UNIVERSITATEA DE STAT DIN MOLDOVA

Facultatea de Fizică și Inginerie

Departamentul Fizica Aplicată și Informatica

CURRICULUM

la disciplina

Fizica semiconductorilor neordonaţi

Ciclul II, Master

Program: Fizică

AUTORI:
Dumitru Nedeoglo,
dr. hab., prof. univ.
Valentina Nicorici,
Dr., conf.univ

APROBAT
APROBAT
la ședința Consiliul Facultății al FFI
la ședința Departamentului
Fizica Aplicată și Informatică Decan FFI L. Dmitroglo______________
Dr., conf. univ
din _______________2023
proces-verbal nr. ____ P.V. nr. ____ din „___” __________ 2023

Chişinău, 2023
 PRELIMINARII

Semiconductorii dopaţi în dependenţă de gradul de dopare în anumite condiţii pot deveni sisteme
neordonate, care după proprietăţile lor se aseamănă cu cele amorfe. Scopul cursului dat este de a expune
teoria stărilor electronice şi a conductibilităţii semiconductorilor dopaţi la temperaturi joase, adică în acea
regiune, în care stările electronice nu pot fi descrise de funcţia Bloch. Cursul dat prevede familiarizarea
masteranzilor cu particularităţile spectrului energetic al impurităţilor în semiconductorii neordonaţi, cu
mecanismele de transport al purtătorilor de sarcină prin stările impuritare localizate şi cu condiţiile de
localizare şi de delocalizare a stărilor electronice în sistemele date. De asemenea, se cercetează influenţa
acţiunii factorilor externi asupra conductibilităţii electrice prin stările impuritare localizate.
Obiectivul cursului „Fizica semiconductorilor neordonaţi” este de a sistematiza cunoştinţele
fundamentale ale teoriei stărilor electronice în semiconductorii cristalini lipsiţi de periodicitate strictă în
distribuţia atomilor în reţeaua cristalină.

I. ADMINISTRAREA DISCIPLINEI

Ore total:

Evaluarea

credite
Nr. de
Forma de Codul Denumirea Responsabil Semest inclusiv
învăţământ disciplinei disciplinei de disciplină rul Total
C S L LI

cu Fizica Nedeoglo III 150 20 20 - 110 Ex 5

frecvenţă la S03O115 semiconduc- Dumitru
zi torilor
neordonați

II. TEMATICA ŞI REPARTIZAREA ORIENTATIVĂ A ORELOR

Ore
Nr.
Unităţi de conţinut Lucrul
d/o Curs Seminar
individual
1. Structura electronică şi mecanisme de transport în 3 3 10
semiconductori neordonaţi
1.1 Localizarea stărilor electronice. Tranziţia Anderson 2 1 -
1.2 Tranziţia Mott. Exemple experimentale de realizare a 1 2 -
tranziţiilor metal– izolator de tip Anderson şi Mott
2. Structura benzilor impuritare în semiconductorii 3 3 22
slab dopaţi
2.1 Semiconductorii slab dopaţi cu gradul de compensare 2 2 -
mic
2.2 Influenţa fluctuaţiei potenţialului impuritar asupra 1 1 -
spectrului energetic al stărilor electronice şi
 impuritare în semiconductorii slab dopaţi cu un grad
de compensare înalt
3. Conductibilitatea prin salturi in semiconductorii 2 2 10
slab dopaţi
3.1 Noţiuni generale despre conductibilitatea prin salturi 2 2 -
în semiconductorii slab dopaţi. Rezultatele
experimentale
4. Metode de calcul a conductibilităţii electrice prin 2 2 8
salturi
4.1 Modelul reţelei de rezistenţă a lui Miller şi 2 2 -
Abrahamson
5. Teoria percolaţiei 3 3 14
5.1 Teoria percolaţiei – teoria modernă a conductibilităţii 3 3 -
prin salturi. Problema nodurilor şi a legăturilor – baza
teoriei de percolaţie
6. Conductibilitatea prin salturi şi gradul de dopare 4 4 22
6.1 Dependenţa conductibilităţii prin salturi de gradul de 1 1 -
dopare
6.2 Dependenţa energiei de activare a conductibilităţii 1 1 -
prin salturi de gradul de dopare şi compensare
6.3 Conductibilitatea prin salturi la distanţa variabilă 2 2 -
7. Magnitorezistenţa 3 3 24
7.1 Conductibilitatea prin salturi în cîmpul magnetic 1 2 -
7.2 Magnitorezistenţa în regiunea de aplicare a legii Mott 2 1 -
Total: 20 20 110

III. COMPETENŢE PROFESIONALE ŞI FINALITĂŢI DE STUDIU

COMPETENȚE PROFESIONALE/ FINALITĂȚI DE STUDIU/REZULTATELE ALE

SPECIFICE
Utilizarea principiilor de conversie a
surselor de energie regenerabilă la
rezolvarea problemelor energetice în
RM.
Elaborarea şi aplicarea strategiilor,
diverselor forme şi tehnici de evaluare
a activităţii de cercetare în domeniul
fizicii și ingineriei semiconductorilor.
ÎNVĂȚĂRII
Studentul va fi capabil de:
 a însuşi modelele teoretice moderne, ce descriu fizica
sistemelor neordonați;
 a cunoaște particularităţile spectrelor energetice ale
stărilor electronice în semiconductorii neordonaţi;
 a justifica necesitatea creării de dispozitive noi pe
baza semiconductorilor neordonați, ce țin de domeniul
de energie regenerabilă.
 a evalua activitățile de cercetare în RM din domeniul
fizicii semiconductorilor neordonați;
 a stabili legătura dintre rezultatele experimentale ale
conductibilităţii impuritare şi modelele teoretice
moderne de localizare a stărilor electronice în
semiconductori;

Identificarea direcţiilor principale de
dezvoltare a fizicii și ingineriei
semiconductorilor.
 a proiecta termorezistoare pentru domeniul de
temperaturi foarte joase, bazate pe principiile teoriei de
percolaţie a conductibilităţii prin salturi.
 a generaliza direcțiile principale de dezvoltare a fizicii
semiconductorilor în domeniul de temperaturi joase;
 a prezice căile posibile de dezvoltare a fizicii
sistemelor neordonate şi de aplicare rezultatelor
ştiinţifice obţinute în acest domeniu;
 a elabora recomandări referitoare la integrarea
cunoştinţelor în domeniul fizicii semiconductorilor
neordonaţi şi la înregistrarea şi păstrarea informaţiei
optice pe baza semiconductorilor amorfi.

IV. UNITĂŢI DE ÎNVĂŢARE

Obiective de referinţă Unităţi de conţinut

Studentul va fi capabil:
Subiectul 1. Structura electronică şi mecanismele de transport în semiconductori neordonaţi
 să definească deosebirile principale ale semiconductorilor Noţiuni generale despre
neordonaţi şi cei ordonaţi; semiconductorii neordonaţi şi
 să analizeze şi să compare structura zonală a stările electronice.
semiconductorilor ordonaţi şi cei neordonaţi. Localizarea stărilor electronice.
 să stabilească sensul fizic al fenomenului de localizare a Tranziţia Anderson.
stărilor electronice; Semiconductorul puternic dopat
 să descrie modelul monoelectronic de localizare a lui şi compensat – model pentru
Anderson; studierea tranziţiei Anderson.
 să definească condiţiile pentru realizarea tranziţiei metal– Tranziţia Mott. Tranziţia metal-
dielectric conform modelului Anderson; izolator în semiconductori dopaţi.
 să modeleze procesul de realizare al tranziţiei Anderson în Exemple experimentale de
semiconductorii puternic dopaţi şi compensaţi; realizare a tranziţiilor metal-
izolator de tip Anderson şi Mott.
 să formuleze noţiunea de „bandă impuritară” în
Conductibilitatea metalică
semiconductorii slab dopaţi;
minimă.
 să definească tranziţia Mott;
Termeni cheie: semiconductorii
 să interpreteze tranziţia Mott în limitele modelului benzilor neordonaţi, stările electronice,
Habbard; semiconductor compensat, tranziți
 să descrie particularităţile formării tranziţiei metal – izolator a metal-izolator în semiconductor.
în semiconductorii dopaţi, luând în consideraţie efectul de
corelaţie;
 să propună variante diferite de realizăre a tranziţiei metal–
izolator în semiconductorii dopaţi;
 să definească conductibilitatea metalică minimă;
 să formuleze posibilităţile alternative de schimbare a
caracterului conductibilităţii metalice şi concentraţiei
purtătorilor de sarcină în apropierea tranziţiei metal–
izolator.

Subiectul 2. Structura benzilor impuritare în semiconductorii slab dopaţi.

 să stabilească cauzele dispersiei nivelelor energetice a Formarea bezilor impuritare în
centrelor impuritare cu excitarea localizată; semiconductorii slab dopaţi.
 să discute problema poziţiei nivelului Fermi în banda Banda impuritară în cazul
impuritară; gradului de compensare mic.
 să descrie structura benzii de impurităţi în semiconductorii Potenţialul cu scară mare la
slab dopaţi; gradul de compensare mic.
 să analizeze condiţiile de formare a complexurilor: „0”, „1”, Banda impuritară în cazul
„2” şi să calculeze concentraţia lor. gradului de compensare înalt.
 să stabilească legătură între caracterul oscilaţiilor Influenţa potenţialului impuritar
potenţialului impuritar şi scara lor; fluctuant asupra spectrului
 să efectueze analiza influenţei ecranării cu complexuri electronic şi stările impuritare în
asupra fluctuaţiilor de scară mare a potenţialului impuritar; semiconductorii slab dopaţi şi
compensaţi.
 să descrie poziţia nivelului Fermi în banda impuritară la
Termeni cheie: banda impuritară,
grad înalt de compensare;
gradul de compensare, potențialul
 să determine particularităţile specifice ale fluctuaţiilor de
impuritar.
scară mare ale concentraţiei impurităţilor încărcaţi în cazul
gradului de compensare înalt;
 să stabilească mecanismul ecranării electronice a fluctuaţiilor
de scară mare a potenţialului impuritar;
 să stabilească legătura între potenţialul de scară mare şi
poziţia nivelului Fermi.

Subiectul 3. Conductibilitatea prin salturi în semiconductori slab dopaţi

 să clasifice mecanismele generale ale conductibilităţii în Legităţile generale experimentale
semiconductori; ale conductibilităţii în
 să definească conductibilitatea prin salturi; semiconductori.
 să enumere legităţile experimentale ale conductibilităţii prin Conductibilitatea prin salturi cu
salturi; energia de activare constantă.
 să interpreteze dependenţa conductibilităţii prin salturi de Termeni cheie: conductibilitatea
concentraţie. electrică prin salturi, energia de
activare a conductibilității.

Subiectul 4. Metode de calcul al conductibilităţii electrice prin salturi

 să calculeze conductibilitatea electrică a reţelei aleatoare cu Modelul reţelei de rezistenţe a
spectrul rezistenţilor exponenţial de larg; lui Miller şi Abrahamson şi
 să analizeze critic calculele lui Miller şi Abrahamson şi să analiza lui critică.
determine neajunsurile acestei metode; Termeni cheie: rețea de
 să descrie probele de lichidare a neajunsurilor prin utilizarea rezistență, modelul lui Miller și
metodei mediului efectiv. Abrahamson.

Subiectul 5. Teoria percolaţiei

 să caracterizeze avantajele de bază ale metodei noi de Teoria de percolaţie ca teorie
calculul al conductibilităţii electrice a reţelei aleatoare de modernă şi cantitativă a
rezistenţe; conductibilităţii prin salturi.
 să modeleze şi să rezolve problema legăturilor; Problema nodurilor şi a
 să modeleze şi să rezolve problema nodurilor formulată pe legăturilor ca baza teoriei de
baza clasterilor; percolaţie.
 să propună exemple de rezolvare experimentală a problemei Termeni cheie: teoria
nodurilor. percolației, noduri și legături,
 să definească noţiunea de „pragul de percolaţie”. clasteri, pragul de percolație.
Subiectul 6. Conductibilitatea prin salturi şi gradul de dopare
 să determine expresia analitică exactă, care descrie Dependenţa conductibilităţii
dependenţa exponenţială a conductibilităţii prin salturi de prin salturi de concentraţia
concentraţia impurităţilor; impurităţilor.
 să stabilească cauza dependenţei conductibilităţii prin salturi Dependenţa energiei de activare
cu energia de activare constantă de temperatură; a conductibilităţii prin salturi de
 să explice influenţa compensării impurităţilor asupra mărimii concentraţia impurităţilor.
energiei de activare a conductibilităţii prin salturi; Conductibilitatea prin salturi cu
 să interpreteze sensul fizic al fenomenului de conductibilitate distanţa de salt variabilă. Legea
cu distanţa variabilă de salt; lui Mott, Shklovskii-Efros.
 să stabilească influenţa mărimii densităţii de stări în Termeni cheie: conductibilitatea
vecinătatea nivelului Fermi asupra formei dependenţei electrică prin salturi cu distanţa
conductibilităţii prin salturi la distanţă variabilă de variabilă de salt, legea lui Mott,
temperatură; legea lui Shklovskii-Efros.
 să cunoască metodele experimentale, care controlează
îndeplinirea legilor lui Mott, Shklovskii-Efros;
 să analizeze influenţa interacţiunii electronice asupra
densităţii de stări în vecinătatea nivelului Fermi şi
conductibilităţii prin salturi.

Subiectul 7. Magnitorezistenţa
 să descrie influenţa câmpului magnetic asupra formei şi Conductibilitatea prin salturi în
mărimii funcţiei de undă a electronilor localizaţi pe câmpul magnetic.
impurităţi; Magnitorezistenţa la
 să explice natura fizică a magnitorezistivităţii gigantice şi conductibilitatea prin salturi cu
pozitive; energia de activare constantă şi
 să stabilească caracterul dependenţei magnitorezistenţei de variabilă.
mărimea câmpului magnetic într-un interval larg de inducţie Termeni cheie:
al cîmpului magnetic. magnetorezistența,
magnetorezistivitate gigantică.

V. LUCRUL INDIVIDUAL AL STUDENTULUI

Nr. Denumirea Sarcini Strategii de Produs Criterii de evaluare

d/o temei și ore LI realizare și final
modalități de
prezentare
1. Tranziție metal- 1. Studiul Studii generale Referat Prezentarea, expunerea
dielectric în sem bibliografic al informaționale. referatului.
iconductori (10 teoriilor tranziției Proiect Power Vor fi evaluate:
ore) metal-dielectric Point și a) Realizarea sarcinilor
2. Elaborarea prezentarea la tematice;
planului de lucru seminar b) Forma de prezentare și
tehnoredactarea;
3. Prezentarea
c) Corectitudinea și structura
referatului logică a referatului;
d) Relevanţa concluziilor;
e) Indicarea surselor
bibliografice;
f) Volumul (minimum 10-15
pagini).
2. Fenomenele 1. Studiul Studii generale Referat Prezentarea, expunerea
fotoelectrice în bibliografic al informaționale. referatului.
 semiconductori fenomenelor Proiect Power Vor fi evaluate:
neordonați (10 fotoelectrice, Point și a) Realizarea sarcinilor
ore) naturii fizice a RT prezentarea la tematice;
și CT și diverselor seminar b) Forma de prezentare și
tehnoredactarea;
modele
c) Corectitudinea și structura
2. Elaborarea logică a referatului;
planului de lucru d) Relevanţa concluziilor;
3. Prezentarea e) Indicarea surselor
referatului bibliografice;
f) Volumul (minimum 10-15
pagini).
3. Semiconductori 1. Analiza Studii generale Referat Prezentarea, expunerea
amorfi (8 ore). bibliografică informaționale. referatului.
despre fizica Proiect Power Vor fi evaluate:
semiconductorilor Point și a) Realizarea sarcinilor
amorfi prezentarea la tematice;
2. Elaborarea seminar b) Forma de prezentare și
tehnoredactarea;
planului de lucru
c) Corectitudinea și structura
3. Prezentarea logică a referatului;
referatului d) Relevanţa concluziilor;
e) Indicarea surselor
bibliografice;
f) Volumul (minimum 10-15
pagini).
4. Conductibilitate 1. Studiul Studii generale Referat Prezentarea, expunerea
prin salturi cu bibliografic al informaționale. referatului.
distanţa variabilă rezultatelor Proiect Power Vor fi evaluate:
de salt (6 ore) experimentale Point și a) Realizarea sarcinilor
referitor la prezentarea la tematice;
conductibilitate seminar b) Forma de prezentare și
prin salturi cu tehnoredactarea;
distanţa variabilă c) Corectitudinea și structura
de salt logică a referatului;
d) Relevanţa concluziilor;
2. Elaborarea
e) Indicarea surselor
planului de lucru bibliografice;
3. Prezentarea f) Volumul (minimum 10-15
referatului pagini).

VI. SUGESTII METODOLOGICE DE PREDARE-ÎNVĂŢARE-EVALUARE

Specificul disciplinei “Fizica semiconductorilor neordonați” determină metodologia

tradiţională de predare-învăţare. Lecţiile de curs sunt ţinute în formă de prelegeri și seminari.
Forme de organizare a instruirii: prelegerea, expunerea liberă, conversaţia didactică,
demonstraţia, modelarea, etc.
Strategii/tehnologii didactice aplicate:
strategii mixte: inductiv-deductive şi deductiv-inductive;
strategii algoritmice: explicativ-demonstrative, intuitive, expozitive, programate şi algoritmice
propriu-zise al caror demers didactic este de la particular la general;
strategii deductive: concretizarea prin exemple;
strategii analogice - predarea şi învăţarea se desfăşoară cu ajutorul modelelor.
 Strategii de evaluare a rezultatelor academice: Verificarea cunoştinţelor studenților se
face pe tot parcursul semestrului în cadrul lecţiilor şi seminarilor, prin examinări orale,
extemporale, teste, probe practice, referate şi alte lucrări scrise efectuate de studenți în timpul
semestrului.
Evaluarea continuă a cunoştinţelor şi competenţelor studenţilor la disciplina “Fizica
semiconductorilor neordonați” are loc în forma a două teste conform planului calendaristic de
învăţămînt al USM. O notă pentru evaluarea medie este constituită din notele curente ale fiecărui
student obținute la lecţiile de seminar. Încă o notă care determină nota semestrială este nota cu
care este apreciat lucrul individual al fiecărui student la pregătirea referatelor. Evaluarea
sumativă se bazează pe examenul scris. Calculul notelor este în conformitate cu documentele
normative ale USM.

BIBILIOGRAFIE RECOMANDATĂ

1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников.

М., Наука, 1979, 416 с.
2. I. Nicolaescu, V.G. Canţer, I.M. Tighineanu. Fizica corpului solid. Partea 2. Chişinău, 1991.
3. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. М., Наука, 1977,
672c.
4. Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках. М., Наука, 1977,
672с.
5. P.S. Kireev. Fizica semiconductorilor. Bucureşti, 1977.
6. О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния. М., Наука, 1985, 184с.
7. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Миронов. Доменная электрическая
неустойчивость в полупроводниках. М., Наука, 1972, 414 с.
8. I.I. Nicolaescu, V. Canțer. Introducere în Fizica corpului solid, Ed. Cultira, Pitești, 1998.
9. C. Stănescu, G. Chirleșan, D. Chirleșan. Aplicații în fizica corpului solid. Ed. Univ. Pitești,
2005, 209 p.
10. И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. Из-во МГУ,
1984, 189 с.
11. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер.
Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М., Наука, 1981.
12. Н.Ф Мотт. Переходы металл-изолятор. М., Наука, 1979, 349 с.
13. Н. Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах, т. 1,
2, М., Мир, 1982.