Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
FISA DISCIPLINEI
1. DATE DE IDENTIFICARE
Titlul disciplinei:
Titulari de disciplin:
Tipul:
pregtire general
42 ore
21 ore
Pachetul:
Precondiii:
2. OBIECTIVELE DISCIPLINEI
-
pentru curs:
pentru aplicaii:
3. COMPETENE SPECIFICE
Crearea abilitilor de a folosi optimal diverse materiale in aplicatii si proiecte;
cunotinele generale privind influienta structurii asupra proprietatilor de material.
Posibilitatea de a evalua din datele de catalog caracteristicile unui dispozitiv
construit dintr-un material anume. Cunoasterea limitelor de utilizare ale diverselor
materiale folosite in electronica pentru realizarea unor dispozitive pe baza
acestora. Cunoasterea unor cerinte pentru noi materiale necesare in realizari
viitoare.
1
Coninutul
INTRODUCERE
1.1
Structura atomica a materialelor
1.2
Stari structurale ale substanei.
1.3
Structura materialelor solide
1.4
Tipuri de legaturi n monocristale
1.5
Fononi
1.6
Electroni n corpul solid
1.7
Modelul zonelor energetice
1.8
Proprietati macroscopice ale materialelor
MATERIALE SOLIDE CRISTALINE
2.1
Introducere
2.2
Simetria poliedrelor cristaline
2.3
Categorii, sisteme (singonii) si clase cristalografice.
2.4
Exemple de materiale cristaline
2.5
Proprietatile de grup ale operatiilor de simetrie
2.6
Descrierea matematica a proprietatilor corpurilor cristaline
2.7
Aplicatii
2.8
Structuri compacte ale cristalelor.
2.9
Imperfectiuni n aranjamentul atomic
2.10
Determinarea structurii cristalelor
2.11
Reteaua inversa
2.12
Influienta simetriei cristaline asupra proprietatilor de material
2.13
Efectul simetriei asupra proprietatilor de material exprimabile printr-un
vector
2.14
Influienta simetriei asupra proprietatilor exprimate printr-un tensor de
ordinul doi
2.15
Influienta simetriei asupra proprietatilor exprimate
printr-un tensor de ordinul trei
2.16
Forma tensorilor de ordinul IV
MATERIALE DIELECTRICE
3.1
Introducere. Polarizarea dielectricilor
3.2
Materiale cu polarizare temporara
3.3
Mecanisme de polarizare
3.4
Pierderi dielectrice.
3.5
Dependenta de frecventa si temperatura a permitivitatii
complexe
3.6
Conductia n materialele dielectrice.
3.7
Strapungerea materialelor dielectrice.
3.8
Observatii n legatura cu mecanismele de strapungere.
3.9
Dielectrici solizi cu polarizare temporara
3.10
Materiale dielectrice neliniare
3.11
Polarizarea piezoelectrica.
3.12
Electreti
STAREA MEZOMORFA; CRISTALE LICHIDE
4.1
Introducere
4.2
Clasificarea cristalelor lichide.
4.3
Efectele electrooptice n CLN
4.4
Proprietati elasice ale cristalului lichid
4.5
Timpul de raspuns al unui cristal lichid
4.6
Efecte de cmp n cristale lichide
4.7
Efecte termice
4.8
Tehnici de comanda a celulelor de afisaj cu cristale lichide
4.9
Metode de adresare termica si optica
MATERIALE MAGNETICE
5.1
Proprietati magnetice ale materialelor
5.2
Influenta cmpului asupra materialului magnetic.
5.3
Clasificarea materialelor magnetice dupa susceptibilitate.
5.4
Ferite
Nr.
ore
2
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
5.10
5.11
5.12
5.13
5.14
5.15
5.16
5.17
6
10
11
MATERIALE CONDUCTOARE
6.1
Introducere
6.2
Principalii factori care influenteaza
conductivitatea unui material metalic conductor
6.3
Influenta temperaturii
6.4
Materiale supraconductoare
6.5
Aplicatii ale supraconductorilor
6.6
Materiale de nalta conductivitate
6.7
Materiale rezistive
6.8
Materiale pentru contacte
MATERIALE SEMICONDUCTOARE ELEMENTARE SI COMPUSE
7.1
Introducere
7.2
Clasificarea materialelor semiconductoare
7.3
Diagrama de benzi a materialelor semiconductoare compuse
7.4
Conductivitatea materialelor semiconductoare
7.5
Ecuatiile de continuitate
7.6
Semiconductori intriseci
7.7
Semiconductoare extrinseci
7.8
Efectul temperaturii aspra concentratiei de purtatori
7.9
Superretele
HOMOJONCIUNI I HETEROJONCTIUNI SEMICONDUCTOARE
8.1
Introducere
8.2
Caracteristica curent tensiune a unei jonctiuni p-n.
8.3
Diode Schottky
8.4
Limitari necesare n dispozitive cu jonctiuni
8.5
Heterojonctiuni
TEHNOLOGIA MATERIALELOR SEMICONDUCTOARE
9.1
Obtinerea materialelor semiconductoare
9.2
Metode de purificare fizica
9.3
Metode de obtinere a monocristalelor
9.4
Metode de crestere din topitura
9.5
Epitaxia din faza lichida (LPE)
9.6
Metode de crestere epitaxiala din faza de vapori
9.7
Metoda MOCVD pentru epitaxia straturilor subtiri
9.8
Metode de dopare selectiva si cotrolata a materialelor semiconductoare
9.9
Consideratii privind fabricarea heterojonctiunilor
9.10
Optica microlitografiei.
9.11
Implantarea ionica
TEHNOLOGIA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE DISCRETE
10.1
Clasificare
10.2
Structuri ale principalelor tipuri diode semiconductoare
10.3
Structuri ale principalelor tipuri de tranzistoare
TEHNOLOGIA CIRCUITELOR INTEGRATE
11.1
Introducere
11.2
Tehnologia bipolara.
11.3
Variante ale tehnologiei standard.
11.4
Tehnologia MOSFET
11.5
Tehnologia MESFET
MATERIALE FOTONICE
12.1
Introducere; nanomateriale
12.2
Radiatia produsa de o jonctiune pn
12.3
Diode Laser. Emisia stimulata
Total:
42
5. EVALUAREA
a) Activitile evaluate i ponderea fiecreia:
- examen partial
- tema de casa
- examen final (scris):
35%;
30%
35%.
EF DE CATEDR
Prof. Dr.ing. Ovidiu Iancu
TITULARI DE DISCIPLIN
Prof.Dr.ing Marin Dragulinescu
Prof. Dr.ing Paul Schiopu
Prof. Dr.ing Manea Adrian