus, tiristorul B inactiv.
- Atunci cnd terminalul M[ este polarizat negativ n raport cu
M
z
' J
I
J
3
sunt polarizate n invers, n timp ce jonc-
J 2 J
5
sunt polarizate n direct. n acest caz
devine tiristorul B, n timp ce tiristorul A este inactiv, ntruct am-
bele de emitor (J[ J
3
) ale lui sunt polarizate n invers.
296
297
TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP SI

DISPOZITIVE CUPLATE PRIN SARCINA

Capitalul VIII
n a.nul 195? V.Shockley a descris un dispozitiv nou, numit de
el tranZIstor umpolar cu efect de cmp. Controlul curentului n
dispozitiv se efectueaza prin unui strat de ma-
ter!al numit canal, sub tensiunii aplicate pe
o P - n polarizata invers, constituita din con-
o dopata, ?umita poarta. Aceste dispo-
au pnmIt denumIrea de tranZIstoare cu efect de cmp cu
(TECJ).
? anul M. Attalla D. Kahng au propus un nou tip de
m care canalului la semiconduc-
vanaza sub tensiunii, aplicate la electrodul metalic,
Izolat de semiconductomlui de un strat de oxid.
Aceste tranZIstoare au primit denumirea de tranzistoare cu efect de
cmp (TEC) cu poarta izolata sau metal-oxid (izolator) -
TECMOS. In 1966 C.A.Mead a propus
.de tIpul metal-senuconductor (MS-tranzistor). Principiul de
a MS-tranzistomlui este identic cu TECJ. Deosebirea
n aceea n MS-tranzistor n calitate de se utilizea-
za contactul metal-semiconductor. Spre deosebire de tranzistorul
bipolar, .curentul. prin TEC este datorat deplasarii unui singur tip de
de sarcma, electroni sau goluri (depinde canalul este
de tip n sau respectiv p). Din aceasta TEC se mai
tranzistor unipolar.
. Interesul tranzistoarele cu efect de cmp este detenninat de
competitive de tranzistoarele biPOlare:
de mtrare mare curentul continuu la
malte, mvelul de zgomot mIC, patratica a curentului de
de tensiune, separarea aproape totala a semnalului de de
semnalul de intrare.
o
_ n cazul cnd semnalul aplicat pe poarta este pozitiv de
terminalul M 2 ' de poarta ( J 4 ) este polarizata in invers,
fiind n inactiva. Semnalul pozitiv aplicat pe poarta
injecteaza goluri suplimentare in regiunea P2 prin metalizarea G,
determinnd intrarea n a structurii P2nlPln4 (tiristorul B).
Sensul curentului prin structura este de la terminalul M 2 la MI'
Daca semnalul aplicat pe
poarta ( G ) este negativ in raport
cu terminalul M 2' de
poarta J 4 este polarizata in di-
rect. Ca urmare, comutarea tiris-
torului B este de
de electroni din stratul n
3
in
stratul P2' curentului
n direct se prin
structura P2njP1n4 cu sensul de
la terminalul A1
2
la NI
j
Acestor
doua moduri de a
Fig. 7.13 Caracteristici voltampe- triacului le corespund caracte-
rice statice ale triacului. risticile 1 - V din cadranul III
(fig. 7.13).
Triacul se utilizeaza in circuitele de comanda reglare a
puterii de curent alternativ. Tensiunea alternativa aplicata ntre
terminalele MI M 2 trebuie sa fie mult mai mica dect tensiunea
de autocomutare V
AKO
' astfel nct dispozitivul sa nu comuteze
direct in semnalelor de comanda.
298 299
8.1.1.
respectiv drena (D) (contactul spre care se de
Regiunea plachetei sub p - n este
n regim de polarizare pe se
tensiune + V
DS
' iar pe tensiune - V
GS
(sursa este tenninalul de (fig. 8.lb). n felul acesta, distin-
gem circuite: a) circuitul de - ntre tenninalele D S,
unde putem aplica tensiunea de V
DS
prin care poate circula
curentul de 1D ; b) circuitul de -- ntre G S , unde se
poate aplica tensiunea de V
Gs
'
Principiul de a TECJ este foarte simplu n
aceea cu V
GS

regiunii de a p - n a prin
unnare, canalului se Prin ngustarea canalului
dintre se curentul de
1D' Deoarece p - n este invers, rezis-
ei pentru semnalul de intrare este mare puterea la intrare
este Puterea de tensiunea V
DS

raportul canalului a de poate
cu mult puterea la intrare. n fel, TECJ este un dispozitiv
cu amplificare, de tip
Pentru marirea adncimii canalului
p - n se din opuse (fig. 8.1c).
n acest caz canalului cu tensiunea se
n scopul unor expresii aproximative, manevrabile n
se introduc o serie de ipoteze simplificatoare:
- este de tip p + - n n regim
nonnal de este invers se negli-
curentul invers;
- mobilitatea de n canal este
de intensitatea cmpului electric;
- limita regiunii este n sensul curentul trece
prin a canalului, iar n regiunea este zero;
- neglijnd regiunile neutre ale plachetei situate n apropierea
sursei a drenei, structura TECJ poate fi ntr-o
mai (fig. 8.2). Canalul conductiv este caracterizat prin
Poarta
b
Poom (-:
Totalitatea indicate a tranzistoarelor cu efect de
cmp pennite de a simplifica schemele, a dimensiunile
greutatea dispozitivului. Astfel, de exemplu, tran-
zistoarelor cu efect de cmp n aparatajul de
radiodifuziune se poate totalmente de din scheme tuburile
electronice, de ridicat linearitatea caracteristicilor, de diapa-
zonul dinamic
principale de elaborare a TEC:caciispozitive discrete -
amplificatoare generatoare de pe baza sili-
ciului a arsenurii de galiu; dispozitive de putere cu mare a
caracteristicii un diapazon dinamic larg; dispozitive de
cu zgomot dispozitive pentru scheme de co-
mutare.
Fig. 8.1. Structura fizica a tranzistorului TECJ cu canal Il: a)
constructiva; b) schema electrica; c) transversala cu poarta din
doua p - Il .
8.1. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
CU (TECJ)
Structura a tranzistorului TECJ cu o plan-
este n fig. 8.Ia. Pe o de siliciu de tip n,
la capetele sunt fixate contactele ohmice, prin difuzie este rea-
o regiune p + , pe care se contactul ohmic
regiune fonneaza cu substratul o p - n
poarta (G). Contactele fixate la capetele plachetei se numesc sursa
(S) (contactul de la care se purtatorii de majoritari)
300 301
Fig. 8.3. largimii
poarta-canal dinspre drena
marirea regiunii de gtuire
a canalului cu ten-
siunii la drena, cnd tensiu-
nea este constanta:
l - tensiunea de drena este
egala cu tensiunea de

2 - V
DS
' > VDSsat.,
S D

O +v
DS
n regimul de lucru, pentru V
DS
*- O canalul nu mai este un strat
Prin canal trece un curent de drena 1D n lungul
canalului are loc o de tensiune. n diferite puncte x ale
canalului este diferit: el variaza de la V
x
=O sursa
pna la V
x
=V
DS
lnga Drept urmare, tensiunea de polarizare
inversa a n lungul canalului, fiind
egala cu V
GS
+V
x
n de la sursa spre Se ma-
respectiv, largimea regiunii saracite a n
aceasta ceea ce largimea canalului (fig. 8.3),
fapt ce duce la canalului.
n locul cel mai ngust (n
apropierea drenei) tensiunea jonc-
poarta-canal este cu
suma V
GS
+ V
DS
La tensiuni de
drena mici, ntre curent tensi-
une exista o liniara.
La tensiuni de drena mai mari
deschisa a canalului se
n special n apropi-
erea drenei, fapt ce duce la mic-
canalului;
prin aceasta se
rarea ratei de a curen-
tului 1D' CU V
DS
ten-
siunea sumara aplicata
.devine egala cu V
GO
- tensiunea
de prag, are loc aproape uni-
rea regiunilor n apro-
pierea drenei (fig. 8.3). Spre-deosebire de cazul V
GS
=V
GO
, aceasta
nu aduce la curentului, deoarece "unirea" este rezulta-
tul curentului. n fel, curentului 1D formeaza
ce aduc la lui, deci survine autolimitarea cu-
rentului. Taierea curentului pna la zero nu are loc, deoarece mic-
canalului este determinata de curentului
daca 1D s-ar pna la zero, atunci tensiunea
(8.4)
(8.3)
(8.2)
(8.1)
Utiliznd expresia (3.24)
considernd ca
poarta-canal este de tip
p + - n , iar de do-
pare a donorilor este uniforma,
. d N 1
presupunan q D =qn=-,
PIi.
W =a-d.

W =a - J2eoepJ1nVGs .
Poarta
a
2
V
GO
=----
2e
o
epJ1n
De exemplu, la a = 2 J1 m P = 2 n cm pentru siliciu se
V
GO
=6,4 V. Utiliznd expresia (8.3), nscriem largimea
canalului ntr-o forma mai compacta:
Fig. 8.2. Modelul fizic simplificat al
TECJ.
Conform expresiei (8.2), dnd lui V
GS
valori negative,
mea regiunii saracite treptat. n rezultat, are loc
deschise a canalului. Pentru o anumita valoare V
GS
=V
GO
regiunea saracita ocupa tot canalul. Tensiunea V
GO
este numita
tensiune de prag sau tensiune de Din (8.2) pentru
W =O__este de determinat tensiunea de prag:
!). L '-i (-" ""''---1 (LC<. ci 1.::. (.(& >: ve,.
1.;"" =,' (', ,;,,'-" (..
L_ J ...... , . eJ.. .'. 'el ' )( (fF& 7 --::-(1 [c"-,,-t,,,'lioJ
S . -" . - Ir '- ,
(* ''0 2ti::{fL"e? " - -(1- V'" fI/.(' =?C"
lungimea L, largimea tehnologica a. adncimea ZI' Fie VDS =O,
iar V
GS
ia valori negative Atunci regiunea canalului va
fi un strat tensiunea la p - n va fi V
GS
n
fiecare punct de-a lungul ntregului canal. Respectiv n fiecare

p+ - n va fi d, lar largimea canaluluii

302 303
0uf..t
1.;:",(
!-C"<f

ar deveni zero canalul se va deschide. De aceea cu
tensiunii V
DS
nu are loc taierea curentului, ci ratei
de a lui, se instaleaza progresiv (punctul Pl
pe curba 1, fig. 8.4). Curentul de punctului Pl
se curent de (1Dsat.)' iar tensiunea de
se tensiune de (V
o
sat.); n cazul
particular V
GS
=O, aceste au valori maxime se cu
J DSO V
oso
' se din
V
GS
+ V
os
=V
GO
este
ori cubice (n cazul gradate) (vezi 3.3). Din
aceste considerente pe regiunea de a caracteristicii
1D =f(V
DS
) se o a curentului cu tensiunea.
Daca tensiunea pe ia valori negative de modul
mai mic dect V
GO
' se curbele 2,3,4 din fig. 8.4.
tranzistorului este cu cea mai sus;
n faptul gtuirea canalului are loc la tensiuni V
DS
mai mici.
Unind punctele de trecere la se o semicu-
regiunea la dreapta acestei curbe se de satu-
constituie domeniul de utilizare a TECJ.
(8.5)
8.1.2. EXPRESIA CURENTULUI DE N TECJ
(8.6)
(8.7)
(8.8)
(8.9)
VGS +V(x) J-
1
V
GO
dx dx (
dRc(x) = P = p- 1-
zW(x) za
lntroducnd (8.8) n (8.7),
dV(x) =1DP dx (1 _ V
GS
+ V(x) J-
1
za V
GO
La calculul caracteristicilor statice de intrare a TECJ
este necesar de a lua n canalului
de-a lungul axei x, deoarece se lui W.
W(x) se nlocuind V
GS
cu V
GS
+ V(x) n expresia (8.4).
Deoarece curentul 1D n diferite regiuni ale canalului este ace-:
, pentru de tensiune pe o regiune dx putem
scne:
unde dR
c
(x) este regiunii date a canalului,
de expresia:
-2V
-1V
P3
o 2 q. 6 8 10 12 1Jf VDS' V
2
10
Fig. 8.4. Caracteristici voltamperice sta-
tice de a TECJ.
Deci, se poate conside-
ra la tensiuni V
DS
VOs
a
t.
canalul nu este total nchis,
ci o Joarte
avnd .
electrica foarte mare; cade-
rea de tensiune cmpul
electric sunt suficient de
mari pentru a
valoarea curentului condi-
de

La tensiuni V
SD
> V
D
sat. gtuirea canalului se realizeaza pe un
mai larg (fig. 8.3, curbele 2,3). lungimea regiunii de
gtuire a canalului ar cu tensiunea drenei, atunci
curentul drenei ar constant la tensiuni de mai mari ca
tensiunea de lungimea regiunii de gtuire a canalului
se din cauza cu
tensiunii drenei (fig. 8.3), iar p-n este propor-
din tensiune (n cazul abrupte)
Tensiunea de V
D
sat. se cu ten-
siunii V
Gs
'
304
305
(8.10)
8.1.3. PARAMETRI SCHEME ECHIVALENTE ALE
TRANZISTOARELOR TECJ
practice, pentru calculul evaluarea
lor difentelor scheme, este principalilor para-
metri ce tranzistoarele TECJ.
Se definesc trei parametri principali de semnal mic:
1) Panta sau se defi-
prin
(8.12)
(8.13)
VDS ;,..=const
V
GO
dJ
D
S=--
dV
GS VDS
n fig. 8.4 curba dusa prin punctele Pl - P
4

JDsat =f(V
Dsa1
)' locul geometric al
punctelor ce corespund tensiunilor la care survine
regimul de a TECJ.
curentului de
a drcnel de tenSIUnea la care caracteristica de trans-
fer. poate fi n expresia (8.10) se
introduce tensiunea de a drenei V =V - V .
Dsat. GO GS'
JDsal. =f[lvGO
ea 3
J
DsaL
=f (V
Gs
) cu V
DS
parametru, pentru regiune'!; saturata,
este prezentata n fig. 8.5. Intruct n
aceasta regiune curentul JD este slab
de tensiunea de
caracteristicile de transfer sunt foarte
apropiate ntre ele. Pe caracteristici se
observa regiuni distincte: pentru -V_c.. -J O
tensiuni V
GS
relativ mici caracteristici-
le sunt aproximativ liniare; pentru ten- Fig. 8.5. Caracteristica
siuni V
GS
apropiate de V
GO
caracteris- de transfer a TECJ.
ticile sunt puternic neliniare.
variabilele integrnd cu la
x = O, V(x) = O x = r, V(x) = V
DS
'
T(l-
o V
GO
z a o
Dupa calculul integralei
[


_ (V
GS
+ V
DS
2 - VGS 2 =1 R
V
DS
1/ $l) ea'
3 V 12
GO
unde Rea = este canalului cnd V
GS
= O (rezis-
za
canalului tehnologic). Daca L = 20 a = 2 z = 1mm
p =2 n .cm , atunci Rea 200 n .
Pentru curentul drenei
[
li
__1_ V
GS
- (V
GS
+ V
DS
)
JD- V
DS
+ 11 .
R 3 V 12
ea GO
expresie este numai n. __
unde V +V < V . poate servi pentru calculul caracteristi-
GS DS . GO'
cilor statice ale tranzistorului TECJ. Rata de a curentului
JD n de V
DS
se treptat n punctul unde
V +V =V ratei este de faptul pentru
GS DS GO'
tensiuni de drena apropiate de V
Dsat
.' a canalului
se foarte mult n apropierea drenei; pe
canalului ia valori mari, astfel o
a tensiunii de cade pe
Crescnd n continuare tensiunea de se ajunge la satu-
n expresia (8.10) se introduce valoarea tensiunii de
poarta V
GS
din (8.5) (V
GS
=V
GO
- VDsatJ, se dintre
curentul de JDsat. tensiunea drenei de
1 [ 2 ( ) VGO - VDsat 2 ]
JDsat = Rea VDsat +"3 IfGO - VDsat V
GO
-"3 V
GO
(8.11)
306
307
s
G
s
I D trece prin circuitul
r
s
+ re + r
D
, pe r, r
D
cade o parte din tensiunea V
DS
'
Dupa cum s-a mai sus, cea mai considerabila o
astfel ca la marirea tensiunii p - n sa se largeasca,
n principal, n regiunea canalului. Deci, pentru a valori mari
ale pantei caracteristicii tranzistorului TECJ trebuie utilizat mate-
rial semiconductor cu mobilitate mai mare a purtatorilor de sarcina.
Din acest punct de vedere de perspectiva sunt GaAs
InP de conductibilitate n. In conformitate cu expresia (8.17),
valoarea pantei caracteristicii tranzistorului TECJ este determinata,
ntr-o mare masura, de raportul canalului Z catre lungimea
lui L. Majorarea raportului % panta caracteristicii S
curentul de 1Dsat .
tehnologice a canalului a la fel aduce la
pantei S. cu canalului foarte mult
se tensiunea de prag V
GO
tensiunea de V
Dsat
.'
care determina intrarea tranzistorului TECJ n regimul de
Deoarece regimul de este principalul regim de
a tranzistorului TECJ, tensiunea de prag trebuie sa fie Din
aceste considerente canalului se face nu prea mare, neca-
tnd la o careva a pantei.
din principiul de structura tranzistorului
TECJ, se poate desena schema echivalenta de semnal mic (fig. 8.6).
r
D
prezinta re-
regiunilor situate ntre
poarta ntre poarta
La joase rezisten-
r
D
poate fi n
v
GS
cu de din cir-
cuitul drenei
a canalului re mare. r
s
' co-
pentru circuitul de intrare cel Fig. 8.6. Schema echivalenta
a TECJ.
de n conexiunea
(SC), este de inver-
sa interioa;a n TECJ. ntruct curentul total
Pentru TECJ de putere mica r
d
10
5
il .
Coeficientul de amplificare n tensiune fU se prin
I
=_ dV
Ds
I (8.15)
dVGS l
D
=eanst.
Pentru un tranzistor dat, parametrii S J:
1
nu sunt indepen-
ntre ei
=S r
d
(8.16)
n fel, amplificarea tranzistoarelor TECJ este
de doi parametri; de obicei, se panta
de drena. . . .. ,"
Deoarece regiunea de a ae este
principala regiune de vom determma panta pe aceasta
regiune. (8.12) dupa V
GS
'
1 ((V;;;\j ":=aZ ( IV
GS
1 (8 17)
S=R l-,V)l. . I
ca \ GO GO
Conform acestei expresii, S este la tensiuni V
GS
mici. nsa regim de nu este convenabil din punct de
vedere energetic, deoarece prin tranzistorul TECJ trece un curent
I D mare puterea disipata este mare. Din aceste considerente, de
obicei se alege V
GS
0,75 V
Go
'
Din expresia (8.17) rezulta pentru valorii nalte
a pantei este necesar ca canalului la V
GS
=O sa fie ct
mai mica. sau specifica a materialului fie. mai
mica. n timp, respectIv,
purtatorilor de sarcina n regiunea canalulm trebme fie scazuta,
tensiunii de asupra curentului de
unitatea de masura este mA IV.
2) de drena (canal) est.e de
schimbarea lungimii canalului cu tensmnn aplIcate pe
drena este definita prin
r - dV
DS
(8.14)
d - dI
D VGs=const.
308 309
(8.20)
(8.21)
(8.22)
(8.23)
YllSVDS
)ins
- de transfer direct cu n scurtcircuit
- de cu intrarea n scurtcircuit
- de transfer invers cu intrarea n scurtcircuit
Fig. 8.7. Cuadripolul echivalent de semnal mic cu parametrii y
pentru TECJ.
Pe baza sistemului (8.18) se cuadripo1ul echivalent
de semnal mic cu parametrii Y pentru TECJ (fig. 8.7).
(8.19-8.22) circuitului echivalent din
fig. 8.6. expresiile n de parametrii
naturali de semnal mic de
Ylls =jw(C
GS
+C
GD
);
Y2ls =S - j w CGS ; Y22s - +} W CGD ,
re
parametri sunt de tensiunile constante
aplicate la terminalele TECJ.
de se ca la care modu-
lul factorului de transfer direct n curent scade la unitate. Pentru
are de tensiune pe sursei =1D r
s
(vezi fig. 8.1).
Fie, de exemplu, V
GS
Atunci 1D scade, fapt ce conduce la
tensiunii Deoarece V
p
_
n
=V
us
+VI +V(x) , aceasta
tensiunea la cu o mai
dect tensiunea de intrare V
Gs
' n fel, r, efec-
ntre circuitul de intrare cel de
care valoarea eficace a semnalului de intrare,
prin urmare, amplificarea tranzistorului. Din aceste
considerente, la construirea tranzistorului TECJ se mic-
le r
s
r
D
.
Capacitatea dintre C
GS
r
GS
'
cele dintre C
GD
r
GD
, nlocuiesc n schema echi-
p - n a cu capacitatea sa de
mare se inverse.
Generatorul de curent, conectat n paralel cu dife-
a canalului, de amplificare a TECJ.
Curentul acestui generator este cu tensiunea de intrare
V
GS
; coeficientul de este panta caracteristicii S .
Un alt mod de a caracteriza tranzistorul TECJ n regim dinamic
de semnal mic, ca n cazul tranzistorului bipolar, n a
considera tranzistorul drept un c:uadripol. Pot fi parametrii
de cuadripol: (zij)' (Yij) sau hibrizii (hij)'
parametrii sunt Y
i
, deoarece rezisten-
--- . 'L
de intrare nalte de cu o
este mai de realizat dect cea cu o n gol.
Pentru conexiunea SC, de cuadripol sunt
'1'-. dIG =YllsV
GS
+Y12s
V
DS } (8.18)
dI D=Y2Js
V
GS +Y
22s
V
DS
cu parametri:
- de intrare cu n scurtcircuit
dIG
YIIs = dV' (8.19)
GS dVDS=O
310
. 311
(8.24)
8.104.' TRANZISTOARE CU EFECT DE cMP CU
MOBILITATE
0,2 o,J0,4O,S 0,8 1,0 2 J 1- 5 8/0
Lungimea llm
ZOOr--------:::--:-_---,
JOOK
N
:'0" -3
1J /, em
10

100
80
N 50
'O
O <t
Fig. 8.8. teoretice ale
de
lungimea pentru
TECJ din Si, GaAs In?
Pentru ca poarta tranzistorului controleze efectiv transportul
electronilor n canal, lungimea ei trebuie adncimea
canalului (%>1). De aceea, lungimea canalului L, tre-
buie concomitent de adncimea canalului a, asigurnd n-
deplinirea ( %>1). Din aceste considerente n TECJ din Si
GaAs de obicei folosesc un nivel mai nalt de dopare a canalului,
nu mai mare de 5.10
17
em-
3
(pentru a evita Pentru
nivelul dat de dopare lungimea a canalului L este
de valoarea 0,1 Jl m , ce corespunde IT 1OOGHz.
vitezei de a tranzistorului TECJ conform
(8.25) poate fi att lungimea canalului, ct.
viteza de trecere a de prin canal
Mobilitatea poate fi numai printr-o re-
primare sau a mecanism de .a
de cum este cunoscut, mobI-
de n materiale ca Si, GaAs are maximum. La
temperaturi, mai mari ca temperatura maximului, m?bilitatea.
cu temperaturii pe
acustice ale cristaline, iar la temperaturi mai mici dect cea a
tranzistorul TECJ poate fi din ega-
litatea curentului de intrare cu cel de (neglijnd 1', r
D
):
S
IT =---
2lre
GS
Lund valoarea a pantei S _1_
Rea
unde A
G
=zL aria se poate scrie:
qNDJl n
a2
I T = L
2
(8.25)
lrc
s
Pentru realizarea unor de ct mai mari se
vor utiliza materiale cu nalte ale de
(GaAs, InP), iar constructiv se va lua raportul If ct mai mare
posibil.
elementelor schemei echivalente asupra
parametrilor tranzistorului TECJ. r
GS
este de
intrare, iar e
GS
- capacitatea de intrare. La nalte e
GS
de intrare, iar e
GS
e
GD
, conectate n serie,
generatorul de curent; ca urmare, panta amplificarea
tranzistorului se
la aceea e
GD
> C
GS
' capacitatea e
GD
suficient
parametrii TECJ la nalte, deoarece
ntre intrare e
GD
poate fi folosind n calitate de a TECJ contactul
metal-semiconductor. Bariera Schottky posibilitate de a
nu numai capacitatea e
GD
, dar dimensiunile tranzistorului TECJ.
Respectiv se lungimea canalului L e
GS
' ce o
a IT' n fig. 8.8 sunt depen-
teoretice ale IT de lungimea canalului L pentru
tranzistorii din Si, GaAs InP. Pentru "tranzistorii cu lungimea
Jl m IT corespunde regiunii milimet-
rice a spectrului electromagnetice ( 30 GHz).
312
313
b
-------
a
315
c
,
I
, I ,
In-AIGaAs' I
:. "1'
I 1 , i-AIGaAs
I --.1 ....... --
I I
Metal
(475).10
3
cnl /(V s), aceasta fiind rezultatul
pe ionizate. Structura consta din straturi epitaxiale, de-
puse pe suport semiizolator din GaAs prin metoda epitaxiei mole-
culare. este formata de straturi de GaAs pur,
depus pe suportul semiizolator compusul AltGa1_xAs de tip 11,
dopat cu Si cu 2.10
18
cm-
3
ntre aceste
d?ua straturi este crescut un strat de AIGaAs nedopat
(l-AIGaAs). Poarta este realizata prin depunerea aliajului din titan,
platina aur pe AlxGa1_xAs de tip n.
Exista doua regimuri fundamentale de a unui dis-
pozitiv: prin saracire prin (fig. 8.10). n primul regim
canalul electronic exista n tensiunilor V
G
V
D
(fig. 8.1 Oa),
iar n al doilea - canalul este nchis (fig. 8.lOb). n primul caz
stratul (50 ." 60 nm) AIGaAs de sub poarta este saracit
datorita barierei Schottky trecerii electronilor n stratul
i -AIGaAs. ntre sursa drena se efectueaza prin canalul
cu gaz electronic de mobilitate nalta. La aplicarea unui
negativ la poarta regiunea saracita din stratul n AIGaAs se
nspre regiunea canalului conductibilitatea lui.
Fig. 8.1 O. Diagrama energetica a tranzistorului cu mobilitate inalta a
purtatorilor de sarcina: a) in regim de saracire; b) in regim de
c) la polarizari directe (in regim de mbogatire)
GaAs nedarat
maximului, mobilitatea scade cu temperaturii datorita
pe Jonizate. A _.
Slabirea suficienta a ultImulUI efect de p.oate fi
folosind aratata n fig.
semiconductor n
2
este luat un material apropiat de mtnnsec, Iar m
calitate de n - semiconductor cu banda interzisa larga, dopat cu
Daca lucrul de pentru electroni
conductorul n, este mai mic dect din n
2
, atunci electronll,
1
n urma ionizarii donorilor, trec din semiconductorul n[ n n2 se
acumuleaza ntr-o groapa ngusta ( 10 nm) la
care joaca rolul de canal (fig. 8.9c). Deoarece donoare
ce au generat electronii liberi au ramas n semiconductorul nI'
pe ionizate n lungul
(n afara de

mobilitatea electronilor n canal cu temperatufll poate
sa creasca cu cteva ordine. Electronll dm regIUnea canalulUI for-
meaza gaz electronic bi?imensional. cu
efect de cmp cu canalul format la con-
caruia este determinata de gazul electromc se
numesc tranzistoare cu mobilitate nalta a purtatorilor de sarcma.
Substrat
T G_aA_S_(l_Ol_l)__T
b
a
Fig. 8.9. Diagrama energetica a (a), structura tranzis-
torului cu efect de cmp (b) dIagrama lUI energetIca (e).
Primele tranzistoare de acest fel au fost construite pe baza
GaAs-GaAIAs. Exemplu al unui ?isp,?zitiv
este structura prezentata n fig. 8.9b. MobIlItatea electromlor m
structura la 77 K atinge (2-;.-3)-10
5
cm
2
/(V . s), pe cnd n TECJ
la temperatura ea, de obicei, nu
314
,
I
I
Fig. 8.11. Structura tranzistoarelor TECMOS cu canal de tip p:
a) cu canal indus; b) cu canal
8.2. TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
CU (TECMOS)
8.2.1. TRANZISTOARE TECMOS CU CANAL INDUS.

rinsa ntre S D, se acopera cu un strat foarte .,'
(de ordinul 0,1 Jl m ) de izolator, ca regula - dioxid de sili-
ciu crescut termic. Peste oxid se depune o pelicula metalica (de obicei
Al) ce constituie poarta ( G ). Se observa ca poarta, stratul izolator
substratul semiconductor formeaza o structura MIS (metal-izolator-
semiconductor). Pentru dispozitivele fabricate din Si, izolantul este
constituit dintr-un strat de oxizi (vezi 4.3), astfel o
structura MOS (metal-oxid-semiconductor).
modul de realizare a canalului conductiv ntre sursa
drena se disting doua categorii de tranzistoare TECMOS: cu canal
indus cu canal n tranzistoarele TECMOS cu canal indus
(fig. 8.lla) canalul conductiv pe dintre
prin urmare, un curent al drenei apar numai la o anumita
polaritate valoare a tensiunii pe poarta, tensiune de
prag V
p
'
La tranzistoarele cu canal (fig. 8.11b) canalul conductor
exista n oricarei tensiuni pe poarta, fiind realizat n timpul
procesului tehnologic de fabricare (difuzia, implantarea
Tranzistoarele TECMOS reprezentate n fig. 8.11 sunt fabri-
cate pe baza substraturilor de tip n. Din cauza regiunile
puternic dopate de sub drena, la fel canalul indus, cel
fabricat special au de tip p. Daca se ia substratul de
p , atunci canalul va avea de tip n .
0-,
Daca nu tensiune de poarta V
GS
sau daca ea este
pozitiva (plusul pe G minusul pe S ), ntre sursa drena nu
circula curent, 1D =O, indiferent de polaritatea valoarea
tensiunii de drena V
DS
' Cauza o constituie faptul ca, dupa cum se
observa din fig:_8.12a, circuitul de prin structura TECMOS
include doua p + - n conectate n deci curentul
nu poate trece n nici un sens.
b
Substrat p-canal
a
Substrat
Tranzistorul n acest caz n regim cu canalul normal
deschis. La grosimi mai mici ale stratului n AIGaAs (30 ... 40 nm)
regiunea de sarcina a contactului metal {Ti, Pt, Au) - semi-
conductor (n AlGaAs) patrunde n canal l nchide (fig. 8.1Ob).
n varianta tranzistorul cu efect de cmp este nchis, pentru
deschiderea canalului pe poarta trebuie aplicat un pozitiv.
Tensiunea pozitiva pe poarta conduce la electronilor la
stratului GaAs nedopat, ceea ce provoaca curbarea mar-
ginii benzii de n jos (fig. 8. lOc). Acumularea electro-
nilo- n stratul de la aduce la formarea canalului elec-
tronic. Tensiunea minimala la care se formeaza canalul conductiv
al dispozitivului se tensiune de prag.
Tranzistoarele cu mobilitate a purtatorilor de sunt
utilizate pentru amplificarea semnalelor, n circuite logice, n
circuite integrate.
Structura fizica a tranzistoarelor cu efect de cmp cu poarta
izolata este aratata n fig. 8.11. Ea este formata dintr-un substrat
semiconductor de Si de tip p, n care au fost difuzate doua regiuni
de tip n puternic dopate; contactele ohmice fixate pe aceste regiuni
constituie sursa (S), respectiv drena (D), situate la o de
ordinul 10 Jl m . de semiconductor dintre sursa drena
constituie canalul tranzistorului. semiconductorului, cup-
SiO,
'1
J (
- 316
317
;<
(8.26)
.canalului va fi comandata de V
es
pnn intermediul
cmpului electric dintre poarta substrat.
Aplicnd pe drena o tensiune negativa V
DS
' prin canal circula
curent de drena care da unei caderi de tensiune Vc(x) n
lungul canalului. Tensiunea efectiva ce acum ntre
poarta canal este variabila cu are expresia:
Fig. 8.13. Caracteristici statice
de idealizate, ale
tranzistorului TECMOS
cu canal indus de tip p.
lnga sursa avem V
ec
(O) = V
es
' iar Vec(L) =V
GS
+V
DS

La tensiuni de drena mici se poate admite ca lungimea canalului
golurilor nu variaza n lungul canalului, prin urmare,
este constanta pe tot canalul. ntre curentul de drena 1D
tensiunea de drena V
DS
exista o liniara, cum este
a a caracteristicilor din fig. 8.13; curba 1 corespunde
tensiunii de poarta V
GS
=V
p
' iar curbele 2, 3 4 corespund unor
tensiuni V
GS2
< V
GS3
< V
es4
' V
GS
constant, la o valoare
superioara lui V
p
marind V
DS
' largimea canalului
golurilor se lnga drena, fapt ce cauzeaza
ratei de a curentului 1D Cnd tensiunea de drena ajunge la
valoarea V
D
sat' numita tensiune de drena de curentul
d
b
Aplicnd nsa o tensiune
V
es
(minus
ll
! pe G
j
plusul pe S),
"". orientat n sensul semicond.u.cto.r
a (substrat)-metal (G) respinge
J electronii de la marind
tota-daia golurilor
minoritare. La o anumita va-
loare V
p
a tensiunii V
es
' con-
goluri lor n substratul
semiconductor la cu
izolatorul devrnema( -mare
electronilor,
adica s-a inversat tipul de
conductibilitate. Stratul super-
ficial de la n care, sub
cmpului electric
generat de tensiunea de poarta, a
c fost inversat tipul de conduc-
tibilitate a semiconductorului
se strat de. inversiune ,
sau canal St;atul de
inversiune constituie un canal
conductiv ntre sursa drena
(fig. 8.12b). Aplicnd o tensiune
.._._.-
V
DS
' prin circuitul de drena va
trece un curent 1D' cu sensul
corespunzator tensi-
unii V
DS
'
Daca, dupa formarea cana-
lului,---marim tensiunea V
es
' K'
canalului va
deoarece se intensifica cmpul
electric la un numar
mai mare de goluri se acumu-
leaza n canal. Prin urmare,
YDS<YGS-YGO
YGS<Y
GD
Regiunea
saracita
\ ' -Y \'
'DS- GS- eiO
o li
Fig. 8.12. tranzistorului
TECMOS cu canal indus
de tip p: a) regimul de
echilibru; b) regimul de
formare a stratului de in-
versiune n substratul se-
miconductor la cu
izolatorul; c) tranzistorul
polarizat la limita regiunii
de d) efectul de
scurtare a canalului.
- 318 319
o
Fig. 8.14. Caracteristica statica de
transfer a tranzistorului
TECMOS.
8.2.2. TRANZISTOARE TECMOS CU CANAL
grosimii reduse a oxidului (tipic sub 0,1 J1 m ), stratul
respectiv se strapunge la tensiuni de relativ mici, de ordinul
ctorva zeci de Strapungerea poate avea loc chiar prin simpla
atingere a electrodului poarta, deoarece dielectricul sarci-
nile si le determinnd a tensiunii pna
la de strapungere. Pentru evitarea unele tran-
zistoare sunt prin cu o Zener de pro-
n dispozitiv ntre G S. Ca urma-
re, tensiunea V
es
este la valoarea tensiunii Zener V
z
.
curentului de drena 1D de tensiunea V
es

la cu V
DS
parametru denumirea de caracteristica de
transfer. n regiunea de
care de altfel este cea I
D
mai n
curentul de este slab
de tensiunea de
1D (V
es
)
pentru trei tensiuni constante
V
DS
este n fig. 8.14.
Ea pune n faptul
1D este neglijabil pentru
tensiuni de sub V
p

apoi parabolic cu V
eS
.
Tranzistoarele TECMOS cu canal pot n
regimuri: regim regim Referindu-ne la tranzistorul
TECMOS cu canal de tip p reprezentat n fig. 8.11b, modul de
prin se pentru tensiuni de V
es
pozi-
tive; cmpul electric care ia n structura MOS
golurile din regiunea canalului n substrat, astfel are loc ,
canalului. pe se tensiuni V
es
pega- I
tive, cmpul electric care ia n structura MOS produce o
321
320
atinge o valoare limita 1D sat - curent de drena de - apoi
practic nu mai cu V
DS
(fig. 8.13). O astfel de polarizare a tran-
zistorului corespunde
. se. n momentul cnd cmpul
electrIc cel mal slab, respectIv de cea mai
care-l (V
es
- V
DS
) care apare la dinspre
al canalului, ia valoarea inversiei. Rezulta:
Ves - VDsat =V
p
(8.27)
Cnd tensiunea de ajunge la valoarea V =V _ V
. Dsat. es p'
canalului indus devine zero (fig. 8.12c).
Pentru tensiuni de V
DS
> V
Dsat
, are loc efectul de scurtare
a canalului (fig. 8.l2d), iar curentul de aproximativ
constant egal cu 1Dsat.' Lungimea deschise a canalului
devine Lef =L - o, iar de tensiune pe aceasta este
cu VDsat .; restul tensiunii L1 V =V
DS
- V
Dsat
este pe
a canalului unde se un cmp electric
longltudmal mtens, care golurile din
P0r.tiunea a canalului o regiune
de mobili. majoritari (golurile) din canal vor
fi n regiunea unde sunt de n
fel n care sunt de colectorul tranzistorului
bipolar de la emitor. ,
La de are loc
d.e stratul de inversiune respectiva largi-
ffill canalulUI mdus; pnn urmare, se curentul de
(curbele 2,3,4 din fig. 8.13).
.La tensiuni de mari poate avea loc tranzisto-
rulUI TECMOS, de doua fenomene: strapungerea jonc-
p + - n izolatorului de sub
Deoarece majoritatea tranzistoarelor TECMOS sunt fabricate
din Si, este de
fenomenul de multiplicare n a purtatorilor de
determinnd a lui 1 cu V '
D DS'
/ v
GS4
I
I v
GS3
x
/
/ v
GS1

v
DS -
t
I I
;; .
.. V
GS4
b
OL..----..:...--:-;---_
v
DS
-
c
Fig. 8.16. Tranzistor TECMOS cu canal indus de tip p:
a) tranzistorului MOS luata pentru
b) curentului drenei de
drenel cu tensiunea parametru
descnsa (8.35); c)
curent-tensIUne 1D (VDS) totale.
a
cmpului electric este mult mai mica dect compo
transver l ( . .
nenta
sa a canalului gradat).
Sa pentru nceput, a canalului gc , ".
care prezmta pe unitate de arie (x =l =1) fi 8 16
C d t 'fi - '.
,y, 19. . a.
on uc an a speci lca este manmea mversa a specifice:
l w
-,-(
gc =-p =qJPf-Lpdz=qPsf-Lps ,
(8.28)
c o
w
unde: P J d t
s =oP z es e numa!1:lLde goluri ntr-un patrat din canal de
arie unitara, care poate fi numita densitate de a goluri-
323 / -'-_.
v
I
b
a
/'
Vc;s1:
o
.....
VGs=O I
Regim de
.....
a goluplor n canal, astfel se modul de
prin In fel modulare<.l c;al1alului
conductiv al tranzistorului TECMOS cu canal se efectueaza
variind tensiunea V
GS
' care poate fi att pozitiva, ct negativa.
Aceasta particularitate a tranzistoarelor TECMOS cu canal se
ret1ecta n deplasarea caracteristicilor statice de la schimbarea
tensiunii a ei (fig. 8.15a). Caracteristicile statice de
transfer (fig. 8.15b) pornesc dintr-un punct pe axa absciselor, ce
corespunde tensiunii de prag V
GO
' tensiunii ntre poarta sursa a
TECMOS cu canal care n regim saracit, la care
Sa analizam un tranzistor TECMOS cu canal indus de tip P
(substratul semiconductor este n Si) (fig. 8.16a). Pe poarta este
aplicata o tensiune negativa V
Gs
?: V
p
, care asigura stra-
tului de inversiune (canalul). Prin canal circula curentul 1D care da
caderii de tensiune Vc(x) n lungul canalului.
Pentru deducerea expresiei curentului de drena se fac cteva
ipoteze simplificatoare: a) structura MOS este reala, lundu-se n
sarcinile fixe din izolator; b) se considera constanta
mobilitatea purtatorilor de sarcina; c) se iau n numai
de drift din canal (se neglijeaza de difuzie
procesele de generare-recombinare); d) componenta longitudinala a
curentul din circuitul de 1D atinge o valoare foarte mica.
Fig. 8.15. Caracteristicile statice de (a) caracteristicile statice
de transfer (b) ale tranzistorului TECMOS cu canal
322
8.2.3. EXPRESIA CURENTULUI DE DRENA LA
TRANZISTOARELE TECMOS
(8.33)
Atunci cnd x variaza ntre O L, tensiunea x) vanaza
ntre O V
DS
; cont de (8.29) (8.32), se
(8.34)
(8.35)
(8.36)
1 = JlpsCcsb (V - V )V
D L GS P DS
L VDS
1Df dx =JlpsCGCb f (V
GS
- V
p
- Vc)dV .
o o
Efectund integrarea, rezulta:
C b' 2 l
1 = Jl ps GC I(V _ V ) V _ VDS
D L L GS P DS 2 J'
Aceasta expresie descrie de neliniaritate a
caracteristicii statice, pna n vecinatatea punctului de trecere la
n cazul tensiunilor V
DS
foarte mici termenul
poate fi neglijat atunci curentul de drena are expresia:
variaza liniar cu tensiunea de drena (regiunea ncepatoare a
caracteristicii).
(8.35), dupa cum e evident, prezinta o ce
este legata de caracterizarea adoptata a sarcinii n canal (8.32), nsa
ea este destul de comoda deseori utilizata n practica.
Pentru a analiza caracteristicile tranzistorului TECMOS,
descrise de (8.35), n fig. 8.l6b este construita o familie de
1D(VDS) pentru diferite valori V
GS
> V
p
' Caracteristi-
cile au panta maximala la tensiuni mici de drena, unde
tranzistorului este maximala caracteristica lui poate fi descrisa de
(8.36). Cu tensiunii de drena V
DS
sarcina din canal
respectiv, lui scad, ca prezinta o
familie de parabole cu maximurile n punctele V =V - V
DS GS p'
Pentru V
DS
> V
GS
- V
p
' n fig. 8.l6b sunt prezentate
de curbele punctate, deoarece n aceasta regiune a tensiunilor de
drena ele sunt inaplicabile. Intuitiv este clar ca aceste regiuni ale
nu au sens fizic, deoarece n aceste regiuni carac-
teristicile dispozitivului poseda negativa.
Qps =CGc[V
GS
- Vp - V (x)). (8.32)
, I _ C
Curentul ce treceO'pfin canal de la sursa la drena, care-i unul
n orice de-a lungul canalului, sau curentul. drenei
poate fi determinat dupa formula:
1 - bE - bldVcl
D - gc x - gc ,
dx
unde b este canalului; E
x
- componenta longitudinala a
cmpului electric, care variaza n lungul canalului.
gs =qPsJlps =QpsJlps' (8.29)
runde Qps este mobile (golurilor) n canal.
n afara de goluri n canal exista sarcini fixe -
ionizate din canal, sarcillile fixe din stratul de dioxid de siliciu
situate la siliciu-dioxid de siliciu. Deci, densitatea sarcinii
totale, care se schimba n lungul canalului din cauza po-
canalului n urma trecerii curentului 1D , poate fi deter-
minata n modul urmator:
QIOI. = Qf +Qps = CGc[V
GS
- Ve (x)], (8.30)
unde Q( este densitatea sarcinii fixe, Ve (x) - ce se
schimba n lungul canalului sau de dintre un
oarecare punct din canal cu coordonata x sursa; CGC prezinta
capacitatea specifica ntre poarta canal.
La tensiuni ale mai mici ca tensiunea prag (V
GS
< V
p
)
canalul sub poarta nca nu s-a format, deci sub poarta se afla un
strat saracit de purtatori de sarcina liberi, care numai sarcini
fixe. De aceea .
Q/= CGCVp' (8.31)
Din expresiile (8.30) (8.31) determinam densitatea de
sarcina mobila:
lor n canal, deoarece Ps are dimensiunea cm-2; Jl ps este mobili-
tatea efectiva a goJurilor n canal, care datorita pe
starile de de obicei este de cteva ori mai mica dect
mobilitatea goJurilor n volum; W - largimea canalului.
specifica a canalului poate fi prezentata n alta
forma:
324
325
Deci, pentru V
DS
> V
Dsat
curentul drcnei, pmna
nu depinde de tensiunea drenei. Deoarece in limitele simplificariior
Cauza deduse poate fi analiznd
(8.35) pentru cazul cnd tensiunea canalului atinge apoi
tensiunea V
GS
-- VI' . n acest regim, din expresia (8.35) pentru
regiunea canalului de sarcina din canal Q
ps
devine cu zero apoi semnul. Aceasta nu-i
posibil din punct de vedere fizic, deoarece Qps densitatea
de din stratul de inversiune, care pentru tranzis-
torul cu canal de tip p trebuie fie ntotdeauna iar
pentru cel cu canal IZ -
Prin urmare, maximurile curbelor n fig. 8.16b se afla la ten-
siuni de care se numesc tensiuni de V cores-
usa!.
pund Qps -) O la canalului dinspre drena.
Pentru a determina curent-tensiune n regiunea de satu-
trebuie de luat in cu tensiumi
de se atinge o valoare a lui v
DS
= sat. la care adncimea W
a canalului la x =L se reduce la zero canalul se nchide. Pentru
tensiuni de V
m
> V
DsLI
! curentul de drena ramne constant.
Cu lui V
DS
peste valoaru de lungimea canalului
se iar n regiunea inchisa fi canalului sarcini mobile -
goluri aproape ca nu sunt. Sub unui cmp electric longI-
tudinal intens golurile trec prin pOf\iunea nchisa a canalului spre
cu o aproape de valoarea de De aceea se
poate constata n regiunea canalului lng;i drena Qps ;.:::o O. Atunci,
folosind expresia (8.32),
Q
C IV V V . G
- ps = GC . GS - , p -- / D sat)::::: j
8.2.4. PARAMETRI SCHEME ECHIVALENTE ALE
TRANZISTOARELOR TECMOS
(8.39)
(8.40)
1
dI) 1
5= __1_1
dVGsl
VDS=const.
primite (8.35) (8.38) pentm V
DS
=V
Dsat
sunt juste, gra-
ficul 1Dsal. =f (V
Dsal
) n coordonatele 1D V
DS
pre-
o ce se n sus (este n fig. 8.16c cu linie
punctata). Prin urmare, n fig. 8.l6e sunt reprezentate caracteris-
ticile voltamperice totale 1D (V
DS
) regiunea de
care pentru V
DS
< VDsal se cu ajutorul (8.35), iar
pentru v/Js > vD.>a1 - cu ajutorul (8.38). experimentale
pe TECMOS au confIrmat valabilitatea (8.37) (8.38).
Parametrul principal al tranzistoarelor TECMOS, care descrie
de amplificare, este panta canlcteristicii 5. Panta ca-
racteristicii de transfer la joase, n regiunea de nelinia-
ritate a caracteristicii statice de poate fi deter-
minata derivnd (8.35) tensiunea
constanta tensiunea drenei:
n regiunea de a caracteristicilor, expresia pantei se
prin derivarea (8.38):
If CGc.b
5= rps (V, -V).
L v5 p'
de unde ca pentru a panta caracteristicii, trebuie folo-
site semiconductoarele cu mobilitate a de
Tranzistoarele cu canal de tip 11 au panta caracteristicii mai mare
dect a tranzistoarelor cu canal de tip p, deoarece mobilitatea elec-
tronilor ntotdeauna este mai mare dedt mobilitatea golurilor.
Panta caracteristicij va fi mai mare n TECMOS cu lungimea
canalului mai mica. Limita de jos a lungimii canalului este
11ita de tehnologia de fabricare. De obicei, pentru fabricarea tran-
zistoarelor TECMOS se tehnologia metoda
(8.37)
(8.38)
V
Dsat
=V
GS
- V
Introducnd (8.37) n (8.35), se
uC '
1 .... V' .
1) ",/1 \ r r; ..; ...
.. c. L " ,.

326
327
P <100> L
--.-r-----J
(8.41)
(8.42)
(8.43)
(8.44)
dV
DS

GS
dV
DS
r =--
d dJ
D
tre care afecteaza tran-
zistoarelor TECMOS la nalte. grosimii stra-
tului izolator de sub poate aduce la inadmisibila
a tensiunii de a acestui strat.
curentului de drena n regiunea de se ia n
cu ajutorul de drena r
d
:
r
d
este de lungimii canalului cu
tensiunii de drena: p - 11 a drenei fiind invers
se cu tensiunii V
DS
' se panta
( ) curentul drenei Parametrul r
d
poate fi exprimat prin intermediul parametrilor electrofizici al
structurii MOS: L{2 i
r L. .JVD, ./1
d ,
&0&5 JD
, '
unde: N este n substrat; E,'s - penUltlvl-
tatea relativa a semiconductorului - substrat. Introducnd parametrii
tipici pentru TECMOS din siliciu de putere mica (N = 10
16
cm-
3
,
V
DS
=16 V, JD =1mA, L =10 ), r
d
=200 kD..
Coeficientul de amplificare n tensiune (intern) se
prin
Pentru un tranzistor dat acest coeficient (numit deseori
coeficient de amplificare static) depinde de 'd S,
anume:



b
a
n
11'<100>
fotolitografiei, careia nu permite de a lungimea
canalului mai de 3 - 4 suficienta a lungimii
canalului a devenit posibila n care a primit denumirea
de tranzistor TECMOS cu n forma de V (fig. 8.l7a).
n unghi este prin corodare anizotropica a siliciului de
orientare <100>. Lungimea canalului este data de oblica
prin stratul p, contactul de drena fiind la substrat. pe
se aplica un pozitiv, atunci n regiunea p , la fel ca ntr-
un tranzistor TECMOS cu canal de inversiune, se
formeaza o regiune inversata cu de tip n ce
celelalte doua regiuni de tip n - sursa drena. Pentru
parazitare a structurii n - p - n, ca un tranzistor bipolar,
regiunile 11 p sunt unite de terminalul sursei. Lungimea regiunii
p este de
de difuzie a
acceptoare (tipul p, canalul)
donoare (tipul 11, sursa) poate
fi cu precizia pna la
0,1 Aceasta a dat posibilitate
de a lungimea canalului cu
un ordin. Pentru a aNea toate termi-
nalele tranzistorului, pe struc-
turii se elimina una din difuzii, lun-
gimea canalului fiind determinata
de patrunderea vrfului n
substrat, ca n fig. 8.l7b.
Panta caracteristicii poate fi
majorata marind capacitatea speci-
dintre canal.
capacitate este determinata de per-
mitivitatea relativa grosimea izo-
latorului de sub Folosirea
izolatorilor cu permitivitate mai
aduce la pantei ca-
racteristicii, n timp,
cresc parazitare din-
Fig. 8.17. StructUli de tranzistoare
TECMOS: al cu n
de V difuzie b) cu
n de V toate
terminalele pe structUlii.
328 329
, ,
) i . ! /" 4.
al purtatorilor de sarcina ntre sursa drena. n al doilea rnd,
viteza de a TECMOS este limitata de rencarcarea
caracteristice structurii a dispozitivului.
Daca tranzistorul TECMOS se at1a n regim de atunci
pentru timpul de tranzit prin canal se expresia:
L 1 4 I
2
, I
1;r = f -d'{ = --o-(V
G
, - V ). (8.45)
V """,' p
o x .) .
Pentru tranzistorul MOS cu canal de tip n, cu lungimea ca-
nalului L =3 =660 cml(, . s V
GS
-V
p
=5 V , din (8.45)
se timpul de tranzit 3,6 .10-
11
cel de
un ordin mai mic dect cel mai bun timp de comutare care poate fi
n schemele cu tranzistoare TECMOS. Prin urmare, se poate
face concluzia ca viteza de proprie a tranzistorului
TECMOS este detenninata nu de timpul de tranzit al purtatorilor
prin canal, ci de timpul necesar pentru rencarcarea
proprii ale dispozitivului ale elementelor cu care el este conectat n
Constanta de timp a procesului de a
distribuite poarta-canal, la mici n circuitul portii, limiteaza
maxima de El tranzistorului TECMOS.
Pentru unor de a tranzistoarelor
TECMOS ct mai ridicate, este necesar de a
datorate suprapunerii paniale a pOI1ii peste regiunea de sursa pe
cea de drena, care capacitatea distribuita poarta-canaL O
suficienta (aproximativ de un ordin) a acestor
se utiliznd tehnicile de autoaliniere. Ideea comuna a acestei
tehnologii consta in aceea reglUnile sursei a drenei se rea-
nu inainte, dar realizarea Iar poarta este
ca n procesul realizarii regiunilor sursei a drenei. n
rezultat, marginile ale acestor regiuni vor coincide supra-
punerea nu va avea loc.
O varianta. a tranzistorului TECt\10S cu poarta autoaliniata
este anitara in fig. 8.20. Se pleaca de la un substrat de tip p, n care
.
prin difuzic se realizeaza doua regiUnI n+ (sursa si drena)- distanta
" "-' " y,".Jo
dmlre aceste regiuni se face cu mult mai 1Tl:1re dect lungimea
a canalului. Apoi, in umm proceselor de oxidare, ntre re-
gmnile li panial deasupra lor se formeaza un strat de Si 0:"
p
Fig. 8.19. Structura tran-
zistorului TECMOS
cu doua
Substrat
S
D
C
GD
Fig. 8.18. Schema echivalenta dc semnal mic
a tranzistoarelor TECMOS.
Schema echivalenta a TECMOS (fig. 8.18) ntr-o mare
masura se cu schema echivalenta a TEC] (fig. 8.6). Vom
remarca numai principalele deosebiri.
G
n schema echivalenta
a tranzistorului TECMOS
lipsesc r, lj ,
deoarece toata regiunea
semiconductorului dintre
drena se afla sub
poarta. de intra-
re R
GS
este de
scurgere a izolatorului.
Capacitatea de intrare
C
es
capacitatea de
inversa CGD la fel prezinta componente ale capa-
totale poarta-canal C
Gc
' De obicei, pentru calcule se la
leGS =fCGC dintre poarta drena este mica poate fi
mici dintre sursa drena, trebuie luata
in capacitatea dintre ele, CSD " n care se include
capacitatea Toate elementele echiva-
lente rol ca n tranzistorul TECT. Pentru
inverse intre drena evident, trebuie
capacitatea CGC' adica de terminalul de cel al
drenei. Capacitatea CGC minimala se in tetro-
unde intre poarta GI, la care se da semnalul de intrare,
drena este instalata inca o poarta G2 (fig. 8.19). Poarta G2, la
care se aplica tensiune constanta pozitiva,
joaca rolul de ecran electrostatic intre
intrare
Viteza de a tranzistorului
TECMOS este de doua mecanis-
me interne. n primul rnd, ca in toate
in curent, principala limi-
tare este determinata de timpul de tranzit
330
33
1
(8.46)
(8.47)
S
se poate un interval de timp de ta' n de-
cursul curentul constant, iar sarcina din canal se va
cu . Prin urmare,
proces fotolitografic se deschide o n oxid,cu dimensiunile
structurii ntregi a tranzistorului. In regiunea mij-
locie a ferestrei se oxidarea a siliciului n
de o cu cu lungimea L a viitorului
canal. Peste stratul de oxid se depune un strat de siliciu
policristalin de dar cu lungimea mai mare, ca
iasa n afara ferestrei din oxid (fig. 8.21 a). a
stratului de siliciu policristalin se ia destul de el
rolul tranzistorului. La etapa se difuzia
lor donoare prin masca de din
siliciu policristalin stratul de oxid care fereastra.
n rezultat se regiunile n+ ale sursei drenei, marginile
aproape coincid cu marginile din siliciu policristalin.
Mai departe cristalu1ui se n acest oxid
se ferestre pentru contactele ohmice, ntre care inclusiv
pentru poarta din siliciu policristalin. n se meta-
lizarea. Din fig. 8.21b se vede poarta din siliciu policristalin este
n stratul de SiO
b
iar contactul ohmic al ei este situat n
afara regiunii de a tranzistorului.
tensiunea o V
GS
' atunci curentul
drenei se va cu
M D ta =Lb = LbC
GC

Pentru aprecierea de a tranzistoarelor
TECMOS se de limita, care este
de expresia:
1'=_1_= 1 /
. m 2;rrta 2;rrLbC ) 2;rrC
GC
bL
GC /M
D
cont de expresia pantei n regiunea (8.39), pentru
de

Sia, G

b
Sia,
Poli-Si
a
Difuzia fosforului
Fig. 8.21. Tranzistorul TECMOS cu poarta autoaliniata din siliciu po-
Iicristalin: a) etapa difuziei donoare prin masca
ce strat de siliciu policristalin: b) structura fir.ala
(dupa formarea strarului de oxid a metalizarii).
ronii de fosfor
Fig. 8.20. Tranzistorul TECMOS cu poarta autoaliniata prin
implantare ionica.
Pe oxidului un strat de aluminiu,
care electrodul In continuare, prin masca de
stratul de Al de Si0
2
se implantarea ionii de
fosfor prin stratul de oxid, ajungnd n Si
regiunile n+ la marginea de Al (fig. 8.20), mar-
ginile practic coincid cu marginile sursei drenei. Regiunile
implantate au un nivel de dopare mai mic dect regiunile difuzate,
de aceea sunt notate prin n .
o a tranzistorului TECMOS cu
este n fig. 8.21. n mai nti printr-un
332
333
8.3. DISPOZITIVE CUPLATE PRIN
Dispozitivele cuplate prin (DCS) dispozitive
c
b
_----E.
E
- - -E'
- -

SI substrat p.
r-<D( )
S
. ....--- - - i - s .Qmax
mcma _ -_ -_-=
mobila - - - - <Ds(O)
a
Fig. 8.23. Structura de capacitor MOS
diagrama de de sup-
n regim de golire
<D s (O) , n regim de inversiune
<D.JQmax); b) benzile
energetice n regim de golire
(Q; =O); c) benzile ener-
getice n regim de inversiune pu-
(Q; =Qmax ).
Un dispozitiv cuplat prin sar-
(DCS) dintr-un de
astfel de structuri MOS, plasate
att de aproape una de
nct regiunile de
respective (se
ating). n felul acesta barierele de
ale se
ntr-o de
"fundul" are un relief stabi-
lit ce corespunde ten-
siunii pe (fig. 8.24).
pe toate se
tensiune - TIr , atunci sarcina de-a lungul structurii are
(fig. 8.24a). tensiunea pe poarta este
mai mare dect pe vecine, atunci sub se
o de mai (fig. 8.24 b,c). Fie pe
GI G3 (fig. 8.24b) sunt aplicate tensiunile VI' iar pe poarta
din mijloc G2 - o tensiune mai V
2
Atunci la marginile: /
G2 se cmpuri electrice, care deplasarea
sarcinii pozitive - golurilor - de sub sub poarta
G2 , printr-o careva, este introdus un pachet de de
goluri, atunci el se va n regiune timp ndelungat. ntr-
golurile nu pot regiune cmpurilor de
frnare de la marginile ei, iar, a elec-
tronilor n regiunea de sub golurile nu pot recombina. Acest
caz pentru dispozitivele DCS denumirea de regim de pastrare,
iar tensiunea V
2
- tensiune de pastrare.
mare de (structuri
MOS), aflate foarte aproape
una de alta (2 -;- 5 Jlm), izolate
de substrat (fig. 8.22), sub care
se poate efectua stocarea
transferul unor pachete de sar-
n lungul supra-
sau n volumul semicon-
ductorului.
semiconductoare ce un
Fig. 8.22. Structura dispozitivului DeS.
8.3.1. STRUCTURA
DISPOZITIVELOR DCS
dispozitivelor DCS se pe regimul de
golire al structurii MOS, ilustrat n fig. 8.23a (pentru
substrat de tip p). Imediat aplicarea unui salt pozitiv de
tensiune pe benzile energetice se cum se
n fig. 8.23b). Cu trecerea timpului, structura se termic
tinznd spre starea de echilibru (fig. 8.23c), stare n care stratul de
inversie este format la semiconductorului. n regim de
golire pe durate mult mai scurte dect timpul de relaxare
adncimea gropii de este de ten-
siunea de Atunci cnd sunt n groapa de
minoritari reprezentnd semnalul (fie pe cale fie
reduc adncimea a gropii, n mod
umplerii unui recipient cu un fluid. Modelul este ilustrat n
fig.8.23a.
r. = JlpYDS (8.48)
m 2Jr [2 '
care are ordinul 10
10
GHz. Pentru unor ct mai
ridicate, trebuie utilizate materiale cu mari, preferndu-se
canale de tip. n de lungimi foarte mici.
334
335
unde: Ca este capacitatea a izolatorului (4.5); Z,L - res-
pectiv, lungimea canalului (fig. 8.22).
Formarea stratului de inversiune la semiconductor-
izolator n DCS nu este ntr-adevar, n procesul de a
pachetului de goluri sub poarta termice,
apare un surplus de goluri. n rezultat, sarcina pachetului se
devine cu sarcina de goluri de sub vecine,
unde tot are loc generarea n sarcinile de sub toate
a
b
c
Fig. 8.24. Structura regiunii de sarcina spa-
a cmpului electric n dis-
pozitivele Des: a) toate au
b) regimul de
pastrare; c>. regimuI de nregis-
trare.
Sarcina su-
de sub este
de tensiunea
pe (n cazul dat de
V
1
). De aceea pa-
chetului de goluri este n-
de sar-
cinii ionilor donori n stra-
tul de deci
de adncimii
acestui strat (n fig. 8.24b
relieful stratului de
n lipsa golurilor
este cu linie puncta-
Evident, sarcina maxi-
a pachetului de goluri
este de
la care relieful stratului de
se nivelea-
Atunci cmpurile de
frnare n regiunile dintre
dispar pachetul de
goluri se distribuie de-a
lungul ntregii
Sarcina
a pachetului de goluri este
de expresia:
(8.49)
se egaleaza, de pachet de care la baza
DCS, pierde sensul. Prin urmare, timpul de
este limitat de sus. limitare depinde de aceea, ce schimbare
a sarcinii pachetului de goluri n timpul de este
schimbarea 1%, atunci timpul de
de obicei, nu 10-20 ms .
n fel, dispozitivelor DCS se bazeaza pe regi-
mul ne al structurilor MOS, iar ele sunt dispozitive
de tip dinamic.
acum procesul de transfer al pachetelor de
de la o la alta. Fie pe poarta G3 se o tensiune nega-
V
3
, mai mare, dect tensiunea V
1
pe poarta G2
Atunci la G2 - G3 se un cmpeIectric
care golurile nspre poarta G3. Pachetul de goluri res-
pectiv, care se pastra sub poarta G2, va trece sub poarta G3 va
aici, deoarece la cu poarta G4
un cmp de frnare.
Introducerea pachetului de o poarta sau alta este
denumit regim de nregistrare a infon. ".'!, Iar tensiunea V
3
, care
aceasta nregistrare - tensiune de nregistrare.
n procesul nu tot pachetul de este transfe-
rat sub poarta au loc pierderi de pierderi
sunt determinate de cauze. n primul rnd, procesul de trans-
fer al sarcinii de la o la alta este asimptotic, n
decursul timpului de nregistrare nu sarcina sa
sub poarta n rndul al doilea, o parte din
de ce se sub poarta precedenta, este
de trapele de la nu dovedesc se elibereze n
decursul timpului de nregistrare. Ca pierderile de n timpul
transferului fie minimale, este necesar de timpul de nre-
gistrare. De obicei, acest timp 50 ns mai mult. Pentru
a evita efectele nedorite ale sarcinii mobile cu trapele
de la pachetele de trebuie transferate la o
de n volumul semiconductorului. dispOzitive
sunt cunoscute sub denumirea de DCS cu canal de volum. n fig.
8.25 este ilustrat principiul de a acestor dispozitive.
336
337
T
<D,
I
L
b
a
<D

Fig. 8.26. Structuri DeS: a) cu electrozi
coplanari trei faze de tact;
b) cu electrozi
faze de tact.
n primul caz, electrozii de
pot fi coplanari, cu con-
fie utilizate cel
trei faze (linii) de tact distincte.
n cel de-al doilea caz,
de faze de tact poate fi redus la
Pentru exemplificare,
dintre numeroasele variante
tehnologice propuse, n fig.
8.26a este o struc-
cu electrozi coplanari, iar
n fig. 8.26b - o bifa-
cu niveluri de siliciu
policristalin oxid n trepte.
acestor dispoziti-
ve este prin diagra-
mele de de
cuprinse n figurile respective.
principiul de
a dispozitivului cu
cuplaj prin pe exemplul
unui registru de deplasare cu
trei faze de tact (fig. 8.27a).
Des trei o
de intrare, o
de transfer o de
de intrare este
dintr-o regiune p +, care n
p + - n este de de minoritari, al
poate fi controlat, o de intrare care
transferul sarcinii n prima de de transfer
o serie de electrozi care la
Si-SiO]' electrozi sunt ntre ei peste doi. Tensiunile
de aplicate pe cei trei electrozi au forma de impulsuri de
care se unul pe altul printr-o transfor-
mare (fig. 8.28). Manevrnd ntr-un mod adecvat tensiunea
pe electrozi, groapa de cu ea sarcina se
Structura un strat semi-
conductor ngropat, avnd tip
opus de conductivitate de
. substrat, ca n fig. 8.25a. Atunci
cnd acest strat este complet
golit de majoritari prin
aplicarea unei
adecvate regiunilor de intrare
de
de substrat, n stratul golit se
o de
ca n fig. 8.25c. Sar-
cina poate fi trans-
n lungul dispozitivului
n canalul din jurul minimului
de aflat n volumul
semiconductorului. Pe
faptul sarcina nu mai inter-
cu trapele de la
transferul de
n dispozitivul cu canal de vo-
lum se cu o

sporite a (n volum)
a valorilor mai mari ale
cmpului de margine.
p
p
___--- Ee

E,
n
_---Ee
_E
F

1---
C
atunci cnd o de este mai
dect groapa ea sarcina de semnal. Electrozll
sunt periodic la linii de
a pachetelor de n lungul dispozItIvulm se reahzeaza pnn
manipularea tensiunilor (impulsurilor) de tact. Durata de stocare. a
unui pachet de ntr-o de poate fi prm
modificarea perioadei impulsurilor de tact. .
transferului de ntr-un DeS poate fi aSI-
fie printr-o succesiune de ?e tact, fi_e
prin introducerea unei asimetrii n celuleI de baza.
Fig. 8.25.
pnntr-un diSpOZItiv
DeS cu canal de volum (a);
diagramele energetice sub un
electrod oarecare, la echi-
libru (b) atunci cnd stra-
tul ngropat este complet
golit (c).
a
o SiO,

L p-substrat I
338 339
b
sub prima a
de transfer o
de pentru
goluri, atunci golurile, in-
jectate de vor trece
prin canalul conductiv de
sub poarta de intrare se
vor acumula n groapa
de sub prima
a de transfer
(fig.8.27b).
La nceputul
rului tact de schimbare a
tensiunilor pe
de transfer, tensiunea pe
poarta de intrare se scoate.
De aceea canalul conductiv
sub poarta de intrare
dispare. se
nregistrarea (de Fig. 8.28. Fonna pulsurilor de comanda a
exemplu, logice), Des cu trei faze: a) diagrama
de timp a impulsuri lor trapezoi-
i corespunde o dale; b) diagrama de timp a pul-
sarcina de goluri Q(lJ acu- surilor de doua nivelul';
muIate, n UlUla din n groapa de prima
Subliniem, pentru nregistrarea
lui zero logic, la poarta de intrare nu trebuie aplicata tensiunea
n acest caz nu va avea loc golurilor din regiunea
p+ a sursei n groapa de sub prima (fig. 8.27e) n
de se va afla o de goluri Q
(O)
ori de generarea ori de eliberarea necompleta a gropii
de n procesul tactelor precedente de a
dispozitivului.
schimbarea tensiunilor pe de transfer cea
mai mare tensiune va fi la poarta G2, de aceea pachetul
de goluri se va deplasa n groapa de sub poarta a doua
(fig. 8.27c). La tactele de schimbare a tensiunii pe
de transfer va avea loc deplasarea de mai departe a
pachetului de goluri nspre de (fig. 8.27d, e).
x
b V
p
-----,-- ---'i
1 I I I I '
! I 1
V I x
p - ---- o __ "
cII ++ 1 lMJ I
, 1 I I I 1 I I ,
V __; I I I Ilv,I>lv,I>lvll'----
V
p
----t---t---- x
d '. I ! 1 ,++++1 1 "1"
V J Inregistrare "O" I I 1,1 V 1>1
1
V I i V' 1 +++
, : 1 I I 1 1 i J I I
e V, '
1-
1
__
i
Ali I I I I
V Inregistrare" 1" II I I I I
_ I VI >IV] I>Iv, !
a
SiO,
Fig. 8.27. cuplat prin sarcina: a) vedere n
b, c, d, c.-, J;rofilul
aratand transferul SarClllll mtr-o perioada.
spre structurii. A treia a registrului de
deplasare este cea de care este o J' + 1"
. _... p - n po anzata
mvers, a tenSIUne cnd n ea sarcina ce a fost
groapa de (fig. 8.27d). Apoi cu
uma de revenire dioda se n
pentru a 1 se putea transfera o
.Fie la tactul de pe poarta de intrare se o
tenSIUne V;nt' pentru formarea canalului conductiv sub poarta
d
(I I I ')'
e mtrare \1 V;nt I > I V
p
1 . n acest moment la prima a
de transfer este o tensiune deci
340
341
(8.50)
3
/
4 \.
7
J
\
1/
5
6
Fig. 8.29 coeficientului
de pierderi de
IO-
la
10
3
10
4
10
5
10
6
10
7
10
8
f, Hz
10-
10
pierderi la nalte este legat de transferul incomplet al
sarcinii dintr-o n alta din cauza rapide
a pulsurilor de tact pe Valoarea coeficientului & n regiunea
medii este de sarcinii mobile
cu trapele de la
Prin terminalele de
ale
structurilor DCS nu trece
curentul de
deoarece sunt
izolate de semiconductor
(substrat) de un strat de
dielectric - dioxid de
siliciu. n circuitul
electrozilor de
transfer se cheltuie
o cantitate de energie la
transferul pachetului de de putere este
de tact.
Din punct de vedere constructiv tehnologic structurile DCS
se deosebesc de alte dispozitive prin aceea au regiuni
difuzate contacte metal-semiconductor, deci au elemente
nefiabile. Aceasta aduce la procentul nalt de a dispozitivelor
efective la fabricarea DCS, la un sinecost o fiabilitate

La momentul actual s-au constatat trei principale de
folosire a structurilor DCS: 1) dispozitive de memorie pentru
electronice de calcul (MEC); 2) dispozitive de transformare
a imaginilor n semnal electric; 3) dispozitive de prelucrare a
analogice.
Dispozitive de memorie MEC. principiul de
DCS dispozitive de memorie de tipul liniei de
Dispozitivele de memorie pe baza DCS sunt aduse la
deoarece ele cel mai mult coincid cu natura
DCS - registrul de deplasare cu introducerea scoaterea infor-
n consecutivitate.
n dispozitive de memorie cu DCS nentre-
rupt cu regenerarea. La adresarea dispozitivul de memorie se
DCS sunt dispozitive tipice dinamice deci, au limi-
tele de JOS de sus ale de tact ale pulsurilor de tensiune.
dispozitivelor cu transfer de sunt speci-
ficate de mai parametri, cum ar fi: completitudinea trans-
ferului .de zgomotul, capacitatea de stocare transport,
gama puterea Limitarea n
toate categoriile de este de transferului
de unor factori mai sus, la fiecare
a dispozitivului o parte din de semnal
n celula Pentru aprecierea pierderilor de n DCS
se parametrul de transfer al sarcinii
1] = (QI - Qo) ;+1
(Ql - Qo);
care ce parte din se dintr-o
i n alta i +1. Valoarea de transfer 1] de obicei este
foarte aproape de unitate, de aceea este mai la de a folosi
coeficientul de pierderi transferului) & =1-1]. Acest
parametru este cel mai important factor ce calitatea unui
DCS, el maxim de transferuri ce pot fi
efectuate mamte ca semnalul fie afectat n mod semnificativ.
. Dispozitivele reale performante sunt caracterizate de o inefi-
transfer mai de 10 - 4. coeficientului de
pierden de este n fig. 8.29. coefi-
cientului & n regiunea joase se de
dintre groapa de restul
volumului semiconductorului (substrat). Ridicarea coeficientului de
n groapa de ce se apropie de p - n
a nu sunt de - goluri, atunci nu se va
schImba n circuitul drenei. numai n cazul, cnd groapa
de ce goluri, se apropie de p - n a
drenei, va avea loc extragerea acestor goluri n circuitul drenei va
trece un impuls de curent (fig. 8.27e).
8.3.2. PARAMETRII DISPOZITIVELOR CUPLATE
PRIN
342
343
efectueaza alegerea nscrise cu sau tara regenerare, deci
cu citire nedistructiva sau cu distrugerea nregistrate.
Deseori, n regimul de pastrare, prin dispozitiv
relativ lent la de tact de ordinul zecilor numai
pentru a asigura regenerarea a nu pierde putere mare la transferul
sarcinilor informative. La adresarea catre dispozitivul de memorie
de tact se pna la aproximativ
pentru a asigura selectarea nregistrate.
Dispozitive de transformare a imaginii n semnale electrice.
Principiul de a acestor dispozitive: la iluminarea DCS
lnga semiconductorului se perechi de
de electron-gol, care sunt separate de cmpul electric al
gropii de sub poarta de transfer. de
sarcina n rezultatul cuantelor de lumina umplu
gropile de acestei regiuni a DCS.
aceasta se va efectua deplasarea luminoase
nregistrate prin cale atunci semnalul la DCS va
repeta iluminarii, se va separa o linie de imagine.
Astfel poate fi linie n timpul de
sunt create camere de transmisiune pe baza DCS, atingnd
puterea de standardul pentru televiziunea n
rnd pentru televiziunea n color.
Dispozitive de prelucrare a analogice. Cu ajutorul
DCS pot fi memorizate semnalele analogice, dar n acest caz
devine regenerarea nregistrate. Totodata
simpla memorizare deschide mari de utilizare a DCS,
deoarece aceste aparate permit reglarea transferului de
O de utilizare a DCS pentru prelucrarea
analogice s-au constatat a fi liniile de fixate
pentru receptoarele de televiziune cu imagine color.
_ 344
ANEXE
Anexa 1
Constante fizice
Denumirea
Simbolul Valorile numerice
1
2
3
Viteza luminii n vid
c
2,99792458 .10
8
111 / s
Masa izotopului de carbon 12 C
11
1,6605655 .10-
27
kg ;
luat ca unitate atomica de masa
931,50] MeV/c
2
Numarul Avogadro
N
4 6,022045 10
23
1110r
l
Sarcina electrica elementara
q,e
1,6021892 10-
19
C
9,109534.10-
31
kg;
Masa de repaus a electronului l11
e
5,4858026.10-
4
11 :
0,5110034 ll4eV!c
2
Sarcina specifica a electronului
e
--
-1,7588047.10
11
C! kg
111/1
1,6726485.10-
27
kg ;
I
Masa de repaus a protonului I11
p
1,007276470 11 ;
938,2796 MeV ! c
2
Raportul maselor m ! m
1,837.10
3
P /1
Energia corespunzatoare unui
leV
1,6021892.10-
19
J electron-volt
termic la temperatura

25,8 mV 300K
Produsul kT la temperatura
300K
0,0258 eV
Constanta universala a gazelor
R=NAk 8,31441 J !(K mot) ideale
Constanta
r
6,6720.10-
11
Nm
2
!kg
2
345
T
Anexa 2
1 2 3 4 5 6 7
10 Neon Ne 20,183 Gaz 9,0.10-
4
-248,7 -245,9
11 Sodiu Na ?2,9898 CVC 0,971 97,5
,
880
12 Magneziu Mg 24,312 HC 1,74 651 1107
13 Aluminiu AI 26,9815 CFC 2,70 660 2060
14 Siliciu Si 28,086 CFC 2,42 1415 2355
15 Fosfor P 30,9738 Compusa 1,83 44,1 280
16 Sulf S 32,064 Compusa 2,07 112,8 444,6
17 Clor CI 35,453 Gaz 3,21.10-
3
-101,6 -34,6
18 Argon Ar 39,948 Gaz 1,78.10
3
-1892 -185,7
19 Potasiu K 39,102 CVC 0,87 62,3 760
20 Calciu Ca 40,08 CFC 1,545 845 1240
21 Scandiu Sc 44,956 CFC 3,02 1200 2400
22 Titan Ti 47,90 HC 4,5 1800 3300
23 Vanadiu V 50,942 CVC 5,96 1710 3000
24 Cram Cr 51,996 CVC 7,14 1890 2480
25 Mangan Mn 54,938 CVC 7,2 1260 1900
26 Fier Fe 55,847 CVC 7,87 1535 3000
I
27 Cobalt Co 58,933 CFC 8,9 1495 2900
28 Nichel Ni 58,71 CFC 8,9 1453 2900
29 Cupru Cu 63,54 CFC 8,93 1083 2340
30 Zinc Zn 65,37 HC 7,14 419,5 907
31 Galiu Ga 69,72 Compusa 5,91 29,8 1983
32 Germaniu Ge 72,59 CFC 5,36 958 2700
33 Arsen As 74,922 HS 5,73 615** -
34 Seleniu Se 78,96 HS 4,8 217 688
35 Brom Br 79,909 Lichid 3,12 -7,2 58,8
36 Kripton Kr 83,80 Gaz 3,74.10-
3
-156,6 -152,9
37 Rubidiu Rb 85,47 CVC 1,53 38,5 700
38 Sr 87,62 CFC 2,60 757 1150
39 Ytriu Y 88,905 HC 5,51 1490 2500
40 Zirconiu Zr 91,22 HC 6,44 1857 2900
41 Niobiu Nb 92,906 CVC 8,57 2500 3700
42 Molibden Mo 95,94 CVC 10,2 2620 4800
43 Tc (99) HC - (2700) -
44 Ruteniu Ru 101,07 HC 12,1 2450 4900
45 Rodiu Rh 102,905 CFC 12,5 1966 4500
46 Paladiu Pd 106,4 CFC 12,16 1550 2200
47 Argint Ag 107,87 CFC 10,50 960,5 1950
48 Cadmiu Cd 112,40 HC 8,65 320,9 767
49 Indiu In 114,82 T 7,28 156,4 2000
50 Staniu Sn 118,69 T 7,30 231,9 2270
51 Stibiu Sb 121,75 R 6,69 630,5 1380
52 Telur Te 127,60 HS 6,24 452 1390
U ele ale elementelor chimice
n
Tempc-
Tcmpc-
Nu-
Densitatea,
ratura
ratura
ma-
Denumirea
Masa
Structura
de
de
rul
elementului
Simbolul
atomica
cristalina* %3 topire,
fierbere,
cm
ato-
C
c
mic
8
4
5
6
7
I 2
3
H
1,00797
Gaz 8,988.10-
5
-259, I
-252,7
1 Hidrogen
1,78510-4
-272
-268,9
2 Heliu
He
4,0026
Gaz
6,939
CVC
0,534
186
1336
3 Litiu
Li
1280
2970
4 Beriliu
Be
9,0122
HC
1,845
2550**
10,811
HS
2,34
2300
5 Bor
B
3500
4200
12,0111
CFe
3,51
6 Carbon
C
1,25.10-
3
-209,9
-195,8
N
14,0067
Gaz
7 Azot
-182,9
O
15,9994
Gaz
1,43.10-
3
-218,4
8 Oxigen
1,69.10-
3
-223
-188
9 Fluor
F
18.9984
Gaz
E.R.Cohen and B.N.Taylor II Joumal ofPhysics and Chemlstry, Ref. Data 2, p.663 734, 19
[
2
1
3
1
1
885418782.10 12
Constanta electrica (permitivitatea
,
6
0
e
2
/ N . m
2
; [F / m ]
vidului)
4Jr.10 7 N / A
2
;
I
Constanta magnetica Jio = --2
1,25664.10-
6
H ! 171
(permeabilitatea vidului)
6
0
C
h
6626176.10 34JS;
,
Constanta Planck
ti = %Jr
1,0545886.10-
34
J . S
k=l)INA
1,380662 10 23 J / K ;
Constanta Boltzmann 8,617 . 10-5 eV / K
Raza Bohr pentru atomul de
4Jr &oti
2
052917706 10 10 171
a = o 2
,
hidrogen
mee
2
28179380.10
15
171
e
Raza clasica a electronului
ro = 2
,
4Jr&om
e
c
Temperatura absoluta a punctului
T
o
273,15K
de a apei la presiunea de
I atm
-
73.
346
347
1
83 Bismut Bi 209,98 R 9,78 27 1,3 1440
77 Iridiu Ir 192.2 eFe 22.4 2450 I 5300
65 Terbiu Tb 158,92 HC 8,3 325 2800
64 Gadoliniu Gd 157,25 HC 7,9 (1350) 3000
Anexa 3
Unele date asupra caracteristicilor atomului liber
ale lucrului de din solid
Elementul Subgrupa 1, eV EA,eV
X M,eV
q<1> calc. q<1> exp.
I 2 3 4 5 6 7
Ag
IB 7,576 1,3 4,5 4,3 4,26
AI IIIA 5,986 0,46 3,2 4,2 4,28
As VA 9,81 0,8 5,3 5,2 -
Au IB 9,225 2,308 5,8 5,6 5,1
Ba HA 5,212 O 2,6 2,6 2,7
Be HA 9,322 O 4,7 4,7 4,98
Bi VA 7,289 1,1 I 4,2 4,1 4,22
Ca HA 6,113 O 3,1 3,1 2,87
Cd IlB 8,993 -0,333 4,3 4,1 4,22
Co VIII 7,86 0,7 4,3 4,7 5
Cr VIB 6,766 0,66 3,7 4,3 4,5
Cs IA 3,894 0,47 2,2 2,1 2,14
I
Cu IB 7,726 1,226 4,5 4,3 4,65
! Fe VIII 787 0,25 4,1 4,5 4,5
I
i.
Ga IIIA 5,999 0,3 3,2 4,2 4,2
Ge IVA 7,899 1,2 4,6 4,8 5
I
Hf IVB 7 O 3,5 4,1 3,9
I
H!2: IIB 10,437 -0,63 4,9 4,7 4,49
i
I'
In IIIA 5,786 0,3 3 4 4,12
Ir VIII 9,1 1,6 5,4 5,8 5,27
I K IA 4,341 0,5 2,4 2,3 2,3
I La I1IB 5,571 0,5 3, I 3,3 3,5
I
Li IA 5,392 0,62 3 2,9 2,9
Mg
IlA 7,646 -0,15 3,8 3,8 3,66
Mn VIIB 7,435 O 3,7 4,4 4,1
Mo VIB 7,099 1 4,1 4,7 4,6
t
Na IA 5,139 0,546 2,9 2,g
2,75
Nb VB 6,88 1 4 4,3 4,3
Ni VIII 7,635 1,15 4,4 4,8 5,15
Os VIII 8,7 1,1 4,9 5,3 4,83
I
Pb IVA 7,416 1,1 4,3 4,5 4,25
I Pd VIII 8,34 0,6 4,5 4,9 5,12
Pt VIII 9 2,128 5,6 6 5,65
Rb IA 4,177 0,486 2,4 2,3 2,16
Re VIlB 7,88 0,15 4 4,7 4,96
Rh VIII 7,46 1,2 4,4 4,8 4,98
1140
4500
3800
-61,8
8
1140
670
2400
3300
3020
4340
184,4
-107, I
7
700
940
-71
866
804
850
1845
1150
28,5
-112
1024
113,5
(1600)
(3000)
5,0
6
7,0
6,5
6,8
3,5
11,5
6,16
4,93
19,05
1,873
9,8'10
3
(15,4)
5,9,10-
3
92 Uraniu U 238,03
91 Protactiniu Pa 231, I T
90 Toriu Th 232,038 CFC
87 Franciu Fr (223) Necunosc.
85 Astatin At (211) Necunosc.
88 Radiu Ra 226,05 Necunosc.
82 Plumb Pb 207,19 CFC 11 ,35 327,4 I 1620 I
89 Actiniu Ac 227,05 Necunosc.
86 Radon Rn 222 Gaz
69 Tuliu Tm 168,93 HC 9,3 (1530) (2400)
73 Tantal Ta 180,948 CVC j 6,6 2996 4100
74 Wolfram W 183,85 CVC 19,3 3400 i 5900
72 Hafniu Hf 178,49 HC 11,3 2130 i 3200
68 Erbiu Er 167,26 HC 9, I (1530 (2600)
59 Praseodim Pr 140,97 CFC
79 Aur Au 196,967 CFC 19,32 1063 I 2600
75 Reniu Re 186,2 HC 20.5 3180 i 5050
84 Poloniu Po (210) M - 260
67 Holmiu Ho 164,93 HC 8,8 (1500 (2700)
66 Disprosiu Dy 162,5 HC 8,6 ( 1500 2600)
78 Pt 195,09 CFC 21,37 1770: 4300
61 Prometiu Pm (147) Necunosc.
62 Samariu Sm 150,35 R 7,5 1052 (1900
76 Osmiu Os 190,2 HC' 22,5 2700 i 5400
63 Europiu Eu 151,96 CVC 5,2 1150 ( 1700)
71 Lutetiu Lu 174,97 HC 9,9 (1700) (3500)
70 Yterbiu Yb 173,04 CFC 7,0 824 1800
I 2 3 4 )
55 Cesiu Cs 132,905 CVC
56 Bariu Ba 137,34 CVC
57 Lantan La 138,91 HC
58 Ceriu Ce 140,12 CFC
60 Neodim Nd 144,24 HC
54 Xenon Xe 131,3 Gaz
53 Iod J 126,90
* Insemnari: CVC - cubica cu volum centrat; CFC - cubica cu centrata;
HC - hexagonala compacta; HS -. hexagonala simpla; - tetragonala;
R - romboednca; M - monochmca. .
** La temperatura data se produce sublimarea
c:::;hi:..::d-+--=1:.::.3.2.:,5:.::.5__ i - 38::..:,..::...9--1--=3:..:5:.::.6.::.:,9--1
81 Taliu TI 204,37 HC 11,85 1457 I
- 348
349
I 2 i 3 4 5 6 7
Ru VIII 7,37 1,1 4,3 4,7
I
4,71
Sb VA 8,641
I
1,05 4,9 4,8 4,55
Sc IIIB 6,54

3,3 3,5 3,5

Se VIA 9,752 2,02 5,9 5,6 5,9
Si IVA 8,151 1,385 4,8 5 4,85
Sn
!
IVA 7,344 1,25 4,3 4,5 4,42
Sr HA 5,695

2,9 2,9 2,59

-
Ta VB
I
7,89 0,6 4,3 4,6 4,25
Tc VHB I 7,28 0,7 4 4,7 -
Te VIA 9,009 1,97 5,5 5,2 4,95
Ti IVB 6,82 0,2 3,5 4,1 4,33
TI IIIA 6,108 0,3 3,2 4,2 3,84
V VB 6,74 0,5 3,6 3,9 4,3
W VIB 7,98 0,6 4,3 4,9 4,55
Y IIIB 6,38

3,2 4,4 3, I
,
Zn IIB 9,394 -0,49 4,5 4,3 4,33
Zr IVB 6,84 0,5 3,7 4,3 4,05
1 - energia de ionizare;
EA - afinitatea pentru electroni;
XM - electronegativitatea;
qlDcalc. - valorile calculate ale lucrului de
qlDexp. - valorile experimentale ale lucrului de
(Voi cu Dolocan. Fizica cu semiconductoare. - Editura Academiei
Romne, 1982. - 319 p.)
Anexa 4
Parametri pentru germaniu, siliciu arsenurd de galiu
Parametrul Ge Si
G::j
I 2 3
Masa atomica (moleculara), u.a.m.* 72,6 28,1 144,6
Numarul atomic 32 14
Densitatea, g / cm
3
5,32 2,33 5,32
Permitivitatea dielectrica relativa 16 12 13
Densitatea atomica (moleculara), cm-
3
4,4.10
22
5,0]022 2,21.10
22
Largimea benzii interzise E
g
, eV la
0,785 1,21 1,42
temperatura zero absolut
Largimea benzii interzise Eg' eV la
0,72 1,1
T = 300 K
- 350
I
I
I
1
I
2
I
3 4
I
ni' cm-
3
la T = 300 K 2,5.10
13
1,5.10
10
2.10
6
Tipul benzii interzise Indirecta Indirecta Directa
specifica, n cm la
T=300 K
45 2,3.10
5
4]08
Temperatura de topire, oC
937 1420 1238
Mobilitatea electronilor
f-l
n
, cm
2
.V-
I
'S-1 la T =300 K
3800 1300 8500
Mobilitatea golurilor f-l
p
' cm
2
V-
1
'8-
1
1800 500 450
la T =300 K
Coeficientul de difuzie al electronilor
D
n
, cm
2
/ s
99 34
Coeficientul de difuzie al goluri lor
Dp '
cm
2
/ s
47 13
Densitatea efectiva de stari, cm-
3
1,04'10
19
n banda de
2,8'10
19
4,7.10
17
n banda de
6,1]018 1,02.10
19
7,0.10
18
Masa efectiva:
a electronilor 0,22m 0,33 m 0,072 m
a golurilor 0,31 m 0,56m 0,50m
Coeficientul de termoconductibilitate
W/(cm 0c)
0,6 1,5 0,81
Constanta cristaline, nm 0,566 0,543 0,565
Limita admisibila a

cmpului electric, V / f-lm
* u.a.m. - unitatea de
(Luis Rosado. Electronica Fizica y Microelectronica. - Madrid: Paraninfo, 1987).
351
A
n
e
x
a
5
P
a
r
a
m
e
t
r
i
i
f
i
z
i
c
i
a
i
s
e
m
i
c
o
n
d
u
c
t
o
r
i
l
o
r

-
L
a
r
g
i
m
e
a
b
e
n
z
i
i
T
i
p
u
l
M
a
s
a
e
f
c
c
t
i
v
a
r
o
M
o
b
i
l
i
t
a
t
e
a
i
n
t
e
r
z
i
s
e
E
g
,
e
V
m
i
n
i
m
u
l
u
i

"
:
-
1
l
'
"
P
a
r
a
m
e
t
r
i
i
a
b
s
o
l
u
t
a
l
-
.
,
r
o
S
e
m
i
-

'1
)

'r
o

r
-
-
,
-
-
,
R
'
l
J
m
:
I
m
o
m
;
,
l
m
o
.
;
:
:
.
g
<
J
l
<
J
l
b
e
n
z
i
i
d
e

0
"
-
c
r
i
s
t
a
l
i
n
e
>
>
c
o
n
d
u
c
t
o
r
u
l

.
'

'
-
-
'
'
-
-
'

l
q
'
l
J
l
-
l
o
n
g
.
g
-
g
r
e
u

a
,
h
,
c
,
n
m
i
i

:
'
:
:
i
a

:
:
:
:
'
1
)
.
.
.
.
-
D
-
d
i
r
e
c
t
.
-
.
.
.
.
'
1
)
'
1
)
O
K
3
0
0
K

t
-
t
r
a
n
s
v
.

P
-
.
u
.
u
1
-
i
n
d
i
r
e
c
t
:
l
:
:
t
I
1
I
2
L
.
3
=
r
4
[
-
s
=
t
t
i

9
-
=
r
J
:
O
_
-
[
-

S
i
1
,
1
6
6
1
,
1
2
I
1
0
0
-
2
,
3
-
I
,
S
m
,
0
,
9
2
m
;
)
g
O
,
5
6
3
,
4
4
1
1
,
7
O
,
S
4
3
1
3
5
0
4
8
0
m
,
O
,
1
9
m
;
u

,
1
6
I
V
-
<
m
,
I
,
5
9
m
;
,
g
0
,
3
3
C
e
0
,
7
4
0
,
6
7
I
I
I
I
-
3
,
7
S
,
O
4
,
0
0
1
6
,
3
O
,
S
6
6
3
9
0
0
1
9
0
0
m
,
O
,
0
8
2
m
;
m
O
,
5
6
a
-
S
n
-
0
,
2
D
0
0
0
5
,
0
0
,
0
2
0
,
6
4
8
9
2
0
0
0
1
0
0
0
'
1
b
;
{
;

1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-

......

-
-
-

-
-
-
-
-
-
-
.
_
-
_
.
.
-
-
-
-
-
-
_
.
-
-
-
-
-
-
3
,
0
(
6
H
)
2
,
8
-
3
,
2
[
-
3
,
3
2
,
6
9
1
1
c
a
O
,
3
0
8
1
7
c
l
,
5
1
1
2
3
4
0
0
2
,
6
8
2
,
2
[
2
,
6
5
1
.
c
1
0
,
2
0
,
4
3
5
9
1
:
:
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
_
.
1
-
-
-
-
_
_
0
'.
'_
_
_
.._
-
-
-
-
e
-
-

.
-
-
-
-
-
-
_
.
,
-
-
-
-
-
-
-
-
,
'
-
-
-
,
.
-
,
-
'.
,
.._
-
-
_
.
.
-
-
-
-
-
1
,
9
5
1
,
7
4
D
0
0
0
1
-
1
4
-
2
0
0
,
1
2
5
,
5
6
1
1
c
8
,
5
I
3
,
7
2
1
c
0
,
3
3
4
0
,
3
2
D
0
0
0
1
-
0
,
3
-
1
9
0
,
0
3
8
l
.
0
,
2
6
1
1
3
,
0
7
1
1
c
5
,
0
I
I
c
O
,
l
O
l
2
,
6
8
1
.
c
2
,
2
1
.
c
1
1
0
0
wV
l
N
W\
J
l
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
1
1
1
2
1
3
B
P
2
[
2
,
6
6
,
9
0
,
4
5
3
8
A
I
P
2
,
5
2
,
4
3
[
1
0
0
-
3
,
5
0
,
1
3
3
,
0
9
,
8
0
,
5
4
6
2
8
0
A
I
A
s
2
,
2
4
2
,
1
6
0
,
5
m
,
I
,
0
6
1
2
0
,
5
6
6
1
0
0
0

m
,
O
,
4
9
A
I
S
b
1
,
6
1
,
6
-
4
-
1
,
6
0
,
I
I
0
,
3
9
3
,
4
I
l
0
,
6
1
3
5
5
0
4
0
0
G
a
N
3
,
6
3
,
5
D
0
0
0
0
-
3
,
9
3
,
7
0
,
2
2
,
4
a
O
,
3
1
8
1
5
0
c
O
,
5
1
6
I
I
I
-
V
G
a
P
2
,
4
2
,
2
5
[
0
0
0
-
5
,
4
-
1
,
7
0
,
1
3
0
,
8
3
,
3
7
1
0
0
,
5
4
5
0
1
2
0
1
2
0
G
a
A
s
1
,
5
2
0
1
,
4
3
D
0
0
0
-
5
,
0
I
I
0
,
0
7
m
;
g
O
,
4
5
3
,
4
1
2
0
,
5
6
5
3
8
6
0
0
4
0
0
m
;
u
0
,
1
2
G
a
S
b
0
,
8
1
0
,
6
9
D
0
0
0
-
4
,
1
1
2
0
,
0
4
5
0
,
3
9
3
,
9
1
5
0
,
6
0
9
5
4
0
0
0
6
5
0
[
n
P
1
,
4
2
1
,
2
8
D
0
0
0
-
4
,
6
4
,
6
0
,
0
7
0
,
4
0
3
,
3
7
1
2
,
1
0
,
5
8
6
8
7
4
0
0
0
6
5
0
[
n
A
s
0
,
4
3
0
,
3
6
D
0
0
0
-
3
,
3
5
0
,
0
2
8
0
,
3
3
3
,
4
2
1
2
,
5
0
,
6
0
5
8
3
0
0
0
0
2
4
0
[
n
S
b
0
,
2
3
5
0
,
1
8
D
0
0
0
-
2
,
9
1
5
0
,
0
1
3
3
m
;
g
O
,
6
3
,
7
5
1
8
0
,
6
4
7
8
7
7
6
0
0
0
5
0
0
0
m
;
u
O
,
0
1
2
(
7
8
K
)
-
-
Z
n
O
3
,
4
3
3
,
3
D
0
0
0
0
-
9
,
5
0
,
6
0
,
3
2
0
,
2
7
2
,
2
8
,
5
a
O
,
3
2
4
9
6
1
8
0
c
O
,
5
2
0
6
5
I
I
-
V
I
-
<
a
3
,
9
1
3
,
7
8
D
0
0
0
0
-
3
,
8
9
0
,
2
5
0
,
7
5
2
,
4
8
,
3
a
O
,
5
4
0
9
2
0
0
Z
n
S
a
O
,
3
8
2
6
f
J
3
,
8
4
3
,
7
1
D
0
0
0
-
5
,
3
5
,
7
0
,
3
9
2
,
4
8
,
3
c
O
,
6
2
6
1
-
.
Anexa 6
Cu Fe Cr Li
Ni S Mit ,019 Pt Hg
Li Sb P As S cu ,019 AII
Li Sb P AS Jli
0.26 fU"

i>os@rtl.!q-
W
f!,
AI &ll In TI Ca Zn Cu Au Fe Il
Te
Si GB
S" o se
I1,(j()J

O,/JOS
Nivele de

C Cd Li Zn"," Co IIi Si Ge
GaA
o.J7 4.13 G\J$
A - -
Si
, 1,19 an fJ,Ji au 'li!?
- 7r p -
CTEVA GRAFICE UTILE
n sunt prezentate grafice ce mate-
rialul diferitor capitole ale Graficele pot fi folosite att n
timpul citirii textului, ct independent de el.
Fig. A-l. Nivelurile energetice a ctorva donoare acceptoare n banda
a semiconductoarelor Ge, Si GaAs . Nivelurile aflate mai sus de
centrul benzii energetice interzise sunt donoare, cu celor nsemnate
cu simbolul A (acceptor); lor ( eV ) se de marginea
inferioara a benzii de Mai jos de centrul benzii interzise se
nivelurile acceptoare, se de marginea supe-
rioara a benzii de constituie nivelurile donoare, nsemnate
cu simbolul D (E.M.Conwell II Proc. IRE, 46, 6 (1958); S.M.Sze. Physics
ofSemiconductor Devices . 2
00
ed., Wiley, 1981).
OQ'I
o o o
<n
00 O
""
<n I
""
00
t-
N

\O O',
'-'
O
O
O
O O
O O O
O
O
N N
I N
O
O O O
V)
O \O
""
<n
<n
N V)
<n
""
<n \O
<n

N
\O ""
O'- O
<n
I
\O '1" O 00 t- .... t-
N
N \O N
O', ....
t- 00
""
\O O
.... t- NO
'1" O
'1"
O', ....
'1"
""
\O
'1". t-.
\O
\O
V) \O \O \O <n \O \O
O
O O O O O O

00
O
O
oj U
\O \O O',
O O N ....
t-
O
<n O
t- <n I
O
0',.
O',
O
N N
-
N '1"
00
00
-
....
O', \O <n
t-. t-.
I O', 00
on.
t-
"" "" ""
N
""

V) <n 00 '1"
-
N
'-> O t- \O
"" ""
N
'-> =-1 <n
"" -
O. O O
ci
O \O -1
""

ci O ci ci
I 00
t- - on. '1".
O I
O
ci<n
N O
=::

=::-
=::
on
00 t-
O',
'1"
'1"
<n O', O
O. O
""
N.
N
t- <n O
""

'1" N
2
ci
O O
I
.... N ....
O O O
ci
O
ci
t-
O O O

O
O O
f

f

=::
"".
on. t-
O?
O',
I \O \O \O
I I
""

N \O
....
\O.
'1" '1" '1"
I <n

<n <n
.,f
"'f
<n
+ + +
I I
+
I I
O O
O O O
....
-
.... ....
O O
O O
O O O .... .... .... ....
O O
O O
O O O
.... .... .... ....
'1"
O O
O O
Q Q Q Q Q Q Q Q Q
Q Q
O
<n on ....
t- .... 00 t- 00
""
'1"
V) .... ....
'1" N
""
-
""
\O N
on.
on.
N

O
O O O N N N ....
I I
'1" 00
O',
on
O',
""
.... O', 00 <n O
N
C"'i N
\O
....
O
00.
""
on.
cf
O
....
O
N
S'
N N N .... ....
O
c'5

ca
'll

V:l
c'5
ca

-l:l

l::

u
0
(3 ::t
::t
o..
V:l;
.....
....

>

I
-
-
354 355
';00 400 300
N
a
;:10'1{. C,.,- 3
10'6 10
'5
10'7
200
Temperatura T, K
100
GaAs
o
>-
Il)

46
UJ'"
lH
'
....
0,2 Q.)
....
Si. .;:;
:2
a
<l)

-0,2
t:
00
Il)
-O,"
'"
'"
fr -0,6
o
Temperatma T, K
U;l- O,il

'Ef 0,2

....

-0.2
>
'2
o:l

fr
Ci -0,8
a 100 200 JOO 500
Fig. A-S. nivelului Fermi de
temperatura pentru semiconductoarele Si CaAs (A.S.Grove. Ph:vsics
and Technology o/Semiconductor Devices. Wiley, 1967).
Temperanrra T, K
10
'
9,
1000 500 JOO 200
10'7
"'
8
u
.,;:0
la" '00
u
O)
<Il
.S
.'::
10'3
.5
00

1 10"
OJ
u
s:i
o
u
10'
10
7
o 2 3 S-
1000/T, X-'
Fig. A-3.
purtatorilor de sarcina intrinseci
de inversul temperaturii pentru
semiconductoarele Ce, Si CaAs
(R. A. Smith. Semiconductors.
2nd. ed., Cambridge University
Press, 1978).
200 "00 600
Temperanrra T.K
o TOO 2QO j(}Q 'HJ(J 500 60Q
Temperanrra T, K
1,6
2.10
16
Fig. A-4.
electronilor de temperatura pentru
siliciu (Si) dopat cu arseniu
( As ) (impuritate donoare) cu con-
1,15 10
16
cm-3 pentru
germaniu Ce dopat cu arseniu
(As) cu 7,51 d
5
cm-
3

Regiunile ale curbe-

lor din stnga corespund dome-
niului de ionizare; regiunile ori-
zontale - domeniului electrocon-
impuritare; regiunile
ale curbelor din dreapta - domeniului intrin-
sece. Curbele ntrerupte descriu intrinseci ale Ce
Si de temperatura (P. P. Debye, E. M. Conwell II Phys. Rev., 93, 693 (1954)).
Fig. A-2. largimii benzii
interzise de temperatura abso-
luta pentru semiconductoarele
Si CaAs (e. D. Thurmond
II 1. Electrochem. 1. Soc., 122,
1133 (1975)).
>-
O)
ut
'l)
<Il
'S
B
.S
'N
s:i
1,1
O)
..o
ro
. 1,0
bJJ
....
'ro
0.9
..-l
O
356
357
<r.
10 ,--..-----,,---:::::;;:....-......,
C
- 6

C/> 10
7
;s.
..';iIIIF=F=R'
u
.;

:;:: la'

Q
N Z1+:;fIC---+---+---!----I

;; lUS 2
lOz 10
3
10'1 :> o 1 2 3 "
Intensitatea cmpului E, V/cm Intensitatea cmpului E, 10' V/cm
a) b)
Fig. A-8. Viteza de drift a de ca de intensitate a
cmpului electric la temperatura camerei: a) curbele n logarit-
pentru Si GaAs; se asupra sem-
nului negativ al n GaAs de tip n ; b) curbele
n liniara pentru Si; liniile drepte ntrerupte - valorile de limita ale
vitezei ce permit exercitarea liniare pentru mici ale
cmpului (D.M.Caughey II RE.Thomas, Proc. IEEE, 55, 2192 (1967.
200 150 o 50 100
Temperatura, C
b)
..""",
"'"
)'Q;r
1--1- lij;'-
-o:::::: .....
z
10'8
-
F=::
.... "
2
10
-.5/} 200 1S0 100 SO
a)
Temperatura, C
o
.........
........
1"'-
........

1Q1t.
"'-,
-
,
1016

10" -r-
Fig. A-6. de majoritari de tempera-
pentru diferite ale lor: a) mobilitatea elec-
tronilor n siliciu de tip n; b) mobilitatea golurilor n siliciu de tip p
(A.B.Phillips. Transistor Engineering and !ntroduction ta Semi con-
ductor Circuits. Mc Graw, 1962).
Fig. A-9. Curba
specifice de temperatura a semiconducto-
rului: 1- domeniul
intrinsece, caracterizate de generarea
a de
2 - domeniul impu-
ritare datorita fononilor pe
nodurile cnstaline; 3 - domemul
extrinseci datorita
atomilor de dopare.
Pn
nn -----
Il1'
10"
10
16
10'
10
'2
10
1tl
la'
10
6
Pn'
10"
10
Z
10
0
Temperatura llT, K
1
Fig. A-IO. Nomograma pentru
determinarea
de n
siliciu de tip n, dopat cu
cu
10
15
cm-
3
: a) la echilibru
termodinamic; b) pentru un
nivel de mic;
c) pentru un nivel de injec-
nalt.
Fig. A-7. mo-

lor de difuzie de con-

pentru semiconduc-
toarele Si GaAs la
temperatura camerei
(W.F. Beadle et al.
Quick Rejerence Ma-
nualfor Semiconduc-
tor Engineers. Wiley,
1985).
a b c
358
359
Fig. A-14. tensiunii
prin
de impu-
N
a
sau N
d
pen-
1 tru o la
10
'
+ 10
16
10'" 10'6 temperatura camerei, exe-
N, sau N" em' din semiconduc-
. . toarele Ge, Si GaAs.
.Indlcate_ regiunii neutre a rriai dopate. Cu
ltme mtrerupta se mdlca ltmlta care se efectul tunel.
>
Fig. A-lI.
a siliciului de tip p n
n de
lor acceptoare
donoare, respectiv,
temperatura .camerel
(S.M.Sze, J.C.lrvm II So-
lid-State Electronics, 11,
599 (1968)).

Tipn

Tipp
-,

,
10
E
u
d 10
ci.
.'"
u
<;::
'g
ft 10
S-
e
10
N
<J
10"1
10'" 10'6 10
11
10'11 fOZI)
N, sau N" cm-'
Tensiunea de strapungere V,,,,,. V
.J'OOO

"'S 800
'"
!:::J 600
'li
'JOO
e
200
O .1--_L.-_--l__-l.__...L
U 0,001 0,01 0.' 1,0 10
Curentul eoleetomlui r,. mA
,U
r\.
'-
..........
'-....
-
S 10 15 20 25
Tensiunea inversa V, V
Fig. A-15. Caracte:isticile voIt- faradice pentru diode de siliciu (varactor
sau vancap). Se poate observa cu tensiunii inverse V
capacitatea C
bar
se faptului pentru valori
mari ale tensiunii V.. regiunii de W se
La tenSIUnII dIrecte se un tablou invers _
tensIUnea mare V valorii W
ale C
bar

Fig. A-.16. coeficientu-
lUI de transfer al curentului n
cu emitor comun ca
de curentul colectoru-
lui pentru un tranzistor bipolar
tipic la f =I kHz .
10
7
E
u
:>
f

10S
10
'
'1 10'9
Fig. A-13. cmpului electric critic de
dopante ce conduce la tunel (efectul Zener) strapungerea pnn
n siliciu (A.G.Chynoweth et al. II Phys. Rev., 118,425 (1960).
Fig. A-I2. Curba curentului ce corespunde
echilibrului termic de tensiunea de
asupra domeniului cu
pentru tensiuni inverse mari. ori-
zontale sunt le curentului de invers pentru dlfente
temperaturi. Liniile ncJinate - cantitatea de
360
361

10"3 suplimentara de erori
N t x
Ti; =er c zliff
10-
5
L.....l---........-'-.J.-..............
Z

O UN
Fig. A-20. timpului
al de mmontan
n siliciu de tip n de
atomilor impuritari de aur
(A.E.Bakanowski, 1.H. Forster II
BeII Syst. Tech. 1., 39, 87 (1960)).
Fig. A-18. coeficientului de difuzie de
pentru diferite
n siliciu (Researeh Triangle Institute,
voI. 4, ASD-TDR-63-316 (1964)).
Fig. A-19. Graficele Gauss
tipice a de erori
suplimentare. Pe axa ordonatei
este o n
raport cu de
a lor No (D. 1. Hamil-
ton, W.G. Howard. Basic Integ-
rated Circuits Engineering. Mc
Graw, 1975).
10
,Q
L-l...-JL-LJU-U-..J....L.J...J...-l...-l....LJ.J
10'" 10
'5
10
16
10'7
(aur) N,o em'

<=
u
ci
'" "N
<2
;;
.g

'" 'u
'ii
o
Ci
K"
p
p
n
n
w x O
n
n
a)
n p.
o
p+
p+
x'

K' O O W %- %"
b)
c)
Fig. A-17. Regimurile de a tranzistorului p+ - n - p respectiv,
le de minoritari n regiunea emitorului ( p + ),
bazei (n ) colectorului ( p); curbele sunt construite n corespundere cu
ce descriu modelul Ebers-Moll (6.63a) (6.63b):
a) regimul activ (V
BE
> O; V
CB
< O);
b) regimul de (V
BE
< O; V
CB
< O);
c) regimul de (V
BE
> O; V
CB
> O).
362
363
u 1500.----,---,--,---,----r-----,---,
c 1/f00
IJOO
B 1200
1100 6
As p Au
800
700 Sb Al
600
500
.... ,o2::;;2:--"10":'21:--1<.... -'0-'='::;"7-1<-'0"::,6=--,0-;15'
N, cm
3
Fig. A-21. constantelor
de oxidare A B , deter-
minate experimental n
de
(A.S. Grave. Physics and
Technology of Semic;on-
ductor Devices. Wlley,
1967).
qOI
--"...J'O
N, sau Ni' cm'
Fig. A-23. solu-
As,
P, B, Sb, Al Au
n siliciu de temperatura
(F.A Trumbore
II BeII Syst. Tech. 1, 39,
205-233 (1960)).
10'. 10-
2
47 46 49 (1 C2
1000/7; K"
Fig. A-22. adncimii
de maximale de
echilibru a ionilor din vid de
ac-
ceptoare sau donoare pentru
semiconductoarele Ce, Si
CaAs. Datele sunt
experimental la temperatura
camerei.
T
BIBLIOGRAFIE
[1] Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices, 1981. [3H e. <PH3HKa rroJIyrrpo-
BOL\HIIKOBbIX Ilp1I6opOB. (TIep. c aHrJI.) B 2-x KHlIrax. - M. MlIp, 1984.]
[2] faMaH RH. <P1I3IIKa rrOJIyllpOBOL\HIIKOBbIX rrplI6opoB. TOMCK: H3L\-BO
TOMcKoro yHIIBepClITeTa, 1989. - 337c.
[3] Dolocan Voicu. Fizica cu semiconductoare. - Editura
Academiei RSR, 1982. - 320p.
[4] Sandu Dumitru. Electronica VoI. 1. Principii fizice. Dispo-
zitive. Tehnologii. - Editura Al.I.Cuza", 1994. -615p.
[5] Munteanu 1. Fizica condensate. Partea 1. - Hyperion XXI,
1995. -397p.
[6] Nicolaescu LI. Introducere n fizica corpului solid. - Cultura, 1997. - 516p.
[7] TIIIKyC f.E. OCHOBbI Teopiili 1l0JIyllpOBOL\HHKOBbIX IlpH6opOB. - M.: HayKa,
1965. - 448c.
[8] Crowell e.R., Sarace le., Sze S.H. Tungsten-Semiconductor Schottky-Barrier
Diodes, Trans.Met.Soc. AIME, 233, 478, 1965.
[9] Fow1er R.H. The Ana1ysis of Photoelectric Sensitivity Curves for Clean
Metals at Various Temperatures II Phys. Rev. 38,45, (1931).
[10] Shockley W. Theory of p - n Junctions in semiconductors and p - n Junc-
tions Transistors II BeII Syst.Tech.J. 28, 435, 1949.
[Il] Sah c.T., Noyce RN., Shockley W. Carrier Generation and Recombination in
p - n junction and p - n Junction Characteristics II Proc. IRE. 45, 1228, (1957).
[12] Kingston RH., Neustadter S.F. Ca1culation of the Space Charge, Electric
Fie1d, and Free Carrier Concentration at the surface of a semiconductor
IIIAppl.Phys. 26, 718,1955.
[13] Garrett C.G.R, Brattain W.H. Physical Theory of Semiconductor Surfaces
II Phys. Rev. 99, 376, 1955.
[14] Grove AS., Deal RE., Snow E.H., Sah e.T. Investigation of Thermally
Oxidized Silicon Surfaces Using Metal-Oxide-Semiconductor Structures
Solid State E1ectron. 8, 145, 1965.
[15] Grove AS. Fizica tehnologia dispozitivelor semiconductoare. -
Editura 1973.
[16] Deal RE. Standardized Terminology for Oxide Charges Associated with
Terminology Oxidized Silicon II IEEE Trans. E1ectron Devices, ED-27,
606,1980.
[17] Nicolian E.H., Goetzberger A. MOS Conductance Technique for Measuring
surface State Parameters II Appl. Phys. Lett., 7, 216, 1965.
[18] Nicolian E.H., Brews I.R MOS Physics and Techno1ogy J. Wi1ey. - New
York,1982.
[19] Brsan Radu M. Fizica tehnologia circuitelor MOS integrate pe mare. -
EdituraAcademiei RSR, 1989. - 542p.
365
364
[20] Sandu D.D. Dispozitive circuite electronice. - Editura
1975. - 482p.
[21] Milns AG., Feucht D.L. Heterojunctions and Metal-semiconductors junc -
tions. Academic N.Y. 1972. [MllJIHC A, <1>OHXT ,1:(. feTeporrepeXO,[lbI Hrre-
peXO,[lbI MeTaJIJI-rroJlyrrpOBO,[lHHK. (TIep. c aHrJI.) - M.: MHp, 1975. - 430 c.]
[22] lliapMa b.JI., TIYPOXHT TI.K. TIoJlyrrpOBO,[lHHKOBble reTeporrepexo,[lbI. (TIep.
c aHrJI.) - M.: Pa,[lHO, 1979. - 232c.
[23] KrrHMOB E.H., UYKepMaH H.11. feTeporrepeXO,[lbI BrroJIYITpoBO,[lHHKax (yqe6Ho-
MeTO,[lH'leCKOe rroc06He). - CapaToB: H3,[l-BO CapaToBcKoro yHHBepcHTeTa,
1976. - 178c.
[24] CHMaIIlKeBH'1 A B. f eTeporrepeXO,[lbI Ha OCHOBe rroJlyrrpOBO,[lHHKOBbIX coe-
,[lHHeHHH A
2
B
6
. - KHIIIHHeB: ll1THHHua, 1980. - 154 c.
[25] Probleme actuale ale fizicii semiconductorilor. - Editura Acade-
miei RSR, 1970. - 463p.
[26] Anderson R.L. Experiments on Ge-GaAs heterojunction II Solid State Elec-
tronics. 5, N 9-10, p.341-351, 1962.
[27] Perlman S.S., Feucht D.L. p - n heterojunctions II Solid State Electronics.
n, p.911-923, 1964.
[28] Dolega V. Theorie p - n kontaktes zwischen Halbleitem mit verschiedenen
kristallgittem II Z.Naturforsch, 18a, N5, p.653-666, (1963).
[29] Rediker R.H., Stopek S., Ward 1.H. Interface-alloy epitaxial hetcrojunc tions
II Solid State Electron. T7, N8, p.621, 1964.
[30] Anderson R.L. Proc.Int.Conf. on the Phys. Chem. of semicond. hcterojunction
(Editor-in-chief G.Szigeti). voI 4. p.55. Acadcmiai Kiado, I Budapest, 1971.
[31] Riben AR., Feucht D.L. Electrical transport in nGe-pGaAs heterojunctions
II IntI. Electron. V.20, p.583-589, (1966).
[32] Dolocan Voicu. Fizica a solide. - Editura Aca-
demiei RSR, 1984. - 272p.
[33] C.J.M.Van. Opdorp Thesis, Technische Higeschool, Eindhoven, Netherlands,
1969.
[34] Newman P.e. Electronic Letters. 1,265 (1965).
[35] D., Brezeanu Gh., Dan P. Contactul metal-semiconductor n micro -
electronica. - Editura Academiei RSR, 1988. - 272p.
[36] Milns AG. Solid State Electron. 29, N 2, p.99 (1986).
[37] C.J.M.Van Opdorp Thesis, Technische Higeschool, Eindhoven, Netherlands,
1969.
[38] Newman P.e. Electronic Letters, 1,265 (1965).
[39] Riben AR., Feucht D.L. Solid State Electron. 9, 1055 (1966).
[40] Spnulescu Ion, Prvan Radu. Principiile fizice ale microelectronicii. -
Editura 1981. - 450 p.
[41] Dolocan Voicu. Fizica dispozitivelor cu corp solid. - Editura AR,
1978. - 358 p.
[42] TIacblHKoB B.B., l.JHpKHH JI.K. TIOJlyrrpoBO,[lHHKOBble rrpH6opbI. - M.: BbIC-
II1<U1 II1KOJla, 1978. - 450c.
366
[43] ,1:(bHKOHOB B.TI. JIaBHHHble TpaH3HcTopbl HHX rrpHMeHeHHe BHMrryJlbcHbIX
yCTpOHCTBax. - M.: COBeTcKoe pa,[lHO, 1973 - 298c.
[44] EpolP
eeBa
11.A HMrryJlbCHble yCTpOHema Ha O,[lHorrepeXO,[lHbIX TpaH3HCTOpax. -
M.: CBH3b, 1974. - 72c.
[45] Nan S., Munteanu 1., Gh. Dispozitive fotonice cu semiconductori. -
Editura 1986. - 286p.
[46] BHKyJlHH 11.M., CTalPeeB B.H. <1>H3HKa rrOJlyrrpoBoilHHKOBbIX rrpH6opoB. -
M.: Pa,[lHO HCBH3b, 1990. -264c.
[47] ErrHlPaHoB f.11., MOMa IOA. TBep,[lOTeJIbHM 3J1eKl1XlHHKa. - M.: BbICIIIM
IIJKOJla, 1986. - 304c.
[48] CTerraHeHKo H.TI. OCHOBbI MHKp03J1eKTpoHHKH. - M.: COBeTCKOe Pa,[lHO,
1980. - 424c.
[49] MaJlJlep P., KeHMHHa T. 3J1eMeHThI HmerpaJIbHbIX cxeM. - M.: MHp, 1989.-
630c.
[50] Zet Gheorghe, Ursu Dodu. Fizica solide. n inginerie. -
Editura Tehnica, 1989.
[51] Rosado Luis. Electronica Fizica y Microc1ectronica. - Madrid: Paraninfo,
1987. [POCMO JI. <1>H3HQeCKaH 3J1eKTpoHHKa H MHKp03J1eKTpoHHKa. - M.:
BbICIIIaH II1KOJla, 1991. -350 c.]
[52] Badea M., Silard A, Popa E., Dan PA, Udrea-penea M., IosifN., Gh.
Diode Tiristoare de putere. VoI. 1. - Editura
1988. 320 p.
[51] Mimura T., Joshin K, Kuroda S. Device modeling ofHEMT's - Fujitsu Sci.
and Techn. 1., 1983, V. 19, N. 3, p. 243-276.
[
Comanda TIr. 634
F.E.P. "Tipografia
MD-2068, str. Florilor l
Departamentul Edituri Poligrafie
cu