Electrical

IOAN D.
OLTEAN
MATERIALE ȘI TEHNOLOGII PENTRU

IOAN D. OLTEAN
COMPONENTE şi SUBANSAMBLE
ELECTRONICE
Note de curs şi aplicaţii
LOR.
Teorie şi aplicaţii
IOAN D. OLTEAN
MATERIALE ȘI TEHNOLOGII PENTRU

COMPONENTE şi SUBANSAMBLE
ELECTRONICE
Note de curs şi aplicaţii
2014
Cuprins
1. Materiale pentru electronica. Parametrii materialelor conductoare, dielectrice, magnetice.
Legi de material.
2. Materiale conductoare. Caracteristici. Dependenta conductivitatii electrice de structura
materialului. Materiale de conductivitate ridicata si materiale cu rezistivitate mare.
Supraconductia electrica.
3. Unele aplicatii ale materialelor conductoare: linii de transmisie a semnalelor, rezistoare
bobinate si peliculare.
4. Materiale dielectrice. Polarizarea electrica. Caracteristici. Dependenta permitivitatii
dielectrice de structura materialului. Materiale piezoelectrice. Aplicatii ale materialelor
dielectrice si piezoelectrice la realizarea de condensatoarelor si a rezonatoarelor
piezoelectrice .
5. Componente pasive. Serii de valori nominale.
6. Tehnologia rezistoarelor peliculare si bobinate.
7. Tehnologia condensatoarelor fixe cu dielectric: plastic, ceramic si electrolotice.
8. Materiale magnetice. Clasificari si caracteristici ale materialelor magnetice. Dependente in
camp magnetic la materialele magnetic moi si dure. Materiale magnetice pentru miezuri de
bobine, transformatoare si capete magnetice.
9. Bobine. Parametrii si constructia bobinelor cu si fara miez magnetic. Calculul bobinelor
fara miez magnetic. Determinarea numarului de spire la bobinele fara miez si la cele cu miez
magnetic.
10. Materiale semiconductoare. Tehnologia de obtinere a siliciului de calitate electronica:
elaborare, purificare, cristalizare. Obtinerea plachetelor de siliciu. Tehnici specifice
domeniului: de impurificare controlata (difuzia si implantarea ionica), depuneri de straturi
conductoare si dielectrice, procesul fotolitografic.
11. Tehnologia de realizare a diodelor semiconductoare.
12. Tehnologia tranzistoarelor bipolare si a celor cu efect de camp. Succesiunea operatiilor si
modalitatii de imbunatatire a parametrilor functionali.
13. Tehnologia circuitelor integrate. Tehnici de izolare a componentelor.
14. Tehnologia subansamblelor. Nivele de asamblare. Tehnologia cablajelor imprimate.
15. Aplicații – Lucrări de laborator

1. PARAMETRII REZISTOARELOR. COMPORTAREA ÎN DOMENIU FRECVENŢĂ
2. PARAMETRII CONDENSATOARELOR. DEPENDENŢA PARAMETRILOR DE
FRECVENŢĂ
3. PARAMETRII BOBINELOR. DEPENDENŢA PARAMETRILOR DE FRECVENŢA
4. PARAMETRII LINIILOR DE TRANSMISIE A SEMNALELOR. DETERMINAREA
IMPEDANȚEI CARACTERISTICE.
5. TEHNOLOGIA TRANZISTOARELOR BIPOLARE
6. TEHNOLOGIA CIRCUITELOR INTEGRATE
(http://vega.unitbv.ro/~olteanu/tehnologie_electronica_lab/L.3-C.I.1.pdf )
7. TEHNOLOGIA CABLAJELOR IMPRIMATE
(http://vega.unitbv.ro/~olteanu/tehnologie_electronica_lab/L.4-Cablaje.pdf)
1. OBIECTUL CURSULUI
1. 1. Generalităţi
Tehnologia este disciplina ce are ca obiect de studiu modalităţile practice de
obţinere a unor bunuri materiale. Tehnologiile sunt foarte diferite şi variate, acestea
fiind specifice domeniilor: mecanic, electric, electronic, metalurgic, etc. Calitatea unui
produs poate fi menţinută în timpul fabricaţiei numai prin monitorizarea parametrilor
de proces şi prin menţinerea lor în anumite limite admise. De calitatea materialelor
folosite şi de modul în care se face monitorizarea parametrilor depinde atât preţul final
al produsului cât şi calitatea lui.
Tehnologia electronică este disciplina care abordeaza procedeele de realizare a
componentelor şi a circuitelor electronice, precum şi de modalităţile de asamblare a
acestora pentru realizarea aparaturii electronice. Aparatura electronică conţine o serie
de blocuri funcţionale interconectate. În structura blocurilor electronice se găsesc
circuite electronice realizate prin interconectarea componentelor şi a dispozitivelor
electronice care trebuie să realizeze funcţiile cerute. Pentru proiectarea şi realizarea
aparaturii electronice este necesar ca electronistul să cunoască pe lângă caracteristicile
funcţionale şi pe cele constructive ale componentelor şi ale dispozitivelor folosite la
realizarea blocurilor electronice .
Tehnologia electronică cuprinde mai multe domenii în funcţie de specificul
fabricaţiei:
 Tehnologia componentelor electronice pasive;
 Tehnologia dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate;
 Tehnologii de realizare a modulelor electronice (packaging electronic);
 Tehnologia aparatelor şi a sistemelor electronice.
Tehnologiile de fabricaţie a componentelor active şi pasive, precum şi a
aparaturii electronice sunt în continuă schimbare şi perfecţionare. Dinamica unei
tehnologii este cea care conferă dinamica domeniului respectiv. În decursul timpului,
la fabricaţia aparaturii electronice sau produs schimbări care au dus la modificări ale
formei, ale gabaritului componentelor şi al modului de interconectare a dispozitivelor
şi a circuitelor electronice. Tehnicile folosite la fabricaţia componentelor şi cele de
asamblare pentru producţia de serie a echipamentelor electronice (tehnologia de
montaj) au beneficiat de un număr aparent inepuizabil de îmbunătăţiri.
Tehnologia microelectronică abordează modalităţile de realizare al dispozitivelor
electronice discrete şi al circuitelor integrate. Reducerea gabaritului şi a preţului de
cost precum şi creşterea fiabilităţii echipamentelor electronice s-au obţinut odată cu
dezvoltarea tehnologiilor de realizare a circuitelor integrate şi cu cele de asamblare
modulară. Tehnologia microelectronică are la bază un număr important de etape
tehnologice elementare pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare şi a
circuitelor integrate. Activităţile corespunzătoare domeniului sunt foarte diverse:
elaborarea de materiale semiconductoare, realizarea plachetelor semiconductoare,
tehnologii pentru realizarea joncţiunilor, tehnici pentru depuneri de straturi, tehnici de
interconectare, producţia de componente şi dispozitive electronice, tehnicile de testare
8 Obiectul cursului
legate de producţie şi de procedee tehnologice, proiectarea asistată de calculator, etc.

În practică toate aceste domenii se găsesc în interdependenţă reciprocă. Aceasta
disciplină se bazează pe cunoştinţele din domeniile: fizicii, chimiei, materialelor
semiconductoare şi a dispozitivelor electronice. Ea reprezintă o ştiinţă inginerească, ce
necesita numeroase cunoştinţe ştiinţifice de bază, dar cere şi ingeniozitate.
Lucrarea de faţă cuprinde următoarele:
- Materiale pentru electronică;
- Tehnologia componentelor pasive;
- Tehnologia tranzistoarelor și a circuitelor integrate;
- Tehnologii de asamblare.
În prima parte a lucrarii sunt prezentate caracteristicile materialelor pentru
electronica respectiv: conductoare, dielectrice, semiconductoare și ale materialelor
magnetice. În continuare sunt prezentate tehnologiile de fabricare a componentelor
pasive, dupa care se prezinta tehnologia dispozitivelor semiconductoare și a circuitelor
integrate. În partea finală sunt prezentate tehnologiile de realizare a circuitelor
subansamblelor, in special asamblarea componentelor pe cablaje imprimate.
C1-Materiale si tehnologii
pentru componente
electronice (MTCE)
1. Materiale folosite în electronică.

2. Materiale conductoare.
3. Obiectivele disciplinei.
MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1

1.1. Obiectivele disciplinei
 Materiale folosite in electronică: conductoare, semiconductoare,
dielectrice, magnetice – proprietati si caracteristici tehnice,
fenomene specifice.
 Tehnologia componentelor electronice pasive: rezistoare,

condensatoare, bobine – comportament functional, caracteristici
electrice, tehnologii de realizare, aplicatii.
 Tehnologia dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor

integrate: tehnologii de realizare, aplicatii.
 Tehnologia de realizare a subansamblelor: tehnologii de

realizare a cablajului imprimat (PCB) și tehnologii de realizare a
blocurilor electronice.

Tehnologia electronică –abordează procedeele de
realizare ale componentelor, dispozitivelor, a circuitelor
electronice, precum şi modalităţile de asamblare a
acestora pentru realizarea aparaturii electronice.
Aparatura electronică are la bază materiale specifice şi

procese industriale bazate pe cercetări ştiinţifice legate
de proprietăţile electrice şi magnetice ale materialelor.

Bibliografie curs
 Oltean I.D., Componente electronice pasive, Editura Lux Libris, 2000,
 Oltean I.D., Tehnologie electronică, Tehnologia dispozitivelor
semiconductoare şi a circuitelor integrate, Editura MATRIX ROM,
Bucureşti, 2004
 http://vega.unitbv.ro/~olteanu
 I. Dandea, Materiale si componente pentru electronica; Ed.
SOLNESS; Timisoara, 2004.
 V. Catuneanu, Materiale pentru electronica; Ed. Didactica si
Pedagogica, Bucuresti, 1982.
Laborator
 http://vega.unitbv.ro/~olteanu
Tehnologie electronica lab (L2, L4)
Tehnici de măsurare in Telecomunicatii laborator (L1, L2, L3, L4)

1.2. Materiale folosite în electronică
Clasificare d.p.d.v. al comportării în câmpul

electromagnetic:
 Materiale conductoare,
 Materiale semiconductoare,
 Materiale dielectrice (electroizolante),
 Materiale magnetice.

Legi şi parametri de material
Proprietăţile diferitelor materiale pot fi descrise cu ajutorul

legilor de material, introduse pe bază de experiment.
O lege de material descrie comportarea materialului sub

acţiunea unei solicitări exterioare. Intr-o astfel de lege,
parametrul de material face legătura între cauză şi efect
(descrie legătura cauzală).
Un enunţ general al unei legi de material conţine întotdeauna o

exprimare de forma: „ Ori de câte ori asupra unui material se
exercită o solicitare de o anumită natură (forţe mecanice, forţe
electrice, solicitare termică, radiaţii ş.a. – care reprezintă
CAUZA fenomenului respectiv) în material va apare un
EFECT care depinde de natura şi structura materialului, prin
parametrii caracteristici ai materialului”.
1.2.1. Parametrii de material
O proprietate de material reprezintă o însuşire comună pentru acea
clasă de materiale care caracterizează răspunsul materialului la
acţiunea unor solicitări exterioare.
Exemple:
 conductibilitatea electrică (proprietatea materialului de a
conduce curentul electric) defineşte modul cum se comportă un
material conductor electric arunci când asupra lui se aplică un
câmp electric;
 susceptibilitatea magnetică caracterizează modul de comportare
a unui material la aplicarea unui câmp magnetic etc.
Fiecărei proprietăţi de material i se asociază o mărime fizică (care

poate fi scalară, vectorială, tensorială) numită parametru de
material, care caracterizează starea materialului supus solicitărilor
exterioare.

Parametrii principali
J  E
Legea conducţiei electrice:
E   J
Legea legăturii în câmp electric: D   0 r E

Legea legăturii în câmp magnetic: B  0  r H

1.3. Materiale conductoare
 Conducţia electrică este fenomenul de trecere a curentului electric
printr-un material atunci când acesta este supus acţiunii unui câmp
electric.
 Curentul electric de conducţie este definit prin mişcarea ordonată de

sarcini electrice libere (electroni sau/şi ioni) sub acţiunea câmpului
electric.
 Metalele şi aliajele intră în clasa materialelor conductoare, având

conductivitatea:
  106...108 1  m1
 Metalele - cristalizate în reţele compacte cu proprietăţi mecanice,
termice, electrice, magnetice deosebite.
 Structura atomică - metalele sunt alcătuite din atomi care au un

număr mic de electroni pe ultimul strat electronic (până la 4 electroni,
excepţie face bismutul Bi, care are 5 electroni pe ultimul strat
electronic).
1.3.1. Clasificarea materialelor în
funcţie de conductibilitatea electrică
Conductivitatea electrică este parametrul de
material care caracterizează proprietatea de
conductibilitatea electrică.
materiale conductoare electric, care permit trecerea

curenţilor electrici intenşi, de ordinul A - kA (exemple: argintul,
cuprul, aurul, aluminiul, grafitul etc.);
materiale semiconductoare, care permit trecerea
curentului electric de valore mai mică, de ordinul μA – mA
(exemple: cristalele de germaniu, siliciu cu impurităţi introduse în
mod controlat etc.);
materiale electroizolante, în care curenţii electrici de
conducţie au valori foarte mici, de ordinul nA – pA.
Scara conductivităţii σ şi a rezistivităţii
electrice ρ a materialelor

1.3.2. Teorii ale conducţiei electrice
a) Teoria benzilor energetice
Clasificarea cristalelor după poziţia nivelului Fermi: a) cristale

conductoare; b) cristale semiconductoare; c) cristale
electroizolante.

Conducţia electrică a metalelor
 b) Teoria gazului electronic (Lorenz)
 Această teorie consideră că reţeaua cristalină a metalelor este

alcătuită din cationii metalici printre care se mişcă liber
electronii. În reţeaua metalică ionii metalici sunt “scufundaţi” într-
un fluid de electroni liberi, numit gaz electronic.
 La aplicarea unei diferenţe de potenţial din exterior, asupra

fiecărui electron cvasiliber acţionează o forţă electrică ceea ce
determină stabilirea, peste mişcarea de agitaţie termică, o
mişcare orientată a electronilor, care constituie de fapt curentul
electric.

1.3.2.1. Densitatea de curent J
Densitatea curentului electric J, pentru cazul unui conductor de lungime l
şi secţiune constantă S :
Volumul conductorului :
q
I t N  q 0 1 N  q 0 1 l V  S  l
J      
S S t S t S l l
vd 
MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean
t 14
a) Calculul densităţii de curent
Viteza de drift poate fi definită ca viteză medie de deplasare a

electronului de conducţie care parcurge lungimea Δl în intervalul de
timp Δt, rezultă:
N
J   q0  v d
V
Concentraţia de volum a electronilor de conducţie este n0=N/V, cu
care expresia densităţii curentului electric de conducţie devine:
J  n 0 q 0v d

b) Viteza de drift
Mobilitatea µ0 a electronului de conducţie.
Pentru a caracteriza uşurinţa de deplasare a electronilor sub acţiunea
câmpului electric, se defineşte mobilitatea electronilor de
conducţie cu relaţia:
vd
μ0 
E

c) Conductivitatea electrică
Conductivitatea σ prin introducerea mobilităţii electronului μ0 se mai

poate scrie:
σ  q 0 n 0 μ0
Valoarea conductivităţii electrice depinde de: sarcina electrică q0,
concentraţia de volum a electronilor de conducţie n0 şi de mobilitate μ0.
Prin înlocuire în relația densității de curent, rezultă:
J σ E
Ce reprezintă
relația ?
d1) Dependenţa conductivităţii de structură
Dependenţa mobilităţii purtătorilor de sarcină de timpul mediu între două

ciocniri arată că procesele de ciocnire sunt responsabile de rezistenţa pe
care o manifestă conductorul la deplasarea ordonată a electronilor. Ciocnirile
determină frânarea mişcării electronului de conducţie.
Ciocniri ale electronilor de conducţie: a) cu reţeaua cristalină; b) cu

impurităţile ionizate; c) cu impurităţi neutre.

d2) Dependenţa conductivităţii de structură
şi de temperatură
Durata medii dintre două ciocniri cuprinde trei componente:
1 1 1 1
  
t tot t imp t def tT
Corespunzător, rezistivitatea metalului este:
1 m 1 m  1 1 1
ρ  20   20    
σ q0 n0 ttot q0 n0  timp tdef tT 
Această relaţie, care poartă numele de legea lui Mathiessen,
se poate scrie sub forma:
ρ  ρ imp ρdef ρT
Rezistivitatea unui metal este formată dintr-o componentă datorată impurităţilor
imp, o componentă datorată defectelor reţelei cristaline def şi o componentă
datorată vibraţilor termice ale atomilor reţelei cristaline T.

Caracteristici
Concentraţia n0 a electronilor de conducţie, durata medie între
două ciocniri tc , valorile conductivităţii electrice σ şi rezistivităţii ρ
pentru unele metale.
Metalul n0 [ m-3 ] tc [ s ]  [1/m]  [m]

Li 4,6  1028 0,9  10-14 0,12  108 8,33  10-8
Na 2,5  1028 3,1  10-14 0,23  108 4,34  10-8
K 1,3  1028 4,4  10-14 0,19  108 5,26  10-8
Cu 8,5  1028 2,7  10-14 0,64  108 1,56  10-8
Ag 5,8  1028 4,1  10-14 0,68  108 1,47  10-8

d3) Dependenţa rezistivităţii de temperatură
Rezistivitatea metalelor depinde de temperatura:

rezistivitatea ρ creşte cu creşterea temperaturii .
Explicație:
Variaţia conductibilităţii σ a metalelor cu temperatura are la bază

modificarea forţei de frecare care acţionează asupra electronilor mobili.
Forţele de frecare se stabilesc ca urmare a oscilaţiilor particulelor din
punctele nodale ale reţelei şi a interacţiunii electronilor cu aceste
particule.
La temperaturi scăzute oscilaţiile sunt mai reduse deci şi forţele de

frecare sunt mai mici, ceea ce face ca conductivitatea electrică să fie
mai mare.
Exemplu

ρT  ρT0  1     T  T 
1.3.3. Starea de supraconducţie
Supraconductibilitatea este proprietatea unor materiale

de a opune o foarte mică rezistenţă la trecerea curentului
electric.
Starea materialelor caracterizată prin lipsa totală a
rezistivităţii electrice la trecerea curentului electric se
numeşte stare de supraconducţie.
În cazul metalelor conductibilitatea electrică şi termică
creşte cu scăderea temperaturii. La 0 K unele metale nu
mai opun rezistenţă la trecerea curentului electric,
devenind supraconductoare.

a) Supraconductibilitatea
Fenomenul a fost pus în evidenţă pentru prima dată de către

Kamerlingh Onnes în 1911, care a constatat că rezistenţa unui
eşantion de mercur la temperaturi sub 4,2 K scade brusc la zero.

b) Temperatură critică de supraconducţie
Valoarea temperaturii la care are loc trecerea în stare supraconductoare

este denumită temperatură critică de supraconducţie Tc (tabel).

1.3.4. Materiale de mare conductivitate
Pentru ca un material să poată fi utilizat ca material

conductor electric, este necesar să îndeplinească
următoarele cerinţe:
 rezistivitate electrică mică;
 efect pelicular să fie neglijabil;
 densitate de curent admisă mare;
 conductivitate termică ridicată;
 elasticitate ridicată;
 rezistenţă mecanică mare;
 rezistenţă mare la coroziune chimică;
 prelucrare uşoară prin laminare şi trefilare.

Materiale de mare conductivitate: argintul, cuprul, aurul, aluminiul,
fierul. Aceste metale satisfac aproape în întregime cerinţele impuse
utilizării lor drept conductoare.
Aurul şi argintul, fiind metale preţioase, se utilizează mai rar.
a) Cupru
Cuprul este metalul folosit cu precădere în industria electrotehnică, sub

formă de cupru electrolitic de puritate 99,6 ... 99,9% şi ca element de aliere.
Obţinere.
Cupru se obţine din minereuri sulfuroase (calcopirita, calcozina, bornita) şi
oxidice (cuprit, azurit, malachit) prin reducere piro- sau hidrometalurgică.
Sorturi obţinute prin rafinare electrolitică : CuE (99,99%), destinate utilizărilor
din industria electrotehnică.
Este foarte bun conducător de căldură şi de electricitate.
Conductivitatea electrică normală a cuprului   5,8  10 (m)
7 1
Rezistivitate de volum normală, n  1,724  108 m
Aliajele cuprului, utilizate ca materiale de mare conductivitate, sunt: alamele şi

bronzurile.

b) Aluminiul
Aluminiul urmează după cupru din punct de vedere al conductivităţii
electrice şi termice. Este mult mai uşor şi mai ieftin decât acesta, dar
inferior în ceea ce priveşte rezistenţa mecanică, prelucrabilitatea şi
rezistenţa la coroziune electrochimică.
Obţinere.
Aluminiu se obţine prin reducere electrometalurgică. Metalurgia aluminiului
implică două etape importante:
• obţinerea aluminei, Al2O3, din bauxită;
• obţinerea aluminiului din alumină.

C2 - Materiale conductoare.
Aplicații. Linii electrice.
1. Materialele de mare rezistivitate.

2. Dependenţa rezistivităţii metalelor cu temperatura.
Aplicatii.
3. Conductoare şi cabluri electrice.
4. Linii de transmisie. Caracteristici.

2.1. Materialele de mare rezistivitate
Materialele de mare rezistivitate au funcţia de control şi limitare a
curentului electric, funcţie realizată datorită rezistenţei mari pe care o
opun la trecerea curentului electric.
Pentru ca un material să poată fi utilizat ca material de mare rezistivitate
trebuie să prezinte următoarele cerinţe:
 rezistivitate electrică mare, pentru a obţine valori ridicate ale rezistenţei
electrice cu un volum cât mai redus de material;
 coeficient de temperatură a rezistivităţii cât mai redus, pentru ca
influenţa temperaturii asupra valorii rezistenţei electrice să fie cât mai
mică;
 tensiunea termoelectromotoare faţă de cupru cât mai mică;
 temperatură de topire cât mai ridicată.
Condiţia de mare rezistivitate se poate realiza prin impurificarea controlată

a metalelor pure, care mărind ponderea interacţiei de tip electron -
impuritate (independentă de temperatură), conduce la micşorarea
dependenţei de temperatură a rezistivităţii, mărind tot odată valoarea
rezistivităţii.

Aliaje de mare rezistivitate
 Aliaje au rezistivitate mai mare decât metalele pure.
Dintre acestea se folosesc:
 Manganinele sunt aliaje de cupru cu mangan, la
care se mai adaugă şi alte elemente de aliere: Ni, Al,
Fe. Pentru a obţine manganine cu rezistenţe deosebit
de mari se măreşte procentul de Mn până la 60 
70%, obţinându-se materiale cu  = 200  10-8 m.
 Nichelinele sunt aliaje de Cu cu cel mult 35% Ni.
Acestea sunt mai ieftine decât constantanul, se
prelucrează mai uşor, dar au proprietăţi inferioare.
 Aliaje Cr-Ni, Cr-Ni-Fe.

2.1.1. Aliaje pentru reostate

Aliaje pentru rezistenţe de putere

Problemă 2.1
Să se determine lungimea l şi diametrul d al

sârmei din nichelina si din constantan
necesare pentru obţinerea unei rezistenţe
R=100 Ω cu P=1000 W. (J=5A/mm2).

Rezolvarea pentru conductor de
constantan ρ=50 E-8 Ωm
Calculul rezistenţei R: l RS
R ; l 
S 
Calculul secţiunii S:
I I 3,16
J  ,S    0,632 mm2
S J 5
100  0,632  106

RS
Determinarea lungimii l: l   126,4 m
 50  10 8
d 2 4S 4  0,632  106
Calculul diametrului: S , d   0,947 mm
4  
Se adoptă d=1 mm şi se recalculează lungimea conductorului de

constantan. Rezultă: l=157 m MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 8
2.1.2. Dependenţa rezistivităţii
metalelor cu temperatura.
Pentru metalele de mare conductivitate este valabilă relaţia:
T  T 0  (1    T ) TD – temperatura Debye

La metalele pure coeficienţii de variaţie a rezistivităţii cu temperatura au
valori de ordinul   4  10-3 K-1. Astfel, Cu = 3,39  10-3 K-1, Al = 4 
10-3 K-1, Fe = 5,7  10-3 K-1.
La unele metale, cum este cazul fierului, apar abateri de la dependenţa liniară
ρ ρ0 (1 a  b 2  c3 )
În acest caz, se poate defini doar un coeficient efectiv de variaţie a
rezistivităţii cu temperatură pθ, cu relaţia:
1  1 d
 ef   lim  
  0    d
La materialele conductoare coeficienţii de variaţie a rezistivităţii cu temperatura
sunt pozitivi, ceea ce specifică o creştere a rezistivităţii când temperatura
creşte.
 Problema 2.2
Care este variatia relativă a rezistentei din

nichelină şi din constantan (R=100 Ω cu
P=1000 W - problema 2.1) dacă temperatura
creste cu ΔT=250 grd.

Problema 2.3.
Să se determine rezistenţa unei linii electrice din cupru

cu secţiune S=1,5 mm2 şi lungimea l=1000 m. Să se
stabilească modificarea procentuală a curentului din
circuitul alimentat prin această linie electrică dacă
temperatura creşte cu 50 grd.
R:
R=11,47 ohm
Modificarea – 20%

2.2. Aplicaţii ale materialelor
conductoare
 Cabluri şi linii de transmisie a energiei
electrice;
 Cabluri şi linii de transmisie a semnalelor;
 Elemente şi dispozitive de reglaj a curentului
electric: rezistoare, reostate;
 Elemente de contactare: contacte şi
conectoare electrice;
 Elemente de limitare a curentului: siguranţe
fuzibile.
2.2.1. Conductoare şi cabluri electrice
Conductoare: masive şi flexibile;
material: Cu, Al, (Fe).
Cablurile monofilare, izolate sau nu, metalizate (stanate, argintate)
sau nu, sunt din cupru recopt (moale, rezistivitate mică) sau tras la
rece (mai elastic, cu rezistivitate ceva mai mare). Conductoarele
masive au flexibilitate redusă şi nu suportă îndoiri sau răsuciri
repetate.
Cablurile multifilare, sunt formate din mai multe fire (3 ...15 fire, Φ 0,1
... 0,5 mm) strânse în mănunchi şi uşor torsadate.Aceste conductoare
au flexibilitate mai bună şi sunt folosite pentru conectarea pieselor
mobile.
Cablurile bifilare (2 fire), trifilare (3 fire) sau multifilare, constau din

mai multe conductoare, de regulă multifilare, puse în paralel şi izolate
formând cabluri rotunde sau tip panglică.
a) Construcţia cablurilor
Curentul maxim admis

depinde de diametrul
conductorului şi condiţiile de
răcire.
În general: J<5 A/mm2
La un cablu se indică:
-nr. fire (2, 3,...);
-- felul conductorului
(masiv, flexibil)
-Secţiunea (mm2);
-Tipul de izolaţie;
-Grad de protecţie.
b) Izolaţia conductoarelor cablurilor
Izolaţia cablurilor filare se realizează cu: peliculă de email, cu email şi

ţesătură impregnată sau nu, sau cu masă plastică.
Cablurile izolate cu email (pelicule de 8 – 50μm) se folosesc pentru
bobinajele transformatoarelor şi maşinilor electrice, a bobinelor releelor etc;

 Problemă 2.4
Să se calculeze căderea de tensiune şi puterea
disipată pe un cablu bifilar cu lungimea l=100 m şi
secţiunea de 2,5 mm2 care alimentează de la
reţeaua de 220 V o sarcină cu puterea P=2,2 kW.

2.2.2. Aplicaţii ale materialelor conductoare în
electronică şi telecomunicaţii
a) Linii de transmisie a semnalelor
Linii electrice de transfer a semnalelor pot fi: cablul de cupru
simetric sau asimetric, cablul TV, linii mirostrip.
Semnal Izolaţie Sarcină

Distribuţia campului electric si magnetic (E şi H) la o linie
bifilară
E
H

Parametrii liniilor de transmisie
 Rezistenţa electrică pe unitatea de lungime R’ [ohm/km],

 Impedanţa caracteristică: Z0 [ohm],
 Atenuarea: At [dB/m, dB/100m, dB/km, la diferite frecvente];
 Uneori se specifică şi parametrii liniei: capacitatea şi

inductanţa specifică: C0 [pF/m] şi L0 [nH/m].

A. Linii de transmisie simetrice
Linia bifilară –asigură o cale simetrică de transfer pentru semnalele
electrice. Mediul de transmisie al semnalelor în telecomunicaţii este
constituit din fire de cupru sau aluminiu de formă cilindrică cu diametre d
situate între ele la distanţa D.

A.1.Caracteristici ale liniilor de transmisie
a) Inductanţa liniei bifilare
Inductanţa L este dată de câmpul magnetic dintre conductoare care apare
atunci când acestea sunt parcurse de curent. Valoarea inductanţei se
poate calcula în funcţie de dimensiunile conductoarelor şi de geometria
dispunerii acestora.
L B (r ) 
 0 I
I 1 2r
B2 (r ) 
0 I
2 (d  r )
d 0 I  l d
  a [ B1 (r )  B2 (r )]  ldr  ln
 a
0 d
L'
ln
 a MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 22
b) Rezistenţa R
Rezistenţa R este dată de caracteristicile materialului conductor ρ şi

dimensiunile geometrice ale conductoarelor: l, d (S)
Rezistenţa conductoarelor în funcţie de diametru
Căderea de tensiune ΔU pe conductoarele liniei este proporţională cu

valoarea rezistenţei acestora: U  R  I
Dezechilibrul de rezistenţă – între conductoarele aceleiaşi perechi, nu
trebuie să depăşească 2%.
Scheme echivalente
c) Capacitatea C asemănător cu condensatorul plan este data de geometria

conductoarelor, distanta dintre acestea şi natura dielectricului ε r.
Schema echivalentă cu neglijarea pierderilor în conductoare şi în izolaţie.

A.2. Cabluri cu perechi torsadate
(răsucite)
Perechile răsucite pot fi neecranate UTP sau cu perechi torsadate
individual ecranate STP .
Conductoare paralele
Perechea este formată din două conductoare din cupru izolate identice răsucite
pe unitatea de lungime (tipic, 40 răsuciri/m).
Prin răsucire curentul circulă în sensuri opuse în conductoarele alăturate şi
prin aceasta fluxurile magnetice produse au valori egale, dar de sens contrar
aşa încât fluxul total este nul.

* Cablul UTP
S-au stabilit normative pentru aplicarea cablurilor UTP în comunicaţii de

date până la 100 Mbps.

Fluxurile magnetice produse au valori egale, dar de sens contrar
aşa încât fluxul total se anulează.
Cablul cu perechi torsadate ecranate STP şi individual ecranate
SSTP.
Cablul STP Ecran
Fir de masă

Cablul UTP
(cu 4 perechi)
Conectori pentru cablul UTP

(SSTP)

B. Liniile de transmisie asimetrice
Liniile de transmisie asimetrice transferă semnalele electrice în raport cu

celalalt conductor considertat ca referinţă.

a)
b)
Linii de transmisie asimetrice a) Tipuri de linii b) Schema echivalentă

B.1. Cablul coaxial
Ecranul, conductorul cilindric exterior, este realizat de obicei din împletitură

din fire de cupru (tresă). Cu cât ochiurile sunt mai mici, cu atât radiaţia
electromagnetică (radiată sau pătrunsă) este mai redusă, efectul de
ecranare mai pronunţat. Pentru frecvenţe foarte mari, se folosesc cabluri
dublu ecranate cu tresă sau cu folie.
Dielectricul - Izolaţia internă: polietilenă, polistiren, teflon, etc.

Scheme echivalente
O linie compusă din conductoare se poate considera un circuit electric
cu constante distribuite.
Capacitate C’, conductanţă G’, inductanţă L’ si rezistenţă R’ sunt

distribuite / unit. lungime.
Exemplu:

Exemplu:
Caracteristicile unor cabluri coaxiale

C. Impedanţa caracteristică a liniilor
de transmisie
Impedanţa caracteristică Z0 este dată de relaţia:
R
j
R  jL L L
Zc   
G  jC C G
j
C
La frecvenţă mare ωL>>R, ωC>>G si impedanţa caracteristică

devine:
L
Zc 
C
Impedanţa caracteristică a perechilor individuale pentru toate

categoriile de cabluri UTP este Z 0≈100 Ω.
Impedanţa caracteristică Z0 a cablului coaxial, în
funcţie de geometria cablului (d, D) şi de
caracteristicile dielectricului r, se obţine prin
înlocuirea inductanţei L şi a capacităţii C in relatia
L
Zc 
C
şi se obţine:
L 1 0 D 60 D 138 D
Z0  .    ln   ln   lg
C 2  0 r d r d r d

Problema 2.5
1) Un cablu coaxial cu dielectric teflon (r=2) are

conductorul central cu diametrul d=1,5 mm.
Să se determine:
a) diametrul exterior D pentru ca impedanţa
caracteristică să aibă valoarea Z0=50 ;
b) capacitatea proprie a unei tronson din acest cablu la
care inductanta L=1 mH.
R:
D=4,86 mm
C=0,4 μF
C3 - Componente pasive.
Serii de valori. Rezistoare.
1. Generalităţi. Componente pasive

2. Serii de valori nominale. Valorile
normalizate
3. Rezistoare

3.1. Generalităţi
 Componente electronice, un termen general, pentru
componentele pasive şi active, pornind de la cele
simple cum ar fi rezistoarele, condensatoarele şi
bobinele până la cele mai complexe cum ar fi
circuitele integrate.
 Componentele electronice sunt produse de firme

specializate (de exemplu: Siemens, Philips, Intel,
etc.) şi sunt caracterizate printr-un set de valori şi
parametrii standard.
 Caracteristicile componentelor sunt prezentate în

cataloagele firmelor producătoare.

3.1.1. Componente pasive
Componentele pasive nu pot

transforma direct energia de
curent continu în curent alternativ
şi nu pot amplifica semnalele
electrice.
Din această categorie fac parte: R1

- rezistoarele, 1 2 rezi stenta
- condensatoarele, C1
1 2 capacitate
- bobinele.
L1
1 2 inductivitate

Dinamica utilizării componentelor pasive
PentiumPentium 200Pentium II Pentium
Placa de bază la 486 120 MMX 333MHz III
Condensatoare Ceramice multistrat cu 58
terminale
Ceramice multistrat cu 151 190 300 600
montare pe suprafaţă
Arie de capacităţi 32 140 200
Electrolitice cu Ta cu 15 1
terminale
Electrolitice cu Ta cu 37 80
montare pe suprafaţă
Electrolitice cu Al 7 32 11 15
De trecere 3
Disc 4
Total condensatoare 73 159 257 492 895
Rezistoare Cu terminale 92
Cu montare pe 146 188 635 1000
suprafaţă
Arii de rezistoare 64 148 346 300
Total rezistoare 92 210 336 981 1300
Total componente 165 369 593 1473 2195
pasive MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 4
3.2. Serii de valori nominale
Componentele pasive, în special rezistoarele şi condensatoarele
discrete se caracterizează prin anumiţi parametrii cu valori tipizate.
Această tipizare a fost impusă de:
• considerente funcţionale (componentele se pot situa într-un interval
de valori fără a influenţa fucţionarea circuitui electronic);
• considerente tehnico-economice de fabricaţie (fabricaţia în serii
mari şi foarte mari).
Considerentele tehnico-economice ale producţiei de serie au dus la

realizarea de componente electronice având valori normalizate.

Valori nominale, toleranţe

3.2.1. Valorile normalizate
Valoarea nominală Vn corespunde cu valoarea tipizată a
parametrului de bază.
Valorile nominale Vn se succed în serii discrete ce formează seriile
de valori nominale.
Vk (1  t )  Vk 1 (1  t )
Toleranţa t : V  Vn
t  max  100
Vn
Valorile nominale ale seriei alcătuiesc o progresie geometrică cu raţia r :

1 t r 1
r Iar toleranţa:
t
1 t r 1
Numărul n de valori nominale dintr-o decadă (1…10 sau 10…100…)
n
 1 t 
r 
n
  10
 1 t 
Valoarea raţiei r , pentru o decadă cu n r  n 10

termeni:
Seriile de valori nominale se codifică cu litera E urmată de numărul n de

valori distincte dintr-o decadă (E6, E12, E24, E48, E96, E192).

Exemplu
Să se găsească valorile nominale ale seriei de
componente cu toleranţa t= 20%.
1  0,2
Raţia: r  1,5
1  0,2
1 1
Numărul n de termeni dintr-o decadă: n   5,68
lg r lg 1,5
Valoarea obţinută se rotunjeşte (conform CEI) la valoarea întreagă n=6
şi se obţin seriile de valori nominale E6:
10 k (1; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8), unde k=-1, 0, 1,…6.
Raţia: r  6 10  1,468 Valoarea raţiei seriei cu 6 termeni într-o decadă

(seria E6) se rotunjeşte la valoarea r=1,5.

Aplicaţie
3.1. Să se determine valorile nominale ale seriei
de componente cu toleranţa t= 10% şi 5%.

Caracteristicile seriilor de valori
nominale
Serie - Toleranţă
E6(20%); E12(10%); E24(5%);

E48(2%); E96(1%); E192(0,5%);

3.3. Rezistoare

3.3.1. Rezistoare. Clasificare.
Simboluri.
Rezistoarele sunt componente electronice dipolare (cu
două borne) la a căror borne se produce o cădere de
tensiune U, atunci când sunt străbătute de un curent
electric I.
Energia electrică care rezultă W=U.I.t se transformă prin
efect Joule – Lenz Uîn căldură.
U
R
I
Simboluri utilizate.

Clasificare
a) In funcţie de dependeţa U(I)
Rezistoarele a căror valoare (R=U/I) nu depinde de valoarea tensiunii
aplicate la borne se numesc rezistoare liniare.
Rezistoare peliculare
Rezistoare bobinate

Rezistoarele neliniare sau
dependente sunt acele rezistoare
la care dependenţa dintre
tensiunea la borne şi curentul
care le străbate depinde de
influenţe de natură: electrică,
magnetică sau ambientale
(temperatură, lumină, etc.).

b) Dupa modul de modificare a valorii rezistenţei (la utilizare):
- rezistoare fixe, la care valoarea rezistenţei se stabileşte în procesul de

fabricaţie şi rămâne constantă pe întreaga durată de funcţionare;
-rezistoare variabile şi semivariabile, la care valoarea rezistenţei se poate
modifica între o valoare minimă şi maximă sau în limite prestabilite.
c) După modul de realizare al elementului rezistor:
- rezistoare peliculare, realizate prin depunerea unei pelicule conductoare

(semiconductoare) pe un suport izolant;
- rezistoare bobinate, realizate prin înfăşurarea unui conductor metalic pe
un suport izolant;
- rezistoare de volum, realizate prin formarea elementului rezistiv dintr-o
masă rezistivă compactă.

3.3. 2. Rezistoare fixe
-rezistoare fixe, la care valoarea rezistenţei se stabileşte în procesul de

fabricaţie şi rămâne constantă pe întreaga durată de funcţionare;
Părţi componente: elementul rezistiv, suportul izolant, terminalele.

.
Rezistoare discrete
Rezistoare SMD Rezistoarele din circuite în tehnologie hibridă

Conectarea in serie si paralel

Utilizări ale rezistoarelor fixe
Rezistoarele – componente caracterizate prin rezistenţă electrică
reprezentă aproximativ 30 - 40% din componenţa unui circuit electronic.
Circuite cu Circuite cu
tranzistoare AO

3.3.2.1. Rezistoare peliculare
L  L L
R      Rpatrat 
gw g w w
În cazul unei pelicule plane având rezistivitatea ρ şi
dimensiunile L x w x g,
unde:
L - lungimea; w - lăţimea; g - grosimea peliculei;
Rezistenţa se calculează cu relaţia:
L  L L
R      Rpatrat 
gw g w w
Structura rezistoarelor din circuite în
tehnologie hibridă

Părţi componente
1 2 3 4 5 6

Materiale pentru pelicule rezistive

 3.2. Aplicaţie
 Să se determine grosimea peliculei din CrSiO
necesară la realizarea unui rezistor R=10 Ω
la o lungime echivalentă de 10 mm.
 Pentru acest rezistor să se determine
intervalul de variaţie al rezistenţei dacă
temperatura are o variaţie Δθ=100 grd.

3.2.2. Rezistoare bobinate
Terminalele rezistoarelor bobinate

se realizează în variantele:
axiale, din cupru (cositorit) fixate
prin intermediul unor căpăcele pe
capetele suportului (a);
incluse, în cazul rezistoarelor
tropicalizate (b);
radiale tip colier, fixate cu şurub şi
piuliţă pentru rezistoare de putere
(P>40W) (c).

l 4  N   D 4 N  D
R  
S  d 2
d2
Rezistor bobinat de putere
Să se identifice parțile componente.

Aplicaţie
Să se dimensioneze un rezistor bobinat
(N, d, p) din constantan cu următoarele
caracteristici:
R=100 Ω, P=100 W, D= 20 mm, l=80 mm.
R:
N=32 spire
d=0,5 mm
P=2 mm

3.3.3. Rezistoare variabile şi
semivariabile
Carcasa
Cursor
Ax
Izolatia interioara
Material rezistiv
Contacte
R
vI R 1
Rp
vO
R2

Caracteristici
- rezistoare variabile şi semivariabile, la care valoarea rezistenţei se
poate modifica între o valoare minimă şi maximă sau în limite prestabilite.

Rezistoare variabile şi semivariabile
sunt caracterizate prin aceiaşi parametrii
ca şi rezistoarele fixe.
Toleranţa potenţiometrelor este în general

mai mare decât la rezistoarele fixe,
considerând că poziţionarea cursorului nu
poate fi făcută cu o rezoluţie foarte mare.
Pentru obţinerea unei rezoluţii mari în

poziţionare se realizează potenţiometrii
multitur.

Anduranţa mecanică– numărul minim de acţionări la care un
potenţiometru îşi păstrează aceleaşi caracteristici. Aceasta
se situiază între 10.000 şi 25.000 pentru potenţiometri
variabili uzuali şi 100-200 pentru potenţiometrii semivariabili.
Forţa de presare – reprezintă forţa cu care cursorul apasă

asupra peliculei rezistive (peliculă).

3.3.4. Parametri rezistoarelor.
Marcare.
a) Rezistenţa nominală Rn, reprezintă valoarea care se realizează prin

procesul tehnologic de fabricaţie. Valoarea nominală se marchează în clar sau
în codul culorilor.
Unitatea de măsură a rezistenţei în Sistemul Internaţional [S.I.] este ohmul [Ω]
sau multiplii uzuali: kiloohm [1kΩ = 10 3 Ω ], megaohm [1MΩ = 10 6 Ω ]
b) Toleranţa t, exprimată în procente reprezintă abaterea maximă admisibilă a

valorii reale R a rezistenţei :
R  Rn
t  100%
Rn
c) Puterea nominală Pn,[W] reprezintă puterea maximă care poate fi
disipată pe un rezistor, la temperatura de T 1=70 C.
Puterile normalizate ale rezistoarelor sunt următoarele:
0,063; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 3; 4; 6; 12; 16; 25; 40; 50; 100 W.
Pm
[%]  T  T1 
Pn Pm  Pn 1  
 Tm 
100
80
60
40
20
T1 T2 Tm T

U n2 Tensiunea nominală limită este tensiunea maximă
Rnc  continuă sau valoare eficace a tensiunii alternative care
Pn poate fi aplicată la bornele unui rezistor.
Pn [W] 0,125 0,25 0,5 1 2
Un [V] 125 250 350 500 700

1 R
d) Coeficientul de temperatură al rezistenţei αR: R  
R T
Coeficientul de temperatura se exprimă: 106 / C sau ppm/ C

e) Factorul de zgomot Fzg U zg
Fzg  [ V / V ]
U
Tensiunea electromotoare de zgomot Uzg [μV] se datorează
mişcării haotice şi mişcării termice a electronilor la trecerea
curentului prin rezistor. U – tensiunea la bornele rezistorului.
Tensiunea de zgomot termic U zt  Pzt  R
energie perturbatoare se datorează oscilaţiilor termice ale purtătorilor
de sarcină - zgomotul termic, dar şi variaţiilor fluctuante ale elementului
rezistiv şi ale conexiunilor, atunci când sunt străbătute de curent -
zgomotul electric sau de curent. Zgomotului de curent i se asociază o
tensiune de zgomot Uzc.
U zg  U zt2  U zc2

Puterea de zgomot termic Pzt este dată de relaţia:
Pzt  4  k  T  f
T - temperatura absolută a rezistorului;
Δf - banda de frecvenţă în care se utilizează rezistorul;
k = 1,3806 .10-23 J / K - constanta lui Boltzmann.

3.3.5. Marcarea rezistoarelor fixe
a) Marcarea în codul culorilor

a) Marcarea în codul culorilor
Marcarea cu 2 sau 3 cifre
semnificative
Coeficientul de temperatură
se marchează numai la
rezistoarele de precizie.

b) Marcarea în clar
Factor de Litera Toleranţa [%]
multiplicare
1 R ±0,1 B
103 K ±0,25 C
106 M ±0,5 D
109 G ±1 F
1012 T ±2 G
±5 J
±10 K
±20 M

Exemple:
Marcarea valorii nominale
Marcarea toleranţei
Puterea nominală: se marchează numai la rezistoarele bobinate.

La rezistoarele cu P<2 W puterea se recunoaşte după dimensiuni.

ANEXA 1
Seriile de valori nominale
E6, E12,...E96

1. NORMALIZAREA COMPONENTELOR
1.1. Consideraţii generale
Componentele pasive de circuit au o pondere însemnată între componentele circuitelor

electronice analogice şi digitale folosite în: aparatura de măsurare, instalaţii de automatizare şi
reglare, tehnica de calcul, echipamentele de telecomunicaţii, etc.
Caracteristicile acestor componente depind de materialele utilizate în construcţia lor, precum
şi de tehnologiile folosite. Pentru îndeplinirea aceloraşi funcţii într-un echipament electric se pot
întâlni componente electronice având forme, dimensiuni şi caracteristici tehnico-funcţionale
diferite. Diferenţele de formă şi mod de fixare se datorează, destinaţiei componentelor şi
tehnologiei de asamblare folosite la realizarea circuitelor electronice respective. În decursul
timpului, tehnica asamblării în serie a echipamentelor electronice , pornind de la piese simple
asamblate pe rând , a beneficiat de un număr aparent inepuizabil de îmbunătăţiri. Aceasta s-a
răsfrânt atât asupra componentelor cât şi asupra metodelor de asamblare (interconectare). În cele
ce urmează se va trece în revistă principalele particularităţi ale tehnologiilor de asamblare folosite
în realizarea de circuite electronice, deoarece în funcţie de acestea se stabilesc anumite
caracteristici ale componentelor electronice cu care se echipează acele circuite electronice.
Tehnologia de asamblare cu componente discrete reprezintă, din punct de vedere istoric,
prima tehnologie care s-a folosit la realizarea de circuite electronice. Componentele pasive
(rezistoare, condensatoare, bobine, filtre etc.), utilizate în cadrul tehnologiei de asamblare cu
componente discrete au suferit modificări dimensionale şi de performanţe, prin utilizarea de noi
materiale şi tehnologii de fabricaţie. Gabaritul componentelor de acelaşi fel şi la aceiaşi
parametrii este cu atât mai redus, cu cât calitatea materialelor folosite şi tehnologia de fabricaţie a
componentelor electronice este mai performantă. Tehnologia de asamblare cu componente
discrete cu dispunere spaţială, cu amplasarea componentelor pasive între soclurile tuburilor
electronice, reprezintă una din primele tehnologii folosite la realizarea aparaturii radioelectronice.
Pentru aceste componente de circuit nu se impun, în general, restricţii de formă, ca şi la varianta
de dispunere pe suprafaţă, se folosesc componentele electronice cu terminale pentru lipire sau
pentru fixare în circuit.
În prezent, asamblarea pe baza circuitelor imprimate cu unul sau mai multe straturi a ajuns
la rang de tehnică dominantă, aceasta cuprinzând în diferite etape metode automate,
semiautomate şi manuale. Folosirea tehnologiei de asamblare pe circuite imprimate cu unul sau
mai multe straturi a permis, datorită modului de fixare a componentelor electronice, reducerea
gabaritului aparaturii şi creşterea performanţelor acesteia. Componente pasive utilizate la
realizarea acestor circuite s-au adaptat pentru conectarea lor pe circuitele imprimate.
Tehnologia de montare a componentelor pe suprafaţă - SMA (Surface Mounted Assembley)
tehnologie folosită la asamblarea circuitelor electronice de serie mare se realizează prin plantarea
şi lipirea pe instalaţii automate (roboţi industriali). Conectarea componentelor direct pe părţile
conductoare ale circuitului imprimat a determinat modificări ale formei componentelor
electronice care se asamblează în acest fel. Componentele electronice destinate montajului pe
suprafaţă sunt denumite în mod generic în literatura de specialitate SMD (Surface Mounted
Devices). Tehnologia automată SMA asigură o precizie de poziţionare a componentelor pe placa
de circuit de 100 de ori mai bună decât la plantarea automată a componentelor cu terminale şi de
300 de ori mai bună decât la plantarea manuală. Metodele de asamblare în serie a componentelor
electronice cu componente discrete prezintă următoarele avantaje:
- utilizarea de componente deja disponibile, care prezintă o bună siguranţă în funcţionare;
- uşurinţa modificărilor în procesul de fabricaţie;
- posibilitatea realizării de circuite complexe;
- mecanizarea şi automatizarea simplă a procesului de producţie.
Reducerea gabaritului şi a preţului de cost precum şi creşterea fiabilităţii echipamentelor
electronice s-a obţinut odată cu realizarea de circuite electronice în tehnologia hibridă şi în
tehnologia circuitelor integrate.
La circuitele integrate hibride, componentele pasive se realizează prin depunerea pe un
suport izolant (material ceramic) a unor straturi (de ordinul μm) din materiale conductoare,
semiconductoare sau din materiale dielectrice pentru obţinerea de componente pasive în
tehnologia straturilor subţiri TSS sau a straturilor groase TSG.
Tehnologia circuitelor integrate a impus tehnologii specifice în realizarea componentelor
electronice din structura acestor circuite - monolitice sau hibride. În cadrul tehnologiei integrate
se implementează componente pasive, în general rezistoare şi condensatoare de valori mici, ale
căror caracteristici depind de posibilităţile tehnologice de realizare ale acestora.
Componentele pasive realizate prin tehnologia integrată, deşi îndeplinesc în general aceleaşi
funcţiuni ca şi componentele discrete, au gabaritul, forma şi părţile componente diferite. Astfel,
în cazul rezistoarelor realizate în circuitele integrate monolitice elementul rezistiv are la bază un
strat din pastila de siliciu a circuitului integrat impurificat în funcţie de valoarea rezistenţei, care
se interconectează în aceeaşi structură cu alte componente electronice din structura “cipului”.
. 1.2. Serii de valori nominale
Componentele electronice pasive, în special rezistoarele şi condensatoarele discrete se

caracterizează prin anumiţi parametrii cu valori tipizate. Această tipizare a fost impusă pe de-o
parte de considerente funcţionale (cerinţele proiectanţilor de aparatură electronică - diversitatea
de valori nominale necesare în realizarea diferitelor circuite electronice) şi pe de altă parte de
considerente tehnico-economice de fabricaţie (fabricaţia în serii mari şi foarte mari). Din
considerente funcţionale este necesar ca valorile nominale să fi cât mai numeroase şi cât mai
apropiate unele de altele. Considerentele tehnico-economice ale producţiei de serie determină
realizarea de componente electronice având anumite valori discrete – valori normalizate.
1.2.1. Valorile normalizate
Valoarea nominală Vn corespunde cu valoarea tipizată a parametrului de bază al unei

componente electronice (rezistenţă, capacitate, inductivitate, etc.). Această valoare se
inscripţionează de către producător pe corpul componentei. Valorile nominale se succed în serii
discrete ce formează seriile de valori nominale. Seriile de valori nominale cuprind un număr mai
mare sau mai mic de valori discrete în funcţie de abaterile de la valoarea nominală – toleranţa
valorii nominale.
Toleranţa t reprezintă abaterea relativă maximă (exprimată procentual) pe care o poate avea
valoarea existentă (realizată) V a componentei electronice faţă de valoarea sa nominală Vn, (fig.
1.1), respectiv:
V  Vn
t  max  100 (1.1)
Vn
Valorile nominale ale componentelor pasive se stabilesc în mod discontinuu, având în

vedere următoarele cerinţe:
- pentru două valori consecutive Vk şi Vk+1 (Vk<Vk+1) să fie îndeplinită relaţia:
Vk (1  t )  Vk 1 (1  t ) (1.2)
- toleranţa t a fiecărei serii să fie independentă de valoarea nominală.

Aceste cerinţe sunt satisfăcute în cazul în care valorile nominale ale seriei alcătuiesc o
progresie geometrică cu raţia r :
1, r, r2, r3….rn-1, rn (1.3)
Din condiţia (1.2) şi (1.3) se obţine raţia r a progresiei:
1 t
r (1.4)
1 t
Toleranţa t depinde de raţia progresiei, respectiv:
r 1
t (1.5)
r 1
Valoarea nominală Vn
_
Toleranţa + Toleranţa
Valoarea
Valoare minimă Valoare maximă
existentă V
Limite
Fig. 1.1. Semnificația parametrilor nominali şi

toleranţe ale componentelor electronice.
Valorile minime şi maxime ale componentelor cu o anumită valoare nominală corespund
limitelor inferioare şi respectiv superioare ale toleranţei.
Valori uzuale ale toleranţei sunt:
pentru componente de uz general:  30%;  20%;  10%;  5%;  2% ,
pentru componente de precizie:  1%;  0,5%;  0,1%.
Numărul n de valori nominale dintr-o decadă, raportul dintre limita superioară şi

inferioară este 10, (valori cuprinse între 1-10, 10-100, 100-1000, ş.a.m.d.) rezultă din egalitatea:
n
 1 t 
r 
n
  10 (1.6)
 1 t 
Valoarea raţiei r , pentru o decadă cu n termeni, rezultă:
r  n 10 (1.7)
Seriile de valori nominale sunt progresii geometrice (1.3) la care valorile raţiei se
calculează cu relaţia (1.7) şi apoi se rotunjeşte conform recomandărilor Comitetului Electrotehnic
Internaţional (CEI). Seriile obţinute se multiplică cu 10k, unde k este ordinul de mărime al seriei.
Seriile de valori nominale astfel obţinute se codifică cu litera E urmată de numărul n de valori
distincte dintr-o decadă (E6, E12, E24, E48, E96, E192).
Exemplu:
Să se găsească valorile nominale ale seriei de componente cu toleranţa t= 20%
Din relaţia (1.4) se obţine raţia r:
1  0,2
r  1,5
1  0,2
Numărul n de termeni dintr-o decadă rezultă din ecuaţia (1.7):
1 1
n   5,68
lg r lg 1,5
Valoarea obţinută se rotunjeşte (conform CEI) la valoarea întreagă n=6 şi se obţin seriile de
valori nominale E6:
10k (1; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8), unde k=-1, 0, 1,…6.
Valoarea raţiei se poate calcula acum şi în funcţie de numărul n=6 de valori distincte dintr-o
decadă, cu relaţia (1.7):
r  6 10  1,468
Valoarea raţiei seriei cu 6 termeni într-o decadă (seria E6) se rotunjeşte la valoarea
rE 6  1,5 .
Raţiile seriilor de valori nominale E6…E192 (n=192) calculate cu relaţia (1.7) şi rotunjite
conform recomandărilor CEI, se indică în tabelul 1.1.
Tabelul 1.1. Caracteristicile seriilor de valori minimale

Seria E6 E12 E24 E48 E96 E192
Raţia 1,5 1,2 1,1 1,05 1,025 1,0125
Toleranţa 20 10 5 2,5 1 0,5
t [%]
Număr de 6 12 24 48 96 192
valori n
Valorile nominale ale componentelor din seriile uzuale E6, E12, E24 sunt date în tabelul 1.2. Într-
o serie superioară se regăsesc valorile seriilor inferioare la care se adaugă şi valori intermediare
date de raţia progresiei respective.
Seriile E48, E96 şi E192 sunt serii de valori nominale pentru componente de precizie, al
căror preţ de cost este mai ridicat decât a celor uzuale. La alegerea toleranţei componentelor
de circuit (a seriei de valori nominale) se are în vedere considerente funcţionale (funcţia
îndeplinită, precizia cu care trebuie asigurată acea valoare nominală) şi economice.
Tabelul 1.2. Valorile nominale ale seriilor uzuale.

Seria E6 E12 E24 E6 E12 E24 E6 E12 E24
1 1 2,2 2,2 4,7 4,7
1 1,1 2,2 2,4 4,7 5,1
1,2 1,2 2,7 2,7 5,6 5,6
Valori 1,3 3 6,2
nominale 1,5 1,5 3,3 3,3 6,8 6,8
1,5 1,6 3,3 3,6 6,8 7,5
1,8 1,8 3,9 3,9 8,2 8,2
2 4,3 9,1
1.2.2. Marcarea componentelor pasive
Valorile nominale Vn şi toleranţele t ale componentelor pasive (rezistoare, condensatoare)

se indică prin marcarea acestora pe corpul componentei (marcare în clar) sau prin marcare
codificată. Denumirea şi ordinul de mărime al unităţilor de măsură (tabelul 1.3) din Sistemul
Internaţional se regăseşte şi în stabilirea valorilor componentelor electronice pasive. Marcarea
acestora se face codificat. Se folosesc coduri alfanumerice caracteristice unui producător, coduri
naţionale sau internaţionale. Dintre acestea, cel mai răspândit este codul culorilor.
Tabelul 1.3 Denumirea şi ordinul de mărime al unităţilor de măsură.
Tera Giga Mega Kilo Hecto Deca Mili Micro Nano Pico
[T] [G] [M] [k] [h] [da] [m] [ ] [n] [p]
1012 109 106 103 102 101 10-3 10-6 10-9 10-12
Modul de codificare stabilit prin codul internaţional al culorilor se indică în tabelul 1.4, iar
modurile de marcare cu 4, 5, 6 benzi colorate este indicat în figura 1.2. .
Fig.1.2. Moduri de marcare în codul culorilor.
Tabelul 1.4 Codul culorilor

Notaţiile
corespund fig. 1.1 a b, c d e
Prima cifră Următoarele Factor de
Culoarea semnificativă cifre multiplicare Toleranţa
semnificativă
ARGINTIU --- --- 10 -2 ±10%
AURIU --- --- 10 -1 ±5%
NEGRU --- 0 10 0 = 1 ---
MARO 1 1 10 1 ±1%
ROŞU 2 2 10 2 ± 2%
PORTOCALIU 3 3 10 3 ---
GALBEN 4 4 10 4 ---
VERDE 5 5 10 5 ±0,5%
ALBASTRU 6 6 10 6 ±0,25%
VIOLET 7 7 10 7 ±0,1%
GRI 8 8 10 8 ---
ALB 9 9 10 9 ---
( fară culoare ) --- --- --- ± 20%
Rezistoarele din seriile E6, E12, E24 la marcarea în cadrul culorilor conţin 4 benzi, iar
seriile de precizie E48, E96, E192 conţin 5 sau 6 benzi. La codarea cu 6 benzi (după DIN JEC
62) ultima bandă (f) corespunde coeficientului de temperatură.
Serii de valori nominale
E6 t=20%
1,00 1,50 2,20 3,3 4,7 6,8
E12 t=10%
1,0 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 8,2
E24 5%
1,0 1,1 1,2 1,3 1,5 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,7 3,0
3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,6 8,2 9,1
E48 t=2%
100 105 110 115 121 127 133 140 147 154 162 169
178 187 196 205 215 226 237 249 261 274 287 301
316 332 348 365 383 402 422 442 464 487 511 536
562 590 619 649 681 715 750 787 825 866 909 953
E96 t=1%
100 102 105 107 110 113 115 118 121 124 127 130
133 137 140 143 147 150 154 158 162 165 169 174
178 182 187 191 196 200 205 210 215 221 226 232
237 243 249 255 261 267 274 283 287 294 301 309
316 324 332 340 348 357 365 374 383 392 402 412
422 432 442 453 464 475 487 499 511 523 536 549
562 576 590 604 619 634 649 665 681 698 715 732
750 768 787 806 825 845 866 887 909 931 953 976
E196 t=0,5%
100 101 102 104 105 106 107 109 110 111 113 114
115 117 118 120 121 123 124 126 127 129 130 132
133 135 137 138 140 142 143 145 147 149 150 152
154 156 158 160 162 164 165 167 169 172 174 176
178 180 182 184 187 189 191 193 196 198 200 203
205 208 210 213 215 218 221 223 226 229 232 234
237 240 243 246 249 252 255 258 261 264 267 271
274 277 280 284 287 291 294 298 301 305 309 312
316 320 324 328 332 336 340 344 348 352 357 361
365 370 374 379 383 388 392 397 402 407 412 417
422 427 432 437 442 448 453 459 464 470 475 481
487 493 499 505 511 517 523 530 536 542 549 556
562 569 576 583 590 597 604 612 619 626 634 642
649 657 665 673 681 690 698 706 715 723 732 741
750 759 768 777 787 796 806 816 825 835 845 856
866 876 887 898 909 920 931 942 953 965 976 988
C4 - Materiale dielectrice.
Caracteristici şi aplicaţii.
1. Materiale dielectrice.
2. Condensatoare
3. Tehnologia condensatoarelor fixe

4.1. Materiale dielectrice
Dielectricii sunt materiale care se caracterizează prin stări de polarizaţie
electrică cu funcţie de utilizare. Prin stare de polarizaţie electrică se înţelege
starea materiei caracterizată prin moment electric al unităţii de volum diferit
de zero.
Stare de polarizaţie electrică - starea materiei caracterizată prin moment
electric al unităţii de volum diferit de zero.
Polarizaţie electrică:
- temporară dacă depinde de intensitatea
locală a câmpului electric în care este
situat dielectricul.
- permanentă dacă nu depinde de
intensitatea locală a câmpului electric.

4.1.1. Caracteristici
a) Polarizarea electrică
Fenomenul de polarizare constă în deformarea şi/sau deplasarea
microscopică a sistemului de sarcini electrice legate din structura
dielectricului sub acţiunea câmpului electric.
Sub acţiunea câmpului electric E0 pot apărea deplasări sau rotiri ale
sistemului de sarcini legate, însoţite de apariţia sau ordonarea
momentelor electrice dipolare.

Momentul electric caracterizează fenomenului de polarizare electrică.
Momentul electricp al unui dipol cu relaţia:
p  q leg h
În atomul multielectronic se defineşte momentul electric atomic (b)
cu relaţia: N
patom   q i leg hi
i 1

Clasificare
În funcţie de valoarea momentului electric total p, moleculele pot fi:
- nepolare, când nu prezintă moment electric (microscopic) spontan;
- polare, când posedă un moment electric p ≠ 0 chiar şi în absenţa
câmpurilor electrice exterioare;
Structură polară
Structuri
nepolare

Permitivitatea electrică
Interacţiunea unui dielectric izotrop cu câmpul electric este
caracterizată în domeniul liniar de permitivitatea complexă relativă:
D
     j  
0 E
Caracterizarea materialelor electroizolante din punct de vedere al
proceselor de polarizare se face cu parametrul de material
permitivitate electrică.
C  0S
r  unde: C0 
C0 d 1
0  109 F/m
36

b) Conducţia electrică în materialele dielectrice
Dielectrici reali, care conţin atât sarcină electrică liberă, cât şi
sarcină electrică legată. La aplicarea unei tensiuni rezultă un
curent de scurgere sau curent de conducţie.
Comportarea materialelor electroizolante din punct de vedere al
proceselor de conducţie si polarizare se face cu parametrul de
material numit factor de pierderi, notat tg δ, care reprezintă
tangenta unghiului de pierderi.
O particularitate a conducţiei în materialele dielectrice este
aceea că traseul curentului electric de conducţie este prin
volumul materialului şi pe suprafaţa acestuia.

Rigiditatea dielectrică
Există un prag limită de solicitare electrică, la depăşirea căruia materialul îşi
pierde capacitatea de izolare electrică. Fenomenul poartă numele de
străpungere.
Valoarea tensiunii la care se produce străpungerea materialului se numeşte
tensiune de străpungere Ustr iar valoarea corespunzătoare, a intensităţii
câmpului electric Estr este rigiditatea dielectrică.
Rigiditatea dielectrică este o mărime dependentă de: natura dielectricului,
starea de agregare, natura, forma şi dimensiunea electrozilor, frecvenţa
câmpului electric, condiţii de mediu.

Tipuri de străpungere
Străpungerea termică se produce atunci când căldura dezvoltată local la
trecerea curentului electric depăşeşte cantitatea de căldură ce poate fi
evacuată din dielectric.
Străpungerea electrică sau intrinsecă este de natură electronică datorată
creşterii numărului de electroni liberi sau cvasiliberi în structura materialului.
Străpungere prin descărcări parţiale se datorează prezenţei în

dielectrici a cavităţilor umplute cu gaze.

Unghiul de pierderi δ este complementul unghiului de fază dintre
tensiunea u aplicată şi intensitatea i a curentului care trece prin
condensatorul având ca dielectric materialul electroizolant de studiat.
Pa UI R 1  
tg     
Pr UI C Cech Rech  

4.1.2. Proprietăţi electrice şi termice
ale dielectricilor
a) Proprietatea de izolare electrică este direct legată de existenţa unei
concentraţii mici de sarcină electrică liberă (qlib0) şi o pondere extrem de mică a
fenomenelor de conducţie electrică.
Conductivitatea electrică σ, respectiv rezistivitatea de volum ρv=1/σ, sunt

parametrii legaţi de fenomenul de conducţie electrică în volumul materialului.
b) Permitivitatea absolută ε, respectiv permitivitatea relativă εr sunt parametrii

legaţi de fenomenul de polarizare electrică, un fenomen complex care constă în
procese de deplasare şi rotire a electronilor, ionilor şi moleculelor polare sub
acţiunea unui câmp electric.
Coeficientul de pierderi (εr, tg δ), respectiv tangenta unghiului de pierderi tg δ

sunt parametrii care caracterizează pierderile de energie în materialele
electroizolante datorate atât proceselor de polarizare electrică, cât şi celor de
conducţie electrică (pierderi Joule-Lenz).
c) Tensiunea de străpungere Ustr reprezintă valoarea maximă a
tensiunii care poate fi aplicată unei probe de material pentru care
este posibil să apară procesul de străpungere electrică.
Temperatura este un factor de mediu care influenţează proprietăţile

fizico-chimice ale materialelor electroizolante. Acţiune căldurii asupra
materialelor electroizolante are ca rezultat modificare conductivităţii
electrice, a permitivităţii şi unghiului de pierderi dielectrice, precum şi
a rigidităţii electrice.
Influenţa temperaturii asupra proprietăţilor fizice este definită prin
coeficienţii de variaţie a parametrilor de material cu temperatura.

Parametrii electrici la unele materiale
dielectrice
Tangenta Rigiditatea
Permitivitatea
unghiului dielectrică la
relativă la 200C,
Materialul dielectric de pierderi 200C, 50 Hz
50 Hz
la 200C, 50 Hz Estr,
εr
tg δ [kV/mm]
Polietilenă 2,20 - 2,50 <10-5 20-50
Politetrafluoretilenă 2,10 - 2,50 <10-4 20-80
Polistiren 2,2-2,4 <10-4 50-70
PVC 4,2-4,5 <10-2 40-70
Hârtii 2,0-4,0 10-2 7-10
Sticle 4 -15 <10-4 100
Porţelan, ceramică 5,6 – 6,5 <10-3 10-20
Apă distilată 81 - -
Aer 1, 00059 <10-5 3,2
4.2 Condensatoare
2.1. Condensatoare discrete - clasificare
Condensatoare fixe
Condensatoare variabile şi semivariabile

Condensatoare fixe

4.2.2. Caracteristici ale condensatoarelor
a) Capacitatea electrică
Condensatorul este o componentă de circuit electric formată din două
suprafeţe conductoare (armături) între care se găseşte un material
dielectric.
Q
C
U
Expresia capacităţii condensatorului : Terminal Armătură cu
suprafaţa A
Capacitatea C a unui
condensator plan: Dielectric
caracterizat de
permitivitatea
A 0 r  A r relativă
C  d
d d Armătură cu
suprafaţa A

Pentru obţinerea unei capacităţi specifice cât mai mari
(capacitate /volum) este necesar ca raportul  r  S să aibă valoare
d
mare, respectiv permitivitatea dielectricului ε şi suprafaţa armăturilor S
să aibă valori ridicate, iar grosimea d a dielectricului cât mai mică.

b) Variante constructive de
condensatoare
O construcţie compactă a
condensatoarelor se obţine prin:
• bobinarea armăturilor împreună

cu dielectricul;
• conectarea în paralel a mai multor
condensatoare plane (varianta
multistrat);
• folosirea de materiale dielectrice
caracterizate printr-o valoare mare
a permitivităţii relative r (de
exemplu: polimeri şi ceramice
feroelectrice).

Multistrat

c) Energia
Energia acumulată în dielectric:
T T T
dU 1
We   Pdt   UIdt   UC dt  CU 2
0 0 0 dt 2

Aplicaţie
4.1. Să se determine capacitatea echivalentă,
tensiunile V1, V2, V3 de la bornele condensatoarelor
și energia acumulată.

4.2.3. Parametrii condensatoarelor
Parametrii principali ai condensatoarelor sunt:
a) Capacitatea nominală (Cn) corespunde valorii pentru care a fost
fabricat condensatorul, valoare care este marcată, de obicei, pe corpul
condensatorului. Marcarea valori nominale la condensatoare se face, ca
şi la rezistoare, atât în clar, prin imprimarea valorii capacităţii nominale
pe corpul condensatorului sau codificat (codul culorilor).
b) Tensiunea nominală (Un) reprezintă valoarea maximă a tensiunii
continue sau alternative (valoare efectivă) maxime la care condensatorul
nu se străpunge la o funcţionare îndelungată.
Se folosesc uzual în circuite electronice (de joasă tensiune), următoarele
valori:
Un= 6, 12, 16, 25, 63, 70, 125, 250, 350, 450, 500, 650, 1000V.

c) Tangenta unghiului de pierderi (tg) reprezintă raportul dintre
puterea activă şi puterea reactivă a condensatorului determinată şi
măsurată în condiţii specificate (de tensiune, de frecvenţă a tensiunii
alternative aplicate la borne şi de temperatură, etc.).
tg s  Rs  C
d) Coeficientul de temperatură al capacităţii T reprezintă variaţia
relativă a capacităţii la variaţia corespunzătoare a temperaturii:
C
T  [1 /  C ]
C n  T
unde: C - reprezintă variaţia capacităţii;
T - reprezintă variaţia temperaturii.

Aplicaţie
Să se determine Rs şi ΔC (ΔT=50 grd) al unui

condensator cu urmatoarele caracteristici:
C=0,1µF, tgδ=0,1, α = -2 10-4, la frecvenţa
f=1MHz.

Caracteristici ale dielectricilor

4.2.4 Clasificarea condensatoarelor
Condensatoare polarizate
 Electrolitice
 cu Tantal
 Supercondensatoare.
Condensatoare nepolarizate – dielectric nepolar
 Cu film poliester
 Cu film polipropilenă
 Cu film polistiren
 Cu film polistiren metalizat
 Ceramice
 Ceramice multistrat
 Cu mică
 variabile
 Semireglabile.
Condensatoarele fixe se pot clasifică în funcţie de:
- materialul dielectric utilizat: hârtie, materiale anorganice

(ceramică, mică, sticlă), materiale organice termoplastice
(polistiren, policarbonat, polipropilenă, polietilenftalat, etc.), oxizi
(Al2O3 ,Ta2O5, SiO2) numite condensatoare electrolitice,
deoarece contactul electric la una din armături este realizată prin
intermediul unui electrolit;
- forma armăturilor: bobinate şi plane;
- tensiunea de lucru: de joasă şi de înaltă tensiune;
- varianta constructivă: gabarit normal, gabarit redus, cu gamă

extinsă de temperatură, cu terminale radiale, axiale sau de
implantare, etc. MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 28
4.3. Tehnologia condensatoarelor
fixe Condensatoare bobinate
Condensatoare bobinate cu
dielectric hartie sau folie plastic.

a) Condensatoare cu dielectric hârtie
Armături decalate
Armăturile se realizează fie din folii de aluminiu de grosimi 5...15m înfăşurate

sub formă de bobină sau prin metalizare în vid.
Dielectricul este constituit din două sau mai multe straturi de hârtie impregnată.
Grosimea şi numărul straturilor de hârtie depind de tensiunea de lucru a
condensatorului.
b) Condensatoare cu pelicule plastice

Materialele plastice nu prezintă incluziuni sau goluri, ca hârtia de
condensator, se utilizeaza drept dielectric o singură folie de material
plastic. Aceste folii pot fi obţinute sub forma unor pelicule subţiri cu
grosimi de ordinul micronilor.
Rezistenţa de izolaţie şi rigiditatea dielectrică prezintă valori mai ridicate

decât la hârtie.

1. La un condensator cu capacitatea Cn=0,1μF/500 V cu
dielectric polistiren să se determine:
a) caracteristicile gometrice (S, d).
b) Pierderile in dielectric la Un si f=0,1MHz.
Se dau: εr=2,3; Estr=50kV/mm; tgδ=1E-4.
2. Să se calculeze lungimea armaturilor unui condensator

cu peliculă plastic cu C=0,1μF/500V, dacă lăţimea
acestora l=1 cm.
Se dau: εr=2,3; Estr=50kV/mm.
C5- Tehnologia
condensatoarelor. Aplicaţii.
Materiale feroelectrice.
1.Tehnologia condensatoarelor
2. Identificarea condensatoarelor
3. Utilizări ale condensatoarelor
4. Materiale feroelectrice

5.1.1. Condensatoare cu pelicule
plastice
Armăturile se realizează din folii de aluminiu, staniu, sau din
pelicule metalice obţinute prin depunerea in vid pe suprafaţa
dielectricului. Prin metalizarea armăturilor se obţine reducerea
gabaritului, rezultând capacităţi specifice mari.
Dielectricul este format dintr-o peliculă (film plastic) din materiale
termoplaste polare: policarbonat, polietilentereftalat (mylar),
răşini poliamidice;
nepolare: polistiren (stiroflex), polipropilenă, polietilenă, etc.

5.1.2. Condensatoare ceramice
Care este relatia de calcul
pentru capacitatea
condensatorului cilindric?

5.1.2.1. Dielectrici ceramici
Dielectricii ceramici de tipul I (grupa I) au la bază titanaţii de calciu, magneziu, bariu

sau stronţiu care se caracterizează prin permitivitate relativ mică (r =5…200),
comparativ cu cei de tip II şi III.
Dielectricii ceramici de tipul II (grupa a-II-a) au la bază titanaţii şi zirconaţii de bariu
sau stronţiu cu permitivitate foarte mare (r>500), dar prezintă dezavantajul unei
instabilităţi mari a permeabilităţii electrice şi a pierderilor dielectrice cu temperatura şi
frecvenţa.
Dielectricii ceramici de tipul III (grupa a-III-a) au la bază materiale feroelectrice,
compoziţii ale titanatului de bariu (r>10E4-10E5), care se supun unui tratament
termic.
Condensatori ceramici mono şi
multistrat

5.1.2.2. Marcarea condensatoarelor
ceramice
Se pot întâlni inscripţionări diferite:

Cu trei culori – numai valoarea capacităţii nominale
Cu patru culori
Cu cinci culori - pot avea semnifcaţii diferite de la un tip la altul de
condensator
Coeficientul de temperatură este indicat de:
-culoarea corpului (a unei zone) condensatorului,
-ultima banda colorata,
-litera plasata inainte de valoarea numerica .
Exemplu
3.3nF / 63V / 5% / RM 5 mm
Condensator poliester.
18pF / 50V / 5% / RM 5 mm
Condensator ceramic.
220pF / 63V / 5% /
Ultima litera - RM 5 mm
TOLERANTA Condensator
ceramic.
Primele doua cifre – cifre semnificative;

A treia cifra – ordinul de marime (puterea lui 10).
5.1.3. Condensatoare electrolitice
Capacitatea nominală a condensatoarelor electrolitice este foarte

largă de la 1 µF până la 10000 µF.
Toleranţele uzuale sunt în limitele de –20% şi +100%.

5.1.3.1. Construcţie. Caracteristici.
Dielectricul condensatoarelor electrolitice este format din pelicule de oxizi
metalici (Al2O3, Ta2O5, Mb2O5, TiO2), care se depun pe o armătură
metalică.
Condensatoare electrolitice prezintă proprietăţi deosebite (permitivitate

şi rigiditate mare) şi posibilitatea de obţinere a unei pelicule sub un
micron, ceea ce duc la realizarea de capacităţi specifice mari.
Se bazează pe proprietatea oxizilor unor metale ca aluminiul şi tantalul,
de a conduce într-un sens şi de a prezenta o rezistenţă de blocare mare
în celălalt sens. De aceea, aceste condensatoare sunt polarizate.
Metalul constituie una dintre armături, iar cealaltă armătură în
contact cu dielectricul este un electrolit.

a) Condensatoare electrolitice cu Al
Armătura anod (electrodul pozitiv (+)) este realizat dintr-o folie de

aluminiu - folia anod, respectiv din folii sau din pulbere de tantal.
Dielectricul constă din pelicula de oxid care se formează prin
oxidarea armăturii anodice.
Pentru mărirea capacităţii specifice, anodul de aluminiu înainte de
oxidare se supune unei operaţii de asperizare (mărirea suprafeţei
armăturii).
Electrolitul are rolul celei de a doua armături, acesta poate fi: lichid,
lichid impregnat într-un material poros, sau solid (strat
semiconductor). După felul electrolitului utilizat, condensatoarele
electrolitice se împart în: umede, semiuscate şi cu electrolit solid.

Construcţia condensatoarelor electrolitice cu Al
Catodul: soluţie de acid boric, hidroxid de amoniu şi glicoletilenă, care

pătrunde în toţi porii anodului. Această soluţie este menţinută în contact
cu stratul de oxid anodic pe toată suprafaţa prin impregnarea a 2-5 foiţe
de hârtie fără impurităţi.
Armătura (+) Folie Asamblare.

de aluminiu
Cilindrul se introduce în
Al2O3 tuburi de aluminiu
etanşate cu dopuri de
cauciuc.
Armătura (-) - hârtie
îmbibată în electrolit
Electrod (-) -
carcasa

Schema echivalentă a condensatoarelor
electrolitice
metal oxid electrolit
V V V
C C C
V
C >0

b) Condensatoare electrolitice cu tantal
Condensator electrolitic cu tantal

Anodul este sintetizat din pulbere de tantal, care apoi se oxidează, iar ca
electrolit se utilizează o peliculă solidă semiconductoare de MnO 2.
Tantalul sub formă de pulbere

este supus unui proces de
sinterizare pentru creşterea
suprafeţei echivalente.

Caracteristici ale condensatoarelor
electrolitice cu Ta
Condensatoarele cu tantal prezintă o serie de avantaje faţă

de cele cu aluminiu:
• gama frecvenţelor de lucru este mai largă;

• temperatura minimă de funcţionare este mai coborâtă;
• fiabilitatea este mai ridicată;
• timpul de stocare este mai mare;
• curentul de fugă este extrem de mic.

5.2.5. Condensatoare variabile
Reglajul valorii capacităţii se poate obţine, ţinând seamă de relaţia
de calcul prin modificarea: suprafeţei active S a armăturilor, a
distanţei d, sau r.
La realizările practice se folosesc aproape exclusiv primele doua
variante (variaţia S şi d ).

Construcţia condensatoarelor variabile
Armăturile, formate din lamelele (plăci) metalice din aluminiu, cupru sau alamă cu
grosimi de 0,5…1mm, sunt conectate în paralel din punct de vedere electric. Se
obţin n condensatori elementari (n = numărul de perechi de lamele) a căror
suprafaţă comună se modifică în funcţie de reglaj.
Rotor
Dielectricul condensatoarelor
variabile obişnuite este aer
(Estr=3,2kV/mm), iar în cazul
condensatoarelor variabile de Stator
înaltă tensiune incinte vidate sau Ax rotor
cu gaze electronegative.
(Estr =7…20 kV/mm).

Condensatorul variabil cu dielectric aer
Statorul este izolat electric de şasiu

(masa electrică a montajului) prin
intermediul unor rondele din
material dielectric (ceramic sau
plastic).
Rotorul cu lamelele dispuse pe un
ax este conectat la potenţialul
şasiului. Pentru micşorarea
frecărilor, rotorul este fixat la
capetele pe bile. Deoarece
conexiunea electrică la rotor, numai
prin intermediul bilelor este nesigură
(contact imperfect) şi generează
zgomot, se folosesc arcuri
conductoare sau conductoare
flexibile, având un capăt conectat la
rotor (contact flexibil).
Aplicaţie
 6.3. Să se calculeze capacitatea maximă a
condensatorului variabil cu 12 armături
semicirculare cu D=10 cm situate în aer la
distanţa d=0,5 mm.
 R: C≈1666 pF

5.2.5.1. Condensatoarele reglabile
(semivariabile sau trimeri)
Construcţia condensatoarelor reglabile diferă în funcţie de tipul
dielectricului folosit. Astfel, trimeri cu aer şi cei ceramici se construiesc
atât sub formă plană, cât şi sub formă cilindrică (cu armături tubulare),
dar formele şi dimensiunile sunt diferite în funcţie de capacitatea şi
tensiunea nominală.
Condensatorul semireglabil cilindric cu aer se compune din stator şi

rotor sub formă de tuburi concentrice, care formează între ele un
număr de condensatoare cilindrice în funcţie de numărul de tuburi.
Valoarea capacităţii trimerilor cu aer este de maxim 100 pF, iar cea
minimă (capacitatea reziduală) este în general mai mare de 1…3 pF.

Trimerii ceramici se construiesc atât sub formă
plană, cât şi sub formă cilindrică. Valoarea
capacităţii trimerilor ceramici este de maxim
200pF, iar cea minimă (capacitatea reziduală)
este în general mai mare de 3…5 pF.

Variatia capacitatii

5.2. Identificarea condensatoarelor

5.2.1. Domeniul de frecvenţă al condensatoarelor
în funcţie de natura dielectricului

5.3. Utilizări ale condensatoarelor
Descarcarea condensatorului pe
Tensiune
o sarcina rezistiva (R=const.).
Constanta de timp:
ζ=R C
timp
τ
a) Circuite de filtrare
VR
VC
R
Vi C

vo
FTJ - Filtru trece-jos vo  vi  R  iC ; iC 
ZC
R

C 1
jC
i
v C v ZC
i
ZC o vo   vi   vi
R  ZC R
1
j C
vo ( j ) 1
Funcţia de transfer: H ( j )  
vi ( j ) 1  jRC
Circuit integrator
Circuit derivator Care este funcţia de transfer a circuitului?

c) Circuite oscilante
Oscilaţii amortizate

B
Care sunt condensatoarele folosite la
circuite oscilante si care sunt parametrii
f importanti ?
MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean
Aplicaţie
6.4. Un circuit oscilant LC cu L=0,1 mH si capacitatea
C formata din 6 plăci cu suprafaţa S=10 cm2 la
distanţa d=0,2 mm.
Să se determine:
a) frecvenţa de rezonanţa;
b) variatia frecvenţei Δf daca temperatura se modifică
cu 20 grade, iar αT=-200 ppm/grd.
R: C=265 pF, f=489 kHz, ΔC=-1,06 pF, Δf≈+1kHz

5.4. Materiale feroelectrice
Starea feroelectrica - stare de ordine a materiei, rezultata spontan
din tendinta catre stabilitate care corespunde unui minim al
energiei libere totale a materialului.
Materialele cu polarizare spontana sunt materiale care se

caracterizeaza prin existenta unui moment electric P≠0 in
absenta unui camp electric exterior.
Polarizarea permanentă poate fi:

 spontană (piroelectrică);
 piezoelectrică.
Materialele feroelectrice contin domenii dielectrice in interiorul

carora momentele electrice ale celulelor elementare sunt
orientate in aceeasi directie si sens, dar diferite domenii pot
avea orientari diferite.
5.4.1. Caracteristici.
Din categoria dielectricilor cu polarizare

p
spontană utilizări practice au cristalele
feroelectrice (cristale dielectrice cu
polarizare spontană a cărei direcţie, sau
sens poate fi schimbată prin acţiunea unui
câmp electric exterior).

Materialele feroelectrice prezintă la nivel macroscopic polarizatie P
remanenta diferită de zero.

Se caracterizeaza prin efect piezoelectric direct si invers:
a) supuse acţiunii unei presiuni mecanice induce o polarizare care
generează o tensiune electrică (efectul piezoelectric direct); polarizarea P,
indusă în materialul cristalin, este direct proporţională cu solicitarea
(presiunea) mecanică σ aplicată din exterior P = d·σ; (σ = F/S).
b) sub acţiunea unui câmp electric suferă o deformare mecanică (efectul
piezoelectric indirect).

5.4.2. Materiale piezoelectrice
Efectul piezoelectric este caracteristic atât materialelor omogene
monocristaline cum este cuarţul, cât şi materialelor neomogene
policristaline denumite materiale ceramice ( titanatul de bariu,
niobatul de litiu, ceramica PZT, etc.).
a) Cristalul de cuarţ prezintă trei sisteme de axe decalate la 120 grade.

Rezonatorul cu cuarţ
Pentru obţinerea condensatorului C şi a sarcinilor Q lamela de
cuarţ se introduce ca dielectric între două armături metalice.
Carcasă Electrozi de Ag
pe ambele feţe
Cristalul de Contacte de Ag
cuarţ (disc)
Gaz inert,
Soclu uscat

Circuitul echivalent al rezonatorului
piezoelectric
Inductanţa Lq reprezintă masa cristalului, capacitatea Cq elasticitatea

sa şi Rq reprezintă frecările mecanice.
Cele două frecvenţe fp şi fs sunt apropriate

ca valoare.
C6-Rezonatorul piezoelectric.
Materiale magnetice.
Caracteristici şi aplicaţii.
1. Rezonatorul piezoelectric
2. Materialele magnetice
3. BOBINE

6.1. Rezonatorul piezoelectric
Circuitul echivalent al rezonatorului piezoelectric

Inductanţa Lq reprezintă masa cristalului, capacitatea Cq elasticitatea
sa şi Rq reprezintă frecările mecanice.
Cele două frecvenţe fp şi fs sunt apropriate ca valoare.

Uzual, f = 15 kHz…25 MHz,
Factorul de calitate, are aceeaşi semnificaţie ca la circuitul RLC, dar are
valori mult mai mari. De aici derivă stabilitate de frecvență mult mai
mare decât cea de la oscilatoarele LC.

Stabilitatea frecvenței cu temperatură
Stabilitatea de scurtă durată
Stabilitatea de lungă durată

Oscilator - Regim auto-oscilant

Aplicatie
Să se determine care este domeniul de

frecvenţă şi factorul de calitate al rezonatorui
cu cuarţ care are următorii parametrii ai
schemei echivalente:
Lq=10 mH, Cq=1 pF, C0=50 pF, Rq= 10 Ω.

6.1.2. Dielectricii neomogeni cu
structură policristalină
Dielectricii neomogeni cu structură policristalină prezintă la fel ca

materialele cristaline fenomenul de polarizare.
Granulele de microcristale denumite cristalite sunt înconjurate de un
strat superficial denumit strat de separare. Cristalitele prezintă o
conductivitate mult mai mare decât stratul de separare.
Cristalite Strat de separare
E E
- + - +
- +
- + - +
- +
+ - + - +
- + -+ +

6.1.2.1. Materiale piezoceramice
Polarizare interfacială, este caracteristică unor oxizi metalici cu

structură ceramică. Aceste materiale stau la baza rezonatoarelor şi a
filtrelor piezoceramice.
Polarizarea se datorează posibilităţii de migrare şi de acumulare a
sarcinilor electrice în structurile de separare ale granulelor
policristaline. Datorită acestei neomogenităţi, în urma migrării
purtătorilor de sarcină, în stratul de separare, apare o acumulare de
sarcini spaţiale.
Materialele ceramice policristaline: Titanatul de bariu – BaTiO3-,
Titanatul de plumb –PbTiO3, Zicronatul de plumb –PbZrO3-, Niobatul
de sodiu –NaNbO3-, Ceramica PZT - soluţie solidă de Pb(Zr0.53Ti0.47)O3-
) prezintă macroscopic proprietăţi piezoelectrice asemănătoare
cristalului de cuarţ.

Filtru cu undă elastică
Structură se comportă ca o un sistem de oscilatori cuplaţi elastic.

Coeficientul de cuplaj elastic dintre electrozii este determinat de distanţa
dintre cele două perechi de electrozi.

Caracteristica de trecere a unui filtru trece-
bandă
Banda de trecere – FL - FH – defineşte intervalul de frecvenţă delimitat la -
3dB, (-6dB,.... -60dB), față de nivelul maxim (0dB).
Banda de trecere: B=Fh-FL

6.2. Materialele magnetice
Materialele magnetice reprezintă o clasă de materiale care
se caracterizează prin stări de magnetizare.
Stare de magnetizare M se înţelege starea materiei

caracterizată prin moment magnetic m al unităţii de volum
diferită de zero (m>0) . m
M 
V
Parametru de material care caracterizează stărea de
magnetizare este permeabilitatea magnetică absolută μ
si cea relativa µr: μμ μ 0 r

Dependenţe în câmp magnetic
Interacţiunea dintre substanţă şi câmpul magnetic este dată de

legea legăturii dintre inducţia magnetică B, intensitatea
câmpului magnetic H şi magnetizaţia corpului M:
B = μ0(H + M)= μ0μr H
  0  r
0  4 10 H/m
7

6.2.2. Clasificări ale materialelor magnetice
Materialele magnetice cu magnetizaţie temporară se împart

în:
- diamagnetice μr < 1
- paramagnetice μr > 1
Materialele magnetice cu magnetizaţie permanentă

(materialelor cu ordonare magnetică) se împart în:
-Feromagnetice: μr >> 1
-Ferimagnetice: μr >> 1,

Scara permeabilităţii magnetice a
materialelor.

Dependențe B(H) la diferite categorii de
materiale

Ciclul de histerezis la materialele
magnetice cu magnetizaţie permanentă
Materialele feromagnetice
prezintă ciclu de histerezis B(H).

Curbele de magnetizare
Curbele de magnetizare – locul geometric al

ciclurilor de histerezis B= f(H) la valori succesiv
crescatoare ale campului magnetic H.
permeabilitatea iniţială:

Parametrii curbei de magnetizare
Permeabilitatea magnetică initială µi şi maximă μmax

Permebilitatea magnetică reversibilă

Ciclul de histerezis la materiale moi şi dure
Lărgimea ciclului de histerezis este un criteriu de

clasificare a materialelor feromagnetice:
a) materiale magnetice moi, care au lărgimea cilului de
histerezis mică, sub 1 kA/m; materialele utilizate pentru
concentrarea şi amplificarea câmpului magnetic. Se
caracterizează prin cicluri înguste de histerezis magnetic
(câmpuri coercitive mici), inducţii de saturaţie mari, valori
ridicate ale permeabilităţii magnetice şi pierderi
magnetice mici. Se folosesc pentru miezuri de bobine şi
transormatoare.
b) materiale feromagnetice dure, care au cicluri de

histerezis foarte late, de ordinul kA/m. Materialele
magnetice dure au proprietatea de a păstreză starea de
magnetizare şi după întreruperea acţiunii câmpului
magnetizant. Se folosesc în construcţia magneţilor şi
pentru memorarea magnetică a informaţiei.
6.2.4. Materialele feromagnetice şi
ferimagnetice
Materialele feromagnetice şi ferimagnetice (feritele) sunt materiale cu
ordonare homoparalelă a momentelor magnetice atomice. Acestea au
utilizări multiple datorită proprietăţii lor de a concentra şi amplifica în
interiorul lor câmpul magnetic. Astfel, un miez de fier introdus într-un
solenoid concentrează şi dirijează câmpul magnetic în spaţiul din interiorul
solenoidulul, fenomen care determină creşterea inductivităţii bobinei.

a) Aliaje de fier-siliciu
Fierul moale are dezavantajul că prezintă pierderi magnetice mari
în câmpuri alternative (aproximativ 20 W/kg la inducţii de ordinul
1,5 T) şi este supus fenomenului de îmbătrânire magnetică.
 Prin alierea fierului cu siliciu, pierderile prin histerezis şi
pierderile prin curenţi turbionari scad simţitor, iar fenomenul de
îmbătrânire practic dispare. Se obţin aliaje de fier-siliciu cu
proprietăţi bune din punct de vedere magnetic, cunoscute sub
denumirea de table electrotehnice.
Pentru reducerea pierderilor prin curenţi turbionari tolele de Fe-Si

se izolează între ele, prin diverse procedee:
 prin oxidare,
 cu strat de hârtie,
 prin lăcuire,
 prin depunere de oxizi ceramici.

b) Materialele magnetice dure
Materialele magnetice dure se

caracterizează prin cicluri largi de
histerezis, cu inducţii remanente Br
şi câmpuri coercitive Hc de valori
ridicate.
Valoarea maximă a produsului
(BH), numit indice de calitate şi
notat (BH)max, este cu atât mai
mare cu cât ciclul de histerezis este
mai lat şi se apropie de forma
dreptunghiulară.

c) Ferite. Obţinere.

d) Miezuri magnetice
Miezuri magnetice –
părţile de închidere a
fluxului magnetic;
Elementele componente
ale bobinelor şi
transformatoarelor.

6.2.5. Utilizări ale materialelor
magnetice
 Domeniul ingineriei electrice:
 1. transformatoare, statoare şi rotoare pentru motoare şi generatoare
 2. ecrane magnetice;
 3. linii de întârziere (acoustic delay lines);
 4. traductoare;
 5. filtre.
 Electronic:
 1. Componente pentru surse în comutaţie (switched mode power
supplies);
 2. Bobine şi filtre de AF şi RF;
 3. Traductoare magneto-elastice;
 4. Capete magnetice pentru înregistrare;
 6. Electromagneţi pentru relee;
 7. Dispozitive magneto – acustice (microfoane, difuzoare);
 8. Memorii magnetice.

Aplicaţii în electronică şi telecomunicaţii
 Bobine
 Transformatoare de putere şi de semnal

6.3. BOBINE
a) b) c) d) e) f)
Simbolizarea bobinelor
a) fără miez, b) variabilă, c) cu miez ferită,
d) cu miez feromagnetic e) cu miez reglabil (ferită), f) semivariabil

Bobine de semnal mic

L<1mH

6.3.1. Parametrii caracteristici
Bobinele sunt componente de circuit care permit înmagazina de
energie electrică. Energia este înmagazinată în câmpul magnetic care
se stabileşte în vecinătatea circuitului bobinei:
Prin dispunerea conductorului sub formă de spire se intensifică câmpul

magnetic propriu, atunci când este străbătut de un curent electric.
Creşterea fluxului magnetic propriu se obţine şi prin introducerea unei
piese din material magnetic în interiorul bobinei (miezul magnetic).

a) Inductanţa L sau inductivitatea se defineşte prin raportul dintre fluxul
magnetic  care străbate suprafaţa limitată de conturul circuitului electric
şi curentul i care produce acest flux:
    B d S  N   f
L
i S
f 1  N2
L N  N  
i i Rm Rm
Unitatea de măsură a inductivităţii în Sistemul Internaţional este Henry [H]

şi submultiplii: mH, µH.
Valoarea inductanţei L depinde de forma geometrică a infăşurării
(forma de dispunere a spirelor), de dimensiunile înfãşurării şi de
caracteristicile miezului magnetic.
Proprietăţile magnetice se pot caracteriza prin reluctanţa magnetică
Rm definită prin relaţia:
lm
Rm 
  Sm

b) Factorul de inductanţă AL [nH / sp2 ] reprezintă inductanţa pe
care o poate avea o bobină de formă şi dimensiuni date, situată pe
un miez într-o poziţie determinantă, dacă ar fi formată dintr-o
singură spiră:
LH   N  AL  10 2 9
Cunoscând factorul de inductanţă AL al unei carcase cu miez se

poate calcula numărul de spire N pentru realizarea unei anumite
inductivităţi L:
L  10 9
N
AL

c) Factorul de calitate QL reprezintă raportul dintre puterea
reactivă Pr şi puterea activă P disipată în bobină:
Pr   L 1 La bobinele utilizate în
QL    echipamentele radioelectronice
P R tg L QL = 0...300.
Unghiul de pierderi L corespunde complementului unghiului de defazaj.

Aplicaţie
O bobină cu inductaţa L=10 mH este realizată pe un

miez cu factorul de inductanţă AL=500.
Să se determine:
 a) numărul de spire N;
 b) factorul de calitate Q la f=100 kHz, dacă R=62,8 Ω.

C7-Bobine. Construcţie.
Transformatoare.
Capete magnetice.
1. Bobine. Construcţie
2. Tehnologia bobinelor de RF
3. Transformatorul electric
4. Capete magnetice

7.1. Bobine. Construcţie.
a) Cu circuit magnetic deschis
b) Cu circuit magnetic inchis

a) Bobinaje
a) b)
e)
c) d)
Tipuri de bobinaje: a) cu o singură secţiune, b) piramidal

bobinat normal, c) piramidal bobinat alternat,
d) secţionat în galeţi
e) fagure
b) Miez magnetic

Părți componente ale unei bobine tip
OALĂ

Caracteristici ale feritelor MnZn şi NiZn
Tipul feritei Permeabilitatea Frecvenţa max. [MHz}

iniţială
Mn-Zn 1500…10.000 0,01…0,5
1000…1500 0,4…0,6
750…1000 0,6…1
Ni-Zn 500…750 1…3
200…300 4…8
80…100 10…20
40…50 20…40
15…20 40…80

7.1.1. Calculul inductivităţii bobinelor
(fără miez)
a) Bobine de formă toroidală N i
B  0  
   B  dS l
dS=h dr
h
N i h N i  D 
D2
d   0  h    dr  0   ln  
D d 2 2  r 2  d 
Inductanţa: L /i
h N  D 
L  0   ln  
2 d

Aplicaţie
7.1. Să se determine care este inductanţa bobinei având

N=25 spire şi cu geometria indicată.

b) Bobine solenoid
l
L  0  N 2  S l
D
unde:
 0  4  10 7 H / m
N- numărul de spire;
S- aria secţiunii transversale;
l- lungimea bobinei.
Inductanţa bobinelor fără miez poate fi considerată

constantă într-un interval larg de frecvenţe, indiferent de
amplitudinea curentului.

c) Bobine cilindrice
2  a 2  N 2
a L  0  K w 
b
c
b Factorul subunitar Kw este:
1
Kw 
1  0,9  a b  0,32  c a  0,84  c b

7.1.2. Bobine cu miez magnetic
d) Bobine cu miez magnetic
In cazul bobinelor cu miez magnetic:
L  e  L0  re  AL  N 2
N 2  Se
L  0  e 
le
μe - permeabilitatea efectivă a circuitului magnetic;

μe - depinde de caracteristicile miezului şi de geometria acestuia; cu cât
frecveţele de lucru sunt mai mari, cu atât μe are valori mai mici.
Efectul geometriei miezului magnetic

7.2. Tehnologia bobinelor de RF
In circuitele de radiofrecventa (RF), bobinele se utilizează:

• în circuite oscilante (LC paralel sau serie, circuite rezonante de adaptare),
caz în care este important să aibă pierderi mici (Q propriu mare);
• ca bobine de şoc, instalate pe traseele de alimentare ale dispozitivelor
active pentru a “bloca” trecerea componentelor variabile ale curenţilor.
In prezent se folosesc din ce în ce mai mult bobine fixe, cu inductanţă

constantă, cu valori normalizate (ca şi la rezistoare şi condensatoare). De
regulă, valorile sunt multipli de 1nH şi sunt inscripţionate în codul culorilor.
Modificarea inductanţei se realizează:

• prin deplasarea miezului în bobină, de obicei prin înşurubare, la bobinele cu
miez;
• prin distanţarea / apropierea spirelor, la bobinele fără miez.

a) Variante constructive pentru bobine de
semnal mic

b) Bobine pe cablaj imprimat
Bobinele se pot realiza pe cablaj imprimat sub formă de spirale.
Inductanţele realizabile sunt x(1 ... 100)nH cu Q = 30 ... 80.

Inductanţe de 2–3 ori mai mari se realizează (rareori), cu un
paralelipiped din ferită lipit pe una din feţele cablajului.

Calculul inductantei bobinei spirală
3,2 10 2  a 2  N 2
L [μH ]; unde
6a  10c
d a  di d a  di
a [ m] c  [ m]
4 2

Schema echivalentă. Comportarea bobinei
în frecvenţă.

Aplicaţie
7.2. Să se determine frecvenţa de autooscilaţie
şi factorul de calitate al unei bobine cu L=100
μH, Rs=50 Ω şi Cd=30 pF.

Circuit de acord (“antena de ferita”)

Caracteristica de rezonanta a circuitului oscilant paralel.

7.3. Transformatorul electric
Transformatoare monofazate

Aplicaţie
7.3. Se dau: i=0,1 A,
Să se determine:
spire
Indicaţii:

7.3.1. Construcţia transformatorului
monofazat
Transformatorul electric este un ansamblu format din două sau mai
multe bobine, izolate galvanic între ele, între care cuplajul se face prin
intermediul fluxului magnetic.

Miez
Miez
½ magnetic
magnetic
Infaşurare
IT Infaşurare IT
Înfăşurare JT
½
Înfăşurare
Circuit magnetic JT
Circuit magnetic

a) Miezul magnetic
Miez de ferită
Asamblarea
tolelor în miez
a) b) c) d)
Tipuri de tole a) manta M, b) U+I, c) E+I, d) circulare

Transformator cu miez magnetic din tole E+I
Tole
Brida de
strângere
Bobina
Talpa de fixare

Miez magnetic din tole U+I, C+C şi E+E

b) Bobinajul

7.3.1.1. Transformatorul ideal
Dacă reluctanţa:
Raportul de transformare

7.3.1.2. Transformatorul real
Fluxul util:
Se notează im curentul de
magnetizare
Inductanţa de magnetizare:

Fluxul de scăpări ɸσ:

Schema echivalentă a transformatorului real
Coeficientul de cuplaj

7.4. Capete magnetice
Peliculă
magnetică
Suport din
plastic

7.4.1. Principiul înregistrării magnetice
B Tensiune de Semnal
polarizare de
iesire
Curba de
magnetizare
Semnal
P. initiala
de iesire
H
Distorsiuni
Semnal de Semnal de
intrare intrare

Construcţia unui cap magnetic cu mai
multe piste
Suprafaţa frontală
cap magnetic
Placa de
fixare
Piste
Intrefier
Carcasa
capului
Conductoare
înscriere/citire
Ecran metalic
Miez
Părţi superioare

Suportul magnetic
Materialul de bază
Strat adeziv
Strat din particule

magnetic dure

Inregistrarea magnetică digitală
a) Inregisrarea pe bandă
Inregistrarea serială
Pista
Pista 1
Inregisrarea paralel

b) Inregistrarea pe disc
Sectoare
Piste

C8 - Materiale
semiconductoare.
Tehnologia de obţinere a siliciului.
Tehnici de impurificare controlată.
1. Caracteristici ale materialelor semiconductoare
2. Obţinerea siliciului
3. Tehnici de impurificare controlată
4. Tehnici de depuneri de straturi

8.1. Caracteristici ale materialelor
semiconductoare
Materialele semiconductoare stau la baza realizării de dispozitive
electronice şi de circuite integrate.
Acestea se caracterizează prin valori ale conductivităţii electrice
cuprinsă in intervalul de valori:
  106  105 1m1
Elemente chimice semiconductoare.
II B III IV V VI VII
5 B* 6 C*
4 Be ΔWi ρ=109 Ωm 7N 8O 9F
=1,1eV ΔWi =5,4 eV
14 Si*
15 P*
12 Mg 13 Al ρ=2,3.103 Ωm 16 S* 17 Cl
ΔWi =1,5 eV
ΔWi =1,12 eV
32 Ge* 34 Se*
33 As*
30 Zn 31 Ga ρ=4,7.10-1 Ωm ΔWi =1,7 35 Br
ΔWi =1,2 eV
ΔWi =0,68 eV eV

Modelul structurii atomului de siliciu

8.1.1. Conducţia electrică
La materialele semiconductoare se poate modifica în mod controlat

concentraţia de purtători de sarcină liberă, deci conductivitatea, respectiv,
rezistivitatea materialului.

Purtătorii de sarcină în câmp electric.

Modelul benzilor energetice al conducţiei electrice în
semiconductoarele intrinsece:
a) la temperatura de 0K;
b) la temperaturi T  0K şi în absenţa câmpului electric;
c) formarea perechilor electron-gol în semiconductor.
a) Semiconductorii intrinseci
In semiconductorii intrinseci densitatea curentului electric J este

suma între densitatea de curent a electronilor şi a golurilor:
J nqov n  pq ov p
J nqv n pqv p
i   
E E E
 i   n   p  nq0  n  pq0  p
n  p  ni σ i  ni q0 (μn μ p )
b) Semiconductori extrinseci
Conducţie tip n Conducţie tip p

Semiconductori extrinseci conțin ionii de substituţie cu valenţa diferită de
cea a reţelei atomice. Conductivitatea electrică a unui material
semiconductor extrinsec depinde în primul rând de concentraţia de impurităţi.
Prin impurificare se obține o conductivitate electrică controlabilă.

Conducţia de tip extrinsec
Impurificarea controlată - adăugare a unei anumite cantităţi de atomi de
impuritate într-un cristal pur - dopare.
Wd  Wc Wd  Wi
- pentru semiconductoare de tip n:  e n N D q0 n
- pentru semiconductoare de tip p:  e p  N A q0  p
σtot  σ en  σ ep
Purtătorii a căror concentraţie în semiconductoarele extrinsece este mai mare
se numesc purtători majoritari, iar cei cu concentraţie mai mică sunt
purtători minoritari. .
8.1.2. Caracteristici
Observație:
Mobilităţile electronilor sunt întotdeauna mai mari decât mobilităţile golurilor; de
aceea dispozitivele semiconductoare la care purtătorii majoritari sunt electroni pot
funcţiona la frecvenţe mai mari decât a celor la care purtătorii sunt goluri.
Materiale de dopare pentru Si şi Ge
Energiile intervalelor donoare şi acceptoare la impurificarea controlată

a germaniului şi siliciului.
Material la siliciu (ΔWi = 1.12 eV) la germaniu (ΔWi = 0.67 eV)

de ΔWd [eV] ΔWa [eV] ΔWd [eV] ΔWa [eV]
dopare
P 0,015 0,0120
As 0,049 0,0127
Sb 0,039 0,0096
B 0,045 0,0104
Al 0,057 0,0102
Ga 0,065 0,0108
In 0,160 0,0112

Aplicație
Să se determine conductivitatea electrică pentru germaniu, siliciu şi
GaAs la temperatura ambiantă (kT = 0,025 eV).
Valoarea conductivităţii Ge:
  e  ni ( n   p )  (1,6 10 19 )( 2,4 1019 )  (0,39  0,19 )  2,64  1  m 1 ,
Valoarea conductivităţii Si:
  e  ni ( n   p )  (1,6 10 19 )(1,45 1016 )  (0,1350  0,045 )  0,42 10 3  1  m 1
Valoarea conductivităţii GaAs:

  e  ni ( n   p )  (1,6 10 19 )(1,8 1012 )  (0,850  0,040 )  1,42 10 6  1  m 1

8.2. Obţinerea siliciului
Teoria dispozitivelor semiconductoare este construită în ipoteza unui
cristal perfect sau cvasi-perfect.
Calitatea electronică (EGS) a siliciului este greu de obţinut fiind necesară
aplicarea succesivă a unui număr mare de etape de purificare.
NISIP

8.2.1. Obţinerea siliciului metalurgic (MCS)
a) Etapa I
Siliciul metalurgic se
obţine în urma
electrolizei SiC.
SiC(lichid) + SiO2 (lichid) ---> Si (lichid) + SiO (gaz) + CO (gaz)

Puritatea siliciului metalurgic aprox. 98 %.
8.2.2. Obţinerea siliciului de calitate
electronică (ECS)
Siliciului de calitate electronică (ECS)

se obține pornind de la siliciul de
calitate metalurgică prin mai multe
purificări chimice şi apoi fizice.
b) Etapa II
Una din metodele folosite constă în
dizolvarea siliciului într-un produs
lichid la temperatura ambiantă şi apoi
distilarea acestui lichid.

Producerea de triclorosilan are loc prin pulverizarea de siliciu solid în
acid clorhidric gazos (HCl), conform reacţiei:
Si (solid) + 3HCl (gaz) ——300°C——> SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz)
c) Etapa III
Triclorosilanul astfel purificat este în continuare redus, pentru a repune
în libertate siliciul.
Reacţia chimică:
SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz) ——> Si (solid) + 3HCl (gaz)

8.2.3. Purificarea fizică
d) Etapa IV
Se bazează pe redistribuirea impurităţilor existente în material la trecerea
acestuia din faza lichidă în faza solidă. Eficienţa metodei depinde de
coeficientul de repartiţie kr ( k r  N s N l ) dintre concentraţia de impurităţi
în fază solidă Ns şi concentraţia de impurităţi în fază lichidă Nl .
Puritatea siliciului de calitate electronică 99,9999% (10-6)

8.2.4. Elaborarea monocristalului de siliciu
e) Etapa V
Elaborarea monocristalului de siliciu se realizează prin diferite

tehnologii (topire zonală, tragere din creuzet, creştere epitaxială etc.).
Cristalizarea lingoului şi
purificarea prin metoda
topirii zonale

f) Etapa VI Cristalul de siliciu
Debitarea lingoului
Direcțiile de debitare

8.2.5. Realizarea plachetelor (wafers)
Din lingoul de siliciu cristalin se Lingou de Si

(l2m)
obţin plachetele (wafers) pe
care prin tehnologii specifice
Direcţia
urmează a se realiza [100]
dispozitivele electronice şi
circuitele integrate. Marcaj de referinţă
Lingoul de siliciu cu marcarea orientării cristalografice

debitarea plachetelor
Pânza fierăstrăului are grosime
g400m şi realizează
debitarea de plachete
semiconductoare cu
grosimea de 400µm ...
Debitarea plachetelor
600µm brut, după tăiere.
Mod de identificare a tipului plachetelor

8.3. Tehnici de impurificare
controlată
Pentru a realiza dispozitive semiconductoare este necesară
impurificarea controlată (doparea) unor zone de pe suprafaţa cipurilor
pe care se vor realiza joncţiunile sau componentele pasive de circuit.
Tehnicile de dopare folosite în realizarea de dispozitive electronice şi
circuite integrate:
difuzia şi implantarea ionică.
Plachetele de siliciu utilizate:

Siliciu monocristalin de tip n sau p;
sau plachete epitaxiale.

8.3.1. Difuzia
Difuzia este un procedeu flexibil şi bine controlat de obţinere a unei

distribuţii de impurităţi în structura materialului (dopare), în scopul
obţinerii joncţiunilor sau a altor structuri necesare în fabricarea
dispozitivelor semiconductoare.
Difuzia corespunde tendinţei de împrăştiere (dispersie) a particulelor,

atomilor sau moleculelor substanţelor sub acţiunea unei energii de
excitaţie furnizată din exterior sub formă de căldură.
La temperatura ambiantă fenomenul de difuzie este prezent numai în

mediul gazos, mai puţin accentuat în mediu lichid şi practic inexistent în
mediu solid. Pentru a obţine o difuzie în medii solide, respectiv în
cristale semiconductoare, trebuie ca materialul sa fie încălzit la
temperaturi ridicate (în jurul valorii de 1000°C).

8.3.1.1. Modelul difuziei
Modelul difuziei impurităţilor în

w0 structura cristalină a materialului
de bază

a) Legea lui Fick
Legea lui Fick, arată că fluxul unitar  al particulelor ce difuzează este

dat de relaţia (legea I a lui Fick):
  D  grad N
unde:
D [cm2/s] este coeficientul de difuzie;
N concentraţia particulelor ce difuzează.
N N ( x, t ) ( x, t )
După Ox:  x   D  
x t x
N ( x, t )   N  2N
   D  D 2
t x  x  x
N  2 N  2 N  2 N 
 D 2   2   D  N
t  x y 2
z 
b) Materiale impurificatoare
În cazul siliciului principalele impurităţi sunt:

- acceptoare sunt: B, Ga, In,
- donoare sunt: P, As, Sb.(în comparaţie cu
fosforul, arseniul şi stibiul sunt difuzanţi relativ
lenţi).
 Coeficieţii de difuzie D şi solubilităţile

elementelor de impurificare frecvent utilizate
în practică sunt cunoscute şi se indică în
funcţie de temperatură [ D(T)].
8.3.1.2 Tehnologia difuziei
În faza gazoasă impurităţile sunt antrenate de un mediu gazos (gaz

purtător). Procesul de difuzie se realizează în reactoare de difuzie la
temperaturi de 800 -1300°C.
La temperaturi joase, coeficientul de difuzie al impurităţilor este foarte mic.
Atomii de impuritate de specia dorită sunt aduşi în stare gazoasă fiind
transportaţi în reactor de către un gaz inert.
Gaz purtător
Reactor de difuzie
Instalaţia de difuzie constă în cuptorul de difuzie propriu-zis,
funcţionând la temperaturi mari 1000-1200° C

8.3.1.3. Analiza straturilor difuzate
În studiul straturilor difuzate prezintă interes

următoarele caracteristici:
• concentraţia impurităţilor la suprafaţă;

• distribuţia spaţială a difuzantului pe direcţia de difuzie;
• adâncimea de pătrundere a joncţiunilor p-n;
• valoarea gradientului concentraţiei impurităţilor în
joncţiunea p-n.

Determinarea adâncimii stratului difuzat
xj
p l 
Şlefuirea sub unghi în
n metoda colorării selective
U
 L
a) Principiul de
p xj baleere cu flux
luminos
n b) Determinarea xj
a) b) x

Rezistivitatea de suprafaţă sau rezistenţa
de pătrat
Parametrul electric cel mai utilizat pentru caracterizarea straturilor
difuzate este rezistenţa de pătrat. Pentru a defini această mărime se
va porni la calculul rezistenţei unei probe paralelipipedice cu
dimensiunile de siliciu uniform dopate.
L  L
R   
w g g w
L
= R
w

Aplicaţii
8.1. Să se calculeze rezistenţa unui strat difuzat cu

rezistivitatea ρ=10 exp(-4) Ωm având următoarea
geometrie: L=10 µm, w=5 µm, g=1 µm.
8.2. Să se determine R a unui strat difuzat cu R=100 Ω

cu L=100 μm şi w=5 μm.

8.3.2. Implantarea ionică
Implantarea ionică reprezintă procesul de introducere a atomilor de

impuritate într-un material semiconductor de bază prin bombardarea acestuia
cu un fascicol nefocalizat de ioni cu energie ridicată (de ordin keV…sute keV).
Implantarea ionică nu este un proces termic care de multe ori duce la efecte
secundare şi din aceasta rezultă o serie de avantaje.
Atomii dopanţi sunt de obicei: B, P, As, In, etc. Pentru accelerarea atomilor
ionizaţi se folosesc energii cuprinse în gama 3 keV până la 500 keV.
Adâncimea de patrundere este cuprinsă între 100 Å şi 1 µm, aceasta
depinzând de:
•natura materialului în care se face implantarea;
•de natura ionilor dopanţi;
•de energia de accelerare.

8.3.2.1. Principiul implantării ionice
Procesul de implantare se realizează în vid.

Distanţa pe care o parcurg ionii în interiorul materialului
semiconductor (ţintă) până la oprire poartă denumirea de parcurs.
8.3.2.2 Adâncimea de pătrundere a
impurităţilor
Calculul adâncimii maximă de pătrundere a particulelor canalizate
Rmax [m]:
Rmax   R E
unde:
R - constantă care depinde de natura ionilor implantaţi şi de
starea fizico-chimică a sursei;
E [keV] – energia ionilor.

8.3.2.3. Caracteristicile straturilor implantate
ionic
-Localizarea cu o bună rezoluţie a zonelor dopate, lucru ce permite

obţinerea unei densităţi mari de integrare;
-adâncimea de pătrundere a impurităţilor implantate este mai mică

decât în cazul difuziei;
-se reduc efectele secundare ce pot apărea la procesele termice

care însoţesc alte metode de impurificare (difuzia, epitaxia,
alierera);
- realizarea unui maxim al concentraţiei de impurităţi la o anumită

adâncime sub stratul de siliciu, ceea ce permite obţinerea de
tranzistoare bipolare şi cu efect de câmp cu proprietăţi mai bune
decât prin difuzie.
Cicluri de fabricaţie la dispozitive semiconductoare și
circuite integrate
Procesele de fabricaţie specifice domeniului electronic sunt foarte diverse,
acestea fiind în continuă schimbare şi perfecţionare. Dinamica dezvoltării secolului al
XXI -lea se datorează în mare măsură progreselor înregistrate în tehnologiile
microelectronice în care inteligenţa înglobată în microprocesoare, controlere şi în
sistemele de calcul ne schimbă viaţa de zi cu zi.
Circuitele integrate sunt acele circuite în care un număr de elemente de circuit
sunt asociate şi interconectate electric inseparabil. După modul de realizare circuitele
integrate pot fi: semiconductoare, peliculare sau hibride.
Circuitele integrate semiconductoare sunt structuri formate în interiorul sau pe
suprafaţa unei porţiuni de material semiconductor monocristalin. Dintre acestea, cele
de tip monolit au elementele de circuit formate într-o singură structură
semiconductoare (cip), iar cele fragmentare se realizează din mai multe structuri
monolitice, interconectate între ele. Toate aceste structuri se bazează pe proprietăţile
joncţiunilor (tranzistoare bipolare) sau a influenţei câmpului electric asupra deplasării
purtătorilor de sarcină (tranzistoare cu efect de câmp).
Pentru fabricarea unui circuit integrat tehnologia microelectronică face apel la
un număr important de etape tehnologice elementare.
a) Ciclul de fabricaţie al siliciului cu structură cristalină şi cel al plachetelor
Principalele etape care se parcurg pentru realizarea materiei prime (plachetele de
siliciu) necesare domeniului sunt:
- purificarea siliciului;
- fabricarea cristalului de siliciu;
- fabricarea plachetelor de siliciu.
Prin parcurgerea operaţiilor de elaborare a siliciului prezentate în capitolul 3 este
posibilă evoluţia materiei din starea sa naturală dezordonată (nisip) către o structura de
mare puritate aşa cum este siliciu de calitate electronică. După realizarea unei structuri
cristaline a lingoului de siliciu (lingoul de siliciu - figura 1.1.a) din acesta se realizează
plachetele semiconductoare (fig. 1.1 b). Acestea se supun, la rândul lor, operaţiilor din
ciclul de fabricaţie al dispozitivelor semiconductoare sau de circuite integrate.
b) Ciclul de fabricaţie al dispozitivelor semiconductoare
Principalele operaţii care se parcurg pentru transformarea materiei prime în
dispozitive semiconductoare şi de circuite integrate (fig. 1.2) sunt: tehnicile de
impurificare controlată (cap.4), tehnicile de depuneri de straturi (cap. 5), litografia şi
gravura (cap.6), la care se adaugă operaţii de marcare-testare, montaj-încapsulare.
Tehnologia microelectronică cuprinde un mare număr de activităţi diverse. După
terminarea ciclului de fabricaţie (constând în parcurgerea unui număr de etape, uneori
în mod repetat) plachetele sunt testate şi apoi decupate.
a) b)
c)
Fig. 1.1 Etape ale ciclului de

fabricaţie a) Lingoul de siliciu;
b) Placheta de siliciu; c) Structura
unui cip al unui circuit integrat
Filiera tehnologică reprezintă un ansamblu de etape ai căror parametri şi a căror

succesiune au fost stabilite de un producător şi pe care acesta le aplică pentru a realiza
diferite tipuri de componente. Acest demers este impus de complexitatea mare a unui
procedeu de fabricaţie complet (care poate să conţină peste 400 de etape elementare).
Aceasta explică totodată de ce un producător este constrâns să rămână "în filiera sa",
adică să modifice cât mai puţin posibil secvenţele sau etapele pe care le-a pus la punct
în timp, până la perfecţiune. Fiind etape succesive ale unei tehnologi, operaţiile
individuale sunt puternic interdependente, în sensul că rezultatele obţinute în urma
unei operaţii depinde de cele care s-au aplicat anterior. Această strânsă
interdependenţă dintre operaţiile şi procesele succesive constituie prima dificultate
importantă a proiectării şi ulterior a menţinerii în stare operativă a unei tehnologii
pentru dispozitive electronice şi pentru circuite integrate. Datorită interdependenţei
dintre procese, este posibil ca modificând o singură etapă în vederea optimizării unui
parametru, să se modifice în mod involuntar un alt parametru al structurii, cu rezultate
catastrofale.
Ciclul complet de fabricaţie al circuitelor integrate poate fi schematizat aşa cum
se indică în figura 1.2. Pornind de la materia primă (siliciu pur) se fabrică un lingou,
iar apoi din acesta se decupează plachetele care sunt supuse unui număr mare de etape
tehnologice elementare: epitaxie, oxidare, fotolitografie, difuzie, implantare ionică,
depuneri, gravură. Aceste etape se aplică uneori repetat, fluxul tehnologic formând
cicluri (bucle). Spre exemplu etapa de fotolitografie, care constă în a transfera un
model distinct de pe un şablon (mască) pe plachetă, poate interveni de un număr mare
de ori în cursul fabricaţiei unui anumit circuit integrat.
Fig. 1.2 Ciclul de fabricaţie al unui circuit integrat
In tehnologiile recente pot interveni până la 15 fotolitografii pe parcursul

fabricării unui circuit.
După încheierea ciclului de fabricaţie (constând în parcurgerea unui număr de
etape, uneori în mod repetat), plachetele sunt testate şi apoi decupate. Decuparea,
realizata după direcţia axelor cristalografice, permite obţinerea cipurilor. Cipurile (fig.
1.1.c) sunt apoi încapsulate (in capsule normalizate de circuit integrat), marcate şi
testate. In unele cazuri se montează mai multe cipuri în aceeaşi capsulă şi se
interconectează prin trasee interne. Se limitează astfel numărul interconexiunilor
externe. Acestea sunt numite circuite hibride si pot avea mai multe sute de pini pentru
conexiuni spre exterior.
Procedeele tehnologice recente ating uşor între 400 şi 500 de etape elementare.
Se explică astfel de ce durata de fabricaţie a unui circuit integrat actual este de 2 ..3
luni, în funcţie de gradul de complexitate. Scopul unei tehnologi este acela de a
produce circuite integrate cu performanţele dorite, cu fiabilitate maximă şi cu
cheltuieli minime. Pentru aceasta densitatea de integrare şi randamentul de fabricaţie
trebuie să fie maxime.
În primele capitole ale cursului (cap. 4cap. 8) se prezintă caracteristicile
operaţiilor specifice tehnologiei materialelor semiconductoare, iar în capitolele
următoare se indică modul în care acestea se aplică pentru realizarea dispozitivelor
electronice (cap. 8) şi a circuitelor integrate (cap. 9).
Condiţii tehnologice în fabricaţia semiconductorilor
Principala cerinţă care trebuie asigurată în toate operaţiile proceselor de fabricaţie

a dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate este curăţenia. Un singur fir
de praf de dimensiuni micronice care se depune pe o plachetă poate face inutilizabil un
cip conţinând câteva milioane de tranzistori. De aceea, întregul proces de fabricaţie se
efectuează în spaţii speciale denumite "camere albe" în care condiţiile de mediu şi de
curăţenie sunt strict controlate. Astfel, atmosfera are temperatură constantă, umiditatea
este strict controlată, iar numărul de particule de praf trebuie să fie cât mai mic.
Gradul de "puritate" (de curăţenie) a unei încăperi se defineşte prin numărul de
particule cu diametrul mai mare de 0,5 m existente într-un volum de 1 ft3 (1 ft =1
picior = 30 cm, rezultă că 1ft3 = 0,027 m3 = 27 litri).
În atmosfera ambiantă dintr-o camera de lucru obişnuită acest indicator este
cuprins între 1 000 000 ...100 000 000. Denumirea de "cameră albă" se atribuie unei
încăperi dacă clasa ei de puritate este mai mică de 1000. Atingerea acestei
performanţe necesită un echipament complex şi costisitor. Acestea sunt construite din
pereţi cu proprietăţi speciale şi prevăzute cu "duşuri" de aer pentru accesul
personalului, realizate după principiul ecluzelor. Astfel, aerul dintr-o cameră albă
industrială trebuie complet reînnoit la fiecare 7 secunde, evitând totodată orice
turbulenţă la nivelul zonelor de lucru. Câteva milioane de m3 de aer sunt vehiculate şi
filtrate în timp de o oră într-o hală în care au loc procese de producţie din domeniul
semiconductorilor. Filtrele utilizate au dimensiunile porilor de 0,2 m şi se numesc
filtre absolute. Echipamentele de procesare care pot genera particule sunt instalate în
afara camerelor albe, operarea făcându-se prin deschideri etanşe practicate în pereţii
camerei.
Plachetele de siliciu sau măştile sunt manipulate şi transportate exclusiv sub hote
cu flux laminar instalate în interiorul camerelor albe. O astfel de hotă are propriul ei
sistem de recirculare şi filtrare a aerului, clasa de desprăfuire care poate fi atinsă fiind
mai bună de 100. Operatorii aflaţi în interiorul camerei albe folosesc costume speciale
antistatice cu măşti aşa cum se poate vedea în Anexa 2.1.
Antistatizarea
Electricitatea statică reprezintă un pericol major pentru fabricaţia de dispozitive

semiconductoare şi circuite integrate datorită efectelor directe (străpungerea
dielectricilor, deteriorarea joncţiunilor, etc), cât şi datorită efectelor indirecte legate de
reţinerea particulelor de praf, care pot fi eliberate apoi în mod necontrolat. De aceea
trebuiesc luate măsuri de antistatizare la nivelul încăperilor de lucru cum ar fi:
- utilizarea de ionizatoare ale aerului şi ale jeturilor de azot;
- acoperirea pereţilor şi mai ales a podelei cu materiale antistatice;
- purtarea de costume antistatice.
Pentru protecţia antistatică a cipurilor se iau măsuri de protecţie integrate
(fiecare pad al cipului este protejat) cât şi la manipularea cipurilor (conectarea la masă
a mâinilor operatorului, ambalaje antistatice, etc.) - fig. 1.3.
Fig. 1.3 Imagine a mediului de lucru – procesarea de circuite microelectronice

Tendinţe în evoluţia tehnologiei electronice
Electronica începutului de secol şi de mileniu se caracterizează prin creşterea

gradului de integrare atât la nivelul componentelor electronice cât şi cel al
subansamblelor, modulelor şi aparaturii electronice. Complexitatea din ce în ce mai
mare a produselor electronice din societatea contemporană determină modalităţi
diferite de cele de până acum în realizarea produselor electronice.
În domeniul circuitelor integrate prin coborârea sub bariera de un micrometru, cu
tendinţe de obţinerea de rezoluţii de zeci de nanometrii, a făcut posibil obţinerea de
circuite complexe ce cuprind milioane de tranzistoare şi porţi logice pe o singură
pastilă de siliciu (cip). De notat că, prin controlul proceselor şi ameliorarea
randamentelor de fabricaţie, cipurile au evoluat de la dimensiunea de 1 mm2 în 1970 la
câţiva cm2 în 1995 și în continuare suprafața acestora este în creștere.
Pe măsura creşterii complexităţii sistemelor integrate, testarea acestora devine
din ce în ce mai dificilă. Proiectarea de circuite trebuie să ţină seama de acest aspect,
iar automatizarea testării va juca un rol important în creşterea productivităţii şi a
calităţii fabricaţiei.
La stabilirea tehnologiilor proprii, roluri foarte importante joacă experienţa şi
istoria tehnologică a firmei în cauză, accesul la anumite echipamente şi materiale,
destinaţia circuitelor fabricate, precum şi concepţia proprie legată de reducerea
cheltuielilor de fabricaţie. Educaţia tehnologică a factorilor implicaţi în domeniul
microelectronicii este esenţială.
Tehnologia dispozitivelor
semiconductoare
1. Tehnici de depuneri de straturi

2. Tehnologia diodelor semiconductoare
3. Tehnologia tranzistoarelor bipolare

Procesul tehnologic al dispozitivelor
semiconductoare
Principalele operaţii la realizarea dispozitivelor

semiconductoare şi a circuitelor integrate:
• impurificări controlate (difuzie, implantare ionică),

• oxidări (strat dielectric, strat de protecţie, etc.),
• depuneri sau gravări de straturi conductoare sau izolante.
• corodarea selectivă unor straturi sau a unor zone de pe

plachetele semiconductoare.

9.1. Tehnici de depuneri de straturi
Depunerile sunt necesare la realizarea de straturi
semiconductoare cu aceeaşi structură sau diferită de cea a
substratului, straturi conductoare sau izolante.
Tehnicile de depunere folosite pentru realizarea de straturi
izolante sau de oxid permit realizarea şi a depunerilor de
alte materiale: metale sau pelicule semiconductoare.
Tehnici de depunere:
evaporare termică,
pulverizare catodică,
depunere chimică în fază de vapori,
depuneri la joasă presiune,
depunere asistată de plasmă.
9.1.1. Epitaxia
Prin epitaxie se înţelege procesul de creştere a unui strat monocristalin
pe un suport orientat.
Procesul constă în transportul atomilor dintr-o fază: solidă, lichidă sau
gazoasă la suprafaţa unui suport monocristalin pe care să continue
creşterea cristalină a substratului.
Creşterea epitaxială a constituit un pas

important în tehnologia planară şi în primul
rând în tehnologia circuitelor integrate.
Creşterea straturilor epitaxiale a permis
eliminarea unor procese de difuzie care
necesitau un interval de timp mare.

a) Epitaxia cu jet molecular (MBE)
Procesul constă în aducerea şi proiectarea moleculelor pe suprafaţa

substratului. Procesul are loc în vid înaintat (10-10 Torr).

b) Epitaxia în fază de vapori (VPE)
În reactor gazul se
disociază, furnizând atomi
(de siliciu, spre exemplu),
care se depun pe
suprafaţa plachetelor.
folosind silanul, SiH4; reacţie

ireversibilă:
SiH4(gaz) -> Si solid + 2H2 (gaz)

9.1.2. Oxidarea
a) Descrierea procesului
Oxidare - reacţia chimică cu un agent oxidant (oxigen, ozon, apă, bioxid
de carbon, acid azotic, etc.).
Procesul de oxidare la siliciu are drept scop obţinerea unui strat de SiO2
caracterizat prin proprietăţi:
•dielectrice,
•de ecranare în procesele de impurificare controlată (mascare).
Stratul de oxid de siliciu (SiO2) se comportă ca o barieră la pătrunderea
impurităţilor în substratul de siliciu (Si).
Un strat de o fracţiune de micron de SiO2, uşor de depus pe cale termică,
împiedică pătrunderea în siliciu a atomilor străini: P, As, Sb, B.

b) Funcţii ale stratului de oxid de siliciu SiO2:
• mască pentru implantare sau difuzie de dopant;

• strat pasivizant (de protecţie) la suprafaţa siliciului;
• zonă de izolare electrică între diferitele componente ale
unei structuri integrate;
• strat activ în cazul tranzistoarelor cu efect de câmp (oxid de
grilă);
• izolant electric între straturile adiacente, pentru a creşte
gradul de integrare şi a reduce dimensiunile;
• izolant electric între diferitele nivele ce conţin trasee
conductoare, metalice sau din polisiliciu puternic dopat.

Principiul instalaţiei de oxidare
Si (solid) + O2 ---> SiO2 (solid)

Si solid + 2 H2O ---> SiO2 (solid)+ 2H2

9.1.3. Litografia
Litografie - procedeul de transfer al desenului (motivelor) de pe

un şablon (mască fizică sau virtuală) spre plachetă.
.
Radiaţia prin care are loc transferul structurii de pe şablon pe
substratul de material semiconductor:

Tehnica litografiei oferă posibilitatea localizării pe placheta de siliciu a
operaţiilor de: oxidare, dopări, metalizări, în scopul de a realiza
dispozitive electronice elementare şi de a le interconecta pentru a
obţine microcircuite (circuite integrate).

a) Principiul litografiei

b) Tehnologia fotolitografiei
Etapele procesului fotolitografic :
 curăţirea şi degresarea substratului (cu solvenţi organici);

 depunerea stratului de fotorezist pe suprafaţa plachetei
oxidate în prealabil;
 uscarea fotorezistului;
 poziţionarea fotoşablonului şi expunerea;
 developarea şi argăsirea termică a stratului de fotorezist;
 corodarea chimică a stratului de oxid (SiO2) prin ferestrele din
fotorezist;
 îndepărtarea stratului de fotorezist.
 spălarea plachetelor.
Instalații folosite

c) Materialele fotorezistive
Rezist – strat rezistent la acţiunea agenţilor de corodare utilizaţi

în gravarea diferitelor straturi pe plachetă. Rezisturile - răşini
sensibile la radiaţia incidentă.
În funcţie de modul în care răşina îşi modifică proprietăţile, ea
poate fi: pozitivă sau negativă.
Materialele fotorezistive - sisteme multicomponente care au la

bază un polimer în care se adaugă diferite substanţe în
scopul obţinerii următoarelor calităţi necesare procesului
fotolitografic:
 sensibilitate mare într-un domeniu spectral;
 stabilitate la acţiunea unor agenţi chimici;
 coeficient de vâscozitate şi de aderenţă la substrat.

Depunerea stratului de fotorezist
Depunerea stratului de fotorezist se face prin:
- imersie (cufundarea substratului) - procedeu puţin folosit;
- centrifugare - procedeu des folosit; grosimea peliculei este invers
proporţională cu viteza unghiulară de centrifugare;
- pulverizare - procedeu des folosit; avantaj - asigurarea unei grosimi
uniforme şi controlabile a stratului depus.
Principiul depunerii răşinii

fotosensibile prin centrifugare

d) Şabloane
Şabloanele (măştile) - suporţi fizici pe care se realizează modelul

(motivul) care urmează să se transfere pe substratul de material
semiconductor.
Fotomasca - placă plană din sticlă specială pentru transpunerea
modelului prin transparenţă pe suprafaţa plachetei de material
semiconductor.
Fotoşabloanele cu emulsii - se realizează prin tehnica fotografică.
Fotoşabloanele cu pelicule metalice se obţin prin corodarea unui strat
de oxid metalic depus prin evaporare în vid pe suporţi de sticlă
optică.
Fotoşabloanele cu pelicule de oxizi se obţin în mod asemănător cu
măstile cu peliculelor metalice.
e) Expunerea
Expunerea plachetelor semiconductoare pentru transferul pe acestea

a desenelor de pe şablon se poate realiza prin: contact, proximitate şi
prin proiecţie.

Principiul expunerii prin contact

Etape ale unui proces de fotolitografie şi gravare

f) Gravura
Gravura reprezintă o tehnică de îndepărtare în mod selectiv a unor straturi

(conductoare, semiconductoare sau izolante) de pe plachetele
semiconductoare.
a) gravura cu radiaţie ionică b) gravura ionică cu reactivi c) gravura cu plasmă.

La gravura ionică predomină mecanismele fizice de dizlocare a atomilor şi
moleculelor materialului substratului, folosind energii ridicate (0,5…5 keV)
Diferenţa dintre gravura izotropă si cea anizotropa.
a) gravura izotropă – rezultă o gravare laterală.
b) gravura anizotropă - pentru realizarea unor gravuri de dimensiuni foarte mici.

9.2. Diode semiconductoare
Diodele semiconductoare au la bază o joncţiune p-n prevăzută cu
contacte metalice ataşate la cele două zone.
Ansamblu este introdus într-o capsulă din sticlă, material plastic sau
metal cu rol de protecţie şi de transfer al căldurii degajate în
funcţionare.

Tehnologia diodelor semiconductoare

9.2.1. Diodele cu contact punctiform
Diodele cu contact punctiform (Ge)
Joncţiunea p-n se formează între un cristal de
Ge de tip n şi un vârf metalic (de exemplu:
wolfram sau bronz) aflat în contact cu acest
cristal de material semiconductor.
Vârful metalic corespunde contactului
anodului diodei, iar materialul semiconductor
(n-Ge) formează catodul.
Caracteristici:
- Capacitatea echivalentă a joncţiunii foarte redusă; posibilitate de
utilizare la frecvenţe foarte mari (sute MHz);
- Tensiune inversa redusă.
9.2.2. Diode difuzate
Procesul fotolitografic 1 -
deschiderea fereastrei de difuzie.
Procesul fotolitografic 2 - realizarea
contactului anodului.
Obţinerea contactelor metalice ale
zonei p (anod) şi a zonei n (catod):
- corodarea stratului de aluminiu -
metalizarea părţii inferioare a
substratului (contact eutectic cu aur);
- ataşarea contactului anodului.

9.2.3. Diode epitaxial difuzate
Diode de tensiune si putere - joncţiuni pn difuzate într-un strat epitaxial.
Difuzia de tip p (cu adâncime de 10 m) este realizată în stratul epitaxial slab
dopat depus pe un substrat puternic dopat de acelaşi tip cu stratul epitaxial.

 Aria joncţiunii depinde de valoarea curentului.
Suprafeţele joncţiunilor diodelor de putere folosite la
redresarea curenţilor de sute de amperi ating câţiva
cm2.
 În procesul tehnologic de obţinere a acestor joncţiuni
se folosesc plachete cu diametre D100 mm.
 Stratul epitaxial slab dopat permite extinderea zonei
de sarcină spaţială lm a joncţiunii p+ n- la polarizarea
inversă. Valoarea tensiuni inverse maxime Uimax
depinde de grosimea zonei lm a stratului epitaxial
situat sub stratul difuzat.

Aplicație
 Pentru diodele epitaxial difuzate prezentate
să se indice:
 care sunt etapele suplimentare din
tehnologia diodelor epitaxial difuzate
comparativ cu tehnologia dodelor difuzate;
 procesele fotolitografice necesare și numărul
de măști folosite.

9.2.4. Diode Schottky
Diode Schottky - joncţiuni metal-semiconductor la care la transportul
curentului participă numai purtătorii majoritari.
Conducţia curentului - rezultatul unei emisii termoelectrice de electroni
din metal spre semiconductor şi invers.
Dioda Schottky (varianta prezentată) se obţine prin depunerea unei
pelicule metalice (anodul diodei) pe un stratul epitaxial de tip n (n-Epi)
depus pe un substrat puternic impurificat (n+ - catodul diodei).

 Caracteristic pentru diodele Schotky este faptul că
stratul de baraj se găseşte în zona mai puţin dopată,
adică în stratul epitaxial al materialului semiconductor.
 Deoarece în metal sarcina negativă a stratului dublu

electric ocupă o grosime foarte mică (grosimea unui
strat monoatomic), datorită concentraţiei mari de
electroni din metal, căderea de tensiune este mai mică
decât la joncţiunile semiconductoare (Ud = 0,2…0,3 V).

Diode – tipuri de capsule

C10 - Tehnologia
tranzistoarelor bipolare și
a tranzistoarelor MOS
1. Tehnologia tranzistoarelor
bipolare
2. Tehnologia tranzistoarelor cu
efect de câmp

10.1. Tranzistoare
Simboluri folosite
Să se indice tipul de tranzistor care corespunde simbolurilor prezentate.

10.1.1. Tehnologia tranzistoarelor
bipolare

10.1.2. Clasificare tranzistoarelor în funcţie
de tehnologia de fabricaţie
tranzistoare simplu difuzate realizate prin difuzarea simultană a
impurităţilor pe ambele feţe ale unei plachete semiconductoare
dopate iniţial;
tranzistoare dublu difuzate realizate prin două difuzii succesive
într-un substrat iniţial dopat (difuzia bazei şi apoi difuzia de
emitor);
tranzistoare planar epitaxiale se realizează ca şi cele dublu
difuzate cu difuziile realizate într-un strat epitaxial slab dopat
depus pe un substrat puternic dopat; acestea sunt foarte
răspândite în construcţia tranzistoarelor de semnal mic precum şi
a celor de putere;
tranzistoare planare dublu şi triplu epitaxiale difuzate se
caracterizează printr-o rezistivitate mare a regiunii de colector
(rezistivitatea zonelor epitaxiale), dar cu rezistenţa de colector
redusă (rezistivitatea substratului de valoare redusă).
Cerinţe de fabricaţie
La producerea unui tranzistor bipolar trebuie ca în

primul rând să se obţină eficienţa emitorului.
Condiţie care trebuie îndeplinită:
wB  Ln, p  Dn, p   n, p
unde:
wB= grosimea bazei;
Ln,p= lungimea de difuzie a electronilor, respectiv a golurilor;
Dn,p= constanta de difuzie a electronilor, respectiv a golurilor;
n,p= durata de viaţă a electronilor, respectiv a golurilor.

10.2. Tehnologia tranzistoarelor
bipolare
Pentru realizarea de tranzistoare bipolare cu
caracteristici electrice ridicate se impune:
 realizarea unor rezistenţe de colector de valoare cât mai

mică; este necesar a se realiza o zonă de colector puternic
dopată şi o cale de acces la colector de rezistenţă cât mai mică;
 realizarea unei zone de bază cu dopaj slab, de grosime
suficient de mare pentru obţinerea unei capabilităţi în tensiune a
joncţiunii colector-bază suficient de mare;
 rezistenţa de bază să fie cât mai mică pentru a nu limita
răspunsul în frecvenţă;
 emitorul trebuie sa fie foarte puternic dopat;
Gradul de dopare al bazei împreună cu dopajul emitorului,

determină câştigul tranzistorului.

10.2.1. Tranzistoare difuzate
Să se indice denumirea
operațiilor procesului
tehnologic (caracteristici,
modul de realizare, număr
de măști) care sunt
prezentate în imaginile:
Fig. a), b),...g)

Principalele operații ale procesului
tehnologic al tranzistoarelor difuzate
 fotolitografie 1 (masca 1) - deschiderea ferestrei pentru
difuzia bazei, uscare, expunere, corodare şi iniţial oxidare
cu SiO2; -predifuzia atomilor de bor; difuzia atomilor de
bor în atmosferă oxidantă (fig. b);
 fotolitografie 2 (masca 2)- deschiderea ferestrei pentru
difuzia emitorului; difuzia emitorului prin impurificare cu
fosfor schimbându-se tipul dopării (din p în n+) (fig. c);
 reoxidare şi fotolitografie 3 (masca 3)- deschiderea
ferestrelor pentru contactele ohmice (fig. d);
 metalizare neselectivă (Al pur (1μm) pe faţa superioară
(fig. e); metalizarea zonei de colector, a părţii inferioare
cu Au-Sb sau Au-Ni şi corodarea (gravarea) stratului
metalic (cu excepţia zonelor de contact); (fig.f).

10.2.2. Tehnologia tranzistoarelor epitaxial
planare
Caracteristici:
 Tranzistoarele planar-epitaxiale au performanţe
mai bune decât cele planare: tensiunea de
saturaţie UCEsat cu valori mai mici (UCEsat 0,3 V
faţă de UCEsat 1 V la cele planare).
 Grosimea plachetelor este de în jur de 0,3 mm
pentru tranzistoarele difuzate şi de 0,2 mm
(120160 m) pentru tranzistoarele planar-
epitaxiale.

a) Tranzistorul epitaxial planar are regiunea de colector de
rezistivitate mare (stratul epitaxial), iar substratul este
puternic dopat (cu rezistivitate mică).

b) Tranzistorul dublu epitaxial planar are regiunea de
colector de rezistivitate mare n- (stratul epitaxial 1- slab
impurificat) urmat de un strat de rezistivitate medie n (stratul
epitaxial 2- mediu impurificat), straturi crescute pe un substrat
puternic impurificat n+ cu rezistivitate mică.

10.3. Încapsularea (tranzistor de mică
şi medie putere)

Încapsularea (tranzistor de putere)

Tipuri de capsule si identificarea electrozilor

10.3.2. Tipuri de capsule - codificare

Tipuri de capsule – exemple de codificare

10.3.3. Montarea tranzistoarelor de putere.
Transferul termic.
Dupa: Tooley M. Electronic Circuits: Fundamentals and Applications, Oxford, 2006

Circuitul termic.
Montaj tipic al
capsulei TO 3
Dupa: Tooley M. Electronic Circuits: Fundamentals and Applications, Oxford, 2006

Calculul temperaturii joncțiunii

Aplicatie
Pentru tranzistorul prezentat să se determine temperatura maximă a joncțiunii

pentru Uc=24V, Ic=15 mA.
10.4. Tranzistorul MOS
Pentru ca prin structura tranzistorului MOS să treacă curent de la sursă la
drenă trebuie să fie îndeplinite următoarele condiţii:
• să existe un câmp electric longitudinal în zona canalului; condiţiea este
satisfăcută dacă VD>VS;
• să existe purtători de sarcină liberi.

Structura si caracteristici.
SURSĂ GRILĂ DRENĂ
Stratul SiO2 subţire (0,1÷0,2 µm) - constituie izolaţia de grilă.

Tehnologia de autoaliniere
Pentru a reduce dimensiunile tranzistorilor a fost necesar să se găsească

metode de poziţionare a grilei în raport cu sursa şi drena.
Procesul de fabricaţie a unui tranzistor MOS cu autoaliniere constă în

utilizarea unui strat de polisiliciu cu rol de ecran (între drenă şi sursă)
în procesele de impurificare controlată (difuzie sau implantare).
Cerinţele tehnologice
Cerinţele tehnologice pentru realizarea

tranzistoarelor MOS:
• lungimea canalului să fie cât mai mică pentru a avea o

frecvenţă de lucru ridicată; reducerea lungimii canalului
determină însă reducerea tensiunii maxime drenă-sursă;
• conductivitate mare a zonelor sursei şi drenei

(impurificare puternică de tip n+ sau p+) pentru reducerea
căderilor de tensiune la saturaţie respectiv, pentru
obţinerea unei rezistenţe drenă-sursă în conducţie rDSon
de valoare mică .
Comparație asupra dimensiunilor
tranzistoarelor bipolare și MOS

C11 - Tehnologia
circuitelor integrate
1.Tehnologia circuitelor integrate

2.Tehnici de realizare a
tranzistoarelor din C.I.

11.1. Tehnologia circuitelor
integrate (C.I.)
Diferenţe faţă de tehnologia dispozitivelor
semiconductoare :
 izolarea componentelor din structura
aceluiaşi cip (unele faţă de altele);
 aducerea la faţa superioară a structurii
(cipului) a contactelor componentelor, inclusiv
a contactelor de colector ale tranzistoarelor;
 interconectarea dispozitivelor realizate pe
structura semiconductoare conform schemei
electrice a circuitului.

11.1.1. Izolarea prin joncţiuni p-n
polarizate invers

Etapele realizării zonelor izolate
(insulelor):
- creşterea unui strat epitaxial de tip n pe

substratul de siliciu (de tip p) şi apoi
oxidarea stratului depus:
- deschiderea ferestrelor pentru difuziile
de izolare;
- difuzia cu impurităţi de tip p pe adâncime
mai mare decât stratul epitaxial;
- reoxidarea suprafeţei şi pregătirea
etapelor de realizare a elementelor din
structura C.I. (în stratul epitaxial al
regiunilor izolate).

11.1.2. Izolarea cu oxid localizat
(LOCOS)
Viteza de oxidare a nitratului de

siliciu (Si3N4) este mai redusă decât
a siliciului.
Delimitarea regiunilor izolate, prin
protecţia lor împotriva oxidării, se
realizează prin depunerea de
straturi de Si3N4 pe aceste zone.
Prin oxidarea localizată, datorită creşterii în volum a oxidului grosimea

stratului de SiO2 devine mai mare decât grosimea stratului epitaxial
realizând în acest fel regiuni izolate (insule) pe suprafaţa cipului.
Formarea regiunilor izolate “ïnsule”

Exemplu 1
Din: Gary S. May, FUNDAMENTALS OF
Structura unui SEMICONDUCTOR MANUFACTURING
tranzistor bipolar izolat cu oxid AND PROCESS CONTROL

11.1.3. Izolarea dielectrică
Izolarea dielectrică prin corodarea substratului permite obținera de
regiuni izolate care se obţine prin tehnica de gravare anizotropă.
Izolarea prin corodarea de şanţuri în siliciu monocristalin, urmată de oxidarea

acestora şi depunerea de polisiliciu permite realizarea de regiuni izolate, în
cadrul aceluiaşi cip, la care diferenţa de potenţial dintre componente poate
ajunge până la sute de volți.
11.2. Tehnici de realizare a
tranzistoarelor bipolare din C.I.
Operaţiile suplimentare faţă de tranzistoarele discrete sunt:
 izolarea între ele a dispozitivelor implementate;
 aducerea contactului de colector în planul de conexiuni
(faţa superioară a plachetei);
 reducerea rezistenţei echivalente serie.
Simultan cu realizarea tranzistoarelor npn, în regiunile izolate
(insule) ale cipurilor de pe plachetă, se realizează şi alte
elemente necesare unui circuit integrat analogic sau logic:
 tranzistoare pnp laterale sau de substrat;
 rezistoare difuzate;
 condensatoare de valori mici (pF, zeci pF).

Exemplu 2
Structura unui tranzistor pnp

11.2.1. Structura unui tranzistor npn
epiaxial
Straturi suplimentare:
-Strat îngropat,
--strat pentru legatura de
colector (puțul de
colector).

Exemplu 3
Caracteristicile geometrice pentru tranzistorul epitaxial

tip npn, structură tipică pentru tranzistoare cu
geometrie minimă sunt următoarele:
 grosimea stratului epitaxial: g=17 m, rezistivitatea
=5 cm;
 difuzia de bază : 45 m x 60 m;
 difuzia de emitor: 20 m x 25 m;
 garda bază - zid de izolare: 25 m;
 dimensiunile totale ale tranzistorului prezentat sunt
(140 m x 95 m).

Exemplu 4
Tranzistor npn si rezistentă difuzată

Structura tranzistoarelor MOS cu
dimensiuni submicronice
Pentru realizarea tranzistoarelor cu dimensiuni submicronice (lungime
de canal de 0,1µm) este necesară execuţia unor joncţiuni de drenă şi
de sursă de foarte mică grosime (maxim câteva zecimi de micron).
Soluţia tehnologică folosită constă în a înalţa sursa şi drena printr-o epitaxie

selectivă. Se realizează apoi un strat de siliciură deasupra, pentru reducerea
rezistenţelor de contact.
Realizarea conexiunilor

Vedere a structurii semiconductoare

Separarea cipurilor
Cipuri
Zone "Intercip"
Zonele "Intercip"după care are

loc debitarea cipurilor

2.1. Testarea cipului

Fixarea cipului

Realizarea conexiunilor şi încapsularea

Din: Gary S. May, FUNDAMENTALS OF SEMICONDUCTOR
MANUFACTURING AND PROCESS CONTROL
Prin integrare se înţelege tehnica de realizare a unor circuite electronice având
componentele interconectate electric inseparabil şi plasate în aceeaşi capsulă.
Componentele din structura circuitelor integrate semiconductoare se realizează în
cadrul proceselor de fabricaţie bazate pe tehnicile prezentate în capitolele anterioare.
9.1. Caracteristici şi clasificări
Există o mare diversitate de structuri semiconductoare şi peliculare utilizate în

construcţia de circuite integrate. După modul de realizare, circuitele integrate pot fi:
semiconductoare, peliculare sau hibride.
Circuitele integrate semiconductoare sunt structuri formate în interiorul sau pe
suprafaţa unei porţiuni de material semiconductor monocristalin. Dintre acestea,
circuitele tip monolitic au elementele de circuit formate într-o singură structură
semiconductoare (cip), iar cele fragmentare se realizează din mai multe structuri
monolitice, interconectate între ele. Toate componentele din structura acestor circuite
integrate se realizează în acelaşi timp, în cadrul operaţiilor tehnologice specifice la
care sunt supuse plachetele semiconductoare.
Circuitele integrate peliculare sunt structuri realizate prin depunerea unor
pelicule pe suprafaţa unui material dielectric, peliculele fiind fie subţiri (sub 1 m), fie
groase (peste 10 m).
Circuitele integrate hibride sunt structuri în care unele elemente de circuit se
montează pe un substrat dielectric, iar restul elementelor se realizează prin depuneri pe
suprafaţa suportului dielectric.
În cele ce urmează se vor face referiri numai la prima categorie de circuite
integrate, care sunt cele mai răspândite şi anume circuitele integrate monolitice,
numite generic circuite integrate (C.I.). Dimensiunile cipurilor variază în funcţie de
complexitatea circuitului integrat în intervalul 1,25 - 10 mm2 sau chiar mai mult.
Circuitele integrate monolitice prezintă o fiabilitate ridicată, deoarece conexiunile
dintre componente sunt realizate în interiorul capsulei.
Elementele componente din structura circuitelor integrate monolitice: tranzistoare,
diode, rezistoare, condensatoare se realizează printr-o succesiune de procese
tehnologice specifice tehnologiei planare. Într-un circuit integrat monolitic toate
componentele se execută simultan. Procesul tehnologic poate fi optimizat numai
pentru un singur tip de componentă. În cazul circuitelor cu tranzistoare bipolare este
optimizat procesul tehnologic al tranzistoarelor npn. Operaţiile de realizare a
componentelor din structura circuitelor integrate se aseamănă, în mare măsură, cu cele
folosite la realizarea tranzistoarelor discrete (cap. 8).
Probleme specifice care apar la tehnologia circuitelor integrate monolitice sunt:
- izolarea componentelor din structura aceluiaşi cip (unele faţă de altele);
- aducerea la faţa superioară a structurii (cipului) a contactelor
componentelor, inclusiv a contactelor de colector ale tranzistoarelor;
Tehnologie electronică
- interconectarea dispozitivelor realizate pe structura semiconductoare

conform schemei electrice a circuitului.
Pentru marea majoritate a circuitelor integrate analogice procesul de fabricaţie
constă din şase sau şapte etape de mascare şi patru difuzii. În cazul în care sunt
necesare performanţe speciale, unii parametri se pot îmbunătăţi prin introducerea de
etape suplimentare în procesul tehnologic.
Parametrii componentelor dintr-un circuit integrat prezintă variaţii datorită
factorilor perturbatori din procesul tehnologic. Pentru majoritatea parametrilor
distribuţia valorilor se apropie de cea gausiană.
Componentele integrate au unul sau mai multe straturi de material comune, ceea
ce duce la apariţia efectelor parazite. Minimizarea efectelor parazite se poate obţine pe
baza regulilor de proiectare specifice tehnologiei de realizare a circuitului integrat.
9.2. Tehnici de izolare a componentelor
Circuitele integrate constau dint-un ansamblu de dispozitive active şi pasive

interconectate pe suprafaţa cristalului semiconductor. Pentru o bună funcţionare a
circuitului, dispozitivele componente trebuie să fie izolate între ele cât mai bine.
Izolarea componentelor dintr-un circuit integrat a fost una dintre problemele cele mai
importante în tehnologia circuitelor integrate. Creşterea densităţii de integrarea a
accentuat rolul tehnicilor de izolare. Procedeele eficiente de izolare trebuie să se
caracterizeze prin următoarele:
- curentul de pierderi dintre dispozitivele active să fie neglijabil;
- distanţa dintre dispozitivele active să fie minimă;
- suprafaţa ocupată de partea de izolare să fie minimă;
- procedeul de izolare să nu afecteze parametrii dispozitivelor.
Dintre metodele de izolare a componentelor se pot enumera: izolarea prin joncţiuni
polarizate invers, izolare cu strat de bioxid de siliciu localizat (LOCOS), izolarea
dielectrică (prin corodarea substratului).
9.2.1.1. Izolarea prin joncţiuni p-n polarizate invers
Izolarea prin joncţiuni p-n polarizate invers se obţine prin realizarea pe pastila de
siliciu a unor zone cu conductibilitate diferită de conductibilitatea substratului, a unor
“insule”, care sunt izolate de substrat prin joncţiuni p-n care vor trebui polarizate
invers, aşa cum se arată sugestiv în figura 9.1.
+V
Zona Zona 2 Fig. 9.1 Izolarea electrică prin

1 joncţiuni p-n polarizate invers a
zonelor din structura unui C.I.
(-)
Tehnologia circuitelor integrate
Izolarea prin joncţiuni prezentată poate fi realizată în mai multe feluri, fiecare
cu propriile avantaje şi dezavantaje. O modalitate de izolare a două tranzistoare de tip
npn se obţine în urma difuziilor de colector într-o plachetă de siliciu de tip p (fig.9.2).
Placheta de siliciu de tip p (fig.9.2.a) este oxidată (fig.9.2.b), urmând ca în stratul
de oxid să se fotograveze (masca 1) ferestre (fig. 9.2.c). În ferestrele realizate se
difuzează (difuzie de tip n) colectorul celor două tranzistoare. După reoxidarea
plachetei (fig. 9.2.d) printr-un nou proces fotolitografic (masca 2) se deschid ferestrele
de bază (fig. 9.2.e). Se oxidează din nou placheta (fig. 9.2.h) şi prin procesul
fotolitografic (masca 3) se deschid ferestrele de emitor, după care se difuzează
emitoarele tranzistoarelor (fig. 9.2.h). Se deschid ferestrele contactelor (masca 4) şi se
metalizează structura (depunere Al). Se gravează stratul de Al (masca 5) şi se
realizează contactele (fig. 9.2.i). Colectoarele celor două tranzistoare, astfel realizate
sunt separate galvanic prin joncţiunea n-p pe care o formează fiecare colector (zona n)
în raport cu substratul de tip p.
O altă modalitate de izolare a structurilor, mai frecvent utilizată este cea care
realizează regiuni izolate (insule) în stratul epitaxial de tip n depus pe placheta
semiconductoare (substrat) de tip p. Etapele realizării "insulelor" sunt următoarele:
- creşterea unui strat epitaxial de tip n pe substratul de siliciu (de tip p) şi apoi
oxidarea stratului depus (fig. 9.3.a);
a)
SiO2 Strat epitaxial n

b)
a)
c) Substrat tip p
d) b)
Substrat tip p
e)
Difuzie de izolare (tip
p)
f) c)
g) Regiuni izolate
Fig. 9.3 Etapele izolării electrice

Fig. 9.2 Succesiunea operaţiilor de realizare a
h) două tranzistoare bipolare izolate cu joncţiuni prin joncţiuni polarizate invers
i)
- deschiderea ferestrelor pentru difuziile de izolare (fig. 9.3.b);

- difuzia cu impurităţi de tip p pe adâncime mai mare decât stratul epitaxial
(fig. 9. 3.c);
- reoxidarea suprafeţei şi pregătirea etapelor de realizare a elementelor din
structura C.I. (în stratul epitaxial al regiunilor izolate).
Prin parcurgerea etapelor enumerate anterior (fig. 9.3) se obţin regiunile n, care
reprezintă insulele, în care urmează să se realizeze componentele circuitului integrat.
Dimensiunile zonelor izolate sunt în funcţie de dimensiunile componentelor care
urmează a se realiza în interiorul lor, de precizia poziţionării măştilor şi de precizia de
localizare a straturilor dopate (difuzie sau implantare).
Separarea componentelor se obţine prin conectarea zonelor, care conţin difuzii de
izolare sau a substratului, la cel mai negativ potenţial din circuit, iar stratul epitaxial de
tip n din regiunile izolate (insule) trebuie să fie polarizat la potenţialul cel mai ridicat
din circuit.
Izolarea galvanică cu joncţiuni p-n polarizate invers permite obţinerea unor
rezistenţe de izolare mari (rezistenţa inversă a joncţiuni). Tranzistoarele bipolare npn şi
pnp, izolate în acest fel, sunt limitate din punct de vedere al frecvenţei maxime,
datorită capacităţilor parazite ale joncţiunilor de izolare, capacităţi care pot introduce
cuplaje parazite între componentele învecinate.
La circuitele integrate de frecvenţă mare izolarea componentelor se realizează cu
alte tehnici cum ar fi: cu strat de bioxid de siliciu localizat (LOCOS) sau prin
corodarea substratului.
9.2.1.2. Izolarea cu oxid localizat (LOCOS)
Izolarea cu oxid localizat (LOCOS=local oxidation of silicon) reprezintă o

modalitate eficientă de izolare a componentelor unui circuit integrat, componente
realizate pe suprafaţa aceluiaşi cip. Deoarece viteza de oxidare a nitratului de siliciu
(Si3N4) este mai redusă decât a siliciului, delimitarea regiunilor izolate, prin protecţia
lor împotriva oxidării, se realizează prin
depunerea de straturi de Si3N4 pe aceste
zone (fig. 9.4.a). Prin oxidarea
localizată, datorită creşterii în volum a
oxidului (cap 5, fig. 5.6), grosimea
stratului de SiO2 devine mai mare decât
grosimea stratului epitaxial (fig. 9.4.b),
realizând în acest fel regiuni izolate
(insule) pe suprafaţa cipului.
9.2.2. Izolarea dielectrică (prin

Fig. 9.4 Procedeul de izolare cu LOCOS corodarea substratului)
a) Placheta de siliciu cu stratul
epitaxial şi stratul de Si3N4 Această variantă este prezentată la
b) Structura după oxidarea selectivă capitolul 6- Tehnici de litografie şi de
gravară (pct. 6.1.4). Structura de regiuni izolate care se obţine prin tehnica de gravare
anizotropă este indicată în figura 9.5. Izolarea prin corodarea de şanţuri în siliciu
monocristalin, urmată de oxidarea
Regiuni
acestora şi depunerea de polisiliciu
izolate
permite realizarea de regiuni izolate, în
SiO2
cadrul aceluiaşi cip, la care diferenţa de
potenţial dintre componente poate
Si
ajunge până la 300V [3].
policristalin
Tranzistoarele bipolare npn şi pnp
Fig. 9.5 Procedeul de izolare cu strat izolate prin acest procedeu pot
dielectric funcţiona la frecvenţe foarte mari,
deoarece capacităţile parazite sunt mai mici comparativ cu celelalte procedee de
izolare.
9.3. Tehnici de realizare a tranzistoarelor bipolare din C.I.
Dintre elementele componente ale circuitelor integrate tranzistoarele ocupă o

pondere ridicată. Etapele principale de realizare a tranzistoarelor planar epitaxiale din
C.I. sunt asemănătoare cu cele de la tranzistoarele discrete, dar intervin şi operaţii
suplimentare. Operaţiile suplimentare care apar sunt determinate de:
- izolarea între ele a dispozitivelor implementate;
- aducerea contactului de colector în planul de conexiuni (faţa superioară a
plachetei);
- reducerea rezistenţei echivalente serie.
Tranzistoarele integrate prezintă o dispersie mai mare a parametrilor decât
omoloagele lor discrete.
De exemplu: tensiunea de saturaţie UCEsat la tranzistorul integrat este mai mare
decât la cel discret, deoarece colectorul se conectează pe aceeaşi parte a cipului ca şi
ceilalţi electrozi (baza, emitorul) şi prin aceasta creşte rezistenţa serie de colector.
Simultan cu realizarea tranzistoarelor npn, în regiunile izolate (insule) ale
cipurilor de pe plachetă, se realizează şi alte elemente necesare unui circuit integrat
analogic sau logic:
- tranzistoare pnp laterale sau de substrat;
- rezistoare difuzate;
- condensatoare de valori mici (pF, zeci pF).
În figura 9.6 se indică o secţiune printr-o zonă a unui circuit integrat, care pe
substratul de tip p, în stratul epitaxial, conţine două zone izolate (Zona 1 şi Zona 2).
În interiorul zonei 1 s-a realizat un tranzistor tip npn şi în zona 2 un strat difuzat
care poate constitui baza unui viitor tranzistor sau elementul rezistiv al unui rezistor
difuzat. Componentelor sunt izolate între ele prin joncţiunile care în funcţionare se vor
polariza în sens invers. Straturile puternic impurificate n+, situate sub stratul epitaxial
(strat îngropat) au rolul de reducere a rezistenţei serie de colector. Într-un circuit
integrat după implementarea componentelelor, în interiorul insulelor, se realizează
legăturile electrice (conexiuni) între contactele metalizate ale acestora.
Tranzistor ZONA 1 ZONA 2

npn+
n n+ p Rezistenţă difuzată
p Alumini
u
Substrat p
Fig. 9.6 Secţiune printr-o parte a structuri unui circuit integrat
Conexiunile se realizează prin intermediul stratului de aluminiu, depus iniţial pe

toată suparfaţa cipului, care apoi este corodat (masca de conexiuni) pentru menţinerea
numai a traseelor conductoare necesare conform schemei de conexiuni.
9.3.1. Tranzistoare de tip npn
Tranzistoarele bipolare de tip npn sunt mai frecvent utilizate în circuitele

integrate, datorită unei tehnologi mai simple şi a parametrilor electrici mai buni care se
pot obţine. De exemplu: factorul de amplificare şi frecvenţa de tăiere sunt mai mari la
tranzistoarele npn decât la omoloagele lor tip pnp.
Structura unui tranzistor de tip npn epiaxial planar de mică putere este prezentată
în figura 9.7.
"Puţul de C B E Strat
colector" "îngropat"
Strat epitaxial
Difuzie n
de Difuzie
izolare de
de tip p izolare
a) Substrat p de tip p
Dimensiuni (orientativ) [m]
100
C B E
75
50
b)
25
Fig. 9.7 Structura unui tranzistor npn din C.I. a) Secţiune; b) Vedere
0 de sus
Pentru reducerea rezistenţei serie de colector se practică o impurificare puternică,

sub stratul epitaxial (difuzie n+ sub zona de colector) = "stratul îngropat" şi o
impurificare suplimentară în zona conexiunii colectorului = "puţul de colector".
În acest caz, izolarea structurii implementate (a tranzistorului) se realizează cu
ajutorul joncţiunilor p-n polarizate invers, respectiv prin difuziile de izolare de tip p. În
funcţionare, potenţialul zonei pe care se găseşte tranzistorul se stabileşte la o valoare
pozitivă faţă de substrat.
Caracteristicile geometrice pentru tranzistorul epitaxial tip npn, structură tipică
pentru tranzistoare cu geometrie minimă [18] din figura 9.7 sunt următoarele:
- grosimea stratului epitaxial: g=17 m, rezistivitatea =5 cm;
- difuzia de bază : 45 m x 60 m;
- difuzia de emitor: 20 m x 25 m;
- garda bază - zid de izolare: 25 m;
- dimensiunile totale ale tranzistorului (fig. 9.7) sunt (140 m x 95 m).
Dimensiunile dispozitivelor realizate pe straturi epitaxiale de grosimi mai mici
sunt şi ele mult mai reduse. Garda bază - zid de izolare este dictată de difuzia laterală
a regiunii de izolare la care se adaugă grosimea regiunilor golite (bază-colector şi
colector - zid de izolare).
Succesiunea principalelor operaţii pentru realizarea unui tranzistor tip npn (o
variantă a tehnolgiei epitaxial planare) din structura unui circuit integrat se pot stabili
în ordine logică, asemănător cu cele de la tranzistoarele discrete (tabelul 8.1) . Aceste
operaţii se desfăşoară pe una dintre zonele izolate din cadrul cipului. Pe celelalte
"insule" se vor realiza, în decursul aceloraşi etape, celelalte componente ale circuitului
integrat.
În prima parte a procesului tehnologic pe placheta de siliciu, iniţial în stare
oxidată, printr-un proces fotolitografic se deschid ferestrele de difuzie a straturilor
îngropate (n+) şi apoi se efectuează difuzia acestora. Rezistenţa de pătrat a unui strat
îngropat este mică R=20…50 /, aceasta având rolul de a micşora rezistivitatea pe
traseul de la colectorul activ până la contactul electric al acestuia (reduce rezistenţa
serie de colector). Impurităţile folosite la această difuzie sunt de obicei arseniul sau
stibiul, deoarece aceştia fiind difuzanţi lenţi redistribuirea impurităţilor în cursul
următoarelor etape ale procesului tehnologic este mai redusă.
Se depune apoi, prin epitaxie, un strat de tip n care va constitui colectorul activ al
tranzistoarelor npn ce urmează a se realiza. Operaţiile se succed asemănător cu cele de
la tranzistorul discret, numai că aici simultan cu difuzia de emitor are loc şi difuzia
"puţului de colector" (fig. 9.7).
9.3.2. Tranzistoare de tip pnp
Datorită dificultăţilor în execuţie şi a performanţelor mai slabe ale tranzistoarelor

pnp, în primele C.I. se utilizau în exclusivitate tranzistoare bipolare de tip npn.
Absenţa tranzistoarelor complementare introduce o limitare a performanţelor C.I.
analogice şi o complicare a schemei la C.I. digitale. S-au elaborat structuri de
tranzistoare pnp compatibile cu tehnologia standard dintre care cele mai răspândite
sunt tranzistoarele pnp laterale şi de substrat. Deoarece, aceste tranzistoare utilizează

ca bază zona stratului epitaxial de tip n, strat slab dopat, caracteristicile sunt inferioare
tranzistoarelor npn (comportarea în frecvenţă şi amplificarea la curenţi mari).
9.3.2.1 Tranzistorul pnp lateral
La această structură liniile de câmp, care corespund traseului purtătorilor de

sarcină, se închid în plan orizontal (paralel cu suprafaţa dispozitivului). Funcţia de
tranzistor se manifestă lateral, nu vertical ca la tranzistorul npn, de unde şi denumirea
structurii de tranzistor lateral (fig. 9.8).
Difuzie n SiO
de + P 2
B p C
izolare E Strat epitaxial n
de tip p
Difuzie
a) de izolare
Substrat p de tip p
Strat" îngropat"
p+
Strat Al - contacte Stratul de tip p
(la suprafaţă) (în interiorul structurii)
B
b)
C E
l
Fig. 9.8 Structura unui tranzistor pnp lateral

a) Secţiune prin structură; b) Vedere de sus
Baza acestui tranzistor este realizată în stratul epitaxial de tip n. Pentru a reduce
rezistenţa de bază, între baza activă şi zona de contact se realizează o dopare
suplimentară (difuzie de tip n+).
Prin divizarea colectorului, divizarea în N segmente a inelului care înconjoară
emitorul, se poate obţine tranzistorul multicolector (fig. 9.9).
Datorită grosimii mari a bazei şi datorită faptului că purtătorii majoritari sunt
golurile (mobilitatea golurilor este mai mică decât mobilitatea electronilor) frecvenţa
maximă de lucru este mai scăzută decât la tranzistoarele npn.
B C
Fig. 9.9 Structura multicolector

E
Câştigul în curent este mai mic decât la tranzistoarele npn din următoarele
motive:
- purtătorii minoritari sunt injectaţi din bază nu numai lateral, ci şi în jos,
astfel că unii dintre ei sunt colectaţi de substratul care acţionează drept
colector pentru tranzistorul pnp vertical;
- emitorul nu este la fel de puternic dopat ca cel al tranzistoarelor npn, aşa
încât eficienţa de injecţie este mai scăzută;
- grosimea mai mare a bazei conduce la o eficienţă de injecţie mai scăzută a
emitorului şi la un factor de transport redus;
- doparea mai slabă a regiunii bazei determină scăderea câştigului în curent la
nivele mari de injecţie (curenţi mari).
9.3.2.2. Tranzistorul pnp de substrat
Pentru aplicaţiile de curent mare s-au realizat tranzistoarele pnp de substrat la

care colectorul este format din substratul p al plachetei de siliciu (fig.9.10).
Dimensiuni Contacte de emitor
[m]
120
100 B
a) 80
60
40
20
B
0SiO
E
2
b) P+ n+ P+
p p
Strat epitaxial n
Substrat p
(Colector)
Fig. 9.10 Structura unui tranzistor pnp de substrat
a) Vedere de sus; b) Secţiune prin structură
Această structură constă din:

- emitor de formă dreptunghiulară difuzat în stratul epitaxial;
- baza este formată de stratul epitaxial de tip n; în partea de mijloc se
difuzează o regiune n+ pentru contactul ohmic al bazei (B);
- colectorul este format din substratul de tip p.
Tranzistorul pnp de substrat se caracterizează prin următoarele:
- amplificare în curent mică şi o frecvenţă de tăiere scăzută;
- colectorul fiind legat la substrat reduce posibilităţile de utilizare a acestui tip
de tranzistor; tranzistorul pnp de substrat se poate folosi numai în acele
circuite în care colectorul este conectat la potenţialul cel mai scăzut
(negativ) al circuitului.
9.4. Tehnologii moderne în fabricaţia tranzistoarelor din C.I.
Elementul de circuit cel mai utilizat, care intră în structura unui C.I. este
tranzistorul bipolar tip npn, motiv pentru care procesul tehnologic a fost încontinuu
perfecţionat pentru obţinerea performanţelor optime. Caracteristicile T.B. din
structura C.I. au devenit comparabile cu cele al T.B. discrete.
Tendinţele din fabricaţia C.I. moderne sunt:
- creşterea frecvenţei de lucru; această cerinţă impune realizarea unei baze
subţiri (wB din relaţia 8.1) pentru reducerea timpului de tranzit a purtătorilor
de sarcină;
- scăderea dimensiunilor dispozitivului; prin aceasta se reduc capacităţile
parazite ale structurii.
Pentru realizarea acestor cerinţe a fost dezvoltată o nouă tehnologie bipolară care
se caracterizează prin:
- creşterea unui strat epitaxial mai subţire şi mai puternic dopat;
- izolarea structurilor cu oxid (LOCOS) şi nu cu joncţiuni polarizate invers;
- folosirea unui strat de siliciu policristalin care serveşte ca sursă de dopare a
emitorului;
Structura care se obţine după oxidarea localizată (SiO2 de izolare) pentru izolarea
regiunii de zonele învecinate şi delimitarea contactului de colector se prezintă în figura
9.11. Oxidul de izolare se extinde până la substratul p, izolând astfel între ele regiunile
epitaxiale de tip n (şanţuri).
SiO2 de izolare Fig. 9.11 Structura dispozitivului

după oxidarea de izolare
Strat
epitaxial n Substrat p+ Stratul îngropat n+
Se efectuează apoi următoarele operaţii:

- implantare ionică în zona de colector; zona implantată este redistribuită prin

difuzie până la stratul îngropat, obţinându-se astfel o cale de rezistenţă mică
către colector.
- procesul fotolitografic pentru deschiderea ferestrelor de implantare a bazei;
- Implantare ionică tip p (implantare de Bor ) a zonei bazei (fig. 9.12);
p n+
Fig. 9.12 Structura dispozitivului
după redistribuirea implantului de
colector şi implantarea bazei
Substrat p+
Pentru acest tip de tranzistor o problemă dificilă, din punct de vedere

tehnologic, o reprezintă formarea zonelor de grosime foarte mică pentru bază şi emitor
şi asigurarea unui contact ohmic de mică rezistenţă pentru bază şi emitor.
Rezolvarea acestor probleme se face prin utilizarea ca sursă de dopare a siliciului
policristalin. În acest caz, succesiunea operaţiilor specifice este următoareae:
- depunerea unui strat de polisiliciu;
- proces fotolitografic de mascare şi corodare a siliciului policristalin cu
excepţia zonei emitorului;
- difuzia din siliciu policristalin a impurităţilor de tip n în regiunea cu grosime
foarte subţire ce formează emitorul (n+);
- implantarea de tip p de concentraţie mare a zonei bazei, a părţilor care nu
sunt acoperite cu polisiliciu; implantarea are rolul de formare a zonelor cu
rezistenţă mică pentru contactarea bazei (formarea structurii autoaliniate);
Alinierea bazei faţă de emitor se realizează automat şi nu depinde de
precizia de aliniere a măştilor.
- Metalizarea contactelor de bază şi de colector, contacte care pot să se
extindă şi peste stratul de oxid, deoarece şanţurile sunt umplute cu oxid de
siliciu; în acest fel se reduc dimensiunile minime permise pentru bază şi
emitor.
Structura finală a tranzistorului realizat pe baza acestei tehnologii se prezintă în
figura 9.13.
Contact E
Contact B (metal) (polisiliciu) Contact C (metal)
Substrat p+
Fig. 9.13 Secţiune printr-un tranzistor npn realizat prin tehnologia de depunere a
siliciului policristalin
Pe baza tehnologiei prezentate se obţin tranzistoare bipolare cu grad mare de

integrare, permiţând realizarea de structuri submicronice. Evoluţia tehnologiilor ce
folosesc autoalinierea pentru realizarea emiterului şi a bazei extrinseci prin folosirea
straturilor de siliciu policristalin, a permis atingerea dimensiunii de emitor de 0,5
microni [7].
Tranzistoarele bipolare realizate în tehnologia de izolare cu oxid se caracterizează

prin:
- control precis al grosimii regiunilor de bază şi de emitor obţinut prin
implantarea ionică; se obţin joncţiuni cu adâncimea de 0,1 m pentru B-E şi
0,2 m pentru B-C.
- reducerea dimensiunilor, a capacităţilor parazite şi a timpului de tranzit în
comparaţie cu tehnologia clasică; se obţin frecvenţe maxime de tăiere de
ordinul GHz.
9.5. Tehnici de realizare a tranzistoarelor unipolare din C.I.
Realizarea tranzistoarelor unipolare din structura C.I. prezintă o serie de

particularităţi faţă de tehnologia tranzistoarelor unipolare discrete. Astfel,
tranzistoarele cu efect de câmp cu grilă - joncţiune (TEC-J) se pot fabrica pe acelaşi
cip cu dispozitivele bipolare prin adăugarea la proces a unor operaţii suplimentare.
Deoarece în majoritatea C.I. digitale se folosesc tranzistoare cu efect de câmp
MOS complementare (tranzistoare CMOS) în cele ce urmează se va prezentata
tehnologia de fabricaţie a acestor tranzistoare.
9.5.1. Tehnologii CMOS
Tehnica de realizare pe acelaşi cip a tranzistoarelor complementare cu canal n şi

canal p în scopul realizării de circuite integrate MOS cu consum redus de energie a
fost aplicată la scară industrială după 1970. În această perioadă s-au dezvoltat
tehnologiile pMOS cu poartă de aluminiu şi apoi nMOS cu poartă de siliciu. Avantajele
tehnici MOS au fost pe deplin exploatate în cazul circuitelor integrate pe scară mare
abia începând cu anii '80 [14]. Dintre avantajele circuitelor integrate CMOS se pot
menţiona:
- putere disipată redusă, ceea ce permite simplificarea sistemelor de răcire;
- simplificarea sistemelor de alimentare;
- creşterea densităţii de integrare;
- creşterea randamentelor funcţionale.
Tehnologiile CMOS s-au dezvoltat din tehnologiile folosite la tranzistoarele
nMOS şi pMOS ajunse în fază de maturitate. Tehnologia standard cu poartă de
aluminiu oferă posibilitatea implementării de circuite CMOS integrate pe scară medie,
alimentate cu tensiuni cuprinse între 3 şi 18 V. Creşterea densităţii de integrare a făcut
necesară găsirea de noi tehnologii de fabricaţie. Tehnologia CMOS cu poartă de
siliciu prezintă avantajul porţilor de polisiliciu caracterizate prin: joncţiuni
autoaliniate, nivel suplimentar de interconexiuni şi o densitate de integrare ridicată.
C13 - Tehnologia de
realizare şi echipare a
cablajelor imprimate
1. Tehnologia de realizare a unei plăci de
cablaj imprimat. Exemple.
2. Tehnici de plantare și de lipire a
componentelor.
3. Proiectarea geometriei cablajului imprimat.
Exemple.

13.1. Tehnologia de realizare a unei
plăci de cablaj imprimat
 Tehnologia de realizare a unei plăci de cablaj
imprimat pe o singură faţă;
 Realizarea unei plăci de cablaj imprimat cu două

feţe;
 Realizarea unei plăci de cablaj cu mai multe

straturi.

13.1.1. Tehnologia de realizare a unei plăci
de cablaj imprimat pe o singură faţă
A) Fazele tehnologiei pentru realizarea unei plăci de

cablaj pe o singură faţă (Single Sided Board)
1. Tăierea la dimensiuni a plăcii de cablaj;
2. Imprimarea desenului prin transfer foto sau serigrafic;
3. Corodare;
4. Acoperirea de protecţie cu cositor;
5. Găurirea.

Exemplu 1 – circuit cu tranzistoare
Partea
placată
Partea
plantată

Exemplu 2 – amplificator RF cu circuit
integrat

Exemplu 3 – preamplificator cu circuit
integrat
Să se găsească pozițiile
componentelor pe cabajul
prezentat.

13.1.2. Realizarea unei plăci de cablaj
imprimat cu două feţe
 B) Fazele tehnologiei pentru realizarea unei
plăci de cablaj cu două feţe (Double Sided
Board)
 Tăierea la dimensiuni a plăcii de cablaj;
 Găurirea;
 Metalizarea găurilor;
 Imprimarea geometriei cablajului - tehnologii pe
bază de fotorezist solid;
 Acoperire cu cupru şi cositor;
 Eliminarea fotorezistului;
 Corodare;
 Depunerea măştii pentru puncte de lipire.

Imprimarea geometriei cablajului
Masca sup.
Rezist
(toner)
CABLAJ
Masca
inf.
Rezist
(toner)

Cablaj imprimat cu două feţe
Trasee conductoare pe partea

superioară
Faţa 2
Faţa 1
Găuri metalizate Trasee conductoare pe partea

(Treceri) inferioară

Trecerile dintre faţa 1 şi 2
Găuri metalizate
Treceri - via
Treceri pe partea
inferioară
Zona de
contact

13.1.3. Realizarea unei plăci de cablaj cu
mai multe straturi
C) Fazele tehnologiei pentru realizarea unei plăci de
cablaj cu mai multe straturi (Multilayer Board
manufacturing)
 Straturile interioare sunt prelucrate ca la cablajele
simplu sau dublu strat;
 Straturile interioare sunt tratate cu adeziv şi apoi sunt
laminate împreună cu straturile exterioare care sunt
acoperite complet cu cupru;
 Cablajul rezultat este prelucrat la fel ca şi cablajele
dublu strat

Mod de realizare a unui cablaj multistrat
După:

Cablaje cu 4 şi 6 straturi

 Trecerile interne sunt obţinute în procesul de
realizare a cablajului simplu sau dublu placat;
 Trecerile interne sunt tratate cu adeziv şi apoi se
laminează împreună cu stratul exterior acoperit cu
folie de cupru;
 Placatul multistrat este procesat asemănător cu
cablajul în dublu strat.
Trecere directă Trecere infundata Trecere

ingropată
Exemplu 1

Exemplu 2

13.1.4. Cablaje flexibile
Utilizări și aplicații

13.1.5. Cerinţe de amplasare a
componentelor pe cablaj
1) Reţelele de coordonate sunt standardizate:
• cu pasul de 0,1 inch sau 2,54 mm la componentele cu montare prin
inserţie;
• cu pasul de 0,05 inch sau 1,27 mm la componentele cu montare pe
suprafaţă.
Pasul reţelei de coordonate este impus de distanţa minimă dintre doi pini
adiacenţi ai unui dispozitiv (circuit integrat).
2) Circuitele integrate şi componentele cu simetrie axială se plasează cu
axa de simetrie paralelă cu una din laturile plachetei.
3) Dispozitivele puternic interconectate trebuie să fie mai apropiate, pentru a
micşora mărimile parazite ale traseelor de conexiune.
4) Componentele se vor distribui uniform pe toată suprafaţa plachetei, astfel
încât să se reducă suprafaţa locurilor largi şi să se evite apariţia unor
locuri înguste.
5) Circuitele analogice se grupează diferit de cele logice;
6) Componentele disipative termic se amplasează la partea superioară a
plachetei.
13.1.5.1. Tehnologii de echipare
Tehnologii de echipare – asigură poziţionarea şi fixarea

componentelor pe placa imprimată, următoarea fază fiind
lipirea.
 prin inserţie – asigură poziţionarea şi fixarea, prin

implantarea terminalelor în găuri de montaj, a componentelor
pe placa imprimată; terminalele sunt anterior formate
(preformate) în scopul unei inserţii corecte;
 modelarea se face anterior echipării sau în timpul acesteia
(modelare – echipare – modelare – echipare, ş.a.m.d.);
 la echiparea automată, robotul are mai multe dispozitive de
preluare a componentelor din suportul de condiţionare şi de
poziţionare.
 prin aşezare – asigură poziţionarea şi fixarea cu adezivi a
componentelor montate pe suprafaţă; se efectuează numai
automat.

Moduri de echipare a plăcilor imprimate: plantarea componentelor
electronice în găurile prevăzute pe cablaj
– echiparea prin inserţie şi aşezarea componentelor electronice pe
contacte de lipire
– prin aşezare.
a)
b)

a) Echiparea cu componente TH

b) Componente montate pe suprafaţă
 Componente montate pe suprafaţă – SMD (Surface

Mounted Devices), sunt componente electronice active sau
pasive, care se lipesc pe faţa echipată (pe aceeaşi faţă pe
care sunt aşezate componentele) după ce în prealabil au fost
poziţionate şi fixate cu adezivi.
 SMD-urile sunt prevăzute cu pini de lipire, modulaţi adecvat,

sau cu suprafeţe de lipire, dispunere pe suprafeţe de lipire,
dispunere pe suprafaţa laterală a capsulei.
 Componente şi dispozitive SMD: rezistoare, condensatoare,

bobine, transformatoare, conectoare, diode, tranzistoare,
tiristoare, optocuploare, circuite integrate.

2. Tehnici de plantare și de lipire a
componentelor
Tehnologia THT – plantare în găuri.
Tehnologia SMT – plantare pe suprafață.

Zona lipiturii asigură pe lângă contactul electric şi robusteţea mecanică a
asamblării, cu un rol decisiv în fiabilitatea produsului electronic.

13.2.1. Montarea unei unei componente pe
suprafață (SMD)
Succesiunea operaţiilor pentru montarea unei
componente pe suprafață (SMD - Surface Mounted
Devices) :
 - aplicarea pastei de lipit (pe bază de Sn_Pb) pe faţa 1;
 - plasarea componentelor;
 - uscare placă - tratament termic pentru eliminarea substanţelor
volatile din pasta de lipire;
 - lipire prin metoda reflow (incălzirea cu radiaţii infraroşii);
La circuitele dublă faţă operaţiile indicate se repetă:

 - inversarea plăcii şi repetarea operaţiilor pentru faţa 2 a
cablajului;
 - curăţirea şi testarea.

13.2.2. Tehnologii de lipire
Lipire sau sudare – proces tehnologic de realizare a conexiunilor
electrice dintre pinii (terminalele) componentelor şi suprafeţele
de contact.
 prin imersie – metodă de lipire simultană a tuturor terminalelor
componentelor pe suprafeţele de contact ale traseelor imprimate, prin
imersia plăcii echipate în baie de aliaj de lipire topit (Sn-Pb şi flux
decapant) – cea mai veche metodă.
 lipire cu val – cu maşini automate; placa imprimată echipată este
trecută cu faţa de lipire tangentă la creasta unui val format din aliaj de
lipire.
 lipire dublu val – primul val este turbulent şi proiectează lipire în
sensul componentelor pentru a asigura o bună „înmuiere” a
suprafeţelor de lipire; al doilea val este mai puţin abrupt şi finalizează
formarea lipiturilor, eliminând scurtcircuitelor; metoda se aplică la
montajul pe suprafaţă SMA – Suface Mounted Assembly.
 lipire prin ştergere – placa imprimată echipată se plasează vertical
deasupra băii de lipire; în timpul lipirii, placa se deplasează stânga –
dreapta – stânga… (uşoare vibraţii) astfel că resturile de flux
decapant şi produsele de reacţie se scurg în baie.
preîncălzire Lipire reflow

13.3. Proiectarea geometriei
cablajului imprimat
Proiectarea propriu-zisă a cablajului imprimat debutează prin
stabilirea dimensiunilor geometrice pentru elementele acestuia:
pastile, trasee şi a distanţelor minime dintre acestea.
Limitele impuse în proiectarea tehnologiilor de realizare a

cablajelor imprimate se referă la următoarele:
1. dimensiunile minime ale găurilor pe placă;
2. dimensiunea minimă a coroanei pastilei din jurul găurii, prin
care se garantează continuitatea coroanei în jurul tuturor
găurilor;
3. lăţimea minimă a traseelor, care asigură o probabilitate minimă
a întreruperii lor (mecanică sau la lipire adică termică);
4. distanţa minimă între două elemente de cablaj, care garantează
că nu apar scurtcircuite între acestea.

13.3.1. Tehnici de realizare
Alăturat sunt reprezentate situaţiile ideale, corespunzătoare parametrilor

tehnologici cu care se proiectează placa, respectiv situaţiile reale care se
obţin pe placă datorită abaterilor rezultate din operaţiile tehnologice, unde
c reprezintă lăţimea coroanei circulare ( c  D  d  2), d – diametru găurii de
montaj, D – diametru pastilei de lipire, l – lăţimea constantă a traseului, d –
distanţa constantă între trasee,  - abaterea de la concentricitate.

Dimensiunile coroanei circulare (a pastilelor de lipire) depind atât
de diametru găurii cât şi de asigurarea unor lipituri corecte şi
rezistente mecanic. Lăţimi prea mari ale coroanei pot însemna
suprafeţe de lipire mari - riscul exfolierii prin acumularea unei
cantităţi prea mari de căldură.
Lăţimea traseelor şi grosimea foliei sunt determinate de
intensitatea curentului care circulă prin acestea. Pentru grosimile
uzuale ale foliei lăţimii minime a traseului imprimat:
I max
 min  3 [mm]
J max  g  10
unde:
Jmax=20...50A/mm2;
g – grosimea traseului imprimat . g [ m]
Performanţele tipice pentru trei categorii de
tehnologii
Distanţe Tehnologia Tehnologia cu Tehnologia pe

minime fără găuri găuri bază de
[mm] metalizate metalizate raze laser
Diametru
0,8 0,6 0,05…0,1
găurilor (d)
Dimensiunea
coroanei 0,5 0,3 0,1…0,2
circulare (c)
Lăţimea
0,5 0,4 0,1
traseului (l)
Distanţa dintre
0,7 0,4 0,1
Elemente (d1)
Aplicație
 Să se determine lățimea minimă a traseului
de la circuitul imprimat (g=70 µm) al unui
alimentator la care Imax=5A.

Valori tipice ale traseelor
Aplicație:
Să se determine
densitățile de curent
corespunzătoare traseelor
0,8; 1,5 și 3 mm la
temperatuta de 40 grd.

3.2. Modalității de amplasare componentelor
și de realizare a legăturilor

Plasarea condensatorului de decuplare
INCORECT
CORECT
Ecranarea intrărilor

Plan de masă

Trasee pentru semnale
Microstrip
L
Zc 
C
Striplinie
Aplicație
Să se calculeze capacitatea specifică
[pF/m] a liniei microstrip și stripline.

Exemplu de trasee

13.4.3. Modalități de realizare.
Exemple
Exemplu 1. Modulator numeric în durată cu circuite TTL

Exemplu 2
Modul de afişare date
a) Schema electrică

b) Cablajul imprimat şi modul de plantare

Exemplu 3. Programator
a) Schema electrică
a small self-contained
microcontroller module fitted
with a powerful
Renesas 16-bit M16C
microcontroller. A BASIC
interpreter is installed in the
module to simplify software
development.
După:
Rev. Elektor nr. 3/2009

b) Amplasarea componentelor de bază c) Cablajul imprimat

d) Cablajul după plantare și lipirea componentelor

e) Realizarea modulului (introducerea de elemente de conectare cu ext.)

13.5. Tehnici de realizare a
aparatelor și a sistemelor
Divizarea pe circuite electronice se aplică acelor scheme sau părţi de
schemă electrică, realizată cu componente şi dispozitive electronice
integrate pe scară mică, placa imprimată cuprinzând un număr redus de
circuite electronice. Rezultă un tip de placă universală pe care se realizează
câte un circuit electronic (oscilator, amplificator, stabilizator, circuit logic
combinaţional sau secvenţial simplu etc.) de bază.
Pentru realizarea unei funcţiuni se grupează un anumit număr de plăci
universale într-un sertar sau cadru, conexiunile între plăci realizându-se prin
conectoare.
Dimensiunile plăcilor sunt standardizate iar conectorii se poziţionează pe
latura mică, spre panoul posterior al sertarului. Conexiunile de spate sau
fund de sertar se fac prin forme de cablu filar sau cablaje imprimate flexibile
sau rigide.

Divizarea pe funcţiuni
Divizarea pe funcţiuni asigură

soluţii optime de amplasare a
componentelor şi dispozitivelor
pe subansambluri, prin
reuniunea într-un subansamblu
a unor funcţiuni mai complexe,
realizate cu mai multe circuite
MSI (Medium Scale Integration)
sau mai puţine circuite LSI şi
VLSI (Large Scale Integration şi
Very Large Scale Integration ).

CABLAJE IMPRIMATE
Prin cablaj imprimat se înţelege circuitul electric în care conductoarele de legătură sunt
realizate sub formă de benzi sau suprafeţe conductoare de metal (de obicei din cupru) dispuse
pe suprafaţa unor plăci din material izolant (pertinax, sticlotextolit sau ceramică). Suportul
izolant constituie partea care preia solicitările mecanice şi electrice, acesta putând fi rigid sau
flexibil.
Cablajele imprimate se folosesc pentru realizarea de module electronice realizate cu
componente discrete cu terminale pentru inserţie (THT - Through Hole Technology) sau în
tehnologia montării pe suprafaţă (SMT- Surface Mount Technology) cu componente pentru
montarea pe suprafaţă (SMD - Surface Mounted Devices). Prin modul electronic se înţelege o
structură fizică alcătuită din componente electronice, electrice şi mecanice destinată să
satisfacă cerinţele funcţionale ce ar urma să le prezinte aparatura sau echipamentul care
conţine respectivul modul.
1. Caracteristici ale cablajelor imprimate

Tehnologa de realizare a circuitelor electronice pe cablaje imprimate constituie în prezent
o tehnică universală de conectare a componentelor electronice atât în echipamentele
electronice profesionale, cât şi în cele de larg consum.
Cablajele imprimate prezintă următoarele avantaje:
- reducerea volumului şi al masei echipamentelor electronice prin creşterea densităţii
de montaj a componentelor electronice – se asigură miniaturizarea;
- creşterea siguranţei în funcţionare a echipamentelor prin reducerea numărului de
conexiuni flexibile;
- simplificarea operaţiilor de asamblare la aparatura din producţia de serie;
- reducerea erorilor de montaj şi o bună reproductibilitate a circuitelor electrice
realizate prin această tehnologie;
- realizarea de blocuri electronice cu dimensiuni normalizate.
1.1. Clasificarea cablajelor. Materiale utilizate pentru cablaje imprimate
Clasificarea cablajelor imprimate se poate face după mai multe criterii, cum ar fi: numărul de
straturi conductoare, tipul suportului izolant, modalitatea de interconectare dintre traseele
aflate pe suprafeţe (planuri) diferite, etc.
a) După numărul de straturi metalice (conductoare) depuse cablajele imprimate se împart în:
cablaje simplu placat, dublu placat şi multistrat.
Cablajele simplu strat (placat) îşi menţin ponderea datorită preţului de cost scăzut în
aparatura electronică de larg consum unde compactitatea prezintă rolul secundar.
Cablajele dublu strat (dublu placat) au ponderea cea mai mare în producţia de cablaje
imprimate deoarece realizează o bună densitate a componentelor, iar preţul de cost este relativ
scăzut.
Cablajele multistrat sunt destinate montajului şi asamblării circuitelor complexe pentru
care nu se pot realiza raţional traseele necesare conexiunilor numai în două straturi. Evitarea
influenţei reciproce dintre straturi se realizează prin dispunerea raţională suprafeţelor pe care
se vehiculează semnalele, a planurilor pentru alimentare şi a suprafeţelor de ecranare şi a
planurilor de masă.
2
Grosimea cablajului imprimat se alege în funcţie de condiţiile mecanice de rigiditate

care se cer plăcii şi de numărul de straturi ales.
b) După tipul suportului izolant cablajele imprimate se împart în cablaje rigide şi cablaje
imprimate flexibile. Cablajele imprimante flexibile se folosesc, în special, când se doreşte
eliminarea conexiunilor prin fire de legătură.
c) Modalitatea de interconectare dintre traseele aflate pe suprafeţe (planuri) diferite se
întâlnesc: cablaje cu găuri metalizate – obţinute prin creşterea straturilor metalice şi cablaje cu
găuri nemetalizate, la care contactele se asigură prin intermediul unor conductoare masive.
La realizarea cablajului imprimat se foloseşte un material izolant (uzual, pertinax şi
steclotextolit) care este placat cu cupru. Semifabricatele placate se livrează sub formă de plăci
cu dimensiuni până la 2000 x 2000 mm. Grosimea cablajului imprimat este reglementată prin
norme (tabelul 1).
Tabelul 1 Grosimi uzuale ale circuitului imprimat

Grosimea [mm] Toleranţa [mm]
Cablaj 0,15-0,30 0,05
flexibil 0,30-0,80 0,075
0,8- 0,1
1,2 0,2
Cablaj 1,6 (1,5) 0,2
rigid 2,0 0,2
2,4 0,3
3 (3,2) 0,3
Suportul izolant placat cu cupru trebuie să îndeplinească o serie de condiţii mecanice, electrice
şi termice:
- aderenţa foliei la dezlipire de aprox. 2…2,5 kg/cm2;
- rezistenţa electrică superficială a suportului de aprox. 5 10 10/cm2 ;
- rezistivitatea de volum 1091010 m ;
- r şi tg de valori mici;
- rezistenţă mare la şoc termic; să nu prezinte umflături după menţinerea în baie de
cositor la 2300C timp de 10 secunde.
Cele mai utilizate materiale sunt: sticlotextolitul (FR4) şi pertinaxul.
Materialul de placare este cupru electrolitic de înaltă puritate (99,5%) cu grosimea de:
17,5m, 35m, 50m, 70m, şi 105m. În anumite situaţii, conductoarele de cupru se acoperă
cu pelicule metalice de protecţie din cositor, argint, aur, paladiu.
Plantarea
Pe cablajul imprimat componentele se fixează în terminale şi de aceea vibraţiile sau
şocurile mecanice se transmit terminalelor şi lipiturilor. Componentele având gabarit mai mare
se fixează cu scoabe sau prin şuruburi cât mai aproape de cablajul imprimat. Terminalele se
fixează prin îndoire în unghi drept.
La circuitele simplu placate componentele se fixează foarte aproape de suprafaţa
plăcilor, iar pe cablajul cu dublă faţă la oarecare distanţă de placa imprimată. Conectarea cu
elemente din afara cablajului imprimat se realizează în două moduri: cu conexiuni
nedemontabile (prin lipire) şi cu conexiuni montabile (cu conectoare)
3
2. Tehnologii de realizare a cablajelor imprimate

Tehnologiile de realizare a cablajelor imprimate pot fi grupate în două categorii:
- tehnologii substractive (metode de corodare) prin care traseele conductoare rezultă
după corodarea parţială a foliei conductoare depuse deja pe suportul izolant;
- tehnologii aditive (metode de depunere) prin care traseele conductoare rezultă prin
depunerea cuprului electrolitic pe suportul izolant: galvanic sau prin pulverizarea
prin mască.
Deşi în realizare a cablajelor imprimate predomină metodele de corodare există tendinţa de
extindere a metodelor de depunere care sunt mai avantajoase din punct de vedere al
consumului de metal.
Metodele de corodare au la bază procedee chimice care constau din:
- realizarea desenului de cablaj la scară mărită (210 ori);
- realizarea filmului fotografic în mărime naturală pentru partea placată;
- realizarea filmului fotografic în mărime naturală pentru partea plantată;
- imprimarea imaginii de pe filmul fotografic pe folia de cupru (partea placată);
- imprimarea imaginii de pe filmul fotografic pe partea pe care se plantează
componentele (partea plantată).
Reguli de realizare a cablajelor imprimate
- Se recomandă ca plăcile să fie pătrate sau dreptunghiulare având raportul dintre
laturi: 1/1, 1/2, 2/3, 2/5;
- Dimensiunile maxime nu trebuie să depăşească 240 x 360 mm pentru cablajul
simplu şi dublu placat şi 200 x 240 mm pentru cablajul multistrat;
- Pasul reţelei de corodare este de 1/10”=2,54mm, dar în unele ţări s-a adoptat pasul
de 2,5mm;
- Diametrele găurilor se aleg cu 0,20,3 mm mai mari decât cele ale terminalelor
componentelor (uzual: 0,8mm pentru găuri nemetalizate şi 1,1 mm pentru găurile
metalizate);
- Centrele găurilor corespund, de obicei, pasului sau multiplului pasului reţelei;
- Distanţa minimă dintre traseele conductoare se stabileşte în funcţie de tensiunea de
lucru (diferenţa de potenţial dintre acestea) şi de clasa de precizie (3 clase de
precizie, clasa I este cea mai precisă – tabelul 2) în care sunt executate.
Tabelul 2 Distanţa dintre conductoare în funcţie de tensiunile de lucru

U[V] 50 75 125 150 175 200 250 300 400 500
S[mm] 0,3 0,5 0,6 0,7 0,8 1 1,25 1,5 2,5 3
La execuţia cablajului în clasa a-II-a de precizie se adoptă distanţele din treapta de

tensiune imediat următoare, iar pentru clasa a-III-a de precizie se trece peste minim două
trepte. Astfel, pentru tensiuni de 250V distanţa minimă va fi de 1,5 mm în clasa a-II-a de
precizie şi de 3 mm pentru clasa a-III-a de precizie.
Lăţimea traseelor (a conductoarelor imprimate) se stabileşte în funcţie de valoarea
curentului electric care le parcurge şi în funcţie de densitatea de montaj. Cu cât lăţimea
conductoarelor imprimate este mai mică cu atât densitatea de cablaj va fi mai mare, iar
procesul de realizare al acestor trasee prin corodare este mai dificil.
De obicei conductoarele imprimate se realizează sub formă dreptunghiulară, având
lăţimea uniformă pe toată lungimea lor. La trecerea prin porţiuni îngustate se admite reducerea
4
lăţimii conductoarelor până la o valoare minimă. Conductoarele circuitelor sensibile trebuie

să fie cât mai scurte şi să nu se dispună în apropierea circuitelor de alimentare şi de ieşire.
Dacă nu se poate evita acest lucru conductoarele se vor ecrana.
2.1. Tehnologii substractive pentru cablajelor imprimate simplu şi dublu placat
Etapele de fabricare ale cablajelor imprimate prin corodare se indică în figura 1.
Realizarea
filmului fotografic
Transpunerea imaginii
pe suportul placat
FOTOLITOGRAFIE
SERIGRAFIE
Acoperirea cu Realizarea sitei

fotorezist serigrafice
Expunerea la Acoperirea cu
lumină prin film cerneală serigrafică
Developarea
Corodarea
Corodarea
Acoperirea de
protecţie
Acoperirea de
protecţie Prelucrări
mecanice
Prelucrări
mecanice
Fig. 1 Etapele fabricaţiei cablajelor prin corodare

5
a) Realizarea originalului
Pentru transpunerea circuitului pe cablaj imprimat sunt necesare filme fotografice, numite
măşti, care se obţin după desenele originale. Desenul original se poate realiza manual sau pe
baza unui program de realizare a layoutului circuitului (de ex. ORCAD).
b) Realizarea filmului fotografic
Indiferent de metoda de fabricare a cablajului (fotolitografică sau serigrafică) este necesară
obţinerea filmului fotografic, negativul originalului cablajului imprimat. Filmul trebuie să
prezinte un bun contrast pentru ca operaţia de transpunerea imaginii pe suportul placat să aibă
loc în bune condiţii.
c) Transpunerea imaginii pe suportul placat
Această operaţie are drept scop formarea pe suprafaţa placatului a zonelor opace care urmează
să formeze conductoarele imprimate după corodarea selectivă. Pentru imprimare se foloseşte
metoda fotografică şi metoda serigrafică.
Imprimarea prin metoda fotografică constă în transpunerea imaginii de pe film pe
placat cu ajutorul fotorezistului care a fost depus uniform pe aceasta. Fotorezistul este o
soluţie de alcool polivinilic sensibilizat cu bicromat de potasiu care se depune prin
centrifugare. După expunerea la o sursă de ultraviolet prin clişeul negativ al cablajului şi
developare într-o soluţie specifică, stratul fotosensibil expus se dizolvă rămânând în final
desenul original transpus pe placat. La realizarea circuitelor imprimate dublu placate se
folosesc două filme (clişee), câte unul pentru fiecare faţă a placatului.
Metoda fotografică asigură o bună precizie în realizarea cablajelor imprimate, dar necesită un
ciclu de producţie lung şi cu productivitate redusă. Din această cauză se foloseşte numai la
unicate şi la serii mici de fabricaţie.
Imprimarea prin metoda serigrafică foloseşte pentru realizarea măştii pe cablajul
imprimat o pastă specială numită cerneală serigrafică.
Cerneala serigrafică este greu sicativă fiind rezistentă la acţiunea de corodare a unor substanţe
chimice. Depunerea pe suprafaţa placatului se face prin intermediul unui ecran numit sită
serigrafică.
Sita serigrafică este o ţesătură din material sintetic (fibre poliamidice sau poliesterice) cu
ochiuri foarte mici (100-200 fire/cm) sau fire din oţel aliat de 30-50m cu 60-120 fire/cm.
Sitele se fixează cât mai întins pe un cadru din lemn.
Precizia de realizare a cablajului este cu atât mai bună cu cât numărul de ochiuri pe unitatea de
suprafaţă este mai mare. În zona în care cerneală serigrafică nu trebuie să se aplice pe folia de
cupru, ochiurile sitei se obturează prin transferul desenului de cablaj pe sita serigrafică. Pentru
imprimare se folosesc soluţii fotosensibile similare cu cele utilizate la metoda fotolitografică.
După uscarea sitei pe care s-a depus soluţia fotosensibilă, aceasta se expune la lumină prin
intermediul clişeului de cablaj. Developarea se face în apă caldă. Regiunile de pe suprafaţa
sitei care nu au fost expuse, soluţia depusă pe sită se dizolvă, în timp ce pe celelalte zone
rămâne insolubilă. Sita serigrafică astfel pregătită se foloseşte drept şablon pentru depunerea
cernelei serigrafice. Depunerea de face cu ajutorul unei raclete sau cu o rolă. Periodic sita se
curăţă cu un solvent pentru evitarea astupării găurilor.
Imprimarea prin metoda offset se foloseşte pentru producţia de serie mare şi foarte
mare. Constă în transpunerea desenului pe cablaj printr-un procedeu asemănător cu cel folosit
la tipărire. Se foloseşte un clişeu offset (zincografic) format dintr-o placă metalică pe care este
executat în relief imaginea cablajului. Pe acest clişeu, pe care se depune cerneală
(asemănătoare cu cerneala serigrafică), se deplasează o rolă care va prelua imaginea şi o va
transpune prin rulare (fără alunecare) pe suportul cablajului.
6
Imprimarea prin metoda xerigrafică constă în copierea desenului pe suprafaţa

placatului de cupru prin procedeul folosit la copiatoare (XEROX). Performanţele procedeului
sunt modeste, dar este o metodă rapidă nemai fiind necesar clişeu foto.
Corodarea se face pentru îndepărtarea cuprului din zonele neacoperite de fotorezist sau
de cerneala serigrafică. Pentru corodare se foloseşte clorura ferică sau clorura cuprică. Viteza
de corodare depinde de concentraţia soluţiei şi de temperatura băii. Pentru neutralizarea
urmelor de clorură ferică, cablajele corodate sunt trecute printr-o serie de băi bazice şi apoi
spălate în apă rece curgătoare. Îndepărtarea cernelii de protecţie se face în tricloretilenă sau în
băi alcaline.
Metalizarea găurilor are rolul de interconectare a traseelor conductoare dispuse pe feţe
diferite ale cablajului imprimat. Metalizarea se realizează prin depunerea pe cale electrolitică
a cuprului (10 –25 m) urmată de stanarea acestor găuri (acoperirea cu un strat de 10 m de
PbSn).
Imprimarea poziţiei componentelor pe cablaj este o operaţie care are rolul de a uşura
plantarea (în varianta manuală) şi a indentificarea pieselor plantate în faza de testare sau
depanare. Imprimarea se face prin clişeul de poziţionare care se transpune tot prin metoda
fotolitografică pe faţa plantată după corodare şi metalizarea gurilor.
2.2. Tehnologiile aditive
Tehnologiile aditive folosesc un suport izolant neplacat pe care urmează a se realiza în

forma definitivă conductoarele imprimate. Aceste tehnologii au avantajul, pe lângă consumul
mai redus de cupru, acela de realizare simultană a conductoarelor şi metalizarea găurilor.
Principala dificultate a procedeelor aditive o constituie adereanţa conductoarelor pe suportul
izolant. Pentru mărirea aderenţei conductoarelor pe suport suportul izolant se acoperă cu un
strat cu aditivi (clei) peste care se mai face o acoperire cu clorid de zinc sau paladiu, tot pentru
mărirea aderenţei. Se folosesc în special două procedee de cuprare: chimică şi galvanică.
Cuprarea chimică constă în depunerea prin reacţii de reducere a cuprului după
imprimarea în imagine negativă a cablajului. Această metodă se caracterizează prin:
- rezistivitate mică a traseelor de cupru;
- duritate mecanică mare a traseelor de cupru;
- capacitate de lipire bună;
- preţ de cost ridicat: reacţiile sunt lente şi substanţele folosite sunt scumpe.
Cuprarea galvanică constă în depunerea prin electroliză a unui strat de cupru, conform
cu negativul filmului, peste o peliculă intermediară de cupru cu grosime mică (1-6m).
Procedeul depunerii galvanice prezintă o serie de avantaje: productivitate mare, preţ de cost
apropiat de metodele de corodare, utilizarea unora dintre utilajele tehnologiei substractive.
2.3. Tehnologia echipării cablajelor imprimate
Se disting două moduri de echipare a plăcilor imprimate: plantarea componentelor electronice

în găurile prevăzute pe cablaj (fig. 1.a) şi aşezarea componentelor electronice pe contacte de
lipire (fig. 1.b).
Echiparea constă în: plasarea componentelor în poziţiile corespunzătoare în găurile sau pe
suprafaţa cablajului imprimat şi apoi în contactarea terminalelor (lipirea). Echiparea se poate
face manual la circuitele de serie mică sau unicate şi mecanizat sau automatizat pentru
circuitele imprimate de serie mare şi foarte mare.
7
a) b)
Fig. 1 Moduri de echipare cu componente a cablajului imprimat
La echiparea manuală plasarea componentelor se face după ce acestea au fost pregătite

prin aducerea terminalelor în forma cea mai avantajoasă pentru echipare şi contactare. Înainte
de formare componentele se verifică din punct de vedere fizic pentru a nu prezenta: carcasă
spartă, terminale rupte, vopsea exfoliată, marcaj şters sau lipsă. Componentele se vor forma
astfel încât marcajul să se poată citi cu uşurinţă, privind perpendicular pe faţa plantată a
cablajului. Terminalele vor fi perpendiculare pe faţa cablajului imprimat (unghi de 900).
Indiferent de procedeul de echipare folosit se impune existenţa unui spaţiu între componentă şi
cablajul imprimat (nu se fixează componenta la limită terminalului). Principalele etape ale
echipării unui cablaj imprimat sunt prezentate în figura 2.
Plantarea
Componente Înmagazinare Transport componentelor
Orientare
Pregătirea Poziţionare Plantarea
de direcţie
terminalelor componentelor
Cablaj Înmagazinare Transport Pregătirea

imprimat cablajului
Cablaj imprimat Fixarea

echipat componentelor
Fig. 2 Etape ale echipării cablajului imprimat
Pentru formarea şi tăierea terminalelor la producţia de serie se folosesc utilaje specializate care
pot prelucra atât componentele care se prezintă sub forma unor benzi, cât şi componentele
individuale.
Contactarea componentelor implantabile (componente discrete sau integrate) pe
cablajul imprimat se realizează prin lipire pe partea placată, parte care va forma şi faţa de
lipire.
La producţia de serie sau de masă se utilizează procedeele de lipire generală. Acestea sunt
procedee de imersie în care faţa de lipire se deplasează la o singură trecere prin baia de cositor.
Pe porţiunile metalice se va depune aliajul de lipit necesar contactării componentelor de
cablajul imprimat.
8
Lipirea selectivă se utilizează uneori în scopul evitării de punţi conductoare pe traseele

alăturate şi al economiei de aliaj de lipit. Aceasta se realizează prin intermediul unor măşti de
lipire care se realizează prin depunerea unui lac de protecţie împotriva lipirii. Masca de lipire
nu acoperă porţiunea de cablaj unde urmează să fie realizată lipirea.
La lipirea prin imersie faţa de lipire a plăcii având componentele plasate în orificii se
scufundă într-o baie de aliaj de lipit aflat în stare topită. La trecerea prin baie porţiunile
metalice care nu au fost acoperite cu lac selectiv vor fi umezite cu aliajul de lipit. La cele cu
treceri metalizate aliajul de lipit pătrunde prin capilaritate pe faţa unde se află componentele,
realizându-se un contact bun între componentă şi cablaj.
Pentru menţinerea temperaturii băii de lipire şi pentru evitarea şocului termic al
componentelor şi al cablajului, cablajul se preîncălzeşte înainte de introducerea în baie.
Temperatura aliajului de lipit trebuie să fie la limita inferioară pentru ca procesul de oxidare al
acestuia să fie cât mai redus.
Pentru evitarea oxidării contactelor şi terminalelor înaintea şi în timpul lipirii, în baie
se introduce un flux dezoxidant (de exemplu colofoniu dizolvat în alcool).
LUCRARI DE LABORATOR
1. PARAMETRII REZISTOARELOR.
COMPORTAREA ÎN DOMENIU FRECVENŢĂ
2. PARAMETRII CONDENSATOARELOR.
DEPENDENŢA PARAMETRILOR DE FRECVENŢĂ
3. PARAMETRII BOBINELOR. DEPENDENŢA PARAMETRILOR

DE FRECVENŢĂ
4. PARAMETRII LINIILOR DE TRANSMISIE A SEMNALELOR.

DETERMINAREA IMPEDANȚEI CARACTERISTICE.
5. TEHNOLOGIA TRANZISTOARELOR BIPOLARE

(http://vega.unitbv.ro/~olteanu/tehnologie_electronica_lab/L.3-C.I.1.pdf )
7. TEHNOLOGIA CABLAJELOR IMPRIMATE

(http://vega.unitbv.ro/~olteanu/tehnologie_electronica_lab/L.4-Cablaje.pdf )
L.1
PARAMETRII REZISTOARELOR. COMPORTAREA ÎN

DOMENIU FRECVENŢĂ
1. Scopul lucrării
- cunoaşterea parametrilor rezistoarelor şi a dependenţei acestora de

construcţia rezistorului şi de frecvenţă;
- cunoașterea aparaturii de măsură folosite la determinarea parametrilor
rezistoarelor;
- însuşirea modului de determinare a parametrilor schemei echivalente.
2. Consideraţii teoretice
Rezistoarele sunt componente pasive care au o pondere însemnată în

circuitele electrice folosite în domeniul electronic şi în cel al telecomunicaţiilor.
Lucrarea prezintă principalii parametrii ai rezistoarelor folosite în practică şi o
modalitate de determinare a domeniului de frecvenţă în care acestea pot fi utilizate.
Rezistoarele sunt componente electronice dipolare (cu două borne), la care
se produce o cădere de tensiune U proporţională cu valoarea curentului I care le
străbate (legea lui Ohm). Energia electrică care rezultă W=U.I.t se transformă prin
efect Joule – Lenz în căldură. Rezistoarele sunt componente pasive disipative, spre
deosebire de bobine şi condensatoare care sunt componente reactive.
Rezistoarele fixe sunt constituite din următoarele părţi componente:
elementul rezistiv, suportul izolant, terminalele.
Elementul rezistiv al rezistoarelor peliculare constă dintr-o peliculă rezistivă
din: carbon, metal, oxizi metalici, la rezistoarele bobinate acesta este un conductor
metalic, iar la rezistoarele de volum este o masă rezistivă compactă.
Suportul izolant are rolul de fixare atât pentru elementul rezistiv, cât şi
pentru terminale.
Terminalele au rolul de legătură între elementul rezistiv şi circuitul în care
urmează a se conecta rezistorul. Acestea pot fi: axiale, radiale, inelare sau colier.
2.1. Parametri rezistoarelor
Rezistenţa nominală Rn, reprezintă valoarea care se realizează prin procesul

tehnologic de fabricaţie, valoare ce indică utilizatorului prin marcare pe corpul
componentei. Valoarea nominală se marchează în clar sau în codul culorilor.
Măsurarea rezistenţei se poate face cu punţi de c.c. (Wheatstone în domeniu 1
...10  sau Thomson în domeniu 10-6 ...1) cu precizii de 0,05...0,5 % sau cu
6
ohmetre la precizii 1,5...3%.

Toleranţa t, exprimată în procente reprezintă abaterea maximă relativă admisibilă
a valorii reale R a rezistenţei faţă de valoarea rezistenţei nominale Rn:
6
Ri  Rn
t  100%
Rn (1.1)
Conform standardului internaţional CEI 115 toleranţele nominale sunt:
20%, 10%,  5%,  2%, 1%, 0,5 % ,
Puterea nominală Pn,[W] reprezintă puterea maximă care poate fi disipată pe un

rezistor, la temperatura ambiantă de 700C, când tensiunea nominală limită nu este
depăşită. Puterile normalizate (la 700C) ale rezistoarelor sunt cuprinse între 0,1...100 W.
Rezistoarele se caracterizează, în principal, prin parametrii menţionaţi: rezistenţa
nominală Rn,[], toleranţa t[%] şi puterea nominală Pn,[W]. În afară de aceşti parametri
la utilizarea rezistoarelor în circuitele analogice sau digitale de frecvenţă mare trebuie să
avem şi informaţii asupra comportării în domeniul frecvenţă.
2.2. Dependenţa de frecvenţă
Rezistoarele, datorită construcţiei acestora (varianta constructivă şi geometria

elementului rezistiv) prezintă pe lângă rezistenţă electrică şi componente parazite:
inductanţă şi capacitate. Ponderea elementelor parazite depinde de construcţie (bobinate,
peliculare, de volum) şi de frecvenţa la care sunt utilizate rezistoarele. Astfel, la joasă
frecvenţă se manifestă în special inductanţa proprie a elementului rezistiv fig. 1.1.a).
Capacitatea dintre terminale C12 şi a terminalelor în raport cu masa electrică a circuitului
(C10, C20 ) în care se montează rezistorul devin sesizabile la frecvenţe mari (fig. 1.1.b).
În circuitele de putere de curent continuu sau de curent alternativ de joasă
frecvenţă se pot utiliza toate categoriile de rezistoare (inclusiv rezistoarele bobinate).
Fig. 1.1 Schema echivalentă a rezistorului real a) la joasă frecvenţă

b) la înaltă frecvenţă.
Capacitatea parazită echivalentă Ce a rezistorului (fig.1.1.b) este:
C10  C 20
C e  C12  . Rezistoarele se caracterizează în circuitele de înaltă frecvenţă
C10  C 20
printr-o impedanţă echivalentă Z . Comportarea rezistorului real în domeniul de
frecvenţă se poate stabili pe baza dependenţei de frecvenţă a impedanţei
echivalente Z dată de relaţia:
7
R  j    L 
1
j  C  R  j   L
Z  (1.2)
R  j    L   1 j    C  R  j    L   1
j  C 
Prin separarea părţilor reală şi imaginară se poate studia dependenţa de

Z
frecvenţă a impedanţei normate .
Rn
Rezistoarele de volum sau cele peliculare nespiralizate nu prezintă practic
inductivitate proprie. Rezistoare peliculare nespiralizate se pot realiza practic până
la valori de 10 k. La valori mai mari, datorită spiralizării, rezistoarele peliculare
prezintă şi inductanţă proprie. Spiralizarea elementului rezistiv (fig. 1.2.b,c,d) al
rezistoarelor fixe se face în scopul creşterii rezistenţei electrice a peliculelor
rezistive, dar introduce o inductanţă echivalentă parazită care reduce domeniul de
frecvenţei de utilizare al acestor rezistoare.
Rezistoarele care se folosesc la frecvenţe mari sunt fie nespiralizate sau cu
spiralizare axială în scopul reducerii inductanţei echivalente parazite.
Fig. 1.2 Elementul

rezistiv (a); spiralizarea
radială (b), (d);
spiralizarea axială (c)
In circuitele de radiofrecvenţă şi în cele digitale, având în vedere schema

echivalentă, rezistoarele nu prezintă numai o rezistenţă, ci o impedanţă care
depinde de frecvenţă.
Frecvenţa limită a unui rezistor cu rezistenţa R corespunde frecvenţei la
care valoarea rezistenţei se modifică cu 100% faţă de valoarea nominală. În cazul
schemei echivalente din figura 1.1.a din egalarea rezistenţei cu reactanţa inductivă
rezultă fL:
R
fL  (1.3)
2  L
În cazul schemei echivalente din figura 1.1.b din egalarea rezistenţei cu

reactanţa capacitivă echivalentă rezultă fS (la înaltă frecvenţă):
1
fS  (1.4)
2  RCe
8
Domeniul de frecvenţă fmax unui rezistor, respectiv frecvenţa maximă la care

se pot folosi se obţine din condiţia:
f max  0,1  ( f L , fS ) (1.5)
Observaţie:
La rezistoarele bobinate predomină caracterul inductiv, astfel încât se va
calcula numai frecvenţa fL.
La utilizarea tipului de rezistoare în circuite de radiofrecvenţă sau în
circuite digitale se va avea în vedere domeniul de frecvenţă.
3. Probleme de studiat
3.1. Determinatea toleranţelor individuale şi cele standard pentru un grup de n

rezistoare cu aceleaşi valori nominale.
3.2. Calculul frecvenţei limită pentru un număr de rezistoare cu diferite valori

nominale.
4. Desfăşurarea lucrării
4.1. Determinarea toleranţei
Pentru un număr n de rezistoare cu valori nominale date (citite din marcaj)

se măsoară şi se consemnează valoarea nomnală, toleranţa individuală şi toleranţa
standardizată pentru grupul de rezistoare.
Se va conecta pe rând câte un rezistor la bornele punţii RLC de măsură. (fig.
1.3) şi se măsoară rezistenţa la joasă frecvenţă (50 sau 100 Hz).
Reglaj frecvenţă
Punte RLC
Rx
Fig. 1.3 Schema de măsurare cu puntea RLC
Se vor parcurge următoarele etape:

 Se stabileşte grupul format din n=10 rezistoare care se vor supune
măsurării;
 Se noteză în tabel 1 valoarea nominală Rn[Ω] sau [kΩ];
9
 Se măsoară pe rând rezistenţele individuale ale grupului cu aceiaşi

rezistenţă nominală Rn;
 Se noteză în tabel 1 valoarea individuală măsurată Ri[Ω] sau [kΩ];
 Se calculează toleranţele individuale ti [%], folosind relaţia (1.1),
pentru grupul de rezistoare măsurate;
 Se stabileşte toleranţa grupului t [%]:
t [%]≥max { ti [%]}
Se adoptă pentru t [%] valoare cea mai apropiată de cea a toleranţelor

nominale.
Se indică dacă toleranţa grupului corespunde valorii indicate de producător
şi se fac aprecieri în cazul în care aceasta nu se încadrează.
Tabelul 1
Tip Rn Ri Ri  Ri  Rn ti [%] t [%] Observaţii
rezistor [] []
4.2. Determinarea domeniului de frecvenţă
Determinarea domeniului de frecvenţă se va face la un număr de rezistoare

bobinate deoarece la acestea variaţia rezistenţei echivalente în domeniul de lucru al
punţii utilizate este mai evidentă.
Pentru un număr de rezistoare bobinate cu valori nominale date (citite din
marcaj) se măsoară:
rezistenţa în c.c. sau la joasă frecvenţă (50 sau 100 Hz);
rezistenţa în c.a. la frecvenţe 1 kHz, 10 kHz, 100 kHz.
Reglajul la o anumită frecvenţă (valoarea frecvenţei se citeşte direct pe

display) se efectuiază prin apăsarea tastei de reglaj (valori discrete pentru
frecvenţă).
Se face citirea valorii rezistenţei echivalente R(fi) la frecvenţa la care s-a
făcut reglajul.
Pentru a putea extrapola limitele relativ mici de frecvenţă ale punţii utilizate
la calculul domeniului de frecvenţă se vor folosi măsurările la numai două
frecvenţe, respectiv f1=100 Hz şi f2=10 kHz. La aceste frecvenţe se măsoară fiecare
rezistor, iar datele experimentale se trec în tabelul 2.
Dacă se consideră că rezistoarele utilizate (bobinate) au schema echivalentă
din fig. 1.1 şi variaţia rezistenţei echivalente (impedanţa) este liniară cu frecvenţa,
atunci domeniul de frecvenţa este dat de relaţia:
1,1  R( f1 )
f max   f (1.6)
R
10
Cu relaţia (1.6) se calculează domeniul de frecvenţă fmax, iar valorile

obţinute se trec în tabelul 2. În funcţie de domeniul de frecvenţă fmax obţinut se vor
indica posibilele circuite în care se pot folosi rezistoarele testate.
Tabelul 2
Tip R(f1) R(f2) ΔR= R(f2)- R(f1) fmax Concluzii
rezistor [] []
5. Întrebări
1. Să se indice cum s-au obţinut relaţiile de calcul (1.3) şi (1.4) ale

frecvenţelor limită.
2. Să se indice cum s-a obţinut relaţia de calcul a domeniului de frecvenţa
(1.6).
3. Să se determine valoarea maximă a curentului printr-un rezistor cu R=100
Ω/1W.
4. Pentru rezistor cu Rn=220 Ω, Pn=1W să se determine:
 valoarea maximă a tensiunii care se poate aplica rezistorului;
 domeniul de frecvenţă dacă rezistenţa creşte cu 10%, atunci când
frecvenţa creşte de 1000 ori.
6. Conţinutul referatului
1. Scopul lucrării;
2. Parametrii rezistoarelor şi mod de determinare; caracteristicile aparaturii
folosite.
3. Completarea tabelelor 1 şi 2 şi şi indicarea modului de calcul (exemple
de calcul).
4. Prezentarea concluziilor desprinse din determinărilor experimentale.
5. Răspunsuri la întrebări.
11
L.2
PARAMETRII CONDENSATOARELOR.
DEPENDENŢA PARAMETRILOR DE FRECVENŢĂ
1. Scopul lucrării
- cunoaşterea parametrilor condensatoarelor şi a dependenţei acestora de

construcţie şi frecvenţă;
- însuşirea modului de determinare a parametrilor schemei echivalente;
- domenii de utilizare a condensatoarelor în funcţie de construcţie
(ceramice, cu dielectric plastic şi electrolitice).
Condensatoare sunt elemente de circuit cu o largă răspândire în circuitele

electronice. Condensatoare se caracterizează prin îmagazinarea energiei electrice
prin acumularea de sarcină electrică sub o anumită tensiune, în câmp electric
constant, iar în regim variabil se caracterizează printr-o reactanţă capacitivă.
Noţiunea de capacitate se poate interpreta ca proprietatea sistemului
armături-dielectric de a acumula energie electrică We:
C U 2
We  (2.1)
2
Această proprietate a condensatorului este folosită în circuitele de: filtrare a

tensiunii redresate, filtre trece-jos şi de temporizare.
În regim variabil, între tensiunea uc de la bornele condensatorului şi curentul
i care străbate condensatorul există relaţia:
1
C
uc  i  dt (2.2)
Această proprietate a condensatorului este folosită în circuite de: cuplaj între

etaje, circuite de defazare, filtre trece-sus.
Capacitatea C a unui condensator plan este dată de relaţia:
 S 0 r  S
C  (2.3)
d d
unde:  =0 r - permitivitatea electrică absolută; 0 =permitivitatea electrică

a vidului; r = permitivitatea relativă a dielectricului; S = suprafaţa armăturilor
condensatorului; d = distanţa dintre armături.
12
Varianta de condensator plan (Tab. 2.1.a) se întâlneşte în construcţia

condensatoarelor cu capacităţi de valori mici, având ca dielectric: aer, materiale
ceramice, mică, sticlă, etc. Aceste condensatoare au inductivitate parazită mică,
fiind destinaţi circuitelor de radiofrecvenţă şi decuplării circuitelor cu tranzistoare.
Varianta de condensator cilindric (Tab. 2.1.b) se întâlneşte la construcţia
condensatoarelor cu dielectrici materiale ceramice.
 Tabelul 2.1 Forme constructive de condensatoare

Varianta Caracteristici.
constructivă Formă Relaţii de calcul
-Cn de valori mici
- Dielectrici:
S d ceramici, sticlă;
- Utilizări:
la frecvenţe mari
(neinductivi)
a) PLAN d
 0 r S
C
d
l Idem cond. plan

2 0  r l
C
b) CILINDRIC D
Di De ln e
Di
Cn de valori medii şi
Metalizare mari
S
Dielectrici:
folii plastic, hârtie;
Utilizări la frecvenţe
medii şi joase
c) BOBINAT 2d (inductivi)
S
C  2   0  r 
Inductiv Neinductiv d
Cn de valori medii
S
C  n  Ci
Dielectrici:
d) ceramici, sticlă;
MULTISTRAT Utilizări la circuite de
cuplare şi de
decuplare la frecvenţe
medii şi mari
(neinductivi)
13
Varianta de condensator bobinat (Tab. 2.1.c) se întâlneşte la construcţia

condensatoarelor cu dielectrici flexibili (folii plastic, hârtie) care se pot rula prin
înfăşurarea odată cu armăturile.
Varianta multistrat (Tab. 2.1.d) constă din mai multe condensatoare tip plan
(n condensatoare plane) conectate în paralel. Se pot obţine, în acest fel, valori mai
mari ale capacităţii, la caracteristici apropiate de cele ale condensatoarelor plane.
Condensatoarele electrolitice sunt condensatoarele cu cea mai mare valoare a
capacităţii care se întâlneşte în practică (mii, zeci de mii de F). Acestea sunt
condensatoare polarizate cu dielectric format din pelicule de oxizi care se depun pe
o armătură metalică. Metalul constituie una dintre armături, iar cealaltă armătură în
contact cu dielectricul este un electrolit, de unde provine şi denumirea acestor
condensatoare. Cei mai utilizaţi dielectrici sunt: oxidul de aluminiu (Al2O3) şi de
tantal (Ta2O5), care se caracterizează prin proprietăţi dielectrice bune.
2.1. Parametri condensatoarelor
Caracteristicile condensatoarelor depind în cea mai mare măsură de cele ale
materialului dielectric folosit. Parametrii principali ai condensatoarelor sunt:
Capacitatea nominală (Cn) corespunde valorii pentru care a fost fabricat

condensatorul, valoare care este marcată pe corpul condensatorului. Valoarea
nominală se determină în condiţii specificate: tensiune şi frecvenţa tensiunii
alternative aplicate, temperatura de 200 C, etc. Valorile capacităţii nominale ale
condensatoarelor sunt valori normate, situate în serii de valori, la fel ca la
rezistoare.
Toleranţa capacităţii nominale (%) indică abaterile maxim admisibile ale
valorii reale a capacităţii de la valoarea nominală.
La valorile nominale Cn <1F corespund seriile de valori nominale E6, E12,
E24, E48, E96, având toleranţele: 20%, 10%, 5%, 2,5%, 1%.
Măsurarea condensatoarelor se poate face cu punţi de c.a. cu echilibrare
manuală sau automată (RLC- metru) sau cu impedanţmetre.
Tensiunea nominală (Vn) reprezintă valoarea maximă a tensiunii continue
sau alternative (valoare efectivă) maxime la care condensatorul nu se străpunge la
o funcţionare îndelungată. Dielectricul, prin rigiditatea dielectrică Estr a
materialului şi prin grosime, determină valoarea maximă a tensiunii ce se poate
aplica condensatorului. La depăşirea intensităţii câmpului electric Estr apare
fenomenul de străpungere al dielectricului ( E str  U str d ) şi prin aceasta, în
majoritatea cazurilor, condensatorul iese din funcţiune.
Tangenta unghiului de pierderi (tg) reprezintă raportul dintre puterea
activă şi puterea reactivă a condensatorului determinată şi măsurată în condiţii
specificate (de tensiune, de frecvenţă a tensiunii alternative aplicate la borne şi de
temperatură, etc.). La funcţionarea cu tensiune sinusoidală cu pulsaţia , tangenta
unghiului de pierderi pentru schema echivalentă paralel tgp sau pentru schema
echivalentă serie tgs se determină cu una dintre relaţii:
14
1
tg p  ; tg s  Rs  C (2.4)
C  R p
Unghiul  reprezintă complementul (abaterea) unghiului de defazaj dintre

tensiunea şi curentul din circuitul unui condensator real. Valorile uzuale ale
unghiului  se situează între câteva minute până la câteva grade.
La condensatoarele cu Cn>0,1F se indică uneori constanta de timp Ts în
locul tg sau Rp:
Ts  R p  Cn [s]. (2.5)
Această mărime este corelată cu timpul de încărcare sau de descărcare al

condensatorului.
2.2. Comportarea condensatorului real în frecvenţă
Condensatorul real se caracterizează, pe lângă capacitatea electrică C şi prin

elemente parazite R, L ale căror valori depind de varianta constructivă a
condensatorului tabelul 1 şi de tehnologia de fabricaţie.
Schema echivalentă paralel a condensatorului real (fig.2.2.a) conţine:
capacitatea Cp=rC0 (C0 capacitatea fără dielectric între armături) în paralel cu
rezistenţele de pierderi: Rp a materialului dielectric (Rp = 1   C  tg  ). Această
schemă poate fi transformată, prin conectarea elementelor, într-o schemă
echivalentă serie (fig.2.2.b).
Fig. 2.1 Schema echivalentă a condensatorului real, a) Schema echivalentă paralel;

b) schema serie c), d) Diagrame de fazori.
La alegerea condensatoarelor pentru circuite electronice trebuie să se ţină

seama de domeniul de frecvenţă în care acestea se pot utiliza (fig. 2.2).
15
Fig. 2.2 Domeniul de frecvenţă pentru diferite tipuri condensatoare.
3.1. Se măsoară parametrii schemei echivalente la un număr de condensatoare

(ceramice, cu poliester metalizat, cu polistiren) la diferite frecvenţe şi se
determină toleranţa individuală t [%];
3.2. Se determină dependenţa tg de frecvenţă [ tg (f) ];
3.3. Se măsoară capacitatea unor condensatoare electrolitice şi se determină
constanta de timp;
3.4. Se determină puterea disipată care rezultă la utilizarea lor la tensiunea
nominală şi la frecvenţa maximă de funcţionare a seriei din care condensatorul
face parte.
4.1. Se va conecta pe rând câte un condensator la bornele la bornele RLC –

metrului (impedanţmetru de laborator WK-4265 -Wayne Kerr) (fig. 2.3).
Aparatul va indica schema echivalentă parametrii corespunzătore schemei
echivalente serie sau paralel (C şi R sau C şi tg).
Fig. 2.3. Schema de măsurare a condensatoarelor cu RLC – metru.
RLC -metru permite măsurarea capacităţii la frecvenţe cuprinse între 100

Hz şi 100 kHz. Prin modificarea în trepte a frecvenţei de măsură se pot obţine
16
parametrii schemei echivalente la patru frecvenţe diferite: f=100 Hz, 1 kHz, 10

kHz, 100 kHz.
Datele condensatoarelor (tip condensator, valoarea nominală Cn [nF, pF],
toleranţa t[%]) alături de datele determinărilor experimentale se trec în tabelul 2.2.
Tabelul 2.2
Nr. Tip Cn Ci Rs tm f tg P Observaţii
condensator [nF]t[%] [nF] [] [%] [Hz] [W] [limite,
(Cod) sau toleranţe]
Rp
[k]
- Se calculează toleranţa corespunzătoare condensatorului măsurat t:
C  Cn
tm   100%
Cn (2.6)
unde: C - valoarea capacităţii măsurate;

Cn capacitatea nominală (valoarea marcată).
De obicei, toleranţa unei măsurări individuale este mai mică decât toleranţa
t a seriei din care face parte condensatorul. Îndeplinirea acestei condiţii se va
consemna la rubrica Observaţii.
- Se calculează puterea disipată în dielectricul condensatorului la

frecvenţa la care se măsoară tg cu ajutorul relaţiei:
P  2  f  C  U n2  tg (2.7)
unde: Un – tensiunea nominală a condensatorului; f – frecvenţa de

măsurare.
4.2. Se măsoară parametrii schemei echivalente pentru un număr de

condensatoare electrolitice (minim 5). Datele măsurărilor şi cele calculate se trec
în tabelul 3.
Tabelul 2.3
Nr. Ci Parametrii f Ts
Date [F] schemei. [Hz] [s] Observaţii
nominale echivalente.
[Cn,, t%, Un] Cp[F] Rp []
(tg)
Se calculează constanta de timp Ts folosind relaţia (2.5).

17
5. Întrebări
1. Cum se pot determină parametrii schemei echivalente serie în funcţie de cei

ai schemei echivalente paralel şi care sunt relaţiile de calcul în funcţie de
tg?
2. Care este valoarea permitivităţii relative r a dielectricului ceramic folosit la
realizarea unui condensator disc (plan) cu diametrul D=15 mm şi grosimea
g=0,5 mm, dacă C=200 pF?
3. Cum depinde puterea disipată într-un condensator de construcţia acestuia?
4. Cum s-a obţinut relaţia de calcul a puterii disipate în dielectricul
condensatorului (relaţia (7))?
2. Parametrii condensatoarelor şi mod de determinare; caracteristicile
aparaturii folosite.
3. Completarea tabelelor 2 şi 3 şi indicarea modului de calcul (exemple
de calcul).
4. Prezentarea concluziilor desprinse din determinărilor experimentale
(caracteristicile de frecvenţă, domenii de utilizare ale
condensatoarelor).
18
L.3
PARAMETRII BOBINELOR. DEPENDENŢA

PARAMETRILOR DE FRECVENŢĂ
1. Scopul lucrării
 cunoaşterea parametrilor bobinelor şi a dependenţei acestora de

construcţie şi frecvenţă;
 însuşirea modului de determinare a parametrilor schemei echivalente;
 domenii de utilizare a bobinelor în funcţie de construcţie.
Bobinele se întâlnesc în diferite aplicaţii în domeniul electronicii şi

telecomunicaţiilor: circuite oscilante, filtre (trece bandă, opreşte bandă, trece jos
sau trece sus), circuite de deflexie ale tuburilor cinescop, etc. Construcţia bobinelor
depinde de o serie de factori cum ar fi: destinaţia bobinei, valoarea inductanţei,
factorul de calitate, mod de asamblare şi ecranare, etc. Bobinele de valori mici se
realizează fără miez magnetic sau cu miez cilindric, iar bobinele cu inductanţe
mari se realizează cu miezuri magnetice (ferite) de diferite forme (cilindrică,
toroidală, oală).
Părţile componente ale unei bobine sunt: înfăşurarea (bobinajul), carcasa,
miezul magnetic şi ecranul. În funcţie de varianta constructivă unele părţi
componente pot lipsi, dar înfăşurarea este indispensabilă.
2.1. Parametri bobinelor
Bobinele pot fi caracterizate, în principal, prin: valoarea inductanţei L, sau a

factorului de inductanţă AL şi prin factorul de calitate QL.
Inductivitatea (inductanţa proprie) se defineşte prin raportul dintre fluxul
magnetic propriu  şi valoarea curentului i care străbate bobina, iar prin înlocuirea
numărului de spire N şi a reluctanţei Rm rezultă:
 N2
L  (1)
i Rm
Reluctanţa magnetică Rm este:
lm
Rm  (2)
  Sm
unde: lm - lungimea liniilor de câmp;  =0 r permeabilitatea absolută; Sm –
suprafaţa prin care se închid liniile de câmp.
Factorul de inductanţă AL [nH / sp2 ] reprezintă inductanţa pe care o poate
avea o bobină, de formă şi dimensiuni date, situată pe un miez într-o poziţie
19
determinantă, dacă ar fi formată dintr-o singură spiră. În funcţie de factorul de

inductanţă AL, inductanţa unei bobine cu N spire se calculează cu relaţia:
LH   N 2  AL  10 9 (3)
Valoarea factorului de inductanţă AL este indicată de către producătorii de

ansambluri pentru bobine (carcase, miez magnetic, juguri de strângere şi fixare) cu
miez din ferită.
Factorul de calitate QL reprezintă raportul dintre puterea reactivă Pr şi puterea
activă P disipată în bobină, respectiv:
Pr   Ls
QL   (4)
P Rs
În general, factorul de calitate QL = 0...300 la bobinele utilizate în echipamentele

electronice.
2.2. Construcţia şi comportarea bobinelor în frecvenţă
Schema echivalentă a bobinei reale conţine pe lângă inductanţa LS şi

rezistenţa de pierderi RS în înfăşurare şi în miez (schema echivalentă serie),
precum şi capacităţile C10, C20 şi C12 (fig. 3.1).
LS R
C12 S
Fig. Schema
Fig.13.1 Schema
echivalentă
echivalentă
a bobinei
a unei
1 2 bobinei
realereale
C10 C20
Miez
magnetic
Bobinajul se realizează, de obicei, cu conductoare de cupru izolate (email -
CuEm, email+bumbac, email+mătase), cupru neizolat sau argintat (pentru bobine
de înaltă frecvenţă) sau argint, înfăşurare spiră lână spiră sau cu spaţii între spire
(bobinaj cu pas). Pentru acest tip de bobinaj rezultă o capacitate parazită mai mare
şi apare pericolul străpungerii electrice din cauza alăturării de spire cu diferenţe
mari de potenţial.
La bobinajele de înaltă frecvenţă (ÎF) (f10 MHz) se folosesc conductoare
multifilare formate din 7-15 conductoare cu diametru foarte redus şi izolate
individual, ansamblul lor fiind izolat cu bumbac sau mătase (liţa de radiofrecvenţă
- liţa de RF). Liţa de RF se poate folosi până la frecvenţe de ordinul 1-3 MHz, însă
numai în cazurile în care este necesară obţinerea unui factor de calitate ridicat.
Acest conductor liţat are rezistenţă echivalentă în curent alternativ scăzută, datorită
unui efect pelicular mai redus în comparaţie cu conductoarele masive. Pentru
bobinajele folosite la ultraînaltă frecvenţă (Ultra High Frequency-UIF), datorită
efectului pelicular, se folosesc conductoare din cupru argintat izolate cu email-
mătase sau chiar neizolate.
20
Principalele tipuri de bobine cilindrice şi bobinaje utilizate la frecvenţe medii

şi mari (ordin MHz) cu caracteristicile (formă, factor de calitate Q, capacitate
proprie Cp) şi utilizările corespunzătoare sunt prezentate în tabelul 3.1.
Tabelul 3.1 Bobinaje utilizate pentru diferite domenii de frecvenţe.

Nr.
crt. Tipul Aspect Domeniu de Q Cp Observaţii
bobinajului utilizare
Într-un strat Întreaga gamă de 80... cu/făra miez

cu spire frecvenţe; .250 mică cu/fără
1. alăturate L mici ( 0,1 H.. carcasă
 0,1 H)
150...
Într-un strat Frecvenţe înalte şi 350 f. mică idem 1
cu spire foarte înalte, L mici puteri mari
2. distanţate ( nH...  0,1 mH) (emisie)
Frecvenţe înalte şi 150...
foarte inalte, L mici ...300 f. mică Fără miez;
Bobinaj spiral ( nH) puteri mari se fac şi pe
3. cablaj
pentru emisie
imprimat
Mai multe Frecvente joase când mic <
4. straturi spiră nu contează Q, 50 f. mare idem 1
lânga spiră şi Q mic, L mari
strat peste
strat
Mai multe Frecvenţe medii < uneori pe carcasă
5. straturi ( < 2MHz), L mari satisfa- mare cu flanşă
bobinate cator sau pe miez
întâmplător
Frecvenţe medii şi bun pe carcasă
6. Piramidal înalte (> 80) medie sau pe miez
Frecvenţe medii si bun
7. Cu straturi înalte, puteri mari (> 80) mică carcase
distanţate (emisie, L medie) speciale
Bobinaj Frecvenţe medii şi mediu

8 secţionat joase, L medie mare (50... medie pe carcase
(galeţi) ...100)
Frecvenţe medii şi f. bun pe miez sau
9. În fagure joase (> 50) mică pe carcase;
(încrucişat) (50 KHz... 5MHz) au
L mare (> 50H) rigiditate
bună
10. În fagure idem 9 idem 9 idem 9 idem 9

(universal) se execută
mai uşor
21
Toată gama, în unul idem

11. Bifilar sau mai multe 1, 2
straturi pentru
obţinerea unui cuplaj
strâns
Carcasa constituie suportul izolant pe care se realizează bobinajul. Acesta are

în general o formă tubulară de diferite secţiuni (circulară, pătrată, dreptunghiulară
sau în funcţie de forma miezului magnetic) cu sau fără flanşe.
Miezul constituie circuitul magnetic care intră în componenţa unor bobine
pentru asigurarea concentrării liniilor câmpului magnetic. Prezenţa miezului
magnetic în interiorul bobinei permite, prin concentrarea liniilor de flux magnetic,
obţinerea unei inductivităţi şi a unui factor de calitate de valori mult mai mari
decât în lipsa acestuia. În unele cazuri, prin modificarea poziţiei relative a miezului
în raport cu bobinajul, se asigură şi posibilitate de reglaj a inductivităţii între
anumite limite.
Miezurile din ferită se folosesc uzual pentru domeniul de frecvenţă 10
kHz…200 MHz. În domeniul 10 kHz…1 MHz se folosesc ferite Mn-Zn, în
domeniul radiofrecvenţei, respectiv 1MkHz…100 MHz se utilizează feritele Ni-Zn,
iar pentru frecvenţe mai mari, ferite Li-Zn.
Ecranul are rolul de a atenua influenţele reciproce dintre bobină şi circuitele
învecinate. Pentru joasă frecvenţă se folosesc ecrane din material feromagnetice,
iar pentru înaltă frecvenţă ecranele se realizează din materiale de mare
conductivitate: cupru sau aluminiu.
3.1. Se măsoară inductivitatea şi parametrii schemei echivalente a unor bobine

cu miez de ferită şi se determină: factorul de inductanţă AL, factorul de calitate
Q la frecvenţe diferite (f=1 kHz, 10 kHz, 100 kHz) şi se stabileşte variaţia
parametrilor în funcţie de frecvenţa de funcţionare;
3.2. Se calculează permeabilitatea magnetică a miezului de ferită folosit şi se
stabileşte domeniul de frecvenţă în care se pot utiliza bobinele măsurate.
4.1. Se măsoară inductanţa Lx unor bobine cu miez de ferită în domeniul

frecvenţelor f=1...100 kHz şi se determină factorul de inductanţă AL şi factorul de
calitate Q. Se stabileşte dependenţa de frecvenţă.
22
Fig. 3.2 Schema de măsurare a parametrilor bobinelor
Datele se trec într-un tabel de forma indicată mai jos (tabelul 3.2).
Tabelul 3.2
Nr. Tip f Ls Rs Q AL Observaţii
bobină [kHz] [mH] [] [nH/sp2]
(tip miez,
formă)
Se va conecta pe rând câte o bobină la bornele la bornele RLC – metrului

(impedanţmetru de laborator) (fig. 3.2). Aparatul va indica schema echivalentă cu
parametrii corespunzătore schemei echivalente serie sau paralel (L şi R sau L şi Q)
la o anumită frecvenţă.
Factorul de inductanţă AL se calculează cu relaţia (3.3) în care înlocuind
unitatea de măsură [mH], rezultă:
LmH  6
AL   10 (3.5)
N2
Factorul de calitate Qij la schema echivalentă serie se determină cu relaţia

(4) în care prin introducerea frecvenţei de măsurare se obţine:
  Ls 2  f  Ls
Q   (3.6)
Rs Rs
4.2 Se determină variaţia permeabilităţii magnetice echivalente e cu

frecvenţa pentru câteva miezuri de ferită de formă toroidală. Pentru aceasta se
măsoară valoarea inductanţei unei bobine (cu N spire uniform bobinate pe miez)
Lm în domeniul frecvenţelor f=1kHz…100kHz şi se raportează la valoarea
calculată a inductanţei unui tor (fără miez) L0 cu relaţia (3.6):
Lm
e  (3.7)
L0
unde:
23
h N D
L0   0   ln   (3.8)
2 d
iar D, d - diametrele exterior şi interior; h – lăţimea torului, µ0=4π 10-7

H/m.
Dimensiunile geometrice ale torurilor se măsoară cu ajutorul unui şubler.

Rezultatele obţinute se trec în tabelul 3.3.
Tabelul 3.3
Nr N L0 f Lm e
crt. Dimensiuni [spire] [mH] [kHz] [mH]
D[mm] d[mm] h[mm]
Valoarea permeabilităţii magnetice echivalente e depinde în mare măsură

de tipul materialului miezului (tipul feritei). Feritele au permeabilitatea magnetică
e cu atât mai mare cu cât frecvenţa de lucru a acestora este mai joasă (tabelul 3.4).
Tabelul 3.4 Parametrii unor ferite folosite pentru miezuri de bobine

Tipul feritei Permeabilitatea iniţială Frecvenţa max. [MHz}
1500…10.000 0,01…0,5
Mn-Zn 1000…1500 0,4…0,6
750…1000 0,6…1
500…750 1…3
200…300 4…8
Ni-Zn 80…100 10…20
40…50 20…40
15…20 40…80
5. Întrebări
3.1. Cum se pot determină parametrii schemei echivalente serie în funcţie de cei
ai schemei echivalente paralel şi care sunt relaţiile de calcul în funcţie de
factorul de calitate Q?
3.2. Care este valoarea permeabilităţii magnetice echivalente e (şi care este
tipul feritei) a unei miez toroidal de ferită pe care s-au bobinat N=10 spire şi se
obţine L=1H? Torul de ferită are următoarele date: D=25mm; d=15mm;
h=10mm.
3.3. Care este factorul de calitate Q al bobinei toroidale de la pct. 2, dacă la
frecvenţa f=100kHz Ls=1H şi Rs=0,1? Cum se poate realiza o creştere a
factorului de calitate?
3.4. Cum se realizează ecranarea bobinelor de înaltă frecvenţă şi cum poate fi
explicat efectul de ecranare obţinut în acest caz?
24
2. Parametrii bobinelor şi mod de determinare; caracteristicile aparaturii
folosite.
3. Completarea tabelelor 2 şi 3 şi indicarea modului de calcul (exemple de
calcul).
4. Prezentarea concluziilor desprinse din determinărilor experimentale
(caracteristicile de frecvenţă, domenii de utilizare ale bobinelor măsurate).
25
L.4
PARAMETRII LINIILOR DE TRANSMISIE A

SEMNALELOR.
DETERMINAREA IMPEDANȚEI CARACTERISTICE
1. Scopul lucrării
 cunoaşterea caracteristicilor liniilor electrice de transmisie a semnalelor;

 însuşirea modului de determinare a impedanţei caracteristice a liniilor
electrice simetrice şi asimetrice;
 modulul de determinare a impedanţei caracteristice în funcţie de
construcţia (geometria şi materialele folosite) cablurilor coaxiale.
Liniile de transmisie pot fi asimetrice: cablul coaxial (fig. 4.1.a), liniile

plane imprimate tip microstrip (fig. 4.1. c) şi stripline (fig. 4.1. e) sau simetrice:
linii bifilare cu conductoare paralele filare (fig. 4.1. b) sau cu conductoare plane
(fig. 4.1. d).
Fig. 4.1 Linii de transmisie: a) cablu coaxial, b) linie bifilară filară, c) microstrip,
d) linie simetrică plană, e) linie asimetrică plană.
a) Linia bifilară – reprezintă cel mai simplu mediu ghidat ce asigură o cale
directă şi inversă pentru semnalele electrice folosite în telecomunicaţii. În
acest caz, mediul de transmisie al semnalelor este constituit din fire de Cu
sau Al uni sau multifilare de formă cilindrică cu diametre d la distanţa D
(fig. 4.2).
d
D Fig. 4.2 Linie bifilară.
26
Liniile bifilare conţin două conductoare paralele având între acestea dielectric
continuu (fig. 4.3.a) sau cu dielectric dispus intermitent (fig. 4.3.b) sau cu
conductoare răsucite (torsadate) (fig. 4.3.c).
2
Fig. 4.3 Linii bifilare, a) cu conductoare paralele, b) cu conductoare torsadate (răsucite).
Cel mai răspândit mediu ghidat folosit pentru transmisia mai multor
semnale constă din perechi de fire răsucite împreună (torsadate) şi grupate în
cabluri cu 4 până la 3000 de asemenea perechi. Un cablu este un ansamblu de
conductoare izolate şi înfuniate după anumite criterii, cuprinse într-o manta etanşă
peste care se aplică diferite învelişuri de protecţie. Firele sunt izolate cu înveliş de
polietilenă cu sau fără spaţii de aer pe traseu aşa cum se arată în figura 2.a, b, c.
Liniile bifilare folosite în telecomunicaţii sunt grupate în cabluri cu perechi:
terţe, cuarte, quinte, etc. În figura 2 se indică modul de grupare a liniilor bifilare
cartă în stea. Pentru reducerea cuplajului parazit dintre firele din cablu acestea se
ecranează sau se răsucesc periodic cu un unghi de 900.
O linie compusă din conductoare poate fi considerată un circuit electric cu
constante distribuite. Spre deosebire de circuitele electrice care au inductanţa
concentrată în bobine, capacitatea în condensatoare, la linii fiecare porţiune a
conductorului are o capacitate, inductanţă şi rezistenţă (fig. 4.4).
ii R L ie
ui G C
ue
Fig. 4.4 Schema echivalentă cu constante concentrate a unei linii de transmisie
Liniile care servesc la transmiterea semnalelor modulate sunt denumite linii

lungi, deoarece lungimea geometrică a liniei este mai mare decât lungimea de undă
a semnalului modulat. De obicei, de-a lungul unei astfel de linii se propagă o aşa
numită undă progresivă, a cărei viteză de propagare este dată de relaţia:
27
1
v (4.1)
L1C1
unde: R [/m] este rezistenţa, G[S/m] conductanţa, L1 [H/m], şi C1 [pF/m], sunt

inductanţa şi capacitatea pe unitatea de lungime a liniei.
Viteza de propagare în funcţie de proprietăţile mediului care înconjoară
conductoarele, este dată de relaţia:
c
v (4.2)

unde:
c este viteza luminii,
 şi  sunt constanta dielectrică şi permeabilitatea magnetică a
mediului.
Pentru aer se consideră =1, =1 şi de aceea v=c.
Raportul dintre valoarea maximă (efectivă) a tensiunii undei progresive şi
valoarea maximă a curentului care se stabileşte într-o linie electrică este o mărime
constantă. Această mărime se numeşte impedanţa caracteristică a liniei Zo.
Valoarea impedanţei caracteristice a liniei având parametrii din figura 4.4
se determină cu relaţia:
R
j
R  jL L L
Zc   
G  jC C j
G (4.3)
C
La frecvenţă mare L  R, C  G şi impedanţa caracteristică devine:
L
Zc  (4.4)
C
Calculul impedanţei caracteristice se face în funcţie de geometria linei

bifilare (d, D) şi de caracteristicile mediului prin care trece semnalul (r, r).
Pentru liniile de transmisie la care r=1 calculul impedanţei Zc se poate face cu una
din relaţiile:
120 2 D 276 2D
Zc   ln   lg (4.5)
r d r d
b) Cablul coaxial
La cablurile de comunicații cu linii bifilare simetrice frecvenţa maximă de
transmisă este limitată datorită diafoniei și a protecției scăzute la perturbații de
28
natură electromagnetică. Diafonia reprezentă influenţa unui canal (inductiv şi

capacitiv) asupra canalelor adiacente. Reducerea diafoniei se realizează prin
ecranare electromagnetică.
Cablul coaxial a apărut în urma utilizării ecranului liniilor de transmisie
simetrice drept al doilea conductor. Aceste cabluri au devenit mediul de transmisie
pentru sistemele de telecomunicații cu curenţi purtători, televiziune prin cablu și la
transmisii de date. La cablul coaxial conductorul central este înconjurat de
conductorul cilindric de ecranare care constituie referinţa semnalului (conductorul
de masă) care se transmite.
Dielectricul dintre cele două conductoare poate fi aer, materiale dielectrice
solide sau cu incluziuni de aer acesta fiind caracterizate printr-o anumită
permitivitate dielectrică relativă r. Unele caracteristici pentru dielectrici folosiţi la
cabluri coaxiale sunt indicate în tabelul 1.1.
Tabelul 4.1 Caracteristici pentru dielectrici folosiţi la cabluri coaxiale

Materialul dielectric Codificare εr VF
Polietilenă solidă PE 2,28...2,295 0,66
Polietilenă spumă PF 1,56 …1,60 0,79...0,88
Politetraflouretilenă PTFE 2,040 0,7
(Teflon)
Polietilenă cu spaţii de aer ASP 1,27…1,524 0,84
Aer 1
Prin ecranarea conductorului central câmpul electric şi magnetic se poate menţine

în interiorul tubului format din conductorul exterior. Se realizează un efect de
autoecranare, care dă rezultate bune la frecvenţe de peste 100 kHz. La frecvenţe
scăzute datorită adâncimii de pătrundere mari ecranarea devine ineficace. Unele
variante constructive pentru cabluri coaxiale sunt prezentate în figura 5.
Fig. 4.5 Variante constructive ale ecranului cablului coaxial a) conductor exterior
împletit, b) cablu simplu ecranat, c) cabluri dublu ecranate, d) cablu triaxial.
29
Valorile optime ale raportului (D/d) a perechii coaxiale se determină prin

minimizarea expresiei atenuării. Pentru r=1 (dielectric aer) se obţine raportul
optim (D/d)=3,6, care corespunde unei impedanţe caracteristice de 77 .
Atenuarea semnalelor se datorează pierderilor în cabluri, pierderi care se pot
grupa în dielectrice şi rezistive. Pierderile dielectrice sunt independente de
geometria conductoarelor liniei coaxiale, acestea depinzând de caracteristicile
materialului dielectric. În contrast, valoarea pierderilor rezistive depinde de
geometria conductoarelor şi acestea cresc proporţional cu pătratul frecvenţei.
Caracteristicile electrice ale cablului coaxial
Dintre caracteristicile cablului coaxial se pot menţiona: felul conductorului

central (liţat sau masiv) cu diametrul d , felul tresei de ecranare (răsucită sau
împletită) cu diametrul exterior D, materialul dielectricului caracterizat prin
permeabilitatea electrică r.
Impedanţa caracteristică Z0 a cablului coaxial în condiţiile
L  R, C  G se poate determină cu relaţia (4.4).
Calculul impedanţei caracteristice se face în funcţie de geometria cablului
(d, D) şi de caracteristicile mediului prin care trece semnalul (r, r). Pentru liniile
de transmisie la care r=1 calculul impedanţei Zc se poate face cu una din relaţiile:
r D 60 D 138 D
Z calc  60   ln   ln   lg (4.6)
r d r d r d
Valorile impedanţa caracteristică Zc sunt tipizate, cele mai utilizate fiind: 50

, 75 , dar se realizează cabluri şi cu alte valori ale impedanţei (25 , 60 , 120
, 240 , etc.). Eroarea relativă de calcul a impedanţei caracteristice se determină
cu relaţia:
Z c  Z calc
 100 [%] (4.7)
Zc
Atenuarea introdusă de cablul coaxial depinde de tipul de dielectric şi de

D
raportul . Deoarece atenuarea creşte neliniar cu frecvenţa, acest parametru este
d
indicat de către producători la anumite valori ale frecvenţei (de exemplu: 10 MHz,
100 MHz, 200 MHz, 400 MHz, 800 MHz).
Caracteristicile unor cabluri coaxiale cu impedanţa caracteristică 50 Ω și 75 Ω
se prezintă în Anexa 4.1.
a. Se urmăreşte construcţia unor linii bifilare şi se determină geometria (conform

fig. 2 - diametrul conductoare d, distanţa D dintre conductoare).
30
b. Se observă construcţia unor cabluri coaxiale şi se determină geometria

(conform fig. 5 - diametrul conductor interior d, diametrul conductor exterior
D).
c. Se măsoară în gol capacitatea proprie C şi apoi în scurtcircuit inductanţa L a
cablurilor de studiat.
d. Se determină impedanţele caracteristice Zc [] a tronsoanelor de cabluri
bifilare. respectiv coaxiale.
e. Se calculează impedanţele caracteristice Zcalc [] a tronsoanelor de cabluri
bifilare.
f. Se determină eroarea  de calcul a impedanţei proprii Zcalc[] a cablurilor
măsurate.
4.1. Se stabilesc dimensiunile tronsoanelor de cabluri supuse determinării

impedanţei caracteristice. Datele se trec în tabelul 4.2.
4.2. Se determină capacitatea proprie a fiecărui tronson de cablu prin conectarea pe
rând a celor două conductoare la bornele RLC – metrului (impedanţmetru de
laborator) capetele libere ale cablului vor rămâne libere (în gol) (fig. 4.6.a).
Aparatul va indica capacitatea proprie a tronsonului de cablu conectat la borne.
4.3. Se scurcircuitează capetele libere ale cablului şi se măsoară impedanţa proprie
a tronsonului de cablu conectat la borne. Aparatul (RLC-metru) va indica
inductanţa proprie a tronsonului de cablu conectat la borne (fig. 4.6.b).
RLC -metru
a)
Cx
b) RLC -metru
Lx
Fig. 4.6 Schema de măsurare cu RLC -metru a) măsurarea capacităţii proprii

a cablului b) măsurarea inductivităţii proprii a cablului
Datele experimentale (tip linie electrică, diametrul conductoarelor, distanţa

dintre conductoare D) alături de cele calculate se trec în tabelul 4.2.
Tabelul 4.2
Nr. Tip cablu d C L Zc Zcalc 
crt. [mm] D [pF] [H] [] [] [%]
[mm
31
Calculul impedanţei caracteristice Zc [] se face cu relaţia (4.4).

Pentru cablurile măsurate, în funcţie de datele geometrice ale
conductoarelor cablului coaxial cu izolaţie din polietilenă (r=2...2,2), se
calculează impedanţa Zcalc[] folosind relaţia (4.5) la liniile bifilare şi (4.6) pentru
cablurile coaxiale.
Eroarea  de calcul a impedanţei proprii Zcalc[] a cablurilor măsurate se
determină folosind relaţia (4.7)
5. Întrebări
1. Care este viteza de propagare a undei într-un cablu cu conductoare din cupru şi
cu izolaţie din polietilenă?
2. Care este principiul care stă la baza determinării impedanţei caracteristice a
liniilor electrice în prezenta lucrare?
3. Un cablu coaxial cu dielectric PTE (r=2) are conductorul central cu diametrul
d=1,5 mm. Să se determine:
a) diametrul exterior D pentru ca impedanţa caracteristică să aibă
valoarea Zc=50 ;
b) diametrul exterior D pentru ca impedanţa caracteristică să aibă
valoarea Zc=75 ;
4. Semnalul electric u(t )  28,2 cos (2,512  10 t  0,314) [V ] este transferat la
9
intrarea unui amplificator de putere cu Z0=75  printr-un tronson de cablu

coaxial RG 59/U. Dacă la ieşirea cablului coaxial (intrarea amplificatorului)
tensiunea este u(t )  5,64 cos (2,512  10 t  0,628) [V ] să se determine:
9
a) atenuarea [dB] introdusă de tronsonul de cablu coaxial;

b) defazajul (rad. şi grade) introdus de cablu;
c) lungimea tronsonului de cablu coaxial;
d) nivelul amplificării necesare pentru a obţine la ieşire puterea P2=10 W.
8. Caracteristicile liniilor de transmisie şi mod de determinare.
9. Completarea tabelului 1.1 şi indicarea modului de calcul (exemple de
calcul).
10. Prezentarea concluziilor desprinse din determinărilor experimentale.
32
Anexa 4.1
Caracteristici ale cablurilor coaxiale tip RG
d fir
Codificare Z VF pF/m Pierderi dB / 100m D ext Nr. fire Dielectric
100 400 Nr.x
[Ω] 30 MHz [mm] [mm]
MHz MHz diametru
RG5/U 52.5 0.66 93.5 6.6 8.2 19.4 8.432 0.72 PE
RG-5B/U 50 0.66 96.78 6.2 7.9 19.4 8.432 0.72 PE
RG-6A/U 75 0.66 67 6.2 8.9 19.4 8.432 1x0.72 0.72 PE
RG-7/U 95 41 7.8 17.0
RG-8/U 50 0.66 96.5 7.8 17.0 10.3 7X0.724 2.169 PE
RG-8A/U 50 0.8 97 4.7 6.2 13.4 10.3 7.25 PE
RG-9/U 51 0.66 98.4 4.9 6.5 16.4 10.79 PE
RG-9A/U 51 0.66 98.4 4.9 7.6 16.4 10.79 7X0.72 2.169 PE
RG-9B/U 50 0.66 100 4.9 7.6 16.4 10.79 7X0.72 2.169 PE
RG-10A/U 50 0.66 100 4.3 6.2 13.4 12.06 1.20 PE
RG-11/U 75 0.66 67.2 5.3 7.5 15.8 10.3 7X0.40 1.20 PE
RG-11A//U 75 0.66 67.5 4.0 7.5 15.7 10.3 7X0.40 1.20 PE
RG-12/U 75 0.66 67.5 12.0 PE
RG-12A/U 75 0.66 67.5 5.2 7.54 15.7 12.0 PE
RG-13/U 74 0.66 67.5 5.3 7.6 15.8 PE
RG-13A/U 75 0.66 67.5 5.2 4.6 10.2 13.84 PE
RG-16/U 52 0.67 96.8 3.95 16.0
RG-17/U 52 0.66 96.7 2.03 3.11 7.87 22.1 1X4.80 4.80 PE
RG-17A/U 52 0.66 98.4 2.03 3.11 7.9 22.1 4.80 PE
RG-18/U 52 0.66 2.03 3.11 7.87 PE
RG-18A/U 50 0.66 100 2.03 3.11 7.9 24.0 PE
RG-19/U 52 0.66 100 1.59 2.26 6.07 PE
RG-19A/U 50 0.66 100 1.50 2.26 6.07 28.44 6.52 PE
RG-20/U 52 0.66 100 1.50 2.26 6.07 PE
RG-20A/U 50 0.66 100 1.50 2.26 6.07 30.35 6.52 PE
RG-21A/U 50 0.66 100 30.5 42.7 85.3 8.432 PE
RG-22B/U 95 0.66 52.9 6.0 12.0 16.5 10.7 7X0.4 1.2 PE
RG-29/U 53.5 0.66 93.5 14.4 31.5 4.673 PE
RG-34A/U 75 0.66 67.2 2.79 4.59 10.9 16.0 7X0.64 1.90 PE
RG-34B/U 75 0.66 67.0 2.79 4.6 10.9 16.0 7X0.64 1.90 PE
RG-35A/U 75 0.66 67.3 1.90 2.8 6.4 PE
RG-35B/U 75 0.66 67 1.90 2.79 6.4 PE
RG-54A/U 58 0.66 87.0 10.5 22.3 PE
RG-55/U 53.5 0.66 93.5 10.5 15.8 32.8 5.3 1X0.90 0.90 PE
RG-55A/U 50 0.66 97.0 10.5 15.8 32.8 5.5 0.91 PE
RG-55B/U 53.5 0.66 94.0 10.5 15.8 32.8 5.5 0.91 PE
RG-58/U 50 0.66 95.0 9.0 16.1 39.5 5.0 19X0.18 0.90 PE
RG-58A/U 53.5 0.66 93.5 10.9 16.0 39.4 4.96 19X0.18 0.90 PE
RG-58B/U 53.5 0.66 93.5 15.1 34.4 4.96 0.81 PE
RG-58C/U 50 0.66 100 10.9 16.1 39.4 4.95 19X0.18 0.90 PE
RG-59/U 73 0.66 68.6 7.9 11.2 23.0 6.20 0.64 PE
RG-59B/U 75 0.66 67.0 7.9 11.2 23.0 6.20 1X0.58 0.58 PE
RG-62/U 93 0.84 44.3 5.7 8.86 17.4 6.20 0.64 PEA
RG-62A/U 93 0.84 44.3 5.7 8.89 17.4 6.2 1X0.64 0.64 PEA
RG-63B/U 125 0.76 36.0 3.6 9.51 20.34 1X0.64 0.64 PE
PE – polietilena, PEA =- polietilena cu aer, PTFE – politetraflour etilen (teflon)

33
Caracteristici ale cablurilor coaxiale tip RG

Codificare Z VF pF/m Pierderi dB / 100m D ext Nr. fire d fir Dielectric
100 400 Nr.x
[Ω] 30 MHz [mm] [mm]
MHz MHz diametru
RG-71B/U 93 0.66 46.0 5.7 8.86 17.4 6.20 1X0.64 0.64 PE
RG-74A/U 50 0.66 100 3.3 4.6 10.2 15.7 PE
RG-83/U 35 0.66 144.4 PE
RG-84/U 75 67.0 2.00 2.79 6.4
RG-112/U 50 0.66 100 45 4.06 27X0.13 0.80 PE
RG-
185 0.66 22 42 10.3 1X0.18 0.18 PE
114A/U
RG-122/U 50 0.66 100 14.8 23.0 54.2
RG-
95 0.66 53.0 10.3
133A/U
RG-141/U 50 0.70 96.5 10.82 22.64 4.9 PTFE
RG-
50 0.69 96.5 10.85 22.64 4.9 PTFE
141A/U
RG-142/U 50 0.70 96.5 12.8 26.25 4.95 1X0.99 0.99 PFTE
RG-
50 0.70 96.5 12.8 26.25 4.95 1X0.99 0.99 PTFE
142B/U
RG-164/U 75 0.66 67 2.00 2.79 6.4 22.10 1X2.65 2.65 PE
RG-174/U 50 0.66 101 17.0 29.2 57.4 2.55 7X0.16 0.48 PE
RG-
50 0.66 100 21.7 29.2 57.4 2.54 7X0.16 0.48 PE
174A/U
RG-177/U 50 0.66 100 2.03 3.11 7.9 22.73 1X4.95 4.95 PE
RG-
50 0.70 93.5 27 43 91.9 1.9 7X0.10 0.30 PTFE
178B/U
RG-
75 0.70 18 29 70 1.9 7x0.10 0.30 PTFE
179B/U
RG-
95 0.70 11 23 58 3.7 7X0.10 0.30 PTFE
180B/U
RG-
75 0.70 64 18 29 70 2.79 7X0.10 0.30 PTFE
187A/U
RG-
50 0.70 95 17 37.4 54.8 2.79 7X0.17 0.51 PTFE
188A/U
RG-
95 0.70 14 33 58 3.8 7X0.10 0.30 PTFE
195A/U
RG-
50 0.70 95 27 43 95 2.03 7X0.10 030 PTFE
196A/U
RG-212/U 50 0.66 100 6.2 8.9 19.4 8.43 1X1.41 1.41 PE
RG-213/U 50 0.66 97 3.2 6.25 13.5 10.3 7X0.752 2.25 PE
RG-213
50 0.772 73 1.95 10.3 7X0.752 2.25 PEF
FOAM
RG-214/U 50 0.66 100 4.9 7.6 16.4 10.3 7X0.752 2.25 PE
RG-215/U 50 0.66 101 4.3 6.2 13.5 12.1 7X0.76 2.3 PE
RG-216/U 75 0.66 67 5.3 7.6 15.8 10.8 7X0.40 1.20 PE
RG-217/U 50 0.66 100 3.9 4.6 10.17 13.84 1X2.70 2.70 PE
RG-218/U 50 0.66 100 2.03 3.11 7.87 22.1 1X4.95 4.95 PE
RG-219/U 50 0.66 100 2.03 3.11 7.87 24.3 1X6.66 4.95 PE
RG-220/U 50 0.66 96.8 1.50 2.29 6.07 28.45 1X6.60 6.60 PE
RG-221/U 50 0.66 100 1.50 2.26 6.07 30.0 1X6.60 6.60 PE
RG-223/U 50 0.66 101 10.5 15.8 32.8 5.3 1X090 0.90 PE
RG-224/U 50 0.66 100 3.3 4.6 10.2 15.6
RG-316/U 50 0.70 95 17.0 28.0 2.59 7X0.17 0.51 PTFE
L5.
TEHNOLOGIA TRANZISTOARELOR BIPOLARE
2.1 SCOPUL LUCRĂRII
Lucrarea îşi propune cunoaşterea:

- variantelor constructive de tranzistoare bipolare;
- principalelor etape ale tehnologiei tranzistoarelor bipolare;
- structurii emitoarelor tranzistoarelor bipolare medie şi mare de putere şi a celor de
înaltă frecvenţă;
- modului de transfer a căldurii degajate de cip spre mediul ambiant;
- modului de apreciere a tranzistoarelor defecte.
2.2. INDICAŢII TEORETICE
Tranzistoarele bipolare se împart în funcţie de tehnologia de fabricaţie în:

- tranzistoare aliate, realizate prin procese de aliaere - tehnologie specifică
tranzistoarelor cu germaniu;
- tranzistoare simplu difuzate (structură hometaxial): se realizează prin difuzarea
simultană a impurităţilor pe ambele feţe ale unei plachete dopate iniţial;
- tranzistoare dublu şi triplu difuzate se obţin prin difuziile succesive ale bazei şi
emitorului; se caracterizează tensiuni mai mari de colector, deoarece zona
colectorului conţine şi o zonă de rezistivitate mare;
- tranzistoare planar epitaxiale sunt forte răspândite în construcţia tranzistoarelor
de semnal mic precum şi a celor de putere destinate aplicaţiilor la tensiuni mici
şi medii.
Structura unui tranzistor planar epitaxial dublu difuzat este prezentată în figura 1.
Etapele principale de obţinere a tranzistoarelor npn planar epitaxiale discrete sunt
prezentate în tabelul 1.
n
p E B Strat epitaxial de tip n
n+
C
Fig. 1 Structura unui tranzistor planar epitaxial
Plachetele semiconductoare sunt supuse unor multitudini de operaţii, care se

realizează într-o succesiune bine determinată, prin procesul tehnologic specific pentru
fiecare variantă constructivă de tranzistoare.
Tranzistoare npn sunt mai răspândite decât cele pnp datorită caracteristicilor mai
bune (factor de amplificare, frecvenţă de tăiere) care se pot obţine prin tehnologia planară.
În tabelul 1 se prezintă principalele etape ale tehnologiei de obţinere a

tranzistoarelor epitaxiale (tranzistoare planar epitaxiale dublu difuzate).
2
Tabelul 1
Plachetă de Si (wafer) monocristalin puternic dopat (NI1016

1. n+ 0,3mm atomi/cm2) cu D=5075mm şi grosime g0,3 mm
10m
Creşterea epitaxială unui strat n slab dopat xepi10m
2.
n+
.
SiO2 2m
Oxidarea termică umedă a unui strat de oxid cu
3. grosimea 2m
n+
Fotolitografie (masca 1) – deschiderea

4. ferestrei pentru difuzia bazei
n+
5. Predifuzia atomilor de bor

n+
6. Difuzia atomilor de bor în atmosferă

n+ oxidantă
7. Fotolitografie (masca 2) – deschiderea

n+ ferestrei pentru difuzia emitorului
Difuzia emitorului prin impurificare cu

8. fosfor schimbându-se tipul dopării (din n
n+ în p)
Reoxidare
9.
n+
Tabelul 1 Principalele etape ale tehnologiei unui tranzistor npn planar epitaxial (cont.)
Fotolitografie (masca 3) – Deschiderea

10. ferestrelor pentru contactele ohmice
n+ (B şi E)
Metalizare neselectivă (Al pur pentru

11. zone p şi Au-Sb sau Au-Ni pentru zone n)
n+
Corodarea stratului metalic (cu excepţia

12. zonelor de contact)
n+
13. Reducerea grosimii subtratului

100m
Metalizarea subtratului
14.
B
E Montarea în capsulă (lipire colector)
15. Sudarea bazei şi a emitorului
C
16.
Încapsulare, marcare
Construcţia verticală a structurii tranzistorului bipolar realizat în tehnologia planară, face ca

circulaţia curentului de colector să fie perpendiculară pe curentul de bază. În aceste condiţii
o mare parte a curentului de emitor se concentrează la periferia emitorului . Din această
4
cauză se impune, în special la tranzistoarele de curent mare, ca prin construcţie să se

asigure un bun raport dintre perimetrul şi aria emitorului, aşa cum se indică în figura 2
pentru tranzistoarele 2N3055 (IC=15A) (fig. 2.a) şi BD140 (IC=1,5A) (fig. 2.b).
Fenomenul de concentrare a liniilor de curent la periferia emitorului determină şi geometria
emitorului pentru tranzistoarele de înaltă frecvenţă 2N3375– structura de pieptăne (mai
multe emitoare conectate în paralel- fig. 2. c).
0,8mm
5mm 0,32mm
0,8mm
0,4mm
5mm
b) c)
a)
Fig. 2 Geometria emitorului pentru tranzistoarele: a) 2N3055, b) BD140,
c) 2N3375
Din figura 2 se observă că dimensiunile cipului sunt dependente de valoarea maximă a

curentului de colector pe care tranzistorul trebuie să o suporte. În funcţionarea
tranzistorului, trecerea curentului prin joncţiuni determină o putere disipată care se
transformă în căldură. Căldura disipată trece prin siliciu şi dă naştere unor gradienţi de
temperatură pe suprafaţa cipului.
Căldura degajată de către cipul tranzistorului în timpul funcţionării sale trebuie să treacă
din siliciu spre capsula în care acesta este încapsulat şi apoi de la capsulă la mediul
ambiant. Pentru tranzistoarele din siliciu din considerente de fiabilitate se impune ca
temperatura cipului (joncţiunii) să nu depăşească 1500 - 2000C.
Rezistenţa termică joncţiune - capsulă Rjc[W/0C] reprezintă o caracteristică a cipului
tranzistorului respectiv, dar şi a capsulei folosite. Această valoarea se indică în cataloagele
producătorilor de tranzistoare. Puterea maximă Pmax [W] pe care o poate disipa un cip
(valoare ideală) se poate determina cu relaţia:
Pmax  R jc  T j (2.1)
Valoarea Pmax care se obţine cu relaţia (2.1) este mai mare decât ceea care se poate obţine în
codiţii reale.
2.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII
A) Se vizualizează plachete semiconductoare cu structuri de tranzistoare bipolare.

Se determină dimensiunile plachetei de siliciu (la măsurarea diametrului se are în
vedere precizările de la lucrarea 1) şi dimensiunea cipului (Lxl).
Se calculează numărul maxim de tranzistoare (cipuri) de pe plachetă cu relaţia (2.2) şi
numărul estimativ de cipuri cu relaţia (2.3).
Datele se consemnează în tabelul 2.
Tabelul 2
Nr. Diametrul Dimensiuni cip Nmax Nestim Observaţii
crt. plachetei
D D L[mm] l[mm]
[mm] [inch]
În rubrica observaţii se va indica forma structuri vizualizate şi faza în care acestea se

prezintă, comparativ cu operaţiile tehnologice prezentate în tabelul 1 (indicarea ultimei
operaţii la care a fost supusă placheta semiconductoare de pe care se face vizualizarea).
B) Se identifică tipul de capsulă pentru diferite tranzistoare (minim 5 capsule) şi constată

care este modul de dispunere a cipurilor (încapsularea) unor tranzistoare bipolare existente
în laborator.
Rezultatele se centralizează în tabelul 3.
Tabelul 3
Nr. Tip capsulă Rjc[W/0C] Dispunerea Pmax
crt. (cod) terminalelor [W]
C) Cu ajutorul multimetrului digital având comutatorul pe poziţia de măsurare a căderii de

tensiune în sens direct se măsoară pe rând între UBE, UBC şi apoi UCE . Datele se trec în
tabelul 4.
UBE
UCE
UBC
Tranzistoarele bune (FUNCŢIONAL) se recunosc valorile UBE, UBC =0,4…0,6 V şi UCE =

(indicaţie de depăşire domeniu UCE =1). DEFECT se declară tranzistorul la care una dintre
valori nu corespunde domeniului de valori precizat.
Tabelul 4
Nr. Tip tranzistor UBE [mV] UBC [mV] UCE [mV] Concluzii
2.4. MOD DE LUCRU
Atenţie: Manipularea plachetelor se efectuează cu deosebită grijă, deoarece acestea sunt

forte fragile şi se pot deteriora (sparge).
6
2.4.1 Vizualizarea structurilor se face cu ajutorul unei lupe, iar pentru măsurarea
dimensiunilor cipurilor (L şi l) se foloseşte un microscop metalografic.
a) Vizualizarea.
Partea optică a microscopului nu se va fixa direct pe probă (placheta de siliciu) pentru a
nu o deteriora, ci se va sprijini lateral pe două benzi de distanţare cu grosimea de
1…1,5mm amplasate diametral faţă de plachetă.
Se reglează obiectivul microscopului, prin rotirea acestuia, până când se va distinge
clar forma structurii de pe plachetă.
b) Măsurarea dimensiunilor cipului. Se roteşte partea care conţine vernierul, pentru a
încadra cipul paralel cu rigla de măsură (axa pe care sunt marcate diviziunile de
măsură). Pentru a se vedea clar diviziunile riglei de măsură se va roti uşor obiectivul
(stnga sau dreapta). Se încadrează iniţial lungimea cipului (L) şi se citesc prin ocular
numărul de diviziuni (o diviziune =0,1mm) care corespundacestei dimensiuni. Se
roteşte apoi cu 900 partea de citire a microscopului şi se măsoară lăţimea (l). Rezultatele
măsurării (L şi l) se notează în tabelul 2.
Se calculează numărul maxim de cipuri de pe plachetă:
sup rafata totala (  D 2 / 4)

N max   (2.2)
sup rafata cipului Ll
Numărul estimativ de cipuri se determină prin prin raportarea suprafeţei utile a plachetei la
suprafaţa unui cip. Suprafaţa utilă se obţine prin diminuarea suprafeţei totale cu suprafaţa
corespunzătoare cipurilor de probă (dacă acestea există - cipuri diferite ca structură de
cipurile majoritare) şi suprafaţa echivalentă a periferiei plachetei (fără structuri). Datele
acestor determinări se centralizează în tabelul 2.
sup rafata utila sup rafata totala  sup rafata neutilizat a

N estim   (2.3)
sup rafata cipului Ll
2.3.2 Încapsularea
Se urmăresc eşantioanele (părţi ale capsulelor: ambază şi capac) care se vor pune la
dispoziţie în acest scop. Capsulele metalice sunt formate din: ambază - partea de fixare a
cipului (conţine şi terminalele) şi capacul. Capsulele din plastic au o ambază metalică care
la încapsulare se mulează în material plastic. La aceste tranzistoare, după încapsulare
ambaza nu mai este vizibilă.
a) Se va urmări succesiunea operaţiilor de încapsulare a cipurilor tranzistoarelor de mică
putere (cu capsulă metalică şi cu capsulă din material plastic) şi la cele de putere
(capsula TO-3).
b) Se va desena forma ambazei şi a capacului.
c) Cu relaţia 2.1 se determină Pmax [W].
Datele se vor introduce în tabelul 3.
Determina integrităţii joncţiunilor tranzistoarelor se face cu ajutorul

multimetrului digital având comutatorul pe poziţia de măsurare a căderii de
tensiune în sens direct "DIODE" se măsoară pe rând între UBE, UBC şi apoi UCE . Datele se
trec în tabelul 4. Tranzistoarele care sunt funcţionale (bune) se recunosc valorile UBE, UBC
=0,4…0,6 V şi UCE = (indicaţie de depăşire domeniu UCE =1). DEFECT se declară
tranzistorul la care una dintre valori nu corespunde domeniului de valori precizat.
2.5 ÎNTREBĂRI
1. Ce tipuri de tranzistoare bipolare cunoaşteţi şi prin ce se caracterizează ?

2. Ce fel de forme au emitoarele tranzistoarelor de putere ? Care este motivul ?
3. Enumeraţi care sunt principalele operaţii folosite la realizarea tranzistoarelor epitaxiale
dublu difuzate?
4. Ce valoare are puterea disipată Pmax la o joncţiune având Rjc=0,25W/0C?
5. Care este principiul care stă la baza determinării stării de integritate a tranzistoarelor
bipolare ? Indicaţi o altă metodă care se poate folosi în acelaşi scop.
2.6. CONŢINUTUL REFERATULUI
2. Tehnologia de realizare a tranzistoarelor bipolare;
3. Completarea tabelelor (2, 3, 5) cu rezultatele determinărilor experimentale;
4. Prezentarea principalelor operaţii şi a subansamblelor de la încapsularea
tranzistoarelor;
Bibliografie
1. Oltean I.D., Componente electronice pasive, Editura Lux Libris, 2000,
2. Oltean I.D., Tehnologie electronică, Tehnologia dispozitivelor semiconductoare şi a
circuitelor integrate, Editura MATRIX ROM, Bucureşti, 2004,
3. Helerea E. , Oltean I., Munteanu A. Materials for electrical engineering – Editura Lux
Libris 2004,
4. Elena Helerea, I. D. Oltean, s.a., Materials for Electrical and Electronic Engineering,
Editura Lux Libris, 2005,
5. M. Tooley BA, Electronic Circuits: Fundamentals and Applications, McGraw-Hill,
New York, 2006
6. McGraw-Hill (www.digitalengineeringlibrary.com)
7. Elliott, D., Microlithography Process Technology for IC Fabrication, pp. 311–350,
McGraw-Hill, New York, 1986.
8. M. F. Ashby, D. R. H. Jones, Engineering Materials, An lntroduction to their
Properties and Applications, Butterworth-Heinemann, Oxford, 2002
9. Cătuneanu V. (coord.) Tehnologie electronică, EDP, Bucureşti, 1981
10. Cătuneanu V. (coord.)Materiale pentru electronică, EDP, Bucureşti, 1982
11. Dima I., Munteanu I., Materiale şi dispozitive semiconductoare, EDP, Bucureşti,
1980
12. Kenjian Ed., Microelectronică, traducere din limba engleză, Ed. Tehnică, Bucureşti,
1966
13. Dan Clein, CMOS IC Layaut, Concepts, methotologies, and Tools, Gregg Shimokura,
1999
14. Kamran Eshraghian, Principles of CMOS VLSI Design, Addison-Wesley Publishing
Company, 1997
15. * * * http://gmv.spm.univ-rennes1.fr
16. Ghimbăşeanu I., Tehnologia materialelor semiconductoare, Universitatea
Transilvania din Braşov, 2002
17. Kasap S.O., Principles of Electrical Engineering Materials and Devices, McGraw-Hill
Co., USA, 2000
18. * * *, Brockhaus abc Electronik, VEB F.A. Brockhaus Verlag, Leipzig,
1978
19. Waldemar von Münch, Einführung in die Halbleitertechnologie, B. g. Teubner,
Stuttgart, 1993
20. Millea A., Măsurări electrice. Principii şi metode. Editura tehnică, Bucureşti, 1981
21. Kasap S.O., Principles of Electrical Engineering Materials and Devices, McGraw-
Hill, New York, 2000
22. Bârsan M. Radu, Fizica şi tehnologia circuitelor MOS integrate pe scară mare,
Editura Academiei, Bucureşti, 1989
23. * * *, POWER MOSFET TRNSISTOR DATA, MOTOROLA
Semiconductors, 1990
24. * * *, HANDBUCH SCHALTTRANSISTOREN, SGS-Thomson
Microelectronics, Muenchen, 1991
25. * * *, SMART POWER, SGS-Thomson Microelectronics, 1st Edition, 1989
26. Gray R.P., Meyer R.G., Circuite integrate analogice. Analiză şi proiectare, Editura
Tehnică, Bucureşti, 1983
27. Popescu C.A., s.a., Tehnica monocip,. Circuite integrate liniare proiectate la
comandă, CCSITS, Bucureşti, 1984
28. Baker J. R., Harry W., Boyce D., E., CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation,
IEEE Press, McGraw-Hill, 1998
29. Bonath W., Unterlagen zur Vorlesung Mikroelektronik, Stand: WS 2000/2001,
Fachochschule Giessen-Friedberg, 2002
30. Johns. D. a., Martin K., Analog Integrated Circuit Design, JohnWiley&Sons, Inc.
New-York, 1995
31. Helerea Elena, Materiale pentru electrotehnică şi electronică, Editura Martix ROM,
Bucureşti, 2003
32. Tifert K..hH, Tsang D.W., Myers R.L., The Vertical Power MOSFET for High-
Speed Power Control, Hewlett-Packard Journal, 8, 1981, pp. 18-24
33. Svasta P., Golumbeanu V., Elemente de pacaging al modulelor electronice, Editura
PRINTECH, Bucureşti
34. Mohan N., Undeland T., M., Robbins W., P., Power Electronics, Third Edition, John
Wiley&Sons, Inc., New York, 2001
35. Popescu V., Electronică de putere, Editura de Vest, Timişoara, 1998
36. Varteresian J., Fabricating Printed Circuit Boards, Elsevier Science, 2002
ELECTRONICS WEBSITES
1. Tutorials, Electronics made EASY, Williamson Labs

index.html of: A collection of tutorials on Electronics, from the basics to University level;
more than 190 URLs, in over 90 related subject areas.
www.williamson-labs.com/
2. Open Directory - Business: Electronics and Electrical: Components

Camsco Electric Co., Ltd. - Manufacturer of electrical panel control components, industrial
plugs and sockets, AC solenoids, buzzers, ...
www.dmoz.org/Business/Electronics_and_Electrical/Components/
3. Basic Electronics Tutorials

Basic Electronics Tutorials and Revision. A free online Resource for Students, Teachers,
Beginners and Hobbyists on all aspects of Digital and Analogue ...
www.electronics-tutorials.ws/
4. Electronic Tutorials - Circuits - Schematics - Electronics Hobby ...

Electronic Tutorials - Circuits - Schematics - Dictionary of Electronics Terms, Basic &
Advanced Electronics - Abbreviations, Electronics for Beginners, ...
www.hobbyprojects.com/tutorial.html
5. 101 Electronics Links - www.101science.com

Tutorials on basic electronics, circuit theory, components and design ideas. .... Offers an
extensive range of electronics tutorials online. ...
101science.com/Radiotutorialslinks.htm
6. Circuits analysis tutorial

Basic electrical laws and circuits analysis techniques on www.circuit-magic.com.
www.circuit-magic.com/laws.htm
7. Interactive Circuit tutorial

Welcome to the Interactive Circuit Tutorial! Department of Mathematics and Computer
Science. Principles of propositional logic and logical circuits are ...
www.cs.wfu.edu/~djj/circuitproject/
8. LED Circuit Tutorial
The longer lead must be facing the anode(+) of the circuit. Failing to do this will not do any
damage in the currently discussed circuit, ...
unclean.org/howto/led_circuit.html
9. Basic Analog Circuits - Developer Zone - National Instruments

This tutorial introduces and explains the basic fundamentals of analog circuits. You can also
view an interactive presentation that takes you through this ...
zone.ni.com/devzone/cda/tut/p/id/3037
10. Digital Logic

It is also readily possible to design and build circuits that will remain ... Since both types of
logic circuits begin with logic gates to combine logical ...
www.play-hookey.com/digital/
11. Beginners' Guide to Electronics, Part 1 - Basic Components Explained

ESP - Beginners Start Here. Resistors, capacitors, inductors and other passive electronic
components explained.
sound.westhost.com/beginners.htm
12. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

Forgot your web account username or password? ... IEEE/IET Electronic Library The
complete collection for corporations and institutions ...
www.ieee.org/
13. ElectronicsInfoline.com | PIC Projects | DIY Projects ...

A large collection of free electronics schematics. New circuit, datasheet, project idea,
technical articles and related products are posted every week.
www.electronicsinfoline.com/
14. electrical and electronics,electrical engineering,electronics ...

electrical and electronics company,electrical circuits,electrical motors,electronics
circuits,electrical and electronics,electrical and ...
electricalandelectronics.org
Tehnologiile de fabricaţie a
componentelor active şi pasive, precum şi a
aparaturii electronice sunt în continuă
schimbare şi perfecţionare.
Lucrarea de fața iși propune să ofere
viitorilor specialiști din domeniul
electronicii notiunile de bază in domeniul
materialelor pentru electronică și al
tehnologiilor specifice.
ISBN 978-606-19-0387-0

Electrical

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electrical

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

IOAN D.

MATERIALE ȘI TEHNOLOGII PENTRU

MATERIALE ȘI TEHNOLOGII PENTRU

Note de curs şi aplicaţii

15. Aplicații – Lucrări de laborator

legate de producţie şi de procedee tehnologice, proiectarea asistată de calculator, etc.

1. Materiale folosite în electronică.

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 1

 Tehnologia componentelor electronice pasive: rezistoare,

 Tehnologia dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor

 Tehnologia de realizare a subansamblelor: tehnologii de

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 2

Aparatura electronică are la bază materiale specifice şi

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 3

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 4

Clasificare d.p.d.v. al comportării în câmpul

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 5

Proprietăţile diferitelor materiale pot fi descrise cu ajutorul

O lege de material descrie comportarea materialului sub

Un enunţ general al unei legi de material conţine întotdeauna o

Fiecărei proprietăţi de material i se asociază o mărime fizică (care

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 7

Legea legăturii în câmp electric: D   0 r E

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 8

 Curentul electric de conducţie este definit prin mişcarea ordonată de

 Metalele şi aliajele intră în clasa materialelor conductoare, având

 Structura atomică - metalele sunt alcătuite din atomi care au un

materiale conductoare electric, care permit trecerea

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 11

Clasificarea cristalelor după poziţia nivelului Fermi: a) cristale

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 12

 b) Teoria gazului electronic (Lorenz)

 Această teorie consideră că reţeaua cristalină a metalelor este

 La aplicarea unei diferenţe de potenţial din exterior, asupra

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 13

Viteza de drift poate fi definită ca viteză medie de deplasare a

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 15

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 16

Conductivitatea σ prin introducerea mobilităţii electronului μ0 se mai

Prin înlocuire în relația densității de curent, rezultă:

Dependenţa mobilităţii purtătorilor de sarcină de timpul mediu între două

Ciocniri ale electronilor de conducţie: a) cu reţeaua cristalină; b) cu

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 18

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 19

Metalul n0 [ m-3 ] tc [ s ]  [1/m]  [m]

Na 2,5  1028 3,1  10-14 0,23  108 4,34  10-8

K 1,3  1028 4,4  10-14 0,19  108 5,26  10-8

Cu 8,5  1028 2,7  10-14 0,64  108 1,56  10-8

Ag 5,8  1028 4,1  10-14 0,68  108 1,47  10-8

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 20

Rezistivitatea metalelor depinde de temperatura:

Variaţia conductibilităţii σ a metalelor cu temperatura are la bază

La temperaturi scăzute oscilaţiile sunt mai reduse deci şi forţele de

Supraconductibilitatea este proprietatea unor materiale

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 23

Fenomenul a fost pus în evidenţă pentru prima dată de către

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 24

Valoarea temperaturii la care are loc trecerea în stare supraconductoare

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 25

Pentru ca un material să poată fi utilizat ca material

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 26

Cuprul este metalul folosit cu precădere în industria electrotehnică, sub

Rezistivitate de volum normală, n  1,724  108 m