29 Electronica Analogica Curs PDF

UNIVERSITATEA DIN CRAIOVA
Facultatea de inginerie n electromecanic, mediu i

informatic industrial
EUGEN SUBIRELU
ELECTRONIC ANALOGIC
-suport curs-
2010
EUGEN SUBIRELU ELECTRONIC ANALOGIC - CURS
PREFA
Materialul prezentat constituie o extensie a suportului de curs i se adreseaz studenilor
anului II ai Facultii de Inginerie n Electromecanic, Mediu i Informatic Industrial din
cadrul Universitii din Craiova.
Domeniul la care se refer acest curs este cel al electronicii analogice n general, cu
prezentarea principalelor dispozitive electronice i al unor aplicaii ale lor n circuite analogice
curente.
n prezentarea fiecrui dispozitiv s-a urmrit o tratare pragmatic, insistndu-se pe
aspectele practice-aplicative ale definirii i funcionrii acestuia, neintrnd n noiuni de definire
la nivelul fizicii semiconductoarelor. S-au descris totui i cteva fenomene la nivel micro
pentru a nelege unele noiuni care stau la baza funcionrii tuturor dispozitivelor electronice
active bazate pe semiconductoare .
Capitolul 1 prezint cteva noiuni generale despre semnale analogice (definire, notaii
folosite mai departe n curs) i componente de baz pasive din construcia circuitelor electronice
(rezistene, condensatoare, bobine).
Capitolul 2 descrie primul dispozitiv electronic care folosete o jonciune
semiconductoare i anume dioda semiconductoare (redresoare, stabilizatoare). Este prezentat
simbolul, principiul de funcionare, modele folosite n proiectare i cteva aplicaii.
Capitolul 3 se refer la cel mai utilizat dispozitiv electronic activ i anume tranzistorul
bipolar: structur, funcionare, tipuri de conexiuni, scheme de polarizare, relaii fundamentale
ntre cureni i teensiuni. Sunt evideniate etapele care trebuiesc parcurse la proiectarea,
respectiv analiza circuitelor cu tranzistoare bipolare.
Capitolul 4 este dedicat unor dispozitive electronice cu performane deosebite, folosite
att n circuite integrate ct i sub form de componente distincte n circuite care necesit
impedan mare de intrare, liniaritate bun, zgomot redus. Sunt prezentate tranzistoarele cu efect
de cmp (TEC) i anume cele cu baza jonciune (TEC-J) i cele cu baza izolat (TEC-MOS)
mpreun cu cteva aplicaii reprezentative.
Capitolul 5 prezint alte dispozitive electronice, ca i componente elementare folosite
n aplicaii de electronic de putere (tiristorul, GTO-ul, triacul, etc.) precum i n aplicaii care
folosesc radiaia luminoas, att pentru afiare ct i pentru transmiterea semnalelor (dispozitive
optoelectronice).
Capitolul 6 se ocup de unele din cele mai utilizate circuite electronice, realizate n
tehnologie integrat azi i anume amplificatoarele operaionale. Este prezentat funcionarea lor,
o serie de parametrii specifici precum i aplicaii liniare: amplificatorul inversor, neinversor,
sumator, diferenial, integrator, derivator. Sunt prezentate circuitele care fac trecerea de la
domeniul analogic al valorilor continue la domeniul deciziilor, al valorilor binare: este vorba de
comparatoarele simple (cu un singur prag) sau cu histerezis (cu memorie). De asemenea sunt
prezentate aplicaii neliniare ale AO i anume redresorul monoalternan i redresorul
bialternan.
Cei interesai n nelegerea aprofundat a structurii interne, a parametrilor electrici
precum i a altor performane ale diverselor dispozitive electronice, precum i a unor relaii de
calcul mai complexe necesare n cercetarea funcionrii circuitelor electronice analogice trebuie
s consulte bibliografia prezentat.
Craiova, 01 iunie 2010

Autorul
2
Cuprins
1. INTRODUCERE N ELECTRONICA ANALOGIC .............................................................. 6
1.1. Semnale analogice ................................................................................................................ 6
1.1.1. Clasificare, definire, mrimi caracteristice ................................................................... 6
1.1.2. Convenie de notare a semnalelor utilizate n circuitele electronice ............................. 7
1.2. Elemente pasive de circuit.................................................................................................... 8
2. DIODA SEMICONDUCTOARE ............................................................................................. 14
2.1. Jonciunea PN ..................................................................................................................... 14
2.2. Dioda semiconductoare ...................................................................................................... 15
2.2.1. Simbol, structur i funcionare .................................................................................. 15
2.2.2. Circuit simplu cu diod; dreapta de sarcin i PFS al diodei ...................................... 16
2.2.3. Modele aproximative ale caracteristicii diodei ........................................................... 17
2.2.4. Redresarea folosind diode semiconductoare ............................................................... 19
2.3. Dioda stabilizatoare de tensiune (Zener); circuite de stabilizare ....................................... 24
2.4. Alte aplicaii ale diodelor semiconductoare ....................................................................... 25
2.4.1. Multiplicatorul de tensiune.......................................................................................... 26
2.4.2. Circuite de limitare cu diode ....................................................................................... 26
2.4.3. Circuite formatoare de impulsuri ................................................................................ 27
2.4.4. Circuite pentru refacerea componentei continue ......................................................... 27
3. TRANZISTORUL BIPOLAR................................................................................................... 28
3.1. Structura i funcionarea TB .............................................................................................. 28
3.2. Relaii fundamentale; modelul static al TB ........................................................................ 29
3.3. Conexiunile i caracteristicile TB ...................................................................................... 30
3.4. Dreapta de sarcin static, punctul de funcionare static i regiunile de funcionare ale TB
................................................................................................................................................... 32
3.5. Circuite de curent continuu cu TB ..................................................................................... 34
3.6. Comportarea TB la semnal mic. Modele dinamice ............................................................ 39
3.7. Funcionarea TB ca amplificator de semnal mic ................................................................ 43
3.8. Comportarea TB la nalt frecven ................................................................................... 45
4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP (TEC) ................................................................... 46
4.1. Tranzistoarele TEC-J.......................................................................................................... 46
4.1.1. Structura i funcionarea TEC-J .................................................................................. 46
4.1.2. Tranzistoarele TEC-J. Aplicaii................................................................................... 48
4.1.2.1. Divizor rezistiv controlat n tensiune ....................................................................... 49
4.1.2.2. Sursa de curent constant .......................................................................................... 49
4.1.2.3. Repetor de tensiune compensat termic ..................................................................... 49
4.1.2.4. Amplificator de semnal mic cu TEC-J ..................................................................... 50
4.2. Tranzistoarele TEC-MOS .................................................................................................. 51
4.2.1. Structura i funcionarea TEC-MOS ........................................................................... 52
4.2.2. Tranzistoarele TEC-MOS. Aplicaii ........................................................................... 54
4.2.2.1. Inversorul CMOS ..................................................................................................... 55
4.2.2.2. Amplificator cu TEC - MOS ..................................................................................... 56
5. ALTE DISPOZITIVE ELECTRONICE................................................................................... 57
5.1. Alte dispozitive semiconductoare cu jonciune ................................................................. 57
5.1.1. Tiristorul...................................................................................................................... 57
5.1.1.1. Funcionarea tiristorului ........................................................................................ 57
5.1.2. Tiristorul cu blocare pe poart (GTO-Gate Turn Off) ................................................ 59
5.1.3. Triacul ......................................................................................................................... 60
5.1.4. Diacul .......................................................................................................................... 60
5.1.5. Tranzistorul unijonciune (TUJ).................................................................................. 61
5.2. Dispozitive optoelectronice................................................................................................ 62
5.2.1. Fotodetectori i fotoelemente ...................................................................................... 63
5.2.1.1. Fotorezistor (LDR Light Dependent Resistor) ...................................................... 63
5.2.1.2. Fotoelementul (celula fotovoltaic) ......................................................................... 64
5.2.1.3. Fotodiod ................................................................................................................. 65
5.2.1.4. Fototranzistorul ....................................................................................................... 65
5.2.2. Fotoemitori ............................................................................................................... 66
5.2.2.1. Dioda electroluminiscent ....................................................................................... 66
5.2.2.2. Afioare cu diode electroluminiscente ..................................................................... 67
5.2.3. Alte dispozitive de afiare ........................................................................................... 69
5.2.3.1. Afiaje (display-uri) cu cristale lichide.................................................................... 69
5.2.3.2. Afiaje (display-uri) cu plasm ................................................................................ 71
5.2.4. Optocuploare ............................................................................................................... 72
6. AMPLIFICATOARE OPERAIONALE (AO) ....................................................................... 73
6.1. Funcionare. Parametrii specifici. AO ideal ....................................................................... 73
6.2. Aplicaii liniare ale AO ...................................................................................................... 77
6.2.1. Circuitul repetor de tensiune ....................................................................................... 77
6.2.2. Amplificator neinversor .............................................................................................. 77
6.2.3. Amplificator inversor .................................................................................................. 78
6.2.4. Amplificator sumator .................................................................................................. 79
6.2.5. Amplificator diferenial............................................................................................... 80
6.2.6. Circuit integrator ......................................................................................................... 81
6.2.7. Circuit derivator .......................................................................................................... 83
6.2.8. Circuit comparator ...................................................................................................... 84
4
6.2.8.1. Comparatoare simple (fr memorie)...................................................................... 85
6.2.8.2. Comparatoare cu histerezis (cu memorie) ............................................................... 86
6.3. Aplicaii neliniare ale AO .................................................................................................. 88
6.3.1. Redresor monoalternan............................................................................................. 88
6.3.2. Redresor bialternan................................................................................................... 88
BIBLIOGRAFIE ........................................................................................................................... 89
[1] Sever Paca, Niculae Tomescu, Istvn Sztojanov Electronic analogic i digital
Dispozitive i circuite electronice fundamentale, Editura Albastr, Cluj Napoca, 2004 .............. 89
Circuite analogice, Editura Albastr, Cluj Napoca, 2004............................................................. 89
[3] Edmond Nicolau (coord.) Manualul inginerului electronist, Editura Tehnic, Bucureti,
1988 ............................................................................................................................................... 89
[4] Istvn Sztojanov, Sever Paca Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice Ghid
practic Pspice, Editura Teora, 1997 .............................................................................................. 89
[5] Eugen Subirelu Dispozitive electronice i circuite analogice, Notie pentru curs - anul II
Electromecanic, Informatic Industrial, Ingineria i protecia mediului n industrie, 2008-2009
....................................................................................................................................................... 89
5
1. INTRODUCERE N ELECTRONICA ANALOGIC

Electronica analogic este parte a electronicii care se ocup cu studiul echipamentelor
electronice care produc, transmit, recepioneaz, prelucreaz, ntr-un cuvnt utilizeaz semnale
analogice. n acest capitol sunt trecute succint n revist cteva noiuni despre semnalele
analogice: definiie; ecuaie matematic; tipuri i mrimi caracteristice. Deasemenea sunt
prezentate n mod sintetic componentele pasive de baz folosite n circuitele electronice
(rezistoare, condensatoare, bobine) cu principalele aspecte privitoare la structur, funcionare (n
cc/ca) i utilizare practic.
1.1. Semnale analogice

Prin semnal se nelege o anumit form de variaie n timp a unei mrimi electrice sau
neelectrice. n studiul circuitelor electronice se utilizeaz semnale de natur electric (tensiuni,
cureni) ca purttoare de energie i mai ales informaie. n continuare se vor prezenta cteva
noiuni generale despre cele mai ntlnite semnale ntlnite n practica electronic.
1.1.1. Clasificare, definire, mrimi caracteristice

n raport cu timpul, semnalele electrice prelucrate cu dispozitive electronice pot fi
constante sau variabile (fig. 1.1).Cele care variaz continuu n timp se numesc semnale
analogice.
-sinusoidale
-constante -periodice
Semnale -staionare -nesinusoidale
electrice
-variabile n timp -neperiodice
-nestaionare
Fig. 1.1 Clasificarea semnalelor electrice dup evoluia n timp
Semnalele constante se caracterizeaz prin faptul c valoarea lor rmne constant n

timp astfel:
y S (t ) = YS (1.1)
unde YS este amplitudinea care poate lua valori pozitive sau negative. Pentru o
identificare uoar, aceste semnale se noteaz cu litere mari respectiv tensiunea U, curentul I,
etc.
Semnalele staionare sunt acele semnale care au valoarea de vrf, valoarea medie sau
valoarea efectiv constante. Aceti parametri se definesc astfel:
-valoarea de vrf: YS max = maxt1....t 2 y S (1.2)
t2
1
-valoarea medie: y Smed =y=
t 2 t1 y
t1
S dt (1.3)
6
t2
1
y
2
-valoarea efectiv: y Sef = S dt (1.4)
t 2 t1 t1
unde yS reprezint valoarea instantanee (la un anumit moment de timp t) a semnalului, iar
t2-t1 este un interval de timp suficient de mare pentru ca parametrii respectivi s fie independeni
de alegerea lui (se mai numete timp de mediere).
Semnalele periodice sunt semnalele a cror succesiune de valori (oscilaie) se reproduce
n aceeai ordine dup fiecare perioad de T secunde. n general, un semnal periodic este
exprimat ca o mrime instantanee:
y S (t ) = y S (t nT ) (1.5)
pentru orice t i n=1,2,3,....
Numrul de oscilaii efectuate de semnal ntr-o secund se numete frecven, se
msoar n hertzi [Hz] i se exprim prin relaia:
1
f = (1.6)
T
Dac se cunosc caracteristicile semnalului (forma, perioada) i se alege un moment de
timp t1 se poate calcula valoarea medie pe o perioad a semnalului (valoare care nu depinde
de t1):
t1 +T
1
y Smed = y =
T y
t1
S (t )dt (1.7)
n categoria semnalelor periodice un rol aparte revine semnalelor sinusoidale. Un semnal

periodic care are valoarea medie pe o perioad egal cu zero se numete semnal alternativ.
Dac expresia instantanee a semnalului este reprezentat prin funcia sinus semnalul se numete
semnal sinusoidal. Dup cum se observ din (fig.1.2,a) semnalul alterneaz sinusoidal ntre
valorile +Ymax i Ymax. Valoarea Ymax se numete amplitudine i reprezint valoarea instantaneee
maxim (de vrf) pe care o poate atinge semnalul sinusoidal pe o perioad T. Exprimat ca o
mrime instantanee (1.5) semnalul sinusoidal are expresia:
y S (t ) = Ymax sin(t + ) = 2Yef sin( 2f + ) (1.8)
2
unde Ymax este amplitudinea semnalului, Yef este valoarea efectiv, = 2f = este
T
pulsaia semnalului msurat n [rad/sec], (t+) este faza semnalului i este faza iniial sau
defazajul n [rad].
n cazul semnalelor sinusoidale, ntre valoarea efectiv Uef , amplitudinea Umax i valoarea
medie Umed a unei tensiuni (de exemplu) exist relaiile:
U max 2U max
U ef = 0.707 U max ; U med = = 0,636 U max (1.9)
2
n general valoarea efectiv a unui semnal periodic de perioad T este egal cu valoarea
tensiunii (curentului) continuu care dezvolt ntr-o rezisten dat aceeai putere ca i tensiunea
(curentul) periodic considerat.
1.1.2. Convenie de notare a semnalelor utilizate n circuitele electronice

n general, semnalele utilizate n circuitele electronice sunt exprimate ca mrimi
instantanee i sunt formate dintr-o mrime constant n timp plus o mrime variabil.
Din notaia unui semnal trebuie s rezulte imediat dac este vorba de componenta sa
continu (constant) , de componenta variabil sau de mrimea instantanee (total) a acestuia.
n (fig.1.2) este prezentat un semnal oarecare ntlnit n circuitele electronice (de
exemplu: curentul din baza unui tranzistor).
7
iB
ib ibmax
IB0 IB iB=IB+ib
0 t
Tranzistor fr semnal
(doar polarizat) Tranzistor cu semnal
Fig. 1.2 Reprezentarea i notarea unui semnal analogic

utilizat n electronic
Pentru recunoaterea notaiilor folosite n continuare n curs, acestea sunt precizate astfel:
-valorile instantanee (totale) ale diverselor semnale vor fi notate cu litere mici avnd
indicii formai din litere mari (Expl: iB, uBE, iC, etc.);
-componentele continue (avnd valori constante) i valorile medii, efective ale diferitelor
mrimi electrice se noteaz cu litere mari i indici formai din litere mari (Expl: IB, UBE, IC, etc.);
n partea dreapt a axei verticale a figurii este reprezentat valoarea IB (Offset). Componentele
continue corespunztoare punctelor statice de funcionare (fr semnal) ale dispozitivelor
electronice se marcheaz i cu un indice superior zero (Expl: I0C, U0CE); n partea stng a axei
verticale a figurii este reprezentat curentul (semnalul) din baza tranzistorului, numai n cazul
polarizrii acestuia IB0.
-variaiile n jurul valorii medii sau n jurul unor nivele de referin continue se noteaz
cu litere mici i indici formai tot din litere mici. (Expl: ic, ube, ib, etc.).
Cu aceste notaii, valoarea instantanee a semnalului din (fig. 1.2) se scrie:
y S (t ) = iB = I B + ib (1.10)
unde:
ib = ib max sin t = I b max sin t = 2 I bef sin t (1.11)
este componenta variabil, cu evoluie sinusoidal i care are valoarea maxim Ibmax .
Alte tipuri de semnale utilizate n circuitele electronice sunt:
-semnal treapt unitate;
-semnal dinte de ferstru;
-semnal triunghiular, etc.
1.2. Elemente pasive de circuit

Sunt acele elemente de circuit care nu pot realiza funcii de amplificare. Dintre acestea
cele mai importante sunt: rezistorul, condensatorul, bobina.
Rezistorul este elementul de circuit cel mai utilizat. n (fig.1.3) sunt prezentate
simbolurile rezistoarelor folosite n schemele electronice.
v t
a) b) c) d) e) f) g)
Fig. 1.3 Simboluri utilizate pentru reprezentarea rezistoarelor
Semnificaia simbolurilor prezentate n figur este urmtoarea: a) rezistor fix (simbol

DIN, UE); b) rezistor fix (simbol ANSI, SUA); c) poteniometru; d) rezistor semireglabil; e)
varistor; f) termistor; g) fotorezistor.
8
Dup cum se observ, rezistorul este un dipol (dou terminale) pentru care relaia de
proporionalitate dintre tensiunea aplicat la borne i curentul care l strbate este dat de legea
lui Ohm:
U = RI (1.12)
Principalul parametru al unui rezistor este rezistena nominal Rn.
Din punct de vedere funcional, prin conectarea n serie sau paralel a rezistoarelor se
obin divizoare de tensiune (fig. 1.4, a, b), respectiv divizoare de curent (fig. 1.4, c).
a) b) c)
Fig. 1.4 Divizoare rezistive a)de tensiune n gol, b)de tensiune n sarcin, c) de
n (fig. 1.4, a) este prezentat un divizor de tensiune la care una din rezistene este legat la
mas; ieirea este n gol sau pe o rezisen foarte mare. Relaia dintre tensiunile de intrare i
ieire rezult:
U 2 R2 U2 R2 R2
= ; = ; U2 = U0 (1.13)
U1 R1 U 0 R1 + R2 R1 + R2
Dac la ieire se conecteaz o sarcin de rezisten RS rezult:
R2 R S R2 S
R2 S = R2 R S = ; US = U0 (1.14)
R2 + R S R1 + R2 S
n (fig.1.4, c) prin legarea rezistenelor R1 i R2 n paralel curentul I se divide n curenii I1
i I2; relaiile dintre cureni sunt:
U U R + R2 RR
I1 = ; I2 = ; I = I1 + I 2 = U 1 rezult : U = I 1 2 (1.15)
R1 R2 R1 R 2 R1 + R 2
nlocuind tensiunea n ecuaiile curenilor rezult:
U R2 U R1
I1 = =I ; I2 = =I (1.16)
R1 R1 + R 2 R2 R1 + R 2
Din relaiile (1.13) i (1.16) se observ c tensiunea divizat este proporional cu
valoarea rezistenei de pe care se culege, n timp ce curentul divizat este invers proporional cu
valoarea rezistenei prin care trece.
n curent alternativ tensiunea i curentul rezistorului sunt n faz.
Condensatorul este elementul care are proprietatea de a acumula (nmagazina) sarcina

electric Q (msurat n coulombi C) atunci cnd i se aplic la borne o tensiune U (V).
n (fig.1.5) sunt prezentate simbolurile cele mai utilizate pentru reprezentarea
condensatoarelor n schemele electronice.
Semnificaia simbolurilor prezentate n figur este urmtoarea: a) condensator fix,
nepolarizat; b) condensator variabil; c) condensator semireglabil (trimer); d) condensator
polarizat, electrolitic.
9
a) b) c) d)
Fig. 1.5 Simboluri utilizate pentru reprezentarea condensatoarelor
Principalul parametru al unui condensator este capacitatea nominal Cn i se msoar n
farazi (F). Deoarece n practic coulombul i faradul sunt uniti foarte mari, capacitatea se
exprim n F(10-6), nF(10-9) sau pF(10-12).
Prin aplicarea unei tensiuni U la bornele condensatorului, pe armturile acestuia apar
sarcini electrice egale i de semn contrar; acestea produc un cmp electric E care nmagazineaz
energie electric W=1/2CU2 . Se produce astfel procesul de ncrcare a condensatorului cu
sarcina q; raportul dintre sarcina q i tensiunea U este o mrime constant, caracteristic
condensatorului numit capacitatea C a condensatorului de a acumula energie electric:
q
C= (1.17)
U
La aplicarea unei tensiuni continue, condensatorul prezint o rezisten practic infinit,
astfel nct prin condensator nu circul curent dect n regim tranzitoriu, de ncrcare sau
descrcare (iC); se spune c n c.c. condesatorul ntrerupe circuitul.
La aplicarea unei tensiuni alternative pe condensator, se stabilete un regim staionar de
ncrcri-descrcri succesive printr-un curent iC=Isint.
Conform legii conservrii sarcinii electrice, curentul iC prin condensator este determinat
de variaia n timp a sarcinii electrice de pe armturile condensatorului conform relaiei:
dq
iC = (1.18)
dt
Se observ c valoarea curentului prin condensator este proporional cu viteza de
variaie a tensiunii la bornele sale. Derivnd relaia (1.30) se obine legtura dintre tensiunea i
curentul prin condensator:
dq du du
=C ; iC = C (1.19)
dt dt dt
Integrnd rezult tensiunea pe condensator:
1
uC =
C
iC dt (1.20)
Aceast relaie exprim matematic faptul c un condensator ideal nu permite salturi de
tensiune la bornele sale deoarece funcia u(t) trebuie s fie continu (pentru a fi integrabil).
Cantitatea de energie electric acumulat de condensatorul avnd capacitatea C atunci
cnd la bornele lui se aplic tensiunea uC i se ncarc cu sarcina electric 0....Q:
Q Q
q 1 Q2 1 1
WC =
q =0
udq =
q =0
C
dq =
2 C
= CU 2 = QU
2 2
(1.21)
La conectarea condensatoarelor n serie sau paralel se obin capaciti echivalente cu

formule invers ca la rezistene (serie capaciti cu paralel rezistene i invers).
Pe lng capacitatea nominal, ali parametri caracteristici condensatoarelor sunt:
tolerana, coeficientul de temperatur, tensiunea nominal, rezistena de izolaie, curentul de
fug.
ncrcarea condensatorului la un curent constant
Acest montaj care folosete ncrcarea/descrcarea unui condensator se utilizeaz n
circuite de temporizare, ntrziere, oscilatoare de relaxare, etc. pentru stabilirea unor anumite
intervale de timp.
10
iC, uC
uC
i
I iC
I C uC
tg=I/C
t
a) b)
Fig. 1.6 Creterea tensiunii pe un condensator sub un curent continuu constant
Se folosete schema din (fig. 1.6 a), unde condensatorului C i se aplic un curent
constant I de la o surs de curent continuu. ncrcarea se poate face i de la o surs de
tensiune continu, constant prin intermediul unei rezistene.
Rezult:
dQ du I
i= = C C = I = ct. sau duC = dt (1.22)
dt dt C
Integrnd rezult:
I
uC = t (1.23)
C
Aceasta reprezint ecuaia unei drepte de pant tg = I / C

Dac condensatorului i se aplic o tensiune alternativ, sinusoidal avnd o frecven
fix i o amplitudine dat atunci acesta introduce n circuit o reactan capacitiv XC msurat
n [] de forma:
1 1
XC = = (1.24)
C 2fC
Aceast mrime avnd caracter de rezisten se obine din relaia (1.33) prin integrarea
curentului iC=IC sint :
1 1
uC =
C
i C dt =
C
I C sin t = X C I C sin t = U C sin t
2 2 2
(1.25)
Defazajul dintre tensiune i curent este de 90 (/2 rad), tensiunea fiind defazat n urma
curentului (U lags I). Se observ c la frecvene joase (50 Hz) condensatorul ntrerupe circuitul
(curentul este foarte mic; dac frecvena crete atunci condensatorul permite trecerea unui curent
mai mare.
Bobina
Bobina (numit i inductor) este un dipol format din mai multe spire care formeaz
nfurarea (bobinajul). Conductorul bobinei se nfoar pe un suport - carcas din material
izolant. Majoritatea bobinelor au i un miez magnetic (pentru creterea inductivitii) din ferit.
Uneori toate aceste elemente componente se gsesc sub un ecran pentru nlturarea cuplajele
parazite, electrice sau magnetice cu circuitele exterioare bobinei.
n (fig. 1.7) sunt prezentate cteva din simbolurile utilizate pentru reprezentarea bobinelor
n schemele electronice.
11
a) b) c) d)
Fig. 1.7 Simboluri utilizate pentru reprezentarea bobinelor
Semnificaia simbolurilor prezentate n figur este urmtoarea: a) bobin fr miez; b)

bobin cu miez; c) bobin cu miez reglabil; d) bobin variabil.
Principalul parametru caracteristic al unei bobine este inductana electric L exprimat
n henry [H]; n practic se folosesc i submultiplii acestuia: mH (10-3) H (10-6), nH (10-9).
Aceast mrime fizic caracterizeaz fenomenul de inducie electromagnetic care ia natere n
bobin atunci cnd este strbtut de un curent electric I. Adesea se folosete i noiunea de
inductivitate.
n general, inductana unei bobine depinde de: structura, geometria i dimensiunile
acesteia (numr de spire n, seciune S, lungime l) i de permeabilitatea magnetic a miezului ,
fiind dat de relaia:
n2S
L= (1.26)
l
Dac bobina este n vid, =0=410-7 [H/m] este permeabilitatea magnetic a vidului.
Raportul dintre permeabilitatea unui mediu i permeabilitatea vidului se numete permeabilitate
relativ r. Substanele cu r 1senumescferomagnetice fier,nichel,ferite iintroducerea
lor n bobine duce la creterea inductanei. Substanele cu r 1 se numesc diamagnetice
(sticl, cupru, alam) i introducerea lor n bobine duce la micorarea inductanei.
Substanelecur 1 se numesc paramagnetice (aluminiu, platina).
Inductana unei bobine se definete ca raportul dintre fluxul magnetic propriu (t) i
curentul i(t) care-l produce strbtnd bobina:
(t )
L= (1.27)
i (t )
Conform legii induciei electromagnetice relaia dintre tensiunea la bornele bobinei u(t) i
curentul care o strbate i(t) este urmtoarea:
d (t ) di (t )
uL = =L (1.28)
dt dt
Sau prin integrare se obine expresia curentului:
1
iL =
L
u (t ) dt (1.29)
Aceast relaie exprim matematic faptul c o bobin ideal nu permite salturi de
curent la bornele sale deoarece funcia i(t) trebuie s fie continu (pentru a fi integrabil).
Cantitatea de energie electric acumulat de o bobin avnd inductana L atunci cnd este
parcurs de curentul i(t) este:
L i2L
WL = (1.30)
2
Dac se aplic o tensiune U constant (de la o surs de tensiune continu) la bornele
bobinei se constat o cretere liniar a curentului prin bobin, de la zero ctre infinit.(fig. 1.8)
12
iL, uL
i
i
U
U L uL
tg=U/L
t
a) b)
Fig. 1.8. Creterea curentului ntr-o bobin sub o tensiune continu constant
Bobina ideal nu permite salturi de curent la bornele sale deoarece i(t) trebuie s fie o
funcie continu (bobina realizeaz astfel o netezire a curentului prin ea).
Bobina n curent continuu:

di
- deoarece i=ct, rezult = o i u=0, deci bobina se comport n curent continuu ca
dt
un scurtcircuit (o rezisten de valoare nul).
Bobina n curent alternativ, sinusoidal:

- dac curentul i(t) prin bobin are forma:
i = I sin t (1.19)
Derivnd i nlocuind n relaia (1.18) se obine expresia tensiunii la bornele bobinei:

u = L I sin t + = X L I sin t + = U sin t + (1.20)
2 2 2
Se observ c tensiunea este defazat cu /2 naintea curentului care strbate bobina.
Se spune c o bobin ntrzie curentul care o strbate.
n curent alternativ bobina este caracterizat printr-o rezisten aparent numit
reactan inductiv XL (exprimat n ohmi):
X L = L = 2 f L (1.21)
Se observ c la frecvene mari (f) bobina ideal se comport ca un circuit deschis

(XL, IL0). Bobina ideal nu disip energie; ea poate transmite i nmagazina energie
electric.
13
2. DIODA SEMICONDUCTOARE
Dioda este cel mai simplu element electronic de circuit, cu caracteristic neliniar i
conducie unilateral; prezint o rezisten electric mic pentru un anumit sens al curentului
(direct) i foarte mare pentru sensul opus (invers). Acest capitol este dedicat diodei
semiconductoare, privit din punct de vedere al comportrii la borne i al principalelor sale
aplicaii practice (redresare, stabilizare, limitare). Pentru nelegerea funcionrii diodei precum
i datorit faptului c materialele semiconductoare sunt cvasiprezente n alctuirea tuturor
componentelor electronice moderne, la nceputul acestui capitol sunt prezentate i cteva noiuni
(la nivel micro) despre conducia electric n semiconductori respectiv despre jonciunea
semiconductoare pn.
2.1. Jonciunea PN
Dac se apropie (lipesc) dou blocuri din acelai material semiconductor, unul dopat cu
impuriti donoare N i unul dopat cu impuriti acceptoare P, ansamblul obinut nu are
proprieti speciale. Dac ns aceeai bucat monocristalin semiconductoare este dopat diferit
la cele dou extremiti (o regiune cu impuriti N i o regiune cu impuriti P) se obine un
material cu proprieti unice. Zona dintre cele dou regiuni se numete jonciune PN.
n (fig. 2.1) este prezentat structura
intern a jonciunii. n partea stng
semiconductorul este dopat N (cu atomi goluri
electroni
avnd 5 electroni de valen); rezult un
numr de electroni liberi care se mic liber - - - + + + +
printre ionii + ai reelei cristaline. - - + +
n partea dreapt semiconductorul este - - - + + + +
dopat P (cu impuriti avnd 3 electroni de - - - + + +
valen); rezult n aceast regiune mai multe
locuri neocupate cu electroni; sunt astfel mai ioni zona de
multe goluri care se deplaseaz liber printre ai reelei golire
ionii negativi, fixi ai reelei cristaline.
La intersecia dintre cele dou regiuni
(n jurul jonciunii) electronii liberi din partea Fig. 2.1 Structura intern a jonciunii
N trec peste jonciune i se combin cu golurile din partea P (figura de sus). Regiunea din
dreapta jonciunii capt o sarcin negativ datorit electronilor atrai, iar regiunea din stnga
jonciunii capt o sarcin pozitiv datorit electronilor cedai (figura de jos). Stratul subire al
acestei structuri cristaline, dintre cele dou sarcini de semne contrare este golit de majoritatea
purttorilor de sarcin; de aceea aceast regiune ngust se numete zona de golire, devenind un
material semiconductor pur, non-conductor. Practic ntre cele dou regiuni conductive P i N
exist o zon izolatoare, deci rezistena jonciunii PN este foarte mare.
Aceast separare de sarcini n jurul jonciunii P-N (zona de golire) constituie n fapt o
barier de potenial. Aceast barier de potenial trebuie s fie nvins de o surs de tensiune
extern pentru ca jonciunea s poat conduce curentul electric, deci s se comporte precum un
material conductor. nlimea barierei de potenial depinde de materialele folosite pentru
fabricarea jonciunii. Jonciunile PN din siliciu au o barier de potenial mai ridicat dect
jonciunile fabricate din germaniu ( 0,6-0,7V fa de 0,20,3V .
Dac se aplic jonciunii o tensiune exterioar de la o surs de tensiune continu astfel
nct borna plus a sursei s fie conectat la regiunea dopat P iar borna minus s fie conectat
la regiunea dopat N se spune c jonciunea este polarizat direct (fig. 2.2,a). n acest caz
electronii se deplaseaz dinspre borna minus ctre jonciune. Borna plus atrage i ea electronii
care se gsesc prin regiunea P, formnd astfel goluri care se deplaseaz i ele spre jonciune, prin
dreapta. Purttorii majoritari din stnga (electronii) se recombin cu purttorii majoritari din
14
dreapta (golurile) micornd bariera de potenial (zona de golire) i permind curentului bateriei
s strbat jonciunea.
zona de golire
electroni goluri electroni goluri
- - - + +
- + + + -
- - - - + + +
+ + - - + + +
- - - + + + + - - - + + +
- - - - + + +
E a b) E
Fig. 2.2 Jonciunea PN polarizat direct (a ) i invers
Dac se inverseaz polaritatea tensiunii bateriei (borna plus la regiunea N i borna minus
la regiunea P) jonciunea este polarizat invers (fig.2.2,b). Purttorii majoritari de sarcin sunt
atrai de terminalele bateriei: terminalul plus atrage electronii liberi din regiunea N iar terminalul
minus atrage golurile din regiunea P. Astfel crete limea zonei de golire i neavnd loc nici o
recombinare a electronilor cu golurile nu exist conducie a curentului electric.
2.2. Dioda semiconductoare

Un monocristal semiconductor n care se realizeaz o jonciune PN i care este prevzut
cu cte un contact ohmic la extremitile jonciunii formeaz o diod semiconductoare
2.2.1. Simbol, structur i funcionare

Simbolul diodei este prezentat n figura de mai jos (a) i corespune semiconductorului
dopat de la (b). Sensul sgeii indic sensul curentului prin diod (invers sensului deplasrii
electronilor). Catodul (K) reprezint semiconductorul de tip N, iar anodul (A) corespune regiunii
dopate de tip P. Fizic catodul este marcat printr-o band colorat. Dioda este un dispozitiv
electronic unidirecional. Deplasarea electronilor se poate realiza doar ntr-o singur direcie,
invers fa de direcia sgeii, atunci cnd dioda (jonciunea PN) este polarizat direct (fig. 2.3,b).
I I
T2 T1 T
U U
a)
IS
b) c)
Fig. 2.3 Dioda semiconductoare: simbol (a), polarizare direct
(b), caracteristica curent-tensiune la polarizarea direct i
n (fig. 2.3,c) este reprezentat caracteristica curent-tensiune a unei diode

semiconductoare din Si (prin caracteristica curent-tensiune a unui dispozitiv electronic se
15
nelege dependena grafic I=f(U)). Aceast dependena neliniar este descris prin ecuaia
diodei:
qU
I = I S e NkT 1 (2.1)

unde IS este curentul de saturaie (rezidual; de scpri) al diodei polarizat invers (0
pentru dioda ideal; nanoamperi pentru diode cu Si; miliamperi pentru diode de putere); e este
constanta lui Euler (2,718); q este sarcina electronului (1,610-19 C); U este tensiunea de
polarizare la bornele diodei (+ la polarizarea direct i la polarizarea invers); N este coeficient
de emisie (depinde de tehnologia de realizare a diodei, fiind cuprins ntre 1 i 2); k este constanta
lui Boltzmann (1,3810-23); T este temperatura jonciunii (K).
Se observ c la creterea temperaturii, acelai curent prin diod ID corespunde unei
tensiuni UD mai mic. n cazul siliciului coeficientul de temperatur este exprimat prin:
U D
la I D = ct = 2,5mV / C (2.2)
T
n unele aplicaii se folosete aceast proprietate a jonciunii P-N polarizat direct ca un
senzor de determinare a temperaturii.
2.2.2. Circuit simplu cu diod; dreapta de sarcin i PFS al diodei

Presupunem circuitul simplu cu o diod alimentat de la
o baterie sau surs electric de tensiune constant E printr-un
rezistor R (fig. 2.4).
Comportarea diodei este descris prin caracteristica I
neliniar curent-tensiune (relaia 2.4).
Scriind teorema a doua a lui Kirchhoff (T2K) de-a
T2K
lungul conturului ochiului de reea din figur rezult relaia:
RI D + U D E = 0 (2.3) UD
Dependena dintre tensiunea UD i curentul ID impus de
circuitul electronic diodei se numete dreapta de sarcin i are
ecuaia: Fig. 2.4 Circuit simplu
1 E cu diod
E = R ID +UD ; ID = UD + (2.4)
R R
Deoarece curentul prin diod ID i tensiunea la bornele ei UD trebuie s satisfac simultan
relaiile (2.1) i (2.4) rezult c aceste valori sunt soluia sistemului format din cele dou ecuaii.
Acest sistem poate fi rezolvat prin dou metode: grafic sau numeric.
Pentru rezolvarea grafic, se ridic experimental caracteristica tensiune curent a diodei i
se traseaz dreapta de sarcin prin tieturi la cele dou axe (pentru ID=0 rezult UD=E , iar pentru
UD = 0 rezult ID = E/R ). Deoarece mrimile UD i ID nu variaz, dreapta de sarcin se numete
static. Punctul de intersecie P (U D0 , I D0 ) se numete punct de funcionare static (PFS) al diodei.
(fig. 2.5).
ID [mA] caracteristica
diodei
E/R1
dreapta
E/R P de sarcin
ID0
E1/R
UD
0 UD 0
E1 E
Fig. 2.5 Dreapta de sarcin i PFS al diodei
16
Analiznd graficul se observ c:
-valoarea rezistenei R reprezint panta dreptei de sarcin a diodei (negativ); orice
modificare a lui R determin o modificare a acestei pante;
-valoarea tensiunii E este punctul de intersecie al dreptei de sarcin cu axa Ox i orice
modificare a sa (pstrndu-se R=ct.) determin o translatare a dreptei paralel cu ea nsi.
Ridicarea experimental a caracteristicii statice a diodei presupune determinarea valorilor
ID0 i UD0 pentru diferite PFS obinute modificnd tensiunea de alimentare E.
2.2.3. Modele aproximative ale caracteristicii diodei

Scopul realizrii acestor modele este acela de a analiza rapid comportarea diodelor n
diferite circuite electronice. Deoarece pentru simplificarea analizei circuitelor, caracteristicile
diodelor sunt aproximate prin segmente de dreapt, modelele obinute se numesc liniare pe
poriuni.
2.2.3.1 Dioda ideal (modele de semnal mare)
O diod ideal are caracteristica curent- tensiune prezentat n (fig. 2.6, a).
ID K(UD)
ID
A K
UD UD
0
a) b)
Fig. 2.6 Caracteristica curent-tensiune i modelul diodei ideale
Modelul diodei ideale este un comutator comandat de polaritatea tensiunii aplicate UD.
Cnd dioda conduce, tensiunea UD 0; dioda se comport ca un scurtcircuit, curentul fiind
limitat de circuitul exterior (comutator nchis). Cnd dioda este blocat (UD < 0), curentul ID = 0
(comutator deschis). Spre deosebire de un comutator, deoarece dioda este un dispozitiv
electronic unidirecional, ea conduce curentul ntr-un singur sens, de la anod la catod.
Deoarece n unele aplicaii nu se poate neglija cderea de tensiune direct pe diod,

tensiunea de prag UD0 (aprox. 0,20,4V pentru Ge, respectiv 0,60,8V pentru Si),
caracteristica diodei este prezentat n (fig. 2.7, a). Aceast tensiune se consider n serie cu
dioda ideal (fig. 2.7, b).
ID
ID UD0
UD
UD
0 UD0
a) b)
Fig. 2.7 Caracteristica curent-tensiune i modelul diodei ideale cu
considerarea tensiunii UD0
17
2.2.3.2 Comportarea diodei la semnal mic; rezistena dinamic (modelul de semnal mic)
Prin semnal mic se nelege acel semnal la care variaia curentului sau tensiunii vrf la
vrf este mic n raport cu componenta continu (valoarea medie) a acestei mrimi. n (fig. 2.8)
este prezentat caracteristica unei diode polarizat direct de ctre un astfel de semnal.
Fig. 2.8 Comportarea diodei la semnal mic

Dac lipsesc micile variaii, dioda lucreaz n punctul de funcionare stabil (PFS) de
coordonate (UD0, ID0) (punctul P). Se observ c n jurul PFS caracteristica static a diodei se
aproximeaz printr-o dreapt; deci dioda se comport ca o rezisten i se numete rezistena
dinamic a diodei.
Dac se scriu componentele variabile ale tensiunii i curentului prin diod:
u D = U D0 + u d = U D0 + I d max sin t ; i D = I D0 + i d = I D0 + U d max sin t (2.5)
rezistena dinamic a diodei (rezistena n c.a.) se determin cu formula:

u d U d max
rd = = (2.6)
id I d max
Se observ c rezistena dinamic depinde de poziia PFS. Dac se ine cont de definiia
pantei unei drepte i de faptul c ea arat ct de nclinat este n raport cu abscisa rezult
relaia:
U D
tg = = RD (2.7)
I D
Dac m este panta dreptei de aproximare, rezistena dinamic este inversul pantei:
I D 1
m= rezult RD = (2.8)
U D m
n (fig. 2.9) este prezentat modelul diodei cu caracteristica liniarizat.

ID tg=RD
ID UD0 RD
P
UD
UD
0 UD0
a) b)
Fig. 2.9 Caracteristica liniarizat i schema echivalent a diodei
18
n acest model, n conducie dioda este echivalent cu o surs de tensiune UD0 n serie cu
rezistena dinamic a diodei RD.
2.2.4. Redresarea folosind diode semiconductoare

Necesitatea redresrii curentului alternativ apare deoarece generarea i transportul
energiei de curent alternativ este mai avantajoas dect n cazul curentului continuu i deoarece
majoritatea echipamentelor electronice sunt alimentate cu energie electric de curent continuu.
2.2.4.1 Redresarea unei singure alternane

Se consider schema din (fig. 2.10) unde sarcina, reprezentat prin rezistena RS este
alimentat de la reea prin intemediul transformatorului Tr i diodei redresoare D.
U2
UD
U2
U2
UD US
U1 US
a) b)
Fig. 2.10 Redresare monoalternan: schema electric (a) i diagrame temporale (b)
Dac se alimenteaz primarul transformatorului cu tensiunea u1 = U1max cost n

secundar se va induce tensiunea u2 = K u1 = KU1max cost = U 2 max sin t . Scriind T2K n
secundarul transformatorului se obine relaia uD=u2-RSiD; rezult iD=-1/RSuD+u2/RS. Aceasta
reprezint ecuaia dreptei de sarcin a diodei.
n timpul alternanei pozitive a tensiunii u2 (0T/2), dioda este deschis conducnd
curentul ID=IS iar uD este zero. n momentul t=T/4 cnd tensiunea u2 atinge valoarea maxim
U2max curentul atinge i el valoarea maxim Imax (punctul P).
n timpul alternanei negative a tensiunii u2 (T/2T), dioda este blocat , curentul ID=IS=0
, uS este zero iar uD=u2.
Deci: -curentul prin rezistorul de sarcin iS urmrete n faz variaia tensiunii din
secundarul transformatorului u2.
-tensiunea la bornele rezistorului de sarcin variaz n faz cu curentul (uS
=RSiS);
-cnd dioda este blocat, ntreaga tensiune din secundarul transformatorului U2m
cade pe ea, deci trebuie ca U2m s nu depeasc tensiunea de strpungere.
Pentru a se exprima performanele redresrii monoalternan se face analiza Fourier a

semnalului redresat (tensiunea uS sau curentul iS). Rezult expresiile:
U max
U max 2U max 2U max
u S (t ) = + cos t cos 2t cos 4t + ..... (2.9)
2 3 15
I I 2I 2I
iS (t ) = max + max cos t max cos 2t max cos 4t + ..... (2.10)
2 3 15
19
Dac se rein numai primii doi termeni rezult:
U max U max
u S (t ) = + cos t = U 0 + U max
'
cos t (2.11)
2
I I
iS (t ) = max + max cos t = I 0 + I max
'
cos t (2.12)
2
unde: U0 (I0) sunt componentele continue (valori medii) ale tensiunii (curentului)
redresate:

1 U
U0 =
2 0
U max sin d = max

(2.13)
Umax(Imax) sunt valorile maxime pentru tensiunea (curentul) redresat.

Tensiunea u2 din secundarul transformatorului are valoarea medie (continu) egal cu
zero, n timp ce tensiunea redresat uS aplicat rezistenei de sarcin va avea o valoare medie
(componenta continu) de aproximativ o treime din valoarea maxim a tensiunii din secundarul
transformatorului, Umax/.
Parametrii redresorului monoalternan sunt:
-Factorul de ondulaie:
'
U max
= = = 1,57 (2.14)
U0 2
-Puterea util n curent continuu (de ieire):
2
I
Pucc = I 02 RS = max RS (2.15)

-Puterea n c.a. transmis de transformator elementului redresor (de intrare):
2
I max
Pca = I ef2 (RD + RS ) = (R D + R S ) (2.16)
2
-Randamentul redresorului:
Pucc 2 RS
= = 2 (2.17)
Pca RD + RS
Se observ c la ieirea redresorului se obine o tensiune pulsatorie la care factorul de
ondulaie este foarte mare (1,57). Pentru a micora acest factor se conecteaz n paralel cu
rezistena de sarcin RS un condensator de capacitate mare care are rolul de netezire a vrfurilor
tensiunii redresate (fig. 2.11,a).
ntr-un interval de timp t=RDC (relativ mic fa de perioada T a tensiunii u2) dioda este
n conducie, tensiunea pe condensatorul C (i pe sarcina Rs) urmrete tensiunea u2.
Condensatorul C se ncarc prin RD la valoarea maxim a tensiunii u2. n tot restul intervalului
(=RSC), deoarece u2 va fi mai mic dect us rezult c dioda se blocheaz i condensatorul C se
descarc exponenial pe rezistena de sarcin, mult mai lent dect scade la zero tensiunea u2 .
Tensiunea us scade de la valoarea Umax cu uS . Variaia tensiunii pe condensator i implicit pe RS
, us se numete tensiune de ondulaie. Factorul de ondulaie n acest caz are valoare mic
=0,050,1.
n practic se pune problema calculrii valorii condensatorului care asigur o anumit
tensiune de ondulaie us. Pentru aceasta se pornete de la sarcina acumulat n condensator pe
timpul t cnd conduce dioda:
Q = C u S (2.18)
Conform teoremei conservrii sarcinii, sarcina acumulat de condensator n timpul t
cnd dioda conduce este egal cu sarcina descrcat de acesta n timpul (T-t)T cnd dioda este
blocat:
20
U max
Q I S T unde IS (2.19)
RS
Egalnd cele dou relaii de mai sus rezult valoarea capacitii pentru o ondulaie us
dat:
U max 1 U max
C u S = iar C = (2.20)
RS f RS u S f
Cu ajutorul acestei formule se poate calcula i valoarea ondulaiei tensiunii redresate
pentru o valoare dat a condensatorului C:
U max
u S = (2.21)
RS C f
Cu ct valorile rezistenei de sarcin RS i condensatorului C sunt mai mari, cu att
filtrarea este mai bun, adic ondulaia us este mai mic. Filtrarea prin condensator se
recomand la cureni de sarcin slabi.
Exemplu: pentru C=5 F, Rs=2 k, Uef =24 V (Umax=33,9 V), f=50 Hz rezult
uS25,78 V (fig. 2.24 b). Invers, dac se impune tensiunea de ondulaie uS =1 V rezult
valoarea condensatorului de C=340 F (fig. 2.11, c). n acest caz tensiunea efectiv msurat pe
sarcin este de aprox. 32 Vcc (transformatorul Tr are raportul de transformare 1:1).
Pe lng valoarea capacitii C, la alegerea condensatorului trebuie specificat tensiunea

nominal i curentul ondulatoriu.
Atunci cnd se alege dioda redresorului trebuie inut cont c ea suport periodic o
tensiune invers egal cu 2Umax (deoarece n alternana negativ tensiunea din secundarul Tr
ajunge la Umax n timp ce condensatorul rmne practic ncrcat la +Umax). Acest lucru se
observ i din oscilogramele prezentate n (fig. 2.11 b, c), sus. n proiectare se impune condiia
ca VRRM >4Umax.
n practic pentru reducerea ondulaiilor se mai folosesc bobine de oc sau filtre LC (RC)
trece jos.
a) b) c)
Fig. 2.11 Redresare monoalternan urmat de filtrare: schema
electric (a), forme de und pentru C=5 F (b) i C=50 F
innd cont de us , valoarea componentei continue a tensiunii pe sarcina RS la

redresorul monoalternan prevzut cu filtru capacitiv este dat de formula:
u S U max
U Scont . U max U max (2.22)
2 2 f RS C
21
2.2.4.2 Redresarea ambelor alternane
La redresoarele monofazate se folosete o singur alternan. Pentru creterea
randamentului redresorului se redreseaz ambele alternane ale tensiunii alternative:
- cu transformator avnd priz median n secundar i dou diode redresoare;
- cu transformator i punte format din patru diode redresoare.
2.2.4.2.1 Redresor dubl alternan cu priz median n secundar

n (fig. 2.12,a) este prezentat schema redresorului dubl alternan cu priz median n
secundarul transformatorului. Tensiunea u1 aplicat primarului induce n cele dou jumti ale
secundarului tensiunile u21 i u22 egale i n antifaz.
US
U22 U21
UD1
U21
U22
US
UD2 U21
a)
UD1
IS
U22
ID1
UD2
ID2
b) c)
Fig. 2.12 Redresare bialternan cu priz median n secundar: schema
electric (a), diagrame temporale pentru cureni (b) i tensiuni (c)
n semialternana n care u21 polarizeaz dioda D1 n sens direct aceasta se deschide
(uD1=0) i curentul prin sarcin este IS=ID1. n acest timp dioda D2 este blocat i pe ea se
aplicat o tensiune invers mai mare (aprox. 2U2max) (fig. 2.12 b,c).
n semialternana urmtoare u21 polarizeaz dioda D1 n sens invers (aceasta se
blocheaz) uD1 2U2max; n schimb u22 polarizeaz direct dioda D2 care se deschide (uD2=0) i
conduce curentul de sarcin IS=ID2. Rezistena de sarcin RS este parcurs tot timpul de curentul IS
n acelai sens (curent continuu).
Se observ c tensiunea redresat este tot pulsatorie dar conine ambele alternane.
Frecvena tensiunii (curentului) redresat este dubl fa de cea a curentului alternativ aplicat la
intrarea redresorului.
Pentru a putea aprecia performanele redresrii bialternan se face analiza Fourier a
semnalului redresat (tensiunea uS sau curentul iS). Rezult expresiile:
2U max 4U max 4U max
u S (t ) = cos 2t cos 4t + ..... (2.23)
3 15
2 I max 4I 4I
i S (t ) = max cos 2t max cos 4t + ..... (2.24)
3 15
22
Se observ c valoarea medie (componenta continu) este dubl fa de redresarea
monoalternan.
Dac se rein numai primii doi termeni rezult:
2U max
4U max
u S (t ) = cos 2t = U 0 U max
'
cos 2t (2.25)
3
2I 4I
iS (t ) = max max cos 2t = I 0 I max
'
cos 2t (2.26)
3
Rezult i analitic c frecvena i valoarea medie (constant) este dubl fa de varianta
redresrii monoalternan.
Parametrii redresorului bialternan sunt:
-Factorul de ondulaie:
'
U max 2
= = = 0,67 (2.27)
U0 3
-Puterea util n curent continuu (de ieire):
2
2I
Pucc = I 02 RS = max RS (2.28)

-Puterea n c.a. transmis de transformator elementului redresor (de intrare):
2
I
Pca = I ef2 (R D + RS ) = max (R D + R S )
(2.29)
2
-Randamentul redresorului:
Pucc 8 RS
= = 2 (2.30)
Pca R D + RS
n acest caz valoarea ondulaiei tensiunii redresate pentru o valoare C a capacitii este:
U max
u S = (2.31)
RS C 2 f
Se observ c randamentul este de patru ori mai mare dect n cazul redresrii
monoalternan iar factorul de ondulaie este de dou ori mai mic.
Dac se monteaz la ieire i un filtru format dintr-un condensator se obine o netezire a
tensiunii redresate.
2.3.4.2.2 Redresor dubl alternan n punte

n (fig. 2.13, a) este prezentat schema unui redresor n punte. n acest caz sunt folosite
ambele alternane ale tensiunii alternative u2 din secundarul transformatorului Tr.
u2
iD1,2
uD1,2
u2
uD1
D3
uD3 iD3,4
uD3,4
u2
uS
uS
D4
uD4 uD2 iS
u2
a) b) c)
Fig. 2.13 Redresare bialternan n punte: schema electric (a), diagrame
temporale pentru tensiuni (b) i cureni (c)
23
n timpul alternanelor pozitive ale tensiunii u2 diodele D1, D2 sunt polarizate direct iar
D3, D4 sunt polarizate invers (blocate). Curentul prin circuit iS se nchide prin secundarul Tr
(sus)-D1-RS-D2-secundar Tr (jos), sensul fiind de la + la (simbolul diodelor arat sensul
curentului).
n timpul alternanelor negative ale tensiunii u2 diodele D1, D2 sunt polarizate invers
(blocate) iar D3, D4 sunt polarizate direct (conduc). Curentul prin circuit iS se nchide prin
secundarul Tr (jos)-D3-RS-D4-secundar Tr (sus), sensul fiind acelai ca n cazul alternanei
pozitive de la + la .
n (fig. 2.13b, c) sunt ilustrate formele de und pentru curenii i tensiunile redresorului.
Se observ c variaia n timp a curentului prin sarcin este aceeai ca n cazul redresrii cu priz
median .
Parametrii redresorului sunt aceiai n afar de Pca i randament unde se nlocuiete RD
cu 2RD.
Cu toate c factorul de ondulaie al redresoarelor dublalternan este redus la jumtate
fa de cele monoalternan i n cazul acestora, pentru obinerea unor tensiuni fr pulsaii se
folosesc filtre de netezire. Pentru o filtrare foarte bun se folosesc mai multe filtre n legate n
serie.
2.3. Dioda stabilizatoare de tensiune (Zener); circuite de stabilizare

Dac se polarizeaz invers o diod cu tensiunea cresctoare Uinv, ncepnd cu tensiunea
de strpungere curentul prin diod Iinv ncepe s creasc foarte mult la o cretere mic a tensiunii
aplicate (fig. 2.14b). Exist trei tipuri de strpungere a diodei: termic, prin efect de cmp (efect
Zener) i prin avalan.
Se formeaz astfel perechi electroni-goluri care sub aciunea cmpului electric se
multiplic n avalan. Ultimele dou tipuri sunt strpungeri nedistructive.
ID
Uinv
Uin UD
Imin
1
RZ Iinv
Imax
2 mA
IZ
a) b)
Fig. 2.14 Dioda stabilizatoare (Zener): simboluri (a),
caracteristica curent-tensiune la polarizarea direct i invers
Diodele a cror funcionare se bazeaz fie pe fenomenul de strpungere Zener fie pe

stpungerea n avalan se numesc diode stabilizatoare de tensiune sau (impropriu) diode Zener.
Prin stabilizare se nelege meninerea (aproape) constant a tensiunii inverse n condiiile
variaiei largi a curentului invers.
Valoarea tensiunii Zener Uinv poate fi controlat prin tehnologie, avnd o dispersie
mare.
n (fig. 2.15) este prezentat modelul diodei stabilizatoare cu caracteristica liniarizat. n

zona Zener (cadranul IV) dioda este echivalent cu o surs de tensiune UZ0 n serie cu rezistena
RZ. Dac este polarizat direct (cadranul I), dioda Zener se comport ca o diod redresoare. Cu
ct RZ este mai mic cu att stabilizarea este mai bun.
24
a) b)
Fig. 2.15 Dioda stabilizatoare (Zener): caracteristica liniarizat (a),
schema echivalent (modelul de semnal mic) (b)
Un stabilizator de tensiune cu diod Zener este prezentat n (fig. 2.16,a). Dioda Zener
este polarizat invers (Anodul la i Katodul la +). Rezistorul R conectat n serie are un dublu
rol: -protejeaz dioda mpotriva strpungerii termice;
-preia surplusul de tensiune de pe diod.
Funcionarea acestui circuit se bazeaz pe proprietatea diodei Zener de a menine

constant tensiunea la borne UZ=US pentru variaii largi ale curentului prin diod IZ, cu condiia
ca dioda s fie polarizat n regiunea Zener sau n regiunea de multiplicare n avalan.
Conform (fig. 2.16,b) curentul prin diod trebuie s fie cuprins ntre IZmin (tipic 5 mA) i IZmax.
a) b)
Fig. 2.16 Stabilizatorul de tensiune cu diod Zener: schema electric
(a), caracteristica static i dreapta de sarcin (b)
Dac se nlocuiete dioda Zener cu modelul su liniarizat pe poriuni prezentat n (fig.

2.15) aceasta va fi caracterizat de sursa UZ0 n serie cu rezistena dinamic RZ.
Dac se scrie T2K se obine:
U i U Z U i (U Z 0 + I Z RZ )
U i = RI R + U Z rezult R= = (2.32)
IR IZ + IS
Dac se traseaz (prin tieturi la axe) dreapta de sarcin, aceasta are coordonatele:
RS
-intersecia cu axa Ox: ( U i , 0);
R + RS
Ui
-intersecia cu axa Oy: (0, )
R
Dac rezistena de sarcin RS=const.; tg = R RS = const. i la variaia tensiunii Ui
dreapta de sarcin se deplaseaz paralel cu ea nsi. Punctul P este punctul de funcionare stabil.
2.4. Alte aplicaii ale diodelor semiconductoare

n continuare sunt prezentate alte cteva din cele mai ntlnite aplicaii ale diodelor
semiconductoare, n afar de redresare i stabilizare a tensiunii.
25
2.4.1. Multiplicatorul de tensiune
n multe echipamente electronice sunt necesare surse care s furnizeze tensiuni mari la
cureni de sarcin mici (expl.: alimentarea tuburilor catodice; ionizatoare de aer; contoare de
particule, etc.). Acestea se numesc multiplicatoare de tensiune i au ca schem de baz dublorul
de tensiune format, pe lng transformatorul de tensiune Tr din condensatoarele C1, C2 i
diodele D1, D2.
n (fig. 2.17) se folosesc dou astfel de celule, astfel
nct se obine o multiplicare cu patru a valorii tensiunii
maxime corespunztoare tensiunii u2=Umaxsint (expl: 2Umax
+ 2Umax).
Pe condensatorul C2, dup cteva perioade ale tensiunii
u2 se regsete o tensiune egal cu 2 Umax. Dac se repet
schema dublorului (n fig.2.17 o dat) se obine o multiplicare Fig. 2.17 Multiplicator
de un numr par de ori a tensiunii din secundarul de tensiune ( x 4Umax)
transformatorului Umax (n cazul prezentat n figur de 4 ori,
fiecare din condensatoarele C2, C4, C2n ncrcndu-se la o tensiune de 2Umax).
Tensiunea obinut la ieirea circuitului este o tensiune continu. n cazul utilizrii mai
multor circuite de multiplicare, deci n cazul unor tensiuni mari trebuie inut seama de acest lucru
la alegerea tensiunii de lucru a condensatoarelor.
2.4.2. Circuite de limitare cu diode

Se mai numesc i limitatoare de amplitudine deoarece limiteaz tensiunea de ieire la
anumite valori precizate. n (fig. 2.18) este prezentat schema unui limitator superior cu diod.
Semnalul de intrare este o tensiune sinusoidal Ui.
R R Uo Ui
U0
Ui UD0
Uo Ui Uo
t
5V UD0 Ui
a) b) c) d)
Fig. 2.18 Circuit limitator cu diod a). extinderea limitei superioare b).
caracteristica de transfer c). forme de und d)
Pentru nelegerea funcionrii se nlocuiete dioda cu modelul su (rezistena dinamic n
serie cu o surs de tensiune UD0 = 0,6 V). n (fig.2.18a) limita superioar este la aproximativ 0,6
V.
n (fig. 2.18 b) limita superioar este extins prin nserierea cu dioda a unei tensiuni de
referin furnizat de o surse de tensiune continu (expl.: pentru o surs de 5 V rezult o limitare
superioar de aprox. 5,6 V). De asemenea aceast tensiune de referin poate fi obinut de pe un
divizor de tensiune.
Circuitul prezentat este un limitator unilateral. Pentru a se obine un limitator bilateral ,
adic pentru limitarea superioar i inferioar la anumite tensiuni se folosete o diod
stabilizatoare .(fig. 2.19)
26
R Uo Ui
UZ0 UZ0 U0
Ui
Uo -UD0
-UD0 t
UZ0 Ui
a) b) c)
Fig. 2.19 Circuit limitator bilateral cu diod Zener
Pentru scderea limitei inferioare se introduce n serie i n opoziie cu dioda
stabilizatoare o a doua diod stabilizatoare. Astfel se poate obine un limitator simetric.
n (fig. 2.20) este prezentat schema unui astfel de limitator. Acesta se folosete la
protejarea instrumentelor de msur i a intrrii amplificatoarelor cu amplificare mare.
R
Ui D1 D2 Uo
Fig. 2.20 Limitator simetric cu diode
2.4.3. Circuite formatoare de impulsuri

n practic diodele se mai folosesc n circuite formatoare de impulsuri, cu ajutorul crora
se obin impulsuri ascuite, pozitive pentru fiecare front cresctor al unui semnal rectangular de
intrare. (fig. 2.21)
Circuitul este format dintr-un derivator (filtrul RC trece-sus). Dac se mai monteaz i o
diod cu catodul spre U2, aceasta va lsa s treac numai impulsurile negative. Amplitudinea
impulsurilor la ieirea acestor circuite este cu aproximativ 0,6 V mai mic dect a impulsurilor
de intrare datorit cderilor de tensiune pe diode.
C D U2
0 t
RS
R US
Ui U2
US
0 t
a) b)
Fig. 2.21 Circuit formator de impulsuri
2.4.4. Circuite pentru refacerea componentei continue

n (fig. 2.22) este prezentat un circuit cu diod folosit pentru obinerea unui tren de
impulsuri cu o valoare medie pozitiv U0, dintr-un tren de impulsuri aplicat la intrare care este
axat fa de zero Ui.
C
D t
Ui U0
Fig. 2.22 Circuit pentru refacerea componentei continue a unui semnal
27
3. TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistorul bipolar (TB) a fost descoperit n anul 1948. Spre deosebire de diod care
este un element pasiv, TB este un element activ deoarece permite realizarea funciei de
amplificare.
3.1. Structura i funcionarea TB

Este un dispozitiv electronic cu trei terminale: emitor (E), baz (B) i colector (C).
Structural este format din trei zone semiconductoare, dopate diferit cu purttori de sarcin
(pozitivi i negativi). Zona central baza este mult mai subire n comparaie cu celelalte dou
regiuni (aprox. 1m). n funcie de poziionarea acestor zone, tranzistoarele sunt de dou
categorii: de tip npn i de tip pnp. (fig. 3.1.a i b)
Fig. 3.1 Structura i simbolul tranzistoarelor npn (a), pnp (b) i identificarea
terminalelor pentru capsula TO-92 plastic
Cele trei zone sunt separate de dou jonciuni, jonciunea emitor-baz (jBE) i
jonciunea colector-baz (jBC). Astfel structura tranzistorului poate fi reprezentat prin dou
diode montate n opoziie. (fig. 3.2)
C C
B B
npn pnp
E E
Fig. 3.2 Structura tranzistorului cu dou diode n opoziie
Aceast structur este util n cazul testrii tranzistoarelor, identificrii bazei i stabilirii
tipului acestora cu ajutorul unui ohmetru.
Totui funcionarea tranzistorului ca dispozitiv electronic este diferit de cea a dou
diode montate n opoziie; funcionarea se bazeaz pe efectul de tranzistor.
Dac se consider un tranzistor de tip npn polarizat conform (fig. 3.3). Tensiunea
EC>EB. Cele dou zone ale emitorului i colectorului sunt puternic dopate cu impuriti de tip n
(donoare de electroni). Regiunea bazei este slab dopat cu impuriti de tip p (acceptoare de
electroni). Cmpul electric creat de sursa EB injecteaz electroni din emitor n regiunea bazei, la
fel ca n cazul unei diode polarizat direct. Datorit ngustimii i a slabei dopri a bazei, puini
electroni liberi injectai din emitor se recombin n baz, cei mai muli difuznd n zona
colectorului. Jonciunea CB nu se comport ca o diod, ci las s treac un curent important spre
colector, curent de electroni liberi (curentul de colector). Acesta este n principal efectul de
tranzistor sau de baz subire.
28
Electronii recombinai n baz ar duce treptat la negativarea acesteia i deci la
modificarea polarizrii jonciunii EB. Acest lucru nu se ntmpl deoarece plusul sursei EB va
furniza continuu cte un gol care va compensa electronul fixat n baz prin recombinare. Astfel
prin terminalul bazei circul permanent un curent de goluri (curentul de baz).
Datorit faptului c funcionarea tranzistorului se bazeaz pe circulaia celor dou tipuri
de purttori de sarcin (electroni-purttori negativi-curent de colector i goluri-purttori pozitivi-
curent de baz) tranzistorul se numete bipolar.
n mod normal jonciunea emitor-baz este polarizat direct, iar jonciunea colector-
baz este polarizat invers. Se spune c tranzistorul bipolar este polarizat n regiunea activ
normal (RAN) i funcioneaz ca amplificator. Cu ajutorul unui curent de baz mic se poate
comanda un curent de colector mare.
3.2. Relaii fundamentale; modelul static al TB

n (fig. 3.3) este prezentat simbolul unui tranzistor de tip npn, mpreun cu notaiile
referitoare la cureni, poteniale i tensiuni.
C
IC
IB
B
UCE VC
UBE IE
E VE
VB
Fig. 3.3 Simbolul i notaiile mrimilor curenilor i

tensiunilor pentru tranzistorul npn
Cu notaiile din figur, mrimile care caracterizeaz funcionarea tranzistorului npn
sunt:
-VE, VB, VC sunt potenialele emitorului, bazei i colectorului fa de un potenial de
referin (masa circuitului);
-IE, IB, IC sunt curenii prin terminalele emitorului, bazei i colectorului;
-UBE, UBC, UCE sunt tensiunile dintre terminale, exprimate prin relaiile:
U BE = VB VE

U BC = VB VC (3.1)
U = V V
CE C E
n simbolul tranzistorului, printr-o sgeat este indicat sensul real al curentului de

emitor, atunci cnd acesta funcioneaz n regiunea activ.
Curentul de emitor IE se datoreaz electronilor injectai din emitor n baz i conform
conveniei prin care s-a ales ca sens al curentului sensul de micare al purttorilor pozitivi de
sarcin (golurile), deci sensul opus micrii electronilor, curentul iese din emitor.
* Conform acestei convenii, un curent are sensul de la un potenial mai ridicat ctre un
potenial mai sczut, dei electronii circul n sens invers.
Curentul de colector IC este dat de electronii care, datorit bazei subiri au trecut din
baz n colector. (la fel sensul este contrar deplasrii electronilor)
Curentul de baz IB este format din golurile care nlocuiesc electronii care se
recombin i se fixeaz n baz. Curenii de baz i colector intr n tranzistor. Astfel dac se
consider tranzistorul ca un nod i se scrie T1K rezult:
29
I E = I B + IC (3.2)
Dac se definete ctigul static n curent sau raportul static de transfer al curentului
h21E sau prin relaia:
I
h21E = = C (3.3)
IB
Acest parametru se mai noteaz cu hFE sau F i se numete factor de amplificare n
curent continuu (DC current gain) i are valori uzuale cuprinse ntre 10..1000.
Rezult:
IC = I B (3.4)
Se observ c n colector tranzistorul se comport ca un generator de curent la care
curentul de colector este comandat (este dependent) de curentul de baz.
nlocuind n (3.2) rezult c:
I E = I B + I B = I B (1 + ) (3.5)
n practic se poate aprecia c:

IC I E (3.6)
Cum jonciunea emitor-baz se comport ca o diod i dac se nlocuiete dioda cu

modelul su pentru polarizare direct se obine modelul static pentru tranzistorul funcionnd n
regiunea activ (fig. 3.4):
IB IC I B IB IC IB
B C B C
UBE0
IE IE
E E
a) b)
Fig. 3.4 Modelul static pentru tranzistorul npn
Tensiunea UBE este de 0,6 V n cazul tranzistoarelor cu siliciu. n cazul tranzistoarelor
pnp se schimb sensurile curenilor i tensiunilor precum i sensul diodei i al tensiunii UBE.
3.3. Conexiunile i caracteristicile TB

Dac se privete un tranzistor ca un diport (cuadripol), acesta poate lucra n trei tipuri de
conexiuni i anume:
-conexiunea emitor comun (EC): -mrimi intrare (IB, UBE);
-mrimi ieire (IC, UCE) (fig. 3.6 a);
-conexiunea baz comun (BC): -mrimi intrare (IE, UBE);
-mrimi ieire (IC, UCB) (fig. 3.6 b);
-conexiunea colector comun (CC): -mrimi intrare (IB, UBC);
-mrimi ieire (IE, UEC) (fig. 3.6 c).
Terminalul comun aparine att circuitelor de intrare ct i circuitelor de ieire.
Semnalul (tensiunea) de intrare se aplic prin partea stng, iar cel de ieire se obine n partea
dreapt.
n (fig. 3.5) sunt prezentate tipurile de conexiuni n care poate funciona un tranzistor
npn. n cazul tranzistorului tip pnp se inverseaz sensurile tensiunilor i curenilor.
30
INTRARE IEIRE INTRARE IEIRE INTRARE IEIRE

IC IE IC IE
IB IB
UCE UBC UEC
UBE
UBE UBC
a) b) c)
Fig. 3.5 Conexiunile tranzistorului npn: EC-a, BC-b, CC-c

Pentru a aprecia comportarea n curent continuu a unui tranzistor bipolar trebuie trasate
caracteristicile acestuia, n funcie de tipul conexiunii. Acestea sunt:
-caracteristici de ieire prezint dependena dintre mrimile de ieire; aceast
dependen este parametrizat n funcie de una din mrimile de intrare; pentru fiecare valoare a
parametrului rezult o caracteristic, astfel nct n final rezult o familie de caracteristici.
Aceste caracteristici de ieire fac parte din specificaiile de catalog ale tranzistoarelor.
Expl: -pt. conexiunea EC avem I C = f (U CE ) I B = ct unde IB este parametru;
-pt. conexiunea BC avem I C = f (U CB ) I E = ct unde IE este parametru;
n (fig. 3.6) sunt prezentate caracteristicile de ieire I C = f (U CE ) I B = ct pentru
tranzistoare npn (a) respectiv pnp (b), n conexiune EC.
IC
IC [mA]
UCE
IBk>IB1
IB1
[V]
0 UCE
a) b)
Fig. 3.6 Caracteristici de ieire IC=f(UCE) cu IB parametru: a) pentru un transistor

npn b) pentru un transistor pnp
n cazul modelului idealizat din (fig. 3.6 b) curentul IC=IB nu depinde de tensiunea
UCE i caracteristicile de ieire ar trebui s fie paralele cu axa tensiunilor. n realitate ele prezint
o uoar cretere.
Caracteristicile sunt reprezentate n cadranul nti pentru tranzistorul de tip npn i n
cadranul trei pentru tranzistorul de tip pnp. La tranzistorul pnp UCE<0 (potenialul colectorului
VC este mai sczut dect potenialul emitorului VE). De asemenea se ine cont de sensul de
referin standardizat care spune c un curent este pozitiv dac intr n tranzistor i negativ
dac iese. n cataloage se reprezint i caracteristicile de ieire pentru tranzistoarele pnp tot n
cadranul nti deoarece sunt reprezentate n coordonate (-IC, -UCE).
-caracteristici de intrare prezint dependena dintre mrimile de intrare; aceast
dependen este parametrizat n funcie de una din mrimile de ieire.
Expl: -pt. conexiunea EC avem I B = f (U BE ) U BC = ct unde UBC este parametru;
31
-pt. conexiunea BC avem I E = f (U CB ) U BC = ct unde UBC este parametru;
n (fig. 3.7) este prezentat caracteristica de intrare pentru un transistor funcionnd n
conexiunea EC. Aceasta este de fapt caracteristica unei diode semiconductoare.
IB [mA]
UBC1 UBC2>UBC1
0 [V]
0,6 UBE
Fig. 3.7 Caracteristica de intrare n conexiunea EC
3.4. Dreapta de sarcin static, punctul de funcionare static i

regiunile de funcionare ale TB
Se consider tranzistorul npn funcionnd n conexiune EC prezentat n (fig. 3.8 a):
IC
+EC EC/RC IB1>IB0
PFS1
IC
PFS
IB0
I C I C0
RC PFS2 IB2 <IB0
IB RB
+EB UCE
UCE
UBE 0
UCE0 EC
UCE
a) b)
Fig. 3.8 Tranzistor npn n conexiune EC a) i aflarea punctului static de
funcionare PFS b)
Pentru analiza comportrii tranzistorului se traseaz caracteristicile de ieire IC=f(UCE) .
Sunt trasate trei caracteristici, pentru trei valori ale curentului de baz IB. Legtura impus de
circuitul exterior mrimilor IC i UCE este dat de dreapta de sarcin care se obine scriind T2K
n ochiul EC:
EC = IC RC + UCE (3.7)
Particulariznd ecuaia dreptei de sarcin (3.7) pentru UCE=0 i IC=0 se obin
interseciile cu axele (Oy) respectiv (Ox) (dreapta prin tieturi) (fig. 3.6 b).
Punctul de funcionare static (PFS) de coordonate (UCE0, IC0) se obine la intersecia
dintre dreapta de sarcin i caracteristica de ieire a tranzistorului.
Pentru a afla valoarea curentului de baz fixat se scrie T2K n ochiul bazei:
E B = I B R B + U BE (3.8)
Rezult:
E U BE
IB = B (3.9)
RB
32
Unde UBE 0,6 V pentru tranzistoare cu siliciu.
Se observ c dac se crete valoarea curentului de baz la IB1 > IB0 PFS se deplaseaz
spre stnga, n PFS1. Dac curentul de baz scade la IB2 < IB0 , PFS se deplaseaz, pe dreapta de
sarcin spre dreapta-jos n PFS2.
Dac se iau dou puncte de pe dreapta de sarcin, se definete panta dreptei de sarcin
astfel:
I c 1
tg = = (3.10)
U C RC
Analiznd caracteristicile de ieire din (fig. 3.9 a) se disting urmtoarele regiuni (zone)
de funcionare distincte:
-regiunea de saturaie;
-regiunea activ normal (RAN);
-regiunea de blocare;
-regiunea de strpungere n avalan.
Se observ c pentru valori mici ale tensiunii UCE (<0,2 V) curentul de colector IC crete
rapid. Aceasta este regiunea de saturaie a funcionrii tranzistorului. La saturaie UCEsat are
valori tipice de 0,10,2 V pentru tranzistoarele de mic putere, respectiv 12 V pentru
tranzistoarele de mare putere.
Pentru valori mari ale tensiunii UCE (aprox. 45 V) curentul de colector crete brusc,
tranzistorul distrugndu-se prin strpungere n avalan. Aceasta este regiunea de strpungere.
Zona cuprins ntre regiunea de saturaie i regiunea de blocare se numete regiune
activ normal (RAN) , punctele A-B.
IBSat IC [mA] IBSat
IC [mA]
ICM
A RAN RAN
Saturaie Pdmax
IB=0
IB=-ICB0
B
[V] [V]
0 UCE 0
Blocare Blocare UCE0 UCE
Fig. 3.9 Regiunile de funcionare ale tranzistorului bipolar
Dac TB lucreaz n RAN, cu jonciunea BE polarizat direct iar jonciunea BC
polarizat invers, PFS se afl ntre punctele A-B, pentru un anumit curent de baz IB. Dac acest
curent crete, PFS se deplaseaz spre punctul A (IC crete iar UCE scade); n momentul n care
UCE =UBE (UBC=0) PFS iese din regiunea activ i intr n regiunea de saturaie. Particulariznd
relaia (3.7) pentru punctul A rezult:
E 0,6
I CSatA = C (3.11)
RC
Curentul din baz pentru care se intr n saturaie va fi:
I
I BSatA = CSatA (3.12)

La un tranzistor saturat tensiunile ntre terminale pot fi considerate neglijabile iar
curenii sunt practic fixai numai de circuitul exterior. Tranzistorul saturat poate fi astfel
aproximat ca un scurtcircuit sau ca un comutator nchis.
33
Funcionarea tranzistorului n regiunea de blocare se caracterizeaz prin polarizarea
invers a celor dou jonciuni (UBC<0 i UBE<0 n cazul tranzistorului npn). La blocare, UBE=0,
IE=0. n aceste condiii rezult IC=ICB0 (curent rezidual de colector, cu emitorul ntrerupt;
depinde mult de temperatur) i IB=-ICB0. Pentru a se asigura blocarea ferm a tranzistorului nu
este sufficient ca IB=0 i se aplic o tensiune de polarizare invers jonciunii BE. La polarizri
inverse, jonciunea BE se comport ca o diod Zener, cu tensiunea de strpungere UEB6 V.
Aceast tensiune este limitat la aprox. 1 V prin montarea unei diode de protecie ca n (fig.
3.10).
Fig. 3.10 Dioda de protecie jonciune EB

n cazul blocrii tranzistorului
La un tranzistor blocat curenii sunt neglijabili iar tensiunile ntre terminale sunt fixate
de circuitul exterior. Tranzistorul blocat poate fi modelat printr-un comutator deschis, deci ca o
ntrerupere de circuit.
Puterea disipat medie este:
1T
Pdmed = iC uCE dt (3.13)
T 0
Puterea disipat n PFS este:
Pd0 = I C0 U CE
0
(3.14)
Puterea disipat n tranzistor nu poate depi o valoare maxim dat Pdmax (fig. 3.7),
pentru o anumit temperatur ambiant.
3.5. Circuite de curent continuu cu TB

Pentru a putea funciona (ndeplini anumite funcii) TB trebuie mai nti polarizat. n
legtur cu schemele de polarizare se pun dou tipuri de probleme i anume:
-proiectarea circuitului;
-analiza circuitului.
Proiectarea circuitului de polarizare const n impunerea unui PFS pentru tranzistor i

calcularea elementelor exterioare acestuia (EC, RB, RC).
Analiza circuitului presupune cunoaterea elementelor EC, RB, RC i determinarea PFS

n care lucreaz tranzistorul.
Tranzistorul este dat prin coeficientul . Datorit dispersiei lui tehnologice, poziia PFS
se modific funcie de tipul fiecrui tranzistor, prin . O alt cauz major pentru instabilitatea
PFS este temperatura.
Instabilitatea PFS prin modificarea lui prin dispersie tehnologic
n (fig. 3.11) este prezentat schema de polarizare a bazei prin rezistena RB.
34
+EC
RB RC
IB
UCE
UBE
Fig. 3.11 Schema de polarizare pentru tranzistorul npn
La proiectarea circuitului de polarizare se impune un anumit PFS pentru un tranzistor
dat (IC=IC0 i UCE=UCE0). De exemplu pentru un tranzistor tip BC171 IC=IC0=2 mA i
UCE=UCE0=5 V. Coeficientul =h21=125900 (n calcule se ia valoarea medie 500).
Pentru alegerea tensiunii continue de alimentare se pune condiia ca PFS s se afle la
jumtatea RAN, pentru a asigura excursia simetric maxim a tensiunii de ieire UCE n jurul
PFS dat de UCE0. Pentru aceasta alegem o surs cu tensiunea dubl tensiunii UCE0 :
Ec 2 UCE0 (3.15)
Cunoscnd EC i scriind T2K n circuitul colectorului rezult:

E U CE 0
RC = C (3.16)
IC0
n mod analog, scriind T2K pentru circuitul bazei rezult:

E U BE 0
RB = C (3.17)
I B0
Cum UBE0 EC i IC=IB rezult:

EC EC
RB = (3.18)
I B0 IC0
Astfel a fost proiectat circuitul de polarizare al tranzistorului care asigur funcionarea
cu =500 n PFS impus. Se pune ntrebarea ce se ntmpl n cazul n care, datorit dispersiei
tehnologice valoarea ia o alt valoare?
Din relaia (3.16) , impunnd rezistena de polarizare a bazei RB rezult c circuitul
exterior fixeaz curentul de baz la valoarea constant:
E
I B 0 c = ct. (3.19)
RB
Dac se folosesc alte tranzistoare de acelai tip dar avnd diferit, ecuaia pentru UCE0
va fi (din relaia 3.16):
R
U CE 0 = EC I B 0 RC = EC 1 C (3.20)
RB
i se vor obine alte PFS deplasate, astfel nct excursia de tensiune se micoreaz.
Deci n cazul circuitului de polarizare prezentat, PFS este puternic dependent de factorul
al tranzistorului.
n (fig. 3.12) este prezentat schema de polarizare a bazei cu stabilizarea
parial a PFS.
35
+EC
RC
RB
IB UCE
UBE
Fig. 3.12 Schema de polarizare cu stabilizare parial a PFS

Se parcurg aceiai pai ca n cazul precedent (se impune PFS, se alege , se stabilete
tensiunea sursei de alimentare), se calculeaz rezistenele de polarizare cu formulele:
E U CE 0 EC U CE 0
RC = C (3.21)
I C 0 + I B0 IC0
i
U U BE 0 U CE 0 U CE 0
RB = CE 0 = (3.22)
I B0 IC0 IC0

Din relaia (3.22), fixnd valoarea rezistenei RB se calculeaz valoarea curentului prin
baz la funcionarea tranzistorului n PFS cu formula:
U U BE 0 U CE 0
I B 0 = CE 0 (3.23)
RB RB
Se observ c n acest caz, curentul de baz nu este fixat ci este dependent de tensiunea
colector emitor n PFS, U0CE .
Dac se exprim U0CE din (3.21) i folosind (3.23) rezult:
0 U0
U CE = EC RC I C0 = EC RC I B0 = EC RC CE
RB
0 EC
U CE = (3.24)
R
1+ C
RB
Dac se nlocuiete cu valori egale cu cele din exemplul precedent de polarizare, PFS
se deplaseaz, dar cu o valoare mai mic (reflectat prin modificarea tensiunii U0CE ).
Stabilizarea PFS se realizeaz prin urmtorul lan cauzal:
Dac
(3.3) (3.23) (3.22) (3.3)

=h21 I0 C U0CE I0 B I0 C
Astfel prin reacia negativ n curent continuu are loc o compensare a modificrii
factorului care iniial duce la creterea curentului I0C pentru ca, n final curentul I0C s scad.
n (fig. 3.13 a) este prezentat schema de polarizare a bazei cu stabilizarea total a PFS.
36
Pentru polarizarea bazei se folosete divizorul rezistiv format din rezistenele RB1, RB2. Dac se
scrie ecuaia dreptei de sarcin static a tranzistorului:
EC = IC ( RE + RC ) + UCE (3.25)
Aceast dreapt este trasat prin tieturi n (fig. 3.13 b):

EC
-pentru UCE=0 rezult I C = ;
RE + RC
-pentru IC=0 rezult UCE = EC
+E +EC
IC [mA]
RC
RB1 RC
IC IB RB I B
IB PFS EB
UCE I0 C
UBE0
RB2 RE RE
UCE [V]
0
U0CE
a) b) c)
Fig. 3.13 Schema de polarizare cu stabilizare total a PFS a), dreapta de sarcin b),
circuitul echivalent (modelul tranzistorului) c)
Pentru a asigura o excursie simetric a tensiunii de ieire UCE se alege PFS la mijlocul
RAN. Acest lucru se traduce prin urmtoarele dou condiii:
0 1
U CE = EC (3.26)
2
1 EC
I C0 = (3.27)
2 RE + RC
Dac ne propunem proiectarea circuitului trebuie parcurse etapele:
Etapa 1:
Se alege tipul tranzistorului, de exemplu BC 171.
Etapa 2:
Se impune poziia PFS prin (U0CE , I0C ). (Expl: U0CE =5 V i I0C=2 mA)
Etapa 3:
Folosind (3.26) se alege sursa de alimentare:
0
EC = 2 U CE (3.28)
(Expl: EC=10 V)
Folosind (3.27) se obine suma RE+RC :
E
RE + RC = C0 (3.29)
2 IC
(Expl: RE+RC=2,5 k)
37
Etapa 4:
Pentru alegerea rezistenei RE se alege potenialul emitorului VE de aprox. 1 V. Un
potenial VE prea mic sensibilizeaz PFS cu temperatura (datorit UBE0), n timp ce un potenial
prea mare limiteaz excursia tensiunii de ieire UCE.
V V
RE = E E0 (3.30)
I E IC
(Expl: RE=1V/2mA=0,5k)
Etapa 5:
Se calculeaz potenialul bazei cu formula:
V B = V E + U BE (3.31)
(Expl: VB=1+0,6=1,6 V)
Etapa 6:
Se calculeaz valoarea maxim a curentului de baz care s-ar obine pentru min al
tranzistorului. n exemplul considerat, pentru BC171 min este 125 i rezult:
I0
I B0 max = C = 16A
125
Etapa 7:
Baza tranzistorului este polarizat prin divizorul format din RB1 i RB2. Pentru ca
potenialul bazei s fie independent de curentul din baz se alege un curent prin divizor egal cu:
I div = 10 I B0 max (3.32)
(Expl: Idiv=0,16mA)
n acest caz potenialul bazei va fi calculat cu formula:
RB 2
VB = EC (3.33)
R B1 + R B 2
Etapa 8:
Se determin rezistenele care formeaz divizorul bazei cu formulele:
V
RB 2 = B (3.34)
I div
EC VB
EC VB
RB1 = (3.35)
I div + I B0
I div
(Expl: RB2=1,6V/0,16mA=10k i RB1=(10-1,6)/0,16mA=52,5k)
Valorile rezistenelor se aleg din valorile normalizate (Expl: 10k i 51k). Diferenele
fa de valorile calculate, toleranele acestora i faptul c nu s-a inut cont de UCEsat face ca PFS
s nu fie chiar n centrul RAN.
Se observ c pentru Idiv 10 IB , PFS nu depinde de al tranzistorului.
Dac se cunosc elementele circuitului (EC, RB1, RB2, RC, RE) se poate face analiza
circuitului. Acest lucru nseamn determinarea PFS. Pentru aceasta:
-din (3.31) se calculeaz VB;
-din (3.30) se calculeaz VE;
V
-se calculeaz: I C0 = E
RE
0
-se calculeaz: U CE = EC I C0 ( RE + RC )
38
Instabilitatea PFS prin modificarea parametrilor tranzistorului datorit temperaturii

Parametrii tranzistorului care sunt dependeni de temperatur sunt:
-ctigul de curent =h21 crete odat cu creterea temperaturii;
-tensiunea U BE0 scade cu 2,5 mV/C;
-curentul rezidual de colector ICB0 (este curentul invers al jonciunii CB dac emitorul
este n gol) crete cu temperatura;
3.6. Comportarea TB la semnal mic. Modele dinamice

Comportarea TB la semnal mic intereseaz n special la studiul amplificatoarelor.
Semnal mic nseamn variaiile mici ale mrimilor n jurul valorilor ce caracterizeaz PFS.
Parametrii importani care caracterizeaz comportarea TB la variaii mici sunt:
1. Ctigul n curent la variaii mici h21e (msurat cu tranzistormetrul)

I i
h21e = c = cv (3.36)
I B ibv
Acest parametru se mai noteaz cu hfe i se numete factor de amplificare n curent
alternativ (AC current gain) i are valori uzuale mai mari dect hFE = h21E .
Definiia acestui parametru este ilustrat n (fig. 3.14) pentru un = 500.
IC[mA]
I C
5 I B
IB[A]
10
Fig. 3.14 Dependena curentului de colector de curentul bazei h21e
2. Impedana de intrare h11e
Dac semnalul de intrare se aplic ntre BE atunci tranzistorul se poate afla fie n
conexiunea BC, fie n conexiunea EC (fig. 3.15); n prima variant impedana de intrare h11e este
vzut dinspre emitor, iar n a doua variant dinspre baz.
UBE UBE
BC EC
Fig. 3.15 Impedana de intrare h11e vzut dinspre emitor (BC) sau dinspre baz (EC)
Tranzistorul funcioneaz n PFS i i se aplic un semnal de variaii mici n jurul acestui
PFS. Pentru conexiunea BC, rezistena (impedana) vzut va fi:
U BE u 25
re = = bev (3.37)
IE i ev I E [ mA ]
39
Pentru conexiunea EC (cum icv iev , se nmulete i se mparte cu aceti cureni)
impedana de intrare va fi :
U BE u i i u
h11 e = = bev cv = cv bev h 21 e re (3.38)
I B ibv iev ibv iev
Dac pentru regimul static relaia dintre cureni este:

I E = IC + I B
Pentru regimul de semnal mic devine:
iev = icv + ibv = h21e ibv + ibv h21e ibv (3.39)
Sintetiznd relaiile ntre variaiile de tensiune i curent rezult:
i
-Din h21e = cv rezult: icv = h21e ibv (surs de curent) (3.40)
ibv
u
-Din h11e = bev rezult: ubev = h11e ibv (3.41)
ibv
- iev = ibv + icv (3.42)
Dac se reprezint ultimele trei relaii sub form de circuit se obine modelul n parametri h
simplificat al tranzistorului bipolar (fig. 3.16):
ibv icv
B C
h11e h21eibv
iev
E
Fig. 3.16 Modelul dinamic n parametri h simplificat pentru TB
Astfel TB este un dispozitiv electronic comandat n curent, generatorul de curent

variabil din colector fiind dependent (comandat) de curentul din baz (de intrare).
Dac se exprim curentul colectorului n funcie de tensiunea variabil de intrare se
obine:
u h
icv = h21e ibv = h21e bev = 21e ubev = g m ubev (3.43)
h11e h11e
Parametrul g m se obine din relaia:

icv
h21e i i 1
gm = = bv = cv = (3.44)
h11e ubev ubev re
ibv
i se numete transconductan (este inversa rezistenei re).

nlocuind n (fig. 3.16) se obine modelul simplificat al tranzistorului bipolar (fig.
3.17):
40
ibv icv
B C
h11e
gmubev
ubev iev
E
Fig. 3.17 Modelul dinamic n simplificat pentru TB
Modelul n simplificat poate fi completat (adaptat) pentru a descrie comportarea TB la

nalt frecven.
Pentru semnale de amplitudine mic se consider TB ca un cuadripol liniar (fig. 3.18):
cuadripol
icv
ibv
ubev ucev
Fig. 3.18 TB privit ca un cuadripol

Comportarea tranzistorului la semnal mic poate fi descris prin relaiile liniare ntre
curenii i tensiunile de intrare, respectiv ieire:
ubev = h11e ibv + h12 e ucev

(3.45)
icv = h21e ibv + h22 e ucev
sau matricial:
ubev h11e h12e ibv
= (3.46)
icv h21e h22e ucev
Folosind aceste ecuaii se poate desena pentru TB modelul n parametri h complet (fig.
3.19):
ibv icv C
B
h21e ibv
h11e 1/h22e
ubev h12eucev ucev
E
Fig. 3.19 Modelul dinamic n parametri h complet pentru TB
Indicele e vine de la conexiunea emitor comun; pentru baz comun se folosete b iar
pentru colector comun litera c. Indicii numerici vin de la numrul liniei i coloanei respective.
Litera h vine de la hibrid i sugereaz faptul c fiecare parametru din cei patru are o alt
dimensiune. Astfel:
-h11e are dimensiune de rezisten (Ohm, );
41
-h22e este admitan de ieire (Siemens, 1/);
-h12e , h21e sunt parametri adimensionali.
Pentru ntocmirea schemei echivalente pentru semnal mic a TB se folosete circuitul din
(fig. 3.20), fr a se mai figura i rezistenele de polarizare a bazei pentru ca TB s funcioneze n
PFS.
+EC
RC
iB iC
uCE
uBE
Fig. 3.20 TB n circuit EC

Tensiunea de intrare uBE este format dintr-o component continu, corespunztoare PFS
0
UBE i o component variabil ubev . Astfel pot fi scrise toate mrimile de intrare-ieire:
u BE = U BE0
+ ubev

i B = I B0 + ibv
(3.47)
0
u
CE = U CE + u cev
0
iC = I C + icv
Pentru ntocmirea schemei echivalente a funcionrii TB la semnal mic se elimin
0
componentele continue ( U BE , I B0 , U CE
0
, I C0 ) i se pstreaz componentele variabile (
ubev , ibv ucev , icv ).
Din punct de vedere grafic, n planul caracteristicilor de ieire se nlocuiete sistemul de
coordonate (iC, uCE) cu sistemul (icv, ucev) avnd originea n PFS.
La ntocmirea schemei echivalente pentru semnal mic a TB se consider c sursele de
tensiune continu i condensatoarele reprezint scurtcircuite pentru semnale de variaii.
n (fig. 3.21) este prezentat schema echivalent pentru circuitul de mai sus, TB fiind
reprezentat prin modelul n parametri h complet.
ibv icv C
B
h21e ibv
h11e 1/h22e RC
ubev h12eucev ucev
E
Fig. 3.21 Circuit cu TB n conexiune EC - Modelul dinamic
n parametri h complet
42
Se observ conectarea rezistenei RC ntre colector i mas deoarece sursa EC este
considerat un scurtcircuit (segment ngroat).
3.7. Funcionarea TB ca amplificator de semnal mic

Se consider TB din circuitul de amplificare prezentat n (fig. 3.22). Pentru polarizarea
tranzistorului se folosesc rezistenele RB1, RB2 pentru baz, RC pentru colector i RE pentru
emitor. Cu ajutorul acestor rezistene tranzistorul lucreaz n PFS caracterizat prin UCE0 i IC0.
Semnalul variabil aplicat la intrare este furnizat de o surs de semnal (tensiune) avnd
rezistena intern Rg i tensiunea electromotoare eg. Acest semnal este aplicat sarcinii RS.
Condensatoarele C1 i C2 se numesc condensatoare de cuplaj deoarece permit trecerea
semnalului variabil de la sursa de semnal la amplificatorul format din TB, respectiv de la
amplificator la sarcin (valorile tipice sunt 0,1 F).
Condensatorul C3 se numete condensator de decuplare deoarece are rolul de decuplare
(untare) a rezistenei RE n cazul semnalului variabil. Valoarea tipic este de 100 F.
+EC
RB1 RC C2
C1 iC
iB
uCE RS
Rg us
RB2
ui C3
eg RE
Fig. 3.22 TB amplificator cu stabilizarea PFS
Schema echivalent a circuitului se obine nlocuind tranzistorul cu modelul su n

simplificat, cu sursa EC i C1...3 reprezentate ca scurtcircuite, cu linie groas (fig. 3.23).
Ri C Rint ibv icv iies Ries

1
gmubev
h11e C2
Rg
ui
RB1 RS
RB2 ubev ucev RC us
eg uies
C3
Fig. 3.23 Schema echivalent pentru TB amplificator

Din schema echivalent se calculeaz rezistena de intrare vzut ntre baza
tranzistorului i mas:
(3.48)
Rezistena de intrare vzut dinspre generatorul de semnal este:
43
| | || (3.49)
Unde RB se obine din rezistenele RB1 i RB2 n paralel.

Amplificarea n tensiune este dat de relaia (se ine seama c ubev este egal cu ui) :
||
|| (3.50)
Semnul minus din expresia amplificrii arat c semnalul de ieire, amplificat este n
antifaz (defazat cu 180) fa de semnalul de intrare.
Se poate defini amplificarea n raport cu tensiunea eg a generatorului de semnal:
(3.51)
Se observ c |Aug|<|Au|. Se spune c avem de a face cu o neadaptare a sursei de semnal

cu intrarea amplificatorului. Pentru o bun adaptare trebuie ndeplinit condiia:
0 (3.52)
Rezult deci necesitatea creterii lui Ri, n special prin creterea lui Rint.
Rezistena de ieire a amplificatorului rezult din relaia:

(3.53)

Amplificatorul din (fig. 3.20) are dou dezavantaje: rezisten de intrare sczut i
distorsionarea semnalului la ieire. Ambele neajunsuri pot fi eliminate dac nu se decupleaz
rezistena din emitor RE cu ajutorul condensatorului C3. n acest caz schema echivalent se
modific astfel (fig. 3.24):
Rint ibv icv iies Ries

(gmubev)
h11e h21eibv C2
ui ubev RS
ucev RC us
RB1||RB2 RE uies
Fig. 3.24 Schema echivalent fr decuplarea rezistenei RE

n acest caz, rezistena de intrare crete:
1 (3.54)
|| ||
(3.55)

Se observ c amplificarea nu depinde de gm , deci este eliminat aceast surs de

distorsiuni. Dar acest lucru duce la scderea important a amplificrii.
44
Pentru a realiza un compromis ntre cele dou condiii (amplificare bun i distorsiuni
reduse) se realizeaz o decuplare parial a rezistenei din emitor, prin cuplarea unei rezistene
n serie cu condensatorul de decuplare.
3.8. Comportarea TB la nalt frecven

La aplicarea unui semnal mic, tranzistorul rspunde instantaneu la variaiile semnalului.
n cazul n care crete frecvena, tranzistorul rspunde cu o anumit inerie la aceste variaii.
Pentru descrierea comportrii la frecvene nalte se folosete modelul n completat cu dou
capaciti echivalente Cbc i Cbe (fig. 3.25):
Cbc
ibv icv
B C
Cbe h11e h21eibv

(gmube)
ubev iev
E
Fig. 3.25 Modelul TB pentru comportarea la nalt frecven
Capacitatea intrinsec baz-emitor Cbe determin scderea, la frecvene nalte a
ctigului n curent pentru semnal mic. Pentru frecvene nalte, reactana capacitii Cbe unteaz
rezistena de intrare h11e . Astfel pentru aceeai variaie a curentului de baz ibv variaia lui ubev
scade. Ca urmare scade i variaia lui , deci i scade .
Frecvena pentru care 12 , se numete frecven de tiere
(pentru conexiunea EC). Datorit capacitii Cbe tranzistorul se comport ca un filtru RC trece
jos.
Capacitatea intrinsec baz-colector Cbc nu determin scderea ctigului n curent h21e
la frecvene nalte n cazul n care ucev0
45
4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP (TEC)

Tranzistorul unipolar se mai numete i tranzistor cu efect de cmp (TEC). A aprut
dup tranzistorul bipolar. Aceste tranzistoare sunt de dou tipuri: cu poart (gril) jonciune
(TEC-J) i cu poart (gril) izolat , n structur metal-oxid-semiconductor (TEC-MOS). Practic
se folosesc i denumirile din limba englez, respectiv: FET (Field-Effect Tranzistor), JFET i
MOSFET.
Toate aceste dispozitive electronice sunt dispozitive unipolare deoarece funcionarea lor
presupune un singur tip de purttori de sarcin.
4.1. Tranzistoarele TEC-J

TEC-J se folosesc ca i componente distincte n circuite electronice de amplificare a
semnalelor mici de joas i nalt frecven, n domeniul HIFI datorit performanelor lor
(impedan mare de intrare, liniaritate bun, nivel de zgomot redus). De asemenea se folosesc pe
post de comutatoare de semnal analogic n circuite de eantionare-memorare (SH-Sample and
Hold) sau la multiplexarea i demultiplexarea semnalelor analogice i generatoare de curent
continuu fix.
La variaii mici de tensiune i curent se folosesc ca rezistene a cror valoare poate fi
controlat de tensiunea gril-surs. Pentru puteri mari se folosete tranzistorul cu efect de cmp
cu poart izolat TEC-MOS.
4.1.1. Structura i funcionarea TEC-J

La TEC-J canalul este realizat n volumul semiconductorului de siliciu. Exist dou
tipuri de TEC-J i anume: canal n i canal p. Simbolurile lor sunt prezentate n (fig. 4.1).
Fig. 4. 1 Simbolurile tranzistoarelor TEC-J

O structur de TEC-J canal n este artat n (fig. 4.2) i aceasta va fi analizat n
continuare. Dac se inverseaz tipurile de semiconductor pentru fiecare zon se obine un TEC-J
cu canal p.
Terminale
metalice
canal
Izolator Substrat Siliciu

(SiO2)
a) b)
Fig. 4. 2 Structura unui tranzistor TEC-J canal n a)
i detaliu canal la VDS medii b)
46
ntre contactele ohmice (terminale) surs (S) i dren (D) este realizat fizic un canal din
siliciu de tip n . Lateral acestui canal sunt create dou jonciuni de tip p , una puternic dopat p+
numit gril (G) sau poart (P) i una mai puin dopat p- numit substrat (Sb) sau baz.
Conducia curentului se face de la surs ctre dren i se face de ctre un singur tip de
purttori (electroni n acest caz). Pentru a ajunge la dren, curentul trece prin canalul n , ntre
zona dopat p+ i zona dopat p-. n funcie de limea acestei zone, conducia este uoar sau
mai dificil. Tensiunea aplicat ntre gril (zona p+) i substrat (zona p-) moduleaz conducia
canalului i valoarea curentului dren-surs al TEC-J.
Este un dispozitiv electronic cu trei terminale (caz n care grila G i substratul Sb sunt
conectate intern) sau cu patru terminale cnd exist acces la fiecare contact n parte G, S, D, Sb.
Pentru funcionare normal, cele dou jonciuni (legate mpreun) sunt polarizate invers,
deci UGS<0. De aici vine i denumirea de tranzistor cu efect de cmp : ca efect al cmpului
electric al acestei tensiuni, n jurul jonciunilor se creeaz regiuni de sarcini srcite n purttori
de tip n. Aceste regiuni se comport ca straturi izolatoare care determin ngustarea canalului de
tip n prin care trec electronii furnizai de surs pentru a fi colectai de dren.
Practic curentul de dren ID este controlat de tensiunea gril-surs UGS . Deci TEC-J
este un dispozitiv controlat n tensiune ID=f(UGS), spre deosebire de TB care este un dispozitiv
comandat n curent (IC=IB).
Pentru ridicarea caracteristicilor statice ale unui TEC-J canal n (tip BFW-10) se
folosete schema din (fig. 4.3):
ID
D
G
UDS
UGS S
Fig. 4.3 Schema pentru ridicarea caracteristicilor statice TEC-J canal n

Tensiunea gril-surs este negativ UGS<0 i tensiunea dren-surs este pozitiv UDS0.
n (fig. 4.4) este prezentat familia caracteristicilor de ieire:
| (4.1)
unde tensiunea gril-surs UGS este considerat parametru i este constant.

ID [mA] UDS =UDSsat
N S UGS =0
UGS =-0,3V
M
UGS <0
UDS [V]
Fig. 4.4 Caracteristicile de ieire ale TEC-J canal n
Se observ trei zone (regimuri) de funcionare i anume:
47
-pentru UDS mici (ntre 300 mV) tranzistorul se comport ntre dren i surs ca o
rezisten liniar a crei valoare este controlat de UGS ; cele dou tensiuni UGS i UDS sunt
aproximativ egale n zona M din figur, caracteristicile sunt drepte a cror pant este variabil,
dependent de UGS; pentru UGS=0 se obine panta cea mai mare; ca aplicaii ale funcionrii n
zona liniar a caracteristicii, TEC-J se folosete ca rezisten variabil n atenuatoare controlate
n tensiune sau n circuite pentru reglarea automat a amplificrii (RAA);
-pentru UDS de valori medii funcionarea este neliniar; zona N din figur, n care UGS i
UDS nu mai sunt egale; acest regim nu are o aplicaie practic;
-pentru UDS UDssat tranzistorul se comport fa de dren ca un generator de curent
constant ID comandat de tensiunea UGS i independent de tensiunea dren-surs UDS ; zona S din
figur n care are loc saturaia curentului de dren al TEC-J; dac tensiunea UGS devine mai
negativ dect o tensiune de prag Up (numit tensiune de blocare gril-surs) atunci tranzistorul
se blocheaz i curentul de dren ID devine nul.
Imaginea grafic a dependenei neliniare dintre curentul din dren ID i tensiunea gril-
surs UGS, pentru parametrul UDS constant se numete caracteristica de transfer (fig. 4.5):
| (4.2)
Relaia aproximativ pentru caracteristica de transfer n regiunea de saturaie va fi :
1 (4.3)
pentru: 0
ID[mA]
IDSS
UGS=-IDRS
ID0
UGS[V]
UP UGS0
Fig. 4.5 Caracteristica de transfer a unui TEC-J canal n
Tensiunea de prag UP crete n modul odat cu creterea temperaturii.

Valoarea maxim pe care o poate atinge curentul de dren se noteaz cu IDSS i se
numete curent de dren de saturare i se obine pentru UGS=0 i UDS>|UP| (este notat n
cataloage).
4.1.2. Tranzistoarele TEC-J. Aplicaii

n continuare vor fi prezentate cteva din schemele folosite n aplicaiile cu tranzistoare
TEC-J. Acestea ilustreaz funcionarea n zonele (regimurile) de funcionare ale tranzistorului
prezentate mai nainte.
48
4.1.2.1. Divizor rezistiv controlat n tensiune
n (fig. 4.6) este prezentat schema n care tranzistorul este folosit ca o rezisten
variabil, controlat de o tensiune de comand Ucda (zona M din fig. 4.4). Circuitul reprezint un
divizor al semnalului de intrare ui ntr-un raport controlat de aceast tensiune de comand.
Dac se noteaz rezistena echivalent ntre dren-surs cu R=R(Ucda), din relaia
divizorului rezult valoarea raportului de divizare a tensiunii:

(4.4)
ui ui
uie
Ucda=UGS uie
Fig. 4.6 TEC-J canal n folosit ca divizor comandat

Pentru UGS=0 raportul k are cea mai mic valoare, deci uie este o parte mic din ui.
Pentru UGS=UP raportul k tinde spre valoarea maxim, egal cu 1, deci uie =ui.
4.1.2.2. Sursa de curent constant
n (fig. 4.7) este prezentat schema de principiu n care tranzistorul TEC-J este folosit ca
surs de curent constant (zona S din fig. 4.4).
+ED
UGS
Fig. 4.7 TEC-J canal n folosit ca surs de curent constant

Rezistena RS se folosete pentru negativarea grilei fa de surs, astfel nct:
(4.5)
PFS caracterizat prin (ID0, UDS0) se poate determina fie grafic, la intersecia dreptei
exprimat prin ecuaia (4.5) cu caracteristica de transfer dat de ecuaia (4.3) fie analitic prin
rezolvarea sistemului format din cele dou ecuaii.
4.1.2.3. Repetor de tensiune compensat termic
n (fig. 4.8) este prezentat o schem n care tranzistorul TEC-J este folosit ca repetor
de tensiune compensat termic. Aceast schem asigur o impedan de intrare mare, rednd la
ieire semnalul (tensiunea) de intrare fr a fi influenat de diferena de temperatur dintre T1 i
T2. Pentru aceasta funcionarea trebuie s fie la saturaie, la ID cu deriv termic zero.
49
ui ID1=ID2
uie=ui
Fig. 4.8 Repetor de tensiune compensat termic
Polarizarea se face de la o surs dubl 10 V. O alt condiie care trebuie

ndeplinit este ca cele dou tranzistoare s fie identice, adic s aib aceeai
tensiune de prag UP i acelai curent IDSS.
Deoarece TEC-urile nu au curent de gril rezult ID1=ID2=ID. De asemenea
tensiunile gril-surs sunt egale:
1 (4.6)
Folosind T2K rezult:
1 (4.7)
nlocuind UGS1 rezult imediat ui=uie.

4.1.2.4. Amplificator de semnal mic cu TEC-J
n (fig. 4.9) este prezentat schema de principiu n care tranzistorul TEC-J este folosit ca
amplificator.
Rezistena din gril RG are valori mari, 1...10 M. Tensiunea UGS este dat de relaia
(4.5). Cunoscnd valorile rezistenelor se poate face o analiz a circuitului, calculnd PFS al
tranzistorului i formularea unei concluzii cu privire la poziionarea acestuia (n saturaie sau nu).
+ED
Ri Rie
uie
ui
Fig. 4.9 TEC-J canal n folosit ca amplificator de semnal mic

Pentru a descrie funcionarea TEC-J la variaii ale semnalului aplicat la intrare ui se
definete transconductana (panta) gm (folosind i relaia 4.3):
50
(4.8)
Schema echivalent pentru variaii este prezentat n (fig. 4.10):

Ri Rie
gmugs
ugs
ui uie
Fig. 4.10 Schema echivalent pentru TEC-J canal n folosit ca amplificator

de semnal mic
Se obin urmtoarele expresii pentru amplificarea n tensiune, rezistena de intrare i
rezistena de ieire:

(4.9)

(4.10)
(4.11)
Dac se decupleaz (unteaz) rezistena RS cu un condensator atunci amplificarea

crete, rezultnd:
(4.12)
n comparaie cu tranzistorul bipolar, TEC-j are dezavantajul unei amplificri mai mici
i faptul c transconductana gm depinde (prin parametrii UP i IDSS) de tipul particular al
tranzistorului folosit. Avantajul major al TEC-J este impedana mare de intrare i distorsiuni de
neliniaritate mici fa de TB.
4.2. Tranzistoarele TEC-MOS

TEC-MOS se folosesc foarte mult, att ca dispozitive active ct i ca rezistene i
capaciti n circuitele integrate, n special n cele digitale de tip LSI i VLSI datorit gradului
nalt de integrare. Datorit faptului c au grila izolat, asigur impedane de intrare foarte mari de
ordinul a 1014 . Zgomotul mare al acestor tranzistoare nu le recomand pentru aplicaii n care
nivelele semnalelor sunt mici. Se folosesc cu precdere la puteri mari deoarece nu prezint
fenomenul de ambalare termic i au o bun liniaritate (mai bun dect TB). Se mai folosesc n
comutatoare de putere, deoarece comut mai repede dect TB (acestea au o anumit ntrziere
datorit intrrii n saturaie). Sunt mai scumpe dect TB.
Sunt cunoscute dou tipuri de baz i anume:
-TEC-MOS cu canal iniial, de tip n (NMOS) sau p (PMOS);
-TEC-MOS fr canal iniial, de tip n (NMOS) sau p (PMOS).
De asemenea pot fi cu mbogire (enhancement) sau cu srcire (depletion). Deosebirea
dintre ele este c primul tip nu conduce curent la UGS=0 n timp ce al doilea conduce. Fiecare din
acestea este cu canal n sau cu canal p.
51
4.2.1. Structura i funcionarea TEC-MOS
Simbolurile pentru cele dou familii de MOSFET-uri (cu i fr canal iniial), cu canal
de tip N sau de tip P, cu acces la substratul de baz Sb (cu 4 terminale) sau fr acces la Sb (cu 3
terminale) sunt prezentate n (fig. 4.11).
ID ID ID ID
UDS UDS UDS

UDS
UGS
UGS UGS UGS
a) b) c) d)
Fig. 4.11 Simbolurile TEC-MOS (MOSFET)
Se observ c la dispozitivele cu trei terminale substratul de baz Sb este conectat intern
la surs.
O structur de TEC-MOS cu mbogire canal p este artat n (fig. 4.12) i aceasta va fi
analizat n continuare. Simbolul su este prezentat n (fig. 4.11, d).
a) b)
Fig. 4. 12 Structura unui tranzistor TEC-MOS cu mbogire (fr canal
iniial),substrat n, canal p a) i detaliu canal la UDS medii b)
n substratul semiconductor (Sb=substrat de baz) slab dopat (n-) se difuzeaz dou

regiuni puternic dopate (p+) care constituie sursa (S) i drena (D), prevzute cu terminale
metalizate. Peste substratul semiconductor n se pune un strat subire izolator din oxizi de siliciu
SiO2. Peste acest strat izolator se formeaz al patrulea electrod metalic, grila (G). De la aceast
succesiune vine i numele tranzistorului MOSFET (MetalOxidSemiconductor).
Dup cum se poate observa din (fig. 4.12 a) ntre dren i surs avem dou diode
conectate n serie, n opoziie. Indiferent de semnul tensiunii aplicate, ntre dren i surs nu
circul curent deoarece una din cele dou diode va fi blocat.
52
Se consider substratul Sb conectat la surs (dispozitiv cu trei terminale). Dac se aplic
o tensiune negativ ntre gril i surs UGS<0, aceasta determin ntr-o zon ngust de la
suprafaa semiconductorului respingerea electronilor i atragerea golurilor. Pentru o valoare a
tensiunii suficient de mare (UP =tensiune de prag), numrul golurilor devine mai mare dect
numrul electronilor; astfel se formeaz un canal indus de tip p ntre dren i surs (fig. 4.12
b). n acest moment, dac se aplic o tensiune dren-surs diferit de zero, prin canal circul
curent.
n (fig. 4.13 a, b) sunt ilustrate caracteristicile de ieire i caracteristica de transfer
pentru tranzistorul descris mai sus.
ID[mA] ID[mA]
Saturaie
Liniara
UGS1
UDS<0
UGS2<UGS1
UDS[V] UGS[V]
UP<0
a) b)
Fig. 4. 13 Caraceristicile de ieire a) i caracteristica de transfer b) pentru un TEC-

MOS cu canal indus, de tip p
Ca i n cazul tranzistoarelor TEC-J, se pot delimita dou zone de funcionare i anume:
zona de saturaie i o zon liniar, separate n figur de o linie trasat punctat a crei ecuaie este
dat de relaia:
| | (4.13)
n zona liniar tranzistorul se comport ca o rezisten controlat de UGS. Tensiunea de

prag UP este valoarea tensiunii UGS pentru care curentul ID se anuleaz.
Sensurile curenilor i tensiunilor sunt la tranzistorul TEC-MOS cu canal indus p:
UGS<0, UDS<0, UP<0, iar curentul ID circul de la surs la dren, n acelai sens cu golurile (fig.
4.11, d).
La un tranzistor TEC-MOS cu canal indus n sensurile tensiunilor i curenilor sunt
inverse fa de unul cu canal p, adic: UGS>0, UDS>0, UP>0, iar curentul ID circul de la dren la
surs, contrar sensului de deplasare al electronilor (fig. 4.11, c).
n (fig. 4.14) este prezentat caracteristica de transfer pentru un tranzistor TEC-MOS cu
canal indus n. Se observ c atunci cnd potenialul gril-surs UGS este zero, prin tranzistorul
MOS nu trece curent. n acest caz, vor exista foarte puini electroni la suprafaa substratului de
siliciu p, fapt care nu permite trecerea purttorilor (n acest caz electroni) ntre dren i surs
(regiuni de tip n, cu muli electroni liberi). Crescnd UGS n valoare absolut (pozitiv pentru
NMOS i negativ pentru PMOS) conducia ncepe la o anumit valoare de prag UP (tipic 1,5 V).
53
ID[mA]
UDS>0
UGS[V]
UP
Fig. 4. 14 Caraceristica de transfer pentru TEC-MOS cu canal indus n
n cazul dispozitivelor cu patru terminale, substratul Sb se conecteaz la cel mai pozitiv
potenial din circuit (pentru TEC-MOS cu canal p), sau la cel mai negativ potenial din circuit n
cazul TEC-MOS cu canal n. De regul substratul Sb se conecteaz la surs.
n cazul tranzistoarelor TEC-MOS cu canal iniial p, ntre surs i dren exist un canal
de tip p chiar i pentru tensiuni UGS=0. Dac UGS>0 n substratul semiconductor se induce o
sarcin negativ, canalul se ngusteaz, rezistena sa crete i curentul de dren ID scade fa de
valoarea avut la UGS=0. Se poate spune c pentru UGS>0 tranzistorul lucreaz prin golire,
srcire (depletion).
Dac UGS<0 atunci n substratul semiconductor se induce o sarcin pozitiv, canalul se
lrgete, rezistena sa scade i curentul de dren crete fa de valoarea avut pentru UGS=0 (fig.
4.15 a). Se spune c pentru UGS<0 tranzistorul lucreaz prin mbogire (enhancement).
ID[mA] ID[mA]
UDS<0
UDS>0
golire golire
mbogire
mbogire
UGS[V] UGS[V]
UP >0 UP <0
a) b)
Fig. 4. 15 Caracteristica de transfer pentru TEC-MOS cu canal iniial de tip p
a) i cu canal iniial de tip n b)
Aceeai comportare o are i TEC-MOS-ul cu canal iniial de tip n, dar pentru polariti
inverse ale tensiunii UGS.
Simbolurile tranzistoarelor TEC-MOS cu canal iniial evideniaz continuitatea
(existena) canalului i implicit a curentului de dren cnd UGS=0.
4.2.2. Tranzistoarele TEC-MOS. Aplicaii

n continuare vor fi prezentate cteva aplicaii simple ale tranzistoarelor TEC-MOS.
Una din principalele aplicaii ale acestor tranzistoare o constituie folosirea lor la realizarea
familiei de circuite integrate CMOS. Familia circuitelor CMOS folosete tranzistoare MOS n
simetrie complementar, adic un tranzistor tip NMOS, cuplat n aceeai plachet (substrat) de
siliciu cu un tranzistor PMOS (C de la Complementary - symetry MOS). Primele circuite
integrate CMOS au fost dezvoltate n anii 1960 n laboratoarele firmei RCA din SUA.
54
4.2.2.1. Inversorul CMOS
n (fig. 4.16) este prezentat simbolul, schema electric i tabela de adevr pentru un
inversor CMOS. Acesta constituie blocul fundamental al circuitelor integrate CMOS.
A A Intrare Ieire
Sus (VDD) Jos (VSS)
Jos (VSS) Sus (VDD)
a) b) c)
Fig. 4. 16 Inversorul CMOS : simbol a), schema electric b),
tabela de adevr intrare-ieire c)
O tensiune pozitiv (Sus - VDD) aplicat terminalului comun al celor dou grile G duce
la deschiderea tranzistorului NMOS i la blocarea celui PMOS; astfel ieirea va fi comutat la o
valoare sczut a tensiunii (Jos VSS).
Similar, pentru o tensiune redus sau nul se deschide tranzistorul de sus PMOS i se
blocheaz cel de jos NMOS; la ieire se obine o tensiune ridicat (Sus VDD). Vss se mai
numete potenial de referin (zero voli).
Caracteristicile de transfer Uieire=f(Uintrare) i curentul de dren ID=f(Uintrare) sunt
prezentate n (fig. 4.17 a, b).
Uieire ID
I II III IV V I II III IV V
VDD
UpN UpP
Uintrare Uintrare
VDD VDD
a) b)
Fig. 4. 17 Caracteristicile de transfer ale inversorului CMOS
Se pot pune n eviden un numr de cinci zone distincte. Cu UpN, UpP s-au notat
tensiunile de prag ale tranzistorului cu canal n, respectiv cu canal p. n zona I (Uintrare <UpN)
NMOS este blocat i PMOS este n regiunea liniar.
n zona II, NMOS este saturat iar PMOS este nc n regiunea liniar. n zonele V i IV
strile tranzistoarelor sunt inverse fa de cele din zonele I i II.
n zona III ambele tranzistoare lucreaz n regiunea de saturaie. n aceast zon are loc
comutaia, curentul de dren crete i aici inversorul CMOS poate fi folosit ca amplificator de
semnal mic.
55
Se observ c tensiunile de ieire sunt VDD sau VSS (0 V) iar curentul prin tranzistoare
este nul. De aici rezult principalul avantaj al familiei CMOS i anume consumul infim de putere
(aprox. 10 nW/poart).
4.2.2.2. Amplificator cu TEC - MOS
n (fig. 4.18) este prezentat un amplificator cu TEC-MOS.
uieire
uintrare
Fig. 4. 18 Amplificator cu tranzistor TEC-MOS

Rezistenele R1...R5 se folosesc pentru polarizarea tranzistorului a.. PFS al
tranzistorului s fie situat n regiunea de saturaie. Semnalul (tensiunea) de intrare se aplic prin
intermediul condensatorului C2 n grila tranzistorului. Semnalul de ieire este obinut dup
separarea componentei continue prin condensatorul C1.
OBSERVAIE !
Grila (poarta) i substratul semiconductor al unui MOS formeaz un condensator
minuscul. Conform relaiei (1.12) rezult:
(4.14)
Astfel, pentru o valoare mic a capacitii C , o sarcin Q stocat poate duce la apariia
unor tensiuni mari ntre armturile condensatorului. La tensiuni de peste 100 V dielectricul
format din stratul izolator de SiO2 se strpunge. Acest lucru se poate ntmpla chiar la simpla
atingere cu mna a terminalului de gril (poart).
De aceea la utilizarea TEC-MOS-urilor trebuie avute n vedere cteva msuri de
protecie a intrrilor:
-pinii dispozitivelor MOS vor fi scurt-circuitai printr-un fir conductor pn dup
introducerea lor n circuit;
-toate intrrile neutilizate (la circuitele integrate) se vor conecta la mas, la VDD sau la
VSS;
-operatorul care manipuleaz MOS-uri trebuie s evite mbrcmintea care poate
acumula sarcini electrostatice (ln, mtase, materiale sintetice) i s poarte la mn o brar
metalic conectat la potenialul de referin;
-carcasa dispozitivului de lipire a componentelor (pistol sau staie de lipit) trebuie de
asemenea conectat la mas;
-nu se vor introduce sau scoate dispozitive din circuite aflate sub tensiune.
56
5. ALTE DISPOZITIVE ELECTRONICE
5.1. Alte dispozitive semiconductoare cu jonciune

n capitolele precedente au fost prezentate cteva din cele mai utilizate dispozitive
electronice semiconductoare folosite n circuitele electronice: dioda, tranzistorul bipolar,
tranzistorul unipolar (cu efect de cmp). n continuare vor fi prezentate i alte dispozitive
electronice semiconductoare cu jonciune: tiristorul, diacul, triacul, tranzistorul unijonciune.
5.1.1. Tiristorul
Tiristorul este un dispozitiv electronic multijonciune (trei jonciuni), cu patru straturi
semiconductoare pnpn n serie. Cele dou straturi din mijloc sunt dopate mai slab dect straturile
de la extremiti. Terminalele metalice ale tiristorului se numesc: anod A montat pe stratul p1,
catod K montat pe stratul n4 i terminalul de comand G (gril de comand sau poart sau gate
n lb.englez) montat pe stratul p3. Se observ c tiristorul este echivalent cu trei diode
semiconductoare legate n serie, grila de comand fiind montat ntre diodele j2-j3 (fig. 5.1 c).
De asemenea este un dispozitiv unidirecional deoarece permite trecerea curentului ntr-
un singur sens, de la anod la catod.
A A
iA p
j1
uAK iG n
j2
P(G) P(G) p
n j3
uGK
K K
a) b) c) d)
Fig. 5. 1Tiristorul: simbol a), structur intern b),modelul cu trei jonciuni-

diode n serie c), modelul cu dou tranzistoare n serie d)
5.1.1.1. Funcionarea tiristorului

Dac se polarizeaz tiristorul n mod direct (tensiune pozitiv la anod i negativ la
catod), cele dou jonciuni marginale sunt polarizate direct iar jonciunea din mijloc invers;
rezult c prin dispozitiv va circula un curent foarte mic i spunem c tiristorul este blocat. Dac
se schimb polaritatea tensiunii aplicate ntre anod i catod se observ c diodele marginale sunt
polarizate invers i dioda D2 este polarizat direct, deci tiristorul este tot blocat, prin el circulnd
un curent mai mic dect la polarizarea direct.
Deci tiristorul blocheaz trecerea curentului n ambele sensuri prin el atta timp ct
asupra porii nu se aplic nici un potenial electric.
n (fig. 5.1 d) tiristorul este modelat folosind dou tranzistoare bipolare complementare
(pnp i npn). Scriind relaiile ntre cureni se obine:
-pentru T2: (5.1)
(5.2)
-pentru T1: (5.3)

nlocuind (5.3) n (5.2) rezult:
57
(5.4)
Folosind definiiile curenilor IC1 i IC2:
; (5.5)
unde p , n , ICB01 , ICB02 sunt factorii de amplificare n curent emitor-colector, respectiv

curenii reziduali de colector ai tranzistoarelor T1 i T2.
nlocuind IC1 i IC2 n (5.3) i notnd cu ICB0=ICB01+ICB02 curentul rezidual care strbate
jonciunea central j2, rezult curentul prin tiristor:
(5.6)
Se observ dependena dintre curentul prin tiristor i curentul de comand injectat prin
grila tiristorului.
n (fig. 5.2) este ilustrat dependena curentului prin tiristor de tensiunea aplicat pe
acesta, la diferite valori ale curentului de comand injectat n gril.
iAD 2
3
iG2 >iG1>iG=0
4
iL
uAKR iH uAKD
UAK2 UAK1 UAK0
1
iAR
Fig. 5.2 Caracteristica static curent-tensiune a tiristorului
Se disting urmtoarele regimuri (caracteristici) de funcionare ale tiristorului:
Caracteristica 1 de blocare la polarizarea direct. Este reprezentat prin
poriunea 1 a caracteristicii, tiristorul fiind polarizat direct (anodul A pozitiv i catodul K
negativ) i necomandat (IG=0). Curentul prin tiristor este foarte mic. Crescnd tensiunea anod-
catod curentul rmne n continuare redus. Aceasta pn cnd se atinge valoarea tensiunii de
autoaprindere UAK0 (este tensiunea la care tiristorul se autoaprinde, fr impuls de comand pe
gril). n acest moment se produce autoamorsarea tiristorului, cu creterea brusc a curentului
prin tiristor, pn la valoarea iL (numit curent de acroare a tiristorului) simultan cu scderea
brusc a tensiunii pe tiristor UAK. Funcionarea tiristorului trece de pe caracteristica de blocare 1
pe caracteristica de conducie 2. Dac se comand grila cu cureni IG2>IG1 >IG atunci tiristorul se
amorseaz la tensiuni de blocare direct mai mici dect n cazul n care este necomandat.
Dup intrarea n conducie tensiunea UGK poate s devin zero, tiristorul rmnnd n
conducie.
Caracteristica 2 de conducie. Este reprezentat prin poriunea 2 a caracteristicii
iA=f(uAK) dup ce tiristorul a fost amorsat (aprins). Valoarea curentului de acroare IL este
curentul prin tiristor n momentul aprinderii. Din acest punct curentul prin tiristor crete liniar,
valoarea sa fiind limitat numai de rezistena exterioar a circuitului n care este montat
58
tiristorul. Dac se scade tensiunea pe tiristor UAK se observ meninerea curentului prin tiristor
i sub valoarea curentului de acroare IL pn la un punct notat IH numit curent de meninere.
Valoarea tensiunii pentru acest punct se numete tensiune de prag. Dac se continu scderea
tensiunii pe tiristor acesta se blocheaz (se stinge); prin tiristor nu circul curent.
Se observ c pentru polarizarea direct, cu ct curentul aplicat pe gril este mai mare
(IG2>IG1>IG=0) cu att scade teniunea pe tiristor UAK la care se deschide tiristorul.
Caracteristica 4 de blocare la polarizarea invers. Reprezint dependena dintre
curentul invers prin tiristor i tensiunea invers aplicat ntre anod i catod. Tiristorul este blocat
i indiferent de mrimea curentului de comand tiristorul nu se aprinde (amorseaz).
Pentru o funcionare normal, tiristorul trebuie s intre n conducie numai la comand,
atunci cnd primete un anumit curent n gril, continuu sau sub form de impulsuri. Exist ns
i situaii nedorite n care tiristorul se amorseaz i anume: odat cu creterea temperaturii sau
prin variaii brute n timp ale tensiunii anod-catod (efectul du/dt). mpotriva acestui efect se
monteaz n paralel cu tiristorul grupuri RC.
5.1.2. Tiristorul cu blocare pe poart (GTO-Gate Turn Off)

Tiristorul cu blocare pe poart ncearc s nlture un dezavantaj al tiristorului obinuit
i anume acela c , odat intrat n conducie n circuite de curent continuu nu mai poate fi scos
din aceast stare fr folosirea unor circuite suplimentare (condensator plus un tiristor secundar
de stingere care s inverseze tensiunea pe tiristorul principal, astfel nct acesta s poat fi
blocat). La fel ca tiristorul, GTO-ul are patru straturi semiconductoare pnpn n serie i trei
terminale: anod A, catod K i terminalul de comand G (P) (fig. 5.3 a). GTO are o structur
intern diferit n comparaie cu tiristorul convenional.
Prin posibilitatea comenzii (blocare-amorsare) pe gril se poate spune c GTO-ul
reunete avantajele tiristorului obinuit cu cele ale tranzistorului bipolar.
iG
t
iGC 0
G(P) UAK
iGB
tC tB
T
a) b)
Fig. 5. 3 GTO: simbol a), forma impulsului de curent n gril (poart) pentru intrarea
n conducie i pentru blocare b)
Pentru amorsare se aplic o tensiune pozitiv ntre gril i catod (se injecteaz curent n
gril). Pentru blocare se aplic o tensiune negativ gril-catod (se extrage curent din tiristor prin
gril). Dac se definete factorul de umplere prin relaia:
(5.7)
unde tC este perioada de conducie iar tB este perioada de blocare .
59
Pentru 0, 0,1 rezult astfel posibilitatea reglrii perioadei de conducie,
respective de blocare a tiristorului.
5.1.3. Triacul
Triacul este un dispozitiv electronic cu trei terminale avnd ase straturi
semiconductoare. Spre deosebire de tiristor care nu poate conduce dect ntr-un singur sens,
triacul este un dispozitiv bidirecional dac este comandat pe poart cu impulsuri de polariti
diferite pentru fiecare din sensurile curentului principal. Dei se observ c triacul este
echivalent cu dou tiristoare montate antiparalel; funcionarea sa este diferit de cea a dou
tiristoare.
i
A1 A1(+) A1(-)
n n
p p
n n u
P(G) n p p
G(+) G(-) n
n n
A2 A2(-) A2(+)
a) b) c)
Fig. 5. 4 Triacul: simbol a), structur intern b), caracteristica curent-tensiune c)
Deoarece poate conduce n ambele sensuri, se folosete n circuite de curent alternativ
pentru reglarea valorii efective a tensiunii de alimentare a unei sarcini-consumator de c.a.
5.1.4. Diacul
Diacul este un triac fr poart. Este un dispozitiv bidirecional, cu cinci straturi
semiconductoare i dou terminale (fig. 5.5 a). Cele dou terminale numite anozi (A1 i A2) sunt
echivalente.
I conductie
A1
amorsare
I
IH U
UREZ UBO
U blocare
A2
a) b)
Fig. 5. 5 Diacul: simbol a), caracteristica curent-tensiune b)
n (fig. 5.5 b) este prezentat caracteristica static a diacului. Se observ c aceasta este
neliniar i simetric; de asemenea sunt poriuni n care panta sa este negativ.

Pe aceste poriuni, n diferite puncte se definete rezistena dinamic care este

negativ (la creterea tensiunii, curentul scade). Aceast proprietate este esenial n funcionarea
i utilizarea diacului.
La creterea tensiunii U aplicate, diacul este blocat pn n momentul atingerii tensiunii
de ntoarcere, cnd acesta se amorseaz. Aceast tensiune se numete tensiune de aprindere sau
de amorsare (UBO =breakover voltage). Dup amorsare, tensiunea pe diac rmne practic
constant la valoarea UREZ numit tensiune rezidual. Diferena dintre UB0 i UREZ se numete
tensiune dinamic de amorsare i are o valoare de aprox. 5-7 V.
60
Aplicaia principal a diacului este generarea unor impulsuri de curent pentru comanda
grilelor tiristoarelor i triacelor (fig. 5.6).
+EC
Fig. 5. 6 Utilizarea diacului pentru comanda unui triac

Exemplu: Date catalog pentru diac
Cod Tensiune de ntoarcere Curent ntoarcere maxim Tensiune de salt minim

UB0 [V] IB0M [A] (la IS=10 mA)
minim maxim US [V]
DC32 28 36 300 5
DC50 46 54 300 7
Obs. Rezistena negativ a diacului apare la IB0 i dispare la cureni de (2.....5)A
5.1.5. Tranzistorul unijonciune (TUJ)

Tranzistorul unijonciune este un dispozitiv cu trei terminale: emitor (E) i dou baze
(B1 i B2) (fig. 5.7). La capetele unei bare semiconductoare de Si slab dopat cu impuriti (deci
avnd un caracter predominant n) sunt fixate terminalele metalice care constituie bazele B1 i
B2. n zona central a blocului semiconductor se realizeaz o jonciune pn. Zona p+ puternic
dopat cu impuriti se numete emitor.
B2 IE UEB
B2 IB2
IB P
nSi IE
IE
E UB2B1
E p+ UEB1 IV V
V
IP P UEB
UBB
0 UV UP 0 IE
B1
B1
a) b) c) d)
Fig. 5.7 TUJ: simbol a), structur intern b), modelul echivalent c), caracteristica static
de intrare d)
Dac se aplic ntre baze o tensiune UBB>0 atunci potenialul din dreptul jonciunii
emitorului va fi:
(5.8)
unde: 0,5 .0,8 este factorul (raportul) de divizare intrinsec

iar 10 este rezistena interbaz (de valoare mare)
61
Funcionarea TUJ se bazeaz pe modificarea rezistenei RB1 dintre baza B1 i jonciunea
emitor prin tensiunea aplicat pe emitor UEB1. Se observ pe caracteristica de intrare o poriune
de rezisten diferenial negativ (cuprins ntre punctele PV). Punctul P de coordonate (UP, IP)
se numete punct de vrf (peak-point). Punctul V de coordonate (UV, IV) se numete punct de
vale (valley-point).
Jonciunea pn se deschide atunci cnd se atinge tensiunea de vrf:
(5.9)
Dup depirea tensiunii de prag i implicit a tensiunii de vrf UP, RB1 scade foarte mult,
caracteristica avnd rezisten negativ.
Aceste tranzistoare se folosesc frecvent pentru comanda aprinderii tiristoarelor,
genernd impulsuri scurte, de energie mare i consumnd curent mic de la sursa de alimentare. O
alt aplicaie tipic este oscilatorul cu TUJ (fig. 5.8).
a) b)
Fig. 5.8 Oscilator de relaxare cu TUJ: schem a), diagrame de semnal b)
La aplicarea tensiunii de alimentare EA condensatorul C se ncarc exponenial prin

rezistena R pn la valoarea de vrf UP=EA. La aceast tensiune jonciunea EB1 se polarizeaz
direct i rezistena dinamic devine negativ.
Condensatorul C se descarc rapid prin jonciunea EB1, genernd un impuls pozitiv de
tensiune pe sarcina R1.
Cnd tensiunea pe condensatorul C scade pn la valoarea UV , TUJ trece n starea
blocat i condensatorul rencepe s se ncarce exponenial.
Exemplu: Date catalog pentru TUJ
Cod IE UEB1 UBB RBB[k] IEB0[A] IP[A] Iv[mA] UEB1sat[V]

[mA] [V] [V] min max max max min min
ROS11 70 30 35 0,6 2,5 10 12 25 1 5
2N2160 50 30 35 0,47 4 12 12 25 8 5
5.2. Dispozitive optoelectronice

Dispozitivele optoelectronice se bazeaz, n majoritate pe efectul absorbiei sau al
emisiei radiaiei luminoase n medii semiconductoare speciale pe baz de siliciu (Si), galiu (Ga),
arseniu (As), fosfor (P), etc. Fenomenul care apare n acest caz se numete efect fotoelectric i
are ca efect eliberarea electronilor liberi sub aciunea radiaiei luminoase. Poate fi:
62
-efect fotoelectric extern dac electronii, dup ce au absorbit radiaia luminoas sunt
extrai din interiorul solidului (este cazul dispozitivelor de afiare cu descrcri n gaze, vid);
-efect fotoelectric intern dac electronii, dup ce au absorbit radiaia luminoas sunt
doar desprini din atom, devenind purttori liberi de sarcin chiar n interiorul reelei n care se
gsesc (specific semiconductoarelor).
Dac este vorba de absorbia luminii, dispozitivele se numesc fotodetectori i pot fi
fotodiode, fotorezistori sau fototranzistori. De asemenea pot fi fotoelemente cum sunt celulele
solare.
Dac este vorba de emisia luminii, dispozitivele pot fi fotoemitori folosii cel mai mult
n dispozitive de afiare, realizate cu diode electroluminiscente (LED) sau cu afioare cu LED-
uri.
Exist dispozitive care nglobeaz i efectul emisiei i al absorbiei luminoase,
optocuploarele.
n ultimul timp se folosesc din ce n ce mai mult dispozitive de afiare (display-uri) cu
cristale lichide (LCD-uri) sau cu plasm.
n (fig. 5.9) este prezentat spectrul radiaiei electromagnetice. Acesta include i spectrul
radiaiei luminoase (ultraviolet, lumin vizibil, infrarou). La rndul su, domeniul luminii
vizibile cuprinde culorile: violet, albastru, verde,galben,portocaliu, rou fiecare cu lungimile de
und respective.
10 390 455 492 577 597 622 770 106
[nm]
Ultraviolet Violet Verde Portocaliu
Albastru Galben Rou Infrarou
Lumin
vizibil
Raze cosmice Raze X
Raze Gama Unde mm Unde radio Frecvene audio
10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 1 102 104 106 1010 1014
Lungime de
und [m]
Fig. 5.9 Spectrul radiaiei electromagnetice
5.2.1. Fotodetectori i fotoelemente

5.2.1.1. Fotorezistor (LDR Light Dependent Resistor)
Se bazeaz pe fenomenul de fotoconductivitate prin care sub influena radiaiei
luminoase sunt eliberai electroni liberi care cresc conductivitatea electric a semiconductorului
i implicit scad rezistena rezistorului(este o aplicaie a efectului fotoelectric intern) .
Sensibilitatea unui fotorezistor poate varia n funcie de materialul semiconductor din
care este realizat (fig. 5.10a). Funcionarea nu depinde de semnul tensiunii aplicate.
n (fig. 5.10 b,c) este prezentat simbolul i modul de utilizare ntr-un circuit de detecie.
Valoarea curentului prin fotorezistor, la o tensiune dat U depinde de nivelul de
iluminare conform caracteristicii curent tensiune (fig. 5.10 d).
63
I E2>E1
E1
0 U
a) b) c) d)
Fig. 5.10 Fotorezistor: structura a),simbol b), mod de utilizare c), caracteristica I/U d)
Parametrii specifici unui fotorezistor sunt:
-valoarea rezistenei electrice la ntuneric;
-tensiunea maxim admis la borne;
-puterea maxim disipat;
-sensibilitatea la lumin (se definete ca raportul dintre variaia curentului i variaia
iluminrii E, la o tensiune constant aplicat):

(5.10)

5.2.1.2. Fotoelementul (celula fotovoltaic)

Este un dispozitiv optoelectronic format dintr-o jonciune pn i care funcioneaz pe baza
efectului fotovoltaic . Efectul fotovoltaic este o aplicaie a efectului fotoelectric intern prin care
energia radiaiei luminoase (a fotonilor) este transformat direct n energie electric.
I [A]
U0C U 0,3 1 U
0 AK
E=0 RS=
ISC
s E
E=500 lx I
RS
RS=0
a) b) c)
Fig. 5.11 Fotoelement: structura a), simbol i mod de utilizare b), caracteristica I-U c)
Spre deosebire de o diod obinuit, la celula fotovoltaic suprafaa frontal (activ) nu

este acoperit de contactul metalic (fa) ci de un strat reflectant; dispozitivul are o fereastr prin
care poate ptrunde lumina.
Dac suprafaa activ este iluminat (fig. 5.11), la borne apare o tensiune de polaritate
pozitiv (+) la regiunea p (Contact fa-Anod) i negativ () la regiunea n (Contact spate-Katod)
dac se conecteaz un voltmetru la capetele jonciunii acesta ar arta o tensiune U0C numit
tensiune de circuit deschis.
Aceast tensiune aplicat unei rezistene R determin apariia unui fotocurent care este de
sens contrar curentului care ar circula prin circuit n cazul polarizrii directe de la o tensiune
extern.
Din analiza caracteristicii curent-tensiune se disting urmtoarele zone de funcionare:
-cadranul unu: celula fotovoltaic nu este iluminat, necesit polarizare direct exterioar
(regim de diod obinuit);
-cadranul trei: celula fotovoltaic este iluminat i polarizat invers de la o tensiune
extern;
64
-cadranul patru: este zona de funcionare caracteristic celulei fotovoltaice; sub influena
luminii jonciunea devine o surs de tensiune (de aici i denumirea de fotoelement); valoarea
rezistenei R determin univoc curentul i tensiunea prin circuit.
Cei mai importani parametrii ai unei celule fotovoltaice sunt:
-curentul de scurtcircuit ISC;
-tensiunea de circuit deschis U0C;
Celula solar este un fotoelement cu o construcie optimizat pentru captarea energiei
solare n vederea generrii de energie electric. Contactul fa (Anodul+) este format dintr-o
gril metalic pentru a mri eficiena colectrii purttorilor fotogenerai i de a micora rezistena
celulei. Suprafaa activ este ct mai mare pentru a obine cureni debitai ct mai mari. Mai
multe celule sunt asamblate n module, iar mai multe module n panouri solare pentru obinerea
unor tensiuni de sute de wati. La legarea a dou celule solare n serie, modulul rezultant va avea
curentul de scurtcircuit de valoarea cea mai mic (din cele dou) n timp ce tensiunea rezultant
va fi egal cu suma celor dou tensiuni.
5.2.1.3. Fotodiod
Este un dispozitiv optoelectronic constituit dintr-o jonciune pn, polarizat la tensiuni
inverse de la o surs exterioar. Pot funciona n IR (Infrarou) sau n spectrul luminii vizibile,
funcie de materialul filtrant prin care ptrunde radiaia luminoas ctre semiconductor.
Funcionarea se bazeaz pe efectul fotovoltaic.
I
U1 0 U
E=0
E>0
U/R
a) b) c)
Fig. 5.12 Fotodioda: simbol a), mod de utilizare b), caracteristica U-I c)
Se disting trei regiuni de funcionare (fig. 5.12 c):
-cadranul unu: polarizare direct (regim de diod obinuit);
-cadranul patru: polarizare exterioar nul (regim de fotoelement n care curentul prin
diod depinde de fluxul luminos incident);
-cadranul trei: polarizare extern invers (regim de fotodiod n care curentul prin
diod, numit curent de iluminare este proporional cu intensitatea luminoas E [lx]); fotodioda se
comport ca o surs de curent constant, la aceeai iluminare E.
Parametrii specifici unei fotodiode sunt:
-curentul de ntuneric (este valoarea curentului prin diod la iluminare nul);
-tensiunea invers maxim (este valoarea tensiunii inverse maxime aplicat diodei fr
ca aceasta s se distrug);
-rezistena dinamic la polarizare invers: Rd=U/I;
-sensibilitatea: SE=I/E [A/lx]
5.2.1.4. Fototranzistorul
Este un tranzistor la care curentul de colector este comandat prin iluminarea uneia dintre
regiunile semiconductoare (baza, emitorul sau colectorul). Contactul bazei se folosete numai ca
stabilizare la variaia temperaturii. Cea mai utilizat configuraie este aceea n care tranzistorul
este npn i comanda (prin flux luminos) se face n baza tranzistorului.
65
IC[mA]
IC E=ct
UCE E=0
UCE[V]
a) b) c)
Fig. 5.13 Fototranzistorul: simbol a), mod de utilizare b), caracteristica IC-UCE c)
Avantajul unui fototranzistor fa de o fotodiod este sensibilitatea mare la lumin
datorat amplificrii n curent . Ca dezavantaj se observ valoarea mare a curentului de colector
n absena iluminrii (curentul de ntuneric); acesta este motivul pentru care fototranzistorul se
folosete n circuitele de sesizare a luminii i nu n cele de apreciere a diferitelor nivele de
iluminare.
Parametrii principali ai unui fototranzistor sunt:
-curentul de ntuneric;
-tensiunea maxim colector emitor suportat UCEmax ;
-curentul maxim de colector ICmax;
-sensibilitatea spectral (se definete ca dependena dintre curentul de colector i
lungimea de und a radiaiei incidente).
5.2.2. Fotoemitori
n continuare se vor prezenta cteva dispozitive care folosesc fenomenul emisiei
luminoase la trecerea curentului electric prin medii semiconductoare.
5.2.2.1. Dioda electroluminiscent
Dioda electroluminiscent este un dispozitiv foarte utilizat n aplicaiile electronice.
Astzi sunt comercializate becuri cu LED-uri (18-24 Led-uri, la 230 V AC, 12 V DC, diverse
culori); module, tuburi sau baghete cu LED-uri obinuite sau SMD. Pot avea diverse dimensiuni
i forme. Cele obinuite au dou terminale (o culoare) dar pot fi i cu mai multe (bicolore, etc).
IF[mA]
IF
20
UAK
UAK[V]
1 2
Fig. 5.14 LED-ul: simbol a), mod de utilizare b), caracteristica IF-UAK c)
LED (Light-Emitting-Diode) este o diod semiconductoare (jonciune) care emite un
flux luminos atunci cnd este strbtut de un curent electric la o polarizare direct. Culoarea
luminii emise depinde de materialul semiconductor i de impuritile de dopare folosite (GaAs,
GaAsP, GaAsSi).
n (tab. 5.1) sunt prezentate cteva exemple de LED-uri care emit lumin n diverse
culori (lungimea de und) n funcie de tensiunea aplicat i materialul semiconductor din care
sunt alctuite:
Tab. 5.1
Culoare Lungime de und Tensiune Material semiconductor
[nm] [V]
Infrarou >760 U<1,9 GaAs; AlGaAs
66
Rou 610<<760 1,63<U<2,03 AlGaAs; GaAsP
Portocaliu 590<<610 2,03<U<2,10
Verde 500<<570 2,18<U<4
Ultraviolet <400 3,1<U<4,4
Aplicaiile LED-urilor sunt foarte diverse ncepnd de la elemente indicatoare de

semnalizare, la afioare numerice, alfanumerice sau grafice (imagini). Cele care emit n infrarou
sunt folosite la transmiterea datelor prin fibre optice, la transmiterea unor comenzi ctre
aparatura audio-video-TV sau n instalaii de securizare, la detectarea micrilor pe timp de
noapte, etc. De asemenea LED-urile care emit n spectrul ultraviolet sunt folosite n instalaii i
dispozitive de sterilizare i desinsectie.
n (fig. 5.15) sunt prezentate cteva circuite pentru alimentarea i comanda aprinderii
LED-urilor.
a)
b) c)
Fig. 5.15 Comanda LED-urilor: la curent constant a), din circuite logice open colector b),
cu tranzistoare legate n anod (sus) sau n catod (jos) c)
Calculul rezistorului care limiteaz curentul prin diod se face cu relaia:
(5.11)
unde: UF [V] i IF [A] sunt tensiunea i curentul direct (din catalog)

Caracteristici principale ale LED-urilor:
-caracteristici de luminozitate i culoare (lungimea de und P la intensitatea luminoas
maxim);
5.2.2.2. Afioare cu diode electroluminiscente
Pentru a afia rezultatele diferitelor prelucrri efectuate asupra datelor (msurri,
achiziii de date, etc.) se folosesc afiaje digitale realizate n diferite tehnologii: afiaje
incandescente, tuburi fluorescente, dispozitive cu descrcare n gaz (tuburi NIXIE), afiaje cu
diode electroluminiscente, afiaje cu cristale lichide. n prezent sunt folosite ultimele dou
tehnologii.
67
Dispozitivele de afiare cu diode electroluminiscente sunt de mai multe feluri: afiaje
hibride cu apte segmente; afiaje monolitice cu lup pentru mrirea cifrei; afiaje alfanumerice
cu matrice de puncte (pixeli).
a) Afiaje cu segmente: sunt obinute din LED-uri ngropate n canale din materiale
opace i a cror lumin este reflectat i difuzat spre suprafaa exterioar transparent. LED-
urile pot fi legate intern cu anodul comun (AC) sau catodul comun (CC) (fig. 5.16).
a) b)
Fig. 5.16 Afior 7 segmente: un digit anod comun a), comanda b)
Atunci cnd trebuie comandai un numr mai mare de digii (>4) se folosete comanda
multiplexat (strobe) la un curent de vrf mare i cu un factor de umplere mic. Aceast metod
duce la creterea eficienei unui LED i la micorarea puterii medii disipate n comparaie cu
comanda n c.c. Un astfel de circuit este prezentat n (fig. 5.17).
Fig. 5.17 Multiplexarea a 8 afioare cu 7 segmente, anod comun AC

Fcnd referire la (fig. 5.17) elementele de care trebuie inut cont n proiectare sunt:
-avnd 8 digii rezult un factor de umplere =1/8;
-pentru o intensitate luminoas aleas se stabilete un curent mediu pe segment IF;
-curentul de vrf prin segment va fi IP=IF/;
-rezistoarele de limitare se calculeaz cu formula:
(5.12)
unde: UF este tensiunea direct pe LED la un curent egal cu Ip;

UDec este tensiunea la ieirea decodificatorului de 7 segmente.
Cnd toate segmentele unui digit sunt aprinse (cifra 8), curentul maxim printr-un
tranzistor este IT=7 IP. Se alege un tranzistor de putere, cu tensiune de saturaie mic i curent de
colector mai mare dect IT.
n prezent pentru multiplexarea afiajelor electroluminiscente se folosesc circuite
integrate logice sau sisteme cu microprocesoare.
68
b) Afiaje monolitice cu segmente difer de cele precedente prin faptul c segmentele
individuale sunt formate prin difuzia separat de jonciuni semiconductoare de diode
electroluminiscente pe un singur substrat de GaAsP. Prin aceast tehnologie rezult caractere
mici care sunt mrite cu ajutorul unor lentile exterioare. Aceste afioare se folosesc n special n
calculatoarele de buzunar.
c) Afiaje alfanumerice cu matrice de puncte (dot matrix) au n special dimensiunea de
5x7 puncte. Fiecare punct (pixel) este format din cte un LED. Toate sunt apoi legate avnd un
anod (catod) comun. Pot afia orice caracter alfabetic sau cifric. Comanda lor este mai complex
dect a celor cu 7 segmente. Pot conine n aceeai capsul i comanda: memoria datelor,
decodificatorul, etc.
Fig. 5.18 Afior matrice 5x7 puncte anod comun

n (fig. 5.18) matricea este format din LED-uri care au legai anozii mpreun (5
coloane, legate la terminalul AC) iar catozii sunt accesibili la terminalele L1.....L7 (7 linii). n
funcie de comand, prin alimentarea corespunztoare se poate aprinde oricare din cele 35 de
puncte ale matricei.
Exist matrici cu diferite combinaii: 4x4, 5x8, 8x8, 16x16, etc., cu AC sau CC, cu acces
la linii sau coloane, unicolore sau multicolore.
5.2.3. Alte dispozitive de afiare

5.2.3.1. Afiaje (display-uri) cu cristale lichide
Cristalul lichid este un lichid anizotrop (prezint caracteristici fizice diferite n funcie
de direcia de msur i observare), aflat ntr-o stare intermediar ntre cea solid de cristal i
lichid. Dup modul de dispunere a moleculelor, cristalele lichide pot fi n stare: nematic,
smectic i colesteric.
Datorit consumului i dimensiunilor reduse LCD-urile (Liquid Crystal Display) au fost
folosite iniial ca afioare pentru ceasurile i calculatoarele de mn. Apoi au fost folosite din ce
n ce mai mult n telefonie, instrumente de msur, echipamente de bord la automobile, etc.
LCD-urile sunt afiaje pasive deoarece nu genereaz lumin ci au nevoie de o surs de
lumin. Ele pot fi :
-transmisive: transmit lumina primit din spate, prin suprafaa posterioar, de la o surs
de lumin artificial ctre privitor (fig. 5.19);
-reflective: folosesc lumina primit din mediul ambiant, dinspre privitor, pe care o
reflect printr-o oglind (fig. 5.20);
Principiul de funcionare al celor dou tipuri de LCD-uri sunt prezentate n continuare.
Un LCD este un panou tip sandwich (acolada orizontal) format din urmtoarele
elementele principale:
-un strat de cristal lichid (CL) situat ntre dou panouri de sticl pe care se gsesc
electrozi transpareni: un electrod comun (EC) i un numr de electrozi egal cu numrul
segmentelor (n cazul afiajelor 7 segmente) sau al pixelilor care trebuie afiai; ntre aceti
electrozi se aplic sau nu o tensiune de comand UCS; aceast comand poate fi fcut n curent
alternativ (25Hz....1kHz) sau cu impulsuri dreptunghiulare cu factorul de umplere =50%;
69
-dou filtre de polarizare FPO=filtru de polarizare orizontal spate i FPV=filtru de
polarizare vertical fa;
-o surs de lumin artificial (SL) situat n spatele LCD-ului (la cele transmisive).
Suport Suport
P FPVfa Sticl CL Sticl FPOspate SL
Raza
incident
Electrozi UCS(a....g) Electrod
transpareni Comun (EC)
Segmente (ES) transparent
Fig. 5.19 Principiul de funcionare al LCD-urilor transmisive

Prin (P) s-a figurat poziia observatorului (privitorului) fa de display-ul LCD. Atunci
cnd se aplic o tensiune de comand ntre EC i electrodul segmentului a (de exemplu), sub
influena cmpului electric exterior cristalul lichid nu mai rotete lumina polarizat orizontal cu
FPOspate i atunci segmentul a al digitului rmne opac (lumina nu trece de FPVfa).
P SL FPVfa CL FPOspate O
Raza
incident Segment
transparent
Raza
reflectat
-fr tensiune de comand-
Seg. opac
-cu tensiune de comand-
Fig. 5.20 Principiul de funcionare al LCD-urilor reflective

n (fig. 5. 20) LCD-ul fiind reflectiv, sursa de lumin (SL) este chiar lumina ambiental,
situat n faa LCD-ului, ca i privitorul (P). Pentru simplificare nu au mai fost figurai electrozii
segmentelor i cel comun. Se observ c n absena tensiunii de comand (a cmpului exterior
produs) cristalul lichid (CL) rotete lumina polarizat vertical cu filtrul FPVfa. Acest lumin
este reflectat de oglinda (O), segmentul fiind transparent.
Dac se aplic tensiune de comand, cristalul lichid nu mai rotete lumina polarizat
vertical cu FPVfa i astfel datorit FPOspate lumina nu ami ajunge la oglind pentru a fi
reflectat spre privitor, segmentul respectiv rmne opac.
Pentru LCD-uri simple, cu numr redus de segmente (simboluri) se folosete comanda
direct a acestora. n cazul LCD-urilor complexe cnd panoul este format dintr-un numr mare
de pixeli dispui matriceal se folosete comanda multiplexat a electrozilor (linii x coloane).
Pentru a se obine display-uri color se folosesc filtre color sau din spate LCD-ul este
iluminat de o lumin colorat (verde, albastru, etc.).
Pentru ca imaginea s fie color, fiecare pixel este mprit n trei subzone (RGB
RedGreenBlue), fiecare cu cte un filtru de culoare fundamental. Prin combinaia acestor trei
culori se pot obine aproximativ 8 miliarde de culori).
Tensiunea de funcionare mic (5-15 V) i puterea necesar afiajului face posibil
comanda acestora cu circuite MOS. Tensiunea aplicat trebuie s fie mai mare dect o valoare de
70
prag; dac tensiunea este mai mic dect aceast valoare de prag scade contrastul. Tensiunea de
prag crete cu frecvena tensiunii de comand i scade cu creterea temperaturii.
Temperatura uzual pentru LCD-uri este ntre -10C i +60C. Timpii de rspuns de
ordinul zecilor de ms scad cu creterea temperaturii.
La avantaje se poate specifica faptul c sunt ecologice (nu emit radiaii) iar la
dezavantaje faptul c necesit o surs de lumin exterioar.
5.2.3.2. Afiaje (display-uri) cu plasm
Afiajele cu plasm (PDP PlasmaDisplayPanel) sunt larg folosite n prezent n special
acolo unde sunt necesare dimensiuni mari (diagonale peste 100 cm) pentru monitoarele de
televiziune.
Un afiaj cu plasm este alctuit din milioane de celule de sticl umplute cu amestecuri
de gaze rare (neon-xenon sau heliu-xenon). n (fig. 5.21) sunt prezentate cteva din elementele
principale ale unui astfel de monitor.
Substan
fosforescent
Cij
Lij
Fig. 5.21 Elementele constructive principale ale unui display cu plasm
Se remarc cele dou panouri paralele din sticl (fa-spate) ntre care se gsete un
figure format din celule umplute cu gaz. Pe suprafeele interioare ale panourilor se gsesc
dispuse (perpendicular unele pe altele) dou reele de electrozi: verticali n fa i orizontali n
spate. La intersecia dintre un electrod vertical i unul orizontal se formeaz un pixel care va fi
iluminat cnd se aplic o tensiune de comand ntre cei doi electrozi (Cij pentru coloane i Lij
pentru linii).
Prin strpungerea gazului la alimentarea celor doi electrozi Cij x Lij se formeaz plasma
(a patra form de agregare a materiei, format dintr-un amestec de particule neutre, ioni pozitivi
i electroni) care emite lumin vizibil sau ultraviolet. Deoarece se emite lumin descrcarea se
numete luminiscent.
n cazul display-urilor color (figur) fiecare celul (pixel) este format din trei
subdiviziuni. Fiecare din aceste subcelule sunt cptuite cu un strat dintr-o substan
fosforescent n cele trei culori fundamentale (RGB).
Prin descrcare, plasma emite lumin UV care excit substana fosforescent
corespunztoare unei anumite culori. Lumina vizibil n respectiva culoare este transmis prin
placa fa spre privitor.
Amestecul de gaze este separat de electrozi printr-un strat de dielectric i de oxid de
magneziu.
71
Diplay-urile cu plasm pot fi alfanumerice (1....4 linii cu cte 24 caractere fiecare) sau
ecrane plate cu rezoluia de 3 megapixeli.
Printre avantajele PDP-urilor se pot enumera: culori strlucitoare, contrast puternic,
luminozitate, aprox. 68 miliarde culori fa de 8 miliarde la LCD-uri, diagonale mari.
Ca dezavantaj major: consum mare, degaje cldur, nu este ecologic (s-a pus problema
interzicerii viitoare n UE a unor variante care nu ndeplinesc anumite condiii).
5.2.4. Optocuploare
Sunt dispozitive care nglobeaz ntr-o singur capsul un emitor i un receptor de
radiaie luminoas. Emitorul poate fi un bec cu incandescen sau un LED cu emisie n spectrul
vizibil sau IR. Fotodetectorul poate fi: fotorezistor, fotoelement, fotodiod, fototranzistor,
fototiristor, etc.
n practic se folosesc mai ales urmtoarele configuraii: LED-fotodiod; LED-
fototranzistor; LED-fototiristor.
Principalul scop al utilizrii optocuploarelor n diferite montaje electronice este acela de
a realiza transferul unei comenzi cu izolare galvanic ntre intrare i ieire.
IC[mA]
IF IC
IF[mA]
a) b) c)
Fig. 5. 22 Optocuploare: simboluri a), mod de utilizare b), caracteristica de transferIC-IF

Parametrii principali ai optocuploarelor sunt:
-raportul de transfer n curent (definit ca raportul exprimat n procente, ntre curentul de
ieire i curentul de intrare) CTR Current Transfer Ratio;
-caracteristica de transfer a optocuplorului (grafic); poate fi liniar sau neliniar;
-capacitatea intrare-ieire;
-rezistena de izolaie.
Exemplu optocuplor (fig. 5.23):

- tip 4N25;
-productor: Fairchild Semiconductor;
-1 canal ; capsul DIL 6;
-detector: UCE0=70 V
-emitor: IF=100 mA;
-CTR:min20%;
-Riz=1011; C=0.5pF Fig. 5.23 Exemplu optocuplor 4N25
72
6. AMPLIFICATOARE OPERAIONALE (AO)

Amplificatorul operaional este cel mai rspndit i utilizat circuit integrat liniar.
Denumirea de operaional vine de la faptul c iniial acesta a fost utilizat pentru realizarea
analogic a operaiilor matematice (adunarea, scderea, nmulirea, scalarea, integrarea, etc.).
6.1. Funcionare. Parametrii specifici. AO ideal

Pentru a nelege funcionarea unui AO trebuie cunoscut schema acestuia cu elemente
discrete, n care sunt specificate circuitele componente ale acestuia (fig. 6.1 a).
intrare alimentare ieire
+V+
IB1
ui
ui+
IB2 RS
uo
ui ui- u0
-V-
a) b)
Fig. 6. 1 AO Structura simplificat cu componente discrete a) i simbol b)
Se disting urmtoarele circuite (componente) interne uzuale:

-etajul amplificatorului de intrare diferenial realizat cu tranzistoarele T1 i T2;
-generatorul de curent constant realizat cu tranzistorul T3 (asigur un IC32mA);
-etajul amplificatorului intermediar liniar realizat cu T4 (pnp, fiind complementar fa
de T1) permite obinerea unui potenial nul la ieire u0=0 dac ui+ = ui- = 0; sarcina
amplificatorului intermediar este un generator de curent constant realizat cu T5 (sarcin activ)
care asigur un IC52mA;
-etajul amplificatorului de ieire care este un etaj cu tranzistoarele complementare T6 i
T7 funcionnd n contratimp (montaj push-pull, adic mpinge-trage; n alternana pozitiv a
tensiunii de intrare T7 este blocat, iar curentul de emitor al tranzistorului T6 este forat mpins
s se nchid prin sarcina conectat n circuitul exterior la mas; dimpotriv n alternana
negativ a tensiunii de intrare T6 este blocat, iar T7 absoarbe trage curent de emitor prin
rezistena de sarcin RS exterioar din mas); acest etaj asigur o impedan de ieire mic pentru
AO; cele ase diode asigur o stabilizare a PSF n raport cu variaiile de temperatur care apar.
Toate aceste elemente sunt integrate tehnologic ntr-un singur circuit monobloc.
Semnalul la ieire u0 este n faz cu semnalul ui+ care se aplic pe baza lui T1; din acest
motiv aceast intrare notat cu + se numete intrare neinversoare.
Semnalul la ieire u0 este n antifaz cu semnalul ui-; din acest motiv aceast intrare
notat cu - se numete intrare inversoare.
73
Parametrii specifici AO:
- Se definete semnalul (tensiunea) de intrare diferenial:
(6.1)
i semnalul (tensiunea) de intrare n mod comun:
(6.2)
Expresia general a tensiunii de la ieirea AO n funcie de tensiunile de la intrare este:
(6.3)
unde: este amplificarea de tensiune diferenial (cnd uMC=0)
iar: este amplificarea de tensiune de mod comun (cnd uid=0)

n mod curent, Ad=100 000 (100 dB) i AMC=1 (0 dB).
-Se definete factorul de rejecie a modului comun CMRR (Common Mode Rejection
Ratio) ca raportul dintre amplificarea diferenial i amplificarea de mod comun, n condiiile n
care tensiunea de ieire u0 rmne constant (pentru aceeai tensiune pe ambele intrri):
20 log (6.4)
CMRR se mai poate defini ca raportul dintre tensiunea de intrare de mod comun i
tensiunea de intrare diferenial (de decalaj) ce trebuie aplicat la intrare pentru a menine
constant tensiunea de ieire.
-Se definete impedana de intrare n amplificator (Input Impedance) ca impedana

vzut dinspre sursa de semnal la intrarea amplificatorului; este o impedan diferenial (Rid) i
o impedan de mod comun (RiMC) definite conform (fig. 6.2).
V+
+
2RiMC Rid u0
+ Aduid -
R0
uid Rid V-
- u0 V+
2RiMC +
u0
RiMC -
V-
Fig. 6. 2 Definirea impedanelor de intrare AO
Impedana de intrare poate fi n domeniul 50 k...10 M i poate ajunge chiar la G.
Uzual impedana de intrare de mod comun este mai mare dect cea diferenial.
74
-Se definete rezistena de ieire R0 ca raportul dintre variaia tensiunii de ieire i
variaia corespunztoarea a curentului de ieire pentru un semnal diferenial nul la intrare uid=0;
uzual este n jur de 50 .
-Se definete curentul de polarizare a intrrilor (Input bias current) ca valoarea medie
a celor doi cureni continui de baz IB1 i IB2:
(6.5)
Valoarea tipic este de 100 nA pentru AO cu tranzistoare bipolare i 10 pA pentru AO

cu TEC-J i 1 pA pentru AO cu TEC-MOS. Aceste valori trebuie s fie ct mai mici.
-Se definete curentul de offset (Input Offset Current I0S ) ca modulul diferenei
curenilor de polarizare i pentru care tensiunea de ieire este zero:
| | (6.6)
-Se definete tensiunea de offset (Input Offset Voltage U0S) ca tensiunea care trebuie
aplicat la intrare pentru a obine zero la ieire. Operaia se numete compensarea offsetului.
Depinde de temperatur i timp.
u0
u0max
uid
0
U0S
u0min
Fig. 6. 3 Caracteristica de transfer AO Tensiunea de offset U0S
Dac se unesc intrrile, uid = 0 , tensiunea de ieire va fi pozitiv sau negativ, la valori
mergnd pn la tensiunea de alimentare +V sau V.
-Variaia cu temperatura i n timp a tensiunii i curentului de offset (Input Voltage

Drift, Input Current Drift) se mai numesc deriv termic (thermal drift) i respectiv deriv pe
termen lung (long term drift). Aceti parametrii, exprimai n V/C, pA/C respectiv */lun, an
sunt foarte importani pentru precizia amplificatoarelor.
-Se definete amplificarea n bucl deschis (Open Loop Gain) ca raportul dintre
variaia tensiunii de ieire i variaia tensiunii de intrare difereniale, n condiiile funcionrii la
frecvene joase i medii, cu ieirea n gol, fr reacie; odat cu creterea frecvenei are loc o
scdere a amplificrii i apariia unui defazaj ntre intrare i ieire (amplificarea este invers
proporional cu frecvena).
-Se definete viteza (panta) maxim de variaie a tensiunii de ieire (Slew Rate) dintr-un
AO pentru un semnal treapt aplicat la intrare (fig. 6.4).
Dac semnalul este sinusoidal, acest parametru limiteaz amplitudinea maxim a
semnalului de ieire, la o anumit frecven dat. Cu alte cuvinte SR stabilete relaia dintre
amplitudinea i frecvena semnalului care poate fi redat fr distorsiuni la ieire.
Astfel, dac semnalul de ieire este unul sinusoidal de forma:
atunci acesta are viteza (panta) maxim de variaie de forma:
75
| | 2 .
Pentru a putea reda fr distorsiuni acest semnal trebuie ca AO s aib SR mai mare:
2 (6.7)
ui
0 t
u0 t+ t-
u0max
0 t
u0
u0min
Fig. 6. 4 Definirea vitezei de variaie a ieirii SR slew rate pentru AO
Cunoscnd Uo se determin frecvena maxim fmax i invers. De exemplu, pentru un AO
la care se cunoate din catalog SR=1 V/S, o tensiune sinusoidal cu amplitudinea de 10V este
redat corect la ieire, fr distorsiuni dac are frecvena de maxim 15,9 kHz.
Unele AO rapide au SR de sute (mii) de voli pe S.
Amplificatorul AO ideal
Pentru simplificarea analizei schemelor bazate pe astfel de amplificatoare, se consider
c AO ideal are urmtoarele caracteristici principale:
a) Amplificare diferenial infinit: Ad = A =

b) Amplificare de mod comun nul: AMC = 0 rezult:
(6.8)
c) Intrrile AO se afl la acelai potenial: (din 6.8, dac A=, u0 este finit
numai dac = 0)
d) Impedana de intrare este infinit, rezult curenii de intrare sunt nuli: 0;
e) Impedana de ieire (fr reacie) este nul;
f) Viteza de variaie n timp a ieirii (SR-Slew Rate) este infinit (ieirea se modific
instantaneu);
g) Tensiunea de ieire u0 este nul dac intrrile sunt la acelai potenial
Dintre acestea, cele mai importante sunt (c) i (d):
-prin ambele terminale de intrare nu circul curent 0 (Proprietatea P1);
-tensiunea de intrare diferenial este zero uid=0 (Proprietatea P2).
Amplificatorul AO real
Un AO real se abate de la aceste caracteristici ideale. Astfel pentru un AO tip A741
parametrul SR = 0,5 V/S maxim. Unele AO nu sunt compensate intern i necesit o compensare
76
extern cu ajutorul unui condensator exterior C=130 pF. Cu ct C este mai mic, cu att SR este
mai mare.
Un AO real nu este perfect echilibrat (din motive tehnologice); a.. dac se unesc
intrrile i (se pun la acelai potenial) ieirea va fi pozitiv sau negativ la valori
mergnd pn la valoarea tensiunii de alimentare (contrar relaiei (6.3) conform creia u0=0).
Pentru aducerea n zero a ieirii se face o compensare a offsetului cu ajutorul unui poteniometru
exterior AO.
6.2. Aplicaii liniare ale AO

n continuare vor fi prezentate pe scurt cele mai importante montaje i aplicaii ale AO.
n analiza funcionrii lor se folosesc parametrii AO ideal, n special proprietile P1 i P2.
6.2.1. Circuitul repetor de tensiune

Repetorul de tensiune (fig. 6.5).are o amplificare n tensiune unitar, la o impedan de
intrare foarte mare i o impedan de ieire mic.
Fig. 6. 5 Circuitul repetor de tensiune cu AO

Dac se aplic la intrarea neinversoare (+) o tensiune sinusoidal de la o surs US , cum
uid=0 rezult c tensiunile pe cele dou terminale de intrare sunt egale; deoarece ieirea este
legat cu intrarea (-) rezult c U0=US.
Acest montaj se folosete ca separator i adaptor de impedane ntre diverse etaje ale
unei scheme electronice.
Erorile care apar se datoreaz mrimilor de intrare de decalaj (de offset) care la AO real
nu sunt zero, CMRR i amplificrii finite a AO real.
6.2.2. Amplificator neinversor

Pentru ca un AO s asigure funcia de amplificare trebuie ca uid=0, deci trebuie s existe
o reacie negativ dominant. Schema unui AO neinversor este prezentat n (fig. 6.6).
Tensiunea fa de mas pe intrarea inversoare (-) se obine cu divizorul R2, R1:
(6.9)
Dar tensiunea de intrare diferenial este zero , =0 rezult .

nlocuind n relaia (6.9) valoarea tensiunii de ieire se calculeaz cu relaia:
1 (6.10)
amplificarea fiind: 1 (6.11)
77
1
1
Fig. 6. 6 Amplificator neinversor cu AO

Dup cum i spune i numele AO n aceast configuraie nu inverseaz faza semnalului
de intrare i are o impedan mare de intrare. Rezistena prin care se conecteaz sursa de semnal
la intrarea (+) trebuie s fie egal cu R1 n paralel cu R2 pentru a compensa inegalitatea curenilor
de polarizare, chiar dac temperatura de lucru variaz. Amplificarea depinde de rezistenele din
bucla de reacie.
6.2.3. Amplificator inversor

Dac se modific schema circuitului neinversor ca n (fig. 6.7) se obine un amplificator
inversor.
Fig. 6. 7 Amplificator inversor cu AO
Deoarece intrarea (+) este legat printr-o rezisten la mas se poate spune c potenialul
su este zero, adic 0. Folosind una din cele dou ipoteze simplificatoare pentru AO ideal
(tensiunea de intrare diferenial nul) rezult c i intrarea (-) este la potenial zero, 0; se
spune c este o mas virual.
Din aceste condiii se pot scrie relaiile:
i (6.12)
Din care, explicitnd curenii rezult:
i (6.13)
78
Folosind T1K pentru nodul curenilor I1 i I2 i a doua ipotez simplificatoare (curenii
de intrare sunt nuli) rezult:
Astfel din I1 + I 2 = I i rezult I1 = I 2 i :.
rezult deci (6.14)
amplificarea fiind: (6.15)
Acest montaj realizeaz o amplificare n antifaz a tensiunii de intrare US (tensiunea de

ieire este defazat cu 180 fa de tensiunea de intrare). n cazul particular, dac R1=R2 se obine
un inversor de tensiune. Impedana de intrare este aproximativ egal cu R1.
Montajul permite controlul uor att al impedanei de intrare ct i al amplificrii n
bucl nchis.
6.2.4. Amplificator sumator

Un amplificator inversor cu mai multe intrri se transform ntr-un amplificator sumator
(fig. 6.8).
Fig. 6. 8 Amplificator sumator

Folosind T1K pentru nodul curenilor masei virtuale U - se obine relaia:
(6.16)
Explicitnd rezult tensiunea de ieire:
(6.17)
Tensiunea de ieire este suma tensiunilor de intrare (US1, US2, US3), fiecare ponderat cu
raportul dintre R2 i rezistena corespunztoare R1i.
n cazul particular R11......13=R2 tensiunea de ieire este suma tensiunilor de intrare, cu

semnul minus.
Folosind schema unui amplificator neinversor (fig. 6.6) se poate obine un sumator prin
introducerea tensiunilor pe intrarea neinversoare (+).
79
6.2.5. Amplificator diferenial
Schema unui amplificator cu intrare diferenial este prezentat n (fig. 6.9). Ea
reprezint o combinaie ntre amplificatorul inversor i neinversor realizat cu AO. ntr-adevr
dac se pune intrarea 1 la mas se va obine un amplificator neinversor cu uie1 . Dac se pune
intrarea 2 la mas atunci se obine un amplificator inversor cu uie2 . Cnd semnalele de intrare
acioneaz simultan, la ieire se suprapun efectele (principiul superpoziiei): uie=uie1+uie2=U0.
Fig. 6. 9 Amplificator diferenial

-Dac se consider Us1=0 (pus la mas), AO este neinversor cu intrarea US2 (fig. 6.10a):
a) b)
Fig. 6. 10 Principiul superpoziiei la un AO diferenial

n aceast situaie:
i (6.18)
Folosind prima ipotez simplificatoare pentru AO ideal (uid=0, U- = U+) rezult:
(6.19)
-Dac se consider Us2=0 , intrarea 2 se consider la mas (fig. 6.9 b) i AO este n

configuraia de amplificator inversor. n aceast situaie, U+ este la mas (prin rezistenele R3,4 )
i U- va fi o mas virtual (are potenial zero, chiar dac fizic nu este conectat la mas) :
(6.20)
n final, suprapunnd efectele (principiul superpoziiei) rezult:
(6.21)
80
n cazul particular n care:
(6.22)
Prelucrnd coeficienii tensiunilor de intrare :
rezult i nlocuind n (6.18) rezult:
(6.23)
Tensiunea de ieire este dependent de diferena tensiunilor de intrare, amplificarea fiind

egal cu A=R2/R1.
Principalul dezavantaj al schemei l constituie impedanele de intrare mici i inegale.
Practic rezistenele de intrare trebuie s fie de precizie, mperecheate ct mai bine. Pentru a
crete impedana de intrare se cupleaz naintea intrrilor AO repetoare de tensiune (fig. 6.11).
Fig. 6. 11 Creterea impedanei de intrare la un AO diferenial
6.2.6. Circuit integrator

Pentru a realiza operaia analogic de integrare se folosete un AO inversor la care
rezistena de reacie este nlocuit de un condensator C (fig. 6.12).
Schema de baz este fr rezistena R2 n paralel cu condensatorul C. Deoarece intrarea

U+ este la mas (prin rezistena R) i intrarea inversoare U- este virtual la mas (P2) i rezult:
rezult (6.24)
Scriind T1K pentru nodul curenilor (intrarea inversoare U-) :
I1 + I 2 = I i rezult (P1) I1 = I 2
81
Fig. 6. 12 Amplificator integrator cu AO
Dac se scrie curentul care circul prin condensator (n valori instantanee, cu litere
mici):
(6.25)
prin egalitatea cu i1 rezult:
(6.26)
Conform ultimei formule, tensiunea de ieire este proporional cu integrala tensiunii de

intrare, acest lucru dnd i numele circuitului (T=R1C este constanta de timp de integrare) .
Problema care apare la acest circuit este n cazul integrrii unor semnale de intrare
dreptunghiulare de durat T (fig. 6.13 a). n acest caz o tensiune de dezechilibru minim ntre
intrri, integrat n timp duce la saturarea ieirii (uie=ct). Pentru evitarea acestui fenomen,
valoarea rezistenei R se ia egal cu R1 i se regleaz offsetul; n plus se conecteaz o rezisten
R2 n paralel cu C pentru reducerea amplificrii la frecvene joase (n curent continuu).
uS
|A| dB
t
T -20dB/decad
U
u0
lg f
fmin f0 fT
t
b)
a)
Fig. 6. 13 Rspunsul integratorului la un impuls negativ de durat T-analiza n
domeniul timp a)i caracteristica amplitudine-frecven-analiza n domeniul
frecven b)
Pentru determinarea domeniului de frecven n care circuitul funcioneaz corect se
compar caracteristica de frecven a unui AO ideal (o dreapt cu pant negativ -20 dB/dec,
amplificarea A infinit) cu a unui AO real (caracterizat prin amplificarea A finit i frecvenele
f0 i fT). Se observ c pentru f<fmin factorul de transfer al AO este mai mare dect amplificarea A
a AO ceea ce este imposibil ntr-un circuit real unde amplificarea provine exclusiv din AO. n
82
aceste condiii frecvena minim a semnalului de intrare pentru care circuitul se comport ca
integrator trebuie s fie:
(6.27)
Se observ c valoarea frecvenei minime se poate controla din constanta de timp R1C.
Frecvena limit superioar este dat de frecvena fT la care amplificarea este egal cu unitatea,
A=1. Condiia de bun funcionare ca integrator este deci ca semnalul de intrare s aib frecvena
cuprins ntre [fmin, fT].
Circuitul prezentat face parte din categoria integratoarelor cu aciune continu. Exist i
integratoare cu aciune discontinu la care condensatorul de pe calea de reacie este descrcat
periodic cu ajutorul unui comutator electronic (realizat de exemplu cu un tranzistor TEC cuplat
n paralel cu C) nainte de nceperea fiecrui nou ciclu de integrare.
6.2.7. Circuit derivator

Pentru a realiza operaia analogic de derivare se folosete tot un AO inversor la care se
monteaz un condensator C n serie cu tensiunea de intrare US (sau ntr-un circuit integrator se
schimb locul condensatorului cu al rezistenei). Varianta de baz este fr rezistena R1 n serie
i condensatorul C1 n paralel (fig. 6.14). Spre deosebire de integrator, circuitul de derivare are o
bun stabilitate static. Dezavantajul su este c la frecvene nalte este instabil. De asemenea
este sensibil la perturbaiile suprapuse peste semnalul de intrare. Pentru micorarea acestor
dezavantaje, n structura de baz a circuitului se introduce rezistena R1 i condensatorul C1.
Fig. 6. 14 Amplificator derivator cu AO

Dac U- este o mas virtual i curenii de intrare sunt nuli (P1) rezult relaiile:
(6.28)
Rezult, n condiii iniiale nule :
(6.29)
Tensiunea de ieire este proporional cu viteza de variaie a semnalului de intrare.

Acest circuit permite obinerea unor impulsuri ascuite dintr-o tensiune dreptunghiular aplicat
la intrare (expl. Fig. 2.19) sau transformarea unui semnal triunghiular de intrare ntr-un semnal
dreptunghiular.
83
6.2.8. Circuit comparator
De multe ori n aplicaiile practice se pune problema determinrii care dintre dou
tensiuni (semnale) este mai mare sau cum sunt acestea situate fa de un nivel de referin Uref
sau de prag Up .
Se poate spune c circuitele comparatoare fac legtura dintre domeniul mrimilor
analogice i domeniul mrimilor digitale. Astfel, n timp ce tensiunea de intrare (generat de o
surs uS) variaz continuu ntr-o gam de valori, tensiunea de ieire din comparator poate lua
doar dou valori care pot reprezenta cele dou variabile booleene L (Low) i H (High).
n (fig. 6.15) este prezentat caracteristica de transfer pentru un comparator ideal.
Acesta este caracterizat de urmtoarele proprieti simplificatoare:
-tensiunea de ieire ia numai dou valori U0H i U0L, funcie de semnul lui uid ;
-curenii de intrare n comparator sunt nuli, i+ i i- =0;
-timpul de rspuns al comparatorului ideal este zero, ceea ce d caracterul de circuit fr
memorie pentru comparator , adic valoarea la un moment de timp pentru tensiunea de ieire este
independent de valorile sale anterioare.
U0
U0HV+
Uid
0
U0LV-
a) b)
Fig. 6. 15 Comparator ideal cu AO a), caracteristica de transfer b)
Dac potenialul (U+) < (U-), atunci uid < 0 i ieirea U0 comut, ia valoarea U0LV-.
Se observ diferena dintre un amplificator operaional i comparator: n timp ce la AO
ieirea variaz continuu i proporional (ntre U0max i U0min) cu intrarea , la un comparator
ieirea nu are dect dou valori U0H i U0L.
Comparatoarele reale se deosebesc de cele ideale prin abaterile date de proprietile lor.
De exemplu trebuie inut cont de parametrii de intrare: tensiunea de offset (compensarea ei cu
temperatura), de curenii de polarizare I+ i I- care nu sunt zero n cazul real i de parametrii de
ieire : nivelele logice de ieire U0H i U0L, capacitatea de comand la ieire (fan out). Dintre
parametrii de transfer vom defini: amplificarea finit n bucl deschis i timpul de rspuns.
-Amplificarea finit n bucl deschis A0 se mai numete i ctig n bucl deschis. n
(fig. 6.16 a) este prezentat caracteristica de transfer a unui comparator real.
U0 uSi
U0H 0 t
tg =A0
uid
-x u0
+x U0H
U0L
U0L ti tf t
tr tr=ti+tf
a) b)
Fig. 6. 16 Caracteristica de transfer comparator real a), timpul de rspuns b)
84
Se observ c trecerea de la nivelul Low (U0L) la nivelul High (U0H) nu se face brusc, n
momentul n care tensiunea diferenial de intrare este zero. Aceast trecere a ieirii de la U0L la
U0H se face odat cu variaia intrrii n domeniul [-x, +x]=[-U0L/A0, +U0H/A0]. Acest interval se
numete interval de incertitudine. Cu ct amplificarea A0 este mai mare, cu att intervalul de
incertitudine este mai mic i precizia comparaiei este mai bun. Intervalul de incertitudine[-x,
+x] exprim rezoluia comparatorului UR i reprezint cea mai mic treapt de tensiune de
intrare care poate fi sesizat de comparator:
(6.30)
-Timpul de rspuns (tr=ti+tf) este un alt parametru important pentru comparatoare; el

caracterizeaz viteza de rspuns a circuitului la modificarea intrrii (fig. 6.15 b) i este format
din dou componente: timpul de ntrziere (ti) i durata frontului impulsului de ieire (tf).
Timpul de rspuns este cu att mai mic cu ct variaia intrrii este mai mare.
Timpul de rspuns i amplificarea sunt doi parametrii ai comparatoarelor care sunt n
antifaz: un timp de rspuns mic (comparator rapid) implic un comparator cu o variaie a
intrrii mare, deci o amplificare A0 mic, deci un interval de incertitudine, rezoluie mare
(comparator mai puin precis) i invers.
La alegerea unui comparator pentru o aplicaie trebuie fcut un compromis ntre viteza
de rspuns i rezoluia acestuia.
6.2.8.1. Comparatoare simple (fr memorie)
Cel mai simplu comparator este realizat cu un AO fr bucl de reacie (fig. 6.17).
Semnalul de comparat US se cupleaz fie la intrarea inversoare (-) fie la intrarea neinversoare (+)
a AO, acest lucru dnd caracterul inversor, respectiv neinversor al comparatorului; tensiunea de
prag Up = Uref , obinut de pe cursorul unui poteniometru se cupleaz la cealalt intrare. n (fig.
6.17 a, b) este prezentat schema unui comparator inversor, cu prag diferit de zero, respectiv
caracteristica sa de transfer U0=f(US). n (fig. 6.17 c, d) comparatorul este neinversor.
U0 U0
U0H U0H
0 US US
0
Up Up
U0L U0L
a) b) c) d)
Fig. 6. 17 Comparatoare simple cu prag diferit de zero:

inversor+caracteristica transfer a, b) , neinversor+caracteristica transfer c, d)
La comparatoarele din figur tensiunea de intrare este uid=|Up-US|. Condiia ca uid =0 se

realizeaz cnd US=Up.
AO are o amplificare foarte mare (neavnd reacie); de aceea la fiecare trecere a

tensiunii uS peste nivelul tensiunii de prag Up sau de referin Uref , ieirea comut ;
dac tensiunea uS este sub nivelul tensiunii Uref , ieirea comut . Acest comparator este
inversor deoarece dac intrarea crete peste nivelul de referin, ieirea scade (i invers). Dac
tensiunea de referin se aplic la intrarea inversoare i semnalul de comparat la intrarea
neinversoare, comparatorul este de tip neinversor.
85
6.2.8.2. Comparatoare cu histerezis (cu memorie)
Un comparator cu histerezis se obine dintr-un comparator simplu prin introducerea unei
reacii pozitive (fig. 6.18). Deoarece tensiunea de intrare de la sursa de semnal uS se conecteaz
la intrarea inversoare comparatorul este inversor.
Comparatorul cu histerezis se mai numete trigger Schmitt.
Comparatoarele cu histerezis au dou tensiuni de prag, de valori diferite: tensiunea de
prag inferioar UPI (sau Low UPL) i tensiunea de prag superioar UPS (sau High UPH) . La un
moment de timp numai una din aceste tensiuni este activ. Selecia pragului activ o face
comparatorul n funcie de starea de ieire, dat de valorile anterioare (evoluie) ale tensiunii de
intrare. Din acest motiv comparatorul se numete cu memorie (atunci cnd tensiunea de intrare
este cuprins ntre cele dou praguri, pentru a ti valoarea tensiunii de ieire trebuie cunoscut
starea anterioar a ieirii comparatorului, din momentul tranziiei).
Dup cum se observ din (fig. 6.18 a) la intrarea neinversoare (+) se conecteaz, prin
intermediul unei rezistene R1 o tensiune de referin Uref a crei valoare poate varia ntre [-V,
+V] cu ajutorul unui poteniometru (nefigurat).
u0
V+
UPI Uref UPS us
V-
a) b)
Fig. 6. 18 Comparator inversor cu histerezis a) , caracteristica de transfer b)
Aproximnd cu V cele dou niveluri ale tensiunii de ieire din comparator U0H=+V i
U0L=-V, pentru a obine valorile celor dou tensiuni de prag i ale limii zonei de histerezis se
scriu relaiile (innd cont c uid = 0, i+ = i- = 0) :
(6.31)
Din relaia (6.27) rezult US=f(U0):

(6.32)
Cum circuitul este cu memorie, UO este U0H sau U0L n funcie de starea n care se afl
circuitul n momentul efecturii tranziiei. n acest caz:
-pentru ; rezult:

(6.33)
- pentru ; rezult:
86

(6.34)
-limea zonei de histerezis (Ui) va fi:

(6.35)
n (fig. 6.19) este prezentat cazul particular n care Uref = 0. Sunt ilustrate cazurile
comparatoarelor cu histerezis inversoare i neinversoare precum i caracteristicile de transfer
respective.
Pentru a afla valorile tensiunilor de prag superioar UPS i inferioar UPI n cazul
comparatorului inversor se nlocuiete n relaiile (6.29), (6.30) Uref = 0.
U0 U0
U0H U0H
0 US 0 US
UPI UPS UPI UPS
U0L U0L
a) b) c) d)
Fig. 6. 19 Comparator cu histerezis: inversor a) , caracteristica de transfer b),

neinversor c) , caracteristica de transfer d) pentru Uref=0
n cazul comparatorului neinversor (fig. 6.18 c) se scriu relaiile (uid=0, i+=0):
(6.36)
Rezult:
(6.37)
Punnd condiiile: US=UPS i U0=U0L=-V respectiv US=UPI i U0=U0H=+V rezult:
i (6.38)
Pentru o mai bun nelegere a funcionrii, n (fig. 6.20) sunt prezentate caracteristicile
de transfer i rspunsurile comparatoarelor inversoare (a) i neinversoare (b) la un semnal de
intrare triunghiular (n timp).
Se poate urmri cum evolueaz ieirea la modificarea (creterea scderea) semnalului
de intrare US. Se observ comutrile ieirii n momentul atingerii de ctre tensiunea de intrare a
pragurilor UPS i UPI .
87
US US
U0 UPS U0 UPS
U0H t U0H t
UPI UPI
0 US 0 US
UPI UPS U0 UPI UPS U0
U0H U0H
U0L U0L
t t
U0L U0L
a) b)
Fig. 6. 20 Caracteristica de transfer i rspunsul la un semnal triunghiular de
intrare pentru un comparator cu histerezis: inversor a) , neinversor b
6.3. Aplicaii neliniare ale AO

Deoarece la toate montajele prezentate, pe calea de reacie au fost folosite elemente cu
caracteristici liniare, circuitele respective constituie aplicaii liniare cu AO.
Dac AO au n bucla de reacie elemente neliniare ele formeaz aplicaii neliniare. Ele
nu mai intr n categoria amplificatoarelor, realiznd transformri neliniare ale semnalului de
intrare (transformri de tip funcie).
6.3.1. Redresor monoalternan

n (fig. 6.21 b) este prezentat schema unui redresor monoalternan realizat cu un AO.
Acesta se folosete n locul unui redresor clasic cu o diod (fig. 6.21 a) atunci cnd tensiunea de
intrare (furnizat de sursa de semnal) este mai mic dect cderea de tensiune pe diod. n acest
caz dioda nu se deschide i nu se poate face o redresare a semnalului de intrare.
US
U0
t
US U0
a) b) c) d)
Fig. 6. 21 Redresorul monoalternan: clasic cu diod a), cu AO b),

caracteristica de transfer c), evoluii temporale d)
Alternana pozitiv a lui US deschide D1 ; AO o inverseaz a.. n anodul lui D2

tensiunea va fi zero. Alternana negativ blocheaz D1 , AO va avea la ieire alternana pozitiv
care, deschiznd dioda D2 se regsete n U0 este redresat. Tensiunea de ieire U0 va fi:
0 0
(6.39)
0
6.3.2. Redresor bialternan

n (fig. 6.22 a) este prezentat schema unui redresor bialternan format dintr-un
redresor monoalternan urmat de un sumator inversor.
88
US
t
Uredr
t
U0 t
a) b)
Fig. 6. 22 Redresorul bialternan: schema a), diagrame temporale b
Dac US este tensiunea sinusoidal aplicat redresorului monoalternan (AO1) i intrrii
cu ponderea unu a sumatorului (AO2); Uredr este tensiunea redresat i aplicat pe intrarea cu
ponderea doi a sumatorului (AO2), pentru a afla U0 se scrie relaia dintre intrare ieire a unui
amplificator sumator inversor (adaptarea relaiei 6.17):
2 (6.40)
Se observ c semnalul rezultat este redresat, bialternan i de polaritate negativ
datorit inversrii dat de sumatorul inversor.
* Ce ar trebui modificat n schem pentru a obine un semnal redresat pozitiv? (S
se justifice grafic i matematic soluia propus).
BIBLIOGRAFIE
Dispozitive i circuite electronice fundamentale, Editura Albastr, Cluj Napoca, 2004
Circuite analogice, Editura Albastr, Cluj Napoca, 2004
[3] Edmond Nicolau (coord.) Manualul inginerului electronist, Editura Tehnic, Bucureti,
1988
[4] Istvn Sztojanov, Sever Paca Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice Ghid
practic Pspice, Editura Teora, 1997
[5] Eugen Subirelu Dispozitive electronice i circuite analogice, Notie pentru curs - anul II
Electromecanic, Informatic Industrial, Ingineria i protecia mediului n industrie, 2009-
2010
89

29 Electronica Analogica Curs PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

29 Electronica Analogica Curs PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

UNIVERSITATEA DIN CRAIOVA

Facultatea de inginerie n electromecanic, mediu i

Craiova, 01 iunie 2010

1. INTRODUCERE N ELECTRONICA ANALOGIC

1.1. Semnale analogice

1.1.1. Clasificare, definire, mrimi caracteristice

Fig. 1.1 Clasificarea semnalelor electrice dup evoluia n timp

Semnalele constante se caracterizeaz prin faptul c valoarea lor rmne constant n

n categoria semnalelor periodice un rol aparte revine semnalelor sinusoidale. Un semnal

1.1.2. Convenie de notare a semnalelor utilizate n circuitele electronice

Fig. 1.2 Reprezentarea i notarea unui semnal analogic

1.2. Elemente pasive de circuit

Fig. 1.3 Simboluri utilizate pentru reprezentarea rezistoarelor

Semnificaia simbolurilor prezentate n figur este urmtoarea: a) rezistor fix (simbol

Condensatorul este elementul care are proprietatea de a acumula (nmagazina) sarcina

La conectarea condensatoarelor n serie sau paralel se obin capaciti echivalente cu

Aceasta reprezint ecuaia unei drepte de pant tg = I / C

Semnificaia simbolurilor prezentate n figur este urmtoarea: a) bobin fr miez; b)

Bobina n curent continuu:

Bobina n curent alternativ, sinusoidal:

Derivnd i nlocuind n relaia (1.18) se obine expresia tensiunii la bornele bobinei:

Se observ c la frecvene mari (f) bobina ideal se comport ca un circuit deschis

Fig. 2.2 Jonciunea PN polarizat direct (a ) i invers

2.2. Dioda semiconductoare

2.2.1. Simbol, structur i funcionare

n (fig. 2.3,c) este reprezentat caracteristica curent-tensiune a unei diode

2.2.2. Circuit simplu cu diod; dreapta de sarcin i PFS al diodei

2.2.3. Modele aproximative ale caracteristicii diodei

Fig. 2.6 Caracteristica curent-tensiune i modelul diodei ideale

Deoarece n unele aplicaii nu se poate neglija cderea de tensiune direct pe diod,

Fig. 2.8 Comportarea diodei la semnal mic

u D = U D0 + u d = U D0 + I d max sin t ; i D = I D0 + i d = I D0 + U d max sin t (2.5)

rezistena dinamic a diodei (rezistena n c.a.) se determin cu formula:

2.2.4. Redresarea folosind diode semiconductoare

2.2.4.1 Redresarea unei singure alternane

Dac se alimenteaz primarul transformatorului cu tensiunea u1 = U1max cost n

Pentru a se exprima performanele redresrii monoalternan se face analiza Fourier a

Umax(Imax) sunt valorile maxime pentru tensiunea (curentul) redresat.

Parametrii redresorului monoalternan sunt:

Pe lng valoarea capacitii C, la alegerea condensatorului trebuie specificat tensiunea

innd cont de us , valoarea componentei continue a tensiunii pe sarcina RS la

2.2.4.2.1 Redresor dubl alternan cu priz median n secundar

2.3.4.2.2 Redresor dubl alternan n punte

2.3. Dioda stabilizatoare de tensiune (Zener); circuite de stabilizare

Diodele a cror funcionare se bazeaz fie pe fenomenul de strpungere Zener fie pe

n (fig. 2.15) este prezentat modelul diodei stabilizatoare cu caracteristica liniarizat. n

Funcionarea acestui circuit se bazeaz pe proprietatea diodei Zener de a menine

Dac se nlocuiete dioda Zener cu modelul su liniarizat pe poriuni prezentat n (fig.

2.4. Alte aplicaii ale diodelor semiconductoare

2.4.2. Circuite de limitare cu diode

Fig. 2.20 Limitator simetric cu diode

2.4.3. Circuite formatoare de impulsuri

2.4.4. Circuite pentru refacerea componentei continue

Fig. 2.22 Circuit pentru refacerea componentei continue a unui semnal

3.1. Structura i funcionarea TB

3.2. Relaii fundamentale; modelul static al TB

Fig. 3.3 Simbolul i notaiile mrimilor curenilor i

n simbolul tranzistorului, printr-o sgeat este indicat sensul real al curentului de

n practic se poate aprecia c:

Cum jonciunea emitor-baz se comport ca o diod i dac se nlocuiete dioda cu

3.3. Conexiunile i caracteristicile TB

INTRARE IEIRE INTRARE IEIRE INTRARE IEIRE

Fig. 3.5 Conexiunile tranzistorului npn: EC-a, BC-b, CC-c